JP2023014105A - 半導体レーザ及び半導体レーザの平坦化のためのプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、2016年5月20日に出願された米国仮特許出願番号第62/339,581号の優先権を主張し、その内容の全体を引用により本明細書に組み入れる。
102、104、106、108、110、204:層
106:活性領域
112、304:金属層
114:ボンディング・パッド
116:ダブテール・リッジ導波路(RWG)
118:開口部
202:ポリマー
302:材料
402:空隙
502:フィクスチャ
602:ヒータ
604:ウェハ
606:蒸発物流
本発明のその他の実施態様を以下に記載する。
〔実施態様1〕
基板と、
前記基板上に配置された活性領域と、
前記活性領域上に配置され、第1の上面及び2つの第1の側面を含む導波路であって、前記第1の上面は前記2つの第1の側面のうちの一つに接合し、導波路において鋭角を形成する、導波路と、
前記導波路の前記2つの第1の側面上に堆積された第1の材料と、
を含むことを特徴とする、レーザ構造体。
〔実施態様2〕
前記第1の上面は、前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、実施態様1に記載のレーザ構造体。
〔実施態様3〕
前記導波路は、前記活性領域上の第2の材料の第1の部分で形成され、
前記第2の材料の第2の部分は、それぞれ前記導波路の前記2つの第1の側面に隣接する2つの第2の上面を含み、
前記2つの第2の上面のうちの一つは、前記2つの第1の側面のそれぞれのうちの一つに接合し、前記導波路において鋭角を形成し、
前記第1の材料は、前記2つの第2の上面上に堆積されることを特徴とする、実施態様1に記載のレーザ構造体。
〔実施態様4〕
前記第2の上面の両方は、前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、実施態様3に記載のレーザ構造体。
〔実施態様5〕
前記第1の材料は、MgO、MgF 2 、SiO 2 、又はSi 3 N 4 のうちの一つであることを特徴とする、実施態様1に記載のレーザ構造体。
〔実施態様6〕
前記第1の材料は、50GHzまでの周波数範囲において10より低い誘電率を有することを特徴とする、実施態様1に記載のレーザ構造体。
〔実施態様7〕
前記第1の材料は、非伝導性であることを特徴とする、実施態様1に記載のレーザ構造体。
〔実施態様8〕
前記第2の材料の第3の部分は、第3の上面及び第2の側面を含み、
前記第3の上面は前記第2の側面に接合し、
前記第2の側面は前記2つの第2の上面のうちの一つに接合し、
前記レーザ構造体は、
前記第3の上面上に配置された第1の接点と、
前記基板上に配置された第2の接点と、
をさらに含み、
前記第1の接点は、電流を前記レーザ構造体に供給することによって、前記レーザ構造体にバイアスをかけるように構成されることを特徴とする、実施態様1に記載のレーザ構造体。
〔実施態様9〕
少なくとも1つのファセットをさらに含むことを特徴とする、実施態様1に記載のレーザ構造体。
〔実施態様10〕
前記少なくとも1つのファセットは、前記活性領域上に形成されることを特徴とする、実施態様9に記載のレーザ構造体。
〔実施態様11〕
基板と、
前記基板上に配置された活性領域と、
前記活性領域上に配置され、第1の上面及び2つの第1の側面を含む導波路であって、前記第1の上面は前記2つの第1の側面に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成する、導波路と、
前記2つの第1の側面に隣接して形成される空隙と、
前記空隙にわたるブリッジとして配置された金属層と、
を含むことを特徴とする、レーザ構造体。
〔実施態様12〕
前記導波路は、前記活性領域上の材料の第1の部分で形成され、
前記材料の第2の部分は、それぞれ前記導波路の前記2つの第1の側面に隣接する2つの第2の上面を含み、
前記第2の上面の両方とも前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、実施態様11に記載のレーザ構造体。
〔実施態様13〕
前記金属層上に配置された第1の接点をさらに含み、
前記第1の接点は、電流を前記レーザ構造体に供給することによって、前記レーザ構造体にバイアスをかけるように構成されることを特徴とする、実施態様11に記載のレーザ構造体。
〔実施態様14〕
少なくとも1つのファセットをさらに含むことを特徴とする、実施態様11に記載のレーザ構造体。
〔実施態様15〕
前記少なくとも1つのファセットは、前記活性領域上に形成されることを特徴とする、実施態様14に記載のレーザ構造体。
〔実施態様16〕
レーザ構造体を製造する方法であって、
基板上に活性領域を配置するステップと、
前記活性領域上に、第1の上面及び2つの第1の側面を含む導波路を配置するステップであって、前記第1の上面は前記2つの第1の側面に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成する、ステップと、
少なくとも前記2つの第1の側面上にポリマーを堆積させるステップと、
前記ポリマー上に少なくとも1つのレジスト層を堆積させるステップと、
前記少なくとも1つのレジスト層上に金属層を堆積させるステップと、
前記堆積されたポリマー及び前記堆積された少なくとも1つのレジスト層を除去するステップと、
を含むことを特徴とする、方法。
〔実施態様17〕
前記導波路は、前記活性領域上の材料の第1の部分で形成され、
前記材料の第2の部分は、それぞれ前記導波路の前記2つの第1の側面に隣接する2つの第2の上面を含み、
前記第2の上面の両方とも前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、実施態様16に記載の方法。
〔実施態様18〕
前記金属層上に第1の接点を配置するステップをさらに含み、
前記第1の接点は、電流を前記レーザ構造体に供給することによって、前記レーザ構造体にバイアスをかけるように構成されることを特徴とする、実施態様16に記載の方法。
〔実施態様19〕
前記活性領域上に少なくとも1つのファセットを形成するステップをさらに含むことを特徴とする、実施態様16に記載の方法。
〔実施態様20〕
前記少なくとも1つのファセットは、エッチングによって形成されることを特徴とする、実施態様19に記載の方法。
〔実施態様21〕
電子ビーム蒸着のためのフィクスチャであって、
レーザ構造体を支持するように構成されたウェハ・プレートと、
蒸着温度で熱を放出するように構成された統合されたヒータと、
を含み、
前記統合されたヒータにより放出される熱は調整可能であり、前記フィクスチャの角度は調整可能であることを特徴とする、フィクスチャ。
〔実施態様22〕
前記ウェハ・プレートは、前記レーザ構造体を蒸発物に対して配向するようにさらに構成されることを特徴とする、実施態様21に記載のフィクスチャ。
〔実施態様23〕
前記レーザ構造体の前記配向により、前記レーザ構造体の少なくとも1つのリッジが前記蒸発物にさらされることを特徴とする、実施態様21に記載のフィクスチャ。
〔実施態様24〕
前記少なくとも1つのレーザ構造体の前記配向は、前記レーザ構造体の少なくとも1つのリッジの角度に基づいて変化することを特徴とする、実施態様21に記載のフィクスチャ。
Claims (24)
- 基板と、
前記基板上に配置された活性領域と、
前記活性領域上に配置され、第1の上面及び2つの第1の側面を含む導波路であって、前記第1の上面は前記2つの第1の側面のうちの一つに接合し、導波路において鋭角を形成する、導波路と、
前記導波路の前記2つの第1の側面上に堆積された第1の材料と、
を含むことを特徴とする、レーザ構造体。 - 前記第1の上面は、前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、請求項1に記載のレーザ構造体。
- 前記導波路は、前記活性領域上の第2の材料の第1の部分で形成され、
前記第2の材料の第2の部分は、それぞれ前記導波路の前記2つの第1の側面に隣接する2つの第2の上面を含み、
前記2つの第2の上面のうちの一つは、前記2つの第1の側面のそれぞれのうちの一つに接合し、前記導波路において鋭角を形成し、
前記第1の材料は、前記2つの第2の上面上に堆積されることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ構造体。 - 前記第2の上面の両方は、前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、請求項3に記載のレーザ構造体。
- 前記第1の材料は、MgO、MgF2、SiO2、又はSi3N4のうちの一つであることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ構造体。
- 前記第1の材料は、50GHzまでの周波数範囲において10より低い誘電率を有することを特徴とする、請求項1に記載のレーザ構造体。
- 前記第1の材料は、非伝導性であることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ構造体。
- 前記第2の材料の第3の部分は、第3の上面及び第2の側面を含み、
前記第3の上面は前記第2の側面に接合し、
前記第2の側面は前記2つの第2の上面のうちの一つに接合し、
前記レーザ構造体は、
前記第3の上面上に配置された第1の接点と、
前記基板上に配置された第2の接点と、
をさらに含み、
前記第1の接点は、電流を前記レーザ構造体に供給することによって、前記レーザ構造体にバイアスをかけるように構成されることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ構造体。 - 少なくとも1つのファセットをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のレーザ構造体。
- 前記少なくとも1つのファセットは、前記活性領域上に形成されることを特徴とする、請求項9に記載のレーザ構造体。
- 基板と、
前記基板上に配置された活性領域と、
前記活性領域上に配置され、第1の上面及び2つの第1の側面を含む導波路であって、前記第1の上面は前記2つの第1の側面に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成する、導波路と、
前記2つの第1の側面に隣接して形成される空隙と、
前記空隙にわたるブリッジとして配置された金属層と、
を含むことを特徴とする、レーザ構造体。 - 前記導波路は、前記活性領域上の材料の第1の部分で形成され、
前記材料の第2の部分は、それぞれ前記導波路の前記2つの第1の側面に隣接する2つの第2の上面を含み、
前記第2の上面の両方とも前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、請求項11に記載のレーザ構造体。 - 前記金属層上に配置された第1の接点をさらに含み、
前記第1の接点は、電流を前記レーザ構造体に供給することによって、前記レーザ構造体にバイアスをかけるように構成されることを特徴とする、請求項11に記載のレーザ構造体。 - 少なくとも1つのファセットをさらに含むことを特徴とする、請求項11に記載のレーザ構造体。
- 前記少なくとも1つのファセットは、前記活性領域上に形成されることを特徴とする、請求項14に記載のレーザ構造体。
- レーザ構造体を製造する方法であって、
基板上に活性領域を配置するステップと、
前記活性領域上に、第1の上面及び2つの第1の側面を含む導波路を配置するステップであって、前記第1の上面は前記2つの第1の側面に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成する、ステップと、
少なくとも前記2つの第1の側面上にポリマーを堆積させるステップと、
前記ポリマー上に少なくとも1つのレジスト層を堆積させるステップと、
前記少なくとも1つのレジスト層上に金属層を堆積させるステップと、
前記堆積されたポリマー及び前記堆積された少なくとも1つのレジスト層を除去するステップと、
を含むことを特徴とする、方法。 - 前記導波路は、前記活性領域上の材料の第1の部分で形成され、
前記材料の第2の部分は、それぞれ前記導波路の前記2つの第1の側面に隣接する2つの第2の上面を含み、
前記第2の上面の両方とも前記2つの第1の側面の両方に接合し、前記導波路において2つの鋭角を形成することを特徴とする、請求項16に記載の方法。 - 前記金属層上に第1の接点を配置するステップをさらに含み、
前記第1の接点は、電流を前記レーザ構造体に供給することによって、前記レーザ構造体にバイアスをかけるように構成されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。 - 前記活性領域上に少なくとも1つのファセットを形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのファセットは、エッチングによって形成されることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
- 電子ビーム蒸着のためのフィクスチャであって、
レーザ構造体を支持するように構成されたウェハ・プレートと、
蒸着温度で熱を放出するように構成された統合されたヒータと、
を含み、
前記統合されたヒータにより放出される熱は調整可能であり、前記フィクスチャの角度は調整可能であることを特徴とする、フィクスチャ。 - 前記ウェハ・プレートは、前記レーザ構造体を蒸発物に対して配向するようにさらに構成されることを特徴とする、請求項21に記載のフィクスチャ。
- 前記レーザ構造体の前記配向により、前記レーザ構造体の少なくとも1つのリッジが前記蒸発物にさらされることを特徴とする、請求項21に記載のフィクスチャ。
- 前記少なくとも1つのレーザ構造体の前記配向は、前記レーザ構造体の少なくとも1つのリッジの角度に基づいて変化することを特徴とする、請求項21に記載のフィクスチャ。
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