JP2023005233A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】幅の狭い配線導体および幅の広い配線導体の両方が剥離しにくい配線基板を提供する。【解決手段】本開示に係る配線基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層の上面に位置する第２絶縁層と、第１絶縁層の上面に位置し、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む第１配線導体と、第２絶縁層の上面から第１絶縁層に向けて凹む溝内に位置し、１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体とを備える。第１配線導体は、第１絶縁層上に位置する第１下地金属層と、第１下地金属層上に位置し、側面が第２絶縁層と接している第１電解めっき層とを含む。第２配線導体は、溝の内壁面上に位置する第２下地金属層と、第２下地金属層上において溝内に充填された第２電解めっき層とを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。

従来、配線基板における配線導体の形成方法としてセミアディティブ法が用いられている。セミアディティブ法は、次のような手順で配線導体を形成する方法である。まず、絶縁層の露出表面に無電解めっき法やスパッタリング法などにより薄い下地金属層を形成する。次に、この下地金属層上に配線導体のパターンに対応する開口部を有するめっきレジスト層を形成する。次に、このめっきレジスト層の開口部内に露出する下地金属層上に電解めっき層を形成する。次に、めっきレジスト層を剥離除去し、最後に電解めっき層で覆われていない部分の下地金属層をエッチング除去する。

ところで、配線基板においては、配線導体の微細化が進んでいる。例えば、配線導体の幅が１５μｍ以下であり、互いに隣接する配線導体同士の間隔が１５μｍ以下であるものが要求されるようになってきている。このように、配線導体の幅が例えば１５μｍ以下の狭いものとなると、絶縁層と配線導体との下地金属層を介した接合面積が小さいものとなり、配線導体が絶縁層から剥離しやすくなる。さらに、互いに隣接する配線導体同士の間で、電気的な絶縁信頼性が低下してしまう。

そこで、特許文献１に記載のように、溝内に残る下地金属層および電解めっき層からなる配線導体を形成する方法が提案されている。まず、絶縁層の表面に配線導体のパターンに対応する溝をレーザー加工により所定深さに形成する。次に、溝の内壁を含む絶縁層の表面に無電解めっき法やスパッタリング法などにより薄い下地金属層を形成する。次に、この下地金属層上に溝を埋める厚みの電解めっき層を形成する。最後に絶縁層上の下地金属層および電解めっき層を化学的機械研磨により研磨除去する。

この方法よると、比較的狭い幅（例えば、１５μｍ以下）の配線導体用の溝は、電解めっき層により良好に充填される。しかし、比較的広い幅（例えば、１５０μｍ以上）の配線導体用の溝は、電解めっき層により良好に充填されにくい。その結果、幅の広い配線導体においては、配線導体の上面が大きく凹んで平坦性が乏しくなる。この凹みを解消するために電解めっき層の厚みをさらに厚くすると、この電解めっき層を形成する際に発生する応力が大きくなる。そのため、応力が下地金属層を介して幅の広い配線導体用の溝の内壁との間に大きく作用して、幅の広い配線導体が剥離しやすくなる。

特開２００４－１４９９２６号公報

本開示の課題は、幅の狭い配線導体および幅の広い配線導体の両方が剥離しにくい配線基板を提供することである。

本開示に係る配線基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層の上面に位置する第２絶縁層と、第１絶縁層の上面に位置し、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む第１配線導体と、第２絶縁層の上面から第１絶縁層に向けて凹む溝内に位置し、１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体とを備える。第１配線導体は、第１絶縁層上に位置する第１下地金属層と、第１下地金属層上に位置し、側面が第２絶縁層と接している第１電解めっき層とを含む。第２配線導体は、溝の内壁面上に位置する第２下地金属層と、第２下地金属層上において溝内に充填された第２電解めっき層とを含む。

