JP2022151595A - テンプレートのずれを軽減するためのマグニフィケーションランプスキーム - Google Patents

Abstract

【課題】２つ以上の力アクチュエータに制御信号を供給する方法及びシステムの提供。【解決手段】２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、定義された力の値を有する。同一の初期の定義された値の時間で、定義された力の値に到達するために供給される力をランプするために、アクチュエータのそれぞれに、第１セットの制御信号を送ることと、同一の最終の定義された値の時間で開始し、供給される前記力を個別の設定点の値に低減するために、前記アクチュエータのそれぞれに、第２セットの制御信号を送ることと、を含み、２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、同一の設定点の時間で、それらの個別の設定点の値に到達する。【選択図】図１

Description

本開示は、ナノインプリントリソグラフィにおける制御システムに関し、より具体的には、インプリントリソグラフィプロセスの間に、アクチュエータによって与えられる力を制御するシステムに関する。

ナノインプリントリソグラフィにおいて、目標は、インプリントテンプレートのパターンを基板上の対応するフィールドに転写することである。これを達成するために、硬化性液体レジストが基板上に分配され、硬化プロセスの後、テンプレート上のパターンが基板上の特定のフィールドに転写されるように、テンプレートが基板に接触させられる。このプロセスを容易にするため、テンプレートと基板との間の形状の差を低減するのに役立つテンプレート形状に修正するために、アクチュエータによってテンプレートに力が与えられる。

このディストーションは、テンプレートのエッジに力を与える複数のアクチュエータを使用して生じる。これに関連する問題は、硬化性液体レジストをテンプレートと接触させる前に、テンプレートのマグニフィケーションの力が閾値レベル以上のレベルまで増加することである。これは、複数のアクチュエータのそれぞれが、マグニフィケーション（Ｍａｇ）ランプ軌道の間、異なる時間にレベルに到達する結果となる。これは、テンプレートのずれ（ｓｌｉｐｐａｇｅ）、並びに、レジストレーション及びオーバーレイ制御の誤差の原因なるＭａｇの不均衡な力を引き起こす。これが硬化性液体レジストの分配の間にテンプレートが基板に接触する前に生じる場合、特に問題となる。

例示的なＭａｇランプスキームでは、現在使用されている５つのランプ軌道が５つのディストーション設定点（ＭａｇＸ、ＭａｇＹ、Ｓｋｅｗ、ＴｒａｐＸ及びＴｒａｐＹ）のそれぞれに対して使用される。そして、これらの５つのディストーション軌道の出力に補正比マトリクスを乗じることで、複数のアクチュエータのそれぞれに対する個別のアクチュエータ力設定点を得る。その結果、複数のアクチュエータのそれぞれは、異なる時間で上限に到達し、また、基板上の次のフィールドに対して与えられる次の制御ループの制御マグニフィケーションに向かってランプ（傾斜）する際に、互いに異なる時間で上限の期間を終了する。これらは、図１１～図１３に示される。このスキームに関連する欠点は、テンプレートのずれの可能性、及び、不要な高次ディストーションの適用をもたらす上限の期間に個々のアクチュエータが出入りする際に生じるアクチュエータの力の不均衡である。従って、上述の問題を解決するための制御機構を提供することが望ましい。

本開示によれば、２つ以上の力アクチュエータに制御信号を供給する方法及びシステムが提供され、前記２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、定義された力の値を有する。前記方法は、同一の初期の定義された値の時間で、前記定義された力の値に到達するために供給される力をランプするために、前記アクチュエータのそれぞれに、第１セットの制御信号を送ることと、同一の最終の定義された値の時間で開始し、供給される前記力を個別の設定点の値に低減するために、前記アクチュエータのそれぞれに、第２セットの制御信号を送ることと、を含み、前記２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、同一の設定点の時間で、それらの個別の設定点の値に到達する。

１つの実施形態において、前記定義された力の値は、各アクチュエータによって与えることができる力の最大量を表す、或いは、前記定義された力の値は、各アクチュエータによって与えることができる力の最小量を表す。

その他の実施形態において、前記第１セットの制御信号及び前記第２セットの制御信号のそれぞれは、時間の経過とともに前記アクチュエータのそれぞれによって与えられる力の量を制御する、前記アクチュエータのそれぞれに与えられる個々の力の軌道を含む。更に、前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、少なくとも１つの力のパラメータと、前記２つ以上の力アクチュエータの総数の全体で前記少なくとも１つの力のパラメータの値を変換する補正マトリクスとに基づいて、前記力の軌道が計算される。前記２つ以上の力アクチュエータの個々のアクチュエータに、第１制御信号又は第２制御信号として、前記計算された力の軌道が送られ、時間が前記初期の定義された値の時間よりも早ければ、第１制御信号として、制御信号が送られ、時間が前記最終の定義された値の時間よりも遅ければ、第２制御信号として、前記制御信号が送られる。

別の実施形態において、前記第１制御信号及び前記第２制御信号は、少なくとも２つのアクチュエータのそれぞれを、共通のランプ開始時間、及び、同一のランプ持続時間で一緒にランプさせる。

更なる実施形態によれば、前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、前記個々のアクチュエータを同一の時間で前記初期の定義された値の時間に到達させる所定のランプ期間にわたるランプ軌道が計算され、前記２つ以上の力アクチュエータの個々のアクチュエータに、第１制御信号又は第２制御信号として、前記計算されたランプ軌道が送られ、時間が前記初期の定義された値の時間よりも早ければ、第１制御信号として、制御信号が送られ、時間が前記最終の定義された値の時間よりも遅ければ、第２制御信号として、前記制御信号が送られる。更に、前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、ランプ期間内の所定の経過時間に対する力の軌道の値を計算するために、前記ランプ期間の間の前記ランプ軌道が繰り返し更新される。

本明細書に記載される主題の１つ以上の実施の詳細は、以下の添付図面及び記載で説明される。主題のその他の潜在的な特徴、側面及び利点は、記載、図面及び特許請求の範囲から明らかにされるであろう。

図１は、ナノインプリントリソグラフィシステムの側面図を表現する。 図２は、図１の基板の側面図を表現する。 図３は、変形機構の構成を表現する。 図４は、変形機構を制御する制御アルゴリズムのフローチャートである。 図５は、変形機構を制御する制御アルゴリズムの一側面のフローチャートである。 図６は、変形機構を制御する制御アルゴリズムの一側面のフローチャートである。 図７は、変形機構を制御する制御アルゴリズムの一側面のフローチャートである。 図８は、動作中の制御アルゴリズムの一部を示すプロットである。 図９は、動作中の制御アルゴリズムの一部を示すプロットである。 図１０は、制御アルゴリズムの影響を示すプロットである。 図１１は、従来技術の制御アルゴリズムを示すプロットである。 図１２は、従来技術の制御アルゴリズムを示すプロットである。 図１３は、従来技術の制御アルゴリズムを示すプロットである。

