JP2023535642A - 半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイス - Google Patents

半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2023535642A
JP2023535642A JP2023509533A JP2023509533A JP2023535642A JP 2023535642 A JP2023535642 A JP 2023535642A JP 2023509533 A JP2023509533 A JP 2023509533A JP 2023509533 A JP2023509533 A JP 2023509533A JP 2023535642 A JP2023535642 A JP 2023535642A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
wiring
air
reaction chamber
functional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023509533A
Other languages
English (en)
Inventor
ジィェン リィゥ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Publication of JP2023535642A publication Critical patent/JP2023535642A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本発明は、半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイスを開示する。半導体反応チャンバは、キャビティと、静電チャックと、機能性配線と、気圧調整装置とを含む。キャビティは内キャビティを囲んで形成し、静電チャックは内キャビティに位置し、基体と、基体に設けられる機能層とを含む。基体と機能層とは接着により固定され、基体には配線チャネルが開設される。機能層は配線チャネルの端部開口を覆い、且つ基体とともに配線チャネルを囲んで収容キャビティを形成する。機能性配線は配線チャネルを貫通し、機能層と接触する。気圧調整装置は収容キャビティと連通し、収容キャビティ内の気圧と前記内キャビティ内の気圧とを平衡化させる。本技術案は、半導体反応チャンバ内部と静電チャックの収容キャビティ内部との気圧のアンバランスにより、静電チャックの各部材の接続の確実性が低くなるという課題を解決することができる。

Description

本発明は、半導体加工デバイスの技術分野に関し、特に半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイスに関する。
静電チャックを含む半導体加工デバイスは、例えばプラズマエッチング、物理蒸着、化学蒸着等の集積回路の製造プロセスに幅広く適用されている。静電チャックは半導体加工デバイスの半導体反応チャンバ内に設けられ、ウェハを固定、支持するとともに、ウェハに直流バイアスを提供し、ウェハの温度を制御することもできる。
通常、静電チャックは基体と機能層とを含み、機能層は一般的に接着層により基体に固定される。当該基体には、機能性配線が貫通するための複数の配線チャネルが設けられることで、当該機能性配線を機能層と接触させることができる。当該機能性配線は、例えば検出配線および制御配線等を含む。温度検出装置は、当該検出配線により、静電チャック上に載せられるウェハの温度を検出することができる。制御器は、当該制御配線により機能層における加熱器を制御することで、静電チャック上のウェハの温度を制御することを実現できる。
しかし、具体的な作業プロセスにおいて、半導体加工デバイスにおける半導体反応チャンバ内部は通常、真空状態にあり、基体における上記配線チャネル内は大気圧状態にある。
チャンバ内部と配線チャネルとの圧力差が静電チャックの複数の部材に対して力の作用を生じることにより、基体と機能層との接着性が損なわれやすく、静電チャック全体の取り付け効果にも影響を与える。
本発明は、半導体反応チャンバ内部と静電チャックの収容キャビティ内部との気圧の不均衡により、静電チャックの各部材の接続の確実性が低くなるという課題を解決する半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイスを開示する。
上記課題を解決するために、本発明は、内キャビティを囲んで形成するキャビティと、前記内キャビティに位置し、基体と、前記基体に設けられる機能層とを含む静電チャックであって、前記基体と前記機能層とは接着により固定され、前記基体には配線チャネルが開設され、前記機能層は前記配線チャネルの端部開口を覆い、且つ前記基体とともに前記配線チャネルを囲んで収容キャビティを形成する静電チャックと、前記配線チャネルを貫通し、前記機能層と接触する機能性配線と、前記収容キャビティと連通し、前記収容キャビティ内の気圧と前記内キャビティ内の気圧とを平衡化させる気圧調整装置と、を含む半導体反応チャンバを用いる。
また、本発明は、上記半導体反応チャンバを含む半導体加工デバイスを用いる。
本発明が用いる技術案は、本発明の実施例により開示された半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイスの技術案において、収容キャビティと連通する気圧調整装置により、収容キャビティ内の気圧と内キャビティ内の気圧とを平衡化することで、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ内の気圧と同等にすることができ、それにより内キャビティと収容キャビティとに圧力差が存在することで基体と機能層との接着性が損なわれることを避けることができ、基体と機能層との接続の安定性を高め、静電チャックの耐用年数を増加させることができるという有益な効果を達することができる。
