JP2023043674A - 誘電体組成物および積層セラミック電子部品。 - Google Patents

Abstract

【課題】破壊靭性強度の高い誘電体組成物、および、当該誘電体組成物を含む積層セラミック電子部品を提供すること。【解決手段】本発明に係る誘電体組成物は、ペロブスカイト型化合物を含む誘電体粒子と、少なくともＣａ、Ａｌ、Ｓｉ、およびＯを含む第１偏析と、を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、誘電体組成物、および、当該誘電体組成物を含む積層セラミック電子部品に関する。

特許文献１に示すように、誘電体組成物からなるセラミック層を有する積層セラミック電子部品が知られている。この積層セラミック電子部品では、誘電体組成物を含む素体にクラックやワレなどの欠陥が生じることがある。欠陥を発生させる要因としては、実装基板の撓み、セラミック層と内部電極層との線膨張係数差、または、外部から素体に加わる衝撃や応力などが考えられる。特に、誘電体組成物の破壊靭性強度が低いと、製造過程のバレル研磨時に、素体の角部が欠けたり、素体内部にクラックが発生したりすることがある。

国際公開第２００２／０００５６８号

本発明は、このような実情を鑑みてなされ、その目的は、破壊靭性強度の高い誘電体組成物、および、当該誘電体組成物を含む積層セラミック電子部品を提供することである。

上記の目的を達成するために、本発明に係る誘電体組成物は、
ペロブスカイト型化合物を含む誘電体粒子と、
少なくともＣａ、Ａｌ、Ｓｉ、およびＯを含む第１偏析と、を有する。

本発明の誘電体組成物では、所定の元素を含む第１偏析を有することで、誘電体粒子間の接合強度が向上すると考えられる。また、仮に誘電体組成物の内部に、クラックの起点が生じたとしても、所定の第１偏析により、クラックの進展が抑制できると考えられる。その結果、本発明の誘電体組成物は、高い破壊靭性強度を有する。

好ましくは、前記偏析における前記モル比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ））が、０．６０以上である。

好ましくは、前記第１偏析におけるＡｌおよびＳｉの合計に対するＡｌのモル比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ））が、０．５５以上、０．７５以下である。

好ましくは、前記ペロブスカイト化合物は、ＡＢＯ_３で表され、
ＡサイトはＣａまたは／およびＳｒを含み、ＢサイトはＺｒまたは／およびＴｉを含み、
Ａサイト１モルに対するＣａのモル比が、０．５以上であり、
Ｂサイト１モルに対するＺｒのモル比が、０．８以上である。
すなわち、誘電体粒子を構成するペロブスカイト化合物は、チタン酸バリウムよりも、ジルコン酸カルシウムや、ジルコン酸カルシウムストロンチウムなどが好ましい。上記のペロブスカイト化合物を誘電体組成物の主成分とすることで、第１偏析による破壊靭性強度の向上効果をより高めることができる。

好ましくは、前記第１偏析におけるＺｒおよびＴｉの合計に対するＣａのモル比（Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））が、１．５０以上であり、
前記第１偏析における前記モル比（Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））が、前記誘電体粒子におけるモル比（Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））よりも高い。

好ましくは、前記誘電体組成物は、第２偏析をさらに有し、
前記第２偏析は、少なくともＣａ、Ｓｉ、およびＯを含み、Ａｌを実質的に含まない。

前記第２偏析におけるＺｒおよびＴｉの合計に対するＣａおよびＳｒの合計の比を、（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とし、
前記第２偏析におけるＺｒおよびＴｉの合計に対するＳｉの比を、Ｓｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）として、
好ましくは、（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が、モル比換算で、１．１５以上であり、かつ、Ｓｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が、モル比換算で、０．１０以上である。

好ましくは、前記第１偏析の平均粒径は、０．１０μｍ以上、２．５０μｍ以下である。

好ましくは、前記第１偏析の含有率が、前記誘電体組成物の断面において、０．０００５個／μｍ^２以上、０．０１００個／μｍ^２以下である。

上述した本発明の誘電体組成物を含む積層セラミック電子部品は、外部からの応力や衝撃に対して高い耐久性を示す。すなわち、本発明の積層セラミック電子部品では、素体にクラックやワレなどの欠陥が発生することを十分に抑制できる。

図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面を示す模式図である。 図２は、図１に示すセラミック層１０を拡大した断面図である。

本実施形態では、本発明に係るセラミック電子部品の一例として、図１に示す積層セラミックコンデンサ２について説明する。積層セラミックコンデンサ２は、素子本体４と、当該素子本体４の外面に形成してある一対の外部電極６と、を有する。

図１に示す素子本体４の形状は、通常、略直方体状であって、Ｘ軸方向で対向する２つの端面４ａと、Ｙ軸方向で対向する２つの側面４ｂと、Ｚ軸方向で対向する２つの側面４ｂとを有する。ただし、素子本体４の形状は、特に制限されず、楕円柱状、円柱状、その他角柱状等であってもよい。また、素子本体４の外形寸法も、特に制限されず、たとえば、Ｘ軸方向の長さＬ０を０．４ｍｍ～５．７ｍｍ、Ｙ軸方向の幅Ｗ０を０．２ｍｍ～５．０ｍｍ、Ｚ軸方向の高さＴ０を０．２ｍｍ～３．０ｍｍとすることができる。なお、本実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に垂直である。

そして、素子本体４は、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に実質的に平行なセラミック層１０と内部電極層１２とを有し、素子本体４の内部では、セラミック層１０と内部電極層１２とがＺ軸方向に沿って交互に積層してある。ここで、「実質的に平行」とは、ほとんどの部分が平行であるが、多少平行でない部分を有していてもよいことを意味し、セラミック層１０と内部電極層１２とは、多少、凹凸があったり、傾いていたりしてもよい。

