JP2023183676A - 基板検査装置、成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板検査装置において低コストで簡易的な構成で基板の割れを検知する技術を提供する。【解決手段】基板を支持する支持手段と、支持手段により支持された基板の撮影を行う撮影手段と、撮影手段の撮影結果を基に基板に割れが生じているか判定する判定手段と、を備え、判定手段は、前記撮影結果を基に算出された第１の基準点と第２の基準点との間の距離に基づいて、基板に割れが生じているか判定することを特徴とする基板検査装置を用いる。【選択図】図１２

Description

本発明は、基板検査装置、及び基板検査装置を備える成膜装置に関する。

フラットパネル表示装置として有機ＥＬ表示装置が知られている。有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子は、２つの向かい合う電極（カソード電極及びアノード電極）の間に、発光を起こす有機物層である発光層を有する機能層が形成された基本構造を持つ。有機ＥＬ素子の機能層及び電極層は、成膜装置内で、それぞれの層を構成する材料をマスクを介してガラスなどの基板に成膜することで形成される。

成膜装置が成膜を行う際に、撮像装置を用いて基板を撮影して得られた画像を、基板のアライメントや検査などに利用する場合がある。特許文献１は、基板の面に対して基板の搬送方向と直交する幅方向で跨ぐようなライン状の光を照射した上で基板を搬送しながら撮像し、複数の画像を繋げることで基板全体の画像を取得し、当該画像から基板のエッジを検出して基板の割れを検知する技術を開示している。

特開２０１７－１５０９３７号公報

しかしながら、基板を搬送しながら連続して撮像を行う上記構成においては、搬送手段による基板の保持が不十分で搬送中に基板が動いてしまうと適切な画像が得られず基板の割れが検知できない。従って、撮像を邪魔しないように、かつ十分に基板を保持して高精度に搬送可能な搬送手段が必要となり、設備コストが大きくなる。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、低コストで簡易的な構成で基板の割れを検知する技術を提供することを目的とする。

本発明の基板検査装置は、
基板を支持する支持手段と、
前記支持手段により支持された前記基板の撮影を行う撮影手段と、
前記撮影手段の撮影結果を基に前記基板に割れが生じているか判定する判定手段と、
を備え、
前記判定手段は、前記撮影結果を基に算出された第１の基準点と第２の基準点との間の距離に基づいて、前記基板に割れが生じているか判定することを特徴とする。

本発明によれば、低コストで簡易的な構成で基板の割れを検知する技術を提供することができる。

成膜装置の概略構成図である。 キャリア受渡室に設けられる基板昇降装置の概略構成図である。 キャリア受渡室に基板キャリアが搬入された様子を示す図である。 キャリア受渡室に基板が搬入される途中の様子を示す図である。 キャリア受渡室で基板が基板昇降装置に支持される様子を示す図である。 キャリア受渡室で基板が基板キャリアに保持された様子を示す図である。 基板と基板キャリアの構成を説明する平面図である。 基板キャリアの吸着パッドとクランプの断面図である。 基板キャリアから基板を剥離する剥離方法を示す図である。 基板と基板キャリアの撮影画像とエッジ画像を示す図である。 基板の割れ検査で取得する基板の対角寸法を示す図である。 基板の割れ検査のフロー図である。 成膜室の概略構成図である。 電子デバイスの構成を説明する図である。

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のものではない。

本発明は、例えば、基板等の成膜対象物を搬送しながらその表面に蒸着やスパッタリングにより成膜材料の薄膜を形成する成膜装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料膜）を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、シリコンウェハ、金属などの任意の材料を選択でき、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが堆積された基板であってもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、金属製材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択してもよい。なお、以下の説明において説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を含む成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機発光素子、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機発光素子を形成する有機発光素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。以下、本発明を電子デバイスの製造装置に適用した場合を例に説明するが、本発明の基板検査装置はこれに限られず、上記の各種製造装置に適用可能である。

（実施例）
＜成膜装置＞
図１は本発明の実施例に係る成膜装置の概略構成を示す平面図である。ここでは有機ＥＬディスプレイの製造ラインにおける成膜装置について説明する。有機ＥＬディスプレイを製造する場合、成膜装置に所定のサイズの基板を搬入し、有機ＥＬや金属層の成膜を行う。成膜後の基板は後工程に搬出され、基板のカットなどの後処理を受ける。

本実施例においては、インライン型と呼ばれる成膜装置を例にして説明する。インライン型の成膜装置においては、複数の室（チャンバ）が並ぶように配されており、基板、基板キャリア、及びマスクは、順次各室内に搬送され、各室内において各種処理が施される。基板等の搬送には、搬送手段として搬送ローラやリニアモータが用いられる。搬送ローラは、搬送経路の両脇に搬送方向に沿って複数配置されており、それぞれ不図示のＡＣサーボモータの駆動力により回転することで、基板キャリア１００やマスクＭを各室の内外へ搬送する。各室においては、個々の室毎、又は隣り合う複数の室毎に、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気とすることができるように構成されている。真空容器の内部の真空状態を維持するために、成膜装置は不図示の真空ポンプを備えている。

なお、本発明の基板検査装置が適用される成膜装置はインライン型に限定されず、クラスタ型の成膜装置であってもよい。クラスタ型の成膜装置では、基板が、搬送ロボットを中心に配置された複数の室の間を搬送されながら成膜される。

図１においては、複数の室のうち、代表的な処理を施す室についてのみ、符号Ｒを付して示し、その他の室については黒点により省略している。また、図１中、細い実線の矢印は基板キャリア１００の搬送経路を示し、細い破線の矢印は基板２００の搬送経路を示し、太い実線の矢印はマスクＭの搬送経路を示している。各室に備えられる装置の動作はコンピュータなどの制御部Ｃにより制御される。制御部Ｃについては、各装置に対して個別に設けることもできるし、複数の装置に対して共通の制御部Ｃを設けることもできる。一般的に、各種動作が制御部により制御されること自体は周知技術である。制御部Ｃとしては、例えばプロセッサやメモリなどの演算資源を備える情報処理装置や処理回路を使用できる。

