JP2022183841A - 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法、プリント配線板および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 チップ部品の配置が高精度に制御された半導体モジュールを提供する。【解決手段】 第１ランド及び第２ランドを有する半導体装置と、絶縁基板の主面に配置された複数の開口と複数の誘導部を有するソルダーレジストと、複数の開口により露出された第３ランド及び第４ランドとを有するプリント配線板と、長手方向に間隔を空けて配置された第１電極及び第２電極を有しプリント配線板と半導体装置との間に配置されたチップ部品と、第１はんだと、第２はんだと、を有する半導体モジュール。第３ランドからチップ部品の長手方向と交差する第１方向に延在する第１導体パターンと、第４ランドからチップ部品の長手方向と交差する第２方向に延在する第２導体パターンの各々が誘導部に覆われ、チップ部品を第１はんだ及び第２はんだへ誘導する部品誘導路を形成している。【選択図】 図３

Description

本開示は、半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法、プリント配線板および電子機器に関する。

モバイル機器などの電子機器は、メモリなどの別の半導体装置と通信する半導体装置と、半導体装置が実装されたプリント配線板と、を含む半導体モジュールを備えている。電子機器においては、半導体装置の通信の高速化、及び低電圧化が進んでおり、半導体装置にて生じるノイズを低減することが求められている。

ノイズを低減する手段の１つとして、半導体装置の電源端子とグラウンド端子との間に、バイパスコンデンサを接続することが知られている。特許文献１には、半導体装置であるＢＧＡ対応の集積回路と配線基板の間にチップ部品であるバイパスコンデンサをはんだで実装する技術が開示されている。

国際公開２００５／０２４９４５号

しかしながら従来技術では、チップ部品の配置を高精度に制御することが困難であった。

上記課題を解決するための第１の態様は、第１ランド及び第２ランドを有する半導体装置と、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置された複数の開口及び複数の誘導部を有するソルダーレジストと、前記絶縁基板の主面に配置された前記開口により露出された第３ランド及び第４ランドと、を有するプリント配線板と、長手方向に間隔を空けて配置された第１電極及び第２電極を有し、前記プリント配線板及び前記半導体装置の間に配置されたチップ部品と、前記第１ランドと、前記第３ランド及び前記第１電極と、を接合する第１はんだと、前記第２ランドと、前記第４ランド及び前記第２電極と、を接合する第２はんだと、前記絶縁基板の主面に配置された、前記第３ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第１方向に延在する第１導体パターンと、前記絶縁基板の主面に配置された、前記第４ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第２方向に延在する第２導体パターンと、を有し、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの各々が前記ソルダーレジストの前記誘導部に覆われ、前記チップ部品を前記第１はんだ及び前記第２はんだへ誘導する部品誘導路を形成していることを特徴とする半導体モジュール。

上記課題を解決するための第２の態様は、半導体装置と、プリント配線板及びチップ部品と、はんだで接合して半導体モジュールを製造する方法であって、前記半導体装置は、第１ランドと前記第１ランドに接続された第１はんだボールと、第２ランドと前記第２ランドに接続された第２はんだボールと、を有し、前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に、複数の開口及び複数の誘導部を有するソルダーレジストと、前記開口により露出された第３ランド及び第４ランドと、前記第３ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第１方向に延在する前記誘導部に覆われた第１導体パターンと、前記第４ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第２方向に延在する前記誘導部に覆われた第２導体パターンと、が配置され、前記チップ部品は、長手方向に間隔を空けて配置された第１電極及び第２電極を有し、前記半導体装置と、前記プリント配線板及び前記チップ部品と、を用意する工程と、前記誘導部と、前記第３ランド及び前記第４ランドの各々にはんだペーストを設ける工程と、前記誘導部に設けられたはんだペーストと、前記第１の電極及び前記第２の電極と、が接するように前記チップ部品を載置する工程と、前記第３ランドに設けられたはんだペーストと前記第１はんだボール、前記第４ランドに設けられたはんだペーストと前記第２はんだボール、が各々接するように前記半導体装置を載置する工程と、前記はんだペーストと、前記第１はんだボール及び前記第２はんだボールと、を加熱溶融し、溶融した前記第１はんだボール及び前記第２はんだボールまで前記チップ部品を移動させる工程と、前記溶融した第１はんだボール及び前記第２はんだボールを冷却固化し、前記第１ランドと前記第３ランド及び前記第１電極とを接合する第１はんだと、前記第２ランドと前記第４ランド及び前記第２電極とを接合する第２はんだと、を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体モジュールの製造方法である。

上記課題を解決するための第３の態様は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置された複数の開口及び複数の誘導部を有するソルダーレジストと、前記絶縁基板の主面に配置された前記開口により露出された第３ランド及び第４ランドと、を有するプリント配線板であって、前記絶縁基板の主面に配置された、前記第３ランドから前記第４ランドに接触しないように第１方向に延在する第１導体パターンと、前記絶縁基板の主面に配置された、前記第４ランドから前記第３ランドに接触しないように第２方向に延在する第２導体パターンと、を有し、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの各々が前記ソルダーレジストの前記誘導部に覆われ、前記チップ部品を前記第３ランド及び前記第４ランドへ誘導する部品誘導路を形成していることを特徴とするプリント配線板である。

本開示によれば、チップ部品の配置が高精度に制御された半導体モジュールを提供することができる。また、チップ部品の配置を高精度に制御可能な半導体モジュール制御方法を提供することができる。また、チップ部品の配置を高精度に制御するために用いるプリント配線板を提供することができる。

第１実施形態に係る電子機器の一例としての撮像装置の説明図である。 （ａ）は、第１実施形態に係る処理モジュールの斜視図である。（ｂ）は図２（ａ）に示した処理モジュールのＡ－Ａ断面模式図である。 （ａ）は、第１実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大してＹ方向から視た断面模式図である。（ｂ）は、図３（ａ）のＢ１－Ｂ１断面模式図である。（ｃ）は、図３（ａ）のＣ１－Ｃ１断面模式図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの分解斜視図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 （ａ）は、第２実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大してＹ方向から視た断面模式図である。（ｂ）は、図７（ａ）のＢ２－Ｂ２断面模式図である。（ｃ）は、図７（ａ）のＣ２－Ｃ２断面模式図である。 第２実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 第２実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 実施例３の処理モジュールの製造工程の一部を示す説明図である。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る電子機器の一例としての撮像装置であるデジタルカメラ６００の説明図である。撮像装置であるデジタルカメラ６００は、レンズ交換式のデジタルカメラであり、カメラ本体６０１を備える。カメラ本体６０１には、レンズを含むレンズユニット（レンズ鏡筒）６０２が着脱可能となっている。カメラ本体６０１は、筐体６１１と、筐体６１１の内部に配置された、プリント回路板である処理モジュール３００及びセンサモジュール９００と、を備えている。処理モジュール３００は、半導体モジュールの一例である。処理モジュール３００とセンサモジュール９００とはケーブル９５０で電気的に接続されている。

センサモジュール９００は、撮像素子であるイメージセンサ７００と、プリント配線板８００と、を有する。イメージセンサ７００は、プリント配線板８００に実装されている。イメージセンサ７００は、例えばＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ又はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサである。イメージセンサ７００は、レンズユニット６０２を介して入射した光を電気信号に変換する機能を有する。

処理モジュール３００は、半導体装置１００と、第１プリント配線板であるプリント配線板２００と、を有する。半導体装置１００は、プリント配線板２００に実装されている。プリント配線板２００は、リジッド基板である。半導体装置１００は、例えばデジタルシグナルプロセッサであり、イメージセンサ７００から電気信号を取得し、取得した電気信号を補正する処理を行い、画像データを生成する機能を有する。

以下、図２乃至図４を参照しながら処理モジュール３００を説明する。

半導体装置１００は、エリアアレイの半導体パッケージであり、第１実施形態では、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の半導体パッケージである。半導体装置１００は、半導体素子と、第２プリント配線板であるパッケージ基板１０２と、を有する。パッケージ基板１０２は、リジッド基板である。

半導体素子１０１は、パッケージ基板１０２に実装されている。パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０を有する。絶縁基板１２０は、主面１２１と、主面１２１とは反対側の主面１２２と、を有する。絶縁基板１２０の材質は、例えばアルミナ等のセラミックである。半導体素子１０１は、例えば半導体チップであり、フェイスアップ又はフェイスダウン、第１実施形態ではフェイスダウンで絶縁基板１２０の主面１２１に実装されている。

半導体素子１０１は、複数の電源端子、複数のグラウンド端子、複数の信号端子を有しており、各端子が不図示のワイヤーボンディングまたはフリップチップボンディングでパッケージ基板１０２に接合されている。図２（ｂ）、図３（ａ）及び（ｂ）には、複数の電源端子のうちの１つである電源端子１１１Ｅと、複数のグラウンド端子のうちの１つであるグラウンド端子１１１Ｇが図示されている。即ち、半導体素子１０１は、電源端子１１１Ｅと、グラウンド端子１１１Ｇとを有する。

