JP2022183737A - 振動デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ハンドリングのし難さが改善されるとともに、振動子の割れや欠けなどが抑制される振動デバイスを提供すること。【解決手段】振動デバイス１は、第１面１０１と、第１面１０１とは反対側に位置する第２面１０２と、第１面１０１を含む第１絶縁層２１と、第２面１０２を含む第２絶縁層２２と、第１面１０１に開口部４１を有し、第１絶縁層２１を貫通する有底の凹部４０と、第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との間に配置される接続用配線層２５と、を有する多層基板２と、収容空間５２を備える容器５１と、収容空間５２に収容される振動素子６と、容器５１の外面に配置され、振動素子６と電気的に接続される接続用端子７０と、を有し、凹部４０内に配置される振動素子６と、接続用配線層２５と、接続用端子７０と、を電気的に接続する導電性接続部材８と、を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、振動デバイスに関する。

近年、各種の電子機器の小型化や薄型化が進んでいる。そのため、これらの電子機器に用いられる水晶発振器等の振動デバイスも小型化への対応が求められている。
例えば、特許文献１には、水晶振動子を搭載したシリコンからなる第１基板と、水晶振動子を収容する凹部が形成されたシリコンからなる第２基板と、を凹部内に水晶振動子を収める状態で重ね、接合しパッケージ化することによって、振動デバイスである圧電発振器を小型化できることが記載されている。
また、例えば、特許文献２には、振動部を有する水晶振動板の一主面と水晶から形成された第１封止部材とが接合され、水晶振動板の他主面と水晶から形成された第２封止部材とが接合されてサンドイッチ構造のパッケージが構成され、これにより、振動デバイスである水晶発振器の小型化が図れることが記載されている。

特開２０１７－１３９７１７号公報 特開２０２０－１２０３４５号公報

しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載の振動デバイスは、振動デバイスの小型化によるハンドリングのし難さが顕著となり、また、パッケージを構成する部材がシリコン基板や水晶なので、振動デバイスである振動子や発振器が脆く欠け易い、という課題がある。

振動デバイスは、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、前記第１面を含む第１絶縁層と、前記第２面を含む第２絶縁層と、前記第１面に開口部を有し、少なくとも前記第１絶縁層を貫通する有底の凹部と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置される接続用配線層と、を有する多層基板と、収容空間を備える容器と、前記収容空間に収容される振動素子と、前記容器の外面に配置され、前記振動素子と電気的に接続される接続用端子と、を有し、前記凹部内に配置される振動子と、前記接続用配線層と、前記接続用端子と、を電気的に接続する導電性接続部材と、を有する。

実施形態１に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。 図１中のＡ－Ａ線断面図。 実施形態２に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。 図２中のＢ－Ｂ線断面図。 実施形態３に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。 図５中のＣ－Ｃ線断面図。 図５中のＤ－Ｄ線断面図。 実施形態４に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。 図８中のＥ－Ｅ線断面図。 実施形態５に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。 図１０中のＧ－Ｇ線断面図。 実施形態６に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。 図１２中のＨ－Ｈ線断面図。 実施形態７に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。 図１４中のＩ－Ｉ線断面図。

１．実施形態１
実施形態１に係る振動デバイス１について、図１及び図２を参照して説明する。
尚、説明の便宜上、以下の各図には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸を図示している。また、Ｘ軸に沿った方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿った方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿った方向を「Ｚ方向」と言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」、矢印と反対側を「マイナス側」とも言う。また、Ｚ方向プラス側を「上」、Ｚ方向マイナス側を「下」とも言う。また、Ｚ方向からの平面視において、Ｚ方向プラス側の面を上面、この上面と反対側となるＺ方向マイナス側の面を下面として説明する。

図１及び図２に示すように、振動デバイス１は、第１面１０１と、第１面１０１とは反対側に位置する第２面１０２と、第１面１０１を含む第１絶縁層２１と、第２面１０２を含む第２絶縁層２２と、第１面１０１に開口部４１を有し、第１絶縁層２１を貫通する有底の凹部４０と、第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との間に配置される接続用配線層２５と、を有する多層基板２と、収容空間５２を備える容器５１と、収容空間５２に収容される振動素子６と、容器５１の外面に配置され、振動素子６と電気的に接続される接続用端子７０と、を有し、凹部４０内に配置される振動子５と、接続用配線層２５と、接続用端子７０と、を電気的に接続する導電性接続部材８と、を有する。なお、収容空間５２のことを収容部とも言う。

まず、多層基板２について説明する。
多層基板２は、多層基板２の第１面１０１に直交するＺ方向からの平面視で、外形が矩形状の平板である。なお、本実施形態では、第１面１０１は、多層基板２の上面であり、第２面１０２は、多層基板２の下面である。

多層基板２は、例えば、複数のプリント配線板をプリント配線板の厚さ方向であるＺ方向に積層した基板である。多層基板２としては、ガラスエポキシ基板、ガラスフェノール基板、ガラスポリイミド基板などの樹脂基板を用いることができる。本実施形態では、多層基板２は、ガラスエポキシ基板である。

多層基板２は、第１面１０１を含む第１絶縁層２１と、第２面１０２を含む第２絶縁層２２と、第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との間に配置される第３絶縁層２３と、を有する。第１絶縁層２１と、第３絶縁層２３と、第２絶縁層２２と、は、この順で上方から下方に向かって積層される。

多層基板２において、積層方向であるＺ方向に隣り合う第１絶縁層２１と第３絶縁層２３との間には、第１配線層２６が配置される。積層方向に隣り合う第３絶縁層２３と第２絶縁層２２との間には、第２配線層２７が配置される。

また、多層基板２の第２面１０２には、外部と電気的な接続を行うための外部端子２８が配置される。

第２絶縁層２２と、第３絶縁層２３と、は、第２絶縁層２２と、第３絶縁層２３と、のそれぞれの厚さ方向であるＺ方向に貫通する貫通穴２９１と、貫通穴２９１の内部に埋設される貫通電極２９と、を有する。貫通電極２９は、第１配線層２６と、第２配線層２７と、外部端子２８と、を電気的に接続する。なお、本実施形態では、第１絶縁層２１は、貫通穴２９１と、貫通電極２９とを有さないが、第１絶縁層２１は、貫通穴２９１と、貫通電極２９とを有していても構わない。

