JP7410301B2 - 電池用の負極活性材料およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記非リチウムドープ金属は、金属M1を含み、前記金属M1は、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、カルシウムのうちの1種または多種を含み、前記非リチウムドープ金属が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、好ましくは0.05~15wt%であり、さらに好ましくは0.1~10wt%であり、より好ましくは0.1~5wt%である。
シリコン酸化物粒子を取り、リチウム元素および非リチウムドープ金属元素をシリコン酸化物粒子にドープすることを含み、前記シリコン酸化物粒子におけるケイ素と酸素の化学量論比は1:0.4~1:2であり、好ましくは1:0.6~1:1.5であり、さらに好ましくは1:0.8~1:1.2である。
前記非リチウムドープ金属は、金属M1を含み、
前記金属M1は、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、カルシウムのうちの1種または多種を含み、前記非リチウムドープ金属が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、好ましくは0.05~15wt%であり、さらに好ましくは0.1~10wt%であり、より好ましくは0.1~5wt%である。非リチウムドープ金属が適切な範囲にあることを保証することにより、ドープ金属が前記負極活性材料の容量に悪影響を及ぼすことを回避しつつ、前記リチウム含有シリコン酸化物に対して十分な安定性と保護作用を果たし、本発明の負極活性材料を混合した水系スラリーをより安定化させることができる。
シリコン酸化物粒子を取り、リチウム元素および非リチウムドープ金属元素をシリコン酸化物粒子にドープすることを含み、前記シリコン酸化物粒子におけるケイ素と酸素の化学量論比は1:0.4~1:2であり、好ましくは1:0.6~1:1.5であり、さらに好ましくは1:0.8~1:1.2である。
CVDに使用された炭素源は炭化水素化合物ガスであり、前記炭化水素化合物ガスの分解温度は600~1100℃であり、好ましくは750~950℃である。前記炭素膜層は、まず炭素反応被覆を行って非酸化雰囲気の中で熱処理炭素化することによって得られてもよい。前記炭素反応被覆方法は機械融合機、VC混合機、被覆釜、噴霧乾燥、サンドグラインダまたは高速分散機のいずれか1つを使用することができ、被覆時に使用する溶剤は水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、N-ブタノール、エチレングリコール、エーテル、アセトン、N-メチルピロリドン、メチルブタノン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、ジメチルベンゼン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、クロロホルムのうちの一種または多種の組合せである。前記炭素反応源は、コールタールピッチ、石油ピッチ、ポリビニルアルコール、エポキシ樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、ブドウ糖、ショ糖、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドンのうちの一種または多種の組合せであってよい。前記熱処理炭素化用の設備は、回転炉、取鍋精錬炉、ローラー窯、プッシャー窯、雰囲気ボックス炉またはチューブ炉のいずれか一種であってよい。前記熱処理炭素化の温度は600~1100℃であってよく、好ましくは700~1000℃であり、保温時間は0.5~24時間である。前記非酸化雰囲気は、窒素、アルゴン、水素またはヘリウムの少なくとも一種のガスによって提供されてもよい。
メジアン径が4μmであるシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000g、チタン酸テトラブチル213.3g、ポリビニルピロリドン(PVP)25gをイオン除去水3000gの中に高速で分散した後、スラリーを噴霧乾燥で処理した。その後、得られた粉末を窒素雰囲気の中で、850℃で3時間加熱した後、気流粉砕を行い、走査型電子顕微鏡およびエネルギー分散型X線分光法(EDS)の結果から、チタン元素がドープされた、部分的に炭素膜層で被覆されたシリコン酸化物粉末が得たことを証明した。粒子表面には少量のチタン含有化合物が残留し、ドット状の被覆構造を形成したが、チタンの大部分はシリコン酸化物粒子内部にドープされた(図1参照)。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、シリコン酸化物粒子上のチタン元素の分布がほぼ均一であることを示した。
実施例1に比べて、実施例2では、シリコン酸化物粒子を化学蒸着法により炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として900℃で3時間被覆反応を行い、炭素膜層で完全に被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。続いて、乾式被覆の方法で、1000gの上記粒子表面にナノアルミナ11.4gを均一に被覆し、窒素雰囲気下、800℃で3時間保温し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜層で完全に被覆されたシリコン酸化物を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子表面にアルミニウム含有化合物が残留していないことを示し、アルミニウムがシリコン酸化物内にすべてドープされていることを示した(図3参照)。次に、実施例1と同様のプロセスで、上記シリコン酸化物にリチウム金属をドープし、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例1に比べて、実施例3では、乾式被覆の方法で、1000gのシリコン酸化物粒子表面にナノ酸化亜鉛49.8gを均一に被覆し、窒素雰囲気下、1000℃で1時間保温し、亜鉛元素をドープした無炭素膜のシリコン酸化物粉末を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子の表面に亜鉛含有化合物が残留していないことを示し、亜鉛がシリコン酸化物内にすべてドープされていることを示した。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、粒子表面の亜鉛含有量は4.1%に達し、このシリコン酸化物内に実際にドープされた亜鉛元素の含有量に近づき、亜鉛元素が粒子表層に集中していないことを示した。