JP2022520744A - テクスチャリングされたシリコン半導体処理チャンバ構成部品 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 104
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 103
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 96
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 36
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 3
- 238000009419 refurbishment Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 235000019587 texture Nutrition 0.000 description 34
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 235000019592 roughness Nutrition 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32467—Material
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
Description
本願は、2019年2月6日出願の米国仮出願第62/801,804号、2019年4月18日出願の米国仮出願第62/835,907号、および2019年8月13日出願の米国仮出願第62/866,100号に対する優先権、ならびにこれらの利益を主張し、これらの全ては、全ての目的のために参照により本明細書に援用される。
Claims (37)
- 半導体処理チャンバの構成部品であって、
前記構成部品は、シリコンを含む材料で形成され、複数のヒロック状構造を含むテクスチャ外面を備える、構成部品。 - 請求項1に記載の構成部品であって、
前記構成部品は、電極、エッジリング、およびライナの少なくとも1つである、構成部品。 - 請求項1に記載の構成部品であって、
前記材料は、単結晶シリコン、ドープシリコン、ポリシリコン、および多結晶シリコンの1つである、構成部品。 - 請求項1に記載の構成部品であって、
前記複数のヒロック状構造の平均高さは、約500ナノメータから20ミクロンの範囲である、構成部品。 - 請求項1に記載の構成部品であって、
前記テクスチャ外面は、約0.2~2ミクロンの範囲の表面粗さを有する、構成部品。 - 請求項1に記載の構成部品であって、
前記複数のヒロック状構造の平均反射率は、400~800nmの光で約5~30%の範囲である、構成部品。 - 請求項1に記載の構成部品であって、
前記複数のヒロック状構造は、逆ヒロック状構造である、構成部品。 - 半導体処理チャンバ内での使用に適した構成部品であって、
表面積を有するテクスチャ表面を含む多結晶シリコン体を備え、
前記テクスチャ表面は、複数の隆起部またはへこみ部を有する領域を含む、構成部品。 - 請求項8に記載の構成部品であって、
前記テクスチャ表面は、第1の粒表面および第2の粒表面を含む複数の粒表面を備え、前記第1の粒表面は、前記第2の粒表面のテクスチャとは異なるテクスチャを有する、構成部品。 - 請求項8に記載の構成部品であって、
前記多結晶シリコン体は、鋳造多結晶シリコン体である、構成部品。 - 請求項8に記載の構成部品であって、
前記多結晶シリコン体は、バルク多結晶シリコン体である、構成部品。 - 請求項8に記載の構成部品であって、
前記構成部品は、電極、エッジリング、およびライナの少なくとも1つである、構成部品。 - 請求項8に記載の構成部品であって、
前記複数の隆起部またはくぼみ部の平均高さは、約500ナノメータから20ミクロンの範囲である、構成部品。 - 請求項8に記載の構成部品であって、
前記複数の隆起部またはくぼみ部を有する前記領域は、前記テクスチャ表面の全表面積の少なくとも90%に形成される、構成部品。 - 半導体処理チャンバのシリコン構成部品をテクスチャリングするための方法であって、
外面を有する前記シリコン構成部品を提供する工程と、
前記外面上に複数のヒロック状構造を形成するために、前記外面をテクスチャリングする工程と、
を含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記シリコン構成部品は、選択的にテクスチャリングされる、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
テクスチャリングは、前記外面を化学的にエッチングすることにより実現される、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
化学的エッチングは、水酸化カリウムを含む溶液を用いて実施される、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
化学的エッチングは、水酸化ナトリウムを含む溶液を用いて実施される、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
化学的エッチングは、硝酸、酢酸、およびフッ化水素酸を含む酸混合物を用いて実施される、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記シリコン構成部品は、単結晶シリコン、ドープシリコン、ポリシリコン、および多結晶シリコンの1つを含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記複数のヒロック状構造は、約500ナノメータから20ミクロンの範囲の第1の平均高さを有する、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、さらに、
前記複数のヒロック状構造が浸食して第2の平均高さを有した後に前記外面を改修する工程を含み、
改修は、前記複数のヒロック状構造の1つ以上を再生して第3の平均高さを有するように前記外面を再エッチングする工程を含み、前記第2の平均高さは、前記第1の平均高さおよび前記第3の平均高さよりも低い、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、さらに、
前記外面をテクスチャリングした後に、前記外面上に酸化物層を形成する工程を含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
テクスチャリングは、ソフトマスクまたはハードマスクを用いてパターニングし、次に前記外面をエッチングすることにより実現される、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
テクスチャリングは、さらなるテクスチャを形成するためにマスクとして用いられうるテクスチャ表面を形成する、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記複数のヒロック状構造は、逆ヒロック状構造である、方法。 - 請求項27に記載の方法であって、
テクスチャリングは、前記外面を化学的にエッチングすることにより実現され、
化学的エッチングは、Cu(NO3)2/HF/H2O2/H2Oを含む溶液を用いて実施される、方法。 - 半導体処理チャンバで用いるための多結晶シリコン構成部品を製造するための方法であって、
表面を有する多結晶シリコン体を提供する工程と、
表面積を有するテクスチャ表面を形成するために前記多結晶シリコン体の前記表面をテクスチャリングする工程であって、前記テクスチャ表面は、複数の隆起部またはくぼみ部を有する領域を含み、前記複数の隆起部またはくぼみ部は、少なくとも500nmの高さを有する、工程と、
を含む、方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
テクスチャリングは、前記表面を異方的にエッチングする工程を含む、方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
前記表面の異方的エッチングは、前記表面を混酸に曝す工程を含む、方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
前記多結晶シリコン体の提供は、前記多結晶シリコン体を鋳造する工程を含む、方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
前記多結晶シリコン体の提供は、用いられた多結晶シリコン体を研磨する工程を含む、方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
テクスチャリングは、前記表面を、硝酸、フッ化水素酸、および酢酸の混合物に曝す工程を含む、方法。 - 請求項34に記載の方法であって、
前記フッ化水素酸は一定のモル濃度を有し、前記酢酸は一定のモル濃度を有し、前記酢酸の前記モル濃度は、前記フッ化水素酸の前記モル濃度の少なくとも2倍である、方法。 - 請求項34に記載の方法であって、
前記硝酸は一定のモル濃度を有し、前記酢酸は一定のモル濃度を有し、前記酢酸の前記モル濃度は、前記硝酸の前記モル濃度よりも大きい、方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
前記複数の隆起部またはくぼみ部を有する前記領域は、前記表面積の全域の少なくとも90%に形成される、方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962801804P | 2019-02-06 | 2019-02-06 | |
US62/801,804 | 2019-02-06 | ||
US201962835907P | 2019-04-18 | 2019-04-18 | |
US62/835,907 | 2019-04-18 | ||
US201962886100P | 2019-08-13 | 2019-08-13 | |
US62/886,100 | 2019-08-13 | ||
PCT/US2020/016710 WO2020163427A1 (en) | 2019-02-06 | 2020-02-05 | Textured silicon semiconductor processing chamber components |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022520744A true JP2022520744A (ja) | 2022-04-01 |
Family
ID=71947163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021545294A Pending JP2022520744A (ja) | 2019-02-06 | 2020-02-05 | テクスチャリングされたシリコン半導体処理チャンバ構成部品 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220093370A1 (ja) |
JP (1) | JP2022520744A (ja) |
KR (1) | KR20210113692A (ja) |
CN (1) | CN113661559A (ja) |
SG (1) | SG11202108622PA (ja) |
TW (1) | TW202105504A (ja) |
WO (1) | WO2020163427A1 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5054874B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2012-10-24 | ティーガル コーポレイション | リアクタ内でプラチナエッチングを行う方法 |
US7618769B2 (en) * | 2004-06-07 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Textured chamber surface |
FR2960562B1 (fr) * | 2010-05-31 | 2012-05-25 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | Monocristal texture |
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-
2020
- 2020-02-05 TW TW109103496A patent/TW202105504A/zh unknown
- 2020-02-05 JP JP2021545294A patent/JP2022520744A/ja active Pending
- 2020-02-05 US US17/426,965 patent/US20220093370A1/en active Pending
- 2020-02-05 WO PCT/US2020/016710 patent/WO2020163427A1/en active Application Filing
- 2020-02-05 KR KR1020217028256A patent/KR20210113692A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-02-05 CN CN202080013217.XA patent/CN113661559A/zh active Pending
- 2020-02-05 SG SG11202108622PA patent/SG11202108622PA/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113661559A (zh) | 2021-11-16 |
US20220093370A1 (en) | 2022-03-24 |
SG11202108622PA (en) | 2021-09-29 |
TW202105504A (zh) | 2021-02-01 |
WO2020163427A1 (en) | 2020-08-13 |
KR20210113692A (ko) | 2021-09-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A601 | Written request for extension of time |
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