JP2023021929A - セラミック電子部品、誘電体材料、及びセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 焼成温度が低くても十分な機械的硬度を確保することができるセラミック電子部品を提供する。【解決手段】 セラミック電子部品は、交互に積層された誘電体層１１と内部電極層１２とを備え、誘電体層１１は、イットリア安定化ジルコニアと、主成分の（Ｃａｘ１Ｂａｘ２Ｓｒ１－ｘ１－ｘ２）（ＴｉｙＺｒ１－ｙ）Ｏ３（０．６≦ｘ１≦０．９、０≦ｘ２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのイットリア安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下である。【選択図】 図１

Description

本発明は、セラミック電子部品、誘電体材料、及びセラミック電子部品の製造方法に関する。

内部電極層と誘電体層とが交互に積層された積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品が知られている。そのセラミック電子部品は、内部電極層形成用の金属導電ペーストと誘電体層用の誘電体グリーンシートとを積層し、これらの積層体を焼成することで作製される。焼成の際には金属を主成分とする内部電極層の方が誘電体層よりも早く収縮するため、これらの層にクラックが発生するおそれがある。これを防ぐには焼成温度を低温化するのが有効である。例えば、特許文献１では１３００℃以下で焼成が可能な誘電体材料について開示している。更に、特許文献２では軟化点温度が低いガラス成分を誘電体材料に使用することで焼成温度の低温化を実現している。

特開平１０－３３５１６９号公報 特開２００５－１７９１０５号公報

しかしながら、誘電体層にクラックが入るのを効果的に抑制するには、特許文献１が開示する１３００℃よりも焼成温度を更に低温化するのが好ましい。また、特許文献２のようにガラス成分を用いたのでは、焼成時にセラミック粒子が凝集してしまい、誘電体層の平滑度が落ちてその機械的強度が低下するおそれがある。更に、焼成温度の低温化と機械的強度の向上とを両立させようとすると、誘電体層の品質が劣化するおそれもある。

本発明は、誘電体層の焼成温度が低くても誘電体層の品質を維持することが可能なセラミック電子部品、誘電体材料、及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係るセラミック電子部品は、交互に積層された誘電体層と内部電極層とを備え、前記誘電体層は、イットリア安定化ジルコニアと、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３（０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのイットリア安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下であることを特徴とする。

上記セラミック電子部品において、前記誘電体層は、更にマンガン化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記マンガン化合物の濃度がＭｎＯに換算して０．２モル％以上５．０モル％以下の濃度でもよい。

上記セラミック電子部品において、前記誘電体層は、更にケイ素化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ケイ素化合物の濃度がＳｉＯ_２に換算して０．５モル％以上５．０モル％以下の濃度でもよい。

上記セラミック電子部品において、前記誘電体層は、更にホウ素化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ホウ素化合物の濃度が（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％以上１．０モル％以下の濃度でもよい。

上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の断面において前記イットリア安定化ジルコニアの粒子が占める面積比率は、１％以上１５％以下でもよい。

上記セラミック電子部品において、前記誘電体層に複数の空隙が形成されており、前記断面において前記空隙が占める総面積は、前記断面において前記イットリア安定化ジルコニアの粒子が占める総面積よりも小さくてもよい。

上記セラミック電子部品において、前記空隙の長径は、０．１５μｍ以上０．６μｍ以下でもよい。

上記セラミック電子部品において、前記空隙と前記粒子とが接してもよい。

上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の厚さは、２μｍ以下でもよい。

上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の２５℃における静電容量と１２５℃における静電容量との差による温度係数は、－３００ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下でもよい。

本発明に係る誘電体材料は、イットリア安定化ジルコニアと、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３（０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのイットリア安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下であることを特徴とする。

上記誘電体材料は、更にマンガン化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記マンガン化合物の濃度がＭｎＯに換算して０．２モル％以上５．０モル％以下の濃度でもよい。

上記誘電体材料は、更にケイ素化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ケイ素化合物の濃度がＳｉＯ_２に換算して０．５モル％以上５．０モル％以下の濃度でもよい。

