TW202301546A - 傳送組合件及具有該傳送組合件的處理基板的設備 - Google Patents
傳送組合件及具有該傳送組合件的處理基板的設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202301546A TW202301546A TW111123447A TW111123447A TW202301546A TW 202301546 A TW202301546 A TW 202301546A TW 111123447 A TW111123447 A TW 111123447A TW 111123447 A TW111123447 A TW 111123447A TW 202301546 A TW202301546 A TW 202301546A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- aforementioned
- transfer
- substrate
- hand
- ring
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
- B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/009—Gripping heads and other end effectors with pins for accurately positioning the object on the gripping head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明提供基板處理設備。基板處理設備包括:具備第一傳送機器人之大氣壓傳送模組,其具有上面置放有基板的第一手;具備第二傳送機器人之真空傳送模組,其具有上面置放有基板的第二手;負載鎖固腔室,其定位於大氣壓傳送模組與真空傳送模組之間,且具有在大氣壓氛圍與真空氛圍之間可轉換的內部空間;製程腔室,其耦接至真空傳送模組且處理基板;及環形支架,其可由第一或第二傳送機器人支撐於製程腔室處之環形構件的傳送且支撐環形構件,且環形支架包含:其上置有環形構件的板;及其自板的底表面突出且置於第一或第二手處的至少一個支腳。
Description
本文中所描述之發明概念的實施例係關於一種傳送組合件及一種基板處理設備,更具體而言係關於一種用於傳送基板及環形構件的傳送組合件及一種具有前述傳送組合件的基板處理設備。
電漿指由離子、自由基及電子構成的離子化氣體狀態。電漿由極高溫度、強電場或高頻率電磁場(RF電磁場)產生。半導體裝置製造製程可包括使用電漿移除形成於諸如晶圓之基板上之薄膜的蝕刻製程。蝕刻製程藉由使電漿之離子及/或自由基與基板上之薄膜碰撞或與薄膜反應來執行。
使用電漿之基板處理設備包括製程腔室、用於在製程腔室中支撐基板的支撐件組合件、及用於自氣體產生電漿從而處理基板的電漿源。支撐件組合件包括由靜電力鎖固基板的靜電卡盤、及包圍坐落於靜電卡盤上之基板之外部周邊的聚焦環。聚焦環在基板之表面上以高均勻性分佈電漿。當蝕刻對基板重複地執行時,聚焦環亦經蝕刻,藉此逐漸改變聚焦環的形式。根據聚焦環之形式的改變,離子及/或自由基入射於基板上的方向經改變,且因此基板的蝕刻特性經改變。因此,當對基板之蝕刻處理經重複地執行時,或當聚焦環之形式形狀經改變且係在可允許範圍外部時,要求聚焦環之替換。
一般而言,聚焦環之替換藉由操作者開啟製程腔室來實現,從而自開放之製程腔室提取所使用的聚焦環並將未使用之聚焦環安裝至製程腔室。然而,此替換方法不僅要求大量工作時間,而且具有粒子引入至製程腔室中的高可能性。因此,最近,替換方法經使用,藉此用過之聚焦環自製程腔室提取出且由基板處理設備的傳送機器人引入至環形艙,且接著新的聚焦環自環形艙提取且由傳送機器人引入至製程腔室中。
聚焦環之傳送可由傳送基板的傳送機器人執行。此外,聚焦環可使用環形支架由傳送機器人傳送。當聚焦環使用環形支架傳送時,用於支撐基板的襯墊可被環形支架污染。出於此原因,在傳送基板發生同時,傳送污染物至基板的問題發生。此情形導致基板處理製程之缺陷率的增大。此外,當坐落於基板上之環形支架搖動時,坐落於環形支架上的聚焦環滑動或失真。此情形可導致製程腔室內聚焦環之安裝位置的改變,使得聚焦環可並非恰當地安裝至製程腔室。
本發明概念之實施例提供一種用於穩定地傳送環形構件的傳送組合件及具有前述傳送組合件的一種基板處理設備。
本發明概念之實施例提供一種用於穩定地傳送環形支架的傳送組合件,前述環形支架用於在不改變傳送手之結構的情況下傳送環形構件;及具有前述傳送組合件的一種基板處理設備。
本發明概念之實施提供一種用於由環形支架使支撐基板之襯墊的污染物最小化同時使相同於前述環形支架之傳送手及前述基板用於傳送的傳送組合件,及具有前述傳送組合件的基板處理設備。
本發明概念之技術目標不限於上述技術目標,且其他未提及之技術目標自以下描述內容對於熟習此項技術者將變得顯而易見。
本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括:具備第一傳送機器人之大氣壓傳送模組,前述第一傳送機器人具有第一手,前述第一手上面置放有基板;具備第二傳送機器人之真空傳送模組,前述第二傳送機器人具有第二手,前述第二手上面置放有基板;負載鎖固腔室,前述負載鎖固腔室定位於前述大氣壓傳送模組與前述真空傳送模組之間,且具有在前述大氣壓氛圍與真空氛圍之間可轉換的內部空間;製程腔室,其耦接至前述真空傳送模組且處理前述基板;及環形支架,前述環形支架可由前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人支撐用於提供於前述製程腔室處的環形構件的傳送且支撐前述環形構件,且其中前述環形支架包含:板,前述板上面置放有前述環形構件;及至少一個支腳,前述至少一個支腳自前述板的底表面突出且置放於前述第一手或前述第二手處。
在一實施例中,支腳提供為襯墊。
在一實施例中,用於支撐基板的至少一個基板支撐襯墊提供於前述第一手或前述第二手的頂表面處,且其中在前述環形支架置放於前述第一手或前述第二手時,前述襯墊提供於前述板向上與前述基板支撐襯墊隔開的高度處。
在一實施例中,前述襯墊及前述基板支撐襯墊經定位以在前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人傳送前述環形構件時自上方查看時並不彼此干涉。
在一實施例中,前述襯墊為圓柱形狀。
在一實施例中,支腳提供為銷,且用於支撐基板的至少一個基板支撐襯墊提供於前述第一手或前述第二手的頂表面處,且進一步包括用於插入前述銷之末端的孔。
在一實施例中,在前述環形支架置放於前述第一手或前述第二手時,前述銷定位於前述板向上與前述基板支撐襯墊隔開的高度處。
在一實施例中,前述銷及前述基板支撐襯墊經定位以在前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時並不彼此干涉。
在一實施例中,前述銷以具有向下凸起之底表面的圓柱形狀提供。
在一實施例中,前述板為圓形板形式。
在一實施例中,前述負載鎖固腔室包含支撐前述基板或前述環形構件的複數個支撐擱板,且其中複數個凹口穿過前述板在前述板的邊緣區處形成,且當前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人自前述複數個支撐擱板的頂側移動至前述底側時,由前述環形支架支撐之前述環形構件坐落於支撐擱板上,且前述複數個凹口經定位以與前述複數個支撐擱板對準,因此前述環形支架與前述第一傳送機器人及前述第二傳送機器人一起移動。
