JP2022506295A - Memsソレノイドインダクタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)厚さ1000μmの両面研磨シリコンウェハを採用する。全体構造の絶縁性を高め、高周波での渦電流損失を低減するために、高抵抗率のシリコンウェハを採用する。シリコンウェハに対して熱酸化を行って、両面に厚さ2μmの熱酸化層を生成する。
(2)フォトレジストを塗布し、上シリコン基板の上面に、第1の水平溝(鉛直貫通孔を覆う箇所)、接点パターンを露光し、下シリコン基板の上面に、鉛直貫通孔と第2の水平溝を露光し、上シリコン基板と下シリコン基板の下面に、それぞれ、鉄心溝パターンを露光し、第1の水平溝、第2の水平溝、及び鉛直貫通孔は、螺旋孔路を構成する。
(3)BOE(Buffered Oxide Etch、緩衝酸化物エッチング)溶液を用いて露出部位のシリカを除去し、シリカをパターン化する。
(4)第2回目のフォトレジストの塗布を行い、上シリコン基板と下シリコン基板の上面と下面に鉛直貫通孔パターンを露光する。
(5)上面と下面をディープシリコンエッチングし、一定の深さまでシリコン貫通孔パターンをエッチングする。
(6)piranha溶液を用いてフォトレジストを除去する。
(7)酸化層をマスキング層として上面のエッチングを行い、鉛直貫通孔と上面の水平溝をエッチングする。酸化層をマスキング層として下面のエッチングを行い、鉄心のパターンをエッチングする。
(8)熱酸化を行って、厚さ2μmの酸化層を形成する。
(9)鉄心溝パターン付きのメタルマスクを取り、その鉄心溝パターンを1、2号のシリコンウェハの下面における鉄心溝パターンと位置合わせして、シリコンウェハの下面に密着させる。
(10)下面に、シード層として、100nmの金属ニッケルをマグネトロンスパッタリングする。
(11)鉄ニッケル合金を底部から、シリコンウェハ表面からの100umまで充填するように、鉄ニッケル合金をメッキする。
(12)上シリコン基板と下シリコン基板の下面を対向させて、低温でシリコン直接ボンディングを行う。
(13)ボンディングされた2層のシリコンウェハの下面に、中間層として、100nmの金属チタンをマグネトロンスパッタリングしてから、シード層として、500nmの金属銅をスパッタリングする。
(14)メッキ銅を底部から頂部の水平導線の下平面の位置まで充填するように、金属銅をメッキする。
(15)上面に、500nmの金属銅をマグネトロンスパッタリングする。
(16)上面のすべての構造がメッキ銅で完全に覆われるように、金属銅をメッキする。
(17)金属銅がシリコンウェハの熱酸化層の表面と同じ高さに達するまで、CMP(化学機械研磨機)を用いて上面と下面の金属銅の薄化を行い、その後、表面をCMPで研磨して、MEMSマイクロインダクタの製造を完了する。
(1)厚さ1000μmの両面研磨シリコンウェハを採用する。全体構造の絶縁性を高め、高周波での渦電流損失を低減するために、高抵抗率のシリコンウェハを採用する。シリコンウェハに対して熱酸化を行って、両面に厚さ2μmの熱酸化層を生成する。
(2)フォトレジストを塗布し、上シリコン基板の上面に、第1の水平溝(鉛直貫通孔を覆う箇所)、接点パターンを露光し、下シリコン基板の上面に、鉛直貫通孔と第2の水平溝を露光し、上シリコン基板と下シリコン基板の下面に、それぞれ、鉄心溝パターンを露光し、第1の水平溝、第2の水平溝、及び鉛直貫通孔は、螺旋孔路を構成する。
(3)BOE(Buffered Oxide Etch、緩衝酸化物エッチング)溶液を用いて露出部位のシリカを除去し、シリカをパターン化する。
(4)第2回目のフォトレジストの塗布を行い、上シリコン基板と下シリコン基板の上面と下面に鉛直貫通孔パターンを露光する。
(5)上面と下面をディープシリコンエッチングし、シリコン貫通孔パターンをエッチングする。
(6)piranha溶液を用いてフォトレジストを除去する。
(7)酸化層をマスキング層として上面のエッチングを行い、鉛直貫通孔と上面の水平溝をエッチングする。酸化層をマスキング層として下面のエッチングを行い、鉄心のパターンをエッチングする。
(8)熱酸化を行って、厚さ2μmの酸化層を形成する。
(9)鉄心溝パターン付きのメタルマスクを取り、その鉄心溝パターンを1、2号のシリコンウェハの下面における鉄心溝パターンと位置合わせして、シリコンウェハの下面に密着させる。
(10)下面に、シード層として、100nmの金属ニッケルをマグネトロンスパッタリングする。
(11)鉄ニッケル合金を底部から、シリコンウェハ表面からの100umまで充填するように、鉄ニッケル合金をメッキする。
(12)上シリコン基板と下シリコン基板の下面を対向させて、低温でシリコン直接ボンディングを行う。
