JP2023519706A - プリント基板の空洞からボンドフィルムを除去する方法 - Google Patents

Abstract

【要約】電磁回路を製造するプロセスが、少なくとも１つの導電性トレース(14)を有する頂部表面(12)を含む第１誘電体材料シート(10)を提供し、少なくとも１つの導電性トレース上にはんだバンプ(18)を堆積することを含む。このプロセスはさらに、第１誘電体材料シートに、ボンドフィルムを間に挟んで第２誘電体材料シート(20)を適用することを含み、第２誘電体材料シートは、はんだバンプへのアクセスを提供するスルーホール(24)を有する。このプロセスはさらに、第１及び第２誘電体材料シートを互いに接合し、はんだバンプからボンドフィルム樹脂(26)を除去することを含む。このプロセスには、さらに、はんだバンプ内に必要な量のはんだを達成するために、ドリリング又はミリング加工プロセスによってはんだバンプを加工することが含まれる。

Description

本発明は、電磁回路を製造する方法に関する。

無線周波数 （RF） 及び電磁回路は、従来のプリント基板 （PCB） プロセスを使用して製造できる。従来のPCB製造プロセスは、ラミネート、電気めっき、マスキング、エッチング、及びその他の複雑なプロセスステップを含む場合があり、複数のステップ、高価な材料や危険な材料、複数回の反復、膨大な労力などが必要となる場合があり、これらはすべてコストの上昇とターンアラウンド時間の遅延につながる。さらに、従来のPCB製造プロセスでは、信号トレース（例：ストリップライン）寸法や導体間の誘電体材料の寸法（例えば、誘電体の厚さ、ビア間の間隔など）などの小さな特徴サイズを許容する能力が限られているため、そのような回路でサポートできる最高周波数信号の範囲が制限されている。

信号導体（例：信号トレース、ストリップライン、層間「垂直」フィード）及び各種回路内の基準表面及び導体（例えば接地表面、ファラデー境界又は「壁」）は、無線周波数回路の実施形態を含む様々な回路基板の製造に適している。加算及び減算の製造技術は、様々な信号、特にマイクロ波とミリ波の範囲の無線周波数信号の伝達と封じ込めのための構造を提供する。

PCBの製造工程では、製造中に基板の層間を流れるボンドフィルムのため、ブラインドホールを作ることが非常に難しい。基板を接着フィルムと一緒に接着したりラミネートしたりした後、レーザー穴あけや機械穴あけでブラインドホールを作ることができる。別の実施形態では、接着又は積層の前に穴を事前にドリル加工することができる。ターゲット層上にある銅の層の一部を除去せずにボンドフィルムの層を除去することは極めて困難である。

本開示の一特徴は、電磁回路を製造するプロセスに向けられている。一実施形態では、このプロセスは、少なくとも１つの導電性トレースを有する頂部表面を含む第１シートの誘電体材料を提供するステップを含む。さらに、少なくとも１つの導電性トレース上にはんだバンプを堆積させるステップ；第２シートの誘電体材料を第１シートの誘電体材料にボンドフィルムを挟んで適用し、第２シートの誘電体材料には、はんだバンプへのアクセスを提供するスルーホールがあるステップ；第1及び第２の誘電体材料を互いに結合するステップ；及びはんだバンプからボンドフィルム樹脂を除去するステップを含む。

プロセスのさらなる実施例としては、銅線により取り付けられるスルーホール部品を固定するために、銅線をはんだバンプに固定するステップを含む。銅線は、はんだ付け又はリフロープロセスによってはんだバンプに固定される場合がある。ボンドフィルム樹脂の除去には、ドリリング又はミリング加工を使用してボンドフィルム樹脂を除去することが含まれる場合がある。ボンドフィルム樹脂を除去するためにドリリング又はミリング加工を使用するのは、手動の手順でも自動の手順でもよい。このプロセスには、さらに、はんだバンプ内に必要な量のはんだ達成するために、ドリリング又はミリング加工プロセスによってはんだバンプを加工することも含まれる。はんだバンプには、鉛ベース又は鉛フリーはんだが含まれる場合がある。スルーホールは、第２の誘電体層をドリルで貫通することによって作成することができる。第1及び第２の誘電体材料を互いに結合することは、所定の圧力と温度下で誘電体層を硬化させて一体的な最終製品を形成することを含む。このプロセスにはさらに、はんだバンプに銀ナノ粒子ペーストを適用することも含まれる。