図１は、基板１０２の上にレリーフパターンを形成するインプリントリソグラフィシステム１００を示す。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されてもよい。幾つかの例において、基板チャック１０４は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁チャック、又は、その他の適切なチャックを含む。例示的なチャックは、米国特許第６，８７３，０８７号に記載されており、これは参照により本明細書に組み込まれる。基板１０２及び基板チャック１０４は、ステージ１０６によって更に支持されてもよい。ステージ１０６は、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸に関する運動を提供し、同様に、ｚ軸周りの回転（例えば、θ）を提供する。この点において、ステージ１０６は、ＸＹθステージを引用してもよい。また、ステージ１０６、基板１０２及び基板チャック１０４は、ベース（不図示）の上に位置決めされてもよい。

インプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２から離間しているインプリントリソグラフィテンプレート１０８を含む。幾つかの例において、テンプレート１０８は、テンプレート１０８から基板１０２に向かって延在するメサ１１０（モールド１１０）を含む。幾つかの例において、テンプレート１１０は、パターニング面１１２を含む。テンプレート１０８及び／又はモールド１１０は、これらに限定されないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイア、又は、その他の適切な材料を含む材料から形成されてもよい。図示された例において、パターニング面１１２は、離間した凹部１２４及び凸部１２６によって定義される複数の特徴を含む。上述したように形成されるパターンは、単に、例示の目的のためであって、任意のタイプのパターンがパターニング面１１２の上に表されてもよい。従って、パターニング面１１２は、インプリントプロセスを介して、基板１０２の上に形成すべきパターンの基礎を形成する任意のパターンを定義してよい。

テンプレート１０８は、テンプレートチャック１２８に結合されてもよい。幾つかの例において、テンプレートチャック１０８は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁チャック、又は、その他の適切なチャックを含む。例示的なチャックは、米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。幾つかの実施形態において、テンプレートチャック１２８は、基板チャック１０４と同一のタイプであってもよい。別の実施形態において、テンプレートチャック１２８と基板チャックとは、異なるタイプのチャックであってもよい。更に、テンプレートチャック１２８は、テンプレートチャック１２８、インプリントヘッド１３０、又は、両方がテンプレート１０８の移動を容易にするように構成されるように、インプリントヘッド１３０に結合されてもよい。テンプレート１０８の移動は、テンプレートの平面内の移動（面内移動）と、テンプレートに対するテンプレートの平面外の移動（面外移動）と、を含む。面内移動は、テンプレートの平面内（例えば、図１に表現されるように、ＸＹ平面内）におけるテンプレート１０８の並進と、テンプレートの平面内（例えば、ＸＹ平面内及びＺ軸周り）におけるテンプレートの回転と、を含む。基板１０２に対するテンプレート１０８の並進又は回転は、基板の並進又は回転によって実現されてもよい。テンプレート１０８の面内移動は、テンプレートのＸＹ平面内におけるテンプレートの寸法を増加又は減少させるために、テンプレートの反対側での圧縮力を（例えば、マグニフィケーションアクチュエータを用いて）増加又は減少させることも含む。力を与える、及び、調整する機構及び制御は、図３～図１０に関して、以下で説明される。テンプレート１０８の面外移動は、（例えば、テンプレートと基板との間の距離を増加又は減少させることによって、テンプレートを介して、基板に与えられる力を増加又は減少させるために）Ｚ軸に沿ったテンプレートの並進と、テンプレートのＸＹ平面内の軸周りのテンプレートの回転と、を含む。テンプレートのＸＹ平面内の軸周りのテンプレート１０８の回転は、テンプレート１０８のＸＹ平面と基板１０２のＸＹ平面との間の角度を変化させ、ここでは、基板に対してテンプレートを「傾斜させる」こと、又は、基板に対するテンプレートの「傾斜」又は「傾斜角度」を変化させること、と称される。米国特許第６，３８７，４８２号は、インプリントリソグラフィシステムにおけるインプリントヘッドを介したテンプレートの移動を開示しており、参照により本明細書に組み込まれる。

インプリントリソグラフィシステム１００は、流体分配システム１３２を更に含んでいてもよい。流体分配システム１３２は、基板１０２の上に重合性材料１３４を配置するために使用されてもよい。重合性材料１３４は、ドロップディスペンス、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、厚膜蒸着、又は、その他の適切な方法などの技術を使用して、基板１０２の上に配置されてもよい。幾つかの例において、重合性材料１３４は、所望の体積がモールド１１０と基板１０２との間に定義される前又は後に、基板１０２の上に配置される。重合性材料１３４は、米国特許第７，１５７，０３６号及び米国特許出願公開第２００５／０１８７３３９号に記載されているようなモノマーを含んでいてもよく、これらの両方が参照により本明細書に組み込まれる。幾つかの例において、重合性材料１３４は、複数の液滴１３６として、基板１０２の上に配置される。

図１及び図２を参照するに、インプリントリソグラフィシステム１００は、パス１４２に沿って直接エネルギー１４０に結合されたエネルギーソース１３８を更に含んでいてもよい。幾つかの例において、インプリントヘッド１３０及びステージ１０６は、テンプレート１０８及び基板１０２をパス１４２と重ね合わせて位置決めするように構成される。インプリントリソグラフィシステム１００は、ステージ１０６、インプリントヘッド１３０、流体分配システム１３２、エネルギーソース１３８、又は、それらの任意の組み合わせと通信するコントローラ１４４によって調整されてもよく、メモリ１４６に記憶されたコンピュータ可読プログラム上で動作してもよい。

幾つかの例において、インプリントヘッド１３０、ステージ１０６、又は、その両方は、重合性材料１３４によって充填される、それらの間に所望の体積を定義するために、モールド１１０と基板１０２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッド１３０は、モールド１１０が重合性材料１３４と接触するように、テンプレート１０８に力を与えてもよい。所望の体積が重合性材料１３４によって充填された後、エネルギーソース１３８は、重合性材料１３４を重合させ、基板１０２の表面１４８及びパターニング面１１２の形状に一致させるための、広帯域紫外線などのエネルギー１４０を生成し、基板１０２の上にポリマーパターン層１５０を定義する。幾つかの例において、パターン層１５０は、残存層１５２と、凸部１５４及び凹部１５６として示される複数の特徴と、を含み、凸部１５４は、厚さｔ１を有し、残存層１５２は、厚さｔ２を有する。

上述のシステム及びプロセスは、米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許出願公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許出願公開第２００４／０１８８３８１号及び米国特許出願公開第２００４／０２１１７５４号に参照されるインプリントリソグラフィプロセス及びシステムで更に実施されてもよく、これらの全てが参照により本明細書に組み込まれる。

インプリントリソグラフィ基板及びテンプレートは、テンプレートと基板とのリアルタイムアライメントを可能にするアライメントマークの対応するペアを含んでいてもよい。パターンテンプレートが基板の上に位置決めされた（例えば、基板の上に重ね合わされた）後、基板アライメントマークに対するテンプレートアライメントマークのアライメントが決定される。アライメントスキームは、対応するアライメントマークのペアに関連するアライメント誤差の「スルーザメサ」（ＴＴＭ）計測と、それに続く、米国特許第６，９１６，５８５号、米国特許第７，１７０，５８９号、米国特許第７，２９８，４５６号及び米国特許第７，４２０，６５４号に開示されているような、テンプレートと基板の上の所望のインプリント位置との正確なアライメントを実現するための、それらの誤差の補償と、を含んでいてもよく、これらの全てが参照により本明細書に組み込まれる。アライメント誤差は、基板とテンプレートとの相対的な位置決め、基板又はテンプレートの変形、又は、それらの組み合わせによって引き起こされる。アライメント誤差は、インプリントリソグラフィプロセスの１つ以上の動作、及び、インプリントリソグラフィプロセスを実行する機械によって引き起こされる振動の導入によっても引き起こされる。