セラミック層１０は、後述する誘電体組成物により構成してある。そして、セラミック層１０の１層当たりの平均厚み（層間厚み）は、特に制限されず、たとえば、１００μｍ以下とすることができ、好ましくは３０μｍ以下である。また、セラミック層１０の積層数については、所望の特性に応じて決定すればよく、特に限定されない。たとえば、２０層以上、より好ましくは５０層以上とすることができる。

一方、内部電極層１２は、各セラミック層１０の間に積層され、その積層数は、セラミック層１０の積層数に応じて決定される。そして、内部電極層１２の１層当たりの平均厚みは、特に制限されず、たとえば、３．０μｍ以下とすることができる。なお、セラミック層１０の平均厚みや内部電極層１２の平均厚みは、金属顕微鏡を用いて図１に示すような断面を観察し、少なくとも５箇所以上で各層（１０、１２）の厚みを計測することで算出すればよい。

また、内部電極層１２は、一方の端部が、素子本体４のＸ軸方向で対向する２つの端面４ａに交互に露出するように、積層してある。そして、一対の外部電極６が、それぞれ、素子本体４の一方の端面４ａに形成され、交互に配置された内部電極層１２の露出端に電気的に接続してある。このように内部電極層１２および外部電極６を形成することで、外部電極６と内部電極層１２とで、コンデンサ回路が構成される。すなわち、容量領域内に存在するセラミック層１０は、極性の異なる内部電極層１２に挟まれており、セラミック層１０に対して電圧が印加可能となっている。

内部電極層１２は、導電性材料で構成してあり、Ｎｉを主成分として含むことが好ましい。具体的に、内部電極層１２の導電性材料は、純Ｎｉ、または、８５ｗｔ％以上のＮｉを含むＮｉ系合金であることが好ましく、Ｎｉ系合金には、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｒなどから選択された１種類以上の元素が含まれ得る。また、内部電極層１２には、上記の導電性材料の他に、セラミック層１０の主成分と同様の組成を有するペロブスカイト型化合物の粒子が、共材として含まれていてもよい。さらに、内部電極層１２には、ＳやＰ等の非金属成分が微量に（たとえば、０．１質量％以下程度）含まれていてもよく、空隙が含まれていてもよい。なお、共材や空隙等が内部電極層１２に含まれる場合、内部電極層１２には、電極（導電性材料）が存在しない途切れ部分が形成されることがある。

一対の外部電極６は、焼付電極層や、樹脂電極層、メッキ電極層などを含むことができ、単一の電極層で構成してあってもよいし、複数の電極層を積層して構成してあってもよい。たとえば、外部電極６は、焼付電極層－Ｎｉメッキ層－Ｓｎメッキ層の三層構造（記載の順番に積層する）とすることができ、この場合、外部電極６の最表面にＳｎメッキ層が位置するため、外部電極６のハンダ濡れ性が良好となる。

また、外部電極６は、図１に示すように、素子本体４のＸ軸方向の端面４ａに形成される端面部と、素子本体４の４つの側面４ｂにおいてＸ軸方向の端部に形成された延長部と、を一体的に有する。すなわち、一対の外部電極６は、それぞれ、素子本体４の端面４ａから側面４ｂに回り込むように形成されており、Ｘ軸方向で互いに接触しないように絶縁されている。

なお、外部電極６の延長部は、必須ではなく、外部電極６が端面部のみで構成してあってもよい。もしくは、積層セラミックコンデンサ２を基板に面実装する場合には、外部電極６の延長部は、少なくとも基板の実装面と対向する側面４ｂに形成されていればよく、実装面とは反対側の側面４ｂには形成しなくともよい。

次に、セラミック層１０の誘電体組成物について詳述する。

セラミック層１０の誘電体組成物は、主成分として、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物を含んでいる。ここで、セラミック層１０の主成分（誘電体組成物の主成分）とは、セラミック層１０において８０モル％以上を占める成分を意味する。ペロブスカイト化合物としては、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウムストロンチウムなどが挙げられる。

本実施形態では、主成分であるペロブスカイト型化合物は、組成式（Ｃａ_{１－α－β} Ｓｒ_α Ｂａ_β ）_ｍ（Ｚｒ_{１－γ－δ} Ｔｉ_γ Ｈｆ_δ ）Ｏ_３を満たすことが好ましい。上記組成式において、符号α、β、γ、δ、ｍは、それぞれ、元素比率を示している。

ｍは、Ｂサイトに対するＡサイトの元素比率を示しており、１．０～１．１の範囲とすることができる。

αはＡサイトに占めるＳｒの元素比率を示し、βはＡサイトに占めるＢａの元素比率を示している。本実施形態では、Ａサイトが主としてＣａまたは／およびＳｒで構成してあることが好ましい。具体的に、ＡサイトにおけるＣａの元素比率（１－α－β）は、０．５以上１．０以下であることが好ましく、０．６以上１．０以下であることがより好ましい。αは、０以上０．５以下であることが好ましく、０以上０．４以下であることがより好ましい。βは、０以上０．２以下であることが好ましい。

γは、Ｂサイトに占めるＴｉの元素比率を示し、δは、Ｂサイトに占めるＨｆの元素比率を示している。本実施形態では、Ｂサイトが主としてＺｒで構成してあることが好ましい。具体的に、ＢサイトにおけるＺｒの元素比率（１－γ－δ）は、０．８以上１．０以下であることが好ましく、０．９以上１．０以下であることが好ましい。γは、０以上０．２以下であることが好ましく、０以上０．１以下であることがより好ましい。Ｈｆは、通常、不可避不純物であり、δは、０．０３以下であることが好ましい。

なお、上記組成式における酸素（Ｏ）の元素比率は、化学量論組成から若干偏倚していてもよい。

また、セラミック層１０には、上述した主成分の他に、副成分が含まれていてもよい。副成分としては、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｃｒ化合物、Ｎｉ化合物、希土類元素化合物、Ｓｉ化合物、Ｌｉ化合物、Ｂ化合物、Ｖ化合物、Ａｌ化合物、Ｃａ化合物などが挙げられ、副成分の種類や組み合わせ、およびその添加量は、特に限定されない。