本開示の別の側面は、電磁回路を製造するプロセスに向けられている。一実施形態では、このプロセスは、少なくとも１つの導電性トレースを有する頂部表面を含む第１シートの誘電体材料を提供することを含む。少なくとも１つの導電性トレース上にはんだバンプを堆積させること；第２シートの誘電体材料を第１シートの誘電体材料に適用するステップであり、第２シートの誘電体材料がはんだバンプへのアクセスを提供するスルーホールを有するステップ；を含む。第１及び第２の誘電体材料を互いに結合するステップ；はんだバンプを加工して、はんだバンプに必要な量のはんだを実現するステップを含む。

プロセスのさらなる実施例としては、銅線により取り付けられるべきスルーホール部品を固定するために、銅線をはんだバンプに固定するステップを含む。銅線は、はんだ付け又はリフロープロセスによってはんだバンプに固定される場合がある。

はんだバンプの加工には、ドリリング又はミリング加工を使用してはんだバンプの一部を除去することが含まれる。ドリリング又はミリング加工プロセスを使用してはんだバンプを加工するには、手動手順と自動手順がある。このプロセスにはさらに、はんだバンプからボンドフィルム樹脂を除去することも含まれる。はんだバンプには、鉛ベース又は鉛フリーはんだが含まれる場合がある。スルーホールは、第２の誘電体層をドリルで貫通することによって作成することができる。第１及び第２の誘電体材料を互いに結合することは、所定の圧力と温度下で誘電体層を硬化させて一体的最終製品を形成することを含む。このプロセスにはさらに、はんだバンプに銀ナノ粒子ペーストを適用することも含まれる。

少なくとも１つの実施形態の様々な側面について、縮尺どおりに描くことを意図していない添付図面を参照して以下に説明する。図面は、様々な側面と実施形態の説明とさらなる理解を提供するために含まれており、この仕様に組み込まれ、その一部を構成するが、開示の限界の定義として意図されていない。図面では、様々な図に示されている同一又はほぼ同一の各構成要素を同様の数字で表示されている。明確の目的のために、すべての図ですべての構成要素にラベルを付けているわけではない。

誘電体材料の第１シートの概略断面図であり、誘電体材料の第１シートの上方表面に導電性トレースが設けられている。 導電性トレースにはんだバンプが適用された誘電体材料の第１シートの概略断面図である。 第１シートの誘電体材料に適用された第２シートの誘電体材料の概略断面図であり、それらの間にボンドフィルムが挟まれている。 ボンドフィルム樹脂フローを示すボンディングプロセス後の、第１及び第２の誘電体材料の概略断面図である。 はんだバンプから除去すべきボンドフィルム樹脂の除去と、はんだバンプの加工を示す概略断面図である。 はんだバンプに固定された銅線を示す概略断面図である。 スポット対面操作（spot-facing operation）を受けるフラットワイヤ銅垂直送出（flat wire copper vertical launch, CVL）の断面図である。 スポット対面操作（spot-facing operation）を受けるフラットワイヤ銅垂直送出（flat wire copper vertical launch, CVL）の断面図である。

ここで説明する製造プロセスは、８から75 GHz以上の範囲の電磁信号をサポートできる小さな回路特徴を持つこのような回路構造の製造に特に適している。ここに記載されている方法に従った電磁回路構造は、ミリ波通信、センシング、測距などを含む、28から70 GHzシステムでの応用に特に適している可能性があり、ここに記載されているアスペクト及び実施形態は、Sバンド （2-4 GHz） 、Xバンド （8-12 GHz） 、又はその他の低周波数範囲にも適している可能性がある。

ここで説明するプロセスは、従来のプロセスで可能であるよりも小さな配置と寸法をサポートする可能性がある。このような従来の回路基板は、約30 GHz以下の周波数に制限される場合がある。ここに記載されているプロセスは、より高い周波数で動作することを目的とした無線周波数回路に適した、より小さな寸法の電磁回路を、より安全で複雑でない製造方法を使用して、より低コストで製造することを可能にしたり、それに対応したりすることができる。

ここに記載されているものに従った電磁回路及び製造プロセスには、従来の回路及びプロセスよりも低いプロファイルで、低コスト、低サイクルタイム、及び低設計リスクで、より高い周波数を処理できる電磁回路及びコンポーネントを製造するための積層技術が含まれる。技術の例には、標準的なプリント基板 （PCB） ラミネートのシート、すなわち銅のトレースを持つ誘電体材料の相互のラミネートが含まれる。

上記の例の技術及び／又はその他のいずれかを組み合わせて、さまざまな電磁部品及び／又は回路を作成することができる。ここでは、ある次元の電磁回路の層に沿って、また別の次元の回路の他の層まで垂直に電磁信号を含んで伝えるための無線周波数相互接続に関して、そのような技術の側面と例を説明し、例示する。ここで説明する技術は、さまざまな電磁コンポーネント、コネクタ、回路、アセンブリ、及びシステムを形成するために使用できる。

多層プリント基板が、デジタル回路とRF回路を１つのアセンブリにできるように構成できる。この構造により、プリント基板全体のサイズが小さくなる。多層プリント基板は、低誘電率、低損失シート接着剤、又はボンディングフィルムを使用して結合できる。一例では、ボンドフィルムは、マイクロ波ストリップラインパッケージ及び他の多層回路に適した低誘電率PTFE （テフロン（登録商標）フルオロカーボンポリマー） を有する熱可塑性クロロフルオロポリマーを含むことができる。別の例では、ボンドフィルムは、回路基板を重いクラッド金属バックプレーン、ヒートシンク及びRFモジュールハウジングに結合するために使用される、熱硬化性のエポキシベースの銀充填接着フィルムを含むことができる。さらに別の例では、ボンドフィルムは、特に高性能、高信頼性多層構造に適した非強化炭化水素ベースの薄膜接着剤を含むことができる。ボンドフィルムは、他の構造的及び電気的コンポーネントを誘電体に結合するためにも使用できる。ボンドフィルム材料は、多くの回路製造場所で知られた積層プロセスで使用できる。一実施形態では、ボンドフィルムは、内径コアの標準３において、厚さ0.0015インチ （in） （0.381ミリメートル （mm） ）、連続的な12インチ （305 mm）幅のロールで利用可能である。その他のボンディングフィルム材料がさらに提供されることもある。

本開示は、マイクロ波PWB用にAdvanced Manufacturing Technology （AMT） によって製造されたプリント基板 （PCB） の内部にはんだバンプ相互接続を形成するための製造方法に関する。AMT銅線は、従来のPCBで使用されていた電気めっきビアを置き換えるために提供されている。このプロセスでは、PCBの上部から内部層のパッドまで穴を開けたり、あらかじめカットされたスロット／ホールパターンで個々の層を積み重ねてからラミネートしたりする。パッドはあらかじめはんだ付けされている（はんだバンプ形成）。ドリルビットは、はんだの「バンプ」（「スポット面」とも呼ばれる）の上部を取り除き、はんだバンプ上にボンドフィルム樹脂が残らないようにし、さらに電気／機械／RF性能に影響を与えないようにします。基板にワイヤを挿入し、穴／チャネルの底部にあるはんだバンプをリフローしながら、導電性ワイヤ自体を通して熱を加える。

ここに開示された方法以前には、特にレーザーが効果的ではない、「深い」穴、例えば300ミルの深さに対して、PCBの事前にドリル加工された穴から迅速かつ安価にボンドフィルムをクリアするように設計された製造方法はなかった。本開示の方法の実施例は、良好な機械的、電気的及びRF性能を備えた強力でコンプライアンスの高いz軸ワイヤ相互接続を可能にするために、z軸相互接続を構築するように構成される。スポット対面（Spot-facing）は、ボードの上部から挿入されたワイヤを受け入れてリフローできる独特の形状のはんだバンプを作成する。この形状は、線材へのはんだの濡れを容易にし、穴に保持されるはんだの正しい量を制御する役割を果たす。

一実施形態では、スポット対面操作（spot-facing operation）が、絶縁樹脂で覆われている可能性のあるはんだバンプの上部を除去し、それによって導体を露出させることを含む。穴の底にあるはんだバンプの形状は、正しいはんだ量と適切な濡れとはんだ付けを容易にする。この操作を加算製造ソリューションに統合して、導電性銅線を3 Dプリント部品に埋め込む機能を追加できるが、この概念は加算（製造）市場では利用できない。

一実施例では、スポット対面操作はドリルビットを使用して、ブラインドホールの対象となる銅層を除去することなく、PCB内にブラインドホールを作成する。このブラインドホールは、非常に厳密に許容された機能や、異なる種類のレーザー出力を使用する必要性に依存しないシステムを使用して作成される。さらに、レーザーでは不可能な深さ300ミル以上の穴に界面を作ることもできる。このスポット対面操作により、ターゲットの銅層を除去することなく、基板の深さ300ミルまでブラインド相互接続フィーチャーを作成できる。

１つの実施例では、はんだバンプを作成するために使用されるはんだは、ボンドフィルムのラミネーション操作中のリフローを避けるために十分に高いリフロー温度を持つ。バンプの形状は、ドリルビット又は他の加工器具のポストラミネーションによってはんだバンプに到達できるようにする必要がある。ドリリング作業が完了した後のはんだバンプの形状により、銅線がはんだと接触し、界面をリフローするのに十分な熱を伝達できるようになる。

図１は、頂部表面12を有する回路基板の第１誘電体層10を示している。図に示すように、導電性トレース14が第１誘電体層10の頂部表面12に適用される。代表的な誘電体材料には、ガラス強化エポキシ積層材料、例えばFR-4が含まれる。その他の材料が提供されることもある。知られているように、プリント配線板（PWB）とも呼ばれるPCBは、シートに銅の層を適用した誘電体材料の平坦なシートを含む。銅層は、化学エッチング又はその他の適切なプロセスによってパッドを含む導電性の線とトレースに形成される。複数のラミネートシートを有する複数の層を含むようにPCBを構成することができ、ラミネートシート間にボンドフィルムを設けて、硬化時にラミネートシート同士を固定する。

図２は、導電性トレース14上に適用されたはんだバンプ18を含む第１誘電体層10を示している。はんだバンプ18は、鉛ベースはんだ又は鉛フリーはんだなど、任意のタイプのはんだにすることができる。はんだバンプ18はスルーホール部品を固定するために設けることができ、これは銅線によって基板を貫通して基板の反対側のトレースにはんだ付けされる。キャパシタやコネクタなどの一部の大型部品には、スルーホール実装が使用される場合がある。

図３は、第１誘電体層10に適用される第２誘電体層20を示しており、層の結合を容易にするために第１誘電体層と第２誘電体層との間にボンドフィルム16が配置されている。第２の誘電体層20は、第１の誘電体層に第２の誘電体層を適用するときに、第１の誘電体層10の頂部表面12に面する底部表面22を含む。一実施例では、第２の誘電体層20は、第１の誘電体層10と同じ材料から製造することができ、図には示されていないが、第２の誘電体層の上方表面に導電性トレースとボンドフィルムを含むことができる。ただし、第２の誘電体層20は、第１の誘電体層10とは異なる材料から製造することもできる。図に示すように、第２の誘電体層20にはスルーホール24が形成されており、スルーホールは、第２の誘電体層が第１の誘電体層に適用されるときにはんだバンプ28へのアクセスを提供する。一実施例では、スルーホール24は、第２の誘電体層20をドリルで貫通することによって作成される。