図３は、例示的な変形機構３１０、及び、複数の変形機構の個々の変形機構３１０に送られ、通信され、或いは、伝達される制御値を選択的に決定して与える制御システムを示す。これらの制御信号は、インプリントパターン１１２が基板１０２と優れたフィットを形成し、それにインプリントパターン１１２を転写することができるように、個々の変形機構３１０が図１に示すテンプレート１０８に与えられる圧縮力を与える、及び、修正する。変形機構３１０は、テンプレート１０８の４つの側面３０２ａ～３０２ｄに力を与えることによって、テンプレート１０８のパターン領域１１２を変形させてもよい。ここに示すように、この例示的な実施形態は、１６個の変形機構３１０を含む。個々の変形機構３１０は、接触部分３１４に接続されたアクチュエータ３１２を含み、接触部分３１４は、それに隣接するテンプレート側面３０２ａ～３０２ｄの少なくとも一部に接触する。変形機構３１０のそれぞれは、（破線によって示される）コントローラ１１４に接続される。コントローラ１１４は、その形状を修正するために、個別の変形機構３１０のそれぞれによってテンプレート１０８の側面３０２ａ～３０２ｄに与えるべき力の量を選択的に決定する少なくとも１つの制御アルゴリズムを実行する。

コントローラ１４４は、図１に示すように、少なくとも１つの中央演算装置（ＣＰＵ）及びメモリを含み、説明された動作及び／又は機能の１つ以上を行うために、メモリに記憶された命令を実行することができる。コントローラ１４４は、１つ以上のメモリ（例えば、ＲＡＭ及び／又はＲＯＭ）と通信し、幾つかの例では、１つ以上の制御動作を行うために、記憶された命令を実行する。その他の例において、コントローラ１１４は、後述する種々の信号の演算及び生成に使用される１つ以上のメモリに、データを一時的に記憶させてもよい。
このように、コントローラ１４４は、ＲＡＭ及び／又はＲＯＭに記憶されたコンピュータプログラム（ＣＰＵによって実行可能な１つ以上の記憶された命令のシリーズ）及びデータを使用して、図１のシステム１００を制御する。ここで、コントローラ１４４は、ＣＰＵとは異なる１つ以上の専用のハードウェア又はグラフィックスプロセッシングユニット（ＧＰＵ）を含んでいてもよいし（又は、それらと通信してもよいし）、ＧＰＵ又は専用のハードウェアは、ＣＰＵによるプロセスの一部を行ってもよい。専用のハードウェアの一例として、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）などがある。幾つかの実施形態において、コントローラ１４４は、専用のコントローラであってもよい。その他の実施形態において、制御システム１００は、ここで説明する動作を実施するために、互いに通信する複数のコントローラと、制御システム１００のその他の構成要素と、を含んでいてもよい。

コントローラ１１４と変形機構３１０のそれぞれとの間の接続は、個々の接触部分３１４を介して、側面３０２ａ～３０２ｄに種々のレベルの力を与えるために、１つ以上の制御信号（制御値の時系列）がアクチュエータ３１２を制御する個々の変形機構３１０に通信されることを可能にする。これらの制御信号は、有線又は無線通信経路を介して、変形機構３１０のそれぞれに送られ、伝達され、或いは、通信されてもよい。アクチュエータ３１２は、それに隣接するテンプレート１０８の側面の部分に力が与えられるように、接触部分３１４を駆動する。ここでは、２つの別個の構成要素として示されているが、アクチュエータ３１２と接触部材３１４とは、互いに一体に形成されていてもよい。変形機構３１０のアクチュエータ３１２の部分は、これに限定されないが、空気力学、圧電、磁歪及びボイスコイルを含む任意の作動機構であってもよい。１つの実施形態において、変形機構３１０は、制御信号が変形機構３１０の移動及び動作を制御するリンケージシステムに供給することができるように、フレームに載置され、リンケージシステムを介してリンクされてもよい。

例示的な制御アルゴリズムは、テンプレート１０８の側面３０２ａ～３０２ｄから外力を与えることによって、テンプレート１０８を物理的に変形させる補正機構として変形機構３１０を動作させるものを含む。これらの力を与えることによって、基板の上に形成されたパターン（ショット領域）の形状とパターン領域１１２の形状との間の差が低減されるように、パターン領域１１２の形状が補正される。これにより、基板の上に形成されたパターンと基板の上に形成された新たなインプリント材料のパターンとのオーバーレイ精度が向上される。変形機構３１０によって制御することができるパターン領域１１２の形状（サイズを含む）の例示的な成分は、例えば、マグニフィケーション成分、及び、ディストーション成分（例えば、ひし形形状、台形形状などを有する成分、又は、高次を有する成分）を含んでいてもよい。

図３に示すような１６個の変形機構の図示は、単に、例示の目的のために行われ、単に、１つの可能性のある実施形態を示すにすぎないことに留意されたい。その他の実施形態において、変形機構３１０の数Ｎがあってもよく、Ｎは、少なくとも２である。使用される変形機構の数は、テンプレートのサイズ、及び、テンプレートの種々の側面に与えるべき所望の力の量に基づいて決定されてもよい。１つの実施形態において、テンプレート１０８の各側面３０２ａ～２０１ｄに同数の変形機構３１０がある。

インプリントプロセスの間、変形機構３１０の動作は、開ループでサイクルされ、それにより、それらは、第１レベルの圧縮力から第２レベルの圧縮力にサイクルされ、次いで、第３レベルの圧縮力に戻る。第２レベルの圧縮力は、変形機構３１０の設計によって定義される圧縮力の上限である。第１及び第３レベルの圧縮力は、それぞれ、第２レベルよりも低く、与えられた硬化性液体レジストが、硬化する前に、全ての領域、隙間及びエア空間を充填することができるように、基板に対するテンプレートの適切なフィットを確保するために、テンプレート１０８の変形に必要となる圧縮に従って、システム設計によって決定される。１つの実施形態において、第１レベル及び第３レベルは、実質的に、同一のレベルの圧縮力を表す。別の実施形態において、第１レベル及び第３レベルは、異なるレベルのそれぞれが第２レベルによって定義される上限未満である限り、異なるレベルの圧縮力を表す。レジストを分配する前のマグニフィケーション制御（例えば、流体充填（ＦＦ））は、高い圧縮状態から開始してより再現性が高いため、第２レベルから第３レベルにサイクルすることが好ましい。代替の実施形態において、第２レベルの圧縮力は、変形機構３１０の設計によって定義される圧縮力の下限であり、第１及び第３レベルは、第２レベルを超える。代替の実施形態において、第２レベルの圧縮力は、変形機構３１０の１つ以上の圧縮力がそれらの限界でない値のセットである。