なお、セラミック層１０の成分組成は、誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ）、レーザアブレーションＩＣＰ質量分析（ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ）、蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＳ）を擁する電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）などにより分析すればよい。

上記の成分を含むセラミック層１０は、図２に示すような内部組織を有しており、セラミック層１０には、母相である誘電体粒子２０と、所定の特徴を有する偏析相（２１、２２）と、誘電体粒子２０の間に位置する粒界２３と、が含まれている。

誘電体粒子２０は、前述したセラミック層１０の主成分（ペロブスカイト型化合物）で構成してある。セラミック層１０に副成分が含まれる場合、誘電体粒子２０には、主成分の他に、副成分が固溶していてもよい。また、誘電体粒子２０は、副成分が固溶することで、コアシェル構造を有していてもよい。誘電体粒子２０の平均粒径は、１μｍ以下とすることができ、０．２０μｍ～２．００μｍとすることが好ましい。

なお、誘電体粒子２０の平均粒径は、図２に示すようなセラミック層１０の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などを用いて観察し、得られた断面写真を画像解析することで測定できる。たとえば、誘電体粒子２０の平均粒径は、少なくとも５個以上の誘電体粒子２０の円相当径を計測することで、算出すればよい。

本実施形態のセラミック層１０には、図２に示すように、第１偏析２１が含まれている。第１偏析２１は、少なくともＣａ、Ａｌ、Ｓｉ、およびＯ（酸素）を含む複合酸化物の相である。第１偏析２１には、上記元素の他に、セラミック層１０の構成元素（主成分に含まれているＳｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆなどの元素、副成分元素など）が含まれていてもよい。誘電体組成物が、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、およびＯ（酸素）を含む第１偏析２１を有することで、誘電体組成物の破壊靭性強度が向上し、セラミック層１０にクラックやワレなどの欠陥が生じることを抑制できる。

第１偏析２１は、ＳＥＭ－ＥＤＸまたはＳＥＭ－ＷＤＳによるマッピング分析と点分析とを併用して特定することができる。たとえば、図２に示すような素子本体４の断面において、マッピング分析を実施し、Ａｌのマッピング画像とＳｉのマッピング画像から、ＡｌとＳｉが重複して偏析している領域を特定する。ここで、「ＡｌおよびＳｉが重複して偏析している領域」とは、誘電体粒子２０よりもＡｌ濃度が高く、Ｓｉ濃度も高い領域を意味し、ＡｌとＳｉのマッピング画像を重ね合わせることで、視覚的に特定可能である。

「ＡｌおよびＳｉが重複して偏析している領域」を特定した後、当該特定領域で点分析を実施し、特定領域にＣａが含まれているか否かを調査する。Ｃａは、セラミック層１０の主成分を構成する元素であり、特定領域の点分析では、特定領域の周囲に存在する誘電体粒子２０の影響を受ける。そのため、特定領域にＣａが含まれているか否かをＥＤＸにより調査する際には、ＺｒおよびＴｉの合計に対するＣａのモル比（Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））を測定する。具体的に、特定領域におけるＣａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）と、誘電体粒子２０におけるＣａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とを測定して、両者を比較する。誘電体粒子２０よりも特定領域のＣａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が高い場合、当該特定領域にはＣａが含まれていると判断でき、当該特定領域が本実施形態における第１偏析２１であると判断できる。

なお、ＳＴＥＭやＴＥＭなどを用いて、ＳＥＭよりも高分解能な成分分析を実施する場合には、偏析相の周囲に存在する誘電体粒子２０の影響を受けずに、偏析相の組成を特定できる可能性がある。

ＳＥＭ－ＥＤＸ等により特定した第１偏析２１は、所定の元素比を有していることが好ましい。具体的に、第１偏析２１において、ＡｌとＳｉの合計に対するＡｌのモル比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ））は、０．５５以上、０．７５以下であることが好ましい。なお、第１偏析２１に含まれる酸素を除く元素の総含有量を１００モルとすると、ＡｌおよびＳｉの含有量の和は、少なくとも２０モル％以上であり、３０モル％以上であることが好ましい。また、第１偏析２１におけるＣａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、１．５０以上であることがより好ましく、２．００以上であることがより好ましい。ＺｒおよびＴｉは、第１偏析２１に実質的に含まれていなくともよいため、第１偏析２１におけるＣａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の上限値は、特に限定されない。

第１偏析２１が、上記の所定の元素比を満足することで、誘電体組成物の破壊靭性強度がより向上する。

第１偏析２１の詳細な組成は、特に限定されないが、第１偏析２１の結晶系は、正方晶系であることが好ましい。Ｃａ、Ａｌ、およびＳｉを含む正方晶系の複合酸化物としては、たとえば、Ｃａ_２Ａｌ（ＡｌＳｉＯ_７）が挙げられ、第１偏析２１が正方晶系の複合酸化物であることにより、誘電体組成物の破壊靭性強度がより向上する。

第１偏析２１の平均粒径は、４．０μｍ以下とすることができ、０．１０μｍ以上、２．５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．１０μｍ以上、１．０μｍ以下であることがより好ましい。また、第１偏析２１の平均粒径は、誘電体粒子２０の平均粒径に対して、０．１倍～０．９倍の範囲内であることが好ましい。この第１偏析２１の平均粒径は、少なくとも５個以上の第１偏析２１をＥＤＸまたはＷＤＳにより特定した後、特定した偏析の円相当径を画像解析により測定することで算出すればよい。

