JP2023114047A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スペーサに起因する表示品位の低下を抑制する。【解決手段】表示装置１０は、アレイ基板１２と、アレイ基板１２と間隔を空けて対向する対向基板１１と、複数の画素電極２０と、複数のカラーフィルタ２３と、複数ずつの画素電極２０及びカラーフィルタ２３からなる複数の画素ＰＸと、複数の薄膜トランジスタ１９と、複数の薄膜トランジスタ１９の少なくとも一部ずつと重畳して配される複数のスペーサ１７と、を備え、複数の画素ＰＸには、比視感度が最も高い第１画素ＧＰＸと、比視感度が最も低い第２画素ＢＰＸと、第１画素ＧＰＸよりも比視感度が低くて第２画素ＢＰＸよりも比視感度が高い第３画素ＲＰＸと、が複数ずつ含まれ、複数のスペーサ１７には、重畳する薄膜トランジスタ１９との重畳関係が異なる複数のスペーサ１７が含まれ、重畳関係が異なる複数のスペーサ１７は、それぞれの重畳対象となるのが、第２画素ＢＰＸと第３画素ＲＰＸとの間の境界に最も近い薄膜トランジスタ１９とされる。【選択図】図７

Description

本明細書が開示する技術は、表示装置に関する。

従来、液晶表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載の液晶表示装置は、互いに貼り合せたアレイ基板とカラーフィルター基板とを備える液晶ディスプレイパネルを有する。カラーフィルター基板にはメインフォトスペーサが設けられており、該カラーフィルター基板の先端はアレイ基板のサブ画素の位置に当接して設けられ、１つ又は複数のサブ画素が１つのメインフォトスペーサに対応している。該メインフォトスペーサは少なくとも２つのメインフォトスペーサグループに分けられ、メインフォトスペーサグループごとに、メインフォトスペーサは同じ予設位置及び先端端面の形状を備えている。

特開２０１０－１５１２２号公報

ところで、特許文献１に記載の液晶表示装置に備わるメインフォトスペーサ付近では、サブフォトスペーサ付近に比べると、液晶分子の配向不良が生じ易く、光が常に透過する輝点欠陥等の表示不良が生じ易い傾向にある。特許文献１には、薄膜トランジスタのチャンネルに対する重畳関係が異なる３つのグループに属する３種類のメインフォトスペーサが記載されている。これら３種類のメインフォトスペーサ付近の遮光範囲を一律にした場合、チャンネルに対するメインフォトスペーサの配置によっては、輝点欠陥等の表示不良が視認され易くなるおそれがあった。

本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、スペーサに起因する表示品位の低下を抑制することを目的とする。

（１）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、アレイ基板と、前記アレイ基板と間隔を空けて対向する対向基板と、前記アレイ基板または前記対向基板に設けられ、異なる色を呈する複数のカラーフィルタと、前記アレイ基板に設けられ、前記複数のカラーフィルタと重畳する複数の画素電極と、前記複数のカラーフィルタと前記複数の画素電極とで構成され、比視感度が異なる複数の画素と、前記アレイ基板に設けられ、複数の前記画素電極のそれぞれに接続される複数の薄膜トランジスタと、少なくとも前記対向基板に設けられ、前記対向基板から前記アレイ基板に向けて突出し、複数の前記薄膜トランジスタの少なくとも一部ずつと重畳して配される複数のスペーサと、を備え、複数の前記画素には、前記比視感度が最も高い第１画素と、前記比視感度が最も低い第２画素と、前記第２画素に隣り合って配されて前記第１画素よりも前記比視感度が低くて前記第２画素よりも前記比視感度が高い第３画素と、が複数ずつ含まれ、複数の前記スペーサには、重畳する前記薄膜トランジスタとの重畳関係が異なる複数のスペーサが含まれ、前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサは、それぞれの重畳対象となるのが、前記第２画素と前記第３画素との間の境界に最も近い前記薄膜トランジスタとされる。

（２）また、上記表示装置は、上記（１）に加え、前記対向基板は、複数の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の画素開口部を有し、複数の前記スペーサと重畳して配される遮光部を備えており、前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサには、重畳対象の前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界を挟む前記第２画素の前記画素電極及び前記第３画素の前記画素電極と重畳する２つの前記画素開口部の開口縁からの最短距離が等しい複数の前記スペーサが含まれてもよい。

（３）また、上記表示装置は、上記（２）に加え、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサは、前記スペーサの中心と重畳対象の前記薄膜トランジスタの中心との間の距離が互いに等しくてもよい。

（４）また、上記表示装置は、上記（３）に加え、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサは、重畳対象となる前記薄膜トランジスタの中心と同心となる正多角形の各頂点と、同心となる位置に配されてもよい。

（５）また、上記表示装置は、上記（２）から上記（４）のいずれかに加え、前記遮光部は、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサのそれぞれと重畳する複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれに最も近い複数の前記境界を挟む複数ずつの前記第２画素の前記画素電極及び前記第３画素の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の前記画素開口部のうち、複数の前記第２画素の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の前記画素開口部の平面形状が同一とされ、複数の前記第３画素の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の前記画素開口部の平面形状が同一とされてもよい。

（６）また、上記表示装置は、上記（２）から上記（５）のいずれかに加え、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサは、重畳対象の前記薄膜トランジスタの中心と重畳して配されてもよい。

（７）また、上記表示装置は、上記（２）から上記（６）のいずれかに加え、前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサには、重畳対象の前記薄膜トランジスタと同心に配される前記スペーサが含まれ、前記同心に配される前記スペーサは、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサよりも前記最短距離が大きくてもよい。

（８）また、上記表示装置は、上記（２）から上記（６）のいずれかに加え、前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサには、重畳対象の前記薄膜トランジスタと同心に配される前記スペーサが含まれ、前記同心に配される前記スペーサは、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサと前記最短距離が同一とされてもよい。

（９）また、上記表示装置は、上記（８）に加え、少なくとも前記対向基板に設けられ、前記対向基板から前記アレイ基板に向けて突出し、その突出寸法が前記スペーサよりも小さい複数のサブスペーサを備え、複数の前記サブスペーサは、複数の前記薄膜トランジスタのうち、複数の前記スペーサが非配置とされる複数の前記薄膜トランジスタの少なくとも一部ずつと重畳して配されており、前記遮光部は、複数の前記サブスペーサと重畳して配され、複数の前記画素開口部のうち、複数の前記サブスペーサのそれぞれと重畳する複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれに接続される複数の前記画素電極と重畳する複数の前記画素開口部の平面形状と、前記同心に配される前記スペーサと重畳する前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界を挟む前記第２画素の前記画素電極及び前記第３画素の前記画素電極と重畳する２つの前記画素開口部の平面形状と、が同一とされてもよい。

（１０）また、上記表示装置は、上記（１）に加え、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部と、前記半導体部の一部に接するソース電極と、前記ソース電極と間隔を空けて配されて前記半導体部の一部に接するドレイン電極と、を有しており、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記半導体部との接触面積が互いに異なっており、複数の前記スペーサは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち、前記接触面積が大きい電極寄りに偏在してもよい。

（１１）また、上記表示装置は、上記（１０）に加え、前記対向基板は、複数の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の画素開口部を有し、複数の前記スペーサと重畳して配される遮光部を備えており、複数の前記スペーサは、重畳対象の前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界を挟む前記第２画素及び前記第３画素のうち、前記第２画素寄りに偏在してもよい。

（１２）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（１１）のいずれかに加え、前記スペーサと重畳する前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界に沿って延在するソース配線と、前記ソース配線と交差するゲート配線と、を備え、前記薄膜トランジスタは、第１導電膜からなるゲート電極と、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部と、第２導電膜からなり前記半導体部の一部に接するソース電極と、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極とは別の部分からなり前記ソース電極と間隔を空けて配されて前記半導体部の一部に接するドレイン電極と、を有しており、前記ゲート配線は、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極とは別の部分からなって前記ゲート電極に連なり、前記ソース配線は、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは別の部分からなって前記ソース電極に連なり、前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサに含まれる前記スペーサと前記ゲート配線との一部ずつと重畳して配され、前記半導体膜のうちの前記半導体部とは別の部分からなる第１重畳部と、前記第１重畳部と重畳して配され、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ソース配線とは別の部分からなる第２重畳部と、を備えてもよい。

（１３）また、上記表示装置は、上記（１２）に加え、前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサに含まれる前記スペーサと前記ソース配線との一部ずつと重畳して配され、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極及び前記ゲート配線とは別の部分からなる第３重畳部と、前記第３重畳部と重畳して配され、前記半導体膜のうちの前記半導体部及び前記第１重畳部とは別の部分からなる第４重畳部と、を備えてもよい。

（１４）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（１１）のいずれかに加え、前記スペーサと重畳する前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界に沿って延在するソース配線と、前記ソース配線と交差するゲート配線と、を備え、前記薄膜トランジスタは、第１導電膜からなるゲート電極と、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部と、第２導電膜からなり前記半導体部の一部に接するソース電極と、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極とは別の部分からなり前記ソース電極と間隔を空けて配されて前記半導体部の一部に接するドレイン電極と、を有しており、前記ゲート配線は、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極とは別の部分からなって前記ゲート電極に連なり、前記ソース配線は、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは別の部分からなって前記ソース電極に連なり、前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサに含まれる前記スペーサと前記ソース配線との一部ずつと重畳して配され、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極及び前記ゲート配線とは別の部分からなる第３重畳部と、前記第３重畳部と重畳して配され、前記半導体膜のうちの前記半導体部とは別の部分からなる第４重畳部と、を備えてもよい。

本明細書に記載の技術によれば、スペーサに起因する表示品位の低下を抑制することができる。

実施形態１に係る液晶パネルの平面図 液晶パネルの概略的な断面図 液晶パネルの表示領域における画素配列に示す平面図 液晶パネルを構成する対向基板の表示領域における画素配列に示す平面図 液晶パネルにおける図３のv－v線断面図 液晶パネルにおける図３のvi－vi線断面図 対向基板の表示領域において、重畳対象のＴＦＴに対する重畳関係が異なる７つのメインスペーサを示す平面図 液晶パネルにおける図３のviii－viii線断面図 液晶パネルの表示領域において、第１メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第２メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第３メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第４メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第５メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第６メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第７メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 重畳対象のＴＦＴに対する重畳関係が異なる７つのメインスペーサの中心を、１つの座標系にまとめて示したグラフ 実施形態２に係る液晶パネルの表示領域において、第１メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 実施形態３に係る重畳対象のＴＦＴに対する重畳関係が異なる７つのメインスペーサの中心を、１つの座標系にまとめて示したグラフ 実施形態４に係る重畳対象のＴＦＴに対する重畳関係が異なる５つのメインスペーサの中心を、１つの座標系にまとめて示したグラフ 実施形態５に係る液晶パネルの表示領域において、第６メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第２メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第５メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルにおける図２０のxxiii－xxiii線断面図 液晶パネルにおける図２１のxxiv－xxiv線断面図 液晶パネルにおける図２２のxxv－xxv線断面図 実施形態６に係る液晶パネルの表示領域において、第１２メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第１３メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第１４メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第１５メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第１６メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第１７メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 液晶パネルの表示領域において、第１８メインスペーサとＴＦＴと遮光部との位置関係を示す平面図 重畳対象のＴＦＴに対する重畳関係が異なる７つのメインスペーサの中心を、１つの座標系にまとめて示したグラフ 比較実験に係る比較例の実験結果を示す表 比較実験に係る実施例の実験結果を示す表

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図１６によって説明する。本実施形態では、液晶パネル（表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。

図１及び図２を用いて液晶パネル１０の概略的な構成について説明する。本実施形態に係る液晶パネル１０は、図１に示すように、全体として平面形状が縦長の略方形状とされる。なお、液晶パネル１０の平面形状は、縦長の略方形状だけでなく、横長の略方形状・略正方形・円形等の異形（非方形）でもよい。この液晶パネル１０は、その短辺方向がＸ軸方向と、長辺方向がＹ軸方向と、板厚方向がＺ軸方向と、それぞれ一致している。液晶パネル１０は、バックライト装置（照明装置）から照射される照明光を利用して画像を表示することが可能とされる。液晶パネル１０は、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域ＡＡとされる。液晶パネル１０は、画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。なお、図１において一点鎖線により囲った範囲が表示領域ＡＡである。

液晶パネル１０は、図１に示すように、ほぼ透明で優れた透光性を有するガラス製の一対の基板１１，１２を有する。液晶パネル１０は、一対の基板１１，１２の間に、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層を挟持した構成とされる。一対の基板１１，１２のうち、表側に配されるものが対向基板（ＣＦ基板）１１であり、裏側に配されるものがアレイ基板（薄膜トランジスタ基板）１２である。対向基板１１及びアレイ基板１２は、いずれもガラス基板（基板）の内面側に各種の膜が積層形成されてなるものとされる。このうちのアレイ基板１２は、長辺寸法が対向基板１１の同寸法よりも大きくされており、長辺方向についての一方の端部が対向基板１１に対して重なり合うことがなく、そこにドライバ（信号供給部）１３及びフレキシブル基板１４が実装されている。ドライバ１３は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなる。ドライバ１３は、フレキシブル基板１４によって伝送される各種信号を処理する。ドライバ１３は、アレイ基板１２に対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。フレキシブル基板１４は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を形成した構成とされる。フレキシブル基板１４は、一端側がアレイ基板１２に、他端側が外部のコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１４を介して液晶パネル１０に伝送される。

液晶パネル１０は、図２に示すように、一対の基板１１，１２間の内部空間に充填される液晶層（媒質層）１５を有している。液晶層１５は、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む。液晶層１５は、一対の基板１１，１２間の内部空間を取り囲むシール部１６によって封止されている。シール部１６は、非表示領域ＮＡＡに配され、両基板１１，１２間の内部空間を全周にわたって取り囲むよう方形の枠状（無端環状）に形成されている。対向基板１１の内面には、アレイ基板１２に向けて突出するメインスペーサ（スペーサ）１７及びサブスペーサ１８が設けられている。メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８によって一対の基板１１，１２の間の間隔、つまりセルギャップを保持することができる。メインスペーサ１７は、サブスペーサ１８よりも突出寸法が大きく、常にアレイ基板１２の内面に接触している。サブスペーサ１８は、メインスペーサ１７よりも突出寸法が小さく、常にアレイ基板１２の内面に接触することがないが、対向基板１１やアレイ基板１２に外力が作用した場合においてはアレイ基板１２の内面に接触する。また、一対の基板１１，１２の外面には、一対の偏光板が貼り付けられている。