本開示に係る配線基板の製造方法は、第１絶縁層を形成する工程と、第１絶縁層の上面に、第１下地金属層および第１下地金属層上に位置する第１電解めっき層を含み、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む第１配線導体を形成する工程と、第１絶縁層および第１配線導体を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、第２絶縁層の上面から第１絶縁層に向けて凹む第１溝を形成する工程と、第２絶縁層の上面および第１溝の内壁面を被覆する第２下地金属層と、第２下地金属層上に位置し、第１溝を充填する厚みの第２電解めっき層とを形成する工程と、第２絶縁層上に位置する前記第２下地金属層および前記第２電解めっき層を少なくとも除去し、溝内に位置する１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体を形成する工程と、を含む。

本開示に係る配線基板によれば、幅の狭い配線導体および幅の広い配線導体の両方が剥離しにくい配線基板を提供することができる。

本開示の第１の実施形態に係る配線基板の断面を示す説明図である。 （Ａ）～（Ｄ）は、本開示の第１の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための説明図である。 （Ａ）～（Ｄ）は、本開示の第１の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための説明図である。 （Ａ）～（Ｃ）は、本開示の第１の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための説明図である。 （Ａ）～（Ｃ）は、本開示の第１の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための説明図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、本開示の第１の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための説明図である。 本開示の第２の実施形態に係る配線基板の断面を示す説明図である。 本開示の第３の実施形態に係る配線基板の断面を示す説明図である。

本開示の配線基板を、図に基づいて説明する。図１は、本開示の第１の実施形態に係る配線基板１の断面を示す模式図である。第１の実施形態に係る配線基板１は、コア層１１と、コア層１１の表面に位置する導体層１２と、コア層１１および導体層１２を被覆するように位置するビルドアップ層と、ビルドアップ層の表面に位置するソルダーレジスト１７とを含む。

コア層１１は、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド－トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、液晶ポリマーなどの樹脂で形成されている。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。コア層１１には、ガラスクロス等の補強材が入っていても良く、さらには絶縁粒子が分散されていてもよい。絶縁粒子は限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、ガラス、炭酸カルシウム、酸化チタンなどの無機絶縁性フィラーが挙げられる。コア層１１は、例えば０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚みを有している。

コア層１１の主面には、導体層１２が位置している。導体層１２は銅などの導体、例えば銅箔や銅めっきで形成されている。導体層１２の厚みは特に限定されず、例えば５μｍ以上２５μｍ以下である。

コア層１１は、コア層１１の上下面の導体層１２を電気的に接続するためのスルーホール導体１１ａを有している。スルーホール導体１１ａは、コア層１１の上下面を貫通するスルーホール内に位置している。スルーホール導体１１ａは、例えば、銅めっきなどの金属めっきからなる導体で形成されている。スルーホール導体１１ａは、コア層１１の両面の導体層１２に接続されている。スルーホール導体１１ａは、スルーホールの内壁面のみに形成されていてもよく、スルーホール内に充填されていてもよい。

ビルドアップ層は、第１絶縁層１３１と、第１絶縁層１３１の上面に位置する第２絶縁層１３２と、第１絶縁層１３１の上面に位置する第１配線導体１４と、第２絶縁層１３２の上面から第１絶縁層１３１に向けて凹む溝１５１内に位置する第２配線導体１５とを含む。ビルドアップ層は、第１絶縁層１３１、第２絶縁層１３２、第１配線導体１４および第２配線導体１５を１つの単位として、図１では、この単位が４つ存在している。この単位は４つに限定されず、少なくとも１つ存在していればよい。

第１絶縁層１３１は、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド－トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、液晶ポリマーなどの樹脂で形成されている。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。第１絶縁層１３１には、絶縁粒子が分散されていてもよい。絶縁粒子は限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、ガラス、炭酸カルシウム、酸化チタンなどの無機絶縁性フィラーが挙げられる。第１絶縁層１３１は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有している。

第１絶縁層１３１の上面に位置する第２絶縁層１３２についても、上記の第１絶縁層１３１を形成している樹脂と同様の樹脂が挙げられ、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。さらに、第２絶縁層１３２にも、上記の第１絶縁層１３１と同様の絶縁粒子が分散されていてもよい。第２絶縁層１３２の厚みは限定されず、例えば、第１絶縁層１３１の厚みより薄くてもよい。第２絶縁層１３２は、例えば５μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有している。

コア層１１と第１絶縁層１３１と第２絶縁層１３２とは、同じ樹脂で形成されていてもよく、異なる樹脂で形成されていてもよい。さらに、コア層１１、第１絶縁層１３１および第２絶縁層１３２に絶縁粒子が分散されている場合、絶縁粒子は同じでもよく、異なっていてもよい。

第１絶縁層１３１の上面に位置する第１配線導体１４は、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む。一方で、第１配線導体１４は、１５μｍ以下の幅のパターンを含んでいない。第１配線導体１４は、主に接地用および電源用の機能を有している。第１配線導体１４は、図１に示すように、第１下地金属層１４ａと第１電解めっき層１４ｂとを含む。

第１下地金属層１４ａは第１配線導体１４の土台となる部分であり、第１絶縁層１３１の上面に位置している。第１下地金属層１４ａは、例えば銅などの金属で形成されている。第１下地金属層１４ａは、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下の厚みを有している。第１下地金属層１４ａは、図１に示すように、ビアホールの内壁面に形成されていてもよい。第１下地金属層１４ａは、後述する第１電解めっき層１４ｂの被着性を向上させるために形成される。

第１電解めっき層１４ｂは、第１配線導体１４の本体となる層であり、第１下地金属層１４ａ上に位置している。第１配線導体１４において第１電解めっき層１４ｂを中心に電荷が流れる。第１電解めっき層１４ｂは、電解めっきで形成された層であれば限定されず、例えば銅などの金属で形成されている。第１電解めっき層１４ｂは、例えば５μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有している。さらに、第１電解めっき層１４ｂの側面は、第２絶縁層１３２と接している。すなわち、第１電解めっき層１４ｂの側面に第１下地金属層１４ａが存在しないことによって、第１電解めっき層１４ｂの側面と第２絶縁層１３２との間において、第２絶縁層１３２に伝わる応力をなくすことができる。その結果、第１電解めっき層１４ｂが剥離するのを低減することができる。

第１電解めっき層１４ｂにおいて、側面の算術平均粗さＲａは限定されず、例えば１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であってもよい。第１電解めっき層１４ｂにおいて、側面の算術平均粗さＲａが１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であれば、第１電解めっき層１４ｂが第２絶縁層に強固に被着され、第１電解めっき層１４ｂが剥離するのをより低減することができる。

第２配線導体１５は、第２絶縁層１３２の上面から第１絶縁層１３１に向けて凹む溝１５１内に位置し、１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む。一方で、第２配線導体１５は、１５０μｍ以上の幅のパターンを含んでいない。溝１５１の深さは限定されず、例えば５μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。第２配線導体１５は、主に信号伝送用の機能を有している。第２配線導体１５は、図１に示すように、第２下地金属層１５ａと第２電解めっき層１５ｂとを含む。図１において、幅広く見える第２配線導体１５が存在しているが、幅広く見える第２配線導体１５は、長手方向に切断された断面を示している。

第２下地金属層１５ａは第２配線導体１５の土台となる部分であり、溝１５１の内壁面に位置している。第２下地金属層１５ａは、例えば銅などの金属で形成されている。第２下地金属層１５ａは、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下の厚みを有している。第２下地金属層１５ａは、後述する第２電解めっき層１５ｂの被着性を向上させるために形成される。

第２電解めっき層１５ｂは、第２配線導体１５の本体となる層であり、第２下地金属層１５ａが形成された溝１５１に充填されている。第２配線導体１５において第２電解めっき層１５ｂを中心に電荷が流れる。第２電解めっき層１５ｂは、電解めっきで形成された層であれば限定されず、例えば銅などの金属で形成されている。第２電解めっき層１５ｂは、側面および底面のいずれも第２下地金属層１５ａを介して、第２絶縁層１３２の溝１５１に位置している。そのため、優れた密着性が発揮され、第２電解めっき層１５ｂが剥離するのを低減することができる。

第２絶縁層１３２において、溝１５１の内壁面の算術平均粗さＲａは限定されず、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。第２絶縁層１３２において、溝１５１の内壁面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であれば、第２下地金属層１５ａがより強固に被着され、第２下地金属層１５ａが剥離するのをより低減することができる。なお、第２配線導体１５は、溝１５１の内壁面の粗さに対応して算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の表面粗さを有している。この粗さは第１配線導体１４（第１電解めっき層１４ｂ）の側面粗さよりも小さく、第２配線導体１５に高周波信号が伝送される場合に伝送損失を低減することが可能になる点で有利である。

ビルドアップ層の表面には、ソルダーレジスト１７が位置している。ソルダーレジスト１７は、例えば、アクリル変性エポキシ樹脂で形成されている。ソルダーレジスト１７は、例えば、電子部品を実装するときや、マザーボードなどに接続するときに、はんだから導体層１２などを保護する機能を有している。ソルダーレジスト１７には、ビルドアップ層の表面に位置する第１配線導体１４または第２配線導体１５の一部を露出するための開口部が形成されている。この開口部から露出する第１配線導体１４または第２配線導体１５の一部は、半導体素子などを実装する際にパッドとして機能する。

次に、本開示の配線基板を製造する方法を説明する。本開示に係る配線基板の製造方法は、下記の工程（ａ）～（ｆ）を含む。
（ａ）第１絶縁層を形成する工程。
（ｂ）第１絶縁層の上面に、第１下地金属層および第１下地金属層上に位置する第１電解めっき層を含み、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む第１配線導体を形成する工程。
（ｃ）第１絶縁層および第１配線導体を被覆する第２絶縁層を形成する工程。
（ｄ）第２絶縁層の上面から第１絶縁層に向けて凹む第１溝を形成する工程。
（ｅ）第２絶縁層の上面および第１溝の内壁面を被覆する第２下地金属層と、第２下地金属層上に位置し、第１溝を充填する厚みの第２電解めっき層とを形成する工程。
（ｆ）第２絶縁層上に位置する前記第２下地金属層および前記第２電解めっき層を少なくとも除去し、溝内に位置する１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体を形成する工程。

本開示に係る配線基板の製造方法を、図２～６に基づいて説明する。図２～６は、第１の実施形態に係る配線基板１の製造工程を説明するための説明図である。

まず、図２（Ａ）に示すように、コア層１１を準備する。コア層１１の主面には、導体層１２が位置している。さらにコア層１１は、コア層１１の上下面の導体層１２を電気的に接続するためのスルーホール導体１１ａを有している。コア層１１、スルーホール導体１１ａおよび導体層１２については、上述の通りであり、詳細な説明は省略する。

次に、第１絶縁層を形成する工程（工程（ａ））について説明する。第１絶縁層１３１は、図２（Ｂ）に示すように、コア層１１および導体層１２を被覆するように形成される。第１絶縁層１３１については、上述の通りであり、詳細な説明は省略する。第１絶縁層１３１には、図２（Ｃ）に示すように、必要に応じてビアホールが形成される。ビアホールは、例えば、ＣＯ_２レーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどのようなレーザー加工によって形成される。

次に、第１絶縁層の上面に、第１下地金属層および第１下地金属層上に位置する第１電解めっき層を含み、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む第１配線導体を形成する工程（工程（ｂ））について説明する。図２（Ｄ）に示すように、第１絶縁層１３１の上面（第１絶縁層１３１の表面およびビアホールの内壁面）に、無電解めっきによって銅などの金属を析出させる。無電解めっきを行う際に、触媒としてパラジウムを使用してもよい。析出させた金属が、最終的に第１下地金属層１４ａとなる。析出させた金属は、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下の厚みを有している。

無電解めっきによって銅などの金属を析出させた後、図３（Ａ）に示すように、第１電解めっき層１４ｂを形成しない部分を、レジストで被覆する。レジストで被覆した後、図３（Ｂ）に示すように、電解めっきによって銅などの金属を析出させる。銅などの金属を析出させる部分の幅を１５０μｍ以上とすることによって、幅広パターンを形成することができる。次いで、図３（Ｃ）に示すようにレジストを除去し、図３（Ｄ）に示すように、レジストで被覆されていた部分の銅を除去する。

このようにして、第１絶縁層１３１上に、第１下地金属層１４ａおよび第１下地金属層１４ａ上に位置する第１電解めっき層１４ｂが形成され、第１配線導体１４が形成される。第１電解めっき層１４ｂは、例えば５μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有している。この第１配線導体１４は、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む。さらに、必要に応じてビアホール導体１６が形成される。

第１電解めっき層１４ｂの側面に粗化処理を施して、算術平均粗さＲａが１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となるようにしてもよい。このような粗化処理を施すことによって、第１電解めっき層１４ｂが第２絶縁層１３２に強固に被着され、第１電解めっき層１４ｂが剥離するのをより低減することができる。

次に、第１絶縁層の上面および第１配線導体を被覆する第２絶縁層を形成する工程（工程（ｃ））について説明する。第２絶縁層１３２は、図４（Ａ）に示すように、第１絶縁層１３１および第１配線導体１４を被覆するように形成される。

次に、第２絶縁層の上面から第１絶縁層に向けて凹む第１溝を形成する工程（工程（ｄ））について説明する。図４（Ｂ）に示すように、第２絶縁層１３２には、第２配線導体１５を形成する位置に、第１溝１５１ａが形成される。第１溝１５１ａを形成する方法は限定されず、エキシマレーザー、ＣＯ_２レーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザーなどのようなレーザー加工によって形成される。均一な深さの第１溝１５１ａが形成されやすい点で、エキシマレーザーを採用するのがよい。第１溝１５１ａの深さは限定されず、例えば５μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。図４（Ｂ）および図４（Ｃ）に示すように、必要に応じて、第２絶縁層１３２にはビアホールを形成してもよく、第２絶縁層１３２から第１絶縁層１３１まで貫通するビアホールを形成してもよい。

第１溝１５１ａを形成する際に、第１溝１５１ａの内壁面が、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の算術平均粗さＲａとなるように溝形成処理を行ってもよい。この場合もエキシマレーザーを用いると内壁面を所定の粗さに形成することが容易になる。このように第１溝１５１ａを形成すると、第２下地金属層１５ａが第１絶縁層および第２絶縁層に強固に被着され、第２下地金属層１５ａが剥離するのをより低減することができる。

次に、第２絶縁層の上面および第１溝の内壁面を被覆する第２下地金属層と、第２下地金属層上に位置し、第１溝を充填する厚みの第２電解めっき層とを形成する工程（工程（ｅ））について説明する。

図５（Ａ）に示すように、第２絶縁層１３２の上面（第２絶縁層１３２の表面およびビアホールの内壁面）および第１溝１５１ａの内壁面に、第２下地金属層１５ａを形成する。第２下地金属層１５ａは、例えば、無電解めっきによって銅などの金属を析出させることによって形成される。無電解めっきを行う際に、触媒としてパラジウムを使用してもよい。第２下地金属層１５ａは、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下の厚みを有している。

第２下地金属層１５ａを形成した後、図５（Ｂ）に示すように、第２下地金属層１５ａ上に、第１溝１５１ａが充填されるような厚みとなるように、第２電解めっき層１５ｂを形成する。第２電解めっき層１５ｂは、例えば銅などの金属で形成されている。

次に、第２絶縁層上に位置する前記第２下地金属層および前記第２電解めっき層を少なくとも除去し、溝内に位置する１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体を形成する工程（工程（ｆ））について説明する。

図５（Ｃ）に示すように、第２絶縁層１３２上に位置する第２下地金属層１５ａおよび第２電解めっき層１５ｂを少なくとも除去する。この除去する工程において、必要に応じて、第２絶縁層１３２の一部も除去してもよい。例えば、第１溝１５１ａの開口部付近の幅が１５μｍを超えているような場合、第２絶縁層１３２上に位置する第２下地金属層１５ａおよび第２電解めっき層１５ｂと合わせて、第１溝１５１ａの幅が１５μｍ以下となるまで第２絶縁層１３２の一部を除去してもよい。このようにして、溝１５１内に位置する１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体１５が形成される。

工程（ａ）～（ｆ）を、繰り返し行うことによって、図６（Ａ）に示すように、コア層１１および導体層１２の上面に、所望の層数を有するビルドアップ層を形成する。ビルドアップ層は、上記のように、第１絶縁層１３１と、第１絶縁層１３１の上面に位置する第２絶縁層１３２と、第１絶縁層１３１の上面に位置する第１配線導体１４と、第２絶縁層１３２の上面から第１絶縁層１３１に向けて凹む溝１５１内に位置する第２配線導体１５とを含む。

最後に、図６（Ｂ）に示すように、ビルドアップ層の表面に位置するように、ソルダーレジスト１７を形成する。ソルダーレジスト１７は、ビルドアップ層の表面を例えば、アクリル変性エポキシ樹脂などのフィルムで被覆し、硬化させることによって形成される。ソルダーレジスト１７については、上述の通りであり、詳細な説明は省略する。このようにして、第１の実施形態に係る配線基板１が得られる。

次に、本開示の他の配線基板を、図７に基づいて説明する。図７は、本開示の第２の実施形態に係る配線基板２の断面を示す説明図である。図７に示す配線基板２おいて、第１の配線基板１と同様の部材については、同じ符号を付しており、詳細な説明は省略する。

第１の実施形態に係る配線基板１では、第２配線導体１５の底面（第２下地金属層１５ａの底面）が、第１絶縁層１３１と接触している。一方、第２の実施形態に係る配線基板２では、第２配線導体２５の底面（第２下地金属層２５ａの底面）が、第１絶縁層１３１と接触していない。すなわち、第２配線導体２５（第２下地金属層２５ａおよび第２電解めっき層２５ｂ）は、第２絶縁層１３２内に収まっている。このように、第２の実施形態に係る配線基板２は、第２配線導体２５の配置の点で、第１の実施形態に係る配線基板１と相違する。

無電解めっきによって第１下地金属層１４ａおよび第２下地金属層２５ａを形成する際に、触媒としてパラジウムを使用すると、パラジウムが残存している場合がある。パラジウムが残存していると、互いに隣接する第２配線導体２５（第２下地金属層２５ａ）同士の間、あるいは第２配線導体２５と第１配線導体１４との間において、第１絶縁層１３１と第２絶縁層１３２との境界付近でマイグレーションが生じやすくなる。第２の実施形態に係る配線基板２のように、第２配線導体２５が第２絶縁層１３２内に収まっていると、第２下地金属層２５ａが第１絶縁層１３１と第２絶縁層１３２との境界から離れることになる。その結果、境界付近のマイグレーションを低減することができ、絶縁信頼性がより向上する。

第２の実施形態に係る配線基板２を製造する方法は、例えば、上述の第１溝を形成する工程（工程（ｄ））において、第１溝１５１ａの深さを調節し、第１溝１５１ａの底面が、第２絶縁層１３２内に収まるようにすればよい。第１溝１５１ａの深さは、第２絶縁層１３２の厚みに応じて適宜設定される。

次に、本開示のさらに他の配線基板を、図８に基づいて説明する。図８は、本開示の第３の実施形態に係る配線基板３の断面を示す説明図である。図８に示す配線基板３おいて、第１の配線基板１と同様の部材については、同じ符号を付しており、詳細な説明は省略する。

第１の実施形態に係る配線基板１では、第１配線導体１４の上面（第１電解めっき層１４ｂの上面）が、第２絶縁層１３２で被覆されていない。一方、第３の実施形態に係る配線基板３では、第１配線導体３４の上面（第１電解めっき層１４ｂの上面）の少なくとも一部が、第２絶縁層１３２から露出せずに、第２絶縁層１３２で被覆されている。このように、第３の実施形態に係る配線基３は、第１配線導体３４の配置の点で、第１の実施形態に係る配線基板１と相違する。

例えば、第２絶縁層１３２と、その上に位置する絶縁層との境界付近は、わずかな間隙が存在している場合があり、互いに隣接する配線導体同士が境界に露出しているとマイグレーションが生じる場合がある。つまり、第１配線導体３４（第１電解めっき層１４ｂ）と第２絶縁層１３２との境界付近でマイグレーションが生じやすくなる。第３の実施形態に係る配線基板３のように、第１配線導体３４の上面の少なくとも一部が第２絶縁層で被覆されていると、第１電解めっき層１４ｂの上面が第２絶縁層１３２の上面とその上に位置する絶縁層との境界から離れることになる。その結果、第１電解めっき層１４ｂの上面と第２絶縁層１３２の上面との間で、マイグレーションを低減することができ、絶縁信頼性がより向上する。

第３の実施形態に係る配線基板３を製造する方法は、例えば、上述の第２配線導体を形成する工程（工程（ｆ））において、第１配線導体３４の上面の少なくとも一部が露出しないように、第２絶縁層１３２上に位置する第２下地金属層１５ａおよび第２電解めっき層１５ｂを少なくとも除去すればよい。必要に応じて、第２絶縁層１３２の上面付近を除去してもよい。

１、２、３ 配線基板
１１ コア層
１１ａ スルーホール導体
１２ 導体層
１３１ 第１絶縁層
１３２ 第２絶縁層
１４、３４ 第１配線導体
１４ａ 第１下地金属層
１４ｂ 第１電解めっき層
１５、２５ 第２配線導体
１５１、２５１ 溝
１５ａ、２５ａ 第２下地金属層
１５ｂ、２５ｂ 第２電解めっき層
１６ ビアホール導体
１７ ソルダーレジスト

Claims (10)

1. 第１絶縁層と、
   該第１絶縁層の上面に位置する第２絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上面に位置し、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む第１配線導体と、
   前記第２絶縁層の上面から前記第１絶縁層に向けて凹む溝内に位置し、１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体と、
   を備え、
   前記第１配線導体は、前記第１絶縁層上に位置する第１下地金属層と、該第１下地金属層上に位置し、側面が前記第２絶縁層と接している第１電解めっき層とを含み、
   前記第２配線導体は、前記溝の内壁面上に位置する第２下地金属層と、該第２下地金属層上において前記溝内に充填された第２電解めっき層とを含む、
   配線基板。
2. 前記第１電解めっき層において、前記側面の算術平均粗さＲａは１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第２絶縁層において、前記溝の内壁面の算術平均粗さＲａは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の配線基板。
4. 前記第２配線導体は、前記第２絶縁層内に収まっている、請求項１～３のいずれかに記載の配線基板。
5. 前記第１配線導体は、上面の少なくとも一部が、前記第２絶縁層で被覆されている、請求項１～４のいずれかに記載の配線基板。
6. 第１絶縁層を形成する工程と、
   該第１絶縁層の上面に、第１下地金属層および該第１下地金属層上に位置する第１電解めっき層を含み、１５０μｍ以上の幅を有する幅広パターンを含む第１配線導体を形成する工程と、
   前記第１絶縁層の上面および前記第１配線導体を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
   該第２絶縁層の上面から前記第１絶縁層に向けて凹む第１溝を形成する工程と、
   前記第２絶縁層の上面および前記第１溝の内壁面を被覆する第２下地金属層と、該第２下地金属層上に位置し、前記第１溝を充填する厚みの第２電解めっき層とを形成する工程と、
   前記第２絶縁層の上面に位置する前記第２下地金属層および前記第２電解めっき層を少なくとも除去し溝内に位置する１５μｍ以下の幅を有する幅狭パターンを含む第２配線導体を形成する工程と、
   を含む、配線基板の製造方法。
7. 前記第１配線導体を形成する工程において、前記第１電解めっき層の側面に、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の算術平均粗さＲａとなる粗化処理を施す、請求項６に記載の製造方法。
8. 前記第１溝を形成する工程において、前記第１溝の内壁面が、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の算術平均粗さＲａとなる溝形成処理を行う、請求項６または７に記載の製造方法。
9. 前記第１溝を形成する工程において、前記第１溝の底面を前記第２絶縁層内に形成する、請求項６～８のいずれかに記載の製造方法。
10. 前記第２配線導体を形成する工程において、前記第１配線導体の上面の少なくとも一部が露出しないように、第２絶縁層上に位置する前記第２下地金属層および前記第２電解めっき層を少なくとも除去する、請求項６～９のいずれかに記載の製造方法。

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