JP2023088099A - 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法およびケースユニット - Google Patents
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Abstract
【課題】腐蝕性ガス雰囲気下で使用しても、半導体モジュールの損傷を低減する。【解決手段】半導体モジュールは、半導体素子と、半導体素子を搭載する配線基板を含む積層板と、複数の端子孔を有し、半導体素子を収容するケースと、複数の端子孔のうちの2以上の端子孔にそれぞれ挿入され、半導体素子に電気的に接続される複数の外部端子と、積層板とケースとの間に介在するスペーサーと、を備える。ケースおよびスペーサーは、接着剤により互いに接合される。複数の外部端子のそれぞれは、スペーサーに接着剤により接合される第1接合面を有する。ケースは、複数の端子孔のうち互いに隣り合う2つの端子孔同士の間に設けられる隔壁を有する。第1接合面と隔壁との間の距離は、複数の外部端子のそれぞれの厚さよりも大きい。【選択図】図2
Description
本開示は、半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法およびケースユニットに関する。
パワー半導体モジュールに代表される半導体モジュールは、一般に、半導体素子と、半導体素子を搭載する配線基板を含む積層板と、半導体素子を収容するケースと、半導体素子に電気的に接続される複数の外部端子と、を備える。例えば、特許文献1に開示されるように、ケースには、当該ケースを貫通する複数の端子孔が設けられる。各外部端子は、当該複数の端子孔のうちのいずれかに挿入され、ケースの外壁面から突出する部分を有する。
特許文献1では、積層板が配線基板のほかに放熱用のベースを有しており、ケースとベースとの間には、外部端子をケースに向けて押さえ付ける端子押え枠が配置される。端子押え枠は、ケースおよびベースのそれぞれに対して接着剤により接合される。特許文献1では、端子押え枠と外部端子およびケースのそれぞれとの間に隙間を設けることにより、端子押え枠の底面に塗布した接着剤が各隙間に回り込む。ここで、ケースには、複数種の半導体モジュールにケースを流用することを想定した数および位置の端子孔が設けられる。このため、複数の端子孔のうちの1以上の端子孔に外部端子が挿入されない場合がある。
近年、腐蝕性ガス雰囲気下でも長期にわたり使用可能な半導体モジュールの実現が望まれている。
特許文献1に記載の構成では、ケースおよび端子押え枠を接着剤により互いに接合する際、互いに隣り合う2つの端子孔同士の間を隔てる隔壁により当該接着剤の広がりが阻害される。このため、各端子孔への接着剤の供給量が接着剤の塗布量の塗布位置間でのバラつきの影響を受けてバラつきやすい。この結果、端子孔、特に、外部端子の挿入されない端子孔を接着剤により確実に塞ぐことが難しい。したがって、特許文献1に記載の構成では、腐蝕性ガス雰囲気下で半導体モジュールを使用した場合、端子孔を介して腐蝕性ガスがケース内に侵入し、半導体モジュールを損傷させてしまう可能性がある。
以上の事情を考慮して、本開示のひとつの態様は、腐蝕性ガス雰囲気下で使用しても、半導体モジュールの損傷を低減することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本開示の好適な態様に係る半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子を搭載する配線基板を含む積層板と、複数の端子孔を有し、前記半導体素子を収容するケースと、前記複数の端子孔のうちの2以上の端子孔にそれぞれ挿入され、前記半導体素子に電気的に接続される複数の外部端子と、前記積層板と前記ケースとの間に介在するスペーサーと、を備え、前記ケースおよび前記スペーサーは、接着剤により互いに接合され、前記複数の外部端子のそれぞれは、前記スペーサーに前記接着剤により接合される第1接合面を有し、前記ケースは、前記複数の端子孔のうち互いに隣り合う2つの端子孔同士の間に設けられる隔壁を有し、前記2以上の端子孔の前記隔壁と前記第1接合面との間の距離は、前記複数の外部端子のそれぞれの厚さよりも大きく、前記複数の端子孔のうち前記2以上の端子孔以外の端子孔の前記隔壁と前記スペーサーとの間の距離は、前記2以上の端子孔の前記隔壁と前記スペーサーとの間の距離に等しいか、それ以上である。
本開示の好適な態様に係る半導体モジュールの製造方法は、複数の端子孔を有するケースを用意する用意工程と、前記複数の端子孔のうちの2以上の端子孔にそれぞれ複数の外部端子を挿入する端子挿入工程と、前記ケースおよびスペーサーを互いに接着剤により接合する接合工程と、を含み、前記複数の外部端子のそれぞれは、前記スペーサーに前記接着剤により接合される第1接合面を有し、前記ケースは、前記複数の端子孔のうち互いに隣り合う2つの端子孔同士の間に設けられる隔壁を有し、前記第1接合面と前記隔壁との間の距離は、前記複数の外部端子のそれぞれの厚さよりも大きく、前記接合工程では、前記複数の端子孔のそれぞれが前記接着剤により封止される。
本開示の好適な態様に係るケースユニットは、複数の端子孔を有するケースと、前記複数の端子孔のうちの2以上の端子孔にそれぞれ挿入される複数の外部端子と、前記ケースに接着剤により接合されるスペーサーと、を備え、前記複数の外部端子のそれぞれは、前記スペーサーに前記接着剤により接合される第1接合面を有し、前記ケースは、前記複数の端子孔のうち互いに隣り合う2つの端子孔同士の間に設けられる隔壁を有し、前記第1接合面と前記隔壁との間の距離は、前記複数の外部端子のそれぞれの厚さよりも大きく、前記複数の端子孔のそれぞれは、前記接着剤により封止される。
以下、図面を参照しながら本開示に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法および縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示している部分もある。また、本開示の範囲は、以下の説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
1.第1実施形態
1-1.半導体モジュールの全体構成
図1は、第1実施形態に係る半導体モジュール10の分解斜視図である。半導体モジュール10は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュール等のパワーモジュールである。半導体モジュール10は、例えば、鉄道車両、自動車または家庭用電気機械等の機器に搭載されるインバーターまたは整流器等の装置での電力制御に用いられる。
1-1.半導体モジュールの全体構成
図1は、第1実施形態に係る半導体モジュール10の分解斜視図である。半導体モジュール10は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュール等のパワーモジュールである。半導体モジュール10は、例えば、鉄道車両、自動車または家庭用電気機械等の機器に搭載されるインバーターまたは整流器等の装置での電力制御に用いられる。
