JP2023131959A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 221
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 177
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 105
- 239000010408 film Substances 0.000 description 174
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/133514—Colour filters
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Abstract
【課題】セルギャップに係る均一性を改善する。【解決手段】表示装置10は、アレイ基板21と、対向基板20と、第1画素電極24αと、第1画素電極に対して第1方向に間隔を空けて配される第2画素電極24βと、第2画素電極に対して第1方向に間隔を空けて配される第3画素電極24γと、第1画素電極と第2画素電極との間に位置し、第1方向と交差する第2方向に沿って延在する第1配線31α,32αと、第2画素電極24βを含み、第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極24からなる第2画素電極列24βCと、第3画素電極24γを含み、第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極からなる第3画素電極列24γCと、第1配線の下層側に配される第1絶縁膜36と、対向基板からアレイ基板に向けて突出するスペーサ40と、を備え、平坦化膜36は、スペーサと重畳する部分が、残りの部分よりも高い高位部36Aとなっている。【選択図】図4
Description
本明細書が開示する技術は、表示装置に関する。
従来、表示装置の一例として下記特許文献1に記載されたものが知られている。特許文献1に記載の表示装置は、第1共通電極と、前記第1共通電極と第1方向に離間する第2共通電極と、前記第1共通電極及び前記第2共通電極と重畳し、前記第1方向に延在する金属配線と、を有し、前記金属配線は、前記第1共通電極と前記第2共通電極との間にも位置しており、前記金属配線は、前記第1共通電極と前記第2共通電極のいずれか一方と重畳する端部を有している。
上記した特許文献1に記載された表示装置では、第1基板と第2基板とのセルギャップを形成するスペーサは、第1共通電極と第2共通電極の間において、金属配線と重畳して配されている。ここで、スペーサの径に対して金属配線の線幅が十分な大きさであれば、第1基板の内面に対する接触面積を十分に確保することができる。しかしながら、高精細化等に伴って金属配線の線幅を十分に確保できない場合には、第1基板の内面のうち、スペーサとは重畳するものの金属配線とは非重畳となる部分がスペーサとは接触不能となる。このため、第1基板の内面に対するスペーサの接触面積を十分に確保できなくなるおそれがあった。上記した接触面積が十分でないと、セルギャップに係る均一性が損なわれるおそれがある。
本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、セルギャップに係る均一性を改善することを目的とする。
(1)本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、アレイ基板と、前記アレイ基板と間隔を空けて対向する対向基板と、前記アレイ基板に設けられる第1画素電極と、前記アレイ基板に設けられ、前記第1画素電極に対して第1方向に間隔を空けて配される第2画素電極と、前記アレイ基板に設けられ、前記第2画素電極に対して前記第1方向に間隔を空けて配される第3画素電極と、前記アレイ基板に設けられ、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に位置し、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在する第1配線と、前記アレイ基板に設けられ、前記第2画素電極を含み、前記第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極からなる第2画素電極列と、前記アレイ基板に設けられ、前記第3画素電極を含み、前記第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極からなる第3画素電極列と、前記アレイ基板に設けられ、前記第1配線の下層側に配される第1絶縁膜と、前記対向基板に設けられ、前記対向基板から前記アレイ基板に向けて突出するスペーサと、を備え、前記スペーサは、前記第2画素電極列と前記第3画素電極列との間に位置し、前記第1絶縁膜は、前記スペーサと重畳する部分が、残りの部分よりも高い高位部となっている。
(2)また、上記表示装置は、上記(1)に加え、前記スペーサは、前記第2画素電極と前記第3画素電極との間に位置していてもよい。
(3)また、上記表示装置は、上記(1)または上記(2)に加え、前記アレイ基板または前記対向基板には、前記第1画素電極と重畳して配される第1カラーフィルタと、前記第2画素電極と重畳して配される第2カラーフィルタと、前記第3画素電極と重畳して配される第3カラーフィルタと、が設けられ、前記第1カラーフィルタは、比視感度が最も高く、前記第2カラーフィルタは、前記比視感度が最も低く、前記第3カラーフィルタは、前記第1カラーフィルタよりも前記比視感度が低くて前記第2カラーフィルタよりも前記比視感度が高くてもよい。
(4)また、上記表示装置は、上記(3)に加え、前記アレイ基板には、前記第3画素電極に対して前記第1方向に前記第2画素電極とは反対側に間隔を空けて配される第4画素電極が設けられ、前記第1カラーフィルタは、前記第1画素電極及び前記第4画素電極とそれぞれ重畳して配され、前記アレイ基板には、前記第3画素電極と前記第4画素電極との間に位置し、前記第2方向に沿って延在する第2配線が設けられてもよい。
(5)また、上記表示装置は、上記(1)から上記(4)のいずれかに加え、前記アレイ基板には、前記第1配線の上層側に配される第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜の上層側に配される位置検出電極と、が設けられ、前記第1配線には、複数の前記位置検出電極のいずれかに接続される第1位置検出配線が含まれてもよい。
(6)また、上記表示装置は、上記(5)に加え、前記アレイ基板には、前記第1絶縁膜よりも下層側に配される第3配線と、前記第1配線と同層に配される遮蔽部と、が設けられ、前記第1画素電極、前記第2画素電極及び前記第3画素電極は、前記第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配され、前記位置検出電極は、前記第2方向に間隔を空けて複数が並んで配され、前記第2方向に隣り合う2つの前記位置検出電極の境界が、前記第2方向に隣り合う2つずつの前記第1画素電極、前記第2画素電極及び前記第3画素電極の境界と整合して配され、前記第3配線は、前記第1方向に沿って延在し、前記第2方向に隣り合う2つの前記位置検出電極の間に位置して配され、前記遮蔽部は、前記第3配線の少なくとも一部と重畳して配され、複数の前記位置検出電極のいずれかに直接的にまたは間接的に接続されてもよい。
(7)また、上記表示装置は、上記(6)に加え、前記スペーサには、メインスペーサと、前記対向基板からの突出寸法が前記メインスペーサよりも小さい複数のサブスペーサと、が含まれ、前記メインスペーサは、複数の前記位置検出電極のいずれかと重畳して配され、複数の前記サブスペーサには、複数の前記位置検出電極のいずれかと重畳して配される第1サブスペーサと、少なくとも一部が前記第2方向に隣り合う2つの前記位置検出電極の間に位置し、前記遮蔽部の一部と重畳して配される第2サブスペーサと、が含まれてもよい。
(8)また、上記表示装置は、上記(6)に加え、前記スペーサには、メインスペーサと、前記対向基板からの突出寸法が前記メインスペーサよりも小さいサブスペーサと、が含まれ、前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、いずれも複数の前記位置検出電極のいずれかと重畳し、前記遮蔽部とは非重畳に配されてもよい。
(9)また、上記表示装置は、上記(6)から上記(8)のいずれかに加え、前記アレイ基板には、前記第3画素電極に対して前記第1方向に前記第2画素電極とは反対側に間隔を空けて配される第4画素電極と、前記第3画素電極と前記第4画素電極との間に位置し、前記第2方向に沿って延在する第2位置検出配線と、が設けられ、前記アレイ基板または前記対向基板には、前記第1画素電極及び前記第4画素電極とそれぞれ重畳して配される第1カラーフィルタと、前記第2画素電極と重畳して配される第2カラーフィルタと、前記第3画素電極と重畳して配される第3カラーフィルタと、が設けられ、前記第1カラーフィルタは、比視感度が最も高く、前記第2カラーフィルタは、前記比視感度が最も低く、前記第3カラーフィルタは、前記第1カラーフィルタよりも前記比視感度が低くて前記第2カラーフィルタよりも前記比視感度が高く、前記遮蔽部には、前記第1位置検出配線に連なる第1遮蔽部と、前記第2位置検出配線に連なる第2遮蔽部と、前記第1位置検出配線、前記第2位置検出配線、前記第1遮蔽部及び前記第2遮蔽部とは分離される第3遮蔽部と、が含まれ、前記第3遮蔽部は、前記第1方向に前記第1遮蔽部と前記第2遮蔽部との間に位置して配されてもよい。
(10)また、上記表示装置は、上記(6)から上記(8)のいずれかに加え、前記アレイ基板には、複数の前記第3画素電極に対して前記第1方向に前記第2画素電極とは反対側に間隔を空けて配される複数の第4画素電極と、前記第3画素電極と前記第4画素電極との間に位置し、前記第2方向に沿って延在する第2位置検出配線と、が設けられ、前記アレイ基板または前記対向基板には、複数ずつの前記第1画素電極及び前記第4画素電極とそれぞれ重畳して配される第1カラーフィルタと、前記第2画素電極と重畳して配される第2カラーフィルタと、前記第3画素電極と重畳して配される第3カラーフィルタと、が設けられ、前記第1カラーフィルタは、比視感度が最も高く、前記第2カラーフィルタは、前記比視感度が最も低く、前記第3カラーフィルタは、前記第1カラーフィルタよりも前記比視感度が低くて前記第2カラーフィルタよりも前記比視感度が高く、前記遮蔽部には、前記第1位置検出配線に連なる第4遮蔽部と、前記第2位置検出配線に連なる第5遮蔽部と、が含まれ、前記第4遮蔽部及び前記第5遮蔽部は、間に前記高位部を挟んで配されてもよい。
(11)また、上記表示装置は、上記(10)に加え、複数の前記位置検出電極には、第1位置検出電極と、前記第1位置検出電極に対して前記第2方向に間隔を空けて配される第2位置検出電極と、前記第2位置検出電極に対して前記第2方向に間隔を空けて配される第3位置検出電極と、が含まれ、前記第4遮蔽部及び前記第5遮蔽部は、前記第1位置検出電極と前記第2位置検出電極との間と、前記第2位置検出電極と前記第3位置検出電極との間と、にそれぞれ位置して配され、前記遮蔽部には、前記第2位置検出配線に連なる第6遮蔽部と、前記第1位置検出配線に連なる第7遮蔽部と、が含まれ、前記第6遮蔽部は、前記第5遮蔽部に対して前記第2位置検出配線を挟んで前記第1方向の反対側に配され、前記第7遮蔽部は、前記第4遮蔽部に対して前記第1位置検出配線を挟んで前記第1方向の反対側に配されてもよい。
(12)また、上記表示装置は、上記(5)から上記(11)のいずれかに加え、前記第1画素電極、前記第2画素電極、前記第3画素電極、前記第1配線、前記スペーサ及び前記高位部は、複数ずつ備えられ、複数の前記第1配線には、複数の前記位置検出電極のいずれかに対して複数箇所で接続される第1接続配線が含まれ、前記第1接続配線は、前記第1位置検出配線に対して前記第2方向に間隔を空けて並んで配されてもよい。
(13)また、上記表示装置は、上記(1)から上記(12)のいずれかに加え、前記第1画素電極、前記第2画素電極及び前記第3画素電極は、前記第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配され、前記スペーサ及び前記高位部は、前記第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配されてもよい。
(14)また、上記表示装置は、上記(13)に加え、前記アレイ基板には、前記第2画素電極と前記第3画素電極との間に位置し、前記第2方向に隣り合う2つの前記高位部の間に位置し、前記第1配線と同層に配され、前記第2方向に沿って延在するダミー配線が設けられてもよい。
(15)また、上記表示装置は、上記(14)に加え、前記アレイ基板には、前記第1配線の上層側に配される第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜の上層側に配される位置検出電極と、が設けられ、前記第1配線には、複数の前記位置検出電極のいずれかに接続される第1位置検出配線が含まれ、前記ダミー配線は、複数の前記位置検出電極のいずれかに接続されてもよい。
本明細書に記載の技術によれば、セルギャップに係る均一性を改善することができる。
<実施形態1>
実施形態1を図1から図14によって説明する。本実施形態では、画像表示機能及びタッチパネル機能(位置入力機能、位置検出機能)を備える液晶パネル(表示装置)10について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図5,図6,図10,図13及び図14の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。
実施形態1を図1から図14によって説明する。本実施形態では、画像表示機能及びタッチパネル機能(位置入力機能、位置検出機能)を備える液晶パネル(表示装置)10について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図5,図6,図10,図13及び図14の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。
図1を用いて液晶パネル10の概略的な平面構成について説明する。液晶パネル10は、図1に示すように、全体として平面形状が横長の略方形状とされる。この液晶パネル10は、その短辺方向がY軸方向と、長辺方向がX軸方向と、板厚方向(各基板20,21の板面の法線方向)がZ軸方向と、それぞれ一致している。本実施形態では、X軸方向が「第1方向」であり、Y軸方向が「第2方向」である。液晶パネル10は、自身の裏側に配されたバックライト装置(照明装置)から照射される照明光を利用して画像を表示することが可能とされる。バックライト装置は、液晶パネル10に対して裏側(背面側)に配置され、例えば光源(例えばLEDなど)や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。
液晶パネル10は、図1に示すように、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域(図1において一点鎖線により囲った範囲)AAとされる。これに対し、液晶パネル10の画面における表示領域AAを取り囲む額縁状(枠状)の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域NAAとされる。液晶パネル10は、一対の基板20,21を貼り合わせてなる。一対の基板20,21のうち表側(正面側)の基板が対向基板20とされ、裏側(背面側)の基板がアレイ基板(アクティブマトリクス基板)21とされる。対向基板20及びアレイ基板21は、いずれもガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板20,21の外面側には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。
