JP2023512395A - 表面接触抵抗及び反応活性を向上させた構成要素及びその製造方法 - Google Patents
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-
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Abstract
Description
比較例1:チタン上のスパッタカーボン
市販のグレード2のチタン箔を基板とした。チタン箔は、スパッタリング蒸着により、表面全体に50nmのTiと100nmのカーボン(SP-Cコーティング)でコーティングされた。
市販のグレード2のチタン箔を基板とした。粉砕した炭素繊維粒子を表面に緩く散布した後、アルゴン中で900℃で1時間熱処理した。粉砕した炭素繊維粒子は直径が8μm、長さが50μm~200μmであった。粉砕された炭素繊維粒子はチタン表面を部分的に覆い、超音波洗浄では除去できず、炭素繊維とチタンの強い結合を示す。
比較例1及び実施例1のコーティングされたチタン箔の電気接触抵抗を、AvCarb MGL 190カーボンペーパーでの標準腐食試験前後で測定した。
加速腐食試験は、H2SO4のpH3溶液中、80℃で0.1ppm HF、1.4VNHEで行った。腐食試験前後の電気接触抵抗は、AvCarb MGL 190カーボンペーパーを用いて、200PSIの圧縮圧力で測定した。
燃料電池や電解槽への双極板の適用性を実証するために、低い表面電気接触抵抗を達成するための表面改質用の基板として、市販の純チタン箔を選択した。チタン箔の厚さは0.1mmである。粒子材料には、平均粒径が7μm~11μmのグラファイト粉末(Alfa Aesar#46304)を使用した。
市販の純チタン箔を基板とした。厚さが0.1mmのチタン箔を基板とした。粒径が10μm~20μmのグラッシーカーボン球状粉末(Alfa Aesar #3489)を粒子材料とした。ガラス炭素粉末を超音波分散によってエタノール溶液に分散した。次に、ポリビニルブチラールをバインダーとしてスラリーに添加した。スラリーの総重量を基準として、スラリー中の炭素粒子の濃度は15wt%であり、バインダーの濃度は2wt%である。
燃料電池への双極板の適用性、又は亜鉛‐臭素フロー電池への電極の適用性を実証するために、ステンレス鋼メッシュを基板とした。ステンレス鋼メッシュの中心は、流路構造を形成するように打ち抜かれた。バインダーとしてポリビニルブチラールを使用して、エタノール中でチタン粉末と粉砕された炭素繊維粒子とを混合した。チタン粉末の平均粒径は2.2μmであり、粉砕された炭素繊維は、8μmの平均繊維直径及び50~200μmの長さを有する。チタンと炭素の体積比は1:1であり、スラリーの総重量を基準として、スラリー中の粒子の濃度は25wt%であり、バインダーの濃度は5wt%である。
316Lステンレス鋼箔を基板とした。ステンレス鋼箔の厚さは0.1mmである。粒径が2.2μmのチタン粉末を粒子材料とした。
多孔質チタンフェルトを基板とした。チタンフェルトの厚さは250μm、空孔率は75%である。グラファイト粉末(Alfa Aesar 46304)を粒子材料とした。グラファイト粉末をポリビニルブチラールとともにエタノール溶液に分散させて、安定したスラリーとした。スラリーの総重量を基準として、スラリーは、5wt%のグラファイト及び1wt%のポリビニルブチラールを含む。次に、スラリーにチタンフェルトを浸して、チタンフェルトにグラファイト粒子を担持させた。スラリーを乾燥させた後、グラファイトが担持されたチタンフェルトを750℃で1時間熱処理して、チタンフェルトにグラファイト粒子を冶金学的に結合させた。グラファイト粒子は、該構成要素がフロー電池の電極として使用される場合、電極反応サイトとして機能した。チタンフェルト上にグラファイト粒子を冶金学的に接合することにより、白金コーティングが不要となる。
Claims (26)
- 金属基板と、
冶金学的結合によって前記金属基板の表面に結合された複数の粒子と、を含み、
前記粒子は、金属、炭素又はそれらの組み合わせを含み、
前記冶金学的結合は、前記粒子と前記金属基板との間であり、
前記冶金学的結合の総投影面積は、前記金属基板の総投影面積の90%未満であり、
前記冶金学的結合は、前記金属基板の組成と前記粒子の組成との組み合わせ、前記金属基板と前記粒子との反応生成物、又はそれらの組み合わせである組成を有することを特徴とする電気化学デバイス用の構成要素。 - 前記金属基板は、Ti、Nb、Ta、Ni、Cr又はそれらの合金、ステンレス鋼又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項1に記載の構成要素。
- 前記粒子は、金属を含み、前記金属は、Ti、Nb、Ta、Ni、Cr又はそれらの合金、又はそれらの組み合わせであることを特徴とする請求項1及び2のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記複数の粒子の平均粒径は20μm未満であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記複数の粒子は、平均粒径が50nm~10μmの金属粒子であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記複数の粒子は、平均粒径が100nm~5μmのTi粒子であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記粒子は、炭素を含み、前記炭素は、非晶質炭素、グラファイト、炭素繊維、又はそれらの組み合わせであり、平均粒径が200μm未満であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記冶金学的結合の総投影面積は、前記金属基板の総投影面積の1%~70%であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記金属基板上に複数のセラミック粒子をさらに含み、前記セラミック粒子は、炭化物、酸化物、窒化物、シリサイド、又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記構成要素は、燃料電池又は電解槽のための双極板であることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記双極板は、H2SO4のpH3溶液で、200PSIの圧縮圧力で、80℃で0.1 ppmのHFと0.8 VNHEで100時間処理した後の表面電気接触抵抗が10mΩ-cm2未満であることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記構成要素は、電解槽又はフロー電池用の電極であることを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記複数の粒子の前記金属基板と対向する側に位置する第二基板をさらに含み、
前記第二基板は、炭素又はTi、Nb、Ta、Ni、Cr、それらの合金、ステンレス鋼又はそれらの組み合わせを含み、
前記粒子は、前記粒子と前記第二基板との間の第二冶金学的結合によって前記第二基板に結合され、前記冶金学的結合の総投影面積は、前記第二基板の総投影面積の90%未満であり、
前記冶金学的結合は、前記第二基板の組成と前記粒子の組成との組み合わせ、前記第二基板と前記粒子との反応生成物、又はそれらの組み合わせである組成を有することを特徴とする請求項1~12のいずれか一項に記載の構成要素。 - 前記金属基板と前記第二基板は同じ成分を含む請求項1~13のいずれか一項に記載の構成要素。
- 第二基板は、構造又は組成傾斜を有する複数の層を含むことを特徴とする請求項1~14のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記第二基板は、(前記第二基板の総投影面積で)、10%~90%の開口面積を有する金属スクリーンであることを特徴とする請求項1~15のいずれか一項に記載の構成要素。
- 前記第二基板は、空孔率が30%~95%である多孔質の質量輸送層であることを特徴とする請求項1~16のいずれか一項に記載の構成要素。
- 燃料電池、バッテリー、電解槽、又はコンデンサーである、請求項1~17のいずれか一項に記載の構成要素を含むことを特徴とする電気化学デバイス。
- 金属基板を提供し、
前記金属基板上に、複数の前駆体粒子を含む組成を配置し、ここで前記前駆体粒子は、コーティングされた基板を提供するために、金属、炭素、金属水素化物又はそれらの組み合わせを含み、
前記前駆体粒子は、前記金属基板の総投影面積の90%未満に接触し、
前記前駆体粒子の平均粒径は200μm未満であり、
前記コーティングされた基板を熱処理して前駆体粒子から粒子を形成し、前記粒子と前記金属基板との間に形成された冶金学的結合によって前記粒子を前記金属基板に結合して、前記構成要素を製造することを含み、
前記冶金学的結合は、前記金属基板の組成と前記粒子の組成との組み合わせ、前記金属基板と前記粒子との反応生成物、又はそれらの組み合わせである組成を有することを特徴とする電気化学デバイス用構成要素の製造方法。 - 前記金属基板は、Ti、Nb、Ta、Ni、Cr又はそれらの合金、ステンレス鋼又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記前駆体粒子は、Ti、Nb、Ta、Al、Cr、それらの合金、それらの金属間化合物、これらの水素化物又はそれらの組み合わせを含み、かつ50nm~20μmの平均粒径を有することを特徴とする請求項19又は20に記載の方法。
- 前記前駆体粒子は、平均粒径が200μm未満の炭素粒子を含むことを特徴とする請求項19~21のいずれか一項に記載の方法。
- 前記前駆体粒子は、前記金属基板の総投影面積の3%~90%を覆うことを特徴とする請求項19~22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱処理は、真空中又は非酸化性雰囲気中で熱処理することを含み、前記熱処理は、電子線表面加熱又はレーザ表面加熱を含むことを特徴とする請求項19~23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記組成は、複数のセラミック粒子をさらに含み、前記セラミック粒子は、炭化物、酸化物、窒化物、又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項19~24のいずれか一項に記載の方法。
- 第二基板を、前記複数の粒子の前記金属基板と対向する側に配置することをさらに含み、
前記第二基板は、炭素又はTi、Nb、Ta、Ni、Cr、それらの合金、ステンレス鋼又はそれらの組み合わせを含み、
前記粒子は、前記粒子と前記第二基板との間の第二冶金学的結合によって前記第二基板に結合され、前記冶金学的結合の総投影面積は、前記第二基板の総投影面積の90%未満であり、
前記冶金学的結合は、前記第二基板の組成と前記粒子の組成との組み合わせ、前記第二基板と前記粒子との反応生成物、又はそれらの組み合わせである組成を有することを特徴とする請求項19~25のいずれか一項に記載の方法。
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