JP2023529530A - 表示基板及びその製作方法、表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2 表示装置
10 ベース基板
11 中間切換電極
101 表示パネル
102 有効表示領域、画素アレイ領域
103 画素ユニット
104 シフトレジスタユニット
105 発光制御ユニット
310 半導体層
320 第1導電層
330 第2導電層
340 第3導電層
350 第1絶縁層
360 第2絶縁層
370 第3絶縁層
380 第4絶縁層
Claims (33)
- ベース基板と、前記ベース基板上に設けられるシフトレジスタユニット及び第1クロック信号線とを含み、
前記第1クロック信号線は、前記ベース基板において第1方向に沿って延伸し、且つ前記シフトレジスタユニットに第1クロック信号を提供するように構成され、
前記シフトレジスタユニットは、入力回路と、出力回路と、第1制御回路と、出力制御回路とを含み、
前記入力回路は、前記第1クロック信号に応じて、入力信号を第1ノードに入力するように構成され、
前記出力回路は、出力信号を出力端に出力するように構成され、
前記第1制御回路は、前記第1ノードのレベルと前記第1クロック信号に応じて、第2ノードのレベルを制御するように構成され、
前記出力制御回路は、前記第2ノードのレベルの制御で、前記出力端のレベルに対して制御を行うように構成され、
前記入力回路は、入力トランジスタを含み、前記入力トランジスタの活性層は、第2方向に沿って延伸する長尺状であり、前記第2方向は、前記第1方向と異なり、
前記入力トランジスタは、第1ゲート電極と、第2ゲート電極と、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とを接続する接続電極とを含み、
前記接続電極は、前記第1方向に沿って延伸し、前記第1ゲート電極に接続される第1部分と、前記第2ゲート電極に接続される第2部分と、前記第2方向に沿って延伸し且つ前記第1部分と前記第2部分とを接続する第3部分とを含み、前記接続電極の第3部分は、前記第1クロック信号線に接続されることにより、前記第1クロック信号を受け取る、表示基板。 - 前記第1方向と前記第2方向とのなす角は、70°~90°の間にある、請求項1に記載の表示基板。
- 前記入力トランジスタの第1電極は、前記第2方向に沿って延伸する第1接続配線によって信号入力電極に接続されることにより、前記入力信号を受け取る、請求項1又は2に記載の表示基板。
- 前記シフトレジスタユニットは、配線切換電極をさらに含み、
前記入力トランジスタの第1電極は、前記配線切換電極の第1端に電気的に接続され、前記配線切換電極は、前記入力トランジスタの活性層と異なる層に位置し、前記配線切換電極の第2端は、前記第1接続配線の第1端に接続され、前記配線切換電極は、前記第1接続配線と異なる層に位置し、前記第1接続配線の第2端は、前記信号入力電極に電気的に接続され、前記配線切換電極は、前記信号入力電極と同じ層に位置する、請求項3に記載の表示基板。 - 前記シフトレジスタユニットは、第1絶縁層と、第2絶縁層と、第3絶縁層とをさらに含み、
前記第1絶縁層は、前記入力トランジスタの活性層と前記第1接続配線との間に位置し、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とは、前記第1接続配線と前記配線切換電極との間に位置し、
前記入力トランジスタの第1電極は、前記配線切換電極と同じ層に位置し、前記配線切換電極の第2端は、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とを貫通するビアホールを介して前記第1接続配線の第1端に接続され、前記第1接続配線の第2端は、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とを貫通するビアホールを介して前記信号入力電極に電気的に接続される、請求項4に記載の表示基板。 - 前記表示基板は、第2クロック信号線をさらに含み、前記シフトレジスタユニットに第2クロック信号を提供するように構成され、前記シフトレジスタユニットは、第2制御回路をさらに含み、
前記第2制御回路は、前記第1ノードと前記第2ノードに接続され、且つ前記第2ノードのレベルと前記第2クロック信号の制御で、前記第1ノードのレベルに対して制御を行うように構成される、請求項1から5のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記第2制御回路は、第1ノイズ低減トランジスタと第2ノイズ低減トランジスタとを含み、
前記第1ノイズ低減トランジスタの活性層と前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層は、一つの連続するノイズ低減半導体層であり、前記ノイズ低減半導体層は、前記第1方向に沿って延伸し、且つ前記入力トランジスタの活性層と前記第1方向において並設され、
前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極と前記第2ノイズ低減トランジスタのゲート電極は、前記第2方向に沿って延伸し且つ前記第1方向において並設され、
