JP2023514632A - テスト回路、テスト装置及びそのテスト方法 - Google Patents
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Abstract
Description
テスト対象のパルス信号を受信し、且つ制御信号の制御によって処理信号を出力するための信号処理モジュールと、
前記信号処理モジュールの出力端子に接続され、前記処理信号を受信し、且つ前記処理信号に基づいてサンプリング信号を生成するためのサンプリングモジュールと、を備え、
前記サンプリング信号は第1サンプリングパルスと第2サンプリングパルスを含み、前記第1サンプリングパルスと前記第2サンプリングパルスがパルス幅の差を有し、前記パルス幅の差が前記パルス信号のパルス幅に等しい。
上記テスト回路と、
前記サンプリングモジュールに接続され、前記第1サンプリングパルス及び前記第2サンプリングパルスに基づいて前記パルス信号における前記パルスの幅を取得するための分析モジュールと、を備える。
テスト対象のパルス信号を受信することと、
制御信号の制御によって処理信号を出力することと、
前記処理信号に基づいて、第1サンプリングパルスと第2サンプリングパルスを含むサンプリング信号を生成することと、
前記第1サンプリングパルス及び前記第2サンプリングパルスに基づいて前記パルス信号における前記パルスの幅を取得することと、を含み、
前記第1サンプリングパルスと前記第2サンプリングパルスがパルス幅の差を有し、前記パルス幅の差が前記パルス信号のパルス幅に等しい。
テスト対象のパルス信号を受信するS100と、
制御信号の制御によって処理信号を出力するS200と、
前記処理信号に基づいて、第1サンプリングパルスと第2サンプリングパルスを含むサンプリング信号を生成するS300と、
前記第1サンプリングパルス及び前記第2サンプリングパルスに基づいて前記パルス信号における前記パルスの幅を取得するS400と、を含む。
Claims (13)
- テスト回路であって、
テスト対象のパルス信号を受信し、且つ制御信号の制御によって処理信号を出力するための信号処理モジュールと、
前記信号処理モジュールの出力端子に接続され、前記処理信号を受信し、且つ前記処理信号に基づいてサンプリング信号を生成するためのサンプリングモジュールと、を備え、
前記サンプリング信号は第1サンプリングパルスと第2サンプリングパルスを含み、前記第1サンプリングパルスと前記第2サンプリングパルスがパルス幅の差を有し、前記パルス幅の差が前記パルス信号のパルス幅に等しいことを特徴とするテスト回路。 - 前記サンプリングモジュールは、
第1一時記憶ユニットを備え、前記第1一時記憶ユニットのクロック駆動端子が前記信号処理モジュールに接続され、前記第1一時記憶ユニットが第1一時記憶信号を生成するように前記処理信号に応答してサンプリング対象信号をサンプリングするためのものであり、前記サンプリング信号のエッジが前記第1一時記憶信号のエッジに対応することを特徴とする請求項1に記載のテスト回路。 - 前記第1一時記憶ユニットは、フリップフロップ、ラッチ、レジスタのうちの1つ又は複数を備えることを特徴とする請求項2に記載のテスト回路。
- 前記サンプリングモジュールは更に、
第1インバータを備え、前記第1インバータが前記第1一時記憶ユニットとともにフィードバックループを構成し、前記フィードバックループが前記処理信号に応答してフィードバック信号を生成するためのものであり、前記フィードバック信号のエッジが前記処理信号のエッジに対応することを特徴とする請求項2に記載のテスト回路。 - 前記第1インバータの入力端子が前記第1一時記憶ユニットの出力端子に接続され、前記第1インバータの出力端子が前記第1一時記憶ユニットの入力端子に接続され、前記第1インバータがフィードバック信号を生成するように前記第1一時記憶信号を逆相にするためのものであることを特徴とする請求項4に記載のテスト回路。
- 前記サンプリングモジュールは更に、
第2インバータを備え、前記第2インバータの入力端子が前記第1インバータの出力端子に接続され、前記第2インバータが前記フィードバック信号を受信し、且つ前記フィードバック信号に基づいて前記サンプリング信号を生成するためのものであることを特徴とする請求項5に記載のテスト回路。 - 前記パルス信号はシーケンス上の隣接する4つのパルスを含み、前記信号処理モジュールは、前記制御信号に応答して前記パルス信号におけるシーケンス上の1番目の前記パルスを逆相にし、且つ残りの前記パルスを逆相にしないためのものであり、
前記サンプリングモジュールは、シーケンス上の上位2つの前記パルスに応答して前記第1サンプリングパルスを生成し、且つシーケンス上の下位2つの前記パルスに応答して前記第2サンプリングパルスを生成するためのものであることを特徴とする請求項1に記載のテスト回路。 - 前記サンプリングモジュールは、シーケンス上の上位2つの前記パルスの同じエッジに応答して前記第1サンプリングパルスを生成し、且つシーケンス上の下位2つの前記パルスの異なるエッジに応答して前記第2サンプリングパルスを生成するためのものであることを特徴とする請求項7に記載のテスト回路。
- 制御モジュールを更に備え、前記制御モジュールはそれぞれ前記サンプリングモジュール及び前記信号処理モジュールに接続され、前記サンプリング信号に応答して前記制御信号を生成するためのものであり、前記制御信号のエッジが前記サンプリング信号のエッジに対応することを特徴とする請求項1に記載のテスト回路。
- 前記制御モジュールは、
第2一時記憶ユニットを備え、前記第2一時記憶ユニットのクロック駆動端子が前記サンプリングモジュールの出力端子に接続され、前記第2一時記憶ユニットの入力端子が所定レベル信号に接続され、前記第2一時記憶ユニットの出力端子が前記信号処理モジュールに接続され、前記第2一時記憶ユニットが第2一時記憶信号を生成するように前記サンプリング信号に応答して所定レベル信号をサンプリングするためのものであり、前記制御信号のエッジが前記第2一時記憶信号のエッジに対応することを特徴とする請求項9に記載のテスト回路。 - 前記制御モジュールは更に、
第3インバータを備え、前記第3インバータの入力端子が前記第2一時記憶ユニットの出力端子に接続され、前記第3インバータが前記第2一時記憶信号を受信し、且つ前記第2一時記憶信号に基づいて前記制御信号を生成するためのものであることを特徴とする請求項10に記載のテスト回路。 - テスト装置であって、
請求項1~11のいずれか1項に記載のテスト回路と、
前記サンプリングモジュールに接続され、前記第1サンプリングパルス及び前記第2サンプリングパルスに基づいて前記パルス信号における前記パルスの幅を取得するための分析モジュールと、を備えることを特徴とするテスト装置。 - 請求項12に記載のテスト装置によるテスト方法であって、
テスト対象のパルス信号を受信することと、
制御信号の制御によって処理信号を出力することと、
前記処理信号に基づいて、第1サンプリングパルスと第2サンプリングパルスを含むサンプリング信号を生成することと、
前記第1サンプリングパルス及び前記第2サンプリングパルスに基づいて前記パルス信号における前記パルスの幅を取得することと、を含み、
前記第1サンプリングパルスと前記第2サンプリングパルスがパルス幅の差を有し、前記パルス幅の差が前記パルス信号のパルス幅に等しいことを特徴とするテスト方法。
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