ここで説明する図面は、本発明に対するさらなる理解を提供するものであり、本発明の一部を構成するものである。
本発明の模式的な実施例およびその説明は本発明を説明するものであり、本発明に対する不適切な限定を構成するものではない。
図１は、本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバの断面図である。 図２は、本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバの一部断面図である。 図３は、本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバにおける静電チャックの構造模式図である。 図４は、図３の別の視角における構造模式図である。 図５は、本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバにおける接続フランジの断面図である。
本発明の目的、技術案および利点をさらに明確にするために、以下に本発明の具体的な実施例および相応の図面を組み合わせて、本発明の技術案を明確、且つ完全に説明する。また、説明される実施例は本発明の一部の実施例にすぎず、すべての実施例でないことは明らかである。本発明における実施例に基づき、当業者が創造的な作業を行わない前提で得られるすべての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。
以下、図面を組み合わせて、本発明の各実施例により開示される技術案を詳細に説明する。
図１～図５に示すように、本発明の実施例は半導体反応チャンバを開示する。開示された半導体反応チャンバは、半導体加工デバイスに適用され、キャビティ１００と、静電チャック２００と、機能性配線３００と、気圧調整装置とを含む。
キャビティ１００は、内キャビティ１１０を囲んで形成し、当該内キャビティ１１０内でウェハを加工する。具体的に、図１に示すように、キャビティ１００の頂部に内キャビティ１１０と連通するノズル１２０が開設され、プロセスガスはノズル１２０により内キャビティ１１０に流入することができる。プロセスガスは、内キャビティ１１０においてウェハと物理化学反応を生じることで、ウェハに対する加工を完了する。
図１に示すように、静電チャック２００は内キャビティ１１０に位置し、ウェハを支持し、固定する。具体的に、静電チャック２００は、静電吸着の方式を用いて、ウェハに対する固定を実現する。いくつかの選択的な実施例において、静電チャック２００の下方には下部電極ケース９００が設けられ、当該下部電極ケース９００は静電チャック２００を支持し、機能性配線３００およびその他の構成部材に取り付けの基礎を提供する。
図２に示すように、静電チャック２００は、基体２１０と、基体２１０に設けられる機能層とを含み、基体２１０は機能層に取り付け位置を提供することができる。具体的に、基体２１０と機能層とは接着により固定され、例えば、基体２１０と機能層とは強力接着剤、またはホットメルト接着剤等の接着剤により接着される。基体２１０には配線チャネル２１１が開設され、機能層は当該配線チャネル２１１の端部開口を覆い、基体２１０とともに配線チャネル２１１を囲んで収容キャビティを形成する。機能性配線３００は配線チャネル２１１を貫通し、機能層の、配線チャネル２１１の端部開口に露出する部分と接触する。具体的に、図１および図２に示すように、機能性配線３００の一端はキャビティ１００の外部に位置し、外部の例えば制御器、温度検出装置等のデバイスと相互に接続される。機能性配線３００の他端は配線チャネル２１１を貫通し、機能層と接触することで、キャビティ１００の外部に位置するデバイスが機能性配線３００により静電チャック２００の表面のウェハに対して加熱、温度検出等の操作を実現することができる。選択的に、配線チャネル２１１の数は複数であってよく、異なる機能性配線３００が異なる配線チャネル２１１を貫通することで、上記操作を同時に実行させ、且つ相互干渉を避けることができる。
気圧調整装置は上記収容キャビティと連通し、当該収容キャビティ内の気圧と内キャビティ内の気圧とを平衡化する。このように、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０内の気圧と同等にすることにより、内キャビティ１１０と収容キャビティとの間に圧力差が存在することで基体２１０と機能層との接着性を損なうことを避けることができ、基体２１０と機能層との接続の安定性を高め、静電チャック２００の耐用年数を増加させることができる。
いくつかの選択的な実施例において、上記気圧調整装置は空気抽出装置４００、および／または空気充填装置５００を含む。気圧調整装置が空気抽出装置４００と空気充填装置５００とを含むことを例に、図２に示すように、空気抽出装置４００は収容キャビティと連通し、収容キャビティを真空にする。具体的に、空気抽出装置４００の空気抽出口は、収容キャビティの開口と密封接続される。この場合、空気抽出装置４００は収容キャビティ内の少なくとも一部の気体を抽出することができ、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０内の気圧と同等にすることができる。ウェハのエッチングプロセスにおいて、内キャビティ１１０は通常、真空状態にある。このとき、空気抽出装置４００をオンにするよう制御することで、収容キャビティ内の空気を抽出し、収容キャビティ内の気圧も真空状態にすることができる。
