JP2023007440A - 返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置 - Google Patents

返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023007440A
JP2023007440A JP2022098667A JP2022098667A JP2023007440A JP 2023007440 A JP2023007440 A JP 2023007440A JP 2022098667 A JP2022098667 A JP 2022098667A JP 2022098667 A JP2022098667 A JP 2022098667A JP 2023007440 A JP2023007440 A JP 2023007440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
return
substrate
hand
plate
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022098667A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7450666B2 (ja
Inventor
ビン チョン,ス
Su Bin Jeon
ヒョン ソン,ドク
Duk Hyun Son
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of JP2023007440A publication Critical patent/JP2023007440A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7450666B2 publication Critical patent/JP7450666B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095Manipulators transporting wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/0014Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/009Gripping heads and other end effectors with pins for accurately positioning the object on the gripping head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642Focus rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】基板処理装置及び返送アセンブリーを提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれる第1ハンドを有する第1返送ロボット242を有する常圧移送モジュール、基板が置かれる第2ハンドを有する第2返送ロボットを有する真空移送モジュール、常圧移送モジュールと真空移送モジュールの間に配置され、雰囲気圧力を転換可能なロードロックチャンバ、真空移送モジュールに結合され、基板を処理する工程チャンバ及び工程チャンバに提供されるリング部材Rの返送のために第1返送ロボット又は第2返送ロボットによって支持可能であり、リング部材を支持するリングキャリアを含む。リングキャリアは,リング部材が置かれるプレート620及びプレートの下面から突き出し、第1ハンドまたは第2ハンド上に置かれるように提供される少なくとも一つ以上のレッグ(パッド662)を含む。【選択図】図13

Description

本発明は、返送アセンブリー及び基板を処理する装置に関するものであり、より詳細には、基板及びリング部材を返送する返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置に関するものである。
プラズマはイオンやラジカル、そして、電子などでなされたイオン化されたガス状態を言う。プラズマは非常に高い温度、強い電界、または高周波電子系(RF Electromagnetic Fields)によって生成される。半導体素子製造工程はプラズマを利用してウェハーなどの基板上に形成された薄膜を除去するエッチング工程(Etching Process)を含むことができる。エッチング工程はプラズマのイオン及び/またはラジカルらが基板上の薄膜と衝突するか、または、薄膜と応じて遂行される。
プラズマを利用して基板を処理する装置は、工程チャンバ、工程チャンバ内で基板を支持する支持アセンブリー、そして、基板を処理するガスからプラズマを生成するプラズマソースを有する。支持アセンブリーは静電気力で基板を固定する静電チャックと静電チャックに安着された基板の外周を取り囲むフォーカスリングを含む。フォーカスリングは基板表面上でプラズマを均一性高く分布させる。基板に対するエッチングが繰り返し的に行われれば、フォーカスリングも共にエッチングされ、これによりフォーカスリングの形状は徐徐に変化される。このようなフォーカスリングの形状変化によってイオン及び/またはラジカルが基板に入射する方向が変化されて基板に対するエッチング特性が変化される。よって、基板に対するエッチング処理が繰り返し遂行される場合、またはフォーカスリングの形状が変化されて許容範囲の外にある場合にはフォーカスリングに対する交替が必要である。
一般に、フォーカスリングの交替は作業者が工程チャンバをオープンし、オープンされた工程チャンバで使用されたフォーカスリングを取り出し、未使用フォーカスリングを工程チャンバに装着することでなされる。しかし、このような交替方式は作業時間がたくさん所要されるだけでなく、工程チャンバ内にパーティクル(Particle)が流入される可能性が高い。これに、最近には基板処理装置の返送ロボットが使用されたフォーカスリングを工程チャンバに搬出してリングポッド(Ring Pod)に搬入し、以後返送ロボットがリングポッドで新規フォーカスリングを搬出して工程チャンバに搬入する交替方式を使用する。
フォーカスリングの返送は基板を返送する返送ロボットが遂行することができる。また、フォーカスリングはリングキャリアを使用して返送ロボットによって返送されることができる。リングキャリアを利用してフォーカスリングを返送する場合、基板を支持するためのパッドがリングキャリアによって汚染されることがある。これにより、基板を返送する途中基板に汚染を転嫁する問題が発生する。これは基板処理工程の不良率上昇に帰結される。また、基板上に安着されるリングキャリアが搖れる場合リングキャリアに安着されたフォーカスリングが滑るか、またはよしれる問題が惹起される。これは工程チャンバ内のフォーカスリングの装着位置が変わってフォーカスリングが工程チャンバに適切に装着されることができることができない。
韓国特許第10-2090278
本発明は、リング部材を安定的に返送することができる返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は返送ハンドの構造を変更しないで、リング部材の返送のために使用されるリングキャリアを安定に返送することができる返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はリング部材を返送する時、リング部材の返送のために使用されるリングキャリアが返送ハンド上で滑るか、または位置がよしれることを最小化することができる返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はリングキャリアと基板を同一な返送ハンドを使用して返送する時、基板を支持するパッドがリングキャリアによって汚染することを最小化することができる返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から通常の技術者が明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板が置かれる第1ハンドを有する第1返送ロボットが提供された常圧移送モジュール、基板が置かれる第2ハンドを有する第2返送ロボットが提供された真空移送モジュール、前記常圧移送モジュールと前記真空移送モジュールの間に配置され、内部空間が常圧雰囲気と真空雰囲気との間に転換可能なロードロックチャンバ、前記真空移送モジュールに結合され、基板を処理する工程チャンバ及び前記工程チャンバに提供されるリング部材の返送のために前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットによって支持可能であり、前記リング部材を支持するリングキャリアを含むが、前記リングキャリアは前記リング部材が置かれるプレート及び前記プレートの下面から突き出され、前記第1ハンドまたは前記第2ハンド上に置かれるように提供される少なくとも一つ以上のレッグを含むことができる。
一実施例によれば、前記レッグはパッドで提供されることができる。
一実施例によれば、前記第1ハンドまたは前記第2ハンドの上面には基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、前記パッドは前記リングキャリアが前記第1ハンドまたは前記第2ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔される高さで提供されることができる。
一実施例によれば、前記パッドと前記基板支持パッドは前記第1返送ロボットまたは、前記第2返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることができる。
一実施例によれば、前記パッドは円柱形状で提供されることができる。
