JP2023095525A - 半導体加工用粘着テープ、及び、電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えば支持体と半導体デバイスとを固定した状態で半導体デバイスを処理する場合等に用いられる半導体加工用粘着テープであって、半導体デバイスの処理後、支持体との界面よりも先に半導体デバイスとの界面で容易に剥離する半導体加工用粘着テープを提供する。また、該半導体加工用粘着テープを用いた電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】基材と、前記基材の一方の面に積層された気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）と、前記基材の他方の面に積層された粘着剤層（Ｂ）とを有し、前記基材は、前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に接する面に離型処理部を有し、前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、ガラス板に対する粘着力が０．１Ｎ／ｉｎｃｈ以上である半導体加工用粘着テープ。【選択図】図４

Description

本発明は、半導体加工用粘着テープ、及び、電子部品の製造方法に関する。

電子部品の製造工程においては、ウエハ等の半導体デバイスの加工時に取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために半導体デバイスを支持体に固定することが行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、粘着テープを介して厚膜ウエハを支持体に固定することが行われる。

支持体と半導体デバイスとを固定する粘着テープには、加工工程中に半導体デバイスを強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後には半導体デバイスを損傷することなく剥離できることが求められる（以下、「高接着易剥離」ともいう。）。
このような粘着テープとして、例えば、特許文献１には、少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する両面粘着テープが記載されている。また、特許文献２には、支持板と接着する側の粘着剤層が、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものであり、かつ、該支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の基材に、一定の条件を満たすドット状の離型処理が施されている半導体加工用両面粘着テープが記載されている。

特開２００３－２３１８７２号公報 国際公開第２００９／０７５１９６号公報

近年、電子部品の製造工程においては、処理後の半導体デバイスを回収する直前まで支持体上に保持させておくことが求められている。また、工程数の削減も要求されている。
しかしながら、特許文献１及び２に記載のような従来の粘着テープは、気体発生剤を含有する粘着剤層を支持体に貼り合わせて用いられる粘着テープであり、半導体デバイスの処理後、該気体発生剤を含有する粘着剤層から気体を発生させるものである。このような粘着テープを用いた場合、気体の発生により先ず支持体との界面で剥離し、その後、処理後の半導体デバイスから粘着テープを剥離することから、処理後の半導体デバイスを回収する直前まで支持体上に保持させておくことは難しく、また、処理後の半導体デバイスを回収するまでに必要な工程数も多い。
気体発生剤を含有する粘着剤層を、支持体ではなく半導体デバイスに貼り合わせることも考えられるが、この場合、気体発生剤を含有する粘着剤層に光を照射しようとすると、支持体だけでなく粘着テープの基材を介して光を照射することになる。このため、気体を充分に発生させることは難しく、粘着テープの設計自由度も低下する。

本発明は、例えば支持体と半導体デバイスとを固定した状態で半導体デバイスを処理する場合等に用いられる半導体加工用粘着テープであって、半導体デバイスの処理後、支持体との界面よりも先に半導体デバイスとの界面で容易に剥離する半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。また、本発明は、該半導体加工用粘着テープを用いた電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、基材と、上記基材の一方の面に積層された気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）と、上記基材の他方の面に積層された粘着剤層（Ｂ）とを有し、上記基材は、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に接する面に離型処理部を有し、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、ガラス板に対する粘着力が０．１Ｎ／ｉｎｃｈ以上である半導体加工用粘着テープである。
以下、本発明を詳述する。

本発明者らは、基材と、上記基材の一方の面に積層された気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）と、上記基材の他方の面に積層された粘着剤層（Ｂ）とを有する半導体加工用粘着テープについて検討した。更に、本発明者らは、このような半導体加工用粘着テープにおいて、上記基材の上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に接する面に離型処理部を形成するとともに、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）のガラス板に対する粘着力を一定値以上に高めることを検討した。本発明者らは、このような半導体加工用粘着テープであれば、半導体デバイスの処理後、支持体との界面よりも先に半導体デバイスとの界面で容易に剥離できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明の半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に積層された気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）と、上記基材の他方の面に積層された粘着剤層（Ｂ）とを有し、上記基材は、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に接する面に離型処理部を有する。
本発明の半導体加工用粘着テープは、例えば支持体と半導体デバイスとを固定した状態で半導体デバイスを処理する場合等に用いられる。このような場合、本発明の半導体加工用粘着テープは、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を支持体に、上記粘着剤層（Ｂ）を半導体デバイスに貼り合わせて用いられる。

図３に、本発明の半導体加工用粘着テープを用いて支持体と半導体デバイスとを固定した状態の一例を模式的に示した断面図を示す。
図３において、半導体加工用粘着テープ１は、基材１１と、基材１１の一方の面に積層された気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）１２と、基材１１の他方の面に積層された粘着剤層（Ｂ）１３とを有する。基材１１は、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）１２に接する面に離型処理部１１１を有している。気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）１２が支持体２に、粘着剤層（Ｂ）１３が半導体デバイス３に貼り合わされており、この状態で半導体デバイス３の処理が行われる。

本発明の半導体加工用粘着テープにおいて、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、ガラス板に対する粘着力の下限が０．１Ｎ／ｉｎｃｈである。
上記ガラス板に対する粘着力が０．１Ｎ／ｉｎｃｈ以上であれば、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の支持体に対する接着性が高くなる。これにより、半導体デバイスの処理後、刺激を与えることにより上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）から気体が発生した際、発生した気体は、支持体と上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との界面には放出されにくい。一方、上記基材が上記離型処理部を有することで、上記離型処理部においては上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との間の接着性が低下していることから、発生した気体は、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）と上記基材との界面の上記離型処理部に該当する部位に放出されやすくなる。発生した気体が上記離型処理部に該当する部位に放出されることで、上記基材は上記離型処理部に沿って波打った形状（波状）に変形し、結果として上記粘着剤層（Ｂ）も変形するため、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面で容易に剥離が生じる。

