JP2022159349A - 成膜用粉末、及び皮膜の形成方法 - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 133
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 112
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 36
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 31
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- -1 rare earth ammonium fluoride Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 28
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 17
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N [Y].FOF Chemical group [Y].FOF CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- LUWNYZHXYFUTLJ-UHFFFAOYSA-N azane;yttrium;hydrofluoride Chemical compound N.F.[Y] LUWNYZHXYFUTLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004438 BET method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 11
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 8
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 8
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 7
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-phenyl-1,3-thiazole-5-sulfonyl chloride Chemical compound S1C(S(Cl)(=O)=O)=C(C)N=C1C1=CC=CC=C1 NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDEXNIXEXFVCCO-UHFFFAOYSA-N [NH4+].[Cl-].[Y] Chemical compound [NH4+].[Cl-].[Y] YDEXNIXEXFVCCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- GSWAOPJLTADLTN-UHFFFAOYSA-N oxidanimine Chemical compound [O-][NH3+] GSWAOPJLTADLTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical group F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
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Abstract
【解決手段】希土類酸フッ化物を含有し、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１５μｍ以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１．５ｃｍ3／ｇ以下であり、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下である成膜用粉末。【効果】本発明の製造方法によれば、より大きな細孔容積を有する成膜用粉末を製造することができ、本発明の成膜用粉末を用い、エアロゾルデポジションにより、基材上に皮膜を形成すると、緻密で、ハロゲン系プラズマや酸素系プラズマなどへの耐食性が高い、半導体製造装置の内部に保護コーティングとして好適な皮膜を、高い歩留り（付着率）で形成でき、保護コーティング用などの皮膜を、高い生産性で形成することができる。【選択図】図５
Description
本発明は、半導体製造装置などの内部に保護コーティングとして設けられる皮膜の形成に好適に使用される成膜用粉末及びその製造方法、特に、エアロゾルデポジションによる皮膜の形成に好適な成膜用粉末及びその製造方法に関する。また、本発明は、成膜用粉末を用いてエアロゾルデポジションにより皮膜を形成する方法に関する。
半導体のドライエッチング装置の内部は、反応性が高いハロゲン系プラズマや酸素系プラズマに晒されるため、プラズマ耐性がない材質（例えば、石英ガラス、アルミナ、アルマイトなど）の部材をそのまま使用すると、表面腐食が進み、これに伴い発生したパーティクルにより、半導体の微細回路に欠陥が生じてしまう。そのため、半導体製造装置のプラズマに晒される面には、プラズマへの耐食性を与え、装置部材を保護する保護コーティングが形成される。
このような保護コーティングとして、各種プラズマに広く耐食性を示す酸フッ化イットリウムの皮膜が提案されており、例えば、特開２０１７－１５００８３号公報（特許文献１）には、一定範囲の細孔容積を有する酸フッ化イットリウム粉末を使用することにより、緻密で、耐食性に優れた保護コーティングを形成できることが示されている。保護コーティングの形成は、特開２０１７－１５００８３号公報（特許文献１）記載の方法では、溶射法、ＰＶＤ法、エアロゾルデポジション法などが挙げられているが、エアロゾルデポジション法を用いた場合に、最もパーティクルが少なく表面が滑らかな保護コーティングが得られている。また、大韓民国公開特許公報第２０１１－０１１８９３９号（特許文献２）には、エアロゾルデポジション法を用いて、酸フッ化イットリウムの皮膜を形成すると、溶射法よりも緻密な皮膜を形成できることが示されている。
上述したように、従来の酸フッ化イットリウム粉末を用いたエアロゾルデポジションにより、耐食性の高い緻密な皮膜が得られることが知られているが、従来の酸フッ化イットリウム粉末を用いたエアロゾルデポジションでは、成膜時の歩留り（付着率）が低いため、生産性が低いことが問題であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、エアロゾルデポジションによる皮膜の形成に好適である成膜用粉末、特に、エアロゾルデポジションにより、緻密な皮膜を、高い歩留り（付着率）で形成できる成膜用粉末、その製造方法を提供すること、また、この成膜用粉末を用い、エアロゾルデポジションにより、基材上に皮膜を形成する方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために、酸フッ化イットリウムなどの希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末について鋭意検討を重ねた結果、より大きな細孔容積を有する粉末を用いて、エアロゾルデポジションで、基材上に皮膜を形成した場合に、緻密な皮膜が高い歩留り（付着率）で得られることを知見し、このような大きな細孔容積を有する粉末を、希土類酸化物粒子の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩を形成して前駆体粒子を調製し、前駆体粒子を３５０℃以上７００℃以下の温度で熱処理することにより製造できることを見出した。
そして、このような製造方法により、例えば、希土類酸フッ化物を含有し、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１５μｍ以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１．５ｃｍ3／ｇ以下であり、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下である成膜用粉末を好適に製造することができ、このような成膜用粉末が、エアロゾルデポジションによる皮膜の成膜において、高い耐食性に寄与する緻密な皮膜を、高い歩留り（付着率）で形成できるものであることを見出し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記の成膜用粉末、皮膜の形成方法、及び成膜用粉末の製造方法を提供する。
１．希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末であって、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１５μｍ以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１．５ｃｍ3／ｇ以下であり、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下であることを特徴とする成膜用粉末。
