JP2023023679A - 樹脂フィルム、金属張積層板、回路基板及び積層構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜でありながら、放熱特性と機械的強度が実用上十分な範囲で担保されている樹脂フィルムを提供する。【解決手段】樹脂フィルム１０は、フィルム状の絶縁樹脂１１と、この絶縁樹脂１１中に分散状態で含まれている熱伝導性フィラー１２と、を備えている。樹脂フィルム１０全体の厚みは、８μｍ以上２３μｍ未満の範囲内、厚み方向における熱伝導度（λｚ）は、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上２．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満の範囲内、２０ｍｍ幅で測定した端裂抵抗は、０．３［Ｎ］以上３０．０［Ｎ］以下の範囲内である。熱伝導性フィラー１２の体積平均粒子径は１．０μｍ超５μｍ未満の範囲内であることが好ましく、体積平均粒子径（Ｄ）と、膜厚（Ｌ）との比率（Ｄ／Ｌ比）が０．１５以上０．５０以下の範囲内であることが好ましい。【選択図】図１

Description

本発明は、熱伝導性に優れ、例えば、半導体モジュール等の材料として好適に使用可能な樹脂フィルム、金属張積層板、回路基板及び積層構造体に関するものである。

近年、携帯電話やスマートフォンに代表される電子機器の小型化、軽量化に対する要求が高まってきている。電子機器の小型化により、半導体モジュールにおける集積度が上がってきており、情報処理の高速化とも相まって、電子機器内で発生する熱を放熱する手段の重要性が高まっている。そこで、回路基板などの絶縁樹脂層などの用途に用いられるポリイミドに熱伝導性フィラーを配合することによって、厚み方向の熱伝導率（λｚ）を向上させる検討がなされている（例えば、特許文献１～３）。

しかし、厚み方向の熱伝導率（λｚ）を高めるために絶縁樹脂層に多量の熱伝導性フィラーを配合すると、絶縁樹脂層の表面から一部の熱伝導性フィラーが突出して外観や表面平滑性の不良を引き起こしたり、金属層との接着不良を引き起こしたりする。また、多量の熱伝導性フィラーの配合によって、絶縁樹脂層の機械的強度の低下を招くおそれがある。そのため、多量の熱伝導性フィラーを配合して厚み方向の熱伝導率（λｚ）の向上を図る、というこれまでのアプローチには限界が予想される。
なお、上記特許文献１～３では、実施例に記載されている絶縁樹脂層の厚みがいずれも２０μｍ以上であることから、多量の熱伝導性フィラーを配合しても機械的強度の低下が顕在化しにくい側面があった。

国際公開ＷＯ２００９／１１０３８７ 特開２０１２－２１３８９９号公報 特開２０１９－１４００９４号公報

本発明者らは、厚み方向の熱伝導率（λｚ）が０．６Ｗ／ｍ・Ｋあたりからは、厚み方向の熱伝導率（λｚ）を大きくしても放熱特性の向上効果が頭打ちとなる傾向があり、むしろ、熱伝導性フィラーの配合量を抑えつつ、絶縁樹脂層の膜厚を薄膜化する方が放熱特性の改善に有効であるとの知見を得た。また、半導体モジュール等の用途に適用する場合、その高集積化に伴って、熱伝導性フィラーを配合する絶縁樹脂層の厚みをこれまでよりも薄膜化する要求が強まると考えられる。その一方で、絶縁樹脂層の厚みをより薄膜化していくと機械的強度の低下と脆化が顕著になり、裂けや破れなどの重大な問題が発生しやすくなることが懸念される。

従って、本発明は、薄膜でありながら、放熱特性と機械的強度が実用上十分な範囲で担保されている樹脂フィルムを提供することを目的とする。

本発明者等は、上記課題を解決するために検討を重ねた結果、薄膜化した場合でも放熱特性と十分な機械的強度の両立が可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の樹脂フィルムは、フィルム状の絶縁樹脂と、該絶縁樹脂中に分散状態で含まれている熱伝導性フィラーと、を備えた樹脂フィルムである。本発明の樹脂フィルムは、前記樹脂フィルム全体の膜厚（Ｌ）が８μｍ以上２３μｍ未満の範囲内であり、厚み方向における熱伝導度（λｚ）が、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上２．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満の範囲内であり、２０ｍｍ幅で測定した端裂抵抗が０．３［Ｎ］以上３０．０［Ｎ］以下の範囲内であることを特徴とする。

本発明の樹脂フィルムは、前記熱伝導性フィラーの体積平均粒子径が１．０μｍ超５μｍ未満の範囲内であるとともに、前記熱伝導性フィラーの体積平均粒子径（Ｄ）と、前記膜厚（Ｌ）との比率が０．１５以上０．５０以下の範囲内であってもよい。

本発明の樹脂フィルムは、引裂き伝播抵抗が７．０ｍＮ以上３０．０ｍＮ以下の範囲内であってもよい。

本発明の樹脂フィルムは、前記樹脂フィルム全体に対する前記熱伝導性フィラーの含有量が１０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下の範囲内であってもよい。

本発明の樹脂フィルムは、前記熱伝導性フィラーがアルミナ粒子であってもよい。

本発明の樹脂フィルムは、前記絶縁樹脂が酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させてなるポリイミドであってもよい。この場合、前記酸二無水物成分が、全酸二無水物成分に対してピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上を５０モル％以上含んでいてもよく、前記ジアミン成分が、全ジアミン成分に対して４，４’－ジアミノジフェニルエーテル及び２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパンから選ばれる１種以上を５０モル％以上含んでいてもよい。