上記ガラス板に対する粘着力の好ましい下限は０．２５Ｎ／ｉｎｃｈ、より好ましい下限は０．３Ｎ／ｉｎｃｈ、更に好ましい下限は１．０Ｎ／ｉｎｃｈである。上記ガラス板に対する粘着力の上限は特に限定されないが、ガラス等の支持体を容易に再利用可能とする観点から、好ましい上限は２０Ｎ／ｉｎｃｈ、より好ましい上限は１５Ｎ／ｉｎｃｈ、更に好ましくい上限は１０Ｎ／ｉｎｃｈである。

なお、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）のガラス板に対する粘着力は、オートグラフ（ＡＧ－ＩＳ、ロードセル（ＳＢＬ－５０Ｎ）、島津製作所社製、又はその同等品）等を用い、次のように測定することができる。
半導体加工用粘着テープを２５ｍｍ幅に切り出して試験片を作製し、試験片の気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）をガラス板（松浪ガラス工業社製、大型スライドガラス白縁磨Ｎｏ．２）に対向するように載せ、試験片上に３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、試験片とガラス板とを貼り合わせる。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製する。試験サンプルについて１００℃、２時間の加熱を行い、加熱後の試験サンプルについて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）のガラス板に対する粘着力を測定する。
なお、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）が光硬化型粘着剤層である場合は、試験サンプルについて１００℃で２時間の加熱を行う前に、粘着剤層（Ａ）の硬化を行う。粘着剤層（Ａ）の硬化としては、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの紫外線をガラス板から粘着剤層（Ａ）に向けて照射し、粘着剤層（Ａ）の表面における照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射する。

上記ガラス板に対する粘着力を上記範囲に調整する方法は特に限定されず、例えば、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の組成、厚み等を調整する方法、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）における気体発生剤の種類、含有量等を調整する方法等が挙げられる。

図４に、本発明の半導体加工用粘着テープから半導体デバイスを剥離させた状態の一例を模式的に示した断面図を示す。
図４においては、例えば支持体２側から光を照射する等により、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）１２から気体を発生させる。発生した気体は、支持体２と気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）１２との界面には放出されにくく、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）１２と基材１１との界面の離型処理部１１１に該当する部位に放出されやすい。これにより、基材１１は離型処理部１１１に沿って波打った形状（波状）に変形し、結果として粘着剤層（Ｂ）１３も変形するため、粘着剤層（Ｂ）１３と半導体デバイス（処理後）３との界面で容易に剥離が生じる。

上記基材は特に限定されないが、発生した気体が上記離型処理部に該当する部位に放出した際に上記離型処理部に沿って波打った形状（波状）に変形しやすい基材であることが好ましい。
上記基材の１００℃における引張弾性率Ｅ’は特に限定されないが、好ましい下限は１．０×１０^９Ｐａ、好ましい上限は１．０×１０^１０Ｐａである。上記１００℃における引張弾性率Ｅ’が１．０×１０^９Ｐａ以上であれば、上記基材の強度がより高くなり、半導体加工用粘着テープの強度もより高くなるため、半導体デバイスの処理を良好に行うことができる。上記１００℃における引張弾性率Ｅ’が１．０×１０^１０Ｐａ未満であれば、発生した気体が上記離型処理部に該当する部位に放出した際、上記基材がより変形しやすくなり、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記１００℃における引張弾性率Ｅ’のより好ましい下限は１．８×１０^９Ｐａ、より好ましい上限は４．５×１０^９Ｐａであり、更に好ましい下限は１．６×１０^９Ｐａ、更に好ましい上限は４．０×１０^９Ｐａである。
なお、基材の１００℃における引張弾性率Ｅ’は、以下の方法により測定することができる。
基材を液体窒素に浸漬して－５０℃まで冷却し、その後、粘弾性スペクトロメーター（ＤＶＡ－２００、アイティー計測制御社製、又はその同等品）を用いて、定速昇温引張モード、昇温速度１０℃／分、周波数１０Ｈｚ、静／動力比１．５の条件で３００℃まで昇温し、貯蔵弾性率を測定する。得られた貯蔵弾性率の結果から、１００℃における貯蔵弾性率を引張弾性率Ｅ’とする。

上記基材の窒素ガス透過係数は特に限定されないが、好ましい上限が１００ｃｍ^３・ｍｍ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）である。上記窒素ガス透過係数が１００ｃｍ^３・ｍｍ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であれば、発生した気体が上記離型処理部に該当する部位に放出した際、上記基材が気体を透過しすぎることがなく気体の圧力に押されるため、より変形しやすくなり、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記窒素ガス透過係数のより好ましい上限は８０ｃｍ^３・ｍｍ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）、更に好ましい上限は２０ｃｍ^３・ｍｍ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）である。
上記窒素ガス透過係数の下限は特に限定されないが、好ましい下限は０．０１ｃｍ^３・ｍｍ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）、より好ましい下限は０．０２ｃｍ^３・ｍｍ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）である。
なお、基材の窒素ガス透過係数は、例えば、差圧法ガス透過率測定装置（ＢＴ－３、東洋精機製作所社製、又はその同等品）を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２６－１：２００６に準拠して試験温度２３℃、試験湿度０％ＲＨの条件で測定することができる。

上記基材として、より具体的には、光を透過又は通過する基材が好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
上記基材には、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）及び／又は上記粘着剤層（Ｂ）との接着性を向上させるためのプライマー処理が施されていてもよい。

上記基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１μｍ、好ましい上限は７０μｍである。上記厚みが１μｍ以上であれば、上記基材の強度がより高くなり、半導体加工用粘着テープの強度もより高くなるため、半導体デバイスの処理を良好に行うことができる。上記厚みが７０μｍ以下であれば、発生した気体が上記離型処理部に該当する部位に放出した際、上記基材がより変形しやすくなり、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記厚みのより好ましい下限は３μｍ、より好ましい上限は５０μｍであり、更に好ましい下限は６μｍ、更に好ましい上限は２５μｍである。