２．粒径が０．３μｍ以下の粒子の含有率が０．５体積％以下であることを特徴とする１記載の成膜用粉末。
３．アスペクト比が１．２以上３以下であることを特徴とする１又は２記載の成膜用粉末。
４．下記式（１）
（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０ （１）
（式中、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、各々、体積基準の粒子径分布における累積１０％径、５０％径及び９０％径である。）
により求められる分散指数（ｂ８０）が１．６以下であることを特徴とする１乃至３のいずれかに記載の成膜用粉末。
５．上記希土類酸フッ化物が酸フッ化イットリウムであることを特徴とする１乃至４のいずれかに記載の成膜用粉末。
６．１乃至５のいずれかに記載の成膜用粉末を用い、基材上に、エアロゾルデポジションにより、皮膜を形成する工程を含むことを特徴とする皮膜の形成方法。
７．希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末を製造する方法であって、
希土類酸化物粒子の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩を形成して前駆体粒子を調製する工程と、
上記前駆体粒子を、３５０℃以上７００℃以下の温度で熱処理する工程と
を含むことを特徴とする成膜用粉末の製造方法。
８．上記希土類酸フッ化物、希土類酸化物及び希土類アンモニウムフッ化物複塩が、各々、酸フッ化イットリウム、酸化イットリウム及びフッ化イットリウムアンモニウムであることを特徴とする７記載の製造方法。
１．希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末であって、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１５μｍ以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１．５ｃｍ3／ｇ以下であり、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下であることを特徴とする成膜用粉末。
２．粒径が０．３μｍ以下の粒子の含有率が０．５体積％以下であることを特徴とする１記載の成膜用粉末。
３．アスペクト比が１．２以上３以下であることを特徴とする１又は２記載の成膜用粉末。
４．下記式（１）
（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０ （１）
（式中、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、各々、体積基準の粒子径分布における累積１０％径、５０％径及び９０％径である。）
により求められる分散指数（ｂ８０）が１．６以下であることを特徴とする１乃至３のいずれかに記載の成膜用粉末。
５．上記希土類酸フッ化物が酸フッ化イットリウムであることを特徴とする１乃至４のいずれかに記載の成膜用粉末。
６．１乃至５のいずれかに記載の成膜用粉末を用い、基材上に、エアロゾルデポジションにより、皮膜を形成する工程を含むことを特徴とする皮膜の形成方法。
７．希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末を製造する方法であって、
希土類酸化物粒子の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩を形成して前駆体粒子を調製する工程と、
上記前駆体粒子を、３５０℃以上７００℃以下の温度で熱処理する工程と
を含むことを特徴とする成膜用粉末の製造方法。
８．上記希土類酸フッ化物、希土類酸化物及び希土類アンモニウムフッ化物複塩が、各々、酸フッ化イットリウム、酸化イットリウム及びフッ化イットリウムアンモニウムであることを特徴とする７記載の製造方法。
本発明の製造方法によれば、より大きな細孔容積を有する成膜用粉末を製造することができ、本発明の成膜用粉末を用い、エアロゾルデポジションにより、基材上に皮膜を形成すると、緻密で、ハロゲン系プラズマや酸素系プラズマなどへの耐食性が高い、半導体製造装置の内部に保護コーティングとして好適な皮膜を、高い歩留り（付着率）で形成でき、保護コーティング用などの皮膜を、高い生産性で形成することができる。
以下、本発明について、更に詳細に説明する。
本発明の成膜用粉末は、希土類酸フッ化物を含有する。希土類酸フッ化物は、組成式ＲＥＯxＦ(3-2x)（式中、ＲＥは希土類元素を示す（以下同じ）。ｘは０＜ｘ≦１を満たす正数である。）で示される、希土類元素と酸素とフッ素とからなる化合物である。このような希土類酸フッ化物として具体的には、ＲＥＯＦ（上記組成式中、ｘ＝１）、ＲＥ5Ｏ4Ｆ7（同、ｘ＝４／５）、ＲＥ6Ｏ5Ｆ8（同、ｘ＝５／６）、ＲＥ7Ｏ6Ｆ9（同、ｘ＝６／７）などが挙げられ、成膜用粉末に含まれる希土類酸フッ化物は、１種のみであっても、２種以上の混合物であってもよい。
本発明の成膜用粉末は、希土類酸フッ化物を含有する。希土類酸フッ化物は、組成式ＲＥＯxＦ(3-2x)（式中、ＲＥは希土類元素を示す（以下同じ）。ｘは０＜ｘ≦１を満たす正数である。）で示される、希土類元素と酸素とフッ素とからなる化合物である。このような希土類酸フッ化物として具体的には、ＲＥＯＦ（上記組成式中、ｘ＝１）、ＲＥ5Ｏ4Ｆ7（同、ｘ＝４／５）、ＲＥ6Ｏ5Ｆ8（同、ｘ＝５／６）、ＲＥ7Ｏ6Ｆ9（同、ｘ＝６／７）などが挙げられ、成膜用粉末に含まれる希土類酸フッ化物は、１種のみであっても、２種以上の混合物であってもよい。
成膜用粉末には、希土類酸フッ化物以外に、例えば、希土類酸化物（ＲＥ2Ｏ3など）、希土類フッ化物（ＲＥＦ3など）などを含有していてもよいが、成膜用粉末は、希土類酸フッ化物のみからなるものが好適である。希土類酸フッ化物の含有の有無は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により、希土類酸フッ化物（ＲＥＯＦ、ＲＥ5Ｏ4Ｆ7、ＲＥ6Ｏ5Ｆ8、ＲＥ7Ｏ6Ｆ9など）が検出されることにより定めることができる。ＸＲＤにおける特性Ｘ線には、通常、ＣｕのＫα線が用いられる。
成膜用粉末が、希土類酸化物（ＲＥ2Ｏ3など）、希土類フッ化物（ＲＥＦ3など）などの他の成分を含有する場合も、その有無は、ＸＲＤにより定めることができる。成膜用粉末が、希土類酸フッ化物のみからなる場合、ＸＲＤにおいて、希土類酸フッ化物のみが検出され、他の成分を含有する場合は、希土類酸化物（ＲＥ2Ｏ3など）、希土類フッ化物（ＲＥＦ3など）などのピークが検出されるが、希土類酸フッ化物以外に他の成分を含有する場合、希土類酸フッ化物の最大ピークの強度（２種以上の希土類酸フッ化物を含有する場合は、それらの最大ピークの強度の合計）に対して、希土類酸フッ化物以外の他の成分の最大ピークの強度（他の成分が２種以上含まれる場合は、それらの最大ピークの強度の合計）が１０％以下、特に３％以下であることが好ましい。ここで、ピーク強度は、ピーク高さにより評価することができる。なお、本発明の成膜用粉末は、結晶性が高いものであることが好ましく、少量の非結晶成分の含有は許容されるが、実質的に結晶性の化合物のみで構成されているものであることが、特に好ましい。
本発明の成膜用粉末を構成する成分、並びに後述する成膜用粉末を製造する原材料を構成する成分及び成膜用粉末から形成された皮膜を構成する成分において、希土類元素（ＲＥ）は、Ｙ及びＬａからＬｕまでの第３族元素から選ばれる１種又は２種以上であることが好ましい。これらの希土類元素のなかでも、イットリウム（Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテチウム（Ｌｕ）から選ばれる１種又は２種以上が好ましく、希土類元素として、イットリウム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプロシウム及びイッテルビウムのいずれかを含むこと、特に、希土類元素が、主成分（例えば９０モル％以上）であるイットリウムと、残部のイッテルビウム又はルテチウムとで構成されていることが好ましく、とりわけ、希土類元素が、イットリウムのみで構成されていることが好ましい。
本発明の成膜用粉末を構成する成分及び成膜用粉末から形成された皮膜を構成する成分において、不純物量であれば、希土類元素、酸素及びフッ素以外の他の元素の含有は許容されるが、特に、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ及びＦｅの含有率は、各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることが好ましい。