次いで、電気化学のプリリチウム化の方法を用いて上記シリコン酸化物をリチウム金属ドーピングし、亜鉛元素をドープしたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例3に比べて、実施例4では、同じ亜鉛元素ドーピング方法および熱処理プロセスを用いたが、ナノ酸化亜鉛の被覆量を12.5gに低減し、亜鉛元素をドープしたシリコン酸化物粒子を得た。次いで、上記化学蒸着法により、粒子の表面に炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として1000℃で3時間被覆反応を行い、炭素膜層で完全に被覆され、かつ亜鉛元素がドープされたシリコン酸化物粒子を得た。次に用いたリチウム金属ドーピングプロセスは、実施例3と同様にして、亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例1比べて、実施例5では、液相被覆の方法により、シリコン酸化物粒子に炭素前駆体を被覆した。シリコン酸化物粒子1000gおよび低温コールタールピッチ粉末50gを被覆釜内に乾式で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチで被覆されたシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で950℃に加熱し、3時間保持してコールタールピッチを炭化させた。冷却後に得られた材料を500目のふるいにかけて、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。次に、実施例1と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源(チタン酸テトラブチル)を酢酸マグネシウム四水和物22gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を750℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更して、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子の表面にマグネシウム含有化合物が残留していないことを示し、マグネシウムが完全にシリコン酸化物内にドープされていることを示した。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、粒子表面のマグネシウム含有量は1%に達し、このシリコン酸化物内に実際ドープされたマグネシウム元素の含有量よりはるかに高く、マグネシウム元素が粒子表層に集中していることを示した。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、具体的には、上記粒子500gを取って水素化リチウム28.5gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気下で熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で550℃に昇温した後6時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例6では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いたが、熱処理プロセスのみを1000℃で2.5時間保温するように変更し、実施例5と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸アルミニウム九水和物13.9gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を600℃で2時間加熱する熱処理プロセスに変更して、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を51.3gに調整し、熱処理プロセスを575°Cで6時間保温するように変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例7では、メジアン径1μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、類似する炭素膜層被覆プロセスを用い、熱処理プロセスのみを700℃で6時間保温するように調整し、実施例5と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、酢酸マグネシウム四水和物の添加量を220gに調整し、噴霧乾燥して得られた粉末を700℃で6時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を74.1gに調整し、熱処理プロセスを650°Cで5時間保温するように変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例8では、メジアン径9μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、同様の炭素膜層被覆プロセスと噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源をチタン酸テトラブチル71.1gおよび酢酸マグネシウム四水和物44gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を900℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、チタン元素とマグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を45.6gに調整し、熱処理プロセスを700°Cで5時間保温するように変更し、チタン元素とマグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例8に比べて、実施例9では、メジアン径15μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、同様の炭素膜層被覆プロセスを用いて、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。次いで、乾式被覆の方法により上記粒子の表面にナノジルコニア27gを均一に被覆し、窒素雰囲気に1000℃で2時間保温し、ジルコニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。