一実施例によれば、前記レッグはピンで提供され、前記第1ハンドまたは前記第2ハンドの上面には基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、前記ピンの一端が挿入されるホールがさらに形成されることができる。
一実施例によれば、前記ピンは前記リングキャリアが前記第1ハンドまたは前記第2ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔される高さで提供されることができる。
一実施例によれば、前記ピンと前記基板支持パッドは前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることができる。
一実施例によれば、前記ピンはその底面が下にふくらんでいる円柱形状で提供されることができる。
一実施例によれば、前記プレートは円形の板形状で提供されることができる。
一実施例によれば、前記ロードロックチャンバは基板または前記リング部材を支持する複数の支持棚を含み、前記プレートの縁領域には複数のノッチらが前記プレートを貫通して形成され、前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットが前記複数の支持棚の上側位置から下側位置に移動される時、前記リングキャリアに支持された前記リング部材は前記支持棚に安着され、前記複数のノッチらは前記リングキャリアが前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットと共に移動されるように前記複数の支持棚と整列される位置に提供されることができる。
本発明は、リング部材を返送することに使用されるリングキャリアを返送する返送アセンブリーを提供する。返送アセンブリーはリング部材を支持するリングキャリア及び基板及び前記リングキャリアを選択的に返送する返送ハンドを有する返送ロボットを含むが、前記リングキャリアは前記リング部材が置かれるプレート及び前記プレートの下面から突き出され、前記返送ハンド上に置かれるように提供される少なくとも一つ以上のレッグを含むことができる。
一実施例によれば、前記レッグはパッドで提供されることができる。
一実施例によれば、前記返送ハンドの上面には基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、前記パッドは前記リングキャリアが前記返送ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔高さを有するように提供されることができる。
一実施例によれば、前記パッドと前記基板支持パッドは前記返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに重畳されない位置に配置されることができる。
一実施例によれば、前記レッグはピンで提供され、前記返送ハンドの上面には基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、前記ピンの一端が挿入されるホールがさらに形成され、前記ピンは前記リングキャリアが前記返送ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔される高さで提供され、前記ピンと前記基板支持パッドは前記返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることができる。
一実施例によれば、前記プレートは円形の板形状で提供されることができる。
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板、リングキャリア、またはリング部材が収納される容器が置かれるロードポート、内部が大気圧雰囲気で維持され、返送ロボットが提供されるインデックスチャンバ、内部が大気圧、そして、真空圧の間に変換可能なロードロックチャンバ及び前記ロードポート、前記ロードロックチャンバ、そして、前記インデックスチャンバの間にリング部材返送時使用されるリングキャリアを含むが、前記返送ロボットは基板、そして、前記リングキャリアを選択的に返送する返送ハンド及び基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドを含み、前記ロードロックチャンバは基板または前記リング部材を支持する複数の支持棚を含み、前記リングキャリアは前記リング部材が置かれるプレート及び前記プレートの下面から突き出され、返送ハンド上に置かれるように提供される少なくとも一つ以上のレッグを含むが、前記プレートの縁領域には複数のノッチらが前記プレートを貫通して形成され、前記ノッチらは上部から眺める時、それぞれ前記支持棚らと重畳される位置に形成され、前記返送ロボットが前記リングキャリアを利用して前記リング部材を返送する時、前記リングキャリアと前記リング部材のうちで前記リング部材が前記支持棚に安着され、前記レッグは前記リングキャリアが前記返送ハンド上に置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔される高さで提供され、前記レッグと前記基板支持パッドは前記返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることができる。
一実施例によれば、前記レッグはパッドで提供されることができる。
一実施例によれば、前記レッグはピンで提供され、前記返送ロボットの上面には前記ピンの一端が挿入されるホールがさらに形成されることができる。
本発明の一実施例によれば、基板、そして、リング部材を安定的に返送することができる。
また、本発明の一実施例によれば、リング部材を返送する時、リング部材の返送のために使用されるリングキャリアが返送ハンド上で滑るか、または位置がよしれることを最小化することができる。
また、本発明の一実施例によれば、リング部材を返送する時、リング部材の返送のために使用されるリングキャリアが返送ハンド上で滑るか、または位置がよしれることを最小化することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。 図1の第1返送ハンドの姿を概略的に見せてくれる図面である。 図1の第2返送ハンドの姿を概略的に見せてくれる図面である。 図1のロードロックチャンバの姿を見せてくれる平断面図である。 図4の支持棚に基板が置かれた姿を見せてくれる図面である。 図4の支持棚にリング部材が置かれた姿を見せてくれる図面である。 図6の支持棚でリングキャリアがロードロックチャンバから搬出される姿を見せてくれる図面である。 図1の工程チャンバに対する一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 リング部材を返送することに使用されるリングキャリアの一実施例を概略的に見せてくれる斜視図である。 図9のリングキャリアの下面に対する平面図である。 図9のリングキャリアの正面図である。 図2の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を概略的に見せてくれる図面である。 図12の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を正面で一部を拡大して眺めた図面である。 図1の第1返送ハンドに対する他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。 リング部材を返送することに使用されるリングキャリアの他の実施例に対する正面図である。 図14の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を概略的に見せてくれる図面である。 図14の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を正面で一部を拡大して眺めた図面である。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されるものとして解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
以下では、図1乃至図17を参照して本発明の実施例に対して詳しく説明する。
図1は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。図1を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置1はロードポート10、常圧移送モジュール20、真空移送モジュール30、ロードロックチャンバ40、工程チャンバ50、そして、リングキャリア60を含むことができる。
ロードポート10は後述する常圧移送モジュール20の一側に配置されることができる。ロードポート10は一つまたは複数個が提供されることができる。ロードポート10の個数は工程効率及びフットプリント条件などによって増加するか、または減少することができる。本発明の一実施例による容器(F)はロードポート10に置かれることができる。容器(F)は天井移送装置(Overhead Transfer Apparatus:OHT)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート10にローディングされるか、またはロードポート10でアンローディングされることができる。容器(F)は収納される物品の種類によって多様な種類の容器を含むことができる。容器(F)は前面開放一体型ポッド(Front Opening Unifed Pod:FOUP)のような密閉用容器が使用されることができる。