上述のサイクリングによる問題は、基板の上のインプリント不良を引き起こすテンプレートのずれをもたらす不均衡なマグニフィケーション力の原因となる。これらの問題は、変形機構３１０のそれぞれが異なる時間で第２レベル（例えば、上限）に到達し、そして、変形機構３１０のそれぞれが異なる時間で第３レベル（例えば、低い圧縮状態）にサイクルダウンすることによって引き起こされる。本開示における制御アルゴリズムは、全ての変形機構が同一の時間で初期の上限値に到達するように、圧縮力の上限までのランプアップの間に、変形機構３１０のそれぞれに与えるべき最終の力の値を計算する、複数の変形機構（例えば、アクチュエータ）のそれぞれに対して個別のランプ軌道を使用するマグニフィケーション力（Ｍａｇ）スキームを提供する。この利点は、複数の変形機構のそれぞれが同一の時間でそれらの圧縮力の上限に到達することである。その結果、Ｍａｇ力が均衡を維持し、Ｍａｇランプ期間の終点で滑らかな遷移を生じ、これにより、硬化性液体レジストを分配及び硬化してパターン転写を実現する前に、テンプレートが所定の位置からずれるリスクを低減する。

図４～図７は、複数の変形機構によって、複数の変形機構３１０のそれぞれによってテンプレート１０８に与えられるＭａｇ力を制御する制御アルゴリズムの種々の側面を示す。ここで説明されるアルゴリズムは、図１及び図３に示されるコントローラ１４４によって実行される。各コントローラ１４４は、説明される機能を行うために、コントローラ１４４のＣＰＵによって実行される記憶された命令のシリーズを備えていてもよい。その他の実施形態において、ここで説明される各コントローラは、それ自身のＣＰＵ及びメモリを備え、それらに関連する処理を行うために専用である個別の集積回路として実施されてもよい。その他の実施形態において、ここで説明される１つ以上のコントローラは、単一の集積回路として実施されてもよい。更に、幾つかの実施形態において、幾つかの説明されたコントローラは、専用の処理ユニットであってもよく、ここで説明される機能動作を完了するために記憶された命令を実行するコントローラのＣＰＵと通信してもよい。

図４は、インプリントリソグラフィプロセスで使用するためのＭａｇ制御シーケンスのアルゴリズムを示す。動作において、Ｍａｇ制御シーケンスは、テンプレートが基板に接触させられる前に、力がテンプレートに与えられることを保証する。例示的な動作において、硬化性液体レジストは、一般的に、Ｍａｇ制御シーケンスが行われる前に、インプリントされる基板の特定のフィールドの上に分配される。但し、変形機構３１０によって与えられるＭａｇ力が、テンプレートが基板に接触する前に与えられる限り、そうである必要はない。

要約的な動作において、プロセスは、複数の変形機構（「フィンガー」としても知られる）のそれぞれについて、力の軌道を計算及び実行する。各変形機構３１０によってテンプレート１０８の側面の部分に供給すべき最終の力の軌道は、複数のディストーションのパラメータ及び力補正マトリクスを使用して計算される。２次変形の形態は、流体充填開始時間においてランピング目標（ｒａｍｐｉｎｇ ｔａｒｇｅｔｓ）に使用される閉ループ制御マグニフィケーション軌道最終力の間に与えられる１つ以上の２次変形値に基づいて制御される２次変形機構を介して提供されてもよい。２次変形機構は、変形機構３１０以外の変形機構の一種である。この２次変形機構は、米国特許第９，８２３，５６２号及び米国特許第９，９２７，７００号に記載されているように、時間的に変化する熱膨張を引き起こす、空間的－時間的に調節可能な熱の分布を基板及びテンプレートの一方又は両方に提供してもよく、これらは参照により本明細書に組み込まれる。熱は、空間光変調器によって変調されたＬＥＤ又はレーザによって供給されてもよい。また、２次変形機構は、米国特許出願公開第２０１９／０３１０５４７号及び米国特許出願公開第２０２０／０１８３２７０号に記載されているように、各ゾーンに与えられる圧力（正圧又は負圧）を独立して制御するために、複数の独立して制御可能なゾーン（領域又は凹部としても知られる）を備えるゾーン型基板チャック（基板保持ユニット又は基板ホルダとしても知られる）を含んでいてもよく、これらは参照により本明細書に組み込まれる。このようにして、変形機構３１０によって与えられる全ての力は、個別に計算されたフィンガーランプ軌道に基づいて、同一の時間で飽和（例えば、それらの圧縮力の上限又は圧縮力の下限のいずれから）に出入りする。また、計算された力の軌道は、いずれの時間でも、飽和レベル（上限又は下限）を超えない。

１つの実施形態において、アルゴリズムは、Ｘ方向のマグニケーション力（ＭａｇＸ）、Ｙ方向のマグニフィケーション力（ＭａｇＹ）、スキューのパラメータ（Ｓｋｅｗ）、Ｘ方向の台形ディストーション（ＴｒａｐＸ）及びＹ方向の台形ディストーション（ＴｒａｐＹ）に関連する値を含む５つのディストーションのパラメータ（例えば、設定点）を使用する。１つの実施形態において、各ディストーションのパラメータに対する各値は、軌道を表す。

図４を参照するに、インプリントプロセスは、Ｓ４００で開始する。ステップＳ４０２において、アルゴリズムは、時間＝０で始まる分配マグニフィケーション状態を表す第１状態（ＤｉｓｐｅｎｓｅＭａｇＳｅｔｐｔｓ）に関連する初期ディストーションのパラメータの値に関連するディストーションのパラメータ（ＦｏｒｃｅＳｅｔｐｔｓ）の値を設定する。分配マグニフィケーション状態は、液滴１３６がインプリントすべきフィールドに流体分配システムによって分配されている間の変形機構３１０の状態である。代替の実施形態において、分配マグニフィケーション状態は、テンプレート１０８がインプリントされた前のフィールドから引き離された後であって、テンプレートがインプリントされる現在のフィールドに接触する前の変形機構３１０の状態である。１つの実施形態において、第１状態では、設定点は、ＭａｇＸ及びＭａｇＹに対する高い圧縮力に関連付けられ、Ｓｋｅｗ、ＴｒａｐＸ及びＴｒａｐＹに対する設定点の値は、典型的には、０である。ステップＳ４０４において、ディストーション機構３１０の力の軌道の時間の値は、構成されたように設定される。これは、各ディストーション機構３１０が上限の圧縮力に到達するまでの時間を表す。ステップＳ４０６において、アルゴリズムは、２次変形値をゼロに設定する。ステップＳ４０２～Ｓ４０６は、基板上の第１フィールドにテンプレートのパターンがインプリントされる前の初期化期間を表す。