図1に示すように、半導体モジュール10は、複数の半導体素子30と配線基板20とベース40とケース50と複数の外部端子60とスペーサー70と蓋80とを備える。図1では、半導体素子30の図示が省略されており、配線基板20の外形が二点鎖線で簡略的に示される。ここで、配線基板20およびベース40が積層板11を構成する。積層板11は、少なくとも配線基板20を有する板状の積層体である。本実施形態では、積層板11は、配線基板20のほか、ベース40を有する。また、ケース50と複数の外部端子60とスペーサー70がケースユニット12を構成する。ケースユニット12は、ケース50と複数の外部端子60とスペーサー70とを組み立てた組立体である。
以下、まず、図1に基づいて、半導体モジュール10の各部の概略を順次説明する。なお、以下の説明は、便宜上、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を適宜に用いて行う。Z軸は、半導体モジュール10の厚さ方向に平行な軸である。以下では、X軸に沿う一方向がX1方向であり、X1方向とは反対の方向がX2方向である。Y軸に沿う一方向がY1方向であり、Y1方向とは反対の方向がY2方向である。Z軸に沿う一方向がZ1方向であり、Z1方向とは反対の方向がZ2方向である。これらの方向と鉛直方向との関係は、特に限定されず、任意である。また、以下では、Z軸に沿う方向にみることを「平面視」という場合がある。
配線基板20は、複数の半導体素子30を搭載する基板であり、当該複数の半導体素子30とともに回路を構成する。例えば、配線基板20は、DCB(Direct Copper Bonding)基板またはDBA(Direct Bonded Aluminum)基板等の基板である。図示しないが、配線基板20は、絶縁基板と、当該絶縁基板の両面にそれぞれ設けられる2つの導体層と、を有する。当該絶縁基板は、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムまたは窒化ケイ素等のセラミックスで構成される。当該2つの導体層のそれぞれは、例えば、銅またはアルミニウム等の金属で構成される。当該2つの導体層のうちの一方の導体層には、複数の半導体素子30が半田等により接合される。また、当該2つの導体層のうちの他方の導体層には、ベース40が半田等により接合される。
図1に示す例では、配線基板20の厚さ方向がZ軸に沿う方向である。配線基板20のZ1方向を向く面には、複数の半導体素子30のそれぞれが半田等の導電性接合材により接合される。一方、配線基板20のZ2方向を向く面には、ベース40が半田等の導電性接合材により接合される。
配線基板20に搭載される複数の半導体素子30のうちの少なくとも1つの素子は、IGBT等のパワー半導体チップである。なお、配線基板20には、半導体素子30として、パワー半導体チップのほか、パワー半導体チップの動作を制御するための制御用チップが搭載されてもよいし、負荷電流を転流させるためのFWD(Free Wheeling Diode)等の素子が搭載されてもよい。
ベース40は、放熱用の板状部材である。例えば、ベース40は、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成される金属板である。ベース40は、熱伝導性を有しており、半導体素子30からの熱を放熱する。また、ベース40は、導電性を有しており、例えば、接地電位等の基準電位に電気的に接続される。
図1に示す例では、ベース40の厚さ方向がZ軸に沿う方向である。ベース40は、Z軸に沿う方向にみて、X軸に沿う方向に延びる1対の長辺とY軸に沿う方向に延びる1対の短辺とを有する形状をなす。ベース40には、各短辺の近傍に、取付孔41が設けられる。取付孔41は、例えば、図示しない放熱フィン等の放熱用部材をベース40に対してねじ留めするのに用いられる貫通孔である。なお、ベース40の平面視形状および数は、図1に示す例に限定されず、任意である。
ケース50は、配線基板20に搭載される複数の半導体素子30を収容する枠状部材である。ケース50は、実質的な絶縁体であり、例えば、PPS(Polyphenylene Sulfide)またはPBT(Polybutylene terephthalate)等の樹脂材料で構成される。なお、当該樹脂材料には、ケース50の機械的強度または熱伝導性の向上等の観点から、アルミナまたはシリカ等の無機フィラーが含有されてもよい。
ケース50は、ケース50の周方向に沿って配列される複数の端子孔51を有する。各端子孔51は、ケース50を貫通する孔である。図1に示す例では、各端子孔51は、Z軸に沿う方向に延びる。
図1に示す例では、ケース50の厚さ方向がZ軸に沿う方向である。そして、ケース50は、Z軸に沿う方向にみて、X軸に沿う方向に延びる1対の長辺とY軸に沿う方向に延びる1対の短辺とを有する外形をなす。ケース50に設けられる複数の端子孔51は、各長辺に沿って配列される複数の端子孔51と、各短辺に沿って配列される複数の端子孔51と、に区分される。
ケース50に設けられる複数の端子孔51のうち2以上の端子孔51のそれぞれには、外部端子60が挿入される。したがって、ケース50に設けられる端子孔51の数は、外部端子60の数以上である。このように、ケース50に端子孔51の数を外部端子60の数より多く設けるのはケース50を複数種の端子位置の半導体モジュールに適用するためである。また、ケース50に設けられる端子孔51の数は、当該複数種の端子位置に適用できるように、半導体モジュールの外部端子60の数および配置を想定してあらかじめ決めておけばよい。なお、複数の端子孔51の配置および数は、図1に示す例に限定されず、任意である。
複数の外部端子60のそれぞれは、半導体モジュール10を実装する図示しない基板と半導体素子30とを互いに電気的に接続するための端子である。複数の外部端子60は、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金または鉄合金等の金属で構成される。
ここで、半導体モジュール10の有する複数の外部端子60のうち、2以上の外部端子60が主電流の流れる端子であり、他の2以上の外部端子60が半導体素子30の動作を制御するための制御端子である。
図1に示す例では、外部端子60は、L字状に屈曲した金属板で構成される。ここで、外部端子60は、ピン部61と脚部62とを有する。
ピン部61は、端子孔51に挿入される外部端子60の棒状部分である。ピン部61は、端子孔51内でZ軸に沿う方向に延びる。ピン部61のZ1方向での端は、ケース50の外壁面から突出する。このように、ピン部61は、ケース50の外壁面から突出する部分を有する。当該部分は、半導体モジュール10を実装する図示しない基板に接続される。一方、ピン部61のZ2方向での端は、脚部62に接続される。なお、ピン部61の形状は、図1に示す例に限定されず、例えば、ピン部61の先端が2つの部分に分岐した形状でもよい。
脚部62は、スペーサー70のZ1方向を向く面上に沿って配置される外部端子60の板状部分である。脚部62は、ピン部61のZ2方向での端からケース50内側に向けて延びる。脚部62は、ケース50とスペーサー70との間に挟まれる部分と、ケース50の内側に露出する部分と、を有する。当該露出する部分には、図示しないボンディングワイヤー等のワイヤーの一端が接合される。当該ワイヤーの他端は、配線基板20または半導体素子30に接続される。この接続により、外部端子60および半導体素子30が互いに電気的に接続される。