上記誘電体材料は、更にホウ素化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ホウ素化合物の濃度が（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％以上１．０モル％以下の濃度でもよい。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、セラミック粉末を含む誘電体グリーンシートと、内部電極形成用の金属導電ペーストとが交互に積層された積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程とを有し、前記セラミック粉末が、イットリア安定化ジルコニアと、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３（０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのイットリア安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下であることを特徴とする。

上記セラミック電子部品の製造方法において、前記セラミック粉末は、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときの濃度が（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％以上１．０モル％以下であり、かつ比表面積が１００ｍ^２／ｇ以上３００ｍ^２／ｇ以下の窒化ホウ素を含んでもよい。

本発明によれば、誘電体層の焼成温度が低くても誘電体層の品質を維持することができる。

実施形態に係る積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。 図１のＡ－Ａ線断面図である。 図１のＢ－Ｂ線断面図である。 積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。 （ａ）および（ｂ）は積層工程を例示する図である。 積層工程を例示する図である。 積層工程を例示する図である。 実施例１に係る積層セラミックコンデンサの誘電体層と内部電極層との積層方向に垂直な断面の研磨面をＳＥＭ－ＥＤＳで観察して得られた像である。

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。
（実施形態）
まず、積層セラミックコンデンサの概要について説明する。図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１～図３で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。

積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、卑金属材料を含む内部電極層１２とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層１２の端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた端面と、外部電極２０ｂが設けられた端面とに、交互に露出している。それにより、各内部電極層１２は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層１２を介して積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層１２との積層体において、積層方向の最外層には内部電極層１２が配置され、当該積層体の上面および下面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３の材料は、誘電体層１１とセラミック材料の主成分が同じである。

誘電体層１１の厚さは、積層セラミックコンデンサ１００の容量を高めるという観点から２μｍ以下とするのが好ましい。また、内部電極層１２の厚さは０．３μｍ以上１．５μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上１．０μｍ以下とするのが好ましい。これにより、内部電極層１２の厚膜化に起因した高コスト化を抑制しつつ、内部電極層１２に不連続な領域が発生するのを抑制でき、更に内部電極層１２を安定して焼成できる。積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。

図２で例示するように、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２と外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２とが対向する領域は、積層セラミックコンデンサ１００において電気容量を生じる領域である。そこで、当該領域を、容量領域１４と称する。すなわち、容量領域１４は、異なる外部電極に接続された２つの隣接する内部電極層１２が対向する領域である。

外部電極２０ａに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域を、エンドマージン１５と称する。また、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域も、エンドマージン１５である。すなわち、エンドマージン１５は、同じ外部電極に接続された内部電極層１２が異なる外部電極に接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域である。エンドマージン１５は、容量を生じない領域である。

図３で例示するように、積層チップ１０において、積層チップ１０の２側面から内部電極層１２に至るまでの領域をサイドマージン１６と称する。すなわち、サイドマージン１６は、上記積層構造において積層された複数の内部電極層１２が２側面側に延びた端部を覆うように設けられた領域である。

カバー層１３およびサイドマージン１６は、容量領域１４の外周を覆うことで保護している。そこで、以下の説明では、カバー層１３およびサイドマージン１６を、総称してセラミック保護部５０と称する。

内部電極層１２は、Ｎｉ（ニッケル），Ｃｕ（銅）等の卑金属を主成分とする。内部電極層１２として、Ｐｔ（白金），Ｐｄ（パラジウム），Ａｇ（銀），Ａｕ（金），Ｓｎ（スズ）などを含む合金を用いてもよい。

誘電体層１１は、ペロブスカイト化合物を主成分とし、かつＹ安定化ジルコニア（ＺｒＯ_２）を含有する。なお、Ｙ安定化ジルコニアは、イットリア安定化ジルコニアであって、「ＹＳＺ」と呼ばれることもある。本実施形態ではペロブスカイト化合物として（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３を使用する。Ｙ安定化ジルコニアはそれ単体で強度が非常に高い。そのため、誘電体層１１と内部電極層１２を低温で焼成しても誘電体層１１の機械的強度を高めることができる。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ_３－αを含む。

また、（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３を１００モル％としたときのＹ安定化ジルコニアの濃度が５．０モル％を超えると焼成時に誘電体層１１が緻密化するのがＹ安定化ジルコニアによって妨げられる。よって、誘電体層１１におけるＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのＹ安定化ジルコニアの濃度は５．０モル％以下とするのが好ましい。

一方、Ｙ安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％未満となると、誘電体層１１の機械的強度を十分に高めることができない。そのため、Ｙ安定化ジルコニアの濃度は０．５モル％以上とするのが好ましい。

本実施形態では、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３の各組成比率を０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１とし、誘電体層１１におけるＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのＹ安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下とする。これにより、誘電体層１１を低温で焼成しても、誘電体層１１の機械的強度等の品質を維持することができる。

なお、積層セラミックコンデンサの誘電体層は、その材料が常誘電体の場合にＣｌａｓｓ１と呼ばれ、強誘電体の場合にＣｌａｓｓ２と呼ばれる。本実施形態に係る誘電体層１１はＣｌａｓｓ１に属する誘電体層である。

Ｃｌａｓｓ１の誘電体層１１は、膜厚が薄くなると温度特性が変化することがある。これは内部電極層１２と誘電体層１１との熱膨張係数差が影響していると考えられる。Ｙ安定化ジルコニアは、このような熱膨張係数差に起因する誘電体層１１の歪みによって生じる温度特性の変化を抑制する働きもある。誘電体層１１にＹ安定化ジルコニアを添加しない場合、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３における各組成比ｘ１、ｘ２、ｙを調整して温度特性の変化を抑制する必要があるが、本実施形態では単純にＹ安定化ジルコニウムの添加量を調節することで誘電体層１１の温度特性の変化を抑制することができる。

更に、マンガン化合物、ケイ素化合物、及びホウ素化合物を更に誘電体層１１が含有してもよい。これらの化合物が相まって作用することにより誘電体層１１の焼結温度を低温化することができる。マンガン化合物としては例えばＭｎＯやＭｎＣＯ_３があり、ケイ素化合物としては例えばＳｉＯ_２がある。また、ホウ素化合物としては例えば酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、及びホウ酸（Ｈ_３ＢＯ_３またはＢ（ＯＨ）_３）等がある。

特に、マンガン化合物をＭｎＯに換算して０．２モル％以上５．０モル％以下、ケイ素化合物をＳｉＯ_２に換算して０．５モル％以上５．０モル％以下、ホウ素化合物を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％以上１．０モル％以下の濃度で誘電体層１１が含有するのが好ましい。なお、いずれの濃度も誘電体層１１におけるＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときの濃度である。この濃度範囲を採用することで、１２２０℃以下の低温で誘電体層１１を焼成するのが容易となる。

続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図４は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。

（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１を形成するための出発原料を用意する。ここではＳｒＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＢａＣＯ_３及びＺｒＯ_２の各粉末を出発原料として準備する。次いで、これらの粉末を秤量し、イオン交換水と分散剤でボールミルにて分散させることにより誘電体材料を得る。

次いで、誘電体材料を乾燥させた後に乾式粉砕を行い、更に１１００℃で仮焼することにより、誘電体層１１の主成分であるペロブスカイト粉末として（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３粉を得る。なお、本実施形態では０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、及び０≦ｙ≦０．１とする。

次に、エンドマージン１５およびサイドマージン１６を形成するための逆パターン材料を用意する。逆パターン材料は、エンドマージン１５およびサイドマージン１６の主成分セラミックを含む。主成分セラミックとして、上記と同様にして（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３粉を作製する。

次に、カバー層１３を形成するためのカバー材料を用意する。カバー材料は、カバー層１３の主成分セラミックを含む。主成分セラミックとして、上記と同様にして（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３粉を作製する。

（積層工程）
次に、原料粉末作製工程で得られたペロブスカイト粉末にマンガン化合物、ケイ素化合物、ホウ素化合物、及びＹ安定化ジルコニアを添加したセラミック粉末を作製し、それを有機溶剤、バインダ、及び分散剤等と一緒にボールミル処理を行うことによりスラリーを得る。

なお、Ｙ安定化ジルコニアにおけるイットリア（Ｙ_２Ｏ_３）の濃度は３モル％～８モル％とする。なお、ＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の総量を１００モル％としたときに、ＺｒＯ_２が９７モル％でＹ_２Ｏ_３が３モル％となるＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との固溶体を以下では３Ｙ安定化ジルコニアと書く。

同様に、ＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の総量を１００モル％としたときに、ＺｒＯ_２が９５モル％でＹ_２Ｏ_３が５モル％となるＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との固溶体を以下では５Ｙ安定化ジルコニアと書く。

また、ＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の総量を１００モル％としたときに、ＺｒＯ_２が９２モル％でＹ_２Ｏ_３が８モル％となるＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との固溶体を以下では８Ｙ安定化ジルコニアと書く。更に、以下では３Ｙ安定化ジルコニア、５Ｙ安定化ジルコニア、及び８Ｙ安定化ジルコニアを使用しているが、３Ｙ～８Ｙの範囲内にある安定化ジルコニアを用いてもよい。

また、マンガン化合物は例えばＭｎＣＯ_３であり、ＭｎＯに換算して０．２モル％～５．０モル％の濃度でセラミック粉末に添加する。一方、ケイ素化合物は例えばＳｉＯ_２であり、０．５モル％～５．０モル％の濃度でセラミック粉末に添加する。更に、ホウ素化合物は、例えば窒化ホウ素であり、（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％～１．０モル％の濃度でセラミック粉末に添加する。

なお、窒化ホウ素は、有機溶剤に溶出し難いため、スラリーのゲル化を抑制することができる。特に、比表面積が１００ｍ^２／ｇ以上３００ｍ^２／ｇ以下の窒化ホウ素はスラリーのゲル化を効果的に抑制することができる。なお、窒化ホウ素に代えてＢ_２Ｏ_３やホウ酸を使用してもよい。

その後、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）フィルム等の基材の上にスラリーをテープキャストすることにより厚さが３μｍ程度の誘電体グリーンシートを得る。

次いで、誘電体グリーンシートの表面に、有機バインダを含む内部電極層用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷する。金属導電ペーストには、ニッケルに加えて共材としてセラミック粒子を添加する。共材として添加するセラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層１１の主成分セラミックと同じであることが好ましい。

次に、図５（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５１の表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層用の第１パターン５２を配置する。金属導電ペーストには、ニッケルに加えて共材としてセラミック粒子を添加する。共材として添加するセラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層１１の主成分セラミックと同じであることが好ましい。

次に、原料粉末作製工程で得られた逆パターン材料に、エチルセルロース系等のバインダと、ターピネオール系等の有機溶剤とを加え、ロールミルにて混練して逆パターン層用の逆パターンペーストを得る。図５（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５１上において、第１パターン５２が印刷されていない周辺領域に逆パターンペーストを印刷することで第２パターン５３を配置し、第１パターン５２との段差を埋める。

その後、図５（ｂ）で例示するように、内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向の両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極２０ａ，２０ｂに交互に引き出されるように、誘電体グリーンシート５１、第１パターン５２および第２パターン５３を積層していく。例えば、誘電体グリーンシート５１の積層数を１００～５００層とする。

次に、原料粉末作製工程で得られたカバー材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み１０μｍ以下の帯状のカバーシート５４を塗工して乾燥させる。図６で例示するように、積層された誘電体グリーンシート５１の上下にカバーシート５４を所定数（例えば２～１０層）だけ積層して熱圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットし、その後に外部電極２０ａ，２０ｂとなる金属導電ペーストを、カットした積層体の両側面にディップ法等で塗布して乾燥させる。これにより、セラミック積層体が得られる。なお、所定数のカバーシート５４を積層して圧着してから、積層された誘電体グリーンシート５１の上下に貼り付けてもよい。

図５（ａ）～図６の手法では、誘電体グリーンシート５１のうち第１パターン５２に対応する部分と、第１パターン５２と、が積層された領域が、（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３粒子を主成分セラミックとするシートと金属導電ペーストのパターンとが交互に積層された積層部分に相当する。誘電体グリーンシート５１のうち第１パターン５２よりも外側にはみ出した部分と、第２パターン５３と、が積層された領域が、積層部分の側面に配置されたサイドマージン領域に相当する。

サイドマージン領域は、上記積層部分の側面に貼り付けまたは塗布してもよい。具体的には、図７で例示するように、誘電体グリーンシート５１と、当該誘電体グリーンシート５１と同じ幅の第１パターン５２とを交互に積層することで、積層部分を得る。次に、積層部分の側面に、逆パターンペーストで形成したシートを貼り付ける、または逆パターンペーストを塗布することで得られる第２パターン５３で、サイドマージン領域を形成してもよい。

（焼成工程）
このようにして得られたセラミック積層体を、Ｎ_２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａ，２０ｂの下地となるＮｉペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧１０^－５～１０^－８ａｔｍの還元雰囲気中で１２２０℃以下の温度で１０分～２時間焼成する。このようにして、積層セラミックコンデンサ１００が得られる。

（再酸化処理工程）
その後、Ｎ_２ガス雰囲気中で６００℃～１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。

（めっき処理工程）
その後、めっき処理により、外部電極２０ａ，２０ｂに、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属コーティングを行ってもよい。

上記した本実施形態によれば、誘電体層１１がＹ安定化ジルコニアと主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３（０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、誘電体層１１におけるＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのＹ安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下である。

これにより、焼成工程における温度が１２２０℃以下の低温であっても、機械的に強固なＹ安定化ジルコニアによって誘電体層１１の機械的強度を高めることができる。

なお、上記各実施形態においては、セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の電子部品を用いてもよい。

次に、実施例と比較例について説明する。表１は、実施例と比較例のそれぞれの条件について示す表である。

（実施例１）
ＳｒＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２及びＺｒＯ_２の各粉末を秤量し、イオン交換水と分散剤でボールミルにて分散させることにより誘電体材料を得た。次いで、誘電体材料を乾燥させた後に乾式粉砕を行い、更に１１００℃で仮焼することにより、誘電体層１１の主成分であるペロブスカイト粉末として（Ｃａ_０．７Ｓｒ_０．３）（Ｔｉ_０．０３Ｚｒ_０．９７）Ｏ_３粉を得た。

そのペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して１モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を１モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．３モル％の濃度で添加した。更に、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを２モル％の濃度で添加した。なお、これらの濃度は、完成した製品の誘電体層１１におけるＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときの濃度である。これについては後述の各実施例と各比較例でも同様である。

また、誘電体層１１の厚さは２μｍとし、内部電極層１２と誘電体層１１との積層数は１００層とした。

（実施例２）
ペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して０．２モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を２モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例３）
ペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して１．５モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を１モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例４）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．６とした。

また、このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して１モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を３モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例５）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．９とした。

このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して２モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を０．５モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．５モル％の濃度で添加した。更に、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを２．５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例６）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｙの値を０とした。

このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して３モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を５モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して１モル％の濃度で添加した。更に、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを１．５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例７）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｙの値を０．０５とした。

このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して５モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を１モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例８）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．８とし、ｙの値を０．０７とした。

このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して０．２モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を１モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．７モル％の濃度で添加した。更に、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを１．５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例９）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．８とし、ｙの値を０．１とした。

このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して２モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を１モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．４モル％の濃度で添加した。更に、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを０．４モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１０）
ペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して０．１モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を０．５モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．４モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを１モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１１）
ペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して７モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を２モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１２）
ペロブスカイト粉末にケイ素化合物としてＳｉＯ_２を０．４モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１３）
ペロブスカイト粉末にケイ素化合物としてＳｉＯ_２を５．２モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを３．５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１４）
ペロブスカイト粉末にホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．１モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを１．５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１５）
ペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して１．５モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を１．５モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して１．２モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを１．５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１６）
ペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１７）
ペロブスカイト粉末にホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．４モル％の濃度で添加した。また、ペロブスカイト粉末に５Ｙ安定化ジルコニアを１モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１８）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｙの値を０．０４とした。

このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して１．５モル％の濃度で添加した。更に、そのペロブスカイト粉末に５Ｙ安定化ジルコニアを３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例１９）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｙの値を０．０４とした。

このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して２モル％の濃度で添加した。更に、そのペロブスカイト粉末に８Ｙ安定化ジルコニアを３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例２０）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｙの値を０．０４とした。

ペロブスカイト粉末にケイ素化合物としてＳｉＯ_２を２モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．５モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に８Ｙ安定化ジルコニアを３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例２１）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_２の値を０．０１とした。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例２２）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．６５とし、ｘ_２の値を０．１とした。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例２３）
誘電体層１１の厚さを０．７μｍとした。これ以外は実施例１と同様である。

（実施例２４）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．６５とした。また、誘電体層１１の厚さを０．７μｍとした。これ以外は実施例１と同様である。

（比較例１）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．５とした。また、このペロブスカイト粉末にホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（比較例２）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．９５とした。更に、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（比較例３）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．８とし、ｙの値を０．１２とした。更に、このペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して１．５モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．４モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを１．５モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（比較例４）
ペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを０．３モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（比較例５）
ペロブスカイト粉末にマンガン化合物としてＭｎＣＯ_３をＭｎＯに換算して１．５モル％、ケイ素化合物としてＳｉＯ_２を２モル％、ホウ素化合物として窒化ホウ素を（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．５モル％の濃度で添加した。また、そのペロブスカイト粉末に３Ｙ安定化ジルコニアを７モル％の濃度で添加した。これ以外は実施例１と同様である。

（比較例６）
ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１の値を０．４５とし、ｘ_２の値を０．１５とし、ｙの値を０．０５とした。これ以外は実施例１と同様である。

表２は、実施例１～１９及び比較例１～１１のそれぞれに係る誘電体層１１の品質の調査結果を示す表である。誘電体層１１の品質として、この例では比誘電率（ε_ｒ）、Ｑ値、温度係数（τＣ）、加速寿命、及び３点曲げ強度を採用した。更に、表２には、誘電体層１１の焼成温度、及び誘電体層１１に含まれる安定化ジルコニア相の割合も併記してある。

ここでは、ＬＣＲメータを用いて１ｋＨｚ－１Ｖｒｍｓの設定条件で静電容量とＱ値とを測定した。比誘電率ε_ｒは、以下の式に基づいて静電容量Ｃから求めた。

・ε_ｒ＝（Ｃ×誘電体層１１の厚さ）／（誘電体層１１の層数×ε_０×有効交差面積）
但し、ε_０は真空の誘電率である。温度係数（τＣ）は、温度が１℃変化したときの静電容量の変化量（ｐｐｍ）である。ここでは、２５℃と１２５℃のそれぞれの静電容量の差から温度係数を求めた。また、静電容量は恒温槽で測定した。

加速寿命は、５０Ｖ／μｍの電界中で積層セラミックコンデンサ１００を２００℃に加熱してからその絶縁抵抗値が初期値から２桁低下するまでの時間の平均値である。

３点曲げ強度は、複数の積層セラミックコンデンサ１００に対して３点曲げ試験を行ったときの平均値である。

ここでは、市場の要求値に基づいて比誘電率が２９以上、Ｑ値２０００以上、温度係数が±３００ｐｐｍ／℃の範囲内、加速寿命が５００ｈ以上、３点曲げ試験が２５０ＭＰａ以上を合格とした。また、焼成温度については、１２２０℃以下で緻密化して焼成できるものを合格とした。

表２に示すように、実施例１～２４においては、誘電体層１１の品質が全て合格の範囲内にある。

一方、比較例１は、温度係数が－３４７ｐｐｍ／℃であり、合格範囲（±３００ｐｐｍ／℃の範囲）から外れている。これは、比較例１においては、ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３において組成比ｘ_１の値が０．６未満であるためである。

また、比較例２は、比誘電率が２８であり、合格範囲（２９以上）から外れている。これは、比較例２においては、ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３において組成比ｘ_１の値が０．９を超えているためである。

比較例３は、温度係数が－３７５ｐｐｍ／℃であり、合格範囲（±３００ｐｐｍ／℃の範囲）から外れている。これは、比較例３においては、ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３において組成比ｙの値が０．１を超えているためである。

比較例４は、３点曲げ強度が２１０ＭＰａであり、合格範囲（２５０ＭＰａ以上）から外れている。これは、比較例４においては、ペロブスカイト粉末に添加した３Ｙ安定化ジルコニアの添加量が０．５モル％未満であり、安定化ジルコニアによる強度の向上が図られていないためである。

比較例５は、１２２０℃以下の焼成温度で緻密化しなかった。これは、比較例１０においては、ペロブスカイト粉末に添加した３Ｙ安定化ジルコニアの添加量が５．０モル％を超えているためである。

比較例６は、３点曲げ強度が１８０ＭＰａであり、合格範囲（２５０ＭＰａ以上）から外れている。これは、比較例１１においては、ペロブスカイト粉末の材料である（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３において組成比ｘ_１の値が０．６未満であり、更に組成比ｘ_２の値が０．１を超えているためである。

以上の結果から、１２２０℃以下の温度で誘電体層１１を焼成しても誘電体層１１の品質を維持できるようにするためには、Ｙ安定化ジルコニアの濃度を０．５モル％以上５．０モル％以下の範囲にし、かつ（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３におけるｘ_１、ｘ_２、ｙの各組成比を０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１とするのが好ましいことが確かめられた。

また、実施例１～２４の誘電体層１１の厚さは、いずれも０．７μｍ～２μｍであり、積層セラミックコンデンサ１００の大容量化に有利な２μｍ以下である。実施例１～２４では、このように薄い誘電体層１１を１２２０℃以下の温度で焼成できる。しかも、誘電体層１１にデラミネーションやクラック等の構造的な欠陥が生じず、かつＥＩＡ（アメリカ電子工業会）のＣ０Ｋ、Ｃ０Ｊ、Ｃ０Ｈ、及びＣ０Ｇの各基準を満たす±２５０ｐｐｍ／℃の温度特性や、ＥＩＡのＲ２ＨとＳ２Ｋの各基準に対応した±３００ｐｐｍ／℃の温度特性を満たす高品位で強度の高い積層セラミックコンデンサ１００を提供できる。

図８は、実施例１に係る積層セラミックコンデンサ１００の誘電体層１１と内部電極層１２との積層方向に垂直な断面の研磨面をＳＥＭ－ＢＳＥ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）で観察して得られた像である。なお、ＳＥＭの倍率は５０００倍である。図８において、１１ｐはＹ安定化ジルコニアの粒子であり１１ｓは空隙を表している。図８に示したように空隙１１ｓに接してＹ安定化ジルコニア１１ｐが存在していることにより空隙を起点としたクラックの伸長を抑制することができる。

誘電体層１１の組成の同定と定量は、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）発光分光分析による化学分析の他に、図８のような誘電体層１１の断面をＳＥＭ－ＥＤＳ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析することで行い得る。なお、分析に際しては、偏析した組成物の影響がないように十分大きな領域を確保し、必要に応じて検量線となる標準試料を同時に分析して比較、数値化することで定量分析値の信頼性を高めるのが好ましい。

また、前述のように誘電体層１１におけるＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのＹ安定化ジルコニアの濃度を０．５モル％以上５．０モル％以下とすると、Ｙ安定化ジルコニアの粒子１１ｐが誘電体層１１の断面において占める面積比率が１％以上１５％以下となることが明らかとなった。なお、面積比率は、誘電体層１１のＳＥＭ断面の任意の位置から面積が１０μｍ^２の領域を切り取り、その領域に含まれる全ての粒子１１ｐの総面積と、当該領域の面積との比率で定義される。

また、誘電体層１１には複数の空隙１１ｓが形成されており、その空隙１１ｓによって誘電体層１１の靭性が向上する。但し、空隙１１ｓの総面積が大きすぎると誘電体層１１の３点曲げ強度等の機械的強度が低下してしまう。そのため、誘電体層１１の断面において空隙１１ｓが占める総面積を、誘電体層１１の断面において粒子１１ｐが占める総面積よりも小さくすることで、空隙１１ｓに起因した誘電体層１１の機械的強度の低下を防ぐのが好ましい。

なお、空隙１１ｓの総面積は、誘電体層１１のＳＥＭ断面の任意の位置から面積が１０μｍ^２の領域を切り取り、その領域に含まれる全ての空隙１１ｓの面積の合計値として定義される。また、粒子１１ｐの総面積は、空隙１１ｓの総面積の算出に使用したのと同じ領域に含まれる全ての粒子１１ｐの面積の合計値として定義される。

また、一つの空隙１１ｓが大きすぎても誘電体層１１の機械的強度が低下するため、断面視における空隙１１ｓの長径を０．１μｍ以上０．６μｍ以下とするのが好ましい。なお、長径の下限を０．１μｍとしたのは、これよりも小さい空隙１１ｓでは誘電体層１１の靭性を向上させるのが困難なためである。また、長径の上限を０．６μｍとしたのは、これよりも大きいと空隙１１ｓによって誘電体層１１の機械的強度が低下するためである。

より好ましくは、断面視における空隙１１ｓの長径を０．１５μｍ以上０．３μｍ以下とするのが好ましい。これにより、誘電体層１１の機械的な品質を高い状態に維持することができる。

更に、誘電体層１１の断面においてＹ安定化ジルコニアの粒子１１ｐが空隙１１ｓと接するのが好ましい。これにより、空隙１１ｓが起点となって誘電体層１１にクラックが生じるのを機械的に強固な粒子１１ｐによって抑えることができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 積層チップ
１１ 誘電体層
１２ 内部電極層
１３ カバー層
１４ 容量領域
１５ エンドマージン
１６ サイドマージン
２０ａ，２０ｂ 外部電極
５０ セラミック保護部
１００ 積層セラミックコンデンサ

Claims (16)

1. 交互に積層された誘電体層と内部電極層とを備え、
   前記誘電体層は、イットリア安定化ジルコニアと、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３（０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのイットリア安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下であることを特徴とするセラミック電子部品。
2. 前記誘電体層は、更にマンガン化合物を含み、
   ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記マンガン化合物の濃度がＭｎＯに換算して０．２モル％以上５．０モル％以下の濃度であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記誘電体層は、更にケイ素化合物を含み、
   ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ケイ素化合物の濃度がＳｉＯ_２に換算して０．５モル％以上５．０モル％以下の濃度であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記誘電体層は、更にホウ素化合物を含み、
   ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ホウ素化合物の濃度が（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％以上１．０モル％以下の濃度であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
5. 前記誘電体層の断面において前記イットリア安定化ジルコニアの粒子が占める面積比率は、１％以上１５％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
6. 前記誘電体層に複数の空隙が形成されており、前記断面において前記空隙が占める総面積は、前記断面において前記イットリア安定化ジルコニアの粒子が占める総面積よりも小さいことを特徴とする請求項５に記載のセラミック電子部品。
7. 前記空隙の長径は、０．１μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載のセラミック電子部品。
8. 前記空隙と前記粒子とが接していることを特徴とする請求項６に記載のセラミック電子部品。
9. 前記誘電体層の厚さは、２μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
10. 前記誘電体層の２５℃における静電容量と１２５℃における静電容量との差による温度係数は、－３００ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下である請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
11. イットリア安定化ジルコニアと、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３（０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのイットリア安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下であることを特徴とする誘電体材料。
12. 更にマンガン化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記マンガン化合物の濃度がＭｎＯに換算して０．２モル％以上５．０モル％以下の濃度であることを特徴とする請求項１１に記載の誘電体材料。
13. 更にケイ素化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ケイ素化合物の濃度がＳｉＯ_２に換算して０．５モル％以上５．０モル％以下の濃度であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の誘電体材料。
14. 更にホウ素化合物を含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときに、前記ホウ素化合物の濃度が（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％以上１．０モル％以下の濃度であることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の誘電体材料。
15. セラミック粉末を含む誘電体グリーンシートと、内部電極形成用の金属導電ペーストとが交互に積層された積層体を作製する工程と、
    前記積層体を焼成する工程とを有し、
    前記セラミック粉末は、イットリア安定化ジルコニアと、主成分の（Ｃａ_ｘ１Ｂａ_ｘ２Ｓｒ_{１－ｘ１－ｘ２}）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１－ｙ）Ｏ_３（０．６≦ｘ_１≦０．９、０≦ｘ_２≦０．１、０≦ｙ≦０．１）とを含み、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときのイットリア安定化ジルコニアの濃度が０．５モル％以上５．０モル％以下であることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
16. 前記セラミック粉末が、ＴｉとＺｒの総量を１００モル％としたときの濃度が（Ｂ_２Ｏ_３）／２に換算して０．２モル％以上１．０モル％以下であり、かつ比表面積が１００ｍ^２／ｇ以上３００ｍ^２／ｇ以下の窒化ホウ素を含むことを特徴とする請求項１５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
    

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