次に、同様のリチウム金属ドーピングプロセスを用いて、ジルコニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例6に比べて、実施例10では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いて、アスファルト添加量のみを70gに調整し、実施例6と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸亜鉛六水和物11.4gおよび硝酸アルミニウム九水和物34.7gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を700℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、亜鉛元素とアルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを600°Cで6時間保温するように変更し、亜鉛元素とアルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例10に比べて、実施例11では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いて、アスファルト添加量のみを100gに調整し、実施例10と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸アルミニウム九水和物208.4gに置き換え、噴霧乾燥した粉末を900℃で2時間加熱する熱処理プロセスに変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、類似する熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、熱処理プロセスを700°Cで6時間保温するように変更し、アルミニウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例6に比べて、実施例12では、同様の炭素膜層被覆プロセスと噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物353gおよび硝酸亜鉛六水和物182gに置き換え、噴霧乾燥して得られた粉末を1000℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウム元素と亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を34.3gに調整し、熱処理プロセスを850°Cで2時間保温するように変更し、マグネシウム元素と亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例12に比べて、実施例13では、同様の炭素膜層被覆プロセス、噴霧乾燥ドーピングプロセスおよびリチウム金属ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源のみを酢酸マグネシウム四水和物706gおよび硝酸亜鉛六水和物364gに置き換え、マグネシウム元素と亜鉛元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。
実施例5に比べて、実施例14では、同様の炭素膜層被覆プロセス、噴霧乾燥ドーピングプロセスおよびリチウム金属ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源のみを酢酸マグネシウム四水和物4.4gに置き換え、マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。
メジアン径4μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000gを取って水素化リチウム100gと混合し、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、熱処理プロセスは800°Cで2時間保温し、リチウム含有のシリコン酸化物を得た。次いで、上記粒子500gを取って金属マグネシウム粉末25gと混合し、アルゴン雰囲気下で850℃で1.5時間保温し、マグネシウム元素をドープしたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。最後に、化学蒸着法により、上記粒子表面に炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として、850°Cで1時間被覆反応を行い、炭素膜で被覆され、かつ元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。
メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000g、ナノジルコニア10gおよび低温コールタールピッチ粉末70gを被覆釜内に乾式で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチで被覆されたシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で900℃までに加熱し、4時間保持してコールタールピッチを炭化させた。冷却後に得られた材料を500目のふるいにかけて、走査型電子顕微鏡とエネルギー分散型X線分光法(EDS)の結果は、炭素膜で完全に被覆され、ジルコニウム元素が均一にドープされたシリコン酸化物粉末が得られ、粒子表面にジルコニウム含有化合物の残留がなく、ジルコニウムがシリコン酸化物内にドープされていることを示した。同時に、エネルギー分散型X線分光法(EDS)の結果は、粒子表面のジルコニウム含有量は2.5wt%に達し、このシリコン酸化物内に実際にドープされたジルコニウム元素含有量よりはるかに高く、ジルコニウム元素が粒子表層に集中していることを示した。
実施例16に比べて、実施例17のシリコン酸化物は炭素膜層を被覆せず、そのまま乾式被覆の方法でナノ酸化亜鉛20gおよびナノ酸化ニッケル25.5gをシリコン酸化物粒子1000gの表面に均一に被覆し、窒素雰囲気下、950℃で3時間保温し、亜鉛元素とニッケル元素をドープしたシリコン酸化物を得た。