JP2020205409A - 半導体モジュールの製造方法、電子機器の製造方法、半導体モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体モジュールの生産性を向上させる。【解決手段】コンデンサ４００、半導体装置１００、及びプリント配線板２００を用意しておく。プリント配線板２００にはんだペーストＰ１，Ｐ２を供給する。コンデンサ４００の電極４１０がはんだペーストＰ１に接し、コンデンサ４００の電極４２０がはんだペーストＰ２に接するように、コンデンサ４００をプリント配線板２００上に載置する。ランド１３０Ｅが電極４１０と対向し、ランド１３０Ｇが電極４２０と対向するように、半導体装置１００をプリント配線板２００上に載置する。はんだペーストＰ１，Ｐ２を加熱して溶融させる。これにより、溶融はんだＭ１，Ｍ２がランド１３０Ｅ，１３０Ｇまで濡れ広がる。溶融はんだＭ１，Ｍ２を冷却固化させることで、ランド１３０Ｅ、１３０Ｇと電極４１０，４２０とをはんだで接合する。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置を有する半導体モジュールの技術に関する。

モバイル機器などの電子機器は、メモリなどの別の半導体装置と通信する半導体装置と、半導体装置が実装されたプリント配線板と、を含む半導体モジュールを備えている。半導体装置は、半導体素子及びパッケージ基板を有する半導体パッケージである。半導体装置に含まれる端子の配列構造は、例えばＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）である。電子機器においては、半導体装置の通信の高速化、及び低電圧化が進んでおり、半導体装置にて生じるノイズを低減することが求められている。また、電子機器の小型化及び薄型化に伴い、半導体装置においては、隣り合う端子同士の狭ピッチ化が望まれている。

ノイズを低減する手段の１つとして、半導体装置の電源端子とグラウンド端子との間に、バイパスコンデンサを接続することが考えられている。バイパスコンデンサは、ＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）により、プリント配線板において半導体装置の隣、又はプリント配線板において半導体装置が実装される面とは反対側の面に実装されるのが一般的である。しかし、この方法では、半導体装置とコンデンサとを電気的に接続する配線をプリント配線板に形成しておく必要があり、その配線のインダクタンスが、半導体装置における通信速度の高速化を阻害するノイズを発生させる一因となる。これに対し、特許文献１には、ＢＧＡパッケージの電源パッドと接地パッドとに、バイパスコンデンサをはんだで直付けする技術が開示されている。

特開２００６−１７３４０７号公報

しかし、特許文献１の技術では、半導体装置をプリント配線板に実装する前に、予め、コンデンサの一対の電極の各々に、はんだボールを形成しておかなければならない。コンデンサは、小型の電子部品である。このため、コンデンサの電極にはんだボールを形成しておくのは製造上難しい。また、コンデンサの電極にはんだボールを形成する工程が必要であるため、製造工程が増える。よって、従来よりも半導体モジュールの生産性を向上させることが求められていた。このような問題は、コンデンサ以外の小型の電子部品、例えばインダクタ又は抵抗器を半導体装置に接続する場合にも生じる。さらに、これらの電子部品は半導体装置に接続される際に、接合強度が必要とされる。

そこで、半導体モジュールの生産性を向上させる技術が期待されていた。また、半導体モジュールに接続される電子部品の接合強度を高めることが期待されていた。

本発明の第１の態様によれば、半導体モジュールの製造方法は、所定方向に間隔をあけて配置された第１電極及び第２電極を含むチップ部品、第１ランド及び第２ランドを含む半導体装置、並びにプリント配線板を用意し、前記プリント配線板に、間隔をあけて第１はんだペースト及び第２はんだペーストを供給し、前記第１電極が前記第１はんだペーストと接し、前記第２電極が前記第２はんだペーストと接するように、前記チップ部品を前記プリント配線板上に載置し、前記第１ランドが前記第１電極と対向し、前記第２ランドが前記第２電極と対向するように、前記半導体装置を前記プリント配線板上に載置し、前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストを加熱して溶融させ、前記第１ランド及び前記第２ランドの各々まで濡れ広がった溶融はんだが冷却されて固化することで、前記第１ランドと前記第１電極とをはんだで接合し、前記第２ランドと前記第２電極とをはんだで接合する。

本発明の第２の態様によれば、半導体モジュールは、プリント配線板と、第１ランド及び第２ランドを含み、前記プリント配線板に実装された半導体装置と、所定方向に間隔をあけた第１電極及び第２電極を含み、前記プリント配線板と前記半導体装置との間に配置されたチップ部品と、前記第１電極と前記第１ランドとを接合する第１はんだ接合部と、前記第２電極と前記第２ランドとを接合する第２はんだ接合部と、を備え、前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置されたソルダーレジストと、を有し、前記チップ部品は、前記ソルダーレジストと対向し、平面視して、前記第１ランド及び前記第２ランドの各々は、前記第１電極及び前記第２電極の各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記チップ部品から前記所定方向の外側に張り出しており、前記第１はんだ接合部は、前記ソルダーレジストから前記第１ランドに向かうにつれて、前記第１電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしており、前記第２はんだ接合部は、前記ソルダーレジストから前記第２ランドに向かうにつれて、前記第２電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしている。

本発明の第３の態様によれば、半導体モジュールは、プリント配線板と、第１ランド及び第２ランドを含み、前記プリント配線板に実装された半導体装置と、所定方向に間隔をあけた第１電極及び第２電極を含み、前記プリント配線板と前記半導体装置との間に配置されたチップ部品と、前記第１電極と前記第１ランドとを接合する第１はんだ接合部と、前記第２電極と前記第２ランドとを接合する第２はんだ接合部と、を備え、前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置され、前記第１はんだ接合部で前記第１ランドに電気的に接続された第３ランドと、前記絶縁基板の主面に配置され、前記第２はんだ接合部で前記第２ランドに電気的に接続された第４ランドと、を有し、平面視して、前記第１ランド及び前記第２ランドの各々は、前記第１電極及び前記第２電極の各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記第３ランド及び前記第４ランドの各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記チップ部品から前記所定方向の外側に張り出しており、前記第１はんだ接合部は、前記第３ランドから前記第１ランドに向かうにつれて、前記第１電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしており、前記第２はんだ接合部は、前記第４ランドから前記第２ランドに向かうにつれて、前記第２電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしている。

本発明の第４の態様によれば、半導体モジュールは、プリント配線板と、第１ランド及び第２ランドを含み、前記プリント配線板に実装された半導体装置と、所定方向に間隔をあけた第１電極及び第２電極を含み、前記プリント配線板と前記半導体装置との間に配置されたチップ部品と、前記第１電極と前記第１ランドとを接合する第１はんだ接合部と、前記第２電極と前記第２ランドとを接合する第２はんだ接合部と、を備え、前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置されたソルダーレジストと、を有し、前記ソルダーレジストは、前記チップ部品の一部が挿入された開口部を有し、平面視して、前記第１ランド及び前記第２ランドの各々は、前記第１電極及び前記第２電極の各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記チップ部品から前記所定方向の外側に張り出しており、前記第１はんだ接合部は、前記絶縁基板の前記主面において前記ソルダーレジストの前記開口部により露出させられた部分から前記第１ランドに向かうにつれて、前記第１電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしており、前記第２はんだ接合部は、前記絶縁基板の前記主面において前記ソルダーレジストの前記開口部により露出させられた部分から前記第２ランドに向かうにつれて、前記第２電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしている。

本発明によれば、半導体モジュールの生産性が向上する。

第１実施形態に係る電子機器の一例の説明図である。 （ａ）は、第１実施形態に係る処理モジュールの斜視図である。（ｂ）は、処理モジュールの断面模式図である。 第１実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大した断面模式図である。 （ａ）は、第１実施形態に係る処理モジュールを分解した部分斜視図である。（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置、コンデンサ、及びプリント配線板の配置関係を説明するための模式図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第１実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 第２実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大した断面模式図である。 （ａ）は、第２実施形態に係る処理モジュールを分解した部分斜視図である。（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置、コンデンサ、及びプリント配線板の配置関係を説明するための模式図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第２実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 第３実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大した断面模式図である。 （ａ）は、第３実施形態に係る処理モジュールを分解した部分斜視図である。（ｂ）は、第３実施形態に係る半導体装置、コンデンサ、及びプリント配線板の配置関係を説明するための模式図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第３実施形態に係る処理モジュールの製造方法の説明図である。 （ａ）は、実施例１の処理モジュールの断面模式図である。（ｂ）は、実施例２の処理モジュールの断面模式図である。（ｃ）は、比較例１の処理モジュールの断面模式図である。 実施例１、実施例２、及び比較例１のインダクタンスの計算結果を示すグラフである。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る電子機器の一例としての撮像装置であるデジタルカメラ６００の説明図である。撮像装置であるデジタルカメラ６００は、レンズ交換式のデジタルカメラであり、カメラ本体６０１を備える。カメラ本体６０１には、レンズを含むレンズユニット（レンズ鏡筒）６０２が着脱可能となっている。カメラ本体６０１は、筐体６１１と、筐体６１１の内部に配置された、プリント回路板である処理モジュール３００及びセンサモジュール９００と、を備えている。処理モジュール３００は、半導体モジュールの一例である。処理モジュール３００とセンサモジュール９００とはケーブル９５０で電気的に接続されている。

センサモジュール９００は、撮像素子であるイメージセンサ７００と、プリント配線板８００と、を有する。イメージセンサ７００は、プリント配線板８００に実装されている。イメージセンサ７００は、例えばＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ又はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサである。イメージセンサ７００は、レンズユニット６０２を介して入射した光を電気信号に変換する機能を有する。

処理モジュール３００は、半導体装置１００と、第１配線板であるプリント配線板２００と、を有する。半導体装置１００は、プリント配線板２００に実装されている。プリント配線板２００は、リジッド基板である。半導体装置１００は、例えばデジタルシグナルプロセッサであり、イメージセンサ７００から電気信号を取得し、取得した電気信号を補正する処理を行い、画像データを生成する機能を有する。

