TW202129790A - 用於使用微波能量來處理基板的方法和設備 - Google Patents

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Abstract

在本文中提供了用於處理基板的方法和設備。該設備可包含(例如)：一微波能量源，該微波能量源經配置以從設置在該處理腔室的一內部空間中的一基板支撐件的下方提供微波能量、一第一微波反射器，該第一微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐件的一基板支撐位置上方；以及一第二微波反射器，該第二微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐位置下方，其中該第一微波反射器和該第二微波反射器的被設置和配置成：使得微波能量穿過該第二微波反射器，並且該微波能量中的一些者在操作期間從該第一微波反射器的一底表面反射回到該基板。

Description

用於使用微波能量來處理基板的方法和設備
本揭露的實施例一般性地涉及用於處理基板的方法和設備，並且更為特定地涉及用於使用被配置為用於微波能量的底部發射傳遞的處理腔室來處理基板的方法和設備。
近年來，已經針對各種類型的基板使用了新的先進的封裝整合架構。基板(例如)可以由任何適當的材料製成，並且有時候可以用一或多個金屬薄膜來塗覆（例如，鈦(或其他的金屬）塗覆的玻璃基板、鈦(或其他的金屬)塗覆的矽基板、具有嵌入的矽晶粒的環氧樹脂基板等等)。當對於此些基板進行封裝時，可以由一或多個微波能量源經由處理腔室的側壁(例如，側面發射)提供的微波能量被用來加熱基板。不幸的是，當利用此些腔室來處理基板時，由於基板(例如，其可以作為導體)在微波能量的E場和B場中的行為，有時難以實現基板的均勻加熱。舉例而言，基板的邊緣(例如，外圍的邊緣)傾向於比基板的其餘的區域更快地升溫（和/或升溫至較高的溫度)，有時候被稱為「邊緣熱(edge hot)」現象。為了要克服在操作期間基板的不均勻的加熱，傳統的處理腔室可以利用一或多個各種各樣的技術。舉例而言，一些處理腔室可以被配置為：旋轉處理腔室的環以旋轉基板。可替代性地或額外地，一些處理腔室可以包含：用於攪動微波的微波攪動器(例如，用以產生額外的微波模式)，及/或可以被配置為掃過不同的微波頻率。然而，此些技術可能是不可預測的和/或不可控制的，並且通常不能提供對於基板的足夠均勻的加熱。
因此，發明人已經發現到：需要用於使用處理腔室來處理基板的方法和設備，該處理腔室被配置為用於微波能量的底部發射遞送，並且包含：被配置為在整個基板上更均勻地分配微波能量的硬體。
在本文中提供了用於處理基板的方法和設備。在一些實施例中，例如，一種用於處理一基板的處理腔室包含：一微波能量源，該微波能量源經配置以從設置在該處理腔室的一內部空間中的一基板支撐件的下方提供微波能量、一第一微波反射器，該第一微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐件的一基板支撐位置上方；以及一第二微波反射器，該第二微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐位置下方，其中該第一微波反射器和該第二微波反射器被設置和配置成：使得微波能量穿過該第二微波反射器，並且該微波能量中的一些者在操作期間從該第一微波反射器的一底表面反射回到該基板。
根據至少一些實施例，一種用於處理一基板的處理腔室包含：設置在該處理腔室的一內部空間中的一基板支撐件；一第一微波反射器，該第一微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐件的一基板支撐位置上方；一第二微波反射器，該第二微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐位置下方；及一第三微波反射器，該第三微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該第二微波反射器上方和該基板支撐位置下方，其中該微波能量穿過該第二微波反射器，並且該微波能量中的一些者穿過該第三微波反射器，以使得該微波能量中的一些者在操作期間從該第一微波反射器的一底表面反射回到該基板。
