TW202234150A - 用於控制黏性對齊和場對場相關摩擦變異的適應性前饋和回饋控制 - Google Patents

用於控制黏性對齊和場對場相關摩擦變異的適應性前饋和回饋控制 Download PDF

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Abstract

提供用以壓印支撐在可移動平台上之基板的方法和系統，該方法和系統包括將該基板上的液體阻劑與模板接觸，並使用利用第一組控制參數的回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊。獲得校準資料且增加至少一部分該阻劑的黏性。然後，在該阻劑的該黏性增加後，該基板使用利用第二組控制參數的該回饋前饋控制處理來與該模板對齊，該第二組控制參數係根據該校準資料來決定以及該阻劑係在該模板下固化。

Description

用於控制黏性對齊和場對場相關摩擦變異的適應性前饋和回饋控制
本發明關於奈米壓印微影術中的對齊控制，更具體地有關補償在對齊處理期間所引入的振動。
在奈米壓印微影術中，用於場對場對齊的技術已被用以實現奈米級重疊準確度。在一些實例中，壓印模板與基板上的對應場之間的初始對齊誤差可藉由相對於基板(例如，晶圓)以移動模板來校正。惟，用於奈米壓印微影術之快速且一致的對齊係一項挑戰。更具體地，稀液體摩擦及初始狀態的變異係兩個主要的困難處。此包括當前難以處置不同RLT(模板與基板間之可固化液體的殘留層厚度)、位置、及變遷處理的方案。特別地，RLT的分配、對齊動作、和微影環境本身會產生振動，而導致無法接受的振盪位準。此外，因為引入了該等不同的振動實例，所以無法藉由自然摩擦來使振盪位準歸零。該等問題一直影響著批量生產的產能和效率，因此需要將該等問題校正。
依據本發明，提供用以壓印支撐在可移動平台上之基板的方法和系統，該方法和系統包括將該基板上的液體阻劑與模板接觸，並使用利用第一組控制參數的回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊。獲得校準資料且增加至少一部分該阻劑的黏性。然後，在該阻劑的該黏性增加後，該基板使用利用第二組控制參數的該回饋前饋控制處理來與該模板對齊，該第二組控制參數係根據該校準資料來決定以及該阻劑係在該模板下固化。
依據另一個實施例，該校準資料係在使用利用該第一組控制參數的該回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊的同時產生的。在另一個實施例中，該第一組控制參數包括頻率分量及該第二組控制參數表示根據該校準資料所產生之更新的頻率分量，且該基板係根據該第二組控制參數中之該所更新的頻率分量來與該模板對齊。
此外，在另一個實施例中，該校準資料係藉由以下來產生的：接收一組隨著時間而變化的對齊控制，將該組對齊控制轉換為一組隨著第一狀態變量而變化的對齊狀態值，接收一組隨著時間而變化的位置估計，將該組位置估計轉換為一組隨著該第一狀態變量而變化的位置狀態值，以及產生一或多個協方差值。
在一實施例中，該組對齊控制包括(a)用於該回饋前饋控制處理中的一或多個適應性函數，(b)用以控制該平台的該位置的一或多個輸出控制信號，以及(c)控制一或多個能量參數，其被施加以增加該阻劑的該黏性的能量控制器信號。在一實施例中，該組位置估計包括表示該模板上之標記相對於該基板上之標記的第一位置信號，以及表示該平台之位置的第二位置信號。
在另一個實施例中，產生該校準矩陣進一步包括獲得第二組對齊控制及第二組位置估計，其中該第二組對齊控制及該第二組位置估計係根據先前所執行的壓印處理。在另一個實施例中，該所產生的協方差值係用以藉由修正在該回饋前饋控制處理期間所施加的一或多個控制函數來產生該第二組控制參數。
依據本發明的另一個觀點，提供壓印微影系統，用以控制壓印微影模板相對於基板的對齊。該系統包括：平台，組態用以保持該基板且係可移動的，使得該平台的位置可以被修正；沉積器，組態用以在該基板上沉積阻劑；能量控制器，組態用以對該阻劑施加能量以增加其黏性；以及感測器，組態用以感測該基板相對於該壓印微影模板的位置。至少一個與該平台、該感測器、及該能量控制器通信的控制器係組態用以根據具有接觸該模板之液體壓印阻劑的基板；使用利用第一組控制參數的回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊；獲得校準資料；增加至少一部分該阻劑的黏性；在該阻劑的該黏性增加後，使用利用第二組控制參數的該回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊，其中該第二組控制參數係根據該校準資料來決定；以及固化該模板下的該阻劑。
依據本發明的另一個觀點，提供物件之製造方法，包括使用如請求項1之壓印方法，該物件之製造方法進一步包含：在該基板上分配壓印阻劑，該壓印阻劑係液體；將該壓印阻劑與物體接觸，該物體上具有與該壓印阻劑接觸的圖案；以及處理已分配該壓印阻劑於其上的該基板，以便製造該等物件。在另一個實施例中，處理該基板進一步包括：對該基板施加能量，用以固化該壓印阻劑並在該基板上形成與該物體上之該圖案對應的圖案；其中在該物體與該壓印阻劑接觸的同時重複執行控制該可移動平台的方法，使得在藉由該施加的能量來固化該阻劑之前將該物體和該基板對齊。
在本說明書中所描述的標的物之一或多個實施方式的細節係在附圖和下文說明中闡述。該標的物的其他潛在特徵、觀點、和優點將從該說明、該等圖式、和申請專利範圍中變得顯而易見。
第1圖說明在基板102上形成浮雕圖案的壓印微影系統100。基板102可以耦接到基板卡盤104。在一些實例中，基板卡盤104包括真空卡盤、銷式卡盤、槽式卡盤、電磁卡盤、或其他合適的卡盤。示例性卡盤係在美國專利第6,873,087號中有所描述，該專利將結合於本文以供參考。基板102和基板卡盤104可以進一步被支撐在平台106上。平台106提供關於x、y、及z軸的運動以及圍繞z軸的旋轉(例如，θ)。就此而言，平台106可意指XYθ平台。平台106、基板102、和基板卡盤104亦可定位在基座(未顯示)上。
壓印微影系統100包括與基板102間隔開的壓印微影模板108。在一些實例中，模板108包括從模板108朝向基板102延伸的台面110(模具110)。在一些實例中，模具110包括圖案化表面112。模板108及／或模具110可以由此等材料所形成，包括但不受限於熔融矽石、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石、或其他合適的材料。在所示的實例中，圖案化表面112包括由間隔開的凹部124和突出部126所界定的複數個特徵。如上述所形成的圖案僅係用於實例目的，並且可以在圖案化表面112上呈現任何類型的圖案。因此，圖案化表面112可以界定任何圖案，該圖案形成了將經由壓印處理而在基板102上被形成之圖案的基礎。