また、多層基板２は、第１面１０１に開口部４１を有する有底の凹部４０を有する。
本実施形態では、凹部４０は、第１面１０１を含む第１絶縁層２１を貫通している。つまり、第１絶縁層２１は、凹部４０に相当する貫通部を有する。第１絶縁層２１が有する凹部４０に相当する貫通部において、第１面１０１とは反対側に位置する面は、第１絶縁層２１と積層方向に隣り合う第３絶縁層２３により塞がれる。このようにして、第１面１０１に開口部４１を有し、第１絶縁層２１を貫通する有底の凹部４０が形成される。凹部４０の底面４２は、第１絶縁層２１が有する凹部４０に相当する貫通部を塞ぐ第３絶縁層２３における第１絶縁層２１に対向する面である。

本実施形態では、凹部４０の開口部４１は、Ｚ方向からの平面視で、矩形状であり、開口部４１は、第１面１０１で囲まれている。言い換えると、凹部４０の周囲は、第１面１０１で囲まれている。

上述したように、積層方向に隣り合う第１絶縁層２１と、第３絶縁層２３と、の間には、第１配線層２６が配置されているので、第３絶縁層２３における第１絶縁層２１に対向する面である凹部４０の底面４２には、第１配線層２６を配置することができる。そして、凹部４０の底面４２に配置される第１配線層２６は、接続用配線層２５として機能させることができる。つまり、凹部４０の底面４２には、接続用配線層２５としての第１配線層２６が配置される。

凹部４０の底面４２に配置される接続用配線層２５としての第１配線層２６は、多層基板２の第１面１０１よりもＺ方向マイナス側に位置し、多層基板２の第２面１０２よりもＺ方向プラス側に位置する。つまり、接続用配線層２５としての第１配線層２６は、多層基板２の第１面１０１と、多層基板２の第２面１０２と、の間に配置されている。

接続用配線層２５としての第１配線層２６は、凹部４０内に配置される振動子５における容器５１の外面に配置される後述する接続用端子７０と、導電性接続部材８を介して電気的に接続される。

また、接続用配線層２５としての第１配線層２６は、貫通電極２９を介して、または、貫通電極２９と第２配線層２７とを介して、多層基板２の第２面１０２に配置される外部端子２８と電気的に接続される。

次に、振動子５について説明する。

振動子５は、収容空間５２を備える容器５１と、収容空間５２に収容される振動素子６と、容器５１の外面に配置され、振動素子６と電気的に接続される接続用端子７０と、を有する。なお、容器５１の外面とは、容器５１の外表面を意味し、容器５１の上面、下面及び側面を含む。

容器５１は、半導体基板であるベース５３と、半導体基板であるリッド５４と、を含む。

ベース５３は、板状である。ベース５３は、リッド５４に対向する面５５と、リッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６と、を有する。本実施形態では、リッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６が、容器５１の下面となる。

本実施形態では、ベース５３は、単結晶シリコンを含む半導体基板である。なお、ベース５３としては、シリコン以外の半導体基板、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、炭化珪素等の半導体基板を用いても構わない。

リッド５４は、箱状である。リッド５４は、ベース５３に対向する面５７と、ベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８と、リッド５４においてベース５３に対向する面５７に開口する有底の凹部５４１を有する。本実施形態では、ベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８が、容器５１の上面となる。

本実施形態では、リッド５４は、単結晶シリコンを含む半導体基板である。なお、リッド５４としては、シリコン以外の半導体基板、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、炭化珪素等の半導体基板を用いても構わない。

リッド５４における凹部５４１の開口を塞ぐように、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５と、凹部５４１の外縁に位置するリッド５４におけるベース５３に対向する面５７と、が接合部材５１１を介して接合される。これにより、振動素子６を収容する収容空間５２が形成される。なお、接合部材５１１を用いずに、ベース５３やリッド５４に含まれる金属の拡散を利用した拡散接合、シリコン同士の拡散接合、表層を親水化しＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合層を有する親水化接合などにより接合しても構わない。

また、ベース５３は、ベース５３の厚さ方向であるＺ方向に貫通する貫通孔５３１を有する。貫通孔５３１の内面と、リッド５４に対向する面５５と、リッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６と、を含むベース５３の表面には、絶縁膜５３２が形成される。貫通孔５３１内には、貫通電極５９が埋設される。

ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６には、接続用端子７０が配置される。言い換えると、接続用端子７０は、容器５１の外面に配置されており、具体的には、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６である容器５１の下面に配置されている。

ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５には、配線７１が配置される。接続用端子７０と、配線７１と、は貫通電極５９により電気的に接続される。

収容空間５２に収納される振動素子６は、水晶基板である振動片６１と、振動片６１を振動させる励振電極６２と、振動素子６をベース５３に機械的及び電気的に接続し、振動信号を外部に出力するための接続電極６３と、励振電極６２と接続電極６３とを電気的に接続するリード電極６４と、を有する。なお、本実施形態では、振動片６１として、ＡＴカット水晶基板を用いているが、ＳＣカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、Ｚカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板などを用いても構わない。

振動素子６の接続電極６３と、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５に配置される配線７１と、は金属バンプ等の導電性部材６５を介して接合している。これにより、振動素子６はベース５３に機械的に接続されるとともに、振動素子６の接続電極６３と、リッド５４に対向する面５５に配置される配線７１と、が電気的に接続される。振動素子６の接続電極６３と、リッド５４に対向する面５５に配置される配線７１と、が電気的に接続されることにより、導電性部材６５と、配線７１と、貫通電極５９と、を介して、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６に配置される接続用端子７０と、振動素子６と、が電気的に接続される。

次に、多層基板２における振動子５の配置について説明する。
本実施形態では、多層基板２の上面である第１面１０１に開口部４１を有する有底の凹部４０内に、振動子５が配置される。