本発明の金属張積層板は、単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側もしくは両側に積層されている金属層と、を備えた金属張積層板であって、前記絶縁樹脂層の少なくとも１層が、上記樹脂フィルムによって構成されている。

本発明の回路基板は、単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側もしくは両側に積層されている導体回路層と、を備えた回路基板であって、前記絶縁樹脂層の少なくとも１層が、上記樹脂フィルムによって構成されている。

本発明の積層構造体は、半導体モジュールに用いる積層構造体であって、
外部の半導体素子と電気的に接続される導体回路層と、
単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層と、
接着剤層と、
外部の放熱部材への熱伝導を媒介する伝熱金属層と、
がこの順序で積層された構造を有しており、
前記絶縁樹脂層の少なくとも１層が、上記樹脂フィルムによって構成されている。

本発明の樹脂フィルムは、薄膜でありながら、放熱特性と機械的強度とが実用上十分な範囲で担保されている。従って、本発明の樹脂フィルムは、高い放熱性が求められる半導体モジュールや回路基板、これらを用いる電子機器、照明機器などの基板材料として工業的に広く用いることができる。

本発明の一実施の形態に係る樹脂フィルムの厚み方向における断面構造を示す図面である。 本発明の一実施の形態に係る金属張積層板の厚み方向における断面構造を示す図面である。 本発明の一実施の形態に係る回路基板の厚み方向における断面構造を示す図面である。 本発明の一実施の形態に係る積層構造体の構成を示す図面である。 実施例、比較例で放熱特性の評価に使用した半導体モジュールの構成を示す図面である。

以下、本発明の実施の形態について適宜図面を参照しながら説明する。

［樹脂フィルム］
図１は、本発明の一実施の形態に係る樹脂フィルムの厚み方向における断面構造を示している。本実施の形態の樹脂フィルム１０は、フィルム状の絶縁樹脂１１と、この絶縁樹脂１１中に分散状態で含まれている熱伝導性フィラー１２と、を備えている。本実施の形態の樹脂フィルム１０は、単層でもよいし、複数層から構成されていてもよいが、単層であることが好ましい。

＜絶縁樹脂＞
樹脂フィルム１０を構成する絶縁樹脂（マトリックス樹脂）１１としては、特に制限はなく、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエチレンテレフタレートなどを用いることができるが、これらの中でもポリイミドが好ましい。以下、マトリックス樹脂がポリイミドである場合について詳細に説明する。

ポリイミドは、酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させてなるポリマーである。ポリイミドは、下記の一般式（１）で表される構成単位を含有するものであってよい。

上記一般式（１）において、基Ａｒは酸二無水物から誘導される酸二無水物残基を表し、基Ｒ₁はジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を表す。

本実施の形態では、基Ａｒを誘導する酸二無水物として、一般的にポリイミドの原料モノマーとして知られているものを特に制限なく使用できるが、好ましい酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）等を例示できる。ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）は剛直な構造をもつことから、樹脂フィルム１０の耐熱性を高めることができる。３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）は、適度な屈曲性を含む構造であることから樹脂フィルム１０の機械的強度を高めることができる。３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）は、平面性が適度に抑制された構造により、樹脂フィルム１０の厚み方向の熱伝導率を高めることができる。

また、基Ｒ₁を誘導するジアミン化合物として、一般的にポリイミドの原料モノマーとして知られているものを特に制限なく使用できるが、好ましいジアミン化合物として、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ）及び２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）等を例示できる。４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ）及び２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）は、その分子構造に基づいて適度な柔軟性を持つことから、樹脂フィルム１０の靭性を高める作用を有し、樹脂フィルム１０の機械的強度を高めるとともに、接着性を向上させることができる。

以上の観点から、酸二無水物成分が、全酸二無水物成分に対してピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）及び３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）から選ばれる１種以上を５０モル％以上、好ましくは８０モル％以上含み、ジアミン成分が、全ジアミン成分に対して４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ）及び２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）から選ばれる１種以上を５０モル％以上、好ましくは８０モル％以上含む組み合わせが好ましい。これらの中でも、酸二無水物成分が３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）であり、ジアミン成分が４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ）である組み合わせ、又は、酸二無水物成分がピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）及び３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）であり、ジアミン成分が２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）である組み合わせが特に好ましい。

一般式（１）中の基Ａｒを与える他の酸二無水物の具体例としては、例えば、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3'',4,4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3'',4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1, 2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物などが挙げられる。

一般式（１）中の基Ｒ_１を与える他のジアミン化合物としては、例えば、4,6-ジメチル-ｍ-フェニレンジアミン、2,5-ジメチル-p-フェニレジアミン、2,4-ジアミノメシチレン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、2,4-トルエンジアミン、ｍ-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエタン、3,3'-ジアミノジフェニルエタン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジジン、3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシベンジジン、4,4'-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3'-ジアミノ-p-テルフェニル、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、ｍ-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、ｍ-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,7-ジアミノジベンゾフラン、1,5-ジアミノフルオレン、ジベンゾ-p-ジオキシン-2,7-ジアミン、4,4'-ジアミノベンジルなどが挙げられる。

