JP2024066991A - 電子モジュール、電子機器、及び電子モジュールの製造方法 - Google Patents

電子モジュール、電子機器、及び電子モジュールの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ショート不良の発生を低減する上で有利な電子モジュール及びその製造方法並びに電子機器を提供する。【解決手段】電子モジュール３００は、第１実装面に、第１パッド２３０Ｅと、第２パッド２３０Ｇと、第１パッド２３０Ｅ及び第２パッド２３０Ｇを画定する第１絶縁部材（ソルダーレジスト）２０８と、を有する第１配線部品（配線板）２００と、第１電極４１０及び第２電極４２０を有し、第１実装面の上に表面実装された第１電子部品４００と、第１パッド２３０Ｅ及び第１電極４１０を互いに接合する第１接合部材３５０Ｅと、第２パッド２３０Ｇ及び第２電極４２０を互いに接合する第２接合部材３５０Ｇと、を備え、第１電極４１０及び第２電極４２０は、第１実装面のうち第１絶縁部材２０８で形成された絶縁領域の上に位置しており、第１電極４１０と第１絶縁部材２０８との間の距離は、第１電極４１０と第１パッド２３０Ｅとの間の距離よりも小さい。【選択図】図５

Description

本開示は、電子モジュール、電子機器、及び電子モジュールの製造方法に関する。
電子モジュールを有する電子機器においては、伝送信号の高速化及び低電圧化が進んでおり、電子モジュールにて生じるノイズを低減することが求められている。特許文献１及び特許文献２には、ノイズを低減する手段の１つとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の半導体装置と配線板との間に、バイパスコンデンサ等のチップ部品を実装する技術が開示されている。
特開２０２０－２０５４０９号公報 国際公開第２００５／０２４９４５号
しかし、電子モジュールを製造する際に、電子部品の電極を配線板に接合する接合部材が、別の接合部材にショートするショート不良が発生することがあった。
本開示は、ショート不良の発生を低減する上で有利な技術を提供する。
本開示の第１態様は、第１実装面に、第１パッドと、第２パッドと、前記第１パッド及び前記第２パッドを画定する第１絶縁部材と、を有する第１配線部品と、第１電極及び第２電極を有し、前記第１実装面の上に表面実装された第１電子部品と、前記第１パッド及び前記第１電極を互いに接合する第１接合部材と、前記第２パッド及び前記第２電極を互いに接合する第２接合部材と、を備え、前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１実装面のうち前記第１絶縁部材で形成された絶縁領域の上に位置しており、前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、前記第１電極と前記第１パッドとの間の距離よりも小さい、ことを特徴とする電子モジュールである。
本開示の第２態様は、電子モジュールの製造方法であって、配線部品の第１パッドの上から前記配線部品の絶縁部材の上に亘って第１はんだペーストを供給し、かつ前記配線部品の第２パッドの上から前記配線部品の前記絶縁部材の上に亘って第２はんだペーストを供給し、電子部品の第１電極が前記第１はんだペーストにおける前記絶縁部材の上の部分と接触し、かつ前記電子部品の第２電極が前記第２はんだペーストにおける前記絶縁部材の上の部分と接触するように、前記電子部品を前記配線部品の上に載置し、前記電子部品が前記絶縁部材に押し付けられた状態で、前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストを加熱して溶融させて、第１溶融はんだ及び第２溶融はんだを形成し、かつ、前記第１溶融はんだ及び前記第２溶融はんだを冷却して固化させることで、前記第１電極及び前記第２電極が前記絶縁部材の上に位置した状態で、前記第１電極及び前記第２電極を前記配線部品に接合する第１接合部材及び第２接合部材を形成する、ことを特徴とする電子モジュールの製造方法である。
本開示によれば、ショート不良の発生を低減する上で有利な技術が提供される。
第１実施形態に係る電子機器の一例としての撮像装置であるデジタルカメラの説明図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの斜視図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの断面図である。 （ａ）は第１実施形態に係る配線板及び電子部品の平面図である。（ｂ）は第１実施形態に係るパッケージ基板及び電子部品の平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第１実施形態に係る処理モジュールの断面図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの分解斜視図である。 （ａ）～（ｃ）は第１実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 （ａ）～（ｃ）は第１実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 第１実施形態に係る電子部品及び電子部品の周囲の拡大断面図である。 （ａ）は第１実施形態の変形例１の処理モジュールの断面図である。（ｂ）は第１実施形態の変形例２の処理モジュールに含まれる配線板の説明図である。 第２実施形態に係る処理モジュールの断面図である。 （ａ）は第２実施形態に係る配線板及び電子部品の平面図である。（ｂ）は第２実施形態に係るパッケージ基板及び電子部品の平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第２実施形態に係る処理モジュールの断面図である。 第２実施形態に係る処理モジュールの分解斜視図である。 （ａ）～（ｃ）は第２実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 （ａ）～（ｃ）は第２実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 第２実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 比較例の処理モジュールの一部分の平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は実施例１，２及び比較例の実験結果を示すグラフである。
以下、本開示の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る電子機器の一例としての撮像装置であるデジタルカメラ６００の説明図である。デジタルカメラ６００は、レンズ交換式のデジタルカメラであり、カメラ本体６０１を備える。カメラ本体６０１には、レンズを含むレンズユニット（レンズ鏡筒）６０２が着脱可能となっている。カメラ本体６０１は、筐体６１１と、筐体６１１の内部に配置された、処理モジュール３００及びセンサモジュール９００と、を備えている。第１実施形態において、処理モジュール３００は、電子モジュールの一例である。処理モジュール３００とセンサモジュール９００とはケーブル９５０で電気的に接続されている。
センサモジュール９００は、イメージセンサ７００と、配線板８００と、を有する。イメージセンサ７００は、配線板８００に実装されている。配線板８００は、例えばリジッド配線板であり、プリント配線板である。イメージセンサ７００は、半導体装置であり、例えばＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ又はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサである。イメージセンサ７００は、レンズユニット６０２を介して入射した光を電気信号に変換する機能を有する。
処理モジュール３００は、配線板２００と、配線板２００に実装された半導体装置１００と、を有する。配線板２００は、第１配線部品の一例であり、半導体装置１００は、第２配線部品の一例である。配線部品は、配線を有する部品であれば、配線以外の機能部材をさらに有していてもよい。第１実施形態において、半導体装置１００は、集積回路部品である。半導体装置１００は、例えばデジタルシグナルプロセッサであり、イメージセンサ７００から電気信号を取得し、取得した電気信号を補正する処理を行い、画像データを生成する機能を有する。
図２は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の斜視図である。配線板２００は、実装面２０１を有する。実装面２０１は、第１実装面の一例である。半導体装置１００は、複数の接合部材３５０で配線板２００に接合されている。各接合部材３５０は、接合材として主にはんだを含む導電性の部材である。各接合部材３５０は、添加物、例えばはんだ以外の金属、半金属又は絶縁物を含んでもよい。
半導体装置１００は、エリアアレイの半導体パッケージであり、第１実施形態では、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の半導体パッケージである。配線板２００は、プリント配線板であり、リジッド配線板である。なお、図示は省略するが、配線板２００には、配線板２００を介して半導体装置１００に電力を供給する電源回路が実装されている。
図３は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の断面図である。図３には、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う処理モジュール３００の断面の一部が図示されている。半導体装置１００は、配線板２００の実装面２０１に対向する実装面１０３を有する。実装面１０３は、第２実装面の一例である。配線板２００の実装面２０１と半導体装置１００の実装面１０３とは、複数の接合部材３５０で電気的及び機械的に接続されている。半導体装置１００は、パッケージ基板１０２と、パッケージ基板１０２に実装された半導体素子１０１と、を有する。パッケージ基板１０２は、プリント配線板であり、リジッド配線板である。
第１実施形態において、処理モジュール３００は、複数の電子部品を有する。図３には、複数の電子部品のうち、１つの電子部品４００が図示されている。電子部品４００は、第１電子部品の一例である。電子部品４００は、配線板２００の実装面２０１の上及び実装面１０３の上に表面実装されている。なお、複数の電子部品には、２つ以上の電子部品４００が含まれていてもよい。電子部品４００は、コンデンサ、抵抗器、又はインダクタなどの受動部品である。電子部品４００は、コンデンサであることが好ましく、ノイズ発生の原因となる半導体装置１００の近くに配置されていることが好ましい。即ち、電子部品４００は、半導体装置１００に対してバイパスコンデンサとして機能させることが好ましく、半導体装置１００と配線板２００との間に配置されていることが好ましい。電子部品４００は、チップ部品であり、半導体装置１００と配線板２００との間の狭い領域に配置されることが可能である。
配線板２００は、絶縁基板２２０及びソルダーレジスト２０８を含む絶縁体２１０を有する。絶縁基板２２０は、主面２２１と、主面２２１とは反対側の主面２２２と、を有する。配線板２００は、第１配線板の一例である。絶縁体２１０は、第１絶縁体の一例である。ソルダーレジスト２０８は、第１絶縁部材の一例である。絶縁基板２２０は、第１絶縁基板の一例である。主面２２１は、第１主面の一例である。配線板２００は、絶縁基板２２０の主面２２１とソルダーレジスト２０８との間に配置された、第１導電体層の一例である導電体層２０５を有する。導電体層２０５は、絶縁基板２２０の主面２２１上に互いに間隔をあけて配置された複数のパッド２３０を有する。複数のパッド２３０は、絶縁体２１０、即ちソルダーレジスト２０８で画定されている。実装面２０１は、絶縁体２１０で形成された絶縁領域Ｒ１と、パッド２３０で形成された導電領域とを有する。第１実施形態では、実装面２０１の絶縁領域Ｒ１は、ソルダーレジスト２０８で形成されている。なお、ソルダーレジスト２０８が省略される場合、絶縁基板２２０が第１絶縁部材であり、実装面２０１の絶縁領域Ｒ１は、絶縁基板２２０で形成される。
複数のパッド２３０のうち互いに最も近接する２つのパッド２３０のピッチは、０．７ｍｍ以下である。２つのパッド２３０のピッチとは、２つのパッド２３０の中心間距離である。複数のパッド２３０は、高密度に配列されることが好ましく、互いに最も近接する２つのパッド２３０のピッチは、０．４ｍｍ以下であることが好ましい。複数のパッド２３０の配列パターンは、格子状、即ちマトリックス状であってもよいし、千鳥状であってもよい。第１実施形態では、複数のパッド２３０は、格子状に配列されている。
ここで、実装面２０１および／または主面２２１に平行な方向をＸ方向及びＹ方向とし、実装面２０１および／または主面２２１に垂直な方向をＺ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は互いに交差する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は互いに直交することが好ましい。Ｚ方向は、電子部品４００の高さ方向でもある。Ｚ方向のうち、半導体装置１００から配線板２００に向かう方向をＺ１方向とし、Ｚ１方向とは反対の方向であり、配線板２００から半導体装置１００に向かう方向をＺ２方向とする。
各パッド２３０は、配線板２００に含まれる導体パターンにおいて接合に用いられる部分をいい、導電性を有していればよい。各パッド２３０の材質は、例えば銅又は金などの金属である。各パッド２３０は、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。絶縁基板２２０は、電気的絶縁性を有していればよい。絶縁基板２２０の材質は、エポキシ樹脂等の絶縁材料である。
図４（ａ）は、第１実施形態に係る配線板２００及び電子部品４００の平面図である。図４（ａ）には、Ｚ１方向に視た配線板２００及び電子部品４００が図示されている。複数のパッド２３０には、電源端子となるパッド２３０Ｅと、グラウンド端子となるパッド２３０Ｇと、パッド２３０Ｅ，２３０Ｇ以外の複数のパッド２３０Ｓと、が含まれている。パッド２３０Ｅは、第１パッドの一例である。パッド２３０Ｇは、第２パッドの一例である。各パッド２３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子となるパッドである。パッド２３０Ｅとパッド２３０Ｇとは、Ｘ方向において互いに隣接している。複数のパッド２３０Ｓは、パッド２３０Ｅ及びパッド２３０Ｇの周囲に配置されている。
複数のパッド２３０Ｓのうち、Ｙ方向においてパッド２３０Ｅと最も近接するパッド２３０Ｓをパッド２３０Ｓ１とする。パッド２３０Ｓ１は、第５パッドの一例である。複数のパッド２３０Ｓのうち、Ｙ方向においてパッド２３０Ｇと最も近接するパッド２３０Ｓをパッド２３０Ｓ２とする。パッド２３０Ｓ２は、第６パッドの一例である。パッド２３０Ｓ１とパッド２３０Ｓ２とは、Ｘ方向において互いに隣接している。
なお、複数のパッド２３０Ｓに、Ｙ方向においてパッド２３０Ｅと最も近接する２つのパッドが含まれる場合、２つのパッドのうち一方をパッド２３０Ｓ１とする。同様に、複数のパッド２３０Ｓに、Ｙ方向においてパッド２３０Ｇと最も近接する２つのパッドが含まれる場合、２つのパッドのうち一方をパッド２３０Ｓ２とする。この際、パッド２３０Ｓ１とパッド２３０Ｓ２とは、Ｘ方向において互いに隣接している。
パッド２３０Ｅ，２３０Ｇ，２３０Ｓ１，２３０Ｓ２のそれぞれは、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、円形状である。また、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、パッド２３０Ｅ，２３０Ｇ，２３０Ｓ１，２３０Ｓ２のそれぞれの面積は、互いに同一である。第１実施形態では、各パッド２３０は、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、円形状である。また、第１実施形態では、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、各パッド２３０の面積は、互いに同一である。ここで、パッド２３０とは、絶縁体２１０上に設けられた導体パターンにおいてソルダーレジスト２０８を含む絶縁体２１０に覆われていない部分である。パッド２３０の形状とは、導体パターンにおいて絶縁体２１０に覆われていない部分の形状である。また、パッド２３０の面積は、導体パターンにおいて絶縁体２１０に覆われていない部分の面積である。
ソルダーレジスト２０８は、第１ソルダーレジストの一例である。ソルダーレジスト２０８は、ソルダーレジスト材などの有機絶縁材で構成された有機絶縁膜である。ソルダーレジスト２０８は、主面２２１上に設けられている。
複数のパッド２３０は、ソルダーレジスト２０８に形成された複数の開口によりそれぞれ露出されている。パッド２３０は、ＳＭＤ（ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ）又はＮＳＭＤ（ｎｏｎ－ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ）のいずれのパッドであってもよいが、第１実施形態ではＳＭＤのパッドである。なお、配線板２００において、ソルダーレジスト２０８は省略されていてもよい。
図３に示すように、パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０及びソルダーレジスト１０８を含む絶縁体１１０を有する。絶縁体１１０は、第２絶縁体の一例である。ソルダーレジスト１０８は、第２絶縁部材の一例である。絶縁基板１２０は、主面１２１と、主面１２１とは反対側の主面１２２と、を有する。パッケージ基板１０２は、第２配線板の一例である。パッケージ基板１０２は、インターポーザーであってもよい。絶縁基板１２０は、第２絶縁基板の一例である。主面１２１は、第２主面の一例である。ここで、Ｘ方向及びＹ方向は、実装面１０３、および主面１２１に平行な方向でもあり、Ｚ方向は、実装面１０３、主面１２１に垂直な方向でもある。
半導体素子１０１は、例えば半導体チップである。半導体素子１０１は、フェイスアップ又はフェイスダウンで絶縁基板１２０の主面１２２に実装されることが好ましく、第１実施形態ではフェイスダウンで絶縁基板１２０の主面１２２に実装されている。
半導体素子１０１は、複数の電源端子、複数のグラウンド端子、及び複数の信号端子を含んでいる。半導体素子１０１に含まれる各端子は、ワイヤーボンディング又はフリップチップボンディングでパッケージ基板１０２に接合されている。なお、図示は省略するが、半導体素子１０１の上面に放熱板が配置されていてもよい。
絶縁基板１２０の主面１２２上には、半導体素子１０１を封止する封止樹脂１０６が設けられている。パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０の主面１２１とソルダーレジスト１０８との間に配置された、第２導電体層の一例である導電体層１０５を有する。導電体層１０５は、絶縁基板１２０の主面１２１上に互いに間隔をあけて配置された複数のパッド１３０を有する。複数のパッド１３０は、絶縁体１１０、即ちソルダーレジスト１０８で画定されている。実装面１０３は、絶縁体１１０のソルダーレジスト１０８で形成された絶縁領域Ｒ２と、パッド１３０で形成された導電領域とを有する。第１実施形態では、実装面１０３の絶縁領域Ｒ２は、ソルダーレジスト１０８で形成されている。なお、ソルダーレジスト１０８が省略される場合、絶縁基板１２０が第２絶縁部材であり、実装面１０３の絶縁領域Ｒ２は、絶縁基板１２０で形成される。
複数のパッド１３０のうち互いに最も近接する２つのパッド１３０のピッチは、０．７ｍｍ以下である。２つのパッド１３０のピッチとは、２つのパッド１３０の中心間距離である。複数のパッド１３０が高密度に配列されることが好ましく、互いに最も近接する２つのパッド１３０のピッチは、０．４ｍｍ以下であることが好ましい。複数のパッド１３０の配列パターンは、格子状、即ちマトリックス状であってもよいし、千鳥状であってもよい。第１実施形態では、複数のパッド１３０は、格子状に配列されている。
各パッド１３０は、パッケージ基板１０２に含まれる導体パターンにおいて接合に用いられる部分をいい、導電性を有していればよい。各パッド１３０の材質は、例えば銅又は金などの金属である。各パッド１３０は、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。絶縁基板１２０は、電気的絶縁性を有していればよい。絶縁基板１２０の材質は、例えばアルミナ等のセラミックでありうるし、ガラスエポキシなどの樹脂板でありうる。
