KR20230001566A - 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 - Google Patents

반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230001566A
KR20230001566A KR1020210083589A KR20210083589A KR20230001566A KR 20230001566 A KR20230001566 A KR 20230001566A KR 1020210083589 A KR1020210083589 A KR 1020210083589A KR 20210083589 A KR20210083589 A KR 20210083589A KR 20230001566 A KR20230001566 A KR 20230001566A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plate
ring member
hand
transfer
Prior art date
Application number
KR1020210083589A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102614918B1 (ko
Inventor
전수빈
손덕현
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020210083589A priority Critical patent/KR102614918B1/ko
Priority to JP2022098667A priority patent/JP7450666B2/ja
Priority to TW111123447A priority patent/TW202301546A/zh
Priority to US17/849,786 priority patent/US20220415679A1/en
Priority to CN202210750347.2A priority patent/CN115602574A/zh
Publication of KR20230001566A publication Critical patent/KR20230001566A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102614918B1 publication Critical patent/KR102614918B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/009—Gripping heads and other end effectors with pins for accurately positioning the object on the gripping head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판이 놓이는 제1핸드를 가지는 제1반송 로봇이 제공된 상압 이송 모듈, 기판이 놓이는 제2핸드를 가지는 제2반송 로봇이 제공된 진공 이송 모듈, 상기 상압 이송 모듈과 상기 진공 이송 모듈 사이에 배치되며, 내부 공간이 상압 분위기와 진공 분위기 간에 전환 가능한 로드락 챔버, 상기 진공 이송 모듈에 결합되며, 기판을 처리하는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버에 제공되는 링 부재의 반송을 위해 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇에 의해 지지 가능하고, 상기 링 부재를 지지하는 링 캐리어를 포함하되, 상기 링 캐리어는 상기 링 부재가 놓이는 플레이트 및 상기 플레이트의 하면으로부터 돌출되며, 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드 상에 놓이도록 제공되는 적어도 하나 이상의 레그를 포함할 수 있다.

Description

반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치{A TRANSFER ASSEMBLEY AND AN APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE WITH THE TRANSFER ASSEMBLEY}
본 발명은 반송 어셈블리 및 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 및 링 부재를 반송하는 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화 된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도, 강한 전계, 또는 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 등의 기판 상에 형성된 박막을 제거하는 에칭 공정(Etching Process)을 포함할 수 있다. 에칭 공정은 플라즈마의 이온 및/또는 라디칼들이 기판 상의 박막과 충돌하거나, 박막과 반응하여 수행된다.
플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 어셈블리, 그리고 기판을 처리하는 가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 가진다. 지지 어셈블리는 정전기력으로 기판을 고정하는 정전 척과 정전 척에 안착된 기판의 외주를 둘러싸는 포커스 링을 포함한다. 포커스 링은 기판 표면 상에서 플라즈마를 균일성 높게 분포시킨다. 기판에 대한 에칭이 반복적으로 행해지면, 포커스 링도 함께 에칭되며, 이로 인해 포커스 링의 형상은 점차 변화된다. 이러한 포커스 링의 형상 변화에 따라 이온 및/또는 라디칼이 기판에 입사하는 방향이 변화되어 기판에 대한 에칭 특성이 변화된다. 따라서, 기판에 대한 에칭 처리가 반복 수행되는 경우, 또는 포커스 링의 형상이 변화되어 허용 범위 밖에 있는 경우에는 포커스 링에 대한 교체가 필요하다.
일반적으로, 포커스 링의 교체는 작업자가 공정 챔버를 오픈하고, 오픈된 공정 챔버에서 사용된 포커스 링을 꺼내고, 미사용 포커스 링을 공정 챔버에 장착함으로써 이루어진다. 그러나, 이러한 교체 방식은 작업 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 공정 챔버 내로 파티클(Particle)이 유입될 가능성이 높다. 이에, 최근에는 기판 처리 장치의 반송 로봇이 사용된 포커스 링을 공정 챔버에서 반출하여 링 포드(Ring Pod)로 반입하고, 이후 반송 로봇이 링 포드에서 신규 포커스 링을 반출하여 공정 챔버로 반입하는 교체 방식을 사용한다.
포커스 링의 반송은 기판을 반송하는 반송 로봇이 수행할 수 있다. 또한, 포커스 링은 링 캐리어를 사용하여 반송 로봇에 의해 반송될 수 있다. 링 캐리어를 이용하여 포커스 링을 반송하는 경우, 기판을 지지하기 위한 패드가 링 캐리어에 의해 오염될 수 있다. 이로 인해, 기판을 반송하는 도중 기판에 오염을 전가하는 문제가 발생한다. 이는 기판 처리 공정의 불량률 상승으로 귀결된다. 또한, 기판 상에 안착되는 링 캐리어가 흔들리는 경우 링 캐리어에 안착된 포커스 링이 미끄러지거나 뒤틀리는 문제가 야기된다. 이는 공정 챔버 내 포커스 링의 장착 위치가 달라져 포커스 링이 공정 챔버에 적절히 장착되지 못할 수 있다.
본 발명은 링 부재를 안정적으로 반송할 수 있는 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반송 핸드의 구조를 변경하지 않고, 링 부재의 반송을 위해 사용되는 링 캐리어를 안정적으로 반송할 수 있는 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 링 부재를 반송할 때, 링 부재의 반송을 위해 사용되는 링 캐리어가 반송 핸드 상에서 미끄러지거나 위치가 틀어지는 것을 최소화할 수 있는 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 링 캐리어와 기판을 동일한 반송 핸드를 사용하여 반송할 때, 기판을 지지하는 패드가 링 캐리어에 의해 오염되는 것을 최소화할 수 있는 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판이 놓이는 제1핸드를 가지는 제1반송 로봇이 제공된 상압 이송 모듈, 기판이 놓이는 제2핸드를 가지는 제2반송 로봇이 제공된 진공 이송 모듈, 상기 상압 이송 모듈과 상기 진공 이송 모듈 사이에 배치되며, 내부 공간이 상압 분위기와 진공 분위기 간에 전환 가능한 로드락 챔버, 상기 진공 이송 모듈에 결합되며, 기판을 처리하는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버에 제공되는 링 부재의 반송을 위해 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇에 의해 지지 가능하고, 상기 링 부재를 지지하는 링 캐리어를 포함하되, 상기 링 캐리어는 상기 링 부재가 놓이는 플레이트 및 상기 플레이트의 하면으로부터 돌출되며, 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드 상에 놓이도록 제공되는 적어도 하나 이상의 레그를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 레그는 패드로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드의 상면에는 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고, 상기 패드는 상기 링 캐리어가 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 패드와 상기 기판 지지 패드는 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 패드는 원기둥 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 레그는 핀으로 제공되고, 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드의 상면에는 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고, 상기 핀의 일단이 삽입되는 홀이 더 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 핀은 상기 링 캐리어가 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 핀과 상기 기판 지지 패드는 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 핀은 그 저면이 아래로 볼록한 원기둥 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 플레이트는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 로드락 챔버는 기판 또는 상기 링 부재를 지지하는 복수의 지지 선반을 포함하고, 상기 플레이트의 가장자리 영역에는 복수의 노치들이 상기 플레이트를 관통하여 형성되고, 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇이 상기 복수의 지지 선반의 상측 위치에서 하측 위치로 이동될 때, 상기 링 캐리어에 지지된 상기 링 부재는 상기 지지 선반에 안착되고, 상기 복수의 노치들은 상기 링 캐리어가 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇과 함께 이동되도록 상기 복수의 지지 선반과 정렬되는 위치에 제공될 수 있다.
