JP2023087648A - 酸化物半導体を含むディスプレイ装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 256
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 336
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 37
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 28
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 14
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 101000957437 Homo sapiens Mitochondrial carnitine/acylcarnitine carrier protein Proteins 0.000 description 1
- 102100038738 Mitochondrial carnitine/acylcarnitine carrier protein Human genes 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/10—OLED displays
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geometry (AREA)
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Abstract
Description
図1は本発明の実施例によるディスプレイ装置を概略的に示す図である。図2は図1のI-I線に沿って切断した断面を示す図である。図3は図2のP1領域を拡大した図である。図4は図2のP2領域を拡大した図である。
140 分離絶縁膜
150 中間絶縁膜
160 中間バッファー膜
200 第1スイッチング薄膜トランジスタ
300 第2スイッチング薄膜トランジスタ
400 駆動薄膜トランジスタ
410 駆動半導体パターン
710 第1遮光パターン
720 第2遮光パターン
151 第1中間絶縁膜
151h 第1開口部
152 第2中間絶縁膜
152h 第2開口部
160 上部バッファー膜
Claims (26)
- 素子基板の画素領域上に位置する第1遮光パターンと、
前記素子基板上に位置し、前記第1遮光パターンを覆う上部バッファー膜と、
前記素子基板の前記画素領域上に位置し、前記第1遮光パターンと重畳する駆動半導体パターンを含む駆動薄膜トランジスタと、
前記素子基板と前記上部バッファー膜との間に位置する第1中間絶縁膜とを含み、
前記第1中間絶縁膜は、前記第1遮光パターン及び前記駆動半導体パターンと重畳する第1開口部を含む、ディスプレイ装置。 - 前記第1開口部は前記第1遮光パターン及び前記駆動半導体パターンより大きいサイズを有する、請求項1に記載のディスプレイ装置。
- 前記画素領域の前記上部バッファー膜上に位置するスイッチング薄膜トランジスタをさらに含み、
前記スイッチング薄膜トランジスタは前記駆動半導体パターンから離隔するスイッチング半導体パターンを含み、
前記第1中間絶縁膜は前記スイッチング半導体パターンと重畳する領域を含む、請求項1に記載のディスプレイ装置。 - 前記スイッチング半導体パターンは前記駆動半導体パターンと同じ物質を含む、請求項3に記載のディスプレイ装置。
- 前記素子基板と前記第1中間絶縁膜との間に位置し、前記スイッチング半導体パターンと重畳する第2遮光パターンをさらに含む、請求項3に記載のディスプレイ装置。
- 前記素子基板と前記第2遮光パターンとの間に位置する分離絶縁膜をさらに含み、
前記分離絶縁膜は前記素子基板と前記第1遮光パターンとの間に位置するように延びる、請求項5に記載のディスプレイ装置。 - 前記第1中間絶縁膜と前記上部バッファー膜との間に位置する第2中間絶縁膜をさらに含み、
前記第2中間絶縁膜は前記第1開口部と重畳する第2開口部を含む、請求項1に記載のディスプレイ装置。 - 前記駆動薄膜トランジスタの駆動ソース電極は前記第1遮光パターンと電気的に連結される、請求項1に記載のディスプレイ装置。
- 前記第1遮光パターンと前記駆動半導体パターンとの間の第1寄生キャパシタのキャパシタンスは前記駆動半導体パターンと前記駆動薄膜トランジスタの駆動ゲート電極との間の第2寄生キャパシタのキャパシタンスより大きい、請求項1に記載のディスプレイ装置。
- 素子基板上に位置し、開口部を含む中間絶縁膜と、
前記中間絶縁膜の前記開口部内に位置する第1遮光パターンと、
前記中間絶縁膜及び前記第1遮光パターン上に位置する上部バッファー膜と、
前記上部バッファー膜上に位置し、前記第1遮光パターンと重畳する駆動半導体パターンを含む駆動薄膜トランジスタと、
前記上部バッファー膜上に位置し、前記開口部から離隔する第1スイッチング半導体パターンを含む第1スイッチング薄膜トランジスタと、
前記第1スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動薄膜トランジスタ上に位置するオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に位置し、前記駆動薄膜トランジスタと電気的に連結される発光素子とを含む、ディスプレイ装置。 - 前記駆動半導体パターン及び前記第1スイッチング半導体パターンは酸化物半導体を含む、請求項10に記載のディスプレイ装置。
- 前記素子基板と前記オーバーコート層との間に位置し、第2スイッチング半導体パターン及び前記第2スイッチング半導体パターンの一部領域と重畳するゲート電極を含む第2スイッチング薄膜トランジスタと、
前記素子基板と前記中間絶縁膜との間に位置し、前記第2スイッチング半導体パターンと前記ゲート電極との間に延びるゲート絶縁膜とをさらに含む、請求項10に記載のディスプレイ装置。 - 前記第2スイッチング半導体パターンは前記駆動半導体パターン及び前記第1スイッチング半導体パターンと異なる物質を含む、請求項12に記載のディスプレイ装置。
- 前記第1遮光パターンから離隔し、前記第1スイッチング半導体パターンと重畳する第2遮光パターンをさらに含み、
前記第2遮光パターンは前記第2スイッチング薄膜トランジスタの前記ゲート電極と同じ層上に位置する、請求項12に記載のディスプレイ装置。 - 前記第2遮光パターンは前記第2スイッチング薄膜トランジスタの前記ゲート電極と同じ物質を含む、請求項14に記載のディスプレイ装置。
