JP2023037702A - 電子デバイスの製造方法、および、カバーガラス - Google Patents

電子デバイスの製造方法、および、カバーガラス Download PDF

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Abstract

【課題】アウトガスの発生を抑制して、カバーガラスの光学特性の劣化を抑制する。【解決手段】電子デバイスの製造方法は、光硬化性樹脂の硬化物からなる反射防止層が形成されたカバーガラスを加熱するベーキング工程と、センサ素子の受光面に対向する位置に、ベーキング工程後のカバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、センサモジュールを実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、センサモジュールを実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、を含み、リフロー工程より前にベーキング工程を行うことにより、リフロー工程において、カバーガラスの反射防止層から発生するアウトガスのうち、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率は、反射防止層の質量に対して０．５質量％以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法、および、カバーガラスに関する。
センサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスは、例えば、スマートフォン等の携帯端末、自動車、監視システム等に設けられる。電子デバイスにおいて、センサ素子の感度を向上させるために、センサ素子は、反射防止機能を有するカバーガラスによって覆われている。
反射防止機能を有するカバーガラスとして、微細凹凸構造を有する樹脂製の反射防止層を備えるカバーガラスが開発されている。このようなカバーガラスは、原盤と基材との間に、硬化性樹脂組成物を供給して硬化させ、原盤の微細凹凸構造を硬化性樹脂組成物の表面に転写すること（ナノインプリント法）によって製造される（例えば、特許文献１）。
特開２０１５－２１４１０１号公報
上記電子デバイスを製造する際、まず、センサ素子の受光面に対向する位置に、カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる。そして、センサモジュールを実装基板上に載置して加熱することにより、センサモジュールを実装基板にはんだ付け（リフロー）する。
このように、リフローの際、センサモジュールを加熱することになるが、この加熱によってカバーガラスの反射防止層からアウトガスが発生する。アウトガスは、カバーガラスの光学特性を劣化させる、特に、４００ｎｍ以上の波長の光の透過率を低下させるという問題があった。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アウトガスの発生を抑制して、カバーガラスの光学特性の劣化を抑制することが可能な、電子デバイスの製造方法、および、カバーガラスを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、
カバーガラスにより覆われたセンサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスの製造方法において、
前記カバーガラスは、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有する反射防止層と、
を備え、
前記製造方法は、
（１）前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、未硬化の光硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層に対して、原盤の前記微細凹凸構造を転写する転写工程と、
（２）前記微細凹凸構造が転写された前記未硬化樹脂層に光を照射することにより、前記未硬化樹脂層を硬化させて、前記光硬化性樹脂の硬化物からなる前記反射防止層を形成する硬化工程と、
（３）前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを加熱するベーキング工程と、
（４）前記センサ素子の受光面に対向する位置に、前記ベーキング工程後の前記カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、
（５）前記センサモジュールを前記実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、前記センサモジュールを前記実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、
を含み、
前記未硬化の光硬化性樹脂は、
単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを０質量％超、５０質量％以下と、
２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを５０質量％以上、１００質量％未満と、
を含み、
前記リフロー工程より前に前記ベーキング工程を行うことにより、前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率は、前記反射防止層の質量に対して０．５質量％以下である、電子デバイスの製造方法が提供される。
前記ベーキング工程では、前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを、１５０℃以上、２５０℃未満の温度で、３０分以上加熱してもよい。
前記反射防止層は、前記ガラス基板の両側の表面に設けられ、
前記転写工程では、前記ガラス基板の両側の表面に設けられた前記未硬化樹脂層に対して、前記原盤の前記微細凹凸構造を転写してもよい。
前記センサ素子は、イメージセンサであってもよい。
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、
カバーガラスにより覆われたセンサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスの製造方法において、
前記カバーガラスは、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有する反射防止層と、
を備え、
前記製造方法は、
（１）前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、未硬化の光硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層に対して、原盤の前記微細凹凸構造を転写する転写工程と、
（２）前記微細凹凸構造が転写された前記未硬化樹脂層に光を照射することにより、前記未硬化樹脂層を硬化させて、前記光硬化性樹脂の硬化物からなる前記反射防止層を形成する硬化工程と、
（３）前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを加熱するベーキング工程と、
（４）前記センサ素子の受光面に対向する位置に、前記ベーキング工程後の前記カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、