(13)下面に、中間層として、100nmの金属チタンをマグネトロンスパッタリングしてから、シード層として、500nmの金属銅をスパッタリングする。
(14)メッキ銅を底部から頂部の水平導線の下平面の位置まで充填するように、金属銅をメッキする。
(15)上面に、500nmの金属銅をマグネトロンスパッタリングする。
(16)上面のすべての構造がメッキ銅で完全に覆われるように、金属銅をメッキする。
(17)金属銅がシリコンウェハの熱酸化層の表面と同じ高さに達するまで、CMP(化学機械研磨機)を用いて上面と下面の金属銅の薄化を行い、その後、表面をCMPで研磨して、MEMSマイクロインダクタの製造を完了する。
2 環状軟磁性鉄心
2’ 直線状軟磁性鉄心
3 ソレノイド
4 4 ピン
4’ ピン溝
11 上シリコン基板
12 下シリコン基板
21 上鉄心
22 下鉄心
31’ 第1の水平溝
32’ 第2の水平溝
33’ 鉛直貫通孔
(1)厚さ1000μmの両面研磨シリコンウェハを採用する。全体構造の絶縁性を高め、高周波での渦電流損失を低減するために、高抵抗率のシリコンウェハを採用する。シリコンウェハに対して熱酸化を行って、両面に厚さ2μmの熱酸化層を生成する。
(2)フォトレジストを塗布し、上シリコン基板の上面に、第1の水平溝(鉛直貫通孔を覆う箇所)、接点パターンを露光し、下シリコン基板の上面に、鉛直貫通孔と第2の水平溝を露光し、上シリコン基板と下シリコン基板の下面に、それぞれ、鉄心溝パターンを露光し、第1の水平溝、第2の水平溝、及び鉛直貫通孔は、螺旋孔路を構成する。
(3)BOE(Buffered Oxide Etch、緩衝酸化物エッチング)溶液を用いて露出部位のシリカを除去し、シリカをパターン化する。
(4)第2回目のフォトレジストの塗布を行い、上シリコン基板と下シリコン基板の上面と下面に鉛直貫通孔パターンを露光する。
(5)上面と下面をディープシリコンエッチングし、一定の深さまでシリコン貫通孔パターンをエッチングする。
(6)piranha溶液を用いてフォトレジストを除去する。
(7)酸化層をマスキング層として上面のエッチングを行い、鉛直貫通孔と上面の水平溝をエッチングする。酸化層をマスキング層として下面のエッチングを行い、鉄心のパターンをエッチングする。
(8)熱酸化を行って、厚さ2μmの酸化層を形成する。
(9)鉄心溝パターン付きのメタルマスクを取り、その鉄心溝パターンを1、2号のシリコンウェハの下面における鉄心溝パターンと位置合わせして、シリコンウェハの下面に密着させる。
(10)下面に、シード層として、100nmの金属ニッケルをマグネトロンスパッタリングする。
(11)鉄ニッケル合金を底部から、シリコンウェハ表面からの100umまで充填するように、鉄ニッケル合金をメッキする。
(12)上シリコン基板と下シリコン基板の下面を対向させて、低温でシリコン直接ボンディングを行う。
(13)ボンディングされた2層のシリコンウェハの下面に、中間層として、100nmの金属チタンをマグネトロンスパッタリングしてから、シード層として、500nmの金属銅をスパッタリングする。
(14)メッキ銅を底部から頂部の水平導線の下平面の位置まで充填するように、金属銅をメッキする。
(15)上面に、500nmの金属銅をマグネトロンスパッタリングする。
(16)上面のすべての構造がメッキ銅で完全に覆われるように、金属銅をメッキする。
(17)金属銅がシリコンウェハの熱酸化層の表面と同じ高さに達するまで、CMP(化学機械研磨機)を用いて上面と下面の金属銅の薄化を行い、その後、表面をCMPで研磨して、MEMSマイクロインダクタの製造を完了する。
2 環状軟磁性鉄心
2’ 直線状軟磁性鉄心
3 ソレノイド
4 4 ピン
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11 上シリコン基板
12 下シリコン基板
21 上鉄心
22 下鉄心
31’ 第1の水平溝
32’ 第2の水平溝
33’ 鉛直貫通孔
Claims (20)
- シリコン基板と、環状軟磁性鉄心と、ソレノイドとを備え、
前記環状軟磁性鉄心は、前記シリコン基板の内部に包まれ、前記シリコン基板には、螺旋孔路が設けられ、かつ前記環状軟磁性鉄心は前記螺旋孔路の中心を通過し、前記ソレノイドは、前記螺旋孔路の内に設けられていることを特徴とする、MEMS環状ソレノイドインダクタ。 - 前記シリコン基板は上シリコン基板と下シリコン基板に分けられており、前記環状軟磁性鉄心は上鉄心と下鉄心に分けられ、かつ前記上鉄心と前記下鉄心の形状は同じであり、