- 素子基板上に位置する第1遮光パターン及び第2遮光パターンと、
前記第1遮光パターン及び前記第2遮光パターン上に位置する少なくとも一つの絶縁膜と、
前記少なくとも一つの絶縁膜上に位置し、前記第1遮光パターンと重畳し、発光素子に電気的に連結され、酸化物半導体を含む第1半導体パターンを備えた第1薄膜トランジスタと、
前記少なくとも一つの絶縁膜上に位置し、前記第2遮光パターンと重畳する第2半導体パターンを備えた第2薄膜トランジスタと、
一部領域が前記第2遮光パターンと前記第2薄膜トランジスタとの間に位置する少なくとも一つの中間絶縁膜と、を含み、
前記第1遮光パターンと前記第1半導体パターンとの間の距離は前記第2遮光パターンと前記第2半導体パターンとの間の距離より短い、ディスプレイ装置。 - 前記第1薄膜トランジスタは前記発光素子を動作するための駆動トランジスタであり、前記第2薄膜トランジスタはスイッチングトランジスタである、請求項16に記載のディスプレイ装置。
- 前記少なくとも一つの絶縁膜は上部バッファー膜を含み、前記第1半導体パターン及び前記第2半導体パターンは前記上部バッファー膜上に位置し、前記第2半導体パターンは酸化物半導体を含む、請求項16に記載のディスプレイ装置。
- 前記少なくとも一つの中間絶縁膜は開口部を含み、前記第1遮光パターンは前記開口部内に位置し、前記第1半導体パターンは前記開口部と重畳する、請求項16に記載のディスプレイ装置。
- 前記少なくとも一つの中間絶縁膜の側面は前記第1遮光パターンと前記第2遮光パターンとの間に位置する、請求項16に記載のディスプレイ装置。
- 前記少なくとも一つの絶縁膜は、前記第1遮光パターン及び前記第2遮光パターン上に位置する第2分離膜及び前記第2分離膜上に位置する上部バッファー膜を含み、
前記少なくとも一つの中間絶縁膜の前記一部領域は前記第2分離膜と前記上部バッファー膜との間に位置する、請求項20に記載のディスプレイ装置。 - 前記素子基板上に位置する第3薄膜トランジスタをさらに含み、
前記第3薄膜トランジスタはポリシリコン(Poly-Si)を含む第3半導体パターンを備える、請求項16に記載のディスプレイ装置。 - 前記第3薄膜トランジスタ上に位置する分離絶縁膜をさらに含み、
前記第1遮光パターン及び前記第2遮光パターンは前記分離絶縁膜上に位置する、請求項22に記載のディスプレイ装置。 - 前記第3薄膜トランジスタはゲート電極及び下部ゲート絶縁膜の少なくとも一部をさらに含み、
前記第1遮光パターン及び前記第2遮光パターンは前記下部ゲート絶縁膜上に位置する、請求項22に記載のディスプレイ装置。 - 前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタは画素領域内に位置し、前記第3薄膜トランジスタはベゼル領域内に位置する、請求項22に記載のディスプレイ装置。
- 前記第1遮光パターンは前記第2遮光パターンの下部に位置する、請求項16に記載のディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0177510 | 2021-12-13 | ||
KR1020210177510A KR20230089119A (ko) | 2021-12-13 | 2021-12-13 | 산화물 반도체를 포함하는 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023087648A true JP2023087648A (ja) | 2023-06-23 |
JP7506725B2 JP7506725B2 (ja) | 2024-06-26 |
Family
ID=82899224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022165899A Active JP7506725B2 (ja) | 2021-12-13 | 2022-10-14 | 酸化物半導体を含むディスプレイ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230189580A1 (ja) |
EP (1) | EP4195277A1 (ja) |
JP (1) | JP7506725B2 (ja) |
KR (1) | KR20230089119A (ja) |
CN (1) | CN116264790A (ja) |
TW (1) | TWI835233B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240030748A (ko) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
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-
2021
- 2021-12-13 KR KR1020210177510A patent/KR20230089119A/ko unknown
-
2022
- 2022-08-03 TW TW111129204A patent/TWI835233B/zh active
- 2022-08-09 US US17/884,449 patent/US20230189580A1/en active Pending
- 2022-08-11 EP EP22189874.5A patent/EP4195277A1/en active Pending
- 2022-09-05 CN CN202211076926.XA patent/CN116264790A/zh active Pending
- 2022-10-14 JP JP2022165899A patent/JP7506725B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116264790A (zh) | 2023-06-16 |
TWI835233B (zh) | 2024-03-11 |
TW202337038A (zh) | 2023-09-16 |
EP4195277A1 (en) | 2023-06-14 |
US20230189580A1 (en) | 2023-06-15 |
KR20230089119A (ko) | 2023-06-20 |
JP7506725B2 (ja) | 2024-06-26 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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