根據至少一些實施例，一種用於使用一處理腔室來處理一基板的方法可以包含以下步驟：在設置於一處理腔室的一內部空間中的一基板支撐件上，將一第一微波反射器放置在一基板上方；在該基板支撐件上，將一第二微波反射器設置在該基板下方；以及從該基板下方傳送來自該處理腔室的一微波能量源的微波能量，以使得該微波能量穿過該第二微波反射器，並且該微波能量中的一些者從該第一微波反射器的一底表面反射回到該基板。
在後文中描述本揭露的其他和另外的實施例。
在本文中提供用於使用處理腔室來處理基板的方法和設備的實施例，該處理腔室被配置為用於微波能量的底部發射遞送，並且包含：被配置為在整個基板上均勻地分配微波能量的硬體。硬體可以包含：(例如)兩個環形微波反射器和可選擇的額外的微波反射器。可以將基板設置在兩個環形微波反射器之間以處理基板，並且可以從處理腔室的底部(例如，從基板的下方)引導微波能量而穿過微波反射器中的位於底部者以處理基板。微波能量中的一些者從微波反射器中的位於頂部者的底表面反射並返回朝向基板，以提供基板的均勻加熱，並減少(如果不能消除的話)通常與傳統的處理腔室相關聯的邊緣熱現象。
圖1是根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室102的示意性的側視圖。處理腔室102包含：由側壁105、底表面(或部分)107，及頂表面(或部分)109界定的腔室主體104。腔室主體104封圍內部(或處理)空間106(例如，由適合與處理基板一起使用的一或多種金屬(例如鋁、鋼等等)製成)，其中在該內部(或處理)空間中可以設置一或多種類型的基板以用於處理。在至少一些實施例中，當基板被處理時，內部空間106可以被配置為提供真空環境以(例如)消除/減少當基板被加熱時的熱冷卻動態。
在一些實施例中，處理腔室102可以被配置為用於封裝基板。在此些實施例中，處理腔室102可以包含：一或多個微波能量源108，該等微波能量源被配置為藉由(例如)波導110向內部空間106提供微波能量，以將基板(例如)從大約130℃加熱到大約150℃。可以將基板加熱到的溫度可以取決於：(例如)熱預算考慮因素、行業慣例等等。因此，在一些實施例中，可以將基板加熱到小於130℃且大於150℃的溫度。一或多個溫度感測器(未示出)(例如，非接觸的溫度感測器(例如，紅外線感測器))可以用於在(例如)原位地處理基板的同時監控基板的溫度。
波導110可以被配置為藉由腔室主體104的底表面107提供微波能量（底部發射）(例如，從基板的下方而用於微波的中心對稱的傳播)。更為特定地，在腔室主體104的底表面107處設置有波導開口111，其中藉由該波導開口111發射或輸出微波能量。波導開口111可以與底表面107齊平，或者可以稍微升高到底表面107上方(如圖1所示例說明者)。在至少一些實施例中，微波能量源108可以被配置為掃過一或多個頻率。舉例而言，微波能量源108可以被配置為掃過從大約5.85GHz到大約6.65GHz的頻率。
在處理腔室102中處理的基板112可以是任何的適當的的基板(例如，矽、鍺、玻璃、環氧樹脂等等)。舉例而言，在一些實施例中，基板112可以由具有其上沉積了至少一種金屬(例如鈦、鎢等等)的玻璃、具有其上沉積了至少一種金屬(例如鈦、鎢等等)的矽，或具有一或多個嵌入的矽晶粒的環氧樹脂基板(晶圓)製成。
控制器114被提供並耦接至處理腔室102的各個元件以控制處理腔室102的操作以處理基板112。控制器114包含：中央處理單元(CPU)116、支援電路118，及記憶體或非暫時性的電腦可讀取儲存媒體120。控制器114直接地，或藉由與特定的處理腔室和/或支援系統元件相關聯的電腦(或控制器)操作性地耦接至微波能量源108並控制微波能量源108。此外，控制器114被配置為從(例如)用於控制微波能量源108的溫度感測器接收輸入，以使得在處理基板112時基板112的溫度不超過臨界值。
控制器114可為：可以在工業環境中用於控制各種腔室和子處理器的任何形式的通用電腦處理器。控制器114的記憶體，或非暫時性的電腦可讀取儲存媒體120可以是：一或多種容易獲得的記憶體(例如，隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬盤、光學儲存媒體(例如，光碟或數位影音光碟)、快閃驅動器，或任何其他形式的數位儲存(本端或遠端))中的一或多個。支援電路118耦接至CPU 116，以利用傳統的方式來支援CPU 116。支援電路118包含：快取、電源供應器、時脈電路、輸入/輸出電路，及子系統等等。如同在本文中描述的具有發明性的方法(例如用於處理基板的方法（例如，基板封裝）可以作為軟體常式122儲存在記憶體120中，該軟體常式122可以被執行或調用以利用在本文中描述的方式來控制微波能量源108的操作。軟體常式也可以由第二CPU(未示出)儲存和/或執行，該第二CPU位於由CPU 116控制的硬體的遠端。