前記上シリコン基板の下面には、前記上鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記下シリコン基板の上面には、前記下鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記上鉄心と前記下鉄心はそれぞれ、対応する鉄心溝に設けられ、かつ前記上シリコン基板の下面と前記下シリコン基板の上面とが互いにボンディングされており、前記上鉄心の下面と前記下鉄心の上面とが互いに位置合わせされていることを特徴とする、請求項1に記載のMEMS環状ソレノイドインダクタ。 - 前記螺旋孔路は、複数本の第1の水平溝、複数本の第2の水平溝、及び複数の鉛直貫通孔を有しており、
前記第1の水平溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記第2の水平溝は前記シリコン基板の下面に設けられ、前記鉛直貫通孔は前記シリコン基板の上面及び下面を貫通しており、
前記螺旋孔路におけるいずれか1つの前記第1の水平溝の頭と尾は、それぞれ2つの鉛直貫通孔に連通し、かつ前記2つの鉛直貫通孔は、それぞれ2つの隣接する第2の水平溝に連通することを特徴とする、請求項1に記載のMEMS環状ソレノイドインダクタ。 - 2つのピンと2つのピン溝をさらに備え、
前記2つのピン溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記2つのピン溝はそれぞれ前記螺旋孔路の頭と尾に連通し、前記2つのピンはそれぞれ前記2つのピン溝に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載のMEMS環状ソレノイドインダクタ。 - 前記環状軟磁性鉄心は、鉄ニッケル合金材料または鉄コバルト合金材料で作製されていることを特徴とする、請求項1に記載のMEMS環状ソレノイドインダクタ。
- 前記ソレノイドは、金属銅で作製されていることを特徴とする、請求項1に記載のMEMS環状ソレノイドインダクタ。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のMEMS環状ソレノイドインダクタの製造方法であって、
上シリコン基板と下シリコン基板をそれぞれ作製するステップ1であって、前記上シリコン基板を作製することは、
第1のプリセット厚さの第1のシリコンウェハに対して第1回目の熱酸化を行うことと、
螺旋孔路の構造に応じて、第1回目酸化された前記第1のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、複数本の第1の水平溝、複数の鉛直貫通孔の上半分、及び鉄心溝をディープシリコンエッチングすることと、
ディープシリコンエッチングにより得られた前記第1のシリコンウェハに対して第2回目の熱酸化を行って、前記上シリコン基板を得ることと、を含み、
前記下シリコン基板を作製することは、
第1のプリセット厚さの第2のシリコンウェハに対して第1回目の熱酸化を行うことと、
螺旋孔路の構造に応じて、第1回目酸化された前記第2のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、鉄心溝、複数の鉛直貫通孔の下半分、及び複数本の第2の水平溝をディープシリコンエッチングすることと、
前記第2のシリコンウェハに対して第2回目の熱酸化を行って、前記下シリコン基板を得ることと、を含むステップ1と、
前記上シリコン基板と前記下シリコン基板のそれぞれの鉄心溝内に、上鉄心と下鉄心をめっき形成するステップ2と、
前記上シリコン基板の上面と前記下シリコン基板の下面を互いに位置合わせし、かつ前記上鉄心の下面と前記下鉄心の上面を互いに位置合わせさせた後、前記上シリコン基板と前記下シリコン基板を低温でボンディングし、ボンディングされた前記上シリコン基板と前記下シリコン基板に前記螺旋孔路を形成するステップ3と、
前記螺旋孔路の内にソレノイドをめっき形成して、MEMS環状ソレノイドインダクタを得るステップ4と、を含むことを特徴とする、MEMS環状ソレノイドインダクタの製造方法。 - 前記上シリコン基板の鉄心溝内に上鉄心をめっき形成することは、具体的に、
鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記上シリコン基板の下面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記上シリコン基板の下面に密着させることと、
前記上シリコン基板の下面に、シード層として、第2のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記上シリコン基板の鉄心溝内に、第3のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、上鉄心を得ることと、を含み、
それに対応して、前記下シリコン基板の鉄心溝内に下鉄心をめっき形成することは、具体的に、
鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記下シリコン基板の上面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記下シリコン基板の上面に密着させることと、
前記下シリコン基板の上面に、シード層として、第2のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記下シリコン基板の鉄心溝内に第3のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、下鉄心を得ることと、を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。 - 前記螺旋孔路の内にソレノイドをめっき形成することは、具体的に、
前記下シリコン基板の下面に、中間層として、第4のプリセット厚さの金属チタンをマグネトロンスパッタリングし、前記中間層に、シード層として、第5のプリセット厚さの金属銅をマグネトロンスパッタリングし、さらに前記螺旋孔路の第2の溝と鉛直貫通孔の内に、金属銅が第1の溝の下平面の位置に充填されるまで金属銅をめっきすることと、
前記上シリコン基板の上面に、シード層として金属銅をマグネトロンスパッタリングした後、前記螺旋孔路が完全に金属銅で充填されて満たされるまで金属銅をめっきして、前記ソレノイドを得ることと、を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。 - 前記上シリコン基板を作製することは、
2つのピンの構造と位置に応じて、第1回目酸化された前記第1のシリコンウェハの上面に2つのピン溝をディープシリコンエッチングすることをさらに含み、
それに対応して、ステップS4では、前記2つのピン溝に前記2つのピンをめっき形成することをさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。 - シリコン基板と、直線状軟磁性鉄心と、ソレノイドとを備え、
前記直線状軟磁性鉄心は、前記シリコン基板の内部に包まれ、前記シリコン基板には、螺旋孔路が設けられ、かつ前記直線状軟磁性鉄心は前記螺旋孔路の中心を通過し、前記ソレノイドは、前記螺旋孔路の内に設けられていることを特徴とする、MEMS直線状ソレノイドインダクタ。 - 前記シリコン基板は上シリコン基板と下シリコン基板に分けられており、前記直線状軟磁性鉄心は上鉄心と下鉄心に分けられ、かつ前記上鉄心と前記下鉄心の形状は同じであり、
前記上シリコン基板の下面には、前記上鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記下シリコン基板の上面には、前記下鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記上鉄心と前記下鉄心はそれぞれ、対応する鉄心溝に設けられ、かつ前記上シリコン基板の下面と前記下シリコン基板の上面とが互いにボンディングされており、前記上鉄心の下面と前記下鉄心の上面とが互いに位置合わせされていることを特徴とする、請求項11に記載のMEMS直線状ソレノイドインダクタ。 - 前記螺旋孔路は、複数本の第1の水平溝、複数本の第2の水平溝、及び複数の鉛直貫通孔を有しており、
前記第1の水平溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記第2の水平溝は前記シリコン基板の下面に設けられ、前記鉛直貫通孔は前記シリコン基板の上面及び下面を貫通しており、
前記螺旋孔路におけるいずれか1つの前記第1の水平溝の頭と尾は、それぞれ2つの鉛直貫通孔に連通し、かつ前記2つの鉛直貫通孔は、それぞれ2つの隣接する第2の水平溝に連通することを特徴とする、請求項11に記載のMEMS直線状ソレノイドインダクタ。 - 2つのピンと2つのピン溝をさらに備え、
前記2つのピン溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記2つのピン溝はそれぞれ前記螺旋孔路の頭と尾に連通し、前記2つのピンはそれぞれ前記2つのピン溝に設けられていることを特徴とする、請求項11に記載のMEMS直線状ソレノイドインダクタ。 - 前記直線状軟磁性鉄心は、鉄ニッケル合金材料または鉄コバルト合金材料で作製されていることを特徴とする、請求項11に記載のMEMS直線状ソレノイドインダクタ。
- 前記ソレノイドは、金属銅で作製されていることを特徴とする、請求項11に記載のMEMS直線状ソレノイドインダクタ。
- 請求項11乃至16のいずれか1項に記載のMEMS直線状ソレノイドインダクタの製造方法であって、
上シリコン基板と下シリコン基板をそれぞれ作製するステップ1であって、前記上シリコン基板を作製することは、
第1のプリセット厚さの第1のシリコンウェハに対して第1回目の熱酸化を行うことと、
螺旋孔路の構造に応じて、第1回目酸化された前記第1のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、複数本の平行な第1の水平溝、複数の鉛直貫通孔の上半分、及び鉄心溝をディープシリコンエッチングすることと、
ディープシリコンエッチングにより得られた前記第1のシリコンウェハに対して第2回目の熱酸化を行って、前記上シリコン基板を得ることと、を含み、
前記下シリコン基板を作製することは、
第1のプリセット厚さの第2のシリコンウェハに対して第1回目の熱酸化を行うことと、
螺旋孔路の構造に応じて、第1回目酸化された前記第2のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、鉄心溝、複数の鉛直貫通孔の下半分、及び複数本の平行な第2の水平溝をディープシリコンエッチングすることと、
前記第2のシリコンウェハに対して第2回目の熱酸化を行って、前記下シリコン基板を得ることと、を含むステップ1と、
前記上シリコン基板と前記下シリコン基板のそれぞれの鉄心溝内に、上鉄心と下鉄心をめっき形成するステップ2と、
前記上シリコン基板の上面と前記下シリコン基板の下面を互いに位置合わせさせ、前記上シリコン基板と前記下シリコン基板を低温でボンディングし、ボンディングされた前記上シリコン基板と前記下シリコン基板に前記螺旋孔路を形成するステップ3と、
前記螺旋孔路の内にソレノイドをめっき形成して、MEMS直線状ソレノイドインダクタを得るステップ4と、を含むことを特徴とする、MEMS直線状ソレノイドインダクタの製造方法。 - 前記上シリコン基板の鉄心溝内に上鉄心をめっき形成することは、具体的に、
鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記上シリコン基板の下面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記上シリコン基板の下面に密着させることと、
前記上シリコン基板の下面に、シード層として、第2のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記上シリコン基板の鉄心溝内に、第3のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、上鉄心を得ることと、を含み、
それに対応して、前記下シリコン基板の鉄心溝内に下鉄心をめっき形成することは、具体的に、
鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記下シリコン基板の上面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記下シリコン基板の上面に密着させることと、
前記下シリコン基板の上面に、シード層として、第2のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記下シリコン基板の鉄心溝内に第3のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、下鉄心を得ることと、を含むことを特徴とする、請求項17に記載の方法。 - 前記螺旋孔路の内にソレノイドをめっき形成することは、具体的に、
前記下シリコン基板の下面に、中間層として、第4のプリセット厚さの金属チタンをマグネトロンスパッタリングし、前記中間層に、シード層として、第5のプリセット厚さの金属銅をマグネトロンスパッタリングし、さらに前記螺旋孔路の第2の溝と鉛直貫通孔の内に、金属銅が第1の溝の下平面の位置に充填されるまで金属銅をめっきすることと、
前記上シリコン基板の上面に、シード層として、金属銅をマグネトロンスパッタリングした後、前記螺旋孔路が完全に金属銅で充填されて満たされるまで金属銅をめっきして、前記ソレノイドを得ることと、を含むことを特徴とする、請求項17に記載の方法。 - 前記上シリコン基板を作製することは、
2つのピンの構造と位置に応じて、第1回目酸化された前記第1のシリコンウェハの上面に2つのピン溝をディープシリコンエッチングすることをさらに含み、
それに対応して、ステップS4では、前記2つのピン溝に前記2つのピンをめっき形成することをさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の方法。
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