JP2023160700A - 電流検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気検出素子に印加される磁束密度を増大させ、かつ外部磁界による不要出力を抑制する電流検出器を得る。【解決手段】略環状の集磁コア１ａ、１ｂは空隙部２ａ、２ｂを突き合わせるように配置され、空隙部２ａ、２ｂ内には磁気検出素子３ａ、３ｂが配置され、集磁コア１ａ、１ｂに形成される夫々の貫通孔に同一極性の被測定電流５ａ、５ｂが流れる導体４ａ、４ｂを貫通させる。被測定電流５ａ、５ｂにより空隙部２ａ、２ｂ内にそれぞれ逆極性の磁束が発生し、磁気検出素子３ａ、３ｂはそれらの磁束密度に比例する電圧を出力し、それらの後段にある演算回路１７によって差動演算される。【選択図】図１

Description

この発明は、磁性体コアを有する電流検出器に関するものである。

従来の電流検出器（電流センサ）では、略環状の集磁コアに囲まれるように、被測定電流が流れる導体が配置される。前記集磁コアには空隙が設けられ、空隙にはホール素子などの磁気検出素子が挿入される構成が一般的である。（例えば、特許文献１（図６）参照）。

しかし近年では、集磁コアを有しない電流検出器、いわゆるコアレス型電流検出器が開発されており、被測定電流が流れる２本の導体の近傍に、同方向に流れる被測定電流によって生じる磁界の強さを夫々検出するための２個の磁気検出素子を配置し、その２個の磁気検出素子によって得られた各検出信号の差を取ることで被測定電流の大きさを求める方法（例えば、特許文献１（図１）参照）が用いられる。

例えば特許文献１（図１）の方法では、２個の磁気検出素子の検出信号の差動演算により、外部磁界による影響を低減している。被測定電流によって発生する磁束は、２個の磁気検出素子に互いに逆方向の磁束を貫通させ、２つの検出信号の差を取ることで両者は加算するが、近傍を通過する電流路や隣相の電流検出器等から発生する磁界（外部磁界）は２個の電流検出素子に同相（同方向）の磁束を与えるため、２個の磁気検出素子の検出信号の差を取ることにより減算され、電流検出器の不要出力の低減に効果がある。

特開２００５－２８３４５１

特許文献１（図１）に記載のコアレス型構造では、２個の磁気検出素子の差分を算出することにより、外部磁界による影響の低減を図りつつ、導体に流れる被測定電流を計測するものであるが、コアを有していない構造であるため、従来の略環状コアを使用した電流検出器と比較して磁気検出素子に印加される磁束密度が小さくなり、磁気検出素子からの出力もそれに比例して小さくなるため、相対的に後段の演算回路における増幅率が増大することによって、回路全体のＳ／Ｎ比が縮小することにより外来ノイズによる電流検出器の出力変動が大きくなるという問題があった。

上記のように、演算回路における増幅率が増大した場合、隣相等に配置される他の電流検出器や、周辺に配置された導体に流れる電流によって発生する磁界を、２個の磁気検出素子によって検出し差分を算出した場合であっても、増幅率が大きいことにより不要出力も大きく増幅される。この影響を低減するために、隣相や周辺の導体との距離を長く離したり、意図しない磁界を遮るためのシールドを追加する必要が発生するという問題があった。

本発明は、かかる問題を解決するためになされたもので、被測定電流によって生じる磁束の方向（極性）が互いに逆になる集磁コアの空隙部を２つ設け、２つの空隙部内の磁気検出素子の検出信号の差分を取ることで、磁気検出素子に印加される磁界を集磁コアによって増幅させる効果と、２個の磁気検出素子の出力の差分を算出する差動演算を利用した、外部磁界による不要出力の抑制効果と、双方の効果を併せ持つ電流検出器を提供することを目的とするものである。

本発明の電流検出器は、空隙部と貫通孔を備えた略環状又は略Ｕ字状の第１及び第２の集磁コアと、第１の被測定電流が貫通する第１の集磁コアの第１の貫通孔と、第２の被測定電流が貫通する第２の集磁コアの第２の貫通孔と、第１の集磁コアの第１の空隙部に配置され、第１の被測定電流により生じる磁束の磁束密度を検出する第１の磁気検出素子と、第２の集磁コアの第２の空隙部に配置され、第２の被測定電流により生じる磁束の磁束密度を検出する第２の磁気検出素子と、第１の磁気検出素子の第１の検出出力と第２の磁気検出素子の第２の検出出力を演算する演算手段を有する電流検出器であって、第１の被測定電流による第１の空隙部の磁束と、第２の被測定電流による第２の空隙部の磁束はそれぞれ逆極性であり、演算手段は第１の検出出力と第２の検出出力を差動演算するものである。

この発明によれば、被測定電流によって発生する磁束の極性が、それぞれ逆極性になるように集磁した２つの集磁コアの空隙部内に配置した２つの磁気検出素子の出力を差動演算することで、外部磁界による不要出力を抑制し小さな電流も正確に測定可能で、設置自由度が高い電流検出器とすることができる。