（５）前記センサモジュールを前記実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、前記センサモジュールを前記実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、
を含み、
前記未硬化の光硬化性樹脂は、
単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを０質量％超、５０質量％以下と、
２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを５０質量％以上、１００質量％未満と、
を含み、
前記ベーキング工程では、前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを、１５０℃以上、２５０℃未満の温度で、３０分以上加熱する、電子デバイスの製造方法が提供される。
前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率が、前記反射防止層の質量に対して０．５質量％以下となるように、前記リフロー工程より前に前記ベーキング工程を行ってもよい。
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、
電子デバイスの実装基板上に実装されるセンサ素子を覆うカバーガラスであって、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有し、光硬化性樹脂の硬化物からなる反射防止層と、
を備え、
前記光硬化性樹脂の硬化物は、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーおよび２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの重合物であり、
前記重合物に含まれる前記単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来する残存モノマーの含有率は、０．３質量％以下である、カバーガラスが提供される。
本発明によれば、アウトガスの発生を抑制して、カバーガラスの光学特性の劣化を抑制することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る洗浄および前処理工程、樹脂層形成工程、転写工程、硬化工程、離型工程、および、後硬化工程を説明する工程図である。 本発明の一実施形態に係るベーキング工程を説明する工程図である。 本発明の一実施形態に係る反射防止層を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る組立工程を説明する工程図である。 本発明の一実施形態に係るリフロー工程を説明する工程図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易にするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
なお、以下の説明において参照する各図面では、説明の便宜上、一部の構成要素の大きさを誇張して表現している場合がある。したがって、各図面において図示される構成要素同士の相対的な大きさは、必ずしも実際の構成要素同士の大小関係を正確に表現するものではない。
［１．電子デバイスの製造方法］
まず、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態に係る電子デバイス３００の製造方法について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電子デバイス３００の製造方法を説明するフローチャートである。図２は、本発明の一実施形態に係る洗浄および前処理工程Ｓ１１０、樹脂層形成工程Ｓ１２０、転写工程Ｓ１３０、硬化工程Ｓ１４０、離型工程Ｓ１５０、および、後硬化工程Ｓ１６０を説明する工程図である。なお、図２中、理解を容易にするために、表面１４に対する処理の記載を省略する。図３は、本発明の一実施形態に係るベーキング工程Ｓ１７０を説明する工程図である。図４は、本発明の一実施形態に係る反射防止層４０を説明する図である。図５は、本発明の一実施形態に係る組立工程Ｓ１８０を説明する工程図である。図６は、本発明の一実施形態に係るリフロー工程Ｓ１９０を説明する工程図である。
図１に示すように、本実施形態に係る電子デバイス３００の製造方法は、洗浄および前処理工程Ｓ１１０と、樹脂層形成工程Ｓ１２０と、転写工程Ｓ１３０と、硬化工程Ｓ１４０と、離型工程Ｓ１５０と、後硬化工程Ｓ１６０と、ベーキング工程Ｓ１７０と、組立工程Ｓ１８０と、リフロー工程Ｓ１９０とを含む。以下、各工程について説明する。
［洗浄および前処理工程Ｓ１１０］
まず、ガラス基板１０を洗浄する。ガラス基板１０は、例えば、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英、サファイア等の透明な材料で形成される。
そして、図２に示すように、ガラス基板１０の表面１２、および、表面１２の反対側の表面１４に対し、前処理およびシラン処理を施す。
前処理は、例えば、コロナ放電表面処理、ブラスト表面処理、プラズマ表面処理、エキシマ表面処理、火炎表面処理、エッチング、研磨等である。シラン処理は、ガラス基板１０の表面１２、１４に、プライマーをスピンコートし、加熱することで為される。プライマーは、シランカップリング剤であり、例えば、信越化学工業株式会社製のKBM5103、KBM603、KBM403、X-12-1048である。
［樹脂層形成工程Ｓ１２０］
図２に示すように、ガラス基板１０の両側の表面１２、１４に未硬化樹脂層２０を形成する。例えば、不図示の塗布装置を用いて、未硬化の光硬化性樹脂をガラス基板１０の表面１２に塗布することにより、未硬化樹脂層２０を形成してもよい。あるいは、未硬化の光硬化性樹脂をガラス基板１０の表面１２に滴下することにより、未硬化樹脂層２０を形成してもよい。つまり、未硬化樹脂層２０は、未硬化の光硬化性樹脂からなる。
未硬化の光硬化性樹脂は、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを０質量％超、５０質量％以下と、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを５０質量％以上、１００質量％未満と、光重合開始剤とを含む。
未硬化の光硬化性樹脂に含まれる単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの割合が、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの割合以下であることにより、後述するリフロー工程Ｓ１９０におけるアウトガスの発生量を低減させることが可能となる。また、電子デバイス３００として組み立てた際に、カバーガラス１００の平行線透過率を向上させることが可能となる。さらに、後述する反射防止層４０の耐熱性を向上させることができる。
単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーは、単結合のみからなる環状構造、および、単結合および多重結合からなる環状構造（例えば、ベンゼン環）のうちのいずれか一方または両方の環状構造を有していることが好ましい。環状構造を有する単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーは、炭素骨格が剛直である。このため、未硬化の光硬化性樹脂が、環状構造を有する単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを含むことにより、反射防止層４０の耐熱性を向上させることができる。
