JP2023510993A - 印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池及其製造方法 - Google Patents

印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023510993A
JP2023510993A JP2022515653A JP2022515653A JP2023510993A JP 2023510993 A JP2023510993 A JP 2023510993A JP 2022515653 A JP2022515653 A JP 2022515653A JP 2022515653 A JP2022515653 A JP 2022515653A JP 2023510993 A JP2023510993 A JP 2023510993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
porous
layer
curved
electron transport
slurry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022515653A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7430781B2 (ja
Inventor
盛余松
戴佳坤
Original Assignee
湖北万度光能有限責任公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 湖北万度光能有限責任公司 filed Critical 湖北万度光能有限責任公司
Publication of JP2023510993A publication Critical patent/JP2023510993A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7430781B2 publication Critical patent/JP7430781B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2009—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H10K39/12—Electrical configurations of PV cells, e.g. series connections or parallel connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本発明は、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池であって、曲面導電性基板と、多孔質電子輸送層と、多孔質絶縁離隔層と、多孔質背面電極層と、ペロブスカイトフィラーとを含み、前記曲面導電性基板は、曲面透明基板と、曲面透明基板上に蒸着された導電層とを含み、前記多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層は、下から上に導電層上に順次蒸着され、前記ペロブスカイトフィラーは、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層の空隙に充填される印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池を提供する。当該太陽電池は、他の物品との集積を容易にする。本発明は、上記の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法を更に提供する。【選択図】 図２

Description

本発明は、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池に関するものであり、また、印刷可能
な曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法に関するものである。
社会の急速な発展に伴い、人間のエネルギーに対する需要は増大し続け、エネルギー供給
の形態が調整され続け、化石エネルギーが主であることから電力エネルギーが主であるこ
とへ徐々に移行している。現在、電気化機器やインテリジェント機器が日増しに普及され
ており、我々の生活に利便を図るとともに、電力供給形態の多様化への要求も高まってい
る。ポータブル自家発電電源を発展させることは、日常で使用される様々な電子端末製品
にとって非常に重要な意味があり、エネルギー貯蔵電源の短いバッテリー持ち時間の問題
を効果的に補うことができる。太陽エネルギーは用いても使い切れなくかつ広く分布して
いるため、太陽電池は大きな潜在力を秘めているポータブル自家発電電源と考えられてい
る。
主流の太陽電池技術は、主に大型の太陽光発電所で規模化発電システムを実現するのに使
用されているが、ポータブル太陽電池技術の発展は相対的に比較的立ち後れている。自動
車蓄電池の電力不足、携帯電話電量の使い果たし、野外活動での電力への差し迫った需要
によってもたらされる迷惑を考えると、ポータブル太陽電池技術を発展させることは非常
に重要であり、特に、太陽電池と自動車の屋根、携帯電話のケーシング、ポータブルテン
ト等の集積は、特定の時刻で重要な役割を果たすことができるため、重要な発展の展望が
あり、著しい経済的効果と利益をもたらすことができる。
現在の主流の結晶シリコン太陽電池技術は既に成熟しているが、他の機器と集積してポー
タブル電源に作られる面で比較的大きな挑戦に直面しており、主にはシリコンベース材料
自体の機械的性能によって制限されている。有機太陽電池技術は、ポータブル電源に集積
される面で著しい技術的利点があるが、有機太陽電池の光電変換効率が低いため、その応
用が制約されている。ペロブスカイト材料は、無機半導体材料及び有機半導体材料の優れ
た半導体性能及び加工性能の両方の利点を備えており、ペロブスカイト太陽電池技術を急
速に発展させている。平面基板に基づくペロブスカイト太陽電池の光電変換効率は既に２
５．２％を突破しているため、ペロブスカイト太陽電池と他の機器との集積技術を発展さ
せることは重要な意味がある。
ＣＮ１０７１４６８４７Ａは、下から上に、透明導電性基板と、光アノードと、絶縁層と
、第１カーボン層と、第２カーボン層とを含み、第１カーボン層は多孔質カーボン層であ
り、第２カーボン層は低温カーボン層である、カーボン対極ペロブスカイト太陽電池を開
示している。当該ペロブスカイト太陽電池の製造方法は、（１）透明導電性基板上に１層
の緻密層を製造するステップと、（２）シルクスクリーン印刷によって、緻密層上に１層
のＴｉＯ２メソポーラス層と、１層のＺｒＯ２層を順次製造するステップと、（３）絶縁
層上に多孔質の第１カーボン層を製造するステップと、（４）ペロブスカイト前駆体スラ
リーを前記第１カーボン層表面に滴下して、緻密層、ＴｉＯ２メソポーラス層、ＺｒＯ２
絶縁層及び第１カーボン層の各々の層の多孔質薄膜層に充填させるステップと、（５）第
１カーボン層上に第２カーボン層を製造するステップとを含む。上記のペロブスカイト太
陽電池の基板は、平板状である。上記の製造方法では、曲面ペロブスカイト太陽電池を製
造することができない。
ＣＮ１０８５５０７０５Ａは、導電性基板と、ペロブスカイト光吸収層と、対電極とを含
み、導電性基板とペロブスカイト光吸収層の間に正孔遮断層と、電子輸送層と、絶縁層と
が設けられており、前記対電極と前記ペロブスカイト光吸収層の間に正孔輸送層が設けら
れている、ペロブスカイト太陽電池モジュールを開示している。当該ペロブスカイト太陽
電池の製造方法は、ＦＴＯガラス基板上にＴｉＯ２緻密層を製造するステップと、緻密層
上に二酸化チタンスラリーをシルクスクリーン印刷して電子輸送層とし、溶剤はテルピネ
オールであるステップと、電子輸送層上に二酸化ジルコニウムスラリーをシルクスクリー
ン印刷し、溶剤がテルピネオールであるステップと、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイ
ト前駆体スラリーを配合製造しかつ溶剤がジメチルスルホキシド及びＤＭＦであり、スピ
ンコーティング法によってペロブスカイト光吸収層を製造するステップと、ペロブスカイ
ト光吸収層上にカーボンスラリーをシルクスクリーン印刷して正孔輸送層として、ペロブ
スカイト太陽電池を得るステップであって、溶剤はテルピネオールであり、対電極は常温
離型導電性テープで形成されるステップとを含む。上記のペロブスカイト太陽電池は、正
孔遮断層と正孔輸送層とが設けられ、基板が平板状であるべきである。上記の製造方法で
は、曲面ペロブスカイト太陽電池を製造することができない。
発明の内容
本発明の一目的は、基板が曲面である印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池を提供する
ことである。このような電池は、他の物品との集積を容易にし、ペロブスカイト太陽電池
の使用範囲を拡大する。本発明の別の目的は、曲面ペロブスカイト太陽電池を製造するこ
とができる、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法を提供することである。
さらに、当該方法で製作された曲面ペロブスカイト太陽電池は、各機能層の均一性が高い
。
一態様では、本発明は、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池であって、曲面導電性基
板と、多孔質電子輸送層と、多孔質絶縁離隔層と、多孔質背面電極層と、ペロブスカイト
フィラーとを含み、
前記曲面導電性基板は、曲面透明基板と、曲面透明基板上に蒸着された導電層とを含み、
前記多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層は、下から上に導電層上
に順次蒸着され、
前記ペロブスカイトフィラーは、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電
極層の空隙に充填される、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池を提供する。
本発明の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池によれば、好ましくは、前記多孔質電子
輸送層の厚さは３００～１０００ｎｍであり、前記多孔質絶縁離隔層の厚さは１～６μｍ
であり、前記多孔質背面電極層の厚さは１０～４０μｍである。
別の態様では、本発明は、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法であって、
（１）清潔な曲面導電性基板をレーザーエッチングして、エッチング線Ｐ１を形成するス
テップと、
（２）多孔質電子輸送層スラリーでエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電層を
覆った後、ホットメルト接着剤で多孔質電子輸送層スラリーを覆って第１ホットメルト接
着剤膜を形成し、第１ホットメルト接着剤膜を取り外した後に多孔質電子輸送層を有する
第１プレハブ品を得るステップと、
（３）多孔質絶縁離隔層スラリーで第１プレハブ品の多孔質電子輸送層を覆った後、第２
ホットメルト接着剤で多孔質絶縁離隔層スラリーを覆って第２ホットメルト接着剤膜を形
成し、第２ホットメルト接着剤膜を取り外した後に多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハ
ブ品を得るステップと、
（４）多孔質背面電極層スラリーで第２プレハブ品の多孔質絶縁離隔層を覆って多孔質背
面電極層を形成して、多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品を得るステップと、
（５）ペロブスカイト前駆体スラリーを第３プレハブ品の多孔質背面電極層上に印加して
、ペロブスカイト前駆体スラリーが多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面
電極層の空隙に充填されるようにして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池を得るス
テップとを含む、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法を提供する。
本発明の製造方法によれば、好ましくは、第１ホットメルト接着剤及び第２ホットメルト
接着剤は、それぞれポリウレタン、オレフィンエラストマー、ポリエーテルスルホン樹脂
、コポリアミド、エチレン－アクリル酸共重合体又はエチレン－酢酸ビニル共重合体のう
ちの１つから独立的に選択される。
本発明の製造方法によれば、好ましくは、前記多孔質電子輸送層スラリーは、電子輸送材
料とテルピネオールとを含み、前記多孔質電子輸送層スラリー中の電子輸送材料の固形分
は２～１０ｗｔ％であり、前記テルピネオールにα-テルピネオールが含まれており、テ
ルピネオール中の前記α-テルピネオールの含有量は３０ｗｔ％以上であり、前記電子輸
送材料は、二酸化チタン、二酸化スズ、酸化亜鉛又はスズ酸バリウムのうちの１つ又は複
数から選択される。
本発明の製造方法によれば、好ましくは、前記多孔質絶縁離隔層スラリーは、絶縁材料と
、エチルセルロースと、テルピネオールとを含み、絶縁材料とエチルセルロースの質量比
は、１：０．１５～０．４であり、絶縁材料とテルピネオールの質量比は１：２～６であ
り、絶縁材料は、二酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム又はチタン酸バ
リウムのうちの１つ又は複数から選択され、テルピネオールにα-テルピネオールが含ま
れており、テルピネオール中の前記α-テルピネオールの含有量は３０ｗｔ％以上であり
、前記多孔質背面電極層スラリーは、グラファイトと、カーボンブラックと、二酸化ジル
コニウムと、エチルセルロースと、テルピネオールとを含み、前記グラファイトと二酸化
ジルコニウムの質量比は１：０．１５～０．５であり、前記グラファイトと二酸化ジルコ
ニウムの質量比は１：０．１～０．５であり、前記グラファイトとエチルセルロースの質
量比は１：０．１～０．５であり、前記グラファイトとテルピネオールの質量比は１：２
～６である。
本発明の製造方法によれば、好ましくは、前記多孔質絶縁離隔層スラリーは氷酢酸を更に
含み、絶縁材料と氷酢酸の質量比は１：０．０５～１であり、前記多孔質背面電極層スラ
リーは氷酢酸を更に含み、前記グラファイトと氷酢酸の質量比は１：０．０１～０．６で
ある。
本発明の製造方法によれば、好ましくは、多孔質電子輸送層を有する第１プレハブ品を３
００～６００℃で１０～６０ｍｉｎアニールした後、ステップ（３）に使用するステップ
を更に含む。
本発明の製造方法によれば、好ましくは、
多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品上でレーザーエッチングを行ってエッチング線
Ｐ２を形成するステップを更に含み、
前記エッチング線Ｐ２は、前記エッチング線Ｐ１の左側に位置し、かつエッチング線Ｐ１
に接しており、前記エッチング線Ｐ２の幅は０．３～１ｍｍである。
本発明の製造方法によれば、好ましくは、
多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品上でレーザーエッチングを行ってエッチング線
Ｐ３を形成した後、３００～６００℃で１０～６０ｍｉｎアニールするステップを更に含
み、
前記エッチング線Ｐ３は、前記エッチング線Ｐ２の左側に位置し、かつエッチング線Ｐ２
に接しており、前記エッチング線Ｐ３の幅は０．０５～０．３ｍｍである。
本発明の印刷可能なペロブスカイト太陽電池の基板は曲面であり、これにより他の物品（
例えば、自動車の屋根、携帯電話のケーシング、ポータブルテント等）との集積を容易に
し、ポータブル太陽電池に使用されることができ、印刷可能なペロブスカイト太陽電池の
使用範囲を拡大する。本発明は、コーティングスラリーをホットメルト接着剤膜で覆い、
これによりコーティングスラリーを曲面基板上に固定することができ、コーティングスラ
リーが基板のラジアンに沿って堆積されするのを防ぎ、各機能層の均一性を向上させる。
本発明の好ましい技術方案によれば、コーティングスラリーの組成を調整制御することに
よって、コーティングスラリーに適切な流動性を持たせ、各機能層の均一性をさらに向上
させる。
実施例１で得られた印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の実物図である。 本発明の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の構造概略図である。 実施例１及び実施例２の多孔質電子輸送層スラリーの粘度の温度による変化図である。 実施例１及び実施例２の多孔質絶縁離隔層スラリーの粘度の温度による変化図である。 図５（Ａ）は、実施例１の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーの俯瞰図である。図５（Ｂ）は、実施例１の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーの正面図である。 図６（Ａ）は、実施例２の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーの俯瞰図である。図６（Ｂ）は、実施例２の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーの正面図である。 図７（Ａ）は、実施例１の多孔質絶縁離隔層の三次元プロファイルトポグラフィーの俯瞰図である。図７（Ｂ）は、実施例１の多孔質絶縁離隔層の三次元プロファイルトポグラフィーの正面図である。 図８（Ａ）は、実施例２の多孔質絶縁離隔層の三次元プロファイルトポグラフィーの俯瞰図である。図８（Ｂ）は、実施例２の多孔質絶縁離隔層の三次元プロファイルトポグラフィーの正面図である。
［符号の説明］
１ 曲面透明基板
２ 導電層
３ 多孔質電子輸送層
４ 多孔質絶縁離隔層
５ 多孔質背面電極層
本発明を以下に詳細に説明するが、本発明がこれに限定されるものではない。
＜印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池＞
図１に示されるように、本発明の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の基板は、一定
のラジアンを有する。これは、既存の平面材料を基板とする印刷可能なペロブスカイト太
陽電池とは異なる。その基板は一定のラジアンを有するため、印刷されたウェットフィル
ムの流動性を大幅に増加させ、ペロブスカイト太陽電池の製造に大きな困難をもたらして
いる。印刷可能な平面ペロブスカイト太陽電池は広く使用されているが、印刷可能な曲面
ペロブスカイト太陽電池はまだ報告されていない。
本発明的の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池は、曲面導電性基板と、多孔質電子輸
送層と、多孔質絶縁離隔層と、多孔質背面電極層と、ペロブスカイトフィラーとを含む。
実際、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層、多孔質背面電極層も曲面構造である。ペロ
ブスカイトフィラーは、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層、多孔質背面電極層の空隙
に充填される。本発明の印刷可能なペロブスカイト太陽電池は、封止層を更に含み得る。
いくつかの実施形態では、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池は、曲面導電性基板と
、多孔質電子輸送層と、多孔質絶縁離隔層と、多孔質背面電極層と、ペロブスカイトフィ
ラーとから構成される。他のいくつかの実施形態では、印刷可能な曲面ペロブスカイト太
陽電池は、曲面導電性基板と、多孔質電子輸送層と、多孔質絶縁離隔層と、多孔質背面電
極層と、ペロブスカイトフィラーと、封止層とから構成される。
曲面導電性基板
本発明の曲面導電性基板は、曲面透明基板と、導電層とを含み得る。導電層は、曲面透明
基板上に蒸着され得る。好ましくは、本発明の曲面導電性基板は、曲面透明基板と、曲面
透明基板上に蒸着された導電層とから構成される。いわゆる「曲面」とは、１つの動線が
空間内で連続的に運動して形成される軌跡を指す。本発明の曲面は、直線織出し面でもあ
り得、双曲曲面でもあり得る。直線織出し面は、円柱面、円錐面、楕円柱面、楕円錐面、
錐状面又は柱状面のうちの１つを含むが、これらに限定されない。双曲曲面は、球面、円
環面を含むが、これらに限定されない。本発明の一実施形態によれば、曲面は円柱面であ
る。
曲面透明基板は、透明ガラス又は透明ポリマーであり得る。透明重合体の実例は、ポリ塩
化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、
エチレン－酢酸ビニル共重合体を含むが、これらに限定されない。本発明の一実施形態に
よれば、曲面透明基板は透明ガラスである。
導電層は、フッ素ドープ酸化スズ、スズドープ酸化インジウム、アルミニウムドープ酸化
亜鉛、グラフェン、透明金属導電性薄膜等から形成され得る。本発明の一実施形態によれ
ば、導電層は、フッ素ドープ酸化スズから形成される。
多孔質電子輸送層
本発明の多孔質電子輸送層は、導電層上に蒸着され得る。多孔質電子輸送層は、曲面であ
り得る。本発明の曲面は、直線織出し面でもあり得、双曲曲面でもあり得る。直線織出し
面は、円柱面、円錐面、楕円柱面、楕円錐面、錐状面又は柱状面のうちの１つを含むが、
これらに限定されない。双曲曲面は、球面、円環面を含むが、これらに限定されない。本
発明の一実施形態によれば、曲面は円柱面である。
多孔質電子輸送層は、二酸化チタン、二酸化スズ、酸化亜鉛又はスズ酸バリウムから形成
され得る。本発明の一実施形態によれば、前記多孔質電子輸送層は、二酸化チタンから形
成される。多孔質電子輸送層の厚さは、３００～１０００ｎｍ、好ましくは４００～８０
０ｎｍ、より好ましくは５００～６００ｎｍであり得る。多孔質電子輸送層の孔径は、２
～１００ｎｍ、好ましくは１５～５０ｎｍ、より好ましくは２５～３５ｎｍであり得る。
多孔質電子輸送層の結晶粒サイズは、１０～５０ｎｍ、好ましくは１５～３５ｎｍ、より
好ましくは２５～３５ｎｍであり得る。
多孔質絶縁離隔層
本発明の多孔質絶縁離隔層は、多孔質電子輸送層上に蒸着され得る。多孔質絶縁離隔層は
、曲面であり得る。本発明の曲面は、直線織出し面でもあり得、双曲曲面でもあり得る。
直線織出し面は、円柱面、円錐面、楕円柱面、楕円錐面、錐状面又は柱状面のうちの１つ
を含むが、これらに限定されない。双曲曲面は、球面、円環面を含むが、これらに限定さ
れない。本発明の一実施形態によれば、曲面は円柱面である。
多孔質絶縁離隔層は、二酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム又はチタン
酸バリウムから形成され得る。本発明の一実施形態によれば、多孔質絶縁離隔層は、二酸
化ジルコニウムから形成される。多孔質絶縁離隔層の厚さは、１～６μｍ、好ましくは２
～５μｍ、より好ましくは３～４μｍであり得る。多孔質電子輸送層の孔径は、１０～５
００ｎｍ、好ましくは３０～２００ｎｍ、より好ましくは５０～１００ｎｍであり得る。
多孔質絶縁離隔層の結晶粒サイズは、１０～５００ｎｍ、好ましくは３０～２００ｎｍ、
より好ましくは１００～２００ｎｍであり得る。
多孔質背面電極層
本発明の多孔質背面電極層は、多孔質絶縁離隔層上に蒸着され得る。多孔質背面電極層は
、曲面であり得る。本発明の曲面は、直線織出し面でもあり得、双曲曲面でもあり得る。
直線織出し面は、円柱面、円錐面、楕円柱面、楕円錐面、錐状面又は柱状面のうちの１つ
を含むが、これらに限定されない。双曲曲面は、球面、円環面を含むが、これらに限定さ
れない。本発明の一実施形態によれば、曲面は円柱面である。
多孔質背面電極層は、多孔質電極材料を含む原料から形成され得る。多孔質電極材料は、
多孔質炭素電極材料又は多孔質導電性酸化物電極材料であり得る。多孔質炭素電極材料の
実例は、グラファイト、カーボンブラック、活性炭、グラフェン、カーボンナノチューブ
を含むが、これらに限定されない。多孔質導電性酸化物電極材料は、フッ素ドープ酸化ス
ズ、スズドープ酸化インジウム、アルミニウムドープ酸化亜鉛を含むが、これらに限定さ
れない。本発明の一実施形態によれば、多孔質背面電極層は、グラファイト、カーボンブ
ラック及びジルコニアから形成される。グラファイトとカーボンブラックの質量比は、１
：０．１５～０．５、好ましくは１：０．２５～０．４、より好ましくは１：０．３～０
．３５であり得る。グラファイトと二酸化ジルコニウムの質量比は、１：０．１５～０．
５、好ましくは１：０．２５～０．４、より好ましくは１：０．３～０．３５であり得る
。グラファイトと二酸化ジルコニウムの質量比は、１：０．１～０．５、好ましくは１：
０．１～０．３、より好ましくは１：０．１５～０．２であり得る。これにより、より良
い硬化及び強化の効果を達成することができ、したがって膜の品質を向上させ、ひいては
膜の電気学性能及び充填性能を向上させる。
多孔質背面電極層の厚さは、１０～５０μｍ、好ましくは１５～４０μｍ、より好ましく
は２０～３０μｍであり得る。多孔質背面電極グラファイトシートのサイズは、１～１０
０μｍ、好ましくは５～５０μｍ、より好ましくは１０～２０μｍであり得る。
ペロブスカイトフィラー
本発明のペロブスカイトフィラーは、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背
面電極層の空隙に充填される。ペロブスカイトフィラーは、下記の式（Ｉ）に示すような
構造を有する化合物である。
ＡＢＸ３（Ｉ）
ここで、Ａは、アルキルアミン、ホルマミジン又はアルカリ金属から形成された陽イオン
であり、好ましくは、Ａは、メチルアミン、ホルマミジン、セシウム又はルビジウムから
形成された陽イオンである。より好ましくは、Ａは、メチルアミンから形成された陽イオ
ンである。Ｂは、鉛又はスズから形成された陽イオンである。好ましくは、Ｂは、鉛から
形成された陽イオンである。Ｘは、ヨウ素、臭素、塩素又は擬ハロゲンから形成された陰
イオンである。擬ハロゲンの実例は、ジシアン、チオシアン、セレンシアン、オキシシア
ン、アジド二硫化炭素を含むが、これらに限定されない。好ましくは、Ｘはヨウ素イオン
である。本発明の一実施形態によれば、ペロブスカイト構造を有する化合物は、ヨウ化メ
チルアンモニウム（ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３）である。
封止層
本発明の封止層は、ホットメルト接着剤膜と、可撓性バックプレートとを含み得る。ホッ
トメルト接着剤膜は、多孔質背面電極層を覆っている。可撓性バックプレートは、ホット
メルト接着剤膜を覆っている。本発明のホットメルト接着剤膜は、ポリウレタン又はエチ
レン－酢酸ビニル共重合体から形成され得る。ホットメルト接着剤膜は、曲面であり得る
。本発明の曲面は、直線織出し面でもあり得、双曲曲面でもあり得る。直線織出し面は、
円柱面、円錐面、楕円柱面、楕円錐面、錐状面又は柱状面のうちの１つを含むが、これら
に限定されない。双曲曲面は、球面、円環面を含むが、これらに限定されない。本発明の
一実施形態によれば、曲面は円柱面である。本発明の可撓性バックプレートは、防水及び
絶縁役割を有する可撓性機能膜であり得る。可撓性バックプレートは、曲面であり得る。
本発明の曲面は、直線織出し面でもあり得、双曲曲面でもあり得る。直線織出し面は、円
柱面、円錐面、楕円柱面、楕円錐面、錐状面又は柱状面のうちの１つを含むが、これらに
限定されない。双曲曲面は、球面、円環面を含むが、これらに限定されない。本発明の一
実施形態によれば、曲面は円柱面である。
＜製造方法＞
本発明の曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法は、（１）エッチング線Ｐ１を形成する
ステップと、（２）多孔質電子輸送層を形成するステップと、（３）多孔質絶縁離隔層を
形成するステップと、（４）多孔質背面電極層を形成するステップと、（５）ペロブスカ
イトを充填するステップとを含む。任意選択で、本発明の製造方法は、（６）封止のステ
ップを更に含む。本発明において、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層、多孔質背面電
極層は、別々にアニール処理されても良く、そのうちの２つの層が一緒にアニール処理さ
れても良く、３つの層が一緒にアニール処理されても良い。詳細な説明を以下に示すこと
にする。
エッチング線Ｐ１を形成するステップ
清潔な曲面導電性基板をレーザーエッチングして、エッチング線Ｐ１を形成する。
レーザーエッチングの前に、曲面導電性基板は、洗浄処理される必要がある。清潔な曲面
導電性基板とは、表面の汚れが除去された曲面導電性基板を指す。曲面導電性基板を洗浄
剤に置いて超音波洗浄してから、エタノールに置いて洗浄し、洗浄された曲面導電性基板
を乾燥させて、清潔な曲面導電性基板を得る。洗浄剤は、ウィリス、ミスターマッスル、
潔士奇、ＬＯＰＯ、Ｃｌｅａｆｅ、Ｗｈｉｔｅ Ｃａｔ、～ｉｂｙ、Ｋｌｅｅｎ ＭＣＴ
５１１及びHellmanexRIII洗浄液のうちの１つ又は複数から選択され得る。好ましくは、
洗浄剤は、Ｃｌｅａｆｅ、Ｗｈｉｔｅ Ｃａｔ、～ｉｂｙ、Ｋｌｅｅｎ ＭＣＴ５１１及
びHellmanexRIII洗浄液のうちの１つ又は複数から選択され得、より好ましくはHellmanex
RIII洗浄液である。洗浄剤中での超音波洗浄の時間は、５～３０ｍｉｎ、好ましくは１０
～２５ｍｉｎ、より好ましくは１５～２０ｍｉｎであり得る。エタノール中での超音波洗
浄の時間は、１～２０ｍｉｎ、好ましくは３～１５ｍｉｎ、より好ましくは３～１０ｍｉ
ｎであり得る。乾燥温度は、５０～８０℃、好ましくは５５～７５℃、より好ましくは５
５～６０℃であり得る。これにより、曲面導電性基板上の汚れをより徹底的に除去できる
。
ナノ秒レーザーエッチング機を採用して曲面導電性基板をレーザーエッチングして、エッ
チング線Ｐ１を形成し得る。エッチング線Ｐ１の幅は、０．０２～０．１５ｍｍ、好まし
くは０．０３～０．１ｍｍ、より好ましくは０．０５～０．１ｍｍであり得る。
エッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を洗浄する。具体的には、エッチング線Ｐ１を
有する曲面導電性基板を脱イオン水中に置いて超音波洗浄してから、エタノール中に置い
て超音波洗浄する。洗浄された曲面導電性基板をその表面に水分や斑点不純物がなくなる
まで乾燥させる。脱イオン水中の超音波洗浄の時間は、５～３０ｍｉｎ、好ましくは１０
～２５ｍｉｎ、より好ましくは１５～２０ｍｉｎであり得る。エタノール中での超音波洗
浄の時間は、１～２０ｍｉｎ、好ましくは３～１５ｍｉｎ、より好ましくは３～１０ｍｉ
ｎであり得る。乾燥温度は、５０～８０℃、好ましくは５５～７５℃、より好ましくは６
０～７０℃であり得る。これにより、蒸着されるべき部位の清潔度を確保し、後続のステ
ップがスムーズに進行されることを確保する。
洗浄されたエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を紫外線及びオゾンで処理する。処
理時間は、５～３０ｍｉｎ、好ましくは１０～２０ｍｉｎ、より好ましくは１０～１５ｍ
ｉｎであり得る。紫外線及びオゾンは、曲面導電性基板の表面の有機物を洗浄でき、曲面
導電性基板の表面の浸潤性を改善させる。
多孔質電子輸送層を形成するステップ
多孔質電子輸送層スラリーでエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電層を覆った
後、ホットメルト接着剤で多孔質電子輸送層スラリーを覆って第１ホットメルト接着剤膜
を形成する。第１ホットメルト接着剤膜を取り外した後に多孔質電子輸送層を有する第１
プレハブ品を得る。具体的には、エッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電層を多
孔質電子輸送層スラリーで均一に覆った後、第１ホットメルト接着剤で多孔質電子輸送層
スラリーを均一に覆い、乾燥を経て第１ホットメルト接着剤膜を得、第１ホットメルト接
着剤膜を取り外すと、多孔質電子輸送層を有する第１プレハブ品が得られる。第１ホット
メルト接着剤膜を取り外す方式は特に限定されず、当該技術分野における従来の方法を採
用し得る。
多孔質電子輸送層スラリーは、シルクスクリーン印刷、スリットコーティング、ブレード
コーティング、インクジェット印刷、スプレー蒸着等の技術によってエッチング線Ｐ１を
有する曲面導電性基板の導電層を覆い得る。本発明の一実施形態によれば、シルクスクリ
ーン印刷技術によって、エッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電層上に多孔質電
子輸送層スラリーを印刷する。シルクスクリーン印刷技術は、曲面シルクスクリーン印刷
機によって実現され得る。
多孔質電子輸送層スラリーは、電子輸送材料と、テルピネオールとを含み得る。電子輸送
材料は、二酸化チタン、二酸化スズ、酸化亜鉛又はスズ酸バリウムのうちの１つから選択
され得る。好ましくは、電子輸送材料は、二酸化チタンである。電子輸送材料の孔径は、
２～５０ｎｍ、好ましくは１５～３５ｎｍ、より好ましくは２５～３５ｎｍであり得る。
電子輸送材料の結晶粒サイズは、１０～４０ｎｍ、好ましくは１５～３５ｎｍ、より好ま
しくは２５～３５ｎｍであり得る。テルピネオールは、α-テルピネオール、β-テルピネ
オール又はγ-テルピネオールのうちの１つ又は複数から選択され得る。好ましくは、テ
ルピネオールにα-テルピネオールが含まれる。より好ましくは、テルピネオールは、α-
テルピネオールである。テルピネオール中のα-テルピネオールの用量は、３０ｗｔ％以
上、好ましくは８０ｗｔ％以上、より好ましくは９０ｗｔ％以上である。α-テルピネオ
ールで配合製造されたスラリーは、室温ではゼリー状であるが、温度が４０℃を超えると
流動性が良好であり、これにより曲面導電性基板上に均一な多孔質電子輸送層を形成する
のに役立つ。本発明の一実施形態によれば、多孔質電子輸送層スラリーは、二酸化チタン
と、α-テルピネオールとを含む。二酸化チタンは、二酸化チタンスラリーから提供され
得る。二酸化チタンスラリーは、Ｇｒｅａｔｃｅｌｌ ｓｏｌａｒ社から購入され得る。
好ましくは、二酸化チタンスラリーは、Ｇｒｅａｔｃｅｌｌ ｓｏｌａｒ社のＮＲ-１８
又はＮＲ３０から選択される。本発明の一実施形態によれば、二酸化チタンスラリーは、
Ｇｒｅａｔｃｅｌｌ ｓｏｌａｒ社からモデルがＮＲ-３０である二酸化チタンスラリー
である。多孔質電子輸送層スラリー中の電子輸送材料の固形分は、２～１０ｗｔ％、好ま
しくは３～７ｗｔ％、より好ましくは４～５ｗｔ％であり得る。
多孔質電子輸送層スラリーは、混合の方式によって配合製造される。好ましくは、混合の
後、真空消泡のステップを更に含む。真空消泡の時間は、２０～８０ｍｉｎ、好ましくは
３０～７０ｍｉｎ、より好ましくは４０～５０ｍｉｎであり得る。これにより、膜形成の
均一性を向上させることができる。
多孔質電子輸送層スラリーでエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電層を覆った
後、先ず室温で３～２０ｍｉｎ、好ましくは５～１５ｍｉｎ、より好ましくは１０～１５
ｍｉｎ静置した後、多孔質電子輸送層スラリー上に第１ホットメルト接着剤を塗布し得る
。先ず第１ホットメルト接着剤を塗布してから、室温で静置しても良い。また、室温で静
置せずに直接第１ホットメルト接着剤を塗布しても良い。静置することで、薄膜表面の平
坦度が増し、静置されていない薄膜は比較的粗い。
第１ホットメルト接着剤は、ポリウレタンホットメルト接着剤、オレフィンエラストマー
、ポリエーテルスルホン樹脂、コポリアミド、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン
－酢酸ビニル共重合体ホットメルト接着剤のうちの１つから選択され得る。好ましくは、
第１ホットメルト接着剤は、ポリウレタンホットメルト接着剤である。より好ましくは、
第１ホットメルト接着剤は、深セン恒盛龍接着剤製品有限会社のＨＳＬ-Ｕ６０型ホット
メルト接着剤、上海星霞高分子製品有限会社のＸＪＵ-５Ｃ型ホットメルト接着剤、江蘇
和和新材料株式有限会社のＬＶ３６８Ｂ-１０-ＦＱ型ホットメルト接着剤のうちの１つか
ら選択される。本発明の一実施形態によれば、第１ホットメルト接着剤は、上海星霞高分
子製品有限会社のＸＪＵ-５Ｃ型ホットメルト接着剤である。第１ホトメルト接着剤は、
多孔質電子輸送層スラリーを曲面導電性基板上に固定するのを補助でき、多孔質電子輸送
層の均一性を向上させ、乾燥後の取り外しを容易にし、かつペロブスカイト太陽電池の性
能に影響を与えない。
乾燥は、真空乾燥オーブン内で行われ得る。乾燥温度は、８０～１３０℃、好ましくは９
０～１２０℃、より好ましくは９０～１１０℃であり得る。乾燥時間は、５～２０ｍｉｎ
、好ましくは１０～２０ｍｉｎ、より好ましくは１３～１７ｍｉｎであり得る。これによ
り、ホットメルト接着剤によって形成された固体薄膜を取り外しやすくすることができ、
多孔質電子輸送層を曲面導電性基板上に蒸着させることができる。
いくつかの実施形態では、多孔質電子輸送層を有する第１プレハブ品をアニールする。ア
ニール温度は、３００～６００℃、好ましくは４００～６００℃、より好ましくは４５０
～５５０℃であり得る。アニール時間は、１０～６０ｍｉｎ、好ましくは２０～５０ｍｉ
ｎ、より好ましくは２０～４０ｍｉｎであり得る。これにより、多孔質電子輸送層の性能
を増強することができる。
多孔質絶縁離隔層を形成するステップ
多孔質絶縁離隔層スラリーで第１プレハブ品の多孔質電子輸送層を覆って後、第２ホット
メルト接着剤で多孔質絶縁離隔層スラリーを覆って第２ホットメルト接着剤膜を形成する
。第２ホットメルト接着剤膜を取り外した後に多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品
が得られる。具体的には、多孔質絶縁離隔層スラリーで第１プレハブ品の多孔質電子輸送
層を覆った後、第２ホットメルト接着剤で多孔質絶縁離隔層を均一に覆い、乾燥後に第２
ホットメルト接着剤膜が形成される。第２ホットメルト接着剤膜を取り外すと、多孔質絶
縁離隔層を有する第２プレハブ品が得られる。第２ホットメルト接着剤膜を取り外す方式
は特に限定されず、当該技術分野における従来の方法を採用し得る。
多孔質絶縁離隔層スラリーは、シルクスクリーン印刷、スリットコーティング、ブレード
コーティング、インクジェット印刷、スプレー蒸着等の技術によって第１プレハブ品の多
孔質電子輸送層を覆い得る。本発明の一実施形態によれば、シルクスクリーン印刷技術に
よって多孔質絶縁離隔層スラリーを第１プレハブ品の多孔質電子輸送層上に印刷する。シ
ルクスクリーン印刷技術は、曲面シルクスクリーン印刷機によって実現され得る。
多孔質絶縁離隔層スラリーは、絶縁材料と、エチルセルロースと、テルピネオールとを含
み得る。いくつかの実施形態では、多孔質絶縁離隔層のスラリーは、氷酢酸を更に含み得
る。多孔質絶縁離隔層スラリーは、遊星型ボールミルによる分散、高速剪断機による分散
、サンドミルによる分散、自転公転攪拌機、ナノメートル粉砕による分散等の工程によっ
て製造され得る。また、真空消泡のステップを更に含み得る。真空消泡の時間は、２０～
８０ｍｉｎ、好ましくは３０～７０ｍｉｎ、より好ましくは４０～５０ｍｉｎであり得る
。これにより、膜形成の均一性を向上させることができる。
絶縁材料は、二酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム又はチタン酸バリウ
ムのうちの１つから選択され得る。好ましくは、絶縁材料は、二酸化ジルコニウムである
。絶縁材料は、多孔質構造を有し、その孔径は、１０～５００ｎｍ、好ましくは３０～２
００ｎｍ、より好ましくは５０～１００ｎｍであり得る。絶縁機能を有する原料の結晶粒
サイズは、１０～５００ｎｍ、好ましくは３０～２００ｎｍ、より好ましくは５０～２０
０ｎｍであり得る。
エチルセルロースの粘度は、８～６０ｃＰ（センチポアズ）、好ましくは１０～５５ｃＰ
、より好ましくは１０～４６ｃＰ（センチポアズ）であり得る。エチルセルロースは、粘
度が１０ｃＰであるエチルセルロース、粘度が２０ｃＰであるエチルセルロース、粘度が
４６ｃＰであるエチルセルロース又は粘度が５５ｃＰであるエチルセルロースのうちの１
つ又は複数から選択され得る。好ましくは、エチルセルロースは、粘度が１０ｃＰである
エチルセルロース又は粘度が４６ｃＰであるエチルセルロースのうちの１つ又は複数から
選択され得る。より好ましくは、エチルセルロースは、粘度が１０ｃＰであるエチルセル
ロースと、粘度が４６ｃＰであるエチルセルロースとの混合物である。粘度が１０ｃＰで
あるエチルセルロースと粘度が４６ｃＰであるエチルセルロースの質量比は、１：０．０
１～１、好ましくは１：０．３～１、より好ましくは１：０．５～１であり得る。これに
より、多孔質絶縁離隔層スラリーの流動性を調節することができ、多孔質絶縁離隔層の均
一性を向上させる。
テルピネオールは、α-テルピネオール、β-テルピネオール又はγ-テルピネオールのう
ちの１つ又は複数から選択され得る。好ましくは、テルピネオールにα-テルピネオール
が含まれる。より好ましくは、テルピネオールは、α-テルピネオールである。テルピネ
オール中のα-テルピネオールの用量は、３０ｗｔ％以上、好ましくは８０ｗｔ％以上、
より好ましくは９０ｗｔ％以上である。α-テルピネオールで配合製造されたスラリーは
、室温ではゼリー状であるが、温度が４０℃超えると流動性が良好であり、これにより曲
面導電性基板上に均一な多孔質絶縁離隔層を形成するのに役立つ。
絶縁材料とエチルセルロースの質量比は、１：０．１５～０．４、好ましくは１：０．２
～０．３５、より好ましくは１：０．２５～０．３であり得る。これにより、多孔質絶縁
離隔層スラリーの流動性を改善させ、多孔質絶縁離隔層の均一性を向上させることができ
る。
絶縁材料とテルピネオールの質量比は、１：２～６、好ましくは１：２～５、より好まし
くは１：３～５であり得る。これにより、多孔質絶縁離隔層スラリーの流動性を改善させ
、多孔質絶縁離隔層の均一性を向上させることができる。
絶縁材料と氷酢酸の質量比は、１：０．０５～１、好ましくは１：０．２～０．８、より
好ましくは１：０．３～０．６であり得る。氷酢酸は、スラリーの分散性を改善させ、ス
ラリーの安定性を向上させることができ、したがって多孔質絶縁離隔層の均一性を向上さ
せることができる。
多孔質絶縁離隔層スラリーで第１プレハブ品の多孔質電子輸送層を覆った後、先ず室温で
３～２０ｍｉｎ、好ましくは５～１５ｍｉｎ、より好ましくは１０～１５ｍｉｎ静置して
から、多孔質電子輸送層スラリー上に第１ホットメルト接着剤を塗布する。先ず第１ホッ
トメルト接着剤を塗布してから、室温で静置しても良い。あるいは、静置せずに直接第１
ホットメルト接着剤を塗布しても良い。静置することで、薄膜表面の平坦度が増し、静置
されていない薄膜は比較的粗い。第２ホットメルト接着剤は、ポリウレタンホットメルト
接着剤、オレフィンエラストマー、ポリエーテルスルホン樹脂、コポリアミド、エチレン
－アクリル酸共重合体、エチレン－酢酸ビニル共重合体ホットメルト接着剤のうちの１つ
から選択され得る。好ましくは、第２ホットメルト接着剤は、ポリウレタンホットメルト
接着剤である。より好ましくは、第２ホットメルト接着剤は、深セン恒盛龍接着剤製品有
限会社のＨＳＬ-Ｕ６０型ホットメルト接着剤、上海星霞高分子製品有限会社のＸＪＵ-５
Ｃ型ホットメルト接着剤、江蘇和和新材料株式有限会社のＬＶ３６８Ｂ-１０-ＦＱ型ホッ
トメルト接着剤のうちの１つから選択される。本発明の一実施形態によれば、第２ホット
メルト接着剤は、上海星霞高分子製品有限会社のＸＪＵ-５Ｃ型ホットメルト接着剤であ
る。第２ホトメルト接着剤は、多孔絶縁離隔スラリーを曲面導電性基板上に固定すること
ができ、多孔質絶縁離隔層を向上させ、乾燥後に簡便に取り外され、かつペロブスカイト
太陽電池の性能に影響を与えない。
乾燥は、真空乾燥オーブン内で行われ得る。乾燥温度は、８０～１３０℃、好ましくは９
０～１２０℃、より好ましくは９０～１１０℃であり得る。乾燥時間は、５～２０ｍｉｎ
、好ましくは１０～２０ｍｉｎ、より好ましくは１３～１７ｍｉｎであり得る。これによ
り、第２ホットメルト接着剤によって形成された固体薄膜を取り外しやすくすることがで
き、多孔質絶縁離隔層を曲面導電性基板上に蒸着させることができる。
いくつかの実施形態では、多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品上でレーザーエッチ
ングを行ってエッチング線Ｐ２を形成する。エッチング線Ｐ２は、エッチング線Ｐ１の左
側に位置し、かつエッチング線Ｐ１に接している。エッチング線Ｐ２の幅は、０．３～１
ｍｍ、好ましくは０．４～０．７ｍｍ、より好ましくは０．４～０．６ｍｍであり得る。
いくつかの実施形態では、多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品をアニールするか、
或いはエッチング線Ｐ２を有する第２プレハブ品をアニールする。アニール温度は、３０
０～６００℃、好ましくは４００～６００℃、より好ましくは４５０～５５０℃であり得
る。アニール時間は、１０～６０ｍｉｎ、好ましくは２０～５０ｍｉｎ、より好ましくは
２０～４０ｍｉｎであり得る。これにより、多孔質絶縁離隔層の性能を増強することがで
きる。
多孔質背面電極層を形成するステップ
多孔質背面電極層スラリーで第２プレハブ品の多孔質絶縁離隔層を覆って多孔質背面電極
層を形成して、多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品を得る。具体的には、多孔質背
面電極層スラリーで第２プレハブ品の多孔質絶縁離隔層を覆い、乾燥後に多孔質背面電極
層が形成されることで、多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品が得られる。
多孔質背面電極層スラリーは、シルクスクリーン印刷、スリットコーティング、ブレード
コーティング、インクジェット印刷、スプレー蒸着等の技術によって第２プレハブ品の多
孔質絶縁離隔層を覆い得る。本発明の一実施形態によれば、シルクスクリーン印刷技術に
よって多孔質背面電極層スラリーを第２プレハブ品の多孔質絶縁離隔層上に印刷する。シ
ルクスクリーン印刷技術は、曲面シルクスクリーン印刷機によって実現され得る。
多孔質背面電極層スラリーは、多孔質電極材料と、二酸化ジルコニウムと、エチルセルロ
ースと、テルピネオールとを含み得る。いくつかの実施形態では、多孔質背面電極層スラ
リーは、氷酢酸を更に含み得る。多孔質背面電極層スラリーは、遊星型ボールミルによる
分散、高速剪断機による分散、サンドミルによる分散、自転公転攪拌機、ナノメートル粉
砕による分散等の工程によって製造され得る。
多孔質電極材料は、グラファイト、カーボンブラック、活性炭、グラフェン、カーボンナ
ノチューブ、フッ素ドープ酸化スズ、スズドープ酸化インジウム、アルミニウムドープ酸
化亜鉛のうちの１つ又は複数から選択され得る。本発明の一実施形態によれば、多孔質電
極材料は、グラファイトと、カーボンブラックとの混合物である。グラファイトとカーボ
ンブラックの質量比は、１：０．１５～０．５、好ましくは１：０．２５～０．４、より
好ましくは１：０．３～０．３５であり得る。グラファイトの粒径は、１～１００μｍ、
好ましくは５～５０μｍ、より好ましくは１０～２０μｍであり得る。
二酸化ジルコニウムは、二酸化ジルコニウム粉体である。二酸化ジルコニウムの結晶粒サ
イズは、１０～５００ｎｍ、好ましくは３０～２００ｎｍ、より好ましくは１００～２０
０ｎｍであり得る。グラファイトと二酸化ジルコニウムの質量比は、１：０．１～０．５
、好ましくは１：０．１～０．３、より好ましくは１：０．１５～０．２であり得る。二
酸化ジルコニウムは、強化及び硬化の役割を果たすことができ、焼結後の膜の品質を改善
させ、ひいては背面電極層の電気学性能及び充填性能を向上させる。
エチルセルロースの粘度は、８～６０ｃＰ（センチポアズ）、好ましくは１０～５５ｃＰ
、より好ましくは１０～４６ｃＰ（センチポアズ）であり得る。エチルセルロースは、粘
度が１０ｃＰであるエチルセルロース、粘度が２０ｃＰであるエチルセルロース、粘度が
４６ｃＰであるエチルセルロース又は粘度が５５ｃＰであるエチルセルロースのうちの１
つ又は複数から選択され得る。好ましくは、エチルセルロースは、粘度が１０ｃＰである
エチルセルロース又は粘度が４６ｃＰであるエチルセルロースのうちの１つ又は複数から
選択される。より好ましくは、エチルセルロースは、粘度が１０ｃＰであるエチルセルロ
ースと、粘度が４６ｃＰであるエチルセルロースとの混合物である。粘度が１０ｃＰであ
るエチルセルロースと粘度が４６ｃＰであるエチルセルロースの質量比は、１：０．０１
～３、好ましくは１：０．０５～２、より好ましくは１：０．７～１．２であり得る。グ
ラファイトとエチルセルロースの質量比は、１：０．１～０．５、好ましくは１：０．１
～０．３、より好ましくは１：０．１５～０．２であり得る。これにより、多孔質背面電
極層を曲面導電性基板上に堅固に蒸着させることばかりではなく、多孔質背面電極層スラ
リーの流動性を調節することもでき、多孔質背面電極層の均一性を改善させる。
テルピネオールは、α-テルピネオール、β-テルピネオール又はγ-テルピネオールのう
ちの１つ又は複数から選択され得、好ましくはα-テルピネオール及びγ-テルピネオール
である。α-テルピネオールとγ-テルピネオールの質量比は、１：０．０１～３、好まし
くは１：０．５～２、より好ましくは１：０．８～１．３であり得る。これにより、曲面
導電性基板上に均一な多孔質背面電極層を形成するのに役立つ。グラファイトとテルピネ
オールの質量比は、１：２～６、好ましくは１：２～５、より好ましくは１：３～５であ
り得る。これにより、多孔質背面電極層スラリーの流動性を改善させることができ、多孔
質背面電極層の均一性を改善させる。
グラファイトと氷酢酸の質量比は、１：０．０１～０．６、好ましくは１：０．０５～０
．４、より好ましくは１：０．１～０．２であり得る。氷酢酸は、スラリーの分散性を改
善させ、スラリーの安定性を向上させることができ、したがって多孔質背面電極層の均一
性を向上させることができる。
乾燥は、真空乾燥オーブン内で行われ得る。乾燥温度は、８０～１３０℃、好ましくは９
０～１２０℃、より好ましくは９０～１０℃であり得る。乾燥の時間は、５～２０ｍｉｎ
、好ましくは１０～２０ｍｉｎ、より好ましくは１３～１７ｍｉｎであり得る。
いくつかの実施形態では、多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品上でレーザーエッチ
ングを行ってエッチング線Ｐ３を形成する。エッチング線Ｐ３は、エッチング線Ｐ２の左
側に位置し、かつエッチング線Ｐ２に接している。エッチング線Ｐ３の幅は、０．０５～
０．３ｍｍ、好ましくは０．０７～０．１４ｍｍ、より好ましくは０．０８～０．１２ｍ
ｍであり得る。
いくつかの実施形態では、多孔質背面電極層の第３プレハブ品をアニールするか、或いは
エッチング線Ｐ３を有する第３プレハブ品をアニールする。アニール温度は、３００～６
００℃、好ましくは３００～５００℃、より好ましくは３５０～４５０℃であり得る。ア
ニール時間は、１０～６０ｍｉｎ、好ましくは２０～５０ｍｉｎ、より好ましくは２０～
４０ｍｉｎであり得る。これにより、多孔質メソポーラス膜の機械的性能を増強して、ペ
ロブスカイト前駆体スラリーの充填を容易にすることができる。
ペロブスカイトを充填するステップ
ペロブスカイト前駆体スラリーを第３プレハブ品の多孔質背面電極層上に印加して、ペロ
ブスカイト前駆体スラリーが多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層
の空隙に充填されるようにして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池を得る。
ペロブスカイト前駆体スラリーは、ペロブスカイト構造を有する化合物と、溶剤とを含む
。ペロブスカイト構造を有する化合物は、式（Ｉ）に示す通りである。
ＡＢＸ３（Ｉ）
Ａは、アルキルアミン、ホルマミジン又はアルカリ金属から形成された陽イオンである。
好ましくは、Ａは、メチルアミン、ホルマミジン、セシウム又はルビジウムから形成され
た陽イオンである。より好ましくは、Ａは、メチルアミンから形成された陽イオンである
。Ｂは、鉛又はスズから形成された陽イオンである。好ましくは、Ｂは、鉛から形成され
た陽イオンである。Ｘは、ヨウ素、臭素、塩素又は擬ハロゲンから形成された陰イオンで
ある。擬ハロゲンの実例は、ジシアン、チオシアン、セレンシアン、オキシシアン、アジ
ド二硫化炭素を含むが、これらに限定されない。好ましくは、Ｘはヨウ素から形成された
陰イオンである。本発明の一実施形態によれば、ペロブスカイト構造を有する化合物は、
ヨウ化メチルアンモニウム（ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３）である。溶剤は、γ-ブチロラクト
ン、Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ-メチルホルムアミド、メチルピロリドン又はジメ
チルスルホキシドのうちの1つ又は複数から選択され得る。好ましくは、溶剤は、γ-ブチ
ロラクトン、Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ-メチルホルムアミドのうちの1つ又は複数
から選択される。より好ましくは、溶剤は、γ-ブチロラクトンである。ペロブスカイト
前駆体スラリー中の溶質の質量分率は、１５～４５ｗｔ％、好ましくは２０～４０ｗｔ％
、より好ましくは２５～３５ｗｔ％であり得る。
ディスペンシングの方式によってペロブスカイト前駆体スラリーを第３プレハブ品の多孔
質背面電極層上に印加し得る。ペロブスカイト前駆体スラリーが多孔質電子輸送層、多孔
質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層の多孔質構造に充填された後、アニールが行われる。
アニール温度は、５０～１５０℃、好ましくは５０～１００℃、より好ましくは５０～７
０℃であり得る。アニール時間は、０．５～２４ｈ、好ましくは１～１２ｈ、より好まし
くは６～１２ｈであり得る。
封止のステップ
ホットメルト接着剤膜で印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の多孔質背面電極層を覆
った後、可撓性バックプレートを置き、真空ラミネート後に印刷可能な曲面ペロブスカイ
ト太陽電池の封止を完成する。可撓性バックプレート層は、防水及び絶縁役割を有する可
撓性機能膜であり得る。ホットメルト接着剤膜は、ポリウレタンホットメルト接着剤又は
エチレン－酢酸ビニル共重合体ホットメルト接着剤であり得る。ホットメルト接着剤膜の
コーティング膜厚は、０．３～０．８ｍｍであり得る。真空ラミネート温度は、９０～１
２０℃であり得る。真空ラミネート時間は、５～１５ｍｉｎであり得る。
本発明は、スラリー中のテルピネオール及びエチルセルロースのモデル及び用量の調合比
率を調整することにより、室温でのスラリーの粘度を増大させるとともに、印刷温度での
スラリーの良好な流動性を保ち、曲面薄膜印刷の可制御性を向上させる。表面をホットメ
ルト接着剤で覆う方式によって印刷後の曲面薄膜を固定することで、膜形成の均一性を向
上させる。
以下では、具体的な実施例を通して本発明の実施形態をさらに説明することにする。
以下の実施例及び比較例におけるホットメルト接着剤は、モデルがＸＪＵ-５Ｃであり、
上海星霞高分子製品有限会社から購入されたものである。曲面シルクスクリーン印刷機は
、モデルがＡＴＭＡＯＥ６７であり、東遠機械工業（昆山）有限会社から購入されたもの
である。ナノ秒レーザーエッチング機は、モデルがＥＴ６６０であり、武漢拓普銀光電技
術有限会社から購入されたものである。フェムトセカンドレーザーエッチング機は、モデ
ルがＥＴＧ１３７０であり、武漢元禄光電技術有限会社から購入されたものである。曲面
導電性基板は、曲面透明ガラス基板と、曲面透明ガラス基板上に蒸着されたフッ素ドープ
酸化スズ導電層から構成される。二酸化チタンスラリーは、モデルがＮＲ-３０であり、
オーストラリアＧｒｅａｔｃｅｌｌ ｓｏｌａｒ社から購入されたものであり、二酸化チ
タンの結晶粒サイズは３０ｎｍである。二酸化ジルコニウム粉体の結晶粒サイズは５０ｎ
ｍである。グラファイトの粒径は１５μｍである。
実施例１
図２は、本発明の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の構造概略図である。印刷可能
な曲面ペロブスカイト太陽電池は、曲面導電性基板を有する。曲面導電性基板は、曲面透
明基板１と、曲面透明基板１上に蒸着された導電層２とを含む。多孔質電子輸送層３、多
孔質絶縁離隔層４及び多孔質背面電極層５は、下から上に導電層２上に順次蒸着されてい
る。ペロブスカイトフィラーは、多孔質電子輸送層２、多孔質絶縁離隔層３及び多孔質背
面電極層４の空隙に充填される。印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法は次
の通りである。
（１）曲面導電性基板をHellmanexRIII洗浄剤に置いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄した後、
エタノールで１０ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄された曲面導電性基板を５５℃で乾燥させ
て、清潔な曲面導電性基板を得る。清潔な曲面導電性基板をプロファイルモデリング治具
上に置き、真空で吸着固定させる。ナノ秒レーザーエッチング機を採用して曲面導電性基
板の導電層をレーザーエッチングして、エッチング線Ｐ１を形成する。エッチング線Ｐ１
の幅は０．０８ｍｍである。エッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を脱イオン水に置
いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄した後、エタノール中で５ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄され
たエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を６０℃で乾燥させて、その表面に水分や斑
点不純物がないようにする。乾燥されたエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を紫外
線及びオゾンで１５ｍｉｎ処理する。
（２）多孔質電子輸送層スラリーの原料を混合し、４５ｍｉｎ真空消泡させて、多孔質電
子輸送層スラリーを得る。多孔質電子輸送層スラリーの組成は、表１に示す通りである。
シルクスクリーン曲面印刷機を採用してエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電
層上に多孔質電子輸送層スラリーを印刷する。多孔質電子輸送層スラリーが印刷された曲
面導電性基板を室温で１０ｍｉｎ静置してから、ポリウレタンホットメルト接着剤で多孔
質電子輸送層スラリーを均一に覆った後、真空乾燥オーブンに置いて、１００℃で１５ｍ
ｉｎ真空乾燥させる。真空乾燥が完了した後、ポリウレタン膜を取り外して、多孔質電子
輸送層を有する第１プレハブ品を得る。多孔質電子輸送層を有する第１プレハブ品を５０
０℃で３０ｍｉｎアニールする。
（３）多孔質絶縁離隔層スラリーの原料を遊星ボールミルで均一に分散させ、４５ｍｉｎ
真空消泡させて、多孔質絶縁離隔層スラリーを得る。多孔質絶縁離隔層スラリーの組成は
、表２に示す通りである。シルクスクリーン曲面印刷機を採用して第１プレハブ品の多孔
質電子輸送層上に多孔質絶縁離隔層スラリーを印刷する。多孔質絶縁離隔層スラリーが印
刷されている第１プレハブ品を室温で１０ｍｉｎ静置してから、ポリウレタンホットメル
ト接着剤で多孔質絶縁離隔層スラリーに覆った後、真空乾燥オーブンに置いて、１００℃
で１５ｍｉｎ真空乾燥させる。真空乾燥が完了した後、ポリウレタン膜を取り外して、多
孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品を得る。
（４）多孔質背面電極層スラリーを遊星ボールミルで分散させ、多孔質背面電極層スラリ
ーの組成は、表３に示す通りである。シルクスクリーン曲面印刷機を採用して第２プレハ
ブ品の多孔質絶縁離隔層上に多孔質背面電極層スラリーを印刷する。多孔質背面電極層ス
ラリーが印刷されている第２プレハブ品を真空乾燥オーブンに置いて、１００℃で１５ｍ
ｉｎ真空乾燥させて、多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品を得る。多孔質背面電極
層を有する第３プレハブ品を４００℃で３０ｍｉｎアニールし、室温まで冷却させる。
（５）ディスペンシングを採用する方式は、ヨウ化メチルアンモニウム前駆体スラリー（
溶剤がγ-ブチロラクトンであり、溶質の質量分率が３０ｗｔ％である）を多孔質背面電
極層上に印加して、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層の空隙に
浸透させる。得られた産物を５０℃で１０ｈアニールして、印刷可能な曲面ペロブスカイ
ト太陽電池を得る。実物は、図１に示す通りである。
（６）印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の多孔質背面電極層をポリウレタン膜で覆
い（コーティング膜厚は０．５ｍｍである）、可撓性バックプレートを置いた後、１１０
℃で１５ｍｉｎラミネートして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の封止を完成す
る。
実施例２
実施例２は、ステップ（２）～ステップ（３）において実施例１と異なる。詳細は以下の
通りである。
（１）曲面導電性基板をHellmanexRIII洗浄剤に置いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄した後、
エタノール中で１０ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄された曲面導電性基板を５５℃で乾燥さ
せて、清潔な曲面導電性基板を得る。清潔な曲面導電性基板をプロファイルモデリング治
具上に置き、真空で吸着固定させる。ナノ秒レーザーエッチング機を採用して曲面導電性
基板の導電層をレーザーエッチングして、エッチング線Ｐ１を形成する。エッチング線Ｐ
１の幅は０．０８ｍｍである。エッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を脱イオン水に
置いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄した後、エタノールで５ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄され
たエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を６０℃で乾燥させて、その表面に水分や斑
点不純物がないようにする。乾燥されたエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を紫外
線及びオゾンで１５ｍｉｎ処理する。
（２）多孔質電子輸送層スラリーの原料を混合し、４５ｍｉｎ真空消泡させて、多孔質電
子輸送層スラリーを得る。多孔質電子輸送層スラリーの組成は、表１に示す通りである。
シルクスクリーン曲面印刷機を採用してエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電
層上に多孔質電子輸送層スラリーを印刷する。ポリウレタンホットメルト接着剤で多孔質
電子輸送層スラリーを均一に覆った後、真空乾燥オーブンに置いて、１００℃で１５ｍｉ
ｎ真空乾燥させる。真空乾燥が完了した後、ポリウレタン膜を取り外して、多孔質電子輸
送層を有する第１プレハブ品を得る。多孔質電子輸送層を有する第１プレハブ品を５００
℃で３０ｍｉｎアニールする。
（３）多孔質絶縁離隔層スラリーの原料を遊星ボールミルで均一に分散させ、４５ｍｉｎ
真空消泡させて、多孔質絶縁離隔層スラリーを得る。多孔質絶縁離隔層スラリーの組成は
、表２に示す通りである。シルクスクリーン曲面印刷機を採用して第１プレハブ品の多孔
質電子輸送層上に多孔質絶縁離隔層スラリーを印刷する。ポリウレタンホットメルト接着
剤で多孔質絶縁離隔層スラリーを均一に覆った後、真空乾燥オーブンに置いて、１００℃
で１５ｍｉｎ真空乾燥させる。真空乾燥が完了した後、ポリウレタン膜を取り外して、多
孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品を得る。
（４）多孔質背面電極層スラリーを遊星ボールミルで分散させ、多孔質背面電極層スラリ
ーの組成は、表３に示す通りである。シルクスクリーン曲面印刷機を採用して第２プレハ
ブ品の多孔質絶縁離隔層上に多孔質背面電極層スラリーを印刷する。多孔質背面電極層ス
ラリーが印刷されている第２プレハブ品を真空乾燥オーブンに置いて、１００℃で１５ｍ
ｉｎ真空乾燥させて、多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品を得る。多孔質背面電極
層を有する第３プレハブ品を４００℃で３０ｍｉｎアニールし、室温まで冷却させる。
（５）ディスペンシングの方式によってヨウ化メチルアンモニウム前駆体スラリー（溶剤
がγ-ブチロラクトンであり、溶質の質量分率が３０ｗｔ％である）を多孔質背面電極層
上に印加して、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層の空隙に浸透
させる。得られた産物を５０℃で１０ｈアニールして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太
陽電池を得る。
（６）印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の多孔質背面電極層をポリウレタン膜で覆
い（コーティング膜厚は０．５ｍｍである）、可撓性バックプレートを置いた後、１１０
℃で１５ｍｉｎラミネートして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の封止を完成す
る。本実施例では、多孔質電子輸送層スラリー及び多孔質絶縁離隔層スラリーの室温での
粘度は比較的低い。上記のスラリーを印刷した後、室温で静置すると、基板が曲面構造を
有するため、スラリーが深刻に流れ、薄膜の形成に不利である。したがって、本実施例で
は、上記のスラリーを印刷した後に室温で静置するステップが省略されている。これによ
り、印刷可能な曲面太陽電池が製造され得る。然しながら、得られた薄膜は、表面が比較
的粗く、平坦性が良くない。
実施例３
実施例３は、ステップ（３）～ステップ（４）において実施例１と異なる。詳細は以下の
通りである。
（１）曲面導電性基板をHellmanexRIII洗浄剤に置いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄したあ後
、エタノールで１０ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄された曲面導電性基板を５５℃で乾燥さ
せて、清潔な曲面導電性基板を得る。清潔な曲面導電性基板をプロファイルモデリング治
具上に置き、真空で吸着固定させる。ナノ秒レーザーエッチング機を採用して曲面導電性
基板の導電層をレーザーをエッチングして、エッチング線Ｐ１を形成する。エッチング線
Ｐ１の幅は、０．０８ｍｍである。エッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を脱イオン
水に置いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄した後、エタノールで５ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄
されたエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を６０℃で乾燥させて、その表面に水分
や斑点不純物がないようにする。乾燥されたエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を
紫外線及びオゾンで１５ｍｉｎ処理する。
（２）多孔質電子輸送層スラリーの原料を混合し、４５ｍｉｎ真空消泡させて、多孔質電
子輸送層スラリーを得る。多孔質電子輸送層スラリーの組成は、表１に示す通りである。
シルクスクリーン曲面印刷機を採用してエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電
層上に多孔質電子輸送層スラリーを印刷する。多孔質電子輸送層スラリーが印刷された曲
面導電性基板を室温で１０ｍｉｎ静置してから、ポリウレタンホットメルト接着剤で多孔
質電子輸送層スラリーを均一に覆った後、真空乾燥オーブンに置いて、１００℃で１５ｍ
ｉｎ真空乾燥させる。真空乾燥が完了した後、ポリウレタン膜を取り外して、多孔質電子
輸送層を有する第１プレハブ品を得る。多孔質電子輸送層を有する第１プレハブ品を５０
０℃で３０ｍｉｎアニールする。
（３）多孔質絶縁離隔層スラリーの原料を遊星ボールミルで均一に分散させ、４５ｍｉｎ
真空消泡させて、多孔質絶縁離隔層スラリーを得る。多孔質絶縁離隔層スラリーの組成は
、表２に示す通りである。シルクスクリーン曲面印刷機を採用して第１プレハブ品の多孔
質電子輸送層上に多孔質絶縁離隔層スラリーを印刷する。多孔質絶縁離隔層スラリーが印
刷された第１プレハブ品を室温で１０ｍｉｎ静置してから、ポリウレタンホットメルト接
着剤で多孔質絶縁離隔層スラリーを均一に覆った後、真空乾燥オーブンに置いて、１００
℃で１５ｍｉｎ真空乾燥させる。真空乾燥が完了した後、ポリウレタン膜を取り外して、
多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品を得る。フェムトセカンドレーザーエッチング
機を採用して第２プレハブ品上でエッチングを行って、エッチング線Ｐ２を形成する。エ
ッチング線Ｐ２は、エッチング線Ｐ１の左側に位置しかつエッチング線Ｐ１に接しており
、エッチング線Ｐ２の幅は０．５ｍｍである。
（４）多孔質背面電極層スラリーを遊星ボールミルで分散させ、多孔質背面電極層スラリ
ーの組成は、表３に示す通りである。シルクスクリーン曲面印刷機を採用してエッチング
線Ｐ２を有する第２プレハブ品的多孔質絶縁離隔層上に多孔質背面電極層スラリーを印刷
する。多孔質背面電極層スラリーが印刷されている第２プレハブ品を真空乾燥オーブンに
置いて、１００℃で１５ｍｉｎ真空乾燥させ、室温まで冷却させて、多孔質背面電極層を
有する第３プレハブ品を得る。フェムトセカンドレーザーエッチング機を採用して第３プ
レハブ品上でエッチングを行って、エッチング線Ｐ３を形成する。エッチング線Ｐ３は、
エッチング線Ｐ２の左側に位置しかつエッチング線Ｐ２に接しており、エッチング線Ｐ３
の幅は０．１ｍｍである。エッチング線Ｐ３を有する第３プレハブ品を４００℃で３０ｍ
ｉｎアニールし、室温まで冷却させる。
（５）ディスペンシングの方式によってヨウ化メチルアンモニウム前駆体スラリー（溶剤
がγ-ブチロラクトンであり、溶質の質量分率が３０ｗｔ％である）を多孔質背面電極層
上に印加して、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層の空隙に浸透
させた後、５０℃で１０ｈアニールして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池を得る
。
（６）印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の多孔質背面電極層をポリウレタン膜で覆
い（コーティング膜厚は０．５ｍｍである）、可撓性バックプレートを置いた後、１１０
℃で１５ｍｉｎラミネートして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の封止を完成す
る。
表１
Figure 2023510993000002
表２


Figure 2023510993000003
表３

Figure 2023510993000004
比較例１
比較例１は、ポリウレタンホットメルト接着剤で多孔質電子輸送層スラリーを均一に覆う
ステップが省略されているという点において実施例１と異なる。詳細は以下の通りである
。
（１）曲面導電性基板をHellmanexRIII洗浄剤に置いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄した後、
エタノールで１０ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄された曲面導電性基板を５５℃で乾燥させ
て、清潔な曲面導電性基板を得る。清潔な曲面導電性基板をプロファイルモデリング治具
上に置き、真空で吸着固定させる。ナノ秒レーザーエッチング機を採用して曲面導電性基
板の導電層をレーザーエッチングして、エッチング線Ｐ１を形成する。エッチング線Ｐ１
の幅は、０．０８ｍｍである。エッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を脱イオン水に
置いて、１５ｍｉｎ超音波洗浄した後、エタノールで５ｍｉｎ超音波洗浄する。洗浄され
たエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を６０℃で乾燥させて、その表面に水分や斑
点不純物がないようにする。乾燥されたエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板を紫外
線及びオゾンで１５ｍｉｎ処理する。
（２）多孔質電子輸送層スラリーの原料を混合し、４５ｍｉｎ真空消泡させて、多孔質電
子輸送層スラリーを得る。多孔質電子輸送層スラリーの組成は、表１に示す通りである。
シルクスクリーン曲面印刷機を採用してエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電
層上に多孔質電子輸送層スラリーを印刷する。多孔質電子輸送層スラリーが印刷された曲
面導電性基板を室温で１０ｍｉｎ静置した後、真空乾燥オーブンに置いて、１００℃で１
５ｍｉｎ真空乾燥させる。
多孔質電子輸送層は、１００℃でスラリー粘度が低下した。導電性基板は曲面であるため
、ポリウレタン膜の補助的固定がなく、スラリーが深刻に流れ、乾燥された後には曲面導
電性基板上に薄膜を形成することが不可能であり、多孔質電子輸送層を有する第１プレハ
ブ品が取得できず、ひいては曲面ペロブスカイト太陽電池を製造することができない。
実験例
１．１ スラリーの粘度試験
米国ブルックフィールド（Ｂｒｏｏｋｆｉｅｌｄ）のＤＶ２ＴＬＶ型粘度計で１８～４０
℃でのスラリーの粘度を測定する。得られた結果は、図３及び図４に示す通りである。
Ｔ１１は実施例１の多孔質電子輸送層スラリーを表し、Ｔ１０は実施例２の多孔質電子輸
送層スラリーを表し、Ｚ１１は実施例１の多孔質絶縁離隔層スラリーを表し、Ｚ１０は実
施例２の多孔質絶縁離隔層スラリーを表す。
図３から、多孔質電子輸送層スラリーは温度の影響を比較的著しく受け、温度が上がると
、多孔質電子輸送層スラリーの粘度は低下することが分かる。温度が４０℃に上昇すると
、Ｔ１０粘度は僅か１１０ｃＰ、Ｔ１１粘度は約５１０ｃＰになり、Ｔ１０及びＴ１１の
流動性はいずれも曲面印刷条件を満たすことができるが、Ｔ１１の可制御性がより強くな
り、膜形成の均一性に有利である。室温（２５℃）で、Ｔ１０の粘度は約４５０ｃＰであ
り、Ｔ１１の粘度は約１８００ｃＰである。Ｔ１１の粘度は著しく増大し、流動性は著し
く低下し、室温での薄膜の可制御性に有利であり、したがってより均一な膜形成をもたら
す。
図４から、多孔質絶縁離隔層スラリーは温度の影響を比較的著しく受け、温度が上がると
、多孔質絶縁離隔層スラリーの粘度は低下することが分かる。温度が３８℃に上昇すると
、Ｚ１１の粘度は約５００００ｃＰになり、その流動性はＺ１０よりもはるかに低くなり
、Ｚ１１は曲面印刷の要件を満たすだけでなく、膜形成の可制御性を向上させることもで
きる。室温（２５℃）で，Ｚ１１の粘度は約１０００００ｃＰであり、Ｚ１０の粘度は約
５００００ｃＰであり、Ｚ１１の粘度は約Ｚ１０の粘度の２倍であり、Ｚ１１によって形
成される薄膜の可制御性能が強く、膜形成の均一性を高めるのに有利である。
１．２ 多孔質電子輸送層の膜厚試験
第１プレハブ品を室温まで冷却し、第１プレハブ品の表面で１０ｃｍ×１０ｃｍの領域を
選択し、フェムトセカンドレーザーエッチング機を採用して選択領域内で十字形に交差す
るグリッドをエッチングした後、ドイツのＢｒｕｋｅｒのプローブタイプのステッププロ
ファイラー（モデルがＤｅｋｔａｋ ＸＴである）を採用して多孔質電子輸送層の厚さを
測定する。試験曲面内の多孔質電子輸送層の膜厚データに基づいて、多孔質電子輸送層の
三次元プロファイルを描画する。
図５は実施例１の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーであり、図６は
実施例２の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーである。
図５及び図６から、実施例１の多孔質電子輸送層の厚さは約５５０ｎｍであり、表面及び
周囲が比較的平坦であり、薄膜の均一性は良好であることが分かる。実施例２の多孔質電
子輸送層の厚さは約６００ｎｍであり、表面の厚さが比較的大きく変動し、エッジ位置で
スラリーが深刻に流失され、膜厚は僅か３００ｎｍであり、中心位置との差は３００ｎｍ
を超える。
１．３ 多孔質絶縁離隔層膜厚試験
第２プレハブ品を室温まで冷却し、第２プレハブ品の表面で１０ｃｍ×１０ｃｍ領域を選
択し、フェムトセカンドレーザーエッチング機を採用して選択領域内で十字形に交差する
グリッドをエッチングした後、ドイツのＢｒｕｋｅｒのプローブタイプのステッププロフ
ァイラーを採用して多孔質電子輸送層の厚さを測定する。試験曲面内の多孔質電子輸送層
の膜厚データに基づいて、多孔質電子輸送層三次元プロファイルトポグラフィーを描画す
る。
図７は実施例１の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーであり、図８は
実施例２の多孔質電子輸送層の三次元プロファイルトポグラフィーである。
図７及び図８から、実施例１の多孔質絶縁離隔層の厚さは約２.２μｍであり、表面及び
周囲が比較的平坦であり、多孔質薄膜の均一性は良好であることが分かる。実施例２の多
孔質絶縁離隔層の厚さが比較的大きく変動し、試験領域における膜厚分布は２.０～４.０
μｍの範囲にある。これは主に、スラリーの流動性が比較的良くて、スラリーの流動凝集
によるものであり、エッジの薄膜の厚さは４.０μｍであり、中心位置の膜厚は２.０μｍ
であり、厚さの差は２.０μｍを超える。
本発明は、上記の実施形態に限定されず、本発明の実質的内容から逸脱することなく当業
者によって想到され得る任意の変形、改良及び置換は全て本発明の範囲に含まれる。

Claims (10)

  1. 印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池であって、
    曲面導電性基板と、多孔質電子輸送層と、多孔質絶縁離隔層と、多孔質背面電極層と、ペ
    ロブスカイトフィラーとを含み、
    前記曲面導電性基板は、曲面透明基板と、曲面透明基板上に蒸着された導電層とを含み、
    前記多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電極層は、下から上に導電層上
    に順次蒸着され、
    前記ペロブスカイトフィラーは、多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面電
    極層の空隙に充填されることを特徴とする印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池。
  2. 前記多孔質電子輸送層の厚さは３００～１０００ｎｍであり、前記多孔質絶縁離隔層の厚
    さは１～６μｍであり、前記多孔質背面電極層の厚さは１０～４０μｍであることを特徴
    とする請求項１に記載の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池。
  3. 請求項１又は２に記載の印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池の製造方法であって、
    （１）清潔な曲面導電性基板をレーザーエッチングして、エッチング線Ｐ１を形成するス
    テップと、
    （２）多孔質電子輸送層スラリーでエッチング線Ｐ１を有する曲面導電性基板の導電層を
    覆った後、ホットメルト接着剤で多孔質電子輸送層スラリーを覆って第１ホットメルト接
    着剤膜を形成し、第１ホットメルト接着剤膜を取り外した後に多孔質電子輸送層を有する
    第１プレハブ品を得るステップと、
    （３）多孔質絶縁離隔層スラリーで第１プレハブ品の多孔質電子輸送層を覆った後、第２
    ホットメルト接着剤で多孔質絶縁離隔層スラリーを覆って第２ホットメルト接着剤膜を形
    成し、第２ホットメルト接着剤膜を取り外した後に多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハ
    ブ品を得るステップと、
    （４）多孔質背面電極層スラリーで第２プレハブ品の多孔質絶縁離隔層を覆って多孔質背
    面電極層を形成して、多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品を得るステップと、
    （５）ペロブスカイト前駆体スラリーを第３プレハブ品の多孔質背面電極層上に印加して
    、ペロブスカイト前駆体スラリーが多孔質電子輸送層、多孔質絶縁離隔層及び多孔質背面
    電極層の空隙に充填されるようにして、印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池を得るス
    テップと
    を含むことを特徴とする製造方法。
  4. 第１ホットメルト接着剤及び第２ホットメルト接着剤は、それぞれポリウレタン、オレフ
    ィンエラストマー、ポリエーテルスルホン樹脂、コポリアミド、エチレン－アクリル酸共
    重合体又はエチレン－酢酸ビニル共重合体のうちの１つから独立的に選択されることを特
    徴とする請求項３に記載の製造方法。
  5. 前記多孔質電子輸送層スラリーは、電子輸送材料とテルピネオールとを含み、前記多孔質
    電子輸送層スラリー中の電子輸送材料の固形分は２～１０ｗｔ％であり、
    前記テルピネオールにα-テルピネオールが含まれており、テルピネオール中の前記α-テ
    ルピネオールの含有量は３０ｗｔ％以上であり、
    前記電子輸送材料は、二酸化チタン、二酸化スズ、酸化亜鉛又はスズ酸バリウムのうちの
    １つ又は複数から選択されることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
  6. 前記多孔質絶縁離隔層スラリーは、絶縁材料と、エチルセルロースと、テルピネオールと
    を含み、絶縁材料とエチルセルロースの質量比は、１：０．１５～０．４であり、絶縁材
    料とテルピネオールの質量比は１：２～６であり、絶縁材料は、二酸化ジルコニウム、二
    酸化ケイ素、酸化アルミニウム又はチタン酸バリウムのうちの１つ又は複数から選択され
    、テルピネオールにα-テルピネオールが含まれており、テルピネオール中の前記α-テル
    ピネオールの含有量は３０ｗｔ％以上であり、
    前記多孔質背面電極層スラリーは、グラファイトと、カーボンブラックと、二酸化ジルコ
    ニウムと、エチルセルロースと、テルピネオールとを含み、
    前記グラファイトと二酸化ジルコニウムの質量比は１：０．１５～０．５であり、前記グ
    ラファイトと二酸化ジルコニウムの質量比は１：０．１～０．５であり、前記グラファイ
    トとエチルセルロースの質量比は１：０．１～０．５であり、前記グラファイトとテルピ
    ネオールの質量比は１：２～６であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
  7. 前記多孔質絶縁離隔層スラリーは氷酢酸を更に含み、絶縁材料と氷酢酸の質量比は１：０
    ．０５～１であり、
    前記多孔質背面電極層スラリーは氷酢酸を更に含み、前記グラファイトと氷酢酸の質量比
    は１：０．０１～０．６であることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
  8. 多孔質電子輸送層を有する第１プレハブ品を３００～６００℃で１０～６０ｍｉｎアニー
    ルした後、ステップ（３）に使用するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記
    載の製造方法。
  9. 多孔質絶縁離隔層を有する第２プレハブ品上でレーザーエッチングを行ってエッチング線
    Ｐ２を形成するステップを更に含み、
    前記エッチング線Ｐ２は、前記エッチング線Ｐ１の左側に位置し、かつエッチング線Ｐ１
    に接しており、前記エッチング線Ｐ２の幅は０．３～１ｍｍであることを特徴とする請求
    項３に記載の製造方法。
  10. 多孔質背面電極層を有する第３プレハブ品上でレーザーエッチングを行ってエッチング線
    Ｐ３を形成した後、３００～６００℃で１０～６０ｍｉｎアニールするステップを更に含
    み、
    前記エッチング線Ｐ３は、前記エッチング線Ｐ２の左側に位置し、かつエッチング線Ｐ２
    に接しており、前記エッチング線Ｐ３の幅は０．０５～０．３ｍｍであることを特徴とす
    る請求項９に記載の製造方法。
JP2022515653A 2020-12-17 2020-12-17 印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池及其製造方法 Active JP7430781B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2020/137186 WO2022126479A1 (zh) 2020-12-17 2020-12-17 可印刷曲面钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023510993A true JP2023510993A (ja) 2023-03-16
JP7430781B2 JP7430781B2 (ja) 2024-02-13

Family

ID=82021524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022515653A Active JP7430781B2 (ja) 2020-12-17 2020-12-17 印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11776763B2 (ja)
EP (1) EP4266391A4 (ja)
JP (1) JP7430781B2 (ja)
CN (1) CN115039245A (ja)
WO (1) WO2022126479A1 (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104091889A (zh) * 2014-07-24 2014-10-08 华中科技大学 半导体钙钛矿太阳能电池及其制备方法
JP2016502282A (ja) * 2012-12-20 2016-01-21 イッサム リサーチ ディベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブライ ユニバーシティー オブ エルサレム リミテッドＹｉｓｓｕｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｏｆ Ｔｈｅ Ｈｅｂｒｅｗ Ｕｎｉｖｅｒｓｔｙ Ｏｆ Ｊｅｒｕｓａｌｅｍ Ｌｔｄ． ペロブスカイトショットキー型太陽電池
CN106129251A (zh) * 2016-07-14 2016-11-16 华中科技大学 一种柔性钙钛矿电池的结构及其制备方法
CN108878657A (zh) * 2018-06-30 2018-11-23 浙江天地环保科技有限公司 一种高效率碳基钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN109860400A (zh) * 2019-01-30 2019-06-07 石家庄铁道大学 高温大面积制备柔性云母透明太阳能电池
US20190319145A1 (en) * 2018-04-12 2019-10-17 Beijing Hanergy Solar Power Investment Co., Ltd. Solar cell module, preparation method and vehicle
CN110473973A (zh) * 2019-07-17 2019-11-19 北京大学深圳研究生院 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池
CN111211225A (zh) * 2020-01-10 2020-05-29 湖北大学 太阳能电池介孔层浆料及制备方法、太阳能电池及制备方法和应用、发电模组、发电系统
CN111223994A (zh) * 2020-01-17 2020-06-02 桂林电子科技大学 一种采用羰基小分子作为添加剂的全印刷介观钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7524528B2 (en) 2001-10-05 2009-04-28 Cabot Corporation Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate
WO2017079063A1 (en) 2015-11-04 2017-05-11 The Florida State University Research Foundation, Inc. Printed halide perovskite light-emitting diodes and method of manufacture
CN107146847B (zh) 2017-05-16 2019-05-21 华中科技大学 一种新型基于碳电极全固态可印刷钙钛矿太阳能电池
CN109698251B (zh) * 2017-10-24 2020-05-19 华中科技大学 一种铁电增强型的太阳能电池及其制备方法
JP7230524B2 (ja) * 2018-03-30 2023-03-01 株式会社リコー 光電変換素子、光電変換素子モジュール、電子機器、及び電源モジュール
CN108365106A (zh) * 2018-04-04 2018-08-03 石家庄铁道大学 一种无机柔性透明太阳能电池
CN108550705A (zh) 2018-06-30 2018-09-18 浙江浙能技术研究院有限公司 一种钙钛矿太阳能电池模块
CN108574048A (zh) * 2018-06-30 2018-09-25 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种新型钙钛矿太阳能电池模块

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016502282A (ja) * 2012-12-20 2016-01-21 イッサム リサーチ ディベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブライ ユニバーシティー オブ エルサレム リミテッドＹｉｓｓｕｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｏｆ Ｔｈｅ Ｈｅｂｒｅｗ Ｕｎｉｖｅｒｓｔｙ Ｏｆ Ｊｅｒｕｓａｌｅｍ Ｌｔｄ． ペロブスカイトショットキー型太陽電池
CN104091889A (zh) * 2014-07-24 2014-10-08 华中科技大学 半导体钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106129251A (zh) * 2016-07-14 2016-11-16 华中科技大学 一种柔性钙钛矿电池的结构及其制备方法
US20190319145A1 (en) * 2018-04-12 2019-10-17 Beijing Hanergy Solar Power Investment Co., Ltd. Solar cell module, preparation method and vehicle
CN108878657A (zh) * 2018-06-30 2018-11-23 浙江天地环保科技有限公司 一种高效率碳基钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN109860400A (zh) * 2019-01-30 2019-06-07 石家庄铁道大学 高温大面积制备柔性云母透明太阳能电池
CN110473973A (zh) * 2019-07-17 2019-11-19 北京大学深圳研究生院 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池
CN111211225A (zh) * 2020-01-10 2020-05-29 湖北大学 太阳能电池介孔层浆料及制备方法、太阳能电池及制备方法和应用、发电模组、发电系统
CN111223994A (zh) * 2020-01-17 2020-06-02 桂林电子科技大学 一种采用羰基小分子作为添加剂的全印刷介观钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7430781B2 (ja) 2024-02-13
WO2022126479A1 (zh) 2022-06-23
EP4266391A4 (en) 2024-02-07
US11776763B2 (en) 2023-10-03
CN115039245A (zh) 2022-09-09
US20220199332A1 (en) 2022-06-23
EP4266391A1 (en) 2023-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103703567B (zh) 太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块
CN104409636A (zh) 一种带有三维有序介孔支架层的钙钛矿薄膜太阳能电池
US11476373B2 (en) Solar cell superfine electrode transfer thin film, manufacturing method and application method thereof
CN105304821B (zh) 钙钛矿薄膜及太阳能电池的制作方法
CN106057919A (zh) 具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池
CN105684165A (zh) 太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块
CN110718632A (zh) 一种制备大面积钙钛矿层的方法和钙钛矿太阳能电池
WO2020135739A1 (zh) 钙钛矿薄膜太阳能组件及其制备方法
CN108447995A (zh) 前驱体溶液及其制备方法，太阳能电池电子传输层的制备及太阳能电池
CN108281552A (zh) 一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105870360A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108389969A (zh) 一种用于制备钙钛矿太阳能电池钙钛矿层的绿色溶剂体系及混合溶液
CN106252516A (zh) 一种平面倒置半透明有机/无机杂化钙钛矿太阳电池器件及制备方法
CN111540791A (zh) 太阳电池及其制作方法
JP2021095307A (ja) アナターゼ型酸化チタンナノ粒子およびその製造方法並びにアナターゼ型酸化チタンナノ粒子を用いた光電変換素子およびその製造方法
JP2023510993A (ja) 印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池及其製造方法
CN105720199A (zh) 一种大面积有机薄膜太阳能电池及其制备方法
TWI612705B (zh) 有機太陽能電池的製作方法
CN108011045A (zh) 一种硅微米柱阵列有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108461635B (zh) 一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用
US20100154878A1 (en) Electrode Structure and Fabrication of the Dye-Sensitized Solar Cell
WO2020014240A1 (en) Diffused carrier selective interfaces in perovskite solar cells
CN213601891U (zh) 一种彩色光伏组件
CN108878566A (zh) 一种双面含氟的太阳能电池板背板及其制备方法
CN108091707A (zh) 一种基于纳米结构的双面受/陷光单晶硅太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230414

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20230601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20230601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240131

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7430781

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150