図３を用いてアレイ基板１２の表示領域ＡＡにおける画素配列について説明する。アレイ基板１２の表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、複数ずつのＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）１９及び画素電極２０が、アレイ基板１２の面内にて間隔を空けて並んで設けられている。複数ずつのＴＦＴ１９及び画素電極２０は、互いに直交するＸ軸方向（第１方向）及びＹ軸方向（第２方向）にそれぞれ間隔を空けてマトリクス状（行列状）に並んで設けられる。画素電極２０は、平面に視て縦長形状であり、その長手方向についての途中で屈曲している。詳しくは、画素電極２０は、長手側の両側縁がＹ軸方向に対して僅かに傾斜するとともにほぼ中央位置にて一度屈曲されていて頂角が鈍角となる浅いＶ字型をなしている。ＴＦＴ１９及び画素電極２０の周りには、格子状をなすゲート配線（走査配線）２１及びソース配線（信号配線）２２が取り囲むようにして配設されている。ゲート配線２１は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ直線状に延在し、Ｙ軸方向に画素電極２０を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配される。ゲート配線２１は、Ｘ軸方向の位置に応じて線幅が変化する。ソース配線２２は、画素電極２０の長手側の側縁に並行していて、ジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねＹ軸方向に沿って延在している。ソース配線２２は、Ｘ軸方向に画素電極２０を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配される。ゲート配線２１及びソース配線２２は、互いに交差しており、その交差箇所の数は、ゲート配線２１の設置数と、ソース配線２２の設置数と、を乗算した値となる。

ゲート配線２１は、図３に示すように、Ｘ軸方向に沿って並ぶ複数のＴＦＴ１９に備わる各ゲート電極１９Ａに接続されている。ソース配線２２は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数のＴＦＴ１９に備わる各ソース電極１９Ｂに接続されている。画素電極２０は、ＴＦＴ１９に備わるドレイン電極１９Ｃに接続されている。ゲート配線２１に走査信号が供給されるのに伴ってＴＦＴ１９が駆動され、その駆動に伴ってソース配線２２に供給される画像信号に基づく電位に、画素電極２０が充電されるようになっている。ＴＦＴ１９は、ゲート配線２１及びソース配線２２の交差箇所に配されている。具体的には、ＴＦＴ１９は、接続対象とされる画素電極２０に対して図３の下側に位置するゲート配線２１と、接続対象とされる画素電極２０に対して図３の左側に位置するソース配線２２と、の交差箇所に配されている。ＴＦＴ１９は、接続対象とされる画素電極２０に対してＸ軸方向の片側（図３の左側）に偏在し、Ｙ軸方向の片側（図３の下側）に偏在している。具体的には、ＴＦＴ１９は、接続対象とされる画素電極２０の図３の左下の角位置付近に配されている。

図４を用いて対向基板１１の表示領域ＡＡにおける画素配列について説明する。対向基板１１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図４に示すように、既述したメインスペーサ１７及びサブスペーサ１８に加えて、カラーフィルタ２３及び遮光部（画素間遮光部、ブラックマトリクス）２４が設けられている。カラーフィルタ２３は、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する。図４では、カラーフィルタ２３を呈する色毎に異なる網掛け状にして図示している。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２３は、Ｘ軸方向（ゲート配線２１の延在方向）に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２３は、Ｙ軸方向（ソース配線２２の延在方向）に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２３は、全体としてストライプ状に配列されている。

遮光部２４は、遮光性を有する遮光性材料（例えばアクリルやポリイミドなどの感光性樹脂材料にカーボンブラックなどの顔料を含有させた材料等）からなる。遮光部２４は、バックライト装置などから照射される光を遮ることができる。表示領域ＡＡにおいて遮光部２４は、図４に示すように、平面形状が略格子状をなしている。遮光部２４は、隣り合う画素電極２０の間を仕切っている。遮光部２４は、アレイ基板１２側の少なくともゲート配線２１及びソース配線２２と平面に視て重畳する配置とされる。遮光部２４は、Ｘ軸方向に沿って延在する第１遮光部２４Ａと、概ねＹ軸方向に沿って延在して第１遮光部２４Ａと交差する第２遮光部２４Ｂと、を有する。第１遮光部２４Ａ及び第２遮光部２４Ｂは、互いの交差箇所が連ねられている。第１遮光部２４Ａの設置数が、ゲート配線２１の設置数と一致する。第２遮光部２４Ｂの設置数が、ソース配線２２の設置数と一致する。遮光部２４において、複数ずつの第１遮光部２４Ａ及び第２遮光部２４Ｂの交差箇所の数は、複数ずつのゲート配線２１及びソース配線２２の交差箇所の数と一致する。第１遮光部２４Ａ及び第２遮光部２４Ｂの交差箇所には、メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８が平面に視て重畳して配される。メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８に関する詳しい構成は、後に改めて説明する。第１遮光部２４Ａは、第２遮光部２４Ｂよりも幅広とされる。第１遮光部２４Ａは、少なくとも各スペーサ１７，１８、ＴＦＴ１９及びゲート配線２１と重畳して配される（図３及び図４を参照）。第２遮光部２４Ｂは、第１遮光部２４Ａよりも幅狭とされる。第２遮光部２４Ｂは、少なくとも各スペーサ１７，１８、ＴＦＴ１９、ソース配線２２と重畳して配される。対向基板１１の面内において、第１遮光部２４Ａと第２遮光部２４Ｂとにより囲まれた領域が、画素電極２０の大部分及びカラーフィルタ２３の大部分とそれぞれ重畳する位置関係となっている。上記領域は、画素開口部２４ＯＰを構成しており、画素電極２０及びカラーフィルタ２３の透過光を透過し、液晶パネル１０の外部へ出光させる。なお、遮光部２４は、対向基板１１の非表示領域ＮＡＡにも設けられており、非表示領域ＮＡＡではほぼ全域にわたってベタ状に配されている。

図５を用いて液晶パネル１０における画素電極２０（画素ＰＸ）の中央部付近の断面構成を説明する。対向基板１１に備わるカラーフィルタ２３は、図５に示すように、アレイ基板１２に備わる画素電極２０と平面に視て重畳する配置とされている。対向基板１１において互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２３は、その境界（色境界）がアレイ基板１２のソース配線２２と重畳する配置とされる。この液晶パネル１０においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶ赤色、緑色及び青色を呈する各カラーフィルタ２３と、各カラーフィルタ２３と対向する３つの画素電極２０と、が３色の画素ＰＸをそれぞれ構成している。３色の画素ＰＸには、緑色画素（第１画素）ＧＰＸと、青色画素（第２画素）ＢＰＸと、赤色画素（第３画素）ＲＰＸと、が含まれる。緑色画素ＧＰＸは、緑色を呈するカラーフィルタ２３と、緑色を呈するカラーフィルタ２３と対向する画素電極２０と、により構成される。緑色画素ＧＰＸは、緑色の波長領域（約５００ｎｍ～約５７０ｎｍ）に含まれる波長の緑色光を選択的に透過する。緑色画素ＧＰＸは、比視感度が最も高い。青色画素ＢＰＸは、青色を呈するカラーフィルタ２３と、青色を呈するカラーフィルタ２３と対向する画素電極２０と、により構成される。青色画素ＢＰＸは、青色の波長領域（約４００ｎｍ～約５００ｎｍ）に含まれる青色光を選択的に透過する。青色画素ＢＰＸは、比視感度が最も低い。赤色画素ＲＰＸは、赤色を呈するカラーフィルタ２３と、赤色を呈するカラーフィルタ２３と対向する画素電極２０と、により構成される。赤色画素ＲＰＸは、赤色の波長領域（約６００ｎｍ～約７８０ｎｍ）に含まれる波長の赤色光を選択的に透過する。赤色画素ＲＰＸは、緑色画素ＧＰＸよりも比視感度が低いものの、青色画素ＢＰＸよりも比視感度が高い。

３色の画素ＰＸは、図５に示す左側から、緑色画素ＧＰＸ、青色画素ＢＰＸ、赤色画素ＲＰＸの順で繰り返し並んで配されている。緑色画素ＧＰＸには、図５の右側に青色画素ＢＰＸが隣り合い、図５の左側に赤色画素ＲＰＸが隣り合っている。青色画素ＢＰＸには、図５の右側に赤色画素ＲＰＸが隣り合い、図５の左側に緑色画素ＧＰＸが隣り合っている。赤色画素ＲＰＸには、図５の右側に緑色画素ＧＰＸが隣り合い、図５の左側に青色画素ＢＰＸが隣り合っている。そして、この液晶パネル１０においては、Ｘ軸方向に隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素ＰＸにおけるＹ軸方向の配列ピッチは、Ｘ軸方向の配列ピッチの３倍程度とされる。遮光部２４は、隣り合うカラーフィルタ２３間または画素ＰＸ間を仕切る形で配されている。詳しくは、第１遮光部２４Ａは、Ｙ軸方向に隣り合う２つの画素ＰＸ間を仕切る。第２遮光部２４Ｂは、Ｘ軸方向に隣り合う２つのカラーフィルタ２３間を仕切る。また、対向基板１１のうち、カラーフィルタ２３の上層側（液晶層１５側）には、平坦化のために対向基板１１のほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜２５が設けられている。

続いて、アレイ基板１２に備わる画素電極２０及び共通電極２６に関して説明する。アレイ基板１２の表示領域ＡＡにおける内面側には、図５に示すように、全ての画素電極２０と重畳する形で共通電極２６が画素電極２０よりも上層側に形成されている。共通電極２６は、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在している。共通電極２６には、共通配線が接続されており、共通配線によって共通電位（基準電位）の共通電位信号（基準電位信号）が供給される。共通配線には、フレキシブル基板１４が接続されており、コントロール基板から共通電位信号が供給されている（図１を参照）。共通電極２６のうち、各画素電極２０と重畳する部分には、各画素電極２０の長辺方向に沿って延在するスリット２６Ａが複数ずつ開口形成されている。なお、スリット２６Ａの具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。また、共通電極２６のうち、各ＴＦＴ１９と重畳する位置には、それぞれ開口が設けられている。ＴＦＴ１９の駆動に伴って画素電極２０が充電されると、互いに重畳する画素電極２０と共通電極２６との間に電位差が生じる。すると、画素電極２０とスリット２６Ａの開口縁との間には、アレイ基板１２の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１２の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じる。このフリンジ電界を利用することで液晶層１５に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１０は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。また、対向基板１１及びアレイ基板１２における最内面には、それぞれ液晶層１５に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜が設けられている。配向膜は、その表面に光配向処理が行われることで、液晶分子に配向規制力を付与することが可能となる光配向膜とされる。

ここで、アレイ基板１２の内面側に積層形成された各種の膜について図５及び図６を参照しつつ説明する。アレイ基板１２には、図５に示すように、下層側（ガラス基板側）から順に第１金属膜（第１導電膜）、ゲート絶縁膜２７、半導体膜、第２金属膜（第２導電膜）、第１透明電極膜、層間絶縁膜２８、第２透明電極膜、配向膜が積層形成されている。第１金属膜及び第２金属膜は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜は、ゲート配線２１やＴＦＴ１９のゲート電極１９Ａなどを構成する。第２金属膜は、ソース配線２２、ＴＦＴ１９のソース電極１９Ｂ及びドレイン電極１９Ｃなどを構成する。半導体膜は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ１９のチャネル部を含む島状の半導体部１９Ｄなどを構成する。特に、半導体膜の材料として酸化物半導体を用いた場合は、アモルファスシリコンを用いた場合に比べると、充電能力等が高いことから、ＴＦＴ１９の小型化を図る上で好適である。ＴＦＴ１９が小型化されれば、各画素ＰＸの開口率を高めることができる。第１透明電極膜及び第２透明電極膜は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など）からなる。第１透明電極膜は、画素電極２０などを構成する。第２透明電極膜は、共通電極２６などを構成する。配向膜は、既述した通りである。

ゲート絶縁膜２７及び層間絶縁膜２８は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜２７及び層間絶縁膜２８は、第１透明電極膜及び第２透明電極膜よりも膜厚が概して大きい。ゲート絶縁膜２７は、下層側の第１金属膜と、上層側の半導体膜、第２金属膜及び第１透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第１金属膜からなるゲート配線２１と、第２金属膜からなるソース配線２２と、の交差箇所は、ゲート絶縁膜２７により絶縁状態に保たれる。また、第１金属膜からなるゲート電極１９Ａと、半導体膜からなる島状の半導体部１９Ｄと、の重畳箇所は、ゲート絶縁膜２７により絶縁状態に保たれる。層間絶縁膜２８は、下層側の半導体膜、第２金属膜及び第１透明電極膜と、上層側の第２透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第１透明電極膜からなる画素電極２０と、第２透明電極膜からなる共通電極２６と、の重畳箇所は、層間絶縁膜２８により絶縁状態に保たれる。また、第２金属膜からなるソース配線２２と、第２透明電極膜からなる共通電極２６と、の重畳箇所は、層間絶縁膜２８により絶縁状態に保たれる。以上のように、下層側のゲート絶縁膜２７と、上層側の層間絶縁膜２８と、の間には、半導体膜、第２金属膜及び第１透明電極膜が介在している。従って、半導体膜、第２金属膜及び第１透明電極膜からなる各構成（島状の半導体部１９Ｄ、ソース電極１９Ｂ、ドレイン電極１９Ｃ、ソース配線２２及び画素電極２０）のうちの互いに重畳する部分同士は、互いに直接的に接する。

次に、図３及び図６を用いてＴＦＴ１９に関して説明する。ＴＦＴ１９は、図３及び図６に示すように、ゲート電極１９Ａを有する。ゲート電極１９Ａは、ゲート配線２１の一部（ソース配線２２との交差箇所）により構成される。詳しくは、ゲート配線２１は、ソース配線２２との交差箇所が部分的にＹ軸方向に沿って図３の上向き（ＴＦＴ１９の接続対象の画素電極２０側）に突出する形で拡幅されている。ゲート電極１９Ａは、ゲート配線２１の拡幅部分により構成されており、平面形状が方形（概ね正方形）とされる。ゲート電極１９Ａは、ゲート配線２１に供給される走査信号に基づいてＴＦＴ１９を駆動する。ＴＦＴ１９は、接続対象のソース配線２２に対して図３及び図６に示す右側に配されている。