単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーは、例えば、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、および、イソボルニル（メタ）アクリレートのうち、いずれか一方、または、両方である。単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーは、例えば、昭和電工マテリアルズ株式会社製のFA513M、共栄社化学株式会社製のライトアクリレートIB-XA、共栄社化学株式会社製のライトエステルIB-Xである。
２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーは、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、および、ジオキサングリコールジアクリレートのうち、いずれか一方、または、両方である。２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーは、例えば、日本化薬株式会社製のDPHA、R-604である。
光重合開始剤は、例えば、Irgacure184である。
［転写工程Ｓ１３０］
転写工程Ｓ１３０は、ガラス基板１０の両側の表面１２、１４に設けられる未硬化樹脂層２０に対して、原盤３０の微細凹凸構造３２を転写する工程である。
図２に示すように、未硬化樹脂層２０に原盤３０を押し当て、未硬化樹脂層２０に対して、原盤３０の微細凹凸構造３２を転写して、未硬化樹脂層２０に微細凹凸構造４２を形成する。なお、微細凹凸構造４２における凹凸の平均周期は、可視光波長以下である。ここで、凹凸の平均周期は、微細凹凸構造３２が有する複数の凸部間のピッチ（または、複数の凹部間のピッチ）に相当する。かかる凹凸の平均周期は、カバーガラス１００が備える反射防止層４０の所望の反射防止特性に応じて、可視光の波長帯域内の任意の波長以下に設定される。例えば、可視光の波長帯域が３６０ｎｍ～８３０ｎｍである場合、凹凸の平均周期は、例えば、８３０ｎｍ以下または３６０ｎｍ以下などであってよい。また、本実施形態において、原盤３０は、光（例えば、紫外線）を透過可能な材料によって形成されることが好ましい。
［硬化工程Ｓ１４０］
硬化工程Ｓ１４０は、微細凹凸構造４２が転写された未硬化樹脂層２０に光を照射することにより、未硬化樹脂層２０を硬化させる工程である。
上記したように、本実施形態において、原盤３０は、光を透過可能な材料によって形成されている。したがって、図２に示すように、未硬化樹脂層２０に原盤３０を押し当てた状態で、未硬化樹脂層２０に光を照射する。これにより、ガラス基板１０上の未硬化樹脂層２０を硬化させる。つまり、本実施形態において、転写工程Ｓ１３０および硬化工程Ｓ１４０は、同時に（並行して）行われる。
［離型工程Ｓ１５０］
未硬化樹脂層２０が硬化した後、原盤３０を、硬化した未硬化樹脂層２２から離型する。
［後硬化工程Ｓ１６０］
離型後の未硬化樹脂層２２にさらに光を照射して、未硬化樹脂層２２の硬化を促進する。
こうして、図３に示すように、ガラス基板１０の表面１２に、光硬化性樹脂の硬化物２４からなり、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造４２を有する反射防止層４０が形成される。
図４に示すように、微細凹凸構造４２は、例えば、いわゆるモスアイ構造であってもよい。例えば、微細凹凸構造４２の凸部および凹部は、ガラス基板１０の表面１２（ＸＹ平面）上に、Ｘ方向およびＹ方向に配列されている。反射防止層４０の表面に形成された微細凹凸構造４２により、微細凹凸構造４２の凹凸の平均周期に応じた反射防止機能を、カバーガラス１００に付与することができる。
また、図３に示すように、本実施形態では、ガラス基板１０のもう一方の表面１４（裏面）に対し、上記の表面１２に対する処理と同様の処理を施して、もう一方の表面１４に反射防止層４０を形成する。
こうして、ガラス基板１０の両側の表面１２、１４に反射防止層４０が形成されたカバーガラス１００が製造される。しかし、かかる例に限定されず、ガラス基板１０の一方の表面のみに反射防止層４０を形成してもよい。
［ベーキング工程Ｓ１７０］
ベーキング工程Ｓ１７０は、カバーガラス１００を加熱する工程である。ベーキング工程Ｓ１７０は、後述するリフロー工程Ｓ１９０の前処理としての熱処理を施す工程である。本実施形態において、ベーキング工程Ｓ１７０では、カバーガラス１００を、１５０℃以上、２５０℃未満の温度で、３０分以上加熱する。
カバーガラス１００の加熱温度が１５０℃未満であると、反射防止層４０に含まれる単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガス（以下、単に「モノマー由来アウトガス」という場合がある）の発生量が少ない。換言すれば、カバーガラス１００の加熱温度が１５０℃未満であると、反射防止層４０に含まれる単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの残存量が多い。そうすると、リフロー工程Ｓ１９０を実行した際に、モノマー由来アウトガスが大量に発生してしまう。
このため、ベーキング工程Ｓ１７０において、カバーガラス１００を、１５０℃以上の温度で加熱することにより、反射防止層４０からモノマー由来アウトガスを好適に発生させて、反射防止層４０に含まれる単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの残存量を低減させることができる。これにより、後工程であるリフロー工程Ｓ１９０において、カバーガラス１００からのモノマー由来アウトガスの発生量を低減させることが可能となる。
一方、カバーガラス１００の加熱温度が２５０℃以上であると、カバーガラス１００を構成する反射防止層４０が変性してしまい、カバーガラス１００の平行線透過率が低下する。
そこで、本実施形態では、ベーキング工程Ｓ１７０において、カバーガラス１００を、２５０℃未満の温度で加熱する。これにより、ベーキング工程Ｓ１７０を実行した後のカバーガラス１００の平行線透過率の低下を防止することが可能となる。
具体的に説明すると、カバーガラス１００のベーキング工程Ｓ１７０を実施した場合、波長４００ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９３％以上である。また、波長５５０ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９４％以上である。波長６５０ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９４．５％以上である。また、波長９００ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９５．５％以上である。
なお、平行線透過率は、下記式（１）に基づいて、算出される。
平行線透過率［％］＝（Ｉ／Ｉ０）×１００ …式（１）
上記式（１）において、Ｉ０は、カバーガラス１００へ入射された平行線の強度である。また、Ｉは、カバーガラス１００を透過した平行線の強度である。