模板108可以耦接到模板卡盤128。在一些實例中，模板卡盤128包括真空卡盤、銷式卡盤、槽式卡盤、電磁卡盤、或任何合適的卡盤。示例性卡盤係在美國專利第6,873,087號中有所描述。在一些實施例中，模板卡盤128可以與基板卡盤104的類型相同。在其他實施例中，模板卡盤128可係不同類型的卡盤。此外，模板卡盤128可以耦接到壓印頭130，使得模板卡盤128、壓印頭130、或二者被組態用以促進模板108的移動。模板108的移動包括模板的平面內移動(平面內移動)和相對於模板的模板平面外移動(平面外移動)。平面內移動包括模板108在模板平面中的平移(例如，在第1圖中所描繪的XY平面中)以及模板在模板平面中的旋轉(例如，在XY平面中並圍繞Z軸)。模板108相對於基板102的平移或旋轉也可以藉由基板的平移或旋轉來實現。模板108的平面內移動尚包括增加或減少模板相對側上的壓縮力(例如，使用放大致動器)，用以增加或減少模板在模板的XY平面中的尺寸。模板108的平面外移動包括模板沿著Z軸的平移(例如，藉由增加或減少模板與基板之間的距離來增加或減少經由模板所施加到基板的力)以及模板繞著模板XY平面中之軸的旋轉。模板108繞著模板XY平面中之軸的旋轉改變了模板108的XY平面與基板102的XY平面之間的角度，並且在本文中被稱為相對於基板"傾斜"模板，或改變相對於基板之模板的"傾斜"或"傾斜角度"。美國專利第8,387,482號揭示了在壓印微影系統中經由壓印頭來移動模板，該專利將結合於本文以供參考。
壓印微影系統100可進一步包括流體分配系統132。流體分配系統132可用以在基板102上沉積可聚合材料134。可聚合材料134可以使用諸如液滴分配、旋塗、浸塗、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、或其他適當方法的技術來沉積在基板102上。在一些實例中，可聚合材料134係在模具110與基板102之間界定所需體積之前或之後沉積在基板102上。可聚合材料134可以包括如美國專利第7,157,036號及美國專利申請公開第2005／0187339號中所述的單體，該二者將結合於本文以供參考。在一些實例中，可聚合材料134可以當做複數個液滴136沉積在基板102上。
請參閱第1圖及第2圖，壓印微影系統100可以進一步包括沿著路徑142耦接到直接能量140的能量源138。在一些實例中，壓印頭130及平台106係組態用以將模板108和基板102定位成與路徑142重疊。壓印微影系統100可以由與平台106、壓印頭130、流體分配系統132、能量源138、或其任何組合通信的控制器144所調整，並且可以對儲存在記憶體146中的電腦可讀取程式進行操作。
在一些實例中，壓印頭130、平台106、或二者，改變模具110與基板102之間的距離，用以界定其間由可聚合材料134所填充的所需體積。例如，壓印頭130可以對模板108施加力，以致使模具110接觸可聚合材料134。在所需體積被可聚合材料134填充之後，能量源138產生諸如寬帶紫外線輻射的能量140，致使可聚合材料134聚合並符合基板102表面148和圖案化表面112的形狀，而在基板102上界定出聚合物圖案化層150。在一些實例中，圖案化層150包括殘留層152及顯示為突出154和凹陷156的複數個特徵，突出154具有厚度t1以及殘留層152具有厚度t2。
上述系統及處理可以進一步地在美國專利第6,932,934號、美國專利申請公開第2004／0124566號、美國專利申請公開第2004／0188381號、及美國專利申請公開第2004／0211754號中所提及的壓印微影處理和系統之中實施，所有該等者將結合於本文以供參考。
壓印微影基板和模板可以包括允許該模板和該基板的實時對齊之對應的對齊標記對。在將圖案化模板定位於基板上(例如，疊加在基板之上)之後，決定模板對齊標記相對於基板對齊標記的對齊。對齊方案可以包括"透過台面"(TTM)測量與對應對齊標記對相關聯的對齊誤差，然後補償該等誤差以實現模板與基板上之所需壓印位置的準確對齊，如美國專利第6,916,585；7,170,589；7,298,456；及7,420,654號中所揭示的，所有該等專利將結合於本文以供參考。對齊誤差可以由基板與模板的相對定位、基板或模板的變形、或其組合所導致。對齊誤差也可以由壓印微影處理及執行壓印微影處理之機器的一或多個動作所引起之振動的引入所導致。
第3圖描繪出與基板102上的液體壓印阻劑134接觸之壓印微影模板108的側視圖，分別顯示該模板108與該基板102上的一對實例對齊標記302及304之間的第一次或初始對齊誤差X0。對齊誤差X0可以藉由諸如感測器158的影像捕獲裝置來測量。在一些實例中，感測器158包括TTM對齊儀，該TTM對齊儀係組態用以偵測來自對齊標記302及304的繞射光，其中繞射光可以穿過液體壓印阻劑134。初始對齊誤差X0可能超過可容許誤差，例如其可係小於10奈米(nm)，重複性為1奈米或更小。雖然感測器158被描述為影像捕獲裝置，但此僅係示例性的並且影像捕獲裝置可以包括能夠實時偵測、捕獲、及傳輸繞射光的任何裝置。
初始對齊誤差X0可能主要地由平台106(例如，XYθ平台)的放置誤差、旋轉誤差、及／或順應性和滯後所導致，並且可以包括x及y軸以及圍繞z軸旋轉(θ)中的誤差。例如，放置誤差通常意指模板與基板之間的XY定位誤差(亦即，沿著X軸、Y軸、或二者的平移，其中X及Y軸係在模板或基板的壓印表面的平面內或平行於模板或基板的壓印表面，如第1圖中所示)。旋轉(θ)誤差通常意指繞著Z軸的相對方向誤差(亦即，繞著Z軸的旋轉，其中Z軸係與XY平面正交，如第1圖中所示)。
其中模板對齊標記302及對應的基板對齊標記304係在XY平面中偏移的放置誤差可以藉由模板與基板的相對移動來補償(例如，藉由基板、模板、或二者在XY平面中的受控移動)。旋轉誤差可以藉由改變模板與基板在XY平面中的相對角度來補償(例如，藉由基板、模板、或二者的旋轉)。
本發明闡述了一種控制機制，用以控制上文關於第1至3圖所描述之壓印系統的操作，以減少對齊標記302及304收斂用於合適對齊所需的時間量，以便確保在台面110上所界定的圖案被成功地壓印在基板102上。換言之，下文將描述控制演算法，用以在預定的時間週期內使由X0所通常指示之減少的誤差值低於預定的誤差臨限值。較佳地，結果將導致模板上的標記與基板上的標記之間的相對距離小於預定的距離值。惟，由於基板和用於其上以壓印圖案之聚合物二者的各種實體特徵，在可接受的時間週期內使此誤差值成為可接受的位準具有一定的難度。
與基板和模板之間的合適對齊相關聯的一項挑戰涉及在壓印處理期間所引入的振動，此會影響到合適對齊。在壓印處理期間引入了各種振動源，但是要隔離、識別、控制壓印處理以校正該等振動並非總是那麼容易。示例性振動源可以包括，但不受限於在基板上分配阻劑、由對齊處理所引起的對齊特定振動、及在第1圖中所圖示的壓印微影機之任何數量的組件所引起的振動。