対向基板20は、図1に示すように、短辺寸法がアレイ基板21の短辺寸法よりも短くされるのに対し、アレイ基板21に対して短辺方向(Y軸方向)についての一方の端部が揃う形で貼り合わせられている。従って、アレイ基板21における短辺方向の他方の端部は、対向基板20に対して側方に突き出していて対向基板20とは非重畳となる突き出し部21Aとされる。この突き出し部21Aには、次述する表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するためのドライバ(信号供給部)11及びフレキシブル基板12が実装されている。ドライバ11は、アレイ基板21の突き出し部21Aに対してCOG(Chip On Glass)実装されている。ドライバ11は、内部に駆動回路を有するLSIチップからなり、フレキシブル基板12によって伝送される各種信号を処理する。なお、ドライバ11は、アレイ基板21において表示領域AAに対してY軸方向の一端側に配されている、と言える。フレキシブル基板12は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料(例えばポリイミド系樹脂等)からなる基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板12は、一端側部分がアレイ基板21に、他端側部分が外部のコントロール基板(信号供給源)に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板12を介して液晶パネル10に伝送される。また、アレイ基板21の非表示領域NAAには、表示領域AAをX軸方向に両側から挟み込む形で一対のゲート回路部13が設けられている。ゲート回路部13は、後述するゲート配線26に走査信号を供給するためのものであり、アレイ基板21にモノリシックに設けられている。
本実施形態に係る液晶パネル10は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置(入力位置)を検出するタッチパネル機能と、を併有している。液晶パネル10には、タッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンが一体化(インセル化)されている。タッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされ、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図1に示すように、液晶パネル10の板面内においてマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極(位置検出電極)30から構成されている。タッチ電極30は、液晶パネル10の表示領域AAに配されている。従って、液晶パネル10の表示領域AAは、入力位置を検出可能なタッチ領域(位置入力領域)とほぼ一致している。なお、非表示領域NAAは、入力位置を検出不能な非タッチ領域(非位置入力領域)とほぼ一致している。液晶パネル10の表示領域AAに表示された画像に基づいて、使用者が、導電体である使用者の指や使用者によって操作されるタッチペンなどの位置入力体を、液晶パネル10の表面(表示面)に近づけると、その位置入力体とタッチ電極30との間で静電容量が形成される。これにより、位置入力体の近くにあるタッチ電極30にて検出される静電容量には、位置入力体が近づくのに伴って変化が生じ、位置入力体から遠くにあるタッチ電極30の静電容量とは異なるものとなる。この静電容量の相違に基づいて、後述する検出回路は、入力位置を検出することが可能である。
タッチ電極30は、図1に示すように、表示領域AAにおいてX軸方向(第1方向)及びY軸方向(第2方向)に沿って複数ずつがそれぞれ間隔を空けて並んで配されている。タッチ電極30は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数mm程度とされる。タッチ電極30は、平面に視た大きさが後述する画素PXよりも遙かに大きくなっており、X軸方向及びY軸方向に複数(数十~数百程度)ずつの画素PXに跨る範囲に配置されている。タッチ電極30の詳しい構成については、後に改めて説明する。
複数のタッチ電極30には、図1に示すように、液晶パネル10に設けられた複数のタッチ配線(位置検出配線)31が選択的に接続されている。タッチ配線31は、概ねY軸方向に沿って延在する。タッチ配線31のY軸方向の一端側部分が、非表示領域NAAにてドライバ11に対して接続されている。タッチ配線31のY軸方向の他端側部分が、表示領域AAにてY軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極30のうちの特定のタッチ電極30に対して接続されている。タッチ配線31は、Y軸方向の形成範囲がドライバ11から接続対象のタッチ電極30に至るまでの範囲に限られており、接続対象のタッチ電極30よりもドライバ11側(図1の下側)とは反対側(図1の上側)には非配置とされる。なお、タッチ配線31の設置数によっては、1つのタッチ電極30に1本のみのタッチ配線31を接続してもよいが、1つのタッチ電極30に複数のタッチ配線31を接続してもよい。また、1つのタッチ電極30に接続するタッチ配線31の本数は、タッチ電極30の位置に応じて異なっていてもよい。その場合は、例えばドライバ11から遠いタッチ電極30に接続されるタッチ配線31の数を、ドライバ11に近いタッチ電極30に接続されるタッチ配線31の数よりも多くするのが好ましいが、必ずしもその限りではない。なお、図1では、タッチ電極30に対するタッチ配線31の接続箇所(第1コンタクトホールCH1)を黒丸にて図示している。さらにタッチ配線31は、検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ11に備えられてもよいが、フレキシブル基板12を介して液晶パネル10の外部に備えられてもよい。タッチ配線31の詳しい構成については、後に改めて説明する。
複数のタッチ電極30には、図1に示すように、液晶パネル10に設けられた複数の接続配線32が接続されている。接続配線32は、タッチ配線31と同様に、概ねY軸方向に沿って延在する。接続配線32は、接続対象のタッチ電極30と重畳して配され、Y軸方向についての形成範囲が、接続対象のタッチ電極30の同形成範囲に限られている。接続配線32は、接続対象のタッチ電極30に対して複数箇所で接続されている。なお、図1では、タッチ電極30に対する接続配線32の接続箇所(第2コンタクトホールCH2)を黒丸にて図示している。このような接続配線32によってタッチ電極30の抵抗分布が低減される。接続配線32は、タッチ配線31に対してY軸方向にドライバ11側とは反対側に間隔を空けて配されている。つまり、接続配線32は、タッチ配線31と同列に位置する。接続配線32は、タッチ配線31が非配置とされるスペースを利用して配置されている、と言える。タッチ電極30に対して重畳配置される接続配線32の数は、ドライバ11から遠いタッチ電極30が、ドライバ11に近いタッチ電極30よりも多い。
図2を用いてアレイ基板21の表示領域AAにおける画素配列について説明する。図2では、アレイ基板21に備わる第1金属膜、半導体膜、第2金属膜及び第2透明電極膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。なお、図2では、第1透明電極膜や対向基板20に備わる構成等を二点鎖線にて図示する。また、上記したアレイ基板21に備わる各膜に関しては、後に詳しく説明する。アレイ基板21の表示領域AAにおける内面側には、図2に示すように、複数ずつのTFT(薄膜トランジスタ、スイッチング素子)23及び画素電極24が、アレイ基板21の面内にて間隔を空けて並んで設けられている。複数ずつのTFT23及び画素電極24は、X軸方向(第1方向)及びX軸方向と交差するY軸方向(第2方向)にそれぞれ間隔を空けてマトリクス状(行列状)に並んで設けられる。TFT23及び画素電極24の周りには、格子状をなすゲート配線(第3配線、走査配線)26及びソース配線(信号配線)27が取り囲むようにして配設されている。ゲート配線26は、X軸方向に沿ってほぼ直線状に延在し、Y軸方向に画素電極24を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配される。ゲート配線26は、X軸方向の位置に応じて線幅が変化する。ソース配線27は、ジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねY軸方向に沿って延在している。ソース配線27は、X軸方向に画素電極24を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配される。ゲート配線26及びソース配線27は、互いに交差しており、その交差箇所の数は、ゲート配線26の設置数と、ソース配線27の設置数と、を乗算した値となる。TFT23は、いずれも自身に接続される画素電極24とゲート配線26との間にY軸方向に挟まれて配されている。なお、複数のTFT23には、接続対象とされるソース配線27に対して図2の右側に位置するものと同図の左側に位置するものとが含まれている。接続対象とされるソース配線27に対して図2の右側に位置するTFT23と、同図の左側に位置するTFT23と、がY軸方向に2つずつ交互に並んでいる。また、全てのTFT23は、接続対象とされる画素電極24に対して図2の下側に位置する。
図1及び図3を用いてアレイ基板21に備わる共通電極25について説明する。図3では、アレイ基板21に備わる第1透明電極膜を網掛け状にして図示する。アレイ基板21には、図3に示すように、表示領域AAのほぼ全域にわたって配される共通電極25が設けられている。共通電極25は、複数の画素電極24に対して下層側に重畳して配されている。共通電極25は、図1及び図3に示すように、既述したタッチ電極30を構成している。共通電極25には、隣り合うタッチ電極30の間を仕切るよう配されるスリット25Aが形成されている。スリット25Aは、全体としては平面に視て略格子状をなしている。スリット25Aは、概ねX軸方向に沿って共通電極25の全長にわたって横断する第1スリット25A1と、概ねY軸方向に沿って共通電極25の全長にわたって縦断する第2スリット25A2と、からなる。なお、図3には、4つのタッチ電極30が図示されている。共通電極25は、スリット25Aによって平面に視て略碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極30からなる。Y軸方向に沿って並ぶタッチ電極30は、第1スリット25A1により仕切られる。X軸方向に沿って並ぶタッチ電極30は、第2スリット25A2により仕切られる。このようなタッチ電極30に接続されたタッチ配線31には、ドライバ11から、画像表示機能に係る共通電位信号と、タッチパネル機能に係るタッチ信号(位置検出信号)と、が時分割して供給される。ドライバ11からタッチ配線31に共通電位信号が供給されるタイミングが表示期間である。ドライバ11からタッチ配線31にタッチ信号が供給されるタイミングがセンシング期間(位置検出期間)である。この共通電位信号は、同じタイミング(表示期間)で全てのタッチ配線31に伝送されることで、全てのタッチ電極30が共通電位信号に基づく基準電位となって共通電極25として機能する。また、共通電極25には、TFT23の大部分(後述する第3コンタクトホールCH3及び第4コンタクトホールCH4付近)と重畳する第1開口25B1が形成されている。第1開口25B1は、共通電極25のうち、複数のTFT23のそれぞれと重畳する位置に複数が形成されている。複数の第1開口25B1は、共通電極25においてX軸方向及びY軸方向に間隔を空けてマトリクス状に並んで配される。共通電極25は、第1開口25B1によって画素電極24との短絡が避けられている。また、共通電極25には、タッチ配線31及び接続配線32の大部分と重畳する第2開口25B2が形成されている。
図4を用いてタッチ配線31及び接続配線32について説明する。図4では、アレイ基板21に備わる第3金属膜を網掛け状にして図示する。なお、図4では、第1透明電極膜(共通電極25及びタッチ電極30)等を二点鎖線にて図示する。タッチ配線31は、図4に示すように、ソース配線27に対して平面に視て重畳して配されている。タッチ配線31は、ソース配線27と同様に、ジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねY軸方向に沿って延在している。タッチ配線31は、Y軸方向に隣り合うタッチ電極30の間を仕切る第1スリット25A1を横切って配される。接続配線32は、タッチ配線31と同層にあり、ソース配線27に対して平面に視て重畳して配されている。接続配線32は、ソース配線27及びタッチ配線31と同様に、ジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねY軸方向に沿って延在している。接続配線32は、接続対象のタッチ電極30と、Y軸方向に隣り合うタッチ電極30と、の間を仕切る第1スリット25A1を横切ることがなく、当該第1スリット25A1とは非重畳の関係とされる。接続配線32は、接続対象のタッチ電極30に対してY軸方向に隣り合うタッチ電極30と重畳するタッチ配線31及び接続配線32とは、第1スリット25A1分の間隔を空けてY軸方向に並ぶ関係とされる。
図5を用いて液晶パネル10における画素電極24(画素PX)の中央部付近の断面構成を説明する。液晶パネル10は、図5に示すように、一対の基板20,21間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層(媒質層)22を有している。液晶パネル10を構成する対向基板20の内面側における表示領域AAには、青色(B)、緑色(G)及び赤色(R)を呈する3色のカラーフィルタ28が設けられている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ28は、ゲート配線26の延在方向(X軸方向)に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ28は、ソース配線27の延在方向(概ねY軸方向)に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ28は、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ28は、アレイ基板21側の各画素電極24と平面に視て重畳する配置とされている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ28は、その境界(色境界)がソース配線27と重畳する配置とされる。また、カラーフィルタ28の上層側(液晶層22側)には、平坦化のために対向基板20のほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜33が設けられている。なお、両基板20,21のうち、液晶層22に接する最内面(最上層)には、液晶層22に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜がそれぞれ形成されている。
カラーフィルタ28には、図5に示すように、緑色を呈する第1カラーフィルタ(緑色カラーフィルタ)28Gと、青色を呈する第2カラーフィルタ(青色カラーフィルタ)28Bと、赤色を呈する第3カラーフィルタ(赤色カラーフィルタ)28Rと、が含まれる。以下では、カラーフィルタ28を区別する場合には、緑色を呈する第1カラーフィルタの符号に添え字Gを、青色を呈する第2カラーフィルタの符号に添え字Bを、赤色を呈する第3カラーフィルタの符号に添え字Rを付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。第1カラーフィルタ28Gは、緑色の波長領域(約500nm~約570nm)に含まれる波長の緑色光を選択的に透過する。第1カラーフィルタ28Gは、比視感度が最も高い。第2カラーフィルタ28Bは、青色の波長領域(約400nm~約500nm)に含まれる青色光を選択的に透過する。第2カラーフィルタ28Bは、比視感度が最も低い。第3カラーフィルタ28Rは、赤色の波長領域(約600nm~約780nm)に含まれる波長の赤色光を選択的に透過する。第3カラーフィルタ28Rは、第1カラーフィルタ28Gよりも比視感度が低いものの、第2カラーフィルタ28Bよりは比視感度が高い。本実施形態では、カラーフィルタ28は、図5の左側から第1カラーフィルタ28G、第2カラーフィルタ28B、第3カラーフィルタ28Rの順で繰り返し並ぶ配列とされる。