본 발명은 링 부재를 반송하는데 사용되는 링 캐리어를 반송하는 반송 어셈블리를 제공한다. 반송 어셈블리는 링 부재를 지지하는 링 캐리어 및 기판 및 상기 링 캐리어를 선택적으로 반송하는 반송 핸드를 가지는 반송 로봇을 포함하되, 상기 링 캐리어는 상기 링 부재가 놓이는 플레이트 및 상기 플레이트의 하면으로부터 돌출되며, 상기 반송 핸드 상에 놓이도록 제공되는 적어도 하나 이상의 레그를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 레그는 패드로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반송 핸드의 상면에는 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고, 상기 패드는 상기 링 캐리어가 상기 반송 핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격 높이를 갖도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 패드와 상기 기판 지지 패드는 상기 반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 중첩되지 않는 위치에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 레그는 핀으로 제공되고, 상기 반송 핸드의 상면에는 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고, 상기 핀의 일단이 삽입되는 홀이 더 형성되고, 상기 핀은 상기 링 캐리어가 상기 반송 핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공되고, 상기 핀과 상기 기판 지지 패드는 상기 반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 플레이트는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판, 링 캐리어, 또는 링 부재가 수납되는 용기가 놓이는 로드 포트, 내부가 대기압 분위기로 유지되며, 반송 로봇이 제공되는 인덱스 챔버, 내부가 대기압, 그리고 진공압 간에 변환 가능한 로드락 챔버 및 상기 로드 포트, 상기 로드락 챔버, 그리고 상기 인덱스 챔버 간에 링 부재 반송시 사용되는 링 캐리어를 포함하되, 상기 반송 로봇은 기판, 그리고 상기 링 캐리어를 선택적으로 반송하는 반송 핸드 및 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드를 포함하고, 상기 로드락 챔버는 기판 또는 상기 링 부재를 지지하는 복수의 지지 선반을 포함하고, 상기 링 캐리어는 상기 링 부재가 놓이는 플레이트 및 상기 플레이트의 하면으로부터 돌출되며, 반송 핸드 상에 놓이도록 제공되는 적어도 하나 이상의 레그를 포함하되, 상기 플레이트의 가장자리 영역에는 복수의 노치들이 상기 플레이트를 관통하여 형성되고, 상기 노치들은 상부에서 바라볼 때, 각각 상기 지지 선반들과 중첩되는 위치에 형성되고, 상기 반송 로봇이 상기 링 캐리어를 이용하여 상기 링 부재를 반송할 때, 상기 링 캐리어와 상기 링 부재 중 상기 링 부재가 상기 지지 선반에 안착되고, 상기 레그는 상기 링 캐리어가 상기 반송 핸드 상에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공되고, 상기 레그와 상기 기판 지지 패드는 상기 반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 레그는 패드로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 레그는 핀으로 제공되고, 상기 반송 로봇의 상면에는 상기 핀의 일단이 삽입되는 홀이 더 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판, 그리고 링 부재를 안정적으로 반송할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 링 부재를 반송할 때, 링 부재의 반송을 위해 사용되는 링 캐리어가 반송 핸드 상에서 미끄러지거나 위치가 틀어지는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 링 부재를 반송할 때, 링 부재의 반송을 위해 사용되는 링 캐리어가 반송 핸드 상에서 미끄러지거나 위치가 틀어지는 것을 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 제1반송 핸드의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 제2반송 핸드의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 로드락 챔버의 모습을 보여주는 평단면도이다.
도 5는 도 4의 지지 선반에 기판이 놓인 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 지지 선반에 링 부재가 놓인 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 지지 선반에서 링 캐리어가 로드락 챔버로부터 반출되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 1의 공정 챔버에 대한 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 링 부재를 반송하는데 사용되는 링 캐리어의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 10은 도 9의 링 캐리어의 하면에 대한 평면도이다.
도 11은 도 9의 링 캐리어의 정면도이다.
도 12는 도 2의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 13은 도 12의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 정면에서 일부를 확대하여 바라본 도면이다.
도 14는 도 1의 제1반송 핸드에 대한 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 15는 링 부재를 반송하는데 사용되는 링 캐리어의 다른 실시예에 대한 정면도이다.
도 16은 도 14의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 17은 도 14의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 정면에서 일부를 확대하여 바라본 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하에서는, 도 1 내지 도 17을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(10), 상압 이송 모듈(20), 진공 이송 모듈(30), 로드락 챔버(40), 공정 챔버(50), 그리고 링 캐리어(60)를 포함할 수 있다.
로드 포트(10)는 후술하는 상압 이송 모듈(20)의 일 측에 배치될 수 있다. 로드 포트(10)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 로드 포트(10)의 개수는 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 용기(F)는 로드 포트(10)에 놓일 수 있다. 용기(F)는 천장 이송 장치(Overhead Transfer Apparatus, OHT), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(10)에 로딩되거나 로드 포트(10)에서 언로딩 될 수 있다. 용기(F)는 수납되는 물품의 종류에 따라 다양한 종류의 용기를 포함할 수 있다. 용기(F)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod, FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다.
용기(F) 내에는 다양한 물품이 수납될 수 있다. 용기(F)는 수납되는 물품의 종류에 따라 다양한 종류의 용기를 포함할 수 있다. 예컨대, 용기(F)들 중 어느 하나인 제1용기(F1) 내에는, 기판 처리 장치(1)에서 처리되는 피처리물이 수납될 수 있다. 피처리물은 웨이퍼와 같은 기판(W)일 수 있다. 제1용기(F1)에는 기판(W)이 안착되는 지지 슬롯(F11)이 제공될 수 있다. 또한, 용기(F)들 중 다른 하나인 제2용기(F2) 내에는, 기판 처리 장치(1)에 장착되며 교체가 필요한 링 부재(R)가 수납될 수 있다. 링 부재(R)는 후술하는 공정 챔버(50)에서 설치되는 포커스 링이나 유전체 링일 수 있다. 제2용기(F2)에는 링 부재(R)가 안착되는 지지 슬롯(F21)이 제공될 수 있다. 선택적으로, 제2용기(F2) 내에는 링 부재(R)와 링 캐리어(60)가 수납될 수 있다. 제2용기(F2)에는 링 캐리어(60)가 안착되는 지지 슬롯(F22)이 제공될 수 있다. 링 부재(R)의 외주 직경은, 기판(W)의 외주 직경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 이에, 제2용기(F2) 내 공간은 제1용기(F1) 내 공간보다 다소 큰 체적을 가질 수 있다.
상압 이송 모듈(20)과 진공 이송 모듈(30)은 제1방향(2)을 따라 배열될 수 있다. 이하에서는, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)으로 정의한다. 또한, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)으로 정의한다. 여기서 제3방향(6)은 지면에 대해 수직한 방향이다.
상압 이송 모듈(20)은 용기(F)와 후술하는 로드락 챔버(40) 간에 기판(W) 또는 링 부재(R)를 선택적으로 반송할 수 있다. 예를 들어, 상압 이송 모듈(20)은 용기(F)로부터 기판(W)을 인출하여 로드락 챔버(40)로 반송하거나, 로드락 챔버(40)로부터 기판(W)을 인출하여 용기(F)로 반송할 수 있다. 상압 이송 모듈(20)은 반송 프레임(220)과 제1반송 로봇(240)을 포함할 수 있다. 반송 프레임(220)은 로드 포트(10)와 로드락 챔버(40) 사이에 제공될 수 있다. 즉, 반송 프레임(220)에는 로드 포트(10)가 접속될 수 있다. 반송 프레임(220)은 내부가 상압으로 제공될 수 있다. 반송 프레임(220)은 내부가 대기압 분위기로 유지될 수 있다.