本発明の実施の形態１における電流検出器１００を示す構成図である。 本発明の実施の形態１における集磁コア部の正面図である。 本発明の実施の形態１における図２のＡ－Ａ断面図である。 本発明の実施の形態１における空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表とグラフである。 本発明の実施の形態１における外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図である。 本発明の実施の形態１における外部磁界による不要出力シミュレーションの結果を示す表である。 本発明の実施の形態１における分岐する単一の導体による集磁コア部を示す斜視図である。 本発明の実施の形態１における磁気検出素子と演算回路を１つのパッケージに集約した時の集磁コア部構成を示す斜視図である。 本発明の実施の形態２における第１の別形状の集磁コア部を示す斜視図及び正面図である。 本発明の実施の形態２における第１の別形状の集磁コア部の空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表とグラフである。 本発明の実施の形態２における第２の別形状の集磁コア部を示す斜視図及び正面図である。 本発明の実施の形態２における第２の別形状の集磁コア部の空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表とグラフである。 本発明の実施の形態２における第３の別形状の集磁コア部を示す斜視図及び正面図である。 本発明の実施の形態２における第３の別形状の集磁コア部の空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表とグラフである。 本発明の実施の形態２における第４の別形状の集磁コア部を示す斜視図及び正面図である。 本発明の実施の形態２における第４の別形状の集磁コア部の空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表とグラフである。 本発明の実施の形態３における集磁コア部を示す斜視図、上面図及び正面図である。 本発明の実施の形態３における集磁コア部の空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表とグラフである。 本発明の実施の形態４における集磁コア部を示す斜視図及び正面図である。 本発明の実施の形態４における集磁コア部の空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表である。 本発明の実施の形態４における第１の外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図である。 本発明の実施の形態４における第１の外部磁界による不要出力シミュレーションの結果を示す表である。 本発明の実施の形態４における第２の外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図である。 本発明の実施の形態４における第２の外部磁界による不要出力シミュレーションの結果を示す表である。 従来のコアレス型電流検出器の磁気検出部を示す斜視図、側面図及び正面図である。 従来のコアレス型電流検出器での、外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図である。 従来のコアレス型電流検出器での、外部磁界による不要出力シミュレーション結果を示す表である。 従来のコアレス型電流検出器と本発明の実施の形態１における外部磁界による不要出力シミュレーション結果を示すグラフである。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１における電流検出器１００を示す構成図、図２はその集磁コア部（導体、磁気検出素子を含む）の正面図で、導体４ａ、４ｂに被測定電流５ａ、５ｂが流れたときの磁束６ａ、６ｂ及び１６ａ、１６ｂを示す。図３は、図２のＡ－Ａ断面図で、電流検出器１００の集磁コア１ａ、１ｂと磁気検出素子３ａ、３ｂの位置関係を示す。図４は空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表とグラフで、導体４ａ、４ｂに被測定電流５ａ、５ｂが流れたときの集磁コア１ａ、１ｂの空隙部に発生する磁束密度をシミュレーションによって算出した結果を示す。図５は外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図で、電流検出器１００の周囲に導体２４を配置して電流２５を通電している。図６は外部磁界による不要出力シミュレーションの結果を示す表で、外部磁界を発生させたときの不要出力をシミュレーションによって算出した結果を示す。図７は分岐する単一の導体による集磁コア部を示す斜視図、図８は磁気検出素子と演算回路を１つのパッケージに集約した時の集磁コア部構成を示す斜視図である。

図１において、電流検出器１００は、空隙部２ａ、２ｂを持つ略環状の集磁コア１ａ、１ｂを、互いの空隙部２ａ、２ｂを対面して所定の間隔（符号ｆ、図２参照）をあけて突き合わせるように配置した集磁コア部１と、集磁コア１ａ、１ｂの中心部に形成される貫通孔に貫通する導体４ａ、４ｂと、空隙部２ａ、２ｂに収容される磁気検出素子３ａ、３ｂと、磁気検出素子３ａ、３ｂの検出出力７ａ、７ｂを入力し演算し出力する演算回路１７及びコンデンサ等の電子部品（図示せず）を実装した主にフィルタ回路を有する電子回路部２７とその出力３７から構成されている。導体４ａ、４ｂには被測定電流５ａ、５ｂが同じ方向（矢印方向）に流れるよう通電される。

ここで集磁コア１ａ、１ｂは、磁性材料である例えばフェライトやケイ素鋼、パーマロイ等によって形成され、加工方法は焼結、積層や巻き付け等による。磁気検出素子３ａ、３ｂとしては例えばホール素子やＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲ等の磁気抵抗素子を使用する。

図２に示すように、略環状の集磁コア部１の夫々の貫通孔に貫通した導体４ａ、４ｂに同じ方向（極性）に被測定電流５ａ、５ｂが流れたときに発生する磁束はアンペールの法則（右ねじの法則）に従い、集磁コア１ａ、１ｂに時計周り方向の磁束６ａ、６ｂが発生し、集磁コア１ａ、１ｂの突き合わせるように近接し対向して配置された空隙部２ａ、２ｂに、逆向き（逆極性）の磁束１６ａ（図示下－Ｙ方向）、１６ｂ（図示上＋Ｙ方向）が発生し、磁気検出素子３ａ、３ｂへ印加される。集磁コア１ａ、１ｂの外形は略直方体形状であり、空隙部２ａ、２ｂの対向する距離の平均値と集磁コア１ａ、１ｂの対向する距離の平均値は同じく距離ｆとなる。本発明では特に説明しない場合、貫通孔の貫通方向及び導体４ａ、４ｂ等の２つの導体の延伸方向をＺ方向、導体４ａ、４ｂ等の２つの導体の並び方向をＸ方向、それらと直交する方向をＹ方向とし、図示矢印方向を＋方向として説明する。

磁気検出素子３ａ、３ｂは、集磁コア１ａ、１ｂの空隙部中心乃至その周辺に配置（図３参照）され、空隙部２ａ、２ｂ幅方向（Ｙ方向）に感磁軸を持ち、空隙部内に発生する磁束１６ａ、１６ｂの空隙幅方向（Ｙ方向）の強さ（磁束密度）に比例し、磁束の方向（極性）に対応した極性の電圧を検出出力７ａ、７ｂ（図１参照）に出力し、磁気検出素子３ａ、３ｂの後段の演算回路１７（図１参照）によって差動演算される。

このように構成された電流検出器１００において、導体４ａ、４ｂに被測定電流５ａ、５ｂが流れたときの磁気検出素子３ａ、３ｂから出力される電圧を夫々Ｖｈａ、Ｖｈｂとし、演算回路１７の増幅率をＡとしたとき、電流検出器１００の出力３７（出力電圧Ｖｈ）は、以下の（１）式で表すことができる。
Ｖｈ＝（Ｖｈａ－Ｖｈｂ）×Ａ・・・（１）

このとき、集磁コア１ｂの空隙部２ｂに発生する磁束は、集磁コア１ａの空隙部２ａに発生する磁束に対して逆極性であるため、被測定電流５ａ、５ｂの電流をＩａ、Ｉｂとし、磁気検出素子３ａ、３ｂの変換係数をＢとすると 電流検出器の出力３７（出力電圧Ｖｈ）は、以下の（２）～（４）式で表すことができる。
Ｖｈａ＝Ｉａ×Ｂ・・・（２）
Ｖｈｂ＝－Ｉｂ×Ｂ・・・（３）
Ｖｈ＝（Ｉａ＋Ｉｂ）×Ｂ×Ａ・・・（４）以上より被測定電流５ａ、５ｂの合計電流（Ｉａ＋Ｉｂ）が検出できる。