樹脂フィルム１０を構成するポリイミドを合成する場合、ジアミン、酸無水物はそれぞれ１種のみを使用してもよく、２種以上を併用することもできる。

＜熱伝導性フィラー＞
熱伝導性フィラー１２としては、従来公知のものを特に制限なく使用できる。好ましい熱伝導性フィラー１２として、例えば、アルミナ、シリカ、ダイヤモンド、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素等を挙げることができる。これらの中でも、樹脂フィルム１０の熱伝導率を高める効果が大きなアルミナ、シリカ、窒化ホウ素、窒化ケイ素が好ましく、アルミナが最も好ましい。

樹脂フィルム１０中の熱伝導性フィラー１２の含有割合は、１０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下の範囲内であることが好ましく、２０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下の範囲内がより好ましい。熱伝導性フィラー１２の含有割合が１０ｖｏｌ％に満たないと、半導体モジュール等の電子部品に使用した際の放熱特性が十分に得られない。その一方で、熱伝導性フィラー１２の含有割合が５０ｖｏｌ％を超えると、放熱特性を向上させる効果が頭打ちとなるばかりでなく、大量の熱伝導性フィラー１２の配合によって、樹脂フィルム１０の外観や接着性の不良、機械的特性の低下が生じたり、ポリアミド酸溶液の粘度が上昇しすぎて樹脂フィルム１０の作製が困難になったりする弊害の方が大きくなる。つまり、５０ｖｏｌ％を超えて熱伝導性フィラー１２を配合しても、５０ｖｏｌ％以下の場合に比べて放熱特性を改善させる効果はあまり向上せず、機械的強度やハンドリング性の低下などのマイナスの影響の方が大きくなる。

熱伝導性フィラー１２の粒子径は、樹脂フィルム１０の厚みとのバランスを考慮して決めることが好ましい。具体的には、樹脂フィルム１０の厚み方向にフィラーを均一に分散させて熱伝導性を向上させる観点から、熱伝導性フィラー１２の体積平均粒子径（Ｄ）が１．０μｍ超５μｍ未満の範囲内であることが好ましく、１．５μｍ以上４．０μｍ以下の範囲内がより好ましい。ここで、「体積平均粒子径」は、レーザ回折散乱法による体積基準の粒度分布測定によって得られる頻度分布曲線における累積値が５０％となる値である。熱伝導性フィラー１２の体積平均粒子径（Ｄ）が１．０μｍ以下であると、厚み方向に熱伝導パスが形成されにくく、熱伝導効率の改善が不十分となりやすい。一方、体積平均粒子径（Ｄ）が５μｍ以上であると、機械的強度が低下しやすくなるとともに、樹脂フィルム１０の表面に熱伝導性フィラー１２が突出し、外観や表面平滑性に問題が生じたり、樹脂フィルム１０に積層される任意の層（金属層など）との接着性に問題が生じる場合がある。

本実施の形態は、発明の効果を損なわない範囲で、体積平均粒子径（Ｄ）が異なる２種以上の熱伝導性フィラーを配合することが可能である。その場合、粒径が小さい方のフィラーは、大きい方のフィラーと比較してフィラー熱伝導パスが形成されにくいため、体積平均粒子径（Ｄ）が最も大きいフィラーの含有量が最も大きくなるように添加することが好ましい。換言すると、例えば体積平均粒子径（Ｄ）が異なる２種のＤ１とＤ２のフィラーを併用し、Ｄ１の体積平均粒子径がＤ２の体積平均粒子径よりも大きい場合、Ｄ１の含有量がＤ２の含有量よりも大きくなる組み合わせで含有させることが好ましい。

また、熱伝導性フィラー１２は、レーザ回折散乱法による体積基準の粒度分布測定によって得られる頻度分布曲線における累積値が９５％となる値(Ｄ_９５)が１５μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下がより好ましい。熱伝導性フィラー１２のＤ_９５が１５μｍ以下である場合は、粗大粒子の存在割合が少なく制御されているため、樹脂フィルム１０の機械的強度の低下を抑制できる。

熱伝導性フィラー１２の形状は、球状フィラーであることが好ましい。ここで、「球状」とは、形状が球形又は球形に近いもので、平均長径と平均短径との比が１又は１に近いもの（好ましくは０．８以上）を意味する。球状フィラーを用いることによって、樹脂フィルム１０への高密度充填と均一な分散が可能になり、熱伝導率を向上させることができる。

樹脂フィルム１０中の熱伝導性フィラー１２の存在形態としては、熱伝導性フィラー１２が均一に分散し、凝集粒子が抑制されている均一分散状態であることが好ましい。均一分散状態であることによって、熱伝導性フィラー１２による熱伝導効率が効果的に発現するとともに、樹脂フィルム１０を薄膜化した場合でも実用上十分な機械的強度を維持できる。

本実施の形態の樹脂フィルム１０中には、発明の効果を損なわない限りにおいて、例えば加工助剤、抗酸化剤、光安定剤、難燃剤、帯電防止剤、界面活性剤、分散剤、沈降防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、熱伝導性フィラー１２以外の有機もしくは無機フィラーなどの任意成分を含むことができる。

＜厚み＞
本実施の形態の樹脂フィルム１０全体の膜厚（Ｌ）は、例えば８μｍ以上２３μｍ未満の範囲内であることが好ましく、１０μｍ以上２０μｍ未満の範囲内がより好ましく、さらに好ましくは１０μｍ以上１８μｍ以下が好ましい。樹脂フィルム１０の膜厚（Ｌ）が８μｍに満たないと、フィルムの表面平滑性が悪化する可能性があり、また、樹脂フィルム１０の機械的強度が低下して破れなどの不具合が生じやすくなる。反対に、膜厚（Ｌ）が２３μｍ以上であると、十分な放熱効果が得られない。