繼續地參考圖1，基板支撐件124被配置為在至少一個基板支撐位置支撐至少一個基板(例如，基板112)，以及具有垂直地間隔開的配置的一或多個硬體元件(例如，微波反射器)，該等硬體元件用來輔助處理基板112。在至少一些實施例中，基板112可以是由基板支撐件124支撐的複數個基板(例如，一批基板)中的一者。基板支撐件124包含：一或多個垂直的支撐件126。垂直的支撐件126進一步包含：從垂直的支撐件126徑向向內延伸的複數個外圍構件(例如，外圍構件130a、130b，及130c)。外圍構件130a-130c(例如，外圍構件130b)被配置為：在基板支撐位置支撐基板112(或多個基板)和一或多個硬體元件(例如，第一微波反射器134和可選擇的第三微波反射器138)。
在至少一些實施例中，基板支撐件124可包含：升降組件(未示出)。升降組件可以包含：用以控制外圍構件130a-130c的垂直位置的馬達、致動器、索引器等等中的一個或多個。控制外圍構件130a-130c的垂直的位置，以經由開口132(例如，狹縫閥開口)將基板112放置於外圍構件130a-130c中的一或多個，或經由開口132(例如，狹縫閥開口)從外圍構件130a-130c中的一或多個移除基板112。穿過側壁105中的一者以接近外圍構件130a-130c的高度形成開口132，以促進基板112進入和離開內部空間106。在一些實施例中，開口132可以是可伸縮地密封的，以(例如)控制內部空間106的壓力和溫度條件。
垂直的支撐件126可以由處理腔室102的內部空間106內的一或多個元件支撐。舉例而言，在至少一些實施例中，垂直的支撐件126可以由環128支撐。環128可以(例如)藉由與穿過波導110設置的波導開口111相鄰的一或多個耦接元件(例如，緊固螺釘或類似者)支撐在腔室主體104的底表面107上。可替代性地或額外地，環128可以支撐在波紋管130上，該波紋管130可以設置在底表面107上(如同在圖1中所示者)。波紋管130被配置為在內部空間106和升降組件之間提供真空密封(例如，當基板支撐件124上下移動時)。環128亦被配置為支撐用於處理基板112的硬體元件(例如，第二微波反射器136)。環128可以由能夠支撐上述的元件的適當的材料(其中包含(但不限於)：金屬、金屬合金等等)製成。舉例而言，在至少一些實施例中，環128可以由不銹鋼製成。
圖2A是根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室的微波反射器200(反射器200)的示意性的俯視圖。反射器200可以被使用以作為圖1的第一微波反射器134。反射器200可以由任何的適當的與程序相容的金屬(其中包含(但不限於)：不銹鋼、鋁，或銅)製成。金屬需要能夠反射(或阻擋)微波能量。反射器200可具有一或多種幾何構造(其包含(但不限於)：矩形、橢圓形、圓形、八邊形(或其他的多邊形)等等)。舉如而言，在至少一些實施例中，反射器200可具有大致上為環形的構造或周向構造。更為特定地，反射器200可以包含：具有大約210mm的內徑(ID)和大約280mm的外徑(OD1 )的第一部分202。第一部分202是由內邊緣204和外邊緣206限定。第一部分的從內邊緣204到外邊緣206的ID厚度t1 可以是大約1.00mm至大約5.00mm(見圖2B中的橫截面的側視圖)。第一部分的ID厚度t1 應該足夠厚，以減少或消除微波的傳輸。
反射器200亦包含：第二部分208。第二部分208包含：大約1.00mm至大約5.00mm的OD2 厚度t2 ，從而形成從第一部分202的外邊緣206到第二部分208的外邊緣210的台階208a(見圖2B)。OD2 （例如，在第二部分208的外邊緣210處)為大約300mm-350mm。然而，在至少一些實施例中，OD2 可以小於300mm且大於350mm(例如，取決於內部空間106的尺寸、處理腔室102、在波導開口111與基板112之間的距離、所使用的微波能量的波長等等)。反射器200的其他尺寸(例如，ID、OD1 )也可以根據(例如)被處理的基板的尺寸、內部空間106的尺寸、處理腔室102、在波導開口111與基板112之間的距離、所使用的微波能量的波長等等來進行縮小和放大。
