JP2022160757A - ガラスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】酸化を抑制することができ、生産性を高めることができる、ガラスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のガラスの製造方法は、容器1内に配置された原料6を融液11とする工程と、融液11を均質にする工程と、融液11からガスを脱気する工程とを備え、原料6を融液11とする工程、及び融液11を均質にする工程のうち少なくとも一方を、不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行い、融液11からガスを脱気する工程においては、融液11の温度を、融液11を均質にする工程における温度よりも低温とすることにより、不活性ガスまたは還元ガスを脱気する。【選択図】図2
Description
本発明は、ガラスの製造方法に関する。
近年、赤外線光学分野において好適に用いられる材料としては、カルコゲナイドガラスが知られている。カルコゲナイドガラスは、赤外線の透過性を有するだけでなく、モールドプレス成形が可能な点により、量産性や低コスト化の観点において優れている。
レンズ等の光学部材を製造する際には、例えば、溶融ガラスを急冷鋳造して、一旦ガラスインゴットを作製し、研削、研磨、洗浄してプリフォームガラスを作製する。続いて、プリフォームガラスのモールドプレス成形等を行うことにより、レンズ等の光学部材を作製する。
下記の特許文献1には、ガラス物品の製造方法の例が開示されている。この製造方法においては、真空封緘したアンプル内において、ガラスの原料を溶融することにより、ガラスを得る。
カルコゲナイドガラス等のガラスを形成する際には、酸化を抑制する必要がある。特許文献1に記載の方法では、酸化を抑制し得る一方で、ガラスを取り出す際にアンプルを破壊する必要がある。そのため、生産性を十分に高めることは困難である。
本発明の目的は、酸化を抑制することができ、生産性を高めることができる、ガラスの製造方法を提供することにある。
本発明に係るガラスの製造方法は、容器内に配置された原料を融液とする工程と、融液を均質にする工程と、融液からガスを脱気する工程とを備え、原料を融液とする工程、及び融液を均質にする工程のうち少なくとも一方を、不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行い、融液からガスを脱気する工程においては、融液の温度を、融液を均質にする工程における温度よりも低温とすることにより、不活性ガスまたは還元ガスを脱気することを特徴とする。
融液からガスを脱気する工程において、容器内を減圧することが好ましい。
原料を融液とする工程、及び融液を均質にする工程の双方を不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行うことが好ましい。
融液からガスを脱気する工程の後に、融液を加熱し、融液を容器の外に流出させる工程をさらに備えることが好ましい。
原料を融液とする工程、及び融液を均質にする工程のうち少なくとも一方を、不活性ガス及び還元ガスのうち一方の雰囲気下において行い、融液を容器の外に流出させる工程において、容器内を不活性ガス及び還元ガスのうち他方の雰囲気下において行うことが好ましい。
ガラスがカルコゲナイドガラスであることが好ましい。
本発明によれば、酸化を抑制することができ、生産性を高めることができる、ガラスの製造方法を提供することができる。
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
(ガラスの製造方法)
本実施形態の特徴は、原料を融解させた融液から、不活性ガスまたは還元ガスを脱気する工程にある。以下において、各図を参照し、本実施形態の製造方法を説明する。
本実施形態の特徴は、原料を融解させた融液から、不活性ガスまたは還元ガスを脱気する工程にある。以下において、各図を参照し、本実施形態の製造方法を説明する。
図1(a)~図1(c)は、本発明の一実施形態に係るガラスの製造方法における、原料を融液とする工程を説明するための模式的断面図である。図2(a)及び図2(b)は、本発明の一実施形態に係るガラスの製造方法における、融液を均質にする工程以降を説明するための模式的断面図である。図3は、本発明の一実施形態に係るガラスの製造方法における温度プロファイルを示す図である。なお便宜上、図面の一部において、コイル10Aまたはコイル10Bを省略している。図3の温度プロファイルは一例であって、これに限定されるものではない。