希土類元素が、イットリウムのみで構成されている場合、希土類酸フッ化物は、酸フッ化イットリウムであり、組成式ＹＯxＦ(3-2x)（式中、ｘは０＜ｘ≦１を満たす正数である。）で示される、イットリウムと酸素とフッ素とからなる化合物である。このような酸フッ化イットリウムとして具体的には、ＹＯＦ（上記組成式中、ｘ＝１）、Ｙ5Ｏ4Ｆ7（同、ｘ＝４／５）、Ｙ6Ｏ5Ｆ8（同、ｘ＝５／６）、Ｙ7Ｏ6Ｆ9（同、ｘ＝６／７）などが挙げられ、成膜用粉末に含まれる酸フッ化イットリウムは、１種のみであっても、２種以上の混合物であってもよい。希土類元素が、イットリウムのみで構成されている場合、希土類酸化物は酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3など）、希土類フッ化物はフッ化イットリウム（ＹＦ3など）である。
本発明の成膜用粉末は、以下のような方法により製造することができる。本発明の成膜用粉末の製造方法には、（１）希土類酸化物粒子の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩を形成して前駆体粒子を調製する工程と、（２）前駆体粒子を熱処理する工程とが含まれる。
まず、工程（１）では、例えば、粉末状の希土類酸化物（ＲＥ2Ｏ3など）を、水、有機溶媒などの溶媒に分散させ、希土類酸化物の分散液（スラリー）を調製し、この分散液に、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ、ＮＨ4ＨＦ2など）と、必要に応じて、希土類硝酸塩（ＲＥ（ＮＯ3）3など）、希土類塩化物（ＲＥＣｌ3など）、希土類酢酸塩（ＲＥ（ＣＨ3ＣＯＯ）3など）の希土類酸化物以外の希土類化合物（希土類源化合物）とを添加して、攪拌する。これにより、希土類源化合物を添加していない場合は、希土類酸化物粒子の表面部の希土類酸化物と、フッ化アンモニウムとが反応し、希土類酸化物の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩が形成された（析出した）前駆体粒子（希土類酸化物と希土類アンモニウムフッ化物複塩との複合粒子）を調製することができる。また、希土類源化合物を添加した場合は、希土類源化合物と、フッ化アンモニウムとが、又は希土類源化合物と、希土類酸化物粒子の表面部の希土類酸化物と、フッ化アンモニウムとが反応し、希土類酸化物の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩が形成された（析出した）前駆体粒子を調製することができる。フッ化アンモニウム及び希土類源化合物は、固体で添加しても、水、有機溶媒などの溶媒に溶解させて溶液で添加してもよい。また、フッ化アンモニウムは、酸性フッ化アンモニウムであってもよい。
工程（１）においては、粉末状の希土類酸化物（希土類酸化物粒子）を使用することが好ましい。工程（２）において、希土類酸化物と、希土類アンモニウムフッ化物複塩とを反応させる点からすれば、出発物質として、希土類炭酸塩、希土類水酸化物などの熱分解により希土類酸化物を生成する物質を使用することも考えられるが、これらの物質は、微粒子を含む場合が多く、また、希土類アンモニウムフッ化物複塩を生成する際に、粒子が崩壊して微粒子を発生しやすく、更に、その後の熱処理で、粒子間の癒着が激しく大粒子になりやすいという欠点がある。また、希土類炭酸塩を用いた場合は、熱処理の温度が５００℃以下であると、未分解希土類炭酸塩由来の炭素分が残留しやすいという欠点がある。このような理由から、出発物質として、粉末状の希土類酸化物を使用することが有利である。
粉末状の希土類酸化物を出発物質とすることは、粉末状の希土類酸化物（希土類酸化物粒子）は、粒子径分布が比較的狭い（シャープな）ものを入手しやすい点においても有利である。また、本発明の成膜用粉末の製造方法により希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末を製造した場合、粉末状の希土類酸化物を出発物質とすれば、粉末状の希土類酸化物と同等の分散指数（ｂ８０）又は粉末状の希土類酸化物より小さい分散指数（ｂ８０）を有する成膜用粉末を得ることができる。そのため、粒子径分布が狭い（分散指数（ｂ８０）が小さい）粉末状の希土類酸化物を用いれば、粒子径分布がより狭い（分散指数（ｂ８０）がより小さい）成膜用粉末が得られることになる。この点から、粉末状の希土類酸化物の分散指数（ｂ８０）は、例えば、分散指数（ｂ８０）が後述するような範囲の成膜用粉末を得る場合には、成膜用粉末となったときに粒子径分布が狭くなる場合を考慮して、２．５以下とすることができ、２．３以下、特に２以下であることが好ましい。なお、粉末状の希土類酸化物の分散指数（ｂ８０）の下限は、通常、０．７以上である。
また、本発明の成膜用粉末の製造方法により希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末を製造した場合、粉末状の希土類酸化物を出発物質とすれば、粉末状の希土類酸化物と同等の平均粒子径Ｄ５０又は粉末状の希土類酸化物より大きい平均粒子径Ｄ５０を有する成膜用粉末を得ることができる。この点から、粉末状の希土類酸化物の平均粒子径Ｄ５０は、例えば、平均粒子径Ｄ５０が後述するような範囲の成膜用粉末を得る場合には、成膜用粉末となったときに粒子径が大きくなる場合を考慮して、０．２μｍ以上とすることができ、０．４μｍ以上、特に０．６μｍ以上であることが好ましく、また、１５μｍ以下、特に１０μｍ以下、とりわけ８μｍ以下であることが好ましい。
また、本発明の成膜用粉末の製造方法により希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末を製造した場合、粉末状の希土類酸化物を出発物質とすれば、粉末状の希土類酸化物と同等のアスペクト比又は粉末状の希土類酸化物より若干低いアスペクト比を有する成膜用粉末を得ることができる。この点から、粉末状の希土類酸化物のアスペクト比は、例えば、アスペクト比が後述するような範囲の成膜用粉末を得る場合には、１．２以上、特に１．４以上、更に１．５以上、とりわけ１．７以上であることが好ましく、また、成膜用粉末となったときにアスペクト比が若干低くなる場合を考慮して、３．５以下とすることができ、３以下、特に２．３以下であることが好ましい。
一方、添加するフッ化アンモニウムの量は、分散液に含まれる希土類元素の総モル数（希土類源化合物を添加していない場合は希土類酸化物のみ、希土類源化合物を添加した場合は希土類酸化物及び希土類源化合物の合計が対象となる。）Ａに対して、添加するフッ化アンモニウム中のフッ素のモル数Ｂを、成膜用粉末に生成させる希土類酸フッ化物の希土類元素、酸素及びフッ素の組成に合わせた比率（Ｂ／Ａ）とすればよい。例えば、Ｂ／Ａ＝１とすればＲＥＯＦ、Ｂ／Ａ＝１．４とすればＲＥ5Ｏ4Ｆ7、１＜Ｂ／Ａ＜１．４とすればＲＥＯＦとＲＥ5Ｏ4Ｆ7との混合物を生成させることができる。一方、Ｂ／Ａ＜１とした場合、希土類酸化物（ＲＥ2Ｏ3）とＲＥＯＦとの混合物、Ｂ／Ａ＞１．４とした場合、ＲＥ5Ｏ4Ｆ7と希土類フッ化物（ＲＥＦ3）との混合物となる。そのため、この比率（Ｂ／Ａ）は、希土類酸化物（ＲＥ2Ｏ3）を少量含んでよい場合は、０．９≦Ｂ／Ａ＜１の範囲、希土類フッ化物を少量含んでよい場合は１．４＜Ｂ／Ａ≦１．６の範囲とすることができるが、成膜用粉末が希土類酸フッ化物のみを含有するようにするためには、１≦Ｂ／Ａ≦１．４の範囲内とすることが好ましい。
次に、前駆体粒子を分散液として調製した場合、得られた前駆体粒子を分散液から、濾過などの方法により固液分離して固形分を回収し、必要に応じて、水、有機溶媒などで洗浄（リンス）する、室温（２０℃）～１００℃の温度で乾燥する、篩を通すなどの方法で固結した粒子をほぐす（分離する）などの工程を経て、工程（２）に供する前駆体粒子とする。次に、工程（２）では、前駆体粒子を熱処理する。前駆体粒子を熱処理することにより、複合粒子を構成する希土類酸化物と希土類アンモニウムフッ化物複塩とが反応して、希土類酸フッ化物を含有する粒子が生成する。
希土類酸フッ化物を含有する粒子を製造する従来の方法、例えば、特開２０１７－１５００８３号公報（特許文献１）に記載されているような、希土類酸化物と希土類フッ化物とを混合して反応させる方法では、７００℃を超える温度で加熱しなければ、希土類フッ化物の分解が進行し難いため、反応を十分に進行させて、反応を完結させるために、７００℃を超える高温での熱処理が必要であった。この場合、高温での熱処理により、粒子間の焼結や、粒子内部の緻密化（結晶子同士が密接化することによる粒子の収縮）が進み、エアロゾルデポジションで必要な結晶子レベルでの塑性変形が起こりにくい、粒子内部が緻密な粒子となってしまう。そのため、従来の方法では、粒子内部の緻密化を抑制された、エアロゾルデポジションで必要な結晶子レベルでの塑性変形が起こりやすい成膜用粉末を得ることはできなかった。また、従来の方法では、粒子間の焼結に起因する粒子径の巨大化が起きるため、成膜に適した粒子径に戻すために、粉砕ビーズなどの硬質セラミックス（ジルコニア、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素など）製メディアを使用し、ステンレス鋼などで構成された機器を用いた粉砕工程が必要となるため、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ及びＦｅの含有率が、各々１０ｐｐｍ（質量）以下の成膜用粉末を得ることができなかった。