空気充填装置５００は収容キャビティと連通し、収容キャビティに空気を充填する。具体的に、空気充填装置５００の空気排出口は、収容キャビティの開口と密封接続される。この場合、半導体反応チャンバが非作業状態にあるとき、内キャビティ１１０の気圧は通常、大気圧状態にある。このとき、空気充填装置５００をオンにするよう制御することで、収容キャビティ内に空気を充填し、収容キャビティ内の気圧も大気圧状態にすることができ、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０の気圧と同等にすることができる。
上記作業プロセスにより、本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバにおいて、空気抽出装置４００によって、収容キャビティ内の少なくとも一部の空気を抽出する、または空気充填装置５００によって、収容キャビティ内に気体を流入させることで、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０内の気圧と同等にすることができ、それにより内キャビティ１１０と収容キャビティとの間に圧力差が存在することで基体２１０と機能層との接着性が損なわれることを避けることができ、基体２１０と機能層との接続の安定性を高め、静電チャックの耐用年数を増加させることができると理解できる。
当然のことながら、上記の状況において、さらに空気抽出装置４００と空気充填装置５００との組み合わせにより、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０内の気圧と始終同等にすることもでき、それにより内キャビティ１１０と収容キャビティとの間に圧力差が存在することで静電チャック２００における各部材に対して力の作用が生じることを避けることができ、静電チャック２００における各部材間の取り付けの安定性を高め、静電チャック２００の耐用年数を増加させることができる。実際の運用において、具体的なニーズに応じて、空気抽出装置４００、または空気充填装置５００を単独で設置してもよいことは言うまでもない。
さらに、配線チャネル２１１の数が複数である場合、１つの空気抽出装置４００は複数の収容キャビティと連通できることで、１つの空気抽出装置４００により、複数の収容キャビティ内の空気を抽出することができ、空気抽出装置４００の利用率を高めることができる。同様に、１つの空気充填装置５００は複数の収容キャビティと連通できることで、１つの空気充填装置５００により、複数の収容キャビティ内に空気を充填することができ、空気充填装置５００の利用率を高めることができる。
本発明の実施例において、選択的に、図２に示すように、空気抽出装置４００は空気抽出機構４１０と第１の配管４２０とを含んでよく、空気抽出機構４１０は真空ポンプ、またはファンであってよい。空気抽出機構４１０は内キャビティ１１０の外に設けられ、第１の配管４２０により、収容キャビティと連通することができる。この場合、第１の配管４２０は空気抽出機構４１０と収容キャビティとを連通する。具体的に、第１の配管４２０の第１の端は内キャビティ１１０の外に位置し、空気抽出機構４１０の空気抽出口と連通し、第１の配管４２０の第２の端は内キャビティ１００内に伸び、収容キャビティの開口と連通することができる。気体の密封性を確保するために、第１の配管４２０の第１の端は空気抽出機構４１０の空気抽出口と密封接続され、且つ第１の配管４２０の第２の端は空気抽出機構４１０の空気抽出口と密封接続され、気体が漏れて空気抽出機構４１０の空気抽出効果に影響を与えることを防止する。具体的に、第１の配管４２０の第１の端と空気抽出機構４１０の空気抽出口との間、および第１の配管４２０の第２の端と収容キャビティの開口との間には、シーリング材を設けることができ、それにより、より高い密封効果を実現し、空気抽出機構４１０の収容キャビティに対する空気抽出効果をより高くする。
また、第１の配管４２０は、空気抽出機構４１０の取り付けの柔軟性をより高くすることができる。具体的に、第１の配管４２０の延在効果により、空気抽出機構４１０をキャビティ１００の外の複数の位置に取り付けることができる。選択的に、第１の配管４２０はフレキシブルパイプであってよく、それにより空気抽出機構４１０の取り付けの柔軟性をさらに高めることができる。
さらに、第１の配管４２０には第１の開閉弁４２１を設けることができ、具体的な作業プロセスにおいて、第１の開閉弁４２１が開いている場合、空気抽出機構４１０は第１の配管４２０により、収容キャビティ内の少なくとも一部の空気を抽出し、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０内の気圧と同等にすることができる。第１の開閉弁４２１が閉じている場合、収容キャビティ内の気圧は上記の状態を維持することができる。このような方式は操作しやすく、収容キャビティ内の気圧をより簡単に内キャビティ１１０の気圧と同等にすることができる。
選択的に、制御しやすいように、第１の開閉弁４２１はキャビティ１００の外に位置する。