振動子５における容器５１の上面であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８は、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１の面５１２となる。振動子５における容器５１の下面であるベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６は、多層基板２における凹部４０の底面４２側に位置する容器５１の面５１３となる。容器５１において、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１の面５１２は、多層基板２における凹部４０の底面４２側に位置する容器５１の面５１３の反対側に位置する。

多層基板２における凹部４０の底面４２に配置される接続用配線層２５としての第１配線層２６と、多層基板２における凹部４０の底面４２側に位置する容器５１の面５１３であるベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６に配置される接続用端子７０と、は導電性接続部材８により電気的に接続される。

このように、多層基板２の凹部４０内に、振動子５が配置されることにより、振動デバイス１の小型化に伴うハンドリングのし難さが改善される。また、振動子５は、多層基板２により保護されるため、振動子５の割れや欠けなどを抑制することができる。

本実施形態では、上述したように、振動子５における容器５１を構成する部材は、シリコン基板である。シリコン基板などの半導体基板は、脆く欠け易い部材である。このような脆く欠け易い半導体基板で構成される容器５１を有する振動子５に対して、振動子５の割れや欠けを効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、上述したように、多層基板２は、ガラスエポキシ基板である。ガラスエポキシ基板のような樹脂基板は、機械的特性に優れ、割れや欠けが生じ難いため、振動デバイス１を容易にハンドリングすることができる。

また、本実施形態では、図２に示すように、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８は、多層基板２における凹部４０の開口部４１が形成される多層基板２の第１面１０１と面一である。

具体的には、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８と、多層基板２における凹部４０の開口部４１が形成される多層基板２の第１面１０１と、は同一のＸＹ平面である面Ｆ１上に位置している。言い換えると、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１の面５１２と、多層基板２の第１面１０１と、はＺ方向の位置が同じである。

つまり、振動子５は、多層基板２の第１面１０１に開口部４１を有する凹部４０から突出しないように、凹部４０内に配置される。

このように、本実施形態では、振動子５は、多層基板２の第１面１０１よりも上方に突出しないため、振動子５の割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、上述したように、多層基板２の下面である第２面１０２に外部端子２８が配置されている。このため、例えば、吸着コレットを用いて振動デバイス１を外部基板に表面実装する場合、振動デバイス１は、多層基板２の上面である第１面１０１を吸着コレットにより吸着、保持されることになる。このとき、振動子５は多層基板２の第１面１０１よりも上方に突出しないため、振動子５は吸着コレットに干渉しない。これにより、吸着コレットによる振動デバイス１の吸着、保持が安定し、振動デバイス１を外部基板に容易に実装することができる。

また、本実施形態では、上述したように、Ｚ方向からの平面視で、凹部４０の開口部４１は、第１面１０１で囲まれている。これにより、振動子５の割れや欠けなどをさらに効果的に抑制することができる。また、吸着コレットによる振動デバイス１の吸着、保持がさらに安定し、振動デバイス１を外部基板にさらに容易に実装することができる。

また、本実施形態では、接続用端子７０と、接続用配線層２５としての第１配線層２６と、は金属バンプや半田ペーストなどの導電性接続部材８を介して接合されている。これにより、容器５１の外面に配置される接続用端子７０を有する振動子５と、凹部４０の底面４２に配置される接続用配線層２５としての第１配線層２６を有する多層基板２と、は電気的に接続されるとともに、振動子５と、多層基板２と、は機械的に接続される。

また、本実施形態では、接続用端子７０と、接続用配線層２５としての第１配線層２６と、はＺ方向からの平面視で、重なるように配置されている。これにより、接続用端子７０と、接続用配線層２５としての第１配線層２６と、を導電性接続部材８を介して接合することにより、振動デバイス１を小型化することができる。

なお、振動子５における接続用端子７０と、多層基板２における接続用配線層２５としての第１配線層２６と、を導電性接続部材８を介して接合する際には、多層基板２の凹部４０内に振動子５を配置する前に、予め、振動子５における接続用端子７０に金属バンプや半田ペーストなどの導電性接続部材８を付着させておくことが好ましい。これにより、多層基板２の凹部４０内に振動子５を配置する前に、予め、凹部４０の底面４２に配置される接続用配線層２５に導電性接続部材８を付着させておく必要がなく、振動デバイス１を容易に製造することができる。

以上述べたように本実施形態の振動デバイス１は、第１面１０１と、第１面１０１とは反対側に位置する第２面１０２と、第１面１０１を含む第１絶縁層２１と、第２面１０２を含む第２絶縁層２２と、第１面１０１に開口部４１を有し、第１絶縁層２１を貫通する有底の凹部４０と、第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との間に配置される接続用配線層２５と、を有する多層基板２と、収容空間５２を備える容器５１と、収容空間５２に収容される振動素子６と、容器５１の外面に配置され、振動素子６と電気的に接続される接続用端子７０と、を有し、凹部４０内に配置される振動素子６と、接続用配線層２５と、接続用端子７０と、を電気的に接続する導電性接続部材８と、を有する。
これにより、小型化に伴うハンドリングのし難さが改善されるとともに、振動子５の割れや欠けなどが抑制される振動デバイス１を提供することができる。

なお、本実施形態では、多層基板２は、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、及び第３絶縁層２３の３層であるが、第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との間に複数の第３絶縁層２３を積層することにより、多層基板２を４層以上としても構わない。

また、本実施形態では、凹部４０は、第１絶縁層２１を貫通しているが、凹部４０は、第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１と積層方向に隣り合う第３絶縁層２３と、を貫通していても構わない。つまり、凹部４０は、少なくとも第１絶縁層２１を貫通していれば構わない。

また、本実施形態では、振動子５における容器５１は、半導体基板であるシリコン基板により構成されるが、容器５１を半導体基板以外の部材、例えば、半導体基板と同様に脆く欠け易い部材である水晶により構成しても構わない。