図４は、導体４ａ、４ｂに同じ方向（極性）の被測定電流５ａ、５ｂを流したときの磁気検出素子３ａ、３ｂが検出する、集磁コア１ａ、１ｂの夫々の空隙部２ａ、２ｂ中心の磁界の磁束密度をシミュレーションした結果を示す。
ここでは、電流検出器１００の定格電流（被測定電流の最大値）を１０Ａと想定し、シミュレーション条件として、図２に示す符号ａ（集磁コア１ａ、１ｂのＸ方向長さ）＝８ｍｍ、ｂ（集磁コア１ａ、１ｂのＹ方向長さ）＝８ｍｍ、ｃ（集磁コア１ａ、１ｂの貫通穴のＸ方向長さ）＝４ｍｍ、ｄ（集磁コア１ａ、１ｂの貫通穴のＹ方向長さ）＝４ｍｍ、ｅ（集磁コア１ａ、１ｂの空隙部幅）＝２．５ｍｍ、コアの厚み（Ｚ方向長さ、図示せず）＝４ｍｍとし、被測定電流は定格電流値の１０Ａ（５ａが５Ａ、５ｂが５Ａ）を通電させるものとする。また、磁気検出素子の感磁点は図２の集磁コア１ａ、１ｂの空隙部２ａ、２ｂそれぞれの中心とする。さらに、符号ｆ（集磁コア１ａ、１ｂとのＸ方向空隙部間距離）の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させる。表は空隙部間距離（符号ｆ、単位ｍｍ）を変えた場合の集磁コア１ａと集磁コア１ｂの空隙部２ａ、２ｂ中心の磁束密度（単位ｍＴ）と両者の差分値（以降、定格測定差分値と記す。単位ｍＴ）を示し、グラフは空隙部間距離（符号ｆ）と定格測定差分値の関係を示す。

上記シミュレーションにより、空隙部間距離（符号ｆ）が２．５ｍｍの時の集磁コア１ａ、１ｂの空隙中心部の磁気検出素子３ａ、３ｂの感磁軸方向（Ｙ方向）に発生する磁束密度はそれぞれ２．３８７ｍＴ、－２．３８６ｍＴとなり、差動演算すると、定格測定差分値は４．７７３ｍＴとなる（図４参照）。さらに、符号ｆの距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させた場合、集磁コア１ａ、１ｂ間の距離を離すほど空隙部２ａ、２ｂ内に発生する磁束が大きくなり符号ｆが１ｍｍの時の４．５９０ｍＴが、２．５ｍｍを超えたあたりで磁束密度の増加は鈍化することが分かる。したがって本シミュレーションによれば、集磁コア１ａ、１ｂ間の距離（符号ｆ）は空隙部幅（符号ｅ）に相当する２．５ｍｍ以上とすることで空隙部内に発生する磁束を適正化できる。

ここで、比較のために従来のコアレス型電流検出器の磁気検出素子が検出する磁束密度について、図２５に示す特許文献１（図１）を例に説明する。
図２５（ａ）は、従来のコアレス型電流検出器の磁気検出部を示す斜視図で、磁気検出素子（磁気検出部）１３ａ、１３ｂが設けられるとともに、２本の導体（被測定電流を通電する導体）７４ａ、７４ｂが配置されている。

導体７４ａ、７４ｂは延伸方向（Ｚ方向）に対してＸ方向に平行に設置され、被測定電流３５ａ、３５ｂが導体７４ａ、７４ｂを同一方向（図示矢印方向）にそれぞれ流れることができる。また、磁気検出素子１３ａ、１３ｂはＸ方向に感磁軸を持ち、導体７４ａ、７４ｂに同方向（－Ｚ方向）にそれぞれ流れる被測定電流３５ａ、３５ｂによって生じる磁束が互いに逆向き（磁気検出素子１３ａは＋Ｘ方向、磁気検出素子１３ｂは－Ｘ方向）に感磁面を貫通するようにそれぞれ配置されている。

図２５（ｂ）、図２５（ｃ）はシミュレーション条件を示す図で、シミュレーション条件として、図２５（ｂ）に示す符号ａ８（導体７４ａ、７４ｂの軸中心と磁気検出素子１３ａの感磁点、及び導体７４ａ、７４ｂの軸中心と磁気検出素子１３ｂの感磁点のＹ方向の長さ）＝２ｍｍ、図２５（ｃ）に示す符号ｂ８（導体７４ａ軸中心と磁気検出素子１３ａの、１３ｂの感磁点及び導体７４ｂ軸中心と磁気検出素子１３ａ、１３ｂの感磁点までのＸ方向の長さ）＝２ｍｍとし、被測定電流１０Ａ（被測定電流３５ａに５Ａ、被測定電流３５ｂに５Ａ）を通電させるものとする。

上記シミュレーション結果では、磁気検出素子１３ａ、１３ｂの感磁軸方向（Ｘ方向）に発生する磁束密度はそれぞれ、０．５０１ｍＴ、－０．４９５ｍＴとなり、差動演算すると定格出力差分値は０．９９６ｍＴとなる。したがって本実施の形態１（定格測定差分値は４．７７３ｍＴ）では従来のコアレス型電流検出器に比べ、４．７９（＝４．７７３ｍＴ／０．９９６ｍＴ）倍の磁束密度を得ることが可能であり、より小さな電流まで高感度に検出することができる。

また、ここでは従来のコアレス型電流検出器における、近傍に設置された電線や隣相に設置される電流検出器の導体に電流が流れることによる外部磁界の影響についてシミュレーションを用いて説明する。

図２６は従来のコアレス型電流検出器での、外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図で、図２６（ａ）は、図２５で示した従来のコアレス型電流検出器の磁気検出部の近傍を通過する導体８４を示す斜視図、図２６（ｂ）は導体８４の位置を示す図であり、導体８４の軸中心は導体７４ａ、７４ｂの軸中心を結んだ延長線上（Ｘ方向）にあり、符号ｃ８が磁気検出素子１３ａ、１３ｂの感磁点からのＸ方向の距離を示す。

シミュレーションでは、この導体８４を外部磁界発生源の代表とし、導体８４に電流検出器の定格電流相当（ここでは１０Ａ）の電流が流れた時の、従来のコアレス型電流検出器の磁気検出素子１３ａ、１３ｂが検出する外部磁界起因の磁束密度の両者の差分値（以降、外部磁界差分値と記す）を求める。導体８４軸中心と感磁素子１３ａ、１３ｂの感磁点との距離（符号ｃ８）は５ｍｍから１５０ｍｍまで変化させ、外部磁界差分値の変化を確認する。