また、ベーキング工程Ｓ１７０におけるカバーガラス１００の加熱時間が３０分未満であると、反射防止層４０に含まれるモノマー由来アウトガスの発生量が少ない。換言すれば、カバーガラス１００の加熱時間が３０分未満であると、反射防止層４０に含まれる単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの残存量が多い。そうすると、リフロー工程Ｓ１９０を実行した際に、モノマー由来アウトガスが大量に発生してしまう。
そこで、ベーキング工程Ｓ１７０において、カバーガラス１００を３０分以上加熱することにより、反射防止層４０に含まれる単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの残存量を低減させる。これにより、後工程であるリフロー工程Ｓ１９０において、モノマー由来アウトガスの発生量を低減させることが可能となる。
なお、ベーキング工程Ｓ１７０におけるカバーガラス１００の加熱時間は、６０分以下が好ましい。カバーガラス１００の加熱時間が６０分超であっても、モノマー由来アウトガスの発生量は、加熱時間が６０分である場合と比較してほとんど変化しないため、６０分超の加熱に要するエネルギーが無駄になる。このため、ベーキング工程Ｓ１７０におけるカバーガラス１００の加熱時間を、６０分以下とすることにより、モノマー由来アウトガスの発生量を確保しつつ、加熱に要するエネルギーを削減して、エネルギー効率を向上することが可能となる。
以上の工程により、本実施形態に係るカバーガラス１００が製造される。カバーガラス１００は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０の両側の表面１２、１４に設けられる反射防止層４０とを備える。反射防止層４０は、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造４２を有し、光硬化性樹脂の硬化物２４からなる。光硬化性樹脂の硬化物２４は、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーおよび２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの重合物である。
当該重合物に含まれる単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来する残存モノマーの含有率は、０．３質量％以下であることが好ましい。これにより、カバーガラス１００の平行線透過率を高く維持することができ、また、リフロー工程Ｓ１９０において、モノマー由来アウトガスの発生量を低減させることが可能となる。
［組立工程Ｓ１８０］
組立工程Ｓ１８０は、センサ素子２２０の受光面２２２に対向する位置に、ベーキング工程Ｓ１７０後のカバーガラス１００を設置して、センサモジュール２００を組み立てる工程である。
図５に示すように、本実施形態の組立工程Ｓ１８０は、センサユニット２１０に、カバーガラス１００を設置して、センサモジュール２００を組み立てる。センサユニット２１０は、センサ素子２２０と、パッケージ基板２３０とを含む。
センサ素子２２０は、例えば、イメージセンサ、ＬｉＤＡＲ等である。イメージセンサは、例えば、可視光イメージセンサ、赤外線イメージセンサ、紫外線イメージセンサ、Ｘ線イメージセンサである。イメージセンサは、例えば、ＣＣＤイメージセンサ、または、ＣＭＯＳイメージセンサなどであってよい。
パッケージ基板２３０は、例えば、ボールグリッドアレイである。本実施形態において、パッケージ基板２３０は、収容部２３２と、プリント基板２３４と、はんだボール２３６とを含む。収容部２３２は、プリント基板２３４を収容する。収容部２３２は、例えば、エポキシ樹脂で形成される。複数のはんだボール２３６は、収容部２３２の下面に設けられる。複数のはんだボール２３６は、不図示の配線によってプリント基板２３４に接続される。
センサ素子２２０は、プリント基板２３４上に載置される。本実施形態において、センサ素子２２０の受光面２２２の反対側の面が、プリント基板２３４に接触する。センサ素子２２０とプリント基板２３４とは、ボンディングワイヤ２３４ａによって接続される。
図５に示すように、本実施形態に係る組立工程Ｓ１８０では、パッケージ基板２３０の収容部２３２の上部に、カバーガラス１００を設置して、カバーガラス１００とセンサ素子２２０とを離隔させた状態で対向配置して、センサモジュール２００を組み立てる。しかし、センサモジュール２００を組み立て態様は、図５の例に限定されず、センサ素子２２０の受光面２２２に対向する位置にカバーガラス１００が設置される態様であれば、他の組み立て態様であってもよい。
［リフロー工程Ｓ１９０］
リフロー工程Ｓ１９０は、センサモジュール２００を実装基板２５０上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱する工程である。本実施形態において、リフロー工程Ｓ１９０は、実装基板２５０上にセンサモジュール２００を載置した状態で、リフロー炉ＲＦ内に収容する。そして、リフロー炉ＲＦ内を２５０℃以上の温度とする。
リフロー工程Ｓ１９０での加熱処理により、センサモジュール２００の複数のはんだボール２３６が溶融し、センサモジュール２００が実装基板２５０にはんだ付けされる。これにより、電子デバイス３００が製造される。当該電子デバイス３００では、カバーガラス１００により覆われたセンサ素子２２０が、実装基板２５０上に実装されている。
上述したように、本実施形態によれば、リフロー工程Ｓ１９０の前工程の加熱工程として、ベーキング工程Ｓ１７０を行う。これにより、リフロー工程Ｓ１９０において、カバーガラス１００の反射防止層４０から発生するアウトガスのうち、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率は、反射防止層４０の質量に対して０．５質量％以下となる。
なお、アウトガスの発生率は、反射防止層４０を２６５℃に加熱することで発生したアウトガスをガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ－ＭＳ）で分析し、下記式（２）に基づいて算出される。
ＯＧ［質量％］＝ＰＡｃ×Ｓ［ｍｇ］／ＰＡｓ／Ｃ［ｍｇ］×１００ …式（２）
上記式（２）において、ＯＧは、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］である。ＰＡｃは、ガスクロマトグラフィー質量分析計によって得られる、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスのピーク面積である。ＰＡｓは、ガスクロマトグラフィー質量分析計によって得られる、標準物質（例えば、テトラデカン）のピーク面積である。Ｓは、測定に際し、添加された標準物質の重量［ｍｇ］である。Ｃは、反射防止層４０の重量［ｍｇ］である。
以上説明したように、本実施形態に係る電子デバイス３００の製造方法によれば、リフロー工程Ｓ１９０より前にベーキング工程Ｓ１７０を行うことにより、リフロー工程Ｓ１９０において、カバーガラス１００の反射防止層４０から発生するアウトガスのうち、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率を、反射防止層４０の質量に対して０．５質量％以下に低減することができる。
これにより、高温のリフロー工程（例えば、２５０～２７０℃）において、電子デバイス３００内の配線材料等の腐食を誘発する可能性のあるアウトガスの発生を抑制できる。よって、電子デバイス３００のセンサ素子２２０、プリント基板２３４、ボンディングワイヤ２３４ａ、および、実装基板２５０などに設けられた各種の配線等の腐食を抑制することが可能となる。