本発明の実施例において、選択的に、図２に示すように、空気充填装置５００は空気充填機構５１０と、第２の配管５２０とを含むことができる。空気充填機構５１０は例えば窒素供給機構であり、内キャビティ１１０の外に設けられ、第２の配管５２０により収容キャビティと連通することができる。この場合、第２の配管５２０は空気充填機構５１０と収容キャビティとを連通する。具体的に、第２の配管５２０の第１の端は内キャビティ１１０の外に位置して空気充填機構５１０の空気排出口と連通し、第２の配管５２０の第２の端は内キャビティ１００内に伸びて収容キャビティの開口と連通する。気体の密封性を確保するために、第２の配管５２０の第１の端は空気充填機構５１０の空気排出口と密封接続され、第２の配管５２０の第２の端は空気充填機構５１０の空気充填口と密封接続されることで、気体が漏れて空気充填機構５１０の空気充填効果に影響を与えることを防止する。具体的に、第２の配管５２０の第１の端と空気充填機構５１０の空気充填口との間、および第２の配管５２０の第２の端と収容キャビティの開口との間には、シーリング材を設けることができ、それにより、より高い密封効果を実現し、空気充填機構５１０の収容キャビティに対する空気抽出効果をより高くする。
また、第２の配管５２０は、空気充填機構５１０の取り付けの柔軟性をより高くすることもできる。具体的に、第２の配管５２０の延在効果により、空気充填機構５１０をキャビティ１００の外の複数の位置に取り付けることができる。選択的に、第２の配管５２０はフレキシブルパイプであってよく、それにより空気充填機構５１０の取り付けの柔軟性をさらに高めることができる。
さらに、第２の配管５２０には第２の開閉弁５２１を設けることができ、具体的な作業プロセスにおいて、第２の開閉弁５２１が開いている場合、空気充填機構５１０は第２の配管５２０により、収容キャビティ内に空気を充填し、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０内の気圧と同等にすることができる。第２の開閉弁５２１が閉じている場合、収容キャビティ内の気圧は上記の状態を維持することができる。このような方式は操作しやすく、収容キャビティ内の気圧をより簡単に内キャビティ１１０内の気圧と同等にすることができる。
選択的に、制御しやすいように、第２の開閉弁５２１はキャビティ１００の外に位置する。
本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバは、収容キャビティと連通し、収容キャビティ内の気圧の大きさを検出する圧力検出装置４３０をさらに含む。具体的な作業プロセスにおいて、圧力検出装置４３０は例えば検出したデータを表示でき、それにより作業員は空気抽出機構４１０と空気充填機構５１０とを作業するよう制御することで、収容キャビティ内の気圧を内キャビティ１１０内の気圧と同等にしやすくなる。このような方式は作業員にとって操作しやすく、作業員が収容キャビティ内の気圧の大きさを容易に調整できることにより、収容キャビティ内の気圧と内キャビティ１１０内の気圧とを同等にしやすくなる。
本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバは、下部電極ケース９００内に設けられる取り付け部６００をさらに含む。基体２１０は取り付け部６００に設けられ、取り付け部６００は静電チャック２００の取り付けがしやすい。それとともに、取り付け部６００には収容キャビティと連通する取り付け孔６１０が開設される。
取り付け孔６１０は収容キャビティの開口と密封接続され、空気抽出装置４００は取り付け孔６１０によって収容キャビティと連通し、空気抽出装置４００の空気抽出口と取り付け孔６１０とが密封接続されることで、気体が漏れて空気抽出装置４００の空気抽出効果に影響を与えることを防止する。この場合、取り付け部６００は空気抽出装置４００を収容キャビティとさらに容易に連通させることができ、それにより上記部材の取り付けが容易になる。
相応に、空気充填装置５００は取り付け孔６１０によって収容キャビティと連通し、空気充填装置５００の空気抽出口と取り付け孔６１０とが密封接続されることで、気体が漏れて空気充填装置５００の空気充填効果に影響を与えることを防止する。この場合、取り付け部６００は空気充填装置５００を収容キャビティとさらに容易に連通させることができ、それにより上記部材の取り付けが容易になる。
なお、気圧調整装置が空気抽出装置４００と空気充填装置５００とを含む場合、空気抽出装置４００と空気充填装置５００とは、それぞれ２つの取り付け孔６１０によって収容キャビティと連通してもよい。
さらに、選択的な方案において、本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバは、接続フランジ７００をさらに含む。接続フランジ７００は取り付け部６００の静電チャック２００から離れた側に設けられ、接続フランジ７００には気体通路７１０が開設される。気体通路７１０は取り付け孔６１０と連通し、取り付け孔６１０と密封接続される。空気抽出装置４００は気体通路７１０と連通し、空気抽出装置４００の空気抽出口と気体通路７１０とは密封接続される。この場合、空気抽出装置４００は気体通路７１０、取り付け孔６１０を順に介して、収容キャビティと連通する。接続フランジ７００により、機能性配線をより取り付けやすくし、空気抽出装置４００と収容キャビティとの接続の安定性を高め、収容キャビティ内の気圧に対する調整効果を高めることができる。
同様に、空気充填装置５００も気体通路７１０と連通し、空気充填装置５００の空気充填口と気体通路７１０とは密封接続される。この場合、空気充填装置５００は気体通路７１０、取り付け孔６１０を順に介して、収容キャビティと連通する。接続フランジ７００により、機能性配線をより取り付けやすくし、空気充填装置５００と収容キャビティとの接続の安定性を高め、収容キャビティ内の気圧に対する調整効果を高めることができる。
なお、気圧調整装置が空気抽出装置４００と、空気充填装置５００とを含む場合、取り付け孔６１０と気体通路７１０とはそれぞれ２つであり、対応して設けられる。