反射器200耦接至外圍構件130a(例如，見圖1)。例如，在至少一些實施例中，反射器200可以藉由一或多個耦接裝置(例如，夾具、鎖緊裝置、螺釘、螺母、螺栓，或其他適當的裝置)固定地或可移除地耦接至外圍構件130a。舉例而言，在後一實施例中，反射器200可以經由夾具耦接至外圍構件130a，以使得反射器200可以從外圍構件130a移除以用於例行的維護。
圖3是根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室的微波反射器300(反射器300)的示意性的俯視圖。反射器300可以被使用以作為圖1的第二微波反射器136。反射器300可以由任何的適當的與程序相容的金屬(其中包含(但不限於)：不銹鋼、鋁，或銅)製成。反射器300可具有任何的適當的幾何構造，以在處理如同本文所描述的基板時使微波通過和/或反射。適當的幾何構造的示例包含(但不限於)：矩形、橢圓形、圓形、八邊形(或其他的多邊形)等等。舉如而言，在至少一些實施例中，類似於反射器200，反射器300可具有大致上為環形的構造或周向構造。然而，與反射器200不同，反射器300包含：從內邊緣302到外邊緣304的均勻厚度。舉例而言，在至少一些實施例中，反射器300的厚度可以是大約1.00mm至5.00mm(例如，足以減少或消除微波的透射的厚度)。反射器300包含：大約45mm至大約51mm的ID3 和大約300mm至大約350mm的OD4 (例如，取決於內部空間106的尺寸、處理腔室102、在波導開口111與基板112之間的距離、所使用的微波能量的波長等等)。內邊緣302限定孔306，其中微波能量可以經由孔306而傳輸通過(如同將在後文中更為詳細地描述者)。
此外，與耦接至外圍構件130a的反射器200不同，反射器300耦接至環128(例如，見圖1)。例如，在至少一些實施例中，反射器300可以藉由一或多個耦接裝置（例如，夾具、鎖緊裝置、螺釘、螺母、螺栓或其他適當的裝置）固定地或可移除地耦接至環128。舉例而言，在後一實施例中，反射器300可以經由夾具耦接至環128，以使得反射器300可以從環128移除以用於例行的維護。
在組裝的配置中，基板112、反射器200，及反射器300可以彼此間隔開和/或以任何適當的距離與波導110的波導開口111間隔開。例如，發明人已經發現到：為了確保基板112的均勻/一致的加熱，反射器200的底表面與基板112的頂表面之間可形成的距離d1 為至少三個微波波長。此外，基板112的底表面與波導開口111或底表面107之間可形成的距離d2 （例如，取決於波導開口111是否與底表面107齊平）是至少三個微波波長。在至少一些實施例中，例如，距離d2 可以等於大約160mm。再者，反射器300的底表面與波導開口111或底表面107之間可形成的距離d3 （例如，再次地取決於波導開口111是否與底表面107齊平）為大約15mm至大約80mm。
圖4是根據本揭露的一些實施例的處理腔室102的微波反射器（反射器400）的示意性的俯視圖。反射器400可以用作為圖1的可選擇的第三微波反射器138。反射器400可以具有如同前文所描述的任何適當的幾何構造(其中包含(但不限於)：矩形、橢圓形、圓形、八邊形(或其他的多邊形)等等)。舉例而言，在至少一些實施例中，類似於反射器200，反射器400可具有大致上為環形的構造或周向構造。舉例而言，反射器400可包含：環形的第一部分402和圓形的第二部分404（或中心），該圓形的第二部分可藉由一或多個耦接構件耦接到第一部分402。舉例而言，在至少一些實施例中，可以使用兩個或更多個金屬連接器406（例如，金屬桿或銷）將第一部分402耦接至第二部分404。舉例而言，在示例說明的實施例中，示出了四個金屬連接器406，該等金屬連接器將第二部分404耦接到第一部分402。金屬連接器406被配置為將第一部分402耦接至第二部分404，並支撐將第一部分402相對於第二部分404保持在相對固定的位置。
第二部分404包含：外邊緣408，該外邊緣界定了第二部分404的OD4 ，該OD4 可為大約1.00mm至大約5.00mm。第一部分402可具有與反射器200的第一部分202相類似的尺寸。舉例而言，在至少一些實施例中，第一部分402可具有大約210mm的ID5 （例如，從第二部分404的中心到第一部分402的內邊緣410測量者）和大約300mm至350mm的OD5 （例如，從第二部分404的中心到第一部分402的外邊緣412測量者)。第一部分402和/或第二部分404的厚度可以分別地等於第一部分202的厚度t1 或第二部分208的厚度t2 (例如，大約1.00mm至5.00mm的厚度)。
在第二部分404的外邊緣408與第一部分402的內邊緣410之間形成開口414。開口414被配置為允許傳輸通過反射器300的孔306的微波能量穿過其中，以加熱基板112的底表面。
反射器400的第一部分402、第二部分404，及/或金屬連接器406可以由任何適當的金屬製成(其中包含(但不限於)：銅、鋁、不銹鋼)。
在組裝的配置中，類似於反射器200，反射器400耦接至外圍構件中的一者(例如，外圍構件130c（例如，見圖1）)。例如，在至少一些實施例中，反射器400可以藉由一或多個耦接裝置(例如，夾具、鎖緊裝置、螺釘、螺母、螺栓，或其他適當的裝置)固定地或可移除地耦接至外圍構件130c。舉例而言，在後一實施例中，反射器400可以耦接至外圍構件130c，以使得反射器400可以從外圍構件130c移除以用於例行的維護。
圖5是根據本揭露的一些實施例的用於處理基板的方法500的流程圖。初始地，可以將基板（例如，基板112）設置在處理腔室（例如，處理腔室102）的內部空間（例如內部空間106）內的外圍構件上。舉例而言，可以將基板設置在基板支撐件124的外圍構件130b上。此外，在至少一些實施例中，可以被配置為根據本揭露使用的一種類型的處理腔室可為(例如)：PVD設備的CHARGER® /ENDURA® Underbump Metallization生產線(可從位於加利福尼亞州聖塔克拉拉巿的應用材料公司獲得)。
接著，在502處，可以提供第一微波反射器（例如，反射器200）並將其設置在基板上方。舉例而言，如前文所述，反射器200可以設置在外圍構件130a上。在504處，可以提供第二微波反射器（例如，反射器300）並將其設置在基板下方。舉例而言，反射器300可以設置在環128上。
在一些實施例中，可以提供可選擇的反射器400並將其設置在外圍構件130c上。反射器400可用於引導傳輸通過反射器300的孔306的微波能量中的一些者。
接著，在506處，在控制器114的控制下，微波能量從波導開口111傳輸（例如，從基板下方）並穿過反射器300的孔306。此外，微波能量中的一些者(例如，穿過基板的微波能量)在操作期間從反射器200的(例如)第一部分202和第二部分208的底表面反射並返回到基板。來自反射器200的反射的微波能量加熱基板的頂表面（例如，基板的除了邊緣以外的區域)，並提供基板的均勻/一致的加熱（例如，減少邊緣熱現象）。此外，反射器200引起正在傳播的微波中的一些者的衍射，前述者從而提供了更具預測性的傳播模式。
在至少一些實施例中，(例如)當使用可選擇的反射器400時，傳輸通過反射器300的孔306的微波能量中的一些者也傳輸通過反射器400的第一部分402和第二部分404之間的開口414。此外，微波能量中的一些者從反射器400的第一部分402和第二部分404的底表面反射到反射器200。然後，可以將來自反射器400的反射的微波能量中的一些者從反射器300重新定向返回，並通過反射器400的第一部分402與第二部分404之間的開口414，從而提供了對基板的額外的均勻的加熱。反射器400亦防止方向性微波撞擊(例如，在基板的中心太快加熱的地方)。
雖然前述者係關於本揭露的實施例，在不偏離其基本範疇的情況下，可以設想本揭露的其他和另外的實施例。
102:處理腔室 104:腔室主體 105:側壁 106:內部空間 107:底表面 108:微波能量源 109:頂表面 110:波導 111:波導開口 112:基板 114:控制器 116:CPU 118:支援電路 120:電腦可讀取儲存媒體 122:軟體常式 124:基板支撐件 126:垂直的支撐件 128:環 130:波紋管 130a:外圍構件 130b:外圍構件 130c:外圍構件 132:開口 134:第一微波反射器 136:第二微波反射器 138:第三微波反射器 200:微波反射器 202:第一部分 204:內邊緣 206:外邊緣 208:第二部分 208a:台階 210:外邊緣 300:微波反射器 302:內邊緣 304:外邊緣 306:孔 400:反射器 402:第一部分 404:第二部分 406:金屬連接器 408:外邊緣 410:內邊緣 412:外邊緣 414:開口 500:方法 502:步驟 504:步驟 506:步驟
本揭露的實施例(簡短地在前文中概括者和在後文中更為詳細地討論者)可藉由參照描繪於隨附的圖式中的本揭露的示例說明性的實施例來理解。然而，隨附的圖式僅示例說明：本揭露的典型的實施例，因而並不被認為是限制範疇，對於本揭露而言可允許其他的同等有效的實施例。
圖1是根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室的示意性的側視圖。
圖2A是根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室的硬體元件的示意性的俯視圖。
圖2B是沿著圖2A的線段2B-2B截取的橫截面的側視圖。
圖3是根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室的硬體元件的示意性的俯視圖。
圖4是根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室的硬體元件的示意性的俯視圖。
圖5是根據本揭露的至少一些實施例的用於處理基板的方法的流程圖。
為了要促進理解，在可能的情況中已經使用相同的元件符號以指定給圖式共用的相同的元件。圖式未按照比例來繪製，並且為了清楚起見可以簡化。一實施例的元件和特徵可被有利地併入於其他的實施例中，而無需進一步的敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
102:處理腔室
104:腔室主體
105:側壁
106:內部空間
107:底表面
108:微波能量源
109:頂表面
110:波導
111:波導開口
112:基板
114:控制器
116:CPU
118:支援電路
120:電腦可讀取儲存媒體
122:軟體常式
124:基板支撐件
126:垂直的支撐件
128:環
130:波紋管
130a:外圍構件
130b:外圍構件
130c:外圍構件
132:開口
134:第一微波反射器
136:第二微波反射器
138:第三微波反射器

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的處理腔室，包含： 一微波能量源，該微波能量源經配置以從設置在該處理腔室的一內部空間中的一基板支撐件的下方提供微波能量； 一第一微波反射器，該第一微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐件的一基板支撐位置上方；以及 一第二微波反射器，該第二微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐位置下方， 其中該第一微波反射器和該第二微波反射器被設置和配置成：使得微波能量穿過該第二微波反射器，並且該微波能量中的一些者在操作期間從該第一微波反射器的一底表面反射回到該基板。
  2. 如請求項1所述之處理腔室，其中該第一微波反射器包含：一環形構造，該環形構造具有： 大約100mm至大約250mm的一內徑和大約1.00mm至大約5.00mm的一內徑厚度；以及 大約300mm至大約350mm的一外徑和大約1.00mm至大約5.00mm的一外徑厚度。
  3. 如請求項1所述之處理腔室，其中該第一微波反射器包含：由一內邊緣和一外邊緣界定的一第一部分，以及從該第一部分的該外邊緣至該第一微波反射器的一第二部分的一外邊緣界定的一台階。
  4. 如請求項1所述之處理腔室，其中該第一微波反射器是從不銹鋼、鋁，或銅中的至少一者製成。
  5. 如請求項1所述之處理腔室，其中該第二微波反射器包含：一環形構造，該環形構造具有： 大約45mm至大約51mm的一內徑；及 大約300mm至大約350mm的一外徑。
  6. 如請求項1所述之處理腔室，其中該第二微波反射器是從銅、鋁，或不銹鋼中的至少一者製成。
  7. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包含： 一第三微波反射器，該第三微波反射器具有一大致上為環形的構造，該大致上為環形的構造具有一第二部分，該第二部分藉由至少二個金屬連接器連接至一第一部分的一內邊緣，其中該第三微波反射器被設置在該基板支撐件上，而在該第二微波反射器上方和該基板支撐位置下方。