また、本実施形態では、誘電体組成物（すなわちセラミック層１０）における第１偏析２１の含有率を、誘電体組成物の単位断面積に含まれる第１偏析の個数Ｎ１（単位：個／μｍ^２）で定義する。この個数Ｎ１は、０．０００４個／μｍ^２以上、とすることができ、０．０００５個／μｍ^２以上、０．０１００個／μｍ^２以下の範囲内とすることが好ましく、０．０００７個／μｍ^２以上、０．００５０個／μｍ^２以下とすることがより好ましい。なお、個数Ｎ１は、図２に示すようなセラミック層１０の断面をＳＥＭやＳＴＥＭにより複数の視野で観察し、少なくとも合計１０００μｍ^２以上の断面に存在する第１偏析２１の個数を計測することで、算出すればよい。

第１偏析２１の平均粒径や含有率が上記の好適範囲を満たすことで、誘電体組成物の破壊靭性強度がより向上するとともに、高い比誘電率が得られる。

本実施形態のセラミック層１０には、第１偏析２１に加えて、所定の特徴を有する第２偏析２２が存在することが好ましい。この第２偏析２２は、少なくともＣａ、Ｓｉ、およびＯ（酸素）を含む複合酸化物の相である。また、第２偏析２２は、第１偏析２１とは異なり、第２偏析２２には、Ａｌが実質的に含まれない。「Ａｌを実質的に含まない」とは、具体的に、第２偏析２２におけるＡｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）が、０．１０以下であることを意味する。

第２偏析２２についても、第１偏析２１と同様に、ＳＥＭ－ＥＤＸまたはＳＥＭ－ＷＤＳによるマッピング分析と点分析とを併用して特定することができる。第２偏析２２の分析では、Ｓｉのマッピング画像から、「Ｓｉが偏析している領域」を特定する。Ｓｉが偏析している領域とは、誘電体粒子２０よりもＳｉ濃度が高い領域を意味し、Ｓｉのマッピング画像から視覚的に特定可能である。

「Ｓｉが偏析している領域」を特定した後、当該特定領域で点分析を実施し、Ａｌの含有量と、Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とを測定する。特定領域におけるＡｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）が０．１０以下であり、かつ、特定領域のＣａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が誘電体粒子２０よりも高い場合、当該特定領域では、Ｃａ、Ｓｉが含まれ、Ａｌが実質的に含まれないと判断できる。したがって、上記の方法で、セラミック層１０に含まれる第２偏析２２を特定することができる。

第２偏析２２についても、ＳＥＭよりも高分解能なＳＴＥＭやＴＥＭなどを用いて、成分分析を実施してもよい。その場合、第２偏析２２の周囲に存在する誘電体粒子２０の影響を受けずに、第２偏析２２の組成を特定できる可能性がある。

第２偏析２２は、所定の元素比を有していることが好ましい。具体的に、第２偏析２２におけるＺｒおよびＴｉの合計に対するＣａおよびＳｒの合計の比を、（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とし、第２偏析２２におけるＺｒおよびＴｉの合計に対するＳｉの比を、Ｓｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とする。第２偏析２２の（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、モル比換算で、１．１５以上であることが好ましく、１．３９以上であることがより好ましい。加えて、第２偏析２２のＳｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、モル比換算で、０．１０以上であることが好ましく、０．２０以上であることがより好ましい。ＺｒおよびＴｉは、第２偏析２２に実質的に含まれていなくともよいため、（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の上限、および、Ｓｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の上限は、いずれも、特に限定されない。

第２偏析２２の詳細な組成は、特に限定されないが、第２偏析２２の結晶系は、斜方晶系であることが好ましい。ＣａおよびＳｉを含む斜方晶系の複合酸化物としては、たとえば、Ｃａ_２ＳｉＯ_４が挙げられる。

上記のような所定の特徴を有する第２偏析２２が、第１偏析２１と共に誘電体組成物に含まれることで、誘電体組成物の破壊靭性強度がより向上する。

なお、第２偏析２２の平均粒径は、４．０μｍ以下とすることができ、０．１μｍ～２．５μｍとすることが好ましい。なお、第２偏析２２の平均粒径は、第１偏析２１の平均粒径と同様に測定すればよい。つまり、上記の方法で少なくとも５個以上の第２偏析２２を特定した後、これら第２偏析２２の円相当径を画像解析により測定することで、平均粒径を算出すればよい。

また、誘電体組成物（すなわちセラミック層１０）における第２偏析２２の含有率は、第１偏析２１と同様に、誘電体組成物の単位断面積に含まれる第２偏析２２の個数Ｎ２（単位：個／μｍ^２）で定義し、この個数Ｎ２は、個数Ｎ１と同様にして測定すればよい。本実施形態において、第２偏析２２の含有率（個数Ｎ２）は、第１偏析２１の含有率（個数Ｎ１）を考慮して決定することが好ましい。具体的に、Ｎ１に対するＮ２の比（Ｎ２／Ｎ１）は、０．２～５．０の範囲内とすることができ、０．５～２．０の範囲内とすることが好ましい。

以上のとおり、本実施形態のセラミック層１０（誘電体組成物）には、所定の偏析相（２１、２２）が含まれており、当該偏析相により素子本体４の破壊靭性強度を向上させることができる。なお、セラミック層１０には、上述した偏析相（２１、２２）以外にその他の偏析相や、空隙などが存在していてもよい。また、誘電体粒子２０の間に存在する粒界２３については、主成分の構成元素や副成分元素により構成されており、当該粒界２３にその他の偏析相が存在していてもよい。

次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ２の製造方法の一例を説明する。

まず、素子本体４の製造工程について、説明する。素子本体４の製造工程では、焼成後にセラミック層１０となる誘電体用ペーストと、焼成後に内部電極層１２となる内部電極用ペーストとを準備する。

誘電体用ペーストは、誘電体組成物の主成分であるペロブスカイト型化合物の粉末（以下、主成分粉末を称する）と、焼成後に第１偏析２１となる第１偏析用粉末と、を用いて製造する。主成分粉末は、固相法、水熱合成法、もしくはゾル・ゲル法などで製造することができる。たとえば、固相法では、ＣａＣＯ_３粉末、ＳｒＣＯ_３粉末、ＺｒＯ_２粉末、ＴｉＯ_２粉末などの出発原料を湿式混合等の手段によって均一に混合した後、仮焼き処理することで、主成分粉末が得られる。この際、仮焼きした主成分粉末に対しては、適宜、粉砕や分級などの処理を施してもよい。