ＴＦＴ１９は、図３及び図６に示すように、ソース電極１９Ｂを有する。ソース電極１９Ｂは、接続対象のソース配線２２の一部（ゲート配線２１との交差箇所）により構成される。詳しくは、ソース配線２２は、ゲート配線２１との交差箇所が部分的にＸ軸方向に沿って図３の右向き（ＴＦＴ１９の接続対象の画素電極２０側）に突出する形で拡幅されている。ソース電極１９Ｂは、ソース配線２２のうちのゲート電極１９Ａと重畳する部分（非拡幅部分及び拡幅部分を含む）により構成されており、平面形状が略Ｌ字型をなしている。ソース電極１９Ｂは、そのほぼ全域がチャネル部を含む島状の半導体部１９Ｄの一部と重畳し、島状の半導体部１９Ｄに接している。ソース電極１９Ｂは、次述するドレイン電極１９Ｃに比べると、島状の半導体部１９Ｄに接する面積（接触面積、重畳面積）が大きい。

ＴＦＴ１９は、図３及び図６に示すように、ドレイン電極１９Ｃを有する。ドレイン電極１９Ｃは、ソース電極１９Ｂとの間にＸ軸方向に間隔を空けた位置に配される。ドレイン電極１９Ｃは、Ｘ軸方向に沿って延在して平面に視て横長の方形状をなす横長部分（半導体接続部）と、Ｙ軸方向に沿って延在して平面に視て縦長の方形状をなす縦長部分（画素接続部）と、を連ねてなる。ドレイン電極１９Ｃの横長部分は、その一部が半導体部１９Ｄの一部の上層側に積層され、島状の半導体部１９Ｄに接する。ドレイン電極１９Ｃの横長部分は、平面に視て略Ｌ字型をなすソース電極１９Ｂの角部に対して対角となる位置に配されている。ドレイン電極１９Ｃは、ソース電極１９Ｂに比べると、島状の半導体部１９Ｄに接する面積（接触面積、重畳面積）が小さい。このように、本実施形態に係るＴＦＴ１９は、平面に視て左右非対称形状とされる。ドレイン電極１９Ｃの縦長部分は、ほぼ全域が画素電極２０の一部に対して下層側に積層され、画素電極２０に接する。

ＴＦＴ１９は、図３及び図６に示すように、チャネル部を含む島状の半導体部１９Ｄを有する。島状の半導体部１９Ｄは、ゲート絶縁膜２７を介してゲート電極１９Ａと重畳する。島状の半導体部１９Ｄは、平面に視てゲート電極１９Ａよりも一回り小さい方形状（概ね正方形状）をなしている。島状の半導体部１９Ｄは、ゲート電極１９Ａと同心に位置している。なお、「ゲート電極１９Ａと同心」等の「同心」は、実質的に同心であることも含む。例えば、０．１μｍ以下の違いは実質的に同心であるものとする。ゲート電極１９Ａ及び半導体部１９Ｄの各中心は、ＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ（図３では黒丸で示す）と一致している。なお、「ＴＦＴ１９の中心１９ＣＥと一致」等の「一致」は、実質的に一致していることも含む。例えば、０．１μｍ以下の違いは実質的に一致していると言える。島状の半導体部１９Ｄのうち、ソース電極１９Ｂと重畳する略Ｌ字型の部分がソース電極１９Ｂに接し、ドレイン電極１９Ｃと重畳する方形状の部分がドレイン電極１９Ｃに接する。島状の半導体部１９Ｄのうち、ゲート電極１９Ａと重畳し、ソース電極１９Ｂ及びドレイン電極１９Ｃとは非重畳とされる部分が、チャネル（電流経路）として機能するチャネル部である。島状の半導体部１９Ｄのうち、ソース電極１９Ｂ及びドレイン電極１９Ｃと重畳する部分が、チャネルとして機能しない部分である。

続いて、図４，図６，図７及び図８を用いてメインスペーサ１７及びサブスペーサ１８に関して説明する。なお、図７では、メインスペーサ１７を黒塗りにして図示することで、サブスペーサ１８と区別している。また、図７では、図４と同様に、カラーフィルタ２３を呈する色毎に異なる網掛け状にして図示している。メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８は、図４及び図７に示すように、遮光部２４を構成する複数ずつの第１遮光部２４Ａ及び第２遮光部２４Ｂの各交差箇所の殆どに対して複数ずつが重畳配置されている。既述した通り、第１遮光部２４Ａ及び第２遮光部２４Ｂの交差箇所は、アレイ基板１２のゲート配線２１及びソース配線２２の交差箇所と一致している。このことから、メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８は、いずれもＴＦＴ１９に対して重畳して配されている。複数ずつのメインスペーサ１７及びサブスペーサ１８は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に１つずつの画素ＰＸ分の間隔を空けて概ね等ピッチ配列されている。メインスペーサ１７は、図７に示される表示領域ＡＡの所定範囲（画素ＰＸがＸ軸方向に沿って２７個並び、Ｙ軸方向に９個並ぶ範囲）において所定数（例えば７個）が分散して配されている。メインスペーサ１７は、図７に示される範囲において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれの方向についても２つ以上並ぶことがない配列とされる。サブスペーサ１８は、図７に示される範囲において、複数ずつの第１遮光部２４Ａ及び第２遮光部２４Ｂの各交差箇所のうち、メインスペーサ１７が非配置とされる殆どの交差箇所に対して重畳して配されている。

メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８は、図４，図６及び図８に示すように、いずれも平面形状が略円形であり、対向基板１１からアレイ基板１２側に向けて突出している。詳しくは、メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８は、樹脂材料からなり、対向基板１１の表示領域ＡＡにおいてオーバーコート膜２５の表面から液晶層１５側に向けてＺ軸方向（対向基板１１の板面の法線方向）に沿って突出し、その突出先端面がアレイ基板１２の内面と対向している。メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８は、全体として、やや先細りの円柱状をなしている（図６及び図８を参照）。

メインスペーサ１７は、図４及び図６に示すように、サブスペーサ１８に比べると、径寸法が小さく、突出寸法が大きい。メインスペーサ１７の径寸法は、例えば１５．３μｍ等とされる。メインスペーサ１７の突出寸法は、互いに貼り合わされた対向基板１１及びアレイ基板１２の内面間の間隔とほぼ一致している。従って、メインスペーサ１７は、液晶層１５を貫通し、その突出先端面が、アレイ基板１２の内面（実際には配向膜）に対して常に接触されている。特に、メインスペーサ１７は、アレイ基板１２の内面が最も高くなる部位であるＴＦＴ１９に対して平面に視て重畳する配置とされているので、メインスペーサ１７の突出先端面がアレイ基板１２の内面に対して良好に接触されるようになっている。これに対し、サブスペーサ１８は、図４及び図８に示すように、メインスペーサ１７に比べると、径寸法が大きく、突出寸法が小さい。サブスペーサ１８の突出寸法は、互いに貼り合わされた対向基板１１及びアレイ基板１２の内面間の間隔よりも小さい。従って、サブスペーサ１８は、その突出先端面が、アレイ基板１２の内面に対して常に接触することがない。対向基板１１及びアレイ基板１２のいずれか一方に対して外部から内向きに押圧するような外力が作用しない場合は、サブスペーサ１８の突出先端面と、アレイ基板１２の内面と、の間には、クリアランスが空けられている。一方、対向基板１１及びアレイ基板１２のいずれか一方に対して外部から内向きに押圧するような外力が作用した場合には、サブスペーサ１８とアレイ基板１２の内面との間のクリアランスの分だけ対向基板１１及びアレイ基板１２のいずれか一方には撓み（変形）が許容される。しかし、対向基板１１及びアレイ基板１２のいずれか一方が多少撓むと、サブスペーサ１８の突出先端面が、アレイ基板１２の内面に接触される。これにより、対向基板１１及びアレイ基板１２のいずれか一方が、それ以上に撓むのが規制されるようになっている。このように、メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８によって、対向基板１１及びアレイ基板１２は、液晶層１５の厚み分の間隔（セルギャップ）が保持されるようになっている。

上記のような構成のメインスペーサ１７及びサブスペーサ１８付近では、液晶層１５に含まれる液晶分子に配向不良が生じ、配向不良に起因して光が常に透過する輝点欠陥等の表示不良が発生することが懸念される。特に、メインスペーサ１７付近では、メインスペーサ１７の突出先端面がアレイ基板１２の内面に備わる配向膜に擦れることで、配向膜の削り滓が発生し、その削り滓に起因して光が常に透過する輝点欠陥等の表示不良が発生し易い傾向にある。その点、メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８は、図４に示すように、遮光部２４を構成する第１遮光部２４Ａと第２遮光部２４Ｂとの交差箇所が重畳するよう配されている。それに加え、遮光部２４は、メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８の周囲をそれぞれ取り囲んで配される第３遮光部２４Ｃ及び第４遮光部２４Ｄを有する。第３遮光部２４Ｃ及び第４遮光部２４Ｄは、第１遮光部２４Ａと第２遮光部２４Ｂとの交差箇所にそれぞれ連なる。遮光部２４の画素開口部２４ＯＰは、これら第３遮光部２４Ｃ及び第４遮光部２４Ｄによって開口範囲が狭められている。

第３遮光部２４Ｃは、図４に示すように、メインスペーサ１７の周囲を取り囲んで配され、メインスペーサ１７と同心の略扇状をなしている。第３遮光部２４Ｃは、第１遮光部２４Ａと第２遮光部２４Ｂとの交差箇所であって、メインスペーサ１７と重畳する交差箇所に４つが連ねられている。これら４つの第３遮光部２４Ｃは、全体としてメインスペーサ１７の平面形状に倣って略円形状をなしており、その径寸法がメインスペーサ１７の径寸法よりも大きい。４つの第３遮光部２４Ｃの径寸法及び面積の和は、後述する４つの第４遮光部２４Ｄの径寸法及び面積の和よりもそれぞれ大きい。ここで、メインスペーサ１７付近において光が常に透過する輝点欠陥等の表示不良が生じる範囲は、サブスペーサ１８付近に生じる表示不良の範囲よりも広くなりがちである。その理由としては、メインスペーサ１７付近に配向膜の削り滓が発生し易いこと等が考えられる。その点、上記のように４つの第３遮光部２４Ｃが４つの第４遮光部２４Ｄよりも広範囲に設けられることで、メインスペーサ１７に起因する表示不良が視認され難くなる。４つの第３遮光部２４Ｃには、メインスペーサ１７の一部と重畳する第３遮光部２４Ｃ（メインスペーサ１７の中心１７ＣＥに対して図４の右上に位置する第３遮光部２４Ｃ）が含まれる。４つの第３遮光部２４Ｃは、それぞれ画素電極２０の一部（角部付近）と重畳している。

第４遮光部２４Ｄは、図４に示すように、サブスペーサ１８の周囲を取り囲んで配され、サブスペーサ１８と同心の略扇状をなしている。第４遮光部２４Ｄは、第１遮光部２４Ａと第２遮光部２４Ｂとの交差箇所であって、サブスペーサ１８と重畳する交差箇所に４つが連ねられている。これら４つの第４遮光部２４Ｄは、全体としてサブスペーサ１８の平面形状に倣って略円形状をなしており、その径寸法がサブスペーサ１８の径寸法よりも大きい。４つの第４遮光部２４Ｄの径寸法及び面積の和は、４つの第３遮光部２４Ｃの径寸法及び面積の和よりもそれぞれ小さい。４つの第４遮光部２４Ｄには、サブスペーサ１８の一部と重畳する第４遮光部２４Ｄ（サブスペーサ１８の中心１８ＣＥに対して図４の上側に位置する２つの第４遮光部２４Ｄ）が含まれる。４つの第４遮光部２４Ｄには、画素電極２０の一部（角部付近）と重畳する第４遮光部２４Ｄ（サブスペーサ１８の中心１８ＣＥに対して図４の左下に位置する第４遮光部２４Ｄを除く３つの第４遮光部２４Ｄ）が含まれる。画素電極２０に対する第４遮光部２４Ｄの重畳面積は、画素電極２０に対する第３遮光部２４Ｃの重畳面積よりも概して小さい。このような第３遮光部２４Ｃ及び第４遮光部２４Ｄを有する遮光部２４によってメインスペーサ１７及びサブスペーサ１８付近の光を遮ることで、メインスペーサ１７及びサブスペーサ１８に起因する光漏れ（表示不良）が視認され難くなっている。

さて、複数のメインスペーサ１７には、図９から図１６に示すように、重畳するＴＦＴ１９との重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７が含まれている。ここでいう「重畳関係が異なる」とは、重畳対象のＴＦＴ１９に対するメインスペーサ１７の重なり方が異なることを意味する。別言すれば、メインスペーサ１７の中心１７ＣＥと、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ（島状の半導体部１９Ｄの中心）と、の位置関係が相違することを意味する。なお、対向基板１１に備わる全てのサブスペーサ１８は、図４に示すように、それぞれの中心１８ＣＥが、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して一致する位置に配されている。

対向基板１１の表示領域ＡＡのうちの図７に示される範囲には、重畳対象のＴＦＴ１９との重畳関係が異なるメインスペーサ１７が７つ含まれる。図７に示される７つのメインスペーサ１７は、全てがＴＦＴ１９との重畳関係が互いに異なっている。重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７には、図９に示される第１メインスペーサ１７Ａと、図１０に示される第２メインスペーサ１７Ｂと、図１１に示される第３メインスペーサ１７Ｃと、図１２に示される第４メインスペーサ１７Ｄと、図１３に示される第５メインスペーサ１７Ｅと、図１４に示される第６メインスペーサ１７Ｆと、図１５に示される第７メインスペーサ１７Ｇと、が含まれる。これら７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇは、表示領域ＡＡの面内に複数ずつ分散して配されている。これら７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇの中心１７ＣＥ１～１７ＣＥ７を、１つの座標系にまとめて示したグラフが図１６に示されている。図１６のグラフでは、ＴＦＴ１９の中心１９ＣＥを原点（０，０）としており、座標系の単位は１μｍである。図１６において、横軸はＸ軸方向の位置を示し、縦軸はＹ軸方向の位置を示す。図１６の横軸に付された（＋）の符号は、ＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇの中心１７ＣＥ１～１７ＣＥ７のいずれかが図９から図１５の右側に位置することを意味する。図１６の横軸に付された（－）の符号は、ＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇの中心１７ＣＥ１～１７ＣＥ７のいずれかが図９から図１５の左側に位置することを意味する。図１６の縦軸に付された（＋）の符号は、ＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇの中心１７ＣＥ１～１７ＣＥ７のいずれかが図９から図１５の上側に位置することを意味する。図１６の縦軸に付された（－）の符号は、ＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇの中心１７ＣＥ１～１７ＣＥ７のいずれかが図９から図１５の下側に位置することを意味する。

なお、重畳するＴＦＴ１９との重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７を区別する場合には、第１メインスペーサの符号に添え字「Ａ」を、第２メインスペーサの符号に添え字「Ｂ」を、第３メインスペーサの符号に添え字「Ｃ」を、第４メインスペーサの符号に添え字「Ｄ」を、第５メインスペーサの符号に添え字「Ｅ」を、第６メインスペーサの符号に添え字「Ｆ」を、第７メインスペーサの符号に添え字「Ｇ」を、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。また、重畳するＴＦＴ１９との重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７の中心１７ＣＥを区別する場合には、第１メインスペーサ１７Ａの中心の符号に添え字「１」を、第２メインスペーサ１７Ｂの中心の符号に添え字「２」を、第３メインスペーサ１７Ｃの中心の符号に添え字「３」を、第４メインスペーサ１７Ｄの中心の符号に添え字「４」を、第５メインスペーサ１７Ｅの中心の符号に添え字「５」を、第６メインスペーサ１７Ｆの中心の符号に添え字「６」を、第７メインスペーサ１７Ｇの中心の符号に添え字「７」を、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。

第１メインスペーサ１７Ａは、図９に示すように、中心１７ＣＥ１が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥと一致する位置に配されている。つまり、第１メインスペーサ１７Ａは、重畳対象のＴＦＴ１９と同心に配される「同心スペーサ」を構成している、と言える。従って、図１６に示される第１メインスペーサ１７Ａの中心１７ＣＥ１の座標値は、（０，０）であり、座標系の原点と一致する。

これに対し、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇは、図１０から図１５に示すように、それぞれの中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥとは一致しない位置に配されている。つまり、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇは、重畳対象のＴＦＴ１９と非同心に配される「非同心スペーサ」を構成している、と言える。別言すると、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇは、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７が偏在した「偏在スペーサ」を構成している、と言える。

第２メインスペーサ１７Ｂは、図１０に示すように、中心１７ＣＥ２が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して図１０の上向きに位置ずれしている。図１６に示される第２メインスペーサ１７Ｂの中心１７ＣＥ２の座標値は、（０，７．６５）である。第３メインスペーサ１７Ｃは、図１１に示すように、中心１７ＣＥ３が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して図１０の右斜め上向きに位置ずれしている。図１６に示される第３メインスペーサ１７Ｃの中心１７ＣＥ３の座標値は、（６．６３，３．８３）である。第４メインスペーサ１７Ｄは、図１２に示すように、中心１７ＣＥ４が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して図１０の右斜め下向きに位置ずれしている。図１６に示される第４メインスペーサ１７Ｄの中心１７ＣＥ４の座標値は、（６．６３，－３．８３）である。第５メインスペーサ１７Ｅは、図１３に示すように、中心１７ＣＥ５が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して図１０の下向きに位置ずれしている。図１６に示される第５メインスペーサ１７Ｅの中心１７ＣＥ５の座標値は、（０，－７．６５）である。第６メインスペーサ１７Ｆは、図１４に示すように、中心１７ＣＥ６が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して図１０の左斜め下向きに位置ずれしている。図１６に示される第６メインスペーサ１７Ｆの中心１７ＣＥ６の座標値は、（－６．６３，－３．８３）である。第７メインスペーサ１７Ｇは、図１５に示すように、中心１７ＣＥ７が、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥに対して図１０の左斜め上向きに位置ずれしている。図１６に示される第７メインスペーサ１７Ｇの中心１７ＣＥ７の座標値は、（－６．６３，３．８３）である。第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇは、図１０から図１５に示すように、各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７が、ＴＦＴ１９の島状の半導体部１９Ｄの外端よりも僅かに外側に位置している。

第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇの各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７と、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ（図１６の原点）と、の間の平面に視た距離は、図１６に示すように、全てほぼ等しい。その距離の値は、メインスペーサ１７の径寸法とほぼ等しい。従って、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇの各外端部は、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥと重畳して配されている。また、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇの各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７は、第１メインスペーサ１７Ａの外端部上に位置している。その上で、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇは、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥと同心となる正六角形の各頂点と、同心となる位置に配される。従って、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇの各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７は、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ周りに等角度間隔（６０度ずつの角度間隔）を空けて並んで配されている。

このように、複数のメインスペーサ１７には、重畳するＴＦＴ１９との重畳関係が異なる７つメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇが含まれているので、アレイ基板１２と対向基板１１とを貼り合わせる際に位置ずれが生じた場合でも、７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇとアレイ基板１２との接触面積が変動し難くなる。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔がより良好に保持される。しかも、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇは、各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７と重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥとの間の距離が互いに等しい。このようにすれば、アレイ基板１２と対向基板１１とを貼り合わせる際に位置ずれが生じた場合、上記した各メインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇと重畳対象の複数のＴＦＴ１９との重畳面積の和に変動がより生じ難くなる。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔がより良好に保持される。さらには、第２メインスペーサ１７Ｂ、第３メインスペーサ１７Ｃ、第４メインスペーサ１７Ｄ、第５メインスペーサ１７Ｅ、第６メインスペーサ１７Ｆ及び第７メインスペーサ１７Ｇは、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ周りに等角度間隔で配列されている。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１とを貼り合わせる際に生じる位置ずれの向きがどの向きであっても、上記した各メインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇと重畳対象の複数のＴＦＴ１９との重畳面積の和に変動が一層生じ難くなる。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔が一層良好に保持される。

上記したように、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇは、図３，図４及び図７に示すように、それぞれの重畳対象となるのが、青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの間の境界に最も近いＴＦＴ１９とされる。青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの間の境界には、ソース配線２２が重畳して配されており、そのソース配線２２には、赤色画素ＲＰＸを構成する画素電極２０に接続されるＴＦＴ１９のソース電極１９Ｂが備えられている。従って、青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの間の境界に最も近いＴＦＴ１９は、赤色画素ＲＰＸを構成する画素電極２０に接続されるＴＦＴ１９となる。重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇは、いずれも赤色画素ＲＰＸを構成する画素電極２０に接続されるＴＦＴ１９に対して重畳して配されている。ここで、メインスペーサ１７付近には、第４遮光部２４Ｄよりも面積が大きい第３遮光部２４Ｃが設けられることで、メインスペーサ１７に起因する表示不良が視認され難くなっているものの、場合によってはメインスペーサ１７付近に存在する画素ＰＸでの表示に悪影響が及ぶ可能性がある。その点、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇは、それぞれの重畳対象となるのが、青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの間の境界に最も近いＴＦＴ１９とされる。これにより、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇ付近には、緑色画素ＧＰＸよりも比視感度が低い青色画素ＢＰＸや赤色画素ＲＰＸが存在するので、青色画素ＢＰＸや赤色画素ＲＰＸでの表示に悪影響が及んでも、全体の表示品位に与える影響は軽微なものとなる。その上で、比視感度が最も高い緑色画素ＧＰＸでの表示には、メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇに起因する悪影響が及び難いので、全体の表示品位を良好に保つことができる。

次に、各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇと、重畳対象のＴＦＴ１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸの画素電極２０及び赤色画素ＲＰＸの画素電極２０と重畳する２つの画素開口部２４ＯＰの開口縁と、の間の平面に視た最短距離Ｄ１～Ｄ７について説明する。第１メインスペーサ１７Ａに係る最短距離Ｄ１は、図９から図１５に示すように、他の６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに係る最短距離Ｄ２～Ｄ７よりも大きい。このようにすれば、他の６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに比べると、第１メインスペーサ１７Ａと重畳するＴＦＴ１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示に及ぶ悪影響が軽微なものとなる。これにより、表示品位が一層良好に保たれる。

一方、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥとは非同心となる位置に配される６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに係る最短距離Ｄ２～Ｄ７は、互いに等しい。６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに係る最短距離Ｄ２～Ｄ７は、それぞれ例えば１１．３μｍ等とされる。第１メインスペーサ１７Ａに係る最短距離Ｄ１と、他の６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに係る最短距離Ｄ２～Ｄ７と、の差は、他の６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇの各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７と、第１メインスペーサ１７Ａの中心１７ＣＥ１（重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ）と、の間の平面に視た距離とほぼ等しい。上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇのそれぞれと重畳するＴＦＴ１９のそれぞれに最も近い境界をそれぞれ挟む２つずつの青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示には、各メインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに起因してそれぞれ悪影響が及ぶものの、その影響の程度が同等になる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。また、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇは、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥと重畳して配されている。このようにすれば、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇが、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥから離れ過ぎ、画素開口部２４ＯＰの開口縁に近づき過ぎることが避けられる。これにより、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇと重畳するＴＦＴ１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示に及ぶ悪影響が軽微なものとなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。なお、「最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい」等の「等しい」や「同心」は、実質的に等しいこと、実質的に同心であることも含む。例えば、０．１μｍ以下の違いは実質的に等しい（実質的に同心である）ものとする。

また、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇのそれぞれを取り囲む４つずつの第３遮光部２４Ｃは、図９から図１５に示すように、平面形状及び面積がそれぞれ同一とされる。従って、各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇに対して図９から図１５に示す斜め左上に位置する７つの青色画素ＢＰＸの画素電極２０と重畳する７つの画素開口部２４ＯＰの平面形状は、同一とされる。このようにすれば、上記した７つの青色画素ＢＰＸの開口率が等しくなるので、これらの青色画素ＢＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。同様に、各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇに対して図９から図１５に示す斜め左下に位置する７つの青色画素ＢＰＸの画素電極２０と重畳する７つの画素開口部２４ＯＰの平面形状は、同一とされる。このようにすれば、上記した７つの青色画素ＢＰＸの開口率が等しくなるので、これらの青色画素ＢＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇに対して図９から図１５に示す斜め右上に位置する７つの赤色画素ＲＰＸの画素電極２０と重畳する７つの画素開口部２４ＯＰの平面形状は、同一とされる。このようにすれば、上記した７つの赤色画素ＲＰＸの開口率が等しくなるので、これらの赤色画素ＲＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。各メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇに対して図９から図１５に示す斜め右下に位置する７つの赤色画素ＲＰＸの画素電極２０と重畳する７つの画素開口部２４ＯＰの平面形状は、同一とされる。このようにすれば、上記した７つの赤色画素ＲＰＸの開口率が等しくなるので、これらの赤色画素ＲＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。以上により、表示品位がより良好に保たれる。

以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１０は、アレイ基板１２と、アレイ基板１２と間隔を空けて対向する対向基板１１と、アレイ基板１２または対向基板１１に設けられ、異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２３と、アレイ基板１２に設けられ、複数のカラーフィルタ２３と重畳する複数の画素電極２０と、複数のカラーフィルタ２３と複数の画素電極２０とで構成され、比視感度が異なる複数の画素ＰＸと、アレイ基板１２に設けられ、複数の画素電極２０のそれぞれに接続される複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１９と、少なくとも対向基板１１に設けられ、対向基板１１からアレイ基板１２に向けて突出し、複数のＴＦＴ１９の少なくとも一部ずつと重畳して配される複数のメインスペーサ（スペーサ）１７と、を備え、複数の画素ＰＸには、比視感度が最も高い緑色画素（第１画素）ＧＰＸと、比視感度が最も低い青色画素（第２画素）ＢＰＸと、青色画素ＢＰＸに隣り合って配されて緑色画素ＧＰＸよりも比視感度が低くて青色画素ＢＰＸよりも比視感度が高い赤色画素（第３画素）ＲＰＸと、が複数ずつ含まれ、複数のメインスペーサ１７には、重畳するＴＦＴ１９との重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７が含まれ、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇは、それぞれの重畳対象となるのが、青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの間の境界に最も近いＴＦＴ１９とされる。

複数のＴＦＴ１９が駆動されると、接続された複数の画素電極２０が充電され、画像が表示される。アレイ基板１２及び対向基板１１は、その間に介在する複数のメインスペーサ１７によって間隔が保持される。ここで、ＴＦＴ１９は、他の構造物に比べると、積層される膜の数が多く、高い（厚い）部位であることから、ＴＦＴ１９の少なくとも一部に対してメインスペーサ１７が重畳配置されることで、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔が良好に保持される。複数のメインスペーサ１７には、重畳するＴＦＴ１９との重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇが含まれている。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１とを貼り合わせる際に位置ずれが生じた場合でも、複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇとアレイ基板１２との接触面積が変動し難くなり、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔がより良好に保持される。

上記した重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇ付近に光が常に透過する輝点欠陥等の表示不良が生じた場合、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇ付近に存在する画素ＰＸでの表示に悪影響が及び易い傾向にある。その点、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇは、それぞれの重畳対象となるのが、青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの間の境界に最も近いＴＦＴ１９とされる。これにより、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇ付近には、緑色画素ＧＰＸよりも比視感度が低い青色画素ＢＰＸや赤色画素ＲＰＸが存在するので、青色画素ＢＰＸや赤色画素ＲＰＸでの表示に悪影響が及んでも、全体の表示品位に与える影響は軽微なものとなる。その上で、比視感度が最も高い緑色画素ＧＰＸでの表示には、メインスペーサ１７Ａ～１７Ｇに起因する悪影響が及び難いので、全体の表示品位を良好に保つことができる。

また、対向基板１１は、複数の画素電極２０のそれぞれと重畳する複数の画素開口部２４ＯＰを有し、複数のメインスペーサ１７と重畳して配される遮光部２４を備えており、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇには、重畳対象のＴＦＴ１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸの画素電極２０及び赤色画素ＲＰＸの画素電極２０と重畳する２つの画素開口部２４ＯＰの開口縁からの最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇが含まれる。上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇのそれぞれと重畳するＴＦＴ１９のそれぞれに最も近い境界をそれぞれ挟む２つずつの青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示には、各メインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに起因してそれぞれ悪影響が及ぶものの、その影響の程度が同等になる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。

また、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇは、メインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇの中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７と重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥとの間の距離が互いに等しい。このようにすれば、アレイ基板１２と対向基板１１とを貼り合わせる際に位置ずれが生じた場合、上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇと重畳対象の複数のＴＦＴ１９との重畳面積の和に変動がより生じ難くなる。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔がより良好に保持される。

また、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇは、重畳対象となるＴＦＴ１９の中心１９ＣＥと同心となる正多角形の各頂点と同心となる位置に配される。このようにすれば、上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇが、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ周りに等角度間隔で配列されることになる。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１とを貼り合わせる際に生じる位置ずれの向きがどの向きであっても、上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇと重畳対象の複数のＴＦＴ１９との重畳面積の和に変動が一層生じ難くなる。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔が一層良好に保持される。

また、遮光部２４は、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇのそれぞれと重畳する複数のＴＦＴ１９のそれぞれに最も近い複数の境界を挟む複数ずつの青色画素ＢＰＸの画素電極２０及び赤色画素ＲＰＸの画素電極２０のそれぞれと重畳する複数の画素開口部２４ＯＰのうち、複数の青色画素ＢＰＸの画素電極２０のそれぞれと重畳する複数の画素開口部２４ＯＰの平面形状が同一とされ、複数の赤色画素ＲＰＸの画素電極２０のそれぞれと重畳する複数の画素開口部２４ＯＰの平面形状が同一とされる。このようにすれば、上記した複数の青色画素ＢＰＸの開口率が等しくなるので、これらの青色画素ＢＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。同様に、上記した複数の赤色画素ＲＰＸの開口率が等しくなるので、これらの赤色画素ＲＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。

また、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇは、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥと重畳して配される。このようにすれば、上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇが、重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥから離れ過ぎ、画素開口部２４ＯＰの開口縁に近づき過ぎることが避けられる。これにより、メインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇと重畳するＴＦＴ１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示に及ぶ悪影響が軽微なものとなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。

また、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇには、重畳対象のＴＦＴ１９と同心に配される第１メインスペーサ１７Ａが含まれ、同心に配される第１メインスペーサ１７Ａは、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇよりも最短距離Ｄ１が大きい。このようにすれば、上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに比べると、上記した同心に配される第１メインスペーサ１７Ａと重畳するＴＦＴ１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示に及ぶ悪影響が軽微なものとなる。これにより、表示品位が一層良好に保たれる。

＜実施形態２＞
実施形態２を図１７によって説明する。この実施形態２では、遮光部１２４の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る遮光部１２４は、図１７に示すように、重畳対象のＴＦＴ１１９と同心に配される第１メインスペーサ１１７Ａの周囲を取り囲んで配される第５遮光部２４Ｅを有する。第５遮光部２４Ｅは、第１メインスペーサ１１７Ａと同心の略扇状をなしている。第５遮光部２４Ｅは、第１遮光部１２４Ａと第２遮光部１２４Ｂとの交差箇所であって、第１メインスペーサ１１７Ａと重畳する交差箇所に４つが連ねられている。これら４つの第５遮光部２４Ｅは、全体として第１メインスペーサ１１７Ａの平面形状に倣って略円形状をなしており、その径寸法が第１メインスペーサ１１７Ａの径寸法よりも大きい。４つの第５遮光部２４Ｅの径寸法及び面積の和は、サブスペーサ１１８を取り囲む４つの第４遮光部１２４Ｄの径寸法及び面積の和とそれぞれ等しい。従って、第１メインスペーサ１１７Ａと重畳するＴＦＴ１１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸの画素電極１２０及び赤色画素ＲＰＸの画素電極１２０と重畳する２つの画素開口部１２４ＯＰの平面形状は、複数のサブスペーサ１１８のそれぞれと重畳する複数のＴＦＴ１１９のそれぞれに接続される複数の画素電極１２０と重畳する複数の画素開口部１２４ＯＰの平面形状と同一とされる。このようにすれば、複数のサブスペーサ１１８と重畳する複数のＴＦＴ１１９のそれぞれに接続される複数の画素電極１２０に対応する複数の画素ＰＸと、第１メインスペーサ１１７Ａと重畳するＴＦＴ１１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸと、で開口率が等しくなる。これにより、これらの画素ＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。

次に、重畳対象のＴＦＴ１１９と同心に配される第１メインスペーサ１１７Ａと、重畳対象のＴＦＴ１１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸと重畳する２つの画素開口部１２４ＯＰの開口縁と、の間の平面に視た最短距離Ｄ８について説明する。本実施形態に係る第１メインスペーサ１１７Ａに係る最短距離Ｄ８は、図１０から図１５に示される他の６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに係る最短距離Ｄ２～Ｄ７と等しい。このようにすれば、上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに比べると、上記した第１メインスペーサ１１７Ａと重畳するＴＦＴ１１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示に及ぶ悪影響が同じとなる。これにより、表示ムラが視認され難くなり、表示品位が一層良好に保たれる。

以上説明したように本実施形態によれば、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１１７には、重畳対象のＴＦＴ１１９と同心に配される第１メインスペーサ１１７Ａが含まれ、同心に配される第１メインスペーサ１１７Ａは、最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇと最短距離Ｄ８が同一とされる。このようにすれば、上記した最短距離Ｄ２～Ｄ７が等しい複数のメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに比べると、上記した同心に配される第１メインスペーサ１１７Ａと重畳するＴＦＴ１１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸでの表示に及ぶ悪影響が同じとなる。これにより、表示ムラが視認され難くなり、表示品位が一層良好に保たれる。

また、少なくとも対向基板１１に設けられ、対向基板１１からアレイ基板１２に向けて突出し、その突出寸法がメインスペーサ１１７よりも小さい複数のサブスペーサ１１８を備え、複数のサブスペーサ１１８は、複数のＴＦＴ１１９のうち、複数のメインスペーサ１１７が非配置とされる複数のＴＦＴ１１９の少なくとも一部ずつと重畳して配されており、遮光部１２４は、複数のサブスペーサ１１８と重畳して配され、複数の画素開口部１２４ＯＰのうち、複数のサブスペーサ１１８のそれぞれと重畳する複数のＴＦＴ１１９のそれぞれに接続される複数の画素電極１２０と重畳する複数の画素開口部１２４ＯＰの平面形状と、同心に配される第１メインスペーサ１１７Ａと重畳するＴＦＴ１１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸの画素電極１２０及び赤色画素ＲＰＸの画素電極１２０と重畳する２つの画素開口部１２４ＯＰの平面形状と、が同一とされる。このようにすれば、複数のサブスペーサ１１８と重畳する複数のＴＦＴ１１９のそれぞれに接続される複数の画素電極１２０に対応する複数の画素ＰＸと、同心に配される第１メインスペーサ１１７Ａと重畳するＴＦＴ１１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸと、で開口率が等しくなる。これにより、これらの画素ＰＸからの出射光量にばらつきが生じ難くなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。

＜実施形態３＞
実施形態３を図１８によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１からメインスペーサ２１７の配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る複数のメインスペーサ２１７に係る配置は、図１８に示すように、上記した実施形態１に記載した複数のメインスペーサ１７に係る配置（図１６を参照）を、原点周りに９０度回転させたものとなっている。なお、図１８には、上記した実施形態１にて説明した図１６と同様の座標系を表すグラフが示されている。つまり、第１メインスペーサ２１７Ａに係る配置は、上記した実施形態１と同様であるのに対し、他の６つのメインスペーサ２１７Ｂ～２１７Ｇに係る配置については、上記した実施形態１から下記のように変更されている。詳しくは、第２メインスペーサ２１７Ｂは、中心２１７ＣＥ２が、原点（重畳対象のＴＦＴの中心）に対して図１８の左向きに位置ずれしている。図１８に示される第２メインスペーサ２１７Ｂの中心２１７ＣＥ２の座標値は、（－７．６５，０）である。第３メインスペーサ２１７Ｃは、中心２１７ＣＥ３が、原点に対して図１８の左斜め上向きに位置ずれしている。図１８に示される第３メインスペーサ２１７Ｃの中心２１７ＣＥ３の座標値は、（－３．８３，６．６３）である。第４メインスペーサ２１７Ｄは、中心２１７ＣＥ４が、原点に対して図１８の右斜め上向きに位置ずれしている。図１８に示される第４メインスペーサ２１７Ｄの中心２１７ＣＥ４の座標値は、（３．８３，６．６３）である。第５メインスペーサ２１７Ｅは、中心２１７ＣＥ５が、原点に対して図１８の右向きに位置ずれしている。図１８に示される第５メインスペーサ２１７Ｅの中心２１７ＣＥ５の座標値は、（７．６５，０）である。第６メインスペーサ２１７Ｆは、中心２１７ＣＥ６が、原点に対して図１８の右斜め下向きに位置ずれしている。図１８に示される第６メインスペーサ２１７Ｆの中心２１７ＣＥ６の座標値は、（３．８３，－６．６３）である。第７メインスペーサ２１７Ｇは、中心２１７ＣＥ７が、原点に対して図１８の左斜め下向きに位置ずれしている。図１８に示される第７メインスペーサ２１７Ｇの中心２１７ＣＥ７の座標値は、（－３．８３，－６．６３）である。このような構成であっても、上記した実施形態１と同様の作用及び効果を得ることができる。

＜実施形態４＞
実施形態４を図１９によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１からメインスペーサ３１７の設置数及び配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る複数のメインスペーサ３１７には、図１９に示すように、原点（重畳対象のＴＦＴ１９の中心１９ＣＥ）と同心となる第１メインスペーサ３１７Ａと、原点とは非同心となる４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋと、が含まれる。なお、図１９には、上記した実施形態１にて説明した図１６と同様の座標系を表すグラフが示されている。このうち、第１メインスペーサ３１７Ａに係る配置は、上記した実施形態１と同様である。原点とは非同心となる４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋには、第８メインスペーサ３１７Ｈと、第９メインスペーサ３１７Ｉと、第１０メインスペーサ３１７Ｊと、第１１メインスペーサ３１７Ｋと、が含まれる。これら４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋの配置は、以下の通りである。

なお、原点とは非同心となる４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋを区別する場合には、第８メインスペーサの符号に添え字「Ｈ」を、第９メインスペーサの符号に添え字「Ｉ」を、第１０メインスペーサの符号に添え字「Ｊ」を、第１１メインスペーサの符号に添え字「Ｋ」を、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。また、原点とは非同心となる４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋの中心３１７ＣＥ８～３１７ＣＥ１１を区別する場合には、第８メインスペーサ３１７Ｈの中心の符号に添え字「８」を、第９メインスペーサ３１７Ｉの中心の符号に添え字「９」を、第１０メインスペーサ３１７Ｊの中心の符号に添え字「１０」を、第１１メインスペーサ３１７Ｋの中心の符号に添え字「１１」を、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。

第８メインスペーサ３１７Ｈは、中心３１７ＣＥ８が、原点に対して図１９の左斜め上向きに位置ずれしている。図１９に示される第８メインスペーサ３１７Ｈの中心３１７ＣＥ８の座標値は、（－５，５）である。第９メインスペーサ３１７Ｉは、中心３１７ＣＥ９が、原点に対して図１９の右斜め上向きに位置ずれしている。図１９に示される第９メインスペーサ３１７Ｉの中心３１７ＣＥ９の座標値は、（５，５）である。第１０メインスペーサ３１７Ｊは、中心３１７ＣＥ１０が、原点に対して図１９の右斜め下向きに位置ずれしている。図１９に示される第１０メインスペーサ３１７Ｊの中心３１７ＣＥ１０の座標値は、（５，－５）である。第１１メインスペーサ３１７Ｋは、中心３１７ＣＥ１１が、原点に対して図１９の左斜め下向きに位置ずれしている。図１９に示される第１１メインスペーサ３１７Ｋの中心３１７ＣＥ１１の座標値は、（－５，－５）である。これら４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋの各中心３１７ＣＥ８～３１７ＣＥ１１は、第１メインスペーサ３１７Ａの外端部よりも内周側に存していて、第１メインスペーサ３１７Ａと重畳している。これら４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋは、原点（重畳対象のＴＦＴの中心）と同心となる正方形の各頂点と、同心となる位置に配される。従って、これら４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋの各中心３１７ＣＥ８～３１７ＣＥ１１は、原点周りに等角度間隔（９０度ずつの角度間隔）を空けて並んで配されている。このような構成であっても、上記した実施形態１と概ね同様の作用及び効果を得ることができる。

＜実施形態５＞
実施形態５を図２０から図２５によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１からアレイ基板４１２の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るアレイ基板４１２には、図２０から図２２に示すように、特定のメインスペーサ４１７の一部と重畳する重畳部２９～３４が設けられている。図２０から図２２では、第１金属膜からなる構成（ゲート電極４１９Ａ及びゲート配線４２１等）と、半導体膜からなる構成（チャネル部を含む島状の半導体部４１９Ｄ等）と、第２金属膜からなる構成（ソース電極４１９Ｂ、ドレイン電極４１９Ｃ及びソース配線４２２等）と、をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。また、本実施形態では、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ４１７のうち、第２メインスペーサ４１７Ｂ、第５メインスペーサ４１７Ｅ及び第６メインスペーサ４１７Ｆの３つを代表して図示し、以下のように説明する。

まず、第６メインスペーサ４１７Ｆは、図２０に示すように、その中心４１７ＣＥ６が、重畳対象となるＴＦＴ４１９の中心４１９ＣＥに対して図２０の左斜め下向き、つまりゲート配線４２１側に位置ずれしている。アレイ基板４１２には、上記のような配置の第６メインスペーサ４１７Ｆと、ゲート配線４２１と、の一部ずつと重畳する形で第１重畳部２９及び第２重畳部３０が設けられている。第１重畳部２９は、図２３に示すように、半導体膜のうちの島状の半導体部４１９Ｄとは別の部分からなる。第２重畳部３０は、第２金属膜のうちのソース電極４１９Ｂ、ドレイン電極４１９Ｃ及びソース配線４２２とは別の部分からなる。第２重畳部３０は、第１重畳部２９と重畳して配されている。第１重畳部２９及び第２重畳部３０と、重畳するゲート配線４２１と、の間には、ゲート絶縁膜４２７が介在している。つまり、第１重畳部２９及び第２重畳部３０は、電気的に孤立している。第１重畳部２９及び第２重畳部３０は、図２０に示すように、いずれも横長の方形状をなしており、平面に視た大きさがほぼ同じとされる。第１重畳部２９及び第２重畳部３０は、Ｙ軸方向の寸法がゲート配線４２１の線幅とほぼ同じとされ、それぞれの全域がゲート配線４２１の一部と重畳して配されている。第１重畳部２９及び第２重畳部３０のうちのＴＦＴ４１９の中心４１９ＣＥ側（図２０の右斜め上側）の端部は、第６メインスペーサ４１７Ｆの一部と重畳して配されている。

次に、第２メインスペーサ４１７Ｂは、図２１に示すように、その中心４１７ＣＥ２が、重畳対象となるＴＦＴ４１９の中心４１９ＣＥに対して図２１の上向き、つまりソース配線４２２に沿う向きに位置ずれしている。アレイ基板４１２には、上記のような配置の第２メインスペーサ４１７Ｂと、ソース配線４２２と、の一部ずつと重畳する形で第３重畳部３１及び第４重畳部３２が設けられている。第３重畳部３１は、図２４に示すように、第１金属膜のうちのゲート電極４１９Ａ及びゲート配線４２１とは別の部分からなる。第４重畳部３２は、半導体膜のうちの島状の半導体部４１９Ｄ及び第１重畳部２９とは別の部分からなる。第４重畳部３２は、第３重畳部３１と重畳して配されている。半導体膜の一部からなる第４重畳部３２は、重畳するソース配線４２２に接する。また、第１金属膜の一部からなる第３重畳部３１とソース配線４２２との間には、ゲート絶縁膜４２７が介在している。このように、第３重畳部３１は、電気的に孤立している。第３重畳部３１及び第４重畳部３２は、図２１に示すように、いずれも横長の方形状をなしており、平面に視た大きさがほぼ同じとされる。第３重畳部３１及び第４重畳部３２は、Ｘ軸方向の寸法がソース配線４２２の線幅よりも大きく、それぞれの一部（中央部）ずつがソース配線４２２の一部と重畳して配されている。第３重畳部３１及び第４重畳部３２のうちのＴＦＴ４１９の中心４１９ＣＥ側（図２１の右斜め下側）の端部は、第２メインスペーサ４１７Ｂの一部と重畳して配されている。

続いて、第５メインスペーサ４１７Ｅは、図２２に示すように、その中心４１７ＣＥ５が、重畳対象となるＴＦＴ４１９の中心４１９ＣＥに対して図２２の下向き、つまりソース配線４２２に沿う向きに位置ずれしている。アレイ基板４１２には、上記のような配置の第５メインスペーサ４１７Ｅと、ソース配線４２２と、の一部ずつと重畳する形で第５重畳部３３及び第６重畳部３４が設けられている。第５重畳部３３は、図２５に示すように、第１金属膜のうちのゲート電極４１９Ａ、ゲート配線４２１及び第３重畳部３１とは別の部分からなる。第６重畳部３４は、半導体膜のうちの島状の半導体部４１９Ｄ、第１重畳部２９及び第４重畳部３２とは別の部分からなる。第６重畳部３４は、第５重畳部３３と重畳して配されている。半導体膜の一部からなる第６重畳部３４は、重畳するソース配線４２２に接する。また、第１金属膜の一部からなる第５重畳部３３とソース配線４２２との間には、ゲート絶縁膜４２７が介在している。このように、第５重畳部３３は、電気的に孤立している。第５重畳部３３及び第６重畳部３４は、図２２に示すように、いずれも横長の方形状をなしており、平面に視た大きさがほぼ同じとされる。第５重畳部３３及び第６重畳部３４は、Ｘ軸方向の寸法がソース配線４２２の線幅よりも大きく、それぞれの一部（中央部）ずつがソース配線４２２の一部と重畳して配されている。第５重畳部３３及び第６重畳部３４のうちのＴＦＴ４１９の中心４１９ＣＥ側（図２２の右斜め上側）の端部は、第５メインスペーサ４１７Ｅの一部と重畳して配されている。

上記した構成によれば、アレイ基板４１２のうち、第６メインスペーサ４１７Ｆ及びゲート配線４２１の一部ずつと重畳する第１重畳部２９及び第２重畳部３０と重畳する部分（図２３）と、第２メインスペーサ４１７Ｂ及びソース配線４２２の一部ずつと重畳する第３重畳部３１及び第４重畳部３２と重畳する部分（図２４）と、第５メインスペーサ４１７Ｅ及びソース配線４２２の一部ずつと重畳する第５重畳部３３及び第６重畳部３４と重畳する部分（図２５）と、は、ＴＦＴ４１９において最も高い（厚い）部位であるソース電極４１９Ｂ及びドレイン電極４１９Ｃと重畳する部分と同等の高さとなっている。第６メインスペーサ４１７Ｆは、図２３に示すように、アレイ基板４１２のうち、ＴＦＴ４１９の最も高い部位であるソース電極４１９Ｂと重畳する部分に接するのに加え、第１重畳部２９及び第２重畳部３０と重畳する部分にも接する。第２メインスペーサ４１７Ｂは、図２４に示すように、アレイ基板４１２のうち、ＴＦＴ４１９の最も高い部位であるソース電極４１９Ｂ及びドレイン電極４１９Ｃと重畳する部分に接するのに加え、第３重畳部３１及び第４重畳部３２と重畳する部分にも接する。第５メインスペーサ４１７Ｅは、図２５に示すように、アレイ基板４１２のうち、ＴＦＴ４１９の最も高い部位であるソース電極４１９Ｂと重畳する部分に接するのに加え、第５重畳部３３及び第６重畳部３４と重畳する部分にも接する。以上により、アレイ基板４１２と対向基板４１１との間の間隔がより良好に保持される。なお、第２メインスペーサ４１７Ｂ、第５メインスペーサ４１７Ｅ及び第６メインスペーサ４１７Ｆは、アレイ基板４１２の内面のうちの共通電極４２６と重畳する部分と、共通電極４２６とは非重畳とされる部分と、に跨がって接している。しかし、共通電極４２６の膜厚は、他の金属膜や絶縁膜に比べると、十分に薄い（例えば共通電極４２６の膜厚が０．０５μｍ～０．１μｍ程度とされるのに対し、金属膜の膜厚は０．３μｍ～０．６μｍとされる）ので、共通電極４２６の有無に起因してアレイ基板４１２の内面に段差が殆ど生じていない。このことから、第２メインスペーサ４１７Ｂ、第５メインスペーサ４１７Ｅ及び第６メインスペーサ４１７Ｆは、アレイ基板４１２の内面に対して安定的に接した状態に保たれる。

以上説明したように本実施形態によれば、メインスペーサ４１７と重畳するＴＦＴ４１９に最も近い境界に沿って延在するソース配線４２２と、ソース配線４２２と交差するゲート配線４２１と、を備え、ＴＦＴ４１９は、第１金属膜（第１導電膜）からなるゲート電極４１９Ａと、ゲート電極４１９Ａとゲート絶縁膜４２７を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部４１９Ｄと、第２金属膜（第２導電膜）からなり島状の半導体部４１９Ｄの一部に接するソース電極４１９Ｂと、第２金属膜のうちのソース電極４１９Ｂとは別の部分からなりソース電極４１９Ｂと間隔を空けて配されて島状の半導体部４１９Ｄの一部に接するドレイン電極４１９Ｃと、を有しており、ゲート配線４２１は、第１金属膜のうちのゲート電極４１９Ａとは別の部分からなってゲート電極４１９Ａに連なり、ソース配線４２２は、第２金属膜のうちのソース電極４１９Ｂ及びドレイン電極４１９Ｃとは別の部分からなってソース電極４１９Ｂに連なり、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ４１７Ｂ，４１７Ｅ，４１７Ｆに含まれる第６メインスペーサ４１７Ｆとゲート配線４２１との一部ずつと重畳して配され、半導体膜のうちの島状の半導体部４１９Ｄとは別の部分からなる第１重畳部２９と、第１重畳部２９と重畳して配され、第２金属膜のうちのソース電極４１９Ｂ、ドレイン電極４１９Ｃ及びソース配線４２２とは別の部分からなる第２重畳部３０と、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ４１７Ｂ，４１７Ｅ，４１７Ｆに含まれる第２メインスペーサ４１７Ｂとソース配線４２２との一部ずつと重畳して配され、第１金属膜のうちのゲート電極４１９Ａ及びゲート配線４２１とは別の部分からなる第３重畳部３１と、第３重畳部３１と重畳して配され、半導体膜のうちの島状の半導体部４１９Ｄ及び第１重畳部２９とは別の部分からなる第４重畳部３２と、を備える。このようにすれば、ゲート電極４１９Ａに供給される信号に基づいてＴＦＴ４１９が駆動されると、チャネル部を介してソース電極４１９Ｂとドレイン電極４１９Ｃとが通電される。ゲート電極４１９Ａに対してゲート絶縁膜４２７を介して重畳する島状の半導体部４１９Ｄに、ソース電極４１９Ｂ及びドレイン電極４１９Ｃがそれぞれ接していることから、ＴＦＴ４１９のうちのソース電極４１９Ｂ及びドレイン電極４１９Ｃと重畳する部分は、最も高い部位である。一方、アレイ基板４１２のうち、第６メインスペーサ４１７Ｆ及びゲート配線４２１の一部ずつと重畳する第１重畳部２９及び第２重畳部３０と重畳する部分と、第２メインスペーサ４１７Ｂ及びソース配線４２２の一部ずつと重畳する第３重畳部３１及び第４重畳部３２と重畳する部分と、は、ソース電極４１９Ｂ及びドレイン電極４１９Ｃと重畳する部分と同等の高さである。第６メインスペーサ４１７Ｆは、アレイ基板４１２のうち、ＴＦＴ４１９の最も高い部位であるソース電極４１９Ｂ及びドレイン電極４１９Ｃと重畳する部分に接するのに加え、第１重畳部２９及び第２重畳部３０と重畳する部分にも接する。第２メインスペーサ４１７Ｂは、アレイ基板４１２のうち、ＴＦＴ４１９の最も高い部位であるソース電極４１９Ｂと重畳する部分に接するのに加え、第３重畳部３１及び第４重畳部３２と重畳する部分にも接する。これにより、アレイ基板４１２と対向基板４１１との間の間隔がより良好に保持される。

＜実施形態６＞
実施形態６を図２６から図３５によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態１からメインスペーサ５１７の配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒは、図２６から図３２に示すように、それぞれの中心５１７ＣＥ１２～５１７ＣＥ１８が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥとは一致しない位置に配されている。つまり、本実施形態では、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７には、重畳対象のＴＦＴ５１９と同心に配される「同心メインスペーサ」が含まれておらず、全てが「非同心スペーサ（偏在スペーサ）」である。重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７には、図２６に示される第１２メインスペーサ５１７Ｌと、図２７に示される第１３メインスペーサ５１７Ｍと、図２８に示される第１４メインスペーサ５１７Ｎと、図２９に示される第１５メインスペーサ５１７Ｏと、図３０に示される第１６メインスペーサ５１７Ｐと、図３１に示される第１７メインスペーサ５１７Ｑと、図３２に示される第１８メインスペーサ５１７Ｒと、が含まれる。これら７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒの中心５１７ＣＥ１２～５１７ＣＥ１８を、１つの座標系にまとめて示したグラフが図３３に示されている。図３３のグラフは、上記した実施形態１にて説明した図１６と同様の座標系を表す。

なお、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７を区別する場合には、第１２メインスペーサの符号に添え字「Ｌ」を、第１３メインスペーサの符号に添え字「Ｍ」を、第１４メインスペーサの符号に添え字「Ｎ」を、第１５メインスペーサの符号に添え字「Ｏ」を、第１６メインスペーサの符号に添え字「Ｐ」を、第１７メインスペーサの符号に添え字「Ｑ」を、第１８メインスペーサの符号に添え字「Ｒ」を、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。また、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７の中心５１７ＣＥを区別する場合には、第１２メインスペーサ５１７Ｌの中心の符号に添え字「１２」を、第１３メインスペーサ５１７Ｍの中心の符号に添え字「１３」を、第１４メインスペーサ５１７Ｎの中心の符号に添え字「１４」を、第１５メインスペーサ５１７Ｏの中心の符号に添え字「１５」を、第１６メインスペーサ５１７Ｐの中心の符号に添え字「１６」を、第１７メインスペーサ５１７Ｑの中心の符号に添え字「１７」を、第１８メインスペーサ５１７Ｒの中心の符号に添え字「１８」を、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。

第１２メインスペーサ５１７Ｌは、図２６に示すように、中心５１７ＣＥ１２が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥに対して図２６の左斜め上向きに位置ずれしている。図２６に示される第１２メインスペーサ５１７Ｌの中心５１７ＣＥ１２の座標値は、（－５，１）である。第１３メインスペーサ５１７Ｍは、図２７に示すように、中心５１７ＣＥ１３が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥに対して図２７の左斜め上向きに位置ずれしている。図３３に示される第１３メインスペーサ５１７Ｍの中心５１７ＣＥ１３の座標値は、（－２，１）である。第１４メインスペーサ５１７Ｎは、図２８に示すように、中心５１７ＣＥ１４が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥに対して図２８の上向きに位置ずれしている。図３３に示される第１４メインスペーサ５１７Ｎの中心５１７ＣＥ１４の座標値は、（０，１）である。第１５メインスペーサ５１７Ｏは、図２９に示すように、中心５１７ＣＥ１５が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥに対して図２９の右向きに位置ずれしている。図３３に示される第１５メインスペーサ５１７Ｏの中心５１７ＣＥ１５の座標値は、（１，０）である。第１６メインスペーサ５１７Ｐは、図３０に示すように、中心５１７ＣＥ１６が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥに対して図３０の左斜め下向きに位置ずれしている。図３３に示される第１６メインスペーサ５１７Ｐの中心５１７ＣＥ１６の座標値は、（－５，－２）である。第１７メインスペーサ５１７Ｑは、図３１に示すように、中心５１７ＣＥ１７が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥに対して図３１の左斜め下向きに位置ずれしている。図３３に示される第１７メインスペーサ５１７Ｑの中心５１７ＣＥ１７の座標値は、（－２，－２）である。第１８メインスペーサ５１７Ｒは、図３２に示すように、中心５１７ＣＥ１８が、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥに対して図３２の下向きに位置ずれしている。図３３に示される第１８メインスペーサ５１７Ｒの中心５１７ＣＥ１８の座標値は、（０，－２）である。

重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒは、図２６から図３２に示すように、各中心５１７ＣＥ１２～５１７ＣＥ１８が、ＴＦＴ５１９のチャネル部を含む島状の半導体部５１９Ｄの外端よりも内側に位置している。つまり、本実施形態では、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒが、上記した実施形態１に比べると、ＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥ（座標系の原点）の近くに集約して配されている、と言える。重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒのうち、第１２メインスペーサ５１７Ｌ、第１３メインスペーサ５１７Ｍ、第１６メインスペーサ５１７Ｐ、第１７メインスペーサ５１７Ｑ及び第１８メインスペーサ５１７Ｒは、重畳対象のＴＦＴ５１９に備わるドレイン電極５１９Ｃよりもソース電極５１９Ｂの近くに配されている。つまり、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒのうちの過半数となる５つのメインスペーサ５１７Ｌ，５１７Ｍ，５１７Ｐ，５１７Ｑ，５１７Ｒは、ソース電極５１９Ｂ寄りに配されている。中でも、第１２メインスペーサ５１７Ｌ、第１６メインスペーサ５１７Ｐ及び第１７メインスペーサ５１７Ｑは、それぞれの中心５１７ＣＥ１２，５１７ＣＥ１６，５１７ＣＥ１７が、重畳対象のＴＦＴ５１９のソース電極５１９Ｂとそれぞれ重畳して配されている。これに対し、第１４メインスペーサ５１７Ｎ及び第１５メインスペーサ５１７Ｏは、重畳対象のＴＦＴ５１９に備わるソース電極５１９Ｂよりもドレイン電極５１９Ｃの近くに配されている。第１４メインスペーサ５１７Ｎ及び第１５メインスペーサ５１７Ｏは、それぞれの中心５１７ＣＥ１４，５１７ＣＥ１５が、いずれも重畳対象のＴＦＴ５１９のドレイン電極５１９Ｃとは非重畳となる配置とされる。以上により、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒは、ソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃのうち、ソース電極５１９Ｂ寄りに偏在している、と言える。なお、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒは、いずれもドレイン電極５１９Ｃとの重畳面積よりもソース電極５１９Ｂとの重畳面積の方が大きい。

上記した実施形態１でも説明した通り、ＴＦＴ５１９を構成するソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃは、島状の半導体部５１９Ｄとの接触面積が互いに異なっており、ソース電極５１９Ｂの接触面積がドレイン電極５１９Ｃの接触面積よりも大きい。アレイ基板１２の内面のうち、ソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃと重畳する部分は、最も高い部位である。そして、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒは、ソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃのうち、島状の半導体部５１９Ｄとの接触面積が大きいソース電極５１９Ｂ寄りに偏在しているので、アレイ基板１２と対向基板との貼り合わせる際に位置ずれが生じた場合でも、アレイ基板１２の内面に対するメインスペーサ５１７の接触面積を十分に確保することができる。これにより、アレイ基板１２と対向基板との間の間隔がより良好に保持される。

上記した効果を検証するため、比較実験を行った。この比較実験では、全てのメインスペーサが重畳対象のＴＦＴと同心に配された液晶パネルを比較例とし、本段落以前に記載した液晶パネル１０を実施例としている。比較例は、ＴＦＴに対するメインスペーサの配置以外の構成は、全て実施例と同様である。比較実験では、これら比較例及び実施例に関して、アレイ基板の表示領域の内面に対する全てのメインスペーサの接触面積の和を、アレイ基板の表示領域の内面の総面積にて除して算出されるメインスペーサの接触比率と、対向基板とアレイ基板とを貼り合わせる際に生じるずれ量と、の関係をシミュレーションにより得た。詳しくは、比較実験では、アレイ基板に対して対向基板がＸ軸方向に±５μｍの範囲で位置ずれした場合と、アレイ基板に対して対向基板がＹ軸方向に±５μｍの範囲で位置ずれした場合と、において、それぞれメインスペーサの接触比率を計算した。実験結果は、図３４及び図３５に示される通りである。図３４には、比較例の実験結果が示され、図３５には、実施例の実験結果が示されている。図３４及び図３５は、上記したメインスペーサの接触比率と、アレイ基板に対する対向基板のＸ軸方向及びＹ軸方向のずれ量と、の関係を示す表である。図３４及び図３５の各表に示されるメインスペーサの接触比率の単位は、無単位である。図３４及び図３５の各表には、アレイ基板に対する対向基板のＸ軸方向のずれ量が、「Ｘ軸方向のずれ量」と表記され、アレイ基板に対する対向基板のＹ軸方向のずれ量が、「Ｙ軸方向のずれ量」と表記されている。「Ｘ軸方向のずれ量」に示される（＋）の符号は、アレイ基板に対して対向基板が図２６から図３２の右側に位置ずれすることを意味する。「Ｘ軸方向のずれ量」に示される（－）の符号は、アレイ基板に対して対向基板が図２６から図３２の左側に位置ずれすることを意味する。「Ｙ軸方向のずれ量」に示される（＋）の符号は、アレイ基板に対して対向基板が図２６から図３２の上側に位置ずれすることを意味する。「Ｙ軸方向のずれ量」に示される（－）の符号は、アレイ基板に対して対向基板が図２６から図３２の下側に位置ずれすることを意味する。

比較実験の実験結果について説明する。図３４及び図３５によれば、比較例及び実施例は、いずれもＸ軸方向及びＹ軸方向のずれ量が０μｍ付近において、メインスペーサの接触比率が最大となり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のずれ量が±５μｍ付近において、メインスペーサの接触比率が最小となっている。これは、ずれ量が大きくなるほど、アレイ基板の内面に対するメインスペーサの接触面積が減少する傾向にあることを示している。図３４によれば、比較例においては、メインスペーサの接触比率の最大値が「０．０３４」であり、メインスペーサの接触比率の最小値が「０．０１２」であり、その差は「０．０２２」である。図３５によれば、実施例においては、メインスペーサの接触比率の最大値が「０．０２９８」であり、メインスペーサの接触比率の最小値が「０．０１６」であり、その差は「０．０１３８」である。比較例は、実施例に比べると、メインスペーサの接触比率の最大値が大きいものの、最小値が小さく、最大値と最小値との差が大きい。このことから、比較例は、アレイ基板に対して対向基板が位置ずれした場合に、ずれ量に応じてメインスペーサの接触比率が大きく変動する、と言える。これに対し、実施例は、比較例に比べると、メインスペーサの接触比率の最大値が小さく、最小値が大きく、最大値と最小値との差が小さい。このことから、実施例は、アレイ基板に対して対向基板が位置ずれした場合に、ずれ量がどの程度であってもメインスペーサの接触比率がそれほど変動せず、ばらつきが小さい、と言える。従って、実施例によれば、アレイ基板に対して対向基板が位置ずれした場合でも、メインスペーサ５１７の接触比率がばらつき難くなっており、対向基板とアレイ基板との間の間隔を安定的に保持することができる。

また、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒのうち、第１２メインスペーサ５１７Ｌ、第１３メインスペーサ５１７Ｍ、第１６メインスペーサ５１７Ｐ及び第１７メインスペーサ５１７Ｑは、図２６，図２７，図３０及び図３１に示すように、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥから視て青色画素ＢＰＸ寄りに配されている。つまり、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒのうちの過半数となる４つのメインスペーサ５１７Ｌ，５１７Ｍ，５１７Ｐ，５１７Ｑは、青色画素ＢＰＸ寄りに配されている。一方、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒのうち、第１５メインスペーサ５１７Ｏは、図２９に示すように、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥから視て赤色画素ＲＰＸ寄りに配されている。重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒのうち、第１４メインスペーサ５１７Ｎ及び第１８メインスペーサ５１７Ｒは、図２８及び図３２に示すように、青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの中間に配されている。このように、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ５１７Ｌ～５１７Ｒは、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸのうち、青色画素ＢＰＸ寄りに偏在している、と言える。このようにすれば、メインスペーサ５１７と、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界に臨む青色画素ＢＰＸと重畳する画素開口部５２４ＯＰの開口縁と、の間の平均距離と、メインスペーサ５１７と、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界に臨む赤色画素ＲＰＸと重畳する画素開口部５２４ＯＰの開口縁と、の間の平均距離と、を比較すると、前者が後者よりも小さい。このため、青色画素ＢＰＸでの表示には、赤色画素ＲＰＸでの表示に比べると、メインスペーサ５１７に起因して悪影響が及び易いものの、青色画素ＢＰＸは、最も比視感度が低いので、表示不良が視認され難い。これにより、全体の表示品位をより良好に保つことができる。

特に、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥから視て青色画素ＢＰＸ寄りに配される４つのメインスペーサ５１７Ｌ，５１７Ｍ，５１７Ｐ，５１７Ｑのうち、第１２メインスペーサ５１７Ｌ及び第１６メインスペーサ５１７Ｐは、図２６及び図３０に示すように、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸと重畳する２つの画素開口部５２４ＯＰの開口縁との間の最短距離Ｄ１２，Ｄ１６が、同値で且つ全てのメインスペーサ５１７の中で最も小さい。しかしながら、第１２メインスペーサ５１７Ｌ及び第１６メインスペーサ５１７Ｐは、重畳対象のＴＦＴ５１９の中心５１９ＣＥから視て青色画素ＢＰＸ寄りに配されている。すなわち、第１２メインスペーサ５１７Ｌ及び第１６メインスペーサ５１７Ｐは、全てのメインスペーサ５１７の中でも青色画素ＢＰＸと重畳する画素開口部５２４ＯＰの開口縁に最も近い配置であることから、青色画素ＢＰＸでの表示に、各メインスペーサ５１７Ｌ，５１７Ｐに起因して悪影響が及んだとしても、青色画素ＢＰＸは、最も比視感度が低いので、表示不良が視認され難い。これにより、全体の表示品位を一層良好に保つことができる。

以上説明したように本実施形態によれば、ＴＦＴ５１９は、ゲート電極５１９Ａと、ゲート電極５１９Ａとゲート絶縁膜２７を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部５１９Ｄと、島状の半導体部５１９Ｄの一部に接するソース電極５１９Ｂと、ソース電極５１９Ｂと間隔を空けて配されて島状の半導体部５１９Ｄの一部に接するドレイン電極５１９Ｃと、を有しており、ソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃは、島状の半導体部５１９Ｄとの接触面積が互いに異なっており、複数のメインスペーサ５１７は、ソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃのうち、上記した接触面積が大きいソース電極５１９Ｂ寄りに偏在する。ゲート電極５１９Ａに供給される信号に基づいてＴＦＴ５１９が駆動されると、チャネル部を介してソース電極５１９Ｂとドレイン電極５１９Ｃとが通電される。ゲート電極５１９Ａに対してゲート絶縁膜２７を介して重畳する島状の半導体部５１９Ｄに、ソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃがそれぞれ接していることから、ＴＦＴ５１９のうちのソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃと重畳する部分は、最も高い（厚い）部位である。メインスペーサ５１７は、アレイ基板１２のうち、ＴＦＴ５１９の最も高い部位であるソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃと重畳する部分と主に接する。複数のメインスペーサ５１７は、ソース電極５１９Ｂ及びドレイン電極５１９Ｃのうち、島状の半導体部５１９Ｄとの接触面積が大きいソース電極５１９Ｂ寄りに偏在しているので、アレイ基板１２と対向基板１１との貼り合わせる際に位置ずれが生じた場合でも、アレイ基板１２に対するメインスペーサ５１７の接触面積を十分に確保することができる。これにより、アレイ基板１２と対向基板１１との間の間隔がより良好に保持される。

また、対向基板１１は、複数の画素電極５２０のそれぞれと重畳する複数の画素開口部５２４ＯＰを有し、複数のメインスペーサ５１７と重畳して配される遮光部５２４を備えており、複数のメインスペーサ５１７は、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸ及び赤色画素ＲＰＸのうち、青色画素ＢＰＸ寄りに偏在する。このようにすれば、メインスペーサ５１７と、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界に臨む青色画素ＢＰＸの画素電極５２０と重畳する画素開口部５２４ＯＰの開口縁と、の間の平均距離と、メインスペーサ５１７と、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界に臨む赤色画素ＲＰＸの画素電極５２０と重畳する画素開口部５２４ＯＰの開口縁と、の間の平均距離と、を比較すると、前者が後者よりも小さい。このため、青色画素ＢＰＸでの表示には、赤色画素ＲＰＸでの表示に比べると、メインスペーサ５１７に起因して悪影響が及び易いものの、青色画素ＢＰＸは、最も比視感度が低いので、表示不良が視認され難い。これにより、全体の表示品位をより良好に保つことができる。

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

（１）重畳関係が異なるメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７の数は、５つや７つ以外にも適宜に変更可能である。

（２）図７に示される範囲において、重畳関係が異なる７つのメインスペーサ１７Ａ～１７Ｇの具体的な配置は、図７での図示以外にも適宜に変更可能である。

（３）重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７が全て配される表示領域ＡＡの範囲は、図７にて図示された範囲（画素ＰＸがＸ軸方向に沿って２７個並び、Ｙ軸方向に９個並ぶ範囲）以外にも適宜に変更可能である。

（４）重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７の、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９の中心１９ＣＥ，３１９ＣＥ，４１９ＣＥ，５１９ＣＥに対する具体的な配置は、適宜に変更可能である。

（５）実施形態１から実施形態５の変形例として、例えば、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７は、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９の中心１９ＣＥ，３１９ＣＥ，４１９ＣＥ，５１９ＣＥと同心となる正三角形、正五角形、または正七角形以上の正多角形の各頂点と同心となる位置に配されてもよい。また、実施形態１から実施形態５の変形例として、例えば、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７は、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９の中心１９ＣＥ，３１９ＣＥ，４１９ＣＥ，５１９ＣＥと同心となる非正三角形（不等辺三角形及び二等辺三角形を含む）、長方形、平行四辺形、菱形、台形等の非正多角形の各頂点と同心となる位置に配されてもよい。

（６）実施形態６の変形例として、例えば、重畳関係が異なる複数のメインスペーサ５１７は、重畳対象のＴＦＴ５１９に最も近い境界を挟む青色画素ＢＰＸの画素電極５２０及び赤色画素ＲＰＸの画素電極５２０と重畳する２つの画素開口部５２４ＯＰの開口縁との間の最短距離が全て異なる位置に配されてもよい。

（７）実施形態１～５の変形例として、複数のメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７に、重畳対象のＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９と同心に配されるメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７が含まれなくてもよい。

（８）実施形態６の変形例として、複数のメインスペーサ５１７に、重畳対象のＴＦＴ５１９と同心に配されるメインスペーサ５１７が含まれてもよい。

（９）実施形態１，３，４，６の変形例として、各メインスペーサ１７，２１７，３１７，５１７の座標値の具体的な値は、適宜に変更可能である。

（１０）実施形態１～３，５の変形例として、重畳対象のＴＦＴ１９，１１９，４１９の中心１９ＣＥ，４１９ＣＥとは非同心となる６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇ，２１７Ｂ～２１７Ｇ，４１７Ｂ，４１７Ｅ，４１７Ｆの各中心１７ＣＥ２～１７ＣＥ７，２１７ＣＥ２～２１７ＣＥ７，４１７ＣＥ２，４１７ＣＥ５，４１７ＣＥ６は、第１メインスペーサ１７Ａ，１１７Ａ，２１７Ａ，３１７Ａの外端部よりも内周側に存していたり、外端部よりも外周側に存していてもよい。

（１１）実施形態２の変形例として、４つの第５遮光部２４Ｅの径寸法及び面積の和は、サブスペーサ１１８を取り囲む４つの第４遮光部１２４Ｄの径寸法及び面積の和とは異なっていてもよい。

（１２）実施形態２の変形例として、第１メインスペーサ１１７Ａに係る最短距離は、他の６つのメインスペーサ１７Ｂ～１７Ｇに係る最短距離Ｄ２～Ｄ７と異なっていてもよい。