この際、アルゴリズムは、Ｓ４０８において、図５で更に説明されるマグニフィケーション制御サブタスクを実行する。マグニフィケーション制御サブタスクは、Ｓ５００で開始する。ステップＳ５０２において、初期ディストーションのパラメータの値は、演算によって、補正マトリクスを使用して、力の値に変換される。補正マトリクスは、システムにおけるディストーション機構３１０の数によるディストーションのパラメータの数と等しいサイズを有する変換マトリクスである。例示的な実施形態において、ディストーションのパラメータの数は５であり、ディストーション機構３１０の数は１６であり、補正マトリクスは５×１６のマトリクスであり、米国特許第７，７６８，６２４号に記載されているように、並列に計算されてもよく、その開示の全体が参照により本明細書に組み込まれる。Ｓ５０２で計算された力の値は、Ｓ５０２で計算された力の値の数がシステムにおけるディストーション機構３１０の数と等しくなるように、ディストーション機構３１０ごとに行われる。ステップＳ５０４において、２次変形値は、計算された力の各値に加算される。１つの実施形態において、２次変形値は、基板の計測に基づいてインプリントされる特定の基板に関連するキャリブレーションプロセスに基づいている。別の実施形態において、これらの値は、基板の種類に基づいて、事前に定義される。２次変形機構の例示的なタイプ、及び、それらを制御するのに使用される値は、米国特許第９，５９４，３０１号に記載されており、その開示の全体が参照により本明細書に組み込まれる。その後、ステップＳ５０６において、各ディストーション機構３１０に対して計算された力の値は、計算された力の値がディストーション機構３１０によって与えられるべき最小の力の値を下回らず、且つ、ディストーション機構３１０によって与えられるべき最大の力の値を超えないように、ディストーション機構３１０に関連する最小及び最大の力の限界によって制限される。与えられるべき最大の力の値は、システムの設計によって定義される上限の圧縮力の値を表す。

ステップＳ５０８において、サブタスクは、１つ以上の設定値が変更されたかどうかを問い合わせる。１つの実施形態において、アルゴリズムは、１つ以上のディストーション機構３１０に対する最終の力の軌道の値に変更があったかどうかを問い合わせる。別の実施形態において、アルゴリズムは、ランプ持続時間に変更があったかどうかを問い合わせる。別の実施形態において、アルゴリズムは、上述の問い合わせのそれぞれを連続して行う。問い合わせの結果が、設定値（力の値、又は、ランプ持続時間の値のいずれか）の変更があることを示すｙｅｓであれば、アルゴリズムは、Ｓ５０９において、使用される種々の力及び時間のパラメータの値を設定する第１関数呼び出し「ｒａｍｐ＿ｉｎｉｔ＿ｓｔａｒｔ＿ｔｉｍｅ」を行う。所定の開始の力、最終の力、開始時間及びランプを備える、複数のディストーション機構３１０のそれぞれ１つに対するランプ軌道を構成する第１関数呼び出しは、図６に示されている。図６に示すように、第１関数呼び出しは、入力として、設定値が関連付けられた特定のディストーション機構３１０を識別する識別子を取る。設定値は、開始の力の値と、最終の力の値と、現在の時間と、ランプ時間とを含む。これは、これらの値のそれぞれが、ディストーション機構３１０によって与えられるべき力を制御するために、システムによって使用されるように設定される結果となる。図５のＳ５０８に戻って、Ｓ５０９の第１関数呼び出しの後、アルゴリズムは、各ディストーション機構３１０について、所定の時間に与えられるべき力の値を識別するために、第２関数呼び出しＳ５１０を行う。ランプ期間内の所定の経過時間に対する、個々のディストーション機構３１０に対する、力の値の設置点を計算するために、ランピング時間の間、繰り返し呼び出される第２関数呼び出しは、図７に示されている。図７に示すように、第２関数呼び出しは、入力として、特定のディストーション機構３１０を識別するための識別子、及び、複数のディストーション機構３１０のうちの１つに与えられ、且つ、関連付けられた力の値を決定するための現在の時間の値を取る。第２関数呼び出しは、現在の時間の値が開始時間の値よりも早いかどうかを判定し、そうであるなら、第１関数呼び出しの間に設定された開始の力の値が使用され、チェックされている個々のディストーション機構３１０に関連付けられる。現在の時間が開始時間よりも早くなければ、第２関数は、現在の時間の値が設定された最終の時間（例えば、終了の時間）よりも遅いか又は等しいかどうかを問い合わせ、そして、第１関数呼び出しの間に設定された最終の力の値が戻され、チェックされている個々のディストーション機構３１０に使用される。第２関数が、現在の時間が最終の時間よりも遅くない又は等しくないと判定したら、以下の式に従って、チェックされている個々のディストーション機構３１０に関連付けられた力の値が計算される。

（開始の力）＋（現在の時間－開始の時間）×（（最終の力－開始の力）／（ランプ時間）
Ｓ５１０における第２関数の結果は、各ディストーション機構３１０がともにインプリントプロセスの次の段階に出入りし、それにより、テンプレートの不均衡を低減するように、複数のディストーション機構３１０のそれぞれの力の値の設定点をもたらす。Ｓ５１２において、複数のディストーション機構３１０のそれぞれに対する個々の力の値が設定され、それにより、任意の以前に記憶されたディストーション機構３１０の力の値が置き換えられ、図５のサブタスクは、Ｓ５１４で終了し、図４のアルゴリズムに戻る。

Ｓ４０８におけるサブタスクが完了すると、アルゴリズムは、Ｓ４１０の現在の時間における現在の動作状態を問い合わせる。より具体的には、Ｓ４１０は、システムが、分配マグニフィケーション期間の間に設定された個別の圧縮力の値に従ってテンプレートが圧縮され、テンプレートが最初に基板１０２の上の重合性材料１３４に接触し、テンプレートチャック１２８によってテンプレート１０８の中心部分に与えられる背圧によりテンプレートが湾曲された時間を示すＣＬ１状態であるかどうかを問い合わせる。ＣＬ１＋ＣＬ２の期間の間、個別のディストーション機構３１０は、全てのディストーション機構３１０が同一の時間にランプアップした上限の圧縮力の値からランプダウンする。ＣＬ１の段階の間、個別のディストーション機構３１０は、テンプレートに与えられる力をランプダウンして、インプリントフィールドのエッジへの成形可能材料１３４の動的な広がりを可能にするように制御される。ＣＬ１の終了は、ＣＬ２の段階であって、インプリントの力及び背圧は、重合性材料１３４が残りの空間、空隙及びテンプレートによって定義されるその他の領域に充填されることを可能とする、それらの流体充填（ＦＦ）の力及び背圧の値に迅速に緩和される。

上述の動作は、ステップＳ４１２～Ｓ４１８で行われる。より具体的には、Ｓ４１２において、幾つかの実施形態では、制御バイアスの値を含むディストーションのパラメータの値は、特定の変形機構３１０のそれぞれに対する、最終の力の軌道の計算に使用される。制御バイアスの値は、特定のインプリントプロセスの特定の特性に従って設定される。制御バイアスの値は、マグニフィケーションの閉ループ制御（ＣＬＣＭ）の開始時に、複数のディストーション機構３１０によって供給される力である最終の目標の力の決定に使用される構成要素である。ディストーション機構３１０のそれぞれによって与えられる力は、上限の圧縮力の値から予め定義された力のレベルに低減され、それにより、複数のディストーション機構３１０のそれぞれは、同一の時間に、与えられる力の低減を開始する。Ｓ４１４において、複数のディストーション機構３１０のそれぞれに対する力の軌道の時間は、ＣＬ１の段階の時間にＣＬ２の段階の時間をプラスしたものに等しい時間に設定され、Ｓ４１６において、複数のディストーション機構３１０のそれぞれに対する２次変形の値は、インプリントプロセスの特定の特性に従って設定される。Ｓ４１８において、Ｍａｇ制御サブタスクは、再開され、Ｓ４０８に関して上述したように動作するが、複数のディストーション機構３１０のそれぞれのランピングが同一の開始時間で開始し、同一の終了時間に予め定義された力の値（Ｆｉｎａｌ Ｆｏｒｃｅ［１６］）に到達するために、圧縮力の上限（Ｓｔａｒｔ Ｆｏｒｃｅ［１６］）からのランプ時間の間、力の値が繰り返し低減されることだけが異なる。代替の実施形態において、Ｓ４１８のＭａｇ制御サブタスクは、複数のディストーション機構３１０のそれぞれについて、同一の開始時間に開始するためにランピングを再開してもよく、力の値は、同一の終了時間（ｆｉｎａｌ ｔｉｍｅ）に予め定義された力の値（Ｆｉｎａｌ Ｆｏｒｃｅ［１６］）に到達するために、圧縮力の設定値（Ｓｔａｒｔ Ｆｏｒｃｅ［１６］）からのランプ時間の間に繰り返し変更されてもよい。