次いで、電気化学のプリリチウム化の方法を用いて上記のシリコン酸化物をリチウム金属ドーピングし、亜鉛元素とニッケル元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例16に比べて、実施例18では、アスファルト含有量を50gに低減し、炭素膜層を被覆する熱処理プロセスを1000℃で2時間保温するように調整して、炭素膜層で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次いで、乾式被覆の方法でナノアルミナ1.9gおよびナノ酸化マンガン1.3gを1000gの上記粒子表面に均一に被覆し、窒素雰囲気下で、700℃で3時間保温し、アルミニウム元素とマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、具体的には、上記粒子500gを取って水素化リチウム57gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気で熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で600℃に昇温した後6時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、マグネシウム元素とマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例16に比べて、実施例19では、メジアン径1μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例1と類似する炭素膜被覆プロセスを用いて、アスファルト含有量を50gに低減し、炭素膜を被覆する熱処理プロセスを950℃で3時間保温するように調整し、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次いで、実施例1と類似する噴霧乾燥プロセスを用いるが、ドーピング源をチタン酸テトラブチル284.4gおよび硝酸鉄九水和物289.4gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を800℃で6時間加熱する熱処理プロセスに変更し、チタンと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、具体的には、上記粒子500gを取って水素化リチウム74.1gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気下熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で650℃に昇温した後5時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、チタンと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例19に比べて、実施例20では、メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例1と同様の炭素膜被覆プロセスおよび噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物8.8gおよび硝酸鉄九水和物108.5gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を900℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウムと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を51.3gに調整し、熱処理プロセスを575°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムと鉄元素がドープされ、炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例20に比べて、実施例21では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いて、熱処理プロセスのみを800℃で2時間保温するように調整し、実施例20と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物13.2gおよび酢酸銅一水和物22gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を800℃で3時間加熱する熱処理プロセスに変更し、マグネシウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。走査型電子顕微鏡の結果は、粒子表面にマグネシウム含有または銅含有の物質が残留していないことを示し、マグネシウムと銅元素がシリコン酸化物内にすべてドープされていることを示した。同時にエネルギー分散型X線分光法の結果は、粒子表面のマグネシウム含有量は0.2%であり、銅含有量は0.7%であり、このシリコン酸化物内に実際にドープされたマグネシウム元素と銅元素の含有量に近づき、マグネシウム元素と銅元素が粒子表層に集中していないことを示した。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を28.5gに調整し、熱処理プロセスを550°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例20に比べて、実施例22では、メジアン径9μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例20と同様の炭素膜層被覆プロセスを用いて、続いて、1000g上記粒子の表面を乾式被覆の方法でナノアルミナ9.5gおよびナノ酸化銅18.8gで均一に被覆し、窒素雰囲気において900℃で3時間保温し、アルミニウム元素と銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを700°Cで5時間保温するように変更し、アルミニウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例20に比べて、実施例23では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いたが、熱処理プロセスのみを1000℃で2.5時間保温するように変更し、実施例20と同様の噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を硝酸アルミニウム九水和物166.7g、硝酸イットリウム六水和物4.3gおよび酢酸マンガン四水和物223gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を850℃で6時間加熱する熱処理プロセスに変更して、アルミニウム、イットリウムおよびマンガン元素がドープされ、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を45.6gに調整し、熱処理プロセスを700°Cで5時間保温するように変更し、アルミニウム、イットリウムおよびマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例23に比べて、実施例24では、同様の炭素膜層被覆プロセスおよび噴霧乾燥プロセスを用いたが、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物264gおよび酢酸ニッケル四水和物339