JP2022546252A - マイクロ波エネルギーを用いて基板を処理するための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 基板を処理するための処理チャンバであって、
前記処理チャンバの内部容積内に設けられた基板支持体の下からマイクロ波エネルギーを供給するように構成されたマイクロ波エネルギー源と、
前記基板支持体上であって前記基板支持体の基板支持位置より上に配置された第1のマイクロ波リフレクタと、
前記基板支持体上であって前記基板支持位置より下に配置された第2のマイクロ波リフレクタと
を含み、
動作中は、マイクロ波エネルギーが前記第2のマイクロ波リフレクタを通過し、前記マイクロ波エネルギーの一部が前記第1のマイクロ波リフレクタの底面から前記基板へ反射されるように、前記第1のマイクロ波リフレクタおよび前記第2のマイクロ波リフレクタが配置され構成される、処理チャンバ。 - 前記第1のマイクロ波リフレクタが環状の構成を含み、前記環状の構成は、
約100mm~約250mmの内径および約1.00mm~約5.00mmの内径厚、ならびに、
約300mm~約350mmの外径および約1.00mm~約5.00mmの外径厚
を有する、請求項1に記載の処理チャンバ。 - 前記第1のマイクロ波リフレクタが、内縁および外縁によって画定された第1の部分と、前記第1の部分の前記外縁から前記第1のマイクロ波リフレクタの第2の部分の外縁までにおいて画定されたステップとを含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 前記第1のマイクロ波リフレクタが、ステンレス鋼、アルミニウム、または銅のうちの少なくとも1つから作られている、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 前記第2のマイクロ波リフレクタが環状の構成を含み、前記環状の構成が、
約45mm~約51mmの内径と、
約300mm~約350mmの外径と
を有する、請求項1に記載の処理チャンバ。 - 前記第2のマイクロ波リフレクタが、銅、アルミニウム、またはステンレス鋼のうちの少なくとも1つから作られている、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 概ね環状の構成を有する第3のマイクロ波リフレクタを更に含み、
前記概ね環状の構成においては、少なくとも2つの金属コネクタを介して第1の部分の内縁に第2の部分が接続され、前記第3のマイクロ波リフレクタは、前記基板支持体上であって前記第2のマイクロ波リフレクタより上で前記基板支持位置より下に配置されている、請求項1に記載の処理チャンバ。 - 前記第3のマイクロ波リフレクタの前記第1の部分、前記第2の部分、および前記少なくとも2つの金属コネクタが、銅、アルミニウム、ステンレス鋼のうちの少なくとも1つから作られている、請求項1から7のいずれか一項に記載の処理チャンバ。
- 前記第1のマイクロ波リフレクタの前記底面の前記基板の上面からの距離が少なくともマイクロ波波長の3倍であり、前記処理チャンバの前記内部容積内に配設されている底面、または、前記底面に配設されている導波管開口部のうちの1つから前記基板の底面までの距離は、少なくともマイクロ波波長の3倍であって、かつ、約160mm以下であり、前記処理チャンバの前記内部容積内に配設されている前記底面、または、前記導波管開口部のうちの1つから前記第2のマイクロ波リフレクタの底面までの距離は、約15mm~約80mmである、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 前記基板が、上に少なくとも1つの金属が堆積されたガラス、上に少なくとも1つの金属が堆積されたシリコン、または、埋め込まれたシリコンダイを有するエポキシのうちの少なくとも1つから作られる、請求項1から7、または9のいずれか一項に記載の処理チャンバ。
- 基板を処理するための処理チャンバであって、
前記処理チャンバの内部容積内に設けられた基板支持体と、
前記基板支持体上であって前記基板支持体の基板支持位置より上に配置された第1のマイクロ波リフレクタと、
前記基板支持体上であって前記基板支持位置より下に配置された第2のマイクロ波リフレクタと、
前記基板支持体上であって前記第2のマイクロ波リフレクタより上で前記基板支持位置より下に配置された第3のマイクロ波リフレクタと
を含み、
動作中は、マイクロ波エネルギーが前記第2のマイクロ波リフレクタを通過し、前記マイクロ波エネルギーの一部が前記第1のマイクロ波リフレクタの底面から前記基板へ反射されるように前記マイクロ波エネルギーの一部が前記第3のマイクロ波リフレクタを通過する、処理チャンバ。 - 処理チャンバを使用して基板を処理する方法であって、
前記処理チャンバの内部容積内に配設された基板支持体上であって前記基板より上に第1のマイクロ波リフレクタを配置することと、
前記基板支持体上であって前記基板より下に第2のマイクロ波リフレクタを配置することと、
マイクロ波エネルギーが前記第2のマイクロ波リフレクタを通過し、前記マイクロ波エネルギーの一部が前記第1のマイクロ波リフレクタの底面から前記基板へ反射されるように、前記処理チャンバのマイクロ波エネルギー源からの前記マイクロ波エネルギーを前記基板の下から送ることと
を含む、方法。 - 前記第1のマイクロ波リフレクタを提供することが、環状の構成を有する前記第1のマイクロ波リフレクタを提供することを含み、前記環状の構成が、
約100mm~約250mmの内径および約1.00mm~約5.00mmの内径厚、ならびに、
約300mm~約350mmの外径および約1.00mm~約5.00mmの外径厚
を有する、請求項12に記載の方法。 - 前記第1のマイクロ波リフレクタを提供することが、
内縁および外縁によって画定された第1の部分と、前記第1の部分の前記外縁から前記第1のマイクロ波リフレクタの第2の部分の外縁までにおいて画定されたステップと
を有する前記第1のマイクロ波リフレクタを提供することを含む、請求項12に記載の方法。 - 前記第1のマイクロ波リフレクタが、ステンレス鋼、アルミニウム、または銅のうちの少なくとも1つから作られている、請求項12から14のいずれか一項に記載の方法。
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