これに対して、本発明の成膜用粉末の製造方法では、希土類酸化物と希土類アンモニウムフッ化物複塩との複合粒子を形成し、これを熱処理することにより、希土類酸フッ化物を含有する粒子を生成させるが、希土類アンモニウムフッ化物複塩は、３５０℃程度で分解が始まり、希土類酸化物と容易に反応するため、希土類酸化物の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩が形成された前駆体粒子を熱処理すれば、希土類酸化物と希土類アンモニウムフッ化物複塩とが良好に接触した状態から、効率よく反応を進行させることができるので、従来の方法と比べて、低温で希土類酸フッ化物を生成させることができる。そのため、本発明の成膜用粉末の製造方法では、粒子間の焼結や、粒子内部の緻密化を抑制して、エアロゾルデポジションで必要な結晶子レベルでの塑性変形が起こりやすい粒子を得ることができ、また、粉砕工程が不要である。従って、本発明の成膜用粉末の製造方法では、直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上の成膜用粉末を、特に、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１５μｍ以下、直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１．５ｃｍ3／ｇ以下、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下の成膜用粉末を好適に製造することができ、また、粉砕メディアからの不純物元素の混入を避けることもできる。
工程（１）における希土類酸化物のスラリー濃度は、５質量％以上、特に１０質量％以上で、３０質量％以下、特に２５質量％以下であることが好ましい。工程（１）における反応（熟成）は、１０～８０℃の温度で実施することができ、また、反応時間（熟成時間）は、１～１６時間とすることが好ましい。
工程（２）における熱処理温度は、粒子間の焼結や、粒子内部の緻密化を抑制する観点から、７００℃以下とすることが好ましく、より好ましくは６８０℃以下、更に好ましくは６３０℃以下である。一方、熱処理温度は、希土類アンモニウムフッ化物複塩の分解が３５０℃程度で進行するので、３５０℃以上とすればよく、４００℃以上、特に４５０℃以上が好適である。熱処理雰囲気は、酸素ガスを含む雰囲気、窒素ガスを含む雰囲気、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気などが挙げられるが、希土類酸フッ化物を生成させる反応の雰囲気であり、また、原料由来の炭素、窒素、水素などを酸化して除去する（焼成する）ことができる点から、大気雰囲気などの酸素ガスを含む雰囲気が好適である。また、反応時間（焼成時間）は、１～１０時間とすることが好ましい。
なお、本発明において、成膜用粉末の希土類元素が、イットリウムのみで構成されている場合、成膜用粉末に含まれる希土類酸フッ化物は、酸フッ化イットリウムであるが、このような成膜用粉末を製造する場合、工程（１）において用いる希土類酸化物及び希土類アンモニウムフッ化物複塩としては、各々、酸化イットリウム及びフッ化イットリウムアンモニウムが好適に用いられる。
本発明により、エアロゾルデポジションによる皮膜の成膜に好適な成膜用粉末が提供できる。本発明の成膜用粉末の平均粒子径Ｄ５０は、０．６μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。この平均粒子径Ｄ５０は、０．７μｍ以上であること、また、１０μｍ以下であることが、より好ましい。本発明における平均粒子径Ｄ５０は、体積基準の粒子径分布における累積５０％径（メジアン径）であり、レーザー回折法（レーザー回折・散乱法）により測定することができる。平均粒子径Ｄ５０が上記範囲未満の粉末は、粒径が小さい粒子が多く、粒径が小さい粒子は、エアロゾルデポジションにおいて、ノズルから真空チャンバ内の基材に向かって、粉末が噴射される際に、エアロゾルの急激な体積膨張により乱流を発生させ、粉末が、基材以外の部分に飛散する量が多くなってしまい、基材に堆積し難くなる。一方、成膜用粉末の平均粒子径Ｄ５０が上記範囲を超える粉末では、エアロゾル化が困難である粒径が大きい粒子が多く、エアロゾル化される粒子の割合が低い上、粒径が大きい粒子は、基材に衝突した際に、運動エネルギーが大きすぎて、跳ね返ったり、基材上に形成された皮膜を削り取ったりしてしまう確率が高くなる。平均粒子径Ｄ５０が上記範囲から外れると、いずれの場合も、成膜効率（歩留り）の低下につながる場合がある。
本発明の成膜用粉末の粒径が０．３μｍ以下の粒子の含有率は０．５体積％以下であることが好ましく、粒径が０．３μｍ以下の粒子が実質的に含まれないこと（０体積％であること）がより好ましい。この粒径は、体積基準の粒子径分布における粒径であり、レーザー回折法（レーザー回折・散乱法）により測定することができる。粒径が０．３μｍ以下の粒子の含有率が上記範囲を超える成膜用粉末では、エアロゾル中で粒子が凝集を起こしやすく、均一に分散浮遊し難くなるおそれがあり、また、成膜効率（歩留り）の低下につながる場合がある。
本発明の成膜用粉末の直径１０μｍ以下の細孔の総容積は、０．５１ｃｍ3／ｇ以上１．５ｃｍ3／ｇ以下であることが好ましい。この直径１０μｍ以下の細孔の総容積は、０．５５ｃｍ3／ｇ以上であること、また、１ｃｍ3／ｇ以下であることが、より好ましい。本発明において、直径１０μｍ以下の細孔の総容積は、水銀圧入法により測定された値が適用される。水銀圧入法による細孔径分布の測定では、通常、細孔直径に対する積算細孔容積分布が測定され、この結果から、直径１０μｍ以下の細孔の総容積を求めることができる。
エアロゾルデポジションでは、真空中に噴射された粒子が、基材に衝突した際に、結晶子レベルで塑性変形を起こすことにより、粒子が緻密に堆積して、皮膜が形成されるが、直径１０μｍ以下の細孔の総容積が上記範囲未満の粒子は、粒子内部が緻密であるため、塑性変形を起こす確率が低下し、基材に衝突した際に跳ね返されて、基材に付着しない確率が増大する。塑性変形を起こしやすくする観点では、直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上であれば、より大きいことが有利であるが、直径１０μｍ以下の細孔の総容積が上記範囲を超えると、粒子の密度（かさ密度）が低くなり、上述した平均粒子径Ｄ５０の範囲では、粒子が軽すぎるため、エアロゾルの急激な体積膨張による乱流で、粉末が、基材以外の部分に飛散する量が多くなってしまい、基材に堆積し難くなる。直径１０μｍ以下の細孔の総容積が上記範囲を外れると、いずれの場合も、成膜効率（歩留り）の低下につながる場合がある。
本発明の成膜用粉末のＢＥＴ法による比表面積（ＢＥＴ比表面積）は３ｍ2／ｇ以上、特に６．５ｍ2／ｇ以上、とりわけ９ｍ2／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ2／ｇ以下、特に４０ｍ2／ｇ以下であることが好ましい。ＢＥＴ比表面積が上記範囲未満の粉末では、表面エネルギーが小さいため、基材に衝突した際に塑性変形を起こす確率が低下し、基材に衝突した際に跳ね返されて、基材に付着しない確率が増大するおそれがある。一方、ＢＥＴ比表面積が上記範囲を超える粉末を得る場合は、かなり低温での熱処理が必要なため、反応し切れていない複塩が残留している可能性がある上、ＢＥＴ比表面積が上記範囲を超える粉末では、粒子の密度（かさ密度）が低くなり、上述した平均粒子径Ｄ５０の範囲では、粒子が軽すぎるため、エアロゾルの急激な体積膨張による乱流で、粉末が、基材以外の部分に飛散する量が多くなってしまい、基材に堆積し難くなるおそれがある。比表面積が上記範囲を外れると、いずれの場合も、成膜効率（歩留り）の低下につながる場合がある。
本発明の成膜用粉末のアスペクト比は１．２以上、特に１．４以上、更に１．５以上、とりわけ１．７以上であることが好ましく、また３以下、特に２．３以下であることが好ましい。成膜用粉末のアスペクト比は、粒子の長径（長軸に沿った長さ）の短径（短軸に沿った幅、例えば長さ方向に直交する幅）に対する比であり、例えば、１，０００～１０，０００倍程度の電子顕微鏡写真を撮影し、その中の重なっていない粒子の短径と長径を測って計算することにより測定することができ、例えば、１００個程度以上の粒子の平均値として求めることができる。アスペクト比が上記範囲未満の粉末では、表面エネルギーが小さいため、基材に衝突した際に塑性変形を起こす確率が低下し、基材に衝突した際に跳ね返されて、基材に付着しない確率が増大するおそれがある。一方、アスペクト比が上記範囲を超える粉末では、いびつな形の塑性変形が起こることにより、気孔率が増加するおそれがある。アスペクト比が上記範囲を外れると、成膜効率（歩留り）の低下につながる場合がある。
本発明の成膜用粉末は、下記式（１）
（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０ （１）
（式中、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、各々、体積基準の粒子径分布における累積１０％径、５０％径及び９０％径であり、レーザー回折法（レーザー回折・散乱法）により測定した値を適用することができる。）