第１偏析用粉末については、Ｃａを含む化合物粉末（たとえばＣａＣＯ_３粉末）と、Ａｌを含む化合物粉末（たとえばＡｌ_２Ｏ_３粉末）と、Ｓｉを含む化合物粉末（たとえばＳｉＯ_２粉末）とを、所定の比率で混合し、仮焼き処理することで得られる。第１偏析用粉末の調製時には、適宜、粉砕処理などを施し、第１偏析２１の粒径を制御することが好ましい。

なお、セラミック層１０に第２偏析２２を形成する場合には、第２偏析用粉末を準備してもよい。この第２偏析用粉末も、第１偏析用粉末と同様に、Ｃａを含む化合物粉末と、Ｓｉを含む化合物粉末とを仮焼き処理することで、製造することができる。また、第２偏析２２については、第２偏析用粉末を準備せずとも、副成分原料の配合比により形成できる場合もある。

誘電体用ペーストは、上記の主成分粉末と第１偏析用粉末とを、有機ビヒクルに加えて混練することで得られる。ここで、有機ビヒクルとは、バインダを有機溶媒中に溶解したものである。使用するバインダは、特に限定されず、たとえば、ポリビニルブチラール、アクリル、エチルセルロースなどの各種バインダから適宜選択すればよい。また、使用する有機溶媒も特に限定されず、たとえば、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、アセトン、トルエン、テルピネオール、ブチルカルビトールなどの各種有機溶剤から適宜選択すればよい。

なお、上記の誘電体用ペーストは、有機系の塗料であるが、誘電体用ペーストは、混合粉末と水系ビヒクルとを混錬した水系の塗料であってもよい。この場合、水系ビヒクルは、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させて作製する。使用する水溶性バインダも特に限定されず、たとえば、ポリビニルアルコール、水溶性アクリル樹脂、水溶性ポリビニルブチラール樹脂などを用いることができる。この際、第２偏析用粉末や副成分原料なども適宜添加する。また、誘電体用ペーストには、必要に応じて、上記の第２偏析用粉末、各種分散剤、可塑剤、誘電体、副成分化合物、ガラスフリットなどから選択される添加物が含有されていてもよい。

一方、内部電極用ペーストは、純Ｎｉ粉末やＮｉ合金粉末などの導電性材料、あるいは、本焼成後に上記したＮｉやＮｉ合金となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネートなどを、上述したような有機ビヒクルと共に混錬して調製すればよい。この際、内部電極用ペーストには、誘電体用ペーストに含まれる主成分粉末を共材として添加してもよい。共材は、焼成過程において導電性粉末の焼結を抑制する作用を奏する。

次に、誘電体用ペーストを、ドクターブレード法などの手法によりシート化することで、セラミックグリーンシートを得る。そして、このセラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷等の各種印刷法や転写法により、内部電極用ペーストを所定のパターンで塗布する。さらに、内部電極パターンを形成したグリーンシートを複数層に渡って積層した後、積層方向にプレスすることでマザー積層体を得る。なお、この際、マザー積層体の積層方向の上面および下面には、セラミックグリーンシートが位置するように、セラミックグリーンシートと内部電極パターンとを積層する。

上記の工程により得られたマザー積層体を、ダイシングや押切りにより所定の寸法に切断し、複数のグリーンチップを得る。グリーンチップは、必要に応じて、可塑剤などを除去するために固化乾燥をしてもよく、固化乾燥後に水平遠心バレル機などを用いてバレル研磨してもよい。バレル研磨では、グリーンチップを、メディアおよび研磨液とともに、バレル容器内に投入し、当該バレル容器に対して回転運動や振動などを与える。このバレル研磨により、切断時に生じたバリなどの不要箇所を研磨し、グリーンチップの角部に丸み（角Ｒ）を形成する。バレル研磨後のグリーンチップは、水などの洗浄液で洗浄し乾燥させる。なお、このバレル研磨は、グリーンチップの焼成後に実施してもよい。

次に、上記で得られたグリーンチップに対して、脱バインダ処理および焼成処理を施し、素子本体４を得る。

脱バインダ処理の条件は、セラミック層１０の主成分組成や内部電極層１２の主成分組成に応じて適宜決定すればよく、特に限定されない。たとえば、昇温速度を好ましくは５～３００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０～４００℃、温度保持時間を好ましくは０．５～２４時間とする。また、脱バインダ雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とする。

焼成処理の条件は、セラミック層１０の主成分組成や内部電極層１２の主成分組成に応じて適宜決定すればよく、特に限定されない。たとえば、焼成時の保持温度は、好ましくは１２００～１３５０℃、より好ましくは１２２０～１３００℃であり、その保持時間は、好ましくは０．５～８時間、より好ましくは１～３時間である。また、焼成雰囲気は、還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ_２とＨ_２との混合ガスを加湿して用いることができる。さらに、内部電極層１２をＮｉやＮｉ合金等の卑金属で構成する場合には、焼成雰囲気中の酸素分圧を、１．０×１０^－１４～１．０×１０^－１０ＭＰａとすることが好ましい。

なお、焼成処理後には、必要に応じてアニールを施してもよい。アニールは、セラミック層１０を再酸化するための処理であり、焼成処理を還元性雰囲気で実施した場合には、アニールを実施することが好ましい。アニール処理の条件もセラミック層１０の主成分組成などに応じて適宜決定すればよく、特に限定されない。たとえば、保持温度を９５０～１１５０℃とすることが好ましく、温度保持時間を０～２０時間とすることが好ましく、昇温速度および降温速度を５０～５００℃／時間とすることが好ましい。また、雰囲気ガスとして加湿したＮ_２ガス等を用いることが好ましく、アニール雰囲気中の酸素分圧は、１．０×１０^－９～１．０×１０^－５ＭＰａとすることが好ましい。

