JP2023515754A

JP2023515754A - 誘電体スパッタリング中の加工物の欠陥を低減するためのプラズマチャンバターゲット

Info

Publication number: JP2023515754A
Application number: JP2022542484A
Authority: JP
Inventors: シャオドンワン; ジアンシンレイ; ロンジュンワン
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2020-07-01
Filing date: 2021-06-03
Publication date: 2023-04-14
Also published as: WO2022005686A1; CN115244210A; KR20220116250A; TW202229591A; US20220005679A1; US11227751B1

Abstract

誘電体スパッタリング中の加工物の欠陥を低減するための、プラズマチャンバターゲットに関する方法および装置が提示される。たとえば、誘電体スパッタ堆積ターゲットは、約６５μｍ～５００μｍの範囲の所定の平均粒径を有する誘電体化合物を含むことができ、この誘電体化合物は、酸化マグネシウムまたは酸化アルミニウムの少なくとも一方である。

Description

本開示の実施形態は一般に、半導体製造システムに使用される基板処理チャンバに関する。

物理的気相堆積（ＰＶＤ）としても知られるスパッタリングとは、集積回路に特徴を形成する方法のことであり、一般には処理チャンバ内で実施される。スパッタリングでは、誘電体材料などの材料層を加工物（たとえば、基板／基板）上に堆積させる。ターゲットなどのソース材料に、電界によって強く加速されたイオンが打ち込まれる。イオン打ち込みによりターゲットから材料が放出され、その材料が基板（たとえば、加工物）上に集まる、すなわち堆積する。堆積中、放出された粒子はまた、処理チャンバのシールドまたは他の内面などの、他の面に堆積する可能性もある。

シールドの不要なコーティングは、処理されている基板に欠陥を生じさせたり、後続の基板処理の際に欠陥の原因になったりするおそれがある。欠陥は、たとえば、不要な堆積がシールド上に起こり、その不要な堆積に電荷が蓄積してアーク放電が生じたり、シールドに集まっている誘電体材料が剥離したりする場合に、発生する可能性がある。

したがって、本発明者らは、誘電体スパッタリング中の欠陥を低減するための改善されたターゲットの実施形態を提供した。

誘電体スパッタリング中の加工物の欠陥を低減するための、プラズマチャンバターゲットに関する方法および装置が本明細書で提示される。たとえば、いくつかの実施形態において、装置が誘電体スパッタ堆積ターゲットを含むことができ、このターゲットは、約６５μｍ～５００μｍの範囲の所定の平均粒径を有する誘電体化合物を含むことができ、この誘電体化合物は、酸化マグネシウムまたは酸化アルミニウムの少なくとも一方である。

少なくともいくつかの実施形態において、処理チャンバは、内部容積部を画定するチャンバ本体と、内部容積部内で基板を支持する基板支持体と、少なくとも１つの誘電体ターゲットおよび少なくとも１つの金属ターゲットを含む、基板の上にスパッタリングされるべき複数のターゲットとを含み、誘電体ターゲットは、約６５μｍ～５００μｍの範囲の所定の平均粒径を有する誘電体化合物を含む。

少なくともいくつかの実施形態において、処理チャンバ内で物理的気相堆積を実施する方法は、処理チャンバ内で第１のターゲットを選択し、この第１のターゲットを介して加工物上に、約６５μｍ～５００μｍの範囲の所定の平均粒径を有する誘電体化合物を堆積するステップと、処理チャンバ内で第２のターゲットを選択し、第２のターゲットを介して加工物上の誘電体化合物の上に金属を堆積するステップとを含むことができる。

本開示の他の、さらなる実施形態については以下で説明する。

上に簡潔に要約され、以下でより詳細に論じられる本開示の諸実施形態は、添付の図面に描かれた本開示の説明的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定するものとは、本開示が他の同様に効果的な諸実施形態を認め得るので、考えられるべきではない。

本明細書に記載の例示的な実施形態による複数カソード処理チャンバの概略図である。本明細書に記載の例示的な実施形態による図１のチャンバの空間構成を示す図である。特定の粒径を有するターゲットの拡大画像である。本明細書に記載の例示的な実施形態による粒径を有するターゲットの拡大画像である。本明細書に記載の例示的な実施形態による、加工物上の欠陥を低減する方法のフロー図である。