Ｓ４１８の完了では、アルゴリズムは、ステップＳ４２０において、現在の時間の値を使用して、プロセスが流体充填（ＦＦ）の段階に入ったことを示す、ＣＬ１及びＣＬ２の期間が終了したかどうかを問い合わせる。そうでなければ、Ｍａｇ制御サブタスクが繰り返され、個別のディストーション機構３１０は、Ｓ４２０の問い合わせが、インプリントプロセスが流体充填の段階に入ったことを示す時間まで、それらの最終の目標の力に継続的に個別にランプされる。この時点で、アルゴリズムは、ディストーション機構３１０の個別の制御を遮断し、ＦＦの段階の間、ディストーション機構３１０によって与えるべきマグニフィケーション力の閉ループ制御（ＣＬＣＭ）を開始する。ＦＦの段階の間、硬化性液体レジストは、テンプレートと基板との周囲及び間の全てのオープン空間及び空隙を充填する。このようにして、ステップＳ４２２において、ＣＬＣＭが係合され、パターンが基板の上で硬化される前に、基板に対するテンプレートのアライメントが行われるように、各ディストーション機構３１０に対する軌道の時間がゼロに設定される。アライメントプロセス及びＣＬＣＭプロセスは、Ｓ４２４において実行され、インプリントリソグラフィプロセスに対する任意の既知のアライメントアルゴリズムを使用して行われる。ステップＳ４２４は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許公開第２０２０／０３７９３４３号に記載されているように、複数のアライメントマークの計測を含む、基盤に対するアライメントテンプレートのアクティブ計測を含んでいてもよい。ステップＳ４２４は、複数のアライメントスコープによって検出された結果に基づいて、基板１０２の上のインプリントされている現在のフィールドとメサ１１０との間のオーバーレイ誤差の計算を含んでいてもよい。各アライメントスコープは、基板アライメントマーク及びテンプレートアライメントマークを含むアライメントマークのセットの相対位置を計測するように設定されてもよい。少なくとも２つのアライメントマークのセットがあってもよく、４、６、８、１６、２４又は３０ものアライメントマークのセットがあってもよい。そして、アライメント誤差（ｘのシフト、ｙのシフト、回転）と、ＭａｇＸ、ＭａｇＹ、Ｓｋｅｗ、ＴｒａｐＸ、ＴｒａｐＹ、及び、テンプレートの潜在的なディストーションを表す、より高次を有するその他の成分のうちの２つ以上を含む変形成分と、を推定するために、複数の相対位置が使用される。アライメントプロセスに関して、Ｓ４２４で行われるプロセスの更なる例は、米国特許第７，８２８，９８４号、米国特許第８，８４５，３１７号、米国特許第９，５７９，８４３号及び米国特許第９，５７３，３１９号に記載され、それらの全てが参照により本明細書に組み込まれ、ＣＬＣＭプロセスは、米国特許第１０，６３５，０７２号及び米国特許第１０，２１６，１０４号に記載され、それらの全てが参照により本明細書に組み込まれる。

アルゴリズムは、ステップＳ４２６において、現在のフィールドのインプリントが完了したかどうかを問い合わせる。そうでなければ、アルゴリズムは、Ｓ４２４に戻る。特定のフィールドの上のインプリントが完了していれば、アルゴリズムは、Ｓ４２８において、基板の上の１つ以上のその他のフィールドがインプリントされることを必要としているかどうかを判定する。Ｓ４２８における判定が、１つ以上のその他のフィールドがインプリントに利用可能であることを示していれば、アルゴリズムは、Ｓ４０２に戻る。そうでなければ、インプリントシーケンスは、Ｓ４３０で終了する。図４のインプリントアルゴリズムに組み込まれた場合の、図５のＭａｇ制御サブタスク（及び、図６及び図７における関数呼び出しに関連付けられた）の影響は、図８～図１０のグラフのプロットに示され、それによって与えられる利点は、図８～図１０と、図１１～図１３に示す例示的な従来技術のディストーションアプリケーション制御との比較によって理解される。具体的には、図８は、ステップ状であるディストーションのパラメータの値の設定を示す。図８に示すように、個々のディストーションのパラメータに対する値は、ステップ状にされ、インプリントプロセスの特定の段階に依存して、所定の時間で全て変更される。ディストーションのパラメータに対するこのステップ状の設定は、図８に示すように設定されたステップ状の値を使用して、ディストーションのパラメータのそれぞれに対するステップ状の値と補正マトリクスとを組み合わせることにより力の駆動を決定することによって、複数のディストーション機構３１０のそれぞれについて、力の軌道を実行する計算を可能とする。例えば、ディストーションのパラメータは、インプリントプロセスのＣＬ１の段階の開始において、より低い第２値に変更されるまで、分配マグニフィケーション制御の段階の間、第１値に設定される。ディストーション機構３１０のそれぞれの独立した制御の結果、それらの全ては、全てが同一の時間で上限までランプアップ及び到達し、ＣＬ１の段階の開始までそれらを残すことを可能とする個別の力の軌道を有し、それにより、複数のディストーション機構３１０のそれぞれに対する力の軌道は、同一の時間で、上限から流体充填（ＦＦ）の段階の開始まで、ランプダウンプロセスを開始する。上限に到達する、個々のディストーション機構３１０のこの独立したランピングは、図９において、９０２とラベル付けされた円に示され、ＣＬ１の段階の開始でランプダウンを開始する上限からの同時終了は、図９において、９０４とラベル付けされた円に示される。ディストーション機構３１０は、２次変形値の適用なく、それらの５つのディストーションのパラメータと、その他のディストーション機構３１０のそれぞれの力の軌道とを考慮し、補正マトリクスと組み合わされた５つのディストーションのパラメータの設定点を使用して、それらの個別の力の軌道が計算されるように、独立して制御されるため、ディストーション機構３１０のそれぞれが同一の時間で上限に到達し、そして、同一の時間で上限を出ることを可能にする。これは、全てのディストーション機構３１０が同一の時間で上限に到達して離れ、テンプレートのずれ及び高次のＭａｇディストーションを誘発しないように、マグニフィケーション力が均衡を維持するからである。この均衡は、図１０に示され、ゼロの値を超える偏差が実質的に存在せず、図１０に示される全ての段階にわたってマグニフィケーション力が均衡を維持することを示す。