容器(F)内には多様な物品が収納されることができる。容器(F)は収納される物品の種類によって多様な種類の容器を含むことができる。例えば、容器(F)らのうちで何れか一つの第1容器(F1)内には、基板処理装置1で処理される被処理物が収納されることができる。被処理物はウェハーのような基板(W)であることがある。第1容器(F1)には基板(W)が安着される支持スロット(F11)が提供されることができる。また、容器(F)らのうちで他のひとつの第2容器(F2)内には、基板処理装置1に装着されて交替が必要なリング部材(R)が収納されることができる。リング部材(R)は後述する工程チャンバ50で設置されるフォーカスリングや誘電体リングであることができる。第2容器(F2)にはリング部材(R)が安着される支持スロット(F21)が提供されることができる。選択的に、第2容器(F2)内にはリング部材(R)とリングキャリア60が収納されることができる。第2容器(F2)にはリングキャリア60が安着される支持スロット(F22)が提供されることができる。リング部材(R)の外周直径は、基板(W)の外周直径より大きい直径を有することができる。これに、第2容器(F2)内の空間は第1容器(F1)内の空間より少し大きい体積を有することができる。
常圧移送モジュール20と真空移送モジュール30は第1方向2に沿って配列されることができる。以下では、上部から眺める時、第1方向2と垂直な方向を第2方向4で定義する。また、第1方向2と第2方向4をすべて含んだ平面に垂直な方向を第3方向6で定義する。ここで、第3方向6は地面に対して垂直な方向である。
常圧移送モジュール20は容器(F)と後述するロードロックチャンバ40の間に基板(W)またはリング部材(R)を選択的に返送することができる。例えば、常圧移送モジュール20は容器(F)から基板(W)を引き出してロードロックチャンバ40に返送するか、または、ロードロックチャンバ40から基板(W)を引き出して容器(F)に返送することができる。常圧移送モジュール20は返送フレーム220と第1返送ロボット240を含むことができる。返送フレーム220はロードポート10とロードロックチャンバ40との間に提供されることができる。すなわち、返送フレーム220にはロードポート10が接続されることができる。返送フレーム220は内部が常圧で提供されることができる。返送フレーム220は内部が大気圧雰囲気で維持されることができる。
返送フレーム220には第1返送ロボット240が提供されることができる。第1返送ロボット240はロードポート10に安着された容器(F)と後述するロードロックチャンバ40の間で基板(W)またはリング部材(R)を選択的に返送することができる。
第1返送ロボット240は垂直方向に移動することができる。第1返送ロボット240は水平面上で前進、後進または回転する第1返送ハンド242を有することができる。第1返送ロボット240の第1返送ハンド242は一つまたは複数個で提供されることができる。第1返送ハンド242上に基板(W)が置かれることができる。選択的に、第1返送ハンド242上にリング部材(R)を支持する後述するリングキャリア60が置かれることができる。第1返送ロボット240、そして、リング部材(R)を支持するリングキャリア60は容器(F)、常圧移送モジュール20、そして、後述するロードロックチャンバ40の間にリング部材(R)を返送する返送アセンブリーで定義することができる。
図2は、図1の第1返送ハンドの姿を概略的に見せてくれる図面である。図2を参照すれば、第1返送ハンド242の上面には少なくとも一つ以上の基板支持パッド244が提供されることができる。例えば、基板支持パッド244は3個が提供され、第1返送ハンド242に置かれる基板を3点で支持することができる。基板支持パッド244は第1返送ハンド242に置かれる基板(W)のスライドを防止することができる。基板支持パッド244らは上部から眺める時、一半径を有する仮想の円の円周方向に沿って配列されることができる。基板支持パッド244は概して円板形状で提供されることができる。基板支持パッド244内部には図示されない真空吸着ホールが形成されることができる。基板支持パッド244は基板(W)を真空で吸着して基板(W)を返送することができる。
再び図1を参照すれば、真空移送モジュール30は後述するロードロックチャンバ40、そして、後述する工程チャンバ50の間に配置されることができる。真空移送モジュール30はトランスファーチャンバ320、そして、第2返送ロボット340を含むことができる。
トランスファーチャンバ320は内部雰囲気が真空圧雰囲気で維持されることができる。トランスファーチャンバ320には第2返送ロボット340が提供されることができる。一例で、第2返送ロボット340はトランスファーチャンバ320の中央部に位置されることができる。第2返送ロボット340はロードロックチャンバ40と工程チャンバ50との間に基板(W)またはリング部材(R)を選択的に返送することができる。選択的に、真空移送モジュール30は工程チャンバ50らの間に基板(W)を返送することができる。第2返送ロボット340は水平、垂直方向に移動することができる。第2返送ロボット340は水平面上で前進、後進または回転をする第2返送ハンド342を有することができる。第2返送ロボット340の第2返送ハンド342は少なくとも一つ以上に提供されることができる。
図3は、図1の第2返送ハンドの姿を見せてくれる図面である。図3を参照すれば、第2返送ハンド342は第1返送ハンド242より相対的に大きい大きさを有することができる。第2返送ハンド342の上面には一対の第1返送パッド342a、一対の第2返送パッド342bを一対の第3返送パッド342c、そして、一対の第4返送パッド342dが提供されることができる。第2返送パッド342b及び第3返送パッド342cは第1返送パッド342a及び第4返送パッド342dの間に配置されることができる。第2返送パッド342b及び第3返送パッド342cは上部から眺める時、基板(W)の外周より内側に配置されることができる。これによって、第2返送パッド342b及び第3返送パッド342cは基板(W)を支持することができる。第1返送パッド342a及び第4返送パッド342dは上部から眺める時、基板(W)の外周及びリング部材(R)の内周より外側に配置されるが、リング部材(R)の外周よりは内側に配置されることができる。これによって、第1返送パッド342a及び第4返送パッド342dはリング部材(R)を支持することができる。
再び図1を参照すれば、トランスファーチャンバ320には少なくとも一つ以上の後述する工程チャンバ50が接続されることができる。トランスファーチャンバ320は多角形の形状で提供されることができる。トランスファーチャンバ320のまわりにはロードロックチャンバ40、そして、工程チャンバ50が配置されることができる。一例で、図1のように、真空移送モジュール30の中央部に六角形形状のトランスファーチャンバ320が配置され、そのまわりにロードロックチャンバ40、そして、工程チャンバ50が配置されることができる。但し、トランスファーチャンバ320の形状及び工程チャンバの数は使用者の必要によって、多様に変形されて提供されることができる。
ロードロックチャンバ40は返送フレーム220、そして、トランスファーチャンバ320の間に配置されることができる。ロードロックチャンバ40は返送フレーム220とトランスファーチャンバ320との間に基板(W)またはリング部材(R)が交換されるバッファー空間(B)を提供する。一例で、工程チャンバ50に配置されたリング部材(R)の交替のために、ロードロックチャンバ40には工程チャンバ50で使用されたリング部材(R)が一時的にとどまることができる。一例で、工程チャンバ50で交替が予定された新しいリング部材(R)の返送のために、ロードロックチャンバ40には新しいリング部材(R)が一時的にとどまることができる。
前述したように、返送フレーム220は内部雰囲気が大気圧雰囲気で維持されることができるし、トランスファーチャンバ320は内部雰囲気が真空圧雰囲気で維持されることができる。ロードロックチャンバ40は返送フレーム220とそしてトランスファーチャンバ320の間に配置され、その内部雰囲気が大気圧雰囲気と真空圧雰囲気との間で転換されることができる。
図4は、図1のロードロックチャンバの姿を見せてくれる平断面図である。図5は図4の支持棚に基板が置かれた姿を見せてくれる図面である。図6は図4の支持棚にリング部材が置かれた姿を見せてくれる図面である。図7は、図6の支持棚でリングキャリアがロードロックチャンバから搬出される姿を見せてくれる図面である。
図4乃至図7を参照すれば、ロードロックチャンバ40はハウジング420と支持棚440を含むことができる。ハウジング420は基板(W)またはリング部材(R)が置かれる内部空間を有することができる。ハウジング420は返送フレーム220とトランスファーチャンバ320との間に配置されることができる。また、ハウジング420には第1開口422及び第2開口423が形成されることができる。第1開口422は返送フレーム220と見合わせる面に提供され、ゲートバルブ(図示せず)によって開閉されることができる。第2開口423はトランスファーチャンバ320と見合わせる面に提供され、ゲートバルブ(図示せず)によって開閉されることができる。
ハウジング420にはハウジング420の内部空間421にガスを供給するガス供給ホール424が形成されることができる。ガスは不活性ガスであることができる。例えば、ガスは窒素、アルゴンなどを含むガスであることができる。但し、これに限定されるものではなくて、ガスは公知された不活性ガスで多様に変形されて提供されることができる。
ハウジング420にはハウジング420の内部空間421を減圧する減圧ホール425が形成されることができる。減圧ホール425は減圧部材(図示せず)と連結されることができる。減圧部材はポンプであることができる。但し、これに限定されないで、減圧部材は内部空間421を減圧させる公知された装置で多様に変形されることができる。
ハウジング420にガス供給ホール424、そして、減圧ホール425が形成されることによって、ハウジング420の内部空間の圧力は大気圧、そして、真空圧の間で転換されることができる。