図４（ｂ）は、第１実施形態に係るパッケージ基板１０２及び電子部品４００の平面図である。図４（ｂ）には、Ｚ２方向に視たパッケージ基板１０２及び電子部品４００が図示されている。複数のパッド１３０には、電源端子となるパッド１３０Ｅと、グラウンド端子となるパッド１３０Ｇと、パッド１３０Ｅ，１３０Ｇ以外の複数のパッド１３０Ｓと、が含まれている。パッド１３０Ｅは、第３パッドの一例である。パッド１３０Ｇは、第４パッドの一例である。各パッド１３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子となるパッドである。パッド１３０Ｅとパッド１３０Ｇとは、Ｘ方向において互いに隣接している。複数のパッド１３０Ｓは、パッド１３０Ｅ及びパッド１３０Ｇの周囲に配置されている。
複数のパッド１３０Ｓのうち、Ｙ方向においてパッド１３０Ｅと最も近接するパッド１３０Ｓをパッド１３０Ｓ１とする。パッド１３０Ｓ１は、第７パッドの一例である。複数のパッド１３０Ｓのうち、Ｙ方向においてパッド１３０Ｇと最も近接するパッド１３０Ｓをパッド１３０Ｓ２とする。パッド１３０Ｓ２は、第８パッドの一例である。パッド１３０Ｓ１とパッド１３０Ｓ２とは、Ｘ方向において互いに隣接している。
なお、複数のパッド１３０Ｓに、Ｙ方向においてパッド１３０Ｅと最も近接する２つのパッドが含まれる場合、２つのパッドのうち一方をパッド１３０Ｓ１とする。同様に、複数のパッド１３０Ｓに、Ｙ方向においてパッド１３０Ｇと最も近接する２つのパッドが含まれる場合、２つのパッドのうち一方をパッド１３０Ｓ２とする。この際、パッド１３０Ｓ１とパッド１３０Ｓ２とは、Ｘ方向において互いに隣接している。
パッド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓ１，１３０Ｓ２のそれぞれは、Ｚ方向に視て、即ちＺ２方向に視て、円形状である。また、Ｚ方向に視て、即ちＺ２方向に視て、パッド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓ１，１３０Ｓ２のそれぞれの面積は、互いに同一である。第１実施形態では、各パッド１３０は、Ｚ方向に視て、即ちＺ２方向に視て、円形状である。また、第１実施形態では、Ｚ方向に視て、即ちＺ２方向に視て、各パッド１３０の面積は、互いに同一である。ここで、パッド１３０とは、絶縁体１１０上に設けられた導体パターンにおいてソルダーレジスト１０８を含む絶縁体１１０に覆われていない部分である。パッド１３０の形状とは、導体パターンにおいて絶縁体１１０に覆われていない部分の形状である。また、パッド１３０の面積は、導体パターンにおいて絶縁体１１０に覆われていない部分の面積である。
ソルダーレジスト１０８は、第２ソルダーレジストの一例である。ソルダーレジスト１０８は、ソルダーレジスト材などの有機絶縁材で構成された有機絶縁膜である。ソルダーレジスト１０８は、主面１２１上に設けられている。
複数のパッド１３０は、ソルダーレジスト１０８に形成された複数の開口によりそれぞれ露出されている。パッド１３０は、ＳＭＤ又はＮＳＭＤのいずれのパッドであってもよいが、第１実施形態ではＳＭＤのパッドである。なお、パッケージ基板１０２において、ソルダーレジスト１０８は省略されていてもよい。
パッド１３０Ｅは、絶縁基板１２０に形成された不図示のヴィア導体を介して半導体素子１０１の電源端子に電気的に接続されている。パッド１３０Ｇは、絶縁基板１２０に形成された不図示のヴィア導体を介して半導体素子１０１のグラウンド端子に電気的に接続されている。
複数のパッド２３０と複数のパッド１３０とは、それぞれＺ方向において互いに対向している。即ち、パッド２３０Ｅとパッド１３０Ｅとは、Ｚ方向において互いに対向している。パッド２３０Ｇとパッド１３０Ｇとは、Ｚ方向において互いに対向している。パッド２３０Ｓ１とパッド１３０Ｓ１とは、Ｚ方向において互いに対向している。パッド２３０Ｓ２とパッド１３０Ｓ２とは、Ｚ方向において互いに対向している。
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の断面図である。図５（ａ）には、図３のＶＡ－ＶＡ線に沿う処理モジュール３００の断面が図示されている。図５（ｂ）には、図３のＶＢ－ＶＢ線に沿う処理モジュール３００の断面が図示されている。
配線板２００のパッド２３０Ｅとパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｅとは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｅで互いに接合されている。配線板２００のパッド２３０Ｇとパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｇとは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｇで互いに接合されている。接合部材３５０Ｅは、第１接合部材の一例であり、接合部材３５０Ｇは、第２接合部材の一例である。
配線板２００のパッド２３０Ｓとパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｓとは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｓで互いに接合されている。特に、配線板２００のパッド２３０Ｓ１とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｓ１とは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｓ１で互いに接合されている。また、配線板２００のパッド２３０Ｓ２とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｓ２とは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｓ２で互いに接合されている。
したがって、パッド１３０は、接合部材３５０を介してパッド２３０に電気的に接続されている。即ち、パッド１３０Ｅは、接合部材３５０Ｅを介してパッド２３０Ｅに電気的に接続されている。パッド１３０Ｇは、接合部材３５０Ｇを介してパッド２３０Ｇに電気的に接続されている。パッド１３０Ｓは、接合部材３５０Ｓを介してパッド２３０Ｓに電気的に接続されている。特に、パッド１３０Ｓ１は、接合部材３５０Ｓ１を介してパッド２３０Ｓ１に電気的に接続されている。また、パッド１３０Ｓ２は、接合部材３５０Ｓ２を介してパッド２３０Ｓ２に電気的に接続されている。
電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０は、電極４１０とパッド２３０Ｅとの間の距離Ｄ５０よりも小さい。電極４１０は、ソルダーレジスト２０８に接触していてもよい。電極４１０がソルダーレジスト２０８に接触している場合、距離Ｄ４０はゼロである。また、電極４２０とソルダーレジスト２０８との間の距離は、電極４２０とパッド２３０Ｇとの間の距離よりも小さい。電極４２０は、ソルダーレジスト２０８に接触していてもよい。電極４２０がソルダーレジスト２０８に接触している場合、電極４２０とソルダーレジスト２０８との間の距離はゼロである。
電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、電極４１０とパッド１３０Ｅとの間の距離Ｄ７０よりも小さい。電極４１０は、ソルダーレジスト１０８に接触していてもよい。電極４１０がソルダーレジスト１０８に接触している場合、距離Ｄ６０はゼロである。電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、電極４２０とパッド１３０Ｇとの間の距離よりも小さい。電極４２０は、ソルダーレジスト１０８に接触していてもよい。電極４２０がソルダーレジスト１０８に接触している場合、電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離はゼロである。
電子部品４００の平面視のサイズは、０．４ｍｍ×０．２ｍｍである０４０２サイズ、又は０．２５ｍｍ×０．１２５ｍｍである０２０１サイズなど、０４０２サイズ以下が好適である。なお、０４０２サイズ、０２０１サイズ等の表記は、日本産業規格（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）における電子部品のサイズ表記方法（ｍｍ基準）に準じている。
電子部品４００は、長手方向に延びる略直方体形状の素体４０１と、素体４０１の長手方向の両側に間隔をあけて配置された一対の電極４１０，４２０と、を有する。一対の電極４１０，４２０は、長手方向に間隔をあけた状態で素体４０１に固定されている。図５（ｂ）において、電子部品４００、即ち素体４０１の長手方向は、Ｘ方向と平行となっている。電子部品４００、即ち素体４０１の短手方向はＹ方向と平行となっている。Ｙ方向は、Ｘ方向に直交する方向であり、電子部品４００の幅方向、素体４０１の幅方向、電極４１０の幅方向、電極４２０の幅方向でもある。Ｚ方向は、電子部品４００の高さ方向、即ち素体４０１の高さ方向でもある。Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向である。Ｚ方向は、主面１２１，１２２，２２１，２２２に垂直な方向でもある。
一対の電極４１０，４２０のうちの一方の電極４１０は、第１電極の一例であり、他方の電極４２０は、第２電極の一例である。各電極４１０，４２０は、下地と、下地を覆う外皮膜と、を含む。電極４１０，４２０の外皮膜の材質は、スズ等の導電性を有する金属材料である。
電子部品４００の電極４１０は、接合部材３５０Ｅに接触している。即ち、電極４１０は、接合部材３５０Ｅでパッド２３０Ｅ及びパッド１３０Ｅに接合されている。これにより、電極４１０は、パッド２３０Ｅ及びパッド１３０Ｅに電気的に接続されている。また、電子部品４００の電極４２０は、接合部材３５０Ｇに接触している。即ち、電極４２０は、接合部材３５０Ｇでパッド２３０Ｇ及びパッド１３０Ｇに接合されている。これにより、電極４２０は、パッド２３０Ｇ及びパッド１３０Ｇに電気的に接続されている。このような接続構造により、電子部品４００は、半導体装置１００、即ち半導体素子１０１に対してバイパスコンデンサとして機能させることができる。
図６は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の分解斜視図である。なお、図６において、説明の都合上、一部の構成を半透明で図示している。電子部品４００は、実装面１０３のうち、ソルダーレジスト１０８で形成された絶縁領域Ｒ２の一部の領域１０８Ｒの上、及び実装面２０１のうち、ソルダーレジスト２０８で形成された絶縁領域Ｒ１の一部の領域２０８Ｒの上に位置する。即ち、電極４１０，４２０は、領域１０８Ｒの上に位置し、かつ領域２０８Ｒの上に位置する。電子部品４００の各電極４１０，４２０は、領域２０８Ｒに部分的に接触してもよく、領域１０８Ｒに部分的に接触してもよい。
電極４１０は、３つの側面４１１，４１２，４１３、上面４１４及び下面４１５を有する。各面４１１～４１５は、電極面である。側面４１１、側面４１２、側面４１３、上面４１４及び下面４１５は、それぞれの面に垂直な方向に視て、矩形状である。３つの側面４１１，４１２，４１３のうち、２つの側面４１２，４１３は、Ｙ方向に互いに間隔をあけて互いに対向している。上面４１４と下面４１５とは、Ｚ方向に互いに間隔をあけて互いに対向している。側面４１１は、側面４１２、側面４１３、上面４１４及び下面４１５と接触し、側面４１２、側面４１３、上面４１４及び下面４１５と直交して隣接している。
電極４２０は、３つの側面４２１，４２２，４２３、上面４２４及び下面４２５を有する。各面４２１～４２５は、電極面である。側面４２１、側面４２２、側面４２３、上面４２４及び下面４２５は、それぞれの面に垂直な方向から見て、矩形状である。３つの側面４２１，４２２，４２３のうち、２つの側面４２２，４２３は、Ｙ方向に互いに間隔をあけて互いに対向している。上面４２４と下面４２５とは、Ｚ方向に互いに間隔をあけて互いに対向している。側面４２１は、側面４２２、側面４２３、上面４２４及び下面４２５と接触し、側面４２２、側面４２３、上面４２４及び下面４２５と直交して隣接している。電極４１０の側面４１１と電極４２０の側面４２１とは、Ｘ方向に間隔をあけて互いに対向している。
電極４１０の上面４１４は、ソルダーレジスト１０８におけるパッド１３０Ｅ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。電極４１０の下面４１５は、ソルダーレジスト２０８におけるパッド２３０Ｅ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。
電極４２０の上面４２４は、ソルダーレジスト１０８におけるパッド１３０Ｇ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。電極４２０の下面４２５は、ソルダーレジスト２０８におけるパッド２３０Ｇ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。
そして、電子部品４００の電極４１０及び４２０は、絶縁体２１０と絶縁体１１０とに挟まれている。即ち、電子部品４００の電極４１０及び４２０は、ソルダーレジスト１０８とソルダーレジスト２０８とに挟まれている。電子部品４００は、配線板２００及び半導体装置１００の少なくとも一方に接触してもよい。電極４１０の上面４１４は、絶縁体１１０、即ちソルダーレジスト１０８に接触してもよく、電極４１０の下面４１５は、絶縁体２１０、即ちソルダーレジスト２０８に接触してもよい。また、電極４２０の上面４２４は、絶縁体１１０、即ちソルダーレジスト１０８に接触してもよく、電極４２０の下面４２５は、絶縁体２１０、即ちソルダーレジスト２０８に接触してもよい。
電子部品４００の電極４１０と半導体素子１０１の電源端子との間の配線のインダクタンス及び抵抗と、電子部品４００の電極４２０と半導体素子１０１のグラウンド端子との間の配線のインダクタンス及び抵抗と、により、半導体素子１０１が動作した際に電源ノイズが発生する。
電源ノイズは、半導体装置１００が動作することによって生じる電源ラインの電圧変動である。この電圧変動は、電源ラインに寄生するインダクタンス及び抵抗によって電源電流が変化することで発生する。
電源ノイズを低減させるには、配線のインダクタンス及び抵抗を低減させることが好ましい。配線のインダクタンス及び抵抗を低減させるには、バイパスコンデンサとして機能させる電子部品４００を半導体素子１０１にできるだけ近づける、即ち半導体素子１０１から電子部品４００までの配線の長さをできるだけ短くすればよい。
第１実施形態において、電子部品４００の電極４１０は、接合部材３５０Ｅでパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｅに電気的に接続されているため、電子部品４００の電極４１０とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｅとの間の配線のインダクタンス及び抵抗を低減することができる。
また、電子部品４００の電極４２０は、接合部材３５０Ｇでパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｇに電気的に接続されているため、電子部品４００の電極４２０とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｇとの間の配線のインダクタンス及び抵抗を低減することができる。
配線のインダクタンス及び抵抗が低減するので、半導体素子１０１の動作で発生する電源ノイズが低減し、半導体装置１００、即ち半導体素子１０１における信号の通信を高速化することができる。
電子部品４００は、Ｚ方向に視て、半導体素子１０１の外形で囲まれた領域内に位置していることが好ましい。これにより、半導体素子１０１から電子部品４００までの配線の長さを短くすることができるので、配線のインダクタンス及び抵抗を小さくすることができ、電源ノイズを低減することができる。
次に、処理モジュール３００の製造方法について説明する。図７（ａ）～図９は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の製造方法の説明図である。図７（ａ）～図９のそれぞれには、Ｚ１方向に視たときの配線板２００を含む部材の平面図と、Ｄ１－Ｄ１線に沿う配線板２００を含む部材の断面図と、が図示されている。
まず、図７（ａ）に示す工程Ｓ１において、配線板２００を用意する。なお、図示は省略するが、工程Ｓ１において、半導体装置１００及び電子部品４００も用意しておく。
次に、図７（ｂ）に示す工程Ｓ２において、配線板２００上に、はんだペーストＰ１と、はんだペーストＰ２と、はんだペーストＰ３と、はんだペーストＰ４とを、互いに間隔をあけて供給する。はんだペーストＰ１は、第１はんだペーストの一例であり、パッド２３０Ｅの上からソルダーレジスト２０８の部分２０８Ｅの上に亘って供給される。はんだペーストＰ２は、第２はんだペーストの一例であり、パッド２３０Ｇの上からソルダーレジスト２０８の部分２０８Ｇの上に亘って供給される。はんだペーストＰ３は、第３はんだペーストの一例であり、パッド２３０Ｓ１の上に供給される。はんだペーストＰ４は、第４はんだペーストの一例であり、パッド２３０Ｓ２の上に供給される。
はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、はんだ粉末及びはんだ付けに必要なフラックス成分を含有する。はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、互いに同じ材料であることが好ましいが、これに限定されるものではない。例えば、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、互いに融点が近ければ互いに異なる材料であってもよい。
工程Ｓ２では、マスク２３を用いたスクリーン印刷により、はんだペーストＰ１～Ｐ４を配線板２００上に供給する。なお、はんだペーストＰ１～Ｐ４の供給方法は、スクリーン印刷に限定されるものではなく、例えばディスペンサーを用いてはんだペーストＰ１～Ｐ４を配線板２００上に供給してもよい。
次に図７（ｃ）に示す工程Ｓ３において、電子部品４００の電極４１０が部分２０８Ｅの上に供給されたはんだペーストＰ１の部分Ｐ１１と接触し、電子部品４００の電極４２０が部分２０８Ｇの上に供給されたはんだペーストＰ２の部分Ｐ２１と接触するように、電子部品４００を、配線板２００の上に載置する。工程Ｓ３では、不図示のマウンターを用いて、電子部品４００をはんだペーストＰ１，Ｐ２の上に載置する。
次に図８（ａ）に示す工程Ｓ４において、パッド１３０Ｅがパッド２３０Ｅと対向し、パッド１３０Ｇがパッド２３０Ｇと対向し、パッド１３０Ｓ１がパッド２３０Ｓ１と対向し、パッド１３０Ｓ２がパッド２３０Ｓ２と対向するように、半導体装置１００を配線板２００の上に載置する。工程Ｓ４では、不図示のマウンターを用いて、半導体装置１００を配線板２００上に載置する。
ここで、半導体装置１００のパッド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓ１，１３０Ｓ２にはそれぞれはんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４が設けられている。即ち、半導体装置１００は、ＢＧＡの半導体パッケージである。工程Ｓ４において、半導体装置１００を配線板２００上に載置することで、はんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４にそれぞれ接触する。半導体装置１００を配線板２００上に載置した際、はんだボールＢ１～Ｂ４は、電子部品４００と接触しない。即ち、電子部品４００は、半導体装置１００が配線板２００上に載置された際にはんだボールＢ１～Ｂ４に接触しない位置に配置されている。
次に、半導体装置１００及び電子部品４００が載置された配線板２００を、不図示のリフロー炉に搬送する。図８（ｂ）に示す工程Ｓ５－１において、リフロー炉内の雰囲気温度は、はんだの融点以上の温度に調整される。これにより、はんだボールＢ１～Ｂ４は、加熱されて溶融する。はんだボールＢ１～Ｂ４は、溶融することにより、それぞれ流動性のある溶融はんだＭ１～Ｍ４となる。はんだボールＢ１～Ｂ４のはんだ量は、互いにほぼ同一である。