理解しやすいように、可能な場合には、各図に共通の同じ要素を指定するのに同じ参照番号を使用している。図は原寸に比例していなく、分かりやすくするために簡略化されていることがある。１つの実施形態の要素および特徴は、別に詳述されていなくても他の実施形態に有利に組み込むことができる。

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）には、メモリデバイスの一部としてバリア層が構築される必要がある。バリア層は、適正に動作するには純度が高く、かつ欠陥の数が少なくなければならない。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および／または酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）の一方が、バリア層として利用できる誘電体材料である。しかし、ＭｇＯを基板表面に堆積させるためにＲＦ電力を使用すると、欠陥性能が本質的に悪くなる。

ＭＲＡＭを製造するときの加工物（たとえば、基板）の欠陥を低減するための、所定の平均粒径を有する誘電体化合物を含むスパッタ堆積ターゲットの実施形態が本明細書で提示される。本明細書では、粒径とは化合物のターゲット全体での平均粒径のことであり、粒径自体は分布範囲が広い。いくつかの実施形態では、各粒子は所定の粒径の２０％以内にあるが、他の実施形態では、各粒子は平均粒径（たとえば、所定の粒径）の３０％以内にある。いくつかの実施形態によれば、ターゲット中の粒子の少なくとも８０％、または他の実施形態では少なくとも９０％が、好ましい粒径の２０％または３０％以内の粒径を有する。好ましい粒径は、純粋な単結晶でも範囲が、約２０μｍ、４０μｍ、および５０μｍ～５００μｍにまで及ぶ。別の実施形態では、ターゲット中の少なくとも８０％の粒が少なくとも２０μｍの粒径を有する。

処理チャンバ内で基板（たとえば、基板）上に誘電体膜の物理的気相堆積を行う間、シールドが加工物よりもターゲットに近いために、処理チャンバ内のシールド上にも誘電体粉末が生じる可能性がある。その後、処理チャンバにＲＦ電力が印加されると、シールド上の高濃度の正イオン、たとえばシース電圧に起因して、アーク放電がシールドと基板の間で発生する可能性がある。言い換えると、誘電体膜がシールド上に積もり、この誘電体膜は導電性ではないために、電荷がシールド上に蓄積する。このシールド上の電荷は容易には消散せず、アーク放電の原因になる。さらに、後続の複数の基板が処理チャンバ内で処理された後では、より多くの誘電体膜がシールド上に蓄積する可能性があり、膜とシールドの付着性が悪いことにより、膜が剥がれ落ちたり剥離したりして基板上に堆積するおそれがある。本発明者らは、ターゲット粒径、およびターゲットとシールドの構成を修正すると、加工物の欠陥が、アーク放電を防止することによって、およびシールドからの誘電体膜の剥離を防止することによって低減したことを発見した。

本発明者らは、誘電体化合物（たとえば、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃）を含むターゲットが処理チャンバ内で使用された場合に、加工物上の欠陥の大部分は誘電体粒子欠陥であることを観察している。たとえば、本発明者らは、金属ターゲット（たとえば、タンタル）をシールド付き処理チャンバ内に露出した場合に、Ｔａ欠陥の数はわずかであることを観察している。しかし、誘電体ターゲットをチャンバ内で露出したときには、かなりの数の欠陥が誘電体粒子の形で加工物の上で見つかった。欠陥の原因は、エネルギー分散Ｘ線分光法（ＥＤＸ）などの実験によって検証されたが、他の方法を用いることもできる。シールドは不変のままであり、したがって、欠陥は誘電体ターゲットに由来すると確認された。