已開發了示例性校正機制，用以使可能影響對齊的某些振動最小化。此校正機制被稱作控制黏性對齊(CVA)，其藉由將預定量的直接能源施加到由分配機制所沉積到基板上的可聚合材料，以增加模板與基板之間的摩擦來減少振動。指向可聚合材料的能量隨著空間和時間隨強度和光波長而變化。已發現CVA處理可以將振動的影響降到最低。然而，在微影壓印處理中之不同點的不同條件可能會導致不同等級和類型的振動。更具體而言，振動變異可係以下之任何一個或多個的變異：振幅變異、頻率變異、相位變異、以及由於自然摩擦而使變異消失(衰減包絡)一般所需的時間中之變異。例如，CVA可能能夠去除由於可聚合材料的分配、環境、和對齊運動所引起的振動，但是CVA處理的結果會導致殘留振動，在某些情況中，其頻率係與由CVA所校正的原始振動不同。在另一個實例中，如上所述，CVA被施加用以校正振動，但是會導致模板與基板之間的摩擦不確定性，而可能導致產生會引起對齊處理停止的摩擦。
在某些情況中，在CVA後之振動中的變異可能與不同的殘留層厚度(RLT)、當前的壓印位置(例如，中心、邊緣、部分場)、和對齊運動期間的時序有關。該等變異直接地影響到被設計用以將振動降到最低的CVA處理。與平台編碼器和莫阿感測器(the moiré sensor)相關聯之回饋控制迴圈的存在可以致能一些振動消除動作。然而，其他的振動源很難以識別，因此當嘗試控制壓印微影處理的其他組件以執行可消除額外振動的動作時，呈現出挑戰。所以，能夠調諧CVA處理以較佳地考慮和校正壓印微影處理期間所引入的可變振動將係特別有利的。
因此，提供了在控制壓印微影系統的前饋回饋控制迴圈中使用的振動校正演算法。此演算法有利地考慮了由壓印微影系統的一或多個感測器所產生的多個輸入信號和多個輸出信號以及該等輸入與輸出之間的關係。該等多個輸入和輸出係用以產生校準資料矩陣，該矩陣係用以產生一或多個控制參數，當施加於前饋回饋控制迴圈操作內的各個點時，藉由使因CVA處理所造成的振動降到最低來增進基板和模板的對齊處理。
用於第1圖的壓印微影系統之前饋回饋控制迴圈的方塊圖係顯示於第4圖中。此控制迴圈的示例性輸出係用以控制平台在XYθ方向中的移動而產生的控制信號。該控制信號包括一或多個參數值，該等參數值被轉換為電性信號，該等電性信號係施加至平台馬達(未顯示)，用以將平台移動到所欲的目標位置，以便在模板與基板之間執行對齊處理。藉由連續監控平台和基板相對於模板之位置的位置資訊並使用該等測量，如本文所描述的系統成功地減少了由於控制黏性對齊處理而產生的振動。
第4圖圖示出示例性控制方塊圖。如本文所描述的控制系統係顯示被實施為第1圖中所示的系統100中之控制器144的一部分。控制器144包括至少一個中央處理單元(CPU)和記憶體，並可執行記憶體中所儲存的指令用以執行一或多個所述操作和／或功能。控制器144係與一或多個記憶體(例如，RAM及／或ROM)通信，且在某些情況中，執行儲存的指令以執行一或多個控制操作。在其他情況中，控制器144可以將資料暫時儲存於一或多個記憶體中，該等資料係用以計算和產生下文中所描述的各種信號。因此，控制器144藉由使用電腦程式(可由CPU執行的一或多個儲存指令序列)和儲存在RAM及／或ROM中的資料來控制第1圖的系統100。在此，控制器144可以包括(或者可以與之通信)一或多個專用硬體或圖形處理單元(GPU)，不同於CPU，GPU或專用硬體可以藉由CPU來執行部分處理。做為專用硬體的實例，有應用特定積體電路(ASIC)、可場編程閘陣列(FPGA)、數位信號處理器(DSP)、等等。在一實施例中，控制系統100可以實施為控制器144的一部分，如第1圖中所示。在一些實施例中，控制器144可係專用控制器。在其他情況中，控制系統100可以包括複數個控制器，該等控制器係彼此互相通信，並與控制系統100的其他組件通信，用以實施本文所描述的操作。
在下文中將描述執行依據本發明之控制功能的第4圖之方塊圖。雖然下文參照了各種控制器，但是在某些實施例中，每個控制器可包括一系列的儲存指令，該等指令係由控制器144的CPU所執行，用以執行所描述的功能。在其他實施例中，在此所描述的每個控制器可以被實施為各自具有它們自己的CPU和記憶體，且專用以執行與其相關聯的處理之單獨的積體電路。在其他實施例中，此處所描述的一或多個控制器可以被實施為單個積體電路。此外，在一些實施例中，所描述之控制器的一些控制器可係專用處理單元並且係與控制器的CPU通信，該控制器正在執行儲存的指令以完成本文所描述的功能操作。
第4圖包括感測器158、前饋控制器410、對齊回饋控制器430(
Figure 02_image001
)、平台回饋控制器450(
Figure 02_image003
)、平台放大器470(下文稱作"放大器470")。位於上述組件之間係複數個接面，該等接面合併各個控制器所輸出的信號，藉由彼此相加、相減、或卷積來饋送該等信號。上述組件的每一個都如下文所述地操作，以便致使支撐基板的平台移動到目標位置，該目標位置表示預定對齊誤差範圍內的對齊誤差值。對齊回饋控制器430和平台回饋控制器450的每一個都可以當做比例積分微分(PID)控制器或任何其他回饋控制器來執行。由回饋控制器所執行的控制功能係已知的並且無需進一步描述，且根據其中所接收的輸入來連續地計算誤差值。第一接面420係位於前饋控制器410與感測器158之間，並使用表示對齊參考軌跡的第一前饋控制信號412(
Figure 02_image005
)和表示模板上標記相對於基板上標記之位置的測量信號402(
Figure 02_image007
)來向對齊回饋控制器430產生第一輸入信號422，該第一輸入信號422表示回饋控制誤差(
Figure 02_image009
)。第一前饋信號412(
Figure 02_image005
)表示對齊參考軌跡資訊且係根據測量信號402和儲存在記憶體中的參考軌跡資訊來產生。使用第一輸入信號
Figure 02_image009
，對齊控制器430可以產生對齊軌跡(
Figure 02_image011
)(有時候稱作控制命令或控制力)，該對齊軌跡將用以更快地對齊基板和模板上的標記。對齊控制器430輸出對齊軌跡資訊432(
Figure 02_image011
)當做到第二接面440的輸入。
前饋控制器410進一步輸出第二前饋控制信號414(
Figure 02_image013
)到第二接面440。第二前饋控制信號414(
Figure 02_image013
)可以與第一前饋控制信號412(
Figure 02_image005
)相同或者可以係其移位版本(例如，時移、相移、振幅移位、等等)。除了對齊軌跡資訊432和第二前饋信號414之外，第二接面440接收從放大器470的平台位置感測器476獲得平台位置資訊474(
