CN110473973A - 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池 - Google Patents

碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN110473973A
CN110473973A CN201910645933.9A CN201910645933A CN110473973A CN 110473973 A CN110473973 A CN 110473973A CN 201910645933 A CN201910645933 A CN 201910645933A CN 110473973 A CN110473973 A CN 110473973A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon
solar battery
interface
post
based perovskite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910645933.9A
Other languages
English (en)
Inventor
杨世和
刘通发
郑世昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University Shenzhen Graduate School
Original Assignee
Peking University Shenzhen Graduate School
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University Shenzhen Graduate School filed Critical Peking University Shenzhen Graduate School
Priority to CN201910645933.9A priority Critical patent/CN110473973A/zh
Publication of CN110473973A publication Critical patent/CN110473973A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池,碳基钙钛矿太阳能电池包括基底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿层和碳电极,或者包括基底、透明导电电极、空穴阻挡层、多孔电子传输层、多孔绝缘间隔层和多孔碳电极,其中均填充有钙钛矿材料,包括以下步骤:取界面后处理材料进行界面后处理,界面后处理材料包括有机酸盐、有机胺、极性溶剂中的任一种,有机酸盐中阴离子包括脂肪酸或芳香酸形成的阴离子,有机胺为R‑NH2或NH2‑R‑NH2,R=CnH2n+1,n=1~18;极性溶剂为1~6个碳原子的脂肪醇或者1~6个碳原子的脂肪腈。利用本发明的界面后处理方法能够提高太阳能电池的性能。

Description

碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是涉及一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池。
背景技术
太阳能是可再生的清洁能源,开发高效和低成本的太阳能电池成为人们利用充分太阳能的有效手段。钙钛矿太阳能电池利用有机金属卤化物半导体作为吸光材料,由于其优异的载流子迁移率、高的吸收系数和低成本溶液制备的特点,引起了广泛的研究兴趣。钙钛矿太阳能电池从2009年3.8%的光电转换效率,到2019年已经超过24%的光电转换效率,已经接近传统晶体硅太阳能电池和碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池的效率,其优异的光电转换性能和低成本制备的优势,已经受到企业界的极大关注,成为极具市场潜力的新型薄膜太阳能电池。碳材料具有成本低、化学稳定性高、耐高温等优点,并且其功函数与钙钛矿材料的价带匹配,有利于收集钙钛矿材料中的光生空穴,同时石墨、碳纳米管等碳的同素异形体具有较好的导电性,因此碳薄膜被用来作为钙钛矿太阳能电池中的电极,可以收集空穴并传输空穴到外电路。现有技术中有采用在钙钛矿薄膜表面直接涂覆碳浆的方式制备碳电极钙钛矿太阳能电池,钙钛矿与碳浆之间形成良好的结合,电池长期稳定性较好,但存在的缺点是碳电极与钙钛矿活性层之间界面缺陷多且界面阻抗大,太阳能电池的效率和器件稳定性还有待提升。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明所要解决的技术问题是提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池,能够有效改善碳电极与钙钛矿层的接触界面,减小界面缺陷和界面阻抗,从而大幅提高钙钛矿太阳能电池的性能。
本发明所采取的技术方案是:
本发明提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,所述碳基钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的基底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿层和碳电极,所述钙钛矿层由钙钛矿材料制成,或者所述碳基钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的基底、透明导电电极、空穴阻挡层、多孔电子传输层、多孔绝缘间隔层和多孔碳电极,所述多孔电子传输层、所述多孔绝缘间隔层和所述多孔碳电极中均填充有钙钛矿材料,包括以下步骤:取界面后处理材料覆在所述碳电极或者所述多孔碳电极表面进行界面后处理,使得所述界面后处理材料渗透至与所述钙钛矿材料接触,所述界面后处理材料包括有机酸盐、有机胺、极性溶剂中的任一种;其中所述有机酸盐中的有机酸根阴离子包括脂肪酸或芳香酸对应形成的阴离子;所述有机胺的结构式为R-NH2或NH2-R-NH2,R=CnH2n+1,n=1~18;所述极性溶剂为1~6个碳原子的脂肪醇或者1~6个碳原子的脂肪腈。
优选地,所述有机酸盐中的阳离子包括铯、铷、钾、钠、锂、铍、镁、钙、锶、钡、锡、甲脒、甲胺对应形成的阳离子中的任一种。溶解有机酸盐的溶剂包含但不限于叔丁醇、正丁醇等有机醇、有机酯等。
优选地,所述脂肪酸为1~6个碳原子的脂肪酸。进一步优选地,所述脂肪酸为3~6个碳原子的饱和脂肪酸。
优选地,所述芳香酸为7~20个碳原子的芳香酸。
优选地,所述极性溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、乙腈、丙腈、丁腈、戊腈、中的至少一种。
优选地,所述界面后处理的反应温度为-40℃~300℃。
优选地,采用滴涂、旋涂、喷涂、刮涂、印刷中的至少一种方式将所述界面后处理材料覆在所述碳电极表面。
优选地,所述碳电极由包括碳材料、粘结剂、分散剂和溶剂的物料混合制成,所述碳材料包括石墨、炭黑、碳纳米管中的至少一种。所述多孔碳电极由包括多孔碳材料的物料制成,多孔碳材料包含但不限于活性炭纤维、碳纳米管、介孔碳、碳分子筛。
优选地,所述钙钛矿层中钙钛矿为ABX3型钙钛矿,A包括甲胺、甲脒、铯、铷、钾、钠中的至少一种,B包括铅、锡、锗、铋、钛中的至少一种,X包括碘、溴、氯中的至少一种。
优选地,所述电子传输层包括二氧化钛、氧化锌、氧化锡、石墨烯中的至少一种。
优选地,所述电子传输层的厚度为5~500nm。
优选地,所述透明导电电极包括ITO(氧化铟锡)、FTO(掺氟氧化锡)、AZO(掺铝氧化锌)中的任一种。
优选地,所述空穴阻挡层为致密二氧化钛薄膜。
优选地,所述多孔电子传输层为介孔二氧化钛、介孔氧化锌、介孔氧化锡、石墨烯中的至少一种。
优选地,所述多孔间隔绝缘层包含但不限于介孔三氧化二铝、介孔二氧化硅中、介孔氧化锆的至少一种。
本发明还提供一种太阳能电池,根据上述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法获得。
本发明的有益效果是:
本发明利用有机酸盐、有机胺或极性溶剂作为界面后处理材料对碳电极或者多孔碳电极进行界面后处理,使得界面后处理材料渗入至碳电极或多孔碳电极附近与钙钛矿材料接触,进而使得碳电极或者多孔碳电极附近的钙钛矿活性材料溶解重结晶,与钙钛矿材料直接接触的内部碳材料被钙钛矿材料包覆,造成“钙钛矿/碳”异质结的接触面积增加,界面电荷转移阻抗降低,碳电极电荷收集效率增加,从而使得太阳能电池的光电转换效率和稳定性大幅提升。此外,界面材料中有机酸盐和有机胺后处理可以分别通过有机酸盐的阳离子、有机铵根离子与钙钛矿中的阳离子发生置换反应改变钙钛矿的组分分布,从而形成更好的界面能级匹配和更稳定的钙钛矿组分。
附图说明
图1为实施例1中经过界面后处理和未经界面后处理得到的太阳能电池在未封装条件下在空气中的稳定性的测试结果图。
具体实施方式
以下将结合实施例对本发明的构思及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本发明的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本发明的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在FTO玻璃基板上,喷雾热解制备40nm致密二氧化钛,旋涂厚度300nm的介孔层TiO2,用反溶剂法旋涂MAPbI3前驱液,在旋涂结束前10s滴加甲苯溶剂,100℃退火30min得到致密钙钛矿薄膜。取石墨、炭黑、聚甲基丙烯酸甲酯、异丙醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,刮涂碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取醋酸铯溶液超声喷雾涂覆在碳电极上,然后100℃加热退火形成经界面后处理的太阳能电池。醋酸铯通过碳电极并渗入到钙钛矿层后,将钙钛矿薄膜溶解重结晶,得到能级更加匹配的混合阳离子钙钛矿薄膜,同时改善了碳电极与钙钛矿层的界面接触电阻。
对步骤(1)得到的未经过醋酸铯处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为12.7%。对本实施例中经过醋酸铯界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为14.1%,表明利用醋酸盐进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
对步骤(1)得到的未经过醋酸铯处理的碳基钙钛矿太阳能电池(标记为A)和本实施例中经过醋酸铯界面后处理得到的太阳能电池(标记为B)测定其在未封装条件下在空气中的稳定性,结果如图1所示,从图中可以看出,在放置一段时间达到最高效率后开始衰减,4个月后由12.7%降低到11.2%和本实施例中经过醋酸铯界面后处理得到的太阳能电池初始效率为在放置一段时间达到最高效率14%后保持稳定,4个月后没有衰减,经本发明界面后处理方法处理过后的未封装的太阳能电池经过4个月光电转换效率没有衰减,表明经界面后处理后太阳能电池的稳定性也获得了大幅提升。
实施例2
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在ITO玻璃基板上,旋涂厚度500nm的氧化锌,用一步法旋涂FAPbI3前驱液,在旋涂结束前10s滴加甲苯溶剂,100℃退火30min得到致密钙钛矿薄膜。取炭黑、聚甲基丙烯酸甲酯、异丙醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,刮涂碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取醋酸甲脒溶液旋涂在碳电极表面处理15分钟,然后300℃加热退火形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过醋酸甲脒处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为11.75%。对本实施例中经过醋酸甲脒界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为15.20%,表明利用醋酸甲脒进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
对本实施例中经过醋酸甲脒界面后处理得到的太阳能电池测定其在未封装条件下在空气中的稳定性,未封装器件经过4个月光电转换效率没有明显衰减,表明经界面后处理后太阳能电池的稳定性也获得了大幅提升。
实施例3
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在AZO玻璃基板上,旋涂厚度5nm的石墨烯,用一步法旋涂MAPbBr3前驱液,在旋涂结束前10s滴加甲苯溶剂,100℃退火30min得到致密钙钛矿薄膜。取碳纳米管、炭黑、聚甲基丙烯酸甲酯、异丙醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,刮涂碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取醋酸甲胺溶液旋涂在碳电极表面处理15分钟,然后-40℃退火形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过醋酸甲胺处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为10.55%。对本实施例中经过醋酸甲胺界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为14.75%,表明利用醋酸甲胺进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
对本实施例中经过醋酸甲胺界面后处理得到的太阳能电池测定其在未封装条件下在空气中的稳定性,未封装器件经过4个月光电转换效率没有明显衰减,表明经界面后处理后太阳能电池的稳定性也获得了大幅提升。
实施例4
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在FTO玻璃基板上,喷雾热解制备40nm致密二氧化钛薄膜,印刷500nm的介孔二氧化钛,印刷制备2μm厚的介孔氧化锆,印刷20μm厚的碳纳米管以形成介孔碳电极,烧结后,在介孔碳电极的上面滴涂MAPbI3前驱液使其从上到下从介孔碳电极依次渗透填充到介孔氧化锆和介孔二氧化钛,从而制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取己酸钠溶液喷涂在碳电极上,然后120℃加热退火15分钟形成经界面后处理的太阳能电池。己酸钠通过碳电极并渗入到钙钛矿层后,将靠近碳电极的钙钛矿薄膜溶解重结晶,得到能级更加匹配的混合阳离子钙钛矿薄膜。
对步骤(1)得到的未经过己酸钠处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为13.10%。对本实施例中经过己酸钠界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为15.86%,表明利用己酸钠进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
实施例5
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在ITO玻璃基板上,喷雾热解制备100nm致密二氧化钛薄膜,印刷500nm的介孔氧化锡,印刷制备2μm厚的介孔二氧化硅,印刷20μm厚的介孔碳以形成介孔碳电极,烧结后,在介孔碳电极的上面滴涂MAPbI3前驱液使其从上到下从介孔碳电极依次渗透填充到介孔二氧化硅和介孔氧化锡,从而制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取苯甲酸甲胺的叔丁醇溶液超声喷雾涂敷在在碳电极上,然后100℃加热退火15分钟形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过苯甲酸甲胺处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为12.80%。对本实施例中经过苯甲酸甲胺界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为15.16%,表明利用苯甲酸甲胺进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
实施例6
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在ATO玻璃基板上,喷雾热解制备100nm致密二氧化钛薄膜,印刷500nm的石墨烯,印刷制备2μm厚的介孔三氧化二铝,印刷20μm厚的活性炭纤维以形成介孔碳电极,烧结后,在介孔碳电极的上面滴涂MAPbI3前驱液使其从上到下从介孔碳电极依次渗透填充到介孔三氧化二铝和石墨烯,从而制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取苯基十四烷基甲脒溶液超声喷雾涂敷在在碳电极上,然后100℃加热退火15分钟形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过苯基十四烷基甲脒处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为12.30%。对本实施例中经过苯基十四烷基甲脒界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为14.80%,表明利用苯基十四烷基甲脒进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
实施例7
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括如下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在FTO玻璃基板上,旋涂介孔层TiO2的厚度300nm,用一步法旋涂MAPbI3前驱液,在旋涂结束前10s滴加甲苯溶剂,100℃退火30min,得到致密钙钛矿薄膜。取石墨、炭黑、聚丙烯酸甲酯、辛酸辛酯混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,印刷碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:将碳基钙钛矿太阳能电池置于甲胺气体中,在-40℃用甲胺气体后处理碳电极2分钟,然后用干燥空气去除甲胺,100℃加热退火增加结晶性。未经过甲胺气体处理得到的碳基钙钛矿太阳能电池效率为11.58%,经过甲胺气体处理的碳基钙钛矿太阳能电池效率为14.65%,表明使用甲胺气体进行界面后处理提高了太阳能电池的光转换效率。
实施例8
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在FTO玻璃基板上,旋涂40nm厚的二氧化钛,印刷制备MAPbI3钙钛矿薄膜。取石墨、炭黑、乙基纤维素、异辛醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,印刷碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取十二胺的丁醇溶液旋涂在碳电极上,然后100℃加热退火形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过十二胺处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为11.82%。对本实施例中经过十二胺界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为14.76%,表明利用十二胺进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
实施例9
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在AZO玻璃基板上,旋涂厚度5nm的石墨烯,用一步法旋涂MAPbBr3前驱液,在旋涂结束前10s滴加甲苯溶剂,100℃退火30min得到致密钙钛矿薄膜。取碳纳米管、炭黑、聚甲基丙烯酸甲酯、异丙醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,刮涂碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取十八烷基二胺的叔戊醇溶液旋涂在碳电极上,然后100℃加热退火形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过十八烷基二胺处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为12.90%。对本实施例中经过十八烷基二胺界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为15.45%,表明利用十八烷基二胺进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
实施例10
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在AZO玻璃基板上,旋涂厚度5nm的石墨烯,用一步法旋涂MAPbBr3前驱液,在旋涂结束前10s滴加甲苯溶剂,100℃退火30min得到致密钙钛矿薄膜。取碳纳米管、炭黑、聚甲基丙烯酸甲酯、异丙醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,刮涂碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:取丁二胺的乙醇溶液旋涂在碳电极上,然后100℃加热退火形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过丁二胺处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为13.25%。对本实施例中经过丁二胺界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为15.87%,表明利用丁二胺进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
实施例11
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在FTO玻璃基板上,旋涂40nm的氧化钛,印刷制备MAPbI3钙钛矿薄膜。取石墨、炭黑、乙基纤维素、异辛醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,印刷碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。
(2)界面后处理:在0℃下,将丙醇溶剂超声喷雾涂覆在碳电极上,然后30℃和100℃连续加热退火形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过丙醇处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为12.65%。对本实施例中经过丙醇界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为14.59%,表明利用丙醇进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。
实施例12
本实施例提供一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,包括以下步骤:
(1)制备碳基钙钛矿太阳能电池:在ITO玻璃基板上,旋涂40nm的氧化钛,印刷制备MAPbI3钙钛矿薄膜。取石墨、炭黑、乙基纤维素、异辛醇混合形成碳浆料,在上述制备好的钙钛矿薄膜上面,印刷碳浆料作为碳电极,制备形成碳基钙钛矿太阳能电池。(2)界面后处理:在0℃下,将丁腈溶剂超声喷雾涂覆在碳电极上,然后30℃和100℃连续加热退火形成经界面后处理的太阳能电池。
对步骤(1)得到的未经过丁腈处理的碳基钙钛矿太阳能电池进行测试,太阳能电池的光电转换效率为12.65%。对本实施例中经过丁腈界面后处理得到的太阳能电池进行测试,其光电转换效率为14.59%,表明利用丁腈进行界面后处理能够提高太阳能电池的光转换效率。

Claims (10)

1.一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述碳基钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的基底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿层和碳电极,所述钙钛矿层由钙钛矿材料制成,或者所述碳基钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的基底、透明导电电极、空穴阻挡层、多孔电子传输层、多孔绝缘间隔层和多孔碳电极,所述多孔电子传输层、所述绝缘间隔层和所述多孔碳电极中均填充有钙钛矿材料,包括以下步骤:取界面后处理材料覆在所述碳电极或者所述多孔碳电极表面进行界面后处理,使得所述界面后处理材料渗透至与所述钙钛矿材料接触,所述界面后处理材料包括有机酸盐、有机胺、极性溶剂中的任一种;其中所述有机酸盐中的有机酸根阴离子包括脂肪酸或芳香酸对应形成的阴离子;所述有机胺的结构式为R-NH2或NH2-R-NH2,R=CnH2n+1,n=1~18;所述极性溶剂为1~6个碳原子的脂肪醇或者1~6个碳原子的脂肪腈。
2.根据权利要求1所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述有机酸盐中的阳离子包括铯、铷、钾、钠、锂、铍、镁、钙、锶、钡、锡、甲脒、甲胺对应形成的阳离子中的任一种。
3.根据权利要求1所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述脂肪酸为1~6个碳原子的脂肪酸。
4.根据权利要求1所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述芳香酸为7~20个碳原子的芳香酸。
5.根据权利要求1所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述极性溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、乙腈、丙腈、丁腈、戊腈中的至少一种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述界面后处理的反应温度为-40℃~300℃。
7.根据权利要求1-5任一项所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,采用滴涂、旋涂、喷涂、刮涂、印刷中的至少一种方式将所述界面后处理材料覆在所述碳电极或者所述多孔碳电极表面。
8.根据权利要求1-5任一项所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述碳电极由包括碳材料、粘结剂、分散剂和溶剂的物料混合制成,所述碳材料包括石墨、炭黑、碳纳米管中的至少一种;所述多孔碳电极由包括多孔碳材料的物料制成。
9.根据权利要求1-5任一项所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法,其特征在于,所述钙钛矿材料为ABX3型钙钛矿,A包括甲胺、甲脒、铯、铷、钾、钠中的至少一种,B包括铅、锡、锗、铋、钛中的至少一种,X包括碘、溴、氯中的至少一种。
10.一种太阳能电池,其特征在于,根据权利要求1-9任一项所述的碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法获得。
CN201910645933.9A 2019-07-17 2019-07-17 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池 Pending CN110473973A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910645933.9A CN110473973A (zh) 2019-07-17 2019-07-17 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910645933.9A CN110473973A (zh) 2019-07-17 2019-07-17 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110473973A true CN110473973A (zh) 2019-11-19

Family

ID=68508671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910645933.9A Pending CN110473973A (zh) 2019-07-17 2019-07-17 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110473973A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112490369A (zh) * 2020-11-18 2021-03-12 北京大学深圳研究生院 半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法
CN113193128A (zh) * 2021-05-24 2021-07-30 电子科技大学 一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114649433A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 湖北万度光能有限责任公司 封装的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2022126479A1 (zh) * 2020-12-17 2022-06-23 湖北万度光能有限责任公司 可印刷曲面钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441217A (zh) * 2013-07-16 2013-12-11 华中科技大学 基于钙钛矿类吸光材料的介观太阳能电池及其制备方法
JP2016009737A (ja) * 2014-06-24 2016-01-18 株式会社リコー ペロブスカイト型太陽電池の製造方法
CN109742236A (zh) * 2018-12-13 2019-05-10 东莞理工学院 一种离子液体增敏的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441217A (zh) * 2013-07-16 2013-12-11 华中科技大学 基于钙钛矿类吸光材料的介观太阳能电池及其制备方法
JP2016009737A (ja) * 2014-06-24 2016-01-18 株式会社リコー ペロブスカイト型太陽電池の製造方法
CN109742236A (zh) * 2018-12-13 2019-05-10 东莞理工学院 一种离子液体增敏的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
TONGFA LIU等: "Interfacial Post-Treatment for Enhancing the Performance of Printable Carbon-Based Perovskite Solar Cells", 《SOLAR RRL》 *