図４は、第１及び第２の誘電体層10、20が互いに結合している様子を示している。２つの誘電体層が示されているが、追加の誘電体層を提供して複数の層を作成することもできる。一旦積層されると、誘電体層10、20は所定の圧力及び温度下で硬化し、一様均一な厚さを持つ一体の最終製品を形成する。一旦接着されると、ボンドフィルム16が流れることがあり、その結果、ボンドフィルム樹脂26がはんだバンプ18を覆う結果になる。図に示すように、ボンドフィルム樹脂26ははんだバンプ18を覆い、第１誘電体層10と第２誘電体層20との間にできた空間に移動して入り込む。上述のように、このボンドフィルム樹脂26の移動は、導電性トレース14とはんだバンプ18を覆ってリフロー時に接合部に悪影響を与える可能性があるため、望ましくない。

図５は、はんだバンプ18の表面28からのボンドフィルム樹脂26の除去を示している。図に示すように、ドリルビット30、又は回転カッターなどの他の器具を使用して、スルーホール及びはんだバンプ18の表面28からボンドフィルム樹脂26を除去する。例えば、ドリルビットを有するドリルを使用して、はんだバンプ18の頂部表面28及びスルーホール24を形成する壁から余分なボンドフィルム樹脂26を除去することができる。別の例では、より正式なプロセスを採用することができる。一実施例では、はんだバンプ18とスルーホール24を形成する壁から余分なボンドフィルム樹脂26を除去するためにミリング加工（milling operation）を使用することができる。ミリング加工では、回転カッターを使用して不要物の除去を行うことができる。余剰ボンドフィルム樹脂26の除去は、手動又は自動プロセスで行うことができる。

はんだバンプ18の表面28から余分な不要なボンドフィルム樹脂26を除去することに加えて、このプロセスでは、はんだバンプから所望量のはんだを除去して、はんだの量又は体積を正確に制御したはんだバンプを作成することもできる。このプロセスは、銅線又はその他の電気部品をはんだバンプにはんだ付けするために、はんだバンプ18上にクリーンな頂部表面28を提示するためにも使用できる。オプションのプロセスステップでは、銅線とはんだパッドとの接続を改善するために、スプレーなどにより銀ナノ粒子ペーストを適用することができる。このペーストは図面には示されていないが、はんだバンプ18の頂部表面28に非常に薄い銀ナノ粒子の層を構成している。

図６は、はんだバンプ18上の銅線32の接合、例えばリフロー又ははんだ付けを示している。図に示すように、銅線32の端部がスルーホール24内へと挿入され、はんだバンプ18のクリーンな頂部表面28まで延在する。銅線32の代わりに他の導電性材料、例えば銅合金を使用してもよい。銅線32の代わりに他の電気部品を使用することもできる。銅線32の端部は、はんだバンプ18の頂部表面28に接触し、熱にさらされて、銅線を導電性トレース14に機械的及び電気的に固定し、はんだバンプからのはんだが電気的及び機械的な接続を創設する。一つの技術は、組み立てられたパッケージをリフロープロセスにかけて、はんだバンプ18をリフローさせ、銅線32を導電性トレース14に取り付けることである。

図７Ａ及び７Ｂは、スポット対面操作（spot-facing operation）を受けるフラットワイヤ銅垂直送出（CVL）の断面図を示す。図に示すように、銅線70は銅トレース74上に配置されたはんだパッド72に固着される。はんだパッド72から残留ボンドフィルム樹脂76を除去し、必要な高さと量に加工する。一方、図に示すように、はんだ材料と誘電体材料78との間には、残留ボンドフィルム樹脂76が残っており、残留ボンドフィルム樹脂76中を銅線70が伸び、残留ボンドフィルム樹脂76に接して導電性トレース74が配置されている。この残留ボンドフィルム樹脂76は、銅線70と銅導電性トレース74との間のはんだ接合の品質に影響を与えない。