スペーサー70は、ベース40とケース50との間に介在する枠状部材である。スペーサー70は、ケース50に向けて複数の外部端子60を押さえ付ける機能と、複数の外部端子60のそれぞれとベース40との間の電気的絶縁を確保する機能と、を有する。スペーサー70は、実質的な絶縁体であり、例えば、ベース40と同様、PPS(Polyphenylene Sulfide)またはPBT(Polybutylene terephthalate)等の樹脂材料で構成される。なお、当該樹脂材料には、スペーサー70の機械的強度の向上等の観点から、アルミナまたはシリカ等の無機フィラーが含有されてもよい。また、スペーサー70を構成する材料は、樹脂材料に限定されず、例えば、セラミックス材料でもよい。
図1に示す例では、スペーサー70の厚さ方向がZ軸に沿う方向である。スペーサー70のZ1方向を向く面は、接合面70aを有する。接合面70aは、ケース50に対して接着剤により接合される。図1では図示を省略するが、当該接着剤は、後述の接着剤B1である。一方、スペーサー70のZ2方向を向く面は、接合面70bを有する。接合面70bは、積層板11の一部であるベース40に対して接着剤により接合される。図1では図示を省略するが、当該接着剤は、後述の接着剤B2である。なお、積層板11およびスペーサー70の互いの接合は、接着剤による接合に限定されず、例えば、ねじ留めによる接合でもよい。また、配線基板20がベース40の全域にわたり配置される場合、または、ベース40が省略される場合、スペーサー70の接合面70bは、配線基板20に対して接着剤により接合されてもよい。
また、図1に示す例では、スペーサー70の外周面に周方向に並ぶ複数の突起71が設けられる。このため、スペーサー70をケース50の内側に挿入させやすくしつつ、ケース50およびスペーサー70を互いに嵌合させることができる。なお、突起71の数、位置および形状は、図1に示す例に限定されず、任意である。また、複数の突起71のそれぞれは、必要に応じて設けられ、省略されてもよい。
蓋80は、ケース50のZ1方向を向く面に接合される板状部材である。蓋80は、例えば、ケース50と同様、PPS(Polyphenylene Sulfide)またはPBT(Polybutylene terephthalate)等の樹脂材料で構成される。蓋80は、蓋80とケース50との間の隙間を封止するように、ケース50に接着剤等により接合される。
ここで、ベース40とケース50と蓋80とで囲まれる空間には、半導体素子30を覆うポッティング材が充填される。図1では図示を省略するが、当該ポッティング材は、後述のポッティング材PAである。当該ポッティング材は、例えば、シリコーンゲル等のシリコーン樹脂で構成される。
以上の概略の半導体モジュール10では、ケース50およびスペーサー70を互いに接合する接着剤により複数の端子孔51のそれぞれが封止される。このため、腐蝕性ガス雰囲気下で半導体モジュール10を使用しても、端子孔51を介したケース50内への腐蝕性ガスの侵入を低減することができる。ここで、半導体モジュール10は、ケース50およびスペーサー70を接着剤により互いに接合する際に当該接着剤による各端子孔51の封止の確実性を高める構成を有する。以下、当該構成について、詳述する。
1-2.端子孔
図2は、ケース50の底面図、すなわち、複数の外部端子60を装着した状態のケース50をZ1方向にみた図である。図3は、ケース50の一部を示す斜視図である。図3では、隔壁55を説明するための便宜上、Z1方向に対して若干傾斜した方向でケース50をみた図が示される。図2および図3に示すように、ケース50には、複数の隔壁55が設けられる。各隔壁55は、互いに隣り合う2つの端子孔51同士の間を隔てる。
図2は、ケース50の底面図、すなわち、複数の外部端子60を装着した状態のケース50をZ1方向にみた図である。図3は、ケース50の一部を示す斜視図である。図3では、隔壁55を説明するための便宜上、Z1方向に対して若干傾斜した方向でケース50をみた図が示される。図2および図3に示すように、ケース50には、複数の隔壁55が設けられる。各隔壁55は、互いに隣り合う2つの端子孔51同士の間を隔てる。
図2および図3に示す例では、各端子孔51は、外部端子60のピン部61の形状に対応する形状をなす。具体的には、各端子孔51は、第1部分51aと第2部分51bとを有する。第1部分51aは、ケース50のZ1方向を向く面に開口する。第2部分51bは、第1部分51aよりもZ2方向に位置しており、ケース50のZ2方向を向く面に開口する。
ここで、ケース50のZ2方向を向く面は、複数の接合面50aと複数の凹部56とを有する。
各接合面50aは、ケース50のZ2方向を向く面のうち、スペーサー70の接合面70aに対して接着剤B1により接合される面である。すなわち、接合面50aは、ケース50のZ2方向を向く面のうちスペーサー70の接合面70aに最も近い面であり、接着剤B1を介して接合面70aに向かい合う。図2に示す例では、各接合面50aが平面視でT字状をなす。なお、接合面50aの平面視形状は、図2に示す例に限定されず、任意である。
各凹部56は、接合面50aよりも窪んでおり、平面視で互いに隣り合う2つの接合面50aの間に位置する。凹部56は、端子孔51ごとに、端子孔51からケース50の内側に向けて延びており、ケース50の内側と端子孔51とを連通させる。凹部56には、当該凹部56に対応する端子孔51に外部端子60が挿入される場合、外部端子60の脚部62の一部が配置される。凹部56は、平面視で当該一部に嵌め合う形状をなしており、外部端子60の姿勢変化を規制する。
図3に示すように、隔壁55のZ2方向での端は、凹部56の底面よりもZ1方向に位置する。すなわち、隔壁55のZ2方向での端と接合面50aとのZ軸に沿う方向での距離dは、凹部56の深さよりも大きい。ここで、凹部56の深さは、外部端子60の脚部62の厚さと同程度である。
図4は、図2中のA-A線に沿う半導体モジュール10の断面図である。図5は、図2中のB-B線に沿う半導体モジュール10の断面図である。図4および図5に示すように、ベース40とケース50との間には、スペーサー70が介在する。
スペーサー70の接合面70aには、接着剤B1により、ケース50および複数の外部端子60が接合される。また、スペーサー70の接合面70bには、接着剤B2により、ベース40が接合される。
ここで、接着剤B1は、ケース50およびスペーサー70を互いに接合するだけでなく、各端子孔51を封止する。このため、端子孔51が接着剤B1により封止されない構成に比べて、端子孔51を介したケース50内への腐蝕性ガスの侵入を低減することができる。具体的には、図5に示すように、外部端子60の挿入されない端子孔51では、接着剤B1が端子孔51のZ2方向での端よりもZ1方向の位置まで進入することにより、端子孔51が封止される。また、図示しないが、外部端子60の挿入される端子孔51では、接着剤B1が端子孔51の内壁面と外部端子60の外壁面との間の隙間を塞ぐことにより、端子孔51が封止される。
接着剤B1は、絶縁性の接着剤である。より具体的には、接着剤B1は、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤またはシリコーン系接着剤である。