本發明概念提供一種傳送組合件。前述傳送組合件包括:支撐環形構件的環形支架;及具有傳送手的傳送機器人,前述傳送機器人用於選擇性地傳送基板及前述環形支架,且其中前述環形支架包含:板,前述板上面置放有前述環形構件;及至少一個支腳,前述至少一個支腳自前述板的底表面突出且提供為置放於前述傳送手處。
在一實施例中,前述支腳提供為襯墊。
在一實施例中,用於支撐前述基板的至少一個基板支撐襯墊置放於前述傳送手的頂表面處,且其中當前述環形支架置放於前述傳送手上時,前述襯墊提供於前述板自前述基板支撐襯墊向上隔開的高度。
在一實施例中,前述襯墊及前述基板支撐襯墊經定位以在前述傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時不彼此重疊。
在一實施例中,前述支腳提供為銷,且用於支撐前述基板的至少一個基板支撐襯墊提供於前述傳送手的頂表面處,且進一步包括用於插入前述銷之末端的孔,且其中當前述環形支架置放於前述傳送手上時,前述銷提供於前述板自前述基板支撐襯墊向上隔開的高度,且前述銷及前述基板支撐襯墊經定位以在前述傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時並不彼此干涉。
在一實施例中,前述板為圓形板形式。
本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括:載入埠,儲存基板的容器、環形支架或環形構件置放於前述載入埠上;索引腔室(index chamber),前述索引腔室具有維持於大氣壓氛圍的內部且提供傳送機器人;負載鎖固腔室,其具有在大氣壓與真空壓力之間可轉換的內部;及環形支架,前述環形支架在環形構件在前述載入埠、前述負載鎖固腔室與前述索引腔室之間的傳送期間使用,且其中前述傳送機器人包含:傳送手,前述傳送手選擇性地傳送基板及前述環形支架;及用於支撐前述基板的至少一個基板支撐襯墊,且其中前述負載鎖固腔室包含支撐前述基板或前述環形構件的複數個支撐擱板,且其中前述環形支架包含:板,前述板上面置放有前述環形構件;及至少一個支腳,前述至少一個支腳自前述板的底表面突出且提供為置放於前述傳送手處,且其中複數個凹口在前述板的邊緣區處穿過前述板形成,且前述複數個凹口經定位以在自上方查看時與前述數個支撐擱板中的每一者重疊,且其中在前述環形支架及前述環形構件之間,在前述傳送機器人使用前述環形支架傳送前述環形構件時,前述環形構件坐落於支撐擱板上,且其中當前述環形支架置放於前述傳送手上時,前述支腳定位於前述板自前述基板支撐襯墊向上隔開的高度,且其中前述支腳及前述基板支撐襯墊經定位以在前述傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時並不彼此干涉。
在一實施例中,前述支腳提供為襯墊。
在一實施例中,前述支腳提供為銷,且用於插入前述銷之末端的孔進一步包括於前述傳送機器人的頂表面處。
根據本發明概念之一實施例,基板及環形構件可經穩定地傳送。
根據本發明概念之一實施例,在環形構件經傳送時用於在傳送手處傳送環形構件的環形支架之位置的滑動或失真可被最小化。
本發明概念之效應不限於上述效應,且其他未提及之效應自以下描述內容對於熟習此項技術者將變得顯而易見。
本發明概念可經各種形式修改,且可具有各種形式,且其特定實施例將在圖式中圖示,且詳細地描述。然而,根據本發明概念之概念的實施例並不意欲限制特定揭示形式,且應理解,本發明概念包括在本發明概念之精神及技術範疇中包括的所有變形、等效物及替換。在本發明概念之描述內容中,相關已知技術的詳細描述在其可使得本發明概念的本質不清楚時可被省略。
本文中所使用之術語係出於僅描述特定實施例的目的,且並非意欲限制發明概念。如本文中所使用,單數形式「一」及「前述」意欲又包括複數形式,除非上下文以其他方式清楚地指示。應進一步理解,術語「包含(comprises、comprising)」在用於本說明書中時指定所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在,但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或添加。如本文中所使用,術語「及/或」包括相關聯列出項目中之一或多者的任何及所有組合。又,術語「例示性」意欲指實例或圖示。
應理解,儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等本文中可用以描述各種元件、組件、區、層級/或區段,但此等元件、組件、區、層及/或區段應不受此等術語限制。此等術語僅用以區分一個元件、組件、區、層或區段與另一區、層或區段。因此,下文論述之第一元件、組件、區、層或區段可被稱為第二元件、組件、區、層或區段而不偏離本發明概念的教示內容。
下文中,本發明概念之實施例將詳細參看圖1至圖17來描述。
圖1示意性地圖示根據本發明概念之實施例的基板處理設備。參看圖1,根據發明概念之實施例的基板處理設備1可包括載入埠10、大氣壓傳送模組20、真空傳送模組30、負載鎖固腔室40、製程腔室50及環形支架60 (參看圖9)。
載入埠10可安置於待隨後描述之大氣壓傳送模組20的一側上。可提供一或多個載入埠10。載入埠10之數目可根據製程效率、足跡印刷條件及類似者來增大或減低。根據本發明概念之實施例的容器F可置放於載入埠10中。容器F可由諸如以下各者之傳送構件(圖中未示)或由操作人員載入至載入埠10或自載入埠10卸載:架空傳送設備(overhead transfer apparatus;OHT)、架空輸送器,或自動導引載具。容器F根據待儲存之物品的類型而可包括各種類型之容器。作為容器F,可使用諸如前開式整合艙(front opening integrated pod;FOUP)的氣密容器。
各種物品可儲存於容器F內。容器F根據待儲存之物品的類型而可包括各種類型之容器。舉例而言,待由基板處理設備1處理之物件可儲存於第一容器F1內,第一容器F1為容器F中的一者。待處理之物件可為諸如晶圓的基板W。基板W坐落於上面的支撐槽可提供於第一容器F1處。此外,在係容器F中之另一者的第二容器F2內,安裝於基板處理設備1上且要求替換的環形構件R可經儲存。環形構件R可為安設於待稍後描述之製程腔室50處的聚焦環或介電環。環形構件R坐落於上面的支撐槽可提供於第二容器F2處。選擇性地,環形構件R及環形支架60可儲存於第二容器F2內。環形支架60坐落於上面的支撐槽可提供於第二容器F2處。環形構件R之外部周邊直徑可具有大於基板W之外部周邊直徑的直徑。因此,第二容器F2中的空間可具有稍大於第一容器F1中之空間的容積。
大氣壓傳送模組20及真空傳送模組30可配置於第一方向2上。下文中,在自上方檢視時,垂直於第一方向2的方向界定為第二方向4。此外,垂直於包括第一方向2及第二方向4兩者之平面的方向界定為第三方向6。此處,第三方向6為垂直於接地的方向。
大氣壓傳送模組20可在容器F與待隨後描述之負載鎖固腔室40之間選擇性地傳送基板W或環形構件R。舉例而言,大氣壓傳送模組20可自容器F提取基板W且將基板W傳送至負載鎖固腔室40,或可自負載鎖固腔室40提取基板W且將基板W傳送至容器F。大氣壓傳送模組20可包括傳送框架220及第一傳送機器人240。傳送框架220可提供於載入埠10與載入鎖定腔室40之間。即,載入埠10可連接至傳送框架220。傳送框架220在其中可具備大氣壓。傳送框架220的內部可維持於大氣壓氛圍。
傳送框架220可具備第一傳送機器人240。第一傳送機器人240可在坐落於載入埠10上的容器F與待隨後描述之負載鎖固腔室40之間選擇性地傳送基板W或環形構件R。
