JP2023068463A - チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐硫化特性を維持しつつ低抵抗においても低ＴＣＲを確保できるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の表面両端部に設けられた一対の表電極３と、両表電極３間を接続する抵抗体５と、抵抗体５上に設けられたアンダーコート層６と、アンダーコート層６上に設けられたオーバーコート層７と、絶縁基板２の端面から離れた位置で表電極３と抵抗体５の接続部分を跨ぐように設けられた導電性の補助膜８と、絶縁基板２の両端面に延在して表電極３に接続する一対の端面電極９と、端面電極９と表電極３および補助膜８を覆う一対の外部めっき層１０とを備え、補助膜８はＡｇ等の金属粒子を含有する樹脂材料で形成されており、補助膜８の一部がアンダーコート層６とオーバーコート層７との間に挟まれている。【選択図】図２

Description

本発明は、チップ抵抗器およびその製造方法に関するものである。

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を導通する一対の端面電極と、これら各電極を覆う一対の外部めっき層と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜等によって主に構成されている。

この種のチップ抵抗器において、通常、表電極には比抵抗の低いＡｇ（銀）系の金属材料が用いられており、この表電極を覆うように外部めっき層が形成された構成となっているが、外部めっき層と保護膜の境界部分となる隙間から腐食性の強い硫化ガス等が侵入し易いため、表電極と保護膜の境界位置における表電極部分が硫化ガス等によって腐食されて抵抗値変化や断線等の不具合を招来する虞がある。

そこで従来より、図９（ａ）に示すように、金属粒子とカーボン粒子を含有する樹脂で構成された補助膜１００を表電極１０１の上面に形成し、この補助膜１００を外部めっき層１０２と保護膜１０３の境界位置に配置することにより、外部めっき層１０２と保護膜１０３の境界部分から侵入した硫化ガスを補助膜１００でブロックして、表電極１０１が硫化ガスに晒されないようにしたチップ抵抗器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この種のチップ抵抗器において、外部めっき層を形成する場合、無電解めっきに比べて価格的に安くめっき処理時間も短い等の利点を有するため、電解めっきが広く採用されている。かかる電解めっきにおいて、めっきは導電性を有する被めっき物の表面に形成されるため、図９（ａ）に示すように、外部めっき層１０２は端面電極１０４と補助膜１００の表面を覆うように形成される。なお、図９において、符号１０５は絶縁基板、符号１０６は抵抗体、符号１０７は裏電極をそれぞれ示している。

特許第５９５７６９３号

ところで、低抵抗（例えば、１００ｍΩ以下）のチップ抵抗器においては、表電極の抵抗値がチップ抵抗器全体の抵抗値に影響を及ぼすため、低抵抗のチップ抵抗器ほどＴＣＲが増加してしまうことになる。前述した図９（ａ）に示すチップ抵抗器では、補助膜１００と抵抗体１０６の間に保護膜１０３の一部が入り込んだ構成となっているため、外部めっき層１０２を回路基板のランドに半田接合した実装状態において、外部めっき層１０２から供給される電流は、図９（ｂ）の矢印で示すように、補助膜１００から保護膜１０３直下の表電極１０１を通って抵抗体１０６へと流れることになる。その結果、電極領域（表電極１０１と外部メッキ層１０２および補助膜１００を含む全体）から抵抗体１０６に至る電流経路中における補助膜１００と抵抗体１０６間の表電極１０１の長さが長くなるため、当該部分に位置する表電極１０１の抵抗値成分が大きくなり、その分だけＴＣＲが悪化してしまうことになる。

また、前述した図９（ａ）に示すチップ抵抗器では、外部めっき層１０２と保護膜１０３の境界部分から侵入した硫化ガスは補助膜１００でブロックされるが、保護膜１０３をエポキシ等の樹脂材料で形成した場合、特に耐湿雰囲気下においては、保護膜１０３内を透過する硫化ガスを無視することができなくなるため、保護膜１０３直下に位置する表電極１０１が硫化され易くなってしまう。

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、第１の目的は、耐硫化特性を維持しつつ低抵抗においても低ＴＣＲを確保できるチップ抵抗器を提供することにあり、第２の目的は、そのようなチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。