.2gに置き換え、噴霧乾燥して得た粉末を800℃で8時間加熱する熱処理プロセスに変更して、マグネシウムとニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを600°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムとニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例18に比べて、実施例25では、メジアン径15μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例18と同様の炭素膜層被覆プロセスを用いて、続いて、1000g上記粒子の表面を乾式被覆の方法でナノ酸化チタン8.35g、ナノアルミナ13.3gおよびナノ酸化ニッケル38.25gで均一に被覆し、窒素雰囲気下、900℃で2時間保温し、チタン、アルミニウムおよびニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜が被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を34.3gに調整し、熱処理プロセスを850°Cで2時間保温するように変更し、チタン元素、アルミニウム元素およびニッケル元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例19に比べて、実施例26では、メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子を用いるように変更し、実施例19と同様の炭素膜層被覆プロセス、噴霧乾燥ドーピングプロセスおよびリチウム金属ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源をチタン酸テトラブチル568.8gおよび硝酸鉄九水和物578.8gに置き換え、チタンと鉄元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例21に比べて、実施例27では、同様の炭素膜層被覆プロセスおよび噴霧乾燥ドーピングプロセスを用いたが、ドーピング源のみを酢酸マグネシウム四水和物4.4gおよび酢酸銅一水和物1.57gに置き換え、マグネシウムと銅元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行ったが、水素化リチウムの量を57gに調整し、熱処理プロセスを600°Cで6時間保温するように変更し、マグネシウムが銅元素をドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例27に比べて、実施例28では、類似する炭素膜層被覆プロセスを用いたが、熱処理プロセスを1000°Cで2.5時間保温するように変更し、炭素膜層で被覆されたシリコン酸化物を得た。次いで、実施例12と同様の噴霧乾燥プロセスを用いて、ドーピング源を酢酸マグネシウム四水和物30.8gおよび酢酸マンガン四水和物15.6gに置き換え、マグネシウムとマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粒子を得た。次に、実施例12と同様のリチウム金属ドーピングプロセスを用いて、マグネシウムとマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
実施例27と類似したが、相違点は、噴霧乾燥プロセスにおいて、ドーピング源をわずか酢酸マグネシウム四水和物8.8gに置き換えたので、製品は、単一マグネシウム元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
メジアン径5μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000gを取って水素化リチウム100gと混合し、熱ドーピング法を用いてリチウム金属ドーピングを行い、熱処理プロセスは800°Cで2時間保温し、リチウム含有のシリコン酸化物を得た。次いで、上記粒子500gを取って金属マグネシウム粉末25gとナノ酸化銅9.4gとを均一に混合し、アルゴン雰囲気下で850°Cで1.5時間保温し、マグネシウムと銅元素をドープしたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。最後に、化学蒸着法により上記粒子表面に炭素膜層を被覆し、アセチレンを炭素源として、850°Cで1時間被覆反応を行い、炭素膜で被覆された、かつマグネシウム元素と銅元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物粒子を得た。
実施例5と類似したが、相違点は、後続の噴霧乾燥プロセスおよびリチウムドーピングプロセスがないため、製品は炭素膜で被覆されたシリコン酸化物であった。
実施例5と類似したが、相違点は、噴霧乾燥プロセスおよびマグネシウム元素をドープするための熱処理プロセスがないため、製品は炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
実施例11と類似したが、相違点は、リチウムドーピングのプロセス中、水素化リチウムの量は148.2gに調整され、製品はアルミニウム元素がドープされた、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
実施例23と類似したが、相違点は、リチウムドーピングのプロセス中、水素化リチウムの量は125.4gに調整され、製品はアルミニウム、イットリウムおよびマンガン元素がドープされ、かつ炭素膜で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物であった。
メジアン径6μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000g、低温コールタールピッチ粉末65gおよびケッチェンブラック粉末10gを被覆釜内に乾法で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に再加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチとケッチェンブラックを共に被覆したシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で1000℃に加熱して2時間保持し、コールタールピッチを炭化させながら、シリコン酸化物材料に不均一化反応を生じさせた。冷却後に得られた材料を粉砕し、500目のふるいにかけて、炭素膜/ケッチェンブラック複合膜層で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。
