JP2023044670A - フィルムコンデンサ用フィルム、金属積層体、フィルムコンデンサ、パワーコントロールユニット、電動自動車、および電動航空機 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、高い耐熱性とセルフヒーリング性を有し、コンデンサに使用したときの発熱による性能低下を軽減できるフィルムコンデンサ用フィルムを提供することを課題とする。【解決手段】 厚みの異なる２種類の樹脂層を有するフィルムコンデンサ用フィルムであって、厚みの小さい層を樹脂層Ａ、大きい層を樹脂層Ｂとしたときに、樹脂層Ｂの少なくとも片面に樹脂層Ａを有し、樹脂層Ａ中のH、C、S、Si、N、Oの原子分率から式（ｉ）で求めるＸＡが０．０５０～０．８０であり、２３℃、１０ｋＨｚで測定した誘電正接が０．５０%以下であり、下記条件１及び２の少なくとも一方を満たす、フィルムコンデンサ用フィルム。式（ｉ） ＸＡ=（Cの原子分率+Nの原子分率+Sの原子分率+Siの原子分率）／（Hの原子分率+Oの原子分率）条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上。条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下。【選択図】なし
Description
本発明は、フィルムコンデンサの誘電体となるフィルムコンデンサ用フィルム、金属積層体、フィルムコンデンサ、パワーコントロールユニット、電動自動車、および電動航空機に関する。
ここ数年、地球環境問題等に起因してハイブリッド車（ＨＥＶ）やプラグインハイブリッド車（ＰＨＥＶ）の電動機駆動併用車、あるいは電気自動車（ＥＶ）や燃料電池自動車（ＦＣＶ）の電動機駆動車の市場が拡大しているが、これら電動機駆動併用車や電動機駆動車の市場拡大に伴い、これらの車に使用されるフィルムコンデンサの需要も急速に増大している。
フィルムコンデンサは、樹脂製のフィルムを誘電体とするコンデンサであり、優れた周波数特性や温度安定性を備える。このフィルムコンデンサのフィルムとしては、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂フィルム等のポリエステル樹脂フィルム、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂フィルム等の熱可塑性樹脂フィルム、あるいは非晶性の熱可塑性樹脂フィルムであるポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂フィルム等が挙げられる。
これらのフィルムの中では、ポリエーテルイミド樹脂フィルムが注目されている（特許文献１、２）。これは、フィルムコンデンサがハイブリッド自動車や電動自動車の用途に利用される場合、１２０℃以上の環境下での使用に耐えられる耐熱性が要求される場合があり、ガラス転移点温度（Ｔｇ）が２００℃以上のポリエーテルイミド樹脂製のフィルムを使用すれば、優れた耐熱性、耐電圧特性や誘電特性等の電気的特性を得ることができるからである。
一方で、ポリエーテルイミドやポリフェニレンスルフィドなどの優れた耐熱性を持つフィルムは、一般的にセルフヒーリング（SH）性が悪く、長時間使用しているとコンデンサ容量が低下していくという欠点があった。これに対し、基材フィルムにコート層を設けることでセルフヒーリング性を改善する技術が知られている（特許文献３）。また、ポリエーテルイミドや、ポリエチレンナフタレートなどのフィルムは、コンデンサ用フィルムとして使用すると発熱が大きく、性能が低下するリスクがあった。
しかしながら特許文献３に示すような従来技術では、耐熱性とセルフヒーリング性を両立する際に用いられるシリコーン系のセルフヒーリングコートがＳｉを含有しているため、絶縁破壊時に電気回路の導線不良の原因となり得るシロキサンを生成し、コンデンサとしての特性を損なうという課題があった。そこで、本発明は、かかる従来技術の背景を鑑み、高い耐熱性とセルフヒーリング性を具備し、コンデンサとして使用したときの発熱による性能低下を軽減できるフィルムコンデンサ用フィルムを提供せんとするものである。
上述した課題は、以下の発明によって解決可能である。すなわち本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、厚みの異なる２種類の樹脂層を有するフィルムコンデンサ用フィルムであって、前記２種類の樹脂層のうち、厚みの小さい層を樹脂層Ａ、厚みの大きい層を樹脂層Ｂとしたときに、前記樹脂層Ｂの少なくとも片面に前記樹脂層Ａを有し、前記樹脂層Ａに含まれる水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子N、および酸素原子Oの原子分率から下記式（ｉ）に基づいて計算されるＸＡが０．０５０以上０．８０以下であり、２３℃の雰囲気下において１０ｋＨｚで測定した誘電正接が０．５０%以下であり、かつ下記の条件１及び２の少なくとも一方を満たす、フィルムコンデンサ用フィルムである。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率）
条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。
条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。
条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。
条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。
なお、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは以下の態様とすることもでき、これを用いて金属積層体、フィルムコンデンサ、パワーコントロールユニット、電動自動車、および電動航空機を得ることもできる。
（１） 厚みの異なる２種類の樹脂層を有するフィルムコンデンサ用フィルムであって、前記２種類の樹脂層のうち、厚みの小さい層を樹脂層Ａ、厚みの大きい層を樹脂層Ｂとしたときに、前記樹脂層Ｂの少なくとも片面に前記樹脂層Ａを有し、前記樹脂層Ａに含まれる水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子N、および酸素原子Oの原子分率から下記式（ｉ）に基づいて計算されるＸＡが０．０５０以上０．８０以下であり、２３℃の雰囲気下において１０ｋＨｚで測定した誘電正接が０．５０%以下であり、かつ下記の条件１及び２の少なくとも一方を満たす、フィルムコンデンサ用フィルム。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率）
条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。
条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。
（２） ４００℃における熱分解ＧＣ－ＭＳ測定を行ったときに、保持時間２分以上２０分以下の区間に強度２５０００以上のピークを有する、（１）に記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（３） 窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で前記樹脂層Ａの熱重量変化率を測定したときに、１０質量％減少温度が３９０℃以下である、（１）または（２）に記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（４） 窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で熱重量変化率を測定したときに、１質量％減少温度が４３０℃以下である、（１）～（３）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（５） 前記樹脂層Aが構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造（ｎは１以上の整数である）のいずれかを構成単位として有する、（１）～（４）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（１） 厚みの異なる２種類の樹脂層を有するフィルムコンデンサ用フィルムであって、前記２種類の樹脂層のうち、厚みの小さい層を樹脂層Ａ、厚みの大きい層を樹脂層Ｂとしたときに、前記樹脂層Ｂの少なくとも片面に前記樹脂層Ａを有し、前記樹脂層Ａに含まれる水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子N、および酸素原子Oの原子分率から下記式（ｉ）に基づいて計算されるＸＡが０．０５０以上０．８０以下であり、２３℃の雰囲気下において１０ｋＨｚで測定した誘電正接が０．５０%以下であり、かつ下記の条件１及び２の少なくとも一方を満たす、フィルムコンデンサ用フィルム。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率）
条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。
条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。
（２） ４００℃における熱分解ＧＣ－ＭＳ測定を行ったときに、保持時間２分以上２０分以下の区間に強度２５０００以上のピークを有する、（１）に記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（３） 窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で前記樹脂層Ａの熱重量変化率を測定したときに、１０質量％減少温度が３９０℃以下である、（１）または（２）に記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（４） 窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で熱重量変化率を測定したときに、１質量％減少温度が４３０℃以下である、（１）～（３）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（５） 前記樹脂層Aが構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造（ｎは１以上の整数である）のいずれかを構成単位として有する、（１）～（４）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（６） 前記樹脂層Ａが、ウレタンアクリレート重合体、アクリレート重合体、ウレタンメタクリレート重合体、メタクリレート重合体、脂肪族ポリエーテル、脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリアミド、ポリウレタン、ポリウレアからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む、（１）～（５）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（７） 前記樹脂層Ｂが、ポリアリーレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリイミドからなる群の少なくとも一つを含み、かつその合計量が５０質量％以上１００質量％以下である、（１）～（６）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（８） 前記樹脂層Ａの厚みが１．０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、（１）～（７）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（９） 少なくとも一方の面の算術平均粗さＳａが５．０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、（１）～（８）のいずれに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（１０） （１）～（９）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルムの少なくとも一方の表面に金属層を有する、金属積層体。
（１１） 前記樹脂層Ｂ、前記樹脂層Ａ、前記金属層をこの順に有する、（１０）に記載の金属積層体。
（１２） （１０）または（１１）に記載の金属積層体を用いてなる、フィルムコンデンサ。
（１３） （１２）に記載のフィルムコンデンサを有する、パワーコントロールユニット。
（１４） （１３）に記載のパワーコントロールユニットを有する、電動自動車。
（１５） （１３）に記載のパワーコントロールユニットを有する、電動航空機。
（７） 前記樹脂層Ｂが、ポリアリーレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリイミドからなる群の少なくとも一つを含み、かつその合計量が５０質量％以上１００質量％以下である、（１）～（６）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（８） 前記樹脂層Ａの厚みが１．０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、（１）～（７）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（９） 少なくとも一方の面の算術平均粗さＳａが５．０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、（１）～（８）のいずれに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
（１０） （１）～（９）のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルムの少なくとも一方の表面に金属層を有する、金属積層体。
（１１） 前記樹脂層Ｂ、前記樹脂層Ａ、前記金属層をこの順に有する、（１０）に記載の金属積層体。
（１２） （１０）または（１１）に記載の金属積層体を用いてなる、フィルムコンデンサ。
（１３） （１２）に記載のフィルムコンデンサを有する、パワーコントロールユニット。
（１４） （１３）に記載のパワーコントロールユニットを有する、電動自動車。
（１５） （１３）に記載のパワーコントロールユニットを有する、電動航空機。
本発明によれば、高い耐熱性とセルフヒーリング性を具備するフィルムコンデンサ用フィルムを提供することができる。
以下、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムについて具体的に説明する。本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、厚みの異なる２種類の樹脂層を有するフィルムコンデンサ用フィルムであって、前記２種類の樹脂層のうち、厚みの小さい層を樹脂層Ａ、厚みの大きい層を樹脂層Ｂとしたときに、前記樹脂層Ｂの少なくとも片面に前記樹脂層Ａを有し、前記樹脂層Ａに含まれる水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子N、および酸素原子Oの原子分率から下記式（ｉ）に基づいて計算されるＸＡが０．０５０以上０．８０以下であり、２３℃の雰囲気下において１０ｋＨｚで測定した誘電正接が０．５０%以下であり、かつ下記の条件１及び２の少なくとも一方を満たす、フィルムコンデンサ用フィルムである。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率）