上記第１の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面両端部に設けられた一対の電極と、一対の前記電極間を接続する抵抗体と、前記抵抗体上に設けられた絶縁性の第１保護膜と、前記第１保護膜上に設けられた絶縁性の第２保護膜と、前記絶縁基板の端面から離れた位置で前記電極と前記抵抗体の接続部分を跨ぐように設けられた導電性の補助膜と、前記絶縁基板の両端面に延在して前記電極に接続する一対の端面電極と、前記端面電極と前記電極および前記補助膜を覆う一対の外部めっき層と、を備え、前記補助膜は、前記電極よりも硫化し難い材料で形成されており、その一部が前記第１保護膜と前記第２保護膜との間に挟まれている、ことを特徴としている。

このように構成されたチップ抵抗器では、外部めっき層と第２保護膜が接する境界部分の内部に補助膜が存在しており、この補助膜が電極よりも硫化し難い材料で形成されていると共に、その一部が第１保護膜と第２保護膜との間に挟まれているため、外部めっき層と第２保護膜の境界部分から侵入した硫化ガスは補助膜でブロックされて電極まで到達せず、電極の硫化を防止することができる。しかも、補助膜を電極と抵抗体の接続部分を跨ぐ位置に形成することで、電極領域（表電極と外部メッキ層および補助膜を含む全体）から抵抗体に至る電流経路中における補助膜と抵抗体間の電極の長さを短くすることができ、また、補助膜の厚み分だけ電流が流れ易くなって、電極部の抵抗値が低くなるため、低抵抗においても低ＴＣＲを確保することができる。

上記構成のチップ抵抗器において、補助膜の材料は導電性を有していれば特に限定されないが、補助膜がカーボン粒子や金属粒子等の導電粒子を含有する樹脂材料であると、補助膜を容易に形成することができて好ましい。

また、上記構成のチップ抵抗器において、抵抗体における電極との接続部分が第１保護膜に覆われていない露出部となっており、この露出部全体が補助膜で覆われていると、補助膜に覆われない位置で外部めっき層と接続する電極の面積を大きくすることができ、換言すると、電極領域から補助膜を通って抵抗体に至る電流経路上に位置する電極の長さが短くなるため、電極部の抵抗値が低下してＴＣＲの悪化を効果的に抑制することができる。

また、上記構成のチップ抵抗器において、抵抗体の電極間方向の長さに対して第１保護膜と第２保護膜が両方共に短寸に設定されていると、抵抗体と電極の接続部分の上部に補助膜が位置し、この補助膜の上部にさらに外部めっき層が形成されるため、電極の全面が外部めっき層で覆われた形態となり、電極部の比抵抗を下げることができてＴＣＲが向上する。

また、上記構成のチップ抵抗器において、電極における抵抗体との接続部分の厚みに対して他の部分の厚みが厚く形成されていると、電極と抵抗体の境界位置に凹状の段差が生じるため、この段差部分に補助膜を精度良く形成することができる。

上記第２の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板上に抵抗体と該抵抗体の両端部に接続する電極を形成する工程と、前記抵抗体の少なくとも一部を覆うようにガラス材料からなる第１保護膜を形成する工程と、前記電極と前記抵抗体の接続部分を跨ぐ位置に導電粒子を含有する樹脂材料からなる補助膜を形成する工程と、前記補助膜の一部と前記第１保護膜を覆うように樹脂材料からなる第２保護膜を形成する工程と、前記絶縁基板の端面に金属粒子をスパッタリングして前記電極に接続する端面電極を形成する工程と、電解めっきを施して前記端面電極と前記電極および前記補助膜を覆う外部めっき層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。

上記構成のチップ抵抗器の製造方法において、補助膜を形成する前工程として、抵抗体との接続部分を除く部分の電極上に第２電極を形成する工程をさらに含んでいると、第２電極を形成することで電極における抵抗体との境界位置に凹状の段差が生じるため、この段差部分に樹脂材料からなる補助膜を形成する際に、段差によって第２電極上への樹脂の流れ込みが抑えられるため、補助膜を精度良く形成することができる。

本発明によれば、耐硫化特性を維持しつつ低抵抗においても低ＴＣＲを確保したチップ抵抗器を提供することができる。

第１の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。 図１のII－II線に沿う断面図である。 図２の左半分側を拡大して示す断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。 第２の実施形態に係るチップ抵抗器の要部を示す断面図である。 第３の実施形態に係るチップ抵抗器の要部を示す断面図である。 第４の実施形態に係るチップ抵抗器の要部を示す断面図である。 従来例に係るチップ抵抗器の断面図である。

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の第１の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図、図２は図１のII－II線に沿う断面図、図３は図２の左半分側を拡大して示す断面図、図４は該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図、図５は該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