また、本実施の形態の樹脂フィルム１０は、熱伝導性フィラー１２の体積平均粒子径（Ｄ）と、膜厚（Ｌ）との比率（Ｄ／Ｌ比）が０．１５以上０．５０以下の範囲内であることが好ましく、０．２０以上０．４０以下の範囲内であることがより好ましい。なお、体積平均粒子径（Ｄ）が異なる複数の熱伝導フィラーを含有する場合、体積平均粒子径（Ｄ）が最も大きいフィラーを基準としてＤ／Ｌ比を考える。Ｄ／Ｌ比が０．１５を下回ると厚み方向に熱伝導パスが形成されにくく、熱伝導効率の改善が不十分となりやすい。一方、Ｄ／Ｌ比が０．５０を超えると機械的強度が低下しやすくなるとともに、樹脂フィルム１０の表面にフィラーが突出し、外観や表面平滑性に問題が生じたり、樹脂フィルム１０に積層される任意の層（金属層など）との接着性に問題が生じる場合がある。

＜厚み方向における熱伝導度（λｚ）＞
本実施の形態の樹脂フィルム１０の厚み方向における熱伝導度（λｚ）は、例えば０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上２．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満の範囲内が好ましく、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上１．８Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲内がより好ましい。厚み方向における熱伝導度（λｚ）が０．３Ｗ／ｍ・Ｋ未満では、例えば半導体モジュール等の電子部品に適用した場合の放熱効果が十分に得られない。一方、厚み方向における熱伝導度（λｚ）の上限には特に制限がないが、例えば半導体モジュール等の電子部品に適用する場合の実用性を考慮して２．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満とすることがよい。

＜機械的特性＞
本実施の形態の樹脂フィルム１０は、引裂き伝播抵抗が７．０ｍＮ以上３０．０ｍＮ以下の範囲内であることが好ましく、９．０ｍＮ以上３０．０ｍＮ以下の範囲内であることがより好ましい。引裂き伝播抵抗が７．０ｍＮ未満であると、破れなどの原因となり、加工性や屈曲性が損なわれる。引裂き伝播抵抗の上限には特に制限がないが、３０．０ｍＮを超えるような構成では厚みが大きくなるか、フィラー含有量を少量とする必要があるため、十分な放熱性を担保することが困難となる。

また、本実施の形態の樹脂フィルム１０は、２０ｍｍ幅で測定した端裂抵抗が０．３０Ｎ以上３０．０Ｎ以下の範囲内であることが好ましく、０．３５Ｎ以上３０．０Ｎ以下の範囲内であることがより好ましい。抵抗が０．３０Ｎ未満であると、破れなどの原因となり、加工性や屈曲性が損なわれる。端裂抵抗の上限には特に制限がないが、３０．０Ｎを超えるような構成では厚みが大きくなるか、フィラー含有量を少量とする必要があるため、十分な放熱性を担保することが困難となる。

本実施の形態では、熱伝導性フィラー１２の配合量、その平均粒子径と樹脂フィルム１０の膜厚との関係を適切に制御しているので、引裂き伝播抵抗と端裂抵抗を上記の範囲に維持できるため、実用上十分な機械的強度が得られる。

＜樹脂フィルムの製造方法＞
本実施の形態の樹脂フィルム１０の製造方法は、特段限定されるものではない。絶縁樹脂１１がポリイミドである場合、その前駆体であるポリアミド酸の溶液に熱伝導性フィラー１２を分散させたフィラー含有ポリアミド酸溶液を、任意の基材上に塗布して乾燥、イミド化を行ってフィルム状に成型する方法が好ましい。

熱伝導性フィラー１２を含有するポリアミド酸溶液の調製は、例えば、予め重合して得られた溶媒を含むポリアミド酸溶液に熱伝導性フィラー１２を所定量添加し、攪拌装置などで分散させることで調製する方法や、溶媒中に熱伝導性フィラー１２を分散させながら酸二無水物成分とジアミン成分とを添加して重合を行い調製する方法などを挙げることができる。ここで、ポリアミド酸は、酸二無水物成分とジアミン成分とをほぼ等モルで使用し、溶媒中で重合する公知の方法によって製造することができる。

ポリアミド酸溶液に用いる好ましい溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、２－ブタノン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ－メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール、水等が挙げられる。これらの溶剤を２種以上併用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。溶剤の含有量としては特に制限されるものではないが、例えばポリアミド酸濃度が５～７０重量％程度になるような量に調整して用いることが好ましい。

本実施の形態では、樹脂フィルム１０中に熱伝導性フィラー１２を均一に分散させるために、分散媒となるポリアミド酸溶液の粘度は、例えば５００ｃＰ以上５００００ｃＰ以下（５００ｍＰａ・ｓ以上５００００ｍＰａ・ｓ以下）の範囲内に調節することが好ましい。このような粘度範囲であれば、熱伝導性フィラー１２を均一な分散状態に保つことができる。

基材としては、特に制限はないが、例えば、放熱基板や回路基板の導体層となる銅箔等の金属箔を好ましく用いることができる。基材上へのフィラー含有ポリアミド酸溶液の塗布は、公知の方法で行うことが可能であり、例えば、バーコート方式、グラビアコート方式、ロールコート方式、ダイコート方式等から適宜選択して採用することができる。

基材に熱伝導性フィラー１２を含むポリアミド酸溶液を塗布した後、例えば１４０℃以下の温度で乾燥し一定量の溶媒を除去する。その後、更に高温で熱処理してポリアミド酸をイミド化し、フィラー含有ポリイミド層の片面に基材を有する積層体を得ることができる。ここで、基材として金属箔を用いる場合は、後述する金属張積層板を製造できる。その後、必要に応じて、フィラー含有ポリイミド層を基材から剥離することによって、本実施の形態の樹脂フィルム１０を製造できる。

イミド化の熱処理は、例えば１３０～３６０℃の範囲内の加熱温度で、段階的に１５～６０分間程度の時間をかけて行うことが好ましい。このような段階的な熱処理によって、樹脂フィルム１０の寸法変化を小さく、反りを抑制できる。なお、熱処理の温度が１３０℃より低いとポリイミドの脱水閉環反応が十分に進行せず、反対に３６０℃を超えると、樹脂フィルム１０や金属箔が酸化等により劣化するおそれがある。

［金属張積層板］
図２は、本発明の一実施の形態に係る金属張積層板の厚み方向における断面構造を示している。本実施の形態の金属張積層板３０は、絶縁樹脂層１０Ａと、この絶縁樹脂層１０Ａに積層されている金属層２０と、を備えている。なお、金属層２０は、絶縁樹脂層１０Ａの両面に積層されていてもよい。

＜絶縁樹脂層＞
本実施の形態の金属張積層板３０における絶縁樹脂層１０Ａは、単層又は複数層からなり、絶縁樹脂層１０Ａの少なくとも１層が、熱伝導性フィラー１２を含有する上記樹脂フィルム１０によって構成されていればよい。絶縁樹脂層１０Ａは、熱伝導性フィラー１２を含有しない任意の層を含んでいてもよいが、絶縁樹脂層１０Ａの全体が樹脂フィルム１０のみから構成されることが好ましい。

＜金属層＞
本発明の金属張積層板３０における金属層２０は、放熱基板や回路基板の導体層となるものであり、例えば銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛及びそれらの合金等の導電性金属箔を挙げることができ、これらの中でも銅箔又は銅を９０％以上含む合金銅箔が好ましく用いられる。

金属層２０の好ましい厚み範囲は、金属張積層板３０の用途に応じて設定できるが、半導体モジュールの積層基板として使用する場合は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内とすることが好ましく、１２μｍ以上４０μｍ以下の範囲内とすることがさらに好ましい。これらの中でも特に３０μｍ以上４０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。金属層２０の厚みが５μｍに満たないと、製造工程における搬送時にシワが入るなどの不具合が生じるおそれがあり、反対に５０μｍを超えると加工性が低下する場合がある。ここで、絶縁樹脂層１０Ａの厚み（ＬＲ）と金属層２０の厚み（ＬＭ）との比（ＬＲ／ＬＭ）は、金属張積層板３０の反りを抑制する観点から、例えば、０．２～２.０の範囲内が好ましく、０．２～１．０の範囲内がより好ましく、０．５～０．６の範囲内が最も好ましい。比（ＬＲ／ＬＭ）が０．２未満では、金属層２０の厚みに対して絶縁樹脂層１０Ａが薄いため、加工性が悪化し、２．０を超えると、金属層２０の厚みに対して絶縁樹脂層１０Ａが厚いため反りが発生する。

また、金属層２０として用いる導電性金属箔は、絶縁樹脂層１０Ａとの接着性を高めるために、絶縁樹脂層１０Ａと接着する面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．０５～３．５μｍの範囲内であることが好ましい。絶縁樹脂層１０Ａと接着する面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．０５μｍ未満では、金属張積層板３０の用途によって金属層２０と絶縁樹脂層１０Ａが剥がれやすくなることがあり、例えば、金属張積層板３０をフレキシブル基板材料として利用する場合に不向きとなる。一方、絶縁樹脂層１０Ａと接着する面の表面粗さ（Ｒｚ）が３．５μｍを超えると、粗化によるアンカー効果により金属層２０と絶縁樹脂層１０Ａとの接着性は良好となるが、金属層２０を配線加工した際における配線形状の悪化が懸念される。

＜金属張積層板の製造方法＞
本実施の形態の金属張積層板３０の製造方法は、上記樹脂フィルム１０の製造方法に関連して説明したとおりであり、樹脂フィルム１０の製造のための基材として金属箔を用いることによって、絶縁樹脂層１０Ａの片側に金属層２０が積層された片面金属張積層板を製造することができる。さらに、絶縁樹脂層１０Ａの金属層２０とは反対側に金属箔を熱圧着等の方法でラミネートすることによって、金属箔／絶縁樹脂層１０Ａ／金属層２０の積層構造を有する両面金属張積層板を形成することも可能である。

本実施の形態の金属張積層板３０の絶縁樹脂層１０Ａは、熱伝導性フィラー１２の配合に起因する機械的強度の低下を回避しながら、実用上十分な放熱特性を有するものである。したがって、本実施の形態の金属張積層板３０を半導体モジュール等に用いる基板材料として使用することによって、電子機器の信頼性を向上させることができる。