により求められる分散指数（ｂ８０）が１．６以下、特に１．５以下であることが好ましい。分散指数（ｂ８０）が大きくなるほど、粒子径分布が広くなり、それに伴い、粒径が小さい粒子や大きい粒子の割合が高くなる。粒径が小さい粒子や大きい粒子は、エアロゾルデポジションにおいて、上述したような問題を生じさせるため、分散指数（ｂ８０）が上記範囲を超える粒径が小さい粒子や大きい粒子が多すぎる成膜用粉末では、成膜効率（歩留り）の低下につながる場合がある。なお、成膜用粉末の分散指数（ｂ８０）の下限は、通常０．７以上である。
（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０ （１）
（式中、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、各々、体積基準の粒子径分布における累積１０％径、５０％径及び９０％径であり、レーザー回折法（レーザー回折・散乱法）により測定した値を適用することができる。）
により求められる分散指数（ｂ８０）が１．６以下、特に１．５以下であることが好ましい。分散指数（ｂ８０）が大きくなるほど、粒子径分布が広くなり、それに伴い、粒径が小さい粒子や大きい粒子の割合が高くなる。粒径が小さい粒子や大きい粒子は、エアロゾルデポジションにおいて、上述したような問題を生じさせるため、分散指数（ｂ８０）が上記範囲を超える粒径が小さい粒子や大きい粒子が多すぎる成膜用粉末では、成膜効率（歩留り）の低下につながる場合がある。なお、成膜用粉末の分散指数（ｂ８０）の下限は、通常０．７以上である。
本発明の成膜用粉末を用いた皮膜の形成方法としては、溶射法、ＰＶＤ法、エアロゾルデポジション法などが挙げられるが、本発明の成膜用粉末は、基材上に、エアロゾルデポジションにより、皮膜を形成する場合に、パーティクルが少なく表面が滑らかな皮膜を形成することができ、特に効果的である。この皮膜は、半導体製造装置などの内部に保護コーティングとして設けられる皮膜などとして好適である。基材としては、半導体製造装置用の部材などを構成するアルミニウム、ニッケル、クロム、亜鉛、それらの合金、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、石英ガラスなどが挙げられる。なお、形成する皮膜の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常、２μｍ以上、特に５μｍ以上であることが好ましく、また、５０μｍ以下、特に３０μｍ以下であることが好ましい。
本発明の成膜用粉末を用い、基材上に、エアロゾルデポジションにより、皮膜を形成する工程において、成膜装置及び成膜条件は、公知の装置及び条件を適用することができる。成膜装置としては、例えば、図１に示されるようなものが挙げられる。この成膜装置では、成膜チャンバ１内上部に、成膜中、２次元方向（この場合、水平方向）にＸ－Ｙ方向への移動可能に、ステージ２が設けられており、基材Ｓは、ステージ２の下に設けられる。また、成膜チャンバ１には、成膜チャンバ１内を減圧するための真空ポンプ３が、配管３１を介して設けられている。一方、成膜チャンバ１の下方には、成膜用粉末Ｐを収容するエアロゾル発生容器４が設けられており、成膜チャンバ１とエアロゾル発生容器４とは配管５で、内部が連通し、成膜チャンバ１内の配管５の末端には、基材Ｓの下方の位置に成膜ノズル５１が設けられている。そして、エアロゾル発生容器４内に、配管６を通じて窒素ガスなどのキャリアガス６１を供給することにより、キャリアガス流により成膜用粉末が舞い上がってエアロゾル化し、これが配管５を通じて、成膜ノズル５１から基材Ｓに向かって吹き出して、基材Ｓ上に皮膜が形成されるようになっている。
本発明の成膜用粉末を用い、エアロゾルデポジションにより形成した皮膜は、成膜用粉末と同様に、希土類酸フッ化物を含む皮膜が形成され、成膜用粉末に含まれる成分構成（化合物及びそれらの比率）を反映して、成膜用粉末と実質的に同等の成分構成の皮膜が形成される。本発明の成膜用粉末を用いて皮膜を成膜すること、特に、エアロゾルデポジションにより皮膜を形成することにより、気孔率が３体積％以下、特に１体積％以下の緻密な皮膜を得ることができる。気孔率は、皮膜の断面を走査型電子顕微鏡で観察し、気孔面積の画像処理計算により求めることができる。
以下に、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
原料の酸化イットリウム粉末及び得られた成膜用粉末の粒度分布（Ｄ１０、平均粒子径Ｄ５０、Ｄ９０、及び粒径０．３μｍ以下の粒子の含有率）は、粒度分布測定機（日機装（株）製、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ ＭＴ３３００ ＥＸＩＩ型）で、レーザー回折法（レーザー回折・散乱法）により測定し、得られた測定結果から、式（１）に基づき分散指数（ｂ８０）を算出した。得られた成膜用粉末の細孔径分布は、細孔分布測定装置（Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ社製、Ａｕｔｏ Ｐｏｒｅ ＩＩＩ）で、水銀圧入法により測定し、得られた細孔直径に対する積算細孔容積分布から、径１０μｍ以下の細孔の総容積（累積容積）を算出した。得られた成膜用粉末のＢＥＴ比表面積は、全自動比表面積測定装置（（株）マウンテック製、Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ ｍｏｄｅｌ－１２８０）で測定した。得られた成膜用粉末の結晶相は、Ｘ線回折装置（ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製 Ｘ－Ｐａｒｔ Ｐｒｏ ＭＰＤ、ＣｕＫα線、）で、２θ＝５～７０°の範囲を分析した。得られた成膜用粉末のアスペクト比は、１，０００～１０，０００倍の電子顕微鏡写真を複数箇所撮影し、その中の重なっていない粒子の短径と長径を測って算出し、２００個分の平均値とした。得られた成膜用粉末中の不純物（Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅ）の含有率は、酸に溶解してＩＣＰ発光法で測定した。
得られた皮膜の膜厚は、渦電流式膜厚計（Ｋｅｔｔ社製、ＬＨ－３００型）で測定した。得られた皮膜の気孔率は、皮膜の断面を走査型電子顕微鏡で観察し、２視野を撮像して、気孔面積の画像処理計算により、２視野の平均値として求めた。具体的には、ＡＳＴＭ Ｅ２１０９に準拠して、溶射膜を樹脂埋めして、走査型電子顕微鏡観察のサンプルとし、５０００倍の倍率で、反射電子組成画像（ＣＯＭＰＯ像）を撮像し、２５６階調のグレースケール画像において、デンシティースライス操作により、二値化のためのグレイ値（閾値）を、細孔に相当する暗部の中の最大諧調の値より１階調低い値として設定した。皮膜の形成における歩留りは、成膜装置でチャンバに供給した成膜用粉末の質量に対する、基材上に形成された皮膜の質量の割合（付着率）として求めた。
［実施例１～３］
酸化イットリウム粉末（平均粒子径Ｄ５０＝１．１４μｍ、分散指数（ｂ８０）＝１．４８、信越化学工業（株）製）１，１２９ｇ（５ｍｏｌ、イットリウム＝１０ｍｏｌ）を、水６．５Ｌに混合し、分散（スラリー化）して、分散液とした。次に、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）３７０．４ｇ（フッ素＝１０ｍｏｌ）を、混合下の分散液に速やかに投入し、４０℃で３時間混合・熟成し、酸化イットリウムと、フッ化アンモニウムとの反応により、酸化イットリウムの表面に、イットリウムアンモニウムフッ化物複塩が形成された（析出した）前駆体粒子（酸化イットリウムとフッ化イットリウムアンモニウムとの複合粒子）を得た。
酸化イットリウム粉末（平均粒子径Ｄ５０＝１．１４μｍ、分散指数（ｂ８０）＝１．４８、信越化学工業（株）製）１，１２９ｇ（５ｍｏｌ、イットリウム＝１０ｍｏｌ）を、水６．５Ｌに混合し、分散（スラリー化）して、分散液とした。次に、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）３７０．４ｇ（フッ素＝１０ｍｏｌ）を、混合下の分散液に速やかに投入し、４０℃で３時間混合・熟成し、酸化イットリウムと、フッ化アンモニウムとの反応により、酸化イットリウムの表面に、イットリウムアンモニウムフッ化物複塩が形成された（析出した）前駆体粒子（酸化イットリウムとフッ化イットリウムアンモニウムとの複合粒子）を得た。
次に、分散液から前駆体粒子を濾過により固液分離して固形分を回収し、水洗して８０℃の温度で１６時間乾燥し、目開き７５μｍの篩を通して、軽く固結した粒子をほぐした後、電気炉により、大気雰囲気中で、表１に示される温度で３時間熱処理（焼成）して、成膜用粉末を得た。実施例１で得られた、乾燥後、熱処理前の粉末のＸ線回折プロファイルを図２に、熱処理後の粉末のＸ線回折プロファイルを図３に、各々示す。
次に、得られた成膜用粉末を用い、図１に示される成膜装置で、エアロゾルデポジションにより、ステージを水平方向で往復移動させながら、基材上に皮膜を形成した。成膜条件は、表３に示されるとおりとした。
［比較例１、２］
熱処理温度を表１に示される温度とした以外は、実施例１と同様にして成膜用粉末を得、得られた成膜用粉末を用い、実施例１と同様にして、皮膜を形成した。