本明細書において基材が離型処理部を有するとは、基材の少なくとも一部に離型処理が施された部分が存在すること、より詳細には、離型処理が施された部分と離型処理が施されていない部分（非離型処理部）とが存在することを意味する。離型処理とは、周囲に対して粘着力又は接着性の低い領域を形成する処理をすべて含む。
上記離型処理部の形状は特に限定されず、例えば、ドット（点）形状、ライン（線）形状、ジグザグ形状等が挙げられる。なかでも、上記基材と上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との界面が全体的に剥離してしまうことを抑えつつ上記基材が充分に変形できることから、ドット（点）形状が好ましい。
上記ドット（点）形状は、ドット（点）が上記基材の略全面に規則的に又はランダムに分布していればよく、ドット（点）１つ１つの形状は特に限定されず、例えば、円形状、三角形状、四角形状、星型形状等が挙げられる。

上記離型処理部を形成する方法は特に限定されないが、上記基材にグラビア印刷等の印刷方法により離型剤を塗布する方法が簡便であり好ましい。
上記離型剤は特に限定されず、例えば、シリコン系、長鎖アルキル系、フッ素系の離型剤等を用いることができる。
上記シリコン系離型剤は特に限定されず、例えば、信越化学工業社製のＫＭ７２２Ｔ、ＫＦ４１２ＳＰ等が挙げられる。上記長鎖アルキル系離型剤は特に限定されず、例えば、一方社油脂工業社製のピーロイル１０５０、ピーロイル４０６等が挙げられる。上記フッ素系離型剤は特に限定されず、例えば、スリーエム社製のＥＧＣ－１７２０、日進化成社製のダイフリー等が挙げられる。
また、上記基材に上記離型処理部を形成する方法としては、上記基材の接着性を向上させるためのプライマー処理を施す際に、上記離型処理部をマスクしたうえでプライマー処理を行う方法等も挙げられる。

図１に、本発明の半導体加工用粘着テープにおける基材の離型処理部の一例を示す模式図を示す。また、図２に、本発明の半導体加工用粘着テープにおける基材の離型処理部の別の一例を示す模式図を示す。図１及び図２のいずれにおいても、基材１１は、円形状のドット（点）形状である離型処理部１１１を有している。

上記離型処理部が円形状のドット（点）形状である場合、上記離型処理部の直径は特に限定されないが、好ましい下限は０．３ｍｍ、好ましい上限は１０ｍｍである。上記直径が上記範囲内であれば、発生した気体が上記離型処理部に該当する部位に放出した際、上記基材がより変形しやすくなり、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。また、上記直径が１０ｍｍ以下であれば、上記基材と上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との界面が全体的に剥離してしまうことをより充分に抑えることもできる。
なお、離型処理部の直径は、顕微鏡観察により求めることができる。具体的には、計測顕微鏡（ＮｉｋｏｎＭＭ８８０、ニコン社製、又はその同等品）を用いて、任意の１ｃｍ^２の範囲を計測し、測定範囲中に含まれる各離型処理部の直径を測定する。得られた直径の合計を離型処理部の個数で割って平均することで、離型処理部の直径を求めることができる。なお、ドット（点）１つ１つの形状が楕円である場合、長径と短径の和を２で割った数値を直径として、上記直径の範囲を満たすことが好ましい。ドット（点）１つ１つの形状が円形及び楕円以外である場合、１つの離型処理部の面積から算出した真円換算直径を離型処理部の直径として、上記直径の範囲を満たすことが好ましい。

上記離型処理部が円形状のドット（点）形状である場合、上記離型処理部の密度は特に限定されないが、好ましい下限は１個／ｃｍ^２、好ましい上限は１２個／ｃｍ^２である。上記密度が上記範囲内であれば、発生した気体が上記離型処理部に該当する部位に放出した際、上記基材がより変形しやすくなり、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。また、上記密度が１２個／ｃｍ^２以下であれば、上記基材と上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との界面が全体的に剥離してしまうことをより充分に抑えることもできる。
なお、離型処理部の密度は、計測顕微鏡（ＮｉｋｏｎＭＭ８８０、ニコン社製、又はその同等品）及び目視により、単位面積当たりの離型処理部の個数をカウントすることで求めることができる。個数のカウントにおいて、任意の１ｃｍ^２の範囲において、離型処理部が一部でも含まれる場合は、その離型処理部を１つとカウントする。

なかでも、上記離型処理部は、直径が５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下、密度が１個／ｃｍ^２以上、４個／ｃｍ^２以下である（これを「条件ａ」とする）か、直径が０．３ｍｍ以上、５ｍｍ未満、密度が３個／ｃｍ^２以上、１２個／ｃｍ^２以下である（これを「条件ｂ」とする）ことが好ましい。即ち、上記条件ａのように上記離型処理部の直径が比較的大きい場合は、１ｃｍ^２当たりの個数を比較的少なく調整し、上記条件ｂのように上記離型処理部の直径が比較的小さい場合は、１ｃｍ^２当たりの個数を比較的多く調整することが好ましい。

上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）における気体発生剤は限定されないが、光の照射等の刺激を与えることにより気体を発生する気体発生剤が好ましい。
上記気体発生剤は、ＴＧ－ＤＴＡ（熱重量－示差熱分析）測定にて１５０℃で１時間保持したときの重量減少量が５％以下であることが好ましい。上記重量減少量が５％以下であれば、高温でも上記気体発生剤が安定であり、半導体デバイスの処理を高温でも良好に行うことができる。
なお、気体発生剤のＴＧ－ＤＴＡ測定にて１５０℃で１時間保持したときの重量減少量が５％以下とは、気体発生剤単体を１０℃／ｍｉｎの昇温速度で３５℃から１５０℃まで加温し、１５０℃に達した時点から１時間経過時点までの間の重量減少量が５％以下であることを意味する。

上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができる。また、ケトプロフェンや２－キサントン酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ－テトラゾール、５，５’－ビステトラゾールジアンモニウム塩、５，５’－ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等のテトラゾール化合物又はその塩や、３－アジドメチル－３－メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルベンズアジド、３－アジドメチル－３－メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー（ＧＡＰ）等のアジド基を有するポリマー等の上記１５０℃で１時間保持したときの重量減少量が上記範囲を満たす気体発生剤を用いた場合には、本発明の半導体加工用粘着テープを用いて支持体に固定した半導体デバイスを、スパッタリング等の２００℃以上の高温工程を含む加工に供することができる。これらの気体発生剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、アゾ化合物及びテトラゾール化合物からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。なお、これらの気体発生剤は、主に波長４００ｎｍ以下の紫外線領域の光を照射することにより窒素ガスを発生する。