またシミュレーションで、外部磁界の影響を無くすためには、導体８４軸中心と磁気検出素子１３ａ、１３ｂの感磁点との距離（符号ｃ８）をどの程度離すのが望ましいかの目安を求める。電流検出器に被測定電流最小値（ここでは定格電流の１０％の１Ａ）が流れた時の磁気検出素子１３ａ、１３ｂが検出する被測定電流起因の磁束密度の両者の差分値（以降、最小測定差分値と記す）に対して、外部磁界差分値は１％以下程度に抑えることが望ましい。

図２７は、外部磁界による不要出力シミュレーション結果を示す図で、従来のコアレス型電流検出器における距離ｃ８（単位ｍｍ）毎の、磁気検出素子１３ａ、１３ｂの感磁点での磁束密度（単位ｍＴ）、両者の外部磁界差分値（単位ｍＴ）と、外部磁界差分値の最小測定差分値（ここでは０．１ｍＴ）との割合（単位％）を示す表で、図２８は、横軸が距離ｃ８（単位ｍｍ）、縦軸が外部磁界差分値の割合（単位％）を示す対数目盛グラフで、破線が従来のコアレス型電流検出器を示す。

図２８の破線に示すように、外部磁界差分値の割合は距離ｃ８が大きくなるに従い小さくなり、外部磁界影響の無い目安である割合１％（グラフ上に一点鎖線で示す）を下回るには、距離ｃ８を９０ｍｍ以上離すことになる。

次に、本実施の形態１の電流検出器における、近傍に設置された電線や隣相に設置される電流検出器の導体に電流が流れることによる外部磁界の影響についてシミュレーションを用いて説明する。

図５は実施の形態１の電流検出器１００での、外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図で、図５（ａ）は、図２で示した電流検出器１００の集磁コア部の近傍を通過する導体２４を示す斜視図、図５（ｂ）は導体２４の位置を示す図であり、導体２４の軸中心は導体４ａ、４ｂの軸中心を結んだ延長線上（Ｘ方向）にあり、符号ｉが磁気検出素子３ａ、３ｂの両感磁点の中心からのＸ方向の距離を示す。

シミュレーションでは、この導体２４を外部磁界発生源の代表とし、導体２４に電流検出器１００の定格電流相当（ここでは１０Ａ）の電流が流れた時の、電流検出器１００の磁気検出素子３ａ、３ｂが検出する外部磁界差分値（外部磁界起因の磁束密度の両者の差分値）を求める。導体２４軸中心と感磁素子３ａ，３ｂの両感磁点の中心との距離（符号ｉ）は１１．２５ｍｍから１５．２５ｍｍまで変化させ、外部磁界差分値の変化を確認する。

図６は、外部磁界による不要出力シミュレーション結果を示す図で、電流検出器１００における距離ｉ（単位ｍｍ）毎の、磁気検出素子３ａ、３ｂの感磁点での磁束密度（単位ｍＴ）、両者の外部磁界差分値（単位ｍＴ）と、外部磁界差分値の最小測定差分値（ここでは０．４８ｍＴ）との割合（単位％）を示す表で、図２８は、横軸が距離ｉ（単位ｍｍ）、縦軸が外部磁界差分値の割合（単位％）を示す対数目盛グラフで、実線が電流検出器１００を示す。

図２８の実線に示すように、外部磁界差分値の割合は距離ｉが大きくなるに従い小さくなるが、距離ｉが１１．２５ｍｍで外部磁界影響の無い目安である割合１％（グラフ上に一点鎖線で示す）を下回っている。

従来のコアレス型電流検出器では、近傍導体を９０ｍｍ以上離すことになるのに比べ、本実施の形態では、近傍導体が電流検出器１００の直近にあってもその磁界の影響を受けることが無いため、電流検出器の設置位置の自由度が極めて高い。

また、従来のコアレス型電流検出器では、被測定電流を通電する導体と磁気検出素子の物理的な位置関係が、磁気検出素子の測定差分値に大きく影響するため、導体と磁気検出素子は物理的に一体化しておく必要があるが、本実施の形態では、集磁コア１ａ、１ｂを備えることにより、集磁コア１ａ、１ｂの貫通孔を通過する被測定電流５ａ、５ｂによって発生する磁界は、導体４ａ、４ｂと磁気検出素子３ａ、３ｂの位置関係に依らず集磁コア１ａ、１ｂによって集磁されたのち、集磁コア空隙部２ａ、２ｂを通過するため、被測定電流５ａ、５ｂの流れる導体４ａ、４ｂと磁気検出素子３ａ、３ｂとの位置関係の自由度が高く、電流検出器に導体を備えず、導体貫通用の貫通孔を備えた貫通孔方式での電流検出器の提供も可能である。貫通孔方式では、電流検出器を例えばモータ駆動用インバータ等へ組み込む時に使用者の要求に合わせた導体を組み込むことが可能である。

導体４ａ、４ｂは円柱形状に限られず、たとえば直方体形状であってもよい。また、図７に示すように、板状の導体１４を経路途中で分岐させ、集磁コア１ａ、１ｂの貫通孔へ分岐路１４ａ、１４ｂを貫通させ、その後経路を合流させる形状とすることで、単一の導体で上記構成としてもよい。

磁気検出素子３ａ、３ｂ、演算回路１７は、単一パッケージの集積回路（ＩＣ）８内に構成してもよい（図８参照）

実施の形態２．
実施の形態１では、集磁コアとして、その外形が略直方体形状としていたが、ここでは別形状の形態について説明する。
図９（ａ）は、第１の別形状の集磁コア部（導体、磁気検出素子を含む）を示す斜視図で、図９（ｂ）はその正面図である。図９（ｂ）において１１ａと１１ｂが集磁コアで、この形状が実施の形態１と異なり、図９（ｂ）に示されるように集磁コア１１ａ、１１ｂの空隙部１２ａ、１２ｂの図示上下を角度θ２で斜めに切り落とし、集磁コア１１ａ、１１ｂの向かい合う面の間隔を磁気検出素子３ａ、３ｂから離れるほど長くさせた形状を有する。よって集磁コア１１ａ、１１ｂの対向する距離の平均値は、空隙部１２ａ、１２ｂの対向する距離の平均値に比べて長くなる。