（１３）実施形態３の変形例として、複数のメインスペーサ２１７に係る配置は、実施形態１に記載した複数のメインスペーサ１７に係る配置を、原点周りに９０度以外の角度（例えば３０度、４５度、６０度等）回転させたものでもよい。

（１４）実施形態４の変形例として、重畳対象のＴＦＴ３１９の中心３１９ＣＥとは非同心となる４つのメインスペーサ３１７Ｈ～３１７Ｋの各中心３１７ＣＥ８～３１７ＣＥ１１は、第１メインスペーサ３１７Ａの外端部上に存していたり、外端部よりも外周側に存していてもよい。

（１５）実施形態５の変形例として、第１メインスペーサ、第３メインスペーサ、第４メインスペーサ及び第７メインスペーサのいずれかの一部と、ゲート配線４２１またはソース配線４２２の一部と、の双方と重畳する重畳部が設けられてもよい。この場合に設けられる重畳部の構成は、実施形態５にて説明した重畳部２９～３４と同様である。

（１６）メインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７は、対向基板１１，４１１とアレイ基板１２，４１２とに分けて設けられてもよい。その場合、対向基板１１，４１１に設けられた第１メインスペーサ構成部と、アレイ基板１２，４１２に設けられた第２メインスペーサ構成部と、が互いに重畳する配置とし、互いに接するようにすればよい。

（１７）メインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７の平面形状は、円形以外にも、例えば楕円形、四角形、三角形、五角形以上の多角形等に変更可能である。

（１８）サブスペーサ１８，１１８の設置数及び設置比率は、適宜に変更可能である。メインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７及びサブスペーサ１８，１１８がいずれも重畳配置されないＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９の数も適宜に変更可能である。

（１９）ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９を構成するソース電極１９Ｂ，４１９Ｂ，５１９Ｂ及びドレイン電極１９Ｃ，４１９Ｃ，５１９Ｃの具体的な平面形状、大きさ、チャネル部を含む島状の半導体部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄとの接触面積等は、適宜に変更可能である。その場合、島状の半導体部部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄとのソース電極１９Ｂ，４１９Ｂ，５１９Ｂの接触面積と、島状の半導体部部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄとのドレイン電極１９Ｃ，４１９Ｃ，５１９Ｃの接触面積と、が同等になってもよい。さらには、島状の半導体部部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄとのドレイン電極１９Ｃ，４１９Ｃ，５１９Ｃの接触面積が、島状の半導体部部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄとのソース電極１９Ｂ，４１９Ｂ，５１９Ｂの接触面積よりも大きくなってもよい。

（２０）ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９を構成するゲート電極１９Ａ，４１９Ａ，５１９Ａの具体的な平面形状、大きさ、島状の半導体部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄとの重畳面積等は、適宜に変更可能である。

（２１）ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９を構成する島状の半導体部部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄの具体的な平面形状、大きさ等は、適宜に変更可能である。

（２２）上記した（１９）～（２１）のように、各電極１９Ａ，４１９Ａ，５１９Ａ，１９Ｂ，４１９Ｂ，５１９Ｂ，１９Ｃ，４１９Ｃ，５１９Ｃや島状の半導体部部１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄ等の構成を変更した結果、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は全体として左右対称形状となってもよい。また、島状の半導体膜１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄの外縁が凹凸を含むような複雑な形状の場合、その重心を島状の半導体膜の中心としてもよい。

（２３）画素ＰＸに対するＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９の具体的な配置は、適宜に変更可能である。例えば、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は、接続対象とされる画素電極２０の図３の右下の角位置付近に配されていてもよい。その場合、青色画素ＢＰＸと赤色画素ＲＰＸとの間の境界に最も近いＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は、青色画素ＢＰＸを構成する画素電極２０に接続されるＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９となる。このような構成では、メインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７を、青色画素ＢＰＸを構成する画素電極２０に接続されるＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９に対して重畳配置すればよい。

（２４）上記した（２３）以外にも、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は、接続対象とされる画素電極２０の図３の左上の角位置または右上の角位置に配されていてもよい。

（２５）上記した（２３）及び（２４）以外にも、例えば、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は、画素ＰＸにおけるＸ軸方向の中央位置に配されてもよい。また、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は、画素ＰＸにおけるＸ軸方向の中央位置と、ゲート配線２１，４２１及びソース配線２２，４２２の交差箇所と、の間となる位置に配されてもよい。

（２６）画素ＰＸに対するＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９の配置は、複数種類が併存してもよい。例えば、ある画素行（第１画素行）においては、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は、接続対象とされる画素電極２０の図３の左下の角位置付近に配されるのに対し、次の画素行（第２画素行）においては、ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９は、接続対象とされる画素電極２０の図３の右下の角位置付近に配されてもよい。つまり、画素電極２０に対してＸ軸方向の一方側に偏在するＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９と、画素電極２０に対してＸ軸方向の他方側に偏在するＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９と、が１画素行毎に繰り返し配列される千鳥配列であってもよい。この場合、複数のメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７には、赤色画素ＲＰＸを構成する画素電極２０に接続されるＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９に対して重畳配置されるメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７と、青色画素ＢＰＸを構成する画素電極２０に接続されるＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９に対して重畳配置されるメインスペーサ１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７と、が含まれることになる。

（２７）ＴＦＴ１９，１１９，３１９，４１９，５１９の構成は、図面にて示したボトムゲート型以外にも、トップゲート型、ダブルゲート型等でもよい。

（２８）遮光部２４，１２４，５２４の具体的なパターンは、適宜に変更可能である。

（２９）カラーフィルタ２３は、アレイ基板１２，４１２に設けられてもよい。その場合、画素ＰＸを構成する画素電極２０及びカラーフィルタ２３が共にアレイ基板１２，４１２に設けられることになり、対向基板１１，４１１には、画素ＰＸの構成要素が設けられない。

（３０）画素ＰＸは、アレイ基板１２，４１２に設けられた自発光素子により構成されてもよい。その場合、画素電極２０及びカラーフィルタ２３を共に省略したり、画素電極２０のみを省略したりすることが可能となる。

（３１）画素ＰＸの色数は、４色以上でもよい。追加する画素ＰＸは、黄色の波長領域（約５７０ｎｍ～約６００ｎｍ）に含まれる黄色光を出射可能な黄色画素や全波長領域の光を出射可能な白色画素等であってもよい。

（３２）配向膜は、光配向処理がなされるタイプに限らず、ラビング処理がなされるタイプであってもよい。

１０，１１０，４１０，５１０…液晶パネル（表示装置）、１１，４１１…対向基板、１２，４１２…アレイ基板、１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７…メインスペーサ（スペーサ）、１７ＣＥ，５１７ＣＥ…中心、１８，１１８…サブスペーサ、１９，１１９，３１９，４１９，５１９…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１９Ａ，４１９Ａ，５１９Ａ…ゲート電極、１９Ｂ，４１９Ｂ，５１９Ｂ…ソース電極、１９Ｃ，４１９Ｃ，５１９Ｃ…ドレイン電極、１９ＣＥ，３１９ＣＥ，４１９ＣＥ，５１９ＣＥ…中心、１９Ｄ，４１９Ｄ，５１９Ｄ…半導体部、２０，１２０，５２０…画素電極、２１，４２１…ゲート配線、２２，４２２…ソース配線、２３…カラーフィルタ、２４，１２４，５２４…遮光部、２４ＯＰ，１２４ＯＰ，５２４ＯＰ…画素開口部、２７，４２７…ゲート絶縁膜、２９…第１重畳部、３０…第２重畳部、３１…第３重畳部、３２…第４重畳部、ＢＰＸ…青色画素（第２画素）、ＧＰＸ…緑色画素（第１画素）、ＰＸ…画素、ＲＰＸ…赤色画素（第３画素）

Claims (14)

1. アレイ基板と、
   前記アレイ基板と間隔を空けて対向する対向基板と、
   前記アレイ基板または前記対向基板に設けられ、異なる色を呈する複数のカラーフィルタと、
   前記アレイ基板に設けられ、前記複数のカラーフィルタと重畳する複数の画素電極と、
   前記複数のカラーフィルタと前記複数の画素電極とで構成され、比視感度が異なる複数の画素と、
   前記アレイ基板に設けられ、複数の前記画素電極のそれぞれに接続される複数の薄膜トランジスタと、
   少なくとも前記対向基板に設けられ、前記対向基板から前記アレイ基板に向けて突出し、複数の前記薄膜トランジスタの少なくとも一部ずつと重畳して配される複数のスペーサと、を備え、
   複数の前記画素には、前記比視感度が最も高い第１画素と、前記比視感度が最も低い第２画素と、前記第２画素に隣り合って配されて前記第１画素よりも前記比視感度が低くて前記第２画素よりも前記比視感度が高い第３画素と、が複数ずつ含まれ、
   複数の前記スペーサには、重畳する前記薄膜トランジスタとの重畳関係が異なる複数のスペーサが含まれ、
   前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサは、それぞれの重畳対象となるのが、前記第２画素と前記第３画素との間の境界に最も近い前記薄膜トランジスタとされる表示装置。
2. 前記対向基板は、複数の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の画素開口部を有し、複数の前記スペーサと重畳して配される遮光部を備えており、
   前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサには、重畳対象の前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界を挟む前記第２画素の前記画素電極及び前記第３画素の前記画素電極と重畳する２つの前記画素開口部の開口縁からの最短距離が等しい複数の前記スペーサが含まれる請求項１記載の表示装置。
3. 前記最短距離が等しい複数の前記スペーサは、前記スペーサの中心と重畳対象の前記薄膜トランジスタの中心との間の距離が互いに等しい請求項２記載の表示装置。
4. 前記最短距離が等しい複数の前記スペーサは、重畳対象となる前記薄膜トランジスタの中心と同心となる正多角形の各頂点と、同心となる位置に配される請求項３記載の表示装置。
5. 前記遮光部は、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサのそれぞれと重畳する複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれに最も近い複数の前記境界を挟む複数ずつの前記第２画素の前記画素電極及び前記第３画素の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の前記画素開口部のうち、複数の前記第２画素の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の前記画素開口部の平面形状が同一とされ、複数の前記第３画素の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の前記画素開口部の平面形状が同一とされる請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記最短距離が等しい複数の前記スペーサは、重畳対象の前記薄膜トランジスタの中心と重畳して配される請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサには、重畳対象の前記薄膜トランジスタと同心に配される前記スペーサが含まれ、
   前記同心に配される前記スペーサは、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサよりも前記最短距離が大きい請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサには、重畳対象の前記薄膜トランジスタと同心に配される前記スペーサが含まれ、
   前記同心に配される前記スペーサは、前記最短距離が等しい複数の前記スペーサと前記最短距離が同一とされる請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 少なくとも前記対向基板に設けられ、前記対向基板から前記アレイ基板に向けて突出し、その突出寸法が前記スペーサよりも小さい複数のサブスペーサを備え、
   複数の前記サブスペーサは、複数の前記薄膜トランジスタのうち、複数の前記スペーサが非配置とされる複数の前記薄膜トランジスタの少なくとも一部ずつと重畳して配されており、
   前記遮光部は、複数の前記サブスペーサと重畳して配され、複数の前記画素開口部のうち、複数の前記サブスペーサのそれぞれと重畳する複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれに接続される複数の前記画素電極と重畳する複数の前記画素開口部の平面形状と、前記同心に配される前記スペーサと重畳する前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界を挟む前記第２画素の前記画素電極及び前記第３画素の前記画素電極と重畳する２つの前記画素開口部の平面形状と、が同一とされる請求項８記載の表示装置。
10. 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部と、前記半導体部の一部に接するソース電極と、前記ソース電極と間隔を空けて配されて前記半導体部の一部に接するドレイン電極と、を有しており、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記半導体部との接触面積が互いに異なっており、
    複数の前記スペーサは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち、前記接触面積が大きい電極寄りに偏在する請求項１記載の表示装置。
11. 前記対向基板は、複数の前記画素電極のそれぞれと重畳する複数の画素開口部を有し、複数の前記スペーサと重畳して配される遮光部を備えており、
    複数の前記スペーサは、重畳対象の前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界を挟む前記第２画素及び前記第３画素のうち、前記第２画素寄りに偏在する請求項１０記載の表示装置。
12. 前記スペーサと重畳する前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界に沿って延在するソース配線と、前記ソース配線と交差するゲート配線と、を備え、
    前記薄膜トランジスタは、第１導電膜からなるゲート電極と、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部と、第２導電膜からなり前記半導体部の一部に接するソース電極と、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極とは別の部分からなり前記ソース電極と間隔を空けて配されて前記半導体部の一部に接するドレイン電極と、を有しており、
    前記ゲート配線は、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極とは別の部分からなって前記ゲート電極に連なり、
    前記ソース配線は、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは別の部分からなって前記ソース電極に連なり、
    前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサに含まれる前記スペーサと前記ゲート配線との一部ずつと重畳して配され、前記半導体膜のうちの前記半導体部とは別の部分からなる第１重畳部と、
    前記第１重畳部と重畳して配され、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ソース配線とは別の部分からなる第２重畳部と、
    を備える請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサに含まれる前記スペーサと前記ソース配線との一部ずつと重畳して配され、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極及び前記ゲート配線とは別の部分からなる第３重畳部と、
    前記第３重畳部と重畳して配され、前記半導体膜のうちの前記半導体部及び前記第１重畳部とは別の部分からなる第４重畳部と、を備える請求項１２記載の表示装置。
14. 前記スペーサと重畳する前記薄膜トランジスタに最も近い前記境界に沿って延在するソース配線と、前記ソース配線と交差するゲート配線と、を備え、
    前記薄膜トランジスタは、第１導電膜からなるゲート電極と、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重畳して配され、半導体膜からなりチャネル部を含む島状の半導体部と、第２導電膜からなり前記半導体部の一部に接するソース電極と、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極とは別の部分からなり前記ソース電極と間隔を空けて配されて前記半導体部の一部に接するドレイン電極と、を有しており、
    前記ゲート配線は、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極とは別の部分からなって前記ゲート電極に連なり、
    前記ソース配線は、前記第２導電膜のうちの前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは別の部分からなって前記ソース電極に連なり、
    前記重畳関係が異なる複数の前記スペーサに含まれる前記スペーサと前記ソース配線との一部ずつと重畳して配され、前記第１導電膜のうちの前記ゲート電極及び前記ゲート配線とは別の部分からなる第３重畳部と、
    前記第３重畳部と重畳して配され、前記半導体膜のうちの前記半導体部とは別の部分からなる第４重畳部と、を備える請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。

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