また、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーとして、環状構造を有する単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを用い、かつ、リフロー工程Ｓ１９０より前にベーキング工程Ｓ１７０を行う。これにより、アウトガスに起因するカバーガラス１００の光学特性の劣化、例えば、カバーガラス１００の黄変（短波長側透過率の劣化）、反射防止性能の劣化（微細凹凸構造４２のダレ）などを抑制することができる。したがって、電子デバイス３００におけるカバーガラス１００の平行線透過率を向上させることが可能となり、波長４００ｎｍ以上の光に対するカバーガラス１００の高い透過性能を確保できる。このように、カバーガラス１００の透過性能を高めることにより、カバーガラス１００で覆われたイメージセンサ等の撮像性能を向上できる。
従来では、カバーガラスを樹脂材料で形成したときに、短波長側の可視光域の光に対して、透過率が落ち込むという問題があった。これに対し、本実施形態に係るカバーガラス１００によれば、短波長側の可視光域の光に対する透過率の落ち込みを抑制し、４００ｎｍ以上の波長の光に対して高透過率を確保できる。
具体的に説明すると、カバーガラス１００のリフロー工程Ｓ１９０を実施した場合、波長４００ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９２％以上である。また、波長５５０ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９４％以上である。波長６５０ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９５％以上である。また、波長９００ｎｍの光に対する、当該カバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９５％以上である。
これにより、外部からの入射光は、高透過率のカバーガラス１００を良好に通過して、センサ素子２２０に到達することができる。したがって、樹脂製のカバーガラス１００を使用することに起因するセンサ素子２２０の受光感度の低下を抑制することが可能となる。
また、センサ素子２２０によって反射された光が、カバーガラス１００により再反射されることを抑制することができる。これにより、カバーガラス１００による再反射に起因するセンサ素子２２０の誤反応を抑制することが可能となる。
また、上記したように、波長４００ｎｍの光に対する、リフロー工程Ｓ１９０を実行した後のカバーガラス１００、つまり、電子デバイス３００のカバーガラス１００の平行線透過率は、例えば９２％以上である。したがって、カバーガラス１００は、可視光のみならず、赤外線を受光するセンサ素子２２０に適用することが可能となる。
また、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーとして、環状構造を有する単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを用いることにより、反射防止層４０の微細凹凸構造４２の変形を抑制することができる。これにより、反射防止層４０の反射防止性能の低下を回避することが可能となる。
以下では、本発明の実施例および比較例について具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、あくまでも一例であって、本発明に係る電子デバイスの製造方法、および、カバーガラスは、下記の実施例に限定されない。
カバーガラスとして、実施例１～実施例７、および、比較例１～比較例３を作成した。
［実施例１］
単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマー、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマー、光重合開始剤を混合して、未硬化の光硬化性樹脂組成物を調整した。単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーとして、昭和電工マテリアルズ株式会社製のFA513Mを用いた。２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーとして、日本化薬株式会社製のDPHA、R-604を用いた。DPHAとR-604との配合比を、４０：２０とした。光重合開始剤として、Irgacure184を用いた。また、実施例１では、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を６０質量％とし、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を４０質量％とし、光重合開始剤の含有率を３質量％とした。
ガラス基板１０にプライマーをスピンコートし、１５０℃のホットプレートで４分間加熱した。
そして、プライマー処理したガラス基板１０上に上記未硬化の光硬化性樹脂組成物をポッティングし、未硬化の光硬化性樹脂組成物の上から原盤３０を被せた後、インプリント装置で転写工程Ｓ１３０および硬化工程Ｓ１４０を行った。転写工程Ｓ１３０および硬化工程Ｓ１４０は、常時４０℃の条件で行った。
まず、転写工程Ｓ１３０において、３０秒間かけて１０００Ｎまで原盤３０を加圧した後、３０秒間１０００Ｎの加圧を維持した。そして、硬化工程Ｓ１４０において、ＬＥＤランプを用いて光硬化性樹脂組成物を露光し、１０秒間かけて除圧した。続いて、ガラス基板１０上の光硬化性樹脂組成物から原盤３０を離型し、その後、ＵＶコンベアを用いて、ガラス基板１０上の光硬化性樹脂組成物を、１０００ｍＪ／ｃｍ２で露光して、光硬化性樹脂組成物を硬化させた。これにより、光硬化性樹脂組成物の硬化物２４からなり、微細凹凸構造４２を有する反射防止層４０を、ガラス基板１０上に形成し、カバーガラス１００を得た。
続いて、ベーキング工程Ｓ１７０を行った。ベーキング工程Ｓ１７０では、ホットプレートを用い、１５０℃で３０分間、カバーガラス１００を加熱した。以上の工程により実施例１に係るカバーガラス１００を製造した。そして、リフロー工程Ｓ１９０を行った。リフロー工程Ｓ１９０では、２６５℃で５分間、カバーガラス１００を加熱して、アウトガスの発生率を測定した。
［実施例２］
ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度を１８０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るカバーガラス１００を製造した。
［実施例３］
ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度を２００℃としたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るカバーガラス１００を製造した。
［実施例４］
ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度を２２０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るカバーガラス１００を製造した。
［実施例５］
未硬化の光硬化性樹脂組成物における、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーにおけるDPHAおよびR-604の配合比、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率、ならびに、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るカバーガラス１００を製造した。実施例５では、DPHAとR-604との配合比を、５０：２０とした。また、未硬化の光硬化性樹脂組成物における、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を７０質量％とし、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を３０質量％とした。
［実施例６］
未硬化の光硬化性樹脂組成物における、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーにおけるDPHAおよびR-604の配合比、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率、ならびに、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るカバーガラス１００を製造した。実施例６では、DPHAとR-604との配合比を、６０：２０とした。また、未硬化の光硬化性樹脂組成物における、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を８０質量％とし、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を２０質量％とした。
［実施例７］
未硬化の光硬化性樹脂組成物における、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーにおけるDPHAおよびR-604の配合比、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率、ならびに、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るカバーガラス１００を製造した。実施例７では、DPHAとR-604との配合比を、７０：２０とした。また、未硬化の光硬化性樹脂組成物における、２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を９０質量％とし、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率を１０質量％とした。
［比較例１］
ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度を２５０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るカバーガラスを製造した。
［比較例２］
ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度を１３０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るカバーガラスを製造した。
［比較例３］
ベーキング工程Ｓ１７０を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして、比較例３に係るカバーガラスを製造した。
［アウトガスの発生率の測定］
上記実施例１～実施例７および比較例１～比較例３によって得られたカバーガラスの試料を、２６５℃に加熱することで発生したアウトガスをガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ－ＭＳ）で分析した。そして、上記式（２）を用いて、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］を算出した。
［平行線透過率の測定］
上記実施例１～実施例７および比較例１～比較例３において、ベーキング工程Ｓ１７０を行った後であって、リフロー工程Ｓ１９０を行う前の試料の平行線透過率を測定した。また、上記実施例１～実施例７および比較例１～比較例３において、リフロー工程Ｓ１９０を行った後のカバーガラスの平行線透過率を測定した。
平行線透過率の測定は、日本分光株式会社製の「紫外可視近赤外分光光度計V-770」を用いた。そして、上記式（１）を用いて、波長４００ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍ、９００ｎｍにおけるカバーガラスの透過率を算出した。
実施例１～実施例４の単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］、および、平行線透過率を下記表１に示す。実施例５～実施例７の単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］、および、平行線透過率を下記表２に示す。なお、表１、表２、表３中、「〇」は、各評価項目の評価が良いことを示し、「◎」は、当該評価がとても良いことを示す。
Figure 2023037702000002
Figure 2023037702000003
表１の実施例１～実施例４に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が高いほど、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］が低くなることが確認された。また、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が高いほど、全アウトガスの発生率［質量％］も低くなることが分かった。
また、表１の実施例１～実施例４に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が高いほど、ベーキング工程Ｓ１７０を行った後であって、リフロー工程Ｓ１９０を行う前の試料の、４００ｎｍの平行線透過率は、低下することが分かった。ただし、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が最も高い２２０℃であっても（実施例４）、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９３．２％と高いことが確認された。
表１の実施例１～実施例４に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度にかかわらず、ベーキング工程Ｓ１７０を行った後であって、リフロー工程Ｓ１９０を行う前の試料の、波長５５０ｎｍの光、波長６５０ｎｍの光、波長９００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９４％以上と高いことが確認された。
また、表１の実施例１～実施例４に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が高いほど、リフロー工程Ｓ１９０を行った後の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、低下することが分かった。ただし、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が最も高い２２０℃であっても（実施例４）、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９２％と高いことが確認された。