本実施形態の製造方法は、本発明の一例としての、カルコゲナイドガラスを製造する方法である。もっとも、本発明の方法は、カルコゲナイドガラス以外のガラスの製造にも適用することができる。
図1(a)に示すように、本実施形態においては、容器1としてのるつぼを用いる。容器1は底部2及び側壁部3を有する。容器1は石英ガラスからなることが好ましい。これにより、以下の工程において、好適にガラスを形成することができる。
容器1の底部2には配管4が接続されている。配管4を囲むように、外套管5が配置されている。配管4は外套管5内を通っている。本実施形態においては、配管4は石英ガラスからなる。また、外套管5はPtからなる。もっとも、外套管5は適宜の金属からなっていればよい。
図1(a)に示すように、容器1内にガラスの原料6を配置する。本実施形態では、原料6は、カルコゲナイドガラスを構成する成分を含む混合物である。本実施形態においては、原料6が金属を含んでいればよい。なお、本発明において、「金属」は金属元素、半金属元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素等を含む。原料6の詳細は後述する。なお、あらかじめ少量の原料6を溶かして少量の融液とし、少量の融液を配管4内に流出させることが好ましい。少量の融液は、配管4内にて冷却され、固化物(固体のガラス)となる。これにより、栓12を形成することができる。栓12の形成により、容器1の底部2に配管4が接続されていても、原料6を安定して配置することができる。
次に、図1(b)に示すように、容器1の側壁部3上に蓋7を配置する。蓋7にはガス供給管8及びガス排出管9が接続されている。ガス排出管9から容器1内の気体を排出し、減圧する。次に、ガス供給管8から不活性ガスまたは還元ガスを容器1内に供給する。これを繰り返すことにより、容器1内を不活性ガス雰囲気または還元ガス雰囲気とする。
不活性ガスとしては、例えば、窒素、ヘリウムまたはアルゴン等を用いることができる。還元ガスとしては、例えば、水素、一酸化炭素、炭化水素ガス等を用いることができる。
カルコゲナイドガラスを形成する場合には、加熱された原料6、または後述する融液が酸素や水分と反応することを防ぐ必要がある。本実施形態においては、容器1内の空気を不活性ガスまたは還元ガスに置換するため、容器1内から酸素や水分が除去される。よって、真空状態に保たれた、密閉された容器を用いずとも、カルコゲナイドガラスを好適に形成することができる。本実施形態においては、後述するように、融液を配管4から容器1の外に流出させた後にガラスを形成するため、形成されたガラスを取り出すために容器1を破壊する必要はなく、容器1を再利用することができる。
ところで、図1(c)に示すように、容器1の側壁部3の少なくとも一部を囲むように、コイル10Aが配置されている。具体的には、容器1における原料6が配置される部分を囲むように、コイル10Aが配置されている。コイル10Aに電流を流すことにより、原料6を誘導加熱する。具体的には、コイル10Aに電流を流すことにより生じた誘導磁場により、誘導電流が生じる。原料6は金属を含み、金属は内部抵抗を有する。そのため、誘導電流が金属に流れることにより、原料6に含まれる金属が熱源となって、原料6全体が加熱される。この誘導加熱により、原料6を、図2(a)に示すように融液11とする。融液11は後述する温度a℃で加熱されることにより反応が進む。これにより、融液11を均質にすることができる。
また、コイル10Aに電流を流すことによって誘導磁場及び誘導電流が生じることにより、融液11にローレンツ力が加わる。このローレンツ力により融液11が撹拌されることによっても、融液11を均質にすることができる。このように、本実施形態においては、スターラ等のような、融液11に直接的に部材を接触させて撹拌する手段を用いずして、融液11を均質にすることができる。もっとも、融液11を効率よく均質にするためスターラ等を用いて撹拌してもよい。
上述したように、融液11の一部は、上記配管4内に流出する。配管4内の融液11は冷却され、固化物(固体のガラス)となる。これにより、栓12が形成される。よって、栓12を形成する分の少量の融液11は配管4内に流出するが、他の融液11の流出は栓12により止められる。もっとも、栓12の代わりに、蓋やプランジャ等を用いてもよい。
図3の両矢印Aに示すように、本実施形態では、融液11を均質にする工程は、a℃において行う。例えば、a=600℃~1000℃である。融液11を均質にする工程の後、融液11から不活性ガスまたは還元ガスを脱気する。より詳細には、融液11を均質にする工程の後に、融液11を冷却して、a℃よりも低温(b℃)とすることにより、ガスの脱気を行う。例えば、図3の両矢印Bに示すように、b=300℃~700℃未満において上記脱気を行う。
次に、融液11を加熱して、成形に適した温度(c℃)とする。例えば、c=400℃~700℃未満である。その後、容器1内を不活性ガス雰囲気または還元ガス雰囲気とし、融液11を容器1から流出させる。
ここで、図2(b)に示すように、上記外套管5の周囲にはコイル10Bが配置されている。コイル10Bに電流を流すことにより、外套管5が誘導加熱される。外套管5からの輻射熱により、配管4及び配管4内の栓12が加熱される。なお、栓12は固体のガラスであり、単体の金属及び合金を含まないため、誘導加熱されない。上記の輻射熱による加熱により栓12が融解し、融液11が容器1から流出する。
なお、図1(a)~図1(c)並びに図2(a)及び図2(b)に示した方法、並びに図3に示した温度は一例であって、原料6を融液11とする工程、融液11を均質にする工程、及び融液11を容器1の外に流出させる工程における方法、並びに各工程の温度は、上記に限定されるものではない。
流出させた融液11を、例えば、適宜の成形型に流入させる。次に、成形型内において融液11を冷却させることによって、ガラスを形成する。このガラスを研削、研磨、洗浄することにより、プリフォームガラスを作製することができる。また、プリフォームガラスに対しモールドプレス成形等を行うことにより、レンズ等の光学部材を作製することができる。なお、プリフォームガラスを作製せず、上記ガラスからレンズ等の光学部材を直接作製してもよい。
本実施形態の特徴は、不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において原料6を融解させ、融液11を均質にした後、融液11からガスを脱気する工程において、融液11を均質にする工程における温度よりも低温とすることにより不活性ガスまたは還元ガスを脱気することにある。原料6を融液11とする工程、及び融液11を均質にする工程を不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行うため、酸化を抑制することができる。さらに、低温下において脱気を行うため、脱気をより確実に行うことができる。より詳細には、気体の溶解度は、低温となるほど高くなることが多い。他方、不活性ガス及び還元ガスの融液11に対する溶解度は、低温となるほど低くなる。よって、本実施形態においては、融液11からの脱気をより確実に行うことができ、ガラスを形成する際に、融液11において発泡することを抑制できる。従って、形成したガラスが気泡を含むことをより確実に抑制することができ、ガラスの生産性を高めることができる。
なお、原料6を融液11とする工程、及び融液11を均質にする工程のうち少なくとも一方を不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行えばよい。もっとも、原料6を融液11とする工程、及び融液11を均質にする工程の双方を不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行うことが好ましい。それによって、酸化をより確実に抑制することができる。
融液11からガスを脱気する工程においては、本実施形態のように、容器1内を減圧することが好ましい。それによって、効果的に脱気することができる。もっとも、脱気に際し、必ずしも減圧しなくともよい。
本実施形態においては、融液11からガスを脱気する工程の後に融液11を加熱し、融液11を容器1の外に流出させる。このように、融液11からガスを脱気する工程における融液11の温度を、融液11を容器1の外に流出させる工程における融液11の温度よりも低温とすることが好ましい。それによって、脱気をより一層確実に行うことができる。
原料6を融液11とする工程、及び融液11を均質にする工程のうち少なくとも一方を不活性ガス及び還元ガスのうち一方の雰囲気下において行い、融液11を容器1の外に流出させる工程を不活性ガス及び還元ガスのうち他方の雰囲気下において行うことが好ましい。具体的には、例えば、融液11を均質にする工程を不活性ガス雰囲気下において行った場合は、融液11を容器1の外に流出させる工程を還元ガス雰囲気下において行うことが好ましい。あるいは、例えば、融液11を均質にする工程を還元ガス雰囲気下において行った場合は、融液11を容器1の外に流出させる工程を不活性ガス雰囲気下において行うことが好ましい。このようにすれば、融液11中のガスの量を低減しやすくなる。
融液11を均質にする工程の温度(a℃)は、600℃~1000℃、700℃~1000℃、750℃~1000℃、特に800℃~950℃であることが好ましい。融液11を均質にする工程の温度が低すぎると、融液11の粘度が高くなり、融液11を均質にしづらくなる。また、生産性が低下しやすくなる。融液11を均質にする工程の温度が高すぎると、容器1が劣化しやすくなる。また、原料6が揮発しやすくなる。
ガスを脱気する工程の温度(b℃)は、300℃~700℃未満、300℃~600℃未満、特に300℃~500℃未満であることが好ましい。ガスを脱気する工程の温度が低すぎると、融液11の粘度が高くなり、かえって脱気されづらくなる。また、融液11が失透しやすくなる。ガスを脱気する工程の温度が高すぎると、脱気が不十分になりやすくなる。
成形に適した温度(c℃)は、所望の成形手段に適した粘度となるよう適宜調節されるが、例えば、400℃~700℃未満、450℃~650℃、特に500℃~650℃であることが好ましい。
ガスを脱気する工程の温度(b℃)は、成形に適した温度(c℃)よりも低いことが好ましい。これにより、不活性ガスまたは還元ガスの脱気を十分に行いやすくなる。
本実施形態の原料6は、以下の組成のガラスとなるように、含有する材料の比が調整されている。ガラスの組成の説明において、「%」は「モル%」を意味する。なお、例えば、A、B及びCの含有量の合計を「A+B+Cの含有量」または「A+B+C」と記載することがある。
本実施形態の方法により形成されるガラスは、ガラス組成として、モル比で、Ge 0%超~50%、Ga 0%超~50%、Te 30%~90%、Ag+Al+Ti+Cu+In+Sn+Bi+Cr+Zn+Mn 0%超~40%、及びF+Cl+Br+I 0%~50%を含有する。
Geはガラス骨格を形成するための成分である。また、Geは半金属元素である。Geの含有量は、0%超~50%であり、2%~40%であることが好ましく、4%~35%であることがより好ましく、5%~30%であることがさらに好ましく、7%~25%であることがより一層好ましく、10%~20%であることがさらにより一層好ましい。Geの含有量が少なすぎると、ガラス化し難くなる。一方、Geの含有量が多すぎると、Ge系結晶が析出し易くなると共に、原料コストが高くなる傾向がある。
Gaはガラスの熱的安定性(ガラス化の安定性)を高めるための成分である。また、Gaは金属元素である。Gaの含有量は、0%超~50%であり、1%~45%であることが好ましく、2%~40%であることがより好ましく、4%~30%であることがさらに好ましく、5%~25%であることがより一層好ましく、10%~20%であることがさらにより一層好ましい。Gaの含有量が少なすぎると、ガラス化し難くなる。一方、Gaの含有量が多すぎると、Ga系結晶が析出し易くなると共に、原料コストが高くなる傾向がある。
カルコゲン元素であるTeはガラス骨格を必須形成する成分である。また、Teは半金属元素である。Teの含有量は、30%~90%であり、40%~89%であることが好ましく、50%~88%であることがより好ましく、60%~86%であることがさらに好ましく、70%~85%であることがより一層好ましい。Teの含有量が少なすぎると、ガラス化し難くなる。一方、Teの含有量が多すぎるとTe系結晶が析出し易くなる。
Ag+Al+Ti+Cu+In+Sn+Bi+Cr+Zn+Mnは、金属元素である。ガラスが上記金属元素を含むことにより、熱的安定性を高めることができる。Ag+Al+Ti+Cu+In+Sn+Bi+Cr+Zn+Mnの含有量は、0%~40%であり、0%超~30%であることが好ましく、0%超~20%であることがより好ましく、0.1%~10%であることがさらに好ましい。Ag+Al+Ti+Cu+In+Sn+Bi+Cr+Zn+Mnの含有量が少なすぎると、あるいは多すぎると、ガラス化し難くなる。なお、Ag、Al、Ti、Cu、In、Sn、Bi、Cr、Zn及びMnの各成分の含有量は、各々0%~40%であり、0%~30%(少なくとも1種は0%超)であることが好ましく、0%~20%(少なくとも1種は0%超)であることがより好ましく、0.1%~10%であることがさらに好ましい。中でも、ガラスの熱的安定性を高める効果が特に大きいという点で、Ag及び/又はSnを使用することが好ましい。
本実施形態において形成するガラスには、上記成分以外にも、例えば下記の成分を含有させることができる。
F、Cl、Br、Iもガラスの熱的安定性を高める成分である。F+Cl+Br+Iの含有量は0%~50%であり、1%~40%であることが好ましく、1%~30%であることがより好ましく、1%~25%であることがさらに好ましく、1%~20%であることが特に好ましい。F+Cl+Br+Iの含有量が多すぎると、ガラス化し難くなると共に、耐候性が低下し易くなる。なお、F、Cl、Br、Iの各成分の含有量は、各々0%~50%であり、1%~40%であることが好ましく、1%~30%であることがより好ましく、1%~25%であることがさらに好ましく、1%~20%であることが特に好ましい。中でも、元素原料を使用可能であり、ガラス安定性を高める効果が特に大きいという点で、Iを使用することが好ましい。
Si、Sb、Csを含むことにより、熱的安定性を高めることができる。ここで、Si及びSbは半金属である。Si+Sb+Csは、0%~40%であることが好ましく、0%~30%であることがより好ましく、0%~20%であることがさらに好ましく、0.1%~10%であることがより一層好ましい。なお、Si、Sb、Csの各成分の含有量は、各々0%~40%であり、0%~30%であることが好ましく、0%~20%であることがより好ましく、0.1%~10%であることが特に好ましい。
Sはガラス化範囲を広げ、ガラスの熱的安定性を高めやすい成分である。その含有量は0%~30%であることが好ましく、0%~20%であることがより好ましく、0%~10%であることがさらに好ましく、0%~3%であることが特に好ましい。Sの含有量が多すぎると、波長10μm以上の赤外線の透過性が低下しやすくなる。
Se、Asはガラス化範囲を広げ、ガラスの熱的安定性を高める成分である。その含有量はそれぞれ0%~10%であることが好ましく、0%~5%であることがより好ましく、0.5%~5%であることが特に好ましい。ただし、これらの物質は毒性を有するため、上記のように、環境や人体への影響を低減する観点からは実質的に含有しないことが好ましい。
なお、上記ガラスは、有毒物質であるCd、Tl及びPbを実質的に含有しないことが好ましい。ここで、「実質的に含有しない」とは、含有量が0.1%以下であることをいう。
原料6に占める金属の割合は、体積%で80%以上、85%以上、特に90%以上であることが好ましい。このようにすれば、誘導加熱により原料6を容易に融解させることができる。よって、輻射による加熱よりも、昇温または降温を容易に高速に行うことができ、生産性を高めることができる。上限は特に限定されないが、例えば100%以下、99%以下、特に98%以下とすることができる。
1…容器
2…底部
3…側壁部
4…配管
5…外套管
6…原料
7…蓋
8…ガス供給管
9…ガス排出管
10A…コイル
10B…コイル
11…融液
12…栓
2…底部
3…側壁部
4…配管
5…外套管
6…原料
7…蓋
8…ガス供給管
9…ガス排出管
10A…コイル
10B…コイル
11…融液
12…栓
Claims (6)
- 容器内に配置された原料を融液とする工程と、
前記融液を均質にする工程と、
前記融液からガスを脱気する工程と、
を備え、
前記原料を前記融液とする工程、及び前記融液を均質にする工程のうち少なくとも一方を、不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行い、
前記融液からガスを脱気する工程においては、前記融液の温度を、前記融液を均質にする工程における温度よりも低温とすることにより、不活性ガスまたは還元ガスを脱気する、ガラスの製造方法。 - 前記融液からガスを脱気する工程において、前記容器内を減圧する、請求項1に記載のガラスの製造方法。
- 前記原料を前記融液とする工程、及び前記融液を均質にする工程の双方を不活性ガスまたは還元ガス雰囲気下において行う、請求項1または2に記載のガラスの製造方法。
- 前記融液からガスを脱気する工程の後に、前記融液を加熱し、前記融液を前記容器の外に流出させる工程をさらに備える、請求項1~3のいずれか一項に記載のガラスの製造方法。
- 前記原料を前記融液とする工程、及び前記融液を均質にする工程のうち少なくとも一方を、不活性ガス及び還元ガスのうち一方の雰囲気下において行い、
前記融液を前記容器の外に流出させる工程において、前記容器内を不活性ガス及び還元ガスのうち他方の雰囲気下において行う、請求項4に記載のガラスの製造方法。 - 前記ガラスがカルコゲナイドガラスである、請求項1~5のいずれか一項に記載のガラスの製造方法。
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