반송 프레임(220)에는 제1반송 로봇(240)이 제공될 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 로드 포트(10)에 안착된 용기(F)와 후술하는 로드락 챔버(40) 사이에서 기판(W) 또는 링 부재(R)를 선택적으로 반송할 수 있다.
제1반송 로봇(240)은 수직 방향으로 이동할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전하는 제1반송 핸드(242)를 가질 수 있다. 제1반송 로봇(240)의 제1반송 핸드(242)는 하나 또는 복수 개로 제공될 수 있다. 제1반송 핸드(242) 상에 기판(W)이 놓일 수 있다. 선택적으로, 제1반송 핸드(242) 상에 링 부재(R)를 지지하는 후술하는 링 캐리어(60)가 놓일 수 있다. 제1반송 로봇(240), 그리고 링 부재(R)를 지지하는 링 캐리어(60)는 용기(F), 상압 이송 모듈(20), 그리고 후술하는 로드락 챔버(40) 간에 링 부재(R)를 반송하는 반송 어셈블리로 정의할 수 있다.
도 2는 도 1의 제1반송 핸드의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 제1반송 핸드(242)의 상면에는 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드(244)가 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 지지 패드(244)는 3 개가 제공되어, 제1반송 핸드(242)에 놓이는 기판을 3 점에서 지지할 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 제1반송 핸드(242)에 놓이는 기판(W)의 미끄러짐을 방지할 수 있다. 기판 지지 패드(244)들은 상부에서 바라볼 때, 일 반경을 가지는 가상의 원의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 대체로 원판 형상으로 제공될 수 있다. 기판 지지 패드(244) 내부에는 도시되지 않은 진공 흡착홀이 형성될 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 기판(W)을 진공으로 흡착하여 기판(W)을 반송할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 진공 이송 모듈(30)은 후술하는 로드락 챔버(40), 그리고 후술하는 공정 챔버(50) 사이에 배치될 수 있다. 진공 이송 모듈(30)은 트랜스퍼 챔버(320), 그리고 제2반송 로봇(340)을 포함할 수 있다.
트랜스퍼 챔버(320)는 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)에는 제2반송 로봇(340)이 제공될 수 있다. 일 예로, 제2반송 로봇(340)은 트랜스퍼 챔버(320)의 중앙부에 위치될 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(50) 간에 기판(W) 또는 링 부재(R)를 선택적으로 반송할 수 있다. 선택적으로, 진공 이송 모듈(30)은 공정 챔버(50)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전을 하는 제2반송 핸드(342)를 가질 수 있다. 제2반송 로봇(340)의 제2반송 핸드(342)는 적어도 하나 이상으로 제공될 수 있다.
도 3은 도 1의 제2반송 핸드의 모습을 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 제2반송 핸드(342)는 제1반송 핸드(242)보다 상대적으로 큰 크기를 가질 수 있다. 제2반송 핸드(342)의 상면에는 한 쌍의 제1반송 패드(342a), 한 쌍의 제2반송 패드(342b)를 한 쌍의 제3반송 패드(342c), 그리고 한 쌍의 제4반송 패드(342d)가 제공될 수 있다. 제2반송 패드(342b) 및 제3반송 패드(342c)는 제1반송 패드(342a) 및 제4반송 패드(342d) 사이에 배치될 수 있다. 제2반송 패드(342b) 및 제3반송 패드(342c)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주보다 안쪽에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2반송 패드(342b) 및 제3반송 패드(342c)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 제1반송 패드(342a) 및 제4반송 패드(342d)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주 및 링 부재(R)의 내주보다 바깥 쪽에 배치되되, 링 부재(R)의 외주보다는 안쪽에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1반송 패드(342a) 및 제4반송 패드(342d)는 링 부재(R)를 지지할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(320)에는 적어도 하나 이상의 후술하는 공정 챔버(50)가 접속될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)는 다각형의 형상으로 제공될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)의 둘레에는 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)가 배치될 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이, 진공 이송 모듈(30)의 중앙부에 육각형 형상의 트랜스퍼 챔버(320)가 배치되고, 그 둘레에 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)가 배치될 수 있다. 다만, 트랜스퍼 챔버(320)의 형상 및 공정 챔버의 수는 사용자의 필요에 따라, 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220), 그리고 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 기판(W) 또는 링 부재(R)가 교환되는 버퍼 공간(B)을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버(50)에 배치된 링 부재(R)의 교체를 위해, 로드락 챔버(40)에는 공정 챔버(50)에서 사용된 링 부재(R)가 일시적으로 머무를 수 있다. 일 예로, 공정 챔버(50)로 교체가 예정된 새로운 링 부재(R)의 반송을 위해, 로드락 챔버(40)에는 새로운 링 부재(R)가 일시적으로 머무를 수 있다.
상술한 바와 같이, 반송 프레임(220)은 내부 분위기가 대기압 분위기로 유지될 수 있으며, 트랜스퍼 챔버(320)는 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 그리고 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치되어, 그 내부 분위기가 대기압 분위기와 진공압 분위기 사이에서 전환될 수 있다.
도 4는 도 1의 로드락 챔버의 모습을 보여주는 평단면도이다. 도 5는 도 4의 지지 선반에 기판이 놓인 모습을 보여주는 도면이다. 도 6은 도 4의 지지 선반에 링 부재가 놓인 모습을 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6의 지지 선반에서 링 캐리어가 로드락 챔버로부터 반출되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 로드락 챔버(40)는 하우징(420)과 지지 선반(440)을 포함할 수 있다. 하우징(420)은 기판(W) 또는 링 부재(R)가 놓이는 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(420)은 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 하우징(420)에는 제1개구(422) 및 제2개구(423)가 형성될 수 있다. 제1개구(422)는 반송 프레임(220)과 마주보는 면에 제공되고, 게이트 밸브(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 제2개구(423)는 트랜스퍼 챔버(320)와 마주보는 면에 제공되고, 게이트 밸브(미도시)에 의해 개폐될 수 있다.
하우징(420)에는 하우징(420)의 내부 공간(421)으로 가스를 공급하는 가스 공급 홀(424)이 형성될 수 있다. 가스는 불활성 가스일 수 있다. 예컨대, 가스는 질소, 아르곤 등을 포함하는 가스일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 가스는 공지된 불활성 가스로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
하우징(420)에는 하우징(420)의 내부 공간(421)을 감압하는 감압 홀(425)이 형성될 수 있다. 감압 홀(425)은 감압 부재(미도시)와 연결될 수 있다. 감압 부재는 펌프일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 감압 부재는 내부 공간(421)을 감압시키는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
하우징(420)에 가스 공급 홀(424), 그리고 감압 홀(425)이 형성됨에 따라, 하우징(420)의 내부 공간의 압력은 대기압, 그리고 진공압 사이에서 전환될 수 있다.
내부 공간(421)에는 지지 선반(440)이 제공될 수 있다. 지지 선반(440)은 내부 공간(421)에서 기판(W) 또는 링 부재(R)를 지지할 수 있다. 지지 선반(440)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 선택적으로, 지지 선반(440)은 복수로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지 선반(440)은 3개가 제공될 수 있다. 복수의 지지 선반(440)은 상부에서 바라볼 때, 서로 이격되어 제공될 수 있다. 복수의 지지 선반(440)은 서로 상하로 이격될 수 있다. 이로 인해, 내부 공간(421)에서 기판(W) 또는 링 부재(R)를 다층으로 지지할 수 있다.
