JP2023523486A - 電池用の負極活性材料およびその製造方法 - Google Patents
電池用の負極活性材料およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023523486A JP2023523486A JP2022539340A JP2022539340A JP2023523486A JP 2023523486 A JP2023523486 A JP 2023523486A JP 2022539340 A JP2022539340 A JP 2022539340A JP 2022539340 A JP2022539340 A JP 2022539340A JP 2023523486 A JP2023523486 A JP 2023523486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- negative electrode
- lithium
- active material
- electrode active
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 224
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 221
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 189
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 174
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 161
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 117
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 115
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 24
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 167
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 164
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 164
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 131
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 129
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 125
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 86
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 63
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 48
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 34
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 34
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims description 10
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910001556 Li2Si2O5 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007562 Li2SiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010846 Li6Si2O7 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910009771 Li8SiO6 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 82
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 69
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 58
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 56
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 42
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 41
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 41
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 37
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 28
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 18
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 14
- -1 lithium silicate compound Chemical class 0.000 description 14
- 239000011294 coal tar pitch Substances 0.000 description 13
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 13
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- 229940097364 magnesium acetate tetrahydrate Drugs 0.000 description 11
- XKPKPGCRSHFTKM-UHFFFAOYSA-L magnesium;diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O XKPKPGCRSHFTKM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 11
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 description 8
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutane Chemical compound CCCCOC CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 5
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 5
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 5
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 5
- XNDZQQSKSQTQQD-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohex-2-en-1-ol Chemical compound CC1=CC(O)CCC1 XNDZQQSKSQTQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000003273 ketjen black Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 1-(1-adamantyl)-3-aminothiourea Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(NC(=S)NN)C3 XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006183 anode active material Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- NWFNSTOSIVLCJA-UHFFFAOYSA-L copper;diacetate;hydrate Chemical compound O.[Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O NWFNSTOSIVLCJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- QZRHHEURPZONJU-UHFFFAOYSA-N iron(2+) dinitrate nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QZRHHEURPZONJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical class OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 2