また、本実施形態では、振動子５は発振回路を有さないが、振動子５が発振回路を有する発振器であっても構わない。

２．実施形態２
次に、実施形態２に係る振動デバイス１ａについて、図３及び図４を参照して、説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態２は、多層基板２ａにおける凹部４０ａの深さ、すなわち、凹部４０ａの底面４２ａにおけるＺ方向の位置が異なること以外は、実施形態１と同様である。

図３及び図４に示すように、多層基板２ａは、第１面１０１に開口部４１ａを有する有底の凹部４０ａを有する。

本実施形態では、凹部４０ａは、第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１と積層方向に隣り合う第３絶縁層２３と、を貫通している。つまり、第１絶縁層２１は、第１絶縁層２１を貫通する第１貫通部４３を有し、第３絶縁層２３は、第３絶縁層２３を貫通する第２貫通部４４を有する。本実施形態では、Ｚ方向からの平面視で、第１絶縁層２１に形成される凹部４０ａに対応する第１貫通部４３の形状と、第３絶縁層２３に形成される凹部４０ａに対応する第２貫通部４４の形状と、は略同一であり、第１絶縁層２１を貫通する第１貫通部４３と、第３絶縁層２３を貫通する第２貫通部４４と、は、Ｚ方向からの平面視で重なっている。

凹部４０ａの底面４２ａは、第３絶縁層２３とは積層方向に隣り合う第２絶縁層２２における第３絶縁層２３に対向する面である。言い換えると、凹部４０ａの底面４２ａは、第２絶縁層２２における多層基板２ａの第２面１０２とは反対側に位置する面である。

つまり、本実施形態では、多層基板２ａにおける凹部４０ａの深さは、凹部４０ａが貫通する第３絶縁層２３の厚さに相当する分、実施形態１よりも深くなっている。言い換えると、凹部４０ａの底面４２ａのＺ方向の位置は、凹部４０ａが貫通する第３絶縁層２３の厚さに相当する分、実施形態１に比べ、多層基板２ａの第２面１０２側に位置している。

積層方向に隣り合う第３絶縁層２３と、第２絶縁層２２と、の間には、第２配線層２７が配置されているので、第２絶縁層２２における第３絶縁層２３に対向する面である凹部４０ａの底面４２ａには、第２配線層２７を配置することができる。そして、凹部４０ａの底面４２ａに配置される第２配線層２７は、接続用配線層２５ａとして機能させることができる。つまり、凹部４０ａの底面４２ａには、接続用配線層２５ａとしての第２配線層２７が配置される。

凹部４０ａの底面４２ａに配置される接続用配線層２５ａとしての第２配線層２７は、多層基板２ａの第１面１０１よりもＺ方向マイナス側に位置し、多層基板２ａの第２面１０２よりもＺ方向プラス側に位置する。つまり、接続用配線層２５ａとしての第２配線層２７は、多層基板２ａの第１面１０１と、多層基板２ａの第２面１０２と、の間に配置されている。

接続用配線層２５ａとしての第２配線層２７は、多層基板２ａにおける凹部４０ａの底面４２ａ側に位置する容器５１の面５１３に配置される接続用端子７０と、導電性接続部材８を介して電気的に接続される。

本実施形態では、図４に示すように、多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａ側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８は、多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａが形成される多層基板２ａの第１面１０１よりも多層基板２ａの第２面１０２側に位置している。

具体的には、多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａ側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８は、多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａが形成される多層基板２ａの第１面１０１を含むＸＹ平面である面Ｆ１よりも、下方に位置している。つまり、多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａ側に位置する容器５１の面５１２と、多層基板２ａの第１面１０１と、はＺ方向の位置が異なり、多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａ側に位置する容器５１の面５１２は、多層基板２ａの第１面１０１よりも多層基板２ａの第２面１０２側に位置している。

本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａ側に位置する振動子５における容器５１の面５１２は、多層基板２ａの第１面１０１よりも多層基板２ａの第２面１０２側に位置している。このように、振動子５は、多層基板２ａにおける凹部４０ａの開口部４１ａが形成される第１面１０１よりも凹部４０ａの底面４２ａ側である多層基板２ａの第２面１０２側に位置しているため、振動子５の割れや欠けなどをさらに効果的に抑制することができる。

３．実施形態３
次に、実施形態３に係る振動デバイス１ｂについて、図５～図７を参照して、説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態３は、多層基板２ｂにおける凹部４０ｂの形状が異なること以外は、実施形態１と同様である。

図５に示すように、多層基板２ｂは、多層基板２ｂの第１面１０１に直交するＺ方向からの平面視で、外形が矩形状の平板である。多層基板２ｂは、Ｚ方向からの平面視で、Ｘ方向に沿う第１側面２０Ａと、第１側面２０Ａに対向しＸ方向に沿う第２側面２０Ｂと、第１側面２０Ａと第２側面２０Ｂとに隣り合いＹ方向に沿う第３側面２０Ｃと、第３側面２０Ｃに対向しＹ方向に沿う第４側面２０Ｄと、を有する。多層基板２ｂの上面である第１面１０１と、多層基板２ｂの下面である第２面１０２と、は第１側面２０Ａ、第２側面２０Ｂ、第３側面２０Ｃ、及び第４側面２０Ｄを介して接続している。

図５～図７に示すように、多層基板２ｂは、第１面１０１に開口部４１ｂを有する有底の凹部４０ｂを有する。凹部４０ｂは、第１絶縁層２１を貫通し、多層基板２ｂの互いに対向する一方の側面である第１側面２０Ａから他方の側面である第２側面２０Ｂまで溝状に延設されている。凹部４０ｂは、多層基板２ｂの第１側面２０Ａ及び第２側面２０Ｂにおいて、多層基板２ｂの外部に連通している。

また、本実施形態では、図６に示すように、多層基板２ｂにおける凹部４０ｂの開口部４１ｂ側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８は、多層基板２ｂにおける凹部４０ｂの開口部４１ｂが形成される多層基板２ｂの第１面１０１と面一である。