熱処理温度を表１に示される温度とした以外は、実施例１と同様にして成膜用粉末を得、得られた成膜用粉末を用い、実施例１と同様にして、皮膜を形成した。
［実施例４］
酸化イットリウム粉末を、平均粒子径Ｄ５０＝３．９２μｍ、分散指数（ｂ８０）＝１．９０のもの（信越化学工業（株）製）に変更し、熱処理温度を表１に示される温度とした以外は、実施例１と同様にして成膜用粉末を得、得られた成膜用粉末を用い、実施例１と同様にして、皮膜を形成した。原料として用いた酸化イットリウム粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図４に示す。
酸化イットリウム粉末を、平均粒子径Ｄ５０＝３．９２μｍ、分散指数（ｂ８０）＝１．９０のもの（信越化学工業（株）製）に変更し、熱処理温度を表１に示される温度とした以外は、実施例１と同様にして成膜用粉末を得、得られた成膜用粉末を用い、実施例１と同様にして、皮膜を形成した。原料として用いた酸化イットリウム粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図４に示す。
［実施例５］
フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の量を５１８．５ｇ（１４ｍｏｌ）とした以外は、実施例４と同様にして成膜用粉末を得、得られた成膜用粉末を用い、実施例１と同様にして、皮膜を形成した。熱処理後の粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図５に、Ｘ線回折プロファイルを図６に、各々示す。
フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の量を５１８．５ｇ（１４ｍｏｌ）とした以外は、実施例４と同様にして成膜用粉末を得、得られた成膜用粉末を用い、実施例１と同様にして、皮膜を形成した。熱処理後の粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図５に、Ｘ線回折プロファイルを図６に、各々示す。
［実施例６］
酸化イットリウム粉末（平均粒子径Ｄ５０＝３．９２μｍ、分散指数（ｂ８０）＝１．９０、信越化学工業（株）製）１，５８１ｇ（７ｍｏｌ、イットリウム＝１４ｍｏｌ）を、水１０Ｌに混合し、分散（スラリー化）して、分散液とした。次に、０．６ｍｏｌ／Ｌ硝酸イットリウム水溶液１０．０Ｌ（イットリウム＝６ｍｏｌ）と、２．０ｍｏｌ／Ｌフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）水溶液１０．０Ｌ（フッ素＝２０ｍｏｌ）を、分散液の攪拌下、５時間で投入し、酸化イットリウム及び硝酸イットリウムと、フッ化アンモニウムとの反応により、酸化イットリウムの表面に、イットリウムアンモニウムフッ化物複塩が形成された（析出した）前駆体粒子（酸化イットリウムとフッ化イットリウムアンモニウムとの複合粒子）を得た。
酸化イットリウム粉末（平均粒子径Ｄ５０＝３．９２μｍ、分散指数（ｂ８０）＝１．９０、信越化学工業（株）製）１，５８１ｇ（７ｍｏｌ、イットリウム＝１４ｍｏｌ）を、水１０Ｌに混合し、分散（スラリー化）して、分散液とした。次に、０．６ｍｏｌ／Ｌ硝酸イットリウム水溶液１０．０Ｌ（イットリウム＝６ｍｏｌ）と、２．０ｍｏｌ／Ｌフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）水溶液１０．０Ｌ（フッ素＝２０ｍｏｌ）を、分散液の攪拌下、５時間で投入し、酸化イットリウム及び硝酸イットリウムと、フッ化アンモニウムとの反応により、酸化イットリウムの表面に、イットリウムアンモニウムフッ化物複塩が形成された（析出した）前駆体粒子（酸化イットリウムとフッ化イットリウムアンモニウムとの複合粒子）を得た。
次に、分散液から前駆体粒子を濾過により固液分離して固形分を回収し、水洗して８０℃の温度で１６時間乾燥し、目開き７５μｍの篩を通して、軽く固結した粒子をほぐした後、電気炉により、大気雰囲気中で、表１に示される温度で３時間熱処理（焼成）して、成膜用粉末を得た。
次に、得られた成膜用粉末を用い、図１に示される成膜装置で、エアロゾルデポジションにより、ステージを水平方向で往復移動させながら、基材上に皮膜を形成した。成膜条件は、表３に示されるとおりとした。
実施例１～６及び比較例２で得られた成膜用粉末の平均粒子径Ｄ５０、分散指数（ｂ８０）、粒径０．３μｍ以下の粒子の含有率、ＢＥＴ比表面積、径１０μｍ以下の細孔の総容積、アスペクト比、結晶相、及び不純物含有率を表１に示す。また。実施例１～６及び比較例２で得られた皮膜の膜厚、気孔率及び付着率を表２に示す。なお、比較例１においては、酸化イットリウムとイットリウムアンモニウムフッ化物複塩とが、多量に残存していたので、Ｘ線回折法による結晶相の分析以外は実施しておらず、また、皮膜の形成も実施しておらず、成膜用粉末の結晶相のみを表１に示す。
１ 成膜チャンバ
２ ステージ
３ 真空ポンプ
３１ 配管
４ エアロゾル発生容器
５ 配管
５１ 成膜ノズル
６ 配管
６１ キャリアガス
Ｓ 基材
Ｐ 成膜用粉末
２ ステージ
３ 真空ポンプ
３１ 配管
４ エアロゾル発生容器
５ 配管
５１ 成膜ノズル
６ 配管
６１ キャリアガス
Ｓ 基材
Ｐ 成膜用粉末
従って、本発明は、下記の成膜用粉末、及び皮膜の形成方法を提供する。
１．希土類酸フッ化物を含有するエアロゾルデポジション成膜用粉末であって、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１０μｍ以下であり、粒径が０．３μｍ以下の粒子の含有率が０．５体積％以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１ｃｍ3／ｇ以下であり、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下であることを特徴とする成膜用粉末。
２．上記希土類酸フッ化物が、ＲＥＯＦ、ＲＥ 5 Ｏ 4 Ｆ 7 、ＲＥ 6 Ｏ 5 Ｆ 8 及びＲＥ 7 Ｏ 6 Ｆ 9 （ＲＥは希土類元素を示す。）から選ばれる１種以上であることを特徴とする１記載の成膜用粉末。
３．Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ及びＦｅの含有率が、各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする１又は２記載の成膜用粉末。
４．上記平均粒子径Ｄ５０が６．９１μｍ以下であることを特徴とする１乃至３のいずれかに記載の成膜用粉末。
５．上記水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．６４３ｃｍ 3 ／ｇ以下であることを特徴とする１乃至４のいずれかに記載の成膜用粉末。
６．アスペクト比が１．２以上３以下であることを特徴とする１乃至５のいずれかに記載の成膜用粉末。
７．下記式（１）
（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０ （１）
（式中、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、各々、体積基準の粒子径分布における累積１０％径、５０％径及び９０％径である。）
により求められる分散指数（ｂ８０）が１．６以下であることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載の成膜用粉末。
８．上記希土類酸フッ化物が酸フッ化イットリウムであることを特徴とする１乃至７のいずれかに記載の成膜用粉末。
９．１乃至８のいずれかに記載の成膜用粉末を用い、基材上に、エアロゾルデポジションにより、皮膜を形成する工程を含むことを特徴とする皮膜の形成方法。
１．希土類酸フッ化物を含有するエアロゾルデポジション成膜用粉末であって、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１０μｍ以下であり、粒径が０．３μｍ以下の粒子の含有率が０．５体積％以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１ｃｍ3／ｇ以下であり、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下であることを特徴とする成膜用粉末。
２．上記希土類酸フッ化物が、ＲＥＯＦ、ＲＥ 5 Ｏ 4 Ｆ 7 、ＲＥ 6 Ｏ 5 Ｆ 8 及びＲＥ 7 Ｏ 6 Ｆ 9 （ＲＥは希土類元素を示す。）から選ばれる１種以上であることを特徴とする１記載の成膜用粉末。
３．Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ及びＦｅの含有率が、各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする１又は２記載の成膜用粉末。
４．上記平均粒子径Ｄ５０が６．９１μｍ以下であることを特徴とする１乃至３のいずれかに記載の成膜用粉末。
５．上記水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．６４３ｃｍ 3 ／ｇ以下であることを特徴とする１乃至４のいずれかに記載の成膜用粉末。