前記入力トランジスタの第1電極が前記第1ノードに接続され、前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極が前記第2ノードに接続される、請求項6に記載の表示基板。 - 前記第2ノイズ低減トランジスタのゲート電極は、第3接続配線によって前記第2クロック信号線に電気的に接続され、前記第3接続配線は、第3サブ接続配線と第4サブ接続配線とを含み、前記第3サブ接続配線は、前記第2ノイズ低減トランジスタのゲート電極に接続され、且つ前記第1方向に沿って延伸し、且つ前記第3サブ接続配線の、前記ベース基板への正投影と、前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層の、前記ベース基板への正投影とは、前記第2方向に沿って対向して並設され、前記第4サブ接続配線は、前記第3サブ接続配線と前記第2クロック信号線に接続され、且つ前記第2方向に沿って延伸し、前記第4サブ接続配線の、前記ベース基板への正投影は、前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板への正投影の、前記第1ノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板への正投影から離れる側に位置する、請求項7に記載の表示基板。
- 第4接続配線と、第1絶縁層と、第2絶縁層と、第3絶縁層とをさらに含み、
前記第1絶縁層は、前記入力トランジスタの活性層と前記入力トランジスタのゲート電極との間に位置し、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とは、前記入力トランジスタのゲート電極と前記第4接続配線との間に位置し、
前記第3サブ接続配線と前記第4サブ接続配線とは、一体的に形成され、前記第3サブ接続配線は、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とを貫通するビアホールを介して前記第4接続配線に接続される、請求項8に記載の表示基板。 - 第4接続配線と、第1絶縁層と、第2絶縁層と、第3絶縁層とをさらに含み、
前記第1絶縁層は、前記入力トランジスタの活性層と前記入力トランジスタのゲート電極との間に位置し、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とは、前記入力トランジスタのゲート電極と前記第4接続配線との間に位置し、
前記第3サブ接続配線は、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とを貫通するビアホールを介して前記第4接続配線に接続され、前記第4サブ接続配線は、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とを貫通するビアホールを介して前記第4接続配線に接続される、請求項8に記載の表示基板。 - 前記第1制御回路は、第1制御トランジスタと第2制御トランジスタとを含み、
前記第1制御トランジスタの活性層と前記第2制御トランジスタの活性層とは、一つの連続する制御半導体層であり、前記制御半導体層は、前記第1方向に沿って延伸し、前記第1制御トランジスタのゲート電極と前記第2制御トランジスタのゲート電極は、前記第2方向に沿って延伸し且つ前記第1方向において並設される、請求項7に記載の表示基板。 - 前記第1制御トランジスタの活性層、前記第2制御トランジスタの活性層、及び、前記入力トランジスタの活性層は、前記第2方向において並設される、請求項11に記載の表示基板。
- 前記入力トランジスタの活性層は、前記第1ノイズ低減トランジスタの活性層と前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層とが前記第1方向に沿って延伸する仮想線上に位置し、前記第1制御トランジスタの活性層と、前記第2制御トランジスタの活性層とは、前記入力トランジスタの活性層が前記第2方向に沿って延伸する仮想線上に位置する、請求項11に記載の表示基板。
- 前記シフトレジスタユニットは、中間切換電極をさらに含み、
前記第1制御トランジスタの活性層及び前記第2制御トランジスタの活性層と、前記第1ノイズ低減トランジスタの活性層及び前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層とは、前記第2方向において並設され、
前記中間切換電極の、前記ベース基板への正投影は、前記第1制御トランジスタの活性層と前記第2制御トランジスタの活性層の、前記ベース基板への正投影と、前記第1ノイズ低減トランジスタの活性層と前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層の、前記ベース基板への正投影との間に位置し、
前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極は、前記中間切換電極によって前記第1制御トランジスタの第1電極と前記第2制御トランジスタの第1電極に接続される、請求項11から13のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記第2ノードは、前記中間切換電極を含む、請求項14に記載の表示基板。