第一傳送機器人240可在上/下方向上移動。第一傳送機器人240可具有在水平平面上向前、向後移動或旋轉的第一傳送手242。可提供第一傳送機器人240之一或複數個第一傳送手242。基板W可置放於第一傳送手242上。選擇性地,待稍後描述之支撐環形構件R的環形支架60可置放於第一傳送手242上。第一傳送機器人240及支撐環形構件R的環形支架60可界定為用於在容器F、大氣壓傳送模組20及待隨後描述之負載鎖固腔室40之間傳送環形構件R的傳送組合件。
圖2示意性地圖示圖1之第一傳送手的狀態。參看圖2,至少一個基板支撐襯墊244可提供於第一傳送手242的頂表面上。舉例而言,三個基板支撐襯墊244可經提供以在三個點處支撐置放於第一傳送手242上的基板。基板支撐襯墊244可防止置放於第一傳送手242上之基板W滑動。基板支撐襯墊244在自上方檢視時可沿著具有半徑之虛擬圓的圓周方向配置。基板支撐襯墊244可以實質盤形形狀提供。真空吸收孔(圖中未示)可形成於基板支撐襯墊244內。基板支撐襯墊244可將基板W真空吸附以傳送基板W。
回看圖1,真空傳送模組30可安置於待隨後描述之負載鎖固腔室40與待隨後描述之製程腔室50之間。真空傳送模組30可包括傳送腔室320與第二傳送機器人340。
傳送腔室320可維持內部氛圍為真空壓力氛圍。傳送腔室320可具備第二傳送機器人340。在一實施例中,第二傳送機器人340可位於傳送腔室320的中心區域中。第二傳送機器人340可在負載鎖固腔室40與製程腔室50之間選擇性地傳送基板W或環形構件R。選擇性地,真空傳送模組30可在製程腔室50之間傳送基板W。第二傳送機器人340可在水平及垂直方向上移動。第二傳送機器人340可具有在水平平面上向前、向後移動或旋轉的第二傳送手342。可提供第二傳送機器人340之至少一個第二傳送手342。
圖3圖示圖1之第二傳送手的狀態。參看圖3,第二傳送手342可具有相較於第一傳送手242之大小相對較大的大小。一對第一傳送襯墊342a、一對第二傳送襯墊342b、一對第三傳送襯墊342c及一對第四傳送襯墊342d可提供於第二傳送手342的頂表面上。第二傳送襯墊342b及第三傳送襯墊342c可安置於第一傳送襯墊342a與第四傳送襯墊342d之間。在自上方檢視時,第二傳送襯墊342b及第三傳送襯墊342c可安置於基板W的外部圓周內部。因此,第二傳送襯墊342b及第三傳送襯墊342c可支撐基板W。在自上方檢視時,第一傳送襯墊342a及第四傳送襯墊342d可在基板W之外部圓周及環形構件R之內部圓周外部安置,但可安置於環形構件R之圓周內部。因此,第一傳送襯墊342a及第四傳送襯墊342d可支撐環形構件R。
回看圖1,待隨後描述之至少一個製程腔室50可連接至傳送腔室320。傳送腔室320可以多邊形形狀提供。負載鎖固腔室40及製程腔室50可安置於傳送腔室320周圍。舉例而言,如圖1中所繪示,六邊形傳送腔室320可安置於真空傳送模組30之中心區域處,且負載鎖固腔室40及製程腔室50可安置於傳送腔室320周圍。然而,傳送腔室320之形狀及製程腔室的數目可經各種修改且根據使用者需要來提供。
負載鎖固腔室40安置於傳送框架220與傳送腔室320之間。負載鎖固腔室40提供緩衝空間B,在前述緩衝空間B中,基板W或環形構件R在傳送框架220與傳送腔室320之間交換。在實施例中,為了替換安置於製程腔室50處的環形構件R,在製程腔室50處使用的環形構件R可臨時保持於負載鎖固腔室40處。在實施例中,為了傳送經排程以替換舊的環形構件R之新環形構件R至製程腔室50,新環形構件R可臨時保持於負載鎖固腔室40處。
如上文所提及,傳送框架220的內部氛圍可維持於大氣壓氛圍,且傳送腔室320的內部氛圍可維持於真空壓力氛圍下。負載鎖固腔室40安置於傳送框架220與傳送腔室320之間,使得其內部氛圍可在大氣壓氛圍與真空壓力氛圍之間轉換。
圖4為圖示圖1之負載鎖固腔室之狀態的平面橫截面圖。圖5圖示基板置放於圖4之支撐擱板上的狀態。圖6圖示環形構件置放於圖4之支撐擱板上的狀態。圖7圖示圖6之支撐擱板上之環形支架自負載鎖固腔室提取的狀態。
參看圖4至圖7,負載鎖固腔室40可包括外殼420及支撐擱板440。外殼420可具有基板W或環形構件R置放所在的內部空間。外殼420可安置於傳送框架220與傳送腔室320之間。此外,第一開口422及第二開口423可形成於外殼420處。第一開口422可提供於面向傳送框架220的表面上,且可由閘閥(圖中未示)開啟並封閉。第二開口423可提供於面向傳送腔室320的表面上,且可由閘閥(圖中未示)開啟並封閉。
用於供應氣體至外殼420之內部空間421的氣體供應孔424亦可形成於外殼420處。氣體可為惰性氣體。舉例而言,氣體可為包括氮氣、氬氣或類似者的氣體。然而,本發明概念並非限於此,且氣體可經各種修改且提供為已知惰性氣體。
用於使外殼420之內部空間421減壓的減壓孔425可形成於外殼420處。減壓孔425可連接至減壓構件(圖中未示)。減壓構件可為泵。然而,本發明概念並不限於此,且減壓構件可對用於使內部空間421減壓的已知裝置進行各種修改。
隨著氣體供應孔424及減壓孔425形成於外殼420處,因此外殼420之內部空間的壓力可在大氣壓與真空壓力之間切換。
支撐擱板440可提供於內部空間421中。支撐擱板440可在內部空間421處支撐基板W或環形構件R。可提供至少一個支撐擱板440。選擇性地,可提供複數個支撐擱板440。舉例而言,可提供三個支撐擱板440。複數個支撐擱板440可經提供以在自上方檢視時彼此隔開。複數個支撐擱板440可彼此垂直地隔開。出於此原因,基板W或環形構件R可在內部空間421處支撐於多個層中。
支撐擱板440中的每一者可包括支撐突出部442。在自上文檢視時,支撐突出部442可安置於與凹口621對準的位置處,前述凹口621形成於待隨後描述的環形支架60處。在自其橫截面檢視時,支撐突出部442可具有顛倒「L」形狀。支撐突出部442可包括第一擱板襯墊444及第二擱板襯墊446。
第一擱板襯墊444及第二擱板襯墊446可由關於基板W或環形構件R具有摩擦的材料製成。舉例而言,第一擱板襯墊444及第二擱板襯墊446可由諸如碳填充聚醚-醚-酮醚(poly-ether-ether-ketone;PEEK)的材料製成。然而,PEEK作為第一擱板襯墊444及第二擱板襯墊446之材料的使用為僅一個實施例,且可對具有類似性質的其他已知材料進行各種修改。
在自上方檢視時,第一擱板襯墊444可在其縱向方向上可具有圓弧形狀。第一擱板襯墊444相較於第二擱板襯墊446更靠近於減壓孔425安置。當自上方檢視時,第一擱板襯墊444可安置於基板W之外部周邊內部。因此,如圖5中所繪示,第一擱板襯墊444可在基板W與環形構件R之間支撐基板W。
在自上方檢視時,第二擱板襯墊446在其縱向方向上可通常具有圓弧形狀。第二擱板襯墊446相較於第一擱板襯墊444更遠離減壓孔425安置。在自上方檢視時,第二擱板襯墊446可安置於基板W之外部圓周及環形構件R之內部圓周外部,但可安置於環形構件R的外部圓周內部。因此,第二擱板襯墊446可在基板W與環形構件R之間支撐環形構件R。
在自上方檢視時,複數個支撐突出部442安置於與形成在環形支架60處之複數個凹口621對準的位置處。因此,如圖6中所繪示,上面置放有環形構件R的環形支架60可由第一傳送手242相較於負載鎖固腔室40內之支撐突出部442引入至較高位置,且當第一傳送手242向下移動時,環形構件R可置放於支撐突出部442上,且環形支架60可藉由置放於上面的第一傳送手242向下移動。其後,如圖7中所繪示,第一傳送手242撤回。
回看圖1,至少一個製程腔室50可連接至傳送腔室320。可提供複數個製程腔室50。製程腔室50可為對基板W執行製程的腔室。製程腔室50可為使用電漿處理基板W的電漿腔室。舉例而言,製程腔室50可為執行以下各者的腔室:使用電漿移除基板W上之薄膜的蝕刻製程、移除光阻劑膜的灰化製程、在基板W上形成薄膜的沈積製程,或乾式清潔製程。然而,本發明概念不限於此,且在製程腔室50處執行的電漿處理製程可對已知電漿處理製程進行各種修改。