絶縁基板１２０の主面１２１には、半導体素子１０１を封止する封止樹脂１０６が設けられている。パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０の主面１２２に配置された複数のランド１３０を有する。

複数のランド１３０は、各々のランドの最小の間隔が０．７ｍｍ以下のピッチで配列されている。高密度にランドを配置するという観点では、各々のランドの最小の間隔が０．４ｍｍ以下のピッチであることが好ましい。ただし、配列パターンは、格子状、即ちマトリックス状であってもよいし、千鳥状であってもよい。ランド１３０は、導電性を有する金属材料、例えば銅又は金で形成された端子であり、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。複数のランド１３０には、電源端子となるランド１３０Ｅと、グラウンド端子となるランド１３０Ｇと、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ以外のランド１３０Ｓが含まれている。ランド１３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子となるランドである。ランド１３０Ｅが第１ランドであり、ランド１３０Ｇが第２ランドであり、ランド１３０Ｓは複数の第６ランドである。第１ランドであるランド１３０Ｅ及び第２ランドであるランド１３０Ｇは隣接している。第６ランドであるランド１３０Ｓは、第１ランドであるランド１３０Ｅ及び第２ランドであるランド１３０Ｇと隣接している。ランド１３０Ｅは、絶縁基板１２０に形成されたヴィア導体１１２Ｅを介して半導体素子１０１の電源端子１１１Ｅに電気的に接続されている。ランド１３０Ｇは、絶縁基板１２０に形成されたヴィア導体１１２Ｇを介して半導体素子１０１のグラウンド端子１１１Ｇに電気的に接続されている。

主面１２２上には、ソルダーレジスト１０８が設けられている。ソルダーレジスト１０８は、ソルダーレジスト材で構成された膜である。複数のランド１３０の各々は、ソルダーレジスト１０８に形成された複数の開口により露出されている。ランド１３０は、ＳＭＤ（ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ）又はＮＳＭＤ（ｎｏｎ－ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ）のいずれのランドであってもよいが、第１実施形態ではＳＭＤのランドである。なお、ソルダーレジスト１０８を有さず、ランド１３０の各々が独立して形成されてもよい。なお、図示は省略するが、半導体素子１０１の上面に放熱板が配置されていてもよい。

プリント配線板２００は、絶縁基板２２０を有する。絶縁基板２２０は、主面２２１と、主面２２１とは反対側の主面２２２と、を有する。プリント配線板２００は、絶縁基板２２０の主面２２１に配置された複数のランド２３０を有する。絶縁基板２２０の材質は、エポキシ樹脂等の絶縁材料である。

複数のランド２３０は、導電性を有する金属材料、例えば銅又は金で形成された端子であり、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。絶縁基板２２０の材質は、エポキシ樹脂等の絶縁材料である。複数のランド２３０には、電源端子となるランド２３０Ｅと、グラウンド端子となるランド２３０Ｇと、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇ以外のランド２３０Ｓが含まれている。ランド２３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子となるランドである。ランド２３０Ｅが第３ランドであり、ランド２３０Ｇが第４ランドであり、ランド２３０Ｓは複数の第５ランドである。第３ランドであるランド２３０Ｅ及び第４ランドであるランド２３０Ｇは隣接している。第５ランドであるランド２３０Ｓは、第３ランドであるランド２３０Ｅ及び第４ランドであるランド２３０Ｇと隣接している。ランド２３０Ｅは、絶縁基板２２０に形成されたヴィア導体２１２Ｅと電気的に接続されている。ランド２３０Ｇは、絶縁基板２２０に形成されたヴィア導体２１２Ｇと電気的に接続されている。プリント配線板２００には、図３に示すヴィア導体２１２Ｅ，２１２Ｇに電気的に接続された不図示の電源ＩＣが実装されている。電源ＩＣは、はんだ接合部１９１及びはんだ接合部１９２を介して、半導体装置１００の半導体素子１０１に電力を供給可能となっている。なお、プリント配線板２００の不図示の電源ＩＣが、ヴィア導体２１２Ｅ，２１２Ｇを介さずに電気的に接続されていてもよい。ランド２３０Ｓは不図示の信号配線に電気的に接続されていてもよい。第３ランドであるランド２３０Ｅと、第４ランドであるランド２３０Ｇ及び第５ランドであるランド２３０Ｓの大きさはほぼ同じである。具体的には、面積が最小のランドの面積に対する、面積が最大のランドの面積が１．１倍以下である。

プリント配線板２００は、ソルダーレジスト２０８を有する。ソルダーレジスト２０８は、ソルダーレジスト材で構成された膜である。ソルダーレジスト２０８は、主面２２１上に設けられている。複数のランド２３０の各々は、ソルダーレジスト２０８に形成された複数の開口により露出されている。ランド２３０は、ＳＭＤ又はＮＳＭＤのいずれのランドであってもよいが、第１実施形態ではＳＭＤのランドである。また、ソルダーレジスト２０８は、後述する第１導体パターン２５０Ｅ及び第２導体パターン２５０Ｇを覆う複数の誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇを有する。誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇの機能については後述する。

第１実施形態において、プリント配線板２００のランド２３０Ｅは、はんだで形成された第１はんだ接合部１９１を介してランド１３０Ｅと接合されている。また、ランド２３０Ｇは、はんだで形成された第２はんだ接合部１９２を介してランド１３０Ｇに接合されている。また、ランド２３０Ｓは、はんだで形成された第３はんだ接合部１９３を介してランド１３０Ｓに接合されている。なお、各はんだ接合部は「はんだ」と表記することもある。

処理モジュール３００は、電子部品の一例であるコンデンサ４００を備えている。コンデンサ４００は、受動部品であり、チップ部品である。チップ部品の平面視のサイズは、０．４ｍｍ×０．２ｍｍである０４０２サイズ、又は０．２５ｍｍ×０．１２５ｍｍである０２０１サイズなど、０４０２サイズ以下が好適である。なお、０４０２サイズ、０２０１サイズ等の表記は、日本工業規格（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）における電子部品のサイズ表記方法（ｍｍ基準）に準じている。

コンデンサ４００は、長手方向に延びる略直方体形状の素体４０１と、素体４０１の長手方向の両側に間隔を空けて配置された一対の電極４１０，４２０と、を有する。一対の電極４１０，４２０は、長手方向に間隔をあけて素体４０１に固定されている。図２（ｂ）乃至図４において、コンデンサ４００、即ち素体４０１の長手方向は、Ｘ方向である。コンデンサ４００、即ち素体４０１の短手方向はＹ方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向に直交する幅方向である。コンデンサ４００、即ち素体４０１の上下方向は、Ｚ方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向である。Ｚ方向は、主面１２１，１２２，２２１，２２２に垂直な方向でもある。

一対の電極４１０，４２０のうちの一方の電極４１０が第１電極であり、他方の電極４２０が第２電極である。各電極４１０，４２０は、下地と、下地を覆う外皮膜と、を含む。電極４１０，４２０の外皮膜の材質は、スズ等の導電性を有する金属材料である。

コンデンサ４００は、バイパスコンデンサである。コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１に接続されている。すなわち、コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１を介してランド１３０Ｅ及びランド２３０Ｅに電気的に接続されている。コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２に接続されている。すなわち、コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２を介してランド１３０Ｇ及びランド２３０Ｇに電気的に接続されている。

図４に示すように、電極４１０は、電極面である、３つの側面４１１，４１２，４１３、上面４１４及び下面４１５を有する。側面４１１，４１２，４１３、上面４１４及び下面４１５は、各面に垂直な方向から見て、矩形状である。３つの側面４１１，４１２，４１３のうち、２つの側面４１２，４１３は、Ｙ方向に間隔をあけて対向している。上面４１４と下面４１５とは、Ｚ方向に間隔をあけて対向している。側面４１１は、側面４１２，４１３、上面４１４及び下面４１５と直交して隣り合っている。電極４２０は、電極面である、３つの側面４２１，４２２，４２３、上面４２４及び下面４２５を有する。側面４２１，４２２，４２３、上面４２４及び下面４２５は、各面に垂直な方向から見て、矩形状である。３つの側面４２１，４２２，４２３のうち、２つの側面４２２，４２３は、Ｙ方向に間隔をあけて対向している。上面４２４と下面４２５とは、Ｚ方向に間隔をあけて対向している。側面４２１は、側面４２２，４２３、上面４２４及び下面４２５と直交して隣り合っている。電極４１０の側面４１１と電極４２０の側面４２１とは、Ｘ方向に間隔をあけて対向して配置されている。電極４１０の上面４１４が、半導体装置１００のランド１３０Ｅと対向し、電極４１０の下面４１５が、プリント配線板２００のランド２３０Ｅと対向している。電極４２０の上面４２４が、半導体装置１００のランド１３０Ｇと対向し、電極４２０の下面４２５が、プリント配線板２００のランド２３０Ｇと対向している。