はんだボールＢ１～Ｂ４が溶融することで、半導体装置１００が電子部品４００に近づく方向に沈み込む。その結果、電極４１０の上面４１４とパッド１３０Ｅとの距離が狭まり、電極４２０の上面４２４とパッド１３０Ｇとの距離が狭まる。
図８（ｃ）に示す工程Ｓ５－２において、工程Ｓ５－１に引き続き加熱を継続することで、はんだペーストＰ１～Ｐ４が溶融する。はんだペーストＰ１～Ｐ４が溶融することでできた溶融はんだは、それぞれ対応するパッド２３０Ｅ，２３０Ｇ，２３０Ｓ１，２３０Ｓ２に凝集される。
そして、溶融はんだＭ１と、はんだペーストＰ１が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１１となる。また、溶融はんだＭ２と、はんだペーストＰ２が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１２となる。また、溶融はんだＭ３と、はんだペーストＰ３が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１３となる。また、溶融はんだＭ４と、はんだペーストＰ４が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１４となる。
ここで、溶融はんだＭ１１，Ｍ１２がそれぞれパッド２３０Ｅ，２３０Ｇに凝集されることによって、電子部品４００には、パッド２３０Ｅ，２３０Ｇに近づく方向へ力が働く。しかし、電子部品４００は、配線板２００の絶縁体２１０と、半導体装置１００の絶縁体１１０とに挟まれている。即ち、電子部品４００が半導体装置１００によって配線板２００の絶縁体２１０（ソルダーレジスト２０８）に押し付けられた状態となる。また、電子部品４００が配線板２００によって半導体装置１００の絶縁体１１０（ソルダーレジスト１０８）に押し付けられた状態となる。そのため、電子部品４００と半導体装置１００との間あるいは電子部品４００と配線板２００との間には、電子部品４００がパッド２３０Ｅ，２３０Ｇに近づくことを妨げるような摩擦力が生じる。そのため、電子部品４００は、パッド２３０Ｅ，２３０Ｇに近づく方向へはほとんど移動しない。すなわち、溶融はんだＭ１１、Ｍ１２が形成された段階でも、電子部品４００の電極４１０、４２０は、Ｚ方向においてソルダーレジスト１０８、２０８に重なったままである。なお、電子部品４００がソルダーレジスト１０８，２０８に押し付けられた状態とは、電子部品４００がソルダーレジスト１０８，２０８から力の加わる状態のことであって、電子部品４００とソルダーレジスト１０８，２０８との間にはんだが介在していてもよく、電子部品４００とソルダーレジスト１０８，２０８とが直接接触する場合に限定されるものではない。
以上の工程Ｓ５－１，Ｓ５－２において、はんだペーストＰ１～Ｐ４及びはんだボールＢ１～Ｂ４を加熱して溶融させることにより半導体装置１００が沈み込み、電子部品４００の電極４１０，４２０が配線板２００の絶縁体２１０とパッケージ基板１０２の絶縁体１１０とに接触する。即ち、電子部品４００の電極４１０，４２０が配線板２００の絶縁体２１０と、半導体装置１００の絶縁体１１０とに挟まれる。
第１実施形態では、電子部品４００の電極４１０，４２０がソルダーレジスト１０８及びソルダーレジスト２０８に接触する。即ち、電子部品４００の電極４１０，４２０が半導体装置１００のソルダーレジスト１０８及び配線板２００のソルダーレジスト２０８に挟まれる。
その後、図９に示す工程Ｓ６において、溶融はんだＭ１１～Ｍ１４を冷却して固化させる。溶融はんだＭ１１を固化させることで接合部材３５０Ｅが形成される。また、溶融はんだＭ１２を固化させることで接合部材３５０Ｇが形成される。また、溶融はんだＭ１３を固化させることで接合部材３５０Ｓ１が形成される。また、溶融はんだＭ１４を固化させることで接合部材３５０Ｓ２が形成される。溶融はんだＭ１１、Ｍ１２が固化して、接合部材３５０Ｅ、３５０Ｇが形成された段階でも、電子部品４００の電極４１０、４２０は、Ｚ方向においてソルダーレジスト１０８、２０８に重なったままである。
以上の工程Ｓ１～Ｓ６により、処理モジュール３００が製造される。その後、処理モジュール３００を図１に示す筐体６１１に設置することで、カメラ本体６０１、即ちデジタルカメラ６００が製造される。
このようにして製造される処理モジュール３００において、電子部品４００の電極４１０は、絶縁体２１０と直接またははんだを介して接触することで、パッド２３０Ｅとは直接接触しない。また、電子部品４００の電極４１０は、絶縁体１１０と直接またははんだを介して接触することで、パッド１３０Ｅとは直接接触しない。また、電子部品４００の電極４２０は、絶縁体２１０と直接またははんだを介して接触することで、パッド２３０Ｇとは直接接触しない。また、電子部品４００の電極４２０は、絶縁体１１０と直接またははんだを介して接触することで、パッド１３０Ｇとは直接接触しない。さらに、第１実施形態では、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４１０，４２０の全体は、ソルダーレジスト２０８，１０８に重なっている。
つまり、第１実施形態では、電子部品４００の電極４１０及び４２０は、パッケージ基板１０２の絶縁体１１０と、配線板２００の絶縁体２１０とに挟まれた状態で、パッケージ基板１０２と配線板２００との間に配置されている。
第１実施形態では、処理モジュール３００の製造過程ではんだボールＢ１～Ｂ４が溶融した際に、溶融はんだが配線板２００のパッド２３０Ｅ及び２３０Ｇに濡れ広がり、半導体装置１００がはんだ溶融前に対して沈み込む。半導体装置１００が沈み込む際、電子部品４００がスペーサーとなり、半導体装置１００の沈み込みが電子部品４００で規制され、半導体装置１００と配線板２００とのＺ方向の間隔が、電子部品４００のＺ方向の高さより小さくなることが抑制される。これにより、接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇが潰れるのが低減される。よって、接合部材３５０Ｅと接合部材３５０Ｓ１と間でショート不良が発生するのが低減され、接合部材３５０Ｇと接合部材３５０Ｓ２と間でショート不良が発生するのが低減される。
また、第１実施形態によれば、工程Ｓ５－１，Ｓ５－２において、パッド２３０Ｅ，１３０Ｅに接触する溶融はんだが、電子部品４００において電極４１０を含む部分の体積によって押し出されることが低減される。これにより、製造される処理モジュール３００において、接合部材３５０Ｅと接合部材３５０Ｓ１との間でショート不良が発生することが低減される。また、工程Ｓ５－１，Ｓ５－２において、パッド２３０Ｇ，１３０Ｇに接触する溶融はんだが、電子部品４００において電極４２０を含む部分の体積によって押し出されることが低減される。これにより、製造される処理モジュール３００において、接合部材３５０Ｇと接合部材３５０Ｓ２との間でショート不良が発生することが低減される。
ここで、仮に、接合部材３５０Ｅの膨らんだ部分に電子部品４００の一部が埋まっている、即ちＺ方向に視て電子部品４００の一部がパッド２３０Ｅと重なっていると、電子部品４００のその一部の体積によって、接合部材３５０Ｅの膨らんだ部分の最大直径が大きくなる。第１実施形態では、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４１０がパッド２３０Ｅと重ならないので、電子部品の一部が接合部材３５０Ｅの膨らんだ部分に埋まるのを防止又は低減することができる。よって、Ｚ方向に視て、接合部材３５０Ｅの膨らんだ部分の最大直径を、接合部材３５０Ｓ１の膨らんだ部分の最大直径より小さくすることができ、接合部材３５０Ｅと接合部材３５０Ｓ１との間でショート不良が発生するのが低減される。
また、Ｚ方向に視て、接合部材３５０Ｇの膨らんだ部分の最大直径を、接合部材３５０Ｓ２の膨らんだ部分の最大直径より小さくすることができ、接合部材３５０Ｇと接合部材３５０Ｓ２と間でショート不良が発生するのが低減される。なお、各接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇの膨らんだ部分は、フィレット形状の部分を含まない。また、各接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇ，３５０Ｓ１，３５０Ｓ２の膨らんだ部分のＸＹ平面に沿う断面形状は、略円形状である。
また、第１実施形態では、図５（ａ）に示すように、Ｚ方向におけるパッド２３０Ｅとパッド１３０Ｅとの間の距離Ｄ１０は、Ｚ方向における絶縁体２１０と絶縁体１１０との間の距離Ｄ２０より大きい。距離Ｄ２０は、Ｚ方向におけるソルダーレジスト２０８とソルダーレジスト１０８との距離でもある。また、電極４１０がソルダーレジスト２０８及びソルダーレジスト１０８と接触する場合、距離Ｄ２０は、Ｚ方向における電極４１０の高さＤ３０と同じである。
よって、電子部品４００は、パッド２３０Ｅ，２３０Ｇ，１３０Ｅ，１３０Ｇと直接接触しないことで、工程Ｓ５－１，Ｓ５－２である加熱工程において配線板２００とパッケージ基板１０２との間隔を適正な間隔にすることができ、接合部材３５０Ｅが潰れるのが低減され、接合部材３５０Ｅと接合部材３５０Ｓ１との間でショート不良が発生するのが低減される。同様に、電子部品４００は、工程Ｓ５－１，Ｓ５－２である加熱工程において配線板２００とパッケージ基板１０２との間隔を適正な間隔にすることができ、接合部材３５０Ｇが潰れるのが低減され、接合部材３５０Ｇと接合部材３５０Ｓ２との間でショート不良が発生するのが低減される。
また、図５（ｂ）に示すように、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４１０の中心Ｃ１から電子部品４００の電極４２０の中心Ｃ２までの仮想線分Ｌ１が、パッド２３０Ｅの中心Ｃ３からパッド２３０Ｇの中心Ｃ４までの仮想線分Ｌ２に重ならない。仮想線分Ｌ１は、第１仮想線分の一例であり、直線の線分である。仮想線分Ｌ２は、第２仮想線分の一例であり、直線の線分である。上述したように、接合部材３５０の膨らんだ部分のＸＹ平面に沿った断面形状は、略円形状である。このように仮想線分Ｌ２が仮想線分Ｌ１に対してずれているので、接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇのそれぞれの膨らんだ部分のＸＹ平面における最大直径Ｒを、電子部品４００が接続されていない接合部材３５０Ｓの膨らんだ部分のＸＹ平面における最大直径より小さくすることができ、各接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇにおいてショート不良が発生するのが効果的に低減される。
第１実施形態では、仮想線分Ｌ１が仮想線分Ｌ２に対してＹ方向にずれている。したがって、各接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇにおいてショート不良が発生するのがより効果的に低減される。
また、第１実施形態では、Ｚ方向に視て、仮想線分Ｌ１と仮想線分Ｌ２との最短距離Ｄが、Ｙ方向におけるパッド２３０Ｅとパッド２３０Ｓ１とのピッチＰより小さいことが好ましい。ピッチＰは、例えば０．７ｍｍ以下である。
これにより、接合部材３５０Ｅと接合部材３５０Ｓ１との間でショート不良が発生するのが効果的に低減される。同様に、Ｚ方向に視て、仮想線分Ｌ１と仮想線分Ｌ２との最短距離Ｄが、Ｙ方向におけるパッド２３０Ｇとパッド２３０Ｓ２とのピッチより小さいことが好ましい。これにより、接合部材３５０Ｇと接合部材３５０Ｓ２との間でショート不良が発生するのが効果的に低減される。なお、図５（ｂ）の例では、仮想線分Ｌ１と仮想線分Ｌ２とは互いに平行である。よって、最短距離Ｄは、仮想線分Ｌ１と仮想線分Ｌ２とのＹ方向の距離である。また、ピッチＰは、Ｚ方向に視て、パッド２３０Ｅの中心Ｃ３とパッド２３０Ｓ１の中心Ｃ５との距離である。また、ピッチＰは、Ｚ方向に視て、パッド２３０Ｇの中心Ｃ４とパッド２３０Ｓ２の中心Ｃ６との距離でもある。
また、最短距離Ｄは、ピッチＰの１／２以下であることがより好ましい。即ち、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４１０は、パッド２３０Ｓ１の方よりパッド２３０Ｅの方に近いことが好ましい。同様に、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４２０は、パッド２３０Ｓ２の方よりパッド２３０Ｇの方に近いことが好ましい。これにより、各接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇにおいてショート不良が発生するのがより効果的に低減される。
また、Ｚ方向に視て、仮想線分Ｌ１と仮想線分Ｌ２との最短距離Ｄは、電極４１０の幅方向の幅Ｗの１／２より大きいことが好ましい。ここで、幅方向は、電子部品４００の短手方向でもある。これにより、接合部材３５０Ｅにおいてショート不良が発生するのがより効果的に低減される。なお、電極４２０の幅は、電極４１０の幅と同一であるため、接合部材３５０Ｇにおいてショート不良が発生するのがより効果的に低減される。
以上の関係をまとめると、Ｗ／２＜Ｄ＜Ｐの関係を満たすことが好ましく、Ｗ／２＜Ｄ＜Ｐ／２の関係を満たすことがより好ましい。
以上の関係を満たすことで、電子部品４００の電極４１０及び４２０は、それぞれ接合部材３５０Ｅ及び３５０Ｇに確実に接合される。そして、接合部材３５０Ｅ及び３５０Ｇは、それぞれ接合部材３５０Ｓ１及び３５０Ｓ２に対してショート不良が低減される。
なお、Ｚ方向に視て、最短距離Ｄが幅Ｗ／２以下となると、電極４１０及び４２０がそれぞれパッド２３０Ｅ及び２３０Ｇと重なるように、溶融はんだＭ１１，１２の凝集力によって移動してしまい、接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇの直径が拡大しやすくなる。また、距離ＤがピッチＰ以上となると、電子部品４００がパッド２３０Ｓ１，２３０Ｓ２に近すぎる。
また、ピッチＰと、Ｚ方向における電子部品４００の高さＤ３０は、Ｐ／４＜Ｄ３０＜Ｐの関係を満たすことが好ましい。ここで、Ｚ方向における電子部品４００の高さＤ３０は、Ｚ方向における電極４１０の高さである。Ｚ方向における電極４２０の高さは、Ｚ方向における電極４１０の高さと同じである。
即ち、電子部品４００の高さＤ３０は、パッド２３０Ｅとパッド２３０Ｓ１とのピッチＰの１／４より大きいことが好ましい。また、電子部品４００の高さＤ３０は、パッド２３０Ｅとパッド２３０Ｓ１とのピッチＰより小さいことが好ましい。
例えば、ピッチＰが０．４ｍｍであれば、電子部品４００は、高さＤ３０が０．２ｍｍである０４０２サイズ、又は高さＤ３０が０．１２５ｍｍである０２０１サイズであることが好適である。
電子部品４００の高さＤ３０がピッチＰより小さいことにより、電子部品４００が配線板２００とパッケージ基板１０２との間に配置されても、接合部材３５０Ｅ及び３５０Ｇにおいてオープン不良が発生するのが低減される。
また、電子部品４００の高さＤ３０がピッチＰの１／４より大きいことにより、半導体装置１００の沈み込み量が低減され、接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇにおいてショート不良が発生するのが効果的に低減される。
図１０は、図５（ａ）に示す電子部品４００及び電子部品４００の周囲の拡大断面図の一例である。図１０に示すように、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間には、接合部材３５０Ｅの一部が存在しうる。したがって、電極４１０が接合部材３５０Ｅを介してソルダーレジスト２０８から離れていてもよい。その場合、電極４１０の下面４１５とソルダーレジスト２０８との間に介在する接合部材３５０Ｅの厚さが、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０に相当しうる。同様に、図１０に示すように、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間には、接合部材３５０Ｅの一部が存在しうる。したがって、電極４１０が接合部材３５０Ｅを介してソルダーレジスト１０８から離れていてもよい。その場合、電極４１０の上面４１４とソルダーレジスト１０８との間に介在する接合部材３５０Ｅの厚さが、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０に相当しうる。
図５（ａ）及び図１０から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０は、電子部品４００の高さＤ３０よりも小さい。電子部品４００の高さＤ３０が０．１２５ｍｍであることが好適であることから、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト２０８との間の距離は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。
また、図５（ａ）及び図１０から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、電子部品４００の高さＤ３０よりも小さい。電子部品４００の高さＤ３０が０．１２５ｍｍであることが好適であることから、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。
また、図５（ａ）及び図１０から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト２０８との間の距離は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。
また、図５（ａ）及び図１０から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。
また、電極４１０と配線板２００との間の距離および電極４２０と配線板２００との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。詳述すると、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０および電極４２０とソルダーレジスト２０８との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。
また、電極４１０と半導体装置１００との間の距離および電極４２０と半導体装置１００との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。詳述すると、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０および電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。
また、図５（ａ）及び図１０から理解されるように、電子部品４００の電極４１０のＺ方向における高さＤ３０は、電子部品４００と配線板２００との間の距離および電子部品４００と半導体装置１００との間の距離のそれぞれよりも大きい。同様に、電子部品４００の電極４２０のＺ方向における高さは、電子部品４００と配線板２００との間の距離および電子部品４００と半導体装置１００との間の距離のそれぞれよりも大きい。
また、図３から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離が、素体４０１とソルダーレジスト１０８との間の距離よりも小さく、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離が、素体４０１とソルダーレジスト２０８との間の距離よりも小さい。
以上、第１実施形態の処理モジュール３００によれば、オープン不良及びショート不良が低減され、安定して接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇが形成される。また、電子部品４００の電極４１０，４２０が、絶縁体２１０と絶縁体１１０とに挟まれて配置されることにより、はんだ溶融時の半導体装置１００のＺ方向への沈み込み量が低減され、接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇが半導体装置１００に押し潰されて形成されることが低減される。