選択的な方案において、図２に示すように、収容キャビティ内の機能性配線３００を出しやすくするために、接続フランジ７００の側壁には気体通路７１０と連通する配線通し孔７４０が開設され、機能性配線３００は配線通し孔７４０を介して伸出する。このような方式は、機能性配線３００が伸出プロセスにおいて空気抽出装置４００、または空気充填装置５００と接続フランジ７００との連通効果に影響を与えることを防止できる。当然のことながら、機能性配線３００と配線通し孔７４０とは密封接続され、それにより気体が漏れて空気抽出、または空気充填の効果に影響を与えることを防止する。
選択的な方案において、気圧調整装置が空気抽出装置４００と空気充填装置５００とを含み、収容キャビティが２つであることを例に、図２に示すように、空気抽出装置４００における第１の配管４２０と空気充填装置５００における第２の配管５２０とは、接続配管４５０によって相互に連通する。この場合、空気抽出機構４１０は第１の配管４２０と接続配管４５０とによって、２つの気体通路７１０とそれぞれ連通する。それにより、２つの収容キャビティ内の空気を抽出し、空気抽出装置４００の利用率を高めることができる。同様に、空気充填装置５００は第２の配管５２０と接続配管４５０とによって、２つの気体通路７１０とそれぞれ連通する。それにより、２つの収容キャビティ内に空気を充填し、空気充填装置５００の利用率を高めることができる。当然のことながら、実際の運用において、他の配管構造を用いて、１つの空気抽出装置４００と複数の収容キャビティとの連通を実現し、１つの空気充填装置５００と複数の収容キャビティとの連通を実現してもよい。
選択的に、本発明の実施例により開示される半導体反応チャンバは、シールリング（図示せず）をさらに含む。シールリングは、取り付け部６００と接続フランジ７００との互いに対向する表面の間に設けられ、且つ取り付け孔６１０周りに設けられ、気体通路７１０と取り付け孔６１０とをシールリングにより密封接続する。このような場合、シールリングは気体通路７１０と取り付け孔６１０との間の密封効果をより高め、空気が取り付け部６００と接続フランジ７００との間の隙間から漏れることを防止できる。上記シールリングの数は、気体通路７１０および取り付け孔６１０のそれぞれの数と同一であり、一対一で対応して設けられる。
さらに、シールリングの取り付け効果を高めるために、取り付け部６００の接続フランジ７００に向かう側に、環状凹溝６２０を開設してもよい。環状凹溝６２０は取り付け孔６１０周りに設けられ、シールリングの一部は環状凹溝６２０内に位置する。このような場合、環状凹溝６２０はシールリングに対して位置制限の作用を奏し、それによりシールリングがずれて気体通路７１０と取り付け孔６１０との間の密封効果に影響を与えることを防止する。
当然のことながら、接続フランジ７００と取り付け部６００との接続方式は多種類であってよく、例えば、接着、係合接続、および締結ネジの接続等であってよい。選択的に、本発明の実施例に開示される半導体反応チャンバは締結ネジを含んでもよく、接続フランジ７００は相互に接続される本体部７２０と、接続部７３０とを含んでよく、上記シールリングは取り付け部６００と接続部７３０との互いに対向する表面の間に設けられ、且つ取り付け孔６１０周りに設けられる。図５を参照し、接続部７３０には第１の貫通孔７３１が開設され、取り付け部６００にはネジ穴が開設され、締結ネジは第１の貫通孔７３１を貫通し、ネジ穴とネジ結合することができる。他の接続方式と比べて、このような方式は接続フランジ７００と取り付け部６００との接続の確実性を高めるだけでなく、接続フランジ７００と取り付け部６００との間にシールリングを設ける場合、締結ネジを締めることにより、シールリングを押圧して、気体通路７１０と取り付け孔６１０との密封効果をより高くできる。選択的に、シールリングは柔軟性部材であってよく、それにより気体通路７１０と取り付け孔６１０との密封効果をさらに高めることができる。
本発明の実施例において、図３に示すように、機能層は例えばセラミック層２２０と、加熱層２３０とを含む。具体的に、セラミック層２２０は加熱層２３０上に設けられ、加熱層２３０は基体２１０上に設けられ、セラミック層２２０、加熱層２３０、および基体２１０の三者は、いずれも接着の方式により順に固定接続される。この場合、図２および図４に示すように、加熱層２３０は配線チャネル２１１の端部開口を覆い、基体２１０とともに収容空間を囲んで形成することができる。機能性配線３００は制御配線を含み、当該制御配線の一端は第１のデバイス８１０と接続され、制御配線の他端は配線チャネル２１１を貫通し、加熱層２３０と電気的に接続される。第１のデバイス８１０は、加熱層２３０がセラミック層２２０の表面上に置かれるウェハを加熱するように、上記制御配線により加熱層２３０を制御する。この場合、上記制御配線は加熱層２３０と第１のデバイス８１０との導通を実現し、それにより第１のデバイス８１０はウェハを加熱するよう加熱層２３０を制御しやすくなる。上記第１のデバイス８１０は例えば加熱パワー調整装置と、制御器とを含む。
および／または、静電チャック２００が順に接続されたセラミック層２２０、加熱層２３０、および基体２１０を含む場合、セラミック層２２０、加熱層２３０、および基体２１０の接続方式は上記実施例と同一であり、重複する説明は省略する。機能性配線３００は検出配線を含み、相応に加熱層２３０には配線チャネル２１１と連通する第２の貫通孔２３１が開設される。この場合、第２の貫通孔２３１は収容キャビティと連通し、上記検出配線の一端は第２のデバイス８２０と相互に接続され、検出配線の他端は配線チャネル２１１および第２の貫通孔２３１を順に貫通し、セラミック層２２０と接触することができる。この場合、第２のデバイス８２０は、例えば温度センサを含み（または温度センサと制御器とを含み）、上記検出配線は当該温度センサの検出配線であってよく、当該温度センサは例えば熱電対、または温度測定用光ファイバであり、収容キャビティは温度センサの検出配線を通過させることができることにより、ウェハに対する温度測定を実現できる。