- 前記シフトレジスタユニットは、第1絶縁層と第2絶縁層とをさらに含み、
前記第1絶縁層は、前記ベース基板に垂直する方向において、前記第1ノイズ低減トランジスタの活性層と前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極との間に位置し、
前記第2絶縁層は、前記ベース基板に垂直する方向において、前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極と前記中間切換電極との間に位置し、
前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極は、前記第2絶縁層を貫通するビアホールを介して前記中間切換電極の第1端に接続され、前記第1制御トランジスタの第1電極と前記第2制御トランジスタの第1電極とは、前記中間切換電極の第2端に接続され、且つ前記中間切換電極と同じ層に位置する、請求項14又は15に記載の表示基板。 - 前記第2ノードは、前記中間切換電極を含む、請求項16に記載の表示基板。
- 前記シフトレジスタユニットは、第1絶縁層と、第2絶縁層と、第3絶縁層と、第2接続配線とをさらに含み、
前記第1絶縁層は、前記ベース基板に垂直する方向において、前記第1ノイズ低減トランジスタの活性層と前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極との間に位置し、
前記第2絶縁層は、前記ベース基板に垂直する方向において、前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極と前記中間切換電極との間に位置し、
前記第3絶縁層は、前記ベース基板に垂直する方向において、前記中間切換電極と前記第2接続配線との間に位置し、前記第2接続配線は、第1サブ接続配線と第2サブ接続配線とを含み、
前記第1ノイズ低減トランジスタのゲート電極は、前記第2絶縁層と前記第3絶縁層とを貫通するビアホールを介して前記第1サブ接続配線に接続され、前記中間切換電極の第1端は、前記第3絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第1サブ接続配線に接続され、
前記第1制御トランジスタの第1電極と前記第2制御トランジスタの第1電極とは、前記第2サブ接続配線に接続され且つ同じ層に位置し、前記中間切換電極の第2端は、前記第3絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第2サブ接続配線に接続される、請求項14又は15に記載の表示基板。 - 前記第2ノードは、前記中間切換電極と、前記第2接続配線とを含む、請求項18に記載の表示基板。
- 前記シフトレジスタユニットは、電圧安定化回路をさらに含み、
前記電圧安定化回路は、前記第1ノードと第3ノードに接続され、且つ前記第3ノードのレベルを安定化するように構成され、
前記出力回路は、前記第3ノードに接続され、且つ前記第3ノードのレベルの制御で、前記出力信号を前記出力端に出力するように構成される、請求項11から19のいずれか1項に記載の表示基板。 - 第1電源線と第2電源線とをさらに含み、前記シフトレジスタユニットに第1電圧と第2電圧を提供するように構成され、前記電圧安定化回路は、電圧安定化トランジスタを含み、前記第2電源線は、前記第2方向において突出する突出部を含み、
前記電圧安定化トランジスタの活性層の、前記ベース基板への正投影は、前記第1方向において、前記第2制御トランジスタの活性層の前記ベース基板への正投影と、前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板への正投影との間に位置し、且つ前記第2制御トランジスタの第2電極と前記電圧安定化トランジスタのゲート電極とは、いずれも前記第2電源線上の突出部に接続されることにより、前記第2電圧を受け取り、
前記電圧安定化トランジスタの第1電極が前記第3ノードに接続され、前記電圧安定化トランジスタの第2電極が前記第1ノードに接続される、請求項20に記載の表示基板。 - 前記入力トランジスタの第1電極は、信号入力電極に接続されることにより、前記入力信号を受け取り、
前記出力制御回路は、出力制御トランジスタと第1コンデンサとを含み、
前記第1コンデンサの第1電極及び第2電極は、ノッチを含み、前記信号入力電極の前記ベース基板への正投影は、前記第1コンデンサの前記ベース基板への正投影のノッチに入る、請求項1から21のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記出力回路は、出力トランジスタと第2コンデンサとを含み、前記出力トランジスタの第1電極は、前記第4接続配線に接続され、前記第4接続配線は、前記第3接続配線によって前記第2クロック信号線に接続され、前記第3接続配線の第3サブ接続配線の、前記ベース基板への正投影は、前記第2ノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板への正投影の、前記出力トランジスタの活性層の前記ベース基板への正投影に近接する側に位置し、