なお、接着剤B2は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤またはシリコーン系接着剤である。接着剤B1および接着剤B2の種類は、互いに同じであっても異なってもよい。また、接着剤B1および接着剤B2は、図4に示す例では、スペーサー70により互いに分断されるが、これに限定されず、一体であってもよい。また、接着剤B1および接着剤B2のそれぞれは、熱硬化型接着剤に限定されず、例えば、光硬化型接着剤でもよい。
ここで、接着剤B1は、熱硬化型接着剤であることが好ましい。熱硬化型接着剤は、硬化前に、加熱により一時的に軟化する性質を有する。したがって、接着剤B1として熱硬化型接着剤を用いることにより、硬化前の接着剤B1を各端子孔51に導きやすいという利点がある。また、熱硬化型接着剤は、所望のタイミングで硬化させることができる。したがって、接着剤B1として熱硬化型接着剤を用いることにより、接着剤B1の必要以上の広がりを防止することもできる。
また、接着剤B1のガスバリア性は、ポッティング材PAのガスバリア性よりも高いことが好ましい。この場合、半導体モジュール10が腐食性ガス雰囲気下で使用されても、端子孔51がポッティング材PAで封止される構成に比べて、端子孔51を介したケース50内への腐蝕性ガスの侵入を低減することができる。なお、「ガスバリア性」は、例えば、ISO15106に準拠した方法により測定される。また、接着剤B1は、ガスバリア性を高める観点から、アルミナまたはシリカ等の絶縁性の無機フィラーを含んでもよい。
図4に示すように、端子孔51に挿入される外部端子60は、「第1接合面」の一例である接合面60aを有する。接合面60aは、接着剤B1により、スペーサー70の接合面70aに接合される。図4に示す例では、接合面60aは、外部端子60の脚部62のZ2方向を向く面である。
隔壁55のZ2方向での端の位置P1は、外部端子60のZ2方向での接合面60aの位置P2よりもZ1方向に位置する。また、Z軸に沿う方向における位置P1と位置P2との間の距離を、距離Lとする。接合面60aと隔壁55との間の距離Lは、外部端子60の厚さtよりも大きい。したがって、隔壁55とスペーサー70との間には、距離Lに応じた大きさの隙間G1が設けられる。
外部端子60の挿入されない端子孔51の隔壁55についての隙間G1の大きさは、外部端子60の挿入される端子孔51の隔壁55についての隙間G1の大きさ以上である。すなわち、外部端子60の挿入されない端子孔51の隔壁55とスペーサー70との間の距離は、外部端子60の挿入される端子孔51の隔壁55とスペーサー70との間の距離に等しいか、それ以上である。このため、隙間G1は、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方または両方に外部端子60が挿入されているか否かに関わらず、当該2つの端子孔51同士を連通させる。したがって、外部端子60の有無に関わらず、隙間G1を介して互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1を流すことができる。特に、熱硬化性接着剤が硬化前に加熱により一時的に軟化する性質を有することから、接着剤B1として熱硬化型接着剤を用いることにより、隙間G1を介して互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1を好適に流すことができる。なお、「等しい」とは、厳密に等しい場合のほか、製造誤差等の差を有し、実質的に等しいとみなすことのできる場合も含む。
ここで、厚さtは、外部端子60の脚部62の厚さである。具体的な厚さtは、特に限定されないが、例えば、1mm程度である。
ケース50の内周面とスペーサー70の外周面との間の隙間G2は、できる限り小さいことが好ましい。隙間G2が小さくなるほど、硬化前の接着剤B1がケース50の内周面に沿って積層板11に向かう方向に逃げることを低減することができる。この結果、外部端子60とスペーサー70との間に存在する接着剤B1の量が不足したり、接着剤B1に気泡が生じることにより接着剤B1による接合後の工程の不良率が増加したりすることが低減される。
ここで、距離Lは、端子孔51の長さLHの1/2よりも短い。このため、隔壁55を介して互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ接着剤B1を好適に流すことができる。また、端子孔51の長さLHは、端子孔51の一方の開口縁と他方の開口縁との間の中心軸LCに沿う方向での距離である。
距離d、すなわち距離Lおよび厚さtの差(L-t)は、0.5mm≦(L-t)≦2.0mmの関係を満たすことが好ましい。この場合、隙間G1を介して、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1を好適に流すことができる。これに対し、差(L-t)が小さすぎると、硬化前の接着剤B1の粘度等によっては、隙間G1を介して、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1が流れにくくなる傾向を示す。一方、差(L-t)が大きすぎると、隙間G1に配置される接着剤B1の量が過度になるため、接着剤B1の塗布量によっては、隙間G1を介して、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1が流れにくくなる場合がある。また、差(L-t)が大きすぎると、ケース50の小型化を図りつつ、ケース50の必要な機械的強度を確保することが難しい。
ここで、凹部56の深さが外部端子60の厚さtと同程度であることから、接合面60aは、概略的に、接合面50aと同一平面上に位置する。したがって、距離Lは、接合面50aと隔壁55との間の距離であるともいえる。
図6は、図2中のC-C線に沿う半導体モジュール10の断面図である。図6では、3つの端子孔51として端子孔51_1~51_3が示される。端子孔51_1、51_2、51_3は、この順で配列される。ここで、端子孔51_1および端子孔51_2は、互いに隣り合う2つの端子孔51である。同様に、端子孔51_2および端子孔51_3は、互いに隣り合う2つの端子孔51である。
端子孔51_1は、外部端子60の挿入される端子孔51である。これに対し、端子孔51_2および端子孔51_3のそれぞれは、外部端子60の挿入されない端子孔51である。
図6に示す例では、外部端子60のピン部61は、第1部分61aと第2部分61bとを有する。第1部分61aは、端子孔51の第1部分51aに挿入され、ケース50の外壁面から突出する部分を有する。第2部分61bは、端子孔51の第2部分51bに挿入され、第1部分61aよりもZ2方向に位置しており、脚部62に接続される。ケース50の周方向に沿う第2部分61bの幅は、ケース50の周方向に沿う第1部分61aの幅よりも大きい。このように、ピン部61は、端子孔51の形状に対応した形状をなす。
図6に示すように、端子孔51_1~51_3のそれぞれは、接着剤B1により封止される。