コンデンサ４００の電極４１０と電源端子１１１Ｅとの間の配線のインダクタンス、及びコンデンサ４００の電極４２０とグラウンド端子１１１Ｇとの間の配線のインダクタンスにより、電源ノイズが発生する。電源ノイズとは、半導体装置１００が動作することによって生じる電源ラインの電圧変動をいう。この電圧変動は電源ラインに寄生するインダクタンスや抵抗によって電源電流が変化することで発生する。配線のインダクタンスを低減させて電源ノイズを低減させるためには、コンデンサ４００は半導体装置１００の電源端子１１１Ｅとグラウンド端子１１１Ｇ間の配線が最短になるように配置されるのが好ましい。本開示では、コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１で半導体装置１００のランド１３０Ｅに電気的に接続されているため、コンデンサ４００の電極４１０とランド１３０Ｅとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。また、コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２で半導体装置１００のランド１３０Ｇに電気的に接続されているため、コンデンサ４００の電極４２０とランド１３０Ｇとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。配線のインダクタンスが低減するので、発生する電源ノイズが低減し、半導体装置１００における通信の高速化を実現することができる。

処理モジュール３００は、第１チップ部品誘導路２６０Ｅ及び第２チップ部品誘導路２６０Ｇを有する。第１チップ部品誘導路２６０Ｅ及び第２チップ部品誘導路２６０Ｇは、処理モジュール３００を製造する際にコンデンサ４００をはんだ接合部１９１及びはんだ接合部１９２に導く役割を担う。このメカニズムについては製造方法の項でも説明をする。

第１の部品誘導路である第１チップ部品誘導路２６０Ｅは、第１導体パターン２５０Ｅと、第１導体パターン２５０Ｅを覆うソルダーレジストの誘導部２０８Ｅと、を有する。第１導体パターン２５０Ｅは、絶縁基板２２０の主面２２１に配置されたランド２３０Ｅからコンデンサ４００の長手方向と交差する第１方向に延在している。Ｙ方向における長さは、コンデンサ４００の短手方向の長さの半分より長く、第３ランドであるランド２３０Ｅと第５ランドであるランド２３０Ｓの最短距離より短い。第１導体パターン２５０Ｅはランド２３０Ｇ及びランド２３０Ｓとは接していない。また、第１導体パターン２５０Ｅは不図示の配線と直接、接続されていない。

第２の部品誘導路である第２チップ部品誘導路２６０Ｇは、第２導体パターン２５０Ｇと、第２導体パターン２５０Ｇを覆うソルダーレジストの誘導部２０８Ｇと、を有する。第２導体パターン２５０Ｇは、絶縁基板２２０の主面２２１に配置されたランド２３０Ｇからコンデンサ４００の長手方向と交差する第２方向に延在している。Ｙ方向における長さは、コンデンサ４００の短手方向の長さの半分より長く、第４ランドであるランド２３０Ｇと第５ランドであるランド２３０Ｓの最短距離より短い。第２導体パターン２５０Ｇはランド２３０Ｅ及びランド２３０Ｓとは接していない。また、第２導体パターン２５０Ｇは不図示の配線と直接、接続されていない。

第１導体パターン２５０Ｅは、ランド２３０Ｅから延伸するにつれて第２導体パターン２５０Ｇに近づく方向に延在しているが、第１導体パターン２５０Ｅと第２導体パターン２５０Ｇは平行に延在していても構わない。すなわち第１方向と第２方向は同じ方向でも構わない。第１導体パターン２５０Ｅ、第２導体パターン２５０Ｇは導電性を有する金属材料、例えば銅又は金で形成されている。第１導体パターン２５０Ｅ及び第２導体パターン２５０ＧはＺ方向に見て、矩形状であるが、これに限定するものではない。Ｚ方向に見て、多角形状、円形状、楕円形状など、任意の形状であってもよい。

第１チップ部品誘導路２６０Ｅ及び第２チップ部品誘導路２６０Ｇは、チップ部品であるコンデンサ４００を第１はんだ接合部１９１及び第２はんだ接合部１９２と接合させる際に、コンデンサ４００をその接合箇所に誘導する役割を担う。誘導部２０８Ｅ及び２０８Ｇにはんだペーストを載せて、そのはんだペーストの上にコンデンサを配置し、はんだペーストが加熱溶融すると、コンデンサ４００はその接合箇所に導かれる。

特許文献１において、チップ部品であるコンデンサの短手方向に延在するフットプリントにはんだペーストを設け、その上にコンデンサを配置させて加熱し、メタルバンプまでコンデンサを誘導して接合させることが開示されている。しかし、本願発明者が鋭意検討した結果、上記文献に開示された技術ではチップ部品を同じ位置に繰り返し再現性良く配置させることが困難であることを見出した。上記文献では本願の導体パターンに相当するフットプリントは基板上に露出しており、ランドと基板表面には段差が生じている。そのため、その段差にチップ部品が引っ掛かり、短手方向に回転することがあった。また、チップ部品は回転して接合されると、接合後に応力が集中する特異点が発生するため接合強度が不十分となることがあった。

そこで本開示では、第１チップ部品誘導路２６０Ｅ及び第２チップ部品誘導路２６０Ｇの各々は、第１導体パターン２５０Ｅ及び第２導体パターン２５０Ｇの各々をソルダーレジストの誘導部２０８Ｅ及び２０８Ｇで覆う構成を採用した。このような構成を採ることにより、コンデンサ４００が第１チップ部品誘導路２６０Ｅ及び第２チップ部品誘導路２６０Ｇからその接合箇所に誘導されるまで段差がないため、載置した姿勢のまま水平移動することが可能となる。結果、図３（ｃ）に示すようにはんだ接合部１９１，１９２の中心を結んだ中心線とコンデンサ４００の長手方向の中心線が同一線上になるように接合することができる。すなわち、コンデンサ４００は半導体装置１００及びプリント配線板２００に対して、それぞれ空隙を介して配置されている。より具体的には、コンデンサ４００及び半導体装置１００の第１距離と、コンデンサ４００及びプリント配線板２００の第２距離との差が、第１距離及び第２距離よりも小さく、ゼロに近い。すなわちコンデンサ４００ははんだ接合部１９１，１９２の中心部に配置されることが好ましい。コンデンサ４００がはんだ接合部１９１，１９２の中心部に配置されるとコンデンサ４００の電極４１０と４２０のエッジに掛かる応力を分散できる。そのためコンデンサ４００の衝撃は低減され、さらに接合信頼性は向上することができる。

また、第１導体パターン２５０Ｅ及び第２導体パターン２５０Ｇの長さが、コンデンサ４００の短手方向の長さの半分より大きいことで、はんだペーストを十分に多く載置でき、安定的に導くことができる。第１導体パターン２５０Ｅは、ランド２３０Ｅから延伸するにつれて第２導体パターン２５０Ｇに近づく方向に延在させることが好ましい。第１導体パターン２５０Ｅ及び第２導体パターン２５０Ｇをこのように配置することにより、これらをより長く配置させることができるためである。また、第１導体パターン２５０Ｅおよび第２導体パターン２５０Ｇの幅はコンデンサ４００の電極の幅以上であることが好ましい。コンデンサが移動時に誘導路から脱落することを防ぎ、安定的に移動させるためである。なお、コンデンサの電極の幅とは図４におけるコンデンサの電極の下面４１５もしくは下面４２５のＸ方向の長さのことである。

なお、上述したはんだペーストを加熱溶融するプロセスを行うと、誘導部２０８ＥにはフラックスＦ１が残存する。また、誘導部２０８ＧにはフラックスＦ２が残存する。フラックスＦ１，Ｆ２は誘導部２０８Ｅおよび２０８Ｇのみに設けられていることが好ましい。誘導路上に残存したフラックス同士、もしくは周囲のフラックスと接触することで発生するイオンマイグレーション現象を防ぐためである。

第１はんだ接合部１９１の体積及び第２はんだ接合部１９２の体積は、第３はんだ接合部１９３の体積より大きいことが好ましい。このような構成を採ることで、コンデンサ４００の配置を高精度に制御しやすくなるためである。より好ましくは、第１はんだ接合部１９１の体積及び第２はんだ接合部１９２の体積が第３はんだ接合部１９３の体積の１．２倍以上である。また、第１はんだ接合部１９１の体積及び第２はんだ接合部１９２の体積は、第３はんだ接合部１９３の体積の４倍未満であることが好ましい。第１はんだ接合部１９１の体積及び第２はんだ接合部１９２の体積が第３はんだ接合部１９３の体積の４倍以上であると、狭ピッチにはんだ接合部を配置できなくなり、半導体装置１００を小型にすることができないおそれがある。

以上、処理モジュール３００によれば、ソルダーレジストの誘導部に覆われた２つの導体パターンを有する部品誘導路を用いてコンデンサ４００をはんだ接合部に接続可能である。そのため、従来技術よりも、バイパスコンデンサの配置が高精度に制御された半導体モジュールを提供することができる。

（処理モジュールの製造方法）
次に、処理モジュール３００の製造方法について説明する。図５及び図６は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の製造方法の説明図である。各工程において、側面図および上面図を示している。