このように、CVL又はz軸の相互接続スポット対面操作は、はんだバンプの頂部からボンドフィルムを成功裏に除去し、銅線が穴の底のはんだバンプをリフローできるようにする。境界面のベースのはんだバンプの高さが0.010インチ （10 mil） から0.015インチ （15 mil） の間にあるため、この操作はほとんどの場合、深さ+/- 0.001インチ （1 mil） までミル加工できるミリング機械（milling machine）を使用して完了できる。

ここで説明する方法は、様々な形状とサイズを持つ回路設計に使用できることを認識すべきである。ここに記載されている方法は例示的なものであり、ここに記載及び示されている回路設計に限定されない。

このスポット対面操作では、ボンドフィルム樹脂をバンプの上部から正常にクリアするために、銅のトレース上に約５ミルまでマシンをミルダウンするように設定する必要がある。はんだバンプの高さの要求を減少させる必要がある場合には、CO₂レーザーを利用して、穴の底のはんだバンプを乱すことなくボンドフィルム樹脂を除去することができるであろう。CVLのスポット対面操作（spot-facing operation）は再現可能な結果を生み出し、テストデバイスの製造歩留まりを大幅に向上させた。

いくつかの実施例では、結果として得られる回路基板構造は、電磁回路を提供することができる構造の例及び部分にすぎない。示されている基板のさらなる範囲は、様々な回路構成要素を収容することができ、追加の回路構成要素を収容するための追加の層を持つ追加の基板が様々な実施形態で提供されてもよい。通常、回路の一部は特定の層に配置され、その上及び／又は下に接地面を含むことがあり、回路全体（又はシステム）の他の部分が、同じ層の異なる領域又は他の層に存在することがある。

いくつかの実施形態では、ここに開示された方法を使用して、あらゆるタイプの特徴からボンドフィルム樹脂を除去することができる。

ここで説明するプロセスの実施例は、以下の説明に記載されている構成要素の詳細及び配置、又は添付図面に示されているものに限定されないことを理解しておく必要がある。これらのプロセスは、他の実施形態で実装することができ、また、様々な方法で実行することができる。具体的な実装の例は、説明のためにのみここに提供されており、制限することを意図していない。また、ここで使用されている用語及び用語は、例示のためのものであり、限定的なものとみなすべきではない。本書面における「含む」、「有する」、「持つ」、「含有する」、「包含する」、及びそれらの派生語の使用は、その後に列挙された項目及びそれに相当するもの、並びに追加項目を含むことを意味する。「又は」への言及は、「又は」を使用して記述された用語が、記述された用語のうちいずれか１つ、複数及びすべてを示すことができるように、包括的なものとして解釈することができる。前後、左右、頂部底部、上方下方、端、側面、垂直及び水平などへの言及は、記述の便宜を目的としたものであり、現在のシステム及びプロセス又はそのコンポーネントを、任意の１つの位置的又は空間的方向に限定するものではない。

本書面で使用される「無線周波数」という用語は、文脈によって明示的かつ／又は具体的に示されない限り、特定の周波数、周波数の範囲、帯域、スペクトルなどに限定されることを意図していない。同様に、「無線周波数信号」と「電磁信号」という用語は置換可能に使用され、任意の特定の実装の情報伝達信号の伝播に適したさまざまな周波数の信号を指す場合がある。このような無線周波数信号は、一般的に、低い方の端ではキロヘルツ（kHz）の範囲の周波数に境界付けられ、高い方の端では最大数百ギガヘルツ（GHz）の周波数に境界付けられ、マイクロ波又はミリ波の範囲の信号を明示的に含むことができる。一般に、ここに記載されているものに従ったプロセスは、光学の分野で従来扱われているよりも低い周波数、例えば赤外線信号よりも低い周波数での非電離放射線を扱うのに適しているかもしれない。

無線周波数回路の様々な実施形態は、様々な周波数で動作するように選択された寸法及び／又は名目上製造された寸法で設計することができる。適切な寸法の選択は、一般的な電磁原理から可能であり、ここでは詳細には示されていない。