Figure 02_image015
)當作輸入。平台位置資訊474表示在由放大器470所請求的平台移動操作結束時之平台106的當前測量位置。該等信號被組合以產生表示平台回饋控制器450(
Figure 02_image003
)的誤差率的第二輸入信號442(
Figure 02_image017
)。平台回饋控制器450(
Figure 02_image003
)產生表示平台軌跡資訊452(
Figure 02_image019
)的控制力做為其輸出。雖然平台位置感測器476係顯示與平台106分離，但此僅係示例性且所顯示出的係為了易於瞭解系統操作。應理解的是，平台位置感測器476可以包括在平台106內。平台回饋控制器450持續地計算與由放大器470所控制之平台106位置相關聯的誤差值。
第三接面460係配置在平台回饋控制器450(
Figure 02_image003
)與平台放大器470之間。第三接面460結合平台軌跡資訊452(
Figure 02_image019
)和由前饋控制器410所產生並輸出的第三前饋信號416(
Figure 02_image021
)。第三前饋信號416(
Figure 02_image021
)係運動控制命令預測信號，第三接面460將其與平台軌跡資訊452(
Figure 02_image019
)結合以產生平台運動控制信號462，平台運動控制信號462係由平台放大器470轉換為電壓或電流(輸出控制信號472)，用於以界定方式來驅動平台106。
可以在美國專利申請案序號第16／712,739號的描述中找到進一步界定前饋控制器410、對齊回饋控制器430和平台回饋控制器450之每一個的上述每個輸入和輸出信號及益處如何適用於對齊處理的附加資訊，其描述全部地結合於本文以供參考。
第4圖進一步說明了在控制黏性對齊(CVA)期間控制能量源138的能量控制器401。在CVA期間，在將可聚合材料沉積在基板上之後，在預定持續時間內具有預定強度的能量被引導朝向基板，用以在基板和模板之每一個上的標記對齊期間增加該可聚合材料的黏性。在一示例性操作中，存在複數個能量施加週期，其中在每個週期中，在該週期的持續時間內施加預定強度的能量。CVA處理之時序的示例性操作係圖示於第5圖中。如圖中所示，複數個能量施加週期被圖示為在
Figure 02_image023
開始並具有預定持續時間的"時槽1(slot1)"，在
Figure 02_image025
開始並具有預定持續時間的"時槽2(slot2)"，在
Figure 02_image027
開始並具有預定持續時間的"時槽3(slot3)"，以及在
Figure 02_image029
開始並具有預定持續時間的"時槽4(slot4)"。在一實施例中，每個能量施加週期的持續時間係相同的。在另一個實施例中，某些能量施加週期具有相同的持續時間，而其他的能量施加週期則具有不同的持續時間。在進一步的實施例中，每次連續能量施加的持續時間係小於前一個緊接的能量施加週期。在另一個實施例中，每次連續能量施加的持續時間係大於前一個緊接的能量施加週期。在另一個實施例中，在每個時槽期間，所供應之能量的空間分布隨著時間而改變。在另一個實施例中，在CVA之後供應不同波長和強度的額外能量，用以進一步固化可聚合材料。
CVA處理的優點在於，傳統的振動係與對齊處理相關聯，藉由增加沉積在基板上之可聚合材料的黏性，以使基板上的標記在可接受的時間週期內與模板上的標記對齊。然而，CVA處理的結果係其他不同的振動，其可進一步影響對齊。例如，每次將CVA應用於基板上的特定場時，所引入至系統內之振動的振幅、頻率、及／或相位可能有所不同。因此，在基板的連續場上進行壓印之後，很難以校正此種可能在頻率和數量中不同的二次振動。為了要補償此種二次振動，第4圖的控制系統進一步包括校準控制器405，該校準控制器405根據歷史的輸入和輸出值及當前的實時輸入和輸出值來連續計算校準參數，以調整用以產生適應性振動消除參數的學習率，該適應性振動消除參數係施加至前饋控制器410、對齊回饋控制器430和平台回饋控制器450的每一個，如下文將討論的。
校準控制器405根據移動時間窗轉移函數和協方差來產生至少一個校準矩陣，該校準矩陣係多個輸入和多個輸出(MIMO)矩陣。MIMO矩陣將下面如第1表中所示的信號當作輸入： ˙
Figure 02_image007
：由感測器158所感測的位置信號402，表示模板上的標記與基板上的標記之位置的相對位置 ˙
Figure 02_image015
：由平台位置感測器476所感測的位置信號474，表示在最近一次對齊動作完成時之平台的最後位置 ˙
Figure 02_image011
：從對齊回饋控制器430所輸出的控制信號，表示對齊軌跡資訊 ˙
Figure 02_image019
：從平台回饋控制器450所輸出的控制信號，表示平台軌跡資訊 ˙
Figure 02_image005
：輸入至對齊回饋控制器430的第一前饋控制信號 ˙
Figure 02_image031
：輸入至平台回饋控制器450的第二前饋控制信號 ˙
Figure 02_image021
：輸入至放大器470的第三前饋控制信號 ˙
Figure 02_image009
：從最近對齊操作所導出且被輸入至對齊回饋控制器430的誤差值 ˙
Figure 02_image017
：從最近對齊操作所導出且被輸入至平台編碼器回饋控制器450的誤差值 ˙   表示上述每個輸入的歷史資料值 第 1 表：校準矩陣的輸入信號
由校準控制器405所產生的校準矩陣係用以選擇性地修正適應性前饋學習率，該適應性前饋學習率係用以產生施加至其他控制器410、430、及450的適應性函數，以便調整回饋迴圈的參數以較佳地校正由CVA所引入的振動。該等適應性函數係使用來自先前所執行之壓印微影處理的實時感測資訊和離線歷史對齊資料來產生。藉由使用多個輸入值的類型，校準控制器405可以增進對適應性學習率的調整以及使用所調整的適應性學習率所導出之生成的適應性函數。該等適應性函數表示振動(例如，雜訊)消除信號，其係提供給前饋控制器410、對齊回饋控制器430和平台回饋控制器450之每一個的主動消除輸入，該等控制器在如上所述地產生它們各自的輸出信號時使用該等消除信號來主動消除由CVA處理所造成的振動。不僅使用上文所討論的各個輸入，而且還考慮到上文所列出之不同輸入的相互作用，例如藉由計算各種校準控制器輸入之間的協方差來產生對適應性學習率以及生成之適應性函數的調整。藉由考慮一或多個校準控制器輸入的相互關係，可以進行更準確和穩健的振動校正。將該等輸入信號及其關係可視化的示例性校準矩陣係顯示於第2表中。對於下文所列出的每個關係，校準矩陣計算移動時間窗口上的關係和信號之間的協方差。協方差係兩個信號之結合變異性的量度。
   標記位置信號(MPS) 平台位置信號(SPS)