図２（ａ）は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の斜視図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿う処理モジュール３００の断面模式図である。図３は、図２（ｂ）に示す処理モジュール３００の一部分を拡大した断面模式図である。以下、図２（ａ）、図２（ｂ）及び図３を参照しながら説明する。

半導体装置１００は、エリアアレイの半導体パッケージであり、第１実施形態では、ＢＧＡの半導体パッケージである。半導体装置１００は、半導体素子１０１と、第２配線板であるパッケージ基板１０２と、を有する。パッケージ基板１０２は、リジッド基板である。

半導体素子１０１は、パッケージ基板１０２に実装されている。パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０を有する。絶縁基板１２０は、主面１２１と、主面１２１とは反対側の主面１２２と、を有する。絶縁基板１２０の材質は、例えばアルミナ等のセラミックやガラスを含有したエポキシ樹脂である。半導体素子１０１は、例えば半導体チップであり、フェイスアップ又はフェイスダウン、第１実施形態ではフェイスダウンで絶縁基板１２０の主面１２１に実装されている。絶縁基板１２０の主面１２１には、半導体素子１０１を封止する封止樹脂１０６が設けられている。パッケージ基板１０２は、絶縁基板１２０の主面１２２に配置された複数のランド１３０を有する。複数のランド１３０の配列パターンは、格子状、即ちマトリックス状であってもよいし、千鳥状であってもよい。ランド１３０は、導電性を有する金属材料、例えば銅又は金で形成された端子であり、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。主面１２２上には、ソルダーレジスト１０８が設けられている。ソルダーレジスト１０８は、ソルダーレジスト材で構成された膜である。複数のランド１３０の各々は、ソルダーレジスト１０８に形成された開口部により露出させられている。ランド１３０は、ＳＭＤ（ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ）又はＮＳＭＤ（ｎｏｎ−ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ）のいずれのランドであってもよいが、第１実施形態ではＳＭＤのランドである。なお、図示は省略するが、半導体素子１０１の上面に放熱板が配置されていてもよい。

半導体素子１０１は、複数の電源端子、複数のグラウンド端子、複数の信号端子を有しており、各端子が不図示のワイヤーボンディングまたはフリップチップボンディングでパッケージ基板１０２に接合されている。図２（ｂ）及び図３には、複数の電源端子のうちの１つである電源端子１１１Ｅが図示され、複数のグラウンド端子のうちの１つであるグラウンド端子１１１Ｇが図示されている。即ち、半導体素子１０１は、電源端子１１１Ｅと、グラウンド端子１１１Ｇとを有する。

プリント配線板２００は、絶縁基板２２０を有する。絶縁基板２２０は、主面２２１と、主面２２１とは反対側の主面２２２とを有する。プリント配線板２００は、絶縁基板２２０の主面２２１に配置された複数のランド２３０を有する。ランド２３０は、導電性を有する金属材料、例えば銅又は金で形成された端子であり、例えば信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。絶縁基板２２０の材質は、エポキシ樹脂等の絶縁材料である。

プリント配線板２００は、ソルダーレジスト２０８を有する。ソルダーレジスト２０８は、ソルダーレジスト材で構成された膜である。ソルダーレジスト２０８は、主面２２１上に設けられている。複数のランド２３０の各々は、ソルダーレジスト２０８に形成された開口部により露出させられている。ランド２３０は、ＳＭＤ又はＮＳＭＤのいずれのランドであってもよいが、第１実施形態ではＳＭＤのランドである。

複数のランド１３０には、電源端子となるランド１３０Ｅと、グラウンド端子となるランド１３０Ｇと、が含まれている。複数のランド１３０は、各々のランドの間隔が０．４ｍｍ以下のピッチで配列されている。ランド１３０Ｅが第１ランド、ランド１３０Ｇが第２ランドである。ランド１３０Ｅは、絶縁基板１２０に形成されたヴィア導体１１２Ｅを介して半導体素子１０１の電源端子１１１Ｅに電気的に接続されている。ランド１３０Ｇは、絶縁基板１２０に形成されたヴィア導体１１２Ｇを介して半導体素子１０１のグラウンド端子１１１Ｇに電気的に接続されている。

複数のランド１３０には、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ以外のランド１３０Ｓが含まれている。ランド１３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子となるランドである。第１実施形態では、複数のランド１３０Ｓの各々が第５ランドであり、複数のランド２３０の各々が第６ランドである。ランド１３０Ｓと、ランド２３０とは、はんだで形成された第３はんだ接合部であるはんだ接合部１９３で接合されている。はんだ接合部１９３の高さは、後述するコンデンサ４００の高さより高い。具体的には、コンデンサの高さの１．３倍以下の高さである。これは、加熱接合プロセス時に、半導体素子１０１の中心から外周縁に向かって反りが発生するためである。

処理モジュール３００は、チップ部品の一例であるコンデンサ４００を備えている。コンデンサ４００は、受動部品であり、チップ部品である。チップ部品の平面視のサイズは、０．４ｍｍ×０．２ｍｍである０４０２サイズ、又は０．２５ｍｍ×０．１２５ｍｍである０２０１サイズなど、０４０２サイズ以下が好適である。なお、０４０２サイズ、０２０１サイズ等の表記は、日本工業規格（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）における電子部品のサイズ表記方法（ｍｍ基準）に準じている。
コンデンサ４００は、所定方向の一例である長手方向に延びる略直方体形状の素体４０１と、素体４０１の長手方向の両側に設けられた一対の電極４１０，４２０と、を有する。一対の電極４１０，４２０は、長手方向に間隔をあけて素体４０１に固定されている。図２（ｂ）及び図３において、コンデンサ４００、即ち素体４０１の長手方向は、Ｘ方向である。コンデンサ４００、即ち素体４０１の短手方向はＹ方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向に直交する幅方向である。コンデンサ４００、即ち素体４０１の上下方向は、Ｚ方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向である。Ｚ方向は、主面１２１，１２２，２２１，２２２に垂直な方向でもある。

一対の電極４１０，４２０のうちの一方の電極４１０が、第１電極であり、他方の電極４２０が第２電極である。各電極４１０，４２０は、下地と、下地を覆う外皮膜と、を含む。電極４１０，４２０の外皮膜の材質は、スズ等の導電性を有する金属材料である。

コンデンサ４００は、バイパスコンデンサである。コンデンサ４００の電極４１０は、ランド１３０Ｅに電気的に接続され、コンデンサ４００の電極４２０は、ランド１３０Ｇに電気的に接続されている。

コンデンサ４００の電極４１０と電源端子１１１Ｅとの間の配線のインダクタンス、及びコンデンサ４００の電極４２０とグラウンド端子１１１Ｇとの間の配線のインダクタンスにより、電源ノイズが発生する。電源ノイズとは、半導体装置１００が動作することによって生じる電源ラインの電圧変動をいう。この電圧変動は電源ラインに寄生するインダクタンスや抵抗によって電源電流が変化することで発生する。配線のインダクタンスを低減させて電源ノイズを低減させるためには、コンデンサ４００は半導体装置１００の電源端子１１１Ｅとグラウンド端子１１１Ｇ間の配線が最短になるように、半導体素子１０１の直下に配置されるのが好ましい。すなわち、処理モジュール３００を半導体装置１００側から平面視した際に、半導体素子１０１とコンデンサ４００は重なっていることが好ましい。

そこで、第１実施形態では、コンデンサ４００は、プリント配線板２００の絶縁基板２２０の主面２２１側、即ち半導体装置１００とプリント配線板２００との間に配置されている。コンデンサ４００の電極４１０は、はんだで形成された第１はんだ接合部であるはんだ接合部１９１でランド１３０Ｅに接合されている。コンデンサ４００の電極４２０は、はんだで形成された第２はんだ接合部であるはんだ接合部１９２でランド１３０Ｇに接合されている。これにより、コンデンサ４００の電極４１０は、プリント配線板２００を介さずにはんだ接合部１９１で直接、半導体装置１００のランド１３０Ｅに電気的に接続される。このため、コンデンサ４００の電極４１０とランド１３０Ｅとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。また、コンデンサ４００の電極４２０は、プリント配線板２００を介さずにはんだ接合部１９２で直接、半導体装置１００のランド１３０Ｇに電気的に接続される。このため、コンデンサ４００の電極４２０とランド１３０Ｇとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。配線のインダクタンスが低減するので、発生する電源ノイズが低減し、半導体装置１００における通信の高速化を実現することができる。

第１実施形態において、はんだ接合部１９１，１９２は、ソルダーレジスト２０８には接触しているが、プリント配線板２００のランド２３０には接触していない。

図４（ａ）は、第１実施形態に係る処理モジュール３００を分解した部分斜視図である。図４（ｂ）は、Ｚ方向に見たときの半導体装置１００、コンデンサ４００、及びプリント配線板２００の配置関係を説明するための模式図である。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）において、はんだ接合部１９１，１９２の図示は省略している。図４（ｂ）においては、半導体装置のランド１３０Ｅ，１３０Ｇを破線で図示している。