上記実施例における第１のデバイス８１０と第２のデバイス８２０とは、いずれもキャビティ１００の外に位置し、機能性配線３００の一端は第１のデバイス８１０、および／または第２のデバイス８２０と電気的に接続され、機能性配線３００の他端は内キャビティ内に伸び、配線チャネル２１１に進入して機能層と接触する。なお、機能性配線３００が検出配線、例えば温度センサの検出配線を含む場合、機能層と機能性配線３００との接触とは、具体的に当該検出配線と機能層におけるセラミック層２２０との接触を指す。機能性配線３００が制御配線を含む場合、機能層と機能性配線３００との接触とは、具体的に当該制御配線と機能層における加熱層２３０との電気的接続を指す。実際の運用において、異なるタイプの機能性配線３００は、機能層との接触方式を適応的に変更することができることは言うまでもなく、本発明はこれに対して特に限定しない。
本発明の上記のいずれか１つの実施例の半導体反応チャンバに基づき、本発明の実施例は半導体加工デバイスをさらに開示する。開示された半導体加工デバイスは、上記のいずれか１つの実施例の半導体反応チャンバを有する。
本発明の上述の実施例では、各実施例間の差異を重点的に説明した。各実施例間の差異の最適な特徴は、矛盾しない限り、組み合わせてさらに最適な実施例を形成してもよい。文章を簡潔にする点を考慮して、ここでは重複する説明を省略する。
以上は、本発明の実施例の説明にすぎず、本発明を制限するものではない。当業者にとって、本発明は各種の変更および変化を有してもよい。本発明の精神及び原理内で行われたいかなる修正、等価的な置換、改良等は、いずれも本発明の特許請求の範囲に含まれる。
１００ キャビティ
１１０ 内キャビティ
１２０ ノズル
２００ 静電チャック
２１０ 基体
２１１ 配線チャネル
２２０ セラミック層
２３０ 加熱層
２３１ 第２の貫通孔
３００ 機能性配線
４００ 空気抽出装置
４１０ 空気抽出機構
４２０ 第１の配管
４２１ 第１の開閉弁
４３０ 圧力検出装置
４５０ 接続配管
５００ 空気充填装置
５１０ 空気充填機構
５２０ 第２の配管
５２１ 第２の開閉弁
６００ 取り付け部
６１０ 取り付け孔
６２０ 環状凹溝
７００ 接続フランジ
７１０ 気体通路
７２０ 本体部
７３０ 接続部
７３１ 第１の貫通孔
７４０ 配線通し孔
８１０ 第１のデバイス
８２０ 第２のデバイス
９００ 電極ケース

Claims (11)

  1. 内キャビティを囲んで形成するキャビティと、
    前記内キャビティに位置し、基体と、前記基体に設けられる機能層とを含む静電チャックであって、前記基体と前記機能層とは接着により固定され、前記基体には配線チャネルが開設され、前記機能層は前記配線チャネルの端部開口を覆い、且つ前記基体とともに前記配線チャネルを囲んで収容キャビティを形成する静電チャックと、
    前記配線チャネルを貫通し、前記機能層と接触する機能性配線と、
    前記収容キャビティと連通し、前記収容キャビティ内の気圧と前記内キャビティ内の気圧とを平衡化させる気圧調整装置と、
    を含むことを特徴とする半導体反応チャンバ。
  2. 前記気圧調整装置は、
    前記収容キャビティと連通し、前記収容キャビティを真空にする空気抽出装置、および／または、
    前記収容キャビティと連通し、前記収容キャビティに空気を充填する空気充填装置、
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体反応チャンバ。
  3. 前記空気抽出装置は、空気抽出機構と、第１の配管とを含み、前記空気抽出機構は前記内キャビティの外に設けられ、前記第１の配管により前記収容キャビティと連通し、前記第１の配管には第１の開閉弁が設けられ、および／または、
    前記空気充填装置は、空気充填機構と、第２の配管とを含み、前記空気充填機構は前記内キャビティの外に設けられ、前記第２の配管により前記収容キャビティと連通し、前記第２の配管には第２の開閉弁が設けられる、
    ことを特徴とする請求項２に記載の半導体反応チャンバ。
  4. 前記収容キャビティ内の気圧の大きさを検出する圧力検出装置をさらに含む、
    ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体反応チャンバ。
  5. 前記半導体反応チャンバは、前記内キャビティに位置する取り付け部をさらに含み、前記基体は前記取り付け部に設けられ、前記取り付け部には前記収容キャビティと連通する取り付け孔が開設され、前記空気抽出装置および／または前記空気充填装置は、前記取り付け孔により前記収容キャビティと連通する、
    ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体反応チャンバ。
  6. 前記半導体反応チャンバは、前記取り付け部の、前記静電チャックから離れた側に設けられる接続フランジをさらに含み、前記接続フランジには気体通路が開設され、前記気体通路と前記取り付け孔とは連通し、前記空気抽出装置および／または前記空気充填装置と前記気体通路とは連通する、
    ことを特徴とする請求項５に記載の半導体反応チャンバ。
  7. 前記取り付け部と前記接続フランジとの互いに対向する表面の間に設けられ、且つ前記取り付け孔周りに設けられ、前記気体通路と前記取り付け孔との接続箇所を密封するシールリングをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項６に記載の半導体反応チャンバ。