上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を構成するベースポリマー１００重量部に対する好ましい下限が１重量部、好ましい上限は２００重量部である。上記気体発生剤の含有量が上記範囲内であると、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の粘着力と気体発生性能とを両立することができる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は３重量部、より好ましい上限は１００重量部であり、更に好ましい下限は１０重量部、更に好ましい上限は４０重量部である。

上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、更に、上記気体発生剤への光の照射等の刺激を増幅させる目的により光増感剤を含有してもよい。
上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）が上記光増感剤を含有することで、少ない光の照射により上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）から気体を放出させることができる。上記光増感剤は特に限定されないが、例えば、チオキサントン増感剤が好ましい。

上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を構成するベースポリマーは特に限定されないが、常温で粘着性を有するポリマーが好ましく、（メタ）アクリル系ポリマーがより好ましい。
上記（メタ）アクリル系ポリマーは特に限定されず、例えば、主モノマーとしての（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを、常法により共重合させることにより得られる官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー等が挙げられる。
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルは特に限定されず、例えば、アルキル基の炭素数が２～１８の範囲にある（メタ）アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。

上記（メタ）アクリル系ポリマーは、二重結合等の重合性反応基を有しないことが好ましい。上記（メタ）アクリル系ポリマーが上記重合性反応基を有すると、上記重合性反応基と上記気体発生剤とが反応して上記気体発生剤が消費されてしまい、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の気体発生性能が低下しやすい。
上記（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は特に限定されず、通常２０万～２００万程度である。

上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、更に、凝集力の調節を図る目的で、イソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤層に含まれる多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、更に、帯電防止剤、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤、熱安定剤、酸化防止剤等の公知の添加剤を含有してもよい。

上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限が７５重量％である。上記ゲル分率が７５重量％以上であれば、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）が発泡等を生じることなく良好に気体を発生することができ、上記基材がより変形しやすくなり、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記ゲル分率のより好ましい下限は７８重量％、更に好ましい下限８０重量％である。
上記ゲル分率の上限は特に限定されないが、好ましい上限は９９重量％、より好ましい上限は９８重量％である。
なお、ゲル分率とは、ゲル分の含有量のことを意味し、例えば、粘着剤層（Ａ）を酢酸エチルに浸漬した後、乾燥させたものの重量と、浸漬前の粘着剤層（Ａ）の重量との比を測定することにより求めることができる。

上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の上記基材に対する密着力は特に限定されないが、好ましい下限は０．０５Ｎ／ｉｎｃｈ、好ましい上限は４０Ｎ／ｉｎｃｈである。上記基材に対する密着力が上記範囲内であれば、上記基材と上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との界面が全体的に剥離してしまうことを抑えつつ上記基材が充分に変形することができる。上記基材に対する密着力のより好ましい下限は０．１Ｎ／ｉｎｃｈ、より好ましい上限は２０Ｎ／ｉｎｃｈである。

なお、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の基材に対する密着力は、オートグラフ（ＡＧ－ＩＳ、ロードセル（ＳＢＬ－５０Ｎ）、島津製作所社製、又はその同等品）等を用い、次のように測定することができる。
半導体加工用粘着テープを２５ｍｍ幅に切り出して試験片を作製し、試験片の気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を、測定用両面粘着テープ（＃５６０、積水化学工業株式会社製、又はその同等品）に貼付し、測定用両面粘着テープの他方の面を介して、銅板に固定する。試験片上に３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、試験片、測定用両面粘着テープ及び銅板を貼り合わせる。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製する。試験サンプルについて１００℃、２時間の加熱を行う。加熱後の試験サンプルの上記粘着剤層（Ｂ）及び基材を把持して、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の基材に対する密着力を測定する。
なお、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）が光硬化型粘着剤層である場合は、試験サンプルについて１００℃で２時間の加熱を行う前に、粘着剤層（Ａ）の硬化を行う。粘着剤層（Ａ）の硬化としては、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの紫外線を上記粘着剤層（Ｂ）から気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に向けて照射し、上記粘着剤層（Ｂ）の表面における照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射する。

上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が１μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが上記範囲内であれば、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は１５０μｍであり、更に好ましい下限は１０μｍ、更に好ましい上限は１００μｍである。

上記粘着剤層（Ｂ）は特に限定されず、従来公知の粘着剤層を用いることができるが、光硬化型粘着剤層であることが好ましい。
上記光硬化型粘着剤層は、従来公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマー（以下、単に「重合性ポリマー」ともいう）と、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤層等が挙げられる。

上記粘着剤層（Ｂ）は、シリコーン化合物を含有してもよい。
上記シリコーン化合物は特に限定されないが、上記重合性ポリマーと架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物であることが好ましい。
上記シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、高温環境下に置かれても上記粘着剤層（Ｂ）の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。更に、上記粘着剤層（Ｂ）が硬化型粘着剤層である場合、上記シリコーン化合物が上記重合性ポリマーと架橋可能な官能基を有することにより、光照射又は加熱することにより上記重合性ポリマーと化学反応して上記重合性ポリマーの架橋構造中に取り込まれることから、被着体に上記シリコーン化合物が付着して汚染することが抑制される。また、上記シリコーン化合物を配合することにより、被着体への糊残りを防止する効果も発揮される。