さらに、仮想線分Ｌ１，Ｌ２が互いにずれるように電子部品４００が配置されることにより、電子部品４００の電極４１０，４２０がそれぞれパッド２３０Ｅの中心Ｃ３近傍及び２３０Ｇの中心Ｃ４近傍に引き込まれていない。このような構成により、Ｚ方向に視て、各接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇの最大直径Ｒの値が低減され、各接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇにおいてショート不良が低減され、安定して接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇが形成される。そのため、処理モジュール３００を製造する際の歩留まりが高まる。
［第１実施形態の変形例１］
図１１（ａ）は、第１実施形態の変形例１の処理モジュール３００Ａの断面図である。なお、変形例１の構成において、第１実施形態の構成と同一の構成については、第１実施形態において用いた符号と同一符号を用いて詳細な説明を省略する。
処理モジュール３００Ａは、半導体装置１００、配線板２００、及び複数の電子部品を有する。半導体装置１００のパッケージ基板１０２と配線板２００との間には、複数の電子部品のうち、電子部品４００と、電子部品４００２とが配置されている。電子部品４００は、第１実施形態において説明した通りの構成であり、電子部品４００２は、電子部品４００よりサイズの小さい電子部品である。電子部品４００は、第１電子部品の一例であり、電子部品４００２は、第２電子部品の一例である。各電子部品４００，４００２は、受動部品である。各電子部品４００，４００２は、チップ部品であり、配線板２００の実装面２０１の上及び実装面１０３の上に表面実装されている。例えば、電子部品４００が０４０２サイズであり、電子部品４００２が０４０２サイズより小さいサイズの０２０１サイズである。Ｚ方向における電子部品４００２の高さＤ３２は、Ｚ方向における電子部品４００の高さＤ３０より低い。電子部品４００の高さＤ３０は、電子部品４００の電極４１０の高さでもある。電子部品４００２は、２つの電極を有する。電子部品４００２の高さＤ３２は、電子部品４００２の電極の高さでもある。
電子部品４００の電極４１０は、接合部材３５０Ｅによってパッド２３０Ｅとパッド１３０Ｅとに接合されている。電子部品４００２の２つの電極のうち一方の電極４１０２は、接合部材３５０Ｓによってパッド２３０Ｓとパッド１３０Ｓとに接合されている。電子部品４００の電極４１０が、Ｚ方向においてソルダーレジスト１０８およびソルダーレジスト２０８の少なくとも一方（本例では両方）に重なるのに対し、電子部品４００２の２つの電極のうち一方の電極４１０２は、Ｚ方向においてパッド２３０Ｓおよびパッド１３０Ｓの少なくとも一方（本例では両方）に重なる。すなわち、電子部品４００２の２つの電極のうち一方の電極４１０２は、パッド２３０Ｓおよびパッド１３０Ｓの少なくとも一方（本例では両方）の上に位置する。電子部品４００２の２つの電極のうち一方の電極４１０２は、ソルダーレジスト１０８およびソルダーレジスト２０８の少なくとも一方（本例では両方）に重ならなくてよい。電子部品４００２の２つの電極のうち他方の電極も同様である。
このように、互いにサイズの異なる２つ以上の電子部品４００，４００２が配線板２００とパッケージ基板１０２との間に配置され得る。電子部品４００２は、電子部品４００より体積が少ないので、電子部品４００２の一部が接合部材３５０Ｓに埋まっているとしても、接合部材３５０Ｓとその隣の接合部材、例えば接合部材３５０Ｅとの間でショート不良が発生するのが低減される。なお、電子部品４００に比べて高さの低い電子部品４００２が、半導体装置１００によって配線板２００に押し付けられる力は、電子部品４００のそれよりも小さい（ゼロでもよい）。また、電子部品４００に比べて高さの低い電子部品４００２が配線板２００によって半導体装置１００に押し付けられる力は、電子部品４００のそれよりも小さい（ゼロでもよい）。したがって、仮にリフロー前に電極４１０２がＺ方向においてソルダーレジスト１０８、２０８に重なっていても、接合部材３５０Ｓとなる溶融はんだに引き込まれて、電極４１０２はパッド２３０Ｓ、１３０Ｓの上に移動しうる。
［第１実施形態の変形例２］
図１１（ｂ）は、第１実施形態の変形例２の処理モジュールに含まれる配線板２００Ｂの説明図である。なお、変形例２の構成において、第１実施形態の構成と同一の構成については、第１実施形態において用いた符号と同一符号を用いて詳細な説明を省略する。
変形例２の処理モジュールは、不図示の半導体装置と、配線板２００Ｂと、複数の電子部品と、を有する。複数の電子部品は、電子部品４００を含む。電子部品４００は、半導体装置のパッケージ基板と配線板２００Ｂとの間に配置されている。配線板２００Ｂは、互いに間隔をあけて配置された複数のパッド２３０と、ソルダーレジスト２０８と、を有する。変形例２では、複数のパッド２３０の配列形式が第１実施形態の複数のパッド２３０の配列形式と異なる。
即ち、変形例２では、複数のパッド２３０が千鳥配列となっている。なお、図示は省略しているが、半導体装置のパッケージ基板に含まれる複数のパッドも千鳥配列となっている。半導体装置の複数のパッドと配線板２００Ｂの複数のパッド２３０とは、それぞれ複数の接合部材３５０で接合されている。
複数のパッド２３０は、パッド２３０Ｅ、パッド２３０Ｇ、及び複数のパッド２３０Ｓを含む。複数のパッド２３０Ｓは、パッド２３０Ｓ１と、パッド２３０Ｓ２と、を含む。複数の接合部材３５０は、接合部材３５０Ｅ、接合部材３５０Ｇ、及び複数の接合部材３５０Ｓを含む。複数の接合部材３５０Ｓは、接合部材３５０Ｓ１と、接合部材３５０Ｓ２と、を含む。電子部品４００の電極４１０は、接合部材３５０Ｅでパッド２３０Ｅに接合されている。電子部品４００の電極４２０は、接合部材３５０Ｇでパッド２３０Ｇに接合されている。第１実施形態と同様、Ｚ方向に視て、電子部品４００は、ソルダーレジスト２０８と接触し、パッド２３０Ｅ，２３０Ｇに重ならない。
以上、複数のパッド２３０が千鳥配列であっても、第１実施形態と同様、接合部材３５０Ｅと接合部材３５０Ｓ１との間でショート不良が発生するのが低減され、接合部材３５０Ｇと接合部材３５０Ｓ２との間でショート不良が発生するのが低減される。
［第２実施形態］
第２実施形態に係る電子機器に含まれる電子モジュールについて説明する。図１２は、第２実施形態に係る電子モジュールの一例である処理モジュール３００Ｃの断面図である。図１２には、処理モジュール３００Ｃの断面の一部が図示されている。第２実施形態の電子機器は、例えば撮像装置であるデジタルカメラである。第２実施形態のデジタルカメラは、第１実施形態のデジタルカメラ６００において、処理モジュール３００を処理モジュール３００Ｃに置き換えたものである。第２実施形態のデジタルカメラにおける処理モジュール３００Ｃ以外の構成は、第１実施形態のデジタルカメラ６００における処理モジュール３００以外の構成と同一であり、説明を省略する。また、処理モジュール３００Ｃに含まれる構成部品のうち、処理モジュール３００に含まれる構成部品と同一の構成部品については、第１実施形態において用いた符号と同一符号を用いて、説明を省略する。
処理モジュール３００Ｃは、配線板２００Ｃと、半導体装置１００と、電子部品４００と、を有する。配線板２００Ｃは、第１配線部品の一例であり、半導体装置１００は、第２配線部品の一例である。第２実施形態において、半導体装置１００は、集積回路部品である。配線板２００Ｃは、実装面２０１Ｃを有する。実装面２０１Ｃは、第１実装面の一例である。実装面２０１Ｃの上には、半導体装置１００及び電子部品４００が実装されている。
半導体装置１００は、複数の接合部材３５０で配線板２００Ｃに接合されている。半導体装置１００は、エリアアレイの半導体パッケージであり、第２実施形態では、ＢＧＡの半導体パッケージである。配線板２００Ｃは、プリント配線板であり、リジッド配線板である。なお、図示は省略するが、配線板２００Ｃには、配線板２００Ｃを介して半導体装置１００に電力を供給する電源回路が実装されている。
半導体装置１００は、配線板２００Ｃの実装面２０１Ｃに対向する実装面１０３を有する。実装面１０３は、第２実装面の一例である。配線板２００Ｃの実装面２０１Ｃと半導体装置１００の実装面１０３とは、複数の接合部材３５０で電気的及び機械的に接続されている。
半導体装置１００は、パッケージ基板１０２と、パッケージ基板１０２に実装された半導体素子１０１と、を有する。パッケージ基板１０２は、プリント配線板であり、リジッド配線板である。
第２実施形態において、処理モジュール３００Ｃは、複数の電子部品を有する。図１２には、複数の電子部品のうち、１つの電子部品４００が図示されている。電子部品４００は、第１電子部品の一例である。電子部品４００は、配線板２００Ｃの実装面２０１Ｃの上及び実装面１０３の上に表面実装されている。なお、複数の電子部品には、２つ以上の電子部品４００が含まれていてもよい。電子部品４００は、コンデンサ、抵抗器、又はインダクタなどの受動部品である。電子部品４００は、コンデンサであることが好ましく、ノイズ発生の原因となる半導体装置１００の近くに配置されていることが好ましい。即ち、電子部品４００は、半導体装置１００に対してバイパスコンデンサとして機能させることが好ましく、半導体装置１００と配線板２００Ｃとの間に配置されていることが好ましい。電子部品４００は、チップ部品であり、半導体装置１００と配線板２００Ｃとの間の狭い領域に配置されることが可能である。
配線板２００Ｃは、絶縁基板２２０及びソルダーレジスト２０８Ｃを含む絶縁体２１０Ｃを有する。配線板２００Ｃは、第１配線板の一例である。絶縁体２１０Ｃは、第１絶縁体の一例である。ソルダーレジスト２０８Ｃは、第１絶縁部材の一例である。絶縁基板２２０は、第１絶縁基板の一例である。主面２２１は、第１主面の一例である。配線板２００Ｃは、絶縁基板２２０の主面２２１とソルダーレジスト２０８Ｃとの間に配置された、第１導電体層の一例である導電体層２０５Ｃを有する。導電体層２０５Ｃは、絶縁基板２２０の主面２２１上に互いに間隔をあけて配置された複数のパッド２３０Ｃを有する。複数のパッド２３０Ｃは、絶縁体２１０Ｃ、即ちソルダーレジスト２０８Ｃで画定されている。実装面２０１Ｃは、絶縁体２１０Ｃで形成された絶縁領域Ｒ１Ｃと、パッド２３０Ｃで形成された導電領域とを有する。第２実施形態では、実装面２０１Ｃの絶縁領域Ｒ１Ｃは、ソルダーレジスト２０８Ｃで形成されている。なお、ソルダーレジスト２０８Ｃが省略される場合、実装面２０１Ｃの絶縁領域Ｒ１Ｃは、絶縁基板２２０で形成されてもよい。
複数のパッド２３０Ｃの配列パターンは、格子状、即ちマトリックス状であってもよいし、千鳥状であってもよい。第２実施形態では、複数のパッド２３０Ｃは、格子状に配列されている。
ここで、Ｘ方向及びＹ方向は、実装面２０１Ｃに平行な方向である。Ｚ方向は、実装面２０１Ｃに垂直な方向である。第１実施形態と同様、Ｚ方向のうち、半導体装置１００から配線板２００Ｃに向かう方向をＺ１方向とし、Ｚ１方向とは反対の方向であり、配線板２００Ｃから半導体装置１００に向かう方向をＺ２方向とする。
各パッド２３０Ｃは、配線板２００Ｃに含まれる導体パターンにおいて接合に用いられる部分をいい、導電性を有していればよい。各パッド２３０Ｃの材質は、例えば銅又は金などの金属である。各パッド２３０Ｃは、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。絶縁基板２２０は、電気的絶縁性を有していればよい。絶縁基板２２０の材質は、エポキシ樹脂等の絶縁材料である。
図１３（ａ）は、第２実施形態に係る配線板２００Ｃ及び電子部品４００の平面図である。図１３（ａ）には、Ｚ１方向に視た配線板２００Ｃ及び電子部品４００が図示されている。複数のパッド２３０Ｃには、電源端子となるパッド２３０ＣＥと、グラウンド端子となるパッド２３０ＣＧと、パッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧ以外の複数のパッド２３０Ｓと、が含まれている。パッド２３０ＣＥは、第１パッドの一例である。パッド２３０ＣＧは、第２パッドの一例である。各パッド２３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子となるパッドである。パッド２３０ＣＥとパッド２３０ＣＧとは、Ｘ方向において互いに隣接している。複数のパッド２３０Ｓは、パッド２３０ＣＥ及びパッド２３０ＣＧの周囲に配置されている。
複数のパッド２３０Ｓのうちのパッド２３０Ｓ１は、Ｙ方向においてパッド２３０ＣＥと最も近接するパッドである。パッド２３０Ｓ１は、第５パッドの一例である。複数のパッド２３０Ｓのうちのパッド２３０Ｓ２は、Ｙ方向においてパッド２３０ＣＧと最も近接するパッドである。パッド２３０Ｓ２は、第６パッドの一例である。パッド２３０Ｓ１とパッド２３０Ｓ２とは、Ｘ方向において互いに隣接している。
第２実施形態では、パッド２３０ＣＥの形状は、第１実施形態のパッド２３０Ｅの形状と異なる。また、第２実施形態では、パッド２３０ＣＧの形状は、第１実施形態のパッド２３０Ｇの形状と異なる。
パッド２３０Ｓは、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、円形状である。一方、パッド２３０ＣＥは、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、円形から一部（例えば弓形）を除いた形状、即ち欠円形状である。パッド２３０ＣＧの形状は、パッド２３０ＣＥの形状と同様である。また、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、パッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧのそれぞれの面積は、互いに同一である。しかし、Ｚ方向に視て、即ちＺ１方向に視て、パッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧのそれぞれの面積は、パッド２３０Ｓの面積より小さい。ここで、パッド２３０Ｃとは、絶縁体２１０Ｃ上に設けられた導体パターンにおいてソルダーレジスト２０８Ｃを含む絶縁体２１０Ｃに覆われていない部分である。パッド２３０Ｃの形状とは、導体パターンにおいて絶縁体２１０Ｃに覆われていない部分の形状である。また、パッド２３０Ｃの面積は、導体パターンにおいて絶縁体２１０Ｃに覆われていない部分の面積である。
ソルダーレジスト２０８Ｃは、第１ソルダーレジストの一例である。ソルダーレジスト２０８Ｃは、ソルダーレジスト材などの有機絶縁材で構成された有機絶縁膜である。ソルダーレジスト２０８Ｃは、主面２２１上に設けられている。
複数のパッド２３０Ｃは、ソルダーレジスト２０８Ｃに形成された複数の開口によりそれぞれ露出されている。パッド２３０Ｃは、ＳＭＤ又はＮＳＭＤのいずれのパッドであってもよいが、第２実施形態ではＳＭＤのパッドである。なお、配線板２００Ｃにおいて、ソルダーレジスト２０８Ｃは省略されていてもよい。
図１２に示すように、パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０及びソルダーレジスト１０８を含む絶縁体１１０を有する。絶縁体１１０は、第２絶縁体の一例である。絶縁基板１２０は、主面１２１と、主面１２１とは反対側の主面１２２と、を有する。パッケージ基板１０２は、第２配線板の一例である。絶縁基板１２０は、第２絶縁基板の一例である。主面１２１は、第２主面の一例である。ここで、Ｘ方向及びＹ方向は、実装面１０３および主面１２１に平行な方向でもあり、Ｚ方向は、実装面１０３、主面１２１に垂直な方向でもある。半導体素子１０１は、例えば半導体チップである。なお、図示は省略するが、半導体素子１０１の上面に放熱板が配置されていてもよい。
絶縁基板１２０の主面１２２上には、半導体素子１０１を封止する封止樹脂１０６が設けられている。パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０の主面１２１上に、互いに間隔をあけて配置された複数のパッド１３０を有する。パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０の主面１２１とソルダーレジスト１０８との間に配置された、第２導電体層の一例である導電体層１０５を有する。導電体層１０５は、絶縁基板１２０の主面１２１上に互いに間隔をあけて配置された複数のパッド１３０を有する。複数のパッド１３０は、絶縁体１１０、即ちソルダーレジスト１０８で画定されている。実装面１０３は、絶縁体１１０のソルダーレジスト１０８で形成された絶縁領域Ｒ２と、パッド１３０で形成された導電領域とを有する。第２実施形態では、実装面１０３の絶縁領域Ｒ２は、ソルダーレジスト１０８で形成されている。ソルダーレジスト１０８が省略される場合、実装面１０３の絶縁領域Ｒ２は、絶縁基板１２０で形成される。
複数のパッド１３０の配列パターンは、格子状、即ちマトリックス状であってもよいし、千鳥状であってもよい。第２実施形態では、複数のパッド１３０は、格子状に配列されている。
各パッド１３０は、パッケージ基板１０２に含まれる導体パターンにおいて接合に用いられる部分をいい、導電性を有していればよい。各パッド１３０の材質は、例えば銅又は金などの金属である。各パッド１３０は、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。絶縁基板１２０は、電気的絶縁性を有していればよい。絶縁基板１２０の材質は、例えばアルミナ等のセラミックでありうるし、ガラスエポキシなどの樹脂でありうる。
図１３（ｂ）は、第２実施形態に係るパッケージ基板１０２及び電子部品４００の平面図である。図１３（ｂ）には、Ｚ２方向に視たパッケージ基板１０２及び電子部品４００が図示されている。複数のパッド１３０には、電源端子となるパッド１３０Ｅと、グラウンド端子となるパッド１３０Ｇと、パッド１３０Ｅ，１３０Ｇ以外の複数のパッド１３０Ｓと、が含まれている。パッド１３０Ｅは、第３パッドの一例である。パッド１３０Ｇは、第４パッドの一例である。各パッド１３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子となるパッドである。パッド１３０Ｅとパッド１３０Ｇとは、Ｘ方向において互いに隣接している。複数のパッド１３０Ｓは、パッド１３０Ｅ及びパッド１３０Ｇの周囲に配置されている。
複数のパッド１３０Ｓのうちのパッド１３０Ｓ１は、Ｙ方向においてパッド１３０Ｅと最も近接するパッドである。パッド１３０Ｓ１は、第７パッドの一例である。複数のパッド１３０Ｓのうちのパッド１３０Ｓ２は、Ｙ方向においてパッド１３０Ｇと最も近接するパッドである。パッド１３０Ｓ２は、第８パッドの一例である。パッド１３０Ｓ１とパッド１３０Ｓ２とは、Ｘ方向において互いに隣接している。
複数のパッド１３０のそれぞれの形状は、互いに同一である。例えばパッド１３０は、Ｚ方向に視て、即ちＺ２方向に視て、円形状である。また、Ｚ方向に視て、即ちＺ２方向に視て、複数のパッド１３０のそれぞれの面積は、互いに同一である。ここで、パッド１３０とは、絶縁体１１０上に設けられた導体パターンにおいてソルダーレジスト１０８を含む絶縁体１１０に覆われていない部分である。パッド１３０の形状とは、導体パターンにおいて絶縁体１１０に覆われていない部分の形状である。また、パッド１３０の面積は、導体パターンにおいて絶縁体１１０に覆われていない部分の面積である。
複数のパッド１３０は、ソルダーレジスト１０８に形成された複数の開口によりそれぞれ露出されている。パッド１３０は、ＳＭＤ又はＮＳＭＤのいずれのパッドであってもよいが、第２実施形態ではＳＭＤのパッドである。なお、パッケージ基板１０２において、ソルダーレジスト１０８は省略されていてもよい。
パッド１３０Ｅは、絶縁基板１２０に形成されたヴィア導体１１２Ｅを介して半導体素子１０１の電源端子１１１Ｅに電気的に接続されている。パッド１３０Ｇは、絶縁基板１２０に形成されたヴィア導体１１２Ｇを介して半導体素子１０１のグラウンド端子１１１Ｇに電気的に接続されている。
複数のパッド２３０Ｃと複数のパッド１３０とは、それぞれＺ方向において互いに対向している。即ち、パッド２３０ＣＥとパッド１３０Ｅとは、Ｚ方向において互いに対向している。パッド２３０ＣＧとパッド１３０Ｇとは、Ｚ方向において互いに対向している。パッド２３０Ｓ１とパッド１３０Ｓ１とは、Ｚ方向において互いに対向している。パッド２３０Ｓ２とパッド１３０Ｓ２とは、Ｚ方向において互いに対向している。
なお、第２実施形態では、Ｚ２方向に視て、パッド１３０Ｅの一部と電子部品４００の電極４１０の一部とが重なる。また、第２実施形態では、Ｚ２方向に視て、パッド１３０Ｇの一部と電子部品４００の電極４２０の一部とが重なる。
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ｃの断面図である。図１４（ａ）には、図１２のＸＩＩＩＡ－ＸＩＩＩＡ線に沿う処理モジュール３００Ｃの断面が図示されている。図１４（ｂ）には、図１２のＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線に沿う処理モジュール３００Ｃの断面が図示されている。