内部空間421には支持棚440が提供されることができる。支持棚440は内部空間421で基板(W)またはリング部材(R)を支持することができる。支持棚440は少なくとも一つ以上が提供されることができる。選択的に、支持棚440は複数で提供されることができる。例えば、支持棚440は3個が提供されることができる。複数の支持棚440は上部から眺める時、お互いに離隔されて提供されることができる。複数の支持棚440はお互いに上下に離隔されることができる。これにより、内部空間421から基板(W)またはリング部材(R)を多層で支持することができる。
それぞれの支持棚440は支持突起442を具備することができる。支持突起442は上部から眺める時、後述するリングキャリア60に形成されたノッチ621と整列される位置に配置されることができる。支持突起442はその断面から眺める時、概して‘¬'形状を有することができる。支持突起442は第1棚パッド444、そして、第2棚パッド446を含むことができる。
第1棚パッド444、そして、第2棚パッド446は基板(W)またはリング部材(R)に対して摩擦性を有する材質で提供されることができる。例えば、第1棚パッド444と第2棚パッド446は炭素充填されたポリエーテルエーテルケトン(Poly-Ether-Ether-Ketone:PEEK)のような材質で提供されることができる。しかし、第1棚パッド444と第2棚パッド446の材質でPEEKが利用されることは一例示に過ぎなくて、これと類似な性質を有する公知された他の材質で多様に変形されることができる。
第1棚パッド444は上部から眺める時、概してその長さ方向が弧(arc)形状を有することができる。第1棚パッド444は第2棚パッド446より減圧ホール425に隣接するように配置されることができる。第1棚パッド444は上部から眺める時、基板(W)の外周より内側に配置されることができる。これにより、図5のように、第1棚パッド444は基板(W)とリング部材(R)のうちで基板(W)を支持することができる。
第2棚パッド446は上部から眺める時、概してその長さ方向が弧(arc)形状を有することができる。第2棚パッド446は第1棚パッド444より減圧ホール425から遠く配置されることができる。第2棚パッド446は上部から眺める時、基板(W)の外周、そして、リング部材(R)の内周より外側に配置されるが、リング部材(R)の外周よりは内側に配置されることができる。これにより、第2棚パッド446は基板(W)とリング部材(R)のうちでリング部材(R)を支持することができる。
上部から眺める時、複数の支持突起442はリングキャリア60に形成された複数のノッチ621らとお互いに整列される位置に配置される。これに、図6に示されたようにリング部材(R)が置かれたリングキャリア60は第1返送ハンド242によってロードロックチャンバ40内の支持突起442より高い位置に搬入し、第1返送ハンド242が下の方向に移動すればリング部材(R)は支持突起442に置かれて、リングキャリア60は第1返送ハンド242に置かれた状態で下の方向に移動されることができる。以後、図7に示されたように、第1返送ハンド242が後進する。
再び図1を参照すれば、トランスファーチャンバ320は少なくとも一つ以上の工程チャンバ50が接続されることができる。工程チャンバ50は複数個で提供されることができる。工程チャンバ50は基板(W)に対して工程を遂行するチャンバであることがある。工程チャンバ50はプラズマを利用して基板(W)を処理するプラズマチャンバであることができる。例えば、工程チャンバ50はプラズマを利用して基板(W)上の薄膜を除去するエッチング(Etching)工程、フォトレジスト膜を除去するアッシング(Ashing)工程、基板(W)上に薄膜を形成する蒸着工程、またはドライクリーニング工程を遂行するチャンバであることができる。但し、これに限定されないで、工程チャンバ50で遂行するプラズマ処理工程は公知されたプラズマ処理工程で多様に変形されることができる。
図8は、図1の工程チャンバに対する一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図8を参照すれば、工程チャンバ50は基板(W)にプラズマを伝達して基板(W)を処理することができる。工程チャンバ50はハウジング510、支持ユニット520、ガス供給ユニット530、そして、プラズマソース540を含むことができる。
ハウジング510は内部に基板処理空間が遂行される処理空間を提供する。ハウジング510は密閉された形状で提供されることができる。基板(W)を処理する時、ハウジング510の処理空間は概して真空雰囲気で維持されることができる。ハウジング510は金属材質で提供されることができる。一例で、ハウジング510はアルミニウム材質で提供されることができる。ハウジング510は接地されることができる。ハウジング510の一側には基板(W)、そして、リング部材(R)が搬入または搬出される搬入口512が形成されることができる。搬入口512はゲートバルブ514によって選択的に開閉されることができる。
ハウジング510の底面には排気ホール516が形成されることができる。排気ライン560は排気ホール516に連結されることができる。排気ライン560は排気ホール516を通じてハウジング510の処理空間に供給された工程ガス、工程副産物などをハウジング510の外部に排気することができる。排気ホール516の上部には処理空間に対する排気がより均一になされるようにする排気バッフル552が提供されることができる。排気バッフル552は上部から眺める時、概してリング形状を有することができる。また、排気バッフル552には少なくとも一つ以上のホールが形成されることができる。
ハウジング510の壁にはヒーター518が提供される。ヒーター518はハウジング510の壁を加熱する。ヒーター518は加熱電源(図示せず)と電気的に連結される。ヒーター518は加熱電源(図示せず)で印加された電流に抵抗することで熱を発生させる。ヒーター518で発生された熱は処理空間に伝達されて処理空間を所定温度で維持させる。ヒーター518はコイル形状の熱線で提供されることができる。ヒーター518はハウジング510の壁に複数個が提供されることができる。
支持ユニット520はハウジング510の内部に位置する。支持ユニット520はハウジング510の底面から上部に離隔されて提供されることができる。支持ユニット520は基板(W)を支持する。支持ユニット520は静電気力(electrostatic force)を利用して基板(W)を吸着する静電チャックを含む。これと異なり、支持ユニット520は真空吸着方式または機械的クランピングのような多様な方式で基板(W)を支持することができる。以下では、静電チャックを含む支持ユニット520に対して説明する。
支持ユニット520は誘電板521、冷却板522、絶縁板523、そして、下部ボディー524を含むことができる。誘電板521は支持ユニット520の上端部に位置する。誘電板521は外部の電源の供給を受けて基板(W)に対して静電気力を作用する。誘電板521は円板形状の誘電体(dielectric substance)で提供されることができる。誘電板521の上面には基板(W)が置かれる。誘電板521の上面は基板(W)より小さな半径を有する。基板(W)が誘電板521上面に置かれる時、基板(W)の縁領域は誘電板521の外側に位置する。誘電板521内には電極525とヒーター526が埋設される。電極525はヒーター526の上部に位置することができる。
電極525は第1電源525aと電気的に連結される。第1電源525aは直流電源を含むことができる。電極525と第1電源525aの間にはスイッチ525bが設置される。電極525はスイッチ525bのオン/オフによって第1電源525aと電気的に連結されることができる。スイッチ525bがオン(ON)になれば、電極525には直流電流が印加される。電極525に印加された電流によって電極525と基板(W)との間には静電気力が作用する。これによって、基板(W)は誘電板521に吸着される。
ヒーター526は第2電源526aと電気的に連結される。ヒーター526は第2電源526aで印加された電流に抵抗することで熱を発生させる。発生された熱は誘電板521を通じて基板(W)に伝達される。ヒーター526で発生された熱によって基板(W)は所定の温度で維持されることができる。ヒーター526は螺旋形状のコイルを含むことができる。ヒーター526は複数個が提供される。ヒーター526は誘電板521のお互いに異なる領域にそれぞれ提供されることができる。例えば、誘電板521の中央領域を加熱するヒーター526と誘電板521との縁領域を加熱するヒーター526がそれぞれ提供されることができるし、これらヒーター526らはお互いの間に独立的に制御されることができる。
前述した例では誘電板521内にヒーター526が提供されることで説明したが、これに限定されないで、誘電板521内にヒーター526が提供されないこともある。
冷却板522は誘電板521の下部に位置する。冷却板522は円板形状で提供されることができる。冷却板522は導電性材質で提供されることができる。一例で、冷却板522はアルミニウム材質で提供されることができる。冷却板522の上部中心領域は誘電板521の底面と相応する面積を有することができる。
冷却板522の内部には上部流路522aが提供されることができる。上部流路522aは冷却板522内部に螺旋形成で形成されることができる。上部流路522aは冷却板522を冷却することができる。上部流路522aには冷却流体が供給されることができる。一例で、冷却流体は冷却水で提供されることができる。
