JP2023144474A - パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、絶縁不良を生じ難いパワー半導体モジュールを提供することにある。【解決手段】本発明のパワー半導体モジュール１０は、外部端子である第１主端子１２ａ１がネジ止めされる第１端子ケース１１ｆと、外部端子である第２主端子１２ｂ１がネジ止めされる第２端子ケース１１ｇと、第１主端子１２ａ１に接続された第１主端子配線部１２ａ３と、第２主端子１２ｂ１に接続された第２主端子配線部１２ａ３と、を備える。第１主端子１２ａ１は、第１端子ケース１１ｆを間に介して第１主端子配線部１２ａ３および第２主端子配線部１２ｂ３と重畳する。第１端子ケース１１ｆは、第１主端子１２ａ１をネジ止めするためのネジ穴と第１主端子配線部１２ａ３との間に配置された底部１１ｆ４を有する。底部１１ｆ４は、第１主端子配線部１２ａ３の側の面に、アーチ状の凹部１１ｆ５を有する。【選択図】図６

Description

本発明は、電力用半導体素子が搭載されたパワー半導体モジュール、及びそれを用いた電力変換装置に関する。

特許文献１には、主端子（正極端子、負極端子、交流端子）の少なくともいずれか１つを、共通の方向に延伸する２つの部分を含むように構成した半導体パワーモジュールが記載されている（要約参照）。以下、「半導体パワーモジュール」は「パワー半導体モジュール」として説明する。

特許文献１のパワー半導体モジュールでは、正極端子（１１ａ）および負極端子（１１ｂ）は、モジュールケース（１２）の内部に、正極端子（１１ａ）と負極端子（１１ｂ）とが重畳する重畳部を構成し、さらにこの重畳部に対して、モジュールケース（１２）の外部で負極端子（１１ｂ）が重畳するように、配置されている（図４，８，１１，１２，１５参照）。なお、前述の説明において使用した括弧付の符号は特許文献１で用いられている符号であり、後述する本発明の実施例で使用する符号とは異なる。

特開２０１６－１１９４３０号公報

特許文献１のパワー半導体モジュールでは、モジュールケース外部の負極端子をモジュールケースにネジ止めする際に、ネジ止め用のネジに、ネジ長さの長いものを使用した場合、螺合したネジがモジュールケース内部で重畳する正極端子と負極端子とを接触させる虞がある。モジュールケース内部における正極端子と負極端子との接近又は接触は、パワー半導体モジュールの絶縁不良を引き起こす。

本発明の目的は、絶縁不良を生じ難いパワー半導体モジュールを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明のパワー半導体モジュールは、
外部端子である第１主端子と、外部端子である第２主端子と、前記第１主端子がネジ止めされる第１端子ケースと、前記第２主端子がネジ止めされる第２端子ケースと、前記第１主端子に接続された第１主端子配線部と、前記第２主端子に接続された第２主端子配線部と、を備えたパワー半導体モジュールにおいて、
前記第１主端子は、前記第１端子ケースを間に介して前記第１主端子配線部および前記第２主端子配線部と重畳し、
前記第１端子ケースは、前記第１主端子をネジ止めするためのネジ穴と前記第１主端子配線部との間に配置された底部を有し、
前記底部は、前記第１主端子配線部の側の面に、アーチ状の凹部を有する。

本発明によれば、絶縁不良を生じ難いパワー半導体モジュールを提供することができ、これにより信頼性の高い電力変換装置を提供することができる。

上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。

本発明の第１実施例（実施例１）に係るパワー半導体モジュールの外観を示す斜視図である。 本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュールの等価回路図である。 本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュールのケースの内部構造を示す斜視図である。 本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュールの第１主端子の形状を示す図である。 本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュールの第２主端子の形状を示す図である。 本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュールの第１主端子および第１端子ケースの構成を模式的に示す図である。 本発明との比較例に係る図であり、第１主端子および第１端子ケースの構成を模式的に示す図である。 本発明の第２実施例（実施例２）に係るパワー半導体モジュールのケースの内部構造を示す斜視図である。 本発明の半導体パワーモジュールを搭載した電力変換装置の外観を示す斜視図である。