CVA CVA-MPS CVA-SPS
適應性函數(AdaptFF) AdaptFF-MPS AdaptFF-SPS
平台運動控制信號 平台運動-MPS 平台運動-SPS
第 2 表：示例性校準矩陣
例如，校準控制器405產生初始校準矩陣，包括在CVA處理開始和可聚合材料的黏性增加時的當前實時輸入及先前所執行之壓印的歷史輸入值。因為第4圖之控制迴圈的取樣率係比單個CVA應用程序更短，所以控制迴圈能夠感測並連續地計算和監控如上所述不同的多個輸入。一旦CVA開始，摩擦就會增加且振動會減少。如果此係唯一的振動，則所產生並施加至控制器的適應性函數也應該減少。然而，由於CVA所發生的改變會隨著時間而發生，且在時間、峰值頻率、和摩擦位準方面並不具有均勻的分布。因此，從CVA到UV應用的變遷並非穩健的，並且對齊誤差係隨機分布的，而不是接近於零。所產生的校準矩陣有利地預測CVA處理的影響和變遷，使得由此所產生的適應性函數可用以主動修正三個前饋信號(
Figure 02_image033
)的每一個如何由前饋控制器410所產生以及對齊回饋控制器430和平台回饋控制器450如何使用與該三個前饋信號(
Figure 02_image033
)一起輸入的個別誤差率(
Figure 02_image035
)來增進所產生的控制信號(
Figure 02_image037
)，用以主動消除和校正由CVA處理所造成的振動。由校準矩陣所產生的適應性函數可以包括修正控制信號之振幅、相位、和頻率的一或多項以校正振動的參數。校準矩陣不斷地計算和更新以監控各種矩陣輸入信號之間的相互作用，以便增進在整個系統中所產生和所施加之適應性函數的準確性。例如，當計算輸入與輸出信號之間的關係而其間的協方差係低於臨限值協方差時，所指示的是，所產生的適應性函數藉由校正CVA處理中所引入的振動來減少對齊期間的位置誤差。如果該協方差係高於臨限值協方差，則校準控制器405藉由減小與一或多個輸入信號相關聯的權重及／或識別其他輸入信號以用作學習率的一部分來修正用以產生適應性函數的學習率，以嘗試使正在被使用的輸入信號之間的協方差值最小化。在示例性說明中，如果用以使來自CVA處理之振動最小化的控制努力增加且誤差率亦增加時，則協方差也將增加。此指示控制努力太大。因此，所執行的校正係用以修正控制增益及／或學習，使得所生成的輸出信號減少控制努力。
現請翻閱第6圖，其顯示出由校準控制器405所執行的示例性控制演算法，其係應用於依據本發明的前饋回饋對齊控制。以下說明將利用與第1至4圖相關聯的參考符號來指示執行演算法控制的處理單元。在步驟S602中，校準控制器接收複數個輸入信號，該等輸入信號表示系統輸入控制信號和系統輸出控制信號。該等系統輸入控制信號和系統輸出控制信號包括用作前饋控制器410、對齊回饋控制器430和平台回饋控制器450之輸入和輸出的信號。在S602中所接收的附加輸入包括由壓印微影系統中的一或多個感測器所感測的位置輸入，包括但未受限於莫阿感測器(moiré sensor)和平台位置感測器。例如，在S602中所接收的信號至少包括上面第1表中所列出的該等信號。在S602中所接收的該等輸入信號係依據前饋回饋對齊控制系統的取樣率來連續接收。在另一個實施例中，在S602中所接收的該等輸入信號包括歷史輸入信號。該等歷史輸入信號係與上文所討論的類型相同，但要注意的例外在於它們係從先前完成的壓印處理所導出的。
在步驟S604中，校準控制器使用在S602中所接收的輸入以及系統模型參數來產生校準矩陣，該等參數界定了在整個控制系統中應用那一些轉移函數。在產生S604中的校準矩陣中，校準控制器將來自S602之所接收的輸入解耦、濾波、和常態化，使得可以決定所接收之輸入的一或多個之間的關係。藉由決定一或多個輸入信號之間的關係，用以產生將被施加至各種系統組件之適應性函數的學習率得以增進，而促進了基板和模板上的標記更快對齊。示例性校準矩陣包括如第3表中所示的轉移函數矩陣，其說明了各種輸入信號之間的關係。
Figure 02_image039
第 3 表：轉移函數矩陣其中 ˙
Figure 02_image001
表示對齊回饋控制器430 ˙
Figure 02_image003
表示平台回饋控制器450 ˙
Figure 02_image007
：由感測器158所感測的位置信號402，表示模板上的標記與基板上的標記之位置的相對位置 ˙
Figure 02_image015
：由平台位置感測器476所感測的位置信號474，表示在最近一次對齊動作完成時之平台的最後位置 ˙
Figure 02_image011
：從對齊回饋控制器430所輸出的控制信號，表示對齊軌跡資訊 ˙
Figure 02_image019
：從平台回饋控制器450所輸出的控制信號，表示平台軌跡資訊 ˙
Figure 02_image005
：輸入至對齊回饋控制器430的第一前饋控制信號 ˙
Figure 02_image041
：輸入至平台回饋控制器450的第二前饋控制信號 ˙
Figure 02_image021
：輸入至放大器470的第三前饋控制信號 在界定
Figure 02_image007
與
Figure 02_image011
和
Figure 02_image013
之間的關係中，使用了時變轉移函數
Figure 02_image043
及
Figure 02_image045
。如本文所使用的，
Figure 02_image047
(t)表示平台回饋控制器450的輸入
Figure 02_image011
＋
Figure 02_image013
與表示由感測器158所感測之位置信號402的輸出
Figure 02_image007
之間的時變轉移函數。進一步地，
Figure 02_image049
(t)表示平台放大器470的輸入
Figure 02_image019
＋
Figure 02_image021
與表示由感測器158所感測之位置信號402的輸出
Figure 02_image007
之間的時變轉移函數。在界定
Figure 02_image015
與
Figure 02_image019
和
Figure 02_image021
之間的關係中，使用了時變轉移函數
Figure 02_image051
及
Figure 02_image053
。如本文所使用的，
Figure 02_image055
(t)表示平台回饋控制器450的輸入
Figure 02_image011
＋
Figure 02_image013
與平台位置感測器476的輸出
Figure 02_image015
之間的時變轉移函數。進一步地，
Figure 02_image057
(t)表示平台放大器470的輸入
Figure 02_image019
＋
Figure 02_image021
與平台位置感測器476的輸出
Figure 02_image015