ここに記載された制御アルゴリズムによって提供される利点は、図９～図１１に示された同一の期間を示すが、従来のディストーション制御方法を使用する図１１～図１３のプロットを見れば明らかである。ここで使用されるディストーション制御方法は、２次変形機構によって供給される２次ディストーションを考慮して、同一の期間にわたって、ディストーションのパラメータの値をランプさせる。そして、これらは、図１１に示すように、ディストーション部材をユニゾンで制御するために、均等に与えられる。このタイプの制御アルゴリズムの欠点は、図１２に示され、これにより、１２０２とラベル付けされた円において、ディストーション部材のそれぞれは、異なる時間の期間で上限に到達し、１２０４とラベル付けられた円に示すように、異なる時間の期間で上限を出る。これにおける影響は、テンプレートのずれ、及び、高次のディストーションを誘起する不均衡である。この結果として生じる、ディストーション部材にわたるマグニフィケーション力の均衡は、インプリントプロセスの異なる期間におけるマグニフィケーション力の大きなディストーションを示す図１３に示される。また、不均衡は、流体充填の段階の前のテンプレートのずれの更なる機会、及び、高次のディストーション誤差をもたらすプロセスの段階に依存して異なる。

図８～図１０に関して上述したように、図４～図７において上述した制御アルゴリズムは、ディストーション部材を独立して制御して、同一の時間で上限の圧縮力のレベルに出入りすることで、テンプレートのずれに対する変化を最小にするマグニフィケーション力の均衡を改善し、インプリントリソグラフィプロセスの改善をもたらす。

幾つかの実施態様が説明された。但し、開示の主旨及び範囲から逸脱せずに、種々の修正がなされてもよいことを理解されたい。従って、その他の実施態様は、以下の特許請求の範囲内にある。

本開示の実施形態は、上述した実施形態の１つ以上の機能を実施するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介して、システム又は装置に提供し、システム又は装置のコンピュータにおいて、１つ以上のプロセッサが、プログラムを読み出して実行することによっても実現することができる。また、本開示の実施形態は、１つ以上の機能を実施する回路（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））によって実現することができる。

本開示の実施形態は、上述した実施形態のうちの１つ以上の機能を実現するために記憶媒体（「非一時的コンピュータ可読媒体」とも呼ばれる）に記憶されたコンピュータ実行可能命令（例えば、１つ以上のプログラム）を読み出して実行して、上述した実施形態のうちの１つ以上の機能を実行し、及び／又は、上述した実施形態のうちの１つ以上の機能を実行するために１つ以上の回路（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））を含むシステム又は装置のコンピュータによって、及び、例えば、上述した実施形態のうちの１つ以上の機能を実行するために記憶媒体からコンピュータ実行可能命令を読み出して実行し、及び／又は、上述した実施形態のうちの１つ以上の機能を実行するために１つ以上の回路を制御することによって、システム又は装置のコンピュータによって実行される方法によって実現されてもよい。コンピュータは、１つ以上のプロセッサ（例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）、マイクロ処理装置（ＭＰＵ））を含み、コンピュータ実行可能命令を読み出して実行するための個別のコンピュータ又は個別のプロセッサのネットワークを含んでいてもよい。コンピュータ実行可能命令は、例えば、ネットワーク又は記憶媒体からコンピュータに提供されてもよい。記憶媒体は、例えば、ハードディスク、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、分散コンピューティングシステムの記憶装置、光ディスク（コンパクト・ディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、又はブルーレイディスク（ＢＤ）（登録商標）など）、フラッシュメモリデバイス、メモリカードなどの１つ以上を含んでいてもよい。

説明を参照するに、開示される例の完全な理解を提供するために、特定の詳細が記載される。その他の例において、本開示を不必要に長くしないために、周知の方法、手順、構成要素及び回路は、詳細には説明されていない。

ここで、要素又は部分が、別の要素又は部分の「上に（ｏｎ）」、「対抗して（ａｇａｉｎｓｔ）」、「接続されて（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｏ）」、又は、「結合されて（ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｏ）」と言及されていれば、要素又は部分は、別の要素又は部分の上に直接、対抗して、接続されて、又は、結合されていてもよいし、或いは、介在する要素又は部分が存在していてもよいことを理解されたい。一方、要素が「直接上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」、「直接接続されて（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）」、又は、「直接結合されて（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ）」いると言及されていれば、介在する要素又は部分は存在しない。使用される場合、用語「及び／又は（ａｎｄ／ｏｒ）」は、そのように提供されれば、関連する列挙された項目のうちの１つ以上の任意及び全ての組み合わせを含む。

使用される場合、用語「および／または」は、そのように提供される場合、関連する列挙された項目のうちの１つまたは複数の任意のおよびすべての組合せを含む。

「下（ｕｎｄｅｒ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上（ｕｐｐｅｒ）」、「近位（ｐｒｏｘｉｍａｌ）」、「遠位（ｄｉｓｔａｌ）」などの空間的な相対用語は、ここでは、説明を容易にするために、種々の図面に示されるように、１つの要素又は特徴と別の要素又は特徴との関係を説明するために使用することができる。但し、空間的な相対用語は、図面に示される配向に加えて、使用又は動作中のデバイスの異なる配向を包含することが意図されることを理解されるべきである。例えば、図面におけるデバイスがターンオーバーされれば、その他の要素又は特徴の「下（ｂｅｌｏｗ）」又は「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」として記載される要素は、その他の要素又は特徴の「上（ａｂｏｖｅ）」に配向される。このように、「下（ｂｅｌｏｗ）」などの相対空間用語は、上及び下の両方の配向を包含することができる。デバイスは、別の方法で配向されてもよく（９０度回転される、又は、その他の配向）、ここで使用される空間的な相対記述子は、それに応じて解釈されるべきである。同様に、相対空間用語「近位（ｐｒｏｘｉｍａｌ）」及び「遠位（ｄｉｓｔａｌ）」は、適用可能であれば、交換可能であってもよい。

ここで使用される用語「約（ａｂｏｕｔ）」は、例えば、１０％以内、５％以内、又は、それ未満を意味する。幾つかの実施形態において、用語「約（ａｂｏｕｔ）」は、計測誤差内を意味する。

第１、第２、第３などの用語は、ここでは、種々の要素、構成要素、領域、部分及び／又はセクションを記載するために使用される。これらの要素、構成要素、領域、部分及び／又はセクションは、これらの用語によって限定されるべきではないことを理解されたい。これらの用語は、１つの要素、構成要素、領域、部分又はセクションを、別の領域、部分又はセクションから区別するためだけに使用される。そのため、以下で説明する第１要素、構成要素、領域、部分又はセクションは、ここでの教示から逸脱することなく、第２要素、構成要素、領域、部分又はセクションと呼ぶことができる。

ここで使用される用語は、特定の実施形態を説明するためだけのものであって、限定することを意図するものではない。ここで使用されるように、単数形「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は、文脈がそわないことを明確に示さない限り、複数形も含むことが意図される。更に、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」及び／又は「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」の用語は、本明細書で使用される場合、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素及び／又は構成要素の存在を特定するが、明示的に述べられていない１つ以上のその他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素及び／又はそれらのグループの存在又は追加を排除しないことを理解されたい。