  8. 如請求項1至7中的任一項所述之處理腔室，其中該第三微波反射器中的該第一部分、該第二部分，及該至少兩個金屬連接器是由銅、鋁，或不銹鋼中的至少一者製成。
  9. 如請求項1所述之處理腔室，其中該第一微波反射器的該底表面與該基板的一頂表面之間的一距離是至少三個微波波長，該基板的一底表面與設置在該處理腔室的該內部空間內的一底表面，或設置在該底表面處的一波導開口中的一者之間的一距離是至少三個微波波長，但不大於大約160mm，並且該第二微波反射器的一底表面與設置在該處理腔室的該內部空間內的該底表面，或該波導開口中的一者之間的一距離是大約15mm至大約80mm。
  10. 如請求項1至7或9中的任一項所述之處理腔室，其中該基板是由具有其上沉積了至少一種金屬的玻璃、具有其上沉積了至少一種金屬的矽，或具有嵌入的矽晶粒的環氧樹脂中的至少一者製成。
  11. 一種用於處理一基板的處理腔室，包含： 一基板支撐件，該基板支撐件設置在該處理腔室的一內部空間中； 一第一微波反射器，該第一微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐件的一基板支撐位置上方； 一第二微波反射器，該第二微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該基板支撐位置下方； 一第三微波反射器，該第三微波反射器設置在該基板支撐件上，而在該第二微波反射器上方和該基板支撐位置下方， 其中該微波能量穿過該第二微波反射器，並且該微波能量中的一些者穿過該第三微波反射器，以使得該微波能量中的一些者在操作期間從該第一微波反射器的一底表面反射回到該基板。
  12. 一種用於使用一處理腔室來處理一基板的方法，包含以下步驟： 在設置於該處理腔室的一內部空間中的一基板支撐件上，將一第一微波反射器放置在一基板上方； 在該基板支撐件上，將一第二微波反射器設置在該基板下方；以及 從該基板下方傳送來自該處理腔室的一微波能量源的微波能量，以使得該微波能量穿過該第二微波反射器，並且該微波能量中的一些者從該第一微波反射器的一底表面反射回到該基板。
  13. 如請求項12所述之方法，其中提供該第一微波反射器之步驟包含以下步驟：提供具有環形構造的該第一微波反射器，該環形構造具有： 大約100mm至大約250mm的一內徑和大約1.00mm至大約5.00mm的一內徑厚度；以及 大約300mm至大約350mm的一外徑和大約1.00mm至大約5.00mm的一外徑厚度。
  14. 如請求項12所述之方法，其中提供該第一微波反射器之步驟包含以下步驟：為該第一微波反射器提供： 由一內邊緣和一外邊緣界定的一第一部分，以及從該第一部分的該外邊緣到該第一微波反射器的一第二部分的一外邊緣限定的一台階。
  15. 如請求項12所述之方法，其中該第一微波反射器由不銹鋼、鋁，或銅中的至少一者製成。
  16. 如請求項12所述之方法，其中提供該第二微波反射器之步驟包含以下步驟：為該第二微波反射器提供一環形構造，該環形構造具有： 大約45mm至大約51mm的一內徑；及 大約300mm至大約350mm的一外徑。
  17. 如請求項12所述之方法，其中該第二微波反射器由銅、鋁，或不銹鋼中的至少一者製成。
  18. 如請求項12所述之方法，進一步包含以下步驟：提供具有一大致上為環形的構造的一第三微波反射器，該大致上為環形的構造具有藉由至少兩個金屬連接器連接到一第一部分的一內邊緣的一第二部分， 其中該第三微波反射器設置在該第二微波反射器上方和該基板支撐位置下方。
  19. 如請求項12至18中的任一項所述之方法，其中該第三微波反射器的該第一部分、該第二部分，及該至少兩個金屬連接器由銅、鋁、不銹鋼中的至少一者製成。
  20. 如請求項12至18中的任一項所述之方法，其中該第一微波反射器的該底表面與該基板的一頂表面之間的一距離當存在時是至少三個微波波長，該基板的一底表面與設置在該處理腔室的該內部空間內的一底表面，或設置在該底表面處的一波導開口中的一者之間的一距離當存在時是至少三個微波波長，但不大於大約160mm，並且該第二微波反射器的一底表面與設置在該處理腔室的該內部空間內的該底表面，或該波導開口中的一者之間的一距離是大約15mm至大約80mm。
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