각각의 지지 선반(440)은 지지 돌기(442)를 구비할 수 있다. 지지 돌기(442)는 상부에서 바라볼 때, 후술하는 링 캐리어(60)에 형성된 노치(621)와 정렬되는 위치에 배치될 수 있다. 지지 돌기(442)는 그 단면에서 바라볼 때, 대체로 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다. 지지 돌기(442)는 제1선반 패드(444), 그리고 제2선반 패드(446)를 포함할 수 있다.
제1선반 패드(444), 그리고 제2선반 패드(446)는 기판(W) 또는 링 부재(R)에 대하여 마찰성을 가지는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1선반 패드(444)와 제2선반 패드(446)는 탄소 충진된 폴리 에테르 에테르 케톤(Poly-Ether-Ether-Ketone, PEEK)과 같은 재질로 제공될 수 있다. 그러나, 제1선반 패드(444)와 제2선반 패드(446)의 재질로 PEEK가 이용되는 것은 일 예시에 불과하고, 이와 유사한 성질을 가지는 공지된 다른 재질로 다양하게 변형될 수 있다.
제1선반 패드(444)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 그 길이 방향이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 제1선반 패드(444)는 제2선반 패드(446)보다 감압 홀(425)에 인접하게 배치될 수 있다. 제1선반 패드(444)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주보다 안쪽에 배치될 수 있다. 이로 인해, 도 5와 같이, 제1선반 패드(444)는 기판(W)과 링 부재(R) 중 기판(W)을 지지할 수 있다.
제2선반 패드(446)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 그 길이 방향이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 제2선반 패드(446)는 제1선반 패드(444)보다 감압 홀(425)으로부터 멀리 배치될 수 있다. 제2선반 패드(446)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주, 그리고 링 부재(R)의 내주보다 바깥 쪽에 배치되되, 링 부재(R)의 외주보다는 안쪽에 배치될 수 있다. 이로 인해, 제2선반 패드(446)는 기판(W)과 링 부재(R) 중 링 부재(R)를 지지할 수 있다.
상부에서 바라볼 때, 복수의 지지 돌기(442)는 링 캐리어(60)에 형성된 복수의 노치(621)들과 서로 정렬되는 위치에 배치된다. 이에, 도 6에 도시된 바와 같이 링 부재(R)가 놓인 링 캐리어(60)는 제1반송 핸드(242)에 의해 로드락 챔버(40) 내 지지 돌기(442)보다 높은 위치로 반입하고, 제1반송 핸드(242)가 아래 방향으로 이동하면 링 부재(R)는 지지 돌기(442)에 놓이고, 링 캐리어(60)는 제1반송 핸드(242)에 놓인 상태로 아래 방향으로 이동될 수 있다. 이후 도 7에 도시된 바와 같이, 제1반송 핸드(242)가 후퇴한다.
다시 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(320)는 적어도 하나 이상의 공정 챔버(50)가 접속될 수 있다. 공정 챔버(50)는 복수 개로 제공될 수 있다. 공정 챔버(50)는 기판(W)에 대해 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버일 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 제거하는 에칭(Etching) 공정, 포토 레지스트 막을 제거하는 애싱(Ashing) 공정, 기판(W) 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 또는 드라이 클리닝 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 공정 챔버(50)에서 수행하는 플라즈마 처리 공정은 공지된 플라즈마 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다.
도 8은 도 1의 공정 챔버에 대한 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 공정 챔버(50)는 기판(W)에 플라즈마를 전달하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 공정 챔버(50)는 하우징(510), 지지 유닛(520), 가스 공급 유닛(530), 그리고 플라즈마 소스(540)를 포함할 수 있다.
하우징(510)은 내부에 기판 처리 공간이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 하우징(510)은 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 기판(W)을 처리할 때, 하우징(510)의 처리 공간은 대체로 진공 분위기로 유지될 수 있다. 하우징(510)은 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 하우징(510)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(510)은 접지될 수 있다. 하우징(510)의 일 측에는 기판(W), 그리고 링 부재(R)가 반입 또는 반출되는 반입구(512)가 형성될 수 있다. 반입구(512)는 게이트 밸브(514)에 의해 선택적으로 개폐될 수 있다.
하우징(510)의 바닥면에는 배기 홀(516)이 형성될 수 있다. 배기 라인(560)은 배기 홀(516)에 연결될 수 있다. 배기 라인(560)은 배기 홀(516)을 통해 하우징(510)의 처리 공간에 공급된 공정 가스, 공정 부산물 등을 하우징(510)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 홀(516)의 상부에는 처리 공간에 대한 배기가 보다 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 배기 배플(552)이 제공될 수 있다. 배기 배플(552)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 배기 배플(552)에는 적어도 하나 이상의 홀이 형성될 수 있다.
하우징(510)의 벽에는 히터(518)가 제공된다. 히터(518)는 하우징(510)의 벽을 가열한다. 히터(518)는 가열 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 히터(518)는 가열 전원(미도시)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 히터(518)에서 발생된 열은 처리 공간으로 전달되어 처리 공간을 소정 온도로 유지시킨다. 히터(518)는 코일 형상의 열선으로 제공될 수 있다. 히터(518)는 하우징(510)의 벽에 복수 개가 제공될 수 있다.
지지 유닛(520)은 하우징(510)의 내부에 위치한다. 지지 유닛(520)은 하우징(510)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다. 지지 유닛(520)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(520)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함한다. 이와 달리, 지지 유닛(520)은 진공 흡착 방식 또는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 이하에서는 정전 척을 포함하는 지지 유닛(520)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(520)은 유전판(521), 냉각판(522), 절연판(523), 그리고 하부 바디(524)를 포함할 수 있다. 유전판(521)은 지지 유닛(520)의 상단부에 위치한다. 유전판(521)은 외부의 전원을 공급받아 기판(W)에 대해 정전기력을 작용한다. 유전판(521)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(521)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(521)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 기판(W)이 유전판(521) 상면에 놓일 때, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(521)의 외측에 위치한다. 유전판(521) 내에는 전극(525)과 히터(526)가 매설된다. 전극(525)은 히터(526)의 상부에 위치할 수 있다.
전극(525)은 제1전원(525a)과 전기적으로 연결된다. 제1전원(525a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 전극(525)과 제1전원(525a) 사이에는 스위치(525b)가 설치된다. 전극(525)은 스위치(525b)의 온/오프에 의해 제1전원(525a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(525b)가 온(ON) 되면, 전극(525)에는 직류 전류가 인가된다. 전극(525)에 인가된 전류에 의해 전극(525)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용한다. 이에 따라, 기판(W)은 유전판(521)에 흡착된다.
히터(526)는 제2전원(526a)과 전기적으로 연결된다. 히터(526)는 제2전원(526a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(521)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(526)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정의 온도로 유지될 수 있다. 히터(526)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 히터(526)는 복수 개가 제공된다. 히터(526)는 유전판(521)의 서로 다른 영역에 각각 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(521)의 중앙 영역을 가열하는 히터(526)와 유전판(521)의 가장자리 영역을 가열하는 히터(526)가 각각 제공될 수 있고, 이들 히터(526)들은 서로 간에 독립적으로 제어될 수 있다.
상술한 예에서는 유전판(521) 내에 히터(526)가 제공되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 유전판(521) 내에 히터(526)가 제공되지 않을 수 있다.