以下、図面を参照して、本発明の半導体パワーモジュールの一実施例、およびそれを搭載した電力変換装置について、説明する。

［実施例１］
図１は、本発明の第１実施例（実施例１）に係るパワー半導体モジュール１０の外観を示す斜視図である。図２は、本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュール１０の等価回路図である。

図１に示すように、本実施例の半導体パワーモジュール１０は、図示しないＩＧＢＴチップなどの回路部品を収容するケース１１と、大電流が流れる主端子１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１と、弱電系の信号端子１３ａ～１３ｈと、を備える。

ケース１１は、ベース部１１ａと、側壁部１１ｂと、蓋部１１ｃと、を備える。ベース部１１ａはケース１１の底部を構成し、側壁部１１ｂがベース部１１ａの外周縁から立ち上がるように設けられる。このため、側壁部１１ｂの一端側はベース部１１ａで塞がれ、側壁部１１ｂの他端側は開口する。蓋部１１ｃは側壁部１１ｂの他端側に形成される開口を覆うように側壁部１１ｂに取り付けられる。

ケース１１は、図２に示す等価回路を含む回路を収容する。図２の等価回路は、３相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の交流電流を生成するための電流スイッチ回路のうち、１相分の電流スイッチ回路を示している。１相分の電流スイッチ回路２０は、上下アーム直列回路で構成され、下アームＩＧＢＴ２１ａと、下アームダイオード２２ａと、上アームＩＧＢＴ２１ｂと、上アームダイオード２２ｂと、を備える。下アームＩＧＢＴ２１ａ、下アームダイオード２２ａ、上アームＩＧＢＴ２１ｂ、および上アームダイオード２２ｂは半導体素子で構成される回路部品である。

電流スイッチ回路２０には、上述した主端子１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１と信号端子１３ａ～１３ｈとが設けられる。なお、主端子１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１および信号端子１３ａ～１３ｈは、外部配線と電流スイッチ回路２０との電気的接続を行うため、ケース１０の外側に露出するように配置される。

主端子１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１は、第１主端子１２ａ１と、第２主端子１２ｂ１と、第３主端子１２ｃ１とで構成される。本実施例では、第１主端子１２ａ１でエミッタ端子（負極端子）を構成し、第２主端子１２ｂ１でコレクタ端子（正極端子）を構成し、第３主端子１２ｃ１で交流端子（ＡＣ端子）を構成する。

信号端子１３ａ～１３ｈは、下アームゲート信号端子１３ａ、下アームエミッタ信号端子１３ｂ、下アームコレクタ信号端子１３ｃ、上アームゲート信号端子１３ｄ、上アームエミッタ信号端子１３ｅ、上アームコレクタ信号端子１３ｆ、負極信号端子１３ｇ、および温度検知信号端子１３ｈで構成される。信号端子１３ａ～１３ｇは、電流スイッチ回路２０を制御する信号の端子（制御端子）である。

図１に示すように、ケース１１は、矢印１０Ａで示す方向を長手方向として、蓋部１１ｃから見た形状が略長方形状を成すように、形成される。第１主端子１２ｂおよび第２主端子１２ａ１は長手方向の一端面１１ｄの側に配置され、第３主端子１２ｃ１は長手方向において一端面１１ｄの側とは反対側の面（他端面）１１ｅの側に配置されている。すなわち、パワー半導体モジュール１０は略長方形状を成し、第１主端子１２ａ１および第２主端子１２ｂ１はパワー半導体モジュール１０が成す長方形状の一方の短辺側に配置され、第３主端子１２ｃ１は他方の短辺側に配置される。これにより、信号端子１３ａ～１３ｈを全て纏めてケース１１の中央に配置することが可能となる。

なお本実施例では、第１主端子１２ａ１は第２主端子１２ｂ１に対して第３主端子１２ｃ１の側に配置され、パワー半導体モジュール１０の長手方向において、パワー半導体モジュール１０の中央側に配置される。このため信号端子１３ａ～１３ｈは、パワー半導体モジュール１０の長手方向において、第１主端子１２ａ１と第３主端子１２ｃ１のとの間に配置される。

第１主端子１２ａ１、第２主端子１２ｂ１および第３主端子１２ｃ１はケース１１の蓋部１１ｃにネジ止めされる。第１主端子１２ａ１、第２主端子１２ｂ１および第３主端子１２ｃ１は、ケース１０の外側に露出して、外部配線が接続される外部端子を構成するように配置される。

また、信号端子１３ａ～１３ｈはケース１１の蓋部１１ｃにネジ止めにより固定されてもよいが、ファストン端子やプレスフィット端子など、蓋部１１ｃに差し込む方式で固定されても良い。

図３は、本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュール１０のケース１１の内部構造を示す斜視図である。図４は、本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュールの第１主端子の形状を示す図である。図５は、本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュールの第２主端子の形状を示す図である。なお図３では、第１主端子１２ａ１および第２主端子１２ｂ１の構成を示すことを目的としてしており、電流スイッチ回路２０を構成する半導体素子等の図示は省略している。

第１主端子１２ａ１は、ケース１０の内側に向かって延設される第１主端子配線部１２ａ２，１２ａ３により、ケース１０の内部に収容された電流スイッチ回路２０に接続される。第１主端子１２ａ１および第１主端子配線部１２ａ２，１２ａ３は、単一部材である第１主端子形成部材１２ａにより構成される。

第２主端子１２ｂ１は、ケース１０の内側に向かって延設される第２主端子配線部１２ｂ２，１２ｂ３により、ケース１０の内側に収容された電流スイッチ回路２０に接続される。第２主端子１２ｂ１および第２主端子配線部１２ｂ２，１２ｂ３は、単一部材である第２主端子形成部材１２ｂにより構成される。

第１主端子配線部１２ａ２，１２ａ３は、第１主端子１２ａ１からベース部１１ａに向かって、ベース部１１ａの部品配置面１１ａ１に垂直な方向に沿って延設される垂直方向延設部１２ａ２と、長手方向１０Ａに沿って延設される長手方向延設部１２ａ３と、を有する。第１主端子配線部１２ａ２，１２ａ３の長手方向延設部１２ａ３は、第１主端子１２ａ１の、第２主端子１２ｂ１側の端部側から、パワー半導体モジュール１０の中央側、すなわち第３主端子１２ｃ１側に向かって長手方向に延設される。

第２主端子配線部１２ｂ２，１２ｂ３は、第２主端子１２ｂ１からベース部１１ａに向かって、ベース部１１ａの部品配置面１１ａ１に垂直な方向に沿って延設される垂直方向延設部１２ｂ２と、長手方向１０Ａに沿って延設される長手方向延設部１２ｂ３と、を有する。第２主端子配線部１２ｂ２，１２ｂ３の長手方向延設部１２ｂ３は、第２主端子１２ｂ１の、第１主端子１２ａ１側の端部側から、パワー半導体モジュール１０の中央側、すなわち第３主端子１２ｃ１側に向かって長手方向に延設される。

なお、長手方向１０Ａは第１主端子１２ａ１および第２主端子１２ｂ１の配列方向、或いは第１主端子１２ａ１、第２主端子１２ｂ１および第３主端子１２ｃ１の配列方向に一致する。

第１主端子１２ａ１と、第１主端子配線部１２ａ２，１２ａ３の長手方向延設部１２ａ３と、第２主端子配線部１２ｂ２，１２ｂ３の長手方向延設部１２ｂ３とは、長手方向１０Ａにおいてオーバーラップしている。これにより第１主端子１２ａ１は、ベース部１１ａの部品配置面１１ａ１に垂直な方向に、第１主端子配線部１２ａ２，１２ａ３の長手方向延設部１２ａ３および第２主端子配線部１２ｂ２，１２ｂ３の長手方向延設部１２ｂ３と重畳するように配置される。この場合、第１主端子配線部の長手方向延設部１２ａ３および第２主端子配線部の長手方向延設部１２ｂ３は、電気的な絶縁を保つため、間隔を設けて並行に設置されている。