いくつかの実施形態において、複数カソードＰＶＤチャンバ（たとえば、処理チャンバ１００）は、対応する複数のターゲット（少なくとも１つの誘電体ターゲット１１０および少なくとも１つの金属ターゲット１１２）、（たとえば、３ＲＦ×３ＤＣの交互構成の形の６つのカソード）が、内部容積部を画定するチャンバ本体１４０に（たとえば、上部アダプタアセンブリ１４２を介して）取り付けられている、複数のカソード１０６を含む。他の、１：１、２：２、４：４、５：５などのＲＦ／ＤＣカソード構成もまた使用することができる。数字は、ＲＦ給電カソードとＤＣ給電カソードの比率を示す。いくつかの実施形態では、ＲＦカソードとＤＣカソードは、上部アダプタアセンブリ１４２において交互になっている。他の実施形態では、ＲＦカソードが他のＲＦカソードに隣接することができ、ＤＣカソードについても同様である。さらに他の実施形態では、ＲＦカソードとＤＣカソードの比率は、１：２、２：１、１：３、３：１、２：３などの不等比率とすることができる。複数のＲＦカソードが使用される場合、堆積プロセス中のいかなる干渉も低減するように動作周波数をオフセットすることができる。たとえば、３ＲＦカソード実施形態では、第１のＲＦカソードは１３．５６ＭＨｚの周波数で動作することができ、第２のＲＦカソードは１３．６６ＭＨｚ（＋１００ｋＨｚ）の周波数で動作し、第３のＲＦカソードは１３．４６ＭＨｚ（－１００ｋＨｚ）の周波数で動作する。オフセットは、所与の数のカソードについてのクロストーク防止に基づいて選ぶことができる。

ＲＦカソードが通常、基板に誘電体膜を堆積するための誘電体ターゲット１１０と共に使用される。ＤＣカソードが通常、基板に誘電体膜を堆積した後の貼り付けのための金属ターゲット１１２と共に使用される。この貼り付けにより、堆積膜中の粒子形成および欠陥の可能性が低減する。ＲＦカソードおよびＤＣカソードが付いている処理チャンバがあると、貼り付けと誘電体堆積を１つのチャンバ内で行うことができるので、基板を速く生産することが可能になる。加えて、同じタイプの複数のカソードがあると、貼り付け速度および堆積速度を大きくすることが可能になる。堆積速度が大きいことは、ある特定の膜厚を得るために基板がチャンバ内にとどまる時間が短くなることを意味する。チャンバ内の時間の短縮すなわち滞留時間短縮により、基板の欠陥が少なくなる。

いくつかの実施形態において、金属ターゲット１１２は、たとえば、タンタル、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、および／またはマグネシウムなどの金属で形成することができる。誘電体ターゲット１１０は、たとえば、酸化チタン、酸化チタンマグネシウム、および／または酸化タンタルマグネシウムなどの金属酸化物から形成することができる。しかし、他の金属および／または金属酸化物を代わりに使用することもできる。

誘電体ターゲット１１０は、所定の粒径を有する誘電体化合物を含み、粒子は、誘電体ターゲット１１０全体で概して均一であり、大きさのばらつきが、たとえば２０～３０％と少ない。所定の粒径は、様々な実施形態で異なる。いくつかの実施形態では、粒径は、約２０μｍ～５００μｍの範囲から選択される。いくつかの実施形態では、ターゲット中の粒子の少なくとも８０％が、またはいくつかの実施形態では少なくとも９０％が、好ましい粒径（たとえば、２０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、および最大約５００μｍ、さらにはそれ以上）と等しい粒径を有する。

図３は、粒径が８μｍの例示的なターゲットを示し、基板は、粒径が４０ｎｍを超える２１８個の欠陥を含む。しかし、図４に示すように、ターゲットの粒径を約３０μｍまで大きくすると、粒子（欠陥）の数は、たとえば９６個に減少する。いくつかの実施形態においては、粒径は約４０μｍに増大され、この場合、欠陥は粒子数で約５０～６０個と推定され、２１８個の欠陥からは大幅な削減である。他の実施形態では、粒径が約８０μｍ、１２０μｍ、４００μｍ、５００μｍ、さらにはそれ以上のターゲットがある。これらの実施形態で企図される粒径のすべてについての個々の結果は示されていないが、図３および図４は、たとえば誘電体ターゲット１１０のターゲット粒径を小さくすることによって得られる、基板上の粒子欠陥の低減を例示している。本明細書に記載のいくつかの実施形態は、上に示された粒径を対象としているが、約２０μｍ以上の他の粒径もまた、基板上の欠陥の数を減らすために用いることができる。