냉각판(522)은 유전판(521)의 하부에 위치한다. 냉각판(522)은 원판 형상으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 냉각판(522)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 냉각판(522)의 상부 중심 영역은 유전판(521)의 저면과 상응하는 면적을 가질 수 있다.
냉각판(522)의 내부에는 상부 유로(522a)가 제공될 수 있다. 상부 유로(522a)는 냉각판(522) 내부에 나선 형성으로 형성될 수 있다. 상부 유로(522a)는 냉각판(522)을 냉각할 수 있다. 상부 유로(522a)에는 냉각 유체가 공급될 수 있다. 일 예로, 냉각 유체는 냉각수로 제공될 수 있다.
냉각판(522)은 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각판(522)의 전 영역이 금속판으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 제3전원(522b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3전원(525b)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. RF 전원은 하이 바이어스 파워 알에프(High Bias Power RF) 전원으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 제3전원(525b)으로부터 고주파 전력을 인가받는다. 이로 인해, 냉각판(522)은 전극으로서 기능할 수 있다. 냉각판(522)은 접지되어 제공될 수 있다.
냉각판(522)의 하부에는 절연판(523)이 제공된다. 절연판(523)은 절연 재질로 제공되며, 냉각판(522)과 후술할 하부 바디(524)를 전기적으로 절연시킨다. 절연판(523)은 상부에서 바라볼 때, 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 절연판(523)은 냉각판(522)과 상응하는 면적으로 제공될 수 있다.
하부 바디(524)는 냉각판(522)의 하부에 제공된다. 하부 바디(524)는 절연판(523)의 하부에 제공될 수 있다. 하부 바디(524)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상으로 제공될 수 있다. 하부 바디(524)의 내부 공간에는 후술하는 제1리프트 핀 모듈(570)과 후술하는 제2리프트 핀 모듈(580)이 위치할 수 있다.
하부 바디(524)는 연결 부재(524b)를 갖는다. 연결 부재(524b)는 하부 바디(524)의 외측면과 하우징(510)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(524b)는 하부 바디(524)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(524b)는 지지 유닛(520)을 하우징(510)의 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(524b)는 하우징(510)의 내측벽과 연결됨으로써, 하부 바디(524)가 전기적으로 접지(Grounding)되도록 한다. 제1전원(525a)과 연결되는 제1전원 라인(525c), 제2전원(526a)과 연결되는 제2전원 라인(526c), 제3전원과 연결되는 제3전원 라인(522c), 상부 유로(522a)와 연결되는 제1유체 공급 라인(522d), 그리고 하부 유로(524a)와 연결되는 제2유체 공급 라인(524d) 등은 연결 부재(524b)의 내부 공간을 통해 하우징(510)의 외부로 연장된다.
링 부재(R)는 지지 유닛(520)의 가장자리 영역에 배치된다. 링 부재(R)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가질 수 있다. 링 부재(R)는 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 더 낮은 형상을 가질 수 있다. 링 부재(R)의 내측 상면에는 기판(W)의 가장자리 영역의 하면이 놓일 수 있다. 또한, 링 부재(R)는 내측 상면과 외측 상면 사이에 기판(W)의 중심에서 기판(W)의 외측을 향하는 방향으로 상향 경사진 경사면을 가질 수 있다. 이로 인해, 기판(W)이 링 부재(R)의 내측 상면에 놓일 때, 놓이는 위치가 다소 부정확하더라도, 기판(W)이 링 부재(R)의 경사면을 따라 슬라이딩 되어 링 부재(R)의 내측 상면에 적절히 놓일 수 있다.
가스 공급 유닛(530)은 하우징(510)의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(530)은 가스 공급 노즐(532), 가스 공급 라인(534), 가스 저장부(536)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(532)은 하우징(510)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(532)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 하우징(510) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(534)은 가스 공급 노즐(532)과 가스 저장부(536)를 연결한다. 가스 공급 라인(534)은 가스 저장부(536)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(532)에 공급한다. 가스 공급 라인(534)에는 밸브(538)가 설치된다. 밸브(538)는 가스 공급 라인(534)을 개폐하여, 가스 공급 라인(534)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.
플라즈마 소스(540)는 하우징(510) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 실시예에서는, 플라즈마 소스로 용량 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP)가 사용된다. 용량 결합형 플라즈마 소스는 하우징(510) 내부에 상부 전극 및 하부 전극을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 하우징(510) 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 후술할 샤워 헤드 유닛(590)으로 제공되고, 하부 전극은 상술한 금속판으로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 각각 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인해, 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 하우징(510) 내부에 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
제1리프트 핀 모듈(570)은 유전판(521)의 상면에 놓이는 링 부재(R)를 승강시킬 수 있다. 제1리프트 핀 모듈(570)은 제1리프트 핀(572), 그리고 제1핀 구동부(574)를 포함할 수 있다. 제1리프트 핀(572)은 유전판(521), 냉각판(522), 및/또는 절연판(523)에 형성된 핀 홀을 따라 상하 방향으로 이동할 수 있다. 제1리프트 핀(572)은 복수로 제공될 수 있다. 제1리프트 핀(572)은 상부에서 바라볼 때, 히터(526) 및 상부 유로(522a)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 제1핀 구동부(574)는 제1리프트 핀(572)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 제1핀 구동부(574)는 복수로 제공될 수 있다. 제1핀 구동부(574)는 공압 또는 유압을 이용한 실린더 또는 모터일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제1핀 구동부(574)는 구동력을 제공할 수 있는 다양한 공지된 장치로 제공될 수 있다.
제2리프트 핀 모듈(580)은 기판(W)을 승강시킬 수 있다. 제2리프트 핀 모듈(580)은 제2리프트 핀(582), 승강 플레이트(584), 그리고 제2핀 구동부(586)를 포함할 수 있다. 제2리프트 핀(582)은 승강 플레이트(584)에 결합될 수 있다. 승강 플레이트(584)는 제2핀 구동부(586)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다.
샤워 헤드 유닛(590)은 샤워 헤드(592), 가스 분사판(594), 그리고 지지부(596)를 포함할 수 있다. 샤워 헤드(592)는 하우징(510)의 상면에서 하부로 일정 거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분사판(594)과 하우징(510)의 상면 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 샤워 헤드(592)는 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(592)의 저면은 플라즈마에 의한 아크(arc) 발생을 방지하기 위해 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 샤워 헤드(592)의 단면은 지지 유닛(520)과 동일한 형상과 단면적을 갖도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드(592)는 복수 개의 관통 홀(593)을 포함한다. 관통 홀(593)은 샤워 헤드(592)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 샤워 헤드(592)는 금속 재질을 포함할 수 있다. 샤워 헤드(592)는 제4전원(592a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4전원(592a)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 샤워 헤드(592)는 전기적으로 접지될 수 있다.
가스 분사판(594)은 샤워 헤드(592)의 상면에 위치할 수 있다. 가스 분사판(594)은 하우징(510)의 상면에서 일정 거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분사판(594)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분사판(594)에는 분사 홀(595)이 제공된다. 분사 홀(595)은 가스 분사판(594)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 분사 홀(595)은 샤워 헤드(592)의 관통 홀(593)과 대향되게 위치한다. 가스 분사판(594)은 금속 재질을 포함할 수 있다.