この液晶パネル10においては、図5に示すように、X軸方向に沿って並ぶ3色のカラーフィルタ28G,28B,28Rと、各カラーフィルタ28G,28B,28Rと対向する3つの画素電極24と、が3色の画素GPX,BPX,RPXをそれぞれ構成している。最も視感度が高い緑色を呈する第1画素(緑色画素)GPXは、第1カラーフィルタ28Gと、第1カラーフィルタ28Gと対向する画素電極24と、により構成される。最も視感度が低い青色を呈する第2画素(青色画素)BPXは、第2カラーフィルタ28Bと、第2カラーフィルタ28Bと対向する画素電極24と、により構成される。中間の視感度の赤色を呈する第3画素(赤色画素)RPXは、第3カラーフィルタ28Rと、第3カラーフィルタ28Rと対向する画素電極24と、により構成される。そして、この液晶パネル10においては、X軸方向に沿って隣り合う3色の画素GPX,BPX,RPXによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素GPX,BPX,RPXにおけるY軸方向の配列ピッチは、X軸方向の配列ピッチの3倍程度とされる。
対向基板20の表示領域AAにおける内面側には、図5に示すように、遮光部(画素間遮光部、ブラックマトリクス)29が設けられている。遮光部29は、優れた遮光性を有する遮光性材料(例えばアクリルやポリイミドなどの感光性樹脂材料にカーボンブラックなどの顔料を含有させた材料)からなる。遮光部29は、バックライト装置などから照射される光を遮ることができる。表示領域AAにおいて遮光部29は、平面形状が略格子状をなしており、隣り合う画素電極24の間を仕切っている。遮光部29は、アレイ基板21側の少なくともゲート配線26及びソース配線27と平面に視て重畳する配置とされる。遮光部29は、X軸方向に沿って延在する第1遮光部29Aと、Y軸方向に沿って延在して第1遮光部29Aと交差する第2遮光部29Bと、を有する。なお、図5には、第2遮光部29Bのみが図示されており、第1遮光部29Aは、図6等に図示されている。第1遮光部29A及び第2遮光部29Bは、互いの交差箇所が連ねられている。第1遮光部29Aは、少なくともTFT23及びゲート配線26と重畳して配され、第2遮光部29Bよりも幅広とされる。第1遮光部29Aは、Y軸方向に隣り合う2つのカラーフィルタ28間を仕切る。第2遮光部29Bは、少なくともソース配線27、タッチ配線31及び接続配線32と重畳して配され、第1遮光部29Aよりも幅狭とされる。第2遮光部29Bは、X軸方向に隣り合う2つのカラーフィルタ28間を仕切る。対向基板20の面内において、第1遮光部29Aと第2遮光部29Bとにより囲まれた領域(画素開口部)が、画素電極24の大部分及びカラーフィルタ28の大部分とそれぞれ重畳する位置関係となっている。上記領域は、画素電極24及びカラーフィルタ28の透過光を透過し、液晶パネル10の外部へ出光させる。なお、遮光部29は、対向基板20の非表示領域NAAにも設けられており、非表示領域NAAではほぼ全域にわたってベタ状に配されている。
ここで、アレイ基板21の内面側に積層形成された各種の膜について図6を参照しつつ説明する。アレイ基板21には、図6に示すように、下層側(ガラス基板側)から順に第1金属膜、ゲート絶縁膜34、半導体膜、第2金属膜、第1層間絶縁膜35、平坦化膜(第1絶縁膜)36、第3金属膜、第2層間絶縁膜(第2絶縁膜)37、第1透明電極膜、第3層間絶縁膜38、第2透明電極膜、配向膜が積層形成されている。第1金属膜、第2金属膜及び第3金属膜は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の中から選択される1種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第1金属膜は、ゲート配線26やTFT23のゲート電極23A等を構成する。第2金属膜は、ソース配線27、TFT23のソース電極23B及びドレイン電極23C等を構成する。第3金属膜は、タッチ配線31及び接続配線32等を構成する。半導体膜は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等を用いた薄膜からなり、TFT23の半導体部23D等を構成する。第1透明電極膜及び第2透明電極膜は、透明電極材料(例えばITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等)からなる。第1透明電極膜及び第2透明電極膜は、膜厚が、例えば0.05μm~0.1μm程度とされる。第1透明電極膜は、共通電極25(タッチ電極30)等を構成する。第2透明電極膜は、画素電極24等を構成する。配向膜は、既述した通りである。
ゲート絶縁膜34、第1層間絶縁膜35、第2層間絶縁膜37及び第3層間絶縁膜38は、それぞれ窒化ケイ素(SiNx)、酸化ケイ素(SiO2)等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜34、第1層間絶縁膜35、第2層間絶縁膜37及び第3層間絶縁膜38は、膜厚が、例えば0.2μm~0.7μm程度とされ、第1透明電極膜及び第2透明電極膜の膜厚よりも概して大きい。平坦化膜36は、例えばPMMA(アクリル樹脂)などの有機材料からなり、感光性を有する。平坦化膜36は、膜厚が、例えば1μm~3μm程度とされ、ゲート絶縁膜34、第1層間絶縁膜35、第2層間絶縁膜37及び第3層間絶縁膜38の膜厚よりも遙かに大きい。この平坦化膜36によりアレイ基板21の内面(液晶層22側の面)が平坦化される。ゲート絶縁膜34は、下層側の第1金属膜と、上層側の半導体膜及び第2金属膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第1金属膜からなるゲート配線26と、第2金属膜からなるソース配線27と、の交差箇所は、ゲート絶縁膜34により絶縁状態に保たれる。また、TFT23において、第1金属膜からなるゲート電極23Aと、半導体膜からなる半導体部23Dと、の重畳箇所は、ゲート絶縁膜34により絶縁状態に保たれる。第1層間絶縁膜35及び平坦化膜36は、下層側の半導体膜及び第2金属膜と、上層側の第3金属膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第2金属膜からなるソース配線27と、第3金属膜からなるタッチ配線31または接続配線32と、の重畳箇所は、第1層間絶縁膜35及び平坦化膜36により絶縁状態に保たれる。第2層間絶縁膜37は、下層側の第3金属膜と、上層側の第1透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第3金属膜からなるタッチ配線31及び接続配線32等と、第1透明電極膜からなる共通電極25(タッチ電極30)と、の重畳箇所は、第2層間絶縁膜37により絶縁状態に保たれる。第3層間絶縁膜38は、下層側の第1透明電極膜と、上層側の第2透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第1透明電極膜からなる共通電極25(タッチ電極30)と、第2透明電極膜からなる画素電極24と、の重畳箇所は、第3層間絶縁膜38により絶縁状態に保たれる。
次に、TFT23に関して図6から図8を参照しつつ説明する。図7では、アレイ基板21に備わる第1金属膜、半導体膜、第2金属膜及び第2透明電極膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。図8では、アレイ基板21に備わる第3金属膜を網掛け状にして図示する。なお、図7及び図8では、第1透明電極膜や対向基板20に備わる構成等を二点鎖線にて図示する。TFT23は、図6から図8に示すように、第1金属膜からなるゲート電極23Aを有する。ゲート電極23Aは、ゲート配線26の一部(ソース配線27との交差箇所付近)により構成される。ゲート電極23Aは、ゲート配線26を部分的に拡幅して形成されている。ゲート電極23Aは、ゲート配線26に供給される走査信号に基づいてTFT23を駆動する。TFT23は、第2金属膜からなるソース電極23Bを有する。ソース電極23Bは、ソース配線27の一部(ゲート配線26との交差箇所)により構成される。ソース電極23Bは、TFT23におけるX軸方向の一端(図6から図8に示す左端)に配される。ソース電極23Bは、ゲート電極23Aの一部と重畳し、半導体部23Dに接続される。
TFT23は、図6から図8に示すように、第2金属膜からなるドレイン電極23Cを有する。ドレイン電極23Cは、ソース電極23Bとの間にX軸方向に間隔を空けた位置、つまりTFT23におけるX軸方向の他端(図6から図8に示す右端)に配される。ドレイン電極23Cは、平面に視て略L字型をなしている。ドレイン電極23Cのうち、ソース電極23B側の端部が、ゲート電極23Aの一部と重畳するよう配されて半導体部23Dに接続される。ドレイン電極23Cのうち、ソース電極23B側とは反対側の端部が、画素電極24に接続される。ドレイン電極23Cと画素電極24(後述するコンタクト部24B)との双方と重畳する位置には、第3金属膜からなる中間電極39が設けられている。中間電極39は、Z軸方向に関してドレイン電極23Cと画素電極24との中間に位置している。中間電極39は、平面に視て略方形の島状をなしており、同じ第3金属膜の他の部分からなるタッチ配線31や接続配線32とは物理的に分離されている。ドレイン電極23Cと中間電極39との間に介在する第1層間絶縁膜35及び平坦化膜36のうち、ドレイン電極23C及び中間電極39と重畳する位置には、第3コンタクトホールCH3が形成されている。中間電極39は、ドレイン電極23Cに対して第3コンタクトホールCH3を通して接続されている。中間電極39と画素電極24との間に介在する第2層間絶縁膜37及び第3層間絶縁膜38のうち、中間電極39及び画素電極24と重畳する位置には、第4コンタクトホールCH4が形成されている。画素電極24は、中間電極39に対して第4コンタクトホールCH4を通して接続されている。このように、画素電極24は、中間電極39を介してドレイン電極23Cに接続されている。
TFT23は、図6から図8に示すように、チャネル部を含む島状の半導体部23Dを有する。半導体部23Dは、平面に視て横長の方形状をなす。半導体部23Dは、ゲート絶縁膜34を介してゲート電極23Aと重畳する。半導体部23Dの一端側部分が、ソース電極23Bに接続される。半導体部23Dの他端側部分がドレイン電極23Cに接続される。半導体部23Dのうち、ゲート電極23Aと重畳し、ソース電極23B及びドレイン電極23Cとは非重畳とされる部分が、チャネル(電流経路)として機能するチャネル部である。半導体部23Dのうち、ソース電極23B及びドレイン電極23Cと重畳する部分が、チャネルとして機能しない部分である。ゲート電極23Aに供給される走査信号に基づいてTFT23がオン状態にされると、ソース配線27に供給される画像信号(データ信号)は、ソース電極23Bから半導体部23Dを介してドレイン電極23Cへと供給される。その結果、画素電極24は、画像信号に基づいた電位に充電される。
画素電極24に関して図2,図5及び図7を参照しつつ説明する。画素電極24は、図2,図5及び図7に示すように、平面形状が縦長の略方形状の画素電極本体24Aを有する。画素電極本体24Aは、長辺がソース配線27に沿って延在している。詳しくは、画素電極本体24Aは、その長手側の両側縁がY軸方向に対して僅かに傾斜している。画素電極本体24Aには、自身の長辺方向(概ねY軸方向)に沿って延在する複数(図2,図5及び図7等では3本)のスリット24A1が形成されている。なお、スリット24A1の具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。また、画素電極24は、画素電極本体24AからY軸方向に沿って片側に突出するコンタクト部24Bを有する。コンタクト部24Bは、画素電極本体24Aから図2,図5及び図7の下向きに突出し、ドレイン電極23Cの大部分に対して重畳するよう配されている。コンタクト部24Bは、画素電極24のうちのドレイン電極23Cに接続される部位である(図6を参照)。
対向基板20には、図2及び図6に示すように、一対の基板20,21の間の間隔を保持するためスペーサ40が設けられている。スペーサ40は、対向基板20からアレイ基板21側に向けてZ軸方向(対向基板20の板面の法線方向)に沿って突出している。詳しくは、スペーサ40は、樹脂材料からなり、対向基板20の表示領域AAにおいてオーバーコート膜33の表面からアレイ基板21側に向けてZ軸方向に沿って突出し、その突出先端面がアレイ基板21と対向している。スペーサ40は、全体として、やや先細りの柱状をなしている。スペーサ40は、アレイ基板21に備わるゲート配線26とソース配線27との交差箇所と重畳して配される。スペーサ40は、遮光部29を構成する第1遮光部29Aと第2遮光部29Bとの交差箇所と重畳して配される。ここで、スペーサ40付近では、液晶層22に含まれる液晶分子に配向不良が生じ、配向不良に起因して光が常に透過する輝点欠陥(光漏れ)等の表示不良の発生が懸念される。その点、スペーサ40に対して重畳配置される遮光部29によってスペーサ40付近に生じ得る表示不良を視認され難くすることができる。
図6,図7,図9及び図10を用いてスペーサ40に関して詳しく説明する。スペーサ40には、図6及び図7に示されるメインスペーサ(第1スペーサ)40αと、図9及び図10に示されるサブスペーサ(第2スペーサ)40βと、の2種類が含まれる。なお、以下ではスペーサ40を区別する場合には、メインスペーサの符号に添え字「α」を、サブスペーサの符号に添え字「β」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。メインスペーサ40αは、図6に示すように、サブスペーサ40βよりも対向基板20からの突出寸法が大きい。メインスペーサ40αは、その突出先端面が、アレイ基板21の内面(配向膜)に対して接触されている。これにより、一対の基板20,21は、液晶層22の厚み分の間隔(セルギャップ)が保持されるようになっている。また、メインスペーサ40αは、図7に示すように、平面形状が横長の長円形とされる。
これに対し、サブスペーサ40βは、図10に示すように、メインスペーサ40αよりも対向基板20からの突出寸法が小さくされている。サブスペーサ40βの突出先端面と、アレイ基板21の内面と、の間には、クリアランスが空けられている。一対の基板20,21のいずれか一方に対して外部から内向きに押圧するような外力が作用した場合には、対向基板20に設けられたサブスペーサ40βとアレイ基板21の内面との間のクリアランスの分だけ一対の基板20,21のいずれか一方には撓み(変形)が許容される。しかし、一対の基板20,21のいずれか一方が多少撓むと、サブスペーサ40βの突出先端面が、アレイ基板21の内面に接触される。これにより、一対の基板20,21のいずれか一方が、それ以上に撓むのが規制されるようになっている。サブスペーサ40βは、常にアレイ基板21の内面に接することが避けられているので、アレイ基板21の内面に存在する配向膜のうち、サブスペーサ40βと重畳する部分がサブスペーサ40βにより削られ難くなっている。これにより、サブスペーサ40β付近の遮光範囲を、メインスペーサ40α付近の遮光範囲よりも狭くすることができるので、画素GPX,BPX,RPXの開口率を高く保つ上で好適とされる。特に、サブスペーサ40βの設置数は、メインスペーサ40αの設置数よりも多くされることで、画素GPX,BPX,RPXの開口率が高く保たれるようになっている。以上のように、メインスペーサ40α及びサブスペーサ40βによって液晶層22の厚み、つまりセルギャップを保持することができる。また、サブスペーサ40βは、図9に示すように、平面形状が略円形とされる。サブスペーサ40βの径寸法は、サブスペーサ40βの長軸寸法と同じ程度とされる。