冷却板522は金属板を含むことができる。一例によれば、冷却板522の全領域が金属板で提供されることができる。冷却板522は第3電源522bと電気的に連結されることができる。第3電源525bは高周波電力を発生させる高周波電源で提供されることができる。高周波電源はRF電源で提供されることができる。RF電源はハイバイアスパワーアルエプ(High Bias Power RF)電源で提供されることができる。冷却板522は第3電源525bから高周波電力の印加を受ける。これにより、冷却板522は電極として機能することができる。冷却板522は接地されて提供されることができる。
冷却板522の下部には絶縁板523が提供される。絶縁板523は絶縁材質で提供され、冷却板522と後述する下部ボディー524を電気的に絶縁させる。絶縁板523は上部から眺める時、円形の板形状で提供されることができる。絶縁板523は冷却板522と相応する面積で提供されることができる。
下部ボディー524は冷却板522の下部に提供される。下部ボディー524は絶縁板523の下部に提供されることができる。下部ボディー524は上部から眺める時、リング形状で提供されることができる。下部ボディー524の内部空間には後述する第1リフトピンモジュール570と後述する第2リフトピンモジュール580が位置することができる。
下部ボディー524は連結部材524bを有する。連結部材524bは下部ボディー524の外側面とハウジング510の内側壁を連結する。連結部材524bは下部ボディー524の外側面に一定な間隔で複数個提供されることができる。連結部材524bは支持ユニット520をハウジング510の内部で支持する。また、連結部材524bはハウジング510の内側壁と連結されることで、下部ボディー524が電気的に接地(Grounding)されるようにする。第1電源525aと連結される第1電源ライン525c、第2電源526aと連結される第2電源ライン526c、第3電源と連結される第3電源ライン522c、上部流路522aと連結される第1流体供給ライン522d、そして、下部流路524aと連結される第2流体供給ライン524dなどは連結部材524bの内部空間を通じてハウジング510の外部に延長される。
リング部材(R)は支持ユニット520の縁領域に配置される。リング部材(R)は上部から眺める時、リング形状を有することができる。リング部材(R)は内側上面の高さが外側上面の高さよりさらに低い形状を有することができる。リング部材(R)の内側上面には基板(W)の縁領域の下面が置かれることができる。また、リング部材(R)は内側上面と外側上面との間に基板(W)の中心から基板(W)の外側を向ける方向に上向き傾いた傾斜面を有することができる。これにより、基板(W)がリング部材(R)の内側上面に置かれる時、置かれる位置が少し不正確であっても、基板(W)がリング部材(R)の傾斜面に沿ってスライディングされてリング部材(R)の内側上面に適切に置かれることができる。
ガス供給ユニット530はハウジング510の処理空間に工程ガスを供給する。ガス供給ユニット530はガス供給ノズル532、ガス供給ライン534、ガス貯蔵部536を含むことができる。ガス供給ノズル532はハウジング510の上面中央部に設置されることができる。ガス供給ノズル532の底面には噴射口が形成される。噴射口はハウジング510内部で工程ガスを供給する。ガス供給ライン534はガス供給ノズル532とガス貯蔵部536を連結する。ガス供給ライン534はガス貯蔵部536に貯蔵された工程ガスをガス供給ノズル532に供給する。ガス供給ライン534にはバルブ538が設置される。バルブ538はガス供給ライン534を開閉し、ガス供給ライン534を通じて供給される工程ガスの流量を調節することができる。
プラズマソース540はハウジング510内の工程ガスをプラズマ状態で励起させる。本発明の実施例では、プラズマソースで容量結合型プラズマ(Capacitively Coupled Plasma:CCP)が使用される。容量結合型プラズマソースはハウジング510内部に上部電極及び下部電極を含むことができる。上部電極及び下部電極はハウジング510内部でお互いに平行に上下に配置されることができる。両電極のうちで何れか一つの電極は高周波電力を印加し、他の電極は接地されることができる。両電極の間の空間には電磁気場が形成され、この空間に供給される工程ガスはプラズマ状態で励起されることができる。プラズマを利用して基板処理工程が遂行される。一例によれば、上部電極は後述するシャワーヘッドユニット590で提供され、下部電極は上述した金属板で提供されることができる。下部電極には高周波電力が印加され、上部電極は接地されることができる。これと異なり、上部電極と下部電極にそれぞれ高周波電力が印加されることができる。これにより、上部電極と下部電極との間に電磁気場が発生される。発生された電磁気場はハウジング510内部に提供された工程ガスをプラズマ状態で励起させる。
第1リフトピンモジュール570は誘電板521の上面に置かれるリング部材(R)を昇降させることができる。第1リフトピンモジュール570は第1リフトピン572、そして、第1ピン駆動部574を含むことができる。第1リフトピン572は誘電板521、冷却板522、及び/または絶縁板523に形成されたピンホールに沿って上下方向に移動することができる。第1リフトピン572は複数で提供されることができる。第1リフトピン572は上部から眺める時、ヒーター526及び上部流路522aと重畳されないように配置されることができる。第1ピン駆動部574は第1リフトピン572を上下方向に移動させることができる。第1ピン駆動部574は複数で提供されることができる。第1ピン駆動部574は空圧または油圧を利用したシリンダーまたはモータであることができる。但し、これに限定されないで、第1ピン駆動部574は駆動力を提供することができる多様な公知された装置で提供されることができる。
第2リフトピンモジュール580は基板(W)を昇降させることができる。第2リフトピンモジュール580は第2リフトピン582、昇降プレート584、そして、第2ピン駆動部586を含むことができる。第2リフトピン582は昇降プレート584に結合されることができる。昇降プレート584は第2ピン駆動部586によって上下方向に移動されることができる。
シャワーヘッドユニット590はシャワーヘッド592、ガス噴射板594、そして、支持部596を含むことができる。シャワーヘッド592はハウジング510の上面から下部に一定距離で離隔されて位置することができる。ガス噴射板594とハウジング510の上面の間に一定な空間が形成されることができる。シャワーヘッド592は厚さが一定な板形状で提供されることができる。シャワーヘッド592の底面はプラズマによるアーク(arc)発生を防止するためにその表面が正極化処理されることができる。シャワーヘッド592の断面は支持ユニット520と同一な形状と断面積を有するように提供されることができる。シャワーヘッド592は複数個の貫通ホール593を含む。貫通ホール593はシャワーヘッド592の上面と下面を垂直方向で貫通する。シャワーヘッド592は金属材質を含むことができる。シャワーヘッド592は第4電源592aと電気的に連結されることができる。第4電源592aは高周波電源で提供されることができる。これと異なり、シャワーヘッド592は電気的に接地されることができる。
ガス噴射板594はシャワーヘッド592の上面に位置することができる。ガス噴射板594はハウジング510の上面で一定距離で離隔されて位置することができる。ガス噴射板594は厚さが一定な板形状で提供されることができる。ガス噴射板594には噴射ホール595が提供される。噴射ホール595はガス噴射板594の上面と下面を垂直方向で貫通する。噴射ホール595はシャワーヘッド592の貫通ホール593と対向されるように位置する。ガス噴射板594は金属材質を含むことができる。
支持部596はシャワーヘッド592とガス噴射板594の側部を支持する。支持部596の上端はハウジング510の上面と連結され、下端はシャワーヘッド592とガス噴射板594の側部と連結される。支持部596は非金屬材質を含むことができる。
リングキャリア60はリング部材(R)を返送することに使用されることができる。リングキャリア60は第1返送ロボット240または第2返送ロボット340によってリング部材(R)を返送することに使用されることができる。例えば、リングキャリア60は第1返送ロボット240によって常圧移送モジュール20、そして、ロードロックチャンバ40の間でリング部材(R)を返送することに使用されることができる。以下では第1返送ロボット240によってリング部材(R)を返送する場合を例に挙げて説明する。
リングキャリア60は容器(F)内に収納されることができる。例えば、リングキャリア60は第2容器(F2)内に収納されることができる。この場合、リングキャリア60は第2容器(F2)内に収納されるリング部材(R)より下に収納されることができる。
図9は、リング部材を返送することに使用されるリングキャリアの一実施例を概略的に見せてくれる斜視図である。図10は図9のリングキャリアの下面に対する平面図である。図11は図9のリングキャリアの正面図である。図9乃至図11を参照すれば、本発明の一実施例によるリングキャリア60はプレート620、ガイド部640、そして、レッグ660を含むことができる。
プレート620の上面にはリング部材(R)が置かれることができる。プレート620は板形状を有することができる。プレート620は円形の板形状を有することができる。例えば、プレート620はリング部材(R)の直径よりさらに大きい直径を有する。プレート620が円形の板形状で提供されることで、リング部材(R)がプレート620上に安定的に支持されて返送されることができる。プレート620の中央領域はホールが形成されないブロッキングプレート(Blocking Plate)で提供されることができる。選択的に、プレート620の中央領域にはプレート620の重さ減少のための貫通孔が形成されることができる。
プレート620の縁領域には複数のノッチ621らが形成されることができる。ノッチ621はプレート620の縁領域に複数個が提供されることができる。ノッチ621はプレート620の上面から下面まで貫通して形成される。ノッチ621はプレート620の縁領域に形成されるが、プレート620の外周を含む縁領域に形成されることができる。すなわち、プレート620の縁領域からノッチ621はプレート620の外周まで延長されて形成されることができる。ノッチ621らは上部から眺める時、ロードロックチャンバ40に提供される支持棚440らとお互いに整列される位置に形成されることができる。また、ノッチ621らは上部から眺める時、第2容器(F2)に提供される支持スロット(F22)らと重畳される位置に形成されることができる。これはリングキャリア60を利用してリング部材(R)を返送する時、リングキャリア60が支持棚440または/及び支持スロット(F22)らと干渉されることを防止する。
リング部材(R)がリングキャリア60に安着され、リングキャリア60が第1返送ハンド242によって返送される場合、リング部材(R)は第1返送ハンド242の直線運動によってスライディングされるか、または、第1返送ハンド242の回転運動によって安着された位置がよしれることがある。ガイド部640はこのようなリング部材(R)のスライディングまたは位置のよしれることを防止することができる。
ガイド部640はプレート620の上面から突き出されて形成されることができる。ガイド部640はプレート620の上面から上の方向に突き出されて形成されることができる。リングキャリア60に置かれるリング部材(R)の内周はフラット-ゾーン(Flat Zone:FZ)及びラウンド-ゾーン(Round Zone:RZ)を有することができる。ガイド部640はリング部材(R)のフラット-ゾーン(FZ)の内周と向い合う位置に形成されることができる。ガイド部640はリング部材(R)の内周と対応する形状を有することができる。ガイド部640はフラット-ゾーン(FZ)を含むリング部材(R)の内周と対応する形状を有することができる。
レッグ660は第1返送ハンド242の上面に接触されて支持されることができる。レッグ660はプレート620の下面から突き出されて形成されることができる。レッグ660はプレート620の下面から下の方向に突き出されて形成されることができる。レッグ660はパッド(Pad)662で提供されることができる。パッド662は第1返送ハンド242の上面より摩擦力が強い材質で提供されることができる。一例で、パッド662は炭素充填されたPEEK(Poly-Ether-Ether-Ketone)のような材質で提供されることができる。但し、これは一例に過ぎなくて、これと類似な性質を有する公知された他の材質で多様に変形されて提供されることができる。パッド662は円柱の形状で提供されることができる。但し、パッド662の形状はこれに限定されないで、多様な形状で変形されることができる。パッド662は少なくとも一つ以上に提供されることができる。パッド662は複数個が提供されることができる。一例で、パッド662はプレート620の下面に3個が提供されることができる。
以下では第1返送ハンド242との関係において、パッド662が提供される位置とパッド662の具体的な形状に対して説明する。図12は、図2の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を概略的に見せてくれる図面である。図13は、図12の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を正面で一部を拡大して眺めた図面である。
図12を参照すれば、上部から眺める時、リングキャリア60が第1返送ハンド242上に支持された状態でパッド662は、第1返送ハンド242の基板支持パッド244と重畳されない位置に配置される。一例によれば、パッド662は基板支持パッド244らの内側領域に位置されることができる。
図13を参照すれば、パッド662はリングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、プレート620は基板支持パッド244と離隔されることができる。パッド662はリングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、プレート620が基板支持パッド244から上の方向に離隔される高さで提供されることができる。パッド662はリングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、プレート620の下面と基板支持パッド244の上端はお互いに離隔される高さで提供されることができる。すなわち、リングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、基板支持パッド244がプレート620の下面に接触しない高さで提供されることができる。これによって、リングキャリア60を返送する時、リングキャリア60によって基板支持パッド244が汚染することを最小化することができる。これに、第1返送ロボット240が基板(W)を返送する時、基板支持パッド244によって基板(W)が汚染されることを最小化することができる。
プレート620にパッド662が提供されることで、第1返送ロボット240がリング部材(R)を返送する時、リング部材(R)を返送することに使用されるリングキャリア60のスライドまたは/及びよしれることを防止することができる。プレート620にパッド662が提供されることで、第1返送ロボット240がリングキャリア60を返送する時、リングキャリア60のスライドまたは/及びよしれることを防止することができる。これに、リング部材(R)及び/またはリングキャリア60を安定的に返送することができる。プレート620にパッド662が提供されることで、第1返送ロボット240の構造的変更を伴わないで、安定的にリング部材(R)及び/またはリングキャリア60を返送することができる。
前述した例では、レッグ660がパッド662で提供される場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。図14は図1の第1返送ハンドに対する他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。図15はリング部材を返送することに使用されるリングキャリアの他の実施例に対する正面図である。図16は図14の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を概略的に見せてくれる図面である。図17は図16の第1返送ハンドにリング部材及びリングキャリアが置かれた姿を正面で一部を拡大して眺めた図面である。
図14を参照すれば、第1返送ハンド242の上面には少なくとも一つ以上の基板支持パッド244が提供されることができる。例えば、基板支持パッド244は3個が提供され、第1返送ハンド242に置かれる返送対象物を3点支持することができる。返送対象物は基板(W)であることがある。基板支持パッド244は第1返送ハンド242に置かれる基板(W)のスライドを防止することができる。基板支持パッド244らは上部から眺める時、一半径を有する仮想の円の円周方向に沿って配列されることができる。基板支持パッド244は概して円柱の形状で提供されることができる。
第1返送ハンド242の上面には少なくとも一つ以上のホール246が形成されることができる。ホール246は後述するピン644が挿入されることができる。ホール246はピン644の形状と対応される形状で提供されることができる。ホール246は第1返送ハンド242を貫通しない高さで形成されることができる。ホール246の高さは第1返送ハンド242の厚さより低く提供されることができる。
本発明の他の実施例によるリングキャリア60はプレート620、ガイド部640、そして、レッグ660を含むことができる。本実施例で説明するリングキャリア60は図9乃至図13で説明したリングキャリア60と概して類似に提供される。以下では、図9乃至図13で説明したリングキャリア60と重複される説明は略する。
図15乃至図17を参照すれば、レッグ660は第1返送ハンド242の上面に接触されて支持されることができる。レッグ660はプレート620の下面から突き出されて形成されることができる。レッグ660はプレート620の下面から下の方向に突き出されて形成されることができる。レッグ660はピン(Pin)664で提供されることができる。一例で、ピン664は円柱の形状で提供されることができる。他の例で、ピン664は円柱の形状で提供されるが、その下面が下の方向にふくらんでいる形状で提供されることができる。但し、ピン664の形状はこれに限定されないで、多様な形状で変形されることができる。ピン664は少なくとも一つ以上に提供されることができる。ピン664は複数個が提供されることができる。一例で、ピン664はプレート620の下面に3個が提供されることができる。ピン664は第1返送ハンド242上面に提供されたホール246と対応される個数で提供されることができる。ピン664は第1返送ハンド242がリングキャリア60を支持する時、ホール246と重畳される位置に提供されることができる。
ピン664は第1返送ハンド242の上面に提供されたホール246に挿入される。これにより、リングキャリア60は第1返送ハンド242上に支持されることができる。ピン664はリングキャリア60が第1返送ハンド242上に支持される時、上部から眺めれば第1返送ハンド242の基板支持パッド244と重畳されない位置に配置される。
ピン664はリングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、プレート620は基板支持パッド244と離隔されることができる。ピン664はリングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、プレート620が基板支持パッド244から上の方向に離隔される高さで提供されることができる。ピン664はリングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、プレート620の下面と基板支持パッド244の上端はお互いに離隔される高さで提供されることができる。すなわち、リングキャリア60が第1返送ハンド242上に置かれる時、基板支持パッド244がプレート620の下面に接触しない高さで提供されることができる。これによって、リングキャリア60を返送する時、リングキャリア60によって基板支持パッド244が汚染されることを最小化することができる。これに、第1返送ロボット240が基板(W)を返送する時、基板支持パッド244によって基板(W)が汚染されることを最小化することができる。
プレート620にピン664が提供されることで、第1返送ロボット240とリングキャリア60がピン664を媒介にして挿入固定される。これにより、第1返送ロボット240がリング部材(R)を返送する時、リング部材(R)を返送することに使用されるリングキャリア60のスライドまたは/及びよしれることを防止することができる。プレート620にピン664が提供されることで、第1返送ロボット240がリングキャリア60を返送する時、リングキャリア60のスライドまたは/及びよしれることを防止することができる。これに、リング部材(R)及び/またはリングキャリア60を安定的に返送することができる。プレート620にピン664が提供されることで、第1返送ロボット240の構造的変更を伴わないで、安定的にリング部材(R)及び/またはリングキャリア60を返送することができる。
以上では第1返送ロボット240によってリングキャリア60を返送する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなくて、第2返送ロボット340もリングキャリア60を利用してリング部材(R)を返送することができる。第2返送ロボット340によってリングキャリア60を利用してリング部材(R)を返送する場合にも、第1返送ロボット240によってリングキャリア60を返送する場合と類似に提供されるので、これに対する詳しい説明は略する。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
10 ロードポート
20 常圧移送モジュール
30 真空移送モジュール
40 ロードロックチャンバ
50 工程チャンバ
60 リングキャリア
242 第1返送ロボット
342 第2返送ロボット
620 プレート
621 ノッチ
640 ガイド部
660 レッグ

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    基板が置かれる第1ハンドを有する第1返送ロボットが提供された常圧移送モジュールと、
    基板が置かれる第2ハンドを有する第2返送ロボットが提供された真空移送モジュールと、
    前記常圧移送モジュールと前記真空移送モジュールとの間に配置され、内部空間が常圧雰囲気と真空雰囲気との間に転換可能なロードロックチャンバと、
    前記真空移送モジュールに結合され、基板を処理する工程チャンバと、及び
    前記工程チャンバに提供されるリング部材の返送のために前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットによって支持可能であり、前記リング部材を支持するリングキャリアを含むが、
    前記リングキャリアは、
    前記リング部材が置かれるプレートと、及び
    前記プレートの下面から突き出され、前記第1ハンドまたは前記第2ハンド上に置かれるように提供される少なくとも一つ以上のレッグを含む基板処理装置。
  2. 前記レッグは、
    パッドで提供されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記第1ハンドまたは前記第2ハンドの上面には基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、
    前記パッドは、
    前記リングキャリアが前記第1ハンドまたは前記第2ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔される高さで提供されることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記パッドと前記基板支持パッドは、
    前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
  5. 前記パッドは、
    円柱形状で提供されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
  6. 前記レッグはピンで提供され、
    前記第1ハンドまたは前記第2ハンドの上面には、
    基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、前記ピンの一端が挿入されるホールがさらに形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  7. 前記ピンは、
    前記リングキャリアが前記第1ハンドまたは前記第2ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔されるように位置するようにする高さで提供されることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
  8. 前記ピンと前記基板支持パッドは、
    前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
  9. 前記ピンは、
    その底面が下にふくらんでいる円柱形状で提供されることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
  10. 前記プレートは円形の板形状で提供されることを特徴とする請求項1乃至請求項9のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  11. 前記ロードロックチャンバは、
    基板または前記リング部材を支持する複数の支持棚を含み、
    前記プレートの縁領域には、
    複数のノッチらが前記プレートを貫通して形成され、
    前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットが前記複数の支持棚の上側位置から下側位置に移動される時、前記リングキャリアに支持された前記リング部材は前記支持棚に安着され、前記複数のノッチらは前記リングキャリアが前記第1返送ロボットまたは前記第2返送ロボットと共に移動されるように前記複数の支持棚と整列される位置に提供されることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
  12. 返送アセンブリーにおいて、
    リング部材を支持するリングキャリアと、及び
    基板及び前記リングキャリアを選択的に返送する返送ハンドを有する返送ロボットを含むが、
    前記リングキャリアは、
    前記リング部材が置かれるプレートと、及び
    前記プレートの下面から突き出され、前記返送ハンド上に置かれるように提供される少なくとも一つ以上のレッグを含む返送アセンブリー。
  13. 前記レッグは、
    パッドで提供されることを特徴とする請求項12に記載の返送アセンブリー。
  14. 前記返送ハンドの上面には基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、
    前記パッドは、
    前記リングキャリアが前記返送ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔高さを有するように提供されることを特徴とする請求項13に記載の返送アセンブリー。
  15. 前記パッドと前記基板支持パッドは、
    前記返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに重畳されない位置に配置されることを特徴とすることを特徴とする請求項14に記載の返送アセンブリー。
  16. 前記レッグはピンで提供され、
    前記返送ハンドの上面には基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドが提供され、前記ピンの一端が挿入されるホールがさらに形成され、
    前記ピンは前記リングキャリアが前記返送ハンドに置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔される高さで提供され、
    前記ピンと前記基板支持パッドは前記返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることを特徴とする請求項12に記載の返送アセンブリー。
  17. 前記プレートは円形の板形状で提供されることを特徴とする請求項12乃至請求項16のうちで何れか一つに記載の返送アセンブリー。
  18. 基板を処理する装置において、
    基板、リングキャリア、またはリング部材が収納される容器が置かれるロードポートと、
    内部が大気圧雰囲気で維持され、返送ロボットが提供されるインデックスチャンバと、
    内部が大気圧、そして真空圧の間に変換可能なロードロックチャンバと、及び
    前記ロードポート、前記ロードロックチャンバ、そして、前記インデックスチャンバの間にリング部材返送時使用されるリングキャリアを含むが、
    前記返送ロボットは、
    基板、そして、前記リングキャリアを選択的に返送する返送ハンドと、及び
    基板を支持するための少なくても一つ以上の基板支持パッドを含み、
    前記ロードロックチャンバは、
    基板または前記リング部材を支持する複数の支持棚を含み、
    前記リングキャリアは、
    前記リング部材が置かれるプレートと、及び
    前記プレートの下面から突き出され、返送ハンド上に置かれるように提供される少なくとも一つ以上のレッグを含むが、
    前記プレートの縁領域には、
    複数のノッチらが前記プレートを貫通して形成され、
    前記ノッチらは、
    上部から眺める時、それぞれ前記支持棚らと重畳される位置に形成され、
    前記返送ロボットが前記リングキャリアを利用して前記リング部材を返送する時、前記リングキャリアと前記リング部材のうちで前記リング部材が前記支持棚に安着され、
    前記レッグは、
    前記リングキャリアが前記返送ハンド上に置かれる時、前記プレートが前記基板支持パッドから上の方向に離隔される高さで提供され、
    前記レッグと前記基板支持パッドは、
    前記返送ロボットが前記リング部材を返送時上部から眺める時、お互いに干渉されない位置に配置されることを特徴とする基板処理装置。
  19. 前記レッグはパッドで提供されることを特徴とする請求項18に記載の基板処理装置。
  20. 前記レッグはピンで提供され、
    前記返送ロボットの上面には前記ピンの一端が挿入されるホールがさらに形成されることを特徴とする請求項18に記載の基板処理装置。
JP2022098667A 2021-06-28 2022-06-20 返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置 Active JP7450666B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0083589 2021-06-28
KR1020210083589A KR102614918B1 (ko) 2021-06-28 2021-06-28 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023007440A true JP2023007440A (ja) 2023-01-18
JP7450666B2 JP7450666B2 (ja) 2024-03-15

Family

ID=84542479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022098667A Active JP7450666B2 (ja) 2021-06-28 2022-06-20 返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220415679A1 (ja)
JP (1) JP7450666B2 (ja)
KR (1) KR102614918B1 (ja)
CN (1) CN115602574A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017098540A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 正面開口式リングポッド
JP2019057709A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 半導体プロセスモジュールのためのインサイチュ装置
US20200373194A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit ring adaptor
US20200411347A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-31 Applied Materials, Inc. Sensor-based correction of robot-held object

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9425077B2 (en) * 2013-03-15 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport
KR20210030917A (ko) * 2021-03-08 2021-03-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017098540A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 正面開口式リングポッド
JP2019057709A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 半導体プロセスモジュールのためのインサイチュ装置
US20200373194A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit ring adaptor
US20200411347A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-31 Applied Materials, Inc. Sensor-based correction of robot-held object

Also Published As

Publication number Publication date
KR102614918B1 (ko) 2023-12-20
JP7450666B2 (ja) 2024-03-15
CN115602574A (zh) 2023-01-13
US20220415679A1 (en) 2022-12-29
TW202301546A (zh) 2023-01-01
KR20230001566A (ko) 2023-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190029365A (ko) 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치
JP7450666B2 (ja) 返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置
US20220108868A1 (en) Substrate treating apparatus
JP2022176902A (ja) リングキャリヤー及び基板処理システム
KR102491002B1 (ko) 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US20240153747A1 (en) Substrate supporting unit, apparatus for treating substrate including the same, and ring transfer method
KR20230064021A (ko) 기판 처리 장치
US20230207288A1 (en) Substrate treatment apparatus
KR20230064019A (ko) 반송 로봇, 이를 가지는 기판 처리 장치
US20230207280A1 (en) Substrate treating apparatus
KR20240067698A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230021332A (ko) 기판 처리 장치
US20230215706A1 (en) Lift pin unit and unit for supporting substrate and substrate treating apparatus
KR20230034673A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230061962A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230063415A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230101672A (ko) 기판 처리 장치
KR102600534B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230034676A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
US20240071783A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20230061959A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230017622A (ko) 기판 처리 장치
KR20230101670A (ko) 기판 처리 장치
KR102593139B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230031676A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220620

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230801

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20231031

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240305

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7450666

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150