本集磁コア形状によれば、集磁コア１１ａ、１１ｂ間の対向する平均的な距離が実施の形態１に比べ長くなることにより２つの集磁コア１１ａ、１１ｂ間の磁気抵抗を増加させ、集磁コア１１ａ、１１ｂ間の磁束の漏れ移動を抑制し、空隙部１２ａ、１２ｂ間の距離（図９（ｂ）の符号ｆ２）を広げることなく夫々の空隙部１２ａ、１２ｂに逆極性の磁束を発生させることができるため、電流検出器の外形（Ｘ方向長さ）をより小さくすることも可能である。

図１０は、空隙部磁束密度シミュレーション結果を示す表とグラフで、図９の導体４ａ、４ｂに被測定電流を流したときの、集磁コア１１ａ、１１ｂの夫々の空隙中心部の磁界の磁束密度をシミュレーションした結果を示す。
ここでは、シミュレーション条件として、図９に示す符号ａ２（集磁コア１１ａ、１１ｂのＸ方向長さ）＝８ｍｍ、ｂ２（集磁コア１１ａ、１１ｂのＹ方向長さ）＝８ｍｍ、ｃ２（集磁コア１１ａ、１１ｂの貫通孔のＸ方向長さ）＝４ｍｍ、ｄ２（集磁コア１１ａ、１１ｂの貫通孔のＹ方向長さ）＝４ｍｍ、ｅ２（集磁コア１１ａ、１１ｂの空隙部のＹ方向長さ）＝２．５ｍｍ、θ２＝４５度、コアの厚み（Ｚ方向長さ、図示せず）＝４ｍｍとし、被測定電流を１０Ａ（導体４ａ、４ｂに同方向にそれぞれ５Ａ）通電させるものとする。さらに、符号ｆ２（集磁コア１１ａ、１１ｂの空隙部間距離）の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させる。表は空隙部間距離（符号ｆ２、単位ｍｍ）を変えた場合の集磁コア１１ａと集磁コア１１ｂの空隙中心部の磁束密度（単位ｍＴ）と両者の差分値（定格測定差分値、単位ｍＴ）を示し、グラフは空隙部間距離と定格測定差分値の関係を示す。

上記シミュレーションにより、空隙部間距離（符号ｆ２）が２．５ｍｍの時の集磁コア１１ａ、１１ｂの空隙中心部に発生する磁束密度はそれぞれ２．４３２ｍＴ、－２．４４７ｍＴとなり、差動演算すると、定格測定差分値は４．８７９ｍＴとなる（図１０参照）。さらに、符号ｆ２の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させた場合、実施の形態１のｆが１ｍｍの時の４．５９０ｍＴに対し、ｆ２が１ｍｍの時は４．８３２ｍＴとなり空隙部間の距離によらずほぼ一定の値となっていることから、前述の通り空隙部間の距離を短くし、電流検出器の外形をより小さくすることも可能である。

なお、外部磁界の影響の低さや設置自由度の高さについても、実施の形態１と同様の効果を有する。

図１１（ａ）は、第２の別形状の集磁コア部（導体、磁気検出素子を含む）を示す斜視図で、図１１（ｂ）はその正面図である。図１１（ｂ）に示されるように２１ａと２１ｂが集磁コアで、この形状が実施の形態１と異なり、集磁コア２１ａ、２１ｂは円環状コアの一部に空隙を持たせた略円環状の集磁コアであり、空隙部２２ａ、２２ｂを向かい合わせるように配置させた形状を有する。

本集磁コア形状によれば、集磁コア２１ａ、２１ｂは略円環状であるためケイ素鋼板等の巻き付け加工によって集磁コアを形成することができ、ケイ素鋼板等の積層やフェライトに比べ磁気飽和特性やヒステリシス特性において、より良好な特性を得ることができる。

図１２は、空隙部磁束密度シミュレーション結果を示す表とグラフで、図１１（ｂ）の導体４ａ、４ｂに被測定電流を流したときの、集磁コア２１ａ、２１ｂの夫々の空隙中心部周辺の磁界の磁束密度をシミュレーションした結果を示す。
ここでは、シミュレーション条件として、図１１（ｂ）に示す符号ａ３（集磁コア２１ａ、２１ｂの外径）＝８ｍｍ、ｂ３（集磁コア２１ａ、２１ｂの内径）＝４ｍｍ、ｅ３（集磁コア２１ａ、２１ｂの空隙部のＹ方向長さ）＝２．５ｍｍ、コアの厚み（Ｚ方向長さ、図示せず）＝４ｍｍとし、被測定電流を１０Ａ（導体４ａ、４ｂに同方向にそれぞれ５Ａ）通電させるものとする。さらに、符号ｆ３（集磁コア２１ａ、２１ｂの空隙部間距離）の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させる。表は空隙部間距離（符号ｆ３、単位ｍｍ）を変えた場合の集磁コア２１ａと集磁コア２１ｂの空隙中心部の磁束密度（単位ｍＴ）と両者の差分値（定格測定差分値、単位ｍＴ）を示し、グラフは空隙部間距離と定格測定差分値の関係を示す。

上記シミュレーションにより、空隙部間距離（符号ｆ３）が２．５ｍｍの時の集磁コア２１ａ、２１ｂの空隙中心部に発生する磁束密度はそれぞれ２．４２６ｍＴ、－２．４３２ｍＴとなり、差動演算すると、定格測定差分値は４．８５９ｍＴとなる（図１２参照）。さらに、符号ｆ３の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで可変化させた場合、空隙部間の距離によらずほぼ一定の値となっていることが分かり第１の別形状の集磁コア部と同様の効果を有する。

図１３（ａ）は、第３の別形状の集磁コア部（導体、磁気検出素子を含む）を示す斜視図で、図１３（ｂ）はその正面図である。図１３（ｂ）に示されるように３１ａと３１ｂが集磁コアで、この形状が実施の形態１と異なり、空隙部３２ａ、３２ｂを集磁コア３１ａ、３１ｂの貫通孔から連続するＵ字形状とし、空隙部側外形を空隙部に向けて図示上下に角度θ４で斜めに切り落とした形状を有する。また導体３４ａ、３４ｂは薄板形状をしている。

本集磁コア形状によれば、前記空隙部形状により貫通孔の高さ（Ｙ方向長さ）を導体３４ａ、３４ｂが貫通可能な最小限に抑え、Ｙ方向に低背化を行うことが可能である。

図１４は、空隙部磁束密度シミュレーション結果を示す表とグラフで、図１３（ｂ）の導体３４ａ、３４ｂに被測定電流を流したときの、集磁コア３１ａ、３１ｂの夫々の空隙中心部の磁界の磁束密度をシミュレーションした結果を示す。
ここでは、シミュレーション条件として、図１３（ｂ）に示す符号ａ４（集磁コア３１ａ、３１ｂのＸ方向長さ）＝８ｍｍ、ｂ４（集磁コア３１ａ、３１ｂのＹ方向長さ）＝６．５ｍｍ、ｃ４（集磁コア３１ａ、３１ｂの空隙部（貫通孔）のＸ方向長さ）＝６ｍｍ、ｅ４（集磁コア３１ａ、３１ｂの空隙部のＹ方向長さ）＝２．５ｍｍ、θ４＝４５度、コアの厚み（Ｚ方向長さ、図示せず）＝４ｍｍとし、被測定電流を１０Ａ（導体３４ａ、３４ｂに同方向にそれぞれ５Ａ）通電させるものとする。さらに、符号ｆ４（集磁コア３１ａ、３１ｂの空隙部間距離）の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させる。表は空隙部間距離（符号ｆ４、単位ｍｍ）を変えた場合の集磁コア３１ａと集磁コア３１ｂの空隙中心部（ここでは、集磁コア３１ａ、３１ｂの空隙部外端から１ｍｍ、空隙部のＹ方向長さ中心及びコアの厚み中心の位置を空隙部中心とする）の磁束密度（単位ｍＴ）と両者の差分値（定格測定差分値、単位ｍＴ）を示し、グラフは空隙部間距離と定格測定差分値の関係を示す。

上記シミュレーションにより、空隙部間距離（符号ｆ４）が２．５ｍｍの時の集磁コア３１ａ、３１ｂの空隙中心部に発生する磁束密度はそれぞれ２．４６４ｍＴ、－２．４６８ｍＴとなり、差動演算すると、定格測定差分値は４．９３２ｍＴとなる（図１４参照）。さらに、符号ｆ４の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させた場合、空隙部間の距離によらずほぼ一定の値となっていることが分かり第１の別形状の集磁コア部と同様の効果を有する。

図１５（ａ）は、第４の別形状の集磁コア部（導体、磁気検出素子を含む）を示す斜視図で、図１５（ｂ）はその正面図である。集磁コア４１ａ、４１ｂを空隙部４２ａ、４２ｂを上方又は下方へ偏心させた場合を示す。図１５（ｂ）に示されるように４１ａと４１ｂが集磁コアで、この形状が実施の形態１と異なり、空隙部４２ａ、４２ｂを集磁コア４１ａ、４１ｂの貫通孔の（上面又は）下面に沿う位置と、貫通孔の（下面又は）上面から角度θ５の斜め方向に張り出した形状によって空隙部を持たせた形状を有する。

図１６は、空隙部磁束密度シミュレーション結果を示す表とグラフで、図１５（ｂ）の導体４ａ、４ｂに被測定電流を流したときの、集磁コア４１ａ、４１ｂの夫々の空隙中心部周辺の磁界の磁束密度をシミュレーションした結果を示す。
ここでは、シミュレーション条件として、図１５（ｂ）に示す符号ａ５（集磁コア４１ａ、４１ｂのＸ方向長さ）＝１０ｍｍ、ｂ５（集磁コア４１ａ、４１ｂのＹ方向長さ）＝８ｍｍ、ｃ５（集磁コア４１ａ、４１ｂの貫通孔のＸ方向長さ）＝４ｍｍ、ｄ５（集磁コア４１ａ、４１ｂの貫通孔のＹ方向長さ）＝４ｍｍ、ｅ５（集磁コア４１ａ、４１ｂの空隙部のＹ方向長さ）＝２．５ｍｍ、θ５＝４５度、コアの厚み（Ｚ方向長さ、図示せず）＝４ｍｍとし、被測定電流を１０Ａ（導体４ａ、４ｂに同方向にそれぞれ５Ａ）通電させるものとする。さらに、符号ｆ５（集磁コア４１ａ、４１ｂの空隙間距離）の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させる。表は空隙部間距離（符号ｆ５、単位ｍｍ）を変えた場合の集磁コア４１ａと集磁コア４１ｂの空隙中心部の磁束密度（単位ｍＴ）と両者の差分値（定格測定差分値、単位ｍＴ）を示し、グラフは空隙部間距離と定格測定差分値の関係を示す。

上記シミュレーションにより、空隙部間距離（符号ｆ５）が２．５ｍｍの時の集磁コア４１ａ、４１ｂの空隙中心部に発生する磁束密度はそれぞれ２．４１９ｍＴ、－２．４１４ｍＴとなり、差動演算すると、定格測定差分値は４．８３３ｍＴとなる（図１６参照）。さらに、符号ｆ５の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させた場合、空隙部間の距離によらずほぼ一定の値となっていることが分かり第１の別形状の集磁コア部と同様の効果を有する。

実施の形態３．
実施の形態１及び形態２では、集磁コアの空隙部をＸ方向で突き合わせるように対向して配置していたが、ここでは配置を変えた形態について説明する。
図１７（ａ）は、別配置の集磁コア部（導体、磁気検出素子を含む）を示す斜視図で、図１７（ｂ）はその上面図で、図１７（ｃ）はその正面図である。図１７（ｂ）において５１ａと５１ｂが集磁コアで、両空隙部の対向配置が実施の形態１及び形態２と異なり、Ｚ方向に所定の距離（符号ｆ６）を取り、それぞれの空隙部がＺ方向で向かい合うように対向して配置され、集磁コア５１ｂの図示左端面は、集磁コア５１ａの図示左端面からＸ方向に所定の距離（符号ｄ６）を取る。

図１７（ｃ）において、集磁コア５１ａ、５１ｂは貫通孔から空隙部まで連続する略Ｕ字形状を有し、導体３４ａ、３４ｂは薄板形状をしている。符号ａ６は集磁コア５１ａ、５１ｂのＸ方向長さ、符号ｂ６は集磁コア５１ａ、５１ｂのＹ方向長さ、符号ｃ６は集磁コア５１ａ、５１ｂの端面から貫通孔までのＸ方向長さ、符号ｅ６は集磁コア５１ａ、５１ｂの空隙部のＹ方向長さである。