第１主端子配線部１２ａ２，１２ａ３の長手方向延設部１２ａ３は第１主端子配線部の一部であり、以下、第１主端子配線部の長手方向延設部１２ａ３を単に「第１主端子配線部１２ａ３」と呼んで説明する。また、第２主端子配線部１２ｂ２，１２ｂ３の長手方向延設部１２ｂ３は第２主端子配線部の一部であり、以下、第２主端子配線部の長手方向延設部１２ｂ３を単に「第２主端子配線部１２ｂ３」と呼んで説明する。

第３主端子１２ｃ１は、ケース１０の外側に露出するように配置され、外部配線が接続される端子部を構成する。第３主端子１２ｃ１は、ケース１０の内側に向かって延設される第１主端子配線部１２ｃ２により、ケース１０の内部に収容された電流スイッチ回路２０に接続される。第３主端子１２ｃ１および第３主端子配線部１２ｃ２は、単一部材である第３主端子形成部材１２ｃにより構成される。

第３主端子１２ｃ１の第３主端子配線部１２ｃ２は、途中に折れ曲がり部を有するものの、ほぼベース部１１ａの部品配置面１１ａ１に垂直な方向に沿って延設され、部品配置面１１ａ１に垂直な方向において、他の配線部と重畳する構成にはなっていない。

図６は、本発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュール１０の第１主端子１１ａおよび第１端子ケース１１ｆの構成を模式的に示す図である。

電流スイッチ回路２０を構成する下アームＩＧＢＴ２１ａ、下アームダイオード２２ａ、上アームＩＧＢＴ２１ｂ、および上アームダイオード２２ｂは絶縁基板１８の上に配置され、ワイヤ１６により各部品間の配線が行われている。ケース１１の内側にはシリコンゲル１７が注入され、絶縁基板１８の上に配置された電気部品やワイヤ１６はシリコンゲル１７に埋設される。

第１主端子１２ａ１は樹脂製の第１端子ケース１１ｆに固定される。第１端子ケース１１ｆは、箱形の樹脂部品であり、第１主端子配線部１２ａ３との間に配置された底部１１ｆ４を有する。第１端子ケース１１ｆは、ナット保持部１１ｆ２にナット１４を内蔵し、蓋部１１ｃと一体に構成されている。また第１端子ケース１１ｆには、ナット保持部１１ｆ２よりも底部１１ｆ４側に、ナット１４を貫通したネジ１５の先端部を収納するネジ収納部１１ｆ３が設けられている。第１端子ケース１１ｆは蓋部１１ｃに一体成形されてもよいし、蓋部１１ｃに取り付けられる構造であってもよい。

本実施例の第１端子ケース１１ｆは、ナット１４に設けられたネジ穴を有しているが、ナット１４に設けられたネジ穴に限らず、第１主端子１２ａ１をネジ止めするためのネジ穴を有していればよい。

第１主端子１２ａ１は、第１端子ケース１１ｆの上端面（蓋部１１ｃの側とは反対側の端面）１１ｆ１に当接するように配置され、ネジ１５をナット１４に螺合して固定される。すなわち第１主端子１２ａ１は、第１端子ケース１１ｆにネジ止めされる。

第２主端子１２ｂ１は、樹脂製の第２端子ケース１１ｇに、第１主端子１２ａ１と同じようにネジ止めされる。第３主端子１２ｃ１も、樹脂製の第３端子ケース１１ｈに、第１主端子１２ａ１と同じようにネジ止めされる。

第１主端子１２ａ１は、ベース部１１ａの部品配置面１１ａ１に垂直な方向に、第１主端子配線部１２ａ３および第２主端子配線部１２ｂ３と重畳するように配置される。この場合、第１主端子配線部１２ａ３と第２主端子配線部１２ｂ３とは隙間を介して重畳部を構成しており、第１主端子１２ａ１はこの重畳部に対して第１端子ケース１１ｆを介して重畳される。

本実施例では、第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４に、アーチ状の凹部１１ｆ５を設けている。すなわち第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４は、第１主端子配線部１２ａ３および第２主端子配線部１２ｂ３の側の面に、第１主端子１１ａ１の側に向かって窪んだアーチ状の凹部１１ｆ５を有する。アーチ状の凹部１１ｆ５は第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４にスペース１１ｆ６を形成する。底部１１ｆ４のネジ穴の側、すなわちナット１４の側の面は、平坦な形状である。

第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４は、アーチ状の凹部１１ｆ５の頂点における厚みｄＢよりも端部の厚みｄＡの方が厚い。本実施例では、アーチ状の凹部１１ｆ５は第１主端子配線部１２ａ３の側から第１主端子１２ａ１の側に向かって縮径するテーパ形状に形成されている。アーチ状の凹部１１ｆ５はテーパ形状に限らず、第１主端子配線部１２ａ３の側から第１主端子１２ａ１の側に向かって縮径する球面形状に形成してもよい。アーチ状の凹部１１ｆ５の頂点には、深さ（深さ寸法）ｄＣの凹部が形成される。

ここで図７を参照して、第１主端子１２ａ１、第１主端子配線部の長手方向延設部１２ａ３および第２主端子配線部の長手方向延設部１２ｂ３の重畳構造が有する課題について説明する。図７は、本発明との比較例に係る図であり、第１主端子１１ａ１および第１端子ケース１１ｆの構成を模式的に示す図である。

図７の比較例では、第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４にアーチ状の凹部１１ｆ５（図６参照）が設けられていない。この場合、第１主端子１２ａ１を第１端子ケース１１ｆにネジ止めする際に、指定された長さよりも長いネジを用いて過剰に締め付けると、第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４が破線１１ｆ４’で示すように変形する場合がある。この底部１１ｆ４の変形は、第１主端子配線部１２ａ３および第２主端子配線部１２ｂ３に向かって突き出す変形であるため、第１主端子配線部１２ａ３と接触して、第１主端子配線部１２ａ３を第２主端子配線部１２ｂ３に向けて押圧することになる。底部１１ｆ４の変形で押圧された第１主端子配線部１２ａ３の変形が、第１主端子配線部１２ａ３と第２主端子配線部１２ｂ３との間に設定された隙間の大きさを超え、さらにこの隙間に充填されたシリコンゲルを隙間から押し出すと、第１主端子配線部１２ａ３が第２主端子配線部１２ｂ３と接近又は接触し、絶縁不良を引き起こすことになる。

通常の量産段階では区別された指定のネジ１５が使用されるため、このような絶縁不良は考え難いが、パワー半導体モジュール１０の試験を行う場合などは指定外のネジが指定のネジに雑ざる場合がる。

本実施例では、第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４にアーチ状の凹部１１ｆ５が設けられ、アーチ状の凹部１１ｆ５が第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４にスペース１１ｆ６を形成しているため、第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４から第１主端子配線部１２ａ３までの距離を稼ぐことができる。このため、間違って長いネジ１５’を用い、このネジ１５’を過剰に締め付けた場合でも、アーチ状の凹部１１ｆ５で形成されたスペースにより第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４が第１主端子配線部１２ａ３に接触し難くなる。その結果、第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４による第１主端子配線部１２ａ３の変形を抑制し、第１主端子配線部１２ａ３と第２主端子配線部１２ｂ３との接触を抑制することができ、第１主端子配線部１２ａ３および第２主端子配線部１２ｂ３の接触による不良や絶縁不良を抑制できる。また、凹部１１ｆ５がアーチ状に形成されているため、単なる凹部に比べて第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４の強度を高めることができ、凹部が設けられていない底部１１ｆ４に対する強度の低下を抑制することができる。これによっても、底部１１ｆ４の変形の抑制効果が得られる。

［実施例２］
図８は、本発明の第２実施例（実施例２）に係るパワー半導体モジュールのケースの内部構造を示す斜視図である。

第１実施例では、第１主端子１２ａ１、第２主端子１２ａ２及び第３主端子１２ａ３がそれぞれ２つずつ設けられているが、第１主端子１２ａ１、第２主端子１２ａ２及び第３主端子１２ａ３のそれぞれを長手方向１０Ａに垂直な方向に幅広にして、１つずつ設ける構成にしてもよい。

この場合、第１主端子１２ａ１から延設される第１主端子配線部１２ａ３も幅広にすることで、間違った長いネジ１５‘で押圧されたときの変形を小さくできる可能性がある。逆に言えば、第１主端子配線部１２ａ３が幅の狭い２つの第１主端子配線部で構成される第１実施例の場合に、第１端子ケース１１ｆの底部１１ｆ４にアーチ状の凹部１１ｆ５を設けた効果が大きくなる。

［実施例３］
図９を参照して、パワー半導体モジュール１０を搭載した電力変換装置１００について説明する。図９は、本発明の半導体パワーモジュールを搭載した電力変換装置の外観を示す斜視図である。なお図９では、図８の第２実施例のパワー半導体モジュール１０を用いた例を示している。本実施例において、第１実施例のパワー半導体モジュール１０を用いてもよいことは言うまでもない。

図９の電力変換装置１００は、図２の等価回路で示したパワー半導体モジュール１０と、第１主端子１２ａ１と第２主端子１２ｂ１との間にコンデンサモジュールを接続するために設けた直流バスバ１１１ａおよび１１１ｂと、第３主端子１２ｃ１に誘導電動機を接続するために設けた交流バスバ１１２と、パワー半導体モジュール１０の上部に設けたパワー半導体モジュール１０を駆動するドライバ回路基板１３１と、ドライバ回路基板１３１を制御する制御装置１３２とを備える。また電力変換装置１００では、パワー半導体モジュール１０は放熱を目的としてヒートシンク１５０に実装されている。

本実施例のパワー半導体モジュール１０を搭載することにより、パワー半導体モジュールの絶縁不良の発生が抑制され、電力変換装置１００の信頼性が向上する。

なお、本発明は上記した各実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

１０…パワー半導体モジュール、１１ｆ…第１端子ケース、１１ｆ４…第１端子ケース１１ｆの底部、１１ｆ５…アーチ状の凹部、１１ｇ…第２端子ケース、１２ａ１…第１主端子、１２ａ３…第１主端子配線部、１２ｂ１…第２主端子、１２ｂ３…第２主端子配線部、１４…ナット（ネジ穴）、１３１…ドライバ回路基板、１３２…制御装置、１５０…ヒートシンク、ｄＡ…アーチ状の凹部１１ｆ５の端部の厚み、ｄＢ…アーチ状の凹部１１ｆ５の頂点における厚み。

Claims (5)

1. 外部端子である第１主端子と、外部端子である第２主端子と、前記第１主端子がネジ止めされる第１端子ケースと、前記第２主端子がネジ止めされる第２端子ケースと、前記第１主端子に接続された第１主端子配線部と、前記第２主端子に接続された第２主端子配線部と、を備えたパワー半導体モジュールにおいて、
   前記第１主端子は、前記第１端子ケースを間に介して前記第１主端子配線部および前記第２主端子配線部と重畳し、
   前記第１端子ケースは、前記第１主端子をネジ止めするためのネジ穴と前記第１主端子配線部との間に配置された底部を有し、
   前記底部は、前記第１主端子配線部の側の面に、アーチ状の凹部を有することを特徴とするパワー半導体モジュール。
2. 請求項１において、
   前記底部は、前記アーチ状の凹部の頂点における厚みよりも端部の厚みの方が厚いことを特徴とするパワー半導体モジュール。
3. 請求項２において、
   前記アーチ状の凹部は、前記第１主端子配線部の側から前記第１主端子の側に向かって縮径するテーパ形状であることを特徴とするパワー半導体モジュール。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項において、
   前記底部は、前記ネジ穴の側の面が平坦な形状であることを特徴とするパワー半導体モジュール。
5. 請求項１乃至３のいずれか１項のパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールの放熱を行うヒートシンクと、前記パワー半導体モジュールを駆動するドライバ回路基板と、前記ドライバ回路基板を制御する制御装置と、を備えた電力変換装置。

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