  8. 前記半導体反応チャンバは締結ネジをさらに含み、前記接続フランジは、相互に接続される本体部と、接続部とを含み、前記シールリングは、前記取り付け部と前記接続部との互いに対向する表面の間に設けられ、且つ前記取り付け孔周りに設けられ、前記気体通路と前記取り付け孔との接続箇所を密封し、前記接続部には第１の貫通孔が開設され、前記取り付け部にはネジ穴が開設され、前記締結ネジは前記第１の貫通孔を貫通し、前記ネジ穴とネジ結合する、
    ことを特徴とする請求項７に記載の半導体反応チャンバ。
  9. 前記接続フランジの側壁には、前記気体通路と連通する配線通し孔が開設され、前記機能性配線は、前記配線通し孔を介して伸出し、前記機能性配線と前記配線通し孔との間には、両者間の隙間を密封する密封構造が設けられる、
    ことを特徴とする請求項６に記載の半導体反応チャンバ。
  10. 前記機能層は、セラミック層と、加熱層とを含み、前記セラミック層は前記加熱層上に設けられ、前記加熱層は前記基体上に設けられ、前記配線チャネルの端部開口を覆い、前記基体とともに前記配線チャネルを囲んで前記収容キャビティを形成し、前記機能性配線は制御配線を含み、前記加熱層と電気的に接続され、および／または、
    前記機能層は、セラミック層と、加熱層とを含み、前記セラミック層は前記加熱層上に設けられ、前記加熱層は前記基体上に設けられ、前記配線チャネルの端部開口を覆い、前記基体とともに前記配線チャネルを囲んで前記収容キャビティを形成し、前記機能性配線は検出配線を含み、前記加熱層には前記配線チャネルと連通する第２の貫通孔が開設され、前記第２の貫通孔と前記収容キャビティとは連通し、前記検出配線と前記セラミック層とは接触する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体反応チャンバ。
  11. 請求項１～９のいずれか１項に記載の半導体反応チャンバを含む、
    ことを特徴とする半導体加工デバイス。
JP2023509533A 2020-08-25 2021-08-13 半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイス Pending JP2023535642A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010862511.XA CN111968901B (zh) 2020-08-25 2020-08-25 半导体反应腔室及半导体加工设备
CN202010862511.X 2020-08-25
PCT/CN2021/112501 WO2022042336A1 (zh) 2020-08-25 2021-08-13 半导体反应腔室及半导体加工设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023535642A true JP2023535642A (ja) 2023-08-18

Family

ID=73390200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023509533A Pending JP2023535642A (ja) 2020-08-25 2021-08-13 半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイス

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230223280A1 (ja)
JP (1) JP2023535642A (ja)
KR (1) KR102582399B1 (ja)
CN (1) CN111968901B (ja)
TW (1) TWI772146B (ja)
WO (1) WO2022042336A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111968901B (zh) * 2020-08-25 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体反应腔室及半导体加工设备
CN115305457A (zh) * 2022-08-16 2022-11-08 拓荆科技(上海)有限公司 密封设备和半导体加工设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6853953B2 (en) * 2001-08-07 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US7846254B2 (en) * 2003-05-16 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Heat transfer assembly
KR100550019B1 (ko) * 2004-07-21 2006-02-08 주식회사 코미코 아크 방지용 에지 돌출부를 갖는 세라믹 정전척 장치 및그 제조 방법
CN100573816C (zh) * 2006-12-06 2009-12-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室
US8043430B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
CN101719480A (zh) * 2008-10-09 2010-06-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘及等离子体装置