図１８は、空隙部磁束密度シミュレーション結果を示す表とグラフで、図１７（ｃ）の導体３４ａ、３４ｂに被測定電流を流したときの、集磁コア５１ａ、５１ｂの夫々の空隙中心部周辺の磁界の磁束密度をシミュレーションした結果を示す。
ここでは、シミュレーション条件として、図１７（ｃ）に示す符号ａ６＝８ｍｍ、ｂ６＝６．５ｍｍ、ｃ６＝６ｍｍ、ｅ６＝２．５ｍｍ、コアの厚み（Ｚ方向長さ、図示せず）＝４ｍｍとし、図１７（ｂ）に示す符号ｄ６＝６ｍｍとし、被測定電流を１０Ａ（導体３４ａ、３４ｂに同方向にそれぞれ５Ａ）通電させるものとする。さらに、符号ｆ６の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させる。表は空隙部間距離（符号ｆ６、単位ｍｍ）を変えた場合の集磁コア５１ａと集磁コア５１ｂの空隙中心部（ここでは、集磁コア５１ａ、５１ｂの空隙部外端から１ｍｍ、空隙部のＹ方向長さ中心及びコアの厚み中心の位置）の磁束密度（単位ｍＴ）と両者の差分値（定格測定差分値、単位ｍＴ）を示し、グラフは空隙部間距離と定格測定差分値の関係を示す。

上記シミュレーションにより、空隙部間距離（符号ｆ６）が１ｍｍの時の集磁コア５１ａ、５１ｂの空隙中心部に発生する磁束密度はそれぞれ２．４０１ｍＴ、－２．３９５ｍＴとなり、差動演算すると、定格測定差分値は４．７９７ｍＴとなる（図１８参照）。さらに、符号ｆ６の距離を１ｍｍ～５ｍｍまで変化させた場合、空隙部間の距離によらずほぼ一定の値となっていることが分かる。よって従来のコアレス型電流検出器に比べ、４．８２（＝４．７９７ｍＴ／０．９９６ｍＴ）倍の磁束密度を得ることが可能であり、実施の形態１と同様により小さな電流まで高感度に検出することができる。

上記のような集磁コア配置とすることで、導体３４ａ、３４ｂ間のＸ方向の距離を縮小できるので、電流検出器のＸ方向の長さを、より小さくすることができる。また、外部磁界の影響の低さや設置自由度の高さも、実施の形態１と同様の効果を有する。

なお、集磁コアの形状は、実施の形態１のように略Ｃ型形状でもよいし、実施の形態２のように、角に所定の角度を有する斜面を設けた形状や、略円環状であってもよく、また導体は円柱形状や直方体形状であってもよい。

実施の形態４．
実施の形態１乃至形態３では、２つの導体に集磁コアを組み合わせて構成されていたが、ここでは１つの導体に集磁コアを組み合わせる形態について説明する。
図１９（ａ）は、１つの導体に集磁コアを組み合わせた集磁コア部を示す斜視図で、図１９（ｂ）はその正面図で、導体４４に被測定電流４５が流れたときの磁束２６ａ、２６ｂ及び３６ａ、３６ｂを示す。図２０は空隙部磁束密度シミュレーションの結果を示す表で、導体４４に被測定電流４５が流れたときの集磁コア６１ａ、６１ｂの空隙部に発生する磁束密度をシミュレーションによって算出した結果を示す。図２１及び図２３は外部磁界による不要出力シミュレーション条件を示す図で、実施の形態４の電流検出器の周囲に導体を配置して電流を通電し、外部磁界を発生させたときの不要出力をシミュレーションによって算出した導体の配置を示す。

図１９（ａ）において略Ｕ字形状の集磁コア６１ａは＋Ｙ方向に２つのＸＺ端面を有し、略直方体形状の集磁コア６１ｂはその２つのＸＺ端面に対面し第１の空隙部６２ａと第２の空隙部６２ｂを構成する２つの面を有し、空隙部６２ａ，６２ｂに磁気検出素子３ａ、３ｂが収容され、集磁コア６１ａに形成された貫通孔に導体４４が貫通され、導体４４には被測定電流４５が通電される。

図１９（ｂ）に示すように、集磁コア６１ａの貫通孔に貫通した導体４４に被測定電流４５が矢印方向に流れた時、集磁コア６１ａ、６１ｂに時計周り方向の磁束２６ａ、２６ｂが発生し、空隙部６２ａ，６２ｂに、逆向き（逆極性）の磁束３６ａ（図示上＋Ｙ方向）、３６ｂ（図示下－Ｙ方向）が発生し、磁気検出素子３ａ、３ｂへ印加される。符号ａ７は集磁コア６１ｂのＸ方向長さ、符号ｂ７は集磁コア６１ｂのＹ方向長さ、符号ｃ７は集磁コア６１ａの略円環形状の外径、符号ｄ７は集磁コア６１ａの略円環形状の貫通孔の内径、符号ｅ７は集磁コア６２ａのＹ方向長さ、符号ｆ７は空隙部のＹ方向長さを示す。

図２０は、導体４４に被測定電流４５を流したときの磁気検出素子３ａ、３ｂが検出する、集磁コア６１ａ、６１ｂの（図１９（ｂ）図示）左右の空隙中心部の磁界の磁束密度をシミュレーションした結果を示す。
ここでは、シミュレーション条件として、図１９（ｂ）に示す符号ａ７＝６．５ｍｍ、ｂ７＝２ｍｍ、ｃ７＝４．５ｍｍ、ｄ７＝２．５ｍｍ、ｆ７＝２．５ｍｍ、コアの厚み（Ｚ方向長さ、図示せず）＝４ｍｍとし、導体４４に被測定電流を１０Ａ通電させるものとする。表は集磁コア６１ａと集磁コア６１ｂの（図１９（ｂ）図示）左右の空隙中心部の磁界の磁束密度（単位ｍＴ）と両者の差分値（定格測定差分値、単位ｍＴ）を示す。

上記シミュレーションにより、符号ｆ７＝２．５ｍｍの時の集磁コア６１ａ、６１ｂの左右の空隙中心部に発生する磁束密度はそれぞれ２．３４９ｍＴ、－２．３６３ｍＴとなり、差動演算すると、定格測定差分値は４．７１３ｍＴとなる（図２０参照）。よって従来のコアレス型電流検出器に比べ、４．７３（＝４．７１３ｍＴ／０．９９６ｍＴ）倍の磁束密度を得ることが可能であり、実施の形態１と同様により小さな電流まで高感度に検出することができる。

次に、本実施の形態４の電流検出器における、近傍に設置された電線や隣相に設置される電流検出器の導体に電流が流れることによる外部磁界の影響についてシミュレーションを用いて説明する。