本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
多層基板２ｂにおける凹部４０ｂは、多層基板２ｂの互いに対向する一方の側面である第１側面２０Ａから他方の側面である第２側面２０Ｂまで溝状に延設されている。このように、多層基板２ｂにおける凹部４０ｂを、多層基板２ｂの互いに対向する一方の側面である第１側面２０Ａから他方の側面である第２側面２０Ｂまで溝状に延設することにより、凹部４０ｂを容易に形成することができる。つまり、凹部４０ｂを有する多層基板２ｂの製造コストを低減することができ、従って、製造コストを低減させた振動デバイス１ｂを提供することができる。

なお、本実施形態では、多層基板２ｂにおける凹部４０ｂは、多層基板２ｂの第１側面２０Ａから第２側面２０Ｂまで溝状に延設されているが、凹部４０ｂは、多層基板２ｂの互いに対向する一方の側面である第３側面２０Ｃから他方の側面である第４側面２０Ｄまで溝状に延設されていても構わない。

４．実施形態４
次に、実施形態４に係る振動デバイス１ｃについて、図８及び図９を参照して、説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態４は、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃに配置される接続用配線層２５ｃと、振動子５ｃにおける容器５１の外面に配置される接続用端子７０と、を電気的に接続する導電性接続部材８ｃが導電性ワイヤーであることや、凹部４０ｃの形状が異なることや、凹部４０ｃ内における接続用配線層２５ｃの配置が異なることや、凹部４０ｃ内における振動子５ｃの配置が異なること以外は、実施形態１と同様である。

図８及び図９に示すように、多層基板２ｃは、第１面１０１に開口部４１ｃを有する有底の凹部４０ｃを有する。凹部４０ｃは、凹部４０ｃの開口部４１ｃと、凹部４０ｃの底面４２ｃと、の間に、凹部４０ｃの内側に突出する段部４５を有する。

本実施形態では、凹部４０ｃは、第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１と積層方向に隣り合う第３絶縁層２３と、を貫通している。つまり、第１絶縁層２１は、第１絶縁層２１を貫通する第１貫通部４３ｃを有し、第３絶縁層２３は、第３絶縁層２３を貫通する第２貫通部４４ｃを有する。

凹部４０ｃの底面４２ｃは、第３絶縁層２３とは積層方向に隣り合う第２絶縁層２２における第３絶縁層２３に対向する面である。言い換えると、凹部４０ｃの底面４２ｃは、第２絶縁層２２における多層基板２ｃの第２面１０２とは反対側に位置する面である。

Ｚ方向からの平面視で、第１絶縁層２１を貫通する第１貫通部４３ｃの形状と、第３絶縁層２３を貫通する第２貫通部４４ｃの形状と、は異なる。第３絶縁層２３を貫通する第２貫通部４４ｃのＸ方向の幅は、第１絶縁層２１を貫通する第１貫通部４３ｃのＸ方向の幅よりも小さく、第３絶縁層２３を貫通する第２貫通部４４ｃのＹ方向の幅は、第１絶縁層２１に形成される凹部４０ｃに対応する第１貫通部４３ｃのＹ方向の幅よりも小さい。

このように、Ｚ方向からの平面視で、第３絶縁層２３を貫通する第２貫通部４４ｃは、第１絶縁層２１を貫通する第１貫通部４３ｃよりも小さいため、凹部４０ｃの開口部４１ｃと、凹部４０ｃの底面４２ｃと、の間に、凹部４０ｃの内側に突出する段部４５となる第３絶縁層２３を配置することができる。段部４５の上面は、第１絶縁層２１とは積層方向に隣り合う第３絶縁層２３における第１絶縁層２１に対向する面である。

積層方向に隣り合う第１絶縁層２１と、第３絶縁層２３と、の間には、第１配線層２６が配置されているので、凹部４０ｃの内側に突出する段部４５の上面には、第１配線層２６を配置することができる。そして、段部４５の上面に配置される第１配線層２６は、接続用配線層２５ｃとして機能させることができる。つまり、段部４５の上面には、接続用配線層２５ｃとしての第１配線層２６が配置される。

また、本実施形態では、凹部４０ｃ内における振動子５ｃの配置は、実施形態１に比べ、振動子５ｃの上下が逆転している。つまり、振動子５ｃにおける容器５１の下面は、リッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８であり、リッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８が、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃの底面４２ｃ側に位置する容器５１の面５１３となる。そして、振動子５ｃにおける容器５１の上面は、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６であり、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６が、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃの開口部４１ｃ側に位置する容器５１の面５１２となる。

凹部４０ｃの底面４２ｃと、凹部４０ｃの底面４２ｃ側に位置する振動子５ｃにおける容器５１の面５１３と、は熱硬化型接着剤などの接合部材５１５を介して接合される。これにより、振動子５ｃと、多層基板２ｃと、は機械的に接続される。

振動子５ｃにおける容器５１の上面、すなわち、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６には、接続用端子７０が配置されている。

接続用端子７０と、凹部４０ｃにおける段部４５の上面に配置される接続用配線層２５ｃとしての第１配線層２６と、はワイヤーボンディング技法を用いて導電性接続部材８ｃである導電性ワイヤーを介して電気的に接続される。

また、本実施形態では、図９に示すように、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃの開口部４１ｃ側に位置する容器５１の面５１２であるベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６は、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃの開口部４１ｃが形成される多層基板２ｃの第１面１０１よりも多層基板２ｃの第２面１０２側に位置している。

具体的には、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃの開口部４１ｃ側に位置する容器５１の面５１２であるベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６は、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃの開口部４１ｃが形成される多層基板２ｃの第１面１０１を含むＸＹ平面である面Ｆ１よりも、下方に位置している。これにより、振動子５ｃの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、接続用端子７０と、接続用配線層２５ｃとしての第１配線層２６と、を電気的に接続する導電性接続部材８ｃである導電性ワイヤーは、多層基板２ｃにおける凹部４０ｃの開口部４１ｃが形成される多層基板２ｃの第１面１０１を含むＸＹ平面である面Ｆ１よりも、下方に位置している。これにより、導電性接続部材８ｃである導電性ワイヤーの破損を効果的に抑制することができる。

本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
接続用配線層２５ｃとしての第１配線層２６と、接続用端子７０と、を導電性接続部材８ｃである導電性ワイヤーを介して接続することにより、接続用配線層２５ｃとしての第１配線層２６と、接続用端子７０と、の電気的な接続の信頼性を高めることができる。そのため、高い信頼性を有する振動デバイス１ｃを提供することができる。

５．実施形態５
次に、実施形態５に係る振動デバイス１ｄについて、図１０及び図１１を参照して、説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態５は、多層基板２ｄの第１面１０１ｄに外部端子２８ｄが配置されることや、多層基板２ｄ及び振動子５ｄの上下が逆転して配置されること以外は、実施形態１と同様である。

図１０及び図１１に示すように、多層基板２ｄは、実施形態１に比べ、多層基板２ｄの上下が逆転している。つまり、多層基板２ｄの第１面１０１ｄは、多層基板２ｄの下面であり、多層基板２ｄの第２面１０２ｄは、多層基板２ｄの上面である。

多層基板２ｄは、第１面１０１ｄを含む第１絶縁層２１ｄと、第２面１０２ｄを含む第２絶縁層２２ｄと、第１絶縁層２１ｄと第２絶縁層２２ｄとの間に配置される第３絶縁層２３ｄと、を有する。第２絶縁層２２ｄと、第３絶縁層２３ｄと、第１絶縁層２１ｄと、は、この順で上方から下方に向かって積層される。

多層基板２ｄは、第１面１０１ｄに開口部４１ｄを有する有底の凹部４０ｄを有する。凹部４０ｄは、第１絶縁層２１ｄを貫通している。凹部４０ｄの底面４２ｄは、第１絶縁層２１ｄと積層方向に隣り合う第３絶縁層２３ｄにおける第１絶縁層２１ｄに対向する面である。

積層方向に隣り合う第１絶縁層２１ｄと、第３絶縁層２３ｄと、の間には、第１配線層２６が配置されているので、第３絶縁層２３ｄにおける第１絶縁層２１ｄに対向する面である凹部４０ｄの底面４２ｄには、第１配線層２６を配置することができる。そして、凹部４０ｄの底面４２ｄに配置される第１配線層２６は、接続用配線層２５ｄとして機能させることができる。つまり、凹部４０ｄの底面４２ｄには、接続用配線層２５ｄとしての第１配線層２６が配置される。

本実施形態では、多層基板２ｄの第１面１０１ｄに、外部と電気的な接続を行うための外部端子２８ｄが配置される。第１面１０１ｄを含む第１絶縁層２１ｄは、貫通電極２９を有する。外部端子２８ｄは、接続用配線層２５ｄとしての第１配線層２６と、貫通電極２９を介して電気的に接続される。

また、本実施形態では、振動子５ｄは、実施形態１に比べ、振動子５ｄの上下が逆転している。つまり、振動子５ｄにおける容器５１の下面は、リッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８であり、リッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８が、凹部４０ｄの開口部４１ｄ側に位置する容器５１の面５１２となる。そして、振動子５ｄにおける容器５１の上面は、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６であり、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５とは反対側に位置する面５６が、凹部４０ｄの底面４２ｄ側に位置する容器５１の面５１３となる。

また、本実施形態では、図１１に示すように、多層基板２ｄにおける凹部４０ｄの開口部４１ｄ側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８は、多層基板２ｄにおける凹部４０ｄの開口部４１ｄが形成される多層基板２ｄの第１面１０１ｄと面一である。

具体的には、多層基板２ｄにおける凹部４０ｄの開口部４１ｄ側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８と、多層基板２ｄにおける凹部４０ｄの開口部４１ｄが形成される多層基板２ｄの第１面１０１ｄと、は同一のＸＹ平面である面Ｆ２上に位置している。言い換えると、多層基板２ｄにおける凹部４０ｄの開口部４１ｄ側に位置する容器５１の面５１２と、多層基板２ｄの第１面１０１ｄと、はＺ方向の位置が同じである。

つまり、振動子５ｄは、多層基板２ｄの第１面１０１ｄに開口部４１ｄを有する凹部４０ｄから突出しないように、凹部４０内に配置される。

このように、本実施形態では、振動子５ｄは、多層基板２ｄの第１面１０１ｄよりも下方に突出しないため、振動子５ｄの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、上述したように、多層基板２ｄの下面である第１面１０１ｄに外部端子２８ｄが配置されている。このため、例えば、吸着コレットを用いて振動デバイス１ｄを外部基板に表面実装する場合、振動デバイス１ｄは、多層基板２ｄの上面である第２面１０２ｄを吸着コレットにより吸着、保持されることになる。このとき、多層基板２ｄの第２面１０２ｄには、凹部４０ｄは配置されていないため、吸着コレットによる振動デバイス１ｄの吸着、保持が安定し、振動デバイス１ｄを外部基板に容易に実装することができる。また、振動子５ｄは吸着コレットに干渉しないため、振動子５ｄの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。

本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
多層基板２ｄの第１面１０１ｄには、有底の凹部４０ｄにおける開口部４１ｄと、接続用配線層２５ｄとしての第１配線層２６と電気的に接続される外部端子２８ｄとが配置されている。このため、多層基板２ｄの第１面１０１ｄとは反対側に位置する第２面１０２ｄを保持することにより、振動デバイス１ｄを外部基板に容易に実装することができ、また、振動子５ｄの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。

６．実施形態６
次に、実施形態６に係る振動デバイス１ｅについて、図１２及び図１３を参照して、説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態６は、振動子５ｅが発振回路を含む集積回路８０を有し、振動子５ｅが発振器であること以外は、実施形態１と同様である。

図１２及び図１３に示すように、振動子５ｅは集積回路８０を有する。集積回路８０は、ベース５３におけるリッド５４に対向する面５５に配置される。集積回路８０は、図示しない複数のトランジスターなどの能動素子が図示しない配線により電気的に接続された回路である。本実施形態では、集積回路８０は、振動素子６を発振させてクロック信号等の基準信号の周波数を生成するための発振回路を含む。なお、集積回路８０は、発振回路以外に、例えば、振動素子６の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、発振回路からの出力信号を処理する処理回路、静電気保護回路などを含んでいても構わない。

集積回路８０の上面には、パッシベーション膜８１が形成される。さらに、パッシベーション膜８１の上面には、図示しない配線により集積回路８０と電気的に接続され、振動素子６を接合するための内部接続端子８２が形成されている。

振動素子６の接続電極６３と、内部接続端子８２と、は金属バンプ等の導電性部材６５を介して接合している。これにより、振動素子６はベース５３に機械的に接続されるとともに、振動素子６と、集積回路８０と、は内部接続端子８２、導電性部材６５、及び図示しない配線を介して電気的に接続される。

振動素子６と、集積回路８０と、が電気的に接続されることにより、集積回路８０から出力される発振信号により振動素子６を発振させることができる。

また、集積回路８０が有する図示しない配線と、接続用端子７０と、は貫通電極５９を介して電気的に接続されている。接続用端子７０と、集積回路８０と、が貫通電極５９及び図示しない配線を介して電気的に接続されることにより、接続用端子７０を介して、集積回路８０に接地電位などを供給することや、集積回路８０からクロック信号などを出力することができる。

このように、本実施形態では、振動子５ｅは発振回路を含む集積回路８０を有する発振器である。

また、本実施形態では、図１３に示すように、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１の面５１２であるリッド５４におけるベース５３に対向する面５７とは反対側に位置する面５８は、多層基板２における凹部４０の開口部４１が形成される多層基板２の第１面１０１と面一である。

本実施形態によれば、振動子５ｅが発振器である場合でも、実施形態１と同様に、振動子５ｅの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。

７．実施形態７
次に、実施形態７に係る振動デバイス１ｆについて、図１４及び図１５を参照して、説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態７は、振動子５ｆにおける容器５１ｆを構成する部材が水晶であること以外は、実施形態１と同様である。

図１４及び図１５に示すように、振動子５ｆは、収容空間５２ｆを備える容器５１ｆと、収容空間５２ｆに収容される振動素子６ｆと、容器５１ｆの外面に配置され、振動素子６ｆと電気的に接続される接続用端子７０ｆと、を有する。

容器５１ｆは、水晶基板である第１封止基板８５と、振動素子６ｆを囲む外枠部９０を有する水晶基板である振動基板８６と、水晶基板である第２封止基板８７と、を含む。

第１封止基板８５と、振動基板８６と、第２封止基板８７と、はＺ方向からの平面視で、外形が矩形状の平板である。

第１封止基板８５は、振動基板８６の上方であるＺ方向プラス側に位置し、第２封止基板８７は、振動基板８６の下方であるＺ方向マイナス側に位置する。つまり、第１封止基板８５と、振動基板８６と、第２封止基板８７と、は、この順で上方から下方に向かって積層される。

第１封止基板８５は、振動基板８６に対向する面８５１と、振動基板８６に対向する面８５１とは反対側に位置する面８５２と、を有する。振動基板８６に対向する面８５１は、第１封止基板８５の下面であり、振動基板８６に対向する面８５１とは反対側に位置する面８５２は、第１封止基板８５の上面である。本実施形態では、第１封止基板８５における振動基板８６に対向する面８５１とは反対側に位置する面８５２が、容器５１ｆの上面となる。

振動基板８６は、振動素子６ｆを囲む枠状の外枠部９０と、外枠部９０の内側に設けられる振動素子６ｆと、を有する。振動基板８６は、第１封止基板８５に対向する面８６１と、第１封止基板８５に対向する面８６１とは反対側に位置する面８６２と、を有する。第１封止基板８５に対向する面８６１とは反対側に位置する面８６２は、振動基板８６において第２封止基板８７に対向する面である。

振動素子６ｆは、振動片９１と、振動片９１と外枠部９０とを連結する連結部９２と、振動片９１を振動させる励振電極６２ｆと、振動素子６ｆを配線７１ｆに電気的に接続し、振動信号を外部に出力するための接続電極６３ｆと、励振電極６２ｆと接続電極６３ｆとを電気的に接続するリード電極６４ｆと、を有する。

振動片９１は、外枠部９０よりもＺ方向の厚さが薄く、振動片９１の上面は、振動基板８６における第１封止基板８５に対向する面８６１よりもＺ方向マイナス側に位置し、振動片９１の下面は、振動基板８６における第１封止基板８５に対向する面８６１とは反対側に位置する面８６２よりもＺ方向プラス側に位置する。これにより、第１封止基板８５と、振動基板８６と、第２封止基板８７と、が積層されたとき、振動片９１と、第１封止基板８５及び第２封止基板８７と、の接触を抑制することができる。

第２封止基板８７は、振動基板８６に対向する面８７１と、振動基板８６に対向する面８７１とは反対側に位置する面８７２と、を有する。振動基板８６に対向する面８７１は、第２封止基板８７の上面であり、振動基板８６に対向する面８７１とは反対側に位置する面８７２は、第２封止基板８７の下面である。本実施形態では、第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１とは反対側に位置する面８７２が、容器５１ｆの下面となる。

第１封止基板８５における振動基板８６に対向する面８５１と、振動基板８６の外枠部９０における第１封止基板８５に対向する面８６１と、は接合部材５２１を介して接合される。振動基板８６の外枠部９０における第１封止基板８５に対向する面８６１とは反対側に位置する面８６２と、第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１と、は接合部材５２２を介して接合される。つまり、第１封止基板８５と、第２封止基板８７と、は接合部材５２１と、接合部材５２２と、振動基板８６の外枠部９０と、を介して接合される。

このように、第１封止基板８５と、第２封止基板８７と、が振動基板８６の外枠部９０を介して接合されることにより、振動素子６ｆを収容する収容空間５２ｆが形成される。

また、第２封止基板８７は、第２封止基板８７の厚さ方向であるＺ方向に貫通する貫通孔５３１ｆを有する。貫通孔５３１ｆ内には、貫通電極５９ｆが埋設される。

第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１とは反対側に位置する面８７２には、接続用端子７０ｆが配置される。言い換えると、接続用端子７０ｆは、容器５１の外面に配置されており、具体的には、第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１とは反対側に位置する面８７２である容器５１ｆの下面に配置されている。

第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１には、配線７１ｆが配置される。接続用端子７０ｆと、配線７１ｆと、は貫通電極５９ｆにより電気的に接続される。

また、第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１に配置される配線７１ｆと、振動素子６ｆの接続電極６３ｆと、は金属バンプ等の導電性部材６５ｆを介して接合される。振動素子６ｆの接続電極６３ｆと、第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１に配置される配線７１ｆと、が導電性部材６５ｆを介して電気的に接続されることにより、導電性部材６５ｆと、配線７１ｆと、貫通電極５９ｆと、を介して、第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１とは反対側に位置する面８７２に配置される接続用端子７０ｆと、振動素子６ｆと、が電気的に接続される。

本実施形態では、多層基板２の上面である第１面１０１に開口部４１を有する有底の凹部４０内に、振動子５ｆが配置される。

振動子５ｆにおける容器５１ｆの上面である第１封止基板８５における振動基板８６に対向する面８５１とは反対側に位置する面８５２は、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１ｆの面５１２ｆとなる。振動子５ｆにおける容器５１ｆの下面である第２封止基板８７における振動基板８６に対向する面８７１とは反対側に位置する面８７２は、多層基板２における凹部４０の底面４２側に位置する容器５１ｆの面５１３ｆとなる。

本実施形態では、図１５に示すように、多層基板２における凹部４０の開口部４１側に位置する容器５１ｆの面５１２ｆである第１封止基板８５における振動基板８６に対向する面８５１とは反対側に位置する面８５２は、多層基板２における凹部４０の開口部４１が形成される多層基板２の第１面１０１と面一である。

本実施形態によれば、振動子５ｆが水晶基板で構成される場合でも、実施形態１と同様に、振動子５ｆの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。

なお、本実施形態では、振動基板８６は、ＡＴカット水晶基板であるが、振動基板８６は、ＡＴカット水晶基板に限定されず、ＳＣカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、Ｚカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板などを用いても構わない。

また、本実施形態では、第１封止基板８５及び第２封止基板８７は、ＡＴカット水晶基板である。ただし、第１封止基板８５及び第２封止基板８７は、ＡＴカット水晶基板に限定されず、第１封止基板８５及び第２封止基板８７の少なくとも一方が振動基板８６と異なるカット角の水晶基板から形成されていても構わない。あるいは、第１封止基板８５及び第２封止基板８７は、カット角は振動基板８６と同じであるが結晶軸の方向が振動基板８６と異なる方向を向いていても構わない。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ…振動デバイス、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ…多層基板、５，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ…振動子、６，６ｆ…振動素子、８，８ｃ…導電性接続部材、２１，２１ｄ…第１絶縁層、２２，２２ｄ…第２絶縁層、２３，２３ｄ…第３絶縁層、２５，２５ａ，２５ｃ，２５ｄ…接続用配線層、２６…第１配線層、２７…第２配線層、２８，２８ｄ…外部端子、４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ…凹部、４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ…開口部、４２，４２ａ，４２ｃ，４２ｄ…底面、５１，５１ｆ…容器、５２，５２ｆ…収容空間、７０，７０ｆ…接続用端子、１０１，１０１ｄ…第１面、１０２，１０２ｄ…第２面、５１２，５１２ｆ…面、５１３，５１３ｆ…面、Ｆ１…面、Ｆ２…面。

Claims (11)

1. 第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、前記第１面を含む第１絶縁層と、前記第２面を含む第２絶縁層と、前記第１面に開口部を有し、少なくとも前記第１絶縁層を貫通する有底の凹部と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置される接続用配線層と、を有する多層基板と、
   収容空間を備える容器と、前記収容空間に収容される振動素子と、前記容器の外面に配置され、前記振動素子と電気的に接続される接続用端子と、を有し、前記凹部内に配置される振動子と、
   前記接続用配線層と、前記接続用端子と、を電気的に接続する導電性接続部材と、
   を有する振動デバイス。
2. 前記凹部の前記開口部側に位置する前記容器の面は、前記多層基板の前記第１面と面一又は前記多層基板の前記第１面よりも前記多層基板の前記第２面側に位置している、
   請求項１に記載の振動デバイス。
3. 前記凹部の前記開口部は、前記多層基板の前記第１面で囲まれている、
   請求項１又は請求項２に記載の振動デバイス。
4. 前記多層基板は、矩形状であり、
   前記凹部は、前記多層基板の互いに対向する一方の側面から他方の側面まで溝状に延設されている、
   請求項１又は請求項２に記載の振動デバイス。
5. 前記多層基板の前記第２面には、前記接続用配線層と電気的に接続される外部端子が配置されている、
   請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動デバイス。
6. 前記多層基板の前記第１面には、前記接続用配線層と電気的に接続される外部端子が配置されている、
   請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動デバイス。
7. 前記接続用配線層は、前記凹部の底面に配置されており、
   前記接続用端子は、前記凹部の前記底面に対向する前記容器の面に配置されており、
   前記接続用配線層と、前記接続用端子と、は前記導電性接続部材を介して接合されている、
   請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の振動デバイス。
8. 前記導電性接続部材は、導電性ワイヤーである、
   請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の振動デバイス。
9. 前記容器は、半導体基板であるベースと、半導体基板であるリッドと、を含み、
   前記ベースと、前記リッドと、が接合することにより前記収容空間が形成される、
   請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の振動デバイス。
10. 前記容器は、水晶基板である第１封止基板と、前記振動素子を囲む外枠部を有する水晶基板である振動基板と、水晶基板である第２封止基板と、を含み、
    前記第１封止基板と、前記第２封止基板と、が前記振動基板の前記外枠部を介して接合することにより前記収容空間が形成される、
    請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の振動デバイス。
11. 前記多層基板は、樹脂基板である、
    請求項９又は請求項１０に記載の振動デバイス。

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