粒子欠陥の数は、粒径が８μｍ～少なくとも２０μｍまで増加すると著しく減少する。その理由は、粒径が大きいと体積に対する表面積の比率が著しく増加し、小さい粒では体積に対する表面積の比率がより大きいからである。粒径が大きくなると、図４から分かるように、粒子境界領域が減少する。粒径が大きいので、粒子境界領域が小さくなり、生じる欠陥が少なくなる。他の実施形態では、誘電体ターゲット１１０の仕上げが修正される。たとえば、ターゲットは、表面粗さが、約６μｍの表面粗さから、ミラー仕上げ（表面粗さがほとんどない）の研磨面までの範囲にある、スパッタリング面を有することができる。本発明者らは、達成されるのがミラー仕上げに近いほど、加工物上で検出される粒子が少なくなることを発見した。いくつかの実施形態では、誘電体ターゲット１１０は、加工物の欠陥を減らすために、密度が、純粋な単結晶ＭｇＯの少なくとも９９．７％であり、またはいくつかの例では、純粋な単結晶ＭｇＯの少なくとも９９．９８％である。本明細書では、ターゲット密度とは、理論的に得ることができる理論上の純粋な単結晶密度に占めるターゲットの比率を指す。

処理チャンバ１００はまた、基板１３２を支持するための基板支持体１３０を含む。処理チャンバ１００は、開口（図示せず）（たとえば、スリットバルブ）を含み、この開口を貫通してエンドエフェクタ（図示せず）が延びて、基板支持体１３０の支持面１３１上に基板１３２を下ろすためのリフトピン（図示せず）の上に、基板１３２を配置することができる。図１に示す実施形態では、誘電体ターゲット１１０および金属ターゲット１１２は、支持面１３１に対して実質的に平行に配置されている。基板支持体１３０は、基板支持体１３０に配置されたバイアス電極１３８に整合ネットワーク１３４を介して結合されている、バイアス源１３６を含む。上部アダプタアセンブリ１４２は、処理チャンバ１００のチャンバ本体１４０の上部に結合され、接地される。各カソード１０６は、ＤＣ電源１０８またはＲＦ電源１０２、および連結されたマグネトロンを有することができる。ＲＦ電源１０２の場合、ＲＦ電源１０２は、ＲＦ整合ネットワーク１０４を介してカソード１０６に結合される。

シールド１２１は、上部アダプタアセンブリ１４２に回転可能に結合され、各カソード１０６に共有される。いくつかの実施形態において、シールド１２１は、シールド本体１２２およびシールド上部１２０を含む。他の実施形態では、シールド１２１は、シールド本体１２２とシールド上部１２０の両方が単一部品に一体化されている態様を有する。さらに他の実施形態では、シールド１２１は、２つより多い部品とすることができる。同時にスパッタリングする必要があるターゲットの数に応じて、シールド１２１は、対応する１つまたは複数のターゲットを露出するための１つまたは複数の孔を有することができる。シールド１２１は、有利には、誘電体ターゲット１１０および金属ターゲット１１２を含む複数のターゲット間の相互汚染を制限または除去する。シールド１２１は、シャフト１２３を介して上部アダプタアセンブリ１４２に回転可能に結合される。シャフト１２３は、カプラ１１９を介してシールド１２１に取り付けられる。加えて、シールド１２１は回転可能であるため、通常は貼り付けを受けないシールド１２１の領域が、その領域が貼り付けできるように移動し、それにより積層堆積の剥がれおよび粒子形成が大幅に低減する。処理チャンバ１００はまた、スパッタリングされるべきではない複数のターゲットのうちの少なくとも別の１つを収容および遮蔽するための、シールド１２１の上面に配置された少なくとも１つのシャントを含むこともできる。

アクチュエータ１１６が、シールド１２１に対向して軸１２３に結合される。アクチュエータ１１６は、矢印１４４で示す通り、シールド１２１を回転させるように、また、矢印１４５で示す通り、シールド１２１を処理チャンバ１００の中心軸１４６に沿って垂直方向に上下に動かすように構成される。処理中、シールド１２１は、上方位置まで引き上げられる。シールド１２１の引き上げ位置では、処理中に使用されるターゲットが露出され、また、処理中に使用されないターゲットが遮蔽される。引き上げ位置ではまた、ＲＦ処理のためのシールドが接地される。

いくつかの実施形態において、処理チャンバ１００は、処理チャンバ１００の内部容積部１２５にプロセスガスを供給するためのプロセスガス供給部１２８をさらに含む。処理チャンバ１００はまた、プロセスガスを処理チャンバ１００から排気するために、内部容積部１２５に流体結合された排気ポンプ１２４を含むこともできる。いくつかの実施形態において、たとえばプロセスガス供給部１２８は、金属ターゲット１１２がスパッタリングされた後に、酸素を内部容積部１２５に供給することができる。