図４（ａ）に示すように、電極４１０は、電極面である、３つの側面４１１，４１２，４１３、上面４１４及び下面４１５を有する。側面４１１，４１２，４１３、上面４１４及び下面４１５は、各面に垂直な方向から見て、矩形状である。３つの側面４１１，４１２，４１３のうち、２つの側面４１２，４１３は、Ｙ方向に間隔をあけて対向している。上面４１４と下面４１５とは、Ｚ方向に間隔をあけて対向している。側面４１１は、側面４１２，４１３、上面４１４及び下面４１５と直交して隣り合っている。電極４２０は、電極面である、３つの側面４２１，４２２，４２３、上面４２４及び下面４２５を有する。側面４２１，４２２，４２３、上面４２４及び下面４２５は、各面に垂直な方向から見て、矩形状である。３つの側面４２１，４２２，４２３のうち、２つの側面４２２，４２３は、Ｙ方向に間隔をあけて対向している。上面４２４と下面４２５とは、Ｚ方向に間隔をあけて対向している。側面４２１は、側面４２２，４２３、上面４２４及び下面４２５と直交して隣り合っている。電極４１０の側面４１１と電極４２０の側面４２１とは、Ｘ方向に間隔をあけて対向して配置されている。電極４１０の上面４１４が、半導体装置１００のランド１３０Ｅと対向し、電極４１０の下面４１５が、プリント配線板２００のソルダーレジスト２０８と対向している。電極４２０の上面４２４が、半導体装置１００のランド１３０Ｇと対向し、電極４２０の下面４２５が、プリント配線板２００のソルダーレジスト２０８と対向している。

図４（ｂ）に示すように、ランド１３０Ｅとランド１３０Ｇとは、Ｘ方向に間隔をあけて配置されている。ランド１３０Ｅは、平面視して、即ちＺ方向に見て、コンデンサ４００の電極４１０の少なくとも一部、第１実施形態では全部と重なっている。ランド１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００の電極４２０の少なくとも一部、第１実施形態では全部と重なっている。第１実施形態では、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｅの面積Ｓ_１３０Ｅは、電極４１０の面積Ｓ_４１０よりも広い。また、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｇは、電極４２０の面積Ｓ_４２０よりも広い。ランド１３０Ｅ及びランド１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００からＸ方向の外側に張り出している。

図３に示すように、各はんだ接合部１９１，１９２は、ソルダーレジスト２０８から各ランド１３０Ｅ，１３０Ｇに向かうにつれて外側面がコンデンサ４００から離間して広がるフィレット形状となっている。具体的に説明すると、はんだ接合部１９１は、ソルダーレジスト２０８からランド１３０Ｅに向かうにつれて、電極４１０からＸ方向の外側、つまりＸ１方向に広がるフィレット形状をなしている。はんだ接合部１９２は、ソルダーレジスト２０８からランド１３０Ｇに向かうにつれて、電極４２０からＸ方向の外側、つまりＸ２方向に広がるフィレット形状をなしている。Ｘ１方向は、Ｘ方向において電極４１０から離間する方向である。Ｘ２方向は、Ｘ方向において、Ｘ１方向とは反対方向であり、電極４２０から離間する方向である。これにより、各ランド１３０Ｅ，１３０Ｇと各電極４１０，４２０との接合強度が増す。また、図２（ｂ）に示すように、各はんだ接合部１９１，１９２が、Ｘ方向へ膨らんだ形状となるのが抑制され、各はんだ接合部１９１，１９２が、隣接するはんだ接合部１９３とショートするのが防止される。

なお、図４（ｂ）に示すように、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、矩形状であるが、これに限定するものではない。例えば、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、多角形状、円形状、楕円形状など、任意の形状であってよい。

次に、処理モジュール３００の製造方法について説明する。図５（ａ）〜図５（ｆ）は、第１実施形態に係る処理モジュール３００の製造方法の説明図である。図５（ａ）に示すように、プリント配線板２００を用意する（工程Ｓ１）。なお、工程Ｓ１において、半導体装置１００及びコンデンサ４００も用意しておく。次に、図５（ｂ）に示すように、プリント配線板２００上に、第１はんだペーストであるはんだペーストＰ１と、第２はんだペーストであるはんだペーストＰ２と、第３はんだペーストであるはんだペーストＰ３とを、互いに間隔をあけて供給する（工程Ｓ２）。第１実施形態では、工程Ｓ２において、はんだペーストＰ１とはんだペーストＰ２とは、ソルダーレジスト２０８上に供給される。また、工程Ｓ２において、はんだペーストＰ３は、プリント配線板２００のランド２３０上に供給される。

はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、はんだ粉末を含有する。はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、はんだ付けに必要なフラックス成分を更に含有していてもよい。本実施形態において、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、いずれも同じ材料であるが、融点が近い温度であれば同じ材料に限定されない。工程Ｓ２では、メタルマスク２３を用いたスクリーン印刷により、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３をプリント配線板２００に供給する。なお、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３の供給方法は、これに限定するものではない。例えば、ディスペンサーによりはんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３をプリント配線板２００に供給するようにしてもよい。

次に、図５（ｃ）に示すように、電極４１０がはんだペーストＰ１と接し、電極４２０がはんだペーストＰ２と接するように、工程Ｓ１で用意しておいたコンデンサ４００をプリント配線板２００上に載置する（工程Ｓ３）。これにより、電極４１０の下面４１５がはんだペーストＰ１と接触し、電極４２０の下面４２５がはんだペーストＰ２と接触する。コンデンサ４００の電極４１０，４２０には、予めはんだボールを取り付けておく必要はない。工程Ｓ３では、不図示のマウンターを用いて、コンデンサ４００をプリント配線板２００上に載置する。このとき、電極４１０とはんだペーストＰ１とが対向し、電極４２０とはんだペーストＰ２とが対向するように、コンデンサ４００を位置合わせしてプリント配線板上に載置する。

次に、図５（ｄ）に示すように、ランド１３０Ｅが電極４１０と対向し、ランド１３０Ｇが電極４２０と対向するように、工程Ｓ１で用意しておいた半導体装置１００をプリント配線板２００上に載置する（工程Ｓ４）。工程Ｓ４では、不図示のマウンターを用いて、半導体装置１００をプリント配線板２００上に載置する。このとき、ランド１３０Ｅと電極４１０とが対向し、ランド１３０Ｇと電極４２０とが対向し、ランド１３０Ｓとランド２３０とが対向するように、半導体装置１００を位置合わせしてプリント配線板上に載置する。ここで、工程Ｓ１で用意しておく半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇには、はんだボールが設けられておらず、ランド１３０Ｓには、ボール端子であるはんだボールＢが設けられている。よって、はんだボールＢの中心と、ランド２３０の中心とが一致するように、半導体装置１００をプリント配線板２００上に載置する。工程Ｓ４において、半導体装置１００をプリント配線板２００上に載置することで、ランド１３０Ｓに形成されたはんだボールＢをはんだペーストＰ３に接触させる。図５（ｄ）において、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅおよび電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとは接触していないが、これらは接触していてもよい。

この工程Ｓ４において、Ｚ方向から見たときの、プリント配線板２００と、コンデンサ４００と、半導体装置１００との位置関係は、図４（ｂ）のようになる。半導体装置１００のランド１３０Ｅ及びランド１３０Ｇの各々は、コンデンサ４００をプリント配線板２００上に載置したときに、Ｚ方向に見て、電極４１０及び電極４２０の各々の少なくとも一部と重なり、かつコンデンサ４００からＸ方向の外側に張り出す。

次に、プリント配線板２００上に半導体装置１００及びコンデンサ４００が載置された状態で、これらを不図示のリフロー炉に搬送する。そして、図５（ｅ）に示す工程Ｓ５−１において、リフロー炉内の雰囲気の温度を、はんだの融点以上の温度に調整して、図５（ｄ）のはんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３及びはんだボールＢを、図５（ｅ）に示すように溶融させる。はんだペーストＰ１を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ１となり、はんだペーストＰ２を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ２となる。はんだペーストＰ３及びはんだボールＢを溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ３となる。

工程Ｓ５−１に引き続き、図５（ｆ）に示す工程Ｓ５−２において、加熱を継続し、溶融はんだＭ１，Ｍ２を流動させる。ソルダーレジスト２０８より電極４１０，４２０の方が、溶融はんだの濡れ性が良いため、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、図５（ｅ）に示すように側面４１１，４２１を矢印Ｚ１で示す上方向に這い上がる。その後、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、濡れ広がる性質により、図５（ｆ）に示すように上面４１４，４２４まで移動する。なお、図５（ｅ）において図示は省略するが、電極４１０の側面４１２，４１３及び電極４２０の側面４２２，４２３においても、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、矢印Ｚ１で示す上方向に這い上がる。

また、コンデンサ４００は、溶融はんだＭ１，Ｍ２により、半導体装置１００に近づく上方向に押し上げられ、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅとの距離が狭まり、電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとの距離が狭まる。上面４１４，４２４にまで達した溶融はんだＭ１，Ｍ２は、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇと接触し、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ上を濡れ広がり、ソルダーレジスト２０８からランド１３０Ｅ，１３０Ｇに向かうに連れ裾が広がるフィレット形状となる。

その後、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ各々の隅々にまで濡れ広がった溶融はんだＭ１，Ｍ２を冷却固化させる。これにより、溶融はんだＭ１は、ランド１３０Ｅ上においてフィレット形状で冷却固化させられる。溶融はんだＭ２は、ランド１３０Ｇ上においてフィレット形状で冷却固化させられる。これと同時に、溶融はんだＭ３も冷却固化させられる。これにより、図３に示すように、ランド１３０Ｅと電極４１０とをはんだで接合したはんだ接合部１９１が形成され、ランド１３０Ｇと電極４２０とをはんだで接合したはんだ接合部１９２が形成される。また、ランド１３０Ｓとランド２３０とをはんだで接合したはんだ接合部１９３が形成される。以上により、図３に示す処理モジュール３００が製造される。

その後、図３に示す処理モジュール３００を図１に示す筐体６１１に収納することで、カメラ本体６０１、即ちデジタルカメラ６００が製造される。

以上、プリント配線板２００に供給したはんだペーストＰ１，Ｐ２を溶融させることで、はんだを、コンデンサ４００の電極４１０，４２０を介して半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇへ供給することができる。これにより、予め、コンデンサ４００の電極４１０，４２０にはんだボールを形成しておく必要がなく、処理モジュール３００を製造する工程を削減することができる。よって、処理モジュール３００を簡便に製造することができるので、処理モジュール３００の生産性が向上する。

ここで、半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇにおけるはんだの濡れ性をＦ１、コンデンサ４００の電極４１０，４２０におけるはんだの濡れ性をＦ２としたとき、Ｆ１≧Ｆ２の関係となるのが好ましい。例えば、ランド１３０の表面の材質、即ちランド１３０Ｅ，１３０Ｇの表面の材質を金にすることで、Ｆ１≧Ｆ２の関係となり、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇにおいて溶融はんだＭ１，Ｍ２が濡れ広がりやすくなる。これにより、はんだ接合部１９１，１９２がランド１３０Ｅ，１３０Ｇ上においてフィレット形状となりやすくなる。よって、はんだ接合部１９１，１９２におけるはんだの量を少なくしても、確実に半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇとコンデンサ４００の電極４１０，４２０とを接続することができる。これにより、半導体装置１００のランド１３０を高密度に配列しても、接合不良が生じるのを防止することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。図６は、第２実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大した断面模式図である。図６には、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ａの断面を模式的に図示している。なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を用いて詳細な説明は省略する。

第２実施形態に係る処理モジュール３００Ａは、第１実施形態と同様の構成の半導体装置１００と、プリント配線板２００Ａとを有する。半導体装置１００に含まれる絶縁基板１２０の主面１２２には、第１実施形態と同様、第１ランドであるランド１３０Ｅと、第２ランドであるランド１３０Ｇと、第５ランドであるランド１３０Ｓとが配置されている。

プリント配線板２００Ａは、第１実施形態と同様の絶縁基板２２０を有する。絶縁基板２２０は、主面２２１と、主面２２１とは反対側の主面２２２とを有する。プリント配線板２００Ａは、絶縁基板２２０の主面２２１に配置された、第３ランドであるランド２３０Ｅと、第４ランドである２３０Ｇと、第６ランドであるランド２３０Ｓと、を有する。

ランド２３０Ｅ，２３０Ｇ，２３０Ｓは、導電性を有する金属材料、例えば銅又は金で形成された端子である。ランド２３０Ｅは、電源端子、ランド２３０Ｇは、グラウンド端子である。ランド２３０Ｓは、信号端子、電源端子、グラウンド端子、又はダミー端子である。ランド２３０Ｅには、絶縁基板２２０に形成されたヴィア導体２１２Ｅが接続されている。ランド２３０Ｇには、絶縁基板２２０に形成されたヴィア導体２１２Ｇが接続されている。

プリント配線板２００Ａは、ソルダーレジスト２０８Ａを有する。ソルダーレジスト２０８Ａは、ソルダーレジスト材で構成された膜である。ソルダーレジスト２０８Ａは、主面２２１上に設けられている。ランド２３０Ｓは、ソルダーレジスト２０８Ａに形成された開口部により露出させられている。ランド２３０Ｅ及びランド２３０Ｇは、ソルダーレジスト２０８Ａに形成された１つの開口部ＨＡにより露出させられている。なお、ランド２３０Ｅ及びランド２３０Ｇの各々は、独立して形成された２つの開口部の各々により露出させられるようにしてもよい。

ランド１３０Ｅとランド２３０Ｅとは、はんだで形成された第１はんだ接合部であるはんだ接合部１９１Ａで接合されている。ランド１３０Ｇとランド２３０Ｇとは、はんだで形成された第２はんだ接合部であるはんだ接合部１９２Ａで接合されている。ランド１３０Ｓとランド２３０Ｓとは、はんだで形成された第３はんだ接合部であるはんだ接合部１９３Ａで接合されている。

処理モジュール３００Ａは、第１実施形態と同様、バイパスコンデンサとして用いられるコンデンサ４００を備えている。コンデンサ４００は、プリント配線板２００Ａの絶縁基板２２０の主面２２１側、即ち半導体装置１００とプリント配線板２００Ａとの間に配置されている。コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１Ａでランド１３０Ｅに接合されている。コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２Ａでランド１３０Ｇに接合されている。これにより、コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１Ａで直接、半導体装置１００のランド１３０Ｅに電気的に接続される。このため、コンデンサ４００の電極４１０とランド１３０Ｅとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。また、コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２Ａで直接、半導体装置１００のランド１３０Ｇに電気的に接続される。このため、コンデンサ４００の電極４２０とランド１３０Ｇとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。配線のインダクタンスが低減するので、発生する電源ノイズが低減し、半導体装置１００における通信の高速化を実現することができる。

第２実施形態では、ランド２３０Ｅは、はんだ接合部１９１Ａでランド１３０Ｅに電気的に接続されている。また、ランド２３０Ｇは、はんだ接合部１９２Ａでランド１３０Ｅに電気的に接続されている。プリント配線板２００Ａには、図６に示すヴィア導体２１２Ｅ，２１２Ｇに電気的に接続された不図示の電源ＩＣが実装されている。電源ＩＣは、はんだ接合部１９１Ａ及びはんだ接合部１９２Ａを介して、半導体装置１００の半導体素子１０１に電力を供給可能となっている。

図７（ａ）は、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ａを分解した部分斜視図である。図７（ｂ）は、Ｚ方向に見たときの半導体装置１００、コンデンサ４００、及びプリント配線板２００Ａの配置関係を説明するための模式図である。なお、図７（ａ）及び図７（ｂ）において、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａの図示は省略している。図７（ｂ）においては、半導体装置のランド１３０Ｅ，１３０Ｇを破線で図示している。

図７（ａ）に示すように、電極４１０の上面４１４が、半導体装置１００のランド１３０Ｅと対向し、電極４１０の下面４１５が、プリント配線板２００Ａのランド２３０Ｅと対向している。電極４２０の上面４２４が、半導体装置１００のランド１３０Ｇと対向し、電極４２０の下面４２５が、プリント配線板２００Ａのランド２３０Ｇと対向している。

図７（ｂ）に示すように、ランド１３０Ｅとランド１３０Ｇとは、Ｘ方向に間隔をあけて配置されている。ランド１３０Ｅは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００の電極４１０の少なくとも一部、第２実施形態では全部と重なっている。ランド１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００の電極４２０の少なくとも一部、第２実施形態では全部と重なっている。ランド２３０Ｅとランド２３０Ｇとは、Ｘ方向に間隔をあけて配置されている。ランド２３０Ｅは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００の電極４１０の少なくとも一部、第２実施形態では全部と重なっている。ランド２３０Ｇは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００の電極４２０の少なくとも一部、第２実施形態では全部と重なっている。また、ランド１３０Ｅは、Ｚ方向に見て、ランド２３０Ｅの少なくとも一部、第２実施形態では全部と重なっている。また、ランド１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、ランド２３０Ｇの少なくとも一部、第２実施形態では全部と重なっている。第２実施形態では、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｅの面積Ｓ_１３０Ｅは、電極４１０の面積Ｓ_４１０よりも広い。また、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｇは、電極４２０の面積Ｓ_４２０よりも広い。ランド１３０Ｅ及びランド１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００からＸ方向の外側に張り出している。

また、第２実施形態では、図７（ｂ）に示すように、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｅの面積Ｓ_１３０Ｅが、ランド２３０Ｅの面積Ｓ_２３０Ｅよりも広い。また、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｇが、ランド２３０Ｇの面積Ｓ_２３０Ｇよりも広い。更に、Ｚ方向に見て、開口部ＨＡの面積Ｓ_ＨＡが、コンデンサ４００の面積Ｓ_４００よりも広い。

図６に示すように、各はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａは、各ランド２３０Ｅ，２３０Ｇから各ランド１３０Ｅ，１３０Ｇに向かうにつれて外側面がコンデンサ４００から離間して広がるフィレット形状となっている。具体的に説明すると、はんだ接合部１９１Ａは、ランド２３０Ｅからランド１３０Ｅに向かうにつれて、電極４１０からＸ方向の外側、つまりＸ１方向に広がるフィレット形状をなしている。はんだ接合部１９２Ａは、ランド２３０Ｇからランド１３０Ｇに向かうにつれて、電極４１０からＸ方向の外側、つまりＸ２方向に広がるフィレット形状をなしている。Ｘ１方向は、Ｘ方向において電極４１０から離間する方向である。Ｘ２方向は、Ｘ方向において、Ｘ１方向とは反対方向であり、電極４２０から離間する方向である。これにより、各ランド１３０Ｅ，１３０Ｇと各電極４１０，４２０との接合強度が増す。また、各はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａが、Ｘ方向へ膨らんだ形状となるのが抑制され、各はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａが、隣接するはんだ接合部１９３Ａとショートするのが防止される。

なお、図７（ｂ）に示すように、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇは、Ｚ方向に見て、矩形状であるが、これに限定するものではない。例えば、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇは、Ｚ方向に見て、多角形状、円形状、楕円形状など、任意の形状であってよい。

次に、処理モジュール３００Ａの製造方法について説明する。図８（ａ）〜図８（ｆ）は、第２実施形態に係る処理モジュール３００Ａの製造方法の説明図である。図８（ａ）に示すように、プリント配線板２００Ａを用意する（工程Ｓ１１）。なお、工程Ｓ１１において、半導体装置１００及びコンデンサ４００も用意しておく。次に図８（ｂ）に示すようにプリント配線板２００Ａ上に、第１はんだペーストであるはんだペーストＰ１と、第２はんだペーストであるはんだペーストＰ２と、第３はんだペーストであるはんだペーストＰ３とを、互いに間隔をあけて供給する（工程Ｓ１２）。第２実施形態では、工程Ｓ１２において、はんだペーストＰ１は、ソルダーレジスト２０８Ａに形成された開口部ＨＡにより露出させられたランド２３０Ｅ上に供給される。また、はんだペーストＰ２は、ソルダーレジスト２０８Ａに形成された開口部ＨＡにより露出させられたランド２３０Ｇ上に供給される。また、工程Ｓ１２において、はんだペーストＰ３は、プリント配線板２００Ａのランド２３０Ｓ上に供給される。

工程Ｓ１２では、メタルマスク２３を用いたスクリーン印刷により、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３をプリント配線板２００Ａに供給する。なお、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３の供給方法は、これに限定するものではない。例えば、ディスペンサーによりはんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３をプリント配線板２００Ａに供給するようにしてもよい。

次に、図８（ｃ）に示すように、電極４１０がはんだペーストＰ１と接し、電極４２０がはんだペーストＰ２と接するように、工程Ｓ１１で用意しておいたコンデンサ４００をプリント配線板２００Ａ上に載置する（工程Ｓ１３）。これにより、電極４１０の下面４１５がはんだペーストＰ１と接触し、電極４２０の下面４２５がはんだペーストＰ２と接触する。コンデンサ４００の電極４１０，４２０には、予めはんだボールを取り付けておく必要はない。

次に、図８（ｄ）に示すように、ランド１３０Ｅが電極４１０と対向し、ランド１３０Ｇが電極４２０と対向するように、工程Ｓ１１で用意しておいた半導体装置１００をプリント配線板２００Ａ上に載置する（工程Ｓ１４）。工程Ｓ１４において、半導体装置１００をプリント配線板２００Ａ上に載置することで、ランド１３０Ｓに設けられたボール端子であるはんだボールＢをはんだペーストＰ３に接触させる。図８（ｄ）において、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅおよび電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとは接触していないが、これらは接触していても良い。

この工程Ｓ１４において、Ｚ方向から見たときの、プリント配線板２００Ａと、コンデンサ４００と、半導体装置１００との位置関係は、図７（ｂ）のようになる。半導体装置１００のランド１３０Ｅ及びランド１３０Ｇの各々は、コンデンサ４００をプリント配線板２００Ａ上に載置したときに、Ｚ方向に見て、電極４１０及び電極４２０の各々の少なくとも一部と重なり、かつコンデンサ４００からＸ方向の外側に張り出す。

次に、プリント配線板２００Ａ上に半導体装置１００及びコンデンサ４００が載置された状態で、これらを不図示のリフロー炉に搬送する。そして、図８（ｅ）に示す工程Ｓ１５−１において、リフロー炉内の雰囲気の温度を、はんだの融点以上の温度に調整して、図８（ｄ）のはんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３及びはんだボールＢを、図８（ｅ）に示すように溶融させる。はんだペーストＰ１を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ１となり、はんだペーストＰ２を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ２となる。はんだペーストＰ３及びはんだボールＢを溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ３となる。

工程Ｓ１５−１に引き続き、図８（ｆ）に示す工程Ｓ１５−２において、加熱を継続し、溶融はんだＭ１，Ｍ２を流動させる。溶融はんだＭ１，Ｍ２は、図８（ｅ）に示すように側面４１１，４２１を矢印Ｚ１で示す上方向に這い上がる。その後、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、図８（ｆ）に示すように上面４１４，４２４まで移動する。なお、図８（ｅ）において図示は省略するが、電極４１０の側面４１２，４１３及び電極４２０の側面４２２，４２３においても、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、矢印Ｚ１で示す上方向に這い上がる。

また、コンデンサ４００は、溶融はんだＭ１，Ｍ２により、半導体装置１００に近づく上方向に押し上げられ、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅとの距離が狭まり、電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとの距離が狭まる。上面４１４，４２４にまで達した溶融はんだＭ１，Ｍ２は、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇと接触し、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ上を濡れ広がり、ソルダーレジスト２０８Ａのからランド１３０Ｅ，１３０Ｇに向かうに連れ裾が広がるフィレット形状となる。

その後、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ各々の隅々にまで濡れ広がった溶融はんだＭ１，Ｍ２を冷却固化させる。これにより、溶融はんだＭ１は、ランド１３０Ｅ上においてフィレット形状で冷却固化させられる。溶融はんだＭ２は、ランド１３０Ｇ上においてフィレット形状で冷却固化させられる。これと同時に、溶融はんだＭ３も冷却固化させられる。これにより、図６に示すように、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａ，１９３Ａが形成される。以上により、図６に示す処理モジュール３００Ａが製造される。

その後、図６に示す処理モジュール３００Ａを図１に示す筐体６１１に収納することで、電子機器の一例であるデジタルカメラのカメラ本体が製造される。

以上、プリント配線板２００Ａに供給したはんだペーストＰ１，Ｐ２を溶融させることで、はんだを、コンデンサ４００の電極４１０，４２０を介して半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇへ供給することができる。これにより、予め、コンデンサ４００の電極４１０，４２０にはんだボールを形成しておく必要がなく、処理モジュール３００Ａを製造する工程を削減することができる。よって、処理モジュール３００Ａを簡便に製造することができるので、処理モジュール３００Ａの生産性が向上する。

また、ランド１３０Ｅとランド２３０Ｅとがはんだ接合部１９１Ａによって電気的に接続され、ランド１３０Ｇとランド２３０Ｇとがはんだ接合部１９２Ａによって電気的に接続されている。これにより、コンデンサ４００を半導体装置１００に接合するためのはんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａを、半導体装置１００の半導体素子１０１に電力を供給する電源ラインとして用いることができる。これにより、処理モジュール３００Ａにおける回路設計の自由度が上がる。

また、第２実施形態では、図７（ｂ）に示すように、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｅ，Ｓ_１３０Ｇが、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇの面積Ｓ_２３０Ｅ，Ｓ_２３０Ｇよりも広い。溶融はんだＭ１，Ｍ２は、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇにおいて濡れ広がりやすいため、この性質を利用することにより、溶融はんだＭ１，Ｍ２が、より多くランド１３０Ｅ，１３０Ｇへ移動するのを促すことができる。これにより、はんだペーストＰ１，Ｐ２の供給量にばらつきがあっても、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇの面積が広い分、はんだペーストＰ１，Ｐ２のばらつきに対して許容できる量が増える。よって、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａにおいてサイドボールなどが発生するのを防止することができ、その結果、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａにおけるショート不良を防止することができる。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。図９は、第３実施形態に係る処理モジュールの一部分を拡大した断面模式図である。図９には、第３実施形態に係る処理モジュール３００Ｂの断面を模式的に図示している。なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を用いて詳細な説明は省略する。

第３実施形態に係る処理モジュール３００Ｂは、第１実施形態と同様の構成の半導体装置１００と、プリント配線板２００Ｂとを有する。半導体装置１００に含まれる絶縁基板１２０の主面１２２には、第１実施形態と同様、第１ランドであるランド１３０Ｅと、第２ランドであるランド１３０Ｇと、第５ランドであるランド１３０Ｓとが配置されている。

プリント配線板２００Ｂは、第１実施形態と同様の絶縁基板２２０を有する。絶縁基板２２０は、主面２２１と、主面２２１とは反対側の主面２２２とを有する。絶縁基板２２０の主面２２１には、第１実施形態と同様、ランド２３０が配置されている。

プリント配線板２００Ｂは、ソルダーレジスト２０８Ｂを有する。ソルダーレジスト２０８Ｂは、ソルダーレジスト材で構成された膜である。ソルダーレジスト２０８Ｂは、主面２２１上に設けられている。ランド２３０は、ソルダーレジスト２０８Ｂに形成された開口部により露出させられている。

処理モジュール３００Ｂは、第１実施形態と同様、バイパスコンデンサとして用いられるコンデンサ４００を備えている。コンデンサ４００は、プリント配線板２００Ｂの絶縁基板２２０の主面２２１側、即ち半導体装置１００とプリント配線板２００Ｂとの間に配置されている。コンデンサ４００の電極４１０は、はんだで形成された第１はんだ接合部であるはんだ接合部１９１Ｂでランド１３０Ｅに接合されている。コンデンサ４００の電極４２０は、はんだで形成された第２はんだ接合部であるはんだ接合部１９２Ｂでランド１３０Ｇに接合されている。これにより、コンデンサ４００の電極４１０は、はんだ接合部１９１Ｂで直接、半導体装置１００のランド１３０Ｅに電気的に接続される。このため、コンデンサ４００の電極４１０とランド１３０Ｅとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。また、コンデンサ４００の電極４２０は、はんだ接合部１９２Ｂで直接、半導体装置１００のランド１３０Ｇに電気的に接続される。このため、コンデンサ４００の電極４２０とランド１３０Ｇとの間の配線のインダクタンスを低減することができる。配線のインダクタンスが低減するので、発生する電源ノイズが低減し、半導体装置１００における通信の高速化を実現することができる。

ランド１３０Ｓとランド２３０とは、はんだで形成された第３はんだ接合部であるはんだ接合部１９３Ｂで接合されている。第３実施形態では、ソルダーレジスト２０８Ｂは、主面２２１の一部分２２１Ｂを露出させる開口部ＨＢを有する。

図１０（ａ）は、第３実施形態に係る処理モジュール３００Ｂを分解した部分斜視図である。図１０（ｂ）は、Ｚ方向に見たときの半導体装置１００、コンデンサ４００、及びプリント配線板２００Ｂの配置関係を説明するための模式図である。なお、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、はんだ接合部１９１Ｂ，１９２Ｂの図示は省略している。図１０（ｂ）においては、半導体装置のランド１３０Ｅ，１３０Ｇを破線で図示している。

図１０（ａ）に示すように、電極４１０の上面４１４が、半導体装置１００のランド１３０Ｅと対向し、電極４１０の下面４１５が、プリント配線板２００Ｂの主面２２１の部分２２１Ｂと対向している。電極４２０の上面４２４が、半導体装置１００のランド１３０Ｇと対向し、電極４２０の下面４２５が、プリント配線板２００Ｂの部分２２１Ｂと対向している。

図１０（ｂ）に示すように、ランド１３０Ｅとランド１３０Ｇとは、Ｘ方向に間隔をあけて配置されている。ランド１３０Ｅは、平面視して、即ちＺ方向に見て、コンデンサ４００の電極４１０の少なくとも一部、第３実施形態では全部と重なっている。ランド１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００の電極４２０の少なくとも一部、第３実施形態では全部と重なっている。第３実施形態では、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｅの面積Ｓ_１３０Ｅは、電極４１０の面積Ｓ_４１０よりも広い。また、Ｚ方向に見て、ランド１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｇは、電極４２０の面積Ｓ_４２０よりも広い。ランド１３０Ｅ及びランド１３０Ｇは、Ｚ方向に見て、コンデンサ４００からＸ方向の外側に張り出している。

図９に示すように各はんだ接合部１９１Ｂ，１９２Ｂは、開口部ＨＢによって露出させられた部分２２１Ｂから各ランド１３０Ｅ，１３０Ｇに向かうにつれて外側面がコンデンサ４００から離間して広がるフィレット形状となっている。具体的に説明すると、はんだ接合部１９１Ｂは、開口部ＨＢによって露出させられた部分２２１Ｂからランド１３０Ｅに向かうにつれて、電極４１０からＸ方向の外側、つまりＸ１方向に広がるフィレット形状をなしている。はんだ接合部１９２Ｂは、開口部ＨＢによって露出させられた部分２２１Ｂからランド１３０Ｇに向かうにつれて、電極４２０からＸ方向の外側、つまりＸ２方向に広がるフィレット形状をなしている。Ｘ１方向は、Ｘ方向において電極４１０から離間する方向である。Ｘ２方向は、Ｘ方向において、Ｘ１方向とは反対方向であり、電極４２０から離間する方向である。これにより、各ランド１３０Ｅ，１３０Ｇと各電極４１０，４２０との接合強度が増す。また、各はんだ接合部１９１Ｂ，１９２Ｂが、Ｘ方向へ膨らんだ形状となるのが抑制され、各はんだ接合部１９１Ｂ，１９２Ｂが、隣接するはんだ接合部１９３Ｂとショートするのが防止される。

また、第３実施形態では、図１０（ｂ）に示すように、Ｚ方向に見て、開口部ＨＢの面積Ｓ_ＨＢ、即ち開口部ＨＢによって露出させられる部分２２１Ｂの面積Ｓ_２２１Ｂは、コンデンサ４００の面積Ｓ_４００よりも広い。よって、図９に示すように、コンデンサ４００のＺ方向の一部が開口部ＨＢに挿入されており、半導体装置１００とプリント配線板２００Ｂとの間隔が狭くなっている。

次に、処理モジュール３００Ｂの製造方法について説明する。図１１（ａ）〜図１１（ｆ）は、第３実施形態に係る処理モジュール３００Ｂの製造方法の説明図である。図１１（ａ）に示すように、プリント配線板２００Ｂを用意する（工程Ｓ２１）。なお、工程Ｓ２１において、半導体装置１００及びコンデンサ４００も用意しておく。次に図１１（ｂ）に示すようにプリント配線板２００Ｂ上に、第１はんだペーストであるはんだペーストＰ１と、第２はんだペーストであるはんだペーストＰ２と、第３はんだペーストであるはんだペーストＰ３とを互いに間隔をあけて供給する（工程Ｓ２２）。第３実施形態では、工程Ｓ２２において、はんだペーストＰ１，Ｐ２は、ソルダーレジスト２０８Ｂに形成された開口部ＨＢにより露出させられた部分２２１Ｂ上に、互いに間隔をあけて供給される。また、工程Ｓ２２において、はんだペーストＰ３は、プリント配線板２００Ｂのランド２３０上に供給される。

工程Ｓ２２では、メタルマスク２３を用いたスクリーン印刷により、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３をプリント配線板２００Ｂに供給する。なお、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３の供給方法は、これに限定するものではない。例えば、ディスペンサーによりはんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３をプリント配線板２００Ｂに供給するようにしてもよい。

次に、図１１（ｃ）に示すように、電極４１０がはんだペーストＰ１と接し、電極４２０がはんだペーストＰ２と接するように、工程Ｓ２１で用意しておいたコンデンサ４００をプリント配線板２００Ｂ上に載置する（工程Ｓ２３）。これにより、電極４１０の下面４１５がはんだペーストＰ１と接触し、電極４２０の下面４２５がはんだペーストＰ２と接触する。コンデンサ４００の電極４１０，４２０には、予めはんだボールを取り付けておく必要はない。

次に、図１１（ｄ）に示すように、ランド１３０Ｅが電極４１０と対向し、ランド１３０Ｇが電極４２０と対向するように、工程Ｓ２１で用意しておいた半導体装置１００をプリント配線板２００Ｂ上に載置する（工程Ｓ２４）。工程Ｓ２４において、半導体装置１００をプリント配線板２００Ｂ上に載置することで、ランド１３０Ｓに設けられたボール端子であるはんだボールＢをはんだペーストＰ３に接触させる。図１１（ｄ）において、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅおよび電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとは接触していないが、これらは接触していても良い。

この工程Ｓ２４において、Ｚ方向から見たときの、プリント配線板２００Ｂと、コンデンサ４００と、半導体装置１００と、位置関係は、図１０（ｂ）のようになる。半導体装置１００のランド１３０Ｅ及びランド１３０Ｇの各々は、コンデンサ４００をプリント配線板２００Ｂ上に載置したときに、Ｚ方向に見て、電極４１０及び電極４２０の各々の少なくとも一部と重なり、かつコンデンサ４００からＸ方向の外側に張り出す。

次に、プリント配線板２００Ｂ上に半導体装置１００及びコンデンサ４００が載置された状態で、これらを不図示のリフロー炉に搬送する。そして、図１１（ｅ）に示す工程Ｓ２５−１において、リフロー炉内の雰囲気の温度を、はんだの融点以上の温度に調整して、図１１（ｄ）のはんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３及びはんだボールＢを、図１１（ｅ）に示すように溶融させる。はんだペーストＰ１を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ１となり、はんだペーストＰ２を溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ２となる。はんだペーストＰ３及びはんだボールＢを溶融させると、流動性のある溶融はんだＭ３となる。

工程Ｓ２５−１に引き続き、図１１（ｆ）に示す工程Ｓ２５−２において、加熱を継続し、溶融はんだＭ１，Ｍ２を流動させる。溶融はんだＭ１，Ｍ２は、図１１（ｅ）に示すように側面４１１，４２１を矢印Ｚ１で示す上方向に這い上がる。その後、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、図１１（ｆ）に示すように上面４１４，４２４まで移動する。なお、図１１において図示は省略するが、電極４１０の側面４１２，４１３及び電極４２０の側面４２２，４２３においても、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、矢印Ｚ１で示す上方向に這い上がる。

また、コンデンサ４００は、溶融はんだＭ１，Ｍ２により、半導体装置１００に近づく上方向に押し上げられ、電極４１０の上面４１４とランド１３０Ｅとの距離が狭まり、電極４２０の上面４２４とランド１３０Ｇとの距離が狭まる。上面４１４，４２４にまで達した溶融はんだＭ１，Ｍ２は、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇと接触し、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ上を濡れ広がり、ソルダーレジスト２０８Ｂのからランド１３０Ｅ，１３０Ｇに向かうに連れ裾が広がるフィレット形状となる。

その後、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇの各々にまで濡れ広がった溶融はんだＭ１，Ｍ２を冷却固化させる。これにより、溶融はんだＭ１は、ランド１３０Ｅ上においてフィレット形状で冷却固化させられる。溶融はんだＭ２は、ランド１３０Ｇ上においてフィレット形状で冷却固化させられる。これと同時に、溶融はんだＭ３も冷却固化させられる。これにより、図９に示すように、はんだ接合部１９１Ｂ，１９２Ｂ，１９３Ｂが形成される。以上により、図９に示す処理モジュール３００Ｂが製造される。

その後、図９に示す処理モジュール３００Ｂを図１に示す筐体６１１に収納することで、電子機器の一例であるデジタルカメラのカメラ本体が製造される。

以上、プリント配線板２００Ｂに供給したはんだペーストＰ１，Ｐ２を溶融させることで、はんだを、コンデンサ４００の電極４１０，４２０を介して半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇへ供給することができる。これにより、予め、コンデンサ４００の電極４１０，４２０にはんだボールを形成しておく必要がなく、処理モジュール３００Ｂを製造する工程を削減することができる。よって、処理モジュール３００Ｂを簡便に製造することができるので、処理モジュール３００Ｂの生産性が向上する。

また、第３実施形態では、コンデンサ４００の一部が開口部ＨＢに挿入されているので、はんだ接合部１９１Ｂ，１９２Ｂ，１９３ＢのＺ方向の高さ、即ち半導体装置１００とプリント配線板２００ＢとのＺ方向の間隔を狭くすることができる。よって、はんだ接合部１９１Ｂ，１９２Ｂ，１９３Ｂにおけるはんだの量を少なくすることができ、処理モジュール３００Ｂの製造コストを下げることができる。

（実施例１）
第１実施形態に対応する実施例１について説明する。図３に示す半導体装置１００において、隣り合う２つの接合前のボール端子であるはんだボールＢ（図５（ｄ））の最小ピッチは、０．４［ｍｍ］であった。ランド１３０の材質は、Ｃｕとした。はんだ接合部１９１，１９２，１９３の材質は、Ｓｎ−３．０％Ａｇ０．５％Ｃｕとした。図４（ｂ）に示す、Ｚ方向から見たコンデンサ４００の面積Ｓ_４００は、０．４［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］であった。即ち、コンデンサ４００は、０４０２のチップ部品とした。

処理モジュール３００の製造工程において用いた、図５（ｂ）に示すメタルマスク２３の厚みを、半導体装置１００において隣り合う２つの接合前のボール端子であるはんだボールＢの最小ピッチと、コンデンサ４００のサイズから、０．０８［ｍｍ］とした。

図５（ｅ）及び図５（ｆ）に示す工程Ｓ５−１，Ｓ５−２において、リフロー炉内の雰囲気のピーク温度を２３０℃以上として、はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３を溶融させた。その後、溶融はんだＭ１，Ｍ２，Ｍ３を冷却固化させた。コンデンサ４００は、はんだ接合部１９１，１９２によって半導体装置１００に接合されていることが確認された。また、はんだ接合部１９１，１９２は、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ上においてフィレット形状であった。

工程Ｓ５−１，Ｓ５−２における溶融はんだＭ１，Ｍ２，Ｍ３の動きについて、観測により以下のことが確認された。まず、はんだペーストＰ３とはんだボールＢとは、一体となって溶融する。このとき、半導体装置１００は、丸くなろうとする溶融はんだＭ３によってプリント配線板２００の方向へ移動する。一方、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、プリント配線板２００のランドと接触していないため、コンデンサ４００の電極４１０，４２０へ移動し、側面４１１，４１２を伝って、上面４１４，４２４へ到達する。また、コンデンサ４００は、溶融はんだＭ１，Ｍ２により、ソルダーレジスト２０８の表面に対して嵩上げされる。嵩上げされる量は、はんだペーストＰ１，Ｐ２の量によるが、実施例１においては０．０１〜０．０１５［ｍｍ］程度であった。これにより、コンデンサ４００の上面４１４，４２４が、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇに近づけられる。上面４１４，４２４上に達した溶融はんだＭ１，Ｍ２は、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇと接触し、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ上を濡れ広がる。以上の溶融はんだＭ１，Ｍ２，Ｍ３の動きにより、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇ上においてフィレット形状となったはんだ接合部１９１，１９２が形成される。

（実施例２）
第２実施形態に対応する実施例２について説明する。図６に示す半導体装置１００において、隣り合う２つの接合前のボール端子であるはんだボールＢ（図８（ｄ））の最小ピッチは、０．４［ｍｍ］であった。ランド１３０の材質は、Ｃｕとした。はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａ，１９３Ａの材質は、Ｓｎ−３．０％Ａｇ０．５％Ｃｕとした。図７（ｂ）に示す、Ｚ方向から見たコンデンサ４００の面積Ｓ_４００は、０．４［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］であった。即ち、コンデンサ４００は、０４０２のチップ部品とした。

Ｚ方向から見た半導体装置１００におけるランド１３０Ｅ，１３０Ｇのサイズを０．６［ｍｍ］×０．２２［ｍｍ］とした。Ｚ方向から見たプリント配線板２００Ａにおけるランド２３０Ｅ，２３０Ｇのサイズを０．５［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］とした。ランド１３０Ｅ，１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｅ，Ｓ_１３０Ｇは、０．１３２ｍｍ^２であった。ランド２３０Ｅ，２３０Ｇの面積Ｓ_２３０Ｅ，Ｓ_２３０Ｇは、０．１ｍｍ^２であった。このように、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｅ，Ｓ_１３０Ｇと、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇの面積Ｓ_２３０Ｅ，Ｓ_２３０Ｇの関係を、Ｓ_２３０Ｅ，Ｓ_２３０Ｇ＜Ｓ_１３０Ｅ，Ｓ_１３０Ｇとした。

はんだペーストＰ１，Ｐ２の量を実施例１よりも増やし、フィレット形状を確認するため、図８（ｂ）に示す工程Ｓ１２にて用いたメタルマスク２３の厚みを、０．０８［ｍｍ］よりも厚い０．１０［ｍｍ］とした。

ランド１３０Ｅ，１３０Ｇの面積Ｓ_１３０Ｅ，Ｓ_１３０Ｇが、ランド２３０Ｅ，２３０Ｇの面積Ｓ_２３０Ｅ，Ｓ_２３０Ｇよりも広いので、工程Ｓ１５−１，Ｓ１５−２において、溶融はんだＭ１，Ｍ２は面積の広いランド１３０Ｅ，１３０Ｇへと濡れ広がる。このため、実施例２では、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａにおいて、サイドボールが発生したり、フィレットが膨らんだりすることが防止され、ショート不良が防止されることが確認された。

（実施例３）
次に、実施例３について説明する。実施例３は、第１実施形態に対応するが、ランド１３０Ｅ，１３０Ｇの材質が実施例１と異なる。

半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇにおける溶融はんだの濡れ性をＦ１、コンデンサ４００の電極４１０，４２０における溶融はんだの濡れ性をＦ２とする。実施例３では、Ｆ１≧Ｆ２の関係となるように、半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇとコンデンサ４００の電極４１０，４２０の材質を選定した。溶融はんだの濡れ性とは、溶融はんだの馴染みやすさのことである。

溶融はんだが、コンデンサ４００の電極４１０，４２０の表面と、半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇの表面を濡れ広がるには、溶融はんだ、及び対象金属の表面が汚染されていないことが重要となる。溶融はんだ及び金属表面が清浄であるほど、互いの原子間距離が近づき、溶融はんだが金属表面に密着するように金属表面上を濡れ広がっていく。このことから、半導体装置１００のランド１３０Ｅ，１３０Ｇは、酸化しにくいＡｕめっきが施されているものとした。また、コンデンサ４００の電極４１０，４２０は、酸化しやすく還元率が低いＳｎめっきが施されているものとした。

図５（ｂ）に示すメタルマスク２３の厚みを０．０５［ｍｍ］とした。はんだペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３の供給量を、実施例１よりも少量とした。半導体装置１００及びコンデンサ４００のサイズは、実施例１と同様とした。

図５（ｅ）及び図５（ｆ）における工程Ｓ５−１，Ｓ５−２において、溶融はんだＭ１，Ｍ２は、Ｓｎめっきが施された電極４１０，４２０から、濡れ性の高いＡｕめっきが施されたランド１３０Ｅ，１３０Ｇへと移動することが確認された。これにより、コンデンサ４００は、はんだ接合部１９１，１９２によって良好に半導体装置１００に接合されていることが確認された。

（インダクタンスの計算）
次に、実施例１、実施例２、及び比較例１について、半導体素子とコンデンサとの間の配線のインダクタンスを計算した。図１２（ａ）は、実施例１の処理モジュール３００の断面模式図である。図１２（ｂ）は、実施例２の処理モジュール３００Ａの断面模式図である。図１２（ｃ）は、比較例１の処理モジュール３００Ｘの断面模式図である。

図１２（ｃ）に示す比較例１の処理モジュール３００Ｘは、半導体装置１００と、コンデンサ４００と、プリント配線板２００Ｘと、を有する。半導体装置１００は、半導体素子１０１と、パッケージ基板１０２と、を有する。半導体素子１０１は、パッケージ基板１０２に実装されている。パッケージ基板１０２は、ランド１３０Ｅと、ランド１３０Ｇとを含む。

プリント配線板２００は、絶縁基板２２０Ｘを有する。絶縁基板２２０Ｘは、一方の主面と、一方の主面とは反対側の他方の主面とを有する。絶縁基板２２０Ｘの一方の主面には、ランド２３０ＥＸ及びランド２３０ＧＸが配置されている。ランド１３０Ｅとランド２３０ＥＸとは、はんだ接合部１９１Ｘで接合されている。ランド１３０Ｇとランド２３０ＧＸとは、はんだ接合部１９２Ｘで接合されている。

コンデンサ４００は、プリント配線板２００Ｘの絶縁基板２２０Ｘの他方の主面側に配置されている。絶縁基板２２０Ｘの他方の主面には、コンデンサ４００の電極４１０にはんだで接合されたランド２４０ＥＸと、コンデンサ４００の電極４２０にはんだで接合されたランド２４０ＧＸとが配置されている。ランド２３０ＥＸとランド２４０ＥＸとは、絶縁基板２２０Ｘに形成されたヴィア導体２９１Ｘで電気的に接続されている。ランド２３０ＧＸとランド２４０ＧＸとは、絶縁基板２２０Ｘに形成されたヴィア導体２９２Ｘで電気的に接続されている。

以下に、計算の条件を示す。ＢＧＡの半導体パッケージである半導体装置１００において隣り合う２つのボール端子のピッチを、０．４［ｍｍ］とした。パッケージ基板１０２の厚みを０．４［ｍｍ］とした。はんだ接合部１９３，１９３Ａ，１９１Ｘ，１９２Ｘの高さを０．２２０［ｍｍ］、幅を０．２５０［ｍｍ］とした。コンデンサ４００を０４０２サイズのチップコンデンサとした。プリント配線板２００，２００Ａ，２００Ｘの厚みを０．８［ｍｍ］とした。インダクタンスの計算には、平行導線におけるインダクタンスの算出式を用いた。

図１２（ａ）に示す実施例１の計算結果について説明する。パッケージ基板１０２におけるヴィア導体１１２Ｅ，１１２Ｇの各々のインダクタンス値は、２６６ｐＨであった。コンデンサ４００における電極４１０とランド１３０Ｅとの間のインダクタンス値、及びコンデンサ４００における電極４２０とランド１３０Ｇとの間のインダクタンス値の各々は、１８０ｐＨであった。よって、半導体素子１０１の電源端子１１１Ｅとコンデンサ４００の電極４１０との間のインダクタンス値、及び半導体素子１０１のグラウンド端子１１１Ｇとコンデンサ４００の電極４２０との間のインダクタンス値の各々は、４６６ｐＨであった。図１２（ｂ）に示す実施例２の計算結果は、実施例１と同様であった。

図１２（ｃ）に示す比較例１の計算結果について説明する。パッケージ基板１０２におけるヴィア導体１１２Ｅ，１１２Ｇの各々のインダクタンス値は、２６６ｐＨであった。はんだ接合部１９１Ｘ，１９２Ｘの各々のインダクタンス値は、４２ｐＨであった。プリント配線板２００Ｘにおけるヴィア導体２９１Ｘ，２９２Ｘの各々のインダクタンス値は、５４５ｐＨであった。コンデンサ４００における電極４１０とランド２４０ＥＸとの間のインダクタンス値、及びコンデンサ４００における電極４２０とランド２４０ＧＸとの間のインダクタンス値の各々は、１８０ｐＨであった。よって、半導体素子１０１の電源端子１１１Ｅとコンデンサ４００の電極４１０との間のインダクタンス値、及び半導体素子１０１のグラウンド端子１１１Ｇとコンデンサ４００の電極４２０との間のインダクタンス値の各々は、１０３３ｐＨであった。

図１３に、実施例１、実施例２、及び比較例１におけるインダクタンスの計算結果を示す。図１３に示すように、実施例１，２においては、比較例１よりもインダクタンス値が小さくなる。これにより、発生する電源ノイズが低減し、半導体装置１００における通信の高速化を実現することができる。また、実施例２においては、図１２（ｂ）に示すように、半導体装置１００とプリント配線板２００Ａとを、コンデンサ４００を介してはんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａで接続している。これにより、はんだ接合部１９１Ａ，１９２Ａを介して半導体素子１０１へ給電することができる。よって、ランド１３０Ｓを、電源ライン以外の用途にも用いることができ、回路設計の自由度が上がる。

以上、製造工程を追加することなく、通信の高速化を実現する処理モジュールを製造することができる。

なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。また、実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載されたものに限定されない。

上述の実施形態では、電子部品がコンデンサ４００である場合について説明したが、これに限定するものではない。電子部品が抵抗器又はインダクタなどの受動部品であってもよい。

上述の実施形態では、予め、ランド２３０ＳにはんだボールＢが設けられている半導体装置１００を用意するについて説明したが、これに限定するものではない。即ち、半導体装置１００を用意する工程において、ランド２３０ＳにはんだボールＳを設けるようにしてもよい。

１００…半導体装置、１３０Ｅ…ランド（第１ランド）、１３０Ｇ…ランド（第２ランド）、２００…プリント配線板、３００…処理モジュール（半導体モジュール）、４００…コンデンサ（電子部品）、４１０…電極（第１電極）、４２０…電極（第２電極）

Claims (20)

1. 所定方向に間隔をあけて配置された第１電極及び第２電極を含むチップ部品、第１ランド及び第２ランドを含む半導体装置、並びにプリント配線板を用意し、
   前記プリント配線板に、間隔をあけて第１はんだペースト及び第２はんだペーストを供給し、
   前記第１電極が前記第１はんだペーストと接し、前記第２電極が前記第２はんだペーストと接するように、前記チップ部品を前記プリント配線板上に載置し、
   前記第１ランドが前記第１電極と対向し、前記第２ランドが前記第２電極と対向するように、前記半導体装置を前記プリント配線板上に載置し、
   前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストを加熱して溶融させ、
   前記第１ランド及び前記第２ランドの各々まで濡れ広がった溶融はんだが冷却されて固化することで、前記第１ランドと前記第１電極とをはんだで接合し、前記第２ランドと前記第２電極とをはんだで接合する、
   ことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
2. 前記第１ランド及び前記第２ランドの各々は、前記チップ部品を前記プリント配線板上に載置したときに、平面視して、前記第１電極及び前記第２電極の各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記チップ部品から前記所定方向の外側に張り出す、
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
3. 前記第１はんだペーストを溶融させた溶融はんだは、冷却されて前記第１ランド上においてフィレット形状に固化し、
   前記第２はんだペーストを溶融させた溶融はんだは、冷却されて前記第２ランド上においてフィレット形状に固化する、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体モジュールの製造方法。
4. 前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置されたソルダーレジストと、を有しており、
   前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストは、前記ソルダーレジスト上に供給される、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
5. 前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置された第３ランド及び第４ランドと、を有しており、
   前記第１はんだペーストは前記第３ランド上に供給され、前記第２はんだペーストは前記第４ランド上に供給される、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
6. 平面視して、前記第１ランドの面積が前記第３ランドの面積よりも広く、前記第２ランドの面積が前記第４ランドの面積よりも広い、
   ことを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュールの製造方法。
7. 前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置されたソルダーレジストと、を有し、
   前記ソルダーレジストは、前記絶縁基板の主面の一部分を露出させる開口部を有し、
   前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストは、前記絶縁基板の主面において前記開口部により露出させられた部分に供給される、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
8. 前記半導体装置は、はんだボールが設けられた第５ランドを有しており、前記プリント配線板は、第６ランドを有しており、
   前記プリント配線板において、前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストを供給する際に、前記第６ランド上に第３はんだペーストを供給し、
   前記半導体装置を前記プリント配線板上に載置することで、前記はんだボールを前記第３はんだペーストに接触させ、
   前記第１はんだペースト及び前記第２はんだペーストと共に前記第３はんだペースト及び前記はんだボールを加熱して溶融させ、
   溶融させたはんだを冷却させて固化させることで、前記第５ランドと前記第６ランドとをはんだで接合する、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
9. 前記半導体装置は、ＢＧＡの半導体パッケージである、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
10. 電子機器の製造方法であって、
    請求項１乃至９のいずれか１項に記載の製造方法により前記半導体モジュールを製造し、
    筐体の内部に前記半導体モジュールを配置する、
    ことを特徴とする電子機器の製造方法。
11. プリント配線板と、
    第１ランド及び第２ランドを含み、前記プリント配線板に実装された半導体装置と、
    所定方向に間隔をあけた第１電極及び第２電極を含み、前記プリント配線板と前記半導体装置との間に配置されたチップ部品と、
    前記第１電極と前記第１ランドとを接合する第１はんだ接合部と、
    前記第２電極と前記第２ランドとを接合する第２はんだ接合部と、を備え、
    前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置されたソルダーレジストと、を有し、
    前記チップ部品は、前記ソルダーレジストと対向し、
    平面視して、前記第１ランド及び前記第２ランドの各々は、前記第１電極及び前記第２電極の各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記チップ部品から前記所定方向の外側に張り出しており、
    前記第１はんだ接合部は、前記ソルダーレジストから前記第１ランドに向かうにつれて、前記第１電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしており、
    前記第２はんだ接合部は、前記ソルダーレジストから前記第２ランドに向かうにつれて、前記第２電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしている、
    ことを特徴とする半導体モジュール。
12. プリント配線板と、
    第１ランド及び第２ランドを含み、前記プリント配線板に実装された半導体装置と、
    所定方向に間隔をあけた第１電極及び第２電極を含み、前記プリント配線板と前記半導体装置との間に配置されたチップ部品と、
    前記第１電極と前記第１ランドとを接合する第１はんだ接合部と、
    前記第２電極と前記第２ランドとを接合する第２はんだ接合部と、を備え、
    前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置され、前記第１はんだ接合部で前記第１ランドに電気的に接続された第３ランドと、前記絶縁基板の主面に配置され、前記第２はんだ接合部で前記第２ランドに電気的に接続された第４ランドと、を有し、
    平面視して、前記第１ランド及び前記第２ランドの各々は、前記第１電極及び前記第２電極の各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記第３ランド及び前記第４ランドの各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記チップ部品から前記所定方向の外側に張り出しており、前記第１はんだ接合部は、前記第３ランドから前記第１ランドに向かうにつれて、前記第１電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしており、
    前記第２はんだ接合部は、前記第４ランドから前記第２ランドに向かうにつれて、前記第２電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしている、
    ことを特徴とする半導体モジュール。
13. プリント配線板と、
    第１ランド及び第２ランドを含み、前記プリント配線板に実装された半導体装置と、
    所定方向に間隔をあけた第１電極及び第２電極を含み、前記プリント配線板と前記半導体装置との間に配置されたチップ部品と、
    前記第１電極と前記第１ランドとを接合する第１はんだ接合部と、
    前記第２電極と前記第２ランドとを接合する第２はんだ接合部と、を備え、
    前記プリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主面に配置されたソルダーレジストと、を有し、
    前記ソルダーレジストは、前記チップ部品の一部が挿入された開口部を有し、
    平面視して、前記第１ランド及び前記第２ランドの各々は、前記第１電極及び前記第２電極の各々の少なくとも一部と重なり、かつ前記チップ部品から前記所定方向の外側に張り出しており、
    前記第１はんだ接合部は、前記絶縁基板の前記主面において前記ソルダーレジストの前記開口部により露出させられた部分から前記第１ランドに向かうにつれて、前記第１電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしており、
    前記第２はんだ接合部は、前記絶縁基板の前記主面において前記ソルダーレジストの前記開口部により露出させられた部分から前記第２ランドに向かうにつれて、前記第２電極から前記所定方向の外側に広がるフィレット形状をなしている、
    ことを特徴とする半導体モジュール。
14. 前記第１ランドが電源端子、前記第２ランドがグラウンド端子である、
    ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
15. 前記チップ部品は、０４０２サイズ以下のチップ部品である、
    ことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
16. 前記チップ部品がコンデンサであることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
17. 前記半導体装置は、各ランドの間隔が０．４ｍｍ以下であるＢＧＡの半導体パッケージである、
    ことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
18. 前記半導体装置は、半導体素子を有し、
    前記半導体モジュールを平面視した際に、前記半導体素子と前記チップ部品は重なっている、
    ことを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
19. 前記半導体装置は第５ランドを含み、
    前記プリント配線板は、前記絶縁基板の主面に第６ランドを有し、
    前記第５ランドと前記第６ランドとを接合する第３はんだ接合部を備え、
    前記第３はんだ接合部の高さが、前記チップ部品の高さより高い、
    ことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
20. 筐体と、
    前記筐体の内部に配置された、請求項１１乃至１９のいずれか１項に記載の半導体モジュールと、を備える、
    ことを特徴とする電子機器。

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