之間的時變轉移函數。進一步地，在界定前饋控制信號
Figure 02_image005
、
Figure 02_image013
、及
Figure 02_image021
與位置信號
Figure 02_image059
之間的關係中，校準矩陣考慮前饋控制器410的控制參數，其中
Figure 02_image061
係根據
Figure 02_image007
之用於
Figure 02_image005
的前饋控制器；
Figure 02_image063
表示根據
Figure 02_image015
之用於
Figure 02_image005
的前饋控制器；
Figure 02_image065
表示根據
Figure 02_image007
之用於
Figure 02_image013
的前饋控制器；
Figure 02_image067
表示根據
Figure 02_image015
之用於
Figure 02_image013
的前饋控制器；
Figure 02_image069
表示根據
Figure 02_image007
之用於
Figure 02_image021
的前饋控制器；
Figure 02_image071
表示根據
Figure 02_image015
之用於
Figure 02_image021
的前饋控制器。
在S604中所產生的校準矩陣還包括識別輸入信號之間的方差比的協方差矩陣。示例性協方差矩陣係顯示於下面的第4表中：
Figure 02_image073
第 4 表：協方差矩陣其中 ˙
Figure 02_image007
：由感測器158所感測的位置信號402，表示模板上的標記與基板上的標記之位置的相對位置 ˙
Figure 02_image015
：由平台位置感測器476所感測的位置信號474，表示在最近一次對齊動作完成時之平台的最後位置 ˙
Figure 02_image021
：輸入至放大器470的第三前饋控制信號 ˙
Figure 02_image009
：從最近對齊操作所導出且被輸入至對齊回饋控制器430的誤差值 ˙
Figure 02_image017
：從最近對齊操作所導出且被輸入至平台編碼器回饋控制器450的誤差值 ˙   E[ ]：係括號中任何內容的期望值。此可以被實施為在移動時間窗口上所計算的加權平均值。
S604進一步包括解耦該等輸入信號，以致使系統能夠組態出將被施加到各自系統控制器的參數，以便實現所期望之校正CVA處理期間所引入的振動的功效。當解耦第3表中的轉移函數矩陣時，可以獲得以下：
Figure 02_image075
其中，
Figure 02_image077
係表示所偵測的誤差(
Figure 02_image079
)與所感測的位置信號(
Figure 02_image081
)之間的轉移函數。 進一步地，當解耦協方差矩陣時，可以獲得以下：
Figure 02_image083
這樣做，可以獲得對齊控制回饋誤差
Figure 02_image009
與由對齊回饋控制器430所產生的控制信號
Figure 02_image011
之間的協方差值，平台控制回饋誤差
Figure 02_image017
與由平台回饋控制器450所產生的控制信號
Figure 02_image019
之間的協方差值，以及前饋控制信號
Figure 02_image021
與平台控制回饋誤差
Figure 02_image017
之間的協方差值。
在步驟S606中，校準控制器405調整與各個系統組件相關聯的學習率。在操作中，所解耦的協方差矩陣係用以調整用於產生適應性函數的學習率，該適應性函數將被施加到系統組件以提供控制參數，用以將主動振動取消注入至利用CVA對齊處理的對齊處理中。用於將被施加到對齊回饋控制器430之適應性函數的學習率係依據以下方程式來調整：
Figure 02_image085
其中
Figure 02_image087
表示用於適應性函數的學習率，以
Figure 02_image001
為目標，
Figure 02_image089
表示學習率調整常數或函數。用於將被施加到平台回饋控制器之適應性函數的學習率係依據以下方程式來調整：
Figure 02_image091
其中
Figure 02_image093
表示用於適應性函數的學習率，以
Figure 02_image003
為目標，
Figure 02_image095
表示學習率調整常數或函數。最後，用於將被施加到前饋控制器410之適應性函數的學習率係依據以下方程式來調整：
Figure 02_image097
其中
Figure 02_image099
表示用於適應性函數的學習率，以前饋控制器410為目標，
Figure 02_image101
表示學習率調整常數或函數。
使用S606中所產生的學習率，可以產生組件特定適應性函數。第一適應性函數係依據以下方程式而使用第3表中之解耦的轉移函數矩陣來產生並施加至前饋控制器410：
Figure 02_image103
其中
Figure 02_image105
表示正在施加之控制參數的變化，
Figure 02_image099
表示用於適應性函數的學習率，以及
Figure 02_image107
表示用於前饋控制器410的適應性函數。第二適應性函數係依據以下方程式來產生並施加至對齊回饋控制器430：
Figure 02_image109
其中
Figure 02_image111
表示施加至對齊回饋控制器430的變化，
Figure 02_image087
表示施加至控制器430的學習率，以及
Figure 02_image113
表示用於
Figure 02_image001
的適應性函數。第三適應性函數係依據以下方程式來產生並施加至平台回饋控制器450：
Figure 02_image115
其中
Figure 02_image117
表示施加至平台回饋控制器450的變化，
Figure 02_image093
表示施加至控制器450的學習率，以及
Figure 02_image119
表示用於
Figure 02_image003
的適應性函數。
回到第4圖，在依據本文所描述之系統的取樣率的每個取樣時間，學習率在S606中持續地調整，以便不斷地更新組件特定適應性函數，該等適應性函數主動地有助於消除在受控黏度對齊處理期間所引入的雜訊。在S610中施加了該等所更新的組件特定適應性函數。在每個取樣時，第一適應性函數406係施加至前饋控制器410，當產生第一、第二、及第三前饋控制信號
Figure 02_image121
時由前饋控制器410所使用。第二適應性函數係施加至對齊回饋控制器430，並且除了如上文所討論之其正規輸入之外，藉此被用以產生控制信號
Figure 02_image011
。第三適應性函數係施加至平台回饋控制器450，並且除了其正規輸入之外，藉此被用以產生控制信號