圖8示意性地圖示圖1之製程腔室的實施例。參看圖8,製程腔室50可藉由將電漿傳送至基板W來處理基板W。製程腔室50可包括外殼510、支撐單元520、氣體供應單元530及電漿源540。
外殼510提供基板處理空間經執行的處理空間。外殼510可以密封形狀提供。在處理基板W時,外殼510之處理空間可通常維持於真空氛圍。外殼510可由金屬材料形成。在一實施例中,外殼510可由鋁材料製成。外殼510可經接地。基板W及環形構件R載入或載出的入口512可形成於外殼510的一側上。入口512可由閘閥514來選擇性地開啟並關閉。
排出孔516可形成於外殼510的底表面處。排出管線560可連接至排出孔516。排出管線560可經由排出孔516排出處理氣體、製程副產物及供應至外殼510之處理空間的類似者。排出擋板552可提供於排氣孔516上方以允許處理空間的更均勻排出。在自上文檢視時,排出擋板552可具有通常環形形狀。此外,至少一個孔可形成於排出擋板552處。
加熱器518提供於外殼510的壁上。加熱器518加熱外殼510的壁。加熱器518電連接至加熱電源(圖中未示)。加熱器518藉由抵抗自加熱電源(圖中未示)施加之電流來產生熱。產生自加熱器518的熱傳送至處理空間以將處理空間維持於預定溫度下。加熱器518可提供為線圈狀加熱導線。複數個加熱器518可提供於外殼510的壁上。
支撐單元520位於外殼510內。支撐單元520可經提供以與外殼510的底表面向上隔開。支撐單元520支撐基板W。支撐單元520包括使用靜電力吸附基板W的靜電卡盤。對比而言,支撐單元520可以各種方式,諸如真空吸附或機械夾鉗支撐基板W。下文中,將描述包括靜電卡盤的支撐單元520。
支撐單元520可包括介電板521、冷卻板522、絕緣板523,及底部主體524。介電板521位於支撐單元520的頂端處。介電板521接收外部電力且施加靜電力至基板W。介電板521可經提供為盤形介電物質。基板W置放於介電板521的頂表面上。介電板521的頂表面相較於基板W的半徑具有較小半徑。當基板W置放於介電板521的頂表面上時,基板W的邊緣區域位於介電板521外部。電極525及加熱器526嵌埋於介電板521內。電極525可定位於加熱器526上方。
電極525電連接至第一電源525a。第一電源525a可包括DC電源。開關525b安設於電極525與第一電源525a之間。電極525可由開關525b之接通/關斷來電連接至第一電源525a。當開關525b接通時,DC電流施加至電極525。靜電力由施加至電極525的電流在電極525與基板W之間起作用。因此,基板W吸附於介電板521上。
加熱器526電連接至第二電源526a。加熱器526藉由抵抗自第二電源526a施加之電流來產生熱。所產生的熱經由介電板521傳送至基板W。基板W可由產生自加熱器526的熱維持於預定溫度。加熱器526可包括螺旋線圈。提供複數個加熱器526。加熱器526可提供於介電板521的不同區中。舉例而言,可提供用於加熱介電板521之中心區的加熱器526及用於加熱介電板521之邊緣區的加熱器526,且加熱器526可獨立於彼此地進行控制。
在上述實例中,加熱器526提供於介電板521內,但本發明概念不限於此,且加熱器526可能並未提供於介電板521內。
冷卻板522位於介電板521下方。冷卻板522可以盤形形狀提供。冷卻板522可由導電材料製成。在一實施例中,冷卻板522可由鋁材料製成。冷卻板522的頂部中心區可具有對應於介電板521之底表面的區域。
頂部流動路徑522a可提供於冷卻板522內。頂部流動路徑522a可以螺旋形狀形成於冷卻板522內。頂部流動路徑522a可對冷卻板522進行冷卻。冷卻流體可供應至頂部流動路徑522a。在實施例中,冷卻流體可提供為冷卻水。
冷卻板522可包括金屬板。根據實施例,冷卻板522之整個區域可提供為金屬板。冷卻板522可電連接至第三電源522b。第三電源525b可提供為產生高頻率電力的高頻率電源。高頻率電源可提供為RF電源。RF電源可提供於高偏壓電力RF電源。冷卻板522自第三電源525b接收高頻率電力。出於此原因,冷卻板522可充當電極。冷卻板522可經提供以被接地。
絕緣板523提供於冷卻板522下方。絕緣板523由絕緣材料製成,且使冷卻板522與待隨後描述之底部主體524電絕緣。絕緣板523在自上方檢視時可以圓形板形狀提供。絕緣板523可具備對應於冷卻板522之區域的區域。
底部主體524提供於冷卻板522下方。底部主體524可提供於絕緣板523下方。底部主體524在自上方檢視時可以環形形狀提供。待隨後描述之第一提升銷模組570及待隨後描述之第二提升銷模組580可定位於底部主體524的內部空間內。
底部主體524具有連接構件524b。連接構件524b連接底部主體524的外表面與外殼510的內部側壁。複數個連接構件524b可以規則間隔提供於底部主體524的外表面上。連接構件524b將支撐單元520支撐於外殼510內。此外,連接構件524b連接至外殼510之內部側壁,使得底部主體524經電接地。連接至第一電源525a之第一電力線525c、連接至第二電源526a的第二電源線526c、連接至第三電源的第三電源線522c、連接至頂部流動路徑524a的第一流體供應線522d、連接至底部流動路徑524a的第二流體供應線524d及類似者通過連接構件524b的內部空間延伸至外殼510外部。
環形構件R安置於支撐單元520的邊緣區處。環形構件R在自上方檢視時可具有環形狀。環形構件R可具有內部頂表面之高度相較於外部頂表面的高度較低的形式。基板W之邊緣區的底表面可置放於環形構件R的內部頂表面上。此外,環形構件R可具有在環形構件R之內部頂表面與外部頂表面之間朝向基板W的的外部自基板W的中心向上傾斜的表面。因此,當基板W置放於環形構件R的內部頂表面上時,基板W可沿著環形構件R的傾斜表面滑動以適當置放於環形構件R的內部頂表面上,即使替換位置可為稍微不準確的。
氣體供應單元530供應處理氣體至外殼510的處理空間。氣體供應單元530可包括氣體供應噴嘴532、氣體供應線534及氣體儲存單元536。氣體供應噴嘴532可安設於外殼510之頂表面的中心區域中。注入孔形成於氣體供應噴嘴532的底表面上。注入孔供應處理氣體至外殼510。氣體供應線534連接氣體供應噴嘴532及氣體儲存單元536。氣體供應線534供應儲存於氣體儲存單元536處的處理氣體至氣體供應噴嘴532。閥538安設於氣體供應線534處。閥538可藉由開啟且關閉氣體供應線534來調整經由氣體供應線534供應的處理氣體之流動速率。
電漿源540將外殼510中之處理氣體激發成電漿狀態。在本發明概念的實施例中,電容耦合電漿(capacitively coupled plasma;CCP)用作電漿源。電容耦合電漿源可包括外殼510內的頂部電極及底部電極。頂部電極及底部電極可在外殼510內平行於彼此垂直地安置。兩個電極中的一者可施加高頻率電力,且其他電極可經接地。電磁場形成於兩個電極之間的空間中,且供應至空間的處理氣體可激發成電漿狀態。基板處理製程使用電漿執行。根據實施例,頂部電極可提供為待隨後描述的噴頭單元590,且底部電極可提供為上述金屬板。高頻率電力可施加至底部電極,且頂部電極可經接地。替代地,高頻率電力可分別施加至頂部電極及頂部電極。出於此原因,電磁場在頂部電極與頂部電極之間產生。所產生之電磁場將外殼510內提供之處理氣體激發成電漿狀態。
第一提升銷模組570可提升且降低安置於介電板521之頂表面上的環形構件R。第一提升銷模組570可包括第一提升銷572及第一銷驅動器574。第一提升銷572可沿著形成於介電板521、冷卻板522及/或絕緣板523處的銷孔在上/下方向上移動。可提供複數個第一提升銷572。在自上方檢視時,第一提升銷572提供於並不與加熱器526及頂部流動路徑522a重疊的位置處。第一銷驅動器574可在上/下方向上移動第一提升銷572。第一銷驅動器574可以複數形式提供。第一銷驅動器574可為使用氣體壓力或液壓壓力的氣缸或馬達。然而,本發明概念並不限於此,且第一銷驅動器574可經提供至能夠提供驅動力的各種已知裝置。
第二提升銷模組580可提升且降低基板W。第二提升銷模組580可包括第二提升銷582、提升/降低板584,及第二銷驅動器586。第二提升銷582可耦接至提升/降低板584。提升/降低板584可由第二銷驅動器586在上/下方向上移動。
噴頭單元590可包括噴頭592、氣體注入板594,及支撐單元596。噴頭592可經定位以與外殼510之頂表面向下隔開達預定距離。某空間可形成於氣體注入板594與外殼510的頂表面之間。噴頭592可以具有恆定厚度的板形狀提供。噴頭592之底表面可經離子化以防止歸因於電漿的電弧產生。噴頭592之橫截面可經提供以具有與支撐單元520相同的形式及橫截面區域。噴頭592包括複數個通孔593。通孔593在上/下方向上穿透噴頭592的頂表面及底表面。噴頭592可包括金屬材料。噴頭592可電連接至第四電源592a。第四電源592a可提供為高頻率電源。替代地,噴頭592可經電接地。
氣體注入板594可位於噴頭592的頂表面上。氣體注入板594可經定位以與外殼510之頂表面向上隔開達預定距離。氣體注入板594可以具有恆定厚度的板形狀提供。氣體注入板594具備注入孔595。注入孔595在上/下方向上穿透氣體注入板594的頂表面及底表面。注入孔595與噴頭592的通孔593相對地定位。氣體注入板594可包括金屬材料。
支撐部分596支撐噴頭592及氣體注入板594的側面部分。支撐部分596的頂部末端連接至外殼510的頂表面,且底部末端連接至噴頭592的側面及氣體注入板594。支撐部分596可包括非金屬材料。
環形支架60可用以攜載環形構件R。環形支架60可用以由第一傳送機器人240或第二傳送機器人340攜載環形構件R。舉例而言,環形支架60可用以由第一傳送機器人240在大氣壓傳送模組20與負載鎖固腔室40之間傳送環形構件R。下文中,環形構件R由第一傳送機器人240傳送的狀況將作為實例予以描述。
環形支架60可儲存於容器F內。舉例而言,環形支架60可儲存於第二容器F2內。在此狀況下,環形支架60可儲存於環形構件R下方,環形構件R儲存於第二容器F2中。
圖9為示意性地圖示用以傳送環形構件之環形支架之實施例的透視圖。圖10為圖9之環形支架之底表面的平面圖。圖11為圖9之環形支架的正視圖。參看圖9至圖11,根據本發明概念之實施例的環形支架60可包括板620、導引零件640及支腳660。
環形構件R可置放於板620的頂表面上。板620可具有板形狀。板620可具有圓形板形狀。舉例而言,板620具有大於環形構件R之直徑的直徑。由於板620以圓形板形狀提供,因此環形構件R可穩定地支撐於板620上且經傳送。板620的中心區可提供為無孔形成的阻斷板。替代地,用於減小板620之重量的通孔可形成於板620的中心區處。
複數個凹口621可形成於板620的邊緣區中。複數個凹口621可提供於板620的邊緣區域中。凹口621藉由自板620的頂表面穿透至底表面而形成。凹口621可形成於板620的邊緣區處,且可形成於包括板620之外部圓周的邊緣區域中。即,凹口621可自板620之邊緣區延伸至板620的外部圓周。凹口621可形成於數個位置處,前述位置在自上方檢視時與提供至負載鎖固腔室40的支撐擱板440對準。此外,凹口621可形成於與數個位置處,前述位置在自上方檢視時與提供至第二容器F2的支撐槽F22重疊。在環形構件R正使用環形支架60傳送時,此情形防止環形支架60與支撐擱板440或/及支撐槽F22干涉。
在環形構件R坐落於環形支架60上且環形支架60由第一傳送手242傳送時,環形構件R可由第一傳送手242的筆直移動來滑動或由第一傳送手242的旋轉移動坐落於一位置。導引零件640可防止環形構件R之位置之此類滑動或失真。
導引零件640可自板620之頂表面突出。導引零件640可自板620之頂表面向上突出。置放於環形支架60上之環形構件R的內部圓周可具有平坦區(flat zone,FZ)及圓形區(round zone,RZ)。導引零件640可形成於面向環形構件R之平坦區FZ之內部圓周的位置。導引零件640可具有對應於環形構件R之內部圓周的形狀。導引零件640可具有對應於包括平坦區FZ之環形構件R之內部圓周的形狀。
支腳660可與第一傳送手242之頂表面接觸地支撐。支腳660可自板620之底表面突出。支腳660可自板620之底表面向下突出。支腳660可提供為襯墊662。襯墊662可由相較於第一傳送手242之頂表面具有較強摩擦力的材料製成。在一實施例中,襯墊662可由諸如碳填充之聚醚醚酮(poly-ether-ether-ketone,PEEK)的材料製成。然而,此係僅一實施例,且可進行各種修改並提供至具有類似性質的其他已知材料。襯墊662可以圓柱形狀提供。然而,襯墊662的形狀不限於此,且可經修改成各種形狀。可提供至少一個襯墊662。可提供複數個襯墊662。在一實施例中,三個襯墊662可提供於板620的底表面上。
其後,襯墊662經提供的位置且襯墊662之特定形式將關於第一傳送手242來描述。圖12示意性地圖示環形構件及環形支架安置於圖2之第一傳送手上的狀態。圖13圖示環形構件及環形支架安置於圖12之第一傳送手上之狀態的部分放大圖。
參看圖12,在自上方檢視時,襯墊662提供於一位置,在環形支架60支撐於第一傳送手242處的狀態下,前述位置並不與第一傳送手242的基板支撐襯墊244重疊。根據實施例,襯墊662可位於基板支撐襯墊244的內部區處。
參看圖13,當環形支架60置放於第一傳送手242上時,板620可與基板支撐襯墊244隔開。當環形支架60置放於第一傳送手242上時,襯墊662提供於板620自基板支撐襯墊244向上隔開的一高度處。當環形支架60置放於第一傳送手242上時,襯墊662可提供於板620之底表面及基板支撐襯墊244的頂端彼此隔開的高度處。即,當環形支架60置放於第一傳送手242上時,基板支撐襯墊244可提供於並不與板620之底表面接觸的高度處。因此,當環形支架60經傳送時,基板支撐襯墊244由環形支架60的污染可經最小化。因此,當第一傳送機器人240攜載基板W時,有可能的是使基板W歸因於基板支撐襯墊244的污染最小化。
藉由提供襯墊662至板620,有可能的是在第一傳送機器人240傳送環形構件R時防止用以傳送環形構件R之環形支架60的滑動或失真。藉由提供襯墊662至板620,有可能在第一傳送機器人240傳送環形支架60時防止環形支架60的滑動或失真。因此,環形構件R及/或環形支架60可經穩定地傳送。藉由提供襯墊662至板620,環形構件R及/或環形支架60可經穩定地傳送而無第一傳送機器人240的結構改變。
在上述實例中,支腳660提供為襯墊662的狀況已描述為實例,但本發明概念不限於此。圖14示意性地圖示圖1之第一傳送手的另一實施例。圖15為用以攜載環形構件之環形支架之另一實施例的正視圖。圖16示意性地圖示環形構件及環形支架置放於圖14之第一傳送手上的狀態。圖17繪示環形構件及環形支架置放於圖16之第一傳送手上之狀態的部分放大圖。
參看圖14,至少一個基板支撐襯墊244可提供於第一傳送手242的頂表面上。舉例而言,三個基板支撐襯墊244可經提供以支撐置放於第一傳送手242上之傳送物件的三個點。待傳送之物件可為基板W。基板支撐襯墊244可防止置放於第一傳送手242上之基板W滑動。基板支撐襯墊244在自上方檢視時可沿著具有半徑之虛擬圓的圓周方向配置。基板支撐襯墊244可以實質圓柱形狀提供。