［回路基板］
図３は、本発明の一実施の形態に係る回路基板の厚み方向における断面構造を示している。本実施の形態の回路基板４０は、単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層１０Ａと、絶縁樹脂層１０Ａに積層されている導体回路層２１と、を備えている。回路基板４０は、上記金属張積層板３０の金属層２０を常法によってパターン状に加工して導体回路層２１を形成することによって製造できる。金属層２０のパターニングは、例えばフォトリソグラフィー技術とエッチングなどを利用する任意の方法で行うことができる。回路基板４０は、図３に示す以外に任意の層を有していてもよい。また、回路基板４０は、フレキシブル回路基板でもよいし、リジット回路基板でもよい。

本実施の形態の回路基板４０の絶縁樹脂層１０Ａは、熱伝導性フィラー１２の配合に起因する機械的強度の低下を回避しながら、実用上十分な放熱特性を有するものである。したがって、本実施の形態の回路基板４０を半導体モジュール等に適用することによって、電子機器の信頼性を向上させることができる。

［積層構造体］
図４は、本発明の一実施の形態に係る積層構造体の構成を示している。本実施の形態の積層構造体１００は、例えば半導体モジュールに用いる積層構造体１００である。この積層構造体１００は、外部の半導体素子７０と電気的に接続される導体回路層２１と、単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層１０Ａと、接着剤層５０と、外部の放熱部材（図示省略）への熱伝導を媒介する伝熱金属層６０と、がこの順序で積層された構造を有している。本実施の形態の積層構造体１００において、導体回路層２１及び絶縁樹脂層１０Ａの部分は、上記回路基板４０と同様の構成である。

積層構造体１００は、絶縁樹脂層１０Ａの少なくとも１層、好ましくは絶縁樹脂層１０Ａの全体が、上記樹脂フィルム１０によって構成されている。そのため、絶縁樹脂層１０Ａは、熱伝導性フィラー１２の配合に起因する機械的強度の低下を回避しながら、実用上十分な放熱特性を有するものである。したがって、本実施の形態の積層構造体１００を半導体モジュール等に使用することによって、電子機器の信頼性を向上させることができる。なお、積層構造体１００は、図４に示す以外に任意の層を有していてもよい。

半導体モジュールにおいては高密度化に加えて、自動車のデイライト等、より高い放熱性をもち、かつ耐熱性も求められる用途が出始めてきており、本実施の形態の積層構造体１００を用いることで、従来材料よりも放熱性・耐熱性に優れていることから半導体モジュールの耐久性を向上させることができる。

以下、実施例に基づいて本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例の範囲に限定されるものではない。

本実施例に用いた略号は以下の化合物を示す。
ＢＴＤＡ：３,３’,４,４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物
ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
ＤＡＰＥ：４,４’－ジアミノジフェニルエーテル
ＢＡＰＰ：２,２-ビス（4-アミノフェノキシフェニル）プロパン
ｍ－ＴＢ：２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル
ＤＭＡｃ：Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド

また、実施例において評価した各特性については、下記評価方法に従った。

[粘度の測定]
ポリアミド酸溶液の粘度は、恒温水槽付のコーンプレート式粘度計（トキメック社製）
にて、２５℃で測定した。

［体積平均粒子径Ｄ_５０の測定］
レーザ粒度分布測定装置（マイクロトラック・ベル社製「マイクロトラックＭＴ３３００ＥＸII」）を用いてレーザ回折法により、体積基準の粒度分布測定によって得られる頻度分布曲線における累積値が５０％となる値を体積平均粒子径とした。測定に際しては、０．２質量％のヘキサメタ燐酸ソーダ水溶液にアルミナを入れ、装置内蔵の超音波装置を用いて４０Ｗで５分間分散し、アルミナの屈折率は１．７６とした。

［厚み方向熱伝導率（λｚ）］
ポリイミド樹脂フィルムを２０ｍｍ×２０ｍｍのサイズに切り出し、レーザーフラッシュ法による厚み方向の熱拡散率（ＮＥＴＺＳＣＨ社製、商品名；キセノンフラッシュアナライザーＬＦＡ４４７ Ｎａｎｏｆｌａｓｈ装置）、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による比熱、水中置換法による密度をそれぞれ測定し、これらの結果をもとに熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）を算出した。

［引裂き伝播抵抗（ＴＰＲ）］
６３．５ｍｍ×５０ｍｍのポリイミド樹脂フィルムを試験片とし、試験片に長さ１２．７ｍｍの切り込みを入れ、（株）東洋精機製の軽荷重引裂き試験機を用いて引裂き伝播抵抗を測定した。

［端裂抵抗］
ＪＩＳ Ｃ２１５１（２０１９）のＢ法に従い、２０ｍｍ×２００ｍｍのポリイミドフィルムを試験片として、東洋精機社製、商品名；ストログラフＲ１を用いて端裂抵抗を測定した。

[加工性]
２０ｃｍ×３０ｃｍの銅張積層板の銅箔を全エッチングした際に、ポリイミドフィルムに割れ・破れ等によってフィルム欠損が生じるものを×、欠損無く良好なフィルムが得られたものを○と評価した。

[チップ温度（放熱特性の評価）]
図５に示すように、上部から、半導体素子７０としてのＬＥＤチップ（ＬＥＤ）、導体回路層２１としての銅回路層（Ｃｕ）、絶縁樹脂層１０Ａとしてのポリイミド層（ＰＩ）、接着剤層５０としての接着剤層（ＡＤ）、伝熱金属層６０としてのアルミニウム層（Ａｌ）がこの順序に積層された構造を有する半導体モジュールＳについて、ＬＥＤチップ（ＬＥＤ）を１時間動作（発光）させたときのチップ温度を測定することによって放熱特性を評価した。なお、放熱はアルミニウム層（Ａｌ）側のみから行うこととした。
ＬＥＤチップ（ＬＥＤ）は、サイズが３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍ厚み、発熱量；約２Ｗであり、銅回路層（Ｃｕ）のサイズは、３ｍｍ×３ｍｍ×３５μｍ厚みとした。ポリイミド層（ＰＩ）、接着剤層（ＡＤ）、アルミニウム層（Ａｌ）は、いずれも、平面サイズが５０ｍｍ×１００ｍｍで、ポリイミド層（ＰＩ）の厚みは、各実施例・比較例に示した。なお、接着剤層（ＡＤ）の厚み方向の熱伝導率は１［Ｗ／ｍ・Ｋ］、厚みは１００μｍ、アルミニウム層（Ａｌ）の厚みは１ｍｍである。

（合成例１）
窒素気流下で、ＤＡＰＥ（１７．２６ｇ、０．０８６ｍｏｌ）を５００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながら溶剤ＤＭＡｃ２５５ｇ中に溶解させた。次いで、ＢＴＤＡ（２７．７３ｇ、０．０８６ｍｏｌ）を加えた。その後、溶液を室温で３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘度１２０００ｃＰの淡黄色の粘稠なポリアミド酸溶液Ａを得た。

（合成例２）
合成例１と同様に、窒素気流下で、ＢＡＰＰ（２９．２３ｇ、０．０７１ｍｏｌ）を５００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながら溶剤ＤＭＡｃ２５５ｇ中に溶解させた。次いで、ＰＭＤＡ（１４．７３ｇ、０．０６８ｍｏｌ）とＢＰＤＡ（１．０５ｇ、０．００４ｍｏｌ）を加えた。その後、溶液を室温で３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘度１００００ｃＰの淡黄色の粘稠なポリアミド酸溶液Ｂを得た。

（合成例３）
合成例１と同様に、窒素気流下で、ｍ－ＴＢ（２２．２１ｇ、０．１０４ｍｏｌ）を５００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながら溶剤ＤＭＡｃ２５５ｇ中に溶解させた。次いで、ＰＭＤＡ（２２．７９ｇ、０．１０４ｍｏｌ）を加えた。その後、溶液を室温で３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘度１００００ｃＰの淡黄色の粘稠なポリアミド酸溶液Ｃを得た。

（合成例４）
合成例１と同様に、窒素気流下で、ＤＡＰＥ（２１．５６ｇ、０．１０７ｍｏｌ）を５００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながら溶剤ＤＭＡｃ２５５ｇ中に溶解させた。次いで、ＰＭＤＡ（２３．４４ｇ、０．１０７ｍｏｌ）を加えた。その後、溶液を室温で３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘度１３０００ｃＰの淡黄色の粘稠なポリアミド酸溶液Ｄを得た。

（配合例１）
固形分濃度１５ｗｔ％のポリアミド酸溶液Ａ６３．１重量部と、熱伝導性フィラーとして酸化アルミニウム粒子［住友化学（株）社製、商品名：ＡＡ－３、球状、体積平均粒子径Ｄ_５０ ３．４μｍ］６．９重量部を均一になるまで遠心攪拌機で混合し、熱伝導性フィラーを含有するフィラー含有ポリアミド酸溶液Ｅを得た。このフィラー含有ポリアミド酸溶液Ｅを硬化させた絶縁樹脂層における酸化アルミニウム粒子の含有量は２０ｖｏｌ％である。

（配合例２～９）
配合例１と同様に、表１に示したポリアミド酸溶液と酸化アルミニウム粒子を均一になるまで遠心攪拌機で混合し、熱伝導性フィラーを含有するフィラー含有ポリアミド酸溶液Ｆ～Ｍを得た。
なお、配合例４では、熱伝導性フィラーとして酸化アルミニウム粒子（住友化学社製、商品名；ＡＡ－１．５、球状、体積平均粒子径Ｄ_５０；１．６μｍ）も併用し、ＡＡ－３とＡＡ－１．５の重量比（ＡＡ－３：ＡＡ－１．５）が２４：１６となるようにフィラーを含有させた。

（実施例１）
銅箔１（電解銅箔、福田金属箔粉工業社製、商品名；ＣＦ－Ｔ４ＭＤＳ－ＨＤ－３５、厚み；３５μｍ、Ｒｚ＝１．４μｍ）上に、配合例１で得たポリアミド酸溶液Ｅを硬化後の厚みが１４．８μｍとなるように塗布し、９０～１４０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。その後、１３０～３６０℃の温度範囲で、段階的に３０分かけて昇温加熱して、銅箔１上にポリイミド層からなるフレキシブル基板用積層体を作製した。フレキシブル基板用積層体におけるポリイミド層の特性を評価するために銅箔１をエッチング除去してフィルムＭ１を作製し、厚み方向熱伝導率（λｚ）、引裂き伝播抵抗（ＴＰＲ）、端裂抵抗、加工性をそれぞれ評価した。また、図５に示す構成の半導体モジュールＳに適用した場合のチップ温度を測定し、放熱特性を評価した。

（実施例２～８、比較例１、２）
使用するポリアミド酸溶液の種類と厚みを変更し、実施例１と同様にしてフィルムＭ２～Ｍ１０を得て同様に評価した。また、図５に示す構成の半導体モジュールＳに適用した場合のチップ温度を測定し、放熱特性を評価した。