このように、少なくとも１つの実施形態のいくつかの側面について説明してきたので、当業者には様々な変更、修正及び改善が容易に生じることが理解されるべきである。このような変更、修正及び改善は、本開示の一部であることが意図されており、本開示の範囲内にあることが意図されている。したがって、上記の説明及び図面は例示の目的のみである。

Claims (20)

1. 電磁回路を製造する方法であって：
   少なくとも１つの導電性トレースを有する頂部表面を含む第１誘電体材料シートを提供するステップ；
   前記少なくとも１つの導電性トレース上にはんだバンプを堆積させるステップ；
   前記第１誘電体材料シートにボンドフィルムを挟んで第２誘電体材料シートを適用するステップであり、前記第２誘電体材料シートは、前記はんだバンプへのアクセスを提供するスルーホールを有するステップ；
   前記第１誘電体材料シート及び前記第２誘電体材料シートを互いに結合するステップ；及び
   前記はんだバンプからボンドフィルム樹脂を除去するステップ；
   を含む方法。
2. 前記のボンドフィルム樹脂を除去するステップは、前記ボンドフィルム樹脂を除去するためのドリリング又はミリングプロセスを含む、請求項1に記載の方法。
3. 前記ボンドフィルム樹脂を除去するためのドリリング又はミリングプロセスは、手動手順又は自動手順とすることができる、請求項２に記載の方法。
4. 前記はんだバンプ内に所望量のはんだを達成するために、ドリリング又はミリングプロセスにより前記はんだバンプを加工するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記はんだバンプに銅線を固定して、前記銅線により取り付けられるスルーホール部品を固定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
6. はんだ付け又はリフロープロセスによって、前記銅線が前記はんだバンプに固定される、請求項５に記載の方法。
7. 前記はんだバンプが鉛ベース又は鉛フリーはんだを含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記スルーホールは、前記第２誘電体材料シートをドリリングするステップによって作成される、請求項１に記載の方法。
9. 前記第１誘電体材料シート及び前記第２誘電体材料シートを互いに結合するステップは、所定の圧力及び温度下で前記第１誘電体材料シート及び前記第２誘電体材料シートを硬化させ、一体的最終製品を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
10. 銀ナノ粒子ペーストを前記はんだバンプに適用するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
11. 電磁回路を製造する方法であって：
    少なくとも１つの導電性トレースを有する頂部表面を含む第１誘電体材料シートを提供するステップ；
    前記少なくとも１つの導電性トレース上にはんだバンプを堆積させるステップ；
    前記第１誘電体材料シートに第２誘電体材料シートを適用するステップであり、前記第２誘電体材料シートは、前記はんだバンプへのアクセスを提供するスルーホールを有するステップ；
    前記第１誘電体材料シート及び前記第２誘電体材料シートを互いに結合するステップ；及び
    前記はんだバンプ内に所望量のはんだを達成するために、前記はんだバンプを加工するステップ；
    を含む方法。
12. 前記はんだバンプを加工するステップは、前記はんだバンプの一部を除去するためにドリリング又はミリングプロセスを使用するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記はんだバンプを加工するステップは、手動手順又は自動手順とすることができる、請求項１２に記載の方法。
14. 前記はんだバンプからボンドフィルム樹脂を除去するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
15. 前記はんだバンプに銅線を固定して、前記銅線により取り付けられるスルーホール部品を固定するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
16. はんだ付け又はリフロープロセスによって、前記銅線が前記はんだバンプに固定される、請求項１５に記載の方法。
17. 前記はんだバンプが鉛ベース又は鉛フリーはんだを含む、請求項１１に記載の方法。
18. 前記スルーホールは、前記第２誘電体材料シートをドリリングするステップによって作成される、請求項１１に記載の方法。
19. 前記第１誘電体材料シート及び前記第２誘電体材料シートを互いに結合するステップは、所定の圧力及び温度下で前記第１誘電体材料シート及び前記第２誘電体材料シートを硬化させ、一体的最終製品を形成するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
20. 銀ナノ粒子ペーストを前記はんだバンプに適用するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
    

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