表１の実施例１～実施例４に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度にかかわらず、リフロー工程Ｓ１９０を行った後の試料の、波長５５０ｎｍの光、波長６５０ｎｍの光、波長９００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９４％以上と高いことが確認された。
また、表１の実施例１、実施例５～実施例７に示すように、未硬化の光硬化性樹脂組成物における単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率が低いほど、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］が低くなることが確認された。また、未硬化の光硬化性樹脂組成物における単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率が低いほど、全アウトガスの発生率［質量％］も低くなることが分かった。
表１の実施例１、実施例５～実施例７に示すように、未硬化の光硬化性樹脂組成物における単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率に拘わらず、ベーキング工程Ｓ１７０を行った後であって、リフロー工程Ｓ１９０を行う前の試料の、波長４００ｎｍの光、波長５５０ｎｍの光、波長６５０ｎｍの光、波長９００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９４％以上と高いことが確認された。
また、表１の実施例１、実施例５～実施例７に示すように、未硬化の光硬化性樹脂組成物における単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの含有率に拘わらず、リフロー工程Ｓ１９０を行った後の試料の、波長４００ｎｍの光、波長５５０ｎｍの光、波長６５０ｎｍの光、波長９００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９２％以上と高いことが確認された。
比較例１～比較例３の単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］、および、平行線透過率を下記表３に示す。なお、表３中、「△」は、各評価項目の評価が悪いことを示し、「×」は、当該評価がとても悪いことを示す。
Figure 2023037702000004
表３の比較例１に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が２５０℃であると、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］、および、全アウトガスの発生率［質量％］が低くなることが分かった。
しかし、表３の比較例１に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が２５０℃であると、ベーキング工程Ｓ１７０を行った後であって、リフロー工程Ｓ１９０を行う前の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、８８．９％と低いことが確認された。また、リフロー工程Ｓ１９０を行った後の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、８８．３％と低いことが分かった。
表３の比較例２に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が１３０℃であると、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］が０．５９質量％と高いことが確認された。また、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が１３０℃であると、全アウトガスの発生率［質量％］が０．６９質量％と高いことが分かった。
また、表３の比較例２に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が１３０℃であると、ベーキング工程Ｓ１７０を行った後であって、リフロー工程Ｓ１９０を行う前の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９３．７％であった。しかし、ベーキング工程Ｓ１７０における加熱温度が１３０℃であると、リフロー工程Ｓ１９０を行った後の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９１．２％と低いことが確認された。
表３の比較例３に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０を行わないと、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］が０．３２質量％であることが確認された。また、ベーキング工程Ｓ１７０を行わないと、全アウトガスの発生率［質量％］が０．７４質量％と高いことが分かった。
また、表３の比較例３に示すように、ベーキング工程Ｓ１７０を行わないと、リフロー工程Ｓ１９０を行う前の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９３．４％であった。しかし、ベーキング工程Ｓ１７０を行わないと、リフロー工程Ｓ１９０を行った後の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率は、９１．５％と低いことが確認された。
以上の結果から、ベーキング工程Ｓ１７０の加熱温度を１５０℃以上２５０℃未満とすることにより、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率［質量％］を０．５質量％以下とすることができることが確認された。
また、ベーキング工程Ｓ１７０の加熱温度を１５０℃以上２５０℃未満とすることにより、リフロー工程Ｓ１９０を行った後の試料の、波長４００ｎｍの光に対する、平行線透過率を９２％以上とすることができることが分かった。
以上説明したように、本実施形態によれば、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率を低減することと、カバーガラス１００の平行線透過率を高く維持することとを両立することが可能となる。したがって、本実施形態に係る電子デバイス３００の製造方法は、電子デバイス３００の腐食を抑制しつつ、カバーガラス１００の平行線透過率を高く維持することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記実施形態において、原盤３０の微細凹凸構造３２を未硬化樹脂層２０に転写しつつ、未硬化樹脂層２０に光を照射することにより未硬化樹脂層２０を硬化させる場合を例に挙げた。しかし、原盤３０の微細凹凸構造３２を未硬化樹脂層２０に転写した後、未硬化樹脂層２０に光を照射することにより未硬化樹脂層２０を硬化させてもよい。
また、上記実施形態において、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率を、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ－ＭＳ）による分析結果を用いて算出する場合を例に挙げた。しかし、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率は、他の方法を用いて算出してもよい。