条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。
条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。
条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。
条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、厚みの異なる２種類の樹脂層を有する。ここで「厚みの異なる」とは厚みの差が０．１０μｍ以上であることをいい、「２種類の樹脂層」とは互いに組成の異なる2つの樹脂層をいう。樹脂層とは、樹脂を主成分とする層をいい、主成分とは層中に５０質量％を超えて１００質量％以下含まれる成分をいう（以下、主成分については同様に解釈することができる。）。また、「組成の異なる」とは、各層を構成する成分の１０質量％以上１００質量％以下が互いに異なることをいい、好ましくは主成分が異なることをいう。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、２種類の樹脂層のうち、厚みの小さい層を樹脂層Ａ、厚みの大きい層を樹脂層Ｂとしたときに、樹脂層Ｂの少なくとも片面に前記樹脂層Ａを有し、樹脂層Ａに含まれる水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子N、および酸素原子Oの原子分率から下記式（ｉ）に基づいて計算されるＸＡが０．０５０以上０．８０以下であることが重要である。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率） 。
ＸＡは樹脂層Ａにおける絶縁破壊時に蒸散しにくい傾向のある原子と蒸散しやすい傾向のある原子の比であり、これを０．８０以下とすることで、セルフヒーリング性やコンデンサの信頼性が高くなり、０．０５０以上とすることで、金属層を積層した際に、金属層の酸化劣化を抑制することができる。上記観点からＸＡは、好ましくは０．７０以下であり、より好ましくは０．６５以下であり、さらに好ましくは０．６０以下であり、特に好ましくは０．５５以下である。一方、実現容易性の観点からＸＡは、好ましくは０．２０以上であり、より好ましくは０．４０以上である。樹脂層Ａにおける原子の含有量は、ラザフォード後方散乱／水素前方散乱分析同時測定法（National Electrostatics Corporation製Pelletron 3SDH）による分析で得られた原子分率より求めることができ、詳細な手順は後述する。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、下記の条件１及び２の少なくとも一方を満たす。条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。なお、以下ＤＳＣで測定される融点、DＳＣで測定されるガラス転移温度について、それぞれ単に「融点」、「ガラス転移温度」ということがある。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは前記条件１及び２の少なくとも一方を満たすことで、フィルムコンデンサとして使用したときに熱収縮や破膜による絶縁不良を起こしにくくなる。上記観点から融点は、好ましくは２０５℃以上、より好ましくは２１５℃以上である。一方、成形加工性の観点から融点は、好ましくは３７０℃以下、より好ましくは３６０℃以下である。上記観点からガラス転移温度は、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１６５℃以上、さらに好ましくは１８０℃以上である。一方、成形加工性の観点からガラス転移温度は、好ましくは３５０℃以下である。
ここでいう融点は、ＪＩＳ Ｋ－７１２２（１９８７）に準じて、フィルムコンデンサ用フィルムを昇温速度２０℃／ｍｉｎで樹脂を２５℃からTmax［℃］まで２０℃／分の昇温速度で加熱して得られた示差走査熱量測定チャートにおける、ＪＩＳ Ｋ－７１２１（１９８７）に記載の方法に基づいて求められた融解ピーク温度のうち、最も高い融解ピーク温度のことである。なお、Tmax［℃］は初めに３５０℃に設定して測定を行い、融点が観測されなかった場合３８０℃に設定して再度測定を行った。Ｔｍａｘ＝３８０℃で融点が観測されなかった場合、融点なしとした。
ここでいうガラス転移温度は、ＪＩＳ Ｋ－７１２２（１９８７）に準じて、フィルムコンデンサ用フィルムを昇温速度２０℃／ｍｉｎで樹脂を２５℃からTmax［℃］まで２０℃／分の昇温速度で加熱（１ｓｔ Ｒｕｎ）、その状態で５分間保持後、次いで２５℃以下となるよう急冷し、再度２５℃から２０℃／ｍｉｎの昇温速度でTmax［℃］まで昇温（２ｎｄ Ｒｕｎ）を行って得られた２ｎｄ ＲＵＮの示差走査熱量測定チャートにおける、ＪＩＳ Ｋ－７１２１（１９８７）に記載の方法に基づいて求められた中間点ガラス転移温度のうち、最も高い中間ガラス転移温度のことである。なお、Tmax［℃］は初めに３５０℃に設定して測定を行い、ガラス転移温度が観測されなかった場合３８０℃に設定して再度測定を行った。Ｔｍａｘ＝３８０℃でガラス転移温度が観測されなかった場合、ガラス転移温度なしとした。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムが前記条件１及び２の少なくとも一方を満たすようにする手段は特に限定されるものではないが、例えば、樹脂層Ｂの原料として前記条件１及び２の少なくとも一方を満たすものを選定し、樹脂層Ａの厚みを樹脂層Ｂの厚みの３０％以下とする方法が挙げられる。また、条件１及び２の少なくとも一方を満たすものを樹脂層Ａ、樹脂層Ｂの原料として選定する方法も挙げられる。
前記樹脂層Bは、コンデンサとして使用する際の耐熱性を高くする観点から、前記条件１及び２の少なくとも一方を満たすことが好ましい。前記条件１及び２の少なくとも一方を満たすことで、フィルムコンデンサとして使用したときに熱収縮や破膜による絶縁不良を起こしにくくなる。上記観点から融点は、好ましくは２０５℃以上、より好ましくは２１５℃以上である。一方、成形加工性の観点から融点は、好ましくは３７０℃以下、より好ましくは３６０℃以下である。上記観点からガラス転移温度は、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１６５℃以上、さらに好ましくは１８０℃以上である。一方、成形加工性の観点からガラス転移温度は、好ましくは３７０℃以下、より好ましくは３５０℃以下である。樹脂層Bの融点とガラス転移温度は、フィルム３．０ｍｇの代わりに樹脂層Bをかきとったものを３．０ｍｇ使用する以外、後述するフィルムの融点、ガラス転移温度の測定方法と同様にして測定することができる。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、２３℃の雰囲気下において１０ｋＨｚで測定した誘電正接が０．５０%以下であることが重要である。前記誘電正接を０．５０％以下とすることで、コンデンサとして使用したときの発熱を小さくすることができ、発熱による性能低下が軽減される。上記観点から誘電正接は、０．３０％以下であることが好ましい。誘電正接の下限は特に限定されるものではないが、実現可能性の観点から、０．００１０％であることが好ましく、製造コストも考慮すると０．０１０％であることがより好ましく、０．１０％であることが特に好ましい。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムの誘電正接を０．５０％以下とする方法は特に限定されるものではないが、例えば、誘電正接が０．５０％以下である原料で樹脂層Ｂを形成し、その一方の面に樹脂層Ａを後述する範囲内の厚みで形成することで達成することができる。なお、ここでいう誘電正接はＪＩＳ Ｃ２１３８－２００７に準じて測定した値をいい、その詳細な測定方法は後述する。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、後述する条件にて４００℃における熱分解ＧＣ－ＭＳ測定を行ったときに、保持時間２分以上２０分以下の区間に強度２５０００以上のピークを有することが好ましい。前記した区間には、強度５００００以上のピークが含まれることがより好ましく、強度９００００以上のピークが含まれることがさらに好ましく、強度２１００００以上のピークが含まれることが特に好ましい。前記した区間に含まれるピークの数は、１つであってもよいし、複数あってもよい。強度２５０００以上のピークを含むことは、フィルム中に絶縁破壊時に蒸散する成分が多く含まれることを意味し、このような態様とすることで、コンデンサ用フィルムのセルフヒール性を高めることができる。前記した区間に強度２５０００以上のピークを有するようにする方法としては、例えば、誘電正接を前記した範囲に調整し、厚みの薄い樹脂層Ａが絶縁破壊時に蒸散しやすい成分を含む態様とする方法が挙げられる。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、セルフヒール性向上の観点から、窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で前記樹脂層Ａの熱重量変化率を測定したときに、１０質量％減少温度が３９０℃以下であることが好ましい。以下、窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で前記樹脂層Ａの熱重量変化率を測定したときの１０質量％減少温度を、「樹脂層Ａの１０質量％減少温度」ということがある。上記観点から、樹脂層Ａの１０質量％減少温度は、より好ましくは３５５℃以下であり、さらに好ましくは３２５℃以下であり、特に好ましくは２９５℃以下である。樹脂層Ａの１０質量％減少温度が３９０℃以下又は上記の好ましい範囲であることは、コンデンサ用フィルム（特に樹脂層Ａ）中に含まれる絶縁破壊時に蒸散する成分が多いことを意味し、このような態様とすることでコンデンサ用フィルムのセルフヒール性を高めることができる。
樹脂層Ａの１０質量％減少温度は、以下の手順で測定することができる。先ず、樹脂層Ａのサンプルを２３℃、５０％ＲＨの環境にて２４時間保管し、保管後のサンプルを熱重量測定装置にて、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎで２３℃から５００℃まで加熱し、熱重量の変化を測定する。得られた熱重量の変化から、１７０℃での熱重量を１００質量％として、各温度での熱重量変化率を求め、熱重量が質量９０％となっている温度を樹脂層Ａの１０質量％減少温度とする。なお、測定装置は上記手順での測定が可能なものであれば公知の装置から適宜選択することができ、例えば、ＴＧＡ－５０（株式会社島津製作所製）等を使用することができる。
樹脂層Ａの１０質量％減少温度を３９０℃以下とする方法としては、例えば、樹脂層Ａに熱重量変化率を測定したときの１０質量％減少温度が３９０℃以下となる原料を用いる方法が挙げられる。このような原料としては例えば、ウレタンアクリレート重合体、アクリレート重合体、ウレタンメタクリレート重合体、メタクリレート重合体、脂肪族ポリエーテル、脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリアミド、ポリウレタン、ポリウレア等が挙げられる。
本発明のフィルコンデンサ用フィルムは、セルフヒール性向上の観点から、窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で熱重量変化率を測定したときに、１質量％減少温度が４３０℃以下であることが好ましい。なお、以下、窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で熱重量変化率を測定したときの１質量％減少温度を、「フィルムの１質量％減少温度」ということがある。上記観点からフィルムの１質量％減少温度は、より好ましくは３８０℃以下であり、さらに好ましくは３７０℃以下であり、特に好ましくは３５５℃以下で、最も好ましくは３４０℃以下である。フィルムの１質量％減少温度が４３０℃以下又は上記の好ましい範囲であることは、コンデンサ用フィルム中に含まれる絶縁破壊時に蒸散する成分が多いことを意味し、樹脂層Ａの厚みが大きい場合、特に樹脂層Ａの厚みをフィルム全体の厚みの５％以上に設計する場合に、このような態様とすることでコンデンサ用フィルムのセルフヒール性を高めることができる。
フィルムの１質量％減少温度は、測定するサンプルをフィルムとし、読み取る温度を熱重量が質量９９％となっている温度とする以外は、前述の樹脂層Ａの１０質量％減少温度と同様に測定することができる。フィルムの１質量％減少温度を４３０℃以下とする方法としては、誘電正接を前記した範囲に収める観点から樹脂層Ａの設計にて制御するのが好ましく、例えば、樹脂層Ａの原料に熱重量変化率を測定したときの１０質量％減少温度が低い原料を用いる方法や、樹脂層Ａの厚みを厚くする方法が挙げられる。樹脂層Ａを前記した方法で設計することで、フィルムを加熱したときの４３０℃以下での樹脂層Ａの分解量が増加し、フィルムの質量減少量も増加する。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造のいずれかを構成単位として有する樹脂層Ａを有することが好ましい（ｎは１以上の整数）。「構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造のいずれかを構成単位として有する」とは、樹脂層Ａを構成する樹脂のうち少なくとも１種の樹脂が構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造を含むことを意味する。なお、部分構造とは、分子構造の一部分または全体を構成する、化学結合で結合した原子群を指す。このとき、構造ｒ１～ｒ８で表される同一の又は異なる部分構造を含む２種以上の成分が含まれていてもよく、１分子内に構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造を２種以上含む成分を含んでもよい。構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造は絶縁破壊時に蒸散しやすい構造であり、該構造を有する樹脂層Aを具備することでフィルムコンデンサ用フィルムのセルフヒーリング性を高めることができる。
前記構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造の含量について、樹脂層Ａの質量を１００質量％としたときに、前記構造ｒ１～ｒ８に該当する樹脂層A中の部分構造の質量の割合をＷRとする。前記WRはセルフヒーリング性の観点から、５．０質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましく、４５質量％以上であることがさらに好ましい。また、WRの上限は特に制限されないが、実現可能性の観点から１００質量％となる。同様にして、樹脂層Ａの質量を１００質量％としたときに、構造ｒ５、ｒ７、ｒ８の群から選ばれる少なくとも１つの構造に該当する樹脂層A中の部分構造の質量の割合をW５７８とし、構造ｒ７またはｒ８の少なくとも一方の構造に該当する樹脂層A中の部分構造の質量の割合をW７８とする。