図１～図３に示すように、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極４と、一対の表電極３を接続するように設けられた長方形状の抵抗体５と、表電極３との接続部分を含めて抵抗体５の全体を覆うように設けられたアンダーコート層（第１保護膜）６と、アンダーコート層６を覆うように設けられたオーバーコート層（第２保護膜）７と、アンダーコート層６とオーバーコート層７の両端部に設けられた一対の補助膜８と、絶縁基板２の両端面に延在して表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９と、端面電極９の全体と端面電極９から露出する部分の裏電極４を覆うように設けられた一対の外部めっき層１０と、を備えて構成されている。

絶縁基板２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２は後述する大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

表電極３はＰｄ（パラジウム）を１～５ｗｔ％含有するＡｇ（銀）系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。また、裏電極４はＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

抵抗体５は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体５の長手方向の両端部は表電極３に重なっている。抵抗体５には抵抗値を調整するためのトリミング溝５ａが形成されており、このトリミング溝５ａはアンダーコート層６の上からレーザー光を照射することによって形成される。

アンダーコート層６はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、このアンダーコート層６はトリミング溝５ａを形成する前に抵抗体５の全体を覆うように形成されている。

オーバーコート層７はエポキシやフェノール等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものであり、オーバーコート層７はトリミング溝５ａを形成した後のアンダーコート層６を覆うように形成されている。そして、これらアンダーコート層６とオーバーコート層７によって２層構造の絶縁性保護膜が構成されている。

補助膜８は表電極３よりも硫化し難い特性を有する材料からなり、具体的には、カーボン粒子を含む樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものや、ＡｇやＣｕやＮｉ等の金属粒子を含む樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。この補助膜８は、絶縁基板２の端面から離れた表電極３上に形成されており、表電極３と抵抗体５の接続部分を跨ぐ位置に配置されている。また、補助膜８の一部はアンダーコート層６とオーバーコート層７の間に挟まれており、オーバーコート層７の端部は補助膜８の一部（内側端部）に重なっている。

端面電極９はニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）等をスバッタリングすることによって形成されたものであり、この端面電極９によって絶縁基板２の端面を介して離間する表電極３と裏電極４とが導通されている。端面電極９は、絶縁基板２の端面を覆うだけでなく、絶縁基板２の端面寄りに位置する裏電極４の下面と、表電極３の上面および補助膜８の表面を覆うように形成されている。

外部めっき層１０は、内層側のバリア層１１と、該バリア層１１を覆う外層側の外部接続層１２との２層構造からなる。バリア層１１は電解めっきによって形成されたＮｉめっき層であり、このバリア層１１は、端面電極９の全体と端面電極９から露出する部分の裏電極４を覆うように形成されている。外部接続層１２は電解めっきによって形成されたＳｎめっき層であり、この外部接続層１２はバリア層１１の表面全体を覆うように形成されている。

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図４と図５を参照しながら説明する。

まず、格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成された大判基板２Ａを準備する。これら一次分割溝と二次分割溝によって大判基板２Ａの表裏両面は多数のチップ形成領域に区画され、これらチップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２となる。図４と図５には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

そして、大判基板２Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極４を形成する。

次に、大判基板２Ａの表面にＡｇ－Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図４（ａ）と図５（ａ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する。なお、表電極３と裏電極４の形成順序は上記と逆でも良く、表電極３と裏電極４を同時に形成するようにしても良い。

次に、大判基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図４（ｂ）と図５（ｂ）に示すように、両端部を表電極３に重ね合わせた長方形状の抵抗体５を形成する。

次に、抵抗体５を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから６００℃で焼成することにより、図４（ｃ）と図５（ｃ）に示すように、表電極３との接続端部を含めて抵抗体５の全体を被覆するアンダーコート層６を形成する。

次に、表電極３と抵抗体５の接続部分にＡｇ（またはＣｕ、Ｎｉ）等の金属粒子を含有する樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから２００℃で加熱硬化（焼付け）することにより、図４（ｄ）と図５（ｄ）に示すように、表電極３と抵抗体５の接続部分を跨いで帯状に延びる一対の補助膜８を形成する。これら補助膜８は表電極３と抵抗体５が重なる接続部分を跨ぐように形成されるため、上に凸の断面形状（お椀状）となっている。

次に、アンダーコート層６の上からレーザー光を照射することにより、図４（ｅ）と図５（ｅ）に示すように、アンダーコート層６と抵抗体５を貫通するトリミング溝５ａを形成して抵抗体５の抵抗値を調整する。