上記の脱バインダ処理、焼成処理およびアニール処理において、Ｎ_２ガスや混合ガス等を加湿するためには、たとえばウェッター等を使用すればよく、この場合、水温は５～７５℃程度が好ましい。また、脱バインダ処理、焼成処理およびアニール処理は、連続して行なっても、独立に行なってもよい。

次に、上記で得られた素子本体４の外面に、一対の外部電極６を形成する。外部電極６の形成方法は、特に限定されない。たとえば、外部電極６として焼付電極を形成する場合には、ガラスフリットを含む導電性ペーストを素子本体４の端面にディップ法により塗布した後、素子本体４を所定の温度で加熱すればよい。また、外部電極６として樹脂電極を形成する場合には、熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを素子本体４の端面に塗布し、その後、素子本体４を熱硬化性樹脂が硬化する温度で加熱すればよい。さらに、上記の方法で焼付電極や樹脂電極を形成した後、スパッタリング、蒸着、電解メッキ、もしくは無電解メッキなどを施し、多層構造を有する外部電極６を形成してもよい。

上記の工程により、外部電極６を有する積層セラミックコンデンサ２が得られる。

（実施形態のまとめ）
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、所定の誘電体組成物で構成してあるセラミック層１０と、内部電極層１２とを交互に積層した素子本体４を有している。そして、セラミック層１０の誘電体組成物は、ペロブスカイト型化合物を含む誘電体粒子２０と、少なくともＣａ、Ａｌ、Ｓｉ、およびＯを含む第１偏析２１を有している。

セラミック層１０の誘電体組成物が、上記の特徴を有することで、破壊靭性強度が向上する。破壊靭性強度が向上する理由は、必ずしも明らかではないが、所定の元素を含む第１偏析２１により、誘電体粒子間の接合強度が向上したことに起因すると考えられる。また、仮に誘電体組成物の内部にクラックの起点が生じたとしても、第１偏析２１によりクラックの進展が抑制できると考えられる。本実施形態の積層セラミックコンデンサ２では、セラミック層１０が破壊靭性強度の高い誘電体組成物で構成してあるため、素子本体４にクラックやワレなどの欠陥が発生することを十分に抑制できる。また、積層セラミックコンデンサ２は、外部からの応力や衝撃に対して高い耐久性を示す。

特に、第１偏析２１における元素比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）、Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））、平均粒径、含有率（個数Ｎ１）を所定の範囲に制御することで、誘電体組成物の破壊靭性強度をより向上させることができると共に、高い比誘電率が得られる。

また、セラミック層１０（誘電体組成物）には、少なくともＣａ、Ｓｉ、およびＯを含み、Ａｌを実質的に含まない、第２偏析２２が含まれる。この第２偏析２２により、誘電体組成物の破壊靭性強度をより向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。

たとえば、本実施形態では、積層セラミック電子部品として積層セラミックコンデンサ２を例示したが、本発明の積層セラミック電子部品は、たとえば、バンドパスフィルタ、積層三端子フィルタ、サーミスタ、バリスタなどであってもよい。

また、本実施形態では、セラミック層１０と内部電極層１２とをＺ軸方向に積層したが、積層方向は、Ｘ軸方向もしくはＹ軸方向であってもよい。その場合、内部電極層１２の露出面に合わせて外部電極６を形成すればよい。また、内部電極層１２は、スルーホール電極を介して、素子本体４の外面に引き出されていてもよく、この場合、スルーホール電極と外部電極６とが電気的に接合する。

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。

（実験１）
実験１では、以下の手順で、実施例１、２および比較例１～４に係るコンデンサ試料を作製した。

実施例１
まず、誘電体用ペーストの原料である主成分粉末と、第１偏析用粉末とを準備した。具体的に、主成分粉末は、固相法で製造した（Ｃａ_０．７ Ｓｒ_０．３）（Ｚｒ_０．９６ Ｔｉ_０．０４）Ｏ_３粉末とした。一方、第１偏析用粉末は、ＣａＣＯ_３粉末と、Ａｌ_２Ｏ_３粉末と、ＳｉＯ_２粉末とを、所定の比率で湿式混合し、仮焼きした後、ボールミルで粉砕することで得た。

次に、主成分粉末と、第１偏析用粉末と、有機ビヒクルと、副成分粉末（ＭｎＣＯ_３粉末）と、を混練することで、誘電体用ペーストを得た。また、Ｎｉ粉末と、有機ビヒクルと、を混練して、内部電極用ペーストを得た。

次に、上記の誘電体用ペーストと内部電極用ペーストとを用いて、シート法によりグリーンチップを製造した。そして、当該グリーンチップに対して、脱バインダ処理、焼成処理、およびアニール処理を施し、寸法がＬ０×Ｗ０×Ｔ０＝３．２５ｍｍ×１．７５ｍｍ×１．７５ｍｍである素子本体４を得た。また、得られた素子本体４において、内部電極層１２に挟まれたセラミック層１０の積層数は、２５０とし、セラミック層１０の平均厚みは、２．５μｍとし、内部電極層１２の平均厚みは、１．１μｍとした。以上の工程により、実施例１に係るコンデンサ試料を得た。

実施例２
実施例２では、誘電体用ペーストに添加する主成分粉末として、水熱合成法で製造したチタン酸バリウム粉末（ＢａＴｉＯ_３粉末）を用いた。実施例２の実験条件は、セラミック層１０の主成分をＢａＴｉＯ_３に変更したこと以外は、実施例１と同様として、実施例２に係るコンデンサ試料を得た。