지지부(596)는 샤워 헤드(592)와 가스 분사판(594)의 측부를 지지한다. 지지부(596)의 상단은 하우징(510)의 상면과 연결되고, 하단은 샤워 헤드(592)와 가스 분사판(594)의 측부와 연결된다. 지지부(596)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
링 캐리어(60)는 링 부재(R)를 반송하는데 사용될 수 있다. 링 캐리어(60)는 제1반송 로봇(240) 또는 제2반송 로봇(340)에 의해 링 부재(R)를 반송하는데 사용될 수 있다. 예컨대, 링 캐리어(60)는 제1반송 로봇(240)에 의해 상압 이송 모듈(20), 그리고 로드락 챔버(40) 사이에서 링 부재(R)를 반송하는데 사용될 수 있다. 이하에서는 제1반송 로봇(240)에 의해 링 부재(R)를 반송하는 경우를 예로 들어 설명한다.
링 캐리어(60)는 용기(F) 내에 수납될 수 있다. 예를 들어, 링 캐리어(60)는 제2용기(F2) 내에 수납될 수 있다. 이 경우, 링 캐리어(60)는 제2용기(F2) 내에 수납되는 링 부재(R)보다 아래에 수납될 수 있다.
도 9는 링 부재를 반송하는데 사용되는 링 캐리어의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 10은 도 9의 링 캐리어의 하면에 대한 평면도이다. 도 11은 도 9의 링 캐리어의 정면도이다. 도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 링 캐리어(60)는 플레이트(620), 가이드 부(640), 그리고 레그(660)를 포함할 수 있다.
플레이트(620)의 상면에는 링 부재(R)가 놓일 수 있다. 플레이트(620)는 판 형상을 가질 수 있다. 플레이트(620)는 원형의 판 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 플레이트(620)는 링 부재(R)의 직경보다 더 큰 직경을 가진다. 플레이트(620)가 원형의 판 형상으로 제공됨으로써, 링 부재(R)가 플레이트(620) 상에 안정적으로 지지되어 반송될 수 있다. 플레이트(620)의 중앙 영역은 홀이 형성되지 않은 블로킹 플레이트(Blocking Plate)로 제공될 수 있다. 선택적으로, 플레이트(620)의 중앙 영역에는 플레이트(620)의 무게 감소를 위한 관통공이 형성될 수 있다.
플레이트(620)의 가장자리 영역에는 복수의 노치(621)들이 형성될 수 있다. 노치(621)는 플레이트(620)의 가장자리 영역에 복수 개가 제공될 수 있다. 노치(621)는 플레이트(620)의 상면으로부터 하면까지 관통하여 형성된다. 노치(621)는 플레이트(620)의 가장자리 영역에 형성되되, 플레이트(620)의 외주를 포함하는 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 즉, 플레이트(620)의 가장자리 영역으로부터 노치(621)는 플레이트(620)의 외주까지 연장되어 형성될 수 있다. 노치(621)들은 상부에서 바라볼 때, 로드락 챔버(40)에 제공되는 지지 선반(440)들과 서로 정렬되는 위치에 형성될 수 있다. 또한, 노치(621)들은 상부에서 바라볼 때, 제2용기(F2)에 제공되는 지지 슬롯(F22)들과 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 이는 링 캐리어(60)를 이용하여 링 부재(R)를 반송할 때, 링 캐리어(60)가 지지 선반(440) 또는/및 지지 슬롯(F22)들과 간섭되는 것을 방지한다.
링 부재(R)가 링 캐리어(60)에 안착되고, 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242)에 의해 반송되는 경우, 링 부재(R)는 제1반송 핸드(242)의 직선 운동에 의해 슬라이딩 되거나, 제1반송 핸드(242)의 회전 운동에 의해 안착된 위치가 틀어질 수 있다. 가이드 부(640)는 이와 같은 링 부재(R)의 슬라이딩 또는 위치의 틀어짐을 방지할 수 있다.
가이드 부(640)는 플레이트(620)의 상면으로부터 돌출되어 형성될 수 있다. 가이드 부(640)는 플레이트(620)의 상면으로부터 위 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 링 캐리어(60)에 놓이는 링 부재(R)의 내주는 플랫-존(Flat Zone, FZ) 및 라운드-존(Round Zone, RZ)을 가질 수 있다. 가이드 부(640)는 링 부재(R)의 플랫-존(FZ)의 내주와 마주하는 위치에 형성될 수 있다. 가이드 부(640)는 링 부재(R)의 내주와 대응하는 형상을 가질 수 있다. 가이드 부(640)는 플랫-존(FZ)을 포함하는 링 부재(R)의 내주와 대응하는 형상을 가질 수 있다.
레그(660)는 제1반송 핸드(242)의 상면에 접촉되어 지지 될 수 있다. 레그(660)는 플레이트(620)의 하면으로부터 돌출되어 형성될 수 있다. 레그(660)는 플레이트(620)의 하면으로부터 아래 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 레그(660)는 패드(662, Pad)로 제공될 수 있다. 패드(662)는 제1반송 핸드(242)의 상면보다 마찰력이 강한 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 패드(662)는 탄소 충진된 PEEK(Poly-Ether-Ether-Ketone)과 같은 재질로 제공될 수 있다. 다만, 이는 일 예에 불과하고, 이와 유사한 성질을 가지는 공지된 다른 재질로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다. 패드(662)는 원 기둥의 형상으로 제공될 수 있다. 다만, 패드(662)의 형상은 이에 한정되지 않고, 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 패드(662)는 적어도 하나 이상으로 제공될 수 있다. 패드(662)는 복수 개가 제공될 수 있다. 일 예로, 패드(662)는 플레이트(620)의 하면에 3개가 제공될 수 있다.
이하에서는 제1반송 핸드(242)와의 관계에 있어서, 패드(662)가 제공되는 위치와 패드(662)의 구체적인 형상에 대해서 설명한다. 도 12는 도 2의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 13은 도 12의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 정면에서 일부를 확대하여 바라본 도면이다.
도 12를 참조하면, 상부에서 바라볼 때, 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 지지된 상태에서 패드(662)는, 제1반송 핸드(242)의 기판 지지 패드(244)와 중첩되지 않는 위치에 배치된다. 일 예에 의하면, 패드(662)는 기판 지지 패드(244)들의 내측 영역에 위치될 수 있다.
도 13을 참조하면, 패드(662)는 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 플레이트(620)는 기판 지지 패드(244)와 이격될 수 있다. 패드(662)는 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 플레이트(620)가 기판 지지 패드(244)로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공될 수 있다. 패드(662)는 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 플레이트(620)의 하면과 기판 지지 패드(244)의 상단은 서로 이격되는 높이로 제공될 수 있다. 즉, 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 기판 지지 패드(244)가 플레이트(620)의 하면에 접촉하지 않는 높이로 제공될 수 있다. 이에 따라, 링 캐리어(60)를 반송할 때, 링 캐리어(60)에 의해 기판 지지 패드(244)가 오염되는 것을 최소화할 수 있다. 이에, 제1반송 로봇(240)이 기판(W)을 반송할 때, 기판 지지 패드(244)로 인해 기판(W)이 오염되는 것을 최소화할 수 있다.
플레이트(620)에 패드(662)가 제공됨으로써, 제1반송 로봇(240)이 링 부재(R)를 반송할 때, 링 부재(R)를 반송하는데 사용되는 링 캐리어(60)의 미끄러짐 또는/및 뒤틀림을 방지할 수 있다. 플레이트(620)에 패드(662)가 제공됨으로써, 제1반송 로봇(240)이 링 캐리어(60)를 반송할 때, 링 캐리어(60)의 미끄러짐 또는/및 뒤틀림을 방지할 수 있다. 이에, 링 부재(R) 및/또는 링 캐리어(60)를 안정적으로 반송할 수 있다. 플레이트(620)에 패드(662)가 제공됨으로써, 제1반송 로봇(240)의 구조적 변경을 수반하지 않고, 안정적으로 링 부재(R) 및/또는 링 캐리어(60)를 반송할 수 있다.