対比例5と類似したが、相違点は、リチウムとアルミニウムのドーピング中、水素化アルミニウムリチウムの量を100gに調整したとともに、リチウムドーピングとアルミニウムドーピングの熱処理プロセスを770℃で1h保温に調整し、アルミニウム元素がドープされたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。X線回折分析により,このとき得られたシリコン負極活性材料には依然として明らかな金属アルミニウム相が現れ、シリコン(111)結晶面に対応する微結晶サイズは26nmであった。この材料を含む水系ホモジネートスラリーは65°Cで加速実験したもとで、1時間以内に著しくガスを生産した。最終的に、このシリコン負極を含む半電池の初回のリチウム挿入比容量は485mAh/gであり、初回の充放電効率は89%であった。全電池の体積エネルギー密度は749Wh/Lに達し、500回の充放電サイクル後の容量保持率は73.2%であり、500サイクル後の電池膨張率は19%であった。
シリコン酸化物粒子1000g、Super P粉末10g、クエン酸銅203gおよびショ糖50gをイオン除去水5000gに高速で分散させ、スラリーを噴霧乾燥処理した後、得られた粉末を窒素雰囲気下で、900℃で5時間加熱した後、粉砕して500目のふるいにかけて、得られた炭素膜層/Super P複合膜層で被覆された銅ドープのシリコン酸化物粒子を得た。上記粒子500gを取って水素化リチウム50gと混合し、混合粉末をチューブ炉に入れて、アルゴン雰囲気下で熱処理を行い、10℃/minの昇温速度で750℃まで昇温した後1時間保持し、自然冷却後に材料をチューブ炉から取り出し、500目のふるいにかけて、銅元素がドープされ、かつ炭素膜/Super P複合膜層で被覆されたリチウム含有のシリコン酸化物を得た。
メジアン径6μmのシリコン酸化物粒子(ケイ素と酸素の原子比1:1)1000gおよび低温コールタールピッチ粉末65gを被覆釜内に乾法で均一に混合した後、攪拌しながらジメチルホルムアミド2000gを添加し、混合粉末をジメチルホルムアミドに均一に分散させた。次いで、被覆釜を140℃に加熱し、恒温で3時間攪拌した後、最終的に160℃に加熱し、ジメチルホルムアミドを蒸発乾固するまで恒温を保ち、コールタールピッチで被覆されたシリコン酸化物材料を得た。上記材料を窒素雰囲気下で900℃に加熱し3時間保持して、コールタールピッチを炭化させながら、シリコン酸化物に不均一化反応を生じさせた。冷却後に得られた材料を粉砕し、500目のふるいにかけて、炭素膜で被覆されたシリコン酸化物粉末を得た。
Claims (14)
- シリコン酸化物を含む負極活性物質粒子を有する電池用の負極活性材料であって、
前記負極活性物質粒子は、リチウム元素と、非リチウムドープ金属とを含み、
前記非リチウムドープ金属は、金属M1を含み、前記金属M1は、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、カルシウムのうちの1種または多種を含み、金属M1が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、
前記金属M1は、酸素含有化合物として前記負極活性材料中に存在し、
前記酸素含有化合物は、前記シリコン酸化物に分散して分布し、
前記負極活性物質粒子は、単量体シリコンナノ粒子をさらに含み、前記負極活物質粒子内に分散した単量体シリコンナノ粒子のメジアン径は1~15nmであることを特徴とする電池用の負極活性材料。 - 前記非リチウムドープ金属は、金属M2をさらに含み、前記金属M2は、銅、ニッケル、鉄、マンガン、コバルト、クロムのうちの1種または多種を含むことを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記M2金属が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~20wt%であり、または、
前記金属M1と前記金属M2が前記負極活性材料に占める含有量は0.01~25wt%であることを特徴とする請求項2に記載の負極活性材料。 - 前記非リチウムドープ金属の酸素含有化合物は、金属酸化物、金属ケイ酸塩、リチウム含有複合金属ケイ酸塩およびリチウムと非リチウムドープ金属の複合酸化物のうちの1種または多種を含むことを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記酸素含有化合物は、前記シリコン酸化物の表層に集中し、濃度が前記表層から前記シリコン酸化物の内部へ次第に減少することを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記金属M2は、単量体金属またはシリコン含有合金相として前記負極活性材料中に存在することを特徴とする請求項2に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子におけるリチウム含有量は0.1~20wt%であり、
前記負極活性物質粒子のメジアン径は0.2~20μmであり、
前記負極活性物質粒子におけるケイ素の含有量は30~80wt%であることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。 - 前記負極活性物質粒子は、Li4SiO4、Li2SiO3、Li6Si2O7、Li8SiO6およびLi2Si2O5のうちの少なくとも1種のリチウム含有化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。
- 前記負極活性物質粒子の表面にさらに炭素膜層を被覆し、前記炭素膜層は前記シリコン酸化物の表面を覆い、前記炭素膜層の厚さは0.001~5μmであり、
前記炭素膜層の前記シリコン酸化物に対する重量比は0.01:100~20:100であることを特徴とする請求項1に記載の負極活性材料。 - 請求項1~9のいずれか1項に記載の負極活性材料を含むことを特徴とする電極。
- 請求項1~9のいずれか1項に記載の負極活性材料を含むことを特徴とする極片または電池。
- 請求項1または2に記載の負極活性材料の製造方法であって、
シリコン酸化物粒子を取り、リチウム元素および非リチウムドープ金属をシリコン酸化物粒子にドープすることを含み、前記シリコン酸化物粒子におけるケイ素と酸素の化学量論比は1:0.4~1:2であり、
前記非リチウムドープ金属をシリコン酸化物粒子にドープした後、リチウム元素をドープし、
非リチウムドープ金属元素のドーピング温度は750℃~1100℃であることを特徴とする製造方法。 - 前記シリコン酸化物粒子のメジアン径は0.2~20μmであることを特徴とする請求項12に記載の製造方法。
- 前記シリコン酸化物粒子は炭素膜層で被覆された粒子であることを特徴とする請求項12に記載の製造方法。
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