配線板２００Ｃのパッド２３０ＣＥとパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｅとは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０ＣＥで互いに接合されている。配線板２００Ｃのパッド２３０ＣＧとパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｇとは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０ＣＧで互いに接合されている。接合部材３５０ＣＥは、第１接合部材の一例であり、接合部材３５０ＣＧは、第２接合部材の一例である。
配線板２００Ｃのパッド２３０Ｓとパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｓとは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｓで互いに接合されている。特に、配線板２００Ｃのパッド２３０Ｓ１とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｓ１とは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｓ１で互いに接合されている。また、配線板２００Ｃのパッド２３０Ｓ２とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｓ２とは、複数の接合部材３５０のうち接合部材３５０Ｓ２で互いに接合されている。
したがって、パッド１３０は、接合部材３５０を介してパッド２３０Ｃに電気的に接続されている。即ち、パッド１３０Ｅは、接合部材３５０ＣＥを介してパッド２３０ＣＥに電気的に接続されている。パッド１３０Ｇは、接合部材３５０ＣＧを介してパッド２３０ＣＧに電気的に接続されている。パッド１３０Ｓは、接合部材３５０Ｓを介してパッド２３０Ｓに電気的に接続されている。特に、パッド１３０Ｓ１は、接合部材３５０Ｓ１を介してパッド２３０Ｓ１に電気的に接続されている。また、パッド１３０Ｓ２は、接合部材３５０Ｓ２を介してパッド２３０Ｓ２に電気的に接続されている。
電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０は、電極４１０とパッド２３０ＣＥとの間の距離Ｄ５０よりも小さい。電極４１０は、ソルダーレジスト２０８Ｃに接触していてもよい。電極４１０がソルダーレジスト２０８Ｃに接触している場合、距離Ｄ４０はゼロである。図１４（ａ）から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間には、接合部材３５０ＣＥの一部が存在してもよく、電極４１０が接合部材３５０ＣＥを介してソルダーレジスト２０８Ｃから離れていてもよい。電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離は、電極４２０とパッド２３０ＣＧとの間の距離よりも小さい。電極４２０は、ソルダーレジスト２０８Ｃに接触していてもよい。電極４２０がソルダーレジスト２０８Ｃに接触している場合、電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離はゼロである。電極４１０と同様に、電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間には、接合部材３５０ＣＧの一部が存在してもよく、電極４２０が接合部材３５０ＣＧを介してソルダーレジスト２０８Ｃから離れていてもよい。
電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、電極４１０とパッド１３０Ｅとの間の距離Ｄ７０よりも小さい。電極４１０は、ソルダーレジスト１０８に接触していてもよい。電極４１０がソルダーレジスト１０８に接触している場合、距離Ｄ６０はゼロである。ソルダーレジスト２０８と同様に、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間には、接合部材３５０ＣＥの一部が存在してもよく、電極４１０が接合部材３５０ＣＥを介してソルダーレジスト１０８から離れていてもよい。電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、電極４２０とパッド１３０Ｇとの間の距離よりも小さい。電極４２０は、ソルダーレジスト１０８に接触していてもよい。電極４２０がソルダーレジスト１０８に接触している場合、電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離はゼロである。電極４１０と同様に、電極４２０とソルダーレジスト１０８との間には、接合部材３５０ＣＧの一部が存在してもよく、電極４２０が接合部材３５０ＣＧを介してソルダーレジスト１０８から離れていてもよい。
電子部品４００の平面視のサイズは、０．４ｍｍ×０．２ｍｍである０４０２サイズ、又は０．２５ｍｍ×０．１２５ｍｍである０２０１サイズなど、０４０２サイズ以下が好適である。電子部品４００は、長手方向に延びる略直方体形状の素体４０１と、素体４０１の長手方向の両側に間隔をあけて配置された一対の電極４１０，４２０と、を有する。
一対の電極４１０，４２０のうちの一方の電極４１０は、第１電極の一例であり、他方の電極４２０は、第２電極の一例である。
電子部品４００の電極４１０は、接合部材３５０ＣＥに接触している。即ち、電極４１０は、接合部材３５０ＣＥでパッド２３０ＣＥ及びパッド１３０Ｅに接合されている。これにより、電極４１０は、パッド２３０ＣＥ及びパッド１３０Ｅに電気的に接続されている。また、電子部品４００の電極４２０は、接合部材３５０ＣＧに接触している。即ち、電極４２０は、接合部材３５０ＣＧでパッド２３０ＣＧ及びパッド１３０Ｇに接合されている。これにより、電極４２０は、パッド２３０ＣＧ及びパッド１３０Ｇに電気的に接続されている。このような接続構造により、電子部品４００は、半導体装置１００、即ち半導体素子１０１に対してバイパスコンデンサとして機能させることができる。
図１５は、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ｃの分解斜視図である。なお、図１５において、説明の都合上、一部の構成を半透明で図示している。電子部品４００は、実装面２０１Ｃのうち、ソルダーレジスト２０８Ｃで形成された絶縁領域Ｒ１Ｃの一部の領域２０８ＣＲの上に位置する。即ち、電極４１０，４２０は、領域２０８ＣＲの上に位置している。電子部品４００の各電極４１０，４２０は、領域２０８ＣＲに部分的に接触する。
電極４１０の上面４１４は、ソルダーレジスト１０８におけるパッド１３０Ｅ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。電極４１０の下面４１５は、ソルダーレジスト２０８Ｃにおけるパッド２３０ＣＥ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。
電極４２０の上面４２４は、ソルダーレジスト１０８におけるパッド１３０Ｇ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。電極４２０の下面４２５は、ソルダーレジスト２０８Ｃにおけるパッド２３０ＣＧ近傍の部分に、Ｚ方向において対向している。
そして、電子部品４００の電極４１０及び４２０は、絶縁体２１０Ｃと絶縁体１１０とに挟まれている。即ち、電子部品４００の電極４１０及び４２０は、ソルダーレジスト１０８とソルダーレジスト２０８Ｃとに挟まれている。電子部品４００は、配線板２００Ｃ及び半導体装置１００の少なくとも一方に接触していることが好ましい。第２実施形態では、電極４１０の上面４１４は、絶縁体１１０、即ちソルダーレジスト１０８に接触し、電極４１０の下面４１５は、絶縁体２１０Ｃ、即ちソルダーレジスト２０８Ｃに接触している。また、第２実施形態では、電極４２０の上面４２４は、絶縁体１１０、即ちソルダーレジスト１０８に接触し、電極４２０の下面４２５は、絶縁体２１０Ｃ、即ちソルダーレジスト２０８Ｃに接触している。
電子部品４００の電極４１０と半導体素子１０１の電源端子１１１Ｅとの間の配線のインダクタンス及び抵抗と、電子部品４００の電極４２０と半導体素子１０１のグラウンド端子１１１Ｇとの間の配線のインダクタンス及び抵抗と、により、半導体素子１０１が動作した際に電源ノイズが発生する。
電源ノイズは、半導体装置１００が動作することによって生じる電源ラインの電圧変動である。この電圧変動は、電源ラインに寄生するインダクタンス及び抵抗によって電源電流が変化することで発生する。
電源ノイズを低減させるには、配線のインダクタンス及び抵抗を低減させることが好ましい。配線のインダクタンス及び抵抗を低減させるには、バイパスコンデンサとして機能させる電子部品４００を半導体素子１０１にできるだけ近づける、即ち半導体素子１０１から電子部品４００までの配線の長さをできるだけ短くすればよい。
第２実施形態において、電子部品４００の電極４１０は、接合部材３５０ＣＥでパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｅに電気的に接続されているため、電子部品４００の電極４１０とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｅとの間の配線のインダクタンス及び抵抗を低減することができる。
また、電子部品４００の電極４２０は、接合部材３５０ＣＧでパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｇに電気的に接続されているため、電子部品４００の電極４２０とパッケージ基板１０２のパッド１３０Ｇとの間の配線のインダクタンス及び抵抗を低減することができる。
配線のインダクタンス及び抵抗が低減するので、半導体素子１０１の動作で発生する電源ノイズが低減し、半導体装置１００、即ち半導体素子１０１における信号の通信を高速化することができる。
電子部品４００は、Ｚ方向に視て、半導体素子１０１の外形で囲まれた領域内に位置していることが好ましい。これにより、半導体素子１０１から電子部品４００までの配線の長さを短くすることができるので、配線のインダクタンス及び抵抗を小さくすることができ、電源ノイズを低減することができる。
次に、処理モジュール３００Ｃの製造方法について説明する。図１６（ａ）～図１８は、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ｃの製造方法の説明図である。図１６（ａ）～図１８のそれぞれには、Ｚ１方向に視たときの配線板２００Ｃを含む部材の平面図と、Ｄ２－Ｄ２線に沿う配線板２００Ｃを含む部材の断面図と、が図示されている。
まず、図１６（ａ）に示す工程Ｓ１１において、配線板２００Ｃを用意する。なお、図示は省略するが、工程Ｓ１１において、半導体装置１００及び電子部品４００も用意しておく。
次に、図１６（ｂ）に示す工程Ｓ１２において、配線板２００Ｃ上に、はんだペーストＰ１と、はんだペーストＰ２と、はんだペーストＰ３と、はんだペーストＰ４とを、互いに間隔をあけて供給する。はんだペーストＰ１は、第１はんだペーストの一例であり、パッド２３０ＣＥの上からソルダーレジスト２０８Ｃの部分２０８Ｅの上に亘って供給される。はんだペーストＰ２は、第２はんだペーストの一例であり、パッド２３０ＣＧの上からソルダーレジスト２０８Ｃの部分２０８Ｇの上に亘って供給される。はんだペーストＰ３は、第３はんだペーストの一例であり、パッド２３０Ｓ１の上に供給される。はんだペーストＰ４は、第４はんだペーストの一例であり、パッド２３０Ｓ２の上に供給される。
はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、はんだ粉末及びはんだ付けに必要なフラックス成分を含有する。はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、互いに同じ材料であることが好ましいが、これに限定されるものではない。例えば、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、互いに融点が近ければ互いに異なる材料であってもよい。
工程Ｓ１２では、マスク２３を用いたスクリーン印刷により、はんだペーストＰ１～Ｐ４を配線板２００Ｃ上に供給する。なお、はんだペーストＰ１～Ｐ４の供給方法は、スクリーン印刷に限定されるものではなく、例えばディスペンサーを用いてはんだペーストＰ１～Ｐ４を配線板２００Ｃ上に供給してもよい。
次に図１６（ｃ）に示す工程Ｓ１３において、電子部品４００の電極４１０が部分２０８Ｅの上に供給されたはんだペーストＰ１の部分Ｐ１１と接触し、電子部品４００の電極４２０が部分２０８Ｇの上に供給されたはんだペーストＰ２の部分Ｐ２１と接触するように、電子部品４００を、配線板２００Ｃの上に載置する。工程Ｓ１３では、不図示のマウンターを用いて、電子部品４００をはんだペーストＰ１，Ｐ２の上に載置する。
次に図１７（ａ）に示す工程Ｓ１４において、パッド１３０Ｅがパッド２３０ＣＥと対向し、パッド１３０Ｇがパッド２３０ＣＧと対向し、パッド１３０Ｓ１がパッド２３０Ｓ１と対向し、パッド１３０Ｓ２がパッド２３０Ｓ２と対向するように、半導体装置１００を配線板２００Ｃの上に載置する。工程Ｓ１４では、不図示のマウンターを用いて、半導体装置１００を配線板２００Ｃ上に載置する。
ここで、半導体装置１００のパッド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓ１，１３０Ｓ２にはそれぞれはんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４が設けられている。即ち、半導体装置１００は、ＢＧＡの半導体パッケージである。工程Ｓ１４において、半導体装置１００を配線板２００Ｃ上に載置することで、はんだボールＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４にそれぞれ接触する。半導体装置１００を配線板２００Ｃ上に載置した際、はんだボールＢ１～Ｂ４は、電子部品４００と接触しない。即ち、電子部品４００は、半導体装置１００が配線板２００Ｃ上に載置された際にはんだボールＢ１～Ｂ４に接触しない位置に配置されている。
次に、半導体装置１００及び電子部品４００が載置された配線板２００Ｃを、不図示のリフロー炉に搬送する。図１７（ｂ）に示す工程Ｓ１５－１において、リフロー炉内の雰囲気温度は、はんだペーストＰ１～Ｐ４に含まれるはんだ粉末の融点以上の温度に調整される。これにより、はんだペーストＰ１～Ｐ４は、加熱されて溶融する。はんだペーストＰ１～Ｐ４は、溶融することにより、それぞれ流動性のある溶融はんだＭ１～Ｍ４となる。
図１７（ｃ）に示す工程Ｓ１５－２において、工程Ｓ１５－１に引き続き加熱を継続し、溶融はんだＭ１～Ｍ４を流動させる。はんだペーストＰ１，Ｐ２が溶融してできた溶融はんだＭ１，Ｍ２は、それぞれパッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧに凝集される。電子部品４００は、溶融はんだＭ１，Ｍ２の凝集によりパッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧの近傍に到達する。その後、はんだボールＢ１～Ｂ４が溶融する。はんだボールＢ１～Ｂ４のはんだ量は、互いにほぼ同一である。
そして、溶融はんだＭ１と、はんだボールＢ１が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１１となる。また、溶融はんだＭ２と、はんだボールＢ２が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１２となる。また、溶融はんだＭ３と、はんだボールＢ３が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１３となる。また、溶融はんだＭ４と、はんだボールＢ４が溶融してできた溶融はんだとが一体となり、溶融はんだＭ１４となる。
はんだボールＢ１～Ｂ４が溶融することで、半導体装置１００が電子部品４００に近づく方向に沈み込む。その結果、電極４１０の上面４１４とパッド１３０Ｅとの距離が狭まり、電極４２０の上面４２４とパッド１３０Ｇとの距離が狭まる。
以上の工程Ｓ１５－１，Ｓ１５－２において、はんだペーストＰ１～Ｐ４及びはんだボールＢ１～Ｂ４を加熱して溶融させることにより半導体装置１００が沈み込み、電子部品４００の電極４１０，４２０が配線板２００Ｃの絶縁体２１０Ｃとパッケージ基板１０２の絶縁体１１０とに接触する。即ち、電子部品４００の電極４１０，４２０が配線板２００Ｃの絶縁体２１０Ｃと、半導体装置１００の絶縁体１１０とに挟まれる。
第２実施形態では、電子部品４００の電極４１０，４２０がソルダーレジスト１０８及びソルダーレジスト２０８Ｃに接触する。即ち、電子部品４００の電極４１０，４２０が半導体装置１００のソルダーレジスト１０８及び配線板２００Ｃのソルダーレジスト２０８Ｃに挟まれる。なお、電子部品４００がソルダーレジスト１０８，２０８Ｃに挟まれる状態、即ち電子部品４００がソルダーレジスト１０８，２０８Ｃに押し付けられた状態とは、電子部品４００がソルダーレジスト１０８，２０８Ｃから力の加わる状態のことであって、電子部品４００とソルダーレジスト１０８，２０８Ｃとの間にはんだが介在していてもよく、電子部品４００とソルダーレジスト１０８，２０８Ｃとが直接接触する場合に限定されるものではない。
電子部品４００が配線板２００Ｃとパッケージ基板１０２とに挟まれるようにする方法として、配線板２００Ｃを半導体装置１００よりも早く、はんだの融点以上の温度に上げる方法がある。例えば、リフロー炉内に設置されたヒーター設定温度を調整することにより、配線板２００Ｃを半導体装置１００よりも早く、はんだの融点以上の温度に上げることができる。このように配線板２００Ｃの温度と半導体装置１００の温度とを調整することで、配線板２００Ｃ上に供給されたはんだペーストＰ１～Ｐ４を、はんだボールＢ１～Ｂ４より先に溶融させることができる。また、別の方法として、はんだペーストＰ１～Ｐ４として、はんだボールＢ１～Ｂ４より溶融温度が低いはんだペーストを用いてもよい。
その後、図１８に示す工程Ｓ１６において、溶融はんだＭ１１～Ｍ１４を冷却して固化させる。溶融はんだＭ１１を固化させることで接合部材３５０ＣＥが形成される。また、溶融はんだＭ１２を固化させることで接合部材３５０ＣＧが形成される。また、溶融はんだＭ１３を固化させることで接合部材３５０Ｓ１が形成される。また、溶融はんだＭ１４を固化させることで接合部材３５０Ｓ２が形成される。
また、接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧのそれぞれの体積は、接合部材３５０Ｓ１，３５０Ｓ２のそれぞれの体積より大きくなる。これは、はんだボールＢ１～Ｂ４の体積が互いに同じであるが、はんだペーストＰ１，Ｐ２のそれぞれの体積がはんだペーストＰ３，Ｐ４のそれぞれの体積より大きいためである。一方、電子部品４００の電極４１０，４２０は、絶縁体２１０Ｃ及び絶縁体１１０に挟まれるため、電子部品４００によって半導体装置１００の沈み込みが低減される。つまり、接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧのそれぞれの直径が半導体装置１００の沈み込みによって拡大することが抑制される。その結果、接合部材３５０ＣＥと接合部材３５０Ｓ１と間でショート不良が発生することが低減され、接合部材３５０ＣＧと接合部材３５０Ｓ２と間でショート不良が発生することが低減される。
以上の工程Ｓ１１～Ｓ１６により、処理モジュール３００Ｃが製造される。その後、処理モジュール３００Ｃを図１に示す筐体６１１に設置することで、カメラ本体６０１、即ちデジタルカメラ６００が製造される。
このようにして製造される処理モジュール３００Ｃにおいて、電子部品４００の電極４１０は、絶縁体２１０Ｃと直接またははんだを介して接触することで、パッド２３０ＣＥとは直接接触しない。また、電子部品４００の電極４１０は、絶縁体１１０と直接またははんだを介して接触することで、パッド１３０Ｅとは直接接触しない。また、電子部品４００の電極４２０は、絶縁体２１０Ｃと直接またははんだを介して接触することで、パッド２３０ＣＧとは直接接触しない。また、電子部品４００の電極４２０は、絶縁体１１０と直接またははんだを介して接触することで、パッド１３０Ｇとは直接接触しない。さらに、第２実施形態では、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４１０の全体及び電極４２０の全体は、ソルダーレジスト２０８Ｃに重なっている。一方、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４１０の一部及び電極４２０の一部は、ソルダーレジスト１０８に重なっていないが、電極４１０の他部及び電極４２０の他部は、ソルダーレジスト１０８と重なっている。
つまり、第２実施形態では、電子部品４００の電極４１０及び４２０は、パッケージ基板１０２の絶縁体１１０と、配線板２００Ｃの絶縁体２１０Ｃとに挟まれた状態で、パッケージ基板１０２と配線板２００Ｃとの間に配置されている。なお、パッド１３０Ｅは、Ｚ方向に視て、欠円形状であってもよい。この場合、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４１０の全体は、ソルダーレジスト１０８に重なる。また、パッド１３０Ｇは、Ｚ方向に視て、欠円形状であってもよい。この場合、Ｚ方向に視て、電子部品４００の電極４２０の全体は、ソルダーレジスト１０８に重なる。
第２実施形態では、処理モジュール３００Ｃの製造過程ではんだボールＢ１～Ｂ４が溶融した際に、溶融はんだが配線板２００Ｃのパッド２３０ＣＥ及び２３０ＣＧに濡れ広がり、半導体装置１００がはんだ溶融前に対して沈み込む。半導体装置１００が沈み込む際、電子部品４００がスペーサーとなり、半導体装置１００の沈み込みが電子部品４００で規制され、半導体装置１００と配線板２００ＣとのＺ方向の間隔が、電子部品４００のＺ方向の高さより小さくなることが抑制される。これにより、接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧが潰れるのが低減される。よって、接合部材３５０ＣＥと接合部材３５０Ｓ１と間でショート不良が発生するのが低減され、接合部材３５０ＣＧと接合部材３５０Ｓ２と間でショート不良が発生するのが低減される。
また、第２実施形態によれば、工程Ｓ１５－１，Ｓ１５－２において、パッド２３０ＣＥ，１３０Ｅに接触する溶融はんだが、電子部品４００において電極４１０を含む部分の体積によって押し出されることが低減される。これにより、製造される処理モジュール３００Ｃにおいて、接合部材３５０ＣＥと接合部材３５０Ｓ１との間でショート不良が発生することが低減される。また、工程Ｓ１５－１，Ｓ１５－２において、パッド２３０ＣＧ，１３０Ｇに接触する溶融はんだが、電子部品４００において電極４２０を含む部分の体積によって押し出されることが低減される。これにより、製造される処理モジュール３００Ｃにおいて、接合部材３５０ＣＧと接合部材３５０Ｓ２との間でショート不良が発生することが低減される。
また、第２実施形態では、Ｚ方向におけるパッド２３０ＣＥとパッド１３０Ｅとの間の距離Ｄ１０は、Ｚ方向における絶縁体２１０Ｃと絶縁体１１０との間の距離Ｄ２０より大きい。距離Ｄ２０は、Ｚ方向におけるソルダーレジスト２０８Ｃとソルダーレジスト１０８との距離でもある。また、電極４１０がソルダーレジスト２０８Ｃ及びソルダーレジスト１０８と接触する場合、距離Ｄ２０は、Ｚ方向における電極４１０の高さＤ３０と同じである。
よって、電子部品４００は、パッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧ，１３０Ｅ，１３０Ｇと接触しないことで、工程Ｓ１５－１，Ｓ１５－２である加熱工程において配線板２００Ｃとパッケージ基板１０２との間隔を適正な間隔にすることができ、接合部材３５０ＣＥが潰れるのが低減され、接合部材３５０ＣＥと接合部材３５０Ｓ１との間でショート不良が発生するのが低減される。同様に、電子部品４００は、工程Ｓ１５－１，Ｓ１５－２である加熱工程において配線板２００Ｃとパッケージ基板１０２との間隔を適正な間隔にすることができ、接合部材３５０ＣＧが潰れるのが低減され、接合部材３５０ＣＧと接合部材３５０Ｓ２との間でショート不良が発生するのが低減される。
また、パッド２３０ＣＥとパッド２３０Ｓ１とのピッチＰと、Ｚ方向における電子部品４００の高さＤ３０は、Ｐ／４＜Ｄ３０＜Ｐの関係を満たすことが好ましい。ここで、Ｚ方向における電子部品４００の高さＤ３０は、Ｚ方向における電極４１０の高さである。Ｚ方向における電極４２０の高さは、Ｚ方向における電極４１０の高さと同じである。
即ち、電子部品４００の高さＤ３０は、パッド２３０ＣＥとパッド２３０Ｓ１とのピッチＰの１／４より大きいことが好ましい。また、電子部品４００の高さＤ３０は、パッド２３０ＣＥとパッド２３０Ｓ１とのピッチＰより小さいことが好ましい。
例えば、ピッチＰが０．４ｍｍであれば、電子部品４００は、高さＤ３０が０．２ｍｍである０４０２サイズ、又は高さＤ３０が０．１２５ｍｍである０２０１サイズであることが好適である。
電子部品４００の高さＤ３０がピッチＰより小さいことにより、電子部品４００が配線板２００Ｃとパッケージ基板１０２との間に配置されても、接合部材３５０ＣＥ及び３５０ＣＧにおいてオープン不良が発生するのが低減される。
また、電子部品４００の高さＤ３０がピッチＰの１／４より大きいことにより、半導体装置１００の沈み込み量が低減され、接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧにおいてショート不良が発生するのが効果的に低減される。
図１２及び図１４（ａ）から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０は、電子部品４００の高さＤ３０よりも小さい。電子部品４００の高さＤ３０が０．１２５ｍｍであることが好適であることから、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。
また、図１２及び図１４（ａ）から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、電子部品４００の高さＤ３０よりも小さい。電子部品４００の高さＤ３０が０．１２５ｍｍであることが好適であることから、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、例えば０．１２５ｍｍ未満であり、１００μｍ以下であることが好適であり、５０μｍ以下であることがより好適である。
また、図１２及び図１４（ａ）から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。
また、図１２及び図１４（ａ）から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。同様に、電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、電子部品４００の高さＤ３０の半分未満である。
また、電極４１０と配線板２００Ｃとの間の距離および電極４２０と配線板２００Ｃとの間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。詳述すると、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０および電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。
また、電極４１０と半導体装置１００との間の距離および電極４２０と半導体装置１００との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。詳述すると、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０および電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下であることが好ましい。
また、図１２及び図１４（ａ）から理解されるように、電子部品４００の電極４１０のＺ方向における高さＤ３０は、電子部品４００と配線板２００Ｃとの間の距離および電子部品４００と半導体装置１００との間の距離のそれぞれよりも大きい。同様に、電子部品４００の電極４２０のＺ方向における高さは、電子部品４００と配線板２００Ｃとの間の距離および電子部品４００と半導体装置１００との間の距離のそれぞれよりも大きい。
また、図１２から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０が、素体４０１とソルダーレジスト１０８との間の距離よりも小さく、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０が、素体４０１とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離よりも小さい。
以上、第２実施形態の処理モジュール３００Ｃによれば、オープン不良及びショート不良が低減され、安定して接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧが形成される。また、電子部品４００の電極４１０，４２０が、絶縁体２１０Ｃと絶縁体１１０とに挟まれて配置されることにより、はんだ溶融時の半導体装置１００のＺ方向への沈み込み量が低減され、接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧが半導体装置１００に押し潰されずに形成される。
また、各接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧの最大直径の値が低減され、各接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧにおいてショート不良が低減され、安定して接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧが形成される。そのため、処理モジュール３００Ｃを製造する際の歩留まりが高まる。
なお、図示は省略するが、第２実施形態の処理モジュール３００Ｃにおいても、第１実施形態の変形例１，２のような変形が可能である。
（実施例１）
第１実施形態に対応する実験結果を示す実施例１について説明する。処理モジュール３００を製造する実験において、半導体装置１００として、ＢＧＡの半導体パッケージを用意した。半導体装置１００において、はんだボールＢ１とはんだボールＢ２とのピッチは、０．５６５６ｍｍであった。また、はんだボールＢ１とはんだボールＢ３とのピッチは、０．４０ｍｍであった。また、はんだボールＢ２とはんだボールＢ４とのピッチは、０．４０ｍｍであった。半導体装置１００の断面に垂直な方向に視て、ソルダーレジスト２０８の表面からのはんだボールＢ１～Ｂ４の高さは、それぞれ０．２ｍｍであった。電子部品４００として、０４０２サイズのチップ部品を用意した。
半導体装置１００及び配線板２００の各パッドの厚さは、０．０１５ｍｍであった。ソルダーレジスト１０８，２０８のそれぞれの厚さは、０．０２０ｍｍであった。半導体装置１００において、導体パターンからソルダーレジスト１０８の表面までの高さは、０．０２０ｍｍであった。配線板２００において、導体パターンからソルダーレジスト２０８の表面までの高さは、０．０２０ｍｍであった。図３、図５（ａ）及び図１０から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０および電極４２０とソルダーレジスト２０８との間の距離は、それぞれソルダーレジスト２０８の厚さより小さい。また、図３、図５（ａ）及び図１０から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０および電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、それぞれソルダーレジスト１０８の厚さより小さい。したがって、電極４１０とソルダーレジスト２０８との間の距離Ｄ４０および電極４２０とソルダーレジスト２０８との間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である。同様に、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０および電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である。例えば、電子部品４００の高さＤ３０が１５０～２００μｍであるのに対し、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は５～１５μｍである。
半導体装置１００のパッド１３０及び配線板２００のパッド２３０は、Ｚ方向に視て、円形状であった。Ｚ方向に視て、パッド１３０のサイズはφ０．２３ｍｍであった。Ｚ方向に視て、パッド２３０のサイズはφ０．２３ｍｍであった。
図７（ｂ）に示す工程Ｓ２において、スクリーン印刷によって、はんだペーストＰ１～Ｐ４を配線板２００上に設けた。はんだペーストＰ１においてソルダーレジスト２０８の部分２０８Ｅ上に塗布した部分Ｐ１１は、電子部品４００の誘導路としてパッド２３０Ｅから延出している部分である。はんだペーストＰ２においてソルダーレジスト２０８の部分２０８Ｇ上に塗布した部分Ｐ２１は、電子部品４００の誘導路としてパッド２３０Ｇから延出している部分である。部分Ｐ１１，Ｐ２１のそれぞれの幅は０．１７５ｍｍ、長さは０．３ｍｍであった。はんだペーストＰ１及びＰ２は、Ｚ方向に視て、パッド２３０Ｓと接触しない位置に設けられており、互いの間隔は、パッド２３０Ｅ，２３０ＧからＹ方向に遠ざかるにつれて狭くなる。マスク２３の厚みは０．１ｍｍであった。
次に、図７（ｃ）に示す工程Ｓ３において、はんだペーストＰ１の部分Ｐ１１上およびはんだペーストＰ２の部分Ｐ２１上に、電子部品４００を載置した。
次に、図８（ａ）に示す工程Ｓ４において、パッド１３０Ｅとパッド２３０Ｅ、パッド１３０Ｇとパッド２３０Ｇ、パッド１３０Ｓとパッド２３０Ｓがそれぞれ対向するように、半導体装置１００を配線板２００上に載置した。
次に、配線板２００に半導体装置１００及び電子部品４００が載置された構造物を、リフロー炉内に搬送し、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示す工程Ｓ５－１，Ｓ５－２において、リフロー炉内の雰囲気のピーク温度を、２３０℃以上に設定して、構造物のリフロー加熱を行った。
工程Ｓ５－１において、はんだボールＢ１～Ｂ４が溶融し、パッド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓ１，１３０Ｓ２へ溶融はんだが濡れ広がる過程で、半導体装置１００がＺ１方向に沈み込んだ。半導体装置１００の沈み込みによって、電子部品４００が配線板２００のソルダーレジスト２０８と、半導体装置１００のソルダーレジスト１０８に挟まれ、これ以上の半導体装置１００の沈み込みが抑制された。
その後、工程Ｓ５－２において、加熱を継続する中で、はんだペーストＰ１～Ｐ４が溶融した。はんだペーストＰ１、Ｐ２が溶融してできた溶融はんだは、それぞれパッド２３０Ｅ，２３０Ｇに凝集された。電子部品４００は、パッド２３０Ｅ，２３０Ｇの直上までは移動せず、ソルダーレジスト１０８と、ソルダーレジスト２０８に挟まれた位置で留まった。
その後、図９に示す工程Ｓ６において、構造物の冷却を行った。接合部材３５０Ｅは、電極４１０とパッド１３０Ｅとパッド２３０Ｅとを互いに接合するように形成された。接合部材３５０Ｇは、電極４２０とパッド１３０Ｇとパッド２３０Ｇとを互いに接合するように形成された。
図５（ｂ）に示すように、電子部品４００は、Ｚ１方向に視て仮想線分Ｌ１が仮想線分Ｌ２に対してずれるように、配線板２００とパッケージ基板１０２との間に配置された。距離Ｄは、０．１５～０．１８ｍｍであった。電極４１０及び４２０の幅Ｗは０．２ｍｍであった。ピッチＰは０．５６５６ｍｍであった。
工程Ｓ３ではんだペーストＰ１，Ｐ２上に電子部品４００の電極４１０，４２０を配置した時に電極４１０，４２０に付着したはんだは、工程Ｓ５－２における押し付けによって、電極４１０，４２０とソルダーレジスト１０８，２０８の間からはみ出すが、溶融はんだが電極４１０，４２０にまとわりつく。そのため、工程Ｓ６において、ソルダーレジスト１０８と電極４１０，４２０との間、及びソルダーレジスト２０８と電極４１０，４２０との間のそれぞれに、５～２０μｍ程度のはんだが残りうる。
（実施例２）
第２実施形態に対応する実験結果を示す実施例２について説明する。処理モジュール３００Ｃを製造する実験において、半導体装置１００として、ＢＧＡの半導体パッケージを用意した。半導体装置１００において、はんだボールＢ１とはんだボールＢ２とのピッチは、０．５６５６ｍｍであった。また、はんだボールＢ１とはんだボールＢ３とのピッチは、０．４０ｍｍであった。また、はんだボールＢ２とはんだボールＢ４とのピッチは、０．４０ｍｍであった。半導体装置１００の断面に垂直な方向に視て、ソルダーレジスト２０８Ｃの表面からのはんだボールＢ１～Ｂ４の高さは、それぞれ０．２ｍｍであった。電子部品４００として、０４０２サイズのチップ部品を用意した。
半導体装置１００及び配線板２００Ｃの各パッドの厚さは、０．０１５ｍｍであった。ソルダーレジスト１０８，２０８Ｃのそれぞれの厚さは、０．０２０ｍｍであった。半導体装置１００において、導体パターンからソルダーレジスト１０８の表面までの高さは、０．０２０ｍｍであった。配線板２００Ｃにおいて、導体パターンからソルダーレジスト２０８Ｃの表面までの高さは、０．０２０ｍｍであった。
図１２及び図１４（ａ）から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０および電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離は、それぞれソルダーレジスト２０８Ｃの厚さより小さい。また、図１２及び図１４（ａ）から理解されるように、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０および電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、それぞれソルダーレジスト１０８の厚さより小さい。したがって、電極４１０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離Ｄ４０および電極４２０とソルダーレジスト２０８Ｃとの間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である。同様に、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０および電極４２０とソルダーレジスト１０８との間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である。例えば、電子部品４００の高さＤ３０が１５０～２００μｍであるのに対し、電極４１０とソルダーレジスト１０８との間の距離Ｄ６０は５～１５μｍである。
半導体装置１００のパッド１３０は、Ｚ方向に視て、円形状であった。Ｚ方向に視て、パッド１３０のサイズはφ０．２３ｍｍであった。
一方、配線板２００Ｃの複数のパッド２３０のうち、パッド２３０Ｓは、Ｚ方向に視て、円形状であった。Ｚ方向に視て、パッド２３０Ｓのサイズはφ０．２３ｍｍであった。パッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧのそれぞれは、φ０．２３ｍｍの円の一部をカットした欠円形状とした。
図１６（ｂ）に示す工程Ｓ２において、スクリーン印刷によって、はんだペーストＰ１～Ｐ４を配線板２００Ｃ上に設けた。はんだペーストＰ１においてソルダーレジスト２０８Ｃの部分２０８Ｅ上に塗布した部分Ｐ１１は、電子部品４００の誘導路としてパッド２３０ＣＥから延出している部分である。はんだペーストＰ２においてソルダーレジスト２０８Ｃの部分２０８Ｇ上に塗布した部分Ｐ２１は、電子部品４００の誘導路としてパッド２３０ＣＧから延出している部分である。部分Ｐ１１，Ｐ２１のそれぞれの幅は０．１７５ｍｍ、長さは０．３ｍｍであった。はんだペーストＰ１及びＰ２は、Ｚ方向に視て、パッド２３０Ｓと接触しない位置に設けられており、互いの間隔は、パッド２３０Ｅ，２３０ＧからＹ方向に遠ざかるにつれて狭くなる。マスク２３の厚みは０．１ｍｍであった。
次に、図１６（ｃ）に示す工程Ｓ１３において、はんだペーストＰ１の部分Ｐ１１上およびはんだペーストＰ２の部分Ｐ２１上に、電子部品４００を載置した。
次に、図１７（ａ）に示す工程Ｓ１４において、パッド１３０Ｅとパッド２３０ＣＥ、パッド１３０Ｇとパッド２３０ＣＧ、パッド１３０Ｓとパッド２３０Ｓがそれぞれ対向するように、半導体装置１００を配線板２００Ｃ上に載置した。
次に、配線板２００Ｃに半導体装置１００及び電子部品４００が載置された構造物を、リフロー炉内に搬送し、図１７（ｂ）及び図１７（ｃ）に示す工程Ｓ１５－１，Ｓ１５－２において、リフロー炉内の雰囲気のピーク温度を、２３０℃以上に設定して、構造物のリフロー加熱を行った。
工程Ｓ１５－１において、はんだペーストＰ１～Ｐ４が溶融した。はんだペーストＰ１，Ｐ２が溶融してできた溶融はんだは、パッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧへ凝集された。はんだペーストＰ１，Ｐ２が溶融してできた溶融はんだの凝集により、電子部品４００は、はんだボールＢ１，Ｂ２の近傍に誘導された。
続いて工程Ｓ１５－２において、はんだボールＢ１～Ｂ４が溶融し、パッド１３０Ｅ，１３０Ｇ，１３０Ｓ１，１３０Ｓ２へ溶融はんだが濡れ広がる過程で、半導体装置１００がＺ１方向に沈み込んだ。半導体装置１００の沈み込みによって、電子部品４００が配線板２００Ｃのソルダーレジスト２０８Ｃと、半導体装置１００のソルダーレジスト１０８に挟まれた。
また、工程Ｓ１５－２において、はんだボールＢ１～Ｂ４が溶融することで、半導体装置１００が沈み込んで電子部品４００に接触する前に、溶融はんだの凝集力により電子部品４００がパッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧ間へ移動した。電子部品４００の電極４１０の一部及び電極４２０の一部は、ソルダーレジスト２０８Ｃ及びソルダーレジスト１０８に挟まれた。これにより、半導体装置１００の沈み込みが抑制された。
工程Ｓ１３ではんだペーストＰ１，Ｐ２上に電子部品４００の電極４１０，４２０を配置した時に電極４１０，４２０に付着したはんだは、工程Ｓ１５－２における押し付けによって、電極４１０，４２０とソルダーレジスト１０８，２０８Ｃの間からはみ出すが、溶融はんだが電極４１０，４２０にまとわりつく。そのため、工程Ｓ１６において、ソルダーレジスト１０８と電極４１０，４２０との間、及びソルダーレジスト２０８Ｃと電極４１０，４２０との間のそれぞれに、５～２０μｍ程度のはんだが残りうる。
（比較例）
実施例１，２と比較するため、比較例の処理モジュールも製造した。図１９は、比較例の処理モジュール３００Ｘの一部分の平面図である。図１９において、半導体装置の図示は省略する。処理モジュール３００Ｘの半導体装置の構成は、半導体装置１００と同様の構成である。処理モジュール３００Ｘは、配線板２００Ｘと、電子部品４００とを備える。配線板２００Ｘは、Ｚ１方向に視てパッド２３０Ｅより面積の大きいパッド２３０ＸＥと、Ｚ１方向に視てパッド２３０Ｇより面積の大きいパッド２３０ＸＧと、を有する。また、配線板２００Ｘは、ソルダーレジストを備えていない。
処理モジュール３００Ｘを製造する際には、実施例１，２と同様に、はんだペーストＰ１～Ｐ４を配線板２００Ｘ上に塗布し、はんだペーストＰ１，Ｐ２上に電子部品４００を載置した。リフロー加熱によって溶融した溶融はんだの凝集力により電子部品４００が移動した。Ｚ方向において、電極４１０はパッド２３０ＸＥと対向させ、電極４２０はパッド２３０ＸＧと対向させた。電極４１０は、接合部材３５０ＸＥでパッド２３０ＸＥに接合され、電極４２０は、接合部材３５０ＸＧでパッド２３０ＸＧに接合された。
（実験結果）
実施例１の接合構造では、電子部品４００がソルダーレジスト１０８とソルダーレジスト２０８に挟まれているため、半導体装置１００の沈み込みが低減された。さらに、電子部品４００が、Ｚ１方向に視て仮想線分Ｌ１が仮想線分Ｌ２に対してずれるように、配線板２００とパッケージ基板１０２との間に配置される。このため、工程Ｓ５－１，Ｓ５－２において、電子部品４００の電極４１０，４２０がそれぞれパッド２３０Ｅ及び２３０Ｇの中心近傍に引き込まれなかった。
また、比較例では、パッド２３０ＸＥ，２３０ＸＧの面積が、実施例１のパッド２３０Ｅ，２３０Ｇの面積や実施例２のパッド２３０ＣＥ，２３０ＣＧの面積より広いため、溶融はんだが濡れ広がりやすく、オープン不良が発生することがあった。一方、実施例１，２においては、オープン不良は発生しなかった。
また、比較例では、電子部品４００の電極４１０，４２０の領域にソルダーレジストが存在しないため、半導体装置１００は、加熱前の状態を基準とし、この基準に対して３０μｍ沈み込んだ。実施例２では、半導体装置１００が基準に対して１０μｍの沈み込みであった。このように実施例２における半導体装置１００の沈み込み量が比較例における半導体装置１００の沈み込み量より小さいのは、配線板２００Ｃの導体パターンからソルダーレジスト２０８の表面までの高さが２０μｍあるためと考えられる。また、実施例２における半導体装置１００の沈み込み量が比較例における半導体装置１００の沈み込み量より小さいのは、電子部品４００において、素体４０１の下面と電極４１０の下面４１５との段差、及び素体４０１の下面と電極４２０の下面４２５との段差が、１０～２０μｍ程度であるためと考えられる。このため、電極４１０及び４２０がソルダーレジスト２０８上に位置することで、電極４１０，４２０をそれぞれパッド２３０ＸＥ，２３０ＸＧ上へ配置した場合に比べ、はんだ溶融時に、２０μｍ程度、半導体装置１００がＺ１方向に沈み込むことを抑制することができる。
図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は、実施例１，２及び比較例の実験結果を示すグラフである。図２０（ａ）に示す縦軸は、Ｚ方向に視た際の、実施例１における接合部材３５０Ｅ，３５０Ｇのいずれか一方の最大直径、実施例２における接合部材３５０ＣＥ，３５０ＣＧのいずれか一方の最大直径、及び比較例における接合部材３５０ＸＥ，３５０ＸＧのいずれか一方の最大直径である。図２０（ｂ）は、接合構造のショート不良の不良率である。不良率は、（隣接する接合部材間のショート不良数）／（生産数量）である。
図２０（ａ）に示すように、比較例の最大直径は３６５μｍであったのに対し、実施例１の最大直径は２９０μｍであり、実施例２の最大直径は３４０μｍであった。このように、実施例１及び実施例２の接合部材では、比較例の接合部材と比較して直径が小さくなった。即ち、実施例１及び実施例２では、比較例より半導体装置１００の沈み込み量が低減された結果、比較例より接合部材の直径が小さくなった。また、実施例１の接合部材では、実施例２と比較して直径が小さくなった。即ち、実施例１では、実施例２より半導体装置１００の沈み込み量が低減された結果、実施例２より接合部材の直径が小さくなった。
このように、実施例１，２では、接合部材が潰れて接合部材の直径が拡大することを低減することができ、実施例１では、より効果的に接合部材の直径が拡大することを低減することができる。その結果、図２０（ｂ）に示すように、比較例では、ショート不良の不良率が３３％であったのに対し、実施例１，２では、ショート不良の不良率が０％であった。
このように、実施例１では、電子部品４００の電極４１０、４２０のオープン不良を防ぎつつ、接合部材３５０Ｅと接合部材３５０Ｓ１とのショート不良を防ぐことができ、接合部材３５０Ｇと接合部材３５０Ｓ２とのショート不良を防ぐことができる。また、実施例２では、電子部品４００の電極４１０，４２０のオープン不良を防ぎつつ、接合部材３５０ＣＥと接合部材３５０Ｓ１とのショート不良を防ぐことができ、接合部材３５０ＣＧと接合部材３５０Ｓ２とのショート不良を防ぐことができる。
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想内で多くの変形が可能である。また、実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本開示による効果は、実施形態に記載されたものに限定されない。
上述の第１及び第２実施形態では、絶縁体２１０がソルダーレジスト２０８を有し、絶縁体１１０がソルダーレジスト１０８を有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。絶縁体２１０においてソルダーレジスト２０８が省略されてもよいし、絶縁体１１０においてソルダーレジスト１０８が省略されてもよい。即ち、電子部品４００は、絶縁体２１０と絶縁体１１０とに挟まれていればよい。
また、絶縁体２１０の内部、例えば絶縁基板２２０とソルダーレジスト２０８との間に、Ｚ方向に視て電子部品４００と重なる第１導体パターンが配置されていてもよい。または、絶縁体１１０の内部、例えば絶縁基板１２０とソルダーレジスト１０８との間に、Ｚ方向に視て電子部品４００と重なる第２導体パターンが配置されていてもよい。または、絶縁体２１０の内部に第１導体パターンが配置され、絶縁体１１０の内部に第２導体パターンが配置されてもよい。第１導体パターンは、複数のパッド２３０のうちいずれかのパッドに繋がっていてよいし、繋がっていなくてもよい。第２導体パターンは、複数のパッド１３０のうちいずれかのパッドに繋がっていてよいし、繋がっていなくてもよい。
上述の実施形態では、電子部品４００がチップコンデンサである場合について説明したが、これに限定されるものではない。電子部品４００がチップ抵抗器又はチップインダクタなどの受動部品であってもよい。
また、上述の第１実施形態では、配線板２００上に、配線板を含む半導体装置１００が実装される場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、配線板２００上に、別の配線板が実装されてもよい。この場合、配線板２００と別の配線板との間に電子部品４００が配置されていればよい。
また、配線板２００上に電子部品４００が実装される構造において、電子部品４００上にパッケージ基板１０２などの配線板がなくてもよい。即ち、電子部品４００を配線板２００に接合する製造工程において、電子部品４００を不図示のジグで配線板２００の絶縁体２１０に押し付けた状態ではんだ付けを行えばよい。これにより電子部品４００の電極４１０、４２０が、パッド２３０Ｇ、２３０Ｅの上へ移動することを抑制し、電子部品４００を配線板２００の絶縁体２１０上に配置することができる。
また、上述の第２実施形態では、配線板２００Ｃ上に、配線板を含む半導体装置１００が実装される場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、配線板２００Ｃ上に、別の配線板が実装されてもよい。この場合、配線板２００Ｃと別の配線板との間に電子部品４００が配置されていればよい。
また、配線板２００Ｃ上に電子部品４００が表面実装される構造において、電子部品４００上にパッケージ基板１０２などの配線板がなくてもよい。即ち、電子部品４００を配線板２００Ｃに接合する製造工程において、電子部品４００を不図示のジグで配線板２００Ｃの絶縁体２１０Ｃに押し付けた状態ではんだ付けを行えばよい。これにより、電子部品４００を配線板２００Ｃの絶縁体２１０Ｃ上に配置することができる。
また、上述の第１及び第２実施形態では、半導体装置１００がＢＧＡの半導体パッケージである場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、半導体装置１００がＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の半導体パッケージであってもよい。ＬＧＡの半導体パッケージの場合、処理モジュールの製造において、はんだボールは省略される。そして、半導体装置１００の実装において、実装面１０３および実装面２０１の一方あるいは両方に、はんだペーストが塗布される。また、配線部品としての半導体装置１００はチップサイズパッケージであってもよい。その場合には半導体チップである半導体素子１０１の裏面上には、ウエハレベルで形成された再配線パターンやはんだボールを配置することができるため、半導体装置１００においてパッケージ基板１０２を省略することもできる。
また、上述の第１実施形態では、実装面２０１の絶縁領域Ｒ１を形成する第１絶縁部材がソルダーレジスト２０８のような有機絶縁膜である場合を例に説明し、上述の第２実施形態では、実装面２０１Ｃの絶縁領域Ｒ１Ｃを形成する第１絶縁部材がソルダーレジスト２０８Ｃのような有機絶縁膜である場合を例に説明したが、これらに限定されるものではない。第１絶縁部材が、有機絶縁膜以外の絶縁部材、例えばセラミック基体又はプラスチック基体などの絶縁基体であってもよく、絶縁基体の主面上にパッド２３０又は２３０Ｃが配置されてもよい。これらの場合、絶縁基体の主面において、パッド２３０又は２３０Ｃで隠れた領域を除いた領域が、実装面の絶縁領域である。また、第１絶縁部材が、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン、窒化シリコン又は酸化アルミニウムなどの無機絶縁膜であってもよく、無機絶縁膜が導電体層２０５又は２０５Ｃにおいてパッド２３０又は２３０Ｃを除く部分を覆っていてもよい。これらの場合、無機絶縁膜の主面の領域が、実装面の絶縁領域である。
また、上述の第１及び第２実施形態では、実装面１０３の絶縁領域Ｒ２を形成する第２絶縁部材がソルダーレジスト１０８のような有機絶縁膜である場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。第２絶縁部材が、有機絶縁膜以外の絶縁部材、例えばセラミック基体又はプラスチック基体などの絶縁基体であってもよく、絶縁基体の主面上にパッド１３０が配置されてもよい。この場合、絶縁基体の主面において、パッド１３０で隠れた領域を除いた領域が、実装面の絶縁領域である。また、第２絶縁部材が、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン、窒化シリコン又は酸化アルミニウムなどの無機絶縁膜であってもよく、無機絶縁膜が導電体層１０５においてパッド１３０を除く部分を覆っていてもよい。この場合、無機絶縁膜の主面の領域が、実装面の絶縁領域である。
また、第１配線部品がプリント配線板であり、第２配線部品が集積回路部品である場合について説明したが、これに限定されるものではない。第１配線部品が第１プリント配線板であり、第２配線部品が第２プリント配線板であってもよい。また、第１配線部品が集積回路部品であり、第２配線部品がプリント配線板であってもよい。また、第１配線部品が第１集積回路部品であり、第２配線部品が第２集積回路部品であってもよい。
また、上述の第１及び第２実施形態では、電子モジュールが処理モジュール３００～３００Ｃである場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、電子モジュールは、センサモジュール９００であってもよい。
また、上述の実施形態の電子モジュールを適用可能な電子機器は、スマートフォンやパーソナルコンピュータのような情報機器、モデムやルーターなどの通信機器であってもよい。あるいは、電子機器は、プリンタや複写機のような事務機器、Ｘ線撮影装置や内視鏡などの医療機器、ロボットや半導体製造装置などの産業機器、車両や飛行機、船舶などの輸送機器であってもよい。
本明細書の開示内容は、本明細書に明示的に記載したことのみならず、本明細書および本明細書に添付した図面から把握可能な全ての事項を含む。また本明細書の開示内容は、本明細書に記載した個別の概念の補集合を含んでいる。すなわち、本明細書に例えば「ＡはＢである」旨の記載があれば、たとえ「ＡはＢでない」旨の記載を省略していたとしても、本明細書は「ＡはＢでない」旨を開示していると云える。なぜなら、「ＡはＢである」旨を記載している場合には、「ＡはＢでない」場合を考慮していることが前提だからである。
以上の実施形態の開示は、以下の項を含む。
（項１）
第１実装面に、第１パッドと、第２パッドと、前記第１パッド及び前記第２パッドを画定する第１絶縁部材と、を有する第１配線部品と、
第１電極及び第２電極を有し、前記第１実装面の上に表面実装された第１電子部品と、
前記第１パッド及び前記第１電極を互いに接合する第１接合部材と、
前記第２パッド及び前記第２電極を互いに接合する第２接合部材と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１実装面のうち前記第１絶縁部材で形成された絶縁領域の上に位置しており、
前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、前記第１電極と前記第１パッドとの間の距離よりも小さい、
ことを特徴とする電子モジュール。
（項２）
前記第１配線部品に対向して配置された第２配線部品を更に備え、
前記第１電子部品は、前記第１配線部品と前記第２配線部品との間に配置されている、
ことを特徴とする項１に記載の電子モジュール。
（項３）
前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、前記第２電極と前記第２パッドとの間の距離よりも小さい、
ことを特徴とする項１又は２に記載の電子モジュール。
（項４）
前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、それぞれ０．１２５ｍｍ未満である、
ことを特徴とする項１乃至３のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項５）
前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、前記第１電極の高さの半分未満である、
ことを特徴とする項１乃至４のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項６）
前記第１電極と前記第１配線部品との間の距離および前記第２電極と前記第１配線部品との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下である、
ことを特徴とする項１乃至５のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項７）
前記第１電極と前記第２配線部品との間の距離および前記第２電極と前記第２配線部品との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下である、
ことを特徴とする項２に記載の電子モジュール。
（項８）
前記第１電子部品の前記第１電極の、前記第１配線部品と前記第２配線部品とが対向する方向における高さは、前記第１電子部品と前記第１配線部品との間の距離および前記第１電子部品と前記第２配線部品との間の距離のそれぞれよりも大きい、
ことを特徴とする項２又は７に記載の電子モジュール。
（項９）
前記第１配線部品は、第１絶縁基板と、前記第１パッド及び前記第２パッドを含む第１導電体層と、を有し、
前記第１絶縁部材と前記第１絶縁基板との間に前記第１導電体層が配置され、
前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１パッド及び前記第２パッドに重ならない、
ことを特徴とする項１乃至８のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項１０）
前記第１絶縁部材は、第１ソルダーレジストであり、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材は、はんだを含み、
前記第１電極と前記第１ソルダーレジストとの間の距離及び前記第２電極と前記第１ソルダーレジストとの間の距離は、それぞれ前記第１ソルダーレジストの厚さよりも小さい、
ことを特徴とする項１乃至９のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項１１）
前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である、
ことを特徴とする項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項１２）
前記第２配線部品は第２実装面を有し、前記第１実装面と前記第２実装面とが電気的に接続されている、
ことを特徴とする項２、７又は８に記載の電子モジュール。
（項１３）
前記第２配線部品は、前記第２実装面に第２絶縁部材を有し、
前記第１電子部品と前記第２絶縁部材との間の距離は０．１２５ｍｍ未満である、
ことを特徴とする項１２に記載の電子モジュール。
（項１４）
前記第２配線部品は、前記第２実装面に第３パッド及び第４パッドと、前記第３パッド及び前記第４パッドを画定する第２絶縁部材と、を有し、
前記第１接合部材は、前記第１パッド、前記第３パッド及び前記第１電極を互いに接合し、
前記第２接合部材は、前記第２パッド、前記第４パッド及び前記第２電極を互いに接合し、
前記第１電子部品と前記第２絶縁部材との間の距離は、前記第１電子部品と前記第３パッドとの間の距離よりも小さい、
ことを特徴とする項１２又は１３に記載の電子モジュール。
（項１５）
前記第２配線部品は、第２絶縁基板と、前記第３パッド及び前記第４パッドを含む第２導電体層とを有し、前記第２絶縁部材と前記第２絶縁基板との間に前記第２導電体層が配置され、
前記第２実装面に垂直な方向に視て、前記第１電極及び前記第２電極は、前記第３パッド及び前記第４パッドに重ならない、
ことを特徴とする項１４に記載の電子モジュール。
（項１６）
前記第２絶縁部材は、第２ソルダーレジストであり、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材は、はんだであり、
前記第１電極と前記第２ソルダーレジストとの間の距離及び前記第２電極と前記第２ソルダーレジストとの間の距離は、それぞれ前記第２ソルダーレジストの厚さよりも小さい、
ことを特徴とする項１４又は１５に記載の電子モジュール。
（項１７）
前記第１電極と前記第２絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第２絶縁部材との間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である、
ことを特徴とする項１４乃至１６のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項１８）
前記第１電子部品は、前記第１電極と前記第２電極との間の素体を有し、前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離が、前記素体と前記第２絶縁部材との間の距離よりも小さく、前記第１電極と前記第２絶縁部材との間の距離が、前記素体と前記第１絶縁部材との間の距離よりも小さい、
ことを特徴とする項１４乃至１７のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項１９）
前記第１パッドと前記第３パッドとは、前記第１電子部品の高さ方向において互いに対向しており、
前記高さ方向における前記第１パッドと前記第３パッドとの間の距離は、前記高さ方向における前記第１絶縁部材と前記第２絶縁部材との間の距離より大きい、
ことを特徴とする項１４乃至１８のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項２０）
前記第１配線部品と前記第２配線部品との間に配置され、前記第１電子部品より高さの低い第２電子部品を更に備え、
前記第２電子部品の電極は前記第１実装面に配置されたパッドの上に位置している、
ことを特徴とする項２、７、８、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８又は１９に記載の電子モジュール。
（項２１）
前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１電極の中心から前記第２電極の中心までの第１仮想線分が、前記第１パッドの中心から前記第２パッドの中心までの第２仮想線分に重ならない、
ことを特徴とする項１乃至２０のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項２２）
前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１仮想線分と前記第２仮想線分との最短距離が、前記第１電極の幅の１／２より大きい、
ことを特徴とする項２１に記載の電子モジュール。
（項２３）
前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１仮想線分と前記第２仮想線分との最短距離が、前記第１パッドと前記第５パッドとのピッチより小さい、
ことを特徴とする項２１に記載の電子モジュール。
（項２４）
前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
前記第１電極は、前記第５パッドより前記第１パッドに近い、
ことを特徴とする項１乃至２２のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項２５）
前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
前記第１電子部品の高さが、前記第１パッドと前記第５パッドとのピッチの１／４より大きい、
ことを特徴とする項１乃至２２のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項２６）
前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
前記第１電子部品の高さが、前記第１パッドと前記第５パッドとのピッチより小さい、
ことを特徴とする項１乃至２２のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項２７）
前記第１電子部品は受動部品である、
ことを特徴とする項１乃至２６のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項２８）
前記第１電子部品はコンデンサである、
ことを特徴とする項１乃至２７のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項２９）
前記第１電子部品の平面視のサイズは、０．４ｍｍ×０．２ｍｍのサイズ以下である、
ことを特徴とする項１乃至２８のいずれか１項に記載の電子モジュール。
（項３０）
前記第１配線部品および前記第２配線部品の少なくとも一方は集積回路部品である、
ことを特徴とする項２、７、８、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９又は２０に記載の電子モジュール。
（項３１）
前記第１配線部品および前記第２配線部品の少なくとも一方はプリント配線板である、
ことを特徴とする項２、７、８、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９又は２０に記載の電子モジュール。
（項３２）
筐体と、
前記筐体に配置された、項１乃至３１のいずれか１項に記載の電子モジュールと、を備える、
ことを特徴とする電子機器。
（項３３）
イメージセンサを備える、
ことを特徴とする項３２に記載の電子機器。
（項３４）
電子モジュールの製造方法であって、
配線部品の第１パッドの上から前記配線部品の絶縁部材の上に亘って第１はんだペーストを供給し、かつ前記配線部品の第２パッドの上から前記配線部品の前記絶縁部材の上に亘って第２はんだペーストを供給し、
電子部品の第１電極が前記第１はんだペーストにおける前記絶縁部材の上の部分と接触し、かつ前記電子部品の第２電極が前記第２はんだペーストにおける前記絶縁部材の上の部分と接触するように、前記電子部品を前記配線部品の上に載置し、
前記電子部品が前記絶縁部材に押し付けられた状態で、前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストを加熱して溶融させて、第１溶融はんだ及び第２溶融はんだを形成し、かつ、前記第１溶融はんだ及び前記第２溶融はんだを冷却して固化させることで、前記第１電極及び前記第２電極が前記絶縁部材の上に位置した状態で、前記第１電極及び前記第２電極を前記配線部品に接合する第１接合部材及び第２接合部材を形成する、
ことを特徴とする電子モジュールの製造方法。
１０２…パッケージ基板（第２配線板）、１０８…ソルダーレジスト（第２絶縁部材、第２ソルダーレジスト）、１３０Ｅ…パッド（第３パッド）、１３０Ｇ…パッド（第４パッド）、２００…配線板（第１配線部品）、２０８…ソルダーレジスト（第１絶縁部材、第１ソルダーレジスト）、２３０Ｅ…パッド（第１パッド）、２３０Ｇ…パッド（第２パッド）、３００…処理モジュール（電子モジュール）、３５０Ｅ…接合部材（第１接合部材）、３５０Ｇ…接合部材（第２接合部材）、４００…電子部品（第１電子部品）、４１０…電極（第１電極）、４２０…電極（第２電極）

Claims (34)

  1. 第１実装面に、第１パッドと、第２パッドと、前記第１パッド及び前記第２パッドを画定する第１絶縁部材と、を有する第１配線部品と、
    第１電極及び第２電極を有し、前記第１実装面の上に表面実装された第１電子部品と、
    前記第１パッド及び前記第１電極を互いに接合する第１接合部材と、
    前記第２パッド及び前記第２電極を互いに接合する第２接合部材と、を備え、
    前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１実装面のうち前記第１絶縁部材で形成された絶縁領域の上に位置しており、
    前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、前記第１電極と前記第１パッドとの間の距離よりも小さい、
    ことを特徴とする電子モジュール。
  2. 前記第１配線部品に対向して配置された第２配線部品を更に備え、
    前記第１電子部品は、前記第１配線部品と前記第２配線部品との間に配置されている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  3. 前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、前記第２電極と前記第２パッドとの間の距離よりも小さい、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  4. 前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、それぞれ０．１２５ｍｍ未満である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  5. 前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、前記第１電極の高さの半分未満である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  6. 前記第１電極と前記第１配線部品との間の距離および前記第２電極と前記第１配線部品との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  7. 前記第１電極と前記第２配線部品との間の距離および前記第２電極と前記第２配線部品との間の距離は、それぞれ５０μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電子モジュール。
  8. 前記第１電子部品の前記第１電極の、前記第１配線部品と前記第２配線部品とが対向する方向における高さは、前記第１電子部品と前記第１配線部品との間の距離および前記第１電子部品と前記第２配線部品との間の距離のそれぞれよりも大きい、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電子モジュール。
  9. 前記第１配線部品は、第１絶縁基板と、前記第１パッド及び前記第２パッドを含む第１導電体層と、を有し、
    前記第１絶縁部材と前記第１絶縁基板との間に前記第１導電体層が配置され、
    前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１パッド及び前記第２パッドに重ならない、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  10. 前記第１絶縁部材は、第１ソルダーレジストであり、
    前記第１接合部材及び前記第２接合部材は、はんだを含み、
    前記第１電極と前記第１ソルダーレジストとの間の距離及び前記第２電極と前記第１ソルダーレジストとの間の距離は、それぞれ前記第１ソルダーレジストの厚さよりも小さい、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  11. 前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第１絶縁部材との間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  12. 前記第２配線部品は第２実装面を有し、前記第１実装面と前記第２実装面とが電気的に接続されている、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電子モジュール。
  13. 前記第２配線部品は、前記第２実装面に第２絶縁部材を有し、
    前記第１電子部品と前記第２絶縁部材との間の距離は０．１２５ｍｍ未満である、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の電子モジュール。
  14. 前記第２配線部品は、前記第２実装面に第３パッド及び第４パッドと、前記第３パッド及び前記第４パッドを画定する第２絶縁部材と、を有し、
    前記第１接合部材は、前記第１パッド、前記第３パッド及び前記第１電極を互いに接合し、
    前記第２接合部材は、前記第２パッド、前記第４パッド及び前記第２電極を互いに接合し、
    前記第１電子部品と前記第２絶縁部材との間の距離は、前記第１電子部品と前記第３パッドとの間の距離よりも小さい、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の電子モジュール。
  15. 前記第２配線部品は、第２絶縁基板と、前記第３パッド及び前記第４パッドを含む第２導電体層とを有し、前記第２絶縁部材と前記第２絶縁基板との間に前記第２導電体層が配置され、
    前記第２実装面に垂直な方向に視て、前記第１電極及び前記第２電極は、前記第３パッド及び前記第４パッドに重ならない、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の電子モジュール。
  16. 前記第２絶縁部材は、第２ソルダーレジストであり、
    前記第１接合部材及び前記第２接合部材は、はんだであり、
    前記第１電極と前記第２ソルダーレジストとの間の距離及び前記第２電極と前記第２ソルダーレジストとの間の距離は、それぞれ前記第２ソルダーレジストの厚さよりも小さい、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の電子モジュール。
  17. 前記第１電極と前記第２絶縁部材との間の距離および前記第２電極と前記第２絶縁部材との間の距離は、それぞれ２０μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の電子モジュール。
  18. 前記第１電子部品は、前記第１電極と前記第２電極との間の素体を有し、前記第１電極と前記第１絶縁部材との間の距離が、前記素体と前記第２絶縁部材との間の距離よりも小さく、前記第１電極と前記第２絶縁部材との間の距離が、前記素体と前記第１絶縁部材との間の距離よりも小さい、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の電子モジュール。
  19. 前記第１パッドと前記第３パッドとは、前記第１電子部品の高さ方向において互いに対向しており、
    前記高さ方向における前記第１パッドと前記第３パッドとの間の距離は、前記高さ方向における前記第１絶縁部材と前記第２絶縁部材との間の距離より大きい、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の電子モジュール。
  20. 前記第１配線部品と前記第２配線部品との間に配置され、前記第１電子部品より高さの低い第２電子部品を更に備え、
    前記第２電子部品の電極は前記第１実装面に配置されたパッドの上に位置している、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電子モジュール。
  21. 前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１電極の中心から前記第２電極の中心までの第１仮想線分が、前記第１パッドの中心から前記第２パッドの中心までの第２仮想線分に重ならない、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  22. 前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１仮想線分と前記第２仮想線分との最短距離が、前記第１電極の幅の１／２より大きい、
    ことを特徴とする請求項２１に記載の電子モジュール。
  23. 前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
    前記第１実装面に垂直な方向に視て、前記第１仮想線分と前記第２仮想線分との最短距離が、前記第１パッドと前記第５パッドとのピッチより小さい、
    ことを特徴とする請求項２１に記載の電子モジュール。
  24. 前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
    前記第１電極は、前記第５パッドより前記第１パッドに近い、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  25. 前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
    前記第１電子部品の高さが、前記第１パッドと前記第５パッドとのピッチの１／４より大きい、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  26. 前記第１配線部品は、前記第１実装面に配置された複数のパッドの中で、前記第１パッドと前記第２パッドとが隣接する方向と交差する方向において前記第１パッドに最も近接して配置された第５パッドを有し、
    前記第１電子部品の高さが、前記第１パッドと前記第５パッドとのピッチより小さい、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  27. 前記第１電子部品は受動部品である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  28. 前記第１電子部品はコンデンサである、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  29. 前記第１電子部品の平面視のサイズは、０．４ｍｍ×０．２ｍｍのサイズ以下である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  30. 前記第１配線部品および前記第２配線部品の少なくとも一方は集積回路部品である、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電子モジュール。
  31. 前記第１配線部品および前記第２配線部品の少なくとも一方はプリント配線板である、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電子モジュール。
  32. 筐体と、
    前記筐体に配置された、請求項１乃至３１のいずれか１項に記載の電子モジュールと、
    を備える、
    ことを特徴とする電子機器。
  33. イメージセンサを備える、
    ことを特徴とする請求項３２に記載の電子機器。
  34. 電子モジュールの製造方法であって、
    配線部品の第１パッドの上から前記配線部品の絶縁部材の上に亘って第１はんだペーストを供給し、かつ前記配線部品の第２パッドの上から前記配線部品の前記絶縁部材の上に亘って第２はんだペーストを供給し、
    電子部品の第１電極が前記第１はんだペーストにおける前記絶縁部材の上の部分と接触し、かつ前記電子部品の第２電極が前記第２はんだペーストにおける前記絶縁部材の上の部分と接触するように、前記電子部品を前記配線部品の上に載置し、
    前記電子部品が前記絶縁部材に押し付けられた状態で、前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストを加熱して溶融させて、第１溶融はんだ及び第２溶融はんだを形成し、かつ、前記第１溶融はんだ及び前記第２溶融はんだを冷却して固化させることで、前記第１電極及び前記第２電極が前記絶縁部材の上に位置した状態で、前記第１電極及び前記第２電極を前記配線部品に接合する第１接合部材及び第２接合部材を形成する、
    ことを特徴とする電子モジュールの製造方法。
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