まず、図５（ａ）に示すように、プリント配線板２００を用意する（工程Ｓ１）。プリント配線板２００は、主面２２１にランド２３０Ｅと、ランド２３０Ｇと、ランド２３０Ｓと、第１導体パターン２５０Ｅと、第２導体パターン２５０Ｇ及びソルダーレジスト２０８と、を有する。ソルダーレジスト２０８は誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇと複数の開口を有する。ランド２３０Ｅと、ランド２３０Ｇ及びランド２３０Ｓとは、ソルダーレジスト２０８の開口により、それぞれ露出されている。なお、工程Ｓ１において、半導体装置１００及びコンデンサ４００も用意しておく。

次に、図５（ｂ）に示すように、プリント配線板２００上に、第１はんだペーストであるはんだペーストＰ１と、第２はんだペーストであるはんだペーストＰ２と、第３はんだペーストであるはんだペーストＰ３とを、互いに間隔をあけて供給する。（工程Ｓ２）。はんだペーストＰ１は、第３ランドであるランド２３０Ｅの上と誘導部２０８Ｅの上に供給される。はんだペーストＰ２は、第４ランドであるランド２３０Ｇの上と誘導部２０８Ｇの上に供給される。はんだペーストＰ３は、第５ランドであるランド２３０Ｓの上に供給される。

はんだペーストＰ１，Ｐ２およびＰ３は、はんだ粉末を及びはんだ付けに必要なフラックス成分を含有する。本開示において、はんだペーストＰ１，Ｐ２及びＰ３は、いずれも同じ材料としたが、融点が近い温度であれば同じ材料でなくてもよい。工程Ｓ２では、メタルマスク２３を用いたスクリーン印刷により、はんだペーストＰ１，Ｐ２およびＰ３をプリント配線板２００に供給する。なお、はんだペーストＰ１，Ｐ２およびＰ３の供給方法は、これに限定するものではない。例えば、ディスペンサーを用いてもよい。

次に、図５（ｃ）に示すように、電極４１０が誘導部２０８Ｅの上のはんだペーストＰ１と接するように、電極４２０が誘導部２０８Ｇの上のはんだペーストＰ２と接するように、コンデンサ４００を載置する。より具体的には、誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇに設けられたはんだペーストＰ１，Ｐ２において、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇから遠ざかる方向の先端付近にコンデンサ４００を載置する（Ｓ３）。これにより、電極４１０の下面４１５がはんだペーストＰ１と接触し、電極４２０の下面４２５がはんだペーストＰ２と接触する。工程Ｓ３では、不図示のマウンターを用いて、コンデンサ４００をはんだペーストＰ１，Ｐ２の上に載置する。

次に、図５（ｄ）に示すように、ランド１３０Ｅがランド２３０Ｅと対向し、ランド１３０Ｇがランド２３０Ｇと対向するように、半導体装置１００をプリント配線板２００の上に載置する（Ｓ４）。工程Ｓ４では、不図示のマウンターを用いて、半導体装置１００をプリント配線板２００上に載置する。このとき、ランド１３０Ｅとランド２３０Ｅとが対向し、ランド１３０Ｇとランド２３０Ｇとが対向し、ランド１３０Ｓとランド２３０Ｓとが対向するように、半導体装置１００の載置位置を調整する。半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０ＳにはそれぞれはんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３が設けられている。よって、はんだボールＢ１とランド２３０Ｅ、はんだボールＢ２とランド２３０Ｇ、はんだボールＢ３とランド２３０Ｓがそれぞれ対向するように半導体装置１００をプリント配線板２００に載置する。工程Ｓ４において、半導体装置１００をプリント配線板２００上に載置することで、はんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３ははんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３にそれぞれ接触する。この工程Ｓ４において、Ｚ方向から見たときの、プリント配線板２００と、コンデンサ４００及び半導体装置１００との位置関係は、図５（ｄ）のようになる。半導体装置１００のランド１３０Ｅ、ランド１３０Ｇ及びランド１３０Ｓの各々は、プリント配線板２００のランド２３０Ｅ、ランド２３０Ｇ及びランド２３０Ｓの各々とＺ方向から見て一部または全部が重なっている。半導体装置１００の搭載時において、コンデンサ４００ははんだボールＢ１，Ｂ２と接触しない位置に載置されている。なお、図５（ｄ）の上面図では半導体モジュール１００の構成のうち、はんだボールＢ１、Ｂ２、Ｂ３のみを図示している。

次に、プリント配線板２００上に半導体装置１００及びコンデンサ４００を載置した状態で、不図示のリフロー炉に搬送する。そして、図６（ａ）に示す工程Ｓ５において、リフロー炉内の雰囲気の温度を、はんだ粉末の融点以上の温度に調整して、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３及びはんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３を加熱溶融させる。はんだペーストＰ１及びはんだボールＢ１を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ１となる。はんだペーストＰ２及びはんだボールＢ２を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ２となる。はんだペーストＰ３及びはんだボールＢ３を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ３となる。

工程Ｓ５に引き続き、図６（ｂ）に示す工程Ｓ６において、加熱を継続し、溶融はんだＭ１，Ｍ２を流動させる。誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇ上の溶融はんだＭ１，Ｍ２は、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇに凝集される。これにより、誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇに載置されたコンデンサ４００は溶融はんだＭ１，Ｍ２の凝集によりランド２３０Ｅ，２３０Ｇに到達する。また、コンデンサ４００は、ランド２３０Ｅ及び２３０Ｇに到達すると溶融はんだＭ１，Ｍ２から受ける力により、半導体装置１００に近づく上方向に押し上げられる。その結果、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅとの距離が狭まり、電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとの距離が狭まる。すなわち、コンデンサ４００の素体４０１は半導体装置１００及びプリント配線板２００とは、それぞれ空隙を介して配置されることになる。そして、はんだペーストＰ１、Ｐ２に含まれるフラックスＦ１，Ｆ２がそれぞれチップ部品誘導路２６０Ｅ，２６０Ｇ上に残存する。

その後、溶融はんだＭ１，Ｍ２，Ｍ３を冷却固化させる。図６（ｃ）に示すように、ランド１３０Ｅ，２３０Ｅと電極４１０とをはんだで接合した第１はんだ接合部であるはんだ接合部１９１が形成される。また、ランド１３０Ｇ、２３０Ｇと電極４２０とをはんだで接合した第２はんだ接合部であるはんだ接合部１９２が形成される。また、ランド１３０Ｓとランド２３０Ｓとをはんだで接合した第３はんだ接合部であるはんだ接合部１９３が形成される。このときはんだ接合部１９１，１９２の体積は、はんだ接合部１９３の体積より大きくなる。これははんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３の大きさが一定であったにも関わらず、はんだボールＢ１には誘導部２０８Ｅに載せたはんだペーストＰ１が、はんだボールＢ２には誘導部２０８Ｇに載せたはんだペーストＰ２が、それぞれ付着して固化されるためである。つまり、はんだ接合部１９１，１９２の体積は、誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇに載せるはんだペーストＰ１，Ｐ２の量で制御することが可能である。以上により、図３に示す処理モジュール３００が製造される。

その後、処理モジュール３００を図１に示す筐体６１１に収納することで、カメラ本体６０１、即ちデジタルカメラ６００が製造される。

本開示の製造方法によれば、チップ部品であるコンデンサ４００が第１チップ部品誘導路２６０Ｅ及び第２チップ部品誘導路２６０Ｇによって、その接合箇所に誘導される。そのため従来技術よりも、バイパスコンデンサの配置が高精度に制御することが可能な半導体モジュールの製造方法を提供することができる。また、コンデンサ４００は半導体装置１００及びプリント配線板２００に対して、それぞれ空隙を介して配置される。これにより、はんだ接合部１９１，１９２の中心を結んだ直線を基準として線対称となるはんだ接合形状で接合される。よって、接合後も応力が集中する特異点が発生せず、処理モジュール３００の接合信頼性を向上することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。第２実施形態は半導体装置１００に配置されたランドの中で最外周に配置されているランドに架橋するようにコンデンサ４００を配置した場合の実施形態である。図７は、第２実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大した断面模式図である。図７（ａ）には、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ａの断面を模式的に図示している。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＢ２－Ｂ２断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）のＣ２－Ｃ２断面であり、半導体装置１００、コンデンサ４００、及びプリント配線板２００Ａの配置関係を説明するための模式図である。なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を用いて詳細な説明は省略する。

第２実施形態に係る処理モジュール３００Ａは、第１実施形態と同様の構成の半導体装置１００と、プリント配線板２００Ａとを有する。半導体装置１００に含まれる絶縁基板１２０の主面１２２には、第１実施形態と同様、ランド１３０Ｅと、ランド１３０Ｇと、ランド１３０Ｓとが配置されている。

プリント配線板２００Ａは、絶縁基板２２０Ａを有する。絶縁基板２２０Ａは、主面２２１Ａと、主面２２１Ａとは反対側の主面２２２Ａとを有する。プリント配線板２００Ａは、主面２２１Ａに配置された、第３ランドであるランド２３０ＥＡと、第４ランドである２３０ＧＡと、複数の第５ランドであるランド２３０ＳＡと、第１導体パターン２５０ＥＡ及び第２導体パターン２５０ＧＡと、を有する。