JP5466439B2 (ja) * 2009-06-30 2014-04-09 太平洋セメント株式会社 セラミックス接合体並びにセラミックスヒータ、静電チャック及びサセプタ
KR101295794B1 (ko) * 2011-05-31 2013-08-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6096470B2 (ja) * 2012-10-29 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN103811393B (zh) * 2012-11-07 2016-12-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于承载晶片的静电卡盘以及等离子体加工设备
JP2015095580A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板離脱方法
CN105655272B (zh) * 2014-11-13 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体加工设备
CN106898574A (zh) * 2015-12-17 2017-06-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘机构以及半导体加工设备
JP6905382B2 (ja) * 2017-04-14 2021-07-21 株式会社ディスコ ウェーハの搬入出方法
CN107808848A (zh) * 2017-11-28 2018-03-16 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘以及半导体设备
CN110896045B (zh) * 2018-09-12 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置
CN111446199B (zh) * 2020-03-25 2023-05-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的反应腔室及半导体设备
CN111968901B (zh) * 2020-08-25 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体反应腔室及半导体加工设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022042336A1 (zh) 2022-03-03
KR102582399B1 (ko) 2023-09-25
CN111968901B (zh) 2022-08-16
TWI772146B (zh) 2022-07-21
US20230223280A1 (en) 2023-07-13
KR20230024425A (ko) 2023-02-20
TW202209594A (zh) 2022-03-01
CN111968901A (zh) 2020-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023535642A (ja) 半導体反応チャンバおよび半導体加工デバイス
TWI720793B (zh) 具有減少的背側電漿點火的噴淋頭
US20120241089A1 (en) Method and apparatus for thermocouple installation or replacement in a substrate support
KR101970184B1 (ko) 얇은 피가열 기판 지지체
KR20150013522A (ko) 실시간 열 구역 조절 성능을 갖는 고온 정전척
TW201820515A (zh) 可撓性裝備前端模組介面、環境控制裝備前端模組及組裝方法
JP5230462B2 (ja) プラズマ処理装置の基板支持台
US11557500B2 (en) High temperature heated support pedestal in a dual load lock configuration
US9162342B2 (en) Carrier head and carrier head unit
CN113140487A (zh) 半导体热处理设备
KR20050106984A (ko) 반도체 제조용 챔버의 히터블록 장착용 라인의 실링구조
JP4879957B2 (ja) センシングユニットを有する基板処理装置
US20220243737A1 (en) Vacuum assembly and vacuum pump with an axial through passage
CN115206767A (zh) 承载装置、下电极组件及半导体工艺设备
TW202143383A (zh) 靜電夾持系統及其操作方法
KR20170060934A (ko) 기판처리장치
US20190355607A1 (en) Thermally isolated electronics utilities cavity for a substrate carrier
KR20060087049A (ko) 온도 유지 장치
KR20060114990A (ko) 반도체 제조설비

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230209

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231107

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20240130