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 229940082328 manganese acetate tetrahydrate Drugs 0.000 description 2
- CESXSDZNZGSWSP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O CESXSDZNZGSWSP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 1,2-butylene carbonate Chemical compound CCC1COC(=O)O1 ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-sulfanylethyl)isoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(CCS)C(=O)C2=C1 UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 4-fluoro-1,3-dioxolan-2-one Chemical compound FC1COC(=O)O1 SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229910018077 Li 15 Si 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical class OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 1
- YWJVFBOUPMWANA-UHFFFAOYSA-H [Li+].[V+5].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O Chemical compound [Li+].[V+5].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O YWJVFBOUPMWANA-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- ORUCDOXAKFCOJF-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Mg+2].[Li+] Chemical compound [O-2].[Mg+2].[Li+] ORUCDOXAKFCOJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N copper silicon Chemical compound [Si].[Cu] WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K dicopper;2-oxidopropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]C(=O)CC([O-])(C([O-])=O)CC([O-])=O FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPGANOYOHAODGA-UHFFFAOYSA-N dilithium;dimagnesium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Li+].[Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O IPGANOYOHAODGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N dilithium;dioxido(dioxo)manganese Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mn]([O-])(=O)=O QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M lithium acetate Chemical compound [Li+].CC([O-])=O XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K lithium iron phosphate Chemical compound [Li+].[Fe+2].[O-]P([O-])([O-])=O GELKBWJHTRAYNV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N lithium peroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][O-] HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 1
- DTGRQRFFKHYRJG-UHFFFAOYSA-N magnesium tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Mg+2] DTGRQRFFKHYRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229940078487 nickel acetate tetrahydrate Drugs 0.000 description 1
- OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ni+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002900 organolithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000004334 oxygen containing inorganic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011301 petroleum pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical class [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBAZWXKSCUESGU-UHFFFAOYSA-N yttrium(3+);trinitrate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Y+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QBAZWXKSCUESGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
- H01M4/366—Composites as layered products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
- H01M4/485—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of mixed oxides or hydroxides for inserting or intercalating light metals, e.g. LiTi2O4 or LiTi2OxFy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/131—Electrodes based on mixed oxides or hydroxides, or on mixtures of oxides or hydroxides, e.g. LiCoOx
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
- H01M4/364—Composites as mixtures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
- H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M2004/021—Physical characteristics, e.g. porosity, surface area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
- H01M2004/027—Negative electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/624—Electric conductive fillers