比較例１
比較例１では、第１偏析用粉末を使用せずに誘電体用ペーストを準備した。すなわち、比較例１における誘電体用ペーストは、（Ｃａ_０．７ Ｓｒ_０．３）（Ｚｒ_{０．０９６} Ｔｉ_０．０４）Ｏ_３からなる主成分粉末と、副成分粉末（実施例１と同じ副成分）と、有機ビヒクルとを混ぜ合わせて作製した。比較例１における上記以外の実験条件は、実施例１と同様として、比較例１に係るコンデンサ試料を得た。

比較例２
比較例２では、第１偏析用粉末を使用せずに、ＳｉＯ_２粉末を誘電体用ペーストに添加した。すなわち、比較例２における誘電体用ペーストは、（Ｃａ_０．７ Ｓｒ_０．３）（Ｚｒ_０．９６ Ｔｉ_０．０４）Ｏ_３からなる主成分粉末と、ＳｉＯ_２粉末と、副成分粉末（実施例１と同じ副成分）と、有機ビヒクルとを混ぜ合わせて作製した。比較例２における上記以外の実験条件は、実施例１と同様として、比較例２に係るコンデンサ試料を得た。

比較例３
比較例３では、第１偏析用粉末を使用せずに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末とＳｉＯ_２粉末とを混合して仮焼きした複合酸化物粉末を準備した。比較例３では、このＡｌ－Ｓｉ－Ｏ系の複合酸化物粉末と、（Ｃａ_０．７ Ｓｒ_０．３）（Ｚｒ_０．９６ Ｔｉ_０．０４）Ｏ_３からなる主成分粉末と、副成分粉末（実施例１と同じ副成分）と、有機ビヒクルとを混ぜ合わせて、誘電体用ペーストを作製した。比較例３における上記以外の実験条件は、実施例１と同様として、比較例３に係るコンデンサ試料を得た。

比較例４
比較例４では、実施例２と同様に、誘電体用ペーストに添加する主成分粉末として、水熱合成法で製造したチタン酸バリウム粉末（ＢａＴｉＯ_３粉末）を準備した。また、比較例４では、第１偏析用粉末を使用せずに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末とＳｉＯ_２粉末とを混合して仮焼きした複合酸化物粉末を準備した。比較例４の誘電体用ペーストは、ＢａＴｉＯ_３からなる主成分粉末と、Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ系の複合酸化物粉末と、副成分粉末（実施例１と同じ副成分）と、有機ビヒクルとを混ぜ合わせて作製した。比較例４における上記以外の実験条件は、実施例１と同様として、比較例４に係るコンデンサ試料を得た。

実験１の各実施例および各比較例に係るコンデンサ試料に対して、以下に示す評価を実施した。

偏析の解析
実験１では、各コンデンサ試料の断面をＳＥＭにより観察し、その際にＥＤＸによるマッピング分析および点分析を実施することで、セラミック層１０の内部に存在する偏析相の構成元素を特定した。各実施例および各比較例における測定結果を表１に示す。

バレル研磨試験
実験１では、セラミック層１０を構成する誘電体組成物の破壊靭性強度を評価するために、バレル研磨試験を実施した。具体的に、焼成後の素子本体と、メディアであるムライト球と、ＳｉＣ研磨剤と、水とを、バレル槽に投入し、そのバレル槽を、ターレット盤の円周上に自転可能に配置した。そして、ターレット盤を回転させることで、各バレル槽をターレット盤の公転とは逆方向に自転させた。つまりバレル槽を遊星旋回させた。この際、研磨時間：２時間と、研磨時間：８時間との２つの条件で試験を実施した。そして、バレル槽から取り出した素子本体を乾燥させた後、実体顕微鏡を用いて素子本体の外観を検査した。素子本体にクラックや角部の欠けなどの欠陥が生じているサンプルの数を計測した。

バレル研磨試験は、各実施例および各比較例につき、それぞれ、研磨時間２時間の条件で１００個のサンプル、研磨時間８時間の条件で１００個のサンプルに対して実施し、不良発生率を測定した。研磨時間：２時間の条件における不良発生率が０％である場合、破壊靭性強度が「十分（合格）」と判断し、研磨時間：８時間の条件における不良発生率が０％である場合、破壊靭性強度が「より良好」と判断した。各実施例および各比較例における試験結果を表１に示す。

表１に示すように、Ｃａ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系の第１偏析２１が存在する実施例１では、比較例１～３よりもバレル研磨試験の不良発生率を低減することができた。同様に、Ｃａ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系の第１偏析２１が存在する実施例２では、比較例４よりもバレル研磨試験の不良発生率を低減することができた。この結果から、Ｃａ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系の第１偏析２１が誘電体組成物（セラミック層）に含まれることで、誘電体組成物の破壊靭性強度を高めることができ、外部からの衝撃によるコンデンサ試料の欠陥を抑制できることがわかった。

また、表１に示すように、実施例２よりも実施例１のほうが、研磨時間：８ｈの条件における不良発生率が低い結果となった。この結果から、ジルコン酸カルシウム系の主成分に対して第１偏析２１を形成することで、誘電体組成物の破壊靭性強度をより向上できることがわかった。

実験２
実験２では、第１偏析２１の元素比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）およびＣａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））が異なる実施例１０～１６のコンデンサ試料を作製した。第１偏析２１の元素比は、第１偏析用粉末の製造する際に、出発原料（ＣａＣＯ_３粉末、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＳｉＯ_２粉末）の配合比を調整することで、制御した。また、各実施例１０～１６における第１偏析２１の元素比は、ＳＥＭ－ＥＤＸにより測定した。実験２における上記以外の実験条件は、実験１の実施例１と同様とした。実験２における実施例１０～１６の評価結果を表２に示す。

表２に示す実施例１０～１４の評価結果から、第１偏析２１のＡｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）は、０．５５以上、０．７５以下の範囲内が好ましいことがわかった。また、表２に示す実施例１５、１６の評価結果から、第１偏析２１のＣａ／(Ｚｒ＋Ｔｉ)は、１．５０以上であることが好ましいことがわかった。