プリント配線板２００Ａは、ソルダーレジスト２０８Ａを有する。ソルダーレジスト２０８Ａは、ソルダーレジスト材で構成された膜である。ソルダーレジスト２０８Ａは、主面２２１Ａ上に設けられている。ランド２３０ＥＡ，２３０ＧＡ，２３０ＳＡは、ソルダーレジスト２０８Ａに形成された複数の開口により露出されている。また、ソルダーレジスト２０８Ａは、後述する第１導体パターン２５０ＥＡ及び第２導体パターン２５０ＧＡを覆う複数の誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡを有する。

ランド１３０Ｅ及びランド２３０ＥＡは、はんだで形成された第１はんだ接合部であるはんだ接合部１９１Ａで接合されている。ランド１３０Ｇ及びランド２３０ＧＡは、はんだで形成された第２はんだ接合部であるはんだ接合部１９２Ａで接合されている。ランド１３０Ｓ及びランド２３０ＳＡは、はんだで形成された第３はんだ接合部であるはんだ接合部１９３Ａで接合されている。

処理モジュール３００Ａは、第１実施形態と同様、バイパスコンデンサとして用いられるコンデンサ４００を備えている。コンデンサ４００は、プリント配線板２００Ａの絶縁基板２２０Ａの主面２２１Ａ側、即ち半導体装置１００とプリント配線板２００Ａとの間に配置されている。コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１Ａに接続されている。すなわち、コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１Ａを介してランド１３０Ｅ及びランド２３０ＥＡに電気的に接続されている。コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２Ａに接続されている。すなわち、コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２Ａを介してランド１３０Ｇ及びランド２３０ＧＡに電気的に接続されている。

処理モジュール３００Ａは、第１チップ部品誘導路２６０ＥＡ及び第２チップ部品誘導路２６０ＧＡを有する。第１チップ部品誘導路２６０ＥＡ及び第２チップ部品誘導路２６０ＧＡは、処理モジュール３００Ａを製造する際にコンデンサ４００をはんだ接合部１９１Ａ及びはんだ接合部１９２Ａに導く役割を担う。

第１の部品誘導路である第１チップ部品誘導路２６０ＥＡは、第１導体パターン２５０ＥＡと、第１導体パターン２５０ＥＡを覆うソルダーレジストの誘導部２０８ＥＡと、を有する。第１導体パターン２５０ＥＡは、絶縁基板２２０Ａの主面２２１Ａに配置されたランド２３０ＥＡからコンデンサ４００の長手方向と交差する第１方向に延在している。Ｙ方向における長さは、コンデンサ４００の短手方向の長さの半分より長い。また、第１導体パターン２５０ＥＡは、処理モジュール３００を半導体装置１００側から平面視（上面視）した際に、ランド２３０ＥＡと接続されていない方向の端部が半導体装置１００の外側まで延在している。第１導体パターン２５０ＥＡはランド２３０ＳＡとは接していない。また、第１導体パターン２５０ＥＡは不図示の配線と直接、接続されていない。

第２の部品誘導路である第２チップ部品誘導路２６０ＧＡは、第２導体パターン２５０ＧＡと、第２導体パターン２５０ＧＡを覆うソルダーレジストの誘導部２０８ＧＡと、を有する。第２導体パターン２５０ＧＡは、絶縁基板２２０Ａの主面２２１Ａに配置されたランド２３０ＧＡからコンデンサ４００の長手方向と交差する第２方向に延在している。Ｙ方向における長さは、コンデンサ４００の短手方向の長さの半分より長い。また、第２導体パターン２５０ＧＡは、処理モジュール３００を上面視した際に、ランド２３０ＧＡと接続されていない方向の端部が半導体装置１００の外側まで延在している。第２導体パターン２５０ＧＡはランド２３０ＳＡとは接していない。また、第２導体パターン２５０ＧＡは不図示の配線と直接、接続されていない。

第１導体パターン２５０ＥＡは、ランド２３０ＥＡから延伸するにつれて第２導体パターン２５０ＧＡに近づく方向に延在しているが、第１導体パターン２５０ＥＡと第２導体パターン２５０ＧＡは平行になるように延在していても構わない。すなわち第１方向と第２方向は同じ方向でも構わない。第１導体パターン２５０ＥＡ、第２導体パターン２５０ＧＡは導電性を有する金属材料、例えば銅又は金で形成されている。

第１チップ部品誘導路２６０ＥＡ及び第２チップ部品誘導路２６０ＧＡは、チップ部品であるコンデンサ４００をはんだ接合部１９１Ａ及びはんだ接合部１９２Ａと接合させる際に、コンデンサ４００をその接合箇所に誘導する役割を担う。誘導部２０８ＥＡ及び２０８ＧＡにはんだペーストを載せて、そのはんだペーストの上にコンデンサを配置し、はんだペーストが加熱溶融すると、コンデンサ４００はその接合箇所に導かれる。

第２実施形態では、図７（ｂ）に示すように、第１チップ部品誘導路２６０ＥＡ及び第２チップ部品誘導路２６０ＧＡを半導体装置１００の外側まで延在させている。半導体装置１００の外側までチップ部品誘導路２６０ＥＡ、２６０ＧＡを延在させることで半導体装置１００の外側にコンデンサ４００を載置することが可能となる。コンデンサ４００を半導体装置１００の外側に載置することで、部品搭載後の外観検査が可能となる。

また、第１導体パターン２５０ＥＡ及び第２導体パターン２５０ＧＡの長さが、コンデンサ４００の短手方向の長さの半分より大きいことで、はんだペーストを十分に多く載置でき、安定的に導くことができる。第１導体パターン２５０ＥＡは、ランド２３０ＥＡから延伸するにつれて第２導体パターン２５０ＧＡに近づく方向に延在させることが好ましい。第１導体パターン２５０ＥＡ及び第２導体パターン２５０ＧＡをこのように配置することにより、これらをより長く配置させることができるためである。また、第１導体パターン２５０ＥＡおよび第２導体パターン２５０ＧＡの幅はコンデンサ４００の電極の幅以上であることが好ましい。コンデンサが移動時に誘導路から脱落することを防ぎ、安定的に移動させるためである。

なお、上述したはんだペーストを加熱溶融するプロセスを行うと、誘導部２０８ＥＡにはフラックスＦ１が残存する。また、誘導部２０８ＧＡにはフラックスＦ２が残存する。フラックスＦ１，Ｆ２は誘導部２０８ＥＡおよび２０８ＧＡのみに設けられていることが好ましい。誘導路上に残存したフラックス同士、もしくは周囲のフラックスと接触することで発生するイオンマイグレーション現象を防ぐためである。

第１はんだ接合部１９１Ａの体積及び第２はんだ接合部１９２Ａの体積は、第３はんだ接合部１９３Ａの体積より大きいことが好ましい。このような構成を採ることで、コンデンサ４００の配置を高精度に制御しやすくなるためである。より好ましくは、第１はんだ接合部１９１Ａの体積及び第２はんだ接合部１９２Ａの体積が第３はんだ接合部１９３Ａの体積の１．２倍以上である。また、第１はんだ接合部１９１Ａの体積及び第２はんだ接合部１９２Ａの体積は、第３はんだ接合部１９３Ａの体積の４倍未満であることが好ましい。第１はんだ接合部１９１Ａの体積及び第２はんだ接合部１９２Ａの体積が第３はんだ接合部１９３の体積の４倍以上であると、狭ピッチにはんだ接合部を配置できなくなり、半導体装置１００を小型にすることができないおそれがある。

以上、処理モジュール３００Ａによれば、ソルダーレジストの誘導部に覆われた２つの導体パターンを有する部品誘導路を用いてコンデンサ４００をはんだ接合部に接続可能である。そのため、従来技術よりも、バイパスコンデンサの配置が高精度に制御された半導体モジュールを提供することができる。

（処理モジュールの製造方法）
次に、処理モジュール３００Ａの製造方法について説明する。図８及び図９は、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ａの製造方法の説明図である。各工程において、側面図および上面図を示している。

まず、図８（ａ）に示すように、プリント配線板２００Ａを用意する（工程Ｓ１１）。プリント配線板２００Ａは、主面２２１Ａにランド２３０ＥＡと、ランド２３０ＧＡと、ランド２３０ＳＡと、第１導体パターン２５０ＥＡと、第２導体パターン２５０ＧＡ及びソルダーレジスト２０８Ａと、を有する。ソルダーレジスト２０８Ａは誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡと複数の開口を有する。ランド２３０ＥＡと、ランド２３０ＧＡ及びランド２３０ＳＡは、ソルダーレジスト２０８Ａの開口により、それぞれ露出されている。なお、工程Ｓ１１において、半導体装置１００及びコンデンサ４００も用意しておく。

次に、図８（ｂ）に示すように、プリント配線板２００Ａ上に、第１はんだペーストであるはんだペーストＰ１と、第２はんだペーストであるはんだペーストＰ２と、第３はんだペーストであるはんだペーストＰ３とを、互いに間隔をあけて供給する。（工程Ｓ１２）。はんだペーストＰ１は、第３ランドであるランド２３０ＥＡの上と誘導部２０８ＥＡの上に供給される。はんだペーストＰ２は、第４ランドであるランド２３０ＧＡの上と誘導部２０８ＧＡの上に供給される。はんだペーストＰ３は、第５ランドであるランド２３０ＳＡの上に供給される。

はんだペーストＰ１，Ｐ２およびＰ３は、はんだ粉末を及びはんだ付けに必要なフラックス成分を含有する。本開示において、はんだペーストＰ１，Ｐ２及びＰ３は、いずれも同じ材料としたが、融点が近い温度であれば同じ材料でなくてもよい。工程Ｓ１２では、メタルマスク２３を用いたスクリーン印刷により、はんだペーストＰ１，Ｐ２およびＰ３をプリント配線板２００に供給する。なお、はんだペーストＰ１，Ｐ２およびＰ３の供給方法は、これに限定するものではない。例えば、ディスペンサーを用いてもよい。

次に、図８（ｃ）に示すように、電極４１０が誘導部２０８ＥＡの上のはんだペーストＰ１と接するように、電極４２０が誘導部２０８ＧＡの上のはんだペーストＰ２と接するように、コンデンサ４００を載置する。より具体的には、誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡに設けられたはんだペーストＰ１，Ｐ２において、ランド２３０ＥＡ，２３０ＧＡから遠ざかる方向の先端付近にコンデンサ４００を載置する（Ｓ１３）。これにより、電極４１０の下面４１５がはんだペーストＰ１と接触し、電極４２０の下面４２５がはんだペーストＰ２と接触する。

次に、図８（ｄ）に示すように、ランド１３０Ｅがランド２３０ＥＡと対向し、ランド１３０Ｇがランド２３０ＧＡと対向するように、半導体装置１００をプリント配線板２００Ａの上に載置する（Ｓ１４）。このとき、ランド１３０Ｅとランド２３０ＥＡとが対向し、ランド１３０Ｇとランド２３０ＧＡとが対向し、ランド１３０Ｓとランド２３０ＳＡとが対向するように、半導体装置１００の載置位置を調整する。半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０ＳにはそれぞれはんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３が設けられている。よって、はんだボールＢ１とランド２３０Ｅ、はんだボールＢ２とランド２３０Ｇ、はんだボールＢ３とランド２３０Ｓがそれぞれ対向するように半導体装置１００をプリント配線板２００Ａに載置する。工程Ｓ１４において、半導体装置１００をプリント配線板２００Ａ上に載置することで、はんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３をはんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３にそれぞれ接触する。この工程Ｓ１４において、Ｚ方向から見たときの、プリント配線板２００Ａと、コンデンサ４００及び半導体装置１００との位置関係は、図７（ｄ）のようになる。半導体装置１００のランド１３０Ｅ、ランド１３０Ｇ及びランド１３０Ｓの各々は、プリント配線板２００Ａのランド２３０ＥＡ、ランド２３０ＧＡ及びランド２３０ＳＡの各々とＺ方向から見て一部または全部が重なっている。コンデンサ４００は、半導体装置１００の搭載時にはんだボールＢ１，Ｂ２と接触せず、かつ半導体装置１００の外側に載置されている。これにより、半導体装置１００を載置した後でもコンデンサ４００の欠品検査ができる。

次に、プリント配線板２００Ａ上に半導体装置１００及びコンデンサ４００を載置した状態で、不図示のリフロー炉に搬送する。そして、図９（ａ）に示す工程Ｓ１５において、リフロー炉内の雰囲気の温度を、はんだ粉末の融点以上の温度に調整して、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３及びはんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３を加熱溶融させる。はんだペーストＰ１及びはんだボールＢ１を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ１となる。はんだペーストＰ２及びはんだボールＢ２を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ２となる。はんだペーストＰ３及びはんだボールＢ３を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ３となる。

工程Ｓ１５に引き続き、図９（ｂ）に示す工程Ｓ１６において、加熱を継続し、溶融はんだＭ１，Ｍ２を流動させる。誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡ上の溶融はんだＭ１，Ｍ２は、ランド２３０ＥＡ，２３０ＧＡに凝集される。これにより、誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡに載置されたコンデンサ４００は溶融はんだＭ１、Ｍ２の凝集によりランド２３０Ｅ，２３０Ｇに到達する。また、コンデンサ４００は、ランド２３０ＥＡ及び２３０ＧＡに到達すると溶融はんだＭ１，Ｍ２から受ける力により、半導体装置１００に近づく上方向に押し上げられる。その結果、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅとの距離が狭まり、電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとの距離が狭まる。すなわち、コンデンサ４００の素体４０１は半導体装置１００及びプリント配線板２００とは、それぞれ空隙を介して配置されることになる。そして、はんだペーストＰ１，Ｐ２に含まれるフラックスＦ１，Ｆ２がそれぞれチップ部品誘導路２６０ＥＡ，２６０ＧＡ上に残存する。

その後、溶融はんだＭ１，Ｍ２，Ｍ３を冷却固化させる。図９（ｃ）に示すように、ランド１３０Ｅ，２３０ＥＡと電極４１０とをはんだで接合したはんだ接合部１９１Ａが形成される。また、ランド１３０Ｇ、２３０ＧＡと電極４２０とをはんだで接合したはんだ接合部１９２Ａが形成される。また、ランド１３０Ｓとランド２３０ＳＡとをはんだで接合したはんだ接合部１９３Ａが形成される。このときはんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａの体積は、はんだ接合部１９３Ａの体積より大きくなる。これははんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３の大きさが一定であったにも関わらず、はんだボールＢ１には誘導部２０８ＥＡに載せたはんだペーストＰ１が、はんだボールＢ２には誘導部２０８ＧＡに載せたはんだペーストＰ２が、それぞれ付着して固化されたためである。つまり、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａの体積は、誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡに載せるはんだペーストＰ１，Ｐ２の量で制御することが可能である。以上により、図７に示す処理モジュール３００Ａが製造される。

その後、処理モジュール３００Ａを図１に示す筐体６１１に収納することで、カメラ本体６０１、即ちデジタルカメラ６００が製造される。

本開示の製造方法によれば、チップ部品であるコンデンサ４００が第１チップ部品誘導路２６０ＥＡ及び第２チップ部品誘導路２６０ＧＡによって、その接合箇所に誘導される。そのため従来技術よりも、バイパスコンデンサの配置が高精度に制御することが可能な半導体モジュールの製造方法を提供することができる。また、コンデンサ４００は半導体装置１００及びプリント配線板２００Ａに対して、それぞれ空隙を介して配置されている。これにより、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａの中心を結んだ直線を基準として線対称となるはんだ接合形状で接合される。よって、接合後も応力が集中する特異点が発生せず、処理モジュール３００の接合信頼性を向上することができる。また、コンデンサ４００は、半導体装置１００の搭載時にはんだボールＢ１，Ｂ２と接触せず、かつ半導体装置１００の外側に載置されている。これにより、半導体装置１００を載置した後でもコンデンサ４００の欠品検査ができる。

（実施例１）
第１実施形態に対応する実施例１について説明する。実施例１は、半導体装置１００において、隣り合う２つの接合前のボール端子であるはんだボールＢ１とはんだボールＢ２のピッチは、０．６５［ｍｍ］である。また、はんだボールＢ１とはんだボールＢ３のピッチ及びはんだボールＢ２とはんだボールＢ３のピッチはそれぞれ０．８０［ｍｍ］である。コンデンサ４００は、０４０２のチップ部品とした。

半導体装置１００及びプリント配線板２００の各ランド厚さは０．０１５［ｍｍ］、ソルダーレジスト厚さは０．０２０［ｍｍ］とした。導体パターンから誘導路となるソルダーレジスト上面までの高さは０．０２０［ｍｍ］とした。チップ部品誘導路の高さは０．３５［ｍｍ］とした。

半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓのサイズはφ０．３［ｍｍ］とした。また、プリント配線板２００のランド２３０Ｅ，２３０Ｇ，２３０Ｓのサイズはφ０．３［ｍｍ］とした。

プリント配線板２００のランド２３０Ｅ，２３０Ｇからチップ部品誘導路として延在している第１導体パターン２５０Ｅと第２導体パターン２５０Ｇの幅は０．１７５［ｍｍ］、長さは０．３［ｍｍ］とした。導体パターン２５０Ｅ，２５０Ｇはランド２３０Ｓと接触しない位置に設けられている。

図５（ａ）に示すように、第１導体パターン２５０Ｅ及び第２導体パターン２５０Ｇは各々ランド２３０Ｅ、２３０Ｇから延在しており、互いの間隔はコンデンサ４００の長手方向に対し垂直な方向に向かって狭くなるように延在している。

続いて、図５（ｂ）に示すようにスクリーン印刷工程によって、上面視した時にランド２３０Ｅと誘導部２０８Ｅ及びランド２３０Ｇと誘導部２０８Ｇに対し、印刷版を用いて互いに同寸となるようにはんだペーストを設けた。印刷版の厚みは０．１［ｍｍ］であった。

次に、図５（ｃ）に示すように、はんだペーストを印刷した後、誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇ上に塗布されたはんだペーストＰ１，Ｐ２のランドから遠い方向の先端付近にコンデンサ４００を載置した。

次に、図５（ｄ）に示すように、ランド１３０Ｅと２３０Ｅ、１３０Ｇと２３０Ｇ、１３０Ｓと２３０Ｓと、がそれぞれ対向するように半導体装置１００をプリント配線板２００に載置した。続いて、図６（ａ）に示すようにリフロー炉内の雰囲気のピーク温度を２３０℃以上としてリフロー加熱し、その後冷却を行った。

図６（ａ），（ｂ）に示すように誘導部２０８Ｅ、２０８Ｇ上に塗布したはんだペーストＰ１，Ｐ２はランド２３０Ｅ、２３０Ｇに凝集された。はんだペーストＰ１、Ｐ２の凝集とともにコンデンサ４００がはんだ接合部１９１及び１９２に誘導され、０．６５［ｍｍ］ピッチ間に接合された。

コンデンサ４００はソルダーレジストである誘導部２０８Ｅ，２０８Ｇの上を移動したため、プリント配線板２００に段差があるときのような影響を受けることなくコンデンサ４００をはんだ接合部１９１、１９２まで安定的に移動することができた。

プリント配線板２００のランド２３０Ｅ及び２３０Ｇの高さより、チップ部品誘導路の導体パターンの高さが高かったため、コンデンサ４００は安定的にはんだ接合部１９１、１９２の中心に誘導することができた。また、はんだ接合部１９１、１９２の形状が球形であるため、応力が集中する特異点が発生せず、接合信頼性が向上した。

またプリント配線板２００を上面視したときにチップ部品誘導路２６０Ｅ、２６０Ｇの間隔が、コンデンサ４００の長手方向と垂直な方向に向かって狭くなる。これにより、コンデンサ４００の長手サイズよりもピッチが広い半導体装置１００のはんだボール間へ、安定的にコンデンサ４００を引き込み、接合させることが可能となった。さらに、上記構成とすることで、チップ部品の誘導に必要な領域のみチップ部品誘導路を設けることができ、ボール間に形成する配線やＧＮＤパターンを阻害しなかった。

（実施例２）
第２実施形態に対応する実施例２について説明する。実施例２は、半導体装置１００において、隣り合う２つの接合前のボール端子であるはんだボールＢ１とはんだボールＢ２のピッチは、実施例１と同様である。また、はんだボールＢ１とはんだボールＢ３のピッチ及びはんだボールＢ２とはんだボールＢ３のピッチも実施例１と同様である。コンデンサ４００は、実施例１と同様に０４０２のチップ部品とした。

半導体装置１００及びプリント配線板２００Ａの各ランドの厚さは実施例１と同様である。

半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓのサイズ及びプリント配線板２００Ａのランド２３０ＥＡ，２３０ＧＡ，２３０ＳＡのサイズは実施例１と同様とした。

プリント配線板２００Ａのランド２３０ＥＡ，２３０ＧＡからチップ部品誘導路として延在している第１導体パターン２５０ＥＡ、第２導体パターン２５０ＧＡの幅は０．１７５［ｍｍ］とし、長さは０．８［ｍｍ］とした。

図８（ａ）に示すように、第１導体パターン２５０ＥＡ及び第２導体パターン２５０ＧＡは各々ランド２３０ＥＡ、２３０ＧＡから延在しており、互いの間隔はコンデンサ４００の長手方向に対し垂直な方向に向かって狭くなるように延在している。

図８（ｂ）に示すようにスクリーン印刷工程によって、上面視した時にランド２３０ＥＡと誘導部２０８ＥＡ及びランド２３０ＧＡと誘導部２０８ＧＡに対し、印刷版を用いて互いに同寸となるようにはんだペーストを設けた。印刷版の厚みは０．１［ｍｍ］であった。

図８（ｃ）に示すようにはんだ印刷後、誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡ上に塗布されたはんだペーストＰ１、Ｐ２のランドから遠い方向の先端付近にコンデンサ４００を載置した。

図８（ｄ）に示すように、ランド１３０Ｅと２３０ＥＡ、１３０Ｇと２３０ＧＡ、１３０Ｓと２３０ＳＡと、がそれぞれ対向するように半導体装置１００をプリント配線板２００に載置した。このとき、チップ部品誘導路２６０ＥＡ、２６０ＧＡは半導体装置１００の外縁の外側まで延在しており、コンデンサ４００は半導体装置１００の外縁の外側に載置されていた。続いて、図９（ａ）に示すようにリフロー炉内の雰囲気のピーク温度を２３０℃以上としてリフロー加熱し、その後冷却を行った。

図９（ａ），（ｂ）に示すように誘導部２０８ＥＡ、２０８ＧＡ上に塗布したはんだペーストＰ１，Ｐ２はランド２３０ＥＡ、２３０ＧＡに凝集された。はんだペーストＰ１，Ｐ２の凝集とともにコンデンサ４００がはんだ接合部１９１Ａ及び１９２Ａに誘導され、０．６５［ｍｍ］ピッチ間に接合された。

コンデンサ４００はソルダーレジストである誘導部２０８ＥＡ，２０８ＧＡの上を移動したため、プリント配線板２００Ａに段差があるときのような影響を受けることなくコンデンサ４００をはんだ接合部１９１Ａ、１９２Ａまで安定的に移動することができた。

プリント配線板２００Ａのランド２３０ＥＡ及び２３０ＧＡの高さより、チップ部品誘導路の高さが十分に高いため、コンデンサ４００は安定的にはんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａの中心に誘導することができた。また、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａの形状が球形であるため、応力が集中する特異点が発生せず、接合信頼性が向上した。

またプリント配線板２００Ａを上面視したときにチップ部品誘導路２６０ＥＡ，２６０ＧＡの間隔が、コンデンサ４００の長手方向と垂直な方向に向かって狭くなる。これにより、コンデンサ４００の長手サイズよりもピッチが広い半導体装置１００のはんだボール間へ、安定的にコンデンサ４００を引き込み、接合させることが可能となった。さらに、上記構成とすることで、チップ部品の誘導に必要な領域のみチップ部品誘導路を設けることができ、ボール間に形成する配線やＧＮＤパターンを阻害しなかった。

また、コンデンサ４００は、上面視したときに半導体装置１００と重ならない位置に載置されているため、部品搭載後の外観検査により、搭載後の部品欠品や部品ズレ、部品立ち不良の検査による品質管理ができた。

（実施例３）
第２実施形態に対応する実施例３について説明する。実施例３は実施例２と同様に第２実施形態に対応するが、半導体装置１００において、隣り合う２つの接合前のボール端子であるはんだボールＢ１とはんだボールＢ２のピッチが０．４０［ｍｍ］である。はんだボールＢ１とはんだボールＢ３のピッチ及びはんだボールＢ２とはんだボールＢ３のピッチも０．４０［ｍｍ］である。コンデンサ４００は、実施例２と同様に０４０２のチップ部品とした。

半導体装置１００及びプリント配線板２００Ａの各ランド厚さは０．０１５［ｍｍ］、ソルダーレジスト厚さは０．０２０［ｍｍ］とした。導体パターン上面から誘導路となるソルダーレジスト上面までの高さは０．０２０［ｍｍ］とした。チップ部品誘導路の高さは０．３５［ｍｍ］とした。

半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓのサイズはφ０．２４［ｍｍ］とした。また、プリント配線板２００のランド２３０ＥＡ，２３０ＧＡ，２３０ＳＡのサイズはφ０．２４［ｍｍ］とした。

プリント配線板２００Ａのランド２３０ＥＡ，２３０ＧＡからチップ部品誘導路として延在している第１導体パターン２５０ＥＡと第２導体パターン２５０ＧＡの幅は０．１７５［ｍｍ］とし、長さは０．８［ｍｍ］とした。

図１０に実施例３に対応する模式図（工程Ｓ１４）を示す。なお、半導体装置１００のはんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３のみを図示している。

図１０に示すように第１導体パターン２５０ＥＡ及び第２導体パターン２５０ＧＡは各々ランド２３０ＥＡ、２３０ＧＡから延在しており、互いの間隔はコンデンサ４００の長手方向に対し垂直な方向に向かって一定になるように延在している。上面視したときに第１導体パターン２５０ＥＡと第２導体パターン２５０ＧＡが、コンデンサ４００の長手方向に対して垂直に延在している。

スクリーン印刷工程によって、上面視した時にランド２３０ＥＡと誘導部２０８ＥＡ及びランド２３０ＧＡと誘導部２０８ＧＡに対し、印刷版を用いて互いに同寸となるようにはんだペーストを設けた。印刷版の厚みは０．１［ｍｍ］であった。

その後の製造工程は実施例２と同様にして実施例３の処理モジュール３００Ａを製造した。

コンデンサ４００の長手方法の寸法と、半導体装置１００のはんだボールピッチが同寸の場合でも、導体パターン２５０ＥＡ，２５０ＧＡをコンデンサ４００の長手方向に対して垂直に延在することで、実施例２と同等の効果を得ることができた。

なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。また、実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載されたものに限定されない。

上述の実施形態では、チップ部品がコンデンサ４００である場合について説明したが、これに限定するものではない。チップ部品が抵抗器又はインダクタなどの受動部品であってもよい。

上述の実施形態では、予め、ランド２３０ＳにはんだボールＢ３が設けられている半導体装置１００を用意するについて説明したが、これに限定するものではない。即ち、半導体装置１００を用意する工程において、ランド２３０ＳにはんだボールＢ３を設けるようにしてもよい。

１００ 半導体装置
１０１ 半導体素子
１０２ パッケージ基板
１０６ 封止樹脂
１０８ ソルダーレジスト
１２０ 絶縁基板
１２１ 主面
１２２ 主面
１３０Ｅ ランド（第１ランド）
１３０Ｇ ランド（第２ランド）
１３０Ｓ ランド（第６ランド）
１９１／１９１Ａ はんだ接合部（第１はんだ）
１９２／１９２Ａ はんだ接合部（第２はんだ）
１９３／１９３Ａ はんだ接合部（第３はんだ）
２００／２００Ａ プリント配線板
２０８／２０８Ａ ソルダーレジスト
２０８Ｅ／２０８ＥＡ 誘導部
２０８Ｇ／２０８ＧＡ 誘導部
２２０／２２０Ａ 絶縁基板
２２１／２２１Ａ 主面
２２２／２２２Ａ 主面
２３０Ｅ／２３０ＥＡ ランド（第３ランド）
２３０Ｇ／２３０ＧＡ ランド（第４ランド）
２３０Ｓ／２３０ＳＡ ランド（第５ランド）
２５０Ｅ／２５０ＥＡ 第１導体パターン
２５０Ｇ／２５０ＧＡ 第２導体パターン
２６０Ｅ／２６０ＥＡ 第１チップ部品誘導路
２６０Ｇ／２６０ＧＡ 第２チップ部品誘導路
３００／３００Ａ 処理モジュール（半導体モジュール）
４００ コンデンサ（チップ部品）
４１０ 電極（第１電極）
４２０ 電極（第２電極）
６００ デジタルカメラ（電子機器）
６１１ 筐体
Ｆ１／Ｆ２ フラックス

Claims (20)

1. 第１ランド及び第２ランドを有する半導体装置と、
   絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置された複数の開口及び複数の誘導部を有するソルダーレジストと、前記絶縁基板の主面に配置された前記開口により露出された第３ランド及び第４ランドと、を有するプリント配線板と、
   長手方向に間隔を空けて配置された第１電極及び第２電極を有し、前記プリント配線板及び前記半導体装置の間に配置されたチップ部品と、
   前記第１ランドと、前記第３ランド及び前記第１電極と、を接合する第１はんだと、
   前記第２ランドと、前記第４ランド及び前記第２電極と、を接合する第２はんだと、
   前記絶縁基板の主面に配置された、前記第３ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第１方向に延在する第１導体パターンと、
   前記絶縁基板の主面に配置された、前記第４ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第２方向に延在する第２導体パターンと、を有し、
   前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの各々が前記ソルダーレジストの前記誘導部に覆われ、前記チップ部品を前記第１はんだ及び前記第２はんだへ誘導する部品誘導路を形成していることを特徴とする半導体モジュール。
2. 前記絶縁基板の主面は、前記第３ランドよりも前記主面の外縁の近くに配置された複数の第５ランドを有し、
   前記第１導体パターンの前記第１方向における長さが、前記チップ部品の短手方向の長さの半分より長く、前記第３ランド及び前記第５ランドの最短距離より短く、
   前記第２導体パターンの前記第２方向における長さが、前記チップ部品の短手方向の長さの半分より長く、前記第４ランド及び前記第５ランドの最短距離より短い請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 前記第１ランド及び前記第２ランドは各々、最外周に配置されたランドであり、
   前記第１導体パターンの前記第１方向における長さが、前記チップ部品の短手方向の長さの半分より長く、
   前記第２導体パターンの前記第２方向における長さが、前記チップ部品の短手方向の長さの半分より長く、
   前記半導体モジュールを上面視した際に、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンが前記半導体装置の外側まで延在している請求項１に記載の半導体モジュール。
4. 前記半導体装置は、前記第１ランド及び／又は前記第２ランドに隣接する第６ランドを有し、
   前記半導体モジュールは、前記第６ランド及び前記第５ランドと、を接合する第３はんだをさらに有し、
   前記第１はんだの体積及び前記第２はんだの体積は、前記第３はんだの体積より大きい請求項２または３に記載の半導体モジュール。
5. 前記第１はんだの体積及び前記第２はんだの体積は、前記第３はんだの体積の１．２倍以上である請求項４に記載の半導体モジュール。
6. 前記第１はんだの体積及び前記第２はんだの体積は、前記第３はんだの体積の４倍未満である請求項４または５に記載の半導体モジュール。
7. 前記第３ランドと、前記第４ランド及び前記第５ランドのうち面積が最小のランドの面積に対する、面積が最大のランドの面積が１．１倍以下である請求項４乃至６のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
8. 前記ソルダーレジストの前記誘導部の上に、フラックスが配置されている請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
9. 前記フラックスが、前記ソルダーレジストの上において前記誘導部の上のみに配置されている請求項８に記載の半導体モジュール。
10. 前記チップ部品が、前記半導体装置及び前記プリント配線板に対し、空隙を介して配置されている請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
11. 前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは配線と接続されていない請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
12. 前記第１導体パターンの幅は、前記チップ部品の前記長手方向における前記第１電極の長さ以上であり、
    前記第２導体パターンの幅は、前記チップ部品の前記長手方向における前記第２電極の長さ以上である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
13. 前記第１導体パターンは、前記第３ランドから延在するにつれて前記第２導体パターンに近づく方向に延在している請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
14. 前記第１ランドが電源端子、前記第２ランドがグラウンド端子である請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
15. 前記チップ部品は、０４０２サイズ以下のチップ部品である請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
16. 前記チップ部品がコンデンサであることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
17. 前記半導体装置は、各ランドの間隔が０．４ｍｍ以下であるＢＧＡの半導体パッケージである請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
18. 半導体装置と、プリント配線板及びチップ部品と、はんだで接合して半導体モジュールを製造する方法であって、
    前記半導体装置は、第１ランドと前記第１ランドに接続された第１はんだボールと、第２ランドと前記第２ランドに接続された第２はんだボールと、を有し、
    前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に、複数の開口及び複数の誘導部を有するソルダーレジストと、前記開口により露出された第３ランド及び第４ランドと、前記第３ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第１方向に延在する前記誘導部に覆われた第１導体パターンと、前記第４ランドから前記チップ部品の長手方向と交差する第２方向に延在する前記誘導部に覆われた第２導体パターンと、が配置され、
    前記チップ部品は、長手方向に間隔を空けて配置された第１電極及び第２電極を有し、
    前記半導体装置と、前記プリント配線板及び前記チップ部品と、を用意する工程と、
    前記誘導部と、前記第３ランド及び前記第４ランドの各々にはんだペーストを設ける工程と、
    前記誘導部に設けられたはんだペーストと、前記第１の電極及び前記第２の電極と、が接するように前記チップ部品を載置する工程と、
    前記第３ランドに設けられたはんだペーストと前記第１はんだボール、前記第４ランドに設けられたはんだペーストと前記第２はんだボール、が各々接するように前記半導体装置を載置する工程と、
    前記はんだペーストと、前記第１はんだボール及び前記第２はんだボールと、を加熱溶融し、溶融した前記第１はんだボール及び前記第２はんだボールまで前記チップ部品を移動させる工程と、
    前記溶融した第１はんだボール及び前記第２はんだボールを冷却固化し、前記第１ランドと前記第３ランド及び前記第１電極とを接合する第１はんだと、前記第２ランドと前記第４ランド及び前記第２電極とを接合する第２はんだと、を形成する工程と、
    を有することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
19. 絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置された複数の開口及び複数の誘導部を有するソルダーレジストと、前記絶縁基板の主面に配置された前記開口により露出された第３ランド及び第４ランドと、を有するプリント配線板であって、
    前記絶縁基板の主面に配置された、前記第３ランドから前記第４ランドに接触しないように第１方向に延在する第１導体パターンと、
    前記絶縁基板の主面に配置された、前記第４ランドから前記第３ランドに接触しないように第２方向に延在する第２導体パターンと、を有し、
    前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの各々が前記ソルダーレジストの前記誘導部に覆われ、チップ部品を前記第３ランド及び前記第４ランドへ誘導する部品誘導路を形成していることを特徴とするプリント配線板。
20. 筐体と、
    前記筐体の内部に配置された、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体モジュールと、を備えることを特徴とする電子機器。

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