次に、図6,図7,図9及び図10によってアレイ基板21の平坦化膜36に関して詳しく説明する。平坦化膜36は、図6及び図10に示すように、スペーサ40と重畳する部分と、それ以外の部分と、で膜厚が異なっている。平坦化膜36のうち、スペーサ40と重畳する部分が、他の部分よりも高い高位部(第1膜厚部)36Aとされる。平坦化膜36のうち、スペーサ40とは非重畳となる部分が、高位部36Aよりも低い低位部36Bとされる。高位部36Aは、低位部36Bよりも膜厚が大きい。低位部36Bは、高位部36Aよりは膜厚が小さいものの、他の絶縁膜34,35,37,38よりも膜厚が大きい。低位部36Bは、平坦化膜36のうち、複数のスペーサ40のそれぞれと重畳する部分を除いた大部分を占める。高位部36Aは、図7及び図9に示すように、平面形状が縦長の長円形とされる。高位部36Aは、ゲート配線26とソース配線27との交差箇所と重畳して配される。高位部36Aは、図6及び図10に示すように、低位部36Bよりも膜厚が大きいことから、アレイ基板21の内面(配向膜)のうちの高位部36Aと重畳する部分は、低位部36Bと重畳する部分よりもZ軸方向に液晶層22側に突き出した配置となる。高位部36Aは、先細り状をなしており、その突出先端面の長軸寸法は、メインスペーサ40αの突出先端面の短軸寸法より大きく、サブスペーサ40βの突出先端面の径寸法と同等とされる。従って、高位部36Aは、各スペーサ40α,40βの突出先端面をほぼ全域にわたって配向膜等を介して受けることが可能とされる。これにより、アレイ基板21または対向基板20の撓みを規制することができる。上記した高位部36A及び低位部36Bを含む平坦化膜36は、アレイ基板21の製造過程において、ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて露光・現像されることで、パターニングされる。
本実施形態に係るアレイ基板21に備わるタッチ配線31及び接続配線32は、図4に示すように、全てのソース配線27に対して重畳配置されることがない。つまり、複数のソース配線27には、タッチ配線31及び接続配線32がいずれも重畳配置されないソース配線27が含まれている。タッチ配線31及び接続配線32が非重畳とされるソース配線27には、スペーサ40及び平坦化膜36の高位部36Aが重畳配置されている。つまり、スペーサ40及び高位部36Aは、タッチ配線31及び接続配線32とは非重畳に配されている。
以下では、図4に示される各画素GPX,BPX,RPXを構成する複数の画素電極24に関し、第1画素GPXの画素電極24を第1画素電極24αとし、第1画素GPXに隣り合う第2画素BPXの画素電極24を第2画素電極24βとし、第2画素BPXに隣り合う第3画素RPXの画素電極24を第3画素電極24γとする。また、複数の第1画素GPXを構成する複数の画素電極24に関し、第3画素電極24γに対して第2画素電極24βとはX軸方向の反対側に位置する第1画素GPXの画素電極24を第4画素電極24δと言う場合がある。なお、画素電極24を区別する場合には、第1画素電極の符号に添え字「α」を付し、第2画素電極の符号に添え字「β」を付し、第3画素電極の符号に添え字「γ」を付し、第4画素電極の符号に添え字「δ」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。第1画素電極24α及び第4画素電極24δは、緑色を呈する第1カラーフィルタ28Gと重畳する。第2画素電極24βは、青色を呈する第2カラーフィルタ28Bと重畳する。第3画素電極24γは、赤色を呈する第3カラーフィルタ28Rと重畳する。また、特に、第2画素電極24βを含んでいて、Y軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極24を、第2画素電極列24βCとし、第3画素電極24γを含んでいて、Y軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極24を、第3画素電極列24γCとする。
詳しくは、複数のタッチ配線31には、図4及び図5に示すように、X軸方向に第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間に位置する第1タッチ配線(第1配線、第1位置検出配線)31αと、X軸方向に第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間に位置する第2タッチ配線(第2配線、第2位置検出配線)31βと、が複数ずつ含まれる。なお、以下ではタッチ配線31を区別する場合には、第1タッチ配線の符号に添え字「α」を付し、第2タッチ配線の符号に添え字「β」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。第1タッチ配線31αは、第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間に挟まれるソース配線27と重畳する。第2タッチ配線31βは、第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間に挟まれるソース配線27と重畳する。複数の第2タッチ配線31βには、第1タッチ配線31αが接続されるタッチ電極30とは異なるタッチ電極30に接続されるものが含まれている。複数の接続配線32には、X軸方向に第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間に位置する第1接続配線(第1配線)32αと、X軸方向に第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間に位置する第2接続配線(第2配線)32βと、が複数ずつ含まれる。なお、以下では接続配線32を区別する場合には、第1接続配線の符号に添え字「α」を付し、第2接続配線の符号に添え字「β」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。第1接続配線32αは、第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間に挟まれるソース配線27と重畳する。第2接続配線32βは、第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間に挟まれるソース配線27と重畳する。
これに対し、スペーサ40及び高位部36Aは、図4,図6及び図10に示すように、X軸方向に第2画素電極24βと第3画素電極24γとの間に位置して配されている。つまり、スペーサ40及び高位部36Aは、第2画素電極24βと第3画素電極24γとの間に挟まれるソース配線27と重畳して配されている。スペーサ40及び高位部36Aは、X軸方向に第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間には位置せず、またX軸方向に第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間には位置しない。スペーサ40及び高位部36Aは、X軸方向に第2画素電極列24βCと第3画素電極列24γCとの間に位置して配されている、とも言える。また、X軸方向に隣り合う2つのスペーサ40(高位部36A)の間には、3つの画素電極24と、2つのソース配線27と、2つのソース配線27にそれぞれ重畳するタッチ配線31及び/または、接続配線32と、が挟まれている。また、スペーサ40及び高位部36Aは、中心が、X軸方向にソース配線27(タッチ配線31、接続配線32)の中央位置とほぼ一致する位置に配されている。スペーサ40及び高位部36Aは、TFT23のゲート電極23A、ソース電極23B及び半導体部23Dの全域に加え、ドレイン電極23Cの一部に対して重畳している。ここで、第3金属膜からなる第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αは、高位部36Aを有する平坦化膜36の上層側に配されるため、アレイ基板21の内面には、第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αに起因する凹凸が生じ得る。
その点、上記したように、スペーサ40は、図4,図6及び図10に示すように、第2画素電極列24βCと第3画素電極列24γCとの間に位置し、さらには第2画素電極24βと第3画素電極24γとの間に位置していることから、第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間に位置する第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αや第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間に位置する第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βとは非重畳の関係とされる。このことは、スペーサ40と重畳する平坦化膜36の高位部36Aが、第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βとは非重畳の関係であることを意味する。従って、アレイ基板21の内面のうち、高位部36Aと重畳する部分には、第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βに起因する凹凸が生じるのが避けられている。以上によれば、第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βの線幅に係る設定に拘わらず、アレイ基板21の内面に対するスペーサ40の接触面積を安定的に十分確保することができる。これにより、セルギャップに係る均一性が改善される。特に、液晶パネル10の高精細化に伴って第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βの細線化が進行した場合に好適となる。
しかも、スペーサ40及び高位部36Aは、図4,図6及び図10に示すように、最も視感度が低い第2カラーフィルタ28Bと重畳する第2画素電極24β(第2画素電極列24βC)と、第1カラーフィルタ28Gよりも比視感度が低い第3カラーフィルタ28Rと重畳する第3画素電極24γ(第3画素電極列24γC)と、の間に位置しているので、スペーサ40付近に光が常に透過する輝点欠陥等の表示不良が生じ、第2画素電極24β及び第3画素電極24γでの表示に悪影響が及んでも、全体の表示品位に与える影響は軽微なものとなる。その上で、比視感度が最も高い第1カラーフィルタ28Gと重畳する第1画素電極24αでの表示に悪影響が及び難いので、全体の表示品位を良好に保つことができる。
スペーサ40及び高位部36Aの平面配置について詳しく説明する。スペーサ40及び高位部36Aは、図4に示すように、Y軸方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配されている。複数ずつのスペーサ40及び高位部36AのY軸方向の配列間隔は、Y軸方向のゲート配線26の配列間隔(画素電極24の長辺寸法)とほぼ等しい。複数ずつのスペーサ40及び高位部36Aは、Y軸方向に1つの画素GPX,BPX,RPX分の間隔を空けて配列されている。スペーサ40及び高位部36AのY軸方向の並び数は、Y軸方向のゲート配線26(画素電極24)の並び数と等しい。このように、Y軸方向に並んで列をなす複数ずつのスペーサ40及び高位部36Aは、全てが第2画素電極24β(第2画素電極列24βC)と第3画素電極24γ(第3画素電極列24γC)との間に位置している。このように、Y軸方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配されるスペーサ40及び高位部36Aは、Y軸方向に沿って延在する第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βとは非重畳の関係とされる。このようにすれば、アレイ基板21の内面のうち、Y軸方向に沿って並ぶ複数の高位部36Aと重畳する部分には、第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βに起因する凹凸が生じるのが避けられるので、アレイ基板21の内面に対する複数のスペーサ40の接触面積を安定的に十分に確保することができる。これにより、セルギャップに係る均一性がより改善される。また、スペーサ40及び高位部36Aは、X軸方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配されている。複数ずつのスペーサ40及び高位部36AのX軸方向の配列間隔は、ソース配線27の配列間隔(画素電極24の短辺寸法)の3倍程度とされる。複数ずつのスペーサ40及び高位部36Aは、X軸方向に3つの画素GPX,BPX,RPX分の間隔を空けて配列されているスペーサ40及び高位部36AのX軸方向の並び数は、X軸方向のソース配線27(画素電極24)の並び数の1/3とされる。なお、平坦化膜36のうちの高位部36A以外の部分である低位部36Bは、スペーサ40とは非重畳とされ、画素電極24、タッチ配線31及び接続配線32等と重畳して配される。
図4,図11から図14を用いてアレイ基板21のうちの隣り合うタッチ電極30の境界付近の構成について説明する。アレイ基板21には、図11から図13に示すように、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置して配される遮蔽部41が設けられている。Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の境界は、Y軸方向に隣り合う2つずつの第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γの境界と整合している。従って、Y軸方向に隣り合う2つずつの第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γの間に位置するゲート配線26は、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置することになる。遮蔽部41は、第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βと同層に配されている。つまり、遮蔽部41は、第3金属膜のうち、中間電極39、タッチ配線31及び接続配線32とは異なる部分からなる。遮蔽部41は、X軸方向に沿って延在し、その長さが画素電極24の短辺寸法よりも短い。遮蔽部41は、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置するゲート配線26の少なくとも一部に対して重畳して配されている。なお、複数のゲート配線26のうち、タッチ電極30に対して重畳する関係となる多くのゲート配線26には、遮蔽部41が重畳配置されることがない。そして、遮蔽部41は、複数のタッチ電極30のいずれかに直接的にまたは間接的に接続されている。このように、複数のタッチ電極30のいずれかに直接的にまたは間接的に接続される遮蔽部41が、ゲート配線26の少なくとも一部と重畳して配されることで、ゲート配線26から発生する電界を遮蔽することができる。しかも、遮蔽部41は、接続されたタッチ電極30と同電位となるので、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の境界と整合する境界を挟んでY軸方向に隣り合う2つずつの第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γの画素容量を、他の第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γの画素容量と同等にすることができる。以上により、表示品位を向上させることができる。
詳しくは、遮蔽部41には、図4に示すように、第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αのいずれかに連なる第1遮蔽部41αと、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βのいずれかに連なる第2遮蔽部41βと、第1タッチ配線31α、第2タッチ配線31β、第1遮蔽部41α及び第2遮蔽部41βとは分離される第3遮蔽部41γと、が含まれる。なお、遮蔽部41を区別する場合には、第1遮蔽部の符号に添え字「α」を付し、第2遮蔽部の符号に添え字「β」を付し、第3遮蔽部の符号に添え字「γ」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。第1遮蔽部41αは、第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αのいずれかのうちのゲート配線26と交差する箇所に連ねられている。第1遮蔽部41αは、第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αのいずれかに接続されたタッチ電極30と同電位とされる。第1遮蔽部41αは、Y軸方向に隣り合う2つの第2画素電極24βの間に位置する。第2遮蔽部41βは、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βのいずれかのうちのゲート配線26と交差する箇所に連ねられている。第2遮蔽部41βは、Y軸方向に隣り合う2つの第1画素電極24α(第4画素電極24δ)の間に位置する。第2遮蔽部41βは、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βのいずれかに接続されたタッチ電極30と同電位とされる。
第3遮蔽部41γは、図11に示すように、第3金属膜からなる他の構造物とは物理的に切り離されていて、島状に孤立している。第3遮蔽部41γは、Y軸方向に隣り合う2つの第3画素電極24γの間に位置する。第3遮蔽部41γは、X軸方向に第1遮蔽部41αと第2遮蔽部41βとの間に位置して配される。第3遮蔽部41γは、大部分がY軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置するものの、一部が接続対象のタッチ電極30に対して重畳して配される。第3遮蔽部41γとタッチ電極30との間に介在する第2層間絶縁膜37には、図14に示すように、第3遮蔽部41γとタッチ電極30との重畳部位と重畳する位置に第5コンタクトホールCH5が形成されている。第3遮蔽部41γは、重畳するタッチ電極30に対して第5コンタクトホールCH5を通して接続されている。これにより、第3遮蔽部41γは、接続されたタッチ電極30と同電位とされる。ところで、仮に第3遮蔽部41γを第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31βまたは第2接続配線32βに連ねると、第1タッチ配線31αと第2タッチ配線31βとで負荷に差が生じたり第1接続配線32αと第2接続配線32βとで負荷に差が生じたりする。その点、上記のように第3遮蔽部41γを島状に孤立させることで、第1タッチ配線31αの負荷と第2タッチ配線31βの負荷とを均等化し、第1接続配線32αの負荷と第2接続配線32βの負荷とを均等化することができる。これにより、位置検出感度にばらつきが生じ難くなる。
次に、図4を用いてスペーサ40の平面配置について説明する。メインスペーサ40αは、図4に示すように、複数のタッチ電極30のいずれかと重畳して配される。つまり、タッチ電極30におけるY軸方向の形成範囲内に配される複数のスペーサ40のいずれかが、メインスペーサ40αとなっている。複数のサブスペーサ40βには、複数のタッチ電極30のいずれかと重畳して配される第1サブスペーサ40β1と、少なくとも一部がY軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置する第2サブスペーサ40β2と、が含まれる。タッチ電極30におけるY軸方向の形成範囲内に配される複数のスペーサ40のうち、メインスペーサ40αではないものが、全て第1サブスペーサ40β1である。第2サブスペーサ40β2は、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間を仕切る第1スリット25A1と重畳して配されている。第2サブスペーサ40β2は、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置する遮蔽部41の一部と重畳して配されている。このように、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間となる位置には、第2サブスペーサ40β2が配置されるものの、メインスペーサ40αが非配置とされる。メインスペーサ40αは、第1タッチ配線31α、第1接続配線32α、第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βと同層に配される遮蔽部41とは非重畳の配置となる。従って、メインスペーサ40αが、アレイ基板21の内面のうち、遮蔽部41に起因する凹凸が生じる部分に接するのが避けられる。これにより、サブスペーサ40βよりも対向基板20からの突出寸法が大きいメインスペーサ40αの、アレイ基板21の内面に対する接触面積を十分に確保することができるから、セルギャップに係る均一性が改善される。
以上説明したように本実施形態の液晶パネル(表示装置)10は、アレイ基板21と、アレイ基板21と間隔を空けて対向する対向基板20と、アレイ基板21に設けられる第1画素電極24αと、アレイ基板21に設けられ、第1画素電極24αに対して第1方向に間隔を空けて配される第2画素電極24βと、アレイ基板21に設けられ、第2画素電極24βに対して第1方向に間隔を空けて配される第3画素電極24γと、アレイ基板21に設けられ、第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間に位置し、第1方向と交差する第2方向に沿って延在する第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αと、アレイ基板21に設けられ、第2画素電極24βを含み、第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極24からなる第2画素電極列24βCと、アレイ基板21に設けられ、第3画素電極24γを含み、第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極24からなる第3画素電極列24γCと、アレイ基板21に設けられ、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αの下層側に配される平坦化膜(第1絶縁膜)36と、対向基板20に設けられ、対向基板20からアレイ基板21に向けて突出するスペーサ40と、を備え、スペーサ40は、第2画素電極列24βCと第3画素電極列24γCとの間に位置し、平坦化膜36は、スペーサ40と重畳する部分が、残りの部分よりも高い高位部36Aとなっている。
対向基板20からアレイ基板21に向けて突出するスペーサ40は、アレイ基板21の内面のうち、平坦化膜36の高位部36Aと重畳する部分に接することが可能とされる。これにより、互いに対向するアレイ基板21と対向基板20との間隔(セルギャップ)が良好に保持される。ここで、仮に第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αが、高位部36Aを有する平坦化膜36の下層側に配されるのであれば、アレイ基板21の内面に、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αに起因する凹凸が生じるのが避けられる。これに対し、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αが、高位部36Aを有する平坦化膜36の上層側に配される構成においては、アレイ基板21の内面に、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αに起因する凹凸が生じ得る。その点、スペーサ40は、第1方向に間隔を空けて配される第2画素電極列24βCと第3画素電極列24γCとの間に位置していることから、第1方向に間隔を空けて配される第1画素電極24αと第2画素電極24βとの間に位置する第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αとは非重畳の関係とされる。このことは、スペーサ40と重畳する平坦化膜36の高位部36Aが、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αとは非重畳の関係であることを意味する。従って、アレイ基板21の内面のうち、高位部36Aと重畳する部分には、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αに起因する凹凸が生じるのが避けられている。以上によれば、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αの線幅に係る設定に拘わらず、アレイ基板21の内面に対するスペーサ40の接触面積を安定的に十分確保することができる。これにより、セルギャップに係る均一性が改善される。
また、スペーサ40は、第2画素電極24βと第3画素電極24γとの間に位置する。仮にスペーサ40が第2方向に隣り合う2つの第2画素電極24β(第3画素電極24γ)の中間に位置して配される場合に比べると、第2方向に隣り合う2つの第2画素電極24β(第3画素電極24γ)の間の間隔を狭くすることができる。
また、アレイ基板21または対向基板20には、第1画素電極24αと重畳して配される第1カラーフィルタ28Gと、第2画素電極24βと重畳して配される第2カラーフィルタ28Bと、第3画素電極24γと重畳して配される第3カラーフィルタ28Rと、が設けられ、第1カラーフィルタ28Gは、比視感度が最も高く、第2カラーフィルタ28Bは、比視感度が最も低く、第3カラーフィルタ28Rは、第1カラーフィルタ28Gよりも比視感度が低くて第2カラーフィルタ28Bよりも比視感度が高い。スペーサ40付近に光が常に透過する輝点欠陥等の表示不良が生じた場合、スペーサ40付近に存在する画素電極24での表示に悪影響が及び易い傾向にある。その点、スペーサ40は、最も視感度が低い第2カラーフィルタ28Bと重畳する第2画素電極24β(第2画素電極列24βC)と、第1カラーフィルタ28Gよりも比視感度が低い第3カラーフィルタ28Rと重畳する第3画素電極24γ(第3画素電極列24γC)と、の間に位置しているので、第2画素電極24β及び第3画素電極24γでの表示に悪影響が及んでも、全体の表示品位に与える影響は軽微なものとなる。その上で、比視感度が最も高い第1カラーフィルタ28Gと重畳する第1画素電極24αでの表示に悪影響が及び難いので、全体の表示品位を良好に保つことができる。
また、アレイ基板21には、第3画素電極24γに対して第1方向に第2画素電極24βとは反対側に間隔を空けて配される第4画素電極24δが設けられ、第1カラーフィルタ28Gは、第1画素電極24α及び第4画素電極24δとそれぞれ重畳して配され、アレイ基板21には、第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間に位置し、第2方向に沿って延在する第2配線である第2タッチ配線31β及び第2接続配線32βが設けられる。比視感度が最も高い第1カラーフィルタ28Gと重畳する第4画素電極24δと、第1カラーフィルタ28Gよりも視感度が低い第3カラーフィルタ28Rと重畳する第3画素電極24γと、の間にスペーサ40が位置するのが避けられる。これにより、比視感度が最も高い第1カラーフィルタ28Gと重畳する第1画素電極24α及び第4画素電極24δでの表示にスペーサ40に起因する悪影響が及び難くなる。
また、アレイ基板21には、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αの上層側に配される第2層間絶縁膜(第2絶縁膜)37と、第2層間絶縁膜37の上層側に配されるタッチ電極(位置検出電極)30と、が設けられ、第1配線には、複数のタッチ電極30のいずれかに接続される第1タッチ配線31αが含まれる。第1配線に含まれる第1タッチ配線31αに伝送される信号が、タッチ電極30に供給される。タッチ電極30は、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αに対して第2層間絶縁膜37を介して上層側に位置しているから、位置検出感度が良好になる。第1配線に含まれる第1タッチ配線31αは、スペーサ40及び高位部36Aとは非重畳の関係であるから、スペーサ40がアレイ基板21の内面に接することに起因する応力が、第1タッチ配線31αとタッチ電極30との接続箇所に悪影響を及ぼし難くなっている。これにより、第1タッチ配線31αとタッチ電極30との接続信頼性が良好となる。
また、アレイ基板21には、平坦化膜36よりも下層側に配されるゲート配線(第3配線)26と、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αと同層に配される遮蔽部41と、が設けられ、第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γは、第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配され、タッチ電極30は、第2方向に間隔を空けて複数が並んで配され、第2方向に隣り合う2つのタッチ電極30の境界が、第2方向に隣り合う2つずつの第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γの境界と整合して配され、ゲート配線26は、第1方向に沿って延在し、第2方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置して配され、遮蔽部41は、ゲート配線26の少なくとも一部と重畳して配され、複数のタッチ電極30のいずれかに直接的にまたは間接的に接続される。このように、複数のタッチ電極30のいずれかに直接的にまたは間接的に接続される遮蔽部41が、ゲート配線26の少なくとも一部と重畳して配されることで、ゲート配線26から発生する電界を遮蔽することができる。しかも、遮蔽部41は、接続されたタッチ電極30と同電位となるので、第2方向に隣り合う2つのタッチ電極30の境界と整合する境界を挟んで第2方向に隣り合う2つずつの第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γの画素容量を、他の第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γの画素容量と同等にすることができる。以上により、表示品位を向上させることができる。
また、スペーサ40には、メインスペーサ40αと、対向基板20からの突出寸法がメインスペーサ40αよりも小さい複数のサブスペーサ40βと、が含まれ、メインスペーサ40αは、複数のタッチ電極30のいずれかと重畳して配され、複数のサブスペーサ40βには、複数のタッチ電極30のいずれかと重畳して配される第1サブスペーサ40β1と、少なくとも一部が第2方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間に位置し、遮蔽部41の一部と重畳して配される第2サブスペーサ40β2と、が含まれる。メインスペーサ40α及び複数のサブスペーサ40β(第1サブスペーサ40β1及び第2サブスペーサ40β2を含む)によりセルギャップが良好に保持される。第2方向に隣り合う2つのタッチ電極30の間となる位置には、第2サブスペーサ40β2が配置されるものの、メインスペーサ40αが非配置とされる。従って、メインスペーサ40αは、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αと同層に配される遮蔽部41とは非重畳の配置となるので、アレイ基板21の内面のうち、遮蔽部41に起因する凹凸が生じる部分に接するのが避けられる。これにより、サブスペーサ40βよりも対向基板20からの突出寸法が大きいメインスペーサ40αの、アレイ基板21の内面に対する接触面積を十分に確保することができるから、セルギャップに係る均一性が改善される。