- H01M4/625—Carbon or graphite
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
Description
前記非リチウムドープ金属は、金属M1を含み、前記金属M1は、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、カルシウムのうちの1種または多種を含み、前記非リチウムドープ金属が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、好ましくは0.05~15wt%であり、さらに好ましくは0.1~10wt%であり、より好ましくは0.1~5wt%である。
シリコン酸化物粒子を取り、リチウム元素および非リチウムドープ金属元素をシリコン酸化物粒子にドープすることを含み、前記シリコン酸化物粒子におけるケイ素と酸素の化学量論比は1:0.4~1:2であり、好ましくは1:0.6~1:1.5であり、さらに好ましくは1:0.8~1:1.2である。
前記非リチウムドープ金属は、金属M1を含み、
前記金属M1は、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、カルシウムのうちの1種または多種を含み、前記非リチウムドープ金属が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、好ましくは0.05~15wt%であり、さらに好ましくは0.1~10wt%であり、より好ましくは0.1~5wt%である。非リチウムドープ金属が適切な範囲にあることを保証することにより、ドープ金属が前記負極活性材料の容量に悪影響を及ぼすことを回避しつつ、前記リチウム含有シリコン酸化物に対して十分な安定性と保護作用を果たし、本発明の負極活性材料を混合した水系スラリーをより安定化させることができる。
シリコン酸化物粒子を取り、リチウム元素および非リチウムドープ金属元素をシリコン酸化物粒子にドープすることを含み、前記シリコン酸化物粒子におけるケイ素と酸素の化学量論比は1:0.4~1:2であり、好ましくは1:0.6~1:1.5であり、さらに好ましくは1:0.8~1:1.2である。
CVDに使用された炭素源は炭化水素化合物ガスであり、前記炭化水素化合物ガスの分解温度は600~1100℃であり、好ましくは750~950℃である。前記炭素膜層は、まず炭素反応被覆を行って非酸化雰囲気の中で熱処理炭素化することによって得られてもよい。前記炭素反応被覆方法は機械融合機、VC混合機、被覆釜、噴霧乾燥、サンドグラインダまたは高速分散機のいずれか1つを使用することができ、被覆時に使用する溶剤は水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、N-ブタノール、エチレングリコール、エーテル、アセトン、N-メチルピロリドン、メチルブタノン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、ジメチルベンゼン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、クロロホルムのうちの一種または多種の組合せである。前記炭素反応源は、コールタールピッチ、石油ピッチ、ポリビニルアルコール、エポキシ樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、ブドウ糖、ショ糖、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドンのうちの一種または多種の組合せであってよい。前記熱処理炭素化用の設備は、回転炉、取鍋精錬炉、ローラー窯、プッシャー窯、雰囲気ボックス炉またはチューブ炉のいずれか一種であってよい。前記熱処理炭素化の温度は600~1100℃であってよく、好ましくは700~1000℃であり、保温時間は0.5~24時間である。前記非酸化雰囲気は、窒素、アルゴン、水素またはヘリウムの少なくとも一種のガスによって提供されてもよい。
メジアン径が4μmであるシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000g、チタン酸テトラブチル213.3g、ポリビニルピロリドン(PVP)25gをイオン除去水3000gの中に高速で分散した後、スラリーを噴霧乾燥で処理した。その後、得られた粉末を窒素雰囲気の中で、850℃で3時間加熱した後、気流粉砕を行い、走査型電子顕微鏡およびエネルギー分散型X線分光法(EDS)の結果から、チタン元素がドープされた、部分的に炭素膜層で被覆されたシリコン酸化物粉末が得たことを証明した。粒子表面には少量のチタン含有化合物が残留し、ドット状の被覆構造を形成したが、チタンの大部分はシリコン酸化物粒子内部にドープされた(図1参照)。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、シリコン酸化物粒子上のチタン元素の分布がほぼ均一であることを示した。
実施例1に比べて、実施例2では、シリコン酸化物粒子を化学蒸着法により炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として900℃で3時間被覆反応を行い、炭素膜層で完全に被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。続いて、乾式被覆の方法で、1000gの上記粒子表面にナノアルミナ11.4gを均一に被覆し、窒素雰囲気下、800℃で3時間保温し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜層で完全に被覆されたシリコン酸化物を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子表面にアルミニウム含有化合物が残留していないことを示し、アルミニウムがシリコン酸化物内にすべてドープされていることを示した(図3参照)。次に、実施例1と同様のプロセスで、上記シリコン酸化物にリチウム金属をドープし、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例1に比べて、実施例3では、乾式被覆の方法で、1000gのシリコン酸化物粒子表面にナノ酸化亜鉛49.8gを均一に被覆し、窒素雰囲気下、1000℃で1時間保温し、亜鉛元素をドープした無炭素膜のシリコン酸化物粉末を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子の表面に亜鉛含有化合物が残留していないことを示し、亜鉛がシリコン酸化物内にすべてドープされていることを示した。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、粒子表面の亜鉛含有量は4.1%に達し、このシリコン酸化物内に実際にドープされた亜鉛元素の含有量に近づき、亜鉛元素が粒子表層に集中していないことを示した。次いで、電気化学のプリリチウム化の方法を用いて上記シリコン酸化物をリチウム金属ドーピングし、亜鉛元素をドープしたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例3に比べて、実施例4では、同じ亜鉛元素ドーピング方法および熱処理プロセスを用いたが、ナノ酸化亜鉛の被覆量を12.5gに低減し、亜鉛元素をドープしたシリコン酸化物粒子を得た。次いで、上記化学蒸着法により、粒子の表面に炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として1000℃で3時間被覆反応を行い、炭素膜層で完全に被覆され、かつ亜鉛元素がドープされたシリコン酸化物粒子を得た。次に用いたリチウム金属ドーピングプロセスは、実施例3と同様にして、亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例1比べて、実施例5では、液相被覆の方法により、シリコン酸化物粒子に炭素前駆体を被覆した。シリコン酸化物粒子1000gおよび低温コールタールピッチ粉末50gを被覆釜内に乾式で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチで被覆されたシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で950℃に加熱し、3時間保持してコールタールピッチを炭化させた。冷却後に得られた材料を500目のふるいにかけて、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。次に、実施例1と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源(チタン酸テトラブチル)を酢酸マグネシウム四水和物22gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を750℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更して、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子の表面にマグネシウム含有化合物が残留していないことを示し、マグネシウムが完全にシリコン酸化物内にドープされていることを示した。