上記シリコーン化合物において、上記重合性ポリマーと架橋可能な官能基の官能価は、例えば２～６価、好ましくは２～４価、より好ましくは２価である。上記重合性ポリマーと架橋可能な官能基は、上記重合性ポリマーに含まれる官能基によって適宜決定されるが、例えば、上記重合性ポリマーが（メタ）アクリル基を有する重合性ポリマーである場合には、（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基を選択することができる。
上記（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基は、不飽和二重結合を有する官能基であり、具体的には例えば、ビニル基、（メタ）アクリル基、アリル基、マレイミド基等が挙げられる。
両末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＸ－２２－１６４、Ｘ－２２－１６４ＡＳ、Ｘ－２２－１６４Ａ、Ｘ－２２－１６４Ｂ、Ｘ－２２－１６４Ｃ、Ｘ－２２－１６４Ｅ等が挙げられる。片末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＸ－２２－１７４ＤＸ、Ｘ－２２－２４２６、Ｘ－２２－２４７５等が挙げられる。アクリル基を有するシリコーン化合物の市販品としては、ダイセルサイテック社製のＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０、ビックケミー社のＢＹＫ３５００、エボニック社のＲＡＤ２２５０等が挙げられる。アクリル基を有するシリコーン化合物の市販品としては、東亞合成社製のＡＣ－ＳＱ ＴＡ－１００、ＡＣ－ＳＱ ＳＩ－２０等が挙げられる。メタクリル基を有するシリコーン化合物の市販品としては、東亞合成社製のＭＡＣ－ＳＱ ＴＭ－１００、ＭＡＣ－ＳＱ ＳＩ－２０、ＭＡＣ－ＳＱ ＨＤＭ等が挙げられる。これらのシリコーン化合物は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。

上記シリコーン化合物の含有量は特に限定されないが、上記粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着ポリマー１００重量部に対して好ましい下限が１重量部、好ましい上限が５０重量部であり、より好ましい下限が１０重量部、より好ましい上限が４０重量部である。上記シリコーン化合物の含有量が上記範囲であることで、より被着体への糊残りを防止することができる。

上記粘着剤層（Ｂ）は、シリコンウエハに貼り合わせて１００℃で２時間加熱した後の上記シリコンウエハに対する粘着力が０．２５Ｎ／ｉｎｃｈ未満であることが好ましい。これにより、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記シリコンウエハに対する粘着力は０．１５Ｎ／ｉｎｃｈ以下であることがより好ましく、０．１Ｎ／ｉｎｃｈ以下であることが更に好ましい。

上記粘着剤層（Ｂ）は、シリコンウエハに貼り合わせて２００℃で１時間加熱した後の上記シリコンウエハに対する粘着力が０．２５Ｎ／ｉｎｃｈ未満であることが好ましい。これにより、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記シリコンウエハに対する粘着力は０．１５Ｎ／ｉｎｃｈ以下であることがより好ましく、０．１Ｎ／ｉｎｃｈ以下であることが更に好ましい。

なお、粘着剤層（Ｂ）のシリコンウエハに貼り合わせて１００℃で２時間又は２００℃で１時間加熱した後のシリコンウエハに対する粘着力は、例えば、オートグラフ（ＡＧ－ＩＳ、ロードセル（ＳＢＬ－５０Ｎ）、島津製作所社製、又はその同等品）等を用いて、次のようにして求めることができる。
半導体加工用粘着テープを２５ｍｍ幅に切り出して試験片を作製し、試験片の粘着剤層（Ｂ）をシリコンウエハに対向するように載せる。試験片上に３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、試験片とシリコンウエハとを貼り合わせる。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製し、試験サンプルについて１００℃、２時間又は２００℃、１時間の加熱を行う。加熱後の試験サンプルについて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、粘着剤層（Ｂ）のシリコンウエハに貼り合わせて１００℃で２時間又は２００℃で１時間加熱した後の上記シリコンウエハに対する粘着力を測定する。
なお、粘着剤層（Ｂ）が光硬化型粘着剤層である場合は、シリコンウエハに貼り合わせて１００℃で２時間又は２００℃で１時間加熱する前に、粘着剤層（Ｂ）の硬化を行う。粘着剤層（Ｂ）の硬化としては、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの紫外線を、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）から粘着剤層（Ｂ）に向けて照射し、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の表面における照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射する。なお、シリコンウエハとしては、導電型Ｐ型（Ｂｏｒｏｎ）、結晶方位（１００）、低効率１～１００Ω・ｃｍ、ＴＴＶ１０μｍ以下、ＷＡＲＰ５０μｍ以下、表面仕上げ鏡面、パーティクル０．２μｍ≦３０個のものを用いることができる（以後、単に「シリコンウエハ」という）。

上記粘着剤層（Ｂ）の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は０．１μｍ、好ましい上限は６００μｍである。上記厚みが上記範囲内であれば、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記厚みのより好ましい下限は０．５μｍ、より好ましい上限は２５０μｍであり、更に好ましい下限は１μｍ、更に好ましい上限は２００μｍである。

本発明の半導体加工用粘着テープにおいては、上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の厚みに対する上記粘着剤層（Ｂ）の厚みの比率（上記粘着剤層（Ｂ）の厚み／上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の厚み）が３以下であることが好ましい。これにより、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記比率は１．８以下であることがより好ましい。

本発明の半導体加工用粘着テープは、光照射による垂直変位量は特に限定されないが、好ましい下限は３０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記垂直変位量が上記範囲内であれば、上記粘着剤層（Ｂ）と半導体デバイス（処理後）との界面でより容易に剥離が生じる。上記垂直変位量のより好ましい下限は４０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。

なお、半導体加工用粘着テープの光照射による垂直変位量とは、粘着剤層（Ｂ）の法線方向（厚み方向）に生じる変位を意味する。垂直変位量は、次のようにして測定することができる。
半導体加工用粘着テープの気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて１０ｍｍ／ｓｅｃの速度でガラス板（松浪ガラス工業社製、大型スライドガラス白縁磨Ｎｏ．２）に貼り付ける。次いで、真空ボンダーを用いて粘着剤層（Ｂ）とシリコンウエハとを貼り合わせることで、ガラス板、半導体加工用粘着テープ及びシリコンウエハをこの順に有する積層体を作製する。得られた積層体を１００℃に設定されたオーブンにてガラス面を下にして２時間静置し、加熱処理を行う。加熱処理後、常温に戻った積層体に、ガラス板側から２４５ｎｍの波長の紫外線を、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）への照射量が１２０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射する。レーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ ＯＬＳ４１００、Ｏｌｙｍｐｕｓ社製、又はその同等品）を用いて、シリコンウエハと粘着剤層（Ｂ）との界面を観察する。波長２５４ｎｍの紫外線照射前のシリコンウエハと粘着剤層（Ｂ）との界面を基準面とし、紫外線照射後の最高点までの距離を垂直変位量とする。
なお、粘着剤層（Ａ）又は（Ｂ）が光硬化型粘着剤層である場合は、１００℃で２時間加熱する前に、粘着剤層（Ａ）又は（Ｂ）の硬化を行う。粘着剤層（Ａ）又は（Ｂ）の硬化としては、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの紫外線をガラス板側から気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に向けて照射し、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の表面における照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射する。

本発明の半導体加工用粘着テープの用途は特に限定されないが、例えば支持体と半導体デバイスとを固定した状態で半導体デバイスを処理する場合等に用いられる。
本発明の半導体加工用粘着テープを用いた電子部品の製造方法であって、本発明の半導体加工用粘着テープの上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を支持体に、上記粘着剤層（Ｂ）を半導体デバイスに貼り合わせて積層体を作製する工程（１）と、上記半導体デバイスを処理する工程（２）と、上記積層体に上記支持体側から光を照射して上記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）から気体を発生させ、上記粘着剤層（Ｂ）と上記半導体デバイスとの界面で剥離を生じさせる工程（３）とを有する電子部品の製造方法もまた、本発明の１つである。

本発明の電子部品の製造方法は、上記積層体を作製する工程（１）と、上記半導体デバイスを処理する工程（２）との間に、更に、本発明の半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層（Ｂ）を光硬化させる工程を有することが好ましい。

本発明の電子部品の製造方法は、上記粘着剤層（Ｂ）と上記半導体デバイスとの界面で剥離を生じさせる工程（３）の後、更に、上記支持体から本発明の半導体加工用粘着テープを剥離する工程を有していてもよい。

本発明によれば、例えば支持体と半導体デバイスとを固定した状態で半導体デバイスを処理する場合等に用いられる半導体加工用粘着テープであって、半導体デバイスの処理後、支持体との界面よりも先に半導体デバイスとの界面で容易に剥離する半導体加工用粘着テープを提供することができる。また、本発明によれば、該半導体加工用粘着テープを用いた電子部品の製造方法を提供することができる。

本発明の半導体加工用粘着テープにおける基材の離型処理部の一例を示す模式図である。 本発明の半導体加工用粘着テープにおける基材の離型処理部の別の一例を示す模式図である。 本発明の半導体加工用粘着テープを用いて支持体と半導体デバイスとを固定した状態の一例を模式的に示した断面図である。 本発明の半導体加工用粘着テープから半導体デバイスを剥離させた状態の一例を模式的に示した断面図である。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。

（実施例１）
（１）基材の調製
両面にコロナ処理を施した厚さ１２μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの一方の面に、グラビア方式で図１で示した離型処理部と同様に長鎖アルキル系離型剤ピーロイル１０５０（ライオンスペシャリティケミカルズ社製）を印刷した。これにより、一方の面の全体に、直径１ｍｍの円形状のドット（点）形状の離型処理部が６個／ｃｍ^２の密度で均一に設けられた基材を得た。

基材を液体窒素に浸漬して－５０℃まで冷却し、その後、粘弾性スペクトロメーター（ＤＶＡ－２００、アイティー計測制御社製）を用いて、定速昇温引張モード、昇温速度１０℃／分、周波数１０Ｈｚ、静／動力比１．５の条件で３００℃まで昇温し、貯蔵弾性率を測定した。これにより、基材の１００℃における引張弾性率Ｅ’を求めた。

差圧法ガス透過率測定装置ＢＴ－３（東洋精機製作所社製）を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２６－１：２００６に準拠して試験温度２３℃、試験湿度０％ＲＨの条件で基材の窒素ガス透過係数を測定した。

（２）気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）用粘着剤溶液の調製
下記の成分を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量６０万の（メタ）アクリル系ポリマーを得た。
・２－エチルへキシルアクリレート ９７．５重量部
・２－ヒドロキシエチルアクリレート １．５重量部
・アクリル酸 １．０重量部
・光重合開始剤 ０．２重量部
得られた（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、ベンゾフェノン０．５重量部、ポリイソシアネート２重量部、気体発生剤としてのＢＨＴ－２Ｎａ（５，５’－ビ－１Ｈ－テトラゾール・Ｎａ塩、以下「Ｔ１」とする）を４０重量部、２，４－ジエチルチオキサントン５重量部を混合した。これにより、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）用粘着剤溶液を調製した。

（３）粘着剤層（Ｂ）用粘着剤溶液の調製
下記の成分を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万の（メタ）アクリル系ポリマーを得た。
・２エチルヘキシルアクリレート ８３重量部
・ブチルアクリレート １０重量部
・アクリル酸 ２重量部
・２－ヒドロキシエチルアクリレート ５重量部
・光重合開始剤 ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
・ラウリルメルカプタン ０．０１重量部
得られた（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２－イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させた。反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、シリコーン化合物（ＢＹＫ３５００、ビックケミー社製）２重量部、ポリイソシアネート１．０重量部を混合して、粘着剤層（Ｂ）用粘着剤溶液を調製した。

（４）半導体加工用粘着テープの作製
気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）用粘着剤溶液を、得られた基材の離型処理部を有する面上に乾燥皮膜の厚さが２０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。乾燥後の粘着剤層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムをラミネートした。
次に、粘着剤層（Ｂ）用粘着剤溶液を、表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが１０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
次いで、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を設けた基材の気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）のないコロナ処理を施した面と、粘着剤層（Ｂ）を設けた離型処理が施されたＰＥＴフィルムの粘着剤層（Ｂ）の面とを貼り合わせた。その後、４０℃、３日間静置して養生を行った。これにより、両面に粘着剤層が設けられ、その表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムで保護された半導体加工用粘着テープを得た。

（５）ガラスに対する粘着力の測定
気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）のガラス板に対する粘着力は、オートグラフ（ＡＧ－ＩＳ、ロードセル（ＳＢＬ－５０Ｎ）、島津製作所社製）を用い、次のように測定した。
半導体加工用粘着テープを２５ｍｍ幅に切り出して試験片を作製し、試験片の気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）をガラス板（松浪ガラス工業社製、大型スライドガラス白縁磨Ｎｏ．２）に対向するように載せた。試験片上に３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、試験片とガラス板とを貼り合わせた。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製し、１００℃、２時間の加熱を行った。加熱後の試験サンプルについて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）のガラス板に対する粘着力を測定した。
なお、粘着剤層（Ａ）が光硬化型粘着剤層である場合は、１００℃で２時間加熱する前に、粘着剤層（Ａ）を硬化した。粘着剤層（Ａ）の硬化は、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの紫外線をガラス板から粘着剤層（Ａ）に向けて照射し、粘着剤層（Ａ）の表面における照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射した。

（６）基材に対する密着力の測定
気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の基材に対する密着力は、オートグラフ（ＡＧ－ＩＳ、ロードセル（ＳＢＬ－５０Ｎ）、島津製作所社製）を用い、次のように測定した。
半導体加工用粘着テープを２５ｍｍ幅に切り出して試験片を作製し、試験片の気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を、測定用両面粘着テープ（＃５６０、積水化学工業株式会社製）に貼付し、測定用両面粘着テープの他方の面を介して、銅板に固定した。試験片上に３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、試験片、測定用両面粘着テープ及び銅板を貼り合わせた。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製した。静置後の試験サンプルについて、１００℃、２時間の加熱を行った。加熱後の試験サンプルの上記粘着剤層（Ｂ）及び基材を把持して、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の基材に対する密着力を測定した。

（７）シリコンウエハに対する粘着力の測定
粘着剤層（Ｂ）のシリコンウエハに貼り合わせて１００℃で２時間加熱した後のシリコンウエハに対する粘着力は、オートグラフ（ＡＧ－ＩＳ、ロードセル（ＳＢＬ－５０Ｎ）、島津製作所社製）を用いて、次のようにして求めた。
半導体加工用粘着テープを２５ｍｍ幅に切り出して試験片を作製し、試験片の粘着剤層（Ｂ）をシリコンウエハに対向するように載せた。試験片上に３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、試験片とシリコンウエハとを貼り合わせた。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製し、静置後の試験サンプルについて、１００℃、２時間の加熱を行った。加熱後の試験サンプルについて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、上記シリコンウエハに対する粘着力を測定した。
粘着剤層（Ｂ）のシリコンウエハに貼り合わせて２００℃で１時間加熱した後のシリコンウエハに対する粘着力は、加熱条件を２００℃、１時間とすること以外は上記と同様にして測定した。
なお、粘着剤層（Ｂ）が光硬化型粘着剤層である場合は、シリコンウエハに貼り合わせて加熱する前に、粘着剤層（Ｂ）を硬化した。粘着剤層（Ｂ）の硬化としては、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの紫外線を、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）から粘着剤層（Ｂ）に向けて照射し、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の表面における照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射した。

（８）光照射による垂直変位量の測定
半導体加工用粘着テープの光照射による垂直変位量は、次のようにして測定した。
半導体加工用粘着テープの気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて１０ｍｍ／ｓｅｃの速度でガラス板（松浪ガラス工業社製、大型スライドガラス白縁磨Ｎｏ．２）に貼り付けた。次いで、真空ボンダーを用いて半導体加工用粘着テープの粘着剤層（Ｂ）とシリコンウエハと貼り合わせることで、ガラス板、半導体加工用粘着テープ及びシリコンウエハをこの順に有する積層体を作製した。得られた積層体を１００℃に設定されたオーブンにてガラス面を下にして２時間静置し、加熱処理を行った。加熱処理後、常温に戻った積層体に、ガラス板側から２４５ｎｍの波長の紫外線を、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）への照射量が１２０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射した。レーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ ＯＬＳ４１００、Ｏｌｙｍｐｕｓ社製）を用いて、シリコンウエハと粘着剤層（Ｂ）との界面を観察した。波長２５４ｎｍの紫外線照射前のシリコンウエハと粘着剤層（Ｂ）との界面を基準面とし、紫外線照射後の最高点までの距離を垂直変位量とした。
なお、粘着剤層（Ａ）又は（Ｂ）が光硬化型粘着剤層である場合は、１００℃で２時間加熱する前に、粘着剤層（Ａ）又は（Ｂ）を硬化した。粘着剤層（Ａ）又は（Ｂ）の硬化としては、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの紫外線をガラス板側から気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に向けて照射し、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の表面における照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射した。

（実施例２～１２、比較例１～４）
粘着剤層（Ａ）の厚み、気体発生剤の種類及び量、粘着剤層（Ａ）のシリコーン化合物の含有量、基材の有無及び厚み、プライマー処理の有無、離型処理部の有無、その直径及び密度、粘着剤層（Ｂ）の厚み、粘着剤層（Ｂ）のシリコーン化合物の含有量等を、表１～２のように変更した以外は実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。なお、気体発生剤としては以下のものを用いた。
ＡＤＣＡ：アゾジカルボンアミド、富士フィルム和光純薬社製
Ｔ２：５，５’－ビ－１Ｈ－テトラゾール・ピペラジン塩（ＢＨＴ－ＰＩＰＥ）

なお、実施例２～７、９～１０、１２、比較例１、４については、基材の両面にプライマー処理としてポリメントＮＫ３５０（日本触媒社製）を塗布した。実施例５については、基材として厚み１２μｍのＰＥＴフィルムの代わりに厚み２５μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用いた。

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体加工用粘着テープについて以下の評価を行った。結果を表１～２に示した。

（１）支持体（ガラス板）に対する接着性
半導体加工用粘着テープの粘着剤層（Ｂ）を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍであって回路が形成されたシリコンウエハに貼り付けた。次いで、気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０．４ｃｍのガラス板を、真空プレス機を用いて気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に貼り付けてサンプルを作製した。
サンプルをシリコンウエハ側が下になるように設置した後、ガラス板側から超高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ^２となるよう照度を調節して照射した。
○：紫外線照射後、ガラス板と気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との界面に浮きが生じなかった
×：紫外線照射後、ガラス板と気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）との界面に浮きが生じた

