JP2022532168A - 大電力無線周波数増幅器 - Google Patents

大電力無線周波数増幅器 Download PDF

Info

Publication number
JP2022532168A
JP2022532168A JP2021566484A JP2021566484A JP2022532168A JP 2022532168 A JP2022532168 A JP 2022532168A JP 2021566484 A JP2021566484 A JP 2021566484A JP 2021566484 A JP2021566484 A JP 2021566484A JP 2022532168 A JP2022532168 A JP 2022532168A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
power
amplifiers
power splitter
modules
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021566484A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7273190B2 (ja
Inventor
エム． ライトン，クリストファー
シー． トルッリ，スーザン
ケー． ハーパー，エリシア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Raytheon Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raytheon Co filed Critical Raytheon Co
Publication of JP2022532168A publication Critical patent/JP2022532168A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7273190B2 publication Critical patent/JP7273190B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/192—A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/198—A hybrid coupler being used as coupling circuit between stages of an amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

【要約】電力増幅器(10)が、複数のN個の増幅器(12)であり、Nは１より大きい整数である、N増幅器と；M個の入力とN個の出力とを有するM:N電力スプリッタ(14)であり、MはN未満の整数であり、N個の出力の各々はN増幅器のうちの対応する１つの入力に結合されている、M:N電力スプリッタと；複数のM個の遅延線(18)であり、各遅延線は、M:N電力スプリッタのM個の入力の対応する１つに結合される出力を有し、当該電力増幅器の共通入力に結合されている、M遅延線とを含む。M:N電力スプリッタ及びM遅延線は、共通のプリント回路基板上に配置されている。N増幅器は、M個の増幅器モジュール(24)内に配置され、M個の増幅器モジュールの各々はN/M個の増幅器を有し、N/M個の増幅器の各々は、M個の増幅器モジュールのうち対応する１個の中にあり、それぞれ所定の位相シフトを有する。