実験３
実験３では、第１偏析２１の平均粒径が異なる実施例２０～２４のコンデンサ試料と、第１偏析２１の含有率（個数Ｎ１）が異なる実施例２５～２８のコンデンサ試料とを作製した。第１偏析２１の平均粒径は、第１偏析用粉末をボールミルで粉砕する際の粉砕条件により制御した。第１偏析２１の含有率は、誘電体用ペーストにおける第１偏析用粉末の配合比により制御した。また、第１偏析２１の平均粒径および含有率は、ＳＥＭ－ＥＤＸを用いて実施形態に示す方法で測定した。実験３における上記以外の実験条件は、実験１の実施例１と同様とした。

なお、実験３では、素子本体の外面に対して、Ｃｕを含む焼付電極層と、Ｎｉメッキ層と、Ｓｎメッキ層とを、記載の順に形成した。そして、各実施例におけるコンデンサ試料の比誘電率を測定した。比誘電率は、ＬＣＲメータ（KEYSIGT TECHNOLOGIES社製：Ｅ４９８１Ａキャパシタンス・メータ）を用いて静電容量を測定することで算出した。具体的に、静電容量の測定では、測定温度を２０℃とし、コンデンサ試料に対して、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力した。そして、比誘電率（単位なし）は、誘電体層の厚みと、有効電極面積と、測定した静電容量とに基づき算出した。なお、上記の測定は、各実施例につき１０個のサンプルに対して実施し、その平均値を算出した。比誘電率は、３０以上を良好と判断した。実験３における実施例２０～２８の評価結果を表３に示す。

表３に示す実施例２０～２４の評価結果から、第１偏析２１の平均粒径は、０．１０μｍ以上、２．５０μｍ以下であることが好ましいことがわかった。また、表３に示す実施例２５～２８の評価結果から、第１偏析２１の含有率（個数Ｎ１）は、０．０００５個／μｍ^２以上、０．０１００個／μｍ^２以下であることが好ましいことがわかった。

実験４
実験４では、ＣａＣＯ_３粉末とＳｉＯ_２粉末とを混合して仮焼きした第２偏析用粉末を準備した。そして、この第２偏析用粉末を第１偏析用粉末とともに誘電体用ペーストに添加して、実施例３１、３２に係るコンデンサ試料を得た。実験４における上記以外の実験条件は、実験３の実施例２２と同様とした。

また、実験４では、バレル研磨試験における研磨時間を、実験１～３よりも延長し、研磨時間：１６時間の条件でも試験を実施した。研磨時間：１６時間における不良発生率が０％の場合、破壊靭性強度が「特に良好」と判断した。実験４における実施例３１、３２の評価結果を表４に示す。なお、表４には、第２偏析２２を含む実施例３１、３２の結果と併せて、第２偏析２２を含まない実験３の実施例２２の評価結果も示してある。

表４に示す評価結果から、誘電体組成物が、第１偏析２１に加えて、Ａｌを含まないＣａ－Ｓｉ－Ｏ系の第２偏析２２を有することで、破壊靭性強度がより向上することがわかった。また、第２偏析２２において、（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．１５以上で、かつ、（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が０．１０以上であることが好ましいことがわかった。なお、実施例３１および３２において、第２偏析２２のＡｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）は、いずれも、０．１０未満であり、第２偏析２２にはＡｌが実質的に含まれていなかった。

２ … 積層セラミックコンデンサ
４ … 素子本体
４ａ … 端面
４ｂ … 側面
１０ … セラミック層
１２ … 内部電極層
２０ … 誘電体粒子
２１ … 第１偏析
２２ … 第２偏析
２３ … 粒界
６ … 外部電極

Claims (9)

1. ペロブスカイト型化合物を含む誘電体粒子と、
   少なくともＣａ、Ａｌ、Ｓｉ、およびＯを含む第１偏析と、を有する誘電体組成物。
2. 前記第１偏析において、ＡｌおよびＳｉの合計に対するＡｌのモル比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ））が、０．５５以上、０．７５以下である請求項１に記載の誘電体組成物。
3. 前記ペロブスカイト化合物は、ＡＢＯ_３で表され、
   ＡサイトはＣａまたは／およびＳｒを含み、ＢサイトはＺｒまたは／およびＴｉを含み、
   Ａサイト１モルに対するＣａのモル比が、０．５以上であり、
   Ｂサイト１モルに対するＺｒのモル比が、０．８以上である請求項１または２に記載の誘電体組成物。
4. 前記第１偏析において、ＺｒおよびＴｉの合計に対するＣａのモル比（Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））が、１．５０以上であり、
   前記第１偏析における前記モル比（Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））が、前記誘電体粒子におけるモル比（Ｃａ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））よりも高い請求項１～３のいずれかに記載の誘電体組成物。
5. 前記誘電体組成物は、第２偏析をさらに有し、
   前記第２偏析は、少なくともＣａ、Ｓｉ、およびＯを含み、Ａｌを実質的に含まない請求項１～４のいずれかに記載の誘電体組成物。
6. 前記第２偏析におけるＺｒおよびＴｉの合計に対するＣａおよびＳｒの合計の比を、（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とし、
   前記第２偏析におけるＺｒおよびＴｉの合計に対するＳｉの比を、Ｓｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）として、
   （Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が、モル比換算で、１．１５以上であり、かつ、Ｓｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が、モル比換算で、０．１０以上である請求項５に記載の誘電体組成物。
7. 前記第１偏析の平均粒径は、０．１０μｍ以上、２．５０μｍ以下である請求項１～６のいずれかに記載の誘電体組成物。
8. 前記第１偏析の含有率が、０．０００５個／μｍ^２以上、０．０１００個／μｍ^２以下である請求項１～７のいずれかに記載の誘電体組成物。
9. 請求項１～８のいずれかに記載の誘電体組成物を含む積層セラミック電子部品。

Images