図２１は実施の形態４での、外部磁界による第１の不要出力シミュレーション条件を示す図で、図１９で示した電流検出器の導体４４近傍を通過する導体５４の位置を示す図であり、導体５４の軸中心は導体４４の軸中心Ｘ方向の同一軸上にあり、符号ｇ７が導体５４の軸中心の電流検出器の（Ｘ方向）中心からのＸ方向の距離を示す。

シミュレーションでは、この導体５４を外部磁界発生源の第１の代表とし、導体５４に電流検出器の定格電流相当（ここでは１０Ａ）の電流が流れた時の、実施の形態４の電流検出器の磁気検出素子３ａ、３ｂが検出する外部磁界差分値を求める。導体５４軸中心と電流検出器（Ｘ方向）中心との距離（符号ｇ７）は６．５ｍｍから１０．５ｍｍまで変化させ、外部磁界差分値の変化を確認する。

上記シミュレーションにより、図２２に示すように、外部磁界差分値の割合は距離ｇ７が大きくなるに従い小さくなるが、電流検出器の直近である距離ｇ７が６．５ｍｍで既に外部磁界影響の無い目安である割合１％を下回っている。

図２３は、外部磁界による第２の不要出力シミュレーション条件を示す図で、図１９で示した電流検出器の磁気検出素子３ａ近傍を通過する導体６４の位置を示す図であり、導体６４の軸中心は導体４４の軸中心からＹ方向にｉ７＝６．７５ｍｍ（磁気検出素子３ａ、３ｂ中心を結んだ同一線上）にあり、符号ｈ７が電流検出器の（Ｘ方向）中心からのＸ方向の距離を示す。

シミュレーションでは、この導体６４を外部磁界発生源の第２の代表とし、導体６４に電流検出器の定格電流相当（ここでは１０Ａ）の電流が流れた時の、実施の形態４の電流検出器の磁気検出素子３ａ、３ｂが検出する外部磁界差分値を求める。導体６４軸中心と電流検出器（Ｘ方向）中心との距離（符号ｈ７）は６．５ｍｍから１２．５ｍｍまで変化させ、外部磁界差分値の変化を確認する。

上記シミュレーションにより、図２４に示すように、外部磁界差分値の割合は距離ｈ７が大きくなるに従い小さくなるが、距離ｈ７が１１．５ｍｍ以上で外部磁界影響の無い目安である割合１％を下回っている。

上記のような集磁コア配置とすることで、電流経路を１本の導体に集約することができるので、電流検出器のＸ方向の長さを、より小さくすることができる。また、外部磁界の影響の低さや設置自由度の高さも、実施の形態１と同様の効果を有する。

１ 集磁コア部
１ａ、１ｂ 集磁コア
２ａ、２ｂ 空隙部
３ａ、３ｂ 磁気検出素子
４ａ、４ｂ 導体
５ａ、５ｂ 被測定電流
６ａ、６ｂ 磁束
７ａ、７ｂ 検出出力
８ 単一パッケージの集積回路（ＩＣ）
１１ａ、１１ｂ 集磁コア
１２ａ、１２ｂ 空隙部
１４、１４ａ、１４ｂ 導体
１６ａ、１６ｂ 磁束
１７ 演算回路
２１ａ、２１ｂ 集磁コア
２２ａ、２２ｂ 空隙部
２４ 導体
２５ａ、２５ｂ 電流
２７ 電子回路部
３１ａ、３１ｂ 集磁コア
３２ａ、３２ｂ 空隙部
３４ａ、３４ｂ 導体
３７ 出力
４１ａ、４１ｂ 集磁コア
４２ａ、４２ｂ 空隙部
４４ 導体
５１ａ、５１ｂ 集磁コア
５４ 導体
６４ 導体
６１ａ、６１ｂ 集磁コア
６２ａ、６２ｂ 空隙部

Claims (6)

1. 空隙部と貫通孔を備えた略環状又は略Ｕ字状の第１及び第２の集磁コアと、第１の被測定電流が貫通する前記第１の集磁コアの第１の貫通孔と、第２の被測定電流が貫通する前記第２の集磁コアの第２の貫通孔と、前記第１の集磁コアの第１の空隙部に配置され、前記第１の被測定電流により生じる磁束の磁束密度を検出する第１の磁気検出素子と、前記第２の集磁コアの第２の空隙部に配置され、前記第２の被測定電流により生じる磁束の磁束密度を検出する第２の磁気検出素子と、前記第１の磁気検出素子の第１の検出出力と前記第２の磁気検出素子の第２の検出出力を演算する演算手段を有する電流検出器であって、前記第１の被測定電流による前記第１の空隙部の磁束と、前記第２の被測定電流による前記第２の空隙部の磁束はそれぞれ逆極性であり、前記演算手段は前記第１の検出出力と前記第２の検出出力を差動演算することを特徴とする電流検出器。
2. 前記第１の被測定電流と前記第２の被測定電流は同極性であり、前記第１の空隙部と前記第２の空隙部は、近接し対向して配置されることを特徴とする請求項１記載の電流検出器。
3. 前記第１の空隙部と前記第２の空隙部は、前記第１及び第２の貫通孔の貫通方向にずれて、前記貫通方向で対向して配置されることを特徴とする請求項２記載の電流検出器。
4. 前記第１の集磁コアと前記第２の集磁コアの対向する距離の平均値は、前記第１の空隙部と前記第２の空隙部の対向する距離の平均値より長いことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電流検出器。
5. 被測定電流が貫通する貫通孔を備えた略Ｕ字状の第１の集磁コアと、前記第１の集磁コアの端面と第１及び第２の空隙部を形成する面を有する第２の集磁コアと、前記第１の空隙部に配置され、前記被測定電流により生じる磁束の磁束密度を検出する第１の磁気検出素子と、前記第２の空隙部に配置され、前記被測定電流により生じる磁束の磁束密度を検出する第２の磁気検出素子と、前記第１の磁気検出素子の第１の検出出力と前記第２の磁気検出素子の第２の検出出力を演算する演算手段を有する電流検出器であって、前記被測定電流による前記第１の空隙部の磁束と、前記被測定電流による前記第２の空隙部の磁束はそれぞれ逆極性であり、前記演算手段は前記第１の検出出力と前記第２の検出出力を差動演算することを特徴とする電流検出器。
6. 少なくとも前記第１の磁気検出素子と前記第２の磁気検出素子は同一のパッケージに収容された部品であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の電流検出器。