Description

本開示は、一般に、大電力無線周波数（RF）増幅器に関し、より詳細には、共通入力に結合された複数の増幅器モジュールを有する大電力RF増幅器に関する。
当技術分野で知られているように、多くの大電力無線周波数（RF）増幅器は、電力スプリッタ（power splitter）を介して共通入力に結合された複数の増幅器モジュールを含み、増幅器モジュールの各々は、複数の出力のうちの対応する出力を生成する。このような電力増幅器の１つが図１に示されており、この例では１６個の増幅器モジュール１～１６があり、１６個の出力１～１６のうちの対応する１つの出力を生成している。電力RF増幅器は、入力におけるRF信号の電力を１６個の増幅器モジュール間に等しく分割するための１対１６の電力スプリッタを含む。増幅器モジュールの各々は、図示のように、電力スプリッタの対応する１つの出力と増幅器モジュールのうちの１つへの入力との間に結合された調節可能な移相器（phase shifter）を含む。増幅器モジュールの各々は、典型的には、製作されるとき、それを通る異なる位相シフトを有するので、位相シフト器は、１６個の増幅器モジュールの全てからの出力信号が互いに同相であるように、RF電力増幅器の製造中に調整される。すなわち、出力１～１６の信号は全て同相である。しかしながら、複数の移相器の各々を調整することは、時間を消費する。
本開示に従って電力増幅器が提供される。該電力増幅器は、複数のN個の増幅器(12)であり、Nは１より大きい整数である、N増幅器と； M個の入力とN個の出力とを有するM:N電力スプリッタ(14)であり、MはN未満の整数であり、N個の出力の各々はN増幅器のうちの対応する１つの入力に結合されている、M:N電力スプリッタと； 複数のM個の遅延線(18)であり、各遅延線は、M:N電力スプリッタのM個の入力の対応する１つに結合される出力を有し、当該電力増幅器の共通入力に結合されている、M遅延線と；を含む。
一実施形態において、前記M:N電力スプリッタ及び前記M遅延線は、共通のプリント回路基板上に配置されている。
一実施形態において、当該電力増幅器は、M個の出力を有する1:M電力スプリッタ(22)であり、各々が前記M遅延線の対応する１つの入力に結合されている1:M電力スプリッタを含む。
一実施形態において、前記N増幅器は、M個の増幅器モジュール(24)内に配置され、M個の増幅器モジュールの各々はN/M個の増幅器を有し、M個の増幅器モジュールのうち対応する１個の中のN/M個の増幅器の各々は、それぞれ、位相シフト（Δ１+/-δ）度～（ΔM +/-δ）度を有し、前記M遅延線の各々は、それぞれ、位相シフトΔ１からΔMを有する。
本開示における１又は複数の実施形態の詳細は、付随する図面及び下記の説明において規定される。本開示の他の特徴、目的、及び利点は、明細書及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかであろう。
従来技術による大電力RF電力増幅器の概略図である。 本開示に従った大電力RF電力増幅器の概略図である。 図２の大電力RFパワー増幅器と共にその製作の様々な段階で使用するための、１:M電力スプリッタ、M:N電力スプリッタ、M個の遅延線１８１～１８４、及び複数個の抵抗を有するプリント回路基板の上面の平面図である。 図２の大電力RFパワー増幅器と共にその製作の様々な段階で使用するための、１:M電力スプリッタ、M:N電力スプリッタ、M個の遅延線１８１～１８４、及び複数個の抵抗を有するプリント回路基板の上面の平面図である。 図２の大電力RFパワー増幅器と共にその製作の様々な段階で使用するための、１:M電力スプリッタ、M:N電力スプリッタ、M個の遅延線１８１～１８４、及び複数個の抵抗を有するプリント回路基板の上面の平面図である。 図２の大電力RFパワー増幅器と共にその製作の様々な段階で使用するための、１:M電力スプリッタ、M:N電力スプリッタ、M個の遅延線１８１～１８４、及び複数個の抵抗を有するプリント回路基板の上面の平面図である。 図２の大電力RFパワー増幅器と共にその製作の様々な段階で使用するための、１:M電力スプリッタ、M:N電力スプリッタ、M個の遅延線１８１～１８４、及び複数個の抵抗を有するプリント回路基板の上面の平面図である。 種々の図面における同様な参照記号は、同様な要素を示す。
次に図２を参照すると、大電力RF増幅器１０が示されている。大電力RF増幅器１０は、複数のN個の増幅器１２１～１２N（ここでNは１よりも大きい整数、本実施例ではNは１６である）を有する。さらに、M個の入力１４１～１４M（ここではMはNよりも小さい整数、本実施例ではMは４である）と、N個の出力１６１～１６N（ここではN個の出力１６１～１６Nはそれぞれ、N個の増幅器１２１～１２Nの対応する１つの入力１４１～１４Nに結合される）とを有するM:N電力スプリッタ１４を有する。さらに、複数のM個の遅延線１８１～１８Mを有し、M個の遅延線１８１～１８Mは、それぞれ、複数のM:N電力スプリッタ１４のM個の入力１４１～１４Mの対応する１つにそれぞれ結合された出力T２、T４、T６、及びT８を有する。M個の遅延線１８１～１８Mは、それぞれ、電力増幅器１０の共通入力に結合された入力T１、T３、T５及びT７を有する。本実施例では、さらに１:Nの電力スプリッタ２２がある。１:N電力スプリッタ及びM:N電力スプリッタ１４は、従来の設計であり、本例では５０オームの従来の整合終端抵抗Rを含む。また、本例では、電力スプリッタ１４及び２２を形成するために使用されるマイクロ波伝送線、本実施例では、５０オームのマイクロストリップ伝送線、並びに遅延線１８１～１８Mを含むことに留意されたい。かくして、本例では、入力２０から１６個の出力OUTPUT１～OUTPUT１６のうちの対応する１つまでの１６個のチャンネルが存在する。