Ｓ１３０ 転写工程
Ｓ１４０ 硬化工程
Ｓ１７０ ベーキング工程
Ｓ１８０ 組立工程
Ｓ１９０ リフロー工程
１０ ガラス基板
１２ 表面
１４ 表面
２０ 未硬化樹脂層
３０ 原盤
３２ 微細凹凸構造
４０ 反射防止層
４２ 微細凹凸構造
１００ カバーガラス
２００ センサモジュール
２２０ センサ素子
２２２ 受光面
２５０ 実装基板
３００ 電子デバイス

Claims (7)

  1. カバーガラスにより覆われたセンサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスの製造方法において、
    前記カバーガラスは、
    ガラス基板と、
    前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有する反射防止層と、
    を備え、
    前記製造方法は、
    （１）前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、未硬化の光硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層に対して、原盤の前記微細凹凸構造を転写する転写工程と、
    （２）前記微細凹凸構造が転写された前記未硬化樹脂層に光を照射することにより、前記未硬化樹脂層を硬化させて、前記光硬化性樹脂の硬化物からなる前記反射防止層を形成する硬化工程と、
    （３）前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを加熱するベーキング工程と、
    （４）前記センサ素子の受光面に対向する位置に、前記ベーキング工程後の前記カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、
    （５）前記センサモジュールを前記実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、前記センサモジュールを前記実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、
    を含み、
    前記未硬化の光硬化性樹脂は、
    単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを０質量％超、５０質量％以下と、
    ２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを５０質量％以上、１００質量％未満と、
    を含み、
    前記リフロー工程より前に前記ベーキング工程を行うことにより、前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率は、前記反射防止層の質量に対して０．５質量％以下である、電子デバイスの製造方法。
  2. 前記ベーキング工程では、前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを、１５０℃以上、２５０℃未満の温度で、３０分以上加熱する、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 前記反射防止層は、前記ガラス基板の両側の表面に設けられ、
    前記転写工程では、前記ガラス基板の両側の表面に設けられた前記未硬化樹脂層に対して、前記原盤の前記微細凹凸構造を転写する、請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
  4. 前記センサ素子は、イメージセンサである、請求項１～３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  5. カバーガラスにより覆われたセンサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスの製造方法において、
    前記カバーガラスは、
    ガラス基板と、
    前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有する反射防止層と、
    を備え、
    前記製造方法は、
    （１）前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、未硬化の光硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層に対して、原盤の前記微細凹凸構造を転写する転写工程と、
    （２）前記微細凹凸構造が転写された前記未硬化樹脂層に光を照射することにより、前記未硬化樹脂層を硬化させて、前記光硬化性樹脂の硬化物からなる前記反射防止層を形成する硬化工程と、
    （３）前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを加熱するベーキング工程と、
    （４）前記センサ素子の受光面に対向する位置に、前記ベーキング工程後の前記カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、
    （５）前記センサモジュールを前記実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、前記センサモジュールを前記実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、
    を含み、
    前記未硬化の光硬化性樹脂は、
    単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを０質量％超、５０質量％以下と、
    ２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを５０質量％以上、１００質量％未満と、
    を含み、
    前記ベーキング工程では、前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを、１５０℃以上、２５０℃未満の温度で、３０分以上加熱する、電子デバイスの製造方法。
  6. 前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来するアウトガスの発生率が、前記反射防止層の質量に対して０．５質量％以下となるように、前記リフロー工程より前に前記ベーキング工程を行う、請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
  7. 電子デバイスの実装基板上に実装されるセンサ素子を覆うカバーガラスであって、
    ガラス基板と、
    前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有し、光硬化性樹脂の硬化物からなる反射防止層と、
    を備え、
    前記光硬化性樹脂の硬化物は、単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーおよび２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの重合物であり、
    前記重合物に含まれる前記単官能（メタ）アクリロイル基を有するモノマーに由来する残存モノマーの含有率は、０．３質量％以下である、カバーガラス。
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