より具体的に説明すると、端子孔51_1の壁面と外部端子60との間の隙間を埋めるように接着剤B1が配置されることにより、端子孔51_1が封止される。ここで、前述のように、距離Lが厚さtよりも大きいことから、当該隙間に硬化前の接着剤B1が進入しやすい。このため、接着剤B1による端子孔51_1の封止の確実性を高めることができる。
また、端子孔51_2および端子孔51_3のそれぞれに接着剤B1が隔壁55のZ2方向での端よりもZ1方向に進入することにより、端子孔51_2および端子孔51_3のそれぞれが封止される。ここで、前述のように、距離Lが厚さtよりも大きいことから、塗布位置間で硬化前の接着剤B1の塗布量にバラつきがあっても、そのバラつきが低減されるように、端子孔51_2および端子孔51_3の一方から他方へ硬化前の接着剤B1が流れる。このため、接着剤B1による端子孔51_2および51_3の封止の確実性を高めることができる。
1-3.半導体モジュールの製造方法
図7は、第1実施形態に係る半導体モジュール10の製造方法を示すフローチャートである。図7に示すように、半導体モジュール10の製造方法は、用意工程S10と端子挿入工程S20と接合工程S30とをこの順で含む。ここで、接合工程S30は、塗布工程S31と貼り合せ工程S32と軟化工程S33と硬化工程S34とをこの順で含む。以下、各工程を順次説明する。なお、以下では、前述の接着剤B1が熱硬化型接着剤である場合を例に説明する。
図7は、第1実施形態に係る半導体モジュール10の製造方法を示すフローチャートである。図7に示すように、半導体モジュール10の製造方法は、用意工程S10と端子挿入工程S20と接合工程S30とをこの順で含む。ここで、接合工程S30は、塗布工程S31と貼り合せ工程S32と軟化工程S33と硬化工程S34とをこの順で含む。以下、各工程を順次説明する。なお、以下では、前述の接着剤B1が熱硬化型接着剤である場合を例に説明する。
1-3-1.用意工程
図8は、用意工程S10を説明するための図である。図8では、ケース50の一部をZ1方向にみた図が示される。用意工程S10では、図8に示すように、ケース50が用意される。ケース50は、例えば、射出成形により形成される。
図8は、用意工程S10を説明するための図である。図8では、ケース50の一部をZ1方向にみた図が示される。用意工程S10では、図8に示すように、ケース50が用意される。ケース50は、例えば、射出成形により形成される。
なお、図示しないが、用意工程S10では、ケース50のほか、複数の外部端子60とスペーサー70とのそれぞれも、用意される。外部端子60は、例えば、金属板をプレス加工および折り曲げ加工することにより形成される。スペーサー70は、例えば、射出成形により形成される。
1-3-2.端子挿入工程
図9は、端子挿入工程S20を説明するための図である。図9では、ケース50の一部をZ1方向にみた図が示される。端子挿入工程S20では、図9に示すように、ケース50の有する複数の端子孔51のうちの所定の2以上の端子孔51のそれぞれに外部端子60が挿入される。より具体的には、外部端子60の脚部62が凹部56に配置されるとともに、外部端子60のピン部61が端子孔51に挿入される。このとき、ピン部61が端子孔51に嵌合したり、脚部62が凹部56に嵌合したりしてもよい。
図9は、端子挿入工程S20を説明するための図である。図9では、ケース50の一部をZ1方向にみた図が示される。端子挿入工程S20では、図9に示すように、ケース50の有する複数の端子孔51のうちの所定の2以上の端子孔51のそれぞれに外部端子60が挿入される。より具体的には、外部端子60の脚部62が凹部56に配置されるとともに、外部端子60のピン部61が端子孔51に挿入される。このとき、ピン部61が端子孔51に嵌合したり、脚部62が凹部56に嵌合したりしてもよい。
1-3-3.接合工程
接合工程S30では、塗布工程S31と貼り合せ工程S32と軟化工程S33と硬化工程S34とがこの順で行われることにより、ケース50およびスペーサー70が互いに接着剤B1により接合される。
接合工程S30では、塗布工程S31と貼り合せ工程S32と軟化工程S33と硬化工程S34とがこの順で行われることにより、ケース50およびスペーサー70が互いに接着剤B1により接合される。
1-3-3a.塗布工程
図10は、接合工程S30中の塗布工程S31を説明するための図である。図10では、ケース50の一部をZ1方向にみた図が示される。塗布工程S31では、図10に示すように、ケース50のZ2方向を向く面に硬化前の接着剤B1aが塗布される。より具体的には、Z2方向が鉛直方向での上方を向く状態で、端子挿入工程S20後のケース50のZ2方向を向く面に、ケース50の周方向に沿って全周にわたり硬化前の接着剤B1aが塗布される。ここで、接着剤B1aは、ケース50の接合面50aと外部端子60の接合面60aとのそれぞれに接着剤B1aが塗布される。また、当該塗布は、例えば、ディスペンサーを用いて行われる。
図10は、接合工程S30中の塗布工程S31を説明するための図である。図10では、ケース50の一部をZ1方向にみた図が示される。塗布工程S31では、図10に示すように、ケース50のZ2方向を向く面に硬化前の接着剤B1aが塗布される。より具体的には、Z2方向が鉛直方向での上方を向く状態で、端子挿入工程S20後のケース50のZ2方向を向く面に、ケース50の周方向に沿って全周にわたり硬化前の接着剤B1aが塗布される。ここで、接着剤B1aは、ケース50の接合面50aと外部端子60の接合面60aとのそれぞれに接着剤B1aが塗布される。また、当該塗布は、例えば、ディスペンサーを用いて行われる。
なお、塗布工程S31では、スペーサー70の接合面70aに接着剤B1aが塗布されてもよい。この場合、塗布工程S31では、ケース50の接合面50aに対する接着剤B1aの塗布が省略されてもよい。また、塗布工程S31での接着剤B1aの塗布領域は、後述の貼り合せ工程S32によりケース50またはスペーサー70の全周にわたり広がることができればよく、ケース50またはスペーサー70の周方向での一部で欠損してもよい。
1-3-3b.貼り合せ工程
図11は、接合工程S30中の貼り合せ工程S32を説明するための図である。図11では、接着剤B1aを介してケース50およびスペーサー70を互いに貼り合せた構造体が前述の図4に対応する断面で示される。貼り合せ工程S32では、塗布工程S31の後、図11に示すように、ケース50とスペーサー70とが接着剤B1aを介して互いに貼り合わされる。ここで、ケース50の接合面50aとスペーサー70の接合面70aとが互いに向かい合うように、スペーサー70がケース50の内側に挿入される。そして、スペーサー70がケース50に向けて押し付けられることにより、接着剤B1aが広がる。
図11は、接合工程S30中の貼り合せ工程S32を説明するための図である。図11では、接着剤B1aを介してケース50およびスペーサー70を互いに貼り合せた構造体が前述の図4に対応する断面で示される。貼り合せ工程S32では、塗布工程S31の後、図11に示すように、ケース50とスペーサー70とが接着剤B1aを介して互いに貼り合わされる。ここで、ケース50の接合面50aとスペーサー70の接合面70aとが互いに向かい合うように、スペーサー70がケース50の内側に挿入される。そして、スペーサー70がケース50に向けて押し付けられることにより、接着剤B1aが広がる。
貼り合せ工程S32では、接着剤B1aの粘度または温度等によっては、接着剤B1aの厚さが塗布位置間でバラつく場合がある。図11に示す例では、端子孔51_2での接着剤B1aの厚さが端子孔51_3での接着剤B1aの厚さよりも厚い。ここで、前述のように、隔壁55の位置P1がケース50の接合面50aよりもZ1方向に位置するため、端子孔51_2と端子孔51_3との間で接着剤B1aが移動しやすい。特に、隔壁55の位置P1が外部端子60の接合面60aよりもZ1方向に位置するため、端子孔51_1と端子孔51_2との間でも接着剤B1aが移動しやすい。このため、従来のように位置P1が接合面60aと同一平面上にある構成に比べて、接着剤B1aの厚さのバラつきが低減される。
1-3-3c.軟化工程
図12は、接合工程S30中の軟化工程S33を説明するための図である。図12では、接着剤B1aを介してケース50およびスペーサー70を互いに貼り合せた構造体が前述の図4に対応する断面で示される。軟化工程S33では、接着剤B1aが軟化されることにより、図12に示すように、接着剤B1aの厚さのバラつきがさらに低減される。このとき、接着剤B1aは、ヒーターまたはオーブン等により、硬化温度よりも低い温度で加熱されることにより軟化される。軟化工程S33の処理温度および処理時間のそれぞれは、接着剤B1aの種類等に応じて決められ、特に限定されず、任意である。
図12は、接合工程S30中の軟化工程S33を説明するための図である。図12では、接着剤B1aを介してケース50およびスペーサー70を互いに貼り合せた構造体が前述の図4に対応する断面で示される。軟化工程S33では、接着剤B1aが軟化されることにより、図12に示すように、接着剤B1aの厚さのバラつきがさらに低減される。このとき、接着剤B1aは、ヒーターまたはオーブン等により、硬化温度よりも低い温度で加熱されることにより軟化される。軟化工程S33の処理温度および処理時間のそれぞれは、接着剤B1aの種類等に応じて決められ、特に限定されず、任意である。
1-3-3d.硬化工程
硬化工程S34では、軟化工程S33の後、接着剤B1aがさらに加熱されることにより、接着剤B1aが硬化される。これにより、接着剤B1aの硬化物として接着剤B1が形成される。硬化工程S34は、軟化工程S33の後に時間間隔を隔てて行われてもよいし、軟化工程S33の直後に連続的に行われてもよい。ここで、硬化工程S34が軟化工程S33の直後に連続的に行われる場合、軟化工程S33は、硬化工程S34の一部と捉えてもよい。言い換えると、軟化工程S33は、硬化工程S34の一部に重複して行われてもよい。
硬化工程S34では、軟化工程S33の後、接着剤B1aがさらに加熱されることにより、接着剤B1aが硬化される。これにより、接着剤B1aの硬化物として接着剤B1が形成される。硬化工程S34は、軟化工程S33の後に時間間隔を隔てて行われてもよいし、軟化工程S33の直後に連続的に行われてもよい。ここで、硬化工程S34が軟化工程S33の直後に連続的に行われる場合、軟化工程S33は、硬化工程S34の一部と捉えてもよい。言い換えると、軟化工程S33は、硬化工程S34の一部に重複して行われてもよい。
図示しないが、硬化工程S34の後、積層板11が接着剤B2によりスペーサー70に接合される。その後、ワイヤーボンディング等によりワイヤーWが形成されることにより、外部端子60と半導体素子30とが電気的に接続される。そして、ポッティング材PAがケース50内に充填された後、蓋80がケース50に接着剤等により接合される。以上により、半導体モジュール10が製造される。
以上のように、半導体モジュール10の製造方法は、用意工程S10と端子挿入工程S20と接合工程S30とを含む。用意工程S10は、複数の端子孔51を有するケース50を用意する。端子挿入工程S20は、当該複数の端子孔51のうちの2以上の端子孔51にそれぞれ複数の外部端子60を挿入する。接合工程S30は、ケース50およびスペーサー70を互いに接着剤B1により接合する。
ここで、当該複数の外部端子60のそれぞれは、「第1接合面」の一例である接合面60aを有する。接合面60aは、スペーサー70に接着剤B1により接合される。また、ケース50は、当該複数の端子孔51のうち互いに隣り合う2つの端子孔51同士の間に設けられる隔壁55を有する。そのうえで、接合面60aと隔壁55との間の距離Lは、複数の外部端子60のそれぞれの厚さtよりも大きい。そして、接合工程S30では、複数の端子孔51のそれぞれが接着剤B1により封止される。
以上の半導体モジュール10は、前述のように、半導体素子30と積層板11とケース50と複数の外部端子60とスペーサー70とを備える。積層板11は、半導体素子30を搭載する配線基板20を含む。ケース50は、複数の端子孔51を有し、半導体素子30を収容する。複数の外部端子60は、当該複数の端子孔51のうちの2以上の端子孔51にそれぞれ挿入され、半導体素子30に電気的に接続される。スペーサー70は、積層板11とケース50との間に介在する。なお、ケース50と複数の外部端子60とスペーサー70とは、ケースユニット12を構成する。
ここで、前述のように、ケース50およびスペーサー70は、接着剤B1により互いに接合される。また、複数の外部端子60のそれぞれは、「第1接合面」の一例である接合面60aを有する。接合面60aは、スペーサー70に接着剤B1により接合される。さらに、ケース50は、当該複数の端子孔51のうち互いに隣り合う2つの端子孔51同士の間に設けられる隔壁55を有する。そのうえで、当該2以上の端子孔51の隔壁55と接合面60aとの間の距離Lは、複数の外部端子60のそれぞれの厚さtよりも大きい。また、複数の端子孔51のうち当該2以上の端子孔51以外の端子孔51の隔壁55とスペーサー70との間の距離(隙間G1の大きさ)は、当該2以上の端子孔51の隔壁55とスペーサー70との間の距離(隙間G1の大きさ)に等しいか、それ以上である。
以上の半導体モジュール10では、距離Lが厚さtよりも大きく、かつ、外部端子60の挿入されない端子孔51の隔壁55についての隙間G1の大きさが、外部端子60の挿入される端子孔51の隔壁55についての隙間G1の大きさ以上であるので、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方または両方に外部端子60が挿入されているか否かに関わらず、当該2つの端子孔51同士を連通させる隙間G1を隔壁55とスペーサー70との間に形成することができる。このため、スペーサー70およびケース50を接着剤B1により互いに接合する際、隙間G1を介して当該2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1を好適に流すことができる。したがって、スペーサー70またはケース50に対する接着剤B1の塗布量の塗布位置間でのバラつきがあっても、当該2つの端子孔51のそれぞれを接着剤B1により封止することができる。このようなことから、ケース50に設けられるすべての端子孔51を接着剤B1により高い確実性で封止することができる。この結果、半導体モジュール10が腐食性ガス雰囲気下で使用されても、端子孔51を介したケース50内への腐蝕性ガスの侵入を低減することができる。以上から理解される通り、半導体モジュール10では、腐蝕性ガス雰囲気下で使用しても損傷を低減することができる。
また、前述のように、ケース50内には、半導体素子30を覆うポッティング材PAが充填される。そして、接着剤B1のガスバリア性がポッティング材PAのガスバリア性よりも高いことにより、半導体モジュール10が腐食性ガス雰囲気下で使用されても、端子孔51がポッティング材PAで封止される構成に比べて、端子孔51を介したケース50内への腐蝕性ガスの侵入を低減することができる。
さらに、前述のように、ケース50およびスペーサー70のそれぞれは、枠状をなす。そして、複数の端子孔51は、ケース50の周方向に沿って配列される。そのうえで、ケース50の内周面とスペーサー70の外周面との間の隙間G2は、スペーサー70と隔壁55との間の隙間G1よりも小さい。このため、スペーサー70とケース50とを接着剤B1により接合する際、接着剤B1がケース50の内周面に沿って積層板11に向かう方向に逃げることを低減することができる。この結果、スペーサー70をケース50に向けて押し付けることにより、スペーサー70の周方向に沿って接着剤B1を好適に広げることができる。
また、前述のように、隔壁55は、隔壁55を介して互いに隣り合う2つの端子孔51のそれぞれの長手方向での中心Pによりもスペーサー70に近い。このため、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ接着剤B1を好適に流すことができる。特に、前述のように、隔壁55と接合面60aとの間の距離をL[mm]とし、複数の外部端子60のそれぞれの厚さをt[mm]とするとき、0.5≦(L-t)≦2.0の関係を満たすことにより、隙間G1を介して、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ接着剤B1を好適に流すことができる。
さらに、前述のように、複数の外部端子60のそれぞれは、ピン部61と脚部62とを有する。ピン部61は、2以上の端子孔51のいずれかに沿って延びる。脚部62は、ケース50とスペーサー70との間に配置され、ピン部61に接続される。そして、脚部62は、接合面60aを有する。このため、ケース50とスペーサー70との間に脚部62を介在させることにより、外部端子60をケース50およびスペーサー70により安定的に支持することができる。また、脚部62の一部をケース50内に露出させることができる。この結果、外部端子60と半導体素子30との電気的な接続を容易に行うことができる。
また、前述のように、接着剤B1が熱硬化型接着剤であることにより、隙間G1を介して、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1を好適に流すことができる。また、接着剤B1の必要以上の広がりを防止することもできる。
2.第2実施形態
以下、本開示の第2実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が前述の実施形態と同様である要素については、前述の実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
以下、本開示の第2実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が前述の実施形態と同様である要素については、前述の実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図13は、第2実施形態に係る半導体モジュール10Aの分解斜視図である。半導体モジュール10Aは、スペーサー70に代えてスペーサー70Aを備えること以外は、前述の第1実施形態の半導体モジュール10と同様に構成される。ここで、ケース50と複数の外部端子60とスペーサー70Aがケースユニット12Aを構成する。
スペーサー70Aは、凹部72を有すること以外は、スペーサー70と同様に構成される。凹部72は、スペーサー70Aの接合面70aに周方向に沿って全域にわたり設けられる溝である。図13に示す例では、凹部72の幅が一定である。また、凹部72は、スペーサー70の各辺に沿って延びる形状をなす。
なお、凹部72の形状は、図13に示す例に限定されず、例えば、幅の異なる複数の部分を有する形状でもよいし、蛇行する部分を有する形状でもよい。また、凹部72は、スペーサー70Aの周方向での一部に欠損した部分を有してもよく、例えば、スペーサー70Aの周方向に沿って断続的に設けられてもよい。
図14は、第2実施形態に係る半導体モジュール10Aの断面図である。図14では、半導体モジュール10Aが前述の図4に対応する断面で示される。図14に示すように、凹部72の少なくとも一部は、平面視でケース50の接合面60aに重なる。このため、接合面60aに沿って硬化前の接着剤B1を広げることができる。また、凹部72の少なくとも一部は、平面視で端子孔51に重なる。このため、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方に向かうように硬化前の接着剤B1を流すことができる。
図14に示す例では、凹部72の横断面形状は、V字状をなす。なお、凹部72の横断面形状は、図14に限定されず、例えば、U字状または矩形状でもよい。また、凹部72の数は、1本に限定されず、2本以上でもよい。
以上の第2実施形態によっても、ケース50に設けられるすべての端子孔51を接着剤B1により高い確実性で封止することができる。この結果、半導体モジュール10Aでは、腐蝕性ガス雰囲気下で使用しても損傷を低減することができる。本実施形態では、前述のように、スペーサー70は、「第2接合面」の一例である接合面70aを有する。接合面70aは、複数の外部端子60のそれぞれに接着剤B1により接合される。そのうえで、接合面70aには、複数の端子孔51の並ぶ方向に沿って延びる凹部72が設けられる。このため、凹部72を介して、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ硬化前の接着剤B1を好適に流すことができる。
3.変形例
本開示は前述の各実施形態に限定されるものではなく、以下に述べる各種の変形が可能である。また、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせてもよい。
本開示は前述の各実施形態に限定されるものではなく、以下に述べる各種の変形が可能である。また、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせてもよい。
3-1.変形例1
前述の各形態では、貼り合せ工程S32の前に塗布工程S31が行われる態様が例示されるが、この態様に限定されず、貼り合せ工程S32の後に塗布工程S31が行われてもよい。例えば、接着剤B2が接着剤B1を兼ねる場合、ベース40およびスペーサー70を接着剤B2により互いに接合する際、スペーサー70の外周面とケース50の内周面との間の隙間を介して、硬化前の接着剤B2がケース50とスペーサー70との間に回り込んでもよい。
前述の各形態では、貼り合せ工程S32の前に塗布工程S31が行われる態様が例示されるが、この態様に限定されず、貼り合せ工程S32の後に塗布工程S31が行われてもよい。例えば、接着剤B2が接着剤B1を兼ねる場合、ベース40およびスペーサー70を接着剤B2により互いに接合する際、スペーサー70の外周面とケース50の内周面との間の隙間を介して、硬化前の接着剤B2がケース50とスペーサー70との間に回り込んでもよい。
10…半導体モジュール、10A…半導体モジュール、11…積層板、12…ケースユニット、12A…ケースユニット、20…配線基板、30…半導体素子、40…ベース、41…取付孔、50…ケース、50a…接合面、51…端子孔、51_1…端子孔、51_2…端子孔、51_3…端子孔、51a…第1部分、51b…第2部分、55…隔壁、56…凹部、60…外部端子、60a…接合面(第1接合面)、61…ピン部、61a…第1部分、61b…第2部分、62…脚部、70…スペーサー、70A…スペーサー、70a…接合面(第2接合面)、70b…接合面、71…突起、72…凹部、80…蓋、B1…接着剤、B1a…接着剤、B2…接着剤、G1…隙間、G2…隙間、L…距離、LC…中心軸、P…中心、P0…中心、P1…位置、P2…位置、PA…ポッティング材、S10…用意工程、S20…端子挿入工程、S30…接合工程、S31…塗布工程、S32…貼り合せ工程、S33…軟化工程、S34…硬化工程、W…ワイヤー、d…距離、t…厚さ。
スペーサー70は、ベース40とケース50との間に介在する枠状部材である。スペーサー70は、ケース50に向けて複数の外部端子60を押さえ付ける機能と、複数の外部端子60のそれぞれとベース40との間の電気的絶縁を確保する機能と、を有する。スペーサー70は、実質的な絶縁体であり、例えば、ケース50と同様、PPS(Polyphenylene Sulfide)またはPBT(Polybutylene terephthalate)等の樹脂材料で構成される。なお、当該樹脂材料には、スペーサー70の機械的強度の向上等の観点から、アルミナまたはシリカ等の無機フィラーが含有されてもよい。また、スペーサー70を構成する材料は、樹脂材料に限定されず、例えば、セラミックス材料でもよい。
また、前述のように、隔壁55は、隔壁55を介して互いに隣り合う2つの端子孔51のそれぞれの長手方向での中心P0よりもスペーサー70に近い。このため、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ接着剤B1を好適に流すことができる。特に、前述のように、隔壁55と接合面60aとの間の距離をL[mm]とし、複数の外部端子60のそれぞれの厚さをt[mm]とするとき、0.5≦(L-t)≦2.0の関係を満たすことにより、隙間G1を介して、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方へ接着剤B1を好適に流すことができる。
図14は、第2実施形態に係る半導体モジュール10Aの断面図である。図14では、半導体モジュール10Aが前述の図4に対応する断面で示される。図14に示すように、凹部72の少なくとも一部は、平面視で接合面60aに重なる。このため、接合面60aに沿って硬化前の接着剤B1を広げることができる。また、凹部72の少なくとも一部は、平面視で端子孔51に重なる。このため、互いに隣り合う2つの端子孔51の一方から他方に向かうように硬化前の接着剤B1を流すことができる。
Claims (10)
- 半導体素子と、
前記半導体素子を搭載する配線基板を含む積層板と、
複数の端子孔を有し、前記半導体素子を収容するケースと、
前記複数の端子孔のうちの2以上の端子孔にそれぞれ挿入され、前記半導体素子に電気的に接続される複数の外部端子と、
前記積層板と前記ケースとの間に介在するスペーサーと、を備え、
前記ケースおよび前記スペーサーは、接着剤により互いに接合され、
前記複数の外部端子のそれぞれは、前記スペーサーに前記接着剤により接合される第1接合面を有し、
前記ケースは、前記複数の端子孔のうち互いに隣り合う2つの端子孔同士の間に設けられる隔壁を有し、
前記2以上の端子孔の前記隔壁と前記第1接合面との間の距離は、前記複数の外部端子のそれぞれの厚さよりも大きく、
前記複数の端子孔のうち前記2以上の端子孔以外の端子孔の前記隔壁と前記スペーサーとの間の距離は、前記2以上の端子孔の前記隔壁と前記スペーサーとの間の距離に等しいか、それ以上である、
半導体モジュール。 - 前記複数の端子孔のそれぞれは、前記接着剤により封止される、
請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記ケース内には、前記半導体素子を覆うポッティング材が充填されており、
前記接着剤のガスバリア性は、前記ポッティング材のガスバリア性よりも高い、
請求項1または2に記載の半導体モジュール。 - 前記スペーサーは、前記複数の外部端子のそれぞれに前記接着剤により接合される第2接合面を有し、
前記第2接合面には、前記複数の端子孔の並ぶ方向に沿って延びる凹部が設けられる、
請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記隔壁は、前記2つの端子孔のそれぞれの長手方向での中心によりも前記スペーサーに近い、
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記隔壁と前記第1接合面との間の距離をL[mm]とし、前記複数の外部端子のそれぞれの厚さをt[mm]とするとき、
0.5≦(L-t)≦2.0の関係を満たす、
請求項5に記載の半導体モジュール。 - 前記複数の外部端子のそれぞれは、
前記2以上の端子孔のいずれかに沿って延びるピン部と、
前記ケースと前記スペーサーとの間に配置され、前記ピン部に接続される脚部と、を有し、
前記脚部は、前記第1接合面を有する、
請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記接着剤は、熱硬化型接着剤である、
請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 複数の端子孔を有するケースを用意する用意工程と、
前記複数の端子孔のうちの2以上の端子孔にそれぞれ複数の外部端子を挿入する端子挿入工程と、
前記ケースおよびスペーサーを互いに接着剤により接合する接合工程と、を含み、
前記複数の外部端子のそれぞれは、前記スペーサーに前記接着剤により接合される第1接合面を有し、
前記ケースは、前記複数の端子孔のうち互いに隣り合う2つの端子孔同士の間に設けられる隔壁を有し、
前記第1接合面と前記隔壁との間の距離は、前記複数の外部端子のそれぞれの厚さよりも大きく、
前記接合工程では、前記複数の端子孔のそれぞれが前記接着剤により封止される、
半導体モジュールの製造方法。 - 複数の端子孔を有するケースと、
前記複数の端子孔のうちの2以上の端子孔にそれぞれ挿入される複数の外部端子と、
前記ケースに接着剤により接合されるスペーサーと、を備え、
前記複数の外部端子のそれぞれは、前記スペーサーに前記接着剤により接合される第1接合面を有し、
前記ケースは、前記複数の端子孔のうち互いに隣り合う2つの端子孔同士の間に設けられる隔壁を有し、
前記第1接合面と前記隔壁との間の距離は、前記複数の外部端子のそれぞれの厚さよりも大きく、
前記複数の端子孔のそれぞれは、前記接着剤により封止される、
ケースユニット。
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