（比較例３）
銅箔１上に、合成例２で得たポリアミド酸溶液Ｂを硬化後の厚みが１．５μｍとなるように塗布し、９０～１４０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に合成例３で得たポリアミド酸溶液Ｃを硬化後の厚みが５.０μｍとなるように塗布し、１２０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に合成例２で得たポリアミド酸溶液Ｂを硬化後の厚みが１.５μｍとなるように塗布し、９０～１４０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。その後、１３０～３６０℃の温度範囲で、段階的に３０分かけて昇温加熱して、銅箔１上に３層のポリイミド層からなるフレキシブル基板用積層体を作製した。銅箔１上のポリイミド層の厚みは、銅箔１側からＢ/Ｃ/Ｂの順に１．５μｍ／５．０μｍ／１．５μｍである。フレキシブル基板用積層体におけるポリイミド層の特性を評価するために銅箔１をエッチング除去してフィルムＭ１１を作製し、厚み方向熱伝導率λｚ、引裂き伝播抵抗（ＴＰＲ）、端裂抵抗、加工性をそれぞれ評価した。また、図５に示す構成の半導体モジュールＳに適用した場合のチップ温度を測定し、放熱特性を評価した。

以上の結果をまとめて表２に示す。

比較例１は従来のλｚを高める設計思想の例であるが、λｚを高めるためにフィラー含有量を増やすとフィルムが脆くなり、加工時に不具合が発生する。また比較例３はフィラーを含有しない場合において、薄化により加工性に不具合が生じる例を模擬したものである。加工性の不具合について、比較例１はフィルムが割れるような形でフィルムに欠損が生じるのに対し、比較例３ではフィルムに破れが見られ、不具合のモードが異なることが分かった。この点から破れのモードは引裂き伝播抵抗、割れのモードは端裂抵抗で評価でき、双方の物性が一定以上となることが加工性の不具合防止に必要であると考えられる。なお、端裂抵抗はフィルム厚みによって変化し、しかも厚みに単純比例しないことがわかる。

実施例1～８においては樹脂構造、厚み、フィラー含有量、フィラーの体積平均粒径等が適切に制御されていることにより、加工性の不具合を抑制しつつ、フィラーを含有しない薄いフィルムを用いた比較例２と比較として良好な放熱性を発現している。

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。

１０…樹脂フィルム、１０Ａ…絶縁樹脂層、１１…絶縁樹脂、１２…熱伝導性フィラー、２０…金属層、２１…導体回路層、３０…金属張積層板、４０…回路基板、５０…接着剤層、６０…伝熱金属層、７０…半導体素子、１００…積層構造体

Claims (9)

1. フィルム状の絶縁樹脂と、該絶縁樹脂中に分散状態で含まれている熱伝導性フィラーと、を備えた樹脂フィルムであって、
   前記樹脂フィルム全体の膜厚（Ｌ）が８μｍ以上２３μｍ未満の範囲内であり、
   厚み方向における熱伝導度（λｚ）が、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上２．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満の範囲内であり、２０ｍｍ幅で測定した端裂抵抗が０．３［Ｎ］以上３０．０［Ｎ］以下の範囲内であることを特徴とする樹脂フィルム。
2. 前記熱伝導性フィラーの体積平均粒子径が１．０μｍ超５μｍ未満の範囲内であるとともに、前記熱伝導性フィラーの体積平均粒子径（Ｄ）と、前記膜厚（Ｌ）との比率が０．１５以上０．５０以下の範囲内である請求項１に記載の樹脂フィルム。
3. 引裂き伝播抵抗が７．０ｍＮ以上３０．０ｍＮ以下の範囲内である請求項１又は２に記載の樹脂フィルム。
4. 前記樹脂フィルム全体に対する前記熱伝導性フィラーの含有量が１０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下の範囲内である請求項１から３のいずれか１項に記載の樹脂フィルム。
5. 前記熱伝導性フィラーがアルミナ粒子である請求項１から４のいずれか１項に記載の樹脂フィルム。
6. 前記絶縁樹脂が酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させてなるポリイミドであり、前記酸二無水物成分が、全酸二無水物成分に対してピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上を５０モル％以上含み、前記ジアミン成分が、全ジアミン成分に対して４，４’－ジアミノジフェニルエーテル及び２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパンから選ばれる１種以上を５０モル％以上含む請求項１から５のいずれか１項に記載の樹脂フィルム。
7. 単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側もしくは両側に積層されている金属層と、を備えた金属張積層板であって、
   前記絶縁樹脂層の少なくとも１層が、請求項１から６のいずれか１項に記載の樹脂フィルムによって構成されている金属張積層板。
8. 単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側もしくは両側に積層されている導体回路層と、を備えた回路基板であって、
   前記絶縁樹脂層の少なくとも１層が、請求項１から６のいずれか１項に記載の樹脂フィルムによって構成されている回路基板。
9. 半導体モジュールに用いる積層構造体であって、
   外部の半導体素子と電気的に接続される導体回路層と、
   単層もしくは複数層からなる絶縁樹脂層と、
   接着剤層と、
   外部の放熱部材への熱伝導を媒介する伝熱金属層と、
   がこの順序で積層された構造を有しており、
   前記絶縁樹脂層の少なくとも１層が、請求項１から６のいずれか１項に記載の樹脂フィルムによって構成されている積層構造体。
   
   

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