樹脂層Aは、構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造のうち、セルフヒーリング性の観点から、より蒸散しやすい構造ｒ５、ｒ７、ｒ８の群から選ばれる少なくとも１つの構造を含有することが好ましく、特に蒸散しやすい構造ｒ７またはｒ８の少なくとも一方の構造を含有することがより好ましい。同様の観点から、W５7８が１質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。W7８が１質量％以上であることがさらに好ましく、１０質量％以上であることが特に好ましい。また、W５７８とW７８の上限は特に制限されないが、いずれも実現可能性の観点から１００質量％となる。
原料組成が不明な場合に、樹脂層Aに前記構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造が含まれているかどうかは、樹脂層Aをかきとったものに対して固体１H－核磁気共鳴法（NMR）、固体１３C－核磁気共鳴法（NMR）、熱分解ガスクロマトグラフィー質量分析法（GC-MS）等の公知の分析方法で分析することができる。前記分析は以下の手順で行うことができる。
構造ｒ１～ｒ４の定量について説明する。先ず、熱分解ＧＣ－ＭＳにより該構造のｎの値を決定する。続いてDD／ＭＡＳ法（Ｄｉｐｏｌａｒ Ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ／Ｍａｇｉｃ Ａｎｇｌｅ Ｓｐｉｎｎｉｎｇ）の固体１H－NMR分析により、２．０～２．８ｐｐｍに検出されるピークの面積から該構造が有するカルボニル炭素に隣接する炭素に結合している水素の原子数を定量する。得られた水素原子数から該構造が持つ他の原子の数を算出し、WRの計算に用いた。２．０～２．８ｐｐｍに検出されるピークのうち、どのピークが該構造の有するカルボニル炭素に隣接する炭素上の水素原子に対応するかは固体１Ｈ－13Ｃ Ｃｒｏｓｓ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ－Ｈｅｔｅｒｏｎｕｃｌｅａｒ Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ（ＣＰ－ＨＳＱＣ）によって決定する。
構造ｒ５、ｒ６の定量について説明する。熱分解ＧＣ－ＭＳにより該構造のｎの値を決定した。続いてDD／ＭＡＳ法の固体１H－NMR分析により、３．５～４．５ｐｐｍに検出されるピークの面積から該構造が有するエーテル結合酸素に隣接する炭素に結合している水素の原子数を定量し、得られた水素原子数から該構造が持つ他の原子の数を算出してWR、W５７８の計算に用いる。３．５～４．５ｐｐｍに検出されるピークのうち、どのピークが該構造が有するエーテル結合酸素に隣接する炭素上の水素原子に対応するかは固体１Ｈ－13Ｃ Ｃｒｏｓｓ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ－Ｈｅｔｅｒｏｎｕｃｌｅａｒ Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ（ＣＰ－ＨＳＱＣ）によって決定する。
構造ｒ７、ｒ８の定量について説明する。DD／ＭＡＳ法の固体１３C－NMR分析により、１５０～１６０ｐｐｍに検出されるピークの面積から該構造が有するカルボニル炭素の原子数を定量する。得られた炭素原子数から該構造が持つ他の原子の数を算出し、WR、W５７８、W７８の計算に用いる。
本発明のコンデンサ用フィルムにおける樹脂層Ａの原料としては、特に限定されるものではないが、ＸＡを０．０５０以上０．８０以下にし、セルフヒール性を高める観点から、ウレタンアクリレート重合体、アクリレート重合体、ウレタンメタクリレート重合体、メタクリレート重合体、脂肪族ポリエーテル、脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリアミド、ポリウレタン、ポリウレアからなる群より少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。中でも、分解温度が低くなる傾向にあるウレタン結合やウレア結合を含有させ、セルフヒール性を高める観点から、ウレタンアクリレート重合体、ウレタンメタクリレート重合体、ポリウレタン、ポリウレアからなる群より少なくとも１種の化合物を含むことがより好ましく、耐湿熱性を高くする観点から、ウレタンアクリレート重合体またはウレタンメタクリレート重合体の少なくとも１種を含むことがさらに好ましい。ウレタンアクリレート重合体とは、ウレタン結合を含むアクリレートを重合した化合物を指す。アクリレート重合体とは、アクリレートを重合した化合物であってウレタンアクリレート重合体以外のものをいう。脂肪族ポリエーテル、脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリアミドとは、脂肪族炭化水素基をそれぞれエーテル結合、エステル結合、アミド結合で繋いだ構造を有する化合物を指す。
前記化合物群の化合物は２種以上を選んで混合してもよいし、前記化合物群の構成単位を２種以上含む化合物を少なくとも１種含んでもよい。前記化合物群の構成単位とは、以下の構造を指す。前記化合物群のうち、ウレタンアクリレート重合体とウレタンメタクリレート重合体は２種の構造を構成単位とし、該構造を２種とも含む場合に前記化合物の構成単位を１種含むものとする。また、複数の構成単位を有する化合物の場合は、各化合物について該当するかを判定するものとし、例えば、構造１と構造２と構造３を構成単位として有する化合物を含有する樹脂層は、ウレタンアクリレート重合体とアクリレート重合体とウレタンメタクリレート重合体とメタクリレート重合体を含有するものとして扱う。前記化合物には下記以外の構造を含む成分が含まれてもよい。樹脂層Ａの質量を１００質量％としたときに、下記構造１～７に該当する成分の質量比ＷＡが１質量％以上となるように前記化合物群からなる化合物が樹脂層Ａに含まれるのが好ましい。ただし、構造１～６のＸ、Ｙ、Ｚ部分の質量はＷＡに含めないものとする。前記ＷＡは５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、４０質量％以上であることが特に好ましい。また、ＷＡの上限は特に制限されないが、理論上１００質量％となる。
ウレタンアクリレート重合体：構造１と構造２
アクリレート重合体：構造１
ウレタンメタクリレート重合体：構造２と構造３
メタクリレート重合体：構造３
脂肪族ポリエーテル：構造４
脂肪族ポリエステル：構造５
脂肪族ポリアミド：構造６
ポリウレタン：構造２
ポリウレア：構造７
アクリレート重合体：構造１
ウレタンメタクリレート重合体：構造２と構造３
メタクリレート重合体：構造３
脂肪族ポリエーテル：構造４
脂肪族ポリエステル：構造５
脂肪族ポリアミド：構造６
ポリウレタン：構造２
ポリウレア：構造７
なお、ここでｎは１以上の整数とする。Ｒ１、Ｒ２は脂肪族炭化水素基を、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ任意の化学構造を指す。これらの中に同じ化学構造のものがあってもよいし、全て別の化学構造であってもよい。
樹脂層Ａが前記構成単位を含有するかどうかは、例えば１H－ＮＭＲ（核磁気共鳴法ともいう）、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳともいう）、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ－ＩＲともいう）といった高分子の構造解析に一般的に使用される方法を用いて分析することができる。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムの樹脂層Ｂに用いる原料は、特に限定されるものではないが、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルペンテン（ＰMＰ）、環状オレフィン（ＣＯＰ）、及び環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、及びポリエチレンナレフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリアミド６（ＰＡ６）、ポリアミド６６（ＰＡ６６）、ポリアミド４６（ＰＡ４６）、ポリアミド４Ｔ（ＰＡ４Ｔ）、ポリアミド６Ｔ（ＰＡ６Ｔ）、変性ポリアミド６Ｔ（変性ＰＡ６Ｔ）、ポリアミド９Ｔ（ＰＡ９Ｔ）、ポリアミド１０Ｔ（ＰＡ１０Ｔ）、及びポリアミド１１Ｔ（ＰＡ１１Ｔ）等のポリアミド、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、及びポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）等のポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリフェニレンスルフィドケトン、ポリフェニレンスルフィドスルホン、ポリフェニレンスルフィドケトンスルホン等のポリアリーレンスルフィド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、及びポリアミドイミド（ＰＡＩ）等のポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）等のポリアリールエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）（四フッ化エチレンともいう）、ポリテトラフルオロエチレン‐パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）（四フッ化エチレン‐パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体ともいう）、テトラフルオロエチレン‐ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）（四フッ化エチレン‐六フッ化プロピレン共重合体ともいう）、テトラフルオロエチレン‐エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）（四フッ化エチレン‐エチレン共重合体ともいう）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）（三フッ化塩化エチレンともいう）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＥ）（フッ化ビニリデンともいう）、フッ化ビニリデン・テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロピレン共重合体等のフッ素系ポリマー、ポリアセタール、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、フェノール樹脂、ポリウレア、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、シンジオタクチックポリスチレンとポリフェニレンエーテルの混合物、ポリウレタン等が挙げられる。
これらの中では、前記した本発明のコンデンサフィルムが満たす条件１及び条件２の少なくとも一方を満たし、１５０℃での耐熱性に優れるポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリアリーレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、及びポリフェニルスルホン等のポリスルホン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリアリールエーテルケトン、フルオレン含有ポリエステル、シンジオタクチックポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレンとポリフェニレンエーテルの混合物、ポリウレタンを用いるのが好ましい。
また、フィルムコンデンサ用フィルムの融点及びガラス転移温度の少なくとも一方を前記した条件に収めて耐熱性を高めつつ、誘電正接を低減させてコンデンサとして使用したときの発熱を抑制する観点から、樹脂層Ｂが、ポリアリーレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリイミドのうち少なくとも１つの樹脂を含み、かつその合計量が５０質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましい。上記観点からポリアリーレンスルフィドとポリイミドの合計量は、７０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。これらの樹脂はホモ体であってもよいが、変性体、誘導体、及び他の化合物との共重合体も使用することができる。また、単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用することもできる。なお、ここでポリアリーレンスルフィドの共重合体とは、樹脂を構成する全構成単位を１００モル％としたときに、アリーレンスルフィド単位を５０モル％より多く１００モル％未満含み、他の構成単位を０モル％より多く５０モル％未満含むものをいう。ポリイミドの共重合体も同様に解釈できる。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムには、その特性を損なわない範囲で、酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、架橋剤、難燃剤、帯電防止剤、耐熱向上剤、着色剤、スリップ剤、ブロッキング防止剤、無機粒子、樹脂粒子、無機化合物、有機化合物等を含有してもよい。なお、これらの各成分は、必要に応じて単独でまたは複数種類を組み合わせてもよく、樹脂層Ａ、樹脂層Ｂの何れの層にも用いることができる。
本発明のコンデンサ用フィルムにおける樹脂層Ａの厚みは、１．０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。樹脂層Ａの厚みを１．０ｎｍ以上とすることで、セルフヒール性を高めることができ、５００ｎｍ以下とすることで、誘電正接を前記した範囲に収めることがより容易となる。上記観点から樹脂層Ａの厚みは２００ｎｍ以下であることがより好ましい。同様に上記観点から樹脂層Ａの厚みは、５．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
一般にＸＡの低い原料は誘電正接が高くなる傾向が知られている。そのため、本来であれば前記した通り、コンデンサとして使用したときに発熱が大きくなりコンデンサとしての使用には適さない。しかしながら本発明では、樹脂層Ｂより薄い樹脂層Ａとして該原料を用いることで、セルフヒール性を高くしながらコンデンサとして使用したときの発熱を抑えることができる。特に、樹脂層Ａの厚みを前記した範囲に収めることで、より発熱を低減することができる。