至少一個孔246可形成於第一傳送手242的頂表面上。待隨後描述之銷644可插入至孔246中。孔246可以對應於銷644之形式的形式提供。孔246可經形成以具有並不穿透第一傳送手242的高度。孔246之高度可經提供為低於第一傳送手242的厚度。
根據本發明概念之另一實施例的環形支架60可包括板620、導引零件640及支腳660。在本發明概念中描述之環形支架60實質上類似於在圖9至圖13中描述的環形支架60提供。下文中,與參看圖9至圖13描述之環形支架60重疊的描述內容將被省略。
參看圖15至圖17,支腳660可與第一傳送手242之頂表面接觸地支撐。支腳660可自板620的底表面突出。支腳660可自板620之底表面向下突出。支腳660可提供為銷664。在一實施例中,銷664可以圓柱形狀提供。在另一實施例中,銷664可以圓柱形狀提供,且其底表面可在向下方向上以凸起形狀提供。然而,銷664的形式不限於此,且可經變形成各種形狀。可提供至少一個銷664。可提供複數個銷664。在一實施例中,三個銷664可提供於板620的底表面上。銷664可以對應於提供於第一傳送手242之頂表面上的孔246之數目提供。銷664可提供於一位置處,在第一傳送手242支撐環形支架60時,前述位置與孔246重疊。
銷664插入至提供在第一傳送手242之頂表面上的孔246中。因此,環形支架60可支撐於第一傳送手242上。當環形支架60支撐於第一傳送手242上時,銷664提供於一位置處,當自上方檢視時,前述位置並未與第一傳送手242之基板支撐襯墊244重疊。
當環形支架60置放於第一傳送手242上時,板620可與基板支撐襯墊244隔開。當環形支架60置放於第一傳送手242上時,銷664可提供於板620自基板支撐襯墊244向上隔開的一高度處。當環形支架60置放於第一傳送手242上時,銷664可提供於板620之底表面及基板支撐襯墊244的頂端彼此隔開的高度處。即,當環形支架60置放於第一傳送手242上時,基板支撐襯墊244可提供於並不與板620之底表面接觸的高度處。因此,當環形支架60經傳送時,基板支撐襯墊244由環形支架60的污染可經最小化。因此,當第一傳送機器人240攜載基板W時,有可能的是使基板W歸因於基板支撐襯墊244的污染最小化。
藉由提供銷664至板620,第一傳送機器人240及環形支架60插入且經由銷664鎖固。因此,當第一傳送機器人240傳送環形構件R時,用以傳送環形構件R之環形支架60的滑動或/及失真可被防止。藉由提供銷664至板620,有可能的是在第一傳送機器人240傳送環形支架60時防止環形支架60的滑動及/或失真。因此,環形構件R及/或環形支架60可經穩定地傳送。藉由提供銷664至板620,環形構件R及/或環形支架60可經穩定地傳送而無第一傳送機器人240的結構改變。
在以上描述內容中,環形支架60由第一傳送機器人240運輸的狀況作為實例進行描述,但本發明概念不限於此,且第二傳送機器人340亦可使用環形支架60來傳送環形構件R。甚至在環形構件R使用環形支架60由第二傳送機器人340傳送時,以上情形類似於環形支架60由第一傳送機器人240傳送的狀況提供,且因此其詳細描述內容將被省略。
本發明概念之效應不限於上述效應,且未提及效應可自說明書及隨附圖式由熟習發明概念屬之領域的技術者清楚地理解。
儘管本發明概念之較佳實施例迄今為止已進行了圖示及描述,但本發明概念不限於上述特定實施例,且應注意到,熟習本發明概念係關於之技術的技術者可以各種方式實行本發明概念而不偏離申請專利範圍中主張的本發明概念的本質,且修改不應與本發明概念之技術精神或期望分離地解譯。
1:基板處理設備
2:第一方向
4:第二方向
6:第三方向
10:載入埠
20:大氣壓傳送模組
30:真空傳送模組
40:負載鎖固腔室
50:製程腔室
60:環形支架
220:傳送框架
240:第一傳送機器人
242:第一傳送手
244:基板支撐襯墊
246:孔
320:傳送腔室
340:第二傳送機器人
342:第二傳送手
342a:第一傳送襯墊
342b:第二傳送襯墊
342c:第三傳送襯墊
342d:第四傳送襯墊
420、510:外殼
421:內部空間
422:第一開口
423:第二開口
424:氣體供應孔
425:減壓孔
440:支撐擱板
442:支撐突出部
444:第一擱板襯墊
446:第二擱板襯墊
512:入口
514:閘閥
516:排出孔
518:加熱器
520:支撐單元
521:介電板
522:冷卻板
522a:頂部流動路徑
522b:第三電源
522c:第三電源線
522d:第一流體供應線
523:絕緣板
524:底部主體
524a:頂部流動路徑
524b:連接構件
524d:第二流體供應線
525:電極
525a:第一電源
525b:開關
525c:第一電力線
526:加熱器
526a:第二電源
526c:第二電源線
530:氣體供應單元
532:氣體供應噴嘴
534:氣體供應線
536:氣體儲存單元
538:閥
540:電漿源
552:排出擋板
560:排出管線
570:第一提升銷模組
572:第一提升銷
574:第一銷驅動器
580:第二提升銷模組
582:第二提升銷
584:提升/降低板
586:第二銷驅動器
590:噴頭單元
592:噴頭
592a:第四電源
593:通孔
594:氣體注入板
595:注入孔
596:支撐單元
620:板
621:凹口
640:導引零件
644、664:銷
660:支腳
662:襯墊
F:容器
F1:第一容器
F2:第二容器
R:環形構件
W:基板
以上及其他目標及特徵將參看以下圖式自以下描述內容變得顯而易見,其中類似參考數字貫穿各種特徵指類似零件,除非以其他方式指定。
圖1示意性地圖示根據本發明概念之實施例的基板處理設備。
圖2示意性地圖示圖1的第一傳送手。
圖3示意性地圖示圖1的第二傳送手。
圖4為圖示圖1之負載鎖固腔室的平面橫截面圖。
圖5圖示基板置放於圖4之支撐擱板上的狀態。
圖6圖示環形構件置放於圖4之支撐擱板上的狀態。
圖7圖示圖6之支撐擱板上之環形支架自負載鎖固腔室提取的狀態。
圖8示意性地圖示圖1之製程腔室的實施例。
圖9為示意性地圖示用以傳送環形構件之環形支架之實施例的透視圖。
圖10為圖9之環形支架之底表面的平面圖。
圖11為圖9之環形支架的正視圖。
圖12為示意性地圖示環形構件及環形支架安置於圖2之第一傳送手處的狀態。
圖13圖示環形構件及環形支架安置於圖12之第一傳送手上的狀態之部分放大圖。
圖14示意性地圖示圖1之第一傳送手的另一實施例。
圖15為用以攜載環形構件之環形支架之另一實施例的正視圖。
圖16示意性地圖示環形構件及環形支架置放於圖14之第一傳送手上的狀態。
圖17為繪示環形構件及環形支架置放於圖14之第一傳送手上的狀態之部分放大圖的視圖。
1:基板處理設備
2:第一方向
4:第二方向
6:第三方向
10:載入埠
20:大氣壓傳送模組
30:真空傳送模組
40:負載鎖固腔室
50:製程腔室
220:傳送框架
240:第一傳送機器人
242:第一傳送手
320:傳送腔室
340:第二傳送機器人
342:第二傳送手
F:容器
F1:第一容器
F2:第二容器
Claims (20)
- 一種基板處理設備,其包含: 大氣壓傳送模組,前述大氣壓傳送模組具備第一傳送機器人,前述第一傳送機器人具有第一手,前述第一手上面置放有基板; 真空傳送模組,前述真空傳送模組具備第二傳送機器人,前述第二傳送機器人具有第二手,前述第二手上面置放有基板; 負載鎖固腔室,前述負載鎖固腔室定位於前述大氣壓傳送模組與前述真空傳送模組之間,且具有在大氣壓氛圍與真空氛圍之間可轉換的內部空間; 製程腔室,前述製程腔室耦接至前述真空傳送模組且處理前述基板;及 環形支架,前述環形支架可由前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人支撐用於提供於前述製程腔室處的環形構件的傳送且支撐前述環形構件,且 其中前述環形支架包含: 板,前述板上面置放有前述環形構件;及 至少一個支腳,前述至少一個支腳自前述板的底表面突出且置放於前述第一手或前述第二手處。