Figure 02_image019
。
在步驟S610中，輸出控制信號472被提供給放大器470，該放大器根據產生的輸出信號來控制可移動平台以接近目標位置。感測器158決定與基板上之標記和模板上之標記的相對位置相關聯的誤差值是否在預定的誤差範圍內。如果在S612中之決定結果係肯定的，表示誤差值在可接受的範圍內，則決定為模板上之標記與基板上之標記彼此對齊，控制演算法在S612結束。
因此，上文所詳述的控制演算法可以用於半導體製造處理以製造一或多個物件或裝置。用以使已依據上文所描述的控制演算法而成功對齊之基板經受的處理包括，但未受限於：壓印微影；光微影；烘烤；氧化；層形成；沉積；摻雜；蝕刻：去渣；切割；接合；封裝；等等。該基板可以使用其他已知的步驟和處理來進一步處理以供物件的製造之用，包括例如檢查，固化，氧化，層形成，沉積，摻雜，平面化，蝕刻，可成形材料去除，切割，接合，封裝，等等。綜上所述，可將該基板予以處理用以生產複數個物件(裝置)。
在一實例中，處理可以包括在該基板上分配壓印阻劑(例如，液體)以及將該壓印阻劑與物體接觸，使得其上具有圖案的該物體與該壓印阻劑接觸。處理包括對齊處理，用以將該基板和物體(例如，模板)對齊到預定的對齊位置，且然後處理已分配該壓印阻劑於其上的該基板，以便製造該等物件。在如此的處理中，對該基板施加能量，用以固化該阻劑並在該基板上形成與該模板上之該圖案相對應的圖案。此處理係重複地執行，使得在藉由該施加的能量來固化該阻劑之前將該物體和該基板對齊。
已描述了許多實施方式。儘管如此，應瞭解的是，在不背離本發明之精神和範圍的情況下可以做成各種修正。因此，其他實施方式係在所附申請專利範圍的範疇內。
本發明之實施例可以藉由經由網路或儲存媒體對系統或設備提供實施上述實施例之一或多個功能的程式，並利用系統或設備之電腦中的一或多個處理器來讀取且執行該程式以實現。此外，本發明之實施例可以藉由實施一或多個功能的電路(例如，應用特定積體電路(ASIC))來執行。
本發明之實施例還可以藉由系統或設備之電腦，該電腦讀出並執行記錄在儲存媒體(其亦可被稱作或更完整地稱作‘非暫態電腦可讀取儲存媒體’)上之用以執行上述一或多個實施例之功能的電腦可讀取指令(例如，一或多個程式)，及／或包括用以執行上述一或多個實施例之功能的一或多個電路(例如，應用特定積體電路(ASIC))，以及藉由該系統或設備之該電腦所執行的方法來實現，例如，藉由從儲存媒體讀出並執行用以執行上述一或多個實施例之功能的電腦可讀取指令(例如，一或多個程式)，及／或控制用以執行上述一或多個實施例之功能的一或多個電路的方法。電腦可以包含一或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))且可包括獨立電腦或獨立處理器的網路，用以讀出並執行電腦可執行指令。電腦可執行指令可以例如，從網路或儲存媒體來提供給電腦。儲存媒體可以包括例如，一或多個硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式計算系統的儲存、光碟(諸如光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)、或藍光光碟
Figure 02_image123
)、快閃記憶體裝置、記憶卡、等等。
在參考描述時，具體的細節被闡述以便提供對所揭示之實例的透徹瞭解。在其他情況中，熟知的方法、程序、組件、和電路並未被詳細描述，以免不必要地延長本發明。
應瞭解的是，如果元件或部件在本文被稱作"在"、"對著"、"連接到"、或"耦接到"另一個元件或部件，則它可以直接在、對著、連接到、或耦接到其他的元件或部件，或者可以存在中間的元件或部件。相反地，如果元件被稱作"直接在"、"直接連接到"、或"直接耦接到"另一個元件或部件，則不存在中間的元件或部件。當使用時，"及／或"的用語包括一或多個相關聯之列出項目的任何或所有組合，如果被如此提供的話。
諸如"在下"、"在下面"、"在下方"、"下方"、"在上面"、"上方"、"近端"、"遠端"、等等的空間相對用語，可以在本文中被使用，以便於說明，用以描述一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係，如各種圖式中所圖示的。然而，應理解的是，除了在圖式中所描繪的取向之外，該等空間相對用語係打算要涵蓋裝置在使用或操作中的不同取向。例如，如果在圖式中的裝置被翻轉，則描述為在其他元件或特徵"下面"或"下方"的元件將被取向在其他元件或特徵"上面"。因此，諸如"下面"的空間相對用語可以涵蓋"上面"或"下方"二者的取向。裝置可以以其他方式來取向(旋轉90度或以其他取向)，並且在本文所使用的空間相對描述符將被相對應地解釋。類似地，空間相對用語"近端"及"遠端"亦可係可互換的，若適用的話。
如本文所使用之"大約"的用語意指，例如，在10%以內，在5%以內，或更少。在一些實施例中，"大約"的用語可以意指在測量誤差範圍內。
第一、第二、第三、等等的用語可以在本文中用以描述各種元件、組件、區域、部件、及／或區段。應瞭解的是，該等元件、組件、區域、部件、及／或區段不應由該等用語所限制。該等用語僅用以將一個元件、組件、區域、部件、或區段與另一個元件、組件、區域、部件、或區段區分開。因此，在不背離本文之教義的情況下，可以將下文所討論的第一元件、組件、區域、部件、或區段稱作第二元件、組件、區域、部件、或區段。
本文所使用的用語僅係用於描述特定實施例之目的，且並不打算成為限制。如本文所使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數個的形式"一"、"一個"、及"該"打算也包括複數個的形式。應進一步瞭解的是，當使用於本說明書時，"包含"及／或"包括"的用語指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及／或組件的存在，但不排除存在或添加並未明確說明之一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及／或其群組。
以上僅說明本發明的原理。鑒於本文之教義，對所描述之示例性實施例的各種修正和改變對於熟習於本項技藝之該等人士將係顯而易見的。
在描述圖式中所圖示出的實例實施例時，為了清楚起見採用了特定用語。然而，此專利說明書的揭示並不打算要受限於如此選擇的特定用語，並且應瞭解的是，每個元件都包括以類似方式操作的所有技術裝備。