（２）基材の変形
上記（１）支持体（ガラス板）に対する接着性と同様にしてサンプルを作製し、紫外線を照射した。なお、比較例２で得られた半導体加工用粘着テープは基材を有さないものであったため「－」と評価した。
○：紫外線照射後、基材が離型処理部に沿って波打った形状（波状）に変形した
△：紫外線照射後、基材が凸状に変形した
×：紫外線照射後、基材が変形しなかった

（３）半導体ウエハに対する易剥離性
直径２０ｃｍの円形に切断した半導体加工用粘着テープの粘着剤層（Ｂ）側を、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエハに貼り付け、粘着剤層（Ａ）側を、直径２０ｃｍ、厚さ１ｍｍのガラス板に貼りつけることで積層体を得た。
高圧水銀紫外線照射装置を用いて４０５ｎｍの紫外線をガラス板側から積算照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように照射し、粘着剤層（Ａ）及び（Ｂ）を硬化させた。その後、１００℃、２時間の熱処理を行い、放冷後、積層体のガラス板側の面が下になるように設置した。続いて、波長２５４ｎｍの光を積算照度が１２０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、ガラス板側から照射して粘着剤層（Ａ）から気体を発生させた。気体発生後、シリコンウエハの端部にフック付きの吸盤を取り付け、デジタルばね量りをフックに引っ掛けて持ち上げることで半導体加工用粘着テープとシリコンウエハとを剥離した。この際のばねばかりが示した最大値を剥離力とし測定しシリコンウエハに対する粘着剤層（Ｂ）の易剥離性を下記の基準で評価した（ばね量り）。
◎：剥離力が０．２ｋｇｆ未満
〇：剥離力が０．２ｋｇｆ以上、０．５ｋｇｆ未満
△：剥離力が０．５ｋｇｆ以上、１ｋｇｆ未満
×：シリコンウエハと粘着剤層（Ｂ）とが剥離しなかった

本発明によれば、例えば支持体と半導体デバイスとを固定した状態で半導体デバイスを処理する場合等に用いられる半導体加工用粘着テープであって、半導体デバイスの処理後、支持体との界面よりも先に半導体デバイスとの界面で容易に剥離する半導体加工用粘着テープを提供することができる。また、本発明によれば、該半導体加工用粘着テープを用いた電子部品の製造方法を提供することができる。

１ 半導体加工用粘着テープ
２ 支持体
３ 半導体デバイス
１１ 基材
１２ 気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）
１３ 粘着剤層（Ｂ）
１１１ 離型処理部

Claims (17)

1. 基材と、前記基材の一方の面に積層された気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）と、前記基材の他方の面に積層された粘着剤層（Ｂ）とを有し、
   前記基材は、前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）に接する面に離型処理部を有し、
   前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、ガラス板に対する粘着力が０．１Ｎ／ｉｎｃｈ以上である
   ことを特徴とする半導体加工用粘着テープ。
2. 前記気体発生剤は、アゾ化合物及びテトラゾール化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載の半導体加工用粘着テープ。
3. 光照射による垂直変位量が３０μｍ以上、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体加工用粘着テープ。
4. 前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の厚みに対する前記粘着剤層（Ｂ）の厚みの比率（前記粘着剤層（Ｂ）の厚み／前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）の厚み）が３以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体加工用粘着テープ。
5. 前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）は、厚みが１μｍ以上、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の半導体加工用粘着テープ。
6. 前記粘着剤層（Ｂ）は、厚みが１μｍ以上、６００μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の半導体加工用粘着テープ。
7. 前記粘着剤層（Ｂ）は、シリコンウエハに貼り合わせて２００℃で１時間加熱した後の前記シリコンウエハに対する粘着力が０．２５Ｎ／ｉｎｃｈ未満であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載の半導体加工用粘着テープ。
8. 前記粘着剤層（Ｂ）は、光硬化型粘着剤層であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の半導体加工用粘着テープ。
9. 前記基材は、１００℃における引張弾性率Ｅ’が１．０×１０^９Ｐａ以上、１．０×１０^１０Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の半導体加工用粘着テープ。
10. 前記基材は、厚みが１μｍ以上、７０μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９記載の半導体加工用粘着テープ。
11. 前記基材は、窒素ガス透過係数が１００ｃｍ^３・ｍｍ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０記載の半導体加工用粘着テープ。
12. 前記離型処理部は、円形状のドット形状であり、直径が０．３ｍｍ以上、１０ｍｍ以下、密度が１個／ｃｍ^２以上、１２個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１記載の半導体加工用粘着テープ。
13. 前記離型処理部の直径が５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下、密度が１個／ｃｍ^２以上、４個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする請求項１２記載の半導体加工用粘着テープ。
14. 前記離型処理部の直径が０．３ｍｍ以上、５ｍｍ未満、密度が３個／ｃｍ^２以上、１２個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする請求項１２記載の半導体加工用粘着テープ。
15. 請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４記載の半導体加工用粘着テープを用いた電子部品の製造方法であって、
    前記半導体加工用粘着テープの前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）を支持体に、前記粘着剤層（Ｂ）を半導体デバイスに貼り合わせて積層体を作製する工程（１）と、
    前記半導体デバイスを処理する工程（２）と、
    前記積層体に前記支持体側から光を照射して前記気体発生剤を含有する粘着剤層（Ａ）から気体を発生させ、前記粘着剤層（Ｂ）と前記半導体デバイスとの界面で剥離を生じさせる工程（３）とを有する
    ことを特徴とする電子部品の製造方法。
16. 前記積層体を作製する工程（１）と、前記半導体デバイスを処理する工程（２）との間に、更に、前記半導体加工用粘着テープの前記粘着剤層（Ｂ）を光硬化させる工程を有することを特徴とする請求項１５記載の電子部品の製造方法。
17. 前記粘着剤層（Ｂ）と前記半導体デバイスとの界面で剥離を生じさせる工程（３）の後、更に、前記支持体から前記半導体加工用粘着テープを剥離する工程を有することを特徴とする請求項１５又は１６記載の電子部品の製造方法。
    
    

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