前記出力トランジスタのゲート電極が前記電圧安定化トランジスタの第1電極に電気的に接続され、前記出力トランジスタの第2電極が前記出力端に接続される、請求項9又は10に記載の表示基板。 - 前記第2コンデンサの形状は、矩形である、請求項23に記載の表示基板。
- 前記出力制御回路が出力制御トランジスタと第1コンデンサとを含む場合、
前記出力制御トランジスタの活性層と前記出力トランジスタの活性層とは、一体的に設けられ且つ前記第1方向に沿って延伸し、
前記出力制御トランジスタのゲート電極と前記出力トランジスタのゲート電極とは、前記第2方向に沿って延伸し且つ前記第1方向において並設され、
前記表示基板が第1電源線を含む場合、前記出力制御トランジスタの第1電極は、前記第1電源線に電気的に接続されて第1電圧を受け取る、請求項23又は24に記載の表示基板。 - 前記出力トランジスタの第2電極は、前記シフトレジスタユニットと隣接する次段のシフトレジスタユニットの信号入力電極に接続される、請求項23から25のいずれか1項に記載の表示基板。
- 画素アレイ領域と周辺領域とをさらに含み、
前記第1電源線、前記第2電源線、前記第1クロック信号線、前記第2クロック信号線、及び、前記シフトレジスタユニットは、前記周辺領域内に位置し、
前記第2電源線、前記第1クロック信号線、及び、前記第2クロック信号線の前記ベース基板への正投影は、前記シフトレジスタユニットの前記ベース基板への正投影の、前記画素アレイ領域から離れる側に位置し、
前記第1電源線の前記ベース基板への正投影は、前記シフトレジスタユニットの前記ベース基板への正投影の前記画素アレイ領域に近接する側に位置する、請求項21に記載の表示基板。 - 第1電源線と、第2制御回路と、電圧安定化回路と、第1切換電極と、第2切換電極と、第3切換電極とをさらに含み、
前記第1電源線は、前記シフトレジスタユニットに第1電圧を提供するように構成され、
前記第2制御回路は、前記第1ノードと前記第2ノードに接続され、且つ前記第2ノードのレベルと第2クロック信号の制御で、前記第1ノードのレベルに対して制御を行うように構成され、
前記電圧安定化回路は、前記第1ノードと第3ノードに接続され、且つ前記第3ノードのレベルを安定化するように構成され、
前記第1制御回路は、第1制御トランジスタと第2制御トランジスタとを含み、前記第2制御回路は、第1ノイズ低減トランジスタと第2ノイズ低減トランジスタとを含み、前記電圧安定化回路は、電圧安定化トランジスタを含み、前記出力制御回路は、出力制御トランジスタと第1コンデンサとを含み、前記出力回路は、出力トランジスタと第2コンデンサとを含み、
前記第1切換電極は、前記入力トランジスタの第1電極、前記第1制御トランジスタのゲート電極、前記電圧安定化トランジスタの第2電極、及び、前記第2ノイズ低減トランジスタの第1電極に接続され、そのうち、前記第1切換電極は、前記第1制御トランジスタのゲート電極と同じ層に位置せず、
前記第2切換電極は、前記電圧安定化トランジスタの第1電極と前記出力トランジスタのゲート電極に接続され、そのうち、前記第2切換電極は、前記出力トランジスタのゲート電極と同じ層に位置せず、
前記第3切換電極は、前記第1ノイズ低減トランジスタの第1電極と前記出力制御トランジスタの第1電極に接続され、且つ前記第1電源線に接続される、請求項1から27のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記第1ノードは、前記第1切換電極を含み、前記第3ノードは、前記第2切換電極を含む、請求項28に記載の表示基板。
- 請求項1から29のいずれか1項に記載の表示基板を含む、表示装置。
- 前記表示装置は、有機発光ダイオード表示装置である、請求項30に記載の表示装置。
- アレイ状に配列される画素ユニットをさらに含み、そのうち、前記シフトレジスタユニットの出力回路によって出力される出力信号は、ゲート電極走査信号として前記画素ユニットを発光させるようとする、請求項31に記載の表示装置。
- 前記ベース基板を提供するステップと、
前記ベース基板上にシフトレジスタユニット、第1電源線、第2電源線、前記第1クロック信号線、及び、第2クロック信号線を形成するステップとを含み、そのうち、前記シフトレジスタユニットを形成するステップは、
前記ベース基板に垂直する方向において、半導体層、第1絶縁層、第1導電層、第2絶縁層、第2導電層、第3絶縁層及び第3導電層を順次に形成するステップを含み、
各トランジスタの活性層は、前記半導体層に位置し、前記各トランジスタのゲート電極と各コンデンサの第1電極は、前記第1導電層に位置し、前記各コンデンサの第2電極は、前記第2導電層に位置し、前記第1電源線、前記第2電源線、前記第1クロック信号線、前記第2クロック信号線と、前記各トランジスタの第1電極及び第2電極とは、前記第3導電層に位置し、
前記各トランジスタと前記各コンデンサとは、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層又は前記第3絶縁層を貫通するビアホールを介して互いに接続され、前記第1電源線、前記第2電源線、前記第1クロック信号線、及び、前記第2クロック信号線に接続される、請求項1から29のいずれか1項に記載の表示基板の製作方法。
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