６．アスペクト比が１．２以上３以下であることを特徴とする１乃至５のいずれかに記載の成膜用粉末。
７．下記式（１）
（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０ （１）
（式中、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、各々、体積基準の粒子径分布における累積１０％径、５０％径及び９０％径である。）
により求められる分散指数（ｂ８０）が１．６以下であることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載の成膜用粉末。
８．上記希土類酸フッ化物が酸フッ化イットリウムであることを特徴とする１乃至７のいずれかに記載の成膜用粉末。
９．１乃至８のいずれかに記載の成膜用粉末を用い、基材上に、エアロゾルデポジションにより、皮膜を形成する工程を含むことを特徴とする皮膜の形成方法。
Claims (8)
- 希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末であって、平均粒子径Ｄ５０が０．６μｍ以上１５μｍ以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の総容積が０．５１ｃｍ3／ｇ以上１．５ｃｍ3／ｇ以下であり、かつＢＥＴ法による比表面積が３ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ以下であることを特徴とする成膜用粉末。
- 粒径が０．３μｍ以下の粒子の含有率が０．５体積％以下であることを特徴とする請求項１記載の成膜用粉末。
- アスペクト比が１．２以上３以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の成膜用粉末。
- 下記式（１）
（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０ （１）
（式中、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、各々、体積基準の粒子径分布における累積１０％径、５０％径及び９０％径である。）
により求められる分散指数（ｂ８０）が１．６以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の成膜用粉末。 - 上記希土類酸フッ化物が酸フッ化イットリウムであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の成膜用粉末。
- 請求項１乃至５のいずれか１項記載の成膜用粉末を用い、基材上に、エアロゾルデポジションにより、皮膜を形成する工程を含むことを特徴とする皮膜の形成方法。
- 希土類酸フッ化物を含有する成膜用粉末を製造する方法であって、
希土類酸化物粒子の表面に、希土類アンモニウムフッ化物複塩を形成して前駆体粒子を調製する工程と、
上記前駆体粒子を、３５０℃以上７００℃以下の温度で熱処理する工程と
を含むことを特徴とする成膜用粉末の製造方法。 - 上記希土類酸フッ化物、希土類酸化物及び希土類アンモニウムフッ化物複塩が、各々、酸フッ化イットリウム、酸化イットリウム及びフッ化イットリウムアンモニウムであることを特徴とする請求項７記載の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2018134243 | 2018-07-17 | ||
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| JP2019123562A JP7124798B2 (ja) | 2018-07-17 | 2019-07-02 | 成膜用粉末、皮膜の形成方法、及び成膜用粉末の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019123562A Division JP7124798B2 (ja) | 2018-07-17 | 2019-07-02 | 成膜用粉末、皮膜の形成方法、及び成膜用粉末の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023104067A Division JP2023118797A (ja) | 2018-07-17 | 2023-06-26 | 成膜用粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022159349A true JP2022159349A (ja) | 2022-10-17 |
| JP7310995B2 JP7310995B2 (ja) | 2023-07-19 |
Family
ID=69162603
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019123562A Active JP7124798B2 (ja) | 2018-07-17 | 2019-07-02 | 成膜用粉末、皮膜の形成方法、及び成膜用粉末の製造方法 |
| JP2022123049A Active JP7310995B2 (ja) | 2018-07-17 | 2022-08-02 | 成膜用粉末、及び皮膜の形成方法 |
| JP2023104067A Pending JP2023118797A (ja) | 2018-07-17 | 2023-06-26 | 成膜用粉末の製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019123562A Active JP7124798B2 (ja) | 2018-07-17 | 2019-07-02 | 成膜用粉末、皮膜の形成方法、及び成膜用粉末の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023104067A Pending JP2023118797A (ja) | 2018-07-17 | 2023-06-26 | 成膜用粉末の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11549185B2 (ja) |
| JP (3) | JP7124798B2 (ja) |
| KR (1) | KR20200008954A (ja) |
| CN (2) | CN110724948B (ja) |
| TW (3) | TW202323196A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7420093B2 (ja) * | 2021-01-28 | 2024-01-23 | 信越化学工業株式会社 | 成膜用材料及び成膜用スラリー |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016138309A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射用粉末及び溶射材料 |
| WO2016129457A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用粉末及び成膜用材料 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1239055B1 (en) * | 2001-03-08 | 2017-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermal spray spherical particles, and sprayed components |
| US6596397B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-07-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermal spray particles and sprayed components |
| CN101348274B (zh) * | 2008-08-27 | 2011-06-15 | 西南交通大学 | 一种制备氟化稀土的方法 |
| KR101110371B1 (ko) * | 2010-04-26 | 2012-02-15 | 한국세라믹기술원 | 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막 및 그 제조방법 |
| US8907136B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-12-09 | Dow Global Technologies Llc | Catalysts and methods for alcohol dehydration |
| JP5396672B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-22 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射材料及びその製造方法 |
| JP5939084B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2016-06-22 | 信越化学工業株式会社 | 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料の製造方法 |
| FR2998561B1 (fr) * | 2012-11-29 | 2014-11-21 | Saint Gobain Ct Recherches | Poudre haute purete destinee a la projection thermique |
| JP5636573B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2014-12-10 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射材料 |
| KR102082190B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2020-02-27 | (주) 코미코 | 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재 |
| JP6578106B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2019-09-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射用粉末 |
| US10106466B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-10-23 | Tokyo Electron Limited | Thermal spray material, thermal spray coating and thermal spray coated article |
| JP6741410B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2020-08-19 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射用スラリー、溶射皮膜および溶射皮膜の形成方法 |
| JP6384536B2 (ja) * | 2015-10-23 | 2018-09-05 | 信越化学工業株式会社 | フッ化イットリウム溶射材料及びオキシフッ化イットリウム成膜部品の製造方法 |
| JP6443380B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2018-12-26 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系フッ化物溶射皮膜、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜 |
| US10538845B2 (en) * | 2016-06-22 | 2020-01-21 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Yttrium oxyfluoride sprayed coating and method for producing the same, and sprayed member |
| JP6929843B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 眼内レンズ挿入器 |
| JP6929718B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2021-09-01 | 日本特殊陶業株式会社 | フッ化イットリウム系溶射膜及びその製造方法、並びに、溶射膜付き基材及びその製造方法 |
| JP6388188B1 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-09-12 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料及び皮膜 |
| JP6650385B2 (ja) * | 2016-11-07 | 2020-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| KR102664599B1 (ko) * | 2017-03-01 | 2024-05-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 용사 피막, 용사용 분말, 용사용 분말의 제조 방법, 및 용사 피막의 제조 방법 |
| CN115895517A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-04-04 | 上海路嘉胶粘剂有限公司 | 一种医用手术衣贴合水基胶及其制备方法 |
-
2019
- 2019-07-02 JP JP2019123562A patent/JP7124798B2/ja active Active
- 2019-07-12 TW TW112107731A patent/TW202323196A/zh unknown
- 2019-07-12 TW TW108124612A patent/TWI811397B/zh active
- 2019-07-12 KR KR1020190084207A patent/KR20200008954A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-07-12 TW TW112124513A patent/TW202340095A/zh unknown
- 2019-07-15 US US16/511,283 patent/US11549185B2/en active Active
- 2019-07-17 CN CN201910642933.3A patent/CN110724948B/zh active Active
- 2019-07-17 CN CN202310769970.7A patent/CN116815177A/zh active Pending
-
2022
- 2022-08-02 JP JP2022123049A patent/JP7310995B2/ja active Active
- 2022-12-06 US US18/075,586 patent/US11851768B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-26 JP JP2023104067A patent/JP2023118797A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016138309A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射用粉末及び溶射材料 |
| WO2016129457A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用粉末及び成膜用材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI811397B (zh) | 2023-08-11 |
| US20200024745A1 (en) | 2020-01-23 |
| US20230100603A1 (en) | 2023-03-30 |
| CN116815177A (zh) | 2023-09-29 |
| US11851768B2 (en) | 2023-12-26 |
| JP2023118797A (ja) | 2023-08-25 |
| TW202323196A (zh) | 2023-06-16 |
| KR20200008954A (ko) | 2020-01-29 |
| CN110724948A (zh) | 2020-01-24 |
| JP2020015978A (ja) | 2020-01-30 |
| US11549185B2 (en) | 2023-01-10 |
| TW202017866A (zh) | 2020-05-16 |
| TW202340095A (zh) | 2023-10-16 |
| CN110724948B (zh) | 2023-07-07 |
| JP7310995B2 (ja) | 2023-07-19 |
| JP7124798B2 (ja) | 2022-08-24 |
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| WO2024053257A1 (ja) | 成膜用材料及び皮膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230606 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7310995 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |