JP7359136B2 - 粒子状溶射材料及び希土類酸化物溶射材料の製造方法、並びに希土類酸化物溶射膜及びその形成方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 87
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 84
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 82
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 39
- 239000011361 granulated particle Substances 0.000 claims description 21
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 17
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 15
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 10
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 10
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 4
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 102220043159 rs587780996 Human genes 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 5
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 3
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- YVHUUEPYEDOELM-UHFFFAOYSA-N 2-ethylpropanedioic acid;piperidin-1-id-2-ylmethylazanide;platinum(2+) Chemical compound [Pt+2].[NH-]CC1CCCC[N-]1.CCC(C(O)=O)C(O)=O YVHUUEPYEDOELM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N [Y].FOF Chemical compound [Y].FOF CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C04B41/81—Coating or impregnation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/134—Plasma spraying
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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Description
1.レーザー回折・散乱法による体積基準の平均粒径D50が10μm以上、18μm以下の粒子状の希土類酸化物であり、圧縮度が13以下であり、かつBET比表面積が0.1m2/g以上、2m2/g以下であることを特徴とする粒子状溶射材料。
2.水銀圧入法で測定した細孔容積分布において、細孔径1μmから10μmの範囲内に第1のピークと、細孔径が1μmより小さい範囲に第2のピークとを有し、細孔径1μmから10μmの範囲内の積算細孔容積(P1)に対する細孔径0.1μmから1μmの範囲内の積算細孔容積(P2)の比(P2/P1)が0.05以上、0.3以下であることを特徴とする1記載の粒子状溶射材料。
3.X線回折により測定される希土類酸化物のピークから算出される結晶子サイズが1μm以上であることを特徴とする1又は2記載の粒子状溶射材料。
4.上記希土類酸化物を構成する希土類元素が、イットリウム(Y)、ガドリニウム(Gd)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)から選ばれる1種以上を含むことを特徴とする1乃至3のいずれかに記載の粒子状溶射材料。
5.レーザー回折・散乱法による体積基準の平均粒径D50が10μm以上、18μm以下の粒子状の希土類酸化物溶射材料を製造する方法であって、
希土類酸化物の粒子と分散媒とを含むスラリーを調製する工程、
上記スラリーから、上記希土類酸化物の粒子を集合させた造粒粒子を得る工程、
上記造粒粒子を1400℃以上、1600℃以下の温度で焼成する工程、及び
上記焼成後の造粒粒子を2,400℃以上、3,900℃以下の温度の雰囲気に0.1秒以上保持し、上記焼成後の造粒粒子個々の少なくとも表面部を溶融させた後、上記雰囲気から取り出して冷却する工程
を含むことを特徴とする希土類酸化物溶射材料の製造方法。
6.1乃至4のいずれかに記載の粒子状溶射材料を用いて大気プラズマ溶射により形成してなり、気孔率が1%以下であることを特徴とする希土類酸化物溶射膜。
7.1乃至4のいずれかに記載の粒子状溶射材料を用い、大気プラズマ溶射により形成することを特徴とする希土類酸化物溶射膜の形成方法。
8.気孔率が1%以下である希土類酸化物溶射膜を形成することを特徴とする7記載の形成方法。
本発明の溶射材料は、希土類酸化物溶射材料である。この希土類酸化物溶射材料は、希土類元素(R)と酸素(O)とを含み、実質的に希土類元素と酸素とからなることが好ましいが、希土類元素及び酸素以外の元素の含有は、不純物量であれば許容される。希土類酸化物は、R2O3で表される希土類元素が3価の酸化物が好ましい。
圧縮度(%)=(タップ密度-疎充填時の嵩密度)/タップ密度×100
で求めることができる。また、粒子表面の形状や摩擦により決定される流動性の指標としては、安息角があるが、本発明の希土類酸化物溶射材料の安息角は、33°以下であることが好ましく、30°以下であることがより好ましい。
希土類酸化物の粒子と分散媒とを含むスラリーを調製する工程、
スラリーから、希土類酸化物の粒子を集合させた造粒粒子を得る工程、
造粒粒子を1400℃以上、1600℃以下の温度で焼成する工程、及び
焼成後の造粒粒子を2,400℃以上、3,900℃以下の温度の雰囲気に0.1秒以上保持し、焼成後の造粒粒子個々の少なくとも表面部を溶融させた後、上記雰囲気から取り出して冷却する工程(表面平坦化処理工程)
を含む方法により製造することができる。
〔溶射材料の製造〕
原料の希土類酸化物粒子として、実施例1~4では、酸化イットリウム(信越化学工業(株)製、Y2O3-UUHP、D50=0.1μm)を単独で用いた。実施例5では、酸化イットリウム(信越化学工業(株)製、Y2O3-UUHP、D50=0.1μm)と、酸化エルビウム(信越化学工業(株)製、Er2O3-UUHP、D50=0.1μm)と、酸化ホルミウム(信越化学工業(株)製、Ho2O3-UUHP、D50=0.1μm)とを、表1に示される比率となるように混合して用いた。
得られた溶射材料の物性を評価した。粒度分布(D10、平均粒径D50、D90、D100)は、粒子径分布測定装置(マイクロトラック・ベル(株)製、MT3300EXII)で、レーザー回折法により測定した。BET比表面積は、全自動比表面積測定装置((株)マウンテック製、Macsorb HM model-1280)で測定した。タップ密度と嵩密度は、パウダーテスタ(ホソカワミクロン(株)製、PT-X)で、JIS法により測定し、下記式、
圧縮度(%)=(タップ密度-嵩密度)/タップ密度×100
で、圧縮度を算出した。安息角は、パウダーテスタ(ホソカワミクロン(株)製、PT-X)で、注入法により測定した。細孔分布は、自動水銀ポロシメータ細孔分布測定装置(Micromeritics社製、AutoPore III)で、水銀圧入法により測定した。結晶子サイズは、結晶相を、X線回折装置(PANalytical社製、X-Part Pro MPD、CuKα線)で分析し、WPPD法(Whole-Powder-Pattern Decomposition method)を用いて、2θ=10~70°の範囲で算出した。結果を表1に示す。また、実施例1の溶射材料の表面平坦化処理前後の粒子について、走査型電子顕微鏡(SEM)像を、各々、図1、2に、粒度分布のチャートを、各々、図3、4に示す。また、実施例2の溶射材料の細孔径分布のチャートを図5に示す。
プラズマ溶射機(エリコンメテコ社製、F-4)にて、プラズマガスとして、アルゴンガスと水素ガスとの混合ガス、又はアルゴンガスと水素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用い、大気プラズマ溶射で、得られた溶射材料を溶射し、アルミニウム基材の表面に、厚さ200μm程度の溶射膜を形成して、溶射部材を得た。プラズマガス流量、印加電力及び溶射距離を表2に示す。
得られた溶射膜の物性を評価した。膜厚は、過電流式膜厚計((株)ケツト科学研究所製、LH-300)で測定した。表面粗さは、表面粗さ測定器HANDYSURF((株)東京精密製、E-35A)で測定した。溶射膜表面の硬度(ビッカース硬度HV)は、マイクロビッカース硬度計((株)島津製作所製、HMV―G31―XY―S)で、測定条件HV0.1(980.7mN)、10秒保持で、10回測定し、その平均値として評価した。気孔率は後述する方法で測定した。結果を表2に示す。
〔溶射材料の製造、及び溶射材料の物性の評価〕
原料の希土類酸化物粒子として、比較例1では、酸化イットリウム(信越化学工業(株)製、Y2O3-UUHP、D50=0.1μm)を単独で、比較例2では、酸化イットリウム(信越化学工業(株)製、Y2O3-UU、D50=0.1μm)を単独で用いた。
プラズマ溶射機(エリコンメテコ社製、F-4)にて、プラズマガスとして、アルゴンガスと水素ガスとの混合ガスを用い、大気プラズマ溶射で、得られた溶射材料を溶射し、アルミニウム基材の表面に、厚さ200μm程度の溶射膜を形成して、溶射部材を得た。プラズマガス流量、印加電力及び溶射距離を表2に示す。得られた溶射膜の物性を、実施例と同様の方法で評価した。結果を表2に示す。
溶射部材の試験片を樹脂に埋め込んで断面を切り出し、断面を鏡面仕上げ(Ra=0.1μm)した後、走査型電子顕微鏡(SEM)により断面像(倍率:200倍)を撮影した。10視野(1視野の撮影面積:0.017mm2)の撮影を行った後、画像処理ソフト「Photoshop」(アドビシステムズ株式会社製)で画像処理した後、画像解析ソフト「Scion Image」(Scion Corporation)を使って、気孔率の定量化を行い、10視野平均の気孔率を、画像総面積に対する百分率として評価した。
Claims (8)
- レーザー回折・散乱法による体積基準の平均粒径D50が10μm以上、18μm以下の粒子状の希土類酸化物であり、圧縮度が13以下であり、かつBET比表面積が0.1m2/g以上、2m2/g以下であることを特徴とする粒子状溶射材料。
- 水銀圧入法で測定した細孔容積分布において、細孔径1μmから10μmの範囲内に第1のピークと、細孔径が1μmより小さい範囲に第2のピークとを有し、細孔径1μmから10μmの範囲内の積算細孔容積(P1)に対する細孔径0.1μmから1μmの範囲内の積算細孔容積(P2)の比(P2/P1)が0.05以上、0.3以下であることを特徴とする請求項1記載の粒子状溶射材料。
- X線回折により測定される希土類酸化物のピークから算出される結晶子サイズが1μm以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の粒子状溶射材料。
- 上記希土類酸化物を構成する希土類元素が、イットリウム(Y)、ガドリニウム(Gd)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)から選ばれる1種以上を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の粒子状溶射材料。
- レーザー回折・散乱法による体積基準の平均粒径D50が10μm以上、18μm以下の粒子状の希土類酸化物溶射材料を製造する方法であって、
希土類酸化物の粒子と分散媒とを含むスラリーを調製する工程、
上記スラリーから、上記希土類酸化物の粒子を集合させた造粒粒子を得る工程、
上記造粒粒子を1400℃以上、1600℃以下の温度で焼成する工程、及び
上記焼成後の造粒粒子を2,400℃以上、3,900℃以下の温度の雰囲気に0.1秒以上保持し、上記焼成後の造粒粒子個々の少なくとも表面部を溶融させた後、上記雰囲気から取り出して冷却する工程
を含むことを特徴とする希土類酸化物溶射材料の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項記載の粒子状溶射材料を用いて大気プラズマ溶射により形成してなり、気孔率が1%以下であることを特徴とする希土類酸化物溶射膜。
- 請求項1乃至4のいずれか1項記載の粒子状溶射材料を用い、大気プラズマ溶射により形成することを特徴とする希土類酸化物溶射膜の形成方法。
- 気孔率が1%以下である希土類酸化物溶射膜を形成することを特徴とする請求項7記載の形成方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020211928A JP7359136B2 (ja) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 粒子状溶射材料及び希土類酸化物溶射材料の製造方法、並びに希土類酸化物溶射膜及びその形成方法 |
KR1020237024659A KR20230124032A (ko) | 2020-12-22 | 2021-12-16 | 희토류 산화물 용사 재료 및 그 제조 방법, 그리고희토류 산화물 용사막 및 그 형성 방법 |
US18/257,607 US20240035140A1 (en) | 2020-12-22 | 2021-12-16 | Rare earth oxide thermal spraying material and producing method thereof, and rare earth oxide thermal sprayed film and forming method thereof |
CN202180086497.1A CN116685564A (zh) | 2020-12-22 | 2021-12-16 | 稀土氧化物喷涂材料及其制造方法以及稀土氧化物喷涂膜及其形成方法 |
PCT/JP2021/046404 WO2022138410A1 (ja) | 2020-12-22 | 2021-12-16 | 希土類酸化物溶射材料及びその製造方法、並びに希土類酸化物溶射膜及びその形成方法 |
TW110147834A TW202239991A (zh) | 2020-12-22 | 2021-12-21 | 稀土類氧化物熔射材料及其製造方法、以及稀土類氧化物熔射膜及其形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020211928A JP7359136B2 (ja) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 粒子状溶射材料及び希土類酸化物溶射材料の製造方法、並びに希土類酸化物溶射膜及びその形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022098519A JP2022098519A (ja) | 2022-07-04 |
JP7359136B2 true JP7359136B2 (ja) | 2023-10-11 |
Family
ID=82159170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020211928A Active JP7359136B2 (ja) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 粒子状溶射材料及び希土類酸化物溶射材料の製造方法、並びに希土類酸化物溶射膜及びその形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240035140A1 (ja) |
JP (1) | JP7359136B2 (ja) |
KR (1) | KR20230124032A (ja) |
CN (1) | CN116685564A (ja) |
TW (1) | TW202239991A (ja) |
WO (1) | WO2022138410A1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002363724A (ja) | 2001-03-08 | 2002-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 溶射用球状粒子および溶射部材 |
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JP2016138309A (ja) | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射用粉末及び溶射材料 |
JP2019148010A (ja) | 2019-04-05 | 2019-09-05 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射膜 |
JP2020172702A (ja) | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 信越化学工業株式会社 | 溶射材料及びその製造方法、溶射皮膜及びその形成方法並びに溶射部材 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3523216B2 (ja) | 2001-04-06 | 2004-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 溶射用希土類含有化合物粒子、これを溶射した溶射部材 |
JP3672833B2 (ja) | 2000-06-29 | 2005-07-20 | 信越化学工業株式会社 | 溶射粉及び溶射被膜 |
JP3523222B2 (ja) | 2000-07-31 | 2004-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 溶射材料およびその製造方法 |
JP5396672B2 (ja) | 2012-06-27 | 2014-01-22 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射材料及びその製造方法 |
JP5987097B2 (ja) | 2015-09-07 | 2016-09-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射皮膜 |
FR3077287B1 (fr) * | 2018-01-31 | 2023-09-22 | Saint Gobain Ct Recherches | Poudre pour revetement de chambre de gravure |
-
2020
- 2020-12-22 JP JP2020211928A patent/JP7359136B2/ja active Active
-
2021
- 2021-12-16 CN CN202180086497.1A patent/CN116685564A/zh active Pending
- 2021-12-16 KR KR1020237024659A patent/KR20230124032A/ko unknown
- 2021-12-16 US US18/257,607 patent/US20240035140A1/en active Pending
- 2021-12-16 WO PCT/JP2021/046404 patent/WO2022138410A1/ja active Application Filing
- 2021-12-21 TW TW110147834A patent/TW202239991A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002363724A (ja) | 2001-03-08 | 2002-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 溶射用球状粒子および溶射部材 |
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JP2008024569A (ja) | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化ジルコニウム粉末の製造方法 |
JP2016138309A (ja) | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射用粉末及び溶射材料 |
JP2019148010A (ja) | 2019-04-05 | 2019-09-05 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射膜 |
JP2020172702A (ja) | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 信越化学工業株式会社 | 溶射材料及びその製造方法、溶射皮膜及びその形成方法並びに溶射部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202239991A (zh) | 2022-10-16 |
KR20230124032A (ko) | 2023-08-24 |
CN116685564A (zh) | 2023-09-01 |
US20240035140A1 (en) | 2024-02-01 |
WO2022138410A1 (ja) | 2022-06-30 |
JP2022098519A (ja) | 2022-07-04 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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