ここで、本実施例では、複数の増幅器が製造され、公称動作頻度における各々の位相シフトが測定され、記録される。M個の増幅器モジュール部２４１～２４Mの各々について、所定の位相シフトΔ１～ΔMから所定の許容差 +/-δが選択される。ここで、本実施例では、M個の増幅器モジュール部２４１～２４Mに対して、それぞれ、所定の許容差δを５度に選択し、所定の位相シフトΔ１～ΔMは、Δ１=２０度、Δ１+１０=３０度、Δ１+２０=４０度、Δ１+３０=５０度として選択される。
本例では、製作された増幅器のうち１６個は、１６、１７、２２、２４、２６、３１、３４、３５、３６、３７、４２、４４、４８、４９、５２及び５３度の位相シフトを有するものが選択される。
選択された増幅器は、以下のようにM個の増幅器モジュール部２４１～２４M内に配置される。
Figure 2022532168000002
 N個の増幅器１２１～１２１６は、M個の増幅器モジュール部２４１～２４M内に配置され、M個の増幅器モジュール部２４１～２４Mの各々は、増幅器１２１～１２NのうちN/M個の増幅器 （ここでは４）を有する。N/M個の増幅器１２１～１２Nの各々は、M個の増幅器モジュール部２４１～２４Mの対応する１つの中にあり、それぞれ位相シフト（Δ１+/-δ）度から（ΔM +/-δ）度を有する。M個の遅延線１８１～１８Mの各々は、それぞれ、位相シフトΔ１～ΔMを有することに留意されたい。
なお、１:M電力スプリッタ２２及びM:N電力スプリッタ１４並びにM個の遅延線１８１～１８４は、マイクロストリップマイクロ波伝送線として共通のプリント回路基板３０上に配置され、また、複数の抵抗器Rもプリント回路基板３０上に形成されていることに留意されたい。
次に、図３Ａ～図３Ｅを参照すると、高RF電力増幅器１０のプリント回路３０部分の製造における種々のステージの平面図が示されている。かくして、１:M電力スプリッタ２２、M:N電力スプリッタ１４、及び抵抗器Rを示す。ここで、１:M電力スプリッタ２２及びM:N電力スプリッタ１４は、誘電体基板３５の上方表面３３上に形成されたストリップ導体３１と、誘電体基板３５の底部表面に形成された図示しない接地面導体とによって形成されたマイクロストリップ伝送線路である。抵抗器Rの一端は、図示のようにストリップ導体３１に接続され、抵抗器の他端は、図示のように導電性ビアVIAを介して接地平面導体（図示せず）に接続される。
図３Ａのようにプリント回路基板３０を形成した後、遅延線１８１～１８４はマイクロストリップ伝送線として形成され、接地面は誘電体基板３５の背面に形成された接地面（図示せず）によって提供される。第１遅延線１８１のマイクロストリップ伝送線路のストリップ導体は、図３Ｂに示すように、加算製造又は３Ｄ印刷を用いて印刷される。
次に、第２遅延線１８２のためのマイクロストリップ伝送線路のストリップ導体は、図３Ｃに示すように、加算製造又は３Ｄ印刷を用いて印刷される。
次に、第３遅延線１８３のためのマイクロストリップ伝送線路のストリップ導体は、図３Ｄに示すように、加算製造又は３Ｄ印刷を用いて印刷される。
最後に、第４遅延線１８４のマイクロストリップ伝送線路のストリップ導体は、図３Ｅに示すように、加算製造又は３Ｄ印刷を用いて印刷される。
上記の実施例では、遅延線１８１～１８４のマイクロストリップ伝送線路のストリップ導体は、連続的に印刷されているが、例えば、３Ｄプリントヘッドのためのラスタ型の動作を使用して、それらを同時に印刷することができることを理解されたい。
ここで、本開示に従った電力増幅器は、複数のN個の増幅器(12)であり、Nは１より大きい整数である、N増幅器と； M個の入力とN個の出力とを有するM:N電力スプリッタ(14)であり、MはN未満の整数であり、N個の出力の各々はN増幅器のうちの対応する１つの入力に結合されている、M:N電力スプリッタと； 複数のM個の遅延線(18)であり、各遅延線は、M:N電力スプリッタのM個の入力の対応する１つに結合される出力を有し、当該電力増幅器の共通入力に結合されている、M遅延線と；を含むことが理解されるべきである。当該電力増幅器は、以下の１つ又は複数の特徴を個々的に又は組み合わせて含むことができる。すなわち、M:N電力スプリッタ及びM遅延線が共通のプリント回路基板上に配置され、M個の出力を有する１:M電力スプリッタのM個の出力の各々がM遅延線の対応する１つの入力に結合される。M:N電力スプリッタ、M遅延線及び１:M電力スプリッタが共通のプリント回路基板上に配置される。N増幅器がM増幅器モジュール内に配置され、M増幅器モジュールの各々がN/M 個の増幅器を有する。N/M個の増幅器の各々は、M個の増幅器モジュールのうち対応する１個の中にあり、それぞれ位相シフト（Δ１+/-δ）度～（ΔM +/-δ）度を有する。M遅延線の各々は、それぞれ位相シフトΔ１からΔMを有する。
本開示の多くの実施形態が記述されてきた。しかしながら、本開示の技術思想及び範囲から逸脱せずに、種々の改変がなされてもよいということを理解されたい。したがって、他の態様は特許請求の範囲の範囲内にある。

Claims (8)

  1. 電力増幅器であって：
    複数のN個の増幅器であり、Nは１より大きい整数である、N増幅器；
    M個の入力とN個の出力とを有するM:N電力スプリッタであり、MはN未満の整数であり、前記N個の出力の各々は前記N増幅器のうちの対応する１つの入力に結合されている、M:N電力スプリッタ；及び
    複数のM個の遅延線であり、各遅延線は、前記M:N電力スプリッタの前記M個の入力の対応する１つに結合される出力を有し、当該電力増幅器の共通入力に結合されている、M遅延線；
    を含む電力増幅器。
  2. 前記M:N電力スプリッタ及び前記M遅延線は、共通のプリント回路基板上に配置されている、請求項１に記載の電力増幅器。
  3. M個の出力を有する1:M電力スプリッタであり、各々が前記M遅延線の対応する１つの入力に結合されている1:M電力スプリッタを含む、請求項１に記載の電力増幅器。
  4. 前記M:N電力スプリッタ、前記M遅延線及び前記1:M電力スプリッタは、共通のプリント回路基板上に配置されている、請求項３に記載の電力増幅器。
  5. 前記N増幅器は、M個の増幅器モジュール内に配置され、前記M個の増幅器モジュールの各々は前記増幅器のN/M個を有し、前記N/M個の増幅器の各々は、前記M個の増幅器モジュールのうち対応する１個の中にあり、それぞれ、位相シフト（Δ１+/-δ）度～（ΔM +/-δ）度を有し、前記M遅延線の各々は、それぞれ、位相シフトΔ１からΔMを有する、請求項１に記載の電力増幅器。
  6. 前記N増幅器は、M個の増幅器モジュール内に配置され、前記M個の増幅器モジュールの各々は前記増幅器のN/M個を有し、前記N/M個の増幅器の各々は、前記M個の増幅器モジュールのうち対応する１個の中にあり、それぞれ位相シフト（Δ１+/-δ）度～（ΔM +/-δ）度を有し、前記M遅延線の各々は、それぞれ、位相シフトΔ１からΔMを有する、請求項２に記載の電力増幅器。
  7. 前記N増幅器は、M個の増幅器モジュール内に配置され、前記M個の増幅器モジュールの各々は前記増幅器のN/M個を有し、前記N/M個の増幅器の各々は、前記M個の増幅器モジュールのうち対応する１個の中にあり、それぞれ位相シフト（Δ１+/-δ）度～（ΔM +/-δ）度を有し、前記M遅延線の各々は、それぞれ、位相シフトΔ１からΔMを有する、請求項３に記載の電力増幅器。
  8. 前記N増幅器は、M個の増幅器モジュール内に配置され、前記M個の増幅器モジュールの各々は前記増幅器のN/M個を有し、前記N/M個の増幅器の各々は、前記M個の増幅器モジュールのうち対応する１個の中にあり、それぞれ位相シフト（Δ１+/-δ）度～（ΔM +/-δ）度を有し、前記M遅延線の各々は、それぞれ、位相シフトΔ１からΔMを有する、請求項４に記載の電力増幅器。
JP2021566484A 2019-07-01 2020-06-09 大電力無線周波数増幅器 Active JP7273190B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/458,902 2019-07-01
US16/458,902 US11146223B2 (en) 2019-07-01 2019-07-01 High power radio frequency (RF) amplifiers
PCT/US2020/036772 WO2021003004A1 (en) 2019-07-01 2020-06-09 High power radio frequency (rf) amplifiers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022532168A true JP2022532168A (ja) 2022-07-13
JP7273190B2 JP7273190B2 (ja) 2023-05-12

Family

ID=71899923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021566484A Active JP7273190B2 (ja) 2019-07-01 2020-06-09 大電力無線周波数増幅器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11146223B2 (ja)
EP (1) EP3994794A1 (ja)
JP (1) JP7273190B2 (ja)
CN (1) CN113692703A (ja)
AU (1) AU2020299532B2 (ja)
CA (1) CA3133961A1 (ja)
IL (1) IL287197B2 (ja)
WO (1) WO2021003004A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194835A (en) * 1987-12-18 1993-03-16 Thomson-Lgt Laboratoire General Des Telecommunications Energy coupling device
JPH0832358A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Nec Corp フィードフォワード増幅器
JPH1197952A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高出力電力増幅器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2625053A1 (fr) * 1987-12-18 1989-06-23 Thomson Lgt Dispositif de couplage d'energies
GB2412515B (en) * 2004-03-13 2007-08-08 Filtronic Plc A doherty amplifier
US7248109B2 (en) * 2004-07-08 2007-07-24 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for an improved power amplifier
US7382186B2 (en) * 2005-01-24 2008-06-03 Triquint Semiconductor, Inc. Amplifiers with high efficiency in multiple power modes
US8315336B2 (en) * 2007-05-18 2012-11-20 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including a switching stage embodiment
US7764120B2 (en) 2008-08-19 2010-07-27 Cree, Inc. Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels
ATE506746T1 (de) * 2008-09-09 2011-05-15 Alcatel Lucent Stromverstärkerlinearisierung unter verwendung von hochfrequenz-feedback
US9141832B2 (en) * 2010-02-03 2015-09-22 Massachusetts Institute Of Technology Multiway lossless power combining and outphasing incorporating transmission lines
US8610503B2 (en) * 2010-12-17 2013-12-17 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for oscillation suppression
FR2970817B1 (fr) 2011-01-24 2013-11-15 St Microelectronics Sa Separateur radiofrequence
US8729963B2 (en) * 2011-02-09 2014-05-20 Rf Micro Devices, Inc. Asymmetrical transformer output demultiplexing (atodem) circuit
US9203348B2 (en) 2012-01-27 2015-12-01 Freescale Semiconductor, Inc. Adjustable power splitters and corresponding methods and apparatus
US9537456B2 (en) * 2012-10-30 2017-01-03 Eta Devices, Inc. Asymmetric multilevel backoff amplifier with radio-frequency splitter
US9667198B2 (en) * 2013-03-26 2017-05-30 Nec Corporation Power amplifier
US9774301B1 (en) * 2016-05-17 2017-09-26 Nxp Usa, Inc. Multiple-path RF amplifiers with angularly offset signal path directions, and methods of manufacture thereof
CN109327191B (zh) 2017-07-31 2023-10-24 安普林荷兰有限公司 四路多尔蒂放大器及移动通信基站
US10554177B2 (en) * 2017-11-27 2020-02-04 Skyworks Solutions, Inc. Quadrature combined doherty amplifiers
US10193512B1 (en) * 2018-01-05 2019-01-29 Werlatone, Inc. Phase-shifting power divider/combiner assemblies and systems

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194835A (en) * 1987-12-18 1993-03-16 Thomson-Lgt Laboratoire General Des Telecommunications Energy coupling device
JPH0832358A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Nec Corp フィードフォワード増幅器
JPH1197952A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高出力電力増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
AU2020299532B2 (en) 2024-07-25
CA3133961A1 (en) 2021-01-07
AU2020299532A1 (en) 2021-10-07
WO2021003004A1 (en) 2021-01-07
CN113692703A (zh) 2021-11-23
US20210006213A1 (en) 2021-01-07
IL287197A (en) 2021-12-01
IL287197B2 (en) 2023-06-01
US11146223B2 (en) 2021-10-12
EP3994794A1 (en) 2022-05-11
JP7273190B2 (ja) 2023-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7324060B2 (en) Power divider having unequal power division and antenna array feed network using such unequal power dividers
US7164903B1 (en) Integrated N-way Wilkinson power divider/combiner
US20140240056A1 (en) Symmetric Baluns and Isolation Techniques
US20180131070A1 (en) Planar balun transformer device
US9564868B2 (en) Balun
JP6320167B2 (ja) ウィルキンソン型分配器及び高周波回路
JP2022532168A (ja) 大電力無線周波数増幅器
CN105072800B (zh) 一种pcb板不同层面实现微波同轴传输的pcb板结构
CN106876851A (zh) 一种射频带状传输线
US4251784A (en) Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices
CN211531426U (zh) 一种电路板
KR100852003B1 (ko) 인쇄회로기판에서의 비아홀을 이용한 접지 구조 및 상기접지 구조를 적용한 회로 소자
JP6428218B2 (ja) 電力分配器
JP2001203501A (ja) 可変型移相器
CN108767403B (zh) 一种毫米波多层功分器
Ibrahim et al. Wideband MEMS switched delay lines with high phase linearity
TW201141332A (en) Printed circuit board and layout method thereof
JP6651331B2 (ja) 周波数可変フィルタ装置および共振器
JPH04322502A (ja) 分布定数型整合回路
JP2001284539A (ja) マイクロ波集積回路装置
JP2006173927A (ja) ハイブリッド回路
JP2011003770A (ja) 抵抗終端器
JP2005236313A (ja) 高周波モジュール
JP2010200110A (ja) 方向性結合器
JP2009004832A (ja) ２位相出力電圧制御発振器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230301

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230411

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7273190

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150