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、粒子表面のマグネシウム含有量は1%に達し、このシリコン酸化物内に実際ドープされたマグネシウム元素の含有量よりはるかに高く、マグネシウム元素が粒子表層に集中していることを示した。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、具体的には、上記粒子500gを取って水素化リチウム28.5gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気下で熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で550℃に昇温した後6時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例6では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いたが、熱処理プロセスのみを1000℃で2.5時間保温するように変更し、実施例5と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸アルミニウム九水和物13.9gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を600℃で2時間加熱する熱処理プロセスに変更して、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を51.3gに調整し、熱処理プロセスを575°Cで6時間保温するように変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例7では、メジアン径1μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、類似する炭素膜層被覆プロセスを用い、熱処理プロセスのみを700℃で6時間保温するように調整し、実施例5と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、酢酸マグネシウム四水和物の添加量を220gに調整し、噴霧乾燥して得られた粉末を700℃で6時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を74.1gに調整し、熱処理プロセスを650°Cで5時間保温するように変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例8では、メジアン径9μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、同様の炭素膜層被覆プロセスと噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源をチタン酸テトラブチル71.1gおよび酢酸マグネシウム四水和物44gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を900℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、チタン元素とマグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を45.6gに調整し、熱処理プロセスを700°Cで5時間保温するように変更し、チタン元素とマグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例8に比べて、実施例9では、メジアン径15μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、同様の炭素膜層被覆プロセスを用いて、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。次いで、乾式被覆の方法により上記粒子の表面にナノジルコニア27gを均一に被覆し、窒素雰囲気に1000℃で2時間保温し、ジルコニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。次に、同様のリチウム金属ドーピングプロセスを用いて、ジルコニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例6に比べて、実施例10では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いて、アスファルト添加量のみを70gに調整し、実施例6と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸亜鉛六水和物11.4gおよび硝酸アルミニウム九水和物34.7gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を700℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、亜鉛元素とアルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを600°Cで6時間保温するように変更し、亜鉛元素とアルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例10に比べて、実施例11では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いて、アスファルト添加量のみを100gに調整し、実施例10と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸アルミニウム九水和物208.4gに置き換え、噴霧乾燥した粉末を900℃で2時間加熱する熱処理プロセスに変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、類似する熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、熱処理プロセスを700°Cで6時間保温するように変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例6に比べて、実施例12では、同様の炭素膜層被覆プロセスと噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物353gおよび硝酸亜鉛六水和物182gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を1000℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウム元素と亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を34.3gに調整し、熱処理プロセスを850°Cで2時間保温するように変更し、マグネシウム元素と亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例12に比べて、実施例13では、同様の炭素膜層被覆プロセス、噴霧乾燥ドーピングプロセスおよびリチウム金属ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源のみを酢酸マグネシウム四水和物706gおよび硝酸亜鉛六水和物364gに置き換え、マグネシウム元素と亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例14では、同様の炭素膜層被覆プロセス、噴霧乾燥ドーピングプロセスおよびリチウム金属ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源のみを酢酸マグネシウム四水和物4.4gに置き換え、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。
メジアン径4μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000gを取って水素化リチウム100gと混合し、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、熱処理プロセスは800°Cで2時間保温し、リチウム含有のシリコン酸化物を得た。次いで、上記粒子500gを取って金属マグネシウム粉末25gと混合し、アルゴン雰囲気下で850℃で1.5時間保温し、マグネシウム元素をドープしたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。最後に、化学蒸着法により、上記粒子表面に炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として、850°Cで1時間被覆反応を行い、炭素膜で被覆され、かつ元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。
メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000g、ナノジルコニア10gおよび低温コールタールピッチ粉末70gを被覆釜内に乾式で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチで被覆されたシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で900℃までに加熱し、4時間保持してコールタールピッチを炭化させた。冷却後に得られた材料を500目のふるいにかけて、走査型電子顕微鏡とエネルギー分散型X線分光法(EDS)の結果は、炭素膜で完全に被覆され、ジルコニウム元素が均一にドープされたシリコン酸化物粉末が得られ、粒子表面にジルコニウム含有化合物の残留がなく、ジルコニウムがシリコン酸化物内にドープされていることを示した。同時に、エネルギー分散型X線分光法(EDS)の結果は、粒子表面のジルコニウム含有量は2.5wt%に達し、このシリコン酸化物内に実際にドープされたジルコニウム元素含有量よりはるかに高く、ジルコニウム元素が粒子表層に集中していることを示した。
実施例16に比べて、実施例17のシリコン酸化物は炭素膜層を被覆せず、そのまま乾式被覆の方法でナノ酸化亜鉛20gおよびナノ酸化ニッケル25.5gをシリコン酸化物粒子1000gの表面に均一に被覆し、窒素雰囲気下、950℃で3時間保温し、亜鉛元素とニッケル元素をドープしたシリコン酸化物を得た。次いで、電気化学のプリリチウム化の方法を用いて上記のシリコン酸化物をリチウム金属ドーピングし、亜鉛元素とニッケル元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例16に比べて、実施例18では、アスファルト含有量を50gに低減し、炭素膜層を被覆する熱処理プロセスを1000℃で2時間保温するように調整して、炭素膜層で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次いで、乾式被覆の方法でナノアルミナ1.9gおよびナノ酸化マンガン1.3gを1000gの上記粒子表面に均一に被覆し、窒素雰囲気下で、700℃で3時間保温し、アルミニウム元素とマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、具体的には、上記粒子500gを取って水素化リチウム57gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気で熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で600℃に昇温した後6時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、マグネシウム元素とマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例16に比べて、実施例19では、メジアン径1μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例1と類似する炭素膜被覆プロセスを用いて、アスファルト含有量を50gに低減し、炭素膜を被覆する熱処理プロセスを950℃で3時間保温するように調整し、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次いで、実施例1と類似する噴霧乾燥プロセスを用いるが、ドーピング源をチタン酸テトラブチル284.4gおよび硝酸鉄九水和物289.4gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を800℃で6時間加熱する熱処理プロセスに変更し、チタンと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、具体的には、上記粒子500gを取って水素化リチウム74.1gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気下熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で650℃に昇温した後5時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、チタンと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例19に比べて、実施例20では、メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例1と同様の炭素膜被覆プロセスおよび噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物8.8gおよび硝酸鉄九水和物108.5gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を900℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウムと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を51.3gに調整し、熱処理プロセスを575°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムと鉄元素がドープされ、炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例20に比べて、実施例21では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いて、熱処理プロセスのみを800℃で2時間保温するように調整し、実施例20と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物13.2gおよび酢酸銅一水和物22gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を800℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子表面にマグネシウム含有または銅含有の物質が残留していないことを示し、マグネシウムと銅元素がシリコン酸化物内にすべてドープされていることを示した。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、粒子表面のマグネシウム含有量は0.2%であり、銅含有量は0.7%であり、このシリコン酸化物内に実際にドープされたマグネシウム元素と銅元素の含有量に近づき、マグネシウム元素と銅元素が粒子表層に集中していないことを示した。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を28.5gに調整し、熱処理プロセスを550°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例20に比べて、実施例22では、メジアン径9μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例20と同様の炭素膜層被覆プロセスを用いて、続いて、1000g上記粒子の表面を乾式被覆の方法でナノアルミナ9.5gおよびナノ酸化銅18.8gで均一に被覆し、窒素雰囲気において900℃で3時間保温し、アルミニウム元素と銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを700°Cで5時間保温するように変更し、アルミニウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例20に比べて、実施例23では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いたが、熱処理プロセスのみを1000℃で2.5時間保温するように変更し、実施例20と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸アルミニウム九水和物166.7g、硝酸イットリウム六水和物4.3gおよび酢酸マンガン四水和物223gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を850℃で6時間加熱する熱処理プロセスに変更して、アルミニウム、イットリウムおよびマンガン元素がドープされ、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を45.6gに調整し、熱処理プロセスを700°Cで5時間保温するように変更し、アルミニウム、イットリウムおよびマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例23に比べて、実施例24では、同様の炭素膜層被覆プロセスおよび噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物264gおよび酢酸ニッケル四水和物339.2gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を800℃で8時間加熱する熱処理プロセスに変更して、マグネシウムとニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを600°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムとニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例18に比べて、実施例25では、メジアン径15μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例18と同様の炭素膜層被覆プロセスを用いて、続いて、1000g上記粒子の表面を乾式被覆の方法でナノ酸化チタン8.35g、ナノアルミナ13.3gおよびナノ酸化ニッケル38.25gで均一に被覆し、窒素雰囲気下、900℃で2時間保温し、チタン、アルミニウムおよびニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜が被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を34.3gに調整し、熱処理プロセスを850°Cで2時間保温するように変更し、チタン元素、アルミニウム元素およびニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例19に比べて、実施例26では、メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例19と同様の炭素膜層被覆プロセス、噴霧乾燥ドーピングプロセスおよびリチウム金属ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源をチタン酸テトラブチル568.8gおよび硝酸鉄九水和物578.8gに置き換え、チタンと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例21に比べて、実施例27では、同様の炭素膜層被覆プロセスおよび噴霧乾燥ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源のみを酢酸マグネシウム四水和物4.4gおよび酢酸銅一水和物1.57gに置き換え、マグネシウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを600°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムが銅元素をドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例27に比べて、実施例28では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いたが、熱処理プロセスを1000°Cで2.5時間保温するように変更し、炭素膜層で被覆されたシリコン酸化物を得た。次いで、実施例12と同様の噴霧乾燥プロセスを用いて、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物30.8gおよび酢酸マンガン四水和物15.6gに置き換え、マグネシウムとマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、実施例12と同様のリチウム金属ドーピングプロセスを用いて、マグネシウムとマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例27と類似したが、相違点は、噴霧乾燥プロセスにおいて、ドーピング源をわずか酢酸マグネシウム四水和物8.8gに置き換えたので、製品は、単一マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000gを取って水素化リチウム100gと混合し、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、熱処理プロセスは800°Cで2時間保温し、リチウム含有のシリコン酸化物を得た。次いで、上記粒子500gを取って金属マグネシウム粉末25gとナノ酸化銅9.4gとを均一に混合し、アルゴン雰囲気下で850°Cで1.5時間保温し、マグネシウムと銅元素をドープしたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。最後に、化学蒸着法により上記粒子表面に炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として、850°Cで1時間被覆反応を行い、炭素膜で被覆された、かつマグネシウム元素と銅元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。
実施例5と類似したが、相違点は、後続の噴霧乾燥プロセスおよびリチウムドーピングプロセスがないため、製品は炭素膜で被覆されたシリコン酸化物であった。
実施例5と類似したが、相違点は、噴霧乾燥プロセスおよびマグネシウム元素をドープするための熱処理プロセスがないため、製品は炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
実施例11と類似したが、相違点は、リチウムドーピングのプロセス中、水素化リチウムの量は148.2gに調整され、製品はアルミニウム元素がドープされた、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
実施例23と類似したが、相違点は、リチウムドーピングのプロセス中、水素化リチウムの量は125.4gに調整され、製品はアルミニウム、イットリウムおよびマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
メジアン径6μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000g、低温コールタールピッチ粉末65gおよびケッチェンブラック粉末10gを被覆釜内に乾法で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に再加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチとケッチェンブラックを共に被覆したシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で1000℃に加熱して2時間保持し、コールタールピッチを炭化させながら、シリコン酸化物材料に不均一化反応を生じさせた。冷却後に得られた材料を粉砕し、500目のふるいにかけて、炭素膜/ケッチェンブラック複合膜層で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。
対比例5と類似したが、相違点は、リチウムとアルミニウムのドーピング中、水素化アルミニウムリチウムの量を100gに調整したとともに、リチウムドーピングとアルミニウムドーピングの熱処理プロセスを770℃で1h保温に調整し、アルミニウム元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。X線回折分析により,このとき得られたシリコン負極活性材料には依然として明らかな金属アルミニウム相が現れ、シリコン(111)結晶面に対応する微結晶サイズは26nmであった。この材料を含む水系ホモジネートスラリーは65°Cで加速実験したもとで、1時間以内に著しくガスを生産した。最終的に、このシリコン負極を含む半電池の初回のリチウム挿入比容量は485mAh/gであり、初回の充放電効率は89%であった。全電池の体積エネルギー密度は749Wh/Lに達し、500回の充放電サイクル後の容量保持率は73.2%であり、500サイクル後の電池膨張率は19%であった。
シリコン酸化物粒子1000g、Super P粉末10g、クエン酸銅203gおよびショ糖50gをイオン除去水5000gに高速で分散させ、スラリーを噴霧乾燥処理した後、得られた粉末を窒素雰囲気下で、900℃で5時間加熱した後、粉砕して500目のふるいにかけて、得られた炭素膜層/Super P複合膜層で被覆された銅ドープのシリコン酸化物粒子を得た。上記粒子500gを取って水素化リチウム50gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気下で熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で750℃まで昇温した後1時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、銅元素がドープされ、かつ炭素膜/Super P複合膜層で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
メジアン径6μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000gおよび低温コールタールピッチ粉末65gを被覆釜内に乾法で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチで被覆されたシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で900℃に加熱し3時間保持して、コールタールピッチを炭化させながら、シリコン酸化物に不均一化反応を生じさせた。冷却後に得られた材料を粉砕し、500目のふるいにかけて、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。
Claims (21)
- シリコン酸化物を含む負極活性物質粒子を有する電池用の負極活性材料であって、
前記負極活性物質粒子は、リチウム元素と、非リチウムドープ金属とを含み、
前記非リチウムドープ金属は、金属M1を含み、前記金属M1は、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、カルシウムのうちの1種または多種を含み、前記非リチウムドープ金属が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、好ましくは0.05~15wt%であり、さらに好ましくは0.1~10wt%であり、より好ましくは0.1~5wt%であることを特徴とする電池用の負極活性材料。 - 前記非リチウムドープ金属は、金属M2をさらに含み、前記金属M2は、銅、ニッケル、鉄、マンガン、コバルト、クロムのうちの1種または多種を含むことを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記M2金属が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、好ましくは0.05~15wt%であり、さらに好ましくは0.1~10wt%であり、より好ましくは0.1~5wt%であることを特徴とする請求項2に記載の負極活性材料。
- 前記金属M1と前記金属M2が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~25wt%であり、好ましくは0.05~15wt%であり、さらに好ましくは0.1~10wt%であり、より好ましくは0.1~5wt%であることを特徴とする請求項2に記載の負極活性材料。
- 前記金属M1は、酸素含有化合物として前記負極活性材料中に存在し、前記非リチウムドープ金属の酸素含有化合物は、金属酸化物、金属ケイ酸塩、リチウム含有複合金属ケイ酸塩およびリチウムと非リチウムドープ金属の複合酸化物のうちの1種または多種を含むことを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記金属M1の酸素含有化合物は、シリコン酸化物全体に分散して分布することを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記金属M1の酸素含有化合物は、前記シリコン酸化物の表層に集中し、濃度が前記表層から前記シリコン酸化物の内部へ次第に減少することを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記金属M2は、単量体金属またはシリコン含有合金相として前記負極活性材料中に存在することを特徴とする請求項2に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子におけるリチウム含有量は0.1~20wt%であり、好ましくは2~18wt%であり、さらに好ましくは4~15wt%であることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子は、Li4SiO4、Li2SiO3、Li6Si2O7、Li8SiO6およびLi2Si2O5のうちの少なくとも1種のリチウム含有化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子のメジアン径は0.2~20μmであり、好ましくは1~15μmであり、より好ましくは2~10μmであることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子は、単量体シリコンナノ粒子をさらに含み、前記負極活物質粒子内に分散した単量体シリコンナノ粒子のメジアン径は0.1~35nmであり、好ましくは0.5~20nmであり、より好ましくは1~15nmであることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子におけるケイ素の含有量は30~80wt%であり、好ましくは35~65wt%であり、より好ましくは40~65wt%であることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子の表面にさらに炭素膜層を被覆し、前記炭素膜層は前記シリコン酸化物の表面を覆い、前記炭素膜層の厚さは0.001~5μmであり、好ましくは0.005~2μmであり、さらに好ましくは0.01~1μmであることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記炭素膜層の前記シリコン酸化物に対する重量比は0.01:100~20:100であり、好ましくは0.1:100~15:100であり、さらに好ましくは1:100~12:100であることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 請求項1~15のいずれか1項に記載の負極活性材料を含むことを特徴とする電極。
- 請求項1~15のいずれか1項に記載の負極活性材料を含むことを特徴とする極片または電池。
- 請求項1または2に記載の負極活性材料の製造方法であって、
シリコン酸化物粒子を取り、リチウム元素および非リチウムドープ金属をシリコン酸化物粒子にドープすることを含み、前記シリコン酸化物粒子におけるケイ素と酸素の化学量論比は1:0.4~1:2であり、好ましくは1:0.6~1:1.5であり、さらに好ましくは1:0.8~1:1.2であることを特徴とする製造方法。 - 前記シリコン酸化物粒子のメジアン径は0.2~20μmであり、好ましくは1~15μmであり、より好ましくは2~10μmであることを特徴とする請求項18に記載の製造方法。
- 前記シリコン酸化物粒子は炭素膜層で被覆された粒子であることを特徴とする請求項18に記載の製造方法。
- 前記非リチウムドープ金属をシリコン酸化物粒子にドープした後、リチウム元素をドープすることを特徴とする請求項18に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911406235.X | 2019-12-31 | ||
CN201911412337.2A CN111162269B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种用于电池的负极活性材料及其制备方法 |
CN201911412337.2 | 2019-12-31 | ||
CN201911406235.XA CN111180692B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种用于电池的负极活性材料及其制备方法 |
PCT/CN2020/140717 WO2021136245A1 (zh) | 2019-12-31 | 2020-12-29 | 一种用于电池的负极活性材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023523486A true JP2023523486A (ja) | 2023-06-06 |
JP7410301B2 JP7410301B2 (ja) | 2024-01-09 |
Family
ID=76685936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022539340A Active JP7410301B2 (ja) | 2019-12-31 | 2020-12-29 | 電池用の負極活性材料およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230034396A1 (ja) |
EP (1) | EP4064388A1 (ja) |
JP (1) | JP7410301B2 (ja) |
KR (1) | KR20220107281A (ja) |
WO (1) | WO2021136245A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023216940A1 (zh) * | 2022-05-07 | 2023-11-16 | 四川物科金硅新材料科技有限责任公司 | 一种掺杂氧硅材料及其制备方法和应用 |
WO2024053939A1 (ko) * | 2022-09-05 | 2024-03-14 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 음극 활물질, 이를 포함하는 음극, 이를 포함하는 이차전지 및 음극 활물질의 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204374A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 酸化珪素系粉末負極材 |
CN109713286A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 安普瑞斯(南京)有限公司 | 一种用于锂离子二次电池的硅基复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101665755B1 (ko) * | 2013-10-04 | 2016-10-12 | 주식회사 엘지화학 | 이차전지용 음극활물질 및 이의 제조 방법 |
KR101561274B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2015-10-19 | 주식회사 포스코 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 이의 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 음극 및 리튬 이차 전지 |
JP6407804B2 (ja) | 2015-06-17 | 2018-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 非水電解質二次電池用負極活物質及び非水電解質二次電池、並びに非水電解質二次電池用負極材の製造方法 |
CN106876684A (zh) * | 2017-04-12 | 2017-06-20 | 四川国创成电池材料有限公司 | 一种锂电池用硅负极材料、负极片及用其制备的锂电池 |
EP3748738B1 (en) * | 2018-01-30 | 2024-08-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Negative electrode active substance for secondary battery, and secondary battery |
CN108461723B (zh) * | 2018-02-11 | 2020-08-18 | 安普瑞斯(南京)有限公司 | 一种用于锂离子电池的硅基复合材料及其制备方法 |
CN109755500B (zh) * | 2018-12-05 | 2022-06-24 | 华为技术有限公司 | 一种硅氧复合负极材料及其制作方法 |
CN109599551B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-08-24 | 安普瑞斯(南京)有限公司 | 一种用于锂离子电池的掺杂型多层核壳硅基复合材料及其制备方法 |
CN110556529B (zh) * | 2019-10-15 | 2023-03-14 | 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 | 具有多层核壳结构的负极复合材料及其制备方法和应用 |
CN111180692B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-10-08 | 安普瑞斯(南京)有限公司 | 一种用于电池的负极活性材料及其制备方法 |
CN111162269B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-09-28 | 安普瑞斯(南京)有限公司 | 一种用于电池的负极活性材料及其制备方法 |
-
2020
- 2020-12-29 WO PCT/CN2020/140717 patent/WO2021136245A1/zh unknown
- 2020-12-29 KR KR1020227022651A patent/KR20220107281A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-12-29 JP JP2022539340A patent/JP7410301B2/ja active Active
- 2020-12-29 EP EP20908784.0A patent/EP4064388A1/en active Pending
- 2020-12-29 US US17/788,446 patent/US20230034396A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204374A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 酸化珪素系粉末負極材 |
CN109713286A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 安普瑞斯(南京)有限公司 | 一种用于锂离子二次电池的硅基复合材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4064388A1 (en) | 2022-09-28 |
JP7410301B2 (ja) | 2024-01-09 |
WO2021136245A1 (zh) | 2021-07-08 |
KR20220107281A (ko) | 2022-08-02 |
US20230034396A1 (en) | 2023-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7522202B2 (ja) | 電池用の負極活性材料及びその製造方法、電池負極、電池 | |
JP7237167B2 (ja) | シリコン複合物負極材料、その調製方法及びリチウムイオン電池 | |
CN111180691B (zh) | 双层碳包覆的硅基复合材料及其制备方法和应用 | |
Zhang et al. | Li4Ti5O12 prepared by a modified citric acid sol–gel method for lithium-ion battery | |
CN111180692B (zh) | 一种用于电池的负极活性材料及其制备方法 | |
CN109713286B (zh) | 一种用于锂离子二次电池的硅基复合材料及其制备方法 | |
KR101944154B1 (ko) | 재충전식 배터리용 음극 재료 및 이의 제조 방법 | |
JP7288059B2 (ja) | シリコン酸素複合負極材料、その調製方法及びリチウムイオン電池 | |
EP3005450B1 (en) | Electrode composition, electrochemical cell and method of making electrochemical cells | |
EP3534439B1 (en) | Electrode material for lithium ion secondary battery, electrode for lithium ion secondary battery, and lithium ion secondary battery | |
JP5621740B2 (ja) | 電極材料及び電極並びに電極材料の製造方法 | |
TWI556499B (zh) | 鋰離子二次電池用正極材料、鋰離子二次電池用正極構件、及鋰離子二次電池 | |
TWI822869B (zh) | 負極活性物質、混合負極活性物質、水系負極漿料組成物、及負極活性物質的製造方法 | |
TW201817065A (zh) | 負極活性物質、混合負極活性物質材料、及負極活性物質的製造方法 | |
CN111446431A (zh) | 一种氧转移反应增强锂离子电池硅氧碳负极材料的界面接触的方法 | |
CN111162269B (zh) | 一种用于电池的负极活性材料及其制备方法 | |
CN112467097A (zh) | 一种负极材料及其制备方法、电极、二次电池 | |
JP7410301B2 (ja) | 電池用の負極活性材料およびその製造方法 | |
Guo et al. | Modification of LiCoO 2 through rough coating with lithium lanthanum zirconium tantalum oxide for high-voltage performance in lithium ion batteries | |
CN106486658A (zh) | 一种固相反应制备硅纳米材料的方法及其应用 | |
CN114824192A (zh) | 一种复合正极材料、电池正极、锂电池及其应用 | |
Hong et al. | Spray deposition of LiMn2O4 nanoparticle-decorated multiwalled carbon nanotube films as cathode material for lithium-ion batteries | |
US20210126254A1 (en) | Anode materials for and methods of making and using same | |
KR20240091239A (ko) | 전지 음극활물질 및 그 제조 방법, 전지 음극 및 이차 전지 | |
CN112467096B (zh) | 一种负极材料及其制备方法、电极、二次电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220627 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220627 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20230117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7410301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |