JP2023502340A - スケーラブルなピクセルサイズの画像センサ - Google Patents
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Abstract
Description
― 335に示すように、CG1からCG9への降順の、比較的直線の変換利得ステップをもたらすCCDG=CFD
― 設定CG1とCG6との間の0.5*CFD利得ステップを提供するCCDG=CFD/2-CSP
― 設定CG1、CG6、CG7、CG8、CG9を経由して、CGFDから5CFDへの5つの名目上直線の利得ステップをもたらすCDCG=CFD-CSP
― 又は、CG1~CG5の高利得範囲内の比較的細かい利得ステップ、CG6~CG9の低利得範囲内の比較的細かい利得ステップで、及びそれら2つの範囲間の比較的広い間隙(例えばプログラム可能因子「n」による間隙幅)での隆起した利得分布を可能にするCDCG=n*CFD(n>1である)
Claims (26)
- 複数の光検出素子と、
複数の読み出し回路であって、各々が
フローティング拡散ノードと、
前記フローティング拡散ノードと前記光検出素子の一つとの間に結合された第一トランスファゲートと、
前記フローティング拡散ノードに結合されたゲート端子を有する増幅器トランジスタと
を備える複数の読み出し回路と、
共有リセットノードと、
前記共有リセットノードとリセット電圧源との間に結合されたリセットトランジスタと、
前記共有リセットノードと前記読み出し回路の各1つの前記フローティング拡散ノードとの間に各々が結合された複数のビニングトランジスタと
を備える集積回路ピクセル。 - 前記読み出し回路の各々が4つの前記光検出素子の各組に結合するように、前記複数の読み出し回路の各々が、前記読み出し回路の前記フローティング拡散ノードと前記光検出素子のそれぞれ1つとの間に各々結合する3つの追加トランスファゲートを備え、
4つの光検出素子の各組が、前記4つの光検出素子の組内の個々の光検出素子のアスペクト比と名目上一致する集団的なアスペクト比を有する、請求項1に記載の集積回路ピクセル。 - 前記複数の読み出し回路は、前記4つの光検出素子の4組にそれぞれ結合された4つの読み出し回路を含み、
前記4つの光検出素子の4組が、前記4つの光検出素子の各組のアスペクト比と名目上一致する集団的なアスペクト比を有する、請求項2に記載の集積回路ピクセル。 - 容量性素子と、前記容量性素子と前記共有リセットノードとの間に結合された利得制御トランジスタとを更に備える、請求項1に記載の集積回路ピクセル。
- 前記リセット電圧源を介して前記共有リセットノードを充電するために、前記リセットトランジスタと前記利得制御トランジスタの両方が、ドレインからソースへの導通状態にされなければならないため、前記利得制御トランジスタが前記共有リセットノードと前記リセットトランジスタとの間に結合されている、請求項4に記載の集積回路ピクセル。
- 請求項4に記載の集積回路ピクセルを備え、
多相読み出し操作の連続する第1、第2及び第3相の間中、第1、第2及び第3トランスファゲートパルスを前記第1トランスファゲートのゲート端子においてそれぞれアサートし、前記第1、第2及び第3トランスファゲートパルスの各々は前記光検出素子の1つから前記フローティング拡散ノードへの光電荷移動を可能にするものであり、
前記多相読み出し操作の前記第1相の間、前記ビニングトランジスタと前記ゲイン制御トランジスタを非導通状態に維持して、前記第1のトランスファゲートパルスによって可能となった前記光電荷移動の第1の変換利得を実現し、
前記ビニングトランジスタの少なくとも1つを導通状態に切り替え、前記多相読み出し操作の前記第2相の間、前記利得制御トランジスタを前記非導通状態に維持して、前記第2トランスファゲートパルスによって可能になった前記光電荷伝達のための第2変換利得を実現し、前記第2変換利得は前記第1変換利得よりも低いものとし、
前記多相読み出し操作の前記第3相の間前記ビニングトランジスタの少なくとも1つが前記導通状態にある間、前記利得制御信号を前記導通状態に切り替え、前記第3トランスファゲートパルスによって可能になった前記光電荷伝達のための第3変換利得を実現し、前記第3変換利得は前記第2変換利得よりも低いものとする、制御信号発生器を更に備える集積回路画像センサ。 - 請求項1に記載の集積回路ピクセルを備え、
多相読み出し操作の連続する第1及び第2相の間中、第1及び第2トランスファゲートパルスを前記第1トランスファゲートのゲート端子においてそれぞれアサートし、前記第1及び第2のトランスファゲートパルスの各々は前記光検出素子の1つから前記フローティング拡散ノードへの光電荷移動を可能にするものであり、
前記多相読み出し操作の前記第1相の間中、前記ビニングトランジスタを非導通状態に維持して、前記第1トランスファゲートパルスによって可能となった前記光電荷移動の第1変換利得を実現し、
前記多相読み出し操作の前記第2相の間中、前記ビニングトランジスタの少なくとも1つを導通状態に切り替え、前記第2トランスファゲートパルスによって可能になった前記光電荷伝達のための第2変換利得を実現し、前記第2変換利得は前記第1変換利得よりも低いものとする、制御信号発生器を更に備える集積回路画像センサ。 - 前記制御信号発生器が、前記多相読み出し操作の前記第1及び第2相に先行する各第1及び第2間隔の各々の間に、前記リセットトランジスタ上の制御パルス及び前記ビニングトランジスタの少なくとも1つ上の制御パルスを更にアサートして、前記リセット電圧源を前記読み出し回路の少なくとも1つの前記フローティング拡散ノードに結合する、請求項7に記載の集積回路画像センサ。
- 前記制御信号発生器が制御信号を出力して、露光間隔内の時間差オフセットで前記複数の光検出素子をリセットする、請求項7に記載の集積回路画像センサ。
- 請求項1に記載の集積回路ピクセルを備え、
前記光検出素子のそれぞれのサブセット上に配置され、モザイクカラーパターンに構成されたそれぞれのカラーフィルター要素を有するカラーフィルター配列を更に備える、集積回路画像センサ。 - 前記光検出素子の各々の上に配置されたそれぞれのマイクロレンズ素子を有するマイクロレンズ配列を更に備える、請求項10に記載の集積回路画像センサ。
- 前記複数の読み出し回路の各々がそれぞれの出力ラインに結合されている、請求項1に記載の集積回路ピクセル。
- 複数の光検出素子、共有リセットノード、複数のフローティング拡散ノード、前記フローティング拡散ノードにそれぞれ結合された複数の読み出し回路、及び前記共有リセットノードと前記フローティング拡散ノードのそれぞれとの間に結合された複数のビニングトランジスタを備える集積回路ピクセル内の操作方法であり、
リセット間隔に渡ってリセットトランジスタを導通状態に切り替え、前記共有リセットノードをリセット電圧源に結合させることと、
前記リセット間隔中に前記ビニングトランジスタを導通状態に切り替え、前記リセット電圧源によって前記フローティング拡散ノードの各々がリセット電位に充電されるように、前記フローティング拡散ノードのそれぞれを前記共有リセットノードに結合することと、を含む方法。 - 前記読み出し回路の1つを介して、それぞれの前記フローティング拡散ノードの前記リセット電位に対応する第1の出力信号を生成することを更に含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第1の出力信号を生成することは、前記ビニングトランジスタを非導通状態に切り替え、前記ビニングトランジスタが前記非導通状態のままである間に前記第1の出力信号を生成することを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の出力信号を生成することは、前記ビニングトランジスタが前記導通状態にある間に前記第1の出力信号を生成することを含む請求項14に記載の方法であって、
前記ビニングトランジスタを非導通状態に切り替え、前記ビニングトランジスタが前記非導通状態である間に第2の出力信号を生成することを更に含む、方法。 - 前記第1の出力信号を生成することは、第1のリセット状態サンプリング間隔中に前記第1の出力信号を生成することを含み、
前記第2の出力信号を生成することは、前記第1のリセット状態サンプリング間隔の後に起こる第2のリセット状態サンプリング間隔中に前記第2の出力信号を生成することを含む、請求項16に記載の方法であって、
前記リセットトランジスタを、前記第1のリセット状態サンプリング間隔の開始から前記第2のリセット状態サンプリング間隔の終わりまで非導通状態に維持すること、を更に含む方法。 - 前記フローティング拡散ノードの各々が、トランスファゲートを介して前記光検出素子のそれぞれのサブセットに結合される、請求項13に記載の方法であって、
前記リセット間隔が発生した後、ゼロ以外の所定数の前記トランスファゲートを導通状態に切り替え、前記光検出素子の各サブセット内の対応するゼロ以外の所定数の前記光検出素子から、前記光検出素子のサブセットに結合された前記フローティング拡散ノードへの光電荷移動を可能にすること、を更に含む方法。 - ピクセルサイズ値をプログラムされたレジスタ内に保存することを更に含み、前記ピクセルサイズ値は前記トランスファゲートの前記ゼロ以外の所定数を示す、請求項18に記載の方法。
- 前記所定数のトランスファゲートを前記導電状態に切り替えて光電荷移動を可能にすることは、電荷移動間隔中に1つ以上の前記トランスファゲートを前記導電状態に切り替えることを含む、請求項19に記載の方法であって、
前記電荷移動間隔中に所定数の前記ビニングトランジスタを前記導通状態に選択的に切り替えることを更に含み、前記ビニングトランジスタの前記所定数は、前記ピクセルサイズ値によって示され、ゼロから前記ビニングトランジスタの総数までの範囲である方法。 - 前記電荷移動間隔中に前記所定数の前記ビニングトランジスタを前記導通状態に切り替えることは、前記電荷移動間隔中に前記ビニングトランジスタの少なくとも1つを前記導通状態に切り替えることを含み、
前記集積回路ピクセルが容量性素子と、前記容量性素子と前記共有リセットノードとの間に結合された利得制御トランジスタとを含む、請求項20に記載の方法であって、
前記電荷移動間隔に渡って前記利得制御トランジスタを前記導通状態に切り替え、前記共有リセットノードと前記ビニングトランジスタの少なくとも1つとを介して前記容量性素子を前記フローティング拡散ノードの少なくとも1つに結合することによって、前記光電荷移動の変換利得を低減することを更に含む方法。 - 前記集積回路ピクセルが、前記リセットトランジスタと前記共有リセットノードとの間に結合された利得制御トランジスタを備える、請求項13に記載の方法であって、
前記リセット間隔に渡って前記利得制御トランジスタを導通状態に切り替え、前記リセットトランジスタと前記利得制御トランジスタを介して前記リセット電圧源を前記共有リセットノードに結合することを更に含む方法。 - 複数の光検出素子、共有リセットノード、リセットトランジスタ、複数のフローティング拡散ノード、前記フローティング拡散ノードにそれぞれ結合された複数の読み出し回路、及び前記共有リセットノードと前記フローティング拡散ノードのそれぞれとの間に結合された複数のビニングトランジスタを備えるピクセルと、
リセット間隔に渡って前記リセットトランジスタを導通状態に切り替えて、前記共有リセットノードをリセット電圧源に結合し、
前記リセット間隔中、前記ビニングトランジスタを導通状態に切り替えて、前記フローティング拡散ノードの各々が前記リセット電圧源によってリセット電位に充電されるよう、それぞれの前記フローティング拡散ノードを前記共有リセットノードに結合する
制御回路と、
を備える集積回路画像センサ。 - 前記フローティング拡散ノードの各々が、トランスファゲートを介して前記光検出素子のそれぞれのサブセットに結合され、
前記リセット間隔が発生した後、前記制御回路は、ゼロ以外の所定数の前記トランスファゲートを導電状態に切り替え、前記光検出素子の各サブセット内の対応するゼロ以外の所定数の前記光検出素子から、前記光検出素子の前記サブセットに結合された前記フローティング拡散ノードへの光電荷移動を可能にする、請求項23に記載の集積回路画像センサ。 - 前記ゼロ以外の所定数を示すピクセルサイズ値を保存するプログラム可能なレジスタを更に備える、請求項24に記載の集積回路画像センサ。
- 前記所定数のトランスファゲートを前記導通状態に切り替えるための前記制御回路は、
電荷移動間隔中に、前記1つ以上のトランスファゲートを前記導通状態に切り替え、
前記電荷移動間隔中に、所定数の前記ビニングトランジスタを前記導通状態に切り替え、前記ビニングトランジスタの前記所定数は前記ピクセルサイズ値によって示され、ゼロから前記ビニングトランジスタの総数までの範囲である、
回路を備える、請求項25に記載の集積回路画像センサ。
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