上述は、単位、開示の原理を示すものである。記載された例示的な実施形態に対する種々の修正及び変更は、当業者には明らかであろう。

図面に示される例示的な実施形態を説明する際に、明確にするために、特定の用語が使用される。但し、本明細書の開示は、そのように選択された特定の用語に限定されることは意図されておらず、各特定の要素は、同様に動作する全ての技術的な均等物を含むことを理解されたい。

Claims (18)

1. ２つ以上の力アクチュエータに制御信号を供給する方法であって、前記２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、定義された力の値を有し、前記方法は、
   同一の初期の定義された値の時間で、前記定義された力の値に到達するために供給される力をランプするために、前記アクチュエータのそれぞれに、第１セットの制御信号を送ることと、
   同一の最終の定義された値の時間で開始し、供給される前記力を個別の設定点の値に低減するために、前記アクチュエータのそれぞれに、第２セットの制御信号を送ることと、
   を有し、
   前記２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、同一の設定点の時間で、それらの個別の設定点の値に到達することを特徴とする方法。
2. 前記定義された力の値は、各アクチュエータによって与えることができる力の最大量を表すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記定義された力の値は、各アクチュエータによって与えることができる力の最小量を表すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記第１セットの制御信号及び前記第２セットの制御信号のそれぞれは、時間の経過とともに前記アクチュエータのそれぞれによって与えられる力の量を制御する、前記アクチュエータのそれぞれに与えられる個々の力の軌道を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、
   少なくとも１つの力のパラメータと、前記２つ以上の力アクチュエータの総数の全体で前記少なくとも１つの力のパラメータの値を変換する補正マトリクスとに基づいて、前記力の軌道を計算することと、
   前記２つ以上の力アクチュエータの個々のアクチュエータに、第１制御信号又は第２制御信号として、前記計算された力の軌道を送ることと、
   を更に有し、
   時間が前記初期の定義された値の時間よりも早ければ、第１制御信号として、制御信号が送られ、時間が前記最終の定義された値の時間よりも遅ければ、第２制御信号として、前記制御信号が送られることを特徴とする請求項４に記載の方法。
6. 前記第１制御信号及び前記第２制御信号は、少なくとも２つのアクチュエータのそれぞれを、共通のランプ開始時間、及び、同一のランプ持続時間で一緒にランプさせることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、
   前記個々のアクチュエータを同一の時間で前記初期の定義された値の時間に到達させる所定のランプ期間にわたるランプ軌道を計算することと、
   前記２つ以上の力アクチュエータの個々のアクチュエータに、第１制御信号又は第２制御信号として、前記計算されたランプ軌道を送ることと、
   を更に有し、
   時間が前記初期の定義された値の時間よりも早ければ、第１制御信号として、制御信号が送られ、時間が前記最終の定義された値の時間よりも遅ければ、第２制御信号として、前記制御信号が送られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、ランプ期間内の所定の経過時間に対する力の軌道の値を計算するために、前記ランプ期間の間の前記ランプ軌道を繰り返し更新することを更に有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. 装置であって、
   ２つ以上の力アクチュエータであって、前記２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、定義された力の値を有する、アクチュエータと、
   前記２つ以上の力アクチュエータのそれぞれに接続されたコントローラであって、
   同一の初期の定義された値の時間で、前記定義された力の値に到達するために供給される力をランプするために、前記アクチュエータのそれぞれに、第１セットの制御信号を送り、
   同一の最終の定義された値の時間で開始し、供給される前記力を個別の設定点の値に低減するために、前記アクチュエータのそれぞれに、第２セットの制御信号を送る、
   ように構成されたコントローラと、
   を有し、
   前記２つ以上の力アクチュエータのそれぞれは、同一の設定点の時間で、それらの個別の設定点の値に到達することを特徴とする装置。
10. 前記定義された力の値は、各アクチュエータによって与えることができる力の最大量を表すことを特徴とする請求項９に記載の装置。
11. 前記定義された力の値は、各アクチュエータによって与えることができる力の最小量を表すことを特徴とする請求項９に記載の装置。
12. 前記第１セットの制御信号及び前記第２セットの制御信号のそれぞれは、時間の経過とともに前記アクチュエータのそれぞれによって与えられる力の量を制御する、前記アクチュエータのそれぞれに与えられる個々の力の軌道を含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
13. 前記コントローラは、
    前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、
    少なくとも１つの力のパラメータと、前記２つ以上の力アクチュエータの総数の全体で前記少なくとも１つの力のパラメータの値を変換する補正マトリクスとに基づいて、前記力の軌道を計算し、
    前記２つ以上の力アクチュエータの個々のアクチュエータに、第１制御信号又は第２制御信号として、前記計算された力の軌道を送る、
    ように更に構成され、
    時間が前記初期の定義された値の時間よりも早ければ、第１制御信号として、制御信号が送られ、時間が前記最終の定義された値の時間よりも遅ければ、第２制御信号として、前記制御信号が送られることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
14. 前記第１制御信号及び前記第２制御信号は、少なくとも２つのアクチュエータのそれぞれを、共通のランプ開始時間、及び、同一のランプ持続時間で一緒にランプさせることを特徴とする請求項９に記載の装置。
15. 前記コントローラは、
    前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、
    前記個々のアクチュエータを同一の時間で前記初期の定義された値の時間に到達させる所定のランプ期間にわたるランプ軌道を計算し、
    前記２つ以上の力アクチュエータの個々のアクチュエータに、第１制御信号又は第２制御信号として、前記計算されたランプ軌道を送る、
    ように更に構成され、
    時間が前記初期の定義された値の時間よりも早ければ、第１制御信号として、制御信号が送られ、時間が前記最終の定義された値の時間よりも遅ければ、第２制御信号として、前記制御信号が送られることを特徴とする請求項９に記載の装置。
16. 前記コントローラは、前記２つ以上の力アクチュエータの各アクチュエータについて、ランプ期間内の所定の経過時間に対する力の軌道の値を計算するために、前記ランプ期間の間の前記ランプ軌道を繰り返し更新する、ように更に構成されていることを特徴とする請求項１５に記載の装置。
17. 請求項１に記載の方法を用いることを含む、物品を製造する方法であって、物品を製造する前記方法は、
    基板上にインプリントレジストを分配することであって、前記インプリントレジストは、液体であることと、
    前記インプリントレジストと、前記インプリントレジストと接触するパターンを有する物体とを接触させることと、
    前記物品を製造するために、前記インプリントレジストが分配された前記基板を処理することと、
    を更に有することを特徴とする方法。
18. 前記基板を処理することは、
    前記インプリントレジストを硬化させ、前記物体上の前記パターンに対応するパターンを前記基板上に形成するために、前記基板にエネルギーを与えること、
    を更に有し、
    前記方法は、前記物体が前記インプリントレジストと接触している間に繰り返し行われ、前記インプリントレジストが前記与えられたエネルギーによって硬化される前に前記物体と前記基板とが位置合わせされることを特徴とする請求項１７に記載の方法。

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