樹脂層Ｂの厚みは、樹脂層Ａよりも大きければ特に限定されるものではないが、０．５０μｍ以上９．０μｍ以下であることが好ましい。樹脂層Ｂの厚みを９．０μｍ以下とすることで、フィルムコンデンサ用フィルムとして用いたときにフィルムコンデンサを小型化することが容易となる。樹脂層Ｂの厚みを０．５０μｍ以上とすることで、フィルムコンデンサ用フィルムをフィルムコンデンサに加工する際に生じる破膜を軽減することができる。上記観点から樹脂層Ｂの厚みは７．５μｍ以下であることが好ましく、５．５μｍ以下であることがより好ましく、４．５μｍ以下であることがさらに好ましい。前記樹脂層Ｂの厚みは、１．０μｍ以上であることが好ましく、１．５μｍ以上であることがより好ましい。
ここで、各層の厚みは幅方向－厚み方向断面を電界放射走差電子顕微鏡で観察し、その測長機能により計測することができ、詳細な手順は後述する。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、コンデンサへの加工性の観点から、少なくとも一方の面の算術平均粗さＳａが５．０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５．０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。少なくとも一方の面のＳａを５．０ｎｍ以上とすることで、フィルムコンデンサ用フィルムに滑り性を付与でき、フィルムコンデンサに加工するのが容易となる。少なくとも一方の面のＳａを１０００ｎｍ以下とすることで、フィルムコンデンサとしたときの耐電圧を高めることができる。Ｓａをこの範囲に収める方法は特に限定されるものではないが、Ｓａを高めるには、樹脂層Ｂに粒子を添加することや、樹脂層Ａに相分離する２成分を添加すること等が有効である。逆に、Ｓａを下げるには、押出成形を平滑な鏡面ロール上で行うことや、樹脂層Ｂの形成を平滑な溶液製膜基材用フィルム上で行うこと等が有効である。本発明のフィルムコンデンサ用フィルムに滑り性を付与する観点から、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、より好ましくは両方の面のＳａが５．０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは両方の面のＳａが５．０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
以下、本発明のフィルムコンデンサ用金属積層体について説明する。本発明の金属積層体は、集積化の観点から、フィルムコンデンサ用フィルムの少なくとも一方の表面に金属層を有する。また、セルフヒーリング性を高める目的から、樹脂層Ｂ、樹脂層Ａ、金属層をこの順に有する金属積層体とすることがより好ましい。なお、ここで「樹脂層Ｂ、樹脂層Ａ、金属層をこの順に有する」とは、樹脂層Ｂ、樹脂層Ａ、金属層がこの順に位置している態様全般をいい、樹脂層Ｂと樹脂層Ａの間、樹脂層Ａと金属層との間、樹脂層Ｂや金属層の外側に他の層があるか否かは問わない。
金属層の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上８０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲である。また、金属層の表面抵抗値は、好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１０Ω／ｓｑ以下、より好ましくは２Ω／ｓｑ以上８Ω／ｓｑ以下、さらに好ましくは３Ω／ｓｑ以上６Ω／ｓｑ以下の範囲である。これは、金属層の表面抵抗値が０．１Ω／ｓｑ未満の場合には、セルフヒーリング性が低下するので、好ましくないからである。逆に、１０Ω／ｓｑを超える場合には、誘電正接が悪化するおそれがあるという理由に基づく。なお、金属層の表面抵抗値を調整するには、金属層の厚みを調整すればよい。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、コンデンサ用誘電体フィルムとして好ましく用いられるものであるが、コンデンサのタイプに限定されるものではない。具体的には電極構成の観点では箔巻きコンデンサ、金属蒸着膜コンデンサのいずれであってもよいし、絶縁油を含浸させた油浸タイプのコンデンサや絶縁油を全く使用しない乾式コンデンサにも好ましく用いられる。また、形状の観点では、捲巻式であっても積層式であっても構わない。これらの中では、本発明のフィルムの特性から、金属積層体を含む金属蒸着膜フィルムコンデンサとして使用するのが好ましい。金属層の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が用いられる。これらの方法の中では、生産性に優れる真空蒸着法が好ましい。金属層が蒸着される場合、蒸着方法として、オイル法やテープ等が使用される。金属層の蒸着パターンとしては、特に限定されるものではないが、好ましいパターンとしては、例えばＴマージンパターン、ハニカムパターン、モザイクパターン等が挙げられる。
前記金属層の金属成分は特に限定されるものではないが、アルミニウムまたは、アルミニウムと亜鉛との合金が好ましく用いられる。また、アルミニウムと同時あるいは逐次に、例えば、ニッケル、銅、金、銀、クロムなどの他の金属成分を蒸着したものを金属層として用いることもできる。また、蒸着膜上にオイルなどで保護層を設けることもできる。樹脂層Ａと樹脂層Ｂからなるフィルムへの金属層積層を蒸着によって行う場合、蒸着前にフィルムコンデンサ用フィルムの蒸着面にコロナ放電処理等の表面処理を行ってもよい。このような表面処理を行うことで、蒸着した金属の表面への密着性を高めることができる。
次に本発明のフィルムコンデンサについて説明する。本発明のフィルムコンデンサは、本発明の金属積層体を用いてなる。本発明のフィルムコンデンサは、自動車用インバーターおよび／またはコンバーター（例えば、ハイブリッド電気自動車用のインバーター、ハイブリッド電気自動車用のコンバーター、電気自動車用のインバーター、電気自動車用のコンバーターなど）の一部とすることができる。
以下、本発明のパワーコントロールユニット、電動自動車、電動航空機について説明する。本発明のパワーコントロールユニットは、本発明のフィルムコンデンサを有する。パワーコントロールユニットは、電力により駆動する機構を持つ電動自動車や電動航空機等において、動力をマネジメントするシステムである。パワーコントロールユニットに本発明のフィルムコンデンサを搭載することで、パワーコントロールユニット自体の小型化、耐熱性向上、高効率化が可能となり、結果、燃費が向上する。
本発明の電動自動車は、本発明のパワーコントロールユニットを有する。ここで電動自動車とは、電気自動車、ハイブリッド車、燃料電池車等の電力により駆動する機構を有する自動車を指す。前述のとおり、本発明のパワーコントロールユニットは小型化が可能な他、耐熱性や効率にも優れるため、電動自動車が本発明のパワーコントロールユニットを備えることで燃費の向上等に繋がる。
本発明の電動航空機は、本発明のパワーコントロールユニットを有する。ここで電動航空機とは、有人電動航空機やドローン等の電力により駆動する機構を有する航空機を指す。前述のとおり、本発明のパワーコントロールユニットは小型化が可能な他、耐熱性や効率にも優れるため、電動航空機が本発明のパワーコントロールユニットを備えることで燃費の向上等に繋がる。
次に、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムの製造方法の例について説明する。なお、以下の例は樹脂層Ａと樹脂層Bからなる2層構成のものであるが、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、樹脂層Ａと樹脂層Ｂを有する限り２層構成であっても、それ以外の層を有する3層以上の構成であってもよい。
まず、樹脂層Ｂの形成方法としては、樹脂層Ｂの原料を押出機に供給し、Ｔダイなどのスリット状口金から溶融押出させて冷却ドラムなどの上で固化させて樹脂層Ｂとする方法や、溶液又は液体状の樹脂層Ｂの原料を、ポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、またはそれらにシリコーンコートをして離型性を高めたフィルムなどの溶液製膜基材用フィルム上にコーターで塗工した後、乾燥または重合、固化することで樹脂層Ｂを形成する方法や、該液体を流延ベルト上に流延させた後、乾燥または重合、固化することで樹脂層Ｂを形成する方法等が挙げられる。中でも、樹脂層Ｂの厚み均一性を高める観点から、溶液又は液体状の樹脂層Ｂの原料を溶液製膜基材用フィルム上にコーターで塗工した後、乾燥する方法で樹脂層Ｂを形成する方法か、原料を押出機に供給し、Ｔダイなどのスリット状口金から溶融押出させて冷却ドラムなどの上で固化させてフィルム状に成形した後、一軸または二軸で延伸したものを樹脂層Bとする方法のいずれかの方法で行うのが好ましい。溶液製膜基材用フィルム上に樹脂層Ｂを形成した場合には、樹脂層Ａの形成を行う前に樹脂層Ｂを溶液製膜基材用フィルムから剥離してもよいし、しなくてもよいが、搬送性を高める観点から、剥離せずに樹脂層Ａの形成を行うのが好ましい。
樹脂層Ｂの形成方法の一例として、二軸配向ＰＰＳ層を樹脂層Ｂとする場合の方法を述べる。原料として、１７０℃～１９０℃で真空乾燥したＰＰＳを押出機に供給し、窒素雰囲気下、３１０℃～３３０℃の温度で溶融させ、Ｔダイ口金に導入する。次いで、Ｔダイ口金内より、シート状に押出して溶融単層シートとし、これを表面温度１０℃～３０℃に保たれたキャストドラム上に吐出した後、静電印加法で密着させて冷却固化することによりキャストし、未延伸フィルムを得る。得られた未延伸フィルムを加熱された複数のロール群からなる縦延伸機を用い、ロールの周速差を利用して延伸温度８５℃～１１５℃でフィルムの長手方向に２．０倍～５．０倍の倍率で延伸する。その後、得られた一軸延伸フィルムの幅方向両端部をクリップで担持してテンターに導き、延伸温度９５℃～１０５℃で幅方向に２．５倍～５．０倍の倍率で延伸する。引き続いて２７０℃～２９０℃で熱処理を行った後、１％～１０％弛緩処理を行い、室温まで冷却する。次いでフィルム表面（キャストドラム接触面側）に２０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２～３０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行い、その後、フィルムエッジを除去して厚み１μｍ～８μｍの二軸配向ＰＰＳフィルムを得ることができ、これを樹脂層Ｂとして用いる。
樹脂層Ｂの一方の面に樹脂層Ａを形成する方法としては、溶液または液体状の樹脂層Ａの原料を樹脂層Ｂ上にコーターで塗工した後乾燥する方法や、樹脂層Ａの原料を樹脂層Ｂ上に真空蒸着する方法が挙げられる。樹脂層Ｂの一方の面に樹脂層Ａの原料を塗工して形成する場合には、樹脂層Ｂとなるフィルムの塗工面に事前にコロナ放電処理等の表面処理を行ってもよい。コロナ放電処理等の表面処理を行うことで、樹脂層Ａを形成するための塗料組成物の塗工面への濡れ性が向上する。その結果、塗料組成物のはじきが抑えられ、均一な塗布厚みを達成することが容易となる。
樹脂層Ａを形成する際には、樹脂層Ａを形成するための塗料組成物の成分を架橋するのが好ましい。架橋する方法は特に限定されるものではないが、樹脂層Ａを形成するための塗料組成物として反応点を複数持つ組成物を用い、熱や紫外線により架橋反応する方法や、樹脂層Ａを形成するための塗料組成物を塗工した後に、電子線によって架橋する方法等が挙げられる。反応点を複数持つ組成物としては、ビニル基を２つ以上持つアクリレートまたはウレタンアクリレート、エポキシ基を２つ以上持つエポキシ、メラミンとホルムアルデヒドの縮合物や、イソシアネート基を２つ以上持つ化合物とヒドロキシ基を３つ以上持つ化合物の混合物、イソシアネート基を２つ以上持つ化合物とアミノ基を３つ以上持つ化合物の混合物などが挙げられる。このうち、絶縁破壊時の樹脂層Ａの分解を促進し、セルフヒーリング性を高める観点から、ビニル基を２つ以上持つアクリレートまたはウレタンアクリレートか、イソシアネート基を２つ以上持つ化合物とヒドロキシ基を３つ以上持つ化合物の混合物、イソシアネート基を２つ以上持つ化合物とアミノ基を３つ以上持つ化合物の混合物を用いるのが好ましい。
架橋反応を促進するために、樹脂層Ａを形成する際に酸や塩基などの触媒や、カチオン開始剤、アニオン開始剤、ラジカル開始剤などの添加剤を反応点の反応性に合わせて添加してもよい。例えば、ビニル基を２つ以上持つアクリレートを、樹脂層Ａを形成するための塗料組成物として用いる場合には、紫外線によりラジカルを生成するラジカル開始剤を添加した塗液を作成し、樹脂層Ｂに該塗液を塗工した後紫外線を照射することで架橋反応を促進することができる。ラジカル開始剤としては、特に限定されるものではないが、紫外線によりラジカルを生成する、ヒドロキシアルキルフェノン型開始剤、アミノアセトフェノン型開始剤等を用いることができる。このように樹脂層Ａに架橋構造を形成することで、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムの耐熱性を高めることが容易となる。
一例として、樹脂層Ａをバーコーターにより形成する方法を述べる。アクリレート１００質量部と、α－ヒドロキシアルキルフェノン１質量部～５質量部と、２－ブタノン８００質量部～１０００質量部とを混合した塗液を調合する。調合した塗液を、前記した方法で形成した樹脂層Ｂのコロナ放電処理した面にバーコーターで硬化後の塗膜厚みが５０ｎｍ～５００ｎｍになる厚みで塗工する。これを８０℃～１００℃の乾燥炉に導入し、乾燥時間が３０秒～２分になるよう乾燥させる。続いて、UV照射装置に導入し、照度４０ｍＷ／ｃｍ２～７０ｍＷ／ｃｍ２、照射量０．１Ｊ／ｃｍ２～０．３Ｊ／ｃｍ２、酸素濃度１００ｐｐｍ～３００ｐｐｍの条件で塗膜を硬化させて樹脂層Ａを形成することができる。また、得られた樹脂層Ａと樹脂層Ｂの積層体を巻き取ることで、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムを得ることができる。
こうして得られた樹脂層Ａと樹脂層Ｂからなるフィルムコンデンサ用フィルムに、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等によって、アルミニウムまたはアルミニウムと亜鉛の合金等の金属を積層し、本発明の金属積層体を得ることができる。
以下、実施例を用いて本発明のフィルムコンデンサ用フィルムについて具体的に説明する。なお、特性値の測定方法、並びに効果の評価方法は次のとおりである。
（１）フィルム厚み
フィルムの任意の１０箇所の厚みを、２３℃６５％ＲＨの雰囲気下で接触式のアンリツ（株）製電子マイクロメータ（Ｋ－３１２Ａ型）を用いて測定した。その１０箇所の厚みの算術平均値をフィルム厚みとした。
フィルムの任意の１０箇所の厚みを、２３℃６５％ＲＨの雰囲気下で接触式のアンリツ（株）製電子マイクロメータ（Ｋ－３１２Ａ型）を用いて測定した。その１０箇所の厚みの算術平均値をフィルム厚みとした。
（２）樹脂層Ａの厚み、樹脂層Ｂの厚み
ミクロトーム法を用い、フィルムの幅方向－厚み方向に断面を有する幅５ｍｍの超薄切片を作製し、該断面に白金コートをして観察試料とした。次に、日立製作所製電界放射走差電子顕微鏡（Ｓ－４８００）を用いて、フィルム断面を加速電圧１．０ｋＶで観察し、観察画像の任意の箇所から樹脂層Ａの厚み、樹脂層Ｂの厚みを計測した。なお、２層のうち厚い方の層を樹脂層Ｂ、薄い方の層を樹脂層Ａとし、観察倍率は１０，０００倍とした。さらに、同様の計測を合計２０回行い、その平均値をそれぞれ樹脂層Ａの厚み、樹脂層Ｂの厚みとした。
ミクロトーム法を用い、フィルムの幅方向－厚み方向に断面を有する幅５ｍｍの超薄切片を作製し、該断面に白金コートをして観察試料とした。次に、日立製作所製電界放射走差電子顕微鏡（Ｓ－４８００）を用いて、フィルム断面を加速電圧１．０ｋＶで観察し、観察画像の任意の箇所から樹脂層Ａの厚み、樹脂層Ｂの厚みを計測した。なお、２層のうち厚い方の層を樹脂層Ｂ、薄い方の層を樹脂層Ａとし、観察倍率は１０，０００倍とした。さらに、同様の計測を合計２０回行い、その平均値をそれぞれ樹脂層Ａの厚み、樹脂層Ｂの厚みとした。
（３）フィルムの融点
ＪＩＳ Ｋ－７１２２（１９８７）に準じて、フィルム３．０ｍｇを測りとり、示差走査熱量計（セイコーインスツル製 ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ６２２０）を用いて、昇温速度２０℃／ｍｉｎで樹脂を２５℃からTmax［℃］まで２０℃／分の昇温速度で加熱して示差走査熱量測定チャートを得た。得られた示差走査熱量測定チャートから、ＪＩＳ Ｋ－７１２１（１９８７）に記載の方法に基づいて融解ピーク温度を求めた。得られた融解ピーク温度のうち、最も高い融解ピーク温度をフィルムの融点とした。Tmax［℃］は初めに３５０℃に設定して測定を行い、融点が観測されなかった場合３８０℃に設定して再度測定を行った。Ｔｍａｘ＝３８０℃で融点が観測されなかった場合、融点なしとした。
ＪＩＳ Ｋ－７１２２（１９８７）に準じて、フィルム３．０ｍｇを測りとり、示差走査熱量計（セイコーインスツル製 ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ６２２０）を用いて、昇温速度２０℃／ｍｉｎで樹脂を２５℃からTmax［℃］まで２０℃／分の昇温速度で加熱して示差走査熱量測定チャートを得た。得られた示差走査熱量測定チャートから、ＪＩＳ Ｋ－７１２１（１９８７）に記載の方法に基づいて融解ピーク温度を求めた。得られた融解ピーク温度のうち、最も高い融解ピーク温度をフィルムの融点とした。Tmax［℃］は初めに３５０℃に設定して測定を行い、融点が観測されなかった場合３８０℃に設定して再度測定を行った。Ｔｍａｘ＝３８０℃で融点が観測されなかった場合、融点なしとした。
（４）フィルムのガラス転移温度
ＪＩＳ Ｋ－７１２２（１９８７）に準じて、フィルム３．０ｍｇを測りとり、示差走査熱量計（セイコーインスツル製 ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ６２２０）を用いて、昇温速度２０℃／ｍｉｎで樹脂を２５℃からTmax［℃］まで２０℃／分の昇温速度で加熱（１ｓｔ Ｒｕｎ）、その状態で５分間保持後、次いで２５℃以下となるよう急冷し、再度２５℃から２０℃／ｍｉｎの昇温速度でTmax［℃］まで昇温（２ｎｄ Ｒｕｎ）を行って得られた２ｎｄ ＲＵＮの示差走査熱量測定チャートにおける、ＪＩＳ Ｋ－７１２１（１９８７）に記載の方法に基づいて求められた中間点ガラス転移温度のうち、最も高い中間ガラス転移温度をフィルムのガラス転移温度とした。Tmax［℃］は初めに３５０℃に設定して測定を行い、ガラス転移温度が観測されなかった場合３８０℃に設定して再度測定を行った。Ｔｍａｘ＝３８０℃でガラス転移温度が観測されなかった場合、ガラス転移温度なしとした。
ＪＩＳ Ｋ－７１２２（１９８７）に準じて、フィルム３．０ｍｇを測りとり、示差走査熱量計（セイコーインスツル製 ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ６２２０）を用いて、昇温速度２０℃／ｍｉｎで樹脂を２５℃からTmax［℃］まで２０℃／分の昇温速度で加熱（１ｓｔ Ｒｕｎ）、その状態で５分間保持後、次いで２５℃以下となるよう急冷し、再度２５℃から２０℃／ｍｉｎの昇温速度でTmax［℃］まで昇温（２ｎｄ Ｒｕｎ）を行って得られた２ｎｄ ＲＵＮの示差走査熱量測定チャートにおける、ＪＩＳ Ｋ－７１２１（１９８７）に記載の方法に基づいて求められた中間点ガラス転移温度のうち、最も高い中間ガラス転移温度をフィルムのガラス転移温度とした。Tmax［℃］は初めに３５０℃に設定して測定を行い、ガラス転移温度が観測されなかった場合３８０℃に設定して再度測定を行った。Ｔｍａｘ＝３８０℃でガラス転移温度が観測されなかった場合、ガラス転移温度なしとした。
（５）樹脂層Ａに含有される水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子Nおよび酸素原子Oの原子分率と、層Ｂの酸素原子O、ケイ素原子Siの含有量
フィルムの樹脂層Ａ側の表面をラザフォード後方散乱/水素前方散乱分析同時測定法（National Electrostatics Corporation製 Pelletron 3SDH）により分析し、樹脂層Ａの水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子Nおよび酸素原子Oの原子収率Y(H)、Y(C)、Y(S)、Y(Si)、Y(N)およびY(O)を得た。得られた値から、次式に基づいて得られた値を樹脂層Ａに含有される水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子Nおよび酸素原子Oの原子分率とした。
フィルムの樹脂層Ａ側の表面をラザフォード後方散乱/水素前方散乱分析同時測定法（National Electrostatics Corporation製 Pelletron 3SDH）により分析し、樹脂層Ａの水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子Nおよび酸素原子Oの原子収率Y(H)、Y(C)、Y(S)、Y(Si)、Y(N)およびY(O)を得た。得られた値から、次式に基づいて得られた値を樹脂層Ａに含有される水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子Nおよび酸素原子Oの原子分率とした。
＜計算式＞
Y(All)＝Y(C)+Y(S)+Y(Si)+Y(N)+Y(O)+Y(H)とした。
水素原子Hの原子分率＝Y(H)/Y(All)
炭素原子Cの原子分率＝Y(C)/Y(All)
硫黄原子Sの原子分率＝Y(S)/Y(All)
ケイ素原子Siの原子分率＝Y(Si)/Y(All)
窒素原子Nの原子分率＝Y(N)/Y(All)
酸素原子Oの原子分率＝Y(O)/Y(All)。
なお、測定の条件は以下の通り。
入射イオン： ４Ｈｅ＋＋
入射エネルギー：２３００ｋｅＶ
入射角：７５ｄｅｇ
散乱角：１６０ｄｅｇ
反跳角：３０ｄｅｇ
試料電流：４ｎＡ
ビーム径：２ｍｍφ
面内回転：無
照射量：０．５μC×２０点。
Y(All)＝Y(C)+Y(S)+Y(Si)+Y(N)+Y(O)+Y(H)とした。
水素原子Hの原子分率＝Y(H)/Y(All)
炭素原子Cの原子分率＝Y(C)/Y(All)
硫黄原子Sの原子分率＝Y(S)/Y(All)
ケイ素原子Siの原子分率＝Y(Si)/Y(All)
窒素原子Nの原子分率＝Y(N)/Y(All)
酸素原子Oの原子分率＝Y(O)/Y(All)。
なお、測定の条件は以下の通り。
入射イオン： ４Ｈｅ＋＋
入射エネルギー：２３００ｋｅＶ
入射角：７５ｄｅｇ
散乱角：１６０ｄｅｇ
反跳角：３０ｄｅｇ
試料電流：４ｎＡ
ビーム径：２ｍｍφ
面内回転：無
照射量：０．５μC×２０点。
（６）ＸＡ
（５）に記載の方法で得られた各値を用いて、下記式（ｉ）によりＸＡを算出した。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率）。
（５）に記載の方法で得られた各値を用いて、下記式（ｉ）によりＸＡを算出した。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率）。
（７）熱分解ＧＣ－ＭＳ
フィルム５０μｇを測り取り、下記した構成、設定の熱分解ＧＣ－ＭＳ装置にて分析を行い、ＧＣチャートを得た。得られたチャートの、保持時間５．０ｓ（１０スキャン目）、１５．０ｓ（３０スキャン目）、２５．０ｓ（５０スキャン目）の位置のシグナル強度の平均をベースラインの強度とした。ＧＣチャートの各点の強度からベースライン強度の差をとったベースライン補正後のＧＣチャートを作成した。ベースライン補正後のＧＣチャートの保持時間２分～２０分の領域を見て、５．０×１０３以上の強度を有するピークの中で、最も強度の高いピークの強度（最大ピーク強度）を記録した。なお、５．０×１０３以上の強度を有するピークが見られなかった場合、同様の測定を３回行い、得られた最大ピーク強度の平均値をフィルムの測定値とした。
フィルム５０μｇを測り取り、下記した構成、設定の熱分解ＧＣ－ＭＳ装置にて分析を行い、ＧＣチャートを得た。得られたチャートの、保持時間５．０ｓ（１０スキャン目）、１５．０ｓ（３０スキャン目）、２５．０ｓ（５０スキャン目）の位置のシグナル強度の平均をベースラインの強度とした。ＧＣチャートの各点の強度からベースライン強度の差をとったベースライン補正後のＧＣチャートを作成した。ベースライン補正後のＧＣチャートの保持時間２分～２０分の領域を見て、５．０×１０３以上の強度を有するピークの中で、最も強度の高いピークの強度（最大ピーク強度）を記録した。なお、５．０×１０３以上の強度を有するピークが見られなかった場合、同様の測定を３回行い、得られた最大ピーク強度の平均値をフィルムの測定値とした。
＜Ｐｙｒｏｌｙｚｅｒ＞
装置名：ＰＹ－３０３０Ｄ （Ｆｒｏｎｔｉｅｒ ｌａｂ製）
Ｐｙｒｏｌｙｚｅｒ Ｔｅｍｐ：４００℃
＜ＧＣ＞
装置名：７８９０Ａ (Ａｇｉｌｅｎｔ製)
Ｃｏｌｕｍｎ：“Ｕｌｔｒａ ＡＬＬＯＹ”（登録商標）５（ＭＳ／ＨＴ）３０ ｍ×０．２５ ｍｍｉｄ×０．２５ μｍ ５％Ｄｉｐｈｅｎｙｌ－９５％ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ
Ｃｏｌｕｍｎ Ｔｅｍｐ．：４０℃（３ ｍｉｎ）－３２０℃（１８ ｍｉｎ）（Ｒａｔｅ ２０℃／ｍｉｎ）
Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｅｍｐ．：３００℃
Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｍｏｄｅ：Ｓｐｌｉｔ（５０：１）１．５ ｍＬ／ｍｉｎ ｃｏｎｓｔ．Ｆ
＜ＭＳ＞
装置名：ＪＭＳ－Ｑ１０５０ＧＣ （ＪＥＯＬ）
Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ Ｍｏｄｅ：ＥＩ＋
Ｓｃａｎ Ｒａｎｇｅ：ｍ／ｚ １０．０００－８００．０００
Ｓｃａｎ Ｒａｔｅ：０．５ ｓ／ｓｃａｎ。
装置名：ＰＹ－３０３０Ｄ （Ｆｒｏｎｔｉｅｒ ｌａｂ製）
Ｐｙｒｏｌｙｚｅｒ Ｔｅｍｐ：４００℃
＜ＧＣ＞
装置名：７８９０Ａ (Ａｇｉｌｅｎｔ製)
Ｃｏｌｕｍｎ：“Ｕｌｔｒａ ＡＬＬＯＹ”（登録商標）５（ＭＳ／ＨＴ）３０ ｍ×０．２５ ｍｍｉｄ×０．２５ μｍ ５％Ｄｉｐｈｅｎｙｌ－９５％ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ
Ｃｏｌｕｍｎ Ｔｅｍｐ．：４０℃（３ ｍｉｎ）－３２０℃（１８ ｍｉｎ）（Ｒａｔｅ ２０℃／ｍｉｎ）
Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｅｍｐ．：３００℃
Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｍｏｄｅ：Ｓｐｌｉｔ（５０：１）１．５ ｍＬ／ｍｉｎ ｃｏｎｓｔ．Ｆ
＜ＭＳ＞
装置名：ＪＭＳ－Ｑ１０５０ＧＣ （ＪＥＯＬ）
Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ Ｍｏｄｅ：ＥＩ＋
Ｓｃａｎ Ｒａｎｇｅ：ｍ／ｚ １０．０００－８００．０００
Ｓｃａｎ Ｒａｔｅ：０．５ ｓ／ｓｃａｎ。
（８）熱重量分析
フィルムの熱重量変化率を測定する場合には該フィルムを１０ｍｇ測りとったものを、樹脂層Ａの熱重量変化率を測定する場合には該樹脂層Ａを有するフィルムから該樹脂層Ａを１０ｍｇ測りとったものをサンプルとして用いた。サンプルを２３℃、５０％ＲＨの環境にて２４時間保管した。続いて、保管後のサンプルを熱重量測定装置 ＴＧＡ－５０（株式会社島津製作所製）にて、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎで２３℃から５００℃まで加熱し、熱重量の変化を測定した。得られた熱重量の変化から、１７０℃での熱重量を１００質量％として、各温度での熱重量変化率を求め、熱重量が９９質量％となっている温度を１質量％減少温度とし、熱重量が９０％となっている温度を１０質量％減少温度とした。以上の測定を１セットとして、ｎ＝５セットの測定を行い、１質量％減少温度、１０質量％減少温度のｎ＝５セットでの平均値を該サンプルの１質量％減少温度、１０質量％減少温度とした。
フィルムの熱重量変化率を測定する場合には該フィルムを１０ｍｇ測りとったものを、樹脂層Ａの熱重量変化率を測定する場合には該樹脂層Ａを有するフィルムから該樹脂層Ａを１０ｍｇ測りとったものをサンプルとして用いた。サンプルを２３℃、５０％ＲＨの環境にて２４時間保管した。続いて、保管後のサンプルを熱重量測定装置 ＴＧＡ－５０（株式会社島津製作所製）にて、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎで２３℃から５００℃まで加熱し、熱重量の変化を測定した。得られた熱重量の変化から、１７０℃での熱重量を１００質量％として、各温度での熱重量変化率を求め、熱重量が９９質量％となっている温度を１質量％減少温度とし、熱重量が９０％となっている温度を１０質量％減少温度とした。以上の測定を１セットとして、ｎ＝５セットの測定を行い、１質量％減少温度、１０質量％減少温度のｎ＝５セットでの平均値を該サンプルの１質量％減少温度、１０質量％減少温度とした。
（９）算術平均粗さＳａ
算術平均粗さＳａは、ISO 25178-2 : 2012、25178-3：2012に準じて測定、算出した。ただし、測定は走査型白色干渉顕微鏡「ＶＳ１５４０」（株式会社日立ハイテクサイエンス製、測定条件と装置構成は後述する）を使用して行い、付属の解析ソフトにより撮影画面を補完処理（完全補完）し、多項式４次近似にて面補正した後、メジアンフィルタ（３×３ピクセル）で処理したものを測定した。また、S-filterのS-Filter Nesting Indexは0.455とした。測定は、５ｃｍ×５ｃｍの正方形状に切ったフィルムの両面について行い、対角線の交差点を１点目の測定点（開始点）とし、開始点より４つある各角に向けて1cm離れた位置をそれぞれ２～５点目の測定点として合計５箇所の測定位置を決め、各測定位置で測定を行い、上記の手順に従って各測定位置のＳａを求め、それぞれの平均値をフィルムのＳａとして採用した。樹脂層Bの一方の面に樹脂層Ａを有するフィルムについては樹脂層Ｂに対し樹脂層Ａ側の最外層表面をα面、裏面をβ面とし、樹脂層Ａを有さないフィルムについてはＳａが低い方の面をα面、裏面をβ面とした。各面のＳａが同一の場合、一方の面をα面、他方の面をβ面とした。
算術平均粗さＳａは、ISO 25178-2 : 2012、25178-3：2012に準じて測定、算出した。ただし、測定は走査型白色干渉顕微鏡「ＶＳ１５４０」（株式会社日立ハイテクサイエンス製、測定条件と装置構成は後述する）を使用して行い、付属の解析ソフトにより撮影画面を補完処理（完全補完）し、多項式４次近似にて面補正した後、メジアンフィルタ（３×３ピクセル）で処理したものを測定した。また、S-filterのS-Filter Nesting Indexは0.455とした。測定は、５ｃｍ×５ｃｍの正方形状に切ったフィルムの両面について行い、対角線の交差点を１点目の測定点（開始点）とし、開始点より４つある各角に向けて1cm離れた位置をそれぞれ２～５点目の測定点として合計５箇所の測定位置を決め、各測定位置で測定を行い、上記の手順に従って各測定位置のＳａを求め、それぞれの平均値をフィルムのＳａとして採用した。樹脂層Bの一方の面に樹脂層Ａを有するフィルムについては樹脂層Ｂに対し樹脂層Ａ側の最外層表面をα面、裏面をβ面とし、樹脂層Ａを有さないフィルムについてはＳａが低い方の面をα面、裏面をβ面とした。各面のＳａが同一の場合、一方の面をα面、他方の面をβ面とした。
＜測定条件と装置構成＞
対物レンズ：１０ｘ
鏡筒：１ｘ
ズームレンズ：１ｘ
波長フィルタ：530nm white
測定モード：Ｗａｖｅ
測定ソフトウェア：ＶＳ－Ｍｅａｓｕｒｅ １０．０．４．０
解析ソフトウェア：ＶＳ－Ｖｉｅｗｅｒ１０．０．３．０
測定領域：５６１.１μｍ×５６１.5μｍ
画素数：１，０２４×１，０２４。
対物レンズ：１０ｘ
鏡筒：１ｘ
ズームレンズ：１ｘ
波長フィルタ：530nm white
測定モード：Ｗａｖｅ
測定ソフトウェア：ＶＳ－Ｍｅａｓｕｒｅ １０．０．４．０
解析ソフトウェア：ＶＳ－Ｖｉｅｗｅｒ１０．０．３．０
測定領域：５６１.１μｍ×５６１.5μｍ
画素数：１，０２４×１，０２４。
（１０）セルフヒーリング（ＳＨ）不良率、セルフヒーリング性
フィルムのα面に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行った。次いでコロナ放電処理面にベルジャー式真空蒸着装置で気圧１．０×１０－３Ｐａ、フィラメント電圧２．６ｋVでアルミニウムを蒸着させ、５０ｎｍの蒸着膜を形成させて金属層積層フィルムを得た。得られた金属層積層フィルムを、長手方向を長辺とする１２ｃｍ×７．５ｃｍの長方形状に切り、試験片とした。次いで１ｍ×２ｍの銅板の上に、１０ｃｍ角の厚み１ｍｍの“テフロン”（登録商標）シートを設置し、さらに試験片の短辺と“テフロン”（登録商標）シートの一辺が並行になり、かつ試験片の片側の短辺から端１ｃｍの領域が“テフロン”（登録商標）シート上に乗るよう試験片を設置した。その後、試験片の“テフロン”（登録商標）シートに乗っている部分を２ｃｍ２程度挟み込むようにして、５ｃｍ角の板状の導電性ゴム製電極を“テフロン”（登録商標）シートの上に乗せた。さらに、ゴム電極と試験片と“テフロン”（登録商標）シートが重なっている領域の上に重心が来るように３ｃｍφの円柱の電極をゴム電極上に設置した。円柱の電極と銅板にそれぞれ電線を介してDC電源を接続し、初期電圧として１００ＶＤＣの電圧を印加し、該電圧で１５秒経過後にステップ状に１００ＶＤＣ／３０秒で初期電圧＋８００VDCまで徐々に印加電圧を上昇させることを繰り返す所謂ステップアップ試験を行い、金属層積層フィルムに複数の絶縁破壊痕を発生させた。発生した絶縁破壊痕を目視観察し、２つ以上の絶縁破壊痕が重なっている絶縁破壊痕を１つのＳＨ不良箇所、そうでない絶縁破壊痕を１つの正常箇所として、それぞれの数を求め、次式によりＳＨ不良率を求めた。同様の測定を２回行い、平均値をフィルムのＳＨ不良率として採用した。なお、絶縁破壊が発生しなかった場合、初期電圧を９００VDCとして同様の測定を行った。９００VDCにて絶縁破壊が発生しなかった場合、初期電圧を＋８００ＶＤＣして同様の測定を行うことを絶縁破壊が発生するまで繰り返し、初期電圧１０，０００VDCでも絶縁破壊が発生しなかった場合、ＳＨ不良率は０％とした。フィルムのＳＨ不良率を基に、セルフヒーリング性について以下の評価基準で評価した。
フィルムのα面に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行った。次いでコロナ放電処理面にベルジャー式真空蒸着装置で気圧１．０×１０－３Ｐａ、フィラメント電圧２．６ｋVでアルミニウムを蒸着させ、５０ｎｍの蒸着膜を形成させて金属層積層フィルムを得た。得られた金属層積層フィルムを、長手方向を長辺とする１２ｃｍ×７．５ｃｍの長方形状に切り、試験片とした。次いで１ｍ×２ｍの銅板の上に、１０ｃｍ角の厚み１ｍｍの“テフロン”（登録商標）シートを設置し、さらに試験片の短辺と“テフロン”（登録商標）シートの一辺が並行になり、かつ試験片の片側の短辺から端１ｃｍの領域が“テフロン”（登録商標）シート上に乗るよう試験片を設置した。その後、試験片の“テフロン”（登録商標）シートに乗っている部分を２ｃｍ２程度挟み込むようにして、５ｃｍ角の板状の導電性ゴム製電極を“テフロン”（登録商標）シートの上に乗せた。さらに、ゴム電極と試験片と“テフロン”（登録商標）シートが重なっている領域の上に重心が来るように３ｃｍφの円柱の電極をゴム電極上に設置した。円柱の電極と銅板にそれぞれ電線を介してDC電源を接続し、初期電圧として１００ＶＤＣの電圧を印加し、該電圧で１５秒経過後にステップ状に１００ＶＤＣ／３０秒で初期電圧＋８００VDCまで徐々に印加電圧を上昇させることを繰り返す所謂ステップアップ試験を行い、金属層積層フィルムに複数の絶縁破壊痕を発生させた。発生した絶縁破壊痕を目視観察し、２つ以上の絶縁破壊痕が重なっている絶縁破壊痕を１つのＳＨ不良箇所、そうでない絶縁破壊痕を１つの正常箇所として、それぞれの数を求め、次式によりＳＨ不良率を求めた。同様の測定を２回行い、平均値をフィルムのＳＨ不良率として採用した。なお、絶縁破壊が発生しなかった場合、初期電圧を９００VDCとして同様の測定を行った。９００VDCにて絶縁破壊が発生しなかった場合、初期電圧を＋８００ＶＤＣして同様の測定を行うことを絶縁破壊が発生するまで繰り返し、初期電圧１０，０００VDCでも絶縁破壊が発生しなかった場合、ＳＨ不良率は０％とした。フィルムのＳＨ不良率を基に、セルフヒーリング性について以下の評価基準で評価した。
＜計算式＞
ＳＨ不良率(%)＝100×（ＳＨ不良箇所の個数）／（正常箇所の個数＋ＳＨ不良箇所の個数）
＜評価基準＞
Ｓ：ＳＨ不良率が１０％以下であった。
Ａ：ＳＨ不良率が１０％より大きく、かつ２０％以下であった。
Ｂ：ＳＨ不良率が２０％より大きく、かつ３５％以下であった。
Ｃ：ＳＨ不良率が３５％より大きく、かつ５０％以下であった。
Ｄ：ＳＨ不良率が５０％より大きい。
ＳＨ不良率(%)＝100×（ＳＨ不良箇所の個数）／（正常箇所の個数＋ＳＨ不良箇所の個数）
＜評価基準＞
Ｓ：ＳＨ不良率が１０％以下であった。
Ａ：ＳＨ不良率が１０％より大きく、かつ２０％以下であった。
Ｂ：ＳＨ不良率が２０％より大きく、かつ３５％以下であった。
Ｃ：ＳＨ不良率が３５％より大きく、かつ５０％以下であった。
Ｄ：ＳＨ不良率が５０％より大きい。
（１１）加工性の評価
フィルムのα面に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行った。次いでコロナ放電処理面にベルジャー式真空蒸着装置で気圧１．０×１０－３Ｐａ、フィラメント電圧２．６ｋVで市販のアルミニウムを蒸着させ、５０ｎｍの蒸着膜を形成させ、金属層積層体を得た。得られた金属層積層体を、長手方向を長辺とする１２ｃｍ×７．５ｃｍの長方形状に切り、試験片とした。東洋精機（株）製スリップテスターを用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２５（１９９９）に準じて、荷重２００ｇ、２５℃、６５％ＲＨにて得られた金属層積層体の、金属蒸着面と、金属を蒸着していない面との間の動摩擦係数測定を３回行い、得られた値の平均値を金属積層体の動摩擦係数μMとした。なお、測定時にロードセルで検出された摩擦力が５．９Nを超えたときには、測定を中断し、その場合のμMの測定値を＞３．０とした。得られたμMを基に、フィルムの加工性を以下の基準で判定した。
フィルムのα面に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行った。次いでコロナ放電処理面にベルジャー式真空蒸着装置で気圧１．０×１０－３Ｐａ、フィラメント電圧２．６ｋVで市販のアルミニウムを蒸着させ、５０ｎｍの蒸着膜を形成させ、金属層積層体を得た。得られた金属層積層体を、長手方向を長辺とする１２ｃｍ×７．５ｃｍの長方形状に切り、試験片とした。東洋精機（株）製スリップテスターを用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２５（１９９９）に準じて、荷重２００ｇ、２５℃、６５％ＲＨにて得られた金属層積層体の、金属蒸着面と、金属を蒸着していない面との間の動摩擦係数測定を３回行い、得られた値の平均値を金属積層体の動摩擦係数μMとした。なお、測定時にロードセルで検出された摩擦力が５．９Nを超えたときには、測定を中断し、その場合のμMの測定値を＞３．０とした。得られたμMを基に、フィルムの加工性を以下の基準で判定した。
Ａ：μMが０．６０以下である
Ｂ：μMが０．６０より大きく、０．８５以下である
Ｃ：μMが０．８５より大きく、１．５以下である
Ｄ：μMが１．５より大きい。
Ｂ：μMが０．６０より大きく、０．８５以下である
Ｃ：μMが０．８５より大きく、１．５以下である
Ｄ：μMが１．５より大きい。
（１２）誘電正接
ＪＩＳ Ｃ２１３８－２００７に準じて、誘電正接を測定した。まず、フィルムを５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形状に切り出し、導電性ペーストを一方の面にΦ１８ｍｍ、他方の面にΦ２８ｍｍで塗布して電極を形成した。電極形成サンプルを２２℃で９０時間、６０％ＲＨの環境下で保存した後、ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ＬＣＲ ｍｅｔｅｒ ＨＰ－４２８４Ａ（アジレント・テクノロジー製）にて２２℃、６０％ＲＨ、周波数１０ｋＨｚでｎ＝５で誘電正接を測定し、得られた値の平均値を当該フィルムの誘電正接とした。
ＪＩＳ Ｃ２１３８－２００７に準じて、誘電正接を測定した。まず、フィルムを５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形状に切り出し、導電性ペーストを一方の面にΦ１８ｍｍ、他方の面にΦ２８ｍｍで塗布して電極を形成した。電極形成サンプルを２２℃で９０時間、６０％ＲＨの環境下で保存した後、ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ＬＣＲ ｍｅｔｅｒ ＨＰ－４２８４Ａ（アジレント・テクノロジー製）にて２２℃、６０％ＲＨ、周波数１０ｋＨｚでｎ＝５で誘電正接を測定し、得られた値の平均値を当該フィルムの誘電正接とした。
（１３）１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧の評価
１５０℃に保温されたオーブン内でフィルムを１分間加熱後、その雰囲気中でＪＩＳ Ｃ２３３０（２００１）７．４．１１．２ Ｂ法（平板電極法）に準じて測定した。絶縁破壊電圧試験（上記測定）を３０回行い、得られた値をフィルムの厚み（上記（１）で測定）で除し、（Ｖ／μｍ）に換算して得られた計３０点の測定値（算出値）のうち、最大値から大きい順に５点と最小値から小さい順に５点を除いた２０点の平均値を求め、これを１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧とした。得られた１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧から、以下の通り１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧の評価を行った。
１５０℃に保温されたオーブン内でフィルムを１分間加熱後、その雰囲気中でＪＩＳ Ｃ２３３０（２００１）７．４．１１．２ Ｂ法（平板電極法）に準じて測定した。絶縁破壊電圧試験（上記測定）を３０回行い、得られた値をフィルムの厚み（上記（１）で測定）で除し、（Ｖ／μｍ）に換算して得られた計３０点の測定値（算出値）のうち、最大値から大きい順に５点と最小値から小さい順に５点を除いた２０点の平均値を求め、これを１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧とした。得られた１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧から、以下の通り１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧の評価を行った。
Ｓ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が２７０V／μｍ以上であった
Ａ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が２４０Ｖ／μｍ以上２７０Ｖ／μｍ未満であった
Ｂ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が２１０Ｖ／μｍ以上２４０Ｖ／μｍ未満であった
Ｃ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が１００Ｖ／μｍ以上２１０Ｖ／μｍ未満であった
Ｄ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が１００Ｖ／μｍ未満もしくはフィルムの収縮が大きく評価不可であった。
Ａ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が２４０Ｖ／μｍ以上２７０Ｖ／μｍ未満であった
Ｂ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が２１０Ｖ／μｍ以上２４０Ｖ／μｍ未満であった
Ｃ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が１００Ｖ／μｍ以上２１０Ｖ／μｍ未満であった
Ｄ：１５０℃でのフィルム絶縁破壊電圧が１００Ｖ／μｍ未満もしくはフィルムの収縮が大きく評価不可であった。
（１４）フィルムコンデンサ特性の評価（１５０℃での信頼性）
フィルムのα面に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行った。次いでコロナ放電処理面に、膜抵抗１０Ω／ｓｑで長手方向に垂直な方向にマージン部を設けた、いわゆるＴ型マージン（マスキングオイルにより長手方向ピッチ（周期）が１７ｍｍ、ヒューズ幅が０．５ｍｍ）を有する蒸着パターンでアルミニウム蒸着を施した（蒸着には(株)アルバック製真空蒸着機を使用）。その後、得られた蒸着体をスリットして、フィルム幅５０ｍｍ（端部マージン幅２ｍｍ）の蒸着リールを得た。次いで、このリールを用いて(株)皆藤製作所製素子巻機（ＫＡＷ－４ＮＨＢ）にてフィルムコンデンサ素子を巻き取り、メタリコンを施した後、減圧下、１３０℃の温度で８時間の熱処理を施し、リード線を取り付けてフィルムコンデンサ素子に仕上げた。こうして得られたコンデンサ素子１０個を用いて、１５０℃高温下でコンデンサ素子に２５０ＶＤＣの電圧を印加し、該電圧で１０分間経過後にステップ状に５０ＶＤＣ／１分で徐々に印加電圧を上昇させることを繰り返す所謂ステップアップ試験を行った。静電容量が初期値に対して１２％以下に減少するまで電圧を上昇させた後に、コンデンサ素子を解体し破壊の状態を調べて、フィルムコンデンサ特性を以下の評価基準で評価した。
フィルムのα面に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行った。次いでコロナ放電処理面に、膜抵抗１０Ω／ｓｑで長手方向に垂直な方向にマージン部を設けた、いわゆるＴ型マージン（マスキングオイルにより長手方向ピッチ（周期）が１７ｍｍ、ヒューズ幅が０．５ｍｍ）を有する蒸着パターンでアルミニウム蒸着を施した（蒸着には(株)アルバック製真空蒸着機を使用）。その後、得られた蒸着体をスリットして、フィルム幅５０ｍｍ（端部マージン幅２ｍｍ）の蒸着リールを得た。次いで、このリールを用いて(株)皆藤製作所製素子巻機（ＫＡＷ－４ＮＨＢ）にてフィルムコンデンサ素子を巻き取り、メタリコンを施した後、減圧下、１３０℃の温度で８時間の熱処理を施し、リード線を取り付けてフィルムコンデンサ素子に仕上げた。こうして得られたコンデンサ素子１０個を用いて、１５０℃高温下でコンデンサ素子に２５０ＶＤＣの電圧を印加し、該電圧で１０分間経過後にステップ状に５０ＶＤＣ／１分で徐々に印加電圧を上昇させることを繰り返す所謂ステップアップ試験を行った。静電容量が初期値に対して１２％以下に減少するまで電圧を上昇させた後に、コンデンサ素子を解体し破壊の状態を調べて、フィルムコンデンサ特性を以下の評価基準で評価した。
＜評価基準＞
Ｓ：フィルムコンデンサ素子形状の変化は無く貫通状の破壊は観察されなかった。
Ａ：フィルムコンデンサ素子形状の変化は無くフィルム５層以内の貫通状破壊が観察された。
Ｂ：フィルムコンデンサ素子形状の変化は無くフィルム６層～７層を貫通する貫通状破壊が観察された。
Ｃ：フィルムコンデンサ素子形状に変化が認められた。若しくはフィルム８層～１４層の貫通状破壊が観察された。
Ｄ：フィルムコンデンサ素子形状が大きく変化し破壊した、若しくはフィルムの加工性が悪く、フィルムコンデンサ素子を作製することができなかった。
Ｓ：フィルムコンデンサ素子形状の変化は無く貫通状の破壊は観察されなかった。
Ａ：フィルムコンデンサ素子形状の変化は無くフィルム５層以内の貫通状破壊が観察された。
Ｂ：フィルムコンデンサ素子形状の変化は無くフィルム６層～７層を貫通する貫通状破壊が観察された。
Ｃ：フィルムコンデンサ素子形状に変化が認められた。若しくはフィルム８層～１４層の貫通状破壊が観察された。
Ｄ：フィルムコンデンサ素子形状が大きく変化し破壊した、若しくはフィルムの加工性が悪く、フィルムコンデンサ素子を作製することができなかった。
評価結果はS～Dの順にフィルムコンデンサ特性が優れていることを意味し、Ｓ～Cを合格、Dは実質コンデンサ用フィルムとしての使用が困難であるため不合格とした。
〔原料、フィルム〕
アクリレート１：商品名“エポキシエステル３０００Ａ”、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、共栄社化学株式会社製
アクリレート２：商品名“ビスコート”（登録商標）＃３００、ペンタエリスリトールとアクリル酸の縮合物、ペンタエリスリトールテトラアクリレートを４５質量％と、ペンタエリスリトールトリアクリレートを３５質量％とを含有、大阪有機化学工業株式会社製
アクリレート３：商品名“ＴＰＧＤＡ”、トリプロピレングリコールジアクリレート、ダイセル・オルネクス株式会社製
ウレタンアクリレート１：商品名“ＵＶ－３５００ＢＡ”、ウレタンアクリレートの酢酸ブチル希釈品、三菱ケミカル株式会社製
ポリウレア化合物１：５００ｍＬのナス型フラスコに、ジシクロヘキシルメタン４，４’－ジイソシアネート５．９０重量部、イソホロンジイソシアネート５．０重量部、ヒドロキシエチルアクリルアミド２．６重量部、触媒としてジオクチル錫ジラウレート０．０１２重量部、希釈用モノマーとしてアクリロイルモルホリン９．０重量部を仕込み、室温で１．５時間撹拌した。撹拌した反応溶液に、モノエタノールアミン０．７１重量部を滴下し、室温でさらに３時間撹拌した。ついで撹拌した反応溶液に、イソプロパノール１２重量部とジシクロヘキシルメタ ン－４，４’－ジアミン３．８重量部との混合溶液を加え、さらに室温で３時間撹拌し、ラジカル重合性置換基を有するポリウレア化合物１[不揮発分７０％、重量平均 分子量（Ｍｗ）＝１３００]を得た。
アクリレート１：商品名“エポキシエステル３０００Ａ”、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、共栄社化学株式会社製
アクリレート２：商品名“ビスコート”（登録商標）＃３００、ペンタエリスリトールとアクリル酸の縮合物、ペンタエリスリトールテトラアクリレートを４５質量％と、ペンタエリスリトールトリアクリレートを３５質量％とを含有、大阪有機化学工業株式会社製
アクリレート３：商品名“ＴＰＧＤＡ”、トリプロピレングリコールジアクリレート、ダイセル・オルネクス株式会社製
ウレタンアクリレート１：商品名“ＵＶ－３５００ＢＡ”、ウレタンアクリレートの酢酸ブチル希釈品、三菱ケミカル株式会社製
ポリウレア化合物１：５００ｍＬのナス型フラスコに、ジシクロヘキシルメタン４，４’－ジイソシアネート５．９０重量部、イソホロンジイソシアネート５．０重量部、ヒドロキシエチルアクリルアミド２．６重量部、触媒としてジオクチル錫ジラウレート０．０１２重量部、希釈用モノマーとしてアクリロイルモルホリン９．０重量部を仕込み、室温で１．５時間撹拌した。撹拌した反応溶液に、モノエタノールアミン０．７１重量部を滴下し、室温でさらに３時間撹拌した。ついで撹拌した反応溶液に、イソプロパノール１２重量部とジシクロヘキシルメタ ン－４，４’－ジアミン３．８重量部との混合溶液を加え、さらに室温で３時間撹拌し、ラジカル重合性置換基を有するポリウレア化合物１[不揮発分７０％、重量平均 分子量（Ｍｗ）＝１３００]を得た。
２－ブタノン：富士フイルム和光純薬株式会社製
“Ｏｍｎｉｒａｄ”（登録商標）１８４：ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ．Ｖ．社製、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン。
“Ｏｍｎｉｒａｄ”（登録商標）１８４：ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ．Ｖ．社製、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン。
ポリフェニレンスルフィド系樹脂顆粒１（ＰＰＳ顆粒１）：
工程撹拌機付きの１リットルオートクレーブに、４８質量％水硫化ナトリウム１．００モル、９５質量％水酸化ナトリウム１．０２モル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）１．５４モル、酢酸ナトリウム０．４７モル、及びイオン交換水１４０ｇを仕込み、２５０ｒｐｍで撹拌しつつ常圧で窒素を通じながら２２８℃まで約３時間かけて徐々に加熱し、２１２ｇの水および４ｇのＮＭＰを留出した後、反応容器を１６０℃に冷却した。次に、ｐ－ジクロロベンゼン（ｐ－ＤＣＢ）１．００モル、ＮＭＰ１．３２モルを加え、反応容器を窒素ガス下に密封した。その後、２５０ｒｐｍで撹拌しながら、２００℃～２３５℃まで０．７℃／分の速度で昇温して、２３５℃に到達後、２３５℃で反応を９５分間継続した。その後、０．８℃／分の速度で２７０℃まで昇温して１００分保持した。２７０℃に到達した後、１モルの水を１５分かけて系内に注入した。２７０℃で１００分保持した後、１．０℃／分の速度で２００℃まで冷却し、その後室温の冷却水をオートクレーブにかけることで室温近傍まで冷却した。続いて、内容物を取り出し、０．４リットルのＮＭＰで希釈して８５℃で３０分撹拌した後、溶剤と固形物をふるい（８０ｍｅｓｈ）で濾別した。さらに、得られた固形物に、０．５リットルのＮＭＰを加えて８５℃で３０分撹拌し、固形物を濾別した。その後、得られた固形物を０．９リットルの温水で３回洗浄して濾別した。こうして得られた粒子（固形物）に１リットルの温水を加えて２回洗浄、濾別してポリマー粒子を得た。これを、８０℃で熱風乾燥した後、１２０℃で減圧乾燥し、融点が２８０℃、重量平均分子量７０，０００のポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂の顆粒（ＰＰＳ顆粒１）を得た。
工程撹拌機付きの１リットルオートクレーブに、４８質量％水硫化ナトリウム１．００モル、９５質量％水酸化ナトリウム１．０２モル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）１．５４モル、酢酸ナトリウム０．４７モル、及びイオン交換水１４０ｇを仕込み、２５０ｒｐｍで撹拌しつつ常圧で窒素を通じながら２２８℃まで約３時間かけて徐々に加熱し、２１２ｇの水および４ｇのＮＭＰを留出した後、反応容器を１６０℃に冷却した。次に、ｐ－ジクロロベンゼン（ｐ－ＤＣＢ）１．００モル、ＮＭＰ１．３２モルを加え、反応容器を窒素ガス下に密封した。その後、２５０ｒｐｍで撹拌しながら、２００℃～２３５℃まで０．７℃／分の速度で昇温して、２３５℃に到達後、２３５℃で反応を９５分間継続した。その後、０．８℃／分の速度で２７０℃まで昇温して１００分保持した。２７０℃に到達した後、１モルの水を１５分かけて系内に注入した。２７０℃で１００分保持した後、１．０℃／分の速度で２００℃まで冷却し、その後室温の冷却水をオートクレーブにかけることで室温近傍まで冷却した。続いて、内容物を取り出し、０．４リットルのＮＭＰで希釈して８５℃で３０分撹拌した後、溶剤と固形物をふるい（８０ｍｅｓｈ）で濾別した。さらに、得られた固形物に、０．５リットルのＮＭＰを加えて８５℃で３０分撹拌し、固形物を濾別した。その後、得られた固形物を０．９リットルの温水で３回洗浄して濾別した。こうして得られた粒子（固形物）に１リットルの温水を加えて２回洗浄、濾別してポリマー粒子を得た。これを、８０℃で熱風乾燥した後、１２０℃で減圧乾燥し、融点が２８０℃、重量平均分子量７０，０００のポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂の顆粒（ＰＰＳ顆粒１）を得た。
フィルム用ＰＰＳ原料１（ＰＰＳ１）：
ＰＰＳ顆粒１を１００質量部と、平均粒径が０．７μｍの炭酸カルシウム粒子１（日東粉化工業社製“ＮＩＴＯＲＥＸ”＃３０ＰＳ）を０．０５質量部と、ステアリン酸カルシウムを０．２質量部とを混合して得られた混合粉末をペレット化し、ＰＰＳを主成分とする樹脂ペレットを調製した。得られた樹脂ペレットを３２０℃に加熱されたベント付き同方向回転式二軸混練押出機（日本製鋼所製、スクリュー直径３０ｍｍ、スクリュー長さ／スクリュー直径＝４５．５）に投入し、滞留時間９０秒、スクリュー回転数１５０回転／分で溶融押出してストランド状に吐出し、温度２５℃の水で冷却した。その後、直ちにカッティングしてチップを作製し、フィルム用ＰＰＳ原料１（ＰＰＳ１）とした。
ＰＰＳ顆粒１を１００質量部と、平均粒径が０．７μｍの炭酸カルシウム粒子１（日東粉化工業社製“ＮＩＴＯＲＥＸ”＃３０ＰＳ）を０．０５質量部と、ステアリン酸カルシウムを０．２質量部とを混合して得られた混合粉末をペレット化し、ＰＰＳを主成分とする樹脂ペレットを調製した。得られた樹脂ペレットを３２０℃に加熱されたベント付き同方向回転式二軸混練押出機（日本製鋼所製、スクリュー直径３０ｍｍ、スクリュー長さ／スクリュー直径＝４５．５）に投入し、滞留時間９０秒、スクリュー回転数１５０回転／分で溶融押出してストランド状に吐出し、温度２５℃の水で冷却した。その後、直ちにカッティングしてチップを作製し、フィルム用ＰＰＳ原料１（ＰＰＳ１）とした。
フィルム用ＰＰＳ原料２（ＰＰＳ２）：
炭酸カルシウム粒子１を添加しなかった以外はＰＰＳ１と同様にしてチップを作製し、フィルム用ＰＰＳ原料２（ＰＰＳ２）とした。
炭酸カルシウム粒子１を添加しなかった以外はＰＰＳ１と同様にしてチップを作製し、フィルム用ＰＰＳ原料２（ＰＰＳ２）とした。
フィルム用ＰＰＳ原料３（ＰＰＳ３）：
炭酸カルシウム粒子１の代わりに、平均粒径が１．２μｍの炭酸カルシウム粒子２（日東粉化工業社製“ＮＩＴＯＲＥＸ”＃３０ＰＳ）を用いた以外は、ＰＰＳ１と同様にしてチップを作製し、フィルム用ＰＰＳ原料３（ＰＰＳ３）とした。
炭酸カルシウム粒子１の代わりに、平均粒径が１．２μｍの炭酸カルシウム粒子２（日東粉化工業社製“ＮＩＴＯＲＥＸ”＃３０ＰＳ）を用いた以外は、ＰＰＳ１と同様にしてチップを作製し、フィルム用ＰＰＳ原料３（ＰＰＳ３）とした。
ＰＰＳフィルム１：
原料として、ＰＰＳ１を１８０℃で３時間にわたって真空乾燥した。次いで、押出機に供給し、窒素雰囲気下、３２０℃の温度で溶融させ、Ｔダイ口金に導入した。次いで、Ｔダイ口金内より、シート状に押出して溶融単層シートとし、これを表面温度２５℃に保たれた回転速度４．０ｍ／ｍｉｎのキャストドラム上に吐出し、静電印加法で密着させて冷却固化することによりキャストし、未延伸フィルムを得た。得られた未延伸フィルムを加熱された複数のロール群からなる縦延伸機を用い、ロールの周速差を利用して延伸温度１０３℃でフィルムの長手方向に３．２倍の倍率で延伸した。その後、得られた一軸延伸フィルムの幅方向両端部をクリップで担持してテンターに導き、延伸温度１００℃で幅方向に３．３倍の倍率で延伸した。引き続いて２８０℃で熱処理を行った後、２％弛緩処理を行い、室温まで冷却した。次いでフィルム表面（キャストドラム接触面側）に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行い、その後、フィルムエッジを除去して厚み４．３μｍの二軸延伸ＰＰＳフィルムを得た。
原料として、ＰＰＳ１を１８０℃で３時間にわたって真空乾燥した。次いで、押出機に供給し、窒素雰囲気下、３２０℃の温度で溶融させ、Ｔダイ口金に導入した。次いで、Ｔダイ口金内より、シート状に押出して溶融単層シートとし、これを表面温度２５℃に保たれた回転速度４．０ｍ／ｍｉｎのキャストドラム上に吐出し、静電印加法で密着させて冷却固化することによりキャストし、未延伸フィルムを得た。得られた未延伸フィルムを加熱された複数のロール群からなる縦延伸機を用い、ロールの周速差を利用して延伸温度１０３℃でフィルムの長手方向に３．２倍の倍率で延伸した。その後、得られた一軸延伸フィルムの幅方向両端部をクリップで担持してテンターに導き、延伸温度１００℃で幅方向に３．３倍の倍率で延伸した。引き続いて２８０℃で熱処理を行った後、２％弛緩処理を行い、室温まで冷却した。次いでフィルム表面（キャストドラム接触面側）に２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処理を行い、その後、フィルムエッジを除去して厚み４．３μｍの二軸延伸ＰＰＳフィルムを得た。
ＰＰＳフィルム２：
原料として、ＰＰＳ２を用いて、縦延伸機での延伸倍率を３．４倍とした以外はＰＰＳフィルム１と同様にして二軸延伸ＰＰＳフィルムを得た。
原料として、ＰＰＳ２を用いて、縦延伸機での延伸倍率を３．４倍とした以外はＰＰＳフィルム１と同様にして二軸延伸ＰＰＳフィルムを得た。
ＰＰＳフィルム３：
原料として、ＰＰＳ３を用いて、縦延伸機での延伸倍率を３．０倍とした以外はＰＰＳフィルム１と同様にして二軸延伸ＰＰＳフィルムを得た。
