JP2023165876A - 発光装置、及び、基部 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態に係る発光装置1の模式図であり、図2は発光装置1の基部の内部構造を説明するための上面図であり、図3は図1のIII-IIIを結ぶ直線における矢印方向の断面図を示す。図2においては内部構造を記すため、蓋部120、接着部130及びレンズ部材140を破線で記し、これらの部材を透過した場合に見られる部分を実線で記す。また、図が煩雑になるのを避けるため、図3で記されているワイヤ180は、図2においては省略している。
図11は、第2実施形態に係る発光装置2の断面図を示す。なお、発光装置2の外観の模式図は図1のものと変わらず、上面視における内部構造についても図2のものと変わらない。第2実施形態に係る発光装置2は、第1実施形態に係る発光装置1と比べて、基部を構成する底部の構造が異なる。特に、基板と接合する底部の接合面が第1実施形態とは異なっており、基板の接合面における絶縁部や露出部の形状をこれに対応したものにすれば、その他の点については、第1実施形態で述べた構造や材料等を採用することができる。
第1変形例の発光装置3は、第2実施形態で示した発光装置2とは他の方法で、基板との接合面における枠部と底部との間隔が、枠部との接合面における枠部と底部との間隔よりも広い発光装置を実現する。
図15は、第2変形例に係る発光装置4の断面図を示す。また図16は、第2変形例に係る底部の模式図を示す。図15に示すように、発光装置4は、底部412において、基板400との接合面が枠部411との接合面よりも小さく、側面413が傾斜を有している。このように側面413に傾斜を設けることで、基板400との接合面における枠部411と底部412との間隔を、枠部411との接合面における枠部411と底部412との間隔よりも広くすることができる。なお、第1変形例と同様に、底部412に傾斜を設ける代わりに、枠部411に設けるようにしてもよい。
100…基板
101…放熱部
102…絶縁部
103…金属膜
104…金属領域
105…絶縁領域
106…露出部
110…基部
111…枠部
112…第1電極層
113…接合面
114…第2電極層
115…内側面
116…内側面
117…内側面
118…底部
119…側面
120…蓋部
130…接着部
140…レンズ部材
150…光反射部材
160…サブマウント
170…半導体レーザ素子
180…ワイヤ
2…発光装置
200…基板
201…露出部
210…基部
211…枠部
212…接合面
213…底部
214…窪み部
215…接合面
3…発光装置
300…基板
310…基部
311…枠部
312…窪み部
313…底部
4…発光装置
400…基板
410…基部
411…枠部
412…底部
413…側面
Claims (10)
- 半導体レーザ素子と、
金属を主材料とする底部と、セラミックを主材料とし前記底部が接合される枠部と、第1電極層と、前記第1電極層と電気的に接続される第2電極層と、を有する基部と、を備え、
前記底部は、前記半導体レーザ素子が配される配置面を有し、
前記枠部は、上面と、下面と、前記上面よりも下方かつ前記下面よりも上方に設けられ前記底部の一部と接合する接合面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から下方に延びる内側面であって前記配置面よりも大きい矩形の第1枠を形成する第1内側面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から上方に延びる内側面であって前記第1枠よりも小さい矩形の第2枠を形成する第2内側面と、前記配置面及び前記接合面よりも上方において前記第2内側面の少なくとも一部と交わる平面と、を有し、
前記枠部には、前記第1枠によって画定される開口、及び、前記第2枠によって画定される開口を含む、前記枠部の上面から下面にまで亘った開口が形成され、
前記第2電極層は、前記枠部の前記平面上に設けられ、
前記第1電極層及び第2電極層は、前記半導体レーザ素子と電気的に接続され、
上面視で、前記半導体レーザ素子は、前記第2枠に囲まれる、発光装置。 - 半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が配される配置面を有する底部と、前記底部が接合される枠部と、第1電極層と、前記第1電極層と電気的に接続される第2電極層と、を有する基部と、を備え、
前記底部の方が前記枠部よりも熱伝導率が高く、
前記枠部は、上面と、下面と、前記上面よりも下方かつ前記下面よりも上方に設けられ前記底部の一部と接合する接合面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から下方に延びる内側面であって前記配置面よりも大きい矩形の第1枠を形成する第1内側面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から上方に延びる内側面であって前記第1枠よりも小さい矩形の第2枠を形成する第2内側面と、前記配置面及び前記接合面よりも上方において前記第2内側面の少なくとも一部と交わる平面と、を有し、
前記枠部には、前記第1枠によって画定される開口、及び、前記第2枠によって画定される開口を含む、前記枠部の上面から下面にまで亘った開口が形成され、
前記第2電極層は、前記枠部の前記平面上に設けられ、
前記第1電極層及び第2電極層は、前記半導体レーザ素子と電気的に接続され、
上面視で、前記半導体レーザ素子は、前記第2枠に囲まれる、発光装置。 - 前記第2内側面は、前記接合面及び前記第2電極層が設けられる平面と交わる領域と、前記接合面と交わり前記第2電極層が設けられる平面とは交わらない領域と、を有する請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記底部は、前記配置面の反対側にある下面を有し、
前記基部の下面は、前記底部の下面、及び、前記枠部の下面を含み、
下面視で、前記底部の下面と、前記枠部の下面との間に隙間を有する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記底部は、前記底部の下面と前記配置面との間にある側面を有し、
前記接合面から前記基部の下面までの間に亘って、前記底部の側面と前記枠部の第2内側面との間に隙間を有する請求項4に記載の発光装置。 - 前記底部は、前記枠部と接合する(但し、前記底部が前記第2内側面の全面と接する形態を除く)、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記枠部の下面は、下面視で矩形環状の形状をした平面であり、
前記第1電極層は、前記枠部の下面に設けられ、
前記枠部の下面の幅は、矩形を形成する4辺のうちの前記第1電極層が設けられる辺における幅が、前記第1電極層が設けられない辺における幅よりも大きい請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。 - 絶縁部と、断面視において凸形状を有した放熱部と、を有する基板を備え、
前記基板において、前記放熱部における凸形状の突出した領域が、上面視で前記絶縁部から露出し、
前記底部は、前記放熱部における凸形状の突出した領域と接合する請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光装置。 - 金属を主材料とする底部と、
セラミックを主材料とし前記底部が接合される枠部と、
第1電極層と、
前記第1電極層と電気的に接続される第2電極層と、を備え、
前記底部は、半導体レーザ素子が配される配置面を有し、
前記枠部は、上面と、下面と、前記上面よりも下方かつ前記下面よりも上方に設けられ前記底部の一部と接合する接合面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から下方に延びる内側面であって前記配置面よりも大きい矩形の第1枠を形成する第1内側面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から上方に延びる内側面であって前記第1枠よりも小さい矩形の第2枠を形成する第2内側面と、前記配置面及び前記接合面よりも上方において前記第2内側面の少なくとも一部と交わる平面と、を有し、
前記枠部には、前記第1枠によって画定される開口、及び、前記第2枠によって画定される開口を含む、前記枠部の上面から下面にまで亘った開口が形成され、
前記第2電極層は、前記枠部の前記平面上に設けられ、
前記底部は、前記第2枠によって画定される前記枠部の開口を、下面側から覆う、基部。 - 半導体レーザ素子が配される配置面を有する底部と、
前記底部が接合される枠部と、
第1電極層と、
前記第1電極層と電気的に接続される第2電極層と、を備え、
前記底部の方が前記枠部よりも熱伝導率が高く、
前記枠部は、上面と、下面と、前記上面よりも下方かつ前記下面よりも上方に設けられ前記底部の一部と接合する接合面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から下方に延びる内側面であって前記配置面よりも大きい矩形の第1枠を形成する第1内側面と、前記接合面と交わりかつ前記接合面から上方に延びる内側面であって前記第1枠よりも小さい矩形の第2枠を形成する第2内側面と、前記配置面及び前記接合面よりも上方において前記第2内側面の少なくとも一部と交わる平面と、を有し、
前記枠部には、前記第1枠によって画定される開口、及び、前記第2枠によって画定される開口を含む、前記枠部の上面から下面にまで亘った開口が形成され、
前記第2電極層は、前記枠部の前記平面上に設けられ、
前記底部は、前記第2枠によって画定される前記枠部の開口を、下面側から覆う、基部。
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