次に、アンダーコート層６の上からエポキシまたはフェノールの樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから２００℃で加熱硬化することにより、図４（ｆ）と図５（ｆ）に示すように、アンダーコート層６の表面全体と補助膜８のアンダーコート層６上に重なる端部側とを覆うオーバーコート層７を形成する。その際、前述したように補助膜８の断面形状がお椀状になっているため、オーバーコート層７の端部を補助膜８の内側傾斜面に形成することにより、補助膜８上におけるオーバーコート層７の印刷ダレを抑制することができる。なお、これらアンダーコート層６とオーバーコート層７によって２層構造の絶縁性保護膜が形成される。

これまでの工程は大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。

次に、この短冊状基板２Ｂの分割面（端面）に向けてＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図４（ｇ）と図５（ｇ）に示すように、表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９を形成する。これら端面電極９により、短冊状基板２Ｂの端面全体と、短冊状基板２Ｂの端面寄りに位置する裏電極４の下面と、表電極３の上面および補助膜８の表面が覆われる。

次に、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２Ｃに二次分割した後、これらチップ状基板２Ｃに対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、端面電極９の全体と端面電極９から露出する部分の裏電極４を覆うバリア層１１を形成する。しかる後、チップ状基板２Ｃに対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、図４（ｈ）と図５（ｈ）に示すように、バリア層１１の表面全体を覆う外部接続層１２を形成する。これらバリア層１１と外部接続層１２によって２層構造の外部めっき層１０が形成され、この時点で図１～図３に示すようなチップ抵抗器１が得られる。

以上説明したように、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１は、外部めっき層１０とオーバーコート層７とが接する境界部分の内部に補助膜８が存在しており、この補助膜８が導電性粒子を含有する樹脂材料で形成されていると共に、補助膜８の一部がアンダーコート層６とオーバーコート層７との間に入り込んでいるため、外部めっき層１０とオーバーコート層７の境界部分から硫化ガスが侵入したとしても、その硫化ガスは補助膜８でブロックされて表電極３まで到達せず、表電極３の硫化を防止することができる。

また、低抵抗（例えば、１００ｍΩ以下）のチップ抵抗器では、表電極３の抵抗値がチップ抵抗器全体の抵抗値に影響を及ぼすため、低抵抗のチップ抵抗器ほどＴＣＲが増加してしまうことになる。第１の実施形態に係るチップ抵抗器１の場合、補助膜８が表電極３と抵抗体５との接続部分を跨ぐ位置に形成されているため、図３（ｂ）の矢印で示すように、電極領域（表電極３と外部メッキ層１０および補助膜８を含む全体）から抵抗体５に至る電流経路中における補助膜８と抵抗体５間に位置する表電極３の長さが短くなり、また、補助膜８の厚み分だけ電流が流れ易くなって、電極部の抵抗値が低くなるため、低抵抗においても低ＴＣＲを確保することができる。

また、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１では、補助膜８が導電粒子を含有する樹脂材料で形成されているため、樹脂ペーストの印刷・加熱硬化という厚膜技術を用いて補助膜８を容易に形成することができる。特に本実施形態では、ＡｇやＣｕ等の金属粒子を含有する樹脂材料で補助膜８が形成されており、これら金属粒子が硫化ガスと反応することで補助膜８の内部に硫化ガスが固定されるため、硫化ガスの内部への侵入を確実に防止することができる。

図６は第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０の要部を示す断面図であり、図１～図３に対応する部分には同一符号を付してある。

図６に示すチップ抵抗器２０が第１の実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、抵抗体５における表電極３との接続部分がアンダーコート層６に覆われていない露出部５ｂとなっており、補助膜８がこの露出部５ｂ全体を覆うように形成されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

このように構成された第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０では、補助膜８に覆われない位置で外部めっき層１０と接続する表電極３の面積を大きくすることができるため、換言すると、電極領域（表電極３と外部メッキ層１０および補助膜８を含む全体）から抵抗体５に至る電流経路中における補助膜８と抵抗体５間に位置する表電極３の長さが短くなるため、電極部の抵抗値が低下してＴＣＲの悪化をより効果的に抑制することができる。

図７は第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０の要部を示す断面図であり、図１～図３に対応する部分には同一符号を付してある。

図７に示すチップ抵抗器３０が第１の実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、抵抗体５との接続部分を除く表電極３の上面に第２表電極３ａが形成され、補助膜８がこの第２表電極３ａの内側に形成されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。ここで、表電極３と第２表電極３ａは同一材料からなり、第２表電極３ａは補助膜８を形成する前の表電極３上に形成されている。

このように構成された第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０では、抵抗体５との接続部分を除く表電極３上に第２表電極３ａを形成することで、表電極３における抵抗体５との接続部分に凹状の段差が生じるため、次工程で樹脂材料からなる補助膜８を形成する際に、接続部分の段差によって第２表電極３ａ上への樹脂の流れ込みが抑えられ、補助膜８を所定位置に精度良く形成することができる。

また、第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０では、抵抗体５の電極間方向の長さに対してアンダーコート層６とオーバーコート層７が両方共に短寸に設定されており、補助膜８が表電極３と抵抗体５との接続部分の上部に位置し、この補助膜８の上部にさらに外部めっき層１０が形成されているため、表電極３の全面が外部めっき層１０で覆われた形態となる。その結果、電極部の比抵抗をより一層下げることができ、ＴＣＲを向上することができる。

図８は第４の実施形態に係るチップ抵抗器４０の要部を示す断面図であり、図１～図３に対応する部分には同一符号を付してある。

図８に示すチップ抵抗器４０が第１の実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、外部めっき層１０を構成するバリア層１１の内側にＣｕ層１３が設けられていることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

このように構成された第４の実施形態に係るチップ抵抗器４０では、バリア層１１の内側にＣｕ層１３を設けることで電極部の抵抗値が下がるため、ＴＣＲを低減することができる。Ｃｕ層１３の厚みは１５μｍ～３５μｍが好ましく、Ｃｕ層１３のさらに内側にＮｉをもう一層設けると、Ｃｕ層１３を安定的に形成することができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、絶縁基板の裏面に表電極に導通する裏電極が設けられているチップ抵抗器について説明したが、そのような裏電極を備えていないタイプのチップ抵抗器についても本発明は適用可能である。

１，２０，３０，４０ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ 大判基板
２Ｂ 短冊状基板
２Ｃ チップ状基板
３ 表電極（電極）
３ａ 第２表電極（第２電極）
４ 裏電極
５ 抵抗体
５ａ トリミング溝
５ｂ 露出部
６ アンダーコート層（第１保護膜）
７ オーバーコート層（第２保護膜）
８ 補助膜
９ 端面電極
１０ 外部めっき層
１１ バリア層
１２ 外部接続層
１３ Ｃｕ層

Claims (7)

1. 直方体形状の絶縁基板と、
   前記絶縁基板の主面両端部に設けられた一対の電極と、
   一対の前記電極間を接続する抵抗体と、
   前記抵抗体上に設けられた絶縁性の第１保護膜と、
   前記第１保護膜上に設けられた絶縁性の第２保護膜と、
   前記絶縁基板の端面から離れた位置で前記電極と前記抵抗体の接続部分を跨ぐように設けられた導電性の補助膜と、
   前記絶縁基板の両端面に延在して前記電極に接続する一対の端面電極と、
   前記端面電極と前記電極および前記補助膜を覆う一対の外部めっき層と、
   を備え、
   前記補助膜は、前記電極よりも硫化し難い材料で形成されており、その一部が前記第１保護膜と前記第２保護膜との間に挟まれている、
   ことを特徴とするチップ抵抗器。
2. 前記補助膜は導電粒子を含有する樹脂材料からなる、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記抵抗体における前記電極との接続部分が前記第１保護膜に覆われていない露出部となっており、この露出部の全体が前記補助膜で覆われている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記抵抗体の電極間方向の長さに対して前記第１保護膜と前記第２保護膜が両方共に短寸に設定されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
5. 前記電極における前記抵抗体との接続部分の厚みに対して他の部分の厚みが厚く形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
6. 絶縁基板上に抵抗体と該抵抗体の両端部に接続する電極を形成する工程と、
   前記抵抗体の少なくとも一部を覆うようにガラス材料からなる第１保護膜を形成する工程と、
   前記電極と前記抵抗体の接続部分を跨ぐ位置に導電粒子を含有する樹脂材料からなる補助膜を形成する工程と、
   前記補助膜の一部と前記第１保護膜を覆うように樹脂材料からなる第２保護膜を形成する工程と、
   前記絶縁基板の端面に金属粒子をスパッタリングして前記電極に接続する端面電極を形成する工程と、
   電解めっきを施して前記端面電極と前記電極および前記補助膜を覆う外部めっき層を形成する工程と、
   を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
7. 前記補助膜を形成する前工程として、前記抵抗体との接続部分を除く部分の前記電極上に第２電極を形成する工程をさらに含んでいる、ことを特徴とする請求項６に記載のチップ抵抗器の製造方法。

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