また、アレイ基板21には、第3画素電極24γに対して第1方向に第2画素電極24βとは反対側に間隔を空けて配される第4画素電極24δと、第3画素電極24γと第4画素電極24δとの間に位置し、第2方向に沿って延在する第2タッチ配線(第2位置検出配線)31βと、が設けられ、アレイ基板21または対向基板20には、第1画素電極24α及び第4画素電極24δとそれぞれ重畳して配される第1カラーフィルタ28Gと、第2画素電極24βと重畳して配される第2カラーフィルタ28Bと、第3画素電極24γと重畳して配される第3カラーフィルタ28Rと、が設けられ、第1カラーフィルタ28Gは、比視感度が最も高く、第2カラーフィルタ28Bは、比視感度が最も低く、第3カラーフィルタ28Rは、第1カラーフィルタ28Gよりも比視感度が低くて第2カラーフィルタ28Bよりも比視感度が高く、遮蔽部41には、第1タッチ配線31αに連なる第1遮蔽部41αと、第2タッチ配線31βに連なる第2遮蔽部41βと、第1タッチ配線31α、第2タッチ配線31β、第1遮蔽部41α及び第2遮蔽部41βとは分離される第3遮蔽部41γと、が含まれ、第3遮蔽部41γは、第1方向に第1遮蔽部41αと第2遮蔽部41βとの間に位置して配される。第1タッチ配線31αに連なる第1遮蔽部41αと、第2タッチ配線31βに連なる第2遮蔽部41βとの間に位置する第3遮蔽部41γは、第1タッチ配線31α及び第2タッチ配線31β等とは分離され、島状に孤立している。仮に第3遮蔽部41γを第1タッチ配線31αまたは第2タッチ配線31βに連ねると、第1タッチ配線31αと第2タッチ配線31βとで負荷に差が生じる。その点、上記のように第3遮蔽部41γを島状に孤立させることで、第1タッチ配線31αの負荷と第2タッチ配線31βの負荷とを均等化することができる。これにより、位置検出感度にばらつきが生じ難くなる。
また、第1画素電極24α、第2画素電極24β、第3画素電極24γ、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32α、スペーサ40及び高位部36Aは、複数ずつ備えられ、複数の第1配線には、複数のタッチ電極30のいずれかに対して複数箇所で接続される第1接続配線32αが含まれ、第1接続配線32αは、第1タッチ配線31αに対して第2方向に間隔を空けて並んで配される。第1接続配線32αに接続されるタッチ電極30の抵抗分布を低減することができる。これにより、位置検出感度が良好になる。第1配線に含まれる第1接続配線32αは、スペーサ40及び高位部36Aとは非重畳の関係であるから、スペーサ40がアレイ基板21の内面に接することに起因する応力が、第1接続配線32αとタッチ電極30との接続箇所に悪影響を及ぼし難くなっている。これにより、第1接続配線32αとタッチ電極30との接続信頼性が良好となる。
また、第1画素電極24α、第2画素電極24β及び第3画素電極24γは、第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配され、スペーサ40及び高位部36Aは、第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配される。このようにすれば、第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配されるスペーサ40及び高位部36Aは、第2方向に沿って延在する第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αとは非重畳の関係とされる。アレイ基板21の内面のうち、複数の高位部36Aと重畳する部分には、第1配線である第1タッチ配線31α及び第1接続配線32αに起因する凹凸が生じるのが避けられるので、アレイ基板21の内面に対する複数のスペーサ40の接触面積を安定的に十分に確保することができる。これにより、セルギャップに係る均一性がより改善される。
<実施形態2>
実施形態2を図15または図16によって説明する。この実施形態2では、スペーサ140及び高位部136Aの配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態2を図15または図16によって説明する。この実施形態2では、スペーサ140及び高位部136Aの配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本実施形態に係るスペーサ140は、図15に示すように、いずれもタッチ電極130と重畳して配されている。詳しくは、メインスペーサ140α及びサブスペーサ140βは、複数のタッチ電極130のいずれかとそれぞれ重畳して配されている。本実施形態では、全てのサブスペーサ140βが、上記した実施形態1に記載した第1サブスペーサ40β1である、と言える。従って、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極130の間に位置する遮蔽部141には、図16に示すように、いずれのスペーサ140α,140βも非重畳の関係とされる。メインスペーサ140α及びサブスペーサ140βは、いずれも第1タッチ配線131α、第1接続配線132α、第2タッチ配線131β及び第2接続配線132βと同層に配される遮蔽部141とは非重畳の配置となる。従って、メインスペーサ140α及びサブスペーサ140βが、アレイ基板121の内面のうち、遮蔽部141に起因する凹凸が生じる部分に接するのが避けられる。これにより、アレイ基板121の内面に対するメインスペーサ140α及びサブスペーサ140βの接触面積を十分に確保することができるから、セルギャップに係る均一性が改善される。
以上説明したように本実施形態によれば、スペーサ140には、メインスペーサ140αと、対向基板120からの突出寸法がメインスペーサ140αよりも小さいサブスペーサ140βと、が含まれ、メインスペーサ140α及びサブスペーサ140βは、いずれも複数のタッチ電極130のいずれかと重畳し、遮蔽部141とは非重畳に配される。メインスペーサ140α及びサブスペーサ140βによりセルギャップが良好に保持される。メインスペーサ140α及びサブスペーサ140βは、いずれも第1配線である第1タッチ配線131α及び第1接続配線132αと同層に配される遮蔽部141とは非重畳の配置となるので、アレイ基板121の内面のうち、遮蔽部141に起因する凹凸が生じる部分に接するのが避けられる。これにより、アレイ基板121の内面に対するメインスペーサ140α及びサブスペーサ140βの接触面積を十分に確保することができるから、セルギャップに係る均一性が改善される。
<実施形態3>
実施形態3を図17によって説明する。この実施形態3では、上記した実施形態1から遮蔽部241の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態3を図17によって説明する。この実施形態3では、上記した実施形態1から遮蔽部241の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本実施形態に係る遮蔽部241には、図17に示すように、第1タッチ配線231α及び第1接続配線232αのいずれかに連なる第4遮蔽部241δと、第2タッチ配線231β及び第2接続配線232βのいずれかに連なる第5遮蔽部241εと、第2タッチ配線231β及び第2接続配線232βのいずれかに連なる第6遮蔽部241ζと、が含まれる。なお、遮蔽部241を区別する場合には、第4遮蔽部の符号に添え字「δ」を付し、第5遮蔽部の符号に添え字「ε」を付し、第6遮蔽部の符号に添え字「ζ」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。つまり、本実施形態では、全ての遮蔽部241が、タッチ配線231及び接続配線232のいずれかに連ねられている。
詳しくは、第4遮蔽部241δは、第1タッチ配線231α及び第1接続配線232αのいずれかのうちのゲート配線226と交差する箇所に連ねられている。第4遮蔽部241δは、第1タッチ配線231α及び第1接続配線232αのいずれかに接続されたタッチ電極230と同電位とされる。第4遮蔽部241δは、Y軸方向に隣り合う2つの第2画素電極224βの間に位置する。第5遮蔽部241ε及び第6遮蔽部241ζは、第2タッチ配線231β及び第2接続配線232βのいずれかのうちのゲート配線226と交差する箇所にそれぞれ連ねられている。第5遮蔽部241ε及び第6遮蔽部241ζは、第2タッチ配線231β及び第2接続配線232βのいずれかに接続されたタッチ電極230と同電位とされる。第5遮蔽部241εは、第2タッチ配線231β及び第2接続配線232βのいずれかから図17の左側(第4遮蔽部241δ側)に向けて延出する。第5遮蔽部241εは、Y軸方向に隣り合う2つの第3画素電極224γの間に位置する。第6遮蔽部241ζは、第2タッチ配線231β及び第2接続配線232βのいずれかから図17の右側、つまり第5遮蔽部241εとは反対側に向けて延出する。第6遮蔽部241ζは、Y軸方向に隣り合う2つの第1画素電極224α(第4画素電極224δ)の間に位置する。
第4遮蔽部241δ及び第5遮蔽部241εは、X軸方向に間に高位部236Aを挟んで配される。このような構成によれば、高位部236Aと重畳する配置のスペーサ240は、アレイ基板21の内面のうち、第4遮蔽部241δと第5遮蔽部241εとの間となる部分に接触されることになる。アレイ基板21の内面のうち、第4遮蔽部241δと第5遮蔽部241εとの間となる部分は、第4遮蔽部241δ及び第5遮蔽部241εに起因する凹凸が生じ難くなっている。これにより、アレイ基板21の内面に対するスペーサ240の接触面積を十分確保することができる。
以上説明したように本実施形態によれば、アレイ基板21には、複数の第3画素電極224γに対して第1方向に第2画素電極224βとは反対側に間隔を空けて配される複数の第4画素電極224δと、第3画素電極224γと第4画素電極224δとの間に位置し、第2方向に沿って延在する第2タッチ配線231βと、が設けられ、アレイ基板21または対向基板220には、第1画素電極224α及び第4画素電極224δとそれぞれ重畳して配される第1カラーフィルタ28Gと、第2画素電極224βと重畳して配される第2カラーフィルタ28Bと、第3画素電極224γと重畳して配される第3カラーフィルタ28Rと、が設けられ、第1カラーフィルタ28Gは、比視感度が最も高く、第2カラーフィルタ28Bは、比視感度が最も低く、第3カラーフィルタ28Rは、第1カラーフィルタ28Gよりも比視感度が低くて第2カラーフィルタ28Bよりも比視感度が高く、遮蔽部241には、第1タッチ配線231αに連なる第4遮蔽部241δと、第2タッチ配線231βに連なる第5遮蔽部241εと、が含まれ、第4遮蔽部241δ及び第5遮蔽部241εは、間に高位部236Aを挟んで配される。第1タッチ配線231αに連なる第4遮蔽部241δと、第2タッチ配線231βに連なる第5遮蔽部241εと、の間に高位部236Aが挟まれるから、高位部236Aと重畳する配置のスペーサ240は、アレイ基板21の内面のうち、第4遮蔽部241δと第5遮蔽部241εとの間となる部分に接触される。アレイ基板21の内面のうち、第4遮蔽部241δと第5遮蔽部241εとの間となる部分は、第4遮蔽部241δ及び第5遮蔽部241εに起因する凹凸が生じ難くなっている。これにより、アレイ基板21の内面に対するスペーサ240の接触面積を十分確保することができる。
<実施形態4>
実施形態4を図18によって説明する。この実施形態4では、上記した実施形態3から遮蔽部341の配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態3と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態4を図18によって説明する。この実施形態4では、上記した実施形態3から遮蔽部341の配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態3と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
まず、Y軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極330には、図18に示すように、第1タッチ電極330αと、第1タッチ電極330αに対してY軸方向に間隔を空けて配される第2タッチ電極330βと、第2タッチ電極330βに対してY軸方向に間隔を空けて配される第3タッチ電極330γと、が含まれる。なお、タッチ電極330を区別する場合には、第1タッチ電極の符号に添え字「α」を付し、第2タッチ電極の符号に添え字「β」を付し、第3タッチ電極の符号に添え字「γ」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。
本実施形態に係る遮蔽部341には、第4遮蔽部341δ、第5遮蔽部341ε、第6遮蔽部341ζ及び第7遮蔽部341ηが含まれる。なお、遮蔽部341を区別する場合には、第4遮蔽部の符号に添え字「δ」を付し、第5遮蔽部の符号に添え字「ε」を付し、第6遮蔽部の符号に添え字「ζ」を付し、第7遮蔽部の符号に添え字「η」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。第4遮蔽部341δ、第5遮蔽部341ε及び第6遮蔽部341ζの基本的な構成は、実施形態3にて説明した通りである。
第4遮蔽部341δ及び第5遮蔽部341εは、Y軸方向に隣り合う2つずつのタッチ電極330の間のそれぞれに位置して配されている。具体的には、第4遮蔽部341δ及び第5遮蔽部341εは、第1タッチ電極330αと第2タッチ電極330βとの間と、第2タッチ電極330βと第3タッチ電極330γとの間と、にそれぞれ位置して配されている。第4遮蔽部341δ及び第5遮蔽部341εの各設置数は、タッチ電極330におけるY軸方向の並び数から1を差し引いた値であり、第1スリット325A1の数と一致する。
第6遮蔽部341ζは、第2タッチ配線331β及び第2接続配線332βのいずれかに連なる。第6遮蔽部341ζは、第2タッチ配線331β及び第2接続配線332βのいずれかから図18の右側、つまり第5遮蔽部341εとは反対側に向けて延出する。第6遮蔽部341ζは、Y軸方向に隣り合う2つの第1画素電極324α(第4画素電極324δ)の間に位置する。第6遮蔽部341ζは、第1タッチ電極330αと第2タッチ電極330βとの間に位置して配されるものの、第2タッチ電極330βと第3タッチ電極330γとの間には非配置とされる。第7遮蔽部341ηは、第1タッチ配線331α及び第1接続配線332αのいずれかに連なる。第7遮蔽部341ηは、第1タッチ配線331α及び第1接続配線332のいずれかから図18の左側、つまり第4遮蔽部341δとは反対側に向けて延出する。第7遮蔽部341ηは、Y軸方向に隣り合う2つの第1画素電極324α(第4画素電極324δ)の間に位置する。第7遮蔽部341ηは、第2タッチ電極330βと第3タッチ電極330γとの間に位置して配されるものの、第1タッチ電極330αと第2タッチ電極330βとの間には非配置とされる。このように、第6遮蔽部341ζ及び第7遮蔽部341ηは、Y軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極330を仕切る複数の第1スリット325A1に対して交互に配されている。具体的には、第6遮蔽部341ζは、複数の第1スリット325A1のうちの奇数番目の第1スリット325A1に配され、第7遮蔽部341ηは、複数の第1スリット325A1のうちの偶数番目の第1スリット325A1に配される。
以上のような構成によれば、第1タッチ配線331α及び第1接続配線332αには、所定数の第7遮蔽部341ηと、第7遮蔽部341ηの2倍の数の第4遮蔽部341δと、がそれぞれ連なる。第2タッチ配線331β及び第2接続配線332βには、所定数の第6遮蔽部341ζと、第6遮蔽部341ζの2倍の数の第5遮蔽部341εと、がそれぞれ連なる。第1タッチ配線331αと第2タッチ配線331βとで連なる遮蔽部341の数が同一となるから、第1タッチ配線331αの負荷と第2タッチ配線331βの負荷とを均等化することができる。第1接続配線332αと第2接続配線332βで連なる遮蔽部341の数が同一となるから、第1接続配線332αの負荷と第2接続配線332βの負荷とを均等化することができる。これにより、位置検出感度にばらつきが生じ難くなる。
以上説明したように本実施形態によれば、複数のタッチ電極330には、第1タッチ電極330αと、第1タッチ電極330αに対して第2方向に間隔を空けて配される第2タッチ電極330βと、第2タッチ電極330βに対して第2方向に間隔を空けて配される第3タッチ電極330γと、が含まれ、第4遮蔽部341δ及び第5遮蔽部341εは、第1タッチ電極330αと第2タッチ電極330βとの間と、第2タッチ電極330βと第3タッチ電極330γとの間と、にそれぞれ位置して配され、遮蔽部341には、第2タッチ配線331βに連なる第6遮蔽部341ζと、第1タッチ配線331αに連なる第7遮蔽部341ηと、が含まれ、第6遮蔽部341ζは、第5遮蔽部341εに対して第2タッチ配線331βを挟んで第1方向の反対側に配され、第7遮蔽部341ηは、第4遮蔽部341δに対して第1タッチ配線331αを挟んで第1方向の反対側に配される。第1タッチ配線331αには、2つの第4遮蔽部341δと、1つの第7遮蔽部341ηと、が連なる。第2タッチ配線331βには、2つの第5遮蔽部341εと、1つの第6遮蔽部341ζと、が連なる。第1タッチ配線331αと第2タッチ配線331βとで連なる遮蔽部341の数が同一となるから、第1タッチ配線331αの負荷と第2タッチ配線331βの負荷とを均等化することができる。これにより、位置検出感度にばらつきが生じ難くなる。
<実施形態5>
実施形態5を図19または図20によって説明する。この実施形態5では、上記した実施形態1に記載した構成にダミー配線42を追加した場合を示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態5を図19または図20によって説明する。この実施形態5では、上記した実施形態1に記載した構成にダミー配線42を追加した場合を示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本実施形態に係るアレイ基板421には、図19及び図20に示すように、複数のソース配線427のうち、タッチ配線431及び接続配線432がいずれも非重畳とされるソース配線427に対して重畳するダミー配線42が設けられる。ダミー配線42は、タッチ配線431及び接続配線432と同層に配され、第3金属膜からなる。ダミー配線42の線幅は、ソース配線427、タッチ配線431及び接続配線432の各線幅と同等である。ダミー配線42は、重畳するソース配線427と同様に、概ねY軸方向に沿って延在する。ダミー配線42は、X軸方向に第2画素電極424βと第3画素電極424γとの間に位置する。ダミー配線42は、Y軸方向に隣り合う2つの高位部436Aの間に位置する。従って、ダミー配線42の長さは、画素電極424の長辺寸法よりも短い。ダミー配線42は、Y軸方向に間隔を空けて並んで配されている。Y軸方向に隣り合う2つのダミー配線42の間には、高位部436Aが位置している。ダミー配線42は、タッチ電極430、タッチ配線431、接続配線432及び遮蔽部441のいずれとも非接続であり、島状に孤立している。
アレイ基板421の内面のうち、X軸方向に第1画素電極424αと第2画素電極424βとの間の位置には、第1タッチ配線431α、第1接続配線432α、第2タッチ配線431β及び第2接続配線432βに起因する凹凸が生じている。それに加え、アレイ基板421の内面のうち、X軸方向に第2画素電極424βと第3画素電極424γとの間の位置でY軸方向に隣り合う2つの高位部436Aの間の位置には、ダミー配線42に起因する凹凸が生じている。つまり、アレイ基板421の内面のうち、全てのソース配線427と重畳する位置には、タッチ配線431、接続配線432及びダミー配線42のいずれかに起因する凹凸が生じることになる。従って、仮にダミー配線42が非形成の場合に比べると、アレイ基板421の内面の形状に、位置に応じたムラが生じ難くなる。これにより、表示品位が良好になる。また、高位部436Aと重畳する配置のスペーサ440は、アレイ基板421の内面のうち、Y軸方向に隣り合う2つのダミー配線42の間となる部分に接触されることになる。アレイ基板421の内面のうち、Y軸方向に隣り合う2つのダミー配線42の間となる部分は、ダミー配線42に起因する凹凸が生じ難くなっている。これにより、アレイ基板421の内面に対するスペーサ440の接触面積を十分確保することができる。
以上説明したように本実施形態によれば、アレイ基板421には、第2画素電極424βと第3画素電極424γとの間に位置し、第2方向に隣り合う2つの高位部436Aの間に位置し、第1配線である第1タッチ配線431α及び第1接続配線432αと同層に配され、第2方向に沿って延在するダミー配線42が設けられる。アレイ基板421の内面のうち、第1画素電極424αと第2画素電極424βとの間の位置には、第1配線である第1タッチ配線431α及び第1接続配線432αに起因する凹凸が生じ、第2画素電極424βと第3画素電極424γとの間の位置で第2方向に隣り合う2つの高位部436Aの間の位置には、ダミー配線42に起因する凹凸が生じる。仮にダミー配線42が非形成の場合に比べると、アレイ基板421の内面の形状に、位置に応じたムラが生じ難くなる。これにより、表示品位が良好になる。
<実施形態6>
実施形態6を図21または図22によって説明する。この実施形態6では、上記した実施形態5からダミー配線542を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態6を図21または図22によって説明する。この実施形態6では、上記した実施形態5からダミー配線542を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本実施形態に係るダミー配線542は、図21及び図22に示すように、タッチ電極530に接続されている。詳しくは、互いに重畳するダミー配線542とタッチ電極530との間に介在する第2層間絶縁膜537には、ダミー配線542の端部と重畳する位置に第6コンタクトホールCH6が形成されている。ダミー配線542は、第6コンタクトホールCH6を通して重畳するタッチ電極530に接続されている。このようにすれば、ダミー配線542は、接続されたタッチ電極530と同電位となる。従って、間に第1タッチ配線531α及び第1接続配線532αのいずれかを挟む第1画素電極524α及び第2画素電極524βの画素容量と、間にダミー配線542を挟む第2画素電極524β及び第3画素電極524γの画素容量と、を同等にすることができる。これにより、表示品位を向上させることができる。
以上説明したように本実施形態によれば、アレイ基板521には、第1配線である第1タッチ配線531α及び第1接続配線532αの上層側に配される第2層間絶縁膜537と、第2層間絶縁膜537の上層側に配されるタッチ電極530と、が設けられ、第1配線には、複数のタッチ電極530のいずれかに接続される第1タッチ配線531αが含まれ、ダミー配線542は、複数のタッチ電極530のいずれかに接続される。第1配線に含まれる第1タッチ配線531αに伝送される信号が、タッチ電極530に供給される。タッチ電極530は、第1配線である第1タッチ配線531α及び第1接続配線532αに対して第2層間絶縁膜537を介して上層側に位置しているから、位置検出感度が良好になる。第1配線に含まれる第1タッチ配線531αは、スペーサ540及び高位部536Aとは非重畳の関係であるから、スペーサ540がアレイ基板521の内面に接することに起因する応力が、第1タッチ配線531αとタッチ電極530との接続箇所に悪影響を及ぼし難くなっている。これにより、第1タッチ配線531αとタッチ電極530との接続信頼性が良好となる。その上で、ダミー配線542は、複数のタッチ電極530のいずれかに接続され、接続されたタッチ電極530と同電位となる。従って、間に第1タッチ配線531αを挟む第1画素電極524α及び第2画素電極524βの画素容量と、間にダミー配線542を挟む第2画素電極524β及び第3画素電極524γの画素容量と、を同等にすることができる。これにより、表示品位を向上させることができる。
<他の実施形態>
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
(1)複数のスペーサ40,140,240,440,540(高位部36A,136A,236A,436A,536A)におけるX軸方向の配列間隔は、適宜に変更可能である。例えば、X軸方向に隣り合う2つのスペーサ40,140,240,440,540(高位部36A,136A,236A,436A,536A)の間に、2つの画素電極24,424と、1つのソース配線27,427(タッチ配線31,431、接続配線32,432)と、が挟まれてもよい。また、X軸方向に隣り合う2つのスペーサ40,140,240,440,540(高位部36A,136A,236A,436A,536A)の間に、4つ以上の画素電極24,424と、3つ以上のソース配線27,427(タッチ配線31,431、接続配線32,432)と、が挟まれてもよい。このようにスペーサ40,140,240,440,540の配列間隔を変更するのに伴って、タッチ配線31,431及び接続配線32,432の配置を適宜に変更することができる。
(2)第1タッチ配線31α,131α,231α,331α,431α,531α及び第1接続配線32α,132α,232α,332α,432α,532αを全て省略してもよい。その場合、タッチ配線31,431及び接続配線32,432は、第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γと第4画素電極24δ,224δ,324δとの間となる位置にのみ配されることになる。その場合、複数のスペーサ40,140,240,440,540は、第2画素電極24β,224β,424β,524β(第2画素電極列24βC)と第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γ(第3画素電極列24γC)との間の位置に加え、第1画素電極24α,224α,324α,424α,524α(第1画素電極列)と第2画素電極24β,224β,424β,524β(第2画素電極列24βC)との間の位置に配されてもよい。また、実施形態5,6においては、複数のダミー配線42,542は、第2画素電極24β,224β,424β,524βと第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γとの間の位置に加え、第1画素電極24α,224α,324α,424α,524αと第2画素電極24β,224β,424β,524βとの間の位置に配されてもよい。
(3)複数ずつの第1タッチ配線31α,131α,231α,331α,431α,531α及び第1接続配線32α,132α,232α,332α,432α,532αのうちの一部を省略してもよい。
(4)第2タッチ配線31β,131β,231β,331β,431β及び第2接続配線32β,132β,232β,332β,432βを全て省略してもよい。その場合、タッチ配線31,431及び接続配線32,432は、第1画素電極24α,224α,324α,424α,524αと第2画素電極24β,224β,424β,524βとの間となる位置にのみ配されることになる。その場合、複数のスペーサ40,140,240,440,540は、第2画素電極24β,224β,424β,524β(第2画素電極列24βC)と第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γ(第3画素電極列24γC)との間の位置に加え、第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γ(第3画素電極列24γC)と第4画素電極24δ,224δ,324δ(第4画素電極列)との間の位置に配されてもよい。また、実施形態5,6においては、複数のダミー配線42,542は、第2画素電極24β,224β,424β,524βと第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γとの間の位置に加え、第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γと第4画素電極24δ,224δ,324δとの間の位置に配されてもよい。
(5)複数ずつの第2タッチ配線31β,131β,231β,331β,431β及び第2接続配線32β,132β,232β,332β,432βのうちの一部を省略してもよい。
(6)複数ずつのタッチ配線31,431及び接続配線32,432には、第2画素電極24β,224β,424β,524βと第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γとの間の位置に配されるタッチ配線31,431及び接続配線32,432が含まれてもよい。この場合、ある第2画素電極24β,224β,424β,524βと第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γとの間には、スペーサ40,140,240,440,540及び高位部36A,136A,236A,436A,536Aが配されるのに対し、別の第2画素電極24β,224β,424β,524βと第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γとの間には、タッチ配線31,431及び接続配線32,432が配されることになる。
(7)スペーサ40,140,240,440,540及び高位部36A,136A,236A,436A,536Aの具体的な配置は、適宜に変更可能である。例えば、スペーサ40,140,240,440,540及び高位部36A,136A,236A,436A,536Aの中心が、X軸方向にソース配線27,427の中央位置からずれた配置であってもよい。その場合、TFT23に対するスペーサ40,140,240,440,540及び高位部36A,136A,236A,436A,536Aの重畳範囲が広くなったり狭くなったりしてもよい。また、スペーサ40,140,240,440,540が、ゲート配線26,226やTFT23とは非重畳となる位置に配されてもよい。また、スペーサ40,140,240,440,540及び高位部36A,136A,236A,436A,536Aは、第2画素電極24β,224β,424β,524βと第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γとの間に位置することなく、第2画素電極列24βCと第3画素電極列24γCとの間に位置していてもよい。つまり、スペーサ40,140,240,440,540及び高位部36A,136A,236A,436A,536Aは、Y軸方向に隣り合う2つの第2画素電極24β,224β,424β,524β(第3画素電極24γ,224γ,424γ,524γ)の中間となる位置に配されてもよい。
(8)メインスペーサ40α,140α及びサブスペーサ40β,140βの具体的な設置数・設置比率・配置等は、適宜に変更可能である。例えば、一部のメインスペーサ40α,140αが、Y軸方向に隣り合う2つのタッチ電極30,130,230,330,430,530の間に位置していてもよい。
(9)メインスペーサ40α,140α及びサブスペーサ40β,140βの平面形状が同じであってもよい。
(10)メインスペーサ40α,140αと重畳する高位部36A,136A,236A,436A,536Aと、サブスペーサ40β,140βと重畳する高位部36A,136A,236A,436A,536Aと、で平面形状や高さ等が異なっていてもよい。
(11)遮蔽部41,141,241,341,441の一部または全てを省略することも可能である。
(12)接続配線32,432の一部または全てを省略することも可能である。
(13)複数のTFT23は、接続対象とされるソース配線27,427に対してX軸方向の一方側に配されるTFT23と、接続対象とされるソース配線27,427に対してX軸方向の他方側に配されるTFT23と、がY軸方向に交互に並ぶ配列であってもよい。また、全てのTFT23が、接続対象とされるソース配線27,427に対してX軸方向の一方側または他方側に配されてもよい。
(14)ゲート配線26,226及びソース配線27,427の平面に視たパターンは、適宜に変更可能である。例えば、ゲート配線26,226は、直線的に延在せず、斜めに延在して途中で繰り返し屈曲されてもよい。また、ソース配線27,427は、Y軸方向に沿って直線的に延在してもよい。また、ゲート配線26,226及びソース配線27,427は、いずれも直線的に延在せず、斜めに延在して途中で繰り返し屈曲されてもよい。また、ゲート配線26,226及びソース配線27,427は、いずれも直線的に延在してもよい。
(15)ゲート回路部13を省略することも可能である。その場合、アレイ基板21,121,421,521にゲート回路部13と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。また、ゲート回路部13をアレイ基板21,121,421,521における片側の辺部のみに設けることも可能である。
(16)半導体部23Dを構成する半導体膜の材料は、ポリシリコン(LTPS)等でもよい。
(17)タッチパネルパターンは、自己容量方式以外にも相互容量方式であってもよい。
(18)液晶パネル10は、タッチパネル機能を備えなくてもよい。その場合、共通電極25は、非分割構造とされ、少なくとも表示領域AAの全域にわたって概ねベタ状に配される。アレイ基板21,121,421,521には、第3金属膜からなり、共通電極25に接続される共通配線が、第1配線として設けられる。共通配線により共通電極25には、共通電位が供給される。
(19)TFT23の構成は、図面にて示したボトムゲート型以外にも、トップゲート型、ダブルゲート型等でもよい。
(20)カラーフィルタ28は、アレイ基板21,121,421,521に設けられてもよい。その場合、画素電極24,424及びカラーフィルタ28が共にアレイ基板21,121,421,521に設けられることになり、対向基板20,120,220には、画素の構成要素が設けられない。
(21)カラーフィルタ28の色数は、4色以上でもよい。追加するカラーフィルタ28は、黄色の波長領域(約570nm~約600nm)に含まれる黄色光を出射可能な黄色カラーフィルタや全波長領域の光を出射可能な透明カラーフィルタ等であってもよい。
(22)液晶パネル10の平面形状は、縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであってもよい。
(23)液晶パネル10は、透過型以外にも反射型や半透過型であってもよい。
(24)液晶パネル10以外の種類の表示パネル(有機EL(Electro Luminescence)表示パネルなど)やEPD(マイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイパネル)であってもよい。
10…液晶パネル(表示装置)、20,120,220…対向基板、21,121,421,521…アレイ基板、24α,224α,324α,424α,524α…第1画素電極、24β,224β,424β,524β…第2画素電極、24βC…第2画素電極列、24γ,224γ,424γ,524γ…第3画素電極、24γC…第3画素電極列、24δ,224δ,324δ…第4画素電極、26,226…ゲート配線(第3配線)、28B…第2カラーフィルタ、28G…第1カラーフィルタ、28R…第3カラーフィルタ、30,130,230,330,430,530…タッチ電極(位置検出電極)、31α,131α,231α,331α,431α,531α…第1タッチ配線(第1配線、第1位置検出配線)、31β,131β,231β,331β,431β…第2タッチ配線(第2配線、第2位置検出配線)、32α,132α,232α,332α,432α,532α…第1接続配線(第1配線)、32β,132β,232β,332β,432β…第2接続配線(第2配線)、36,136…平坦化膜(第1絶縁膜)、36A,136A,236A,436A,536A…高位部、37,537…第2層間絶縁膜(第2絶縁膜)、40,140,240,440,540…スペーサ、40α,140α…メインスペーサ、40β,140β…サブスペーサ、40β1…第1サブスペーサ、40β2…第2サブスペーサ、41,141,241,341,441…遮蔽部、41α…第1遮蔽部、41β…第2遮蔽部、41γ…第3遮蔽部、42,542…ダミー配線、241δ,341δ…第4遮蔽部、241ε,341ε…第5遮蔽部、241ζ,341ζ…第6遮蔽部、341η…第7遮蔽部
Claims (15)
- アレイ基板と、
前記アレイ基板と間隔を空けて対向する対向基板と、
前記アレイ基板に設けられる第1画素電極と、
前記アレイ基板に設けられ、前記第1画素電極に対して第1方向に間隔を空けて配される第2画素電極と、
前記アレイ基板に設けられ、前記第2画素電極に対して前記第1方向に間隔を空けて配される第3画素電極と、
前記アレイ基板に設けられ、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に位置し、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在する第1配線と、
前記アレイ基板に設けられ、前記第2画素電極を含み、前記第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極からなる第2画素電極列と、
前記アレイ基板に設けられ、前記第3画素電極を含み、前記第2方向に沿って並ぶ複数の画素電極からなる第3画素電極列と、
前記アレイ基板に設けられ、前記第1配線の下層側に配される第1絶縁膜と、
前記対向基板に設けられ、前記対向基板から前記アレイ基板に向けて突出するスペーサと、を備え、
前記スペーサは、前記第2画素電極列と前記第3画素電極列との間に位置し、
前記第1絶縁膜は、前記スペーサと重畳する部分が、残りの部分よりも高い高位部となっている表示装置。 - 前記スペーサは、前記第2画素電極と前記第3画素電極との間に位置する請求項1記載の表示装置。
- 前記アレイ基板または前記対向基板には、前記第1画素電極と重畳して配される第1カラーフィルタと、前記第2画素電極と重畳して配される第2カラーフィルタと、前記第3画素電極と重畳して配される第3カラーフィルタと、が設けられ、
前記第1カラーフィルタは、比視感度が最も高く、
前記第2カラーフィルタは、前記比視感度が最も低く、
前記第3カラーフィルタは、前記第1カラーフィルタよりも前記比視感度が低くて前記第2カラーフィルタよりも前記比視感度が高い請求項1または請求項2記載の表示装置。 - 前記アレイ基板には、前記第3画素電極に対して前記第1方向に前記第2画素電極とは反対側に間隔を空けて配される第4画素電極が設けられ、
前記第1カラーフィルタは、前記第1画素電極及び前記第4画素電極とそれぞれ重畳して配され、
前記アレイ基板には、前記第3画素電極と前記第4画素電極との間に位置し、前記第2方向に沿って延在する第2配線が設けられる請求項3記載の表示装置。 - 前記アレイ基板には、前記第1配線の上層側に配される第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜の上層側に配される位置検出電極と、が設けられ、
前記第1配線には、複数の前記位置検出電極のいずれかに接続される第1位置検出配線が含まれる請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記アレイ基板には、前記第1絶縁膜よりも下層側に配される第3配線と、前記第1配線と同層に配される遮蔽部と、が設けられ、
前記第1画素電極、前記第2画素電極及び前記第3画素電極は、前記第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配され、
前記位置検出電極は、前記第2方向に間隔を空けて複数が並んで配され、前記第2方向に隣り合う2つの前記位置検出電極の境界が、前記第2方向に隣り合う2つずつの前記第1画素電極、前記第2画素電極及び前記第3画素電極の境界と整合して配され、
前記第3配線は、前記第1方向に沿って延在し、前記第2方向に隣り合う2つの前記位置検出電極の間に位置して配され、
前記遮蔽部は、前記第3配線の少なくとも一部と重畳して配され、複数の前記位置検出電極のいずれかに直接的にまたは間接的に接続される請求項5記載の表示装置。 - 前記スペーサには、メインスペーサと、前記対向基板からの突出寸法が前記メインスペーサよりも小さい複数のサブスペーサと、が含まれ、
前記メインスペーサは、複数の前記位置検出電極のいずれかと重畳して配され、
複数の前記サブスペーサには、複数の前記位置検出電極のいずれかと重畳して配される第1サブスペーサと、少なくとも一部が前記第2方向に隣り合う2つの前記位置検出電極の間に位置し、前記遮蔽部の一部と重畳して配される第2サブスペーサと、が含まれる請求項6記載の表示装置。 - 前記スペーサには、メインスペーサと、前記対向基板からの突出寸法が前記メインスペーサよりも小さいサブスペーサと、が含まれ、
前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、いずれも複数の前記位置検出電極のいずれかと重畳し、前記遮蔽部とは非重畳に配される請求項6記載の表示装置。 - 前記アレイ基板には、前記第3画素電極に対して前記第1方向に前記第2画素電極とは反対側に間隔を空けて配される第4画素電極と、前記第3画素電極と前記第4画素電極との間に位置し、前記第2方向に沿って延在する第2位置検出配線と、が設けられ、
前記アレイ基板または前記対向基板には、前記第1画素電極及び前記第4画素電極とそれぞれ重畳して配される第1カラーフィルタと、前記第2画素電極と重畳して配される第2カラーフィルタと、前記第3画素電極と重畳して配される第3カラーフィルタと、が設けられ、
前記第1カラーフィルタは、比視感度が最も高く、
前記第2カラーフィルタは、前記比視感度が最も低く、
前記第3カラーフィルタは、前記第1カラーフィルタよりも前記比視感度が低くて前記第2カラーフィルタよりも前記比視感度が高く、
前記遮蔽部には、前記第1位置検出配線に連なる第1遮蔽部と、前記第2位置検出配線に連なる第2遮蔽部と、前記第1位置検出配線、前記第2位置検出配線、前記第1遮蔽部及び前記第2遮蔽部とは分離される第3遮蔽部と、が含まれ、
前記第3遮蔽部は、前記第1方向に前記第1遮蔽部と前記第2遮蔽部との間に位置して配される請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記アレイ基板には、複数の前記第3画素電極に対して前記第1方向に前記第2画素電極とは反対側に間隔を空けて配される複数の第4画素電極と、前記第3画素電極と前記第4画素電極との間に位置し、前記第2方向に沿って延在する第2位置検出配線と、が設けられ、
前記アレイ基板または前記対向基板には、複数ずつの前記第1画素電極及び前記第4画素電極とそれぞれ重畳して配される第1カラーフィルタと、前記第2画素電極と重畳して配される第2カラーフィルタと、前記第3画素電極と重畳して配される第3カラーフィルタと、が設けられ、
前記第1カラーフィルタは、比視感度が最も高く、
前記第2カラーフィルタは、前記比視感度が最も低く、
前記第3カラーフィルタは、前記第1カラーフィルタよりも前記比視感度が低くて前記第2カラーフィルタよりも前記比視感度が高く、
前記遮蔽部には、前記第1位置検出配線に連なる第4遮蔽部と、前記第2位置検出配線に連なる第5遮蔽部と、が含まれ、
前記第4遮蔽部及び前記第5遮蔽部は、間に前記高位部を挟んで配される請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の表示装置。 - 複数の前記位置検出電極には、第1位置検出電極と、前記第1位置検出電極に対して前記第2方向に間隔を空けて配される第2位置検出電極と、前記第2位置検出電極に対して前記第2方向に間隔を空けて配される第3位置検出電極と、が含まれ、
前記第4遮蔽部及び前記第5遮蔽部は、前記第1位置検出電極と前記第2位置検出電極との間と、前記第2位置検出電極と前記第3位置検出電極との間と、にそれぞれ位置して配され、
前記遮蔽部には、前記第2位置検出配線に連なる第6遮蔽部と、前記第1位置検出配線に連なる第7遮蔽部と、が含まれ、
前記第6遮蔽部は、前記第5遮蔽部に対して前記第2位置検出配線を挟んで前記第1方向の反対側に配され、
前記第7遮蔽部は、前記第4遮蔽部に対して前記第1位置検出配線を挟んで前記第1方向の反対側に配される請求項10記載の表示装置。 - 前記第1画素電極、前記第2画素電極、前記第3画素電極、前記第1配線、前記スペーサ及び前記高位部は、複数ずつ備えられ、
複数の前記第1配線には、複数の前記位置検出電極のいずれかに対して複数箇所で接続される第1接続配線が含まれ、
前記第1接続配線は、前記第1位置検出配線に対して前記第2方向に間隔を空けて並んで配される請求項5から請求項11のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1画素電極、前記第2画素電極及び前記第3画素電極は、前記第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配され、
前記スペーサ及び前記高位部は、前記第2方向に間隔を空けて複数ずつ並んで配される請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記アレイ基板には、前記第2画素電極と前記第3画素電極との間に位置し、前記第2方向に隣り合う2つの前記高位部の間に位置し、前記第1配線と同層に配され、前記第2方向に沿って延在するダミー配線が設けられる請求項13記載の表示装置。
- 前記アレイ基板には、前記第1配線の上層側に配される第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜の上層側に配される位置検出電極と、が設けられ、
前記第1配線には、複数の前記位置検出電極のいずれかに接続される第1位置検出配線が含まれ、
前記ダミー配線は、複数の前記位置検出電極のいずれかに接続される請求項14記載の表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022036988A JP2023131959A (ja) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 表示装置 |
US18/117,095 US12025893B2 (en) | 2022-03-10 | 2023-03-03 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022036988A JP2023131959A (ja) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023131959A true JP2023131959A (ja) | 2023-09-22 |
Family
ID=87931646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022036988A Pending JP2023131959A (ja) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12025893B2 (ja) |
JP (1) | JP2023131959A (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6968710B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2021-11-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP7043297B2 (ja) | 2018-03-09 | 2022-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2022
- 2022-03-10 JP JP2022036988A patent/JP2023131959A/ja active Pending
-
2023
- 2023-03-03 US US18/117,095 patent/US12025893B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US12025893B2 (en) | 2024-07-02 |
US20230288766A1 (en) | 2023-09-14 |
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