図２は、本明細書に記載の例示的な実施形態による図１の処理チャンバ１００の空間構成の図である。

いくつかの実施形態によれば、誘電体ターゲット１１０および金属ターゲット１１２は（他の任意のターゲットと共に）、シールド１２１の縁部から離して、通常ではシールド１２１の縁部から約０．５インチ～２．０インチ離して配置される。ターゲットがシールドの縁部に配置されると、そこで堆積される膜は、他の領域よりも応力がかかる傾向があり、粒子が剥がれ落ち加工物上に堆積する原因になる。ターゲットがシールド１２１の中心の方に配置されると、狭い領域に膜が集中することが少ないので、膜にかかる応力が大幅に減少して、加工物上の剥落および粒子欠陥堆積が減少することになる。

図５は、本明細書に記載の例示的な実施形態による、基板上に膜を堆積する方法５００のフロー図を示す。

方法５００は、５０２で開始し５０４へ進む。５０４で、第１のターゲットを処理チャンバ１００内で選択し、第１の誘電体ターゲットを介して誘電体化合物（たとえば、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃）を加工物（たとえば、半導体基板）上に堆積させる。たとえば、少なくともいくつかの実施形態において、誘電体化合物は、約２インチ～約６インチの直径を有する単結晶ターゲットとすることができる。所定の粒径は、様々な実施形態で異なる。たとえば、いくつかの実施形態では、所定の粒径は、約２０μｍ～５００μｍの範囲から選択される。いくつかの実施形態では、所定の粒径は、約６５μｍ～約５００μｍとすることができる。いくつかの実施形態では、ターゲット中の粒子の少なくとも８０％が、またはいくつかの実施形態では少なくとも９０％が、好ましい粒径（たとえば、２０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、４００μｍ、５００μｍ、さらにはそれ以上）に等しい粒径を有する。

次に５０６で、第２のターゲットを処理チャンバ１００内で選択し、第２のターゲットを介して第２の金属を加工物上の誘電体材料の上に堆積させる。第２のターゲットは一般に金属ターゲットであり、その金属は、たとえばタンタルとすることができる。

その後、処理チャンバ１００は、次の、または後続の加工物の準備をし、方法５００は５０８で終了する。

上記は本開示の諸実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができる。

図３は、粒径が８μｍの例示的なターゲットを示し、基板は、粒径が４０ｎｍを超える２１８個の欠陥を含む。しかし、図４に示すように、ターゲットの粒径を約３０μｍまで大きくすると、粒子（欠陥）の数は、たとえば９６個に減少する。いくつかの実施形態においては、粒径は約４０μｍに増大され、この場合、欠陥は粒子数で約５０～６０個と推定され、２１８個の欠陥からは大幅な削減である。他の実施形態では、粒径が約８０μｍ、１２０μｍ、４００μｍ、５００μｍ、さらにはそれ以上のターゲットがある。これらの実施形態で企図される粒径のすべてについての個々の結果は示されていないが、図３および図４は、たとえば誘電体ターゲット１１０のターゲット粒径を大きくすることによって得られる、基板上の粒子欠陥の低減を例示している。本明細書に記載のいくつかの実施形態は、上に示された粒径を対象としているが、約２０μｍ以上の他の粒径もまた、基板上の欠陥の数を減らすために用いることができる。

粒子欠陥の数は、粒径が８μｍ～少なくとも２０μｍまで増加すると著しく減少する。その理由は、粒径が大きいと体積に対する表面積の比率が著しく減少し、小さい粒では体積に対する表面積の比率がより大きいからである。粒径が大きくなると、図４から分かるように、粒子境界領域が減少する。粒径が大きいので、粒子境界領域が小さくなり、生じる欠陥が少なくなる。他の実施形態では、誘電体ターゲット１１０の仕上げが修正される。たとえば、ターゲットは、表面粗さが、約６μｍの表面粗さから、ミラー仕上げ（表面粗さがほとんどない）の研磨面までの範囲にある、スパッタリング面を有することができる。本発明者らは、達成されるのがミラー仕上げに近いほど、加工物上で検出される粒子が少なくなることを発見した。いくつかの実施形態では、誘電体ターゲット１１０は、加工物の欠陥を減らすために、密度が、純粋な単結晶ＭｇＯの少なくとも９９．７％であり、またはいくつかの例では、純粋な単結晶ＭｇＯの少なくとも９９．９８％である。本明細書では、ターゲット密度とは、理論的に得ることができる理論上の純粋な単結晶密度に占めるターゲットの比率を指す。

Claims

約６５μｍ～５００μｍの範囲の所定の平均粒径を有する誘電体化合物から本質的に成る誘電体スパッタ堆積ターゲットであって、
前記誘電体化合物は、酸化マグネシウムまたは酸化アルミニウムの少なくとも一方である、誘電体スパッタ堆積ターゲット。
前記誘電体化合物の粒子の少なくとも８０％が、前記所定の平均粒径の２０％以内または前記所定の平均粒径の３０％以内の一方の大きさである、請求項１に記載の誘電体スパッタ堆積ターゲット。
前記誘電体化合物が単結晶である、請求項１に記載の誘電体スパッタ堆積ターゲット。
前記誘電体化合物が、約４００μｍの所定の平均粒径を有する酸化マグネシウムである、請求項１～３のいずれかに記載の誘電体スパッタ堆積ターゲット。
前記誘電体化合物は密度が少なくとも９９．７％である、請求項１に記載の誘電体スパッタ堆積ターゲット。
前記誘電体化合物は密度が少なくとも９９．９８％である、請求項１～３または５のいずれかに記載の誘電体スパッタ堆積ターゲット。
内部容積部を画定するチャンバ本体と、
前記内部容積部内で基板を支持する基板支持体と、
少なくとも１つの誘電体ターゲットおよび少なくとも１つの金属ターゲットを含む、前記基板の上にスパッタリングされるべき複数のターゲットとを備える処理チャンバであって、前記誘電体ターゲットが、約６５μｍ～５００μｍの範囲の所定の平均粒径を有する誘電体化合物を含む、処理チャンバ。
前記誘電体化合物が単結晶である、請求項７に記載の処理チャンバ。
前記誘電体化合物が、約４００μｍの所定の平均粒径を有する酸化マグネシウムである、請求項７に記載の処理チャンバ。
前記チャンバ本体に結合されているとともに前記複数のターゲットに対応する複数のカソードをさらに備える、請求項７に記載の処理チャンバ。
前記チャンバ本体に結合されているとともに、スパッタリングされるべき前記複数のターゲットのうちの少なくとも１つを露出させるための少なくとも１つの穴を有しているシールドをさらに備え、前記複数のターゲットが、前記シールドの縁部から少なくとも０．５インチ離して配置される、請求項７に記載の処理チャンバ。
前記シールドが前記チャンバ本体の上部に回転可能に結合される、請求項７～１１のいずれかに記載の処理チャンバ。
前記シールドがさらに、
スパッタリングされるべきではない前記複数のターゲットのうちの少なくとも別の１つを収容および遮蔽するための、前記シールドの上面に配置された少なくとも１つのシャントを備える、請求項７に記載の処理チャンバ。
前記シールドが、前記処理チャンバの中心軸のまわりに回転するように、かつ中心軸に沿って直線的に移動するように構成される、請求項７～１１または１３のいずれかに記載の処理チャンバ。
処理チャンバ内で物理的気相堆積を実施する方法であって、
前記処理チャンバ内で第１のターゲットを選択し、前記第１のターゲットを介して加工物上に、約６５μｍ～５００μｍの範囲の所定の平均粒径を有する誘電体化合物を堆積させるステップと、
前記処理チャンバ内で第２のターゲットを選択し、前記第２のターゲットを介して前記加工物上の前記誘電体化合物の上に金属を堆積するステップとを含む、方法。
前記第１のターゲットが誘電体ターゲットであり、前記第２のターゲットが金属ターゲットである、請求項１５に記載の方法。
前記誘電体化合物が、約４００μｍの所定の平均粒径を有する単結晶酸化マグネシウムである、請求項１５または１６のいずれかに記載の方法。
前記金属がタンタルである、請求項１５のいずれかに記載の方法。
前記第１のターゲットが前記処理チャンバのシールドの縁部から約０．５インチ～２．０インチ離して配置される、請求項１５に記載の方法。
前記第１のターゲットがミラー仕上げされている、請求項１５、１６、１８、または１９のいずれかに記載の方法。