100:壓印微影術系統 102:基板 104:基板卡盤 106:平台 108:模板 110:台面(模具) 112:圖案化表面 124:凹部 126:突出部 128:模板卡盤 130:壓印頭 132:流體分配系統 134:可聚合材料 136:液滴 138:能量源 140:直接能量 142:路徑 144:控制器 146:記憶體 148:表面 150:聚合物圖案化層 152:殘留層 154:突出 156:凹陷 158:感測器 302,304:對齊標記 401:能量控制器 402:位置信號 405:校準控制器 406:第一適應性函數 410:前饋控制器 412:第一前饋控制信號 414:第二前饋控制信號 420:第一接面 422:第一輸入信號 430:對齊回饋控制器 432,452:對齊軌跡資訊 440:第二接面 442:第二輸入信號 450:平台回饋控制器 460:第三接面 462:平台運動控制信號 470:平台放大器 472:輸出控制信號 474:平台位置資訊 476:平台位置感測器
[第1圖]描繪奈米壓印微影系統的側視圖。
[第2圖]描繪第1圖之基板的側視圖。
[第3圖]描繪出與基板上的液體壓印阻劑接觸之奈米壓印微影模板的側視圖，分別顯示該模板與該基板上的一對實例對齊標記之間的初始對齊誤差X0。
[第4圖]描繪方塊圖，該方塊圖說明了用於模板及基板上之對齊標記的前饋和回饋控制。
[第5圖]說明受控的黏性對齊操作。
[第6圖]係詳述對齊控制演算法的流程圖。
102:基板
108:模板
134:可聚合材料
158:感測器
302,304:對齊標記
X0:初始對齊誤差

Claims (18)

  1. 一種壓印支撐在可移動平台上之基板的方法，該方法包含： 將該基板上的液體阻劑與模板接觸； 使用利用第一組控制參數的回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊； 獲得校準資料； 增加至少一部分該阻劑的黏性； 在該阻劑的該黏性增加後，使用利用第二組控制參數的該回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊，其中該第二組控制參數係根據該校準資料來決定；以及 固化該模板下的該阻劑。
  2. 如請求項1之方法，其中該校準資料係在使用利用該第一組控制參數的該回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊的同時產生的。
  3. 如請求項1之方法，進一步包括藉由以下來產生該校準資料： 接收一組隨著時間而變化的對齊控制； 將該組對齊控制轉換為一組隨著第一狀態變量而變化的對齊狀態值； 接收一組隨著時間而變化的位置估計； 將該組位置估計轉換為一組隨著該第一狀態變量而變化的位置狀態值；以及 產生一或多個協方差值。
  4. 如請求項3之方法，其中該組對齊控制包括(a)用於該回饋前饋控制處理中的一或多個適應性函數；(b)用以控制該平台的該位置的一或多個輸出控制信號；以及(c)控制一或多個能量參數，其被施加以增加該阻劑的該黏性的能量控制器信號。
  5. 如請求項3之方法，其中該組位置估計包括表示該模板上之標記相對於該基板上之標記的第一位置信號，以及表示該平台之位置的第二位置信號。
  6. 如請求項3之方法，其中產生該校準矩陣進一步包括獲得第二組對齊控制及第二組位置估計，其中該第二組對齊控制及該第二組位置估計係根據先前所執行的壓印處理。
  7. 如請求項3之方法，其中該所產生的協方差值係用以藉由修正在該回饋前饋控制處理期間所施加的一或多個控制函數來產生該第二組控制參數。
  8. 如請求項1之方法，其中該第一組控制參數包括頻率分量及該第二組控制參數表示根據該校準資料所產生之更新的頻率分量，且該方法進一步包括 根據該第二組控制參數中之該所更新的頻率分量來將該基板與該模板對齊。
  9. 一種壓印微影系統，用以控制壓印微影模板相對於基板的對齊，該系統包含： 平台，組態用以保持該基板且係可移動的，使得該平台的位置可以被修正； 沉積器，組態用以在該基板上沉積阻劑； 能量控制器，組態用以對該阻劑施加能量以增加其黏性； 感測器，組態用以感測該基板相對於該壓印微影模板的位置；以及 至少一個與該平台及該感測器通信的控制器，組態用以根據具有接觸該模板之液體壓印阻劑的基板； 使用利用第一組控制參數的回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊； 獲得校準資料； 增加至少一部分該阻劑的黏性； 在該阻劑的該黏性增加後，使用利用第二組控制參數的該回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊，其中該第二組控制參數係根據該校準資料來決定；以及 固化該模板下的該阻劑。
  10. 如請求項9之系統，其中該至少一個控制器係進一步組態用以在使用利用該第一組控制參數的該回饋前饋控制處理來將該基板與該模板對齊的同時產生該校準資料。
  11. 如請求項9之系統，其中該至少一個控制器係進一步組態用以藉由以下來產生該校準資料： 接收一組隨著時間而變化的對齊控制； 將該組對齊控制轉換為一組隨著第一狀態變量而變化的對齊狀態值； 接收一組隨著時間而變化的位置估計； 將該組位置估計轉換為一組隨著該第一狀態變量而變化的位置狀態值；以及 產生一或多個協方差值。
  12. 如請求項11之系統，其中該組對齊控制包括(a)用於該回饋前饋控制處理中的一或多個適應性函數；(b)用以控制該平台的該位置的一或多個輸出控制信號；以及(c)控制一或多個能量參數，其被施加以增加該阻劑的該黏性的能量控制器信號。
  13. 如請求項11之系統，其中該組位置估計包括表示該模板上之標記相對於該基板上之標記的第一位置信號，以及表示該平台之位置的第二位置信號。
  14. 如請求項11之系統，其中產生該校準矩陣進一步包括獲得第二組對齊控制及第二組位置估計，其中該第二組對齊控制及該第二組位置估計係根據先前所執行的壓印處理。
  15. 如請求項11之系統，其中該所產生的協方差值係用以藉由修正在該回饋前饋控制處理期間所施加的一或多個控制函數來產生該第二組控制參數。
  16. 如請求項1之系統，其中該第一組控制參數包括頻率分量及該第二組控制參數表示根據該校準資料所產生之更新的頻率分量，且該系統進一步包括 根據該第二組控制參數中之該所更新的頻率分量來將該基板與該模板對齊。
  17. 一種物件之製造方法，包括使用如請求項1之壓印方法，該物件之製造方法進一步包含： 在該基板上分配壓印阻劑，該壓印阻劑係液體； 將該壓印阻劑與物體接觸，該物體上具有與該壓印阻劑接觸的圖案；以及 處理已分配該壓印阻劑於其上的該基板，以便製造該等物件。
  18. 如請求項19之製造方法，其中處理該基板進一步包括： 對該基板施加能量，用以固化該壓印阻劑並在該基板上形成與該物體上之該圖案對應的圖案； 其中在該物體與該壓印阻劑接觸的同時重複執行控制該可移動平台的方法，使得在藉由該施加的能量來固化該阻劑之前將該物體和該基板對齊。
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