张志国 等: "甲胺气体处理修复钙钛矿薄膜缺陷", 《中国科学·化学》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112490369A (zh) * 2020-11-18 2021-03-12 北京大学深圳研究生院 半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法
CN114649433A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 湖北万度光能有限责任公司 封装的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2022126479A1 (zh) * 2020-12-17 2022-06-23 湖北万度光能有限责任公司 可印刷曲面钙钛矿太阳能电池及其制备方法
JP2023510993A (ja) * 2020-12-17 2023-03-16 湖北万度光能有限責任公司 印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池及其製造方法
US11776763B2 (en) 2020-12-17 2023-10-03 Hubei Wonder Solar Limited Liability Company Printable curved-surface perovskite solar cell and preparation method thereof
JP7430781B2 (ja) 2020-12-17 2024-02-13 湖北万度光能有限責任公司 印刷可能な曲面ペロブスカイト太陽電池及其製造方法
CN114649433B (zh) * 2020-12-17 2024-03-29 湖北万度光能有限责任公司 封装的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113193128A (zh) * 2021-05-24 2021-07-30 电子科技大学 一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110473973A (zh) 碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池
CN108470835B (zh) 基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN102082032B (zh) 一种纸张型染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法
Hahn et al. BiSI micro-rod thin films: efficient solar absorber electrodes?
CN102779864B (zh) 一种碲化镉薄膜电池及其制备方法
Sun et al. One-step synthesis of coaxial Ag/TiO2 nanowire arrays on transparent conducting substrates: enhanced electron collection in dye-sensitized solar cells
CN107641817B (zh) 一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构
CN105047826A (zh) 一种在钙钛矿层中掺入硫化镉的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107706308A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN108963032A (zh) 基于碱金属离子和碱土金属离子掺杂的双面无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
CN105810832A (zh) 基于优异导电性能氧化物优化的钙钛矿太阳能电池
CN108281550B (zh) 基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
JP4925605B2 (ja) 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置
US9090048B2 (en) Counter electrode having carbon material layer for dye-sensitized photovoltaic cell and method of preparing the same
CN108365108A (zh) 一种在碳电极中嵌入p型纳米材料的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Boruah et al. Photocharge‐Enhanced Capacitive Response of a Supercapacitor
CN103367706B (zh) 基板及蓄电池
CN106159096B (zh) 一种双面受光大面积钙钛矿太阳电池及其制备方法
Yang et al. Fully printable transparent monolithic solid-state dye-sensitized solar cell with mesoscopic indium tin oxide counter electrode
Shirazi et al. Fabrication of hole-conductor-free perovskite solar cells based on Al doped ZnO and low-cost carbon electrode
JP2007027171A (ja) 光電変換素子
CN113394343B (zh) 一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法
JP5688006B2 (ja) カーボン対極及びこのカーボン対極を備えた色素増感太陽電池
CN209658236U (zh) 一种以钛铌酸与硫化镉为电子传输层的钙钛矿太阳电池
KR101070160B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191119