상술한 예에서는, 레그(660)가 패드(662)로 제공되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 14는 도 1의 제1반송 핸드에 대한 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 15는 링 부재를 반송하는데 사용되는 링 캐리어의 다른 실시예에 대한 정면도이다. 도 16은 도 14의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 17은 도 16의 제1반송 핸드에 링 부재 및 링 캐리어가 놓인 모습을 정면에서 일부를 확대하여 바라본 도면이다.
도 14를 참조하면, 제1반송 핸드(242)의 상면에는 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드(244)가 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 지지 패드(244)는 3 개가 제공되어, 제1반송 핸드(242)에 놓이는 반송 대상물을 3 점 지지할 수 있다. 반송 대상물은 기판(W)일 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 제1반송 핸드(242)에 놓이는 기판(W)의 미끄러짐을 방지할 수 있다. 기판 지지 패드(244)들은 상부에서 바라볼 때, 일 반경을 가지는 가상의 원의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 대체로 원기둥의 형상으로 제공될 수 있다.
제1반송 핸드(242)의 상면에는 적어도 하나 이상의 홀(246)이 형성될 수 있다. 홀(246)은 후술하는 핀(644)이 삽입될 수 있다. 홀(246)은 핀(644)의 형상과 대응되는 형상으로 제공될 수 있다. 홀(246)은 제1반송 핸드(242)를 관통하지 않는 높이로 형성될 수 있다. 홀(246)의 높이는 제1반송 핸드(242)의 두께보다 낮게 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 링 캐리어(60)는 플레이트(620), 가이드 부(640), 그리고 레그(660)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 설명하는 링 캐리어(60)는 도 9 내지 도 13에서 설명한 링 캐리어(60)와 대체로 유사하게 제공된다. 이하에서는 도 9 내지 도 13에서 설명한 링 캐리어(60)와 중복되는 설명은 생략한다.
도 15 내지 도 17을 참조하면, 레그(660)는 제1반송 핸드(242)의 상면에 접촉되어 지지 될 수 있다. 레그(660)는 플레이트(620)의 하면으로부터 돌출되어 형성될 수 있다. 레그(660)는 플레이트(620)의 하면으로부터 아래 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 레그(660)는 핀(664, Pin)으로 제공될 수 있다. 일 예로, 핀(664)은 원기둥의 형상으로 제공될 수 있다. 다른 예로, 핀(664)은 원기둥의 형상으로 제공되되, 그 하면이 아래 방향으로 볼록한 형상으로 제공될 수 있다. 다만, 핀(664)의 형상은 이에 한정되지 않고, 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 핀(664)은 적어도 하나 이상으로 제공될 수 있다. 핀(664)은 복수 개가 제공될 수 있다. 일 예로, 핀(664)은 플레이트(620)의 하면에 3개가 제공될 수 있다. 핀(664)은 제1반송 핸드(242) 상면에 제공된 홀(246)과 대응되는 개수로 제공될 수 있다. 핀(664)은 제1반송 핸드(242)가 링 캐리어(60)를 지지할 때, 홀(246)과 중첩되는 위치에 제공될 수 있다.
핀(664)은 제1반송 핸드(242)의 상면에 제공된 홀(246)에 삽입된다. 이로 인해, 링 캐리어(60)는 제1반송 핸드(242) 상에 지지될 수 있다. 핀(664)은 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 지지될 때, 상부에서 바라보면 제1반송 핸드(242)의 기판 지지 패드(244)와 중첩되지 않는 위치에 배치된다.
핀(664)은 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 플레이트(620)는 기판 지지 패드(244)와 이격될 수 있다. 핀(664)은 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 플레이트(620)가 기판 지지 패드(244)로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공될 수 있다. 핀(664)은 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 플레이트(620)의 하면과 기판 지지 패드(244)의 상단은 서로 이격되는 높이로 제공될 수 있다. 즉, 링 캐리어(60)가 제1반송 핸드(242) 상에 놓일 때, 기판 지지 패드(244)가 플레이트(620)의 하면에 접촉하지 않는 높이로 제공될 수 있다. 이에 따라, 링 캐리어(60)를 반송할 때, 링 캐리어(60)에 의해 기판 지지 패드(244)가 오염되는 것을 최소화할 수 있다. 이에, 제1반송 로봇(240)이 기판(W)을 반송할 때, 기판 지지 패드(244)로 인해 기판(W)이 오염되는 것을 최소화할 수 있다.
플레이트(620)에 핀(664)이 제공됨으로써, 제1반송 로봇(240)과 링 캐리어(60)가 핀(664)을 매개로 하여 삽입 고정된다. 이로 인해, 제1반송 로봇(240)이 링 부재(R)를 반송할 때, 링 부재(R)를 반송하는데 사용되는 링 캐리어(60)의 미끄러짐 또는/및 뒤틀림을 방지할 수 있다. 플레이트(620)에 핀(664)이 제공됨으로써, 제1반송 로봇(240)이 링 캐리어(60)를 반송할 때, 링 캐리어(60)의 미끄러짐 또는/및 뒤틀림을 방지할 수 있다. 이에, 링 부재(R) 및/또는 링 캐리어(60)를 안정적으로 반송할 수 있다. 플레이트(620)에 핀(664)이 제공됨으로써, 제1반송 로봇(240)의 구조적 변경을 수반하지 않고, 안정적으로 링 부재(R) 및/또는 링 캐리어(60)를 반송할 수 있다.
이상에서는 제1반송 로봇(240)에 의해 링 캐리어(60)를 반송하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 제2반송 로봇(340)도 링 캐리어(60)를 이용하여 링 부재(R)를 반송할 수 있다. 제2반송 로봇(340)에 의해 링 캐리어(60)를 이용하여 링 부재(R)를 반송하는 경우에도, 제1반송 로봇(240)에 의해 링 캐리어(60)를 반송하는 경우와 유사하게 제공되므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 로드 포트20: 상압 이송 모듈
30: 진공 이송 모듈40: 로드락 챔버
50: 공정 챔버60: 링 캐리어
242: 제1반송 로봇342: 제2반송 로봇
620: 플레이트621: 노치
640: 가이드부660: 레그

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 제1핸드를 가지는 제1반송 로봇이 제공된 상압 이송 모듈;
    기판이 놓이는 제2핸드를 가지는 제2반송 로봇이 제공된 진공 이송 모듈;
    상기 상압 이송 모듈과 상기 진공 이송 모듈 사이에 배치되며, 내부 공간이 상압 분위기와 진공 분위기 간에 전환 가능한 로드락 챔버;
    상기 진공 이송 모듈에 결합되며, 기판을 처리하는 공정 챔버; 및
    상기 공정 챔버에 제공되는 링 부재의 반송을 위해 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇에 의해 지지 가능하고, 상기 링 부재를 지지하는 링 캐리어를 포함하되,
    상기 링 캐리어는,
    상기 링 부재가 놓이는 플레이트; 및
    상기 플레이트의 하면으로부터 돌출되며, 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드 상에 놓이도록 제공되는 적어도 하나 이상의 레그를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레그는,
    패드로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드의 상면에는 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고,
    상기 패드는,
    상기 링 캐리어가 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 패드와 상기 기판 지지 패드는,
    상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 패드는,
    원기둥 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 레그는 핀으로 제공되고,
    상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드의 상면에는,
    기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고, 상기 핀의 일단이 삽입되는 홀이 더 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 핀은,
    상기 링 캐리어가 상기 제1핸드 또는 상기 제2핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되게 위치하도록 하는 높이로 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 핀과 상기 기판 지지 패드는,
    상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 핀은,
    그 저면이 아래로 볼록한 원기둥 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플레이트는 원형의 판 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 로드락 챔버는,
    기판 또는 상기 링 부재를 지지하는 복수의 지지 선반을 포함하고,
    상기 플레이트의 가장자리 영역에는,
    복수의 노치들이 상기 플레이트를 관통하여 형성되고,
    상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇이 상기 복수의 지지 선반의 상측 위치에서 하측 위치로 이동될 때, 상기 링 캐리어에 지지된 상기 링 부재는 상기 지지 선반에 안착되고, 상기 복수의 노치들은 상기 링 캐리어가 상기 제1반송 로봇 또는 상기 제2반송 로봇과 함께 이동되도록 상기 복수의 지지 선반과 정렬되는 위치에 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 반송 어셈블리에 있어서,
    링 부재를 지지하는 링 캐리어; 및
    기판 및 상기 링 캐리어를 선택적으로 반송하는 반송 핸드를 가지는 반송 로봇을 포함하되,
    상기 링 캐리어는,
    상기 링 부재가 놓이는 플레이트; 및
    상기 플레이트의 하면으로부터 돌출되며, 상기 반송 핸드 상에 놓이도록 제공되는 적어도 하나 이상의 레그를 포함하는 반송 어셈블리.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 레그는,
    패드로 제공되는 반송 어셈블리.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반송 핸드의 상면에는 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고,
    상기 패드는,
    상기 링 캐리어가 상기 반송 핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격 높이를 갖도록 제공되는 반송 어셈블리.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 패드와 상기 기판 지지 패드는,
    상기 반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 중첩되지 않는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 반송 어셈블리.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 레그는 핀으로 제공되고,
    상기 반송 핸드의 상면에는 기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드가 제공되고, 상기 핀의 일단이 삽입되는 홀이 더 형성되고,
    상기 핀은 상기 링 캐리어가 상기 반송 핸드에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공되고,
    상기 핀과 상기 기판 지지 패드는 상기 반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치되는 반송 어셈블리.
  17. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플레이트는 원형의 판 형상으로 제공되는 반송 어셈블리.
  18. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판, 링 캐리어, 또는 링 부재가 수납되는 용기가 놓이는 로드 포트;
    내부가 대기압 분위기로 유지되며, 반송 로봇이 제공되는 인덱스 챔버;
    내부가 대기압, 그리고 진공압 간에 변환 가능한 로드락 챔버; 및
    상기 로드 포트, 상기 로드락 챔버, 그리고 상기 인덱스 챔버 간에 링 부재 반송시 사용되는 링 캐리어를 포함하되,
    상기 반송 로봇은,
    기판, 그리고 상기 링 캐리어를 선택적으로 반송하는 반송 핸드; 및
    기판을 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드를 포함하고,
    상기 로드락 챔버는,
    기판 또는 상기 링 부재를 지지하는 복수의 지지 선반을 포함하고,
    상기 링 캐리어는,
    상기 링 부재가 놓이는 플레이트; 및
    상기 플레이트의 하면으로부터 돌출되며, 반송 핸드 상에 놓이도록 제공되는 적어도 하나 이상의 레그를 포함하되,
    상기 플레이트의 가장자리 영역에는,
    복수의 노치들이 상기 플레이트를 관통하여 형성되고,
    상기 노치들은,
    상부에서 바라볼 때, 각각 상기 지지 선반들과 중첩되는 위치에 형성되고,
    상기 반송 로봇이 상기 링 캐리어를 이용하여 상기 링 부재를 반송할 때, 상기 링 캐리어와 상기 링 부재 중 상기 링 부재가 상기 지지 선반에 안착되고,
    상기 레그는,
    상기 링 캐리어가 상기 반송 핸드 상에 놓일 때, 상기 플레이트가 상기 기판 지지 패드로부터 위 방향으로 이격되는 높이로 제공되고,
    상기 레그와 상기 기판 지지 패드는,
    상기 반송 로봇이 상기 링 부재를 반송시 상부에서 바라볼 때, 서로 간섭되지 않는 위치에 배치되는 것을 특징으로 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 레그는 패드로 제공되는 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 레그는 핀으로 제공되고,
    상기 반송 로봇의 상면에는 상기 핀의 일단이 삽입되는 홀이 더 형성되는 기판 처리 장치.
KR1020210083589A 2021-06-28 2021-06-28 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 KR102614918B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210083589A KR102614918B1 (ko) 2021-06-28 2021-06-28 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP2022098667A JP7450666B2 (ja) 2021-06-28 2022-06-20 返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置
TW111123447A TW202301546A (zh) 2021-06-28 2022-06-23 傳送組合件及具有該傳送組合件的處理基板的設備
US17/849,786 US20220415679A1 (en) 2021-06-28 2022-06-27 Transfer assembly and apparatus for treating a substrate with the transfer assembly
CN202210750347.2A CN115602574A (zh) 2021-06-28 2022-06-28 传送组合件及具有该传送组合件的处理基板的设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210083589A KR102614918B1 (ko) 2021-06-28 2021-06-28 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230001566A true KR20230001566A (ko) 2023-01-05
KR102614918B1 KR102614918B1 (ko) 2023-12-20

Family

ID=84542479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210083589A KR102614918B1 (ko) 2021-06-28 2021-06-28 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220415679A1 (ko)
JP (1) JP7450666B2 (ko)
KR (1) KR102614918B1 (ko)
CN (1) CN115602574A (ko)
TW (1) TW202301546A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140273505A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport
KR20170054253A (ko) * 2015-10-22 2017-05-17 램 리써치 코포레이션 전면 개구 링 포드
US20200373194A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit ring adaptor
KR20210030917A (ko) * 2021-03-08 2021-03-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US11626305B2 (en) 2019-06-25 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Sensor-based correction of robot-held object

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140273505A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport
KR20170054253A (ko) * 2015-10-22 2017-05-17 램 리써치 코포레이션 전면 개구 링 포드
US20200373194A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit ring adaptor
KR20210030917A (ko) * 2021-03-08 2021-03-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102614918B1 (ko) 2023-12-20
US20220415679A1 (en) 2022-12-29
CN115602574A (zh) 2023-01-13
JP2023007440A (ja) 2023-01-18
TW202301546A (zh) 2023-01-01
JP7450666B2 (ja) 2024-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190029365A (ko) 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR20240018556A (ko) 링 캐리어 및 기판 처리 시스템
US20230215705A1 (en) Lift pin assembly and substrate treating apparatus
KR102614918B1 (ko) 반송 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20230101672A (ko) 기판 처리 장치
KR102491002B1 (ko) 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102202463B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20240067698A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230064021A (ko) 기판 처리 장치
KR20230064019A (ko) 반송 로봇, 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20230061962A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
US20240153747A1 (en) Substrate supporting unit, apparatus for treating substrate including the same, and ring transfer method
KR20210030917A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230031676A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230063415A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230034673A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230061959A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230034676A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR102600534B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230021332A (ko) 기판 처리 장치
KR20210000356A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230207288A1 (en) Substrate treatment apparatus
US20230207280A1 (en) Substrate treating apparatus
KR20230017622A (ko) 기판 처리 장치
KR20230101670A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant