JP2022186902A - 半導体回路及び距離計測装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は第1の実施形態による半導体装置1の概略構成を示すブロック図である。図1の半導体装置1は、同一の半導体基板上に実装される回路構成を示している。図1の半導体装置1は、発振器2と、周期数計測器3と、第1演算器4と、第2演算器5とを備えている。本明細書では、第1演算器4と第2演算器5を総称して演算器10と呼ぶ。
第2の実施形態は、第1の実施形態による半導体装置1の構成をより具体化したものである。
f(t)=at2+bt+c …(1)
小数時間=f-1(DPT) …(2)
図12は第3の実施形態による半導体装置1を内蔵する距離計測装置20の概略構成を示すブロック図である。図12の距離計測装置20は、制御部21と、光源22と、光検出器23と、アナログフロントエンド(以下、AFE:Analog Front End)部24と、算出器25とを備えている。
図13は第4の実施形態による半導体装置1の概略構成を示すブロック図である。図13の半導体装置1は、図7の半導体装置1の構成に加えて、比較器6を備えている。比較器6は、第1入力信号に基づいて第2入力信号を生成する。より具体的には、比較器6は、第1入力信号の物理量を所定の基準量と比較することにより、第2入力信号を生成する。物理量が信号レベルの場合、比較器6は、第1入力信号の信号レベルが所定の基準レベルを超えた場合に、第2入力信号を遷移させてもよい。このように、比較器6は、トリガ信号である第2入力信号を生成するトリガ生成部として機能する。
VCO2の発振信号は、第1入力信号に応じて周波数変調されている。よって、図14に示すように、1つのクロック周期内でも、発振信号の発振周波数が大きく変化することがありうる。特に、第1入力信号に含まれる反射光成分に対応する信号領域は、短い時間幅で信号振幅が急激に大きくなることがある。このような場合、VCO2の発振信号の発振周波数が急激に大きくなって、その後すぐに発振周波数が急激に小さくなり、発振周波数が不安定になる。
図18は第6の実施形態による半導体装置1の概略構成を示すブロック図である。図18の半導体装置1は、図7の半導体装置1の構成に加えて、DA変換器(DAC:Digital Analog Converter)27と、差分器28と、ループフィルタ29とを備えている。DAC27は、第1位相サンプラ11から出力された第1位相デジタル信号DPAを位相アナログ信号に変換する。差分器28は、第1入力信号とDAC27の出力信号と第1入力信号との差信号を出力する。ループフィルタ29は、この差信号を積分した信号を、第1入力信号の代わりにVCO2に入力する。ループフィルタ29は積分器として機能する。
Claims (12)
- 第1入力信号に応じて周波数が変調された発振信号を出力する発振器と、
前記発振信号の周期数を計測する周期数計測器と、
クロック信号の第1クロック周期に、前記周期数計測器で計測された第1周期数に基づいて、前記第1入力信号をデジタル変換した第1デジタル信号を出力する第1回路と、
前記クロック信号の基準時点から第2入力信号が遷移するタイミングまでの期間に、前記周期数計測器で計測された第2周期数に基づいて、第2デジタル信号を出力する第2回路と、
前記第1デジタル信号、前記第2デジタル信号、及び前記第1入力信号の入力開始タイミングから前記第2入力信号の入力タイミングまでの期間の前記クロック信号のクロック周期数に基づいて、光信号を出射してから前記光信号が物体で反射された反射光信号が受光されるまでの時間を計測し、前記時間に基づいて前記物体までの距離を算出する算出器と、を備える、半導体回路。 - 前記第1入力信号の物理量を基準値と比較することにより、前記第2入力信号を生成する比較器を備える、請求項1に記載の半導体回路。
- 第1入力信号に応じて周波数が変調された発振信号を出力する発振器と、
クロック信号のクロック周期に前記発振信号の位相をサンプリングした第1位相デジタル信号を出力する第1位相サンプラと、
第2入力信号が遷移したタイミングで前記発振信号の位相をサンプリングした第2位相デジタル信号を出力する第2位相サンプラと、
前記第2入力信号が遷移したタイミングで前記クロック信号の位相をサンプリングした第3位相デジタル信号を出力する第3位相サンプラと、
前記第1位相デジタル信号に基づいて、前記第1入力信号をデジタル変換した第1デジタル信号を生成する第1回路と、
前記第1、第2及び第3位相デジタル信号に基づいて、前記第2入力信号が遷移するタイミングまでの期間に応じた第2デジタル信号を生成する第2回路と、
前記第1位相デジタル信号、前記第2位相デジタル信号、及び前記第1入力信号の入力開始タイミングから前記第2入力信号の入力タイミングまでの期間の前記クロック信号のクロック周期数に基づいて、光信号を出射してから前記光信号が物体で反射された反射光信号が受光されるまでの時間を計測し、前記時間に基づいて前記物体までの距離を算出する算出器と、を備える、半導体回路。 - 前記第1回路は、前記第1位相デジタル信号を時間微分することにより、前記第1デジタル信号を生成し、
前記第2回路は、前記第2位相デジタル信号に近接した2以上の前記第1位相デジタル信号を内挿する処理と前記第3位相デジタル信号とに基づいて、前記第2デジタル信号を生成する、請求項3に記載の半導体回路。 - 前記第2回路は、前記2以上の前記第1位相デジタル信号の多項式補間により前記第2位相デジタル信号に対応する小数時間を求めるとともに、前記第3位相デジタル信号に基づいて整数時間を求め、前記小数時間及び前記整数時間に基づいて前記第2デジタル信号を生成する、請求項4に記載の半導体回路。
- 前記第2入力信号を遅延させる遅延器を備え、
前記第2位相サンプラは、前記遅延器で遅延された第2入力信号が遷移したタイミングで前記第2位相デジタル信号を出力し、
前記第3位相サンプラは、前記遅延された第2入力信号が遷移したタイミングで前記第3位相デジタル信号を出力する、請求項3乃至5のいずれか一項に記載の半導体回路。 - 前記第1入力信号を遅延させる遅延器を備え、
前記発振器は、前記遅延器で遅延された第1入力信号の信号レベルに応じて周波数が変調された前記発振信号を出力する、請求項3乃至5のいずれか一項に記載の半導体回路。 - 前記第1入力信号の物理量を基準値と比較することにより、前記第2入力信号を生成する比較部を備える、請求項3乃至7のいずれか一項に記載の半導体回路。
- 前記物理量は、前記第1入力信号の電力、包絡線形状、周波数、積分値、又はパルス幅である、請求項8に記載の半導体回路。
- 前記第1位相デジタル信号を位相アナログ信号に変換するDA変換器と、
前記第1入力信号と前記位相アナログ信号との差信号を積分した信号を前記第1入力信号の代わりに前記発振器に入力するループフィルタと、を備える請求項3乃至9のいずれか一項に記載の半導体回路。 - 前記算出器は、前記第1入力信号の入力開始タイミングから前記第2入力信号の入力タイミングまでの期間の前記クロック信号のクロック周期数と、前記第2デジタル信号を前記第1デジタル信号で割った値とを加算した値に基づいて、前記距離を算出する、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体回路。
- 開始信号のタイミングに合わせて第1光信号を出射する光源と、
前記第1光信号が物体で反射された反射光信号を含む第2光信号を受光して、電気信号である前記第1入力信号に変換する光検出器と、
請求項1乃至11のいずれか一項に記載の半導体回路を有し、前記第1入力信号に基づいて、前記反射光信号の受光タイミングを表す前記第1デジタル信号及び前記第2デジタル信号を出力するフロントエンド部と、
前記第1デジタル信号及び前記第2デジタル信号に基づいて、前記開始信号のタイミングから前記第2入力信号が入力されるまでの時間を計測し、計測された時間に基づいて、前記物体までの距離を計測する距離演算部と、を備える、距離計測装置。
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