原料として、ＰＰＳ３を用いて、縦延伸機での延伸倍率を３．０倍とした以外はＰＰＳフィルム１と同様にして二軸延伸ＰＰＳフィルムを得た。
ＰＰＳフィルム４：
直径５００μｍの球状シリカを０．５質量％含み、固有粘度が０．６のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）および３００℃、せん断速度２００ｓ－１下の溶融粘度が４０００ポイズのポリフェニレンスルフィドを別々のエクストルーダに供給し、溶融状態で口金上部にある積層装置でポリエチレンテレフタレート／ポリフェニレンスルフィドの２層積層になるよう導き、続いて設けられたＴダイ型口金より吐出させ冷却回転ドラムで急冷し、ポリエチレンテレフタレート／ポリフェニレンスルフィドの２層積層シートを得た。次いで該２層積層シートを、表面温度９０℃の複数の加熱ロール上を走行させ、加熱ロール群の次に設けられた周速の異なる３０℃の冷却ロールとの間で長手方向に３．７倍延伸した。得られた一軸延伸シートを、テンターを用いて幅方向に１００℃で３．５倍延伸し、続いて２６０℃で１０秒間熱処理し、トータル厚み４μｍ、ポリエチレンテレフタレート層厚み０．１μｍの二軸延伸フィルムを得た。
直径５００μｍの球状シリカを０．５質量％含み、固有粘度が０．６のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）および３００℃、せん断速度２００ｓ－１下の溶融粘度が４０００ポイズのポリフェニレンスルフィドを別々のエクストルーダに供給し、溶融状態で口金上部にある積層装置でポリエチレンテレフタレート／ポリフェニレンスルフィドの２層積層になるよう導き、続いて設けられたＴダイ型口金より吐出させ冷却回転ドラムで急冷し、ポリエチレンテレフタレート／ポリフェニレンスルフィドの２層積層シートを得た。次いで該２層積層シートを、表面温度９０℃の複数の加熱ロール上を走行させ、加熱ロール群の次に設けられた周速の異なる３０℃の冷却ロールとの間で長手方向に３．７倍延伸した。得られた一軸延伸シートを、テンターを用いて幅方向に１００℃で３．５倍延伸し、続いて２６０℃で１０秒間熱処理し、トータル厚み４μｍ、ポリエチレンテレフタレート層厚み０．１μｍの二軸延伸フィルムを得た。
ＰＰフィルム１：
チーグラー・ナッタ触媒にて重合された、メソペンタッド分率が０．９８、融点が１６７℃、メルトフローレイト（ＭＦＲ）が２．６ｇ／１０分である直鎖状ポリプロピレン（ＰＰ）を単軸の溶融押出機に供給し、２４０℃で溶融押出を行った後、８０μｍカットの焼結フィルタで異物を除去して溶融ポリマーをＴダイよりシート状に吐出させた。この溶融シート状物を、静電印加により９５℃に保持されたキャスティングドラム上に密着させ、冷却固化して未延伸シートを得た。次いで、該未延伸シートを複数のロール群にて徐々に１４５℃まで予熱し、引き続き１４５℃の温度に保ち周速差を設けたロール間に通し、長手方向に５．０倍に延伸した。引き続き得られた一軸延伸フィルムをテンターに導き、１６５℃の温度で幅方向に８倍延伸し、次いで１段目の熱処理および弛緩処理として幅方向に８％の弛緩を与えながら１３０℃で熱処理を行い、さらに２段目の熱処理としてクリップで幅方向把持したまま１４０℃で熱処理を行った。その後１００℃で冷却工程を経てテンターの外側へ導き、フィルム端部のクリップ解放し、厚み３．０μｍのフィルムを巻き取って二軸延伸ＰＰフィルムを得た。
チーグラー・ナッタ触媒にて重合された、メソペンタッド分率が０．９８、融点が１６７℃、メルトフローレイト（ＭＦＲ）が２．６ｇ／１０分である直鎖状ポリプロピレン（ＰＰ）を単軸の溶融押出機に供給し、２４０℃で溶融押出を行った後、８０μｍカットの焼結フィルタで異物を除去して溶融ポリマーをＴダイよりシート状に吐出させた。この溶融シート状物を、静電印加により９５℃に保持されたキャスティングドラム上に密着させ、冷却固化して未延伸シートを得た。次いで、該未延伸シートを複数のロール群にて徐々に１４５℃まで予熱し、引き続き１４５℃の温度に保ち周速差を設けたロール間に通し、長手方向に５．０倍に延伸した。引き続き得られた一軸延伸フィルムをテンターに導き、１６５℃の温度で幅方向に８倍延伸し、次いで１段目の熱処理および弛緩処理として幅方向に８％の弛緩を与えながら１３０℃で熱処理を行い、さらに２段目の熱処理としてクリップで幅方向把持したまま１４０℃で熱処理を行った。その後１００℃で冷却工程を経てテンターの外側へ導き、フィルム端部のクリップ解放し、厚み３．０μｍのフィルムを巻き取って二軸延伸ＰＰフィルムを得た。
ＰＥＩフィルム１：
ポリエーテルイミド〔ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチック社製 品名：ＵＬＴＥＭ１０１０－１０００－ＮＢ（以下、「１０１０－１０００」と略す。）〕を用意し、この成形材料を１５０℃に加熱した除湿熱風乾燥機〔松井製作所社製 商品名：マルチジェット ＭＪ３〕中に１２時間放置して乾燥させ、この成形材料の含水率が３００ｐｐｍ以下であることを確認後、成形材料を幅９００ｍｍのＴダイスを備えたφ４０ｍｍの単軸押出成形機にセットして溶融混練するとともに、この溶融混練した成形材料を単軸押出成形機のＴダイスから連続的に押し出してポリエーテルイミドを帯形に押出成形したものを鏡面ロール上で冷却固化させ、巻き取ることにより厚み６．５μｍのＰＥＩフィルム１を得た。
ポリエーテルイミド〔ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチック社製 品名：ＵＬＴＥＭ１０１０－１０００－ＮＢ（以下、「１０１０－１０００」と略す。）〕を用意し、この成形材料を１５０℃に加熱した除湿熱風乾燥機〔松井製作所社製 商品名：マルチジェット ＭＪ３〕中に１２時間放置して乾燥させ、この成形材料の含水率が３００ｐｐｍ以下であることを確認後、成形材料を幅９００ｍｍのＴダイスを備えたφ４０ｍｍの単軸押出成形機にセットして溶融混練するとともに、この溶融混練した成形材料を単軸押出成形機のＴダイスから連続的に押し出してポリエーテルイミドを帯形に押出成形したものを鏡面ロール上で冷却固化させ、巻き取ることにより厚み６．５μｍのＰＥＩフィルム１を得た。
ＰＥＳフィルム１：
ガラス転移点が２２５℃のポリエーテルサルホン樹脂〔住友化学製 スミカエクセル４８００Ｐ〕１００質量部を同方向回転二軸押出機の原料投入口に投入して溶融させ、同方向回転二軸押出機のダイス側のサイドフィーダに、炭酸カルシウム粒子１をポリエーテルサルホン樹脂１００質量部に対して５．０質量部となるように供給して溶融混練分散させ、溶融混練物を同方向回転二軸押出機の先端部のダイスから棒状に押し出して水冷後にペレタイザーでカットすることにより、ペレット形の成形材料を調製した。この成形材料をポリエーテルイミドの代わりに用いた以外は、ＰＥＩフィルム１と同様にしてＰＥＳフィルム１を得た。
ガラス転移点が２２５℃のポリエーテルサルホン樹脂〔住友化学製 スミカエクセル４８００Ｐ〕１００質量部を同方向回転二軸押出機の原料投入口に投入して溶融させ、同方向回転二軸押出機のダイス側のサイドフィーダに、炭酸カルシウム粒子１をポリエーテルサルホン樹脂１００質量部に対して５．０質量部となるように供給して溶融混練分散させ、溶融混練物を同方向回転二軸押出機の先端部のダイスから棒状に押し出して水冷後にペレタイザーでカットすることにより、ペレット形の成形材料を調製した。この成形材料をポリエーテルイミドの代わりに用いた以外は、ＰＥＩフィルム１と同様にしてＰＥＳフィルム１を得た。
（実施例１)
表１の塗液処方に従い、ウレタンアクリレート１、２－ブタノン、“Ｏｍｎｉｒａｄ”（登録商標）１８４を１００：９００：０．３（質量比）で混合した塗液を１００ｇ作製した。表１に示すとおりＰＰＳフィルム１を基材フィルム（樹脂層Ｂ）として、該ＰＰＳフィルムのコロナ処理を施した面上に、バーコーターを用いて硬化後の厚みが表１に示す樹脂層Ａの厚み（５０ｎｍ）となるように塗液を均一に塗工した後、９０℃の乾燥炉で１分間乾燥させた。続いて、UV照射装置に導入し、照度５０ｍＷ／ｃｍ２、照射量０．１Ｊ／ｃｍ２、酸素濃度１００ｐｐｍの条件で塗膜を硬化させて樹脂層Ａを形成した後、樹脂層Ａと樹脂層Ｂの積層体を巻き取り、フィルムコンデンサ用フィルムを得た。評価結果を表１に示す。
表１の塗液処方に従い、ウレタンアクリレート１、２－ブタノン、“Ｏｍｎｉｒａｄ”（登録商標）１８４を１００：９００：０．３（質量比）で混合した塗液を１００ｇ作製した。表１に示すとおりＰＰＳフィルム１を基材フィルム（樹脂層Ｂ）として、該ＰＰＳフィルムのコロナ処理を施した面上に、バーコーターを用いて硬化後の厚みが表１に示す樹脂層Ａの厚み（５０ｎｍ）となるように塗液を均一に塗工した後、９０℃の乾燥炉で１分間乾燥させた。続いて、UV照射装置に導入し、照度５０ｍＷ／ｃｍ２、照射量０．１Ｊ／ｃｍ２、酸素濃度１００ｐｐｍの条件で塗膜を硬化させて樹脂層Ａを形成した後、樹脂層Ａと樹脂層Ｂの積層体を巻き取り、フィルムコンデンサ用フィルムを得た。評価結果を表１に示す。
（実施例２～１０）
塗液処方、基材フィルム、樹脂層Ａの厚みを表１の通りにした以外は実施例１と同様にしてフィルコンデンサ用フィルムを得た。評価結果を表１に示す。
塗液処方、基材フィルム、樹脂層Ａの厚みを表１の通りにした以外は実施例１と同様にしてフィルコンデンサ用フィルムを得た。評価結果を表１に示す。
（比較例１）
ＰＰＳフィルム１をフィルムコンデンサ用フィルムとして用いた。評価結果を表２に示す。
ＰＰＳフィルム１をフィルムコンデンサ用フィルムとして用いた。評価結果を表２に示す。
（比較例２）
ＰＰＳフィルム４をフィルムコンデンサ用フィルムとして用いた。評価結果を表２に示す。
ＰＰＳフィルム４をフィルムコンデンサ用フィルムとして用いた。評価結果を表２に示す。
（比較例３）
ＰＰフィルム１をフィルムコンデンサ用フィルムとして、評価を行った。評価結果を表２に示す。
ＰＰフィルム１をフィルムコンデンサ用フィルムとして、評価を行った。評価結果を表２に示す。
（比較例４）
ＰＥＩフィルム１をフィルムコンデンサ用フィルムとして、評価を行った。評価結果を表２に示す。
ＰＥＩフィルム１をフィルムコンデンサ用フィルムとして、評価を行った。評価結果を表２に示す。
（比較例５）
塗液処方を実施例５と同様にし、樹脂層Ａの厚みを５５０ｎｍとし、基材フィルムをＰＥＩフィルム１とした以外は実施例１と同様にしてフィルコンデンサ用フィルムを得た。評価結果を表２に示す。
塗液処方を実施例５と同様にし、樹脂層Ａの厚みを５５０ｎｍとし、基材フィルムをＰＥＩフィルム１とした以外は実施例１と同様にしてフィルコンデンサ用フィルムを得た。評価結果を表２に示す。
なお、表１、２において、実施例１～１０と比較例２、５は樹脂層Ａ側の最外層表面をα面、比較例３、４はＳａが低い側の表面をα面とし、比較例１は巻内面をα面とした。ＰＰＳフィルム４は相対的に厚みの大きいＰＰＳ層と相対的に厚みの小さいＰＥＴ層の積層フィルムであるため、比較例２の基材フィルム（樹脂層Ｂ）はＰＰＳフィルム４のＰＰＳ層部分となる。
本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、包装用途、テープ用途、ケーブルラッピングやコンデンサをはじめとする電気用途等の様々な用途に適用でき、特に高温時の耐電圧性と信頼性が必要な高電圧用コンデンサ用途に利用できる。
Claims (15)
- 厚みの異なる２種類の樹脂層を有するフィルムコンデンサ用フィルムであって、
前記２種類の樹脂層のうち、厚みの小さい層を樹脂層Ａ、厚みの大きい層を樹脂層Ｂとしたときに、前記樹脂層Ｂの少なくとも片面に前記樹脂層Ａを有し、
前記樹脂層Ａに含まれる水素原子H、炭素原子C、硫黄原子S、ケイ素原子Si、窒素原子N、および酸素原子Oの原子分率から下記式（ｉ）に基づいて計算されるＸＡが０．０５０以上０．８０以下であり、
２３℃の雰囲気下において１０ｋＨｚで測定した誘電正接が０．５０%以下であり、かつ下記の条件１及び２の少なくとも一方を満たす、フィルムコンデンサ用フィルム。
式（ｉ） ＸＡ=（炭素原子Cの原子分率+窒素原子Nの原子分率+硫黄原子Sの原子分率+ケイ素原子Siの原子分率）／（水素原子Hの原子分率+酸素原子Oの原子分率）
条件１：ＤＳＣで測定される融点が１８０℃以上である。
条件２：ＤＳＣで測定されるガラス転移温度が１３０℃以上３７０℃以下である。 - ４００℃における熱分解ＧＣ－ＭＳ測定を行ったときに、保持時間２分以上２０分以下の区間に強度２５０００以上のピークを有する、請求項１に記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で前記樹脂層Ａの熱重量変化率を測定したときに、１０質量％減少温度が３９０℃以下である、請求項１または２に記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 窒素雰囲気下において昇温速度１０℃／分で熱重量変化率を測定したときに、１質量％減少温度が４３０℃以下である、請求項１～３のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 前記樹脂層Aが構造ｒ１～ｒ８で表される部分構造（ｎは１以上の整数である）のいずれかを構成単位として有する、請求項１～４のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 前記樹脂層Ａが、ウレタンアクリレート重合体、アクリレート重合体、ウレタンメタクリレート重合体、メタクリレート重合体、脂肪族ポリエーテル、脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリアミド、ポリウレタン、ポリウレアからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む、請求項１～５のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 前記樹脂層Ｂが、ポリアリーレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリイミドからなる群の少なくとも一つを含み、かつその合計量が５０質量％以上１００質量％以下である、請求項１～６のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 前記樹脂層Ａの厚みが１．０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１～７のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 少なくとも一方の面の算術平均粗さＳａが５．０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１～８のいずれに記載のフィルムコンデンサ用フィルム。
- 請求項１～９のいずれかに記載のフィルムコンデンサ用フィルムの少なくとも一方の表面に金属層を有する、金属積層体。
- 前記樹脂層Ｂ、前記樹脂層Ａ、前記金属層をこの順に有する、請求項１０に記載の金属積層体。
- 請求項１０または１１に記載の金属積層体を用いてなる、フィルムコンデンサ。
- 請求項１２に記載のフィルムコンデンサを有する、パワーコントロールユニット。
- 請求項１３に記載のパワーコントロールユニットを有する、電動自動車。
- 請求項１３に記載のパワーコントロールユニットを有する、電動航空機。
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