まず、基板載置室Ｒ１に基板キャリア１００と基板２００が送られ、基板載置室Ｒ１にて、基板２００は基板キャリア１００の上側に保持される。基板載置室Ｒ１内では、基板キャリア１００は基板保持面が鉛直方向上を向いた状態で配置されている。基板載置室Ｒ１に搬入された基板２００は、被成膜面が鉛直方向上を向くように、基板キャリア１００の保持面に載置される。この載置時に成膜装置は基板２００を撮像して位置情報を取得し、基板２００が基板キャリア１００上の所定の位置にくるように位置調整（第１のアライメント）を行う。基板キャリア１００と、基板キャリア１００に保持された基板２００は、反転室Ｒ２に搬送される。

反転室Ｒ２には、基板キャリア１００の基板保持面の向きを鉛直方向上向きから鉛直方向下向きに反転させる反転機構が配置されている。反転室Ｒ２において、基板２００が基板キャリア１００の下側に保持されるように、基板キャリア１００は基板２００と共に、上下逆になるように１８０°回転する。

更に、マスクＭが基板キャリア１００の搬送経路とは別の経路から反転室Ｒ２に搬送される。反転室Ｒ２では、下側に基板２００を保持した基板キャリア１００が、マスクＭの上に載置される。そして、この反転室Ｒ２に送られてきたマスクＭと共に、基板キャリア１００に保持された基板２００は成膜室Ｒ３へと搬送される。なお、基板キャリア１００の回転、マスクＭとの合流、マスクＭへの載置が、それぞれ別のチャンバで行われてもよい。

反転室Ｒ２には、基板キャリア１００（及びそれに保持される基板２００）と、マスクＭとを位置合わせするアライメント装置が配置されている。アライメント装置は、基板２００とマスクＭが基板２００の被成膜面の面内方向において所定の位置関係となるようにした状態で、マスクＭに基板キャリア１００を載置する。反転室Ｒ２において基板キャリア１００をマスクＭに載置するとき、成膜装置は基板２００及びマスクＭを撮像して位置情報を取得し、基板２００とマスクＭの面内方向での位置調整（第２のアライメント）を行う。

続いて、成膜室Ｒ３にて、所望の成膜位置に開口を有するマスクＭを介して、基板２００の表面に薄膜が形成された後に、基板キャリア１００等は、マスク搬出室Ｒ４に搬送される。なお、一般的に、異なる材料によって薄膜を形成できるように、図１に示すように複数の成膜室Ｒ３が設けられている。従って、通常、１回の基板２００の搬送により、特定の一箇所の成膜室Ｒ３にて、成膜処理が施される。

成膜後、マスク搬出室Ｒ４において、基板キャリア１００に保持された基板２００は、マスクＭから持ち上げられる。使用回数が所定の回数に到達したマスクＭは、マスク搬出室Ｒ４から装置外部へ搬出される。基板キャリア１００に保持された基板２００、及び再度使用されるマスクＭは、マスク搬出室Ｒ４から中継室Ｒ５へ搬送される。中継室Ｒ５のマスクＭは、反転室Ｒ２に向けて搬送される。製造ラインに、複数のマスクＭを保管して必要に応じて搬出するマスクストッカを配置してもよい。中継室Ｒ５の基板キャリア１００及び基板２００は、不図示の反転室において、基板２００の被成膜面及び基板キャリア１００の基板保持面が鉛直方向上向きとなるように反転された後、基板剥離室Ｒ６に搬送される。

そして、基板剥離室Ｒ６において、基板キャリア１００から基板２００は剥離される。その後、基板キャリア１００は、成膜装置の外部に搬出されるか、再度、基板載置室Ｒ１に搬送される。また、基板キャリア１００から剥離された基板２００は、外部に取り出される。なお、本発明は図１のようなデポアップの構成に限られず、デポダウンの構成やサイドデポの構成を取ってもよい。本実施例においては、基板剥離室Ｒ６で基板２００を基板キャリア１００から剥離した後に、基板２００に割れが生じていないか検査を行う。基板２００の割れ検査方法の詳細については後述する。

＜基板昇降装置＞
基板載置室Ｒ１に配される基板昇降装置の構成について、図２を参照して説明する。基板昇降装置は、キャリア受渡室３００と、昇降機構４００と、クランプ駆動手段としてのクランプ回転機構５００と、備える。なお、同様の構成を持つ昇降機構４００を複数配置してもよい。

図２は、本実施例に係るキャリア受渡室３００と基板昇降装置の概略構成を示す図である。キャリア受渡室３００は、基板キャリア１００が通る開口部３１１と、この開口部３１１を開閉可能なキャリア用ゲートバルブ３１２と、基板２００が通る開口部３２１と、この開口部３２１を開閉可能な基板用ゲートバルブ３２２と、を備える。なお、上記の開口部３１１及びキャリア用ゲートバルブ３１２は、図２の紙面奥側と手前側にそれぞれ設けられている。これにより、基板キャリア１００は、紙面奥側からキャリア受渡室３００に入り、紙面手前側に向かってキャリア受渡室３００の外側に搬出される。また、図示を省略しているが、開口部３１１及びキャリア用ゲートバルブ３１２は、キャリア受渡室３００の右側にも設けられている。

また、キャリア受渡室３００には、基板２００を基板キャリア１００に載置する際に、基板キャリア１００を支持するキャリア支持部材３３０が設けられている。このキャリア支持部材３３０は、昇降機構に備えられる支持ピンの動作を妨げることがないように、基板キャリア１００の外周を支持している。あるいは、キャリア支持部材３３０に、支持ピンが通る領域には開口部が設けられていてもよい。また、基板載置室Ｒ１（キャリア受渡室３００）には、基板キャリア１００を搬送するための搬送ローラが設けられていてもよい。この場合、基板２００を基板キャリア１００に載置する際に、搬送ローラが基板キャリア１００を支持することができる。

更に、キャリア受渡室３００には、撮像手段３５０（撮影手段）が設けられている。各図においては、一つのみ撮像手段３５０を図示しているが、一般的に、複数の撮像手段３５０が設けられる。制御部Ｃは、撮像手段３５０によって基板キャリア１００と基板２００を撮影した画像から位置情報を取得することで、基板キャリア１００と基板２００の位置調整（アライメント）をすることができる。基板全体を撮像できるような広角の撮像手段３５０を設けてもよいし、基板２００の一部を撮像できる程度の視野を持つ撮像手段３５０を複数設けてもよい。基板２００のエッジ画像を元にアライメントを行う場合は、基
板２００の辺部及び端部の少なくとも一部を視野角に含むように撮像手段３５０を配置する。

また、撮像手段３５０に、基板キャリア１００の種類を、又は、基板２００の種類を判別する判別手段としての役割を持たすこともできる。例えば、基板キャリア１００の種類に応じて各種マークを付しておき、撮像手段３５０により撮像されたマークにより基板キャリア１００の種類を判別することができる。アライメントを行うために用いる撮像手段３５０と、判別手段としての撮像手段３５０を別々に設けてもよいし、アライメントのために一般的に複数設けられる撮像手段３５０の一つを判別手段として兼用することもできる。

本実施例においては、昇降機構４００については支持ピン４１１のみがキャリア受渡室３００内に挿入され、クランプ回転機構５００については押し込みピン５１１のみがキャリア受渡室３００内に挿入されるように構成されている。これにより、潤滑剤や摩耗粉などがキャリア受渡室３００に侵入することを抑制できる。なお、基板載置室Ｒ１に基板昇降装置の全体を配置する構成としてもよいし、上記のキャリア受渡室３００が基板載置室Ｒ１に相当する構成とすることもできる。後者の場合には、昇降機構の大部分の構成（支持ピン４１１以外の構成）と、クランプ回転機構５００の大部分の構成（押し込みピン５１１以外の構成）は基板載置室Ｒ１の外部に配されることになる。

昇降機構４００は、複数の支持ピン４１１と、複数の支持ピン４１１を支持する第１プレート４１０と、第１プレート４１０を昇降させる第１昇降手段としてのボールネジ機構４２０と、を備える。ボールネジ機構４２０は、モータ４２１と、モータ４２１により回転するネジ軸４２２と、ネジ軸４２２の回転動作に伴ってネジ軸４２２に沿って上下動するナット部４２３と、ナット部４２３に固定されナット部４２３と共に上下動する支柱４２４と、を備える。ナット部４２３の内周面と、ネジ軸４２２の外周面との間には、複数のボールが無限循環するように構成されている。第１プレート４１０は支柱４２４に支えられており、ネジ軸４２２の回転動作に伴って支持ピン４１１が第１プレート４１０と共に上下動する。基板２００を支持する支持手段としての複数の支持ピン４１１は、基板２００に鉛直方向の下方側から当接可能に構成されており、キャリア受渡室３００内で支持ピン４１１が上下動することにより基板２００が昇降する。

本実施例においては、プレートを昇降させる昇降手段として、ボールネジ機構を採用する場合を示したが、昇降手段としてラックアンドピニオン方式などその他の公知技術を採用することもできる。

また、基板昇降装置は、複数の支持ピン４１１を基板２００の昇降方向に対して垂直方向に移動させることで、基板キャリア１００に対する基板２００の位置を調整するアライメント手段としてのアライメント機構４３０を備えている。なお、本実施例においては、基板２００の昇降方向は鉛直方向である。従って、アライメント機構４３０は、複数の支持ピン４１１を水平方向に移動させることができるように構成されている。具体的には、アライメント機構４３０は、図２中左右方向（以下、「Ｘ軸方向」と称する）に延びる第１レール４３１と、第１レール４３１に対して垂直方向（以下、「Ｙ軸方向」と称する）に延びる第２レール４３２とを備える。なお、Ｘ軸方向とＹ軸方向はいずれも鉛直方向に対して垂直である。第２レール４３２は、第１レール４３１に沿って往復移動できるように構成されている。

そして、アライメント機構４３０においては、昇降機構４００が載置される台座４３３を備えている。この台座４３３は第２レール４３２に沿って往復移動可能に構成されている。また、アライメント機構４３０は、台座４３３に固定され、かつＸ軸方向に延びる第
１軸部４３４と、台座４３３に固定され、かつＹ軸方向に延びる第２軸部４３６と、を備える。更に、アライメント機構４３０は、第１軸部４３４をＸ軸方向に移動させる移動機構４３５と、第２軸部４３６をＹ軸方向に移動させる移動機構（不図示）と、を備える。これらの移動機構については、ボールネジ機構やラックアンドピニオン方式の機構など、各種公知技術を採用することができる。

以上のように構成されるアライメント機構４３０によって、台座４３３と共に昇降機構４００をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることで、複数の支持ピン４１１を水平方向に移動させることができる。これにより、複数の支持ピン４１１に載置された基板２００を水平方向に移動調整することができ、基板キャリア１００に対する基板２００の位置を調整することができる。

クランプ回転機構５００は、複数の押し込みピン５１１と、複数の押し込みピン５１１を支持するクランプ用プレート５１０と、クランプ用プレート５１０を昇降させるボールネジ機構５２０と、を備える。ボールネジ機構５２０は、モータ５２１と、モータ５２１により回転するネジ軸５２２と、ネジ軸５２２の回転動作に伴ってネジ軸５２２に沿って上下動するナット部５２３と、ナット部５２３に固定されナット部５２３と共に上下動する支柱５２４と、を備える。ナット部５２３の内周面と、ネジ軸５２２の外周面との間には、複数のボールが無限循環するように構成されている。また、クランプ用プレート５１０は支柱５２４に支えられており、ネジ軸５２２の回転動作に伴って押し込みピン５１１がクランプ用プレート５１０と共に上下動する。なお、クランプ用プレート５１０を昇降させる昇降手段として、ボールネジ機構を採用する場合を示したが、昇降手段としては、ラックアンドピニオン方式などその他の公知技術を採用することもできる。

＜基板キャリアへの基板載置動作＞
以上のように構成される基板昇降装置を用いて、キャリア受渡室３００の内部で基板キャリア１００に基板２００を保持させる動作について、図３～図６を参照して説明する。図３は、基板キャリア１００がキャリア受渡室３００に搬入された様子を示す図である。図４は、基板２００がキャリア受渡室３００に搬入される途中の様子を示す図である。図５は、基板２００が支持ピン４１１に支持されている様子を示す図である。図６は、基板２００が基板キャリア１００に保持された様子を示す図である。

まず、キャリア用ゲートバルブ３１２の動作によって、開口部３１１が開いた状態となり、基板キャリア１００がキャリア受渡室３００に搬入される。キャリア受渡室３００に搬入された基板キャリア１００は、キャリア支持部材３３０に支持される（図３参照）。なお、各部の構成を分かり易くするために、図３以降の図においては、開口部３１１とキャリア用ゲートバルブ３１２は図示が省略されている。

基板キャリア１００は、基板２００を基板キャリア１００に保持するためのクランプ１１０が複数設けられている。クランプ１１０は、基板キャリア１００に保持させる基板２００を挟み込む方向である第１回転方向に付勢された状態で、基板キャリア１００に回動可能に設けられている。なお、図３において、紙面上、左側のクランプ１１０は時計回り方向に付勢された状態で基板キャリア１００に回動可能に設けられ、右側のクランプ１１０は反時計回り方向に付勢された状態で基板キャリア１００に回動可能に設けられている。

基板キャリア１００がキャリア支持部材３３０に支持された後に、基板用ゲートバルブ３２２の動作によって、開口部３２１が開いた状態となり、基板２００がキャリア受渡室３００に搬入される（図４参照）。基板２００は、搬送ロボットによりキャリア受渡室３００に搬入される。なお、図４においては、搬送ロボットにおける基板２００を支持する
ハンド部２５０の一部のみ示している。このハンド部２５０は、支持ピン４１１などの動作の妨げにならないように櫛歯状に設けられるのが一般的である。

また、基板２００搬入時には、昇降機構４００によって第１プレート４１０と共に複数の支持ピン４１１が所定位置まで上昇する。なお、複数の支持ピン４１１は、基板キャリア１００に設けられた複数の貫通孔を貫通可能に設けられており、複数の支持ピン４１１の先端は、基板キャリア１００の上面よりも上方かつ搬入される基板２００の下面よりも下方の位置まで移動する。

更に、クランプ回転機構５００によって、クランプ用プレート５１０と共に複数の押し込みピン５１１が上昇し、それぞれの押し込みピン５１１の先端がそれぞれ対応するクランプ１１０を押し込む。これにより、第１回転方向とは反対方向の第２回転方向にクランプ１１０は回転し、基板キャリア１００の上に、上方から基板２００を載置可能な状態となる（図４参照）。

なお、基板２００のキャリア受渡室３００への搬入動作、昇降機構４００による第１プレート４１０の上昇動作、及び、クランプ回転機構５００によるクランプ用プレート５１０の上昇動作の順序は特に限定されず、同時に行っても構わない。

複数の支持ピン４１１の先端に基板２００が載置され、搬送ロボットのハンド部２５０が退避した後に、昇降機構４００によって第１プレート４１０は所定位置まで下降する。これにより、基板２００は基板キャリア１００に十分近づいた状態となる（図５参照）。

この状態で、アライメント機構４３０によって、基板２００のＸ軸方向及びＹ軸方向への移動調整がなされ、基板キャリア１００に対する基板２００の位置調整がなされる。その後、昇降機構４００によって第１プレート４１０は更に下降し、複数の支持ピン４１１の先端は、基板キャリア１００の下面よりも下方に移動する。この過程で、基板２００は基板キャリア１００の上に載置された状態となる。なお、基板キャリア１００には、複数の吸着パッド１３０（図８参照）が設けられており、基板２００は複数の吸着パッド１３０に吸着された状態となる。なお、基板２００を基板キャリア１００に載置するだけでは、吸着パッド１３０による吸着が不十分になる場合もあるため、基板２００を下方に押圧することで、吸着パッド１３０による吸着をより確実にする工程を経ることも好ましい。

基板２００が基板キャリア１００に載置された後に、クランプ回転機構５００によって、クランプ用プレート５１０が下降する。これにより、押し込みピン５１１がクランプ１１０から離れ、クランプ１１０は、第１回転方向に回転して、基板２００を基板キャリア１００に挟み込む。これにより、基板２００は基板キャリア１００に保持される（図６参照）。以上のように保持された基板２００は、基板キャリア１００ごとキャリア受渡室３００から搬出され、反転室Ｒ２に搬送される。

＜基板及び基板キャリア＞
次に、図７、図８を参照して、本実施例に係る成膜装置に用いられる基板２００及び基板キャリア１００について説明する。

図７（ａ）は、基板２００の上面図である。基板２００は、略矩形であり、図７中の一点鎖線で示した裁断線２１１、２１２に沿って後工程により裁断される。ディスプレイに用いられる場合には、図中、点線で囲んだ内側の部分が画像表示部となり、ディスプレイ素子領域に相当する。

図７（ｂ）は、基板キャリア１００の上面図である。基板キャリア１００には、複数の
クランプ１１０が設けられている。クランプ１１０の個数や配置は基板キャリア及び基板２００の大きさや重量により適宜設定すればよい。基板キャリア１００は、中央の所定領域内（図７（ｂ）中の破線で囲んだ領域内）に設けられる複数の貫通孔１２１と、基板キャリア１００の外周に沿うように設けられる複数の貫通孔１２２と、を備える。基板キャリア１００に基板２００が保持された状態において、複数の貫通孔１２１は、基板２００における裁断線２１１、２１２に沿うように設けられ、図７（ａ）中の点線で囲んだ領域の外側に位置するように設けられている。また、基板キャリア１００に基板２００が保持された状態において、複数の貫通孔１２２は、基板２００の外周に沿うように設けられ、図７（ａ）中の点線で囲んだ領域の外側に位置するように設けられている。

複数の貫通孔１２１、１２２は、支持ピン４１１が貫通する用途と、吸着パッド１３０が取り付けられる用途に利用される。支持ピン４１１が貫通するために用いられる貫通孔と、吸着パッド１３０が取り付けられるために用いられる貫通孔の配置については、交互に設けるなど、適宜、設定することができる。支持ピン４１１が貫通するために用いられる貫通孔の孔径と、吸着パッド１３０が取り付けられるために用いられる貫通孔の孔径は、同一となるように設定してもよいし、異なるように設定してもよい。

図８を参照して、基板キャリア１００について、より詳細に説明する。図８は、図７（ｂ）中のＡ－Ａ断面図である。図８に示すように、支持ピン４１１が貫通するために用いられる貫通孔１２１の孔径は、支持ピン４１１の外径よりも大きくなるように設定されている。これにより、支持ピン４１１は貫通孔を貫通することができ、かつ、アライメントの際に基板キャリア１００に対して支持ピン４１１が水平方向に移動することができる。なお、支持ピン４１１の先端には、基板２００の位置ずれを抑制するためにゴムなどの弾性材料により構成される位置ずれ防止部材４１１ａが設けられている。

また、吸着パッド１３０は、吸着パッド１３０用の貫通孔に挿通された状態で基板キャリア１００に取り付けられる。吸着パッド１３０は、フランジ部１３１ａを有する金属製のパッド本体１３１と、パッド本体１３１の先端に不図示の接着層を介して設けられる粘着部材１３２と、パッド本体１３１を貫通孔に固定するための固定部材１３３と、を備える。なお、フランジ部１３１ａと固定部材１３３は公知の方法で一体化されている。また、固定部材１３３と基板キャリア１００は、ボルト等の公知技術により固定することができる。粘着部材１３２の材料としては、真空下での製造プロセスに悪影響を及ぼすアウトガスの発生を抑制するために、シロキサン結合を含まないフッ素ゴムを採用するのが好ましい。また、接着層を構成する材料も同様に、アウトガス成分を放出しない公知の接着剤、両面テープを使用するのが望ましい。この粘着部材１３２は、基板キャリア１００の表面からの突出量を管理できるよう不図示のスペーサ等を用いて一定の範囲内で図中上下方向に調整可能に構成されている。上記の突出量は、吸着パッド１３０を構成する部材のサイズや、粘着部材１３２の圧縮特性にもよるが、基板２００の厚さ未満である。吸着パッド１３０用の貫通孔の孔径はパッド本体１３１の貫通孔への挿入部分の外径より大きく、パッド本体１３１は鉛直方向の上下動に加えてある程度の揺動が許容されている。

そして、クランプ１１０は、軸部１１０ａを中心に回転可能となるように、基板キャリア１００に設けられている。また、クランプ１１０は、付勢部材としてのバネ１１０ｂによって、第１回転方向に付勢されている。上記の通り、押し込みピン５１１によって押し込まれると、クランプ１１０はバネ１１０ｂの付勢力に抗して第２回転方向に回転し、押し込みピン５１１が離れるとバネ１１０ｂの付勢力によって第１回転方向に回転する。なお、図８においては、押し込みピン５１１によって第２回転方向に回転したクランプ１１０の状態を実線で示し、押し込みピン５１１が離れて第１回転方向に回転したクランプ１１０の状態を点線で示している。クランプ１１０は基板２００の成膜面に沿った軸部１１０ａを中心に回転する。そのため、クランプ１１０が押し込みピン５１１によって押し込
まれた状態では、クランプ１１０が基板キャリア１００の基板保持領域の上方から退避できる。このように、簡単な構成で、基板２００を基板キャリア１００に載置する経路を確保することができる。

＜基板キャリアからの基板剥離動作＞
基板剥離室Ｒ６においても、上記のように構成された基板昇降装置が設けられ、基板２００を基板キャリア１００に載置する手順を逆順に行うことで、基板２００を基板キャリア１００から剥離することができる。以下、図９を参照して、基板キャリア１００から基板２００を剥離する動作について説明する。図９（ａ）は、基板剥離室Ｒ６内で基板２００が基板キャリア１００に保持されている様子を示す図である。図９（ｂ）は、押し込みピン５１１が上昇してクランプ１１０が第２回転方向に回転した様子を示す図である。図９（ｃ）は、支持ピン４１１が上昇して基板２００が基板キャリア１００から剥離された様子を示す図である。

まず、第１プレート４１０とクランプ用プレート５１０が下方に待機した状態で、基板２００を保持した基板キャリア１００がキャリア受渡室３００に搬入され、これらはキャリア支持部材３３０に支持される（図９（ａ）参照）。

その後、クランプ回転機構５００によって、クランプ用プレート５１０と共に、複数の押し込みピン５１１が上昇し、それぞれの押し込みピン５１１の先端が、それぞれ対応するクランプ１１０を押し込む。これにより、第１回転方向とは反対方向の第２回転方向にクランプ１１０は回転し、基板キャリア１００から基板２００を剥離可能な状態となる（図９（ｂ）参照）。そして、昇降機構４００によって、第１プレート４１０と共に複数の支持ピン４１１が所定位置まで上昇する。この過程で、基板２００は複数の支持ピン４１１によって押し込まれ、基板キャリア１００から剥離されて所定位置まで上昇する（図９（ｃ）参照）。

その後、基板２００は、搬送ロボットによってキャリア受渡室３００から搬出される。また、第１プレート４１０と共に複数の支持ピン４１１が下降した後に、基板キャリア１００はキャリア受渡室３００から搬出されて、成膜装置の外部に搬出されるか、再度、基板載置室Ｒ１に搬送される。

＜基板の割れ検査＞
上記の通り、基板剥離室Ｒ６にて基板２００を基板キャリア１００から剥がす剥離動作が行われる。しかし、基板２００は基板キャリア１００に対して吸着パッド１３０で接着されているため、剥離動作の過程で基板２００には割れが生じることがある。基板剥離室Ｒ６等の真空装置内で基板２００の割れが発生しても作業者は視認して検知することはできず、真空装置内に割れた破片が残ると装置の故障等にもつながりうる。そこで、本実施例に係る成膜装置は、基板剥離室Ｒ６内で基板２００の割れ有無を検知する割れ検査を剥離動作後に行うよう構成されている。割れ検査においては、撮像手段３５０の撮影結果を基に、制御部Ｃが基板２００の基準点間の距離を算出して、該距離に基づいて基板２００に割れが生じているかを判定する。以下、本実施例に係る基板剥離室Ｒ６における基板検査装置とその検査方法について詳細を説明する。

割れ検査は、支持ピン４１１が上昇して基板２００が基板キャリア１００から剥がされた後、基板２００が支持ピン４１１に支持された状態（図９（ｃ）に示す状態）で開始される。割れ検査においては、まず、撮像手段３５０によって基板２００の４つの角付近のエッジ部分を含むように基板２００の成膜面側から撮像される。具体的には、撮像手段３５０によって４枚の画像が得られ、それぞれの画像に基板２００の４つの角が撮像手段３５０の視野角に含まれるように撮像手段３５０は構成されている。本実施例においては、
撮像手段３５０は４つのカメラを含み、それぞれのカメラで基板２００の４つの角のそれぞれを撮像する。すなわち、図示は省略しているが、基板２００の４つの角それぞれに対応した位置にカメラが設けられている。なお、基板検査装置としては、少なくとも基板２００の４つの角それぞれの周辺領域を撮像可能に撮像手段３５０が設けられていればよく、基板全体を撮像できるよう広角の撮像手段３５０を設けても良い。

本実施例では、撮像手段３５０として、光源からの照明光の光量、シャッタースピード、ゲイン値などを制御部Ｃにより制御することが可能な、光学的な撮像装置を用いる。制御部Ｃは、光量、シャッタースピードやゲイン値の少なくともいずれかを制御することにより、得られる画像を調整することが可能である。そして、本実施例の制御部Ｃは、撮像手段３５０が撮影した画像を解析して基板２００の面を構成する辺をエッジとして認識する。従って、例えば基板２００が割れて支持ピン４１１に傾いて支持されることで、割れが発生していない場合に対して基板２００の鉛直方向の位置が変わった場合でも、各パラメータを調整することによりエッジを認識可能な画像を得ることが可能である。

図１０（ａ）は、基板２００と撮像手段３５０の視野角の位置関係を示す図であり、４つの視野角３５１～視野角３５４を二点鎖線で示す。図１０（ｂ）は、撮像手段３５０による撮影画像を示す図であり、視野角３５１の内部を示す。図１０（ｃ）は、撮像手段３５０による撮影画像を示す図であり、視野角３５２の内部を示す。基板２００の撮影時点では、基板キャリア１００の鉛直方向上側で基板２００が支持ピン４１１に支持されているため、基板剥離室Ｒ６の上方に配置された撮像手段３５０から見ると基板キャリア１００の一部に基板２００が重なった状態となっている。

上記の通り、本実施例においては略矩形である基板２００の４つの角がそれぞれの撮影画像に含まれるように撮像手段３５０が撮像を行う。基板２００の第１の角を撮像範囲に含む視野角３５１の範囲には、基板２００のエッジ２１０Ａと、エッジ２１０Ａと直交するエッジ２１０Ｃと、が含まれる。更に本実施例の基板２００は、角が面取りされており、角エッジ２１０Ｂを有する。なお、基板キャリア１００の一部にはアライメントのためキャリアマークが形成されていても良い。

制御部Ｃは、撮像手段３５０が撮影した画像から基板２００のエッジを認識し、エッジの交点座標を得ることが可能である。視野角３５１においては、エッジ２１０Ａとエッジ２１０Ｃとの交点２２０Ａの交点２２０Ａの座標が得られ、基板２００の第１の角周辺の位置情報が取得される。

同様に、基板２００の第１の角と対角の位置にある第２の角を撮像する視野角３５２の範囲には、基板２００のエッジ２１０Ａと平行なエッジ２１０Ｄと、エッジ２１０Ｄと直交するエッジ２１０Ｆと、隅エッジ２１０Ｅと、が含まれる。そして、制御部Ｃによりエッジ２１０Ａとエッジ２１０Ｃの交点座標として交点２２０Ｂの位置情報が得られる。交点２２０Ａを含む第１の画像と交点２２０Ｂを含む第２の画像から対角位置にある交点２２０Ａと交点２２０Ｂの位置情報が得られると、制御部Ｃは交点２２０Ａと交点２２０Ｂの間の距離Ｌ１を算出する。

また、本実施例においては、第３の角を撮像する視野角３５３と第４の角を撮像する視野角３５４、それぞれに含まれるエッジの交点間の距離Ｌ２も同様に制御部Ｃにより算出される。すなわち、本実施例においては、撮像手段３５０と制御部Ｃによって、第１の角～第４の角それぞれに最も近い位置に設けられる基準点として二辺の交点の位置情報を取得し、基板２００の対角距離を２つ得ることができる。

図１１（ａ）は、割れが生じていない基板２００の上面と正面を示す図である。図１１
（ｂ）は、割れが生じた基板２００の上面と正面を示す図である。基板２００に割れがある場合、基板２００は傾いて支持ピン４１１に支持されたり、割れたときの衝撃で位置がずれたりするため、基板２００に割れがない場合の距離Ｌ１ａと、基板２００に割れがある場合の距離Ｌ１ｂとには差が生じる。そこで、本実施例においては、基板２００の対角の位置にある基準点間の距離Ｌ１、Ｌ２を算出し、距離Ｌ１、Ｌ２のいずれか一方が予め定められた理論値範囲からずれた場合に、判定手段としての制御部Ｃが基板２００に割れありと判定する構成とした。なお、本実施例においては基板の基準点間の距離を２つ取得して、基板の割れ検知に用いる構成としたが、基板の割れ検知に距離情報を１つだけ用いる構成としても良いし、対角距離以外の距離も取得し、より多くの距離情報を用いる構成としても良い。

＜割れ検査の処理フロー＞
図１２を参照して、本実施例の基板２００の割れ検査の処理フローを説明する。成膜処理が完了し、マスクＭが基板２００から取り外されると、基板剥離室Ｒ６に基板２００と基板キャリア１００が搬入される。このとき、基板２００のエッジが大まかに撮像手段３５０の視野角３５１～視野角３５４に含まれるように搬入を行う。そして、基板２００が基板キャリア１００から剥離されて支持ピン４１１にのみ支持された状態になると、基板２００の割れ検査が開始される（Ｓ１００）。

まず、ステップＳ１０１において、撮像手段３５０により基板２００の角周辺の４箇所の撮像が行われる。制御部Ｃは、撮影画像をメモリに保存し、撮影画像に対してフィルター処理などの画像処理を行ってエッジ画像を作成する。

ステップＳ１０２において、制御部Ｃはエッジ画像からエッジを検知できるかどうかを判定する。すなわち、本実施例の制御部Ｃはエッジ画像の撮影に不具合が生じるかどうかを判定する判定手段としても機能する。検知方法は任意であり、例えば視野角３５１においては、エッジ画像中からエッジ２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃに対応する線分を抽出できるかどうかを判定してもよい。また例えば、取得されたエッジ画像を想定されるエッジ画像の画像パターンと比較して判定してもよい。ここで、エッジが検知できない場合は、ステップＳ１０３に進み、ユーザーにエラー発生とエラー種別を通知して、割れ検査は終了する（Ｓ１０８）。

ステップＳ１０２でエッジが検知された場合、ステップＳ１０４に進み、制御部Ｃがエッジから交点座標を取得する。本実施例においては、視野角３５１に含まれるエッジ２１０Ａとエッジ２１０Ｃの交点２２０Ａ（第１の基準点）、視野角３５２に含まれるエッジ２１０Ｄとエッジ２１０Ｆの交点２２０Ｂ（第２の基準点）の座標が位置情報として取得される。同様に、視野角３５３に含まれるエッジの交点（第３の基準点）と視野角３５４に含まれるエッジの交点（第４の基準点）の座標も位置情報として取得される。

そして、ステップＳ１０５に進み、制御部Ｃが基板２００上の対角位置にある交点間の距離として対角距離が算出する。本実施例においては、視野角３５１内の交点２２０Ａと視野角３５２内の交点２２０Ｂの間の距離と、視野角３５３内の交点と視野角３５４内の交点の間の距離とが対角距離として算出される。

ステップＳ１０６においては、制御部Ｃが、算出された対角距離が理論値範囲内にあるか確認し、基板２００に割れが生じているか判定する。本実施例においては、製造誤差や測定誤差等を考慮して、理論値範囲を設計値±３ｍｍとしている。なお、理論値範囲はこの値に限られるものではなく、基板や装置の構成等に応じて適宜定めることができる。対角距離が理論値範囲内である場合は、制御部Ｃは基板２００に割れが生じていないと判定し、割れ検査終了後（Ｓ１０８）、基板２００と基板キャリア１００が自動的に基板剥離
室Ｒ６から搬出される。

一方、ステップＳ１０６で対角距離が理論値範囲内にないことが確認された場合、制御部Ｃは基板２００に割れが生じていると判定し、ステップＳ１０７でアラームにより割れが検出されたことをユーザーに報知し、割れ検査が終了する（Ｓ１０８）。アラームにより基板２００に割れが生じていると制御部Ｃが判定したことを知ったユーザーは、基板剥離室Ｒ６内から基板２００から手動で取り出す。なお、ユーザーへの報知方法はアラームに限られず、表示画面上での通知等その他の通知手段を用いた方法でも良い。

以上のように、本実施例によれば、基板が静止した状態で基板の一部を撮影し、撮影結果から基板の割れを真空装置内で検知することができる。その結果、従来技術のように高精度な搬送手段が必要ではなく、設備コストが抑制できる。また、基板の全体を撮像する必要がないため、基板のサイズが大きい場合であっても、撮影範囲を広げるために撮像手段を増やす必要がなく、簡易的な構成で撮像手段等の設備コストを抑制した上で基板の割れを検査できる。

近年、基板の薄肉化や大型化に伴い、基板に割れが生じやすくなっている。また、基板の割れ検知のために基板全域を撮影する構成とした場合は、より広範に撮影可能な撮影手段が必要となるため設備コストが大きくなりやすい。しかしながら、本発明によれば、基板のサイズによらず撮影範囲を過度に広くする必要がないため撮影手段等の設備コストが抑えられる。更には、エッジを鮮明にするために基板全体に光を投射する必要がないため、画像撮影用の照明光の設備コストも抑えられる。

なお、本発明の構成は上記の構成に限られたものではなく、上記実施例に具現された発明と同一性を失わない範囲で種々の変更が可能である。例えば、上記の実施例においては、基板の対角距離に基づいて基板の割れを検知していたが、対角距離の代わりに別の交点間距離に基づいて基板に割れが生じているか判定しても良い。具体的には、略矩形の基板の４辺に沿った４つの交点間距離がそれぞれ理論値範囲内にあるか確認し、どれかが理論離範囲外にある場合に基板に割れが生じていると判定する構成でも良い。また、上記の実施例においては、基板の基準点としてエッジの交点を用いていたが、基板上の画像表示部以外の部分に基板マークを設け、基板マーク等その他のものを基準点として用いても良い。

また、上記の実施例においては、基板剥離室で基板の割れ検査を行う構成としたが、基板剥離室以外のチャンバで基板の割れ検査を行う構成としても良い。例えば、基板搬入室において、基板を基板キャリアに保持させる前に本発明に係る基板検査装置を用いて基板の割れ検査を行う構成としても良く、基板の割れ検査を行う装置や順番は上記の実施例に限られるものではない。

＜成膜室＞
図１３を参照して、成膜室Ｒ３における成膜処理について、より詳細に説明する。成膜室Ｒ３内には、成膜源としての蒸発源６００が設けられている。基板キャリア１００に保持された基板２００が下向きとなるように、これらは成膜室Ｒ３内に位置決めされた状態で支持される。また、基板２００の下側には、基板２００に対して位置決めされた状態でマスクＭも配される。マスクＭには、基板２００に薄膜を形成する位置に対応する位置に開口が設けられている。これにより、基板キャリア１００に保持された基板２００上に、マスクＭを介して成膜が行われる。

本実施例においては、真空蒸着による成膜（蒸着）が行われる。具体的には、蒸発源６００から成膜材料が蒸発又は昇華し、基板２００上に成膜材料が蒸着して基板２００上に
薄膜が形成される。蒸発源６００については、公知技術であるので、その詳細な説明は省略する。例えば、蒸発源６００は、坩堝等の成膜材料を収容する容器と、容器を加熱する加熱装置等により構成することができる。なお、成膜源は蒸発源６００に限定されるものではなく、成膜源はスパッタリングによって成膜を行うためのスパッタリングカソードであってもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を示し、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例示する。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１４（ａ）は有機ＥＬ表示装置７００の全体図、図１４（ｂ）は１画素の断面構造を表している。

図１４（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置７００の表示領域７０１には、発光素子を複数備える画素７０２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域７０１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子７０２Ｒ、第２発光素子７０２Ｇ、第３発光素子７０２Ｂの組み合わせにより画素７０２が構成されている。画素７０２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。

図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＢ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素７０２は、複数の発光素子からなり、各発光素子は、基板７０３上に、第１電極（陽極）７０４と、正孔輸送層７０５と、発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂのいずれかと、電子輸送層７０７と、第２電極（陰極）７０８と、を有している。これらのうち、正孔輸送層７０５、発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂ、電子輸送層７０７が有機層に当たる。また、本実施例では、発光層７０６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層７０６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層７０６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

また、第１電極７０４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層７０５と電子輸送層７０７と第２電極７０８は、複数の発光素子７０２Ｒ、７０２Ｇ、７０２Ｂで共通に形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極７０４と第２電極７０８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極７０４間に絶縁層７０９が設けられている。更に、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７１０が設けられている。

図１４（ｂ）では正孔輸送層７０５や電子輸送層７０７は一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によっては、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、第１電極７０４と正孔輸送層７０５との間には第１電極７０４から正孔輸送層７０５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第２電極７０８と電子輸送層７０７の間にも電子注入層が形成することもできる。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１電極７０４が形成された基板（マザーガラス）７０３を準備する。

第１電極７０４が形成された基板７０３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極７０４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層７０９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

絶縁層７０９がパターニングされた基板７０３を粘着部材が配置された基板キャリアに載置する。粘着部材によって、基板７０３は保持される。第１の有機材料成膜装置に搬入し、反転後、正孔輸送層７０５を、表示領域の第１電極７０４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層７０５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層７０５は表示領域７０１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。

次に、正孔輸送層７０５までが形成された基板７０３を第２の有機材料成膜装置に搬入する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板７０３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層７０６Ｒを成膜する。

発光層７０６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層７０６Ｇを成膜し、更に第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層７０６Ｂを成膜する。発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域７０１の全体に電子輸送層７０７を成膜する。電子輸送層７０７は、３色の発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層７０７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第２電極７０８を成膜する。

その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７１０を成膜して、基板７０３への成膜工程を完了する。反転後、粘着部材を基板７０３から剥離することで、基板キャリアから基板７０３を分離する。その後、裁断を経て有機ＥＬ表示装置７００が完成する。

絶縁層７０９がパターニングされた基板７０３を成膜装置に搬入してから保護層７１０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。

２００…基板、２２０Ａ…交点（第１の基準点）、２２０Ｂ…交点（第２の基準点）、３５０…撮像手段（撮影手段）、４１１…支持ピン（支持手段）、Ｃ…制御部（判定手段）、Ｌ１…距離

Claims (14)

1. 基板を支持する支持手段と、
   前記支持手段により支持された前記基板の撮影を行う撮影手段と、
   前記撮影手段の撮影結果を基に前記基板に割れが生じているか判定する判定手段と、
   を備え、
   前記判定手段は、前記撮影結果を基に算出された第１の基準点と第２の基準点との間の距離に基づいて、前記基板に割れが生じているか判定することを特徴とする基板検査装置。
2. 前記判定手段は、前記距離が予め設定された理論値範囲から外れている場合に前記基板に割れが生じていると判定することを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
3. 前記判定手段は、前記撮影結果から前記第１の基準点と前記第２の基準点の位置情報を取得し、前記位置情報を基に前記距離を算出することを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
4. 前記基板は略矩形であり、
   前記第１の基準点は、前記基板の面の４つの角のうち第１の角に最も近い位置に設けられ、
   前記第２の基準点は、前記４つの角のうち前記第１の角と異なる第２の角に最も近い位置に設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
5. 前記第１の角は、前記第２の角に対して対角の位置にあることを特徴とする請求項４に記載の基板検査装置。
6. 前記撮影結果は、前記第１の角と前記第１の基準点を含む第１の画像と、前記第２の角と前記第２の基準点を含む第２の画像と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板検査装置。
7. 前記第１の基準点は、前記第１の角を形成する二辺の交点であり、
   前記第２の基準点は、前記第２の角を形成する二辺の交点であることを特徴とする請求項４に記載の基板検査装置。
8. 前記第１の基準点及び前記第２の基準点は、前記基板上に設けられたマークであることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
9. 前記基板は、前記４つの角のうち第３の角に最も近い位置に設けられる第３の基準点と、前記４つの角のうち前記第３の角に対して対角の位置にある第４の角に最も近い位置に設けられる第４の基準点と、を有し、
   前記判定手段は、前記第１の基準点と前記第２の基準点の間の前記距離、及び前記第３の基準点と前記第４の基準点の間の距離に基づいて前記基板に割れが生じているか判定することを特徴とする請求項５に記載の基板検査装置。
10. 前記支持手段は、前記基板に鉛直方向の下方側から当接する複数のピンであることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
11. 前記判定手段が前記基板に割れが生じていると判定した場合に作業者に通知する通知手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
12. 前記通知手段は、アラームであることを特徴とする請求項１１に記載の基板検査装置。
13. 前記支持手段と前記撮影手段が内部に設けられる真空容器と、
    前記基板を前記真空容器の内外へ搬送する搬送手段と、
    を更に備えることを特徴とする請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板検査装置。
14. 基板キャリアに保持された前記基板上に薄膜を形成する成膜源と、
    請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板検査装置と、
    を備えることを特徴とする成膜装置。

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