- 如請求項1所述之基板處理設備,其中前述至少一個支腳提供為襯墊。
- 如請求項2所述之基板處理設備,其中用於支撐基板的至少一個基板支撐襯墊提供於前述第一手或前述第二手的頂表面處,且 其中在前述環形支架置放於前述第一手或前述第二手上時,前述襯墊提供於前述板與前述至少一個基板支撐襯墊向上隔開的高度處。
- 如請求項3所述之基板處理設備,其中前述襯墊及前述至少一個基板支撐襯墊經定位以在前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人傳送前述環形構件時自上方查看時不彼此干涉。
- 如請求項4所述之基板處理設備,其中前述襯墊為圓柱形狀。
- 如請求項1所述之基板處理設備,其中前述至少一個支腳提供為銷,且用於支撐基板的至少一個基板支撐襯墊提供於前述第一手或前述第二手的頂表面處,且進一步包括用於插入前述銷之末端的孔。
- 如請求項6所述之基板處理設備,其中在前述環形支架置放於前述第一手或前述第二手上時,前述銷定位於前述板向上與前述至少一個基板支撐襯墊隔開的高度處。
- 如請求項7所述之基板處理設備,其中前述銷及前述至少一個基板支撐襯墊經定位以在前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時不彼此干涉。
- 如請求項8所述之基板處理設備,其中前述銷以具有向下凸起之底表面的圓柱形狀提供。
- 如請求項1至9中任一項所述之基板處理設備,其中前述板為圓形板形式。
- 如請求項10所述之基板處理設備,其中前述負載鎖固腔室包含支撐前述基板或前述環形構件的複數個支撐擱板,且 其中複數個凹口穿過前述板在前述板的邊緣區處形成,且 當前述第一傳送機器人或前述第二傳送機器人自前述複數個支撐擱板的頂側移動至底側時,由前述環形支架支撐之前述環形構件坐落於支撐擱板上,且前述複數個凹口經定位以與前述複數個支撐擱板對準,因此前述環形支架與前述第一傳送機器人及前述第二傳送機器人一起移動。
- 一種傳送組合件,其包含: 支撐環形構件的環形支架;及 具有傳送手的傳送機器人,前述傳送機器人用於選擇性地傳送基板及前述環形支架,且 其中前述環形支架包含: 板,前述板上面置放有前述環形構件;及 至少一個支腳,前述至少一個支腳自前述板的底表面突出且提供為置放於前述傳送手上。
- 如請求項12所述之傳送組合件,其中前述至少一個支腳提供為襯墊。
- 如請求項13所述之傳送組合件,其中用於支撐前述基板的至少一個基板支撐襯墊置放於前述傳送手的頂表面處,且 其中當前述環形支架置放於前述傳送手上時,前述襯墊提供於前述板與前述至少一個基板基板支撐襯墊向上隔開的高度處。
- 如請求項14所述之傳送組合件,其中前述襯墊及前述至少一個基板基板支撐襯墊經定位以在前述傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時不彼此重疊。
- 如請求項12所述之傳送組合件,其中前述至少一個支腳提供為銷,且 用於支撐前述基板的至少一個基板支撐襯墊提供於前述傳送手的頂表面處,且進一步包括用於插入前述銷之末端的孔,且 其中當前述環形支架置放於前述傳送手上時,前述銷提供於前述板與前述至少一個基板支撐襯墊向上隔開的高度處,且 前述銷及前述至少一個基板支撐襯墊經定位以在前述傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時不彼此干涉。
- 如請求項12至16中任一項所述之傳送組合件,其中前述板為圓形板形式。
- 一種基板處理設備,其包含: 載入埠,在前述載入埠上置放儲存基板的容器、環形支架或環形構件; 索引腔室,前述索引腔室具有維持於大氣壓氛圍的內部且提供傳送機器人; 負載鎖固腔室,前述負載鎖固腔室具有在大氣壓與真空壓力之間可轉換的內部;及 環形支架,前述環形支架在環形構件在前述載入埠、前述負載鎖固腔室與前述索引腔室之間的傳送期間使用,且 其中前述傳送機器人包含: 傳送手,前述傳送手選擇性地傳送基板及前述環形支架;及 至少一個基板支撐襯墊,前述至少一個基板支撐襯墊用於支撐前述基板,且 其中前述負載鎖固腔室包含支撐前述基板或前述環形構件的複數個支撐擱板,且 其中前述環形支架包含: 板,前述板上面置放有前述環形構件;及 至少一個支腳,前述至少一個支腳自前述板的底表面突出且提供為置放於前述傳送手上,且 其中複數個凹口穿過前述板在前述板的邊緣區處形成,且前述複數個凹口經定位以在自上方查看時與前述複數個支撐擱板中的每一者重疊,且 其中在前述環形支架與前述環形構件之間,在前述傳送機器人使用前述環形支架傳送前述環形構件時,前述環形構件坐落於支撐擱板上,且 其中當前述環形支架置放於前述傳送手上時,前述至少一個支腳定位於前述板與前述至少一個基板支撐襯墊向上隔開的高度處,且 其中前述至少一個支腳及前述至少一個基板支撐襯墊經定位以在前述傳送機器人傳送前述環形構件時在自上方查看時不彼此干涉。
- 如請求項18所述之基板處理設備,其中前述至少一個支腳提供為襯墊。
- 如請求項18所述之基板處理設備,其中前述至少一個支腳提供為銷,且用於插入前述銷之末端的孔進一步包括於前述傳送機器人的頂表面處。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0083589 | 2021-06-28 | ||
KR1020210083589A KR102614918B1 (ko) | 2021-06-28 | 2021-06-28 | 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202301546A true TW202301546A (zh) | 2023-01-01 |
TWI844045B TWI844045B (zh) | 2024-06-01 |
Family
ID=84542479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111123447A TWI844045B (zh) | 2021-06-28 | 2022-06-23 | 傳送組合件及具有該傳送組合件的處理基板的設備 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220415679A1 (zh) |
JP (1) | JP7450666B2 (zh) |
KR (1) | KR102614918B1 (zh) |
CN (1) | CN115602574A (zh) |
TW (1) | TWI844045B (zh) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7811153B1 (en) * | 2007-03-30 | 2010-10-12 | Novellus Systems, Inc. | High throughput servo load cup with integrated wet chemistry delivery |
US9425077B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport |
US9881820B2 (en) * | 2015-10-22 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Front opening ring pod |
US11075105B2 (en) * | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ apparatus for semiconductor process module |
JP7283901B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-05-30 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
US10964584B2 (en) * | 2019-05-20 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Process kit ring adaptor |
US11626305B2 (en) * | 2019-06-25 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Sensor-based correction of robot-held object |
JP7336369B2 (ja) * | 2019-11-25 | 2023-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法 |
KR20210030917A (ko) * | 2021-03-08 | 2021-03-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
2021
- 2021-06-28 KR KR1020210083589A patent/KR102614918B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-06-20 JP JP2022098667A patent/JP7450666B2/ja active Active
- 2022-06-23 TW TW111123447A patent/TWI844045B/zh active
- 2022-06-27 US US17/849,786 patent/US20220415679A1/en active Pending
- 2022-06-28 CN CN202210750347.2A patent/CN115602574A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230001566A (ko) | 2023-01-05 |
CN115602574A (zh) | 2023-01-13 |
US20220415679A1 (en) | 2022-12-29 |
JP2023007440A (ja) | 2023-01-18 |
TWI844045B (zh) | 2024-06-01 |
JP7450666B2 (ja) | 2024-03-15 |
KR102614918B1 (ko) | 2023-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20200102612A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101909483B1 (ko) | 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
US11056367B2 (en) | Buffer unit, and apparatus for treating substrate with the unit | |
CN110858557B (zh) | 缓冲单元以及用该缓冲单元处理基板的装置和方法 | |
US20220367155A1 (en) | Ring carrier and substrate treating system | |
TWI844045B (zh) | 傳送組合件及具有該傳送組合件的處理基板的設備 | |
KR20230061959A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
KR20210030917A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102202463B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102299883B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
US20240153747A1 (en) | Substrate supporting unit, apparatus for treating substrate including the same, and ring transfer method | |
KR20210008549A (ko) | 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102491002B1 (ko) | 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR20230031676A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
KR20230064019A (ko) | 반송 로봇, 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
US20230215706A1 (en) | Lift pin unit and unit for supporting substrate and substrate treating apparatus | |
KR102675611B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20230061962A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
US20240071783A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
US20230317434A1 (en) | Carrier for end effector, transportation apparatus including the same and the substrate processing apparatus | |
US20230207280A1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR20230063415A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
KR20230064021A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20230034676A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 | |
KR20230034673A (ko) | 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 |