JP2022128166A - Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus - Google Patents

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Abstract

To complete a cleaning process quickly, which is done by sliding a brush relative to an underside of a board.SOLUTION: A process consists of a step for holding a lower surface of a substrate on which a film is formed by a substrate holding section, and a step for cleaning the substrate by pressing first and second brushes against the lower surface of the substrate and sliding them in a same sliding direction relative to each other against the lower surface of the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、基板洗浄方法及び基板洗浄装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus.

半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対して各種の処理が行われる。この処理の一つとして、ウエハの裏面に対してブラシを摺動させて洗浄する処理が有る。特許文献１にはそのような洗浄処理を行う装置について示されている。 2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device, various kinds of processing are performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) which is a substrate. As one of these processes, there is a process of cleaning by sliding a brush against the back surface of the wafer. Patent Literature 1 discloses an apparatus for performing such a cleaning process.

特開２００８－１７７５４１号公報JP 2008-177541 A

本開示は、基板の下面に対してブラシを相対的に摺動させて行う洗浄処理を速やかに完了することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of quickly completing a cleaning process performed by relatively sliding a brush on the lower surface of a substrate.

本開示の基板洗浄方法は、上面に膜が形成されている基板の下面を、基板保持部により保持する工程と、
第１のブラシ及び第２のブラシを前記基板の下面に押し当て、当該基板の下面に対して相対的に互いに同じ摺動方向に摺動させて洗浄する洗浄工程と、
を備える。 A substrate cleaning method of the present disclosure includes a step of holding a lower surface of a substrate having a film formed on the upper surface thereof with a substrate holding part;
a cleaning step of cleaning by pressing a first brush and a second brush against the lower surface of the substrate and sliding them in the same sliding direction relative to the lower surface of the substrate;
Prepare.

本開示によれば、基板の下面に対してブラシを相対的に摺動させて行う洗浄処理を速やかに完了することができる。 According to the present disclosure, it is possible to quickly complete the cleaning process performed by relatively sliding the brush on the lower surface of the substrate.

本開示の第１の実施形態の処理を行う洗浄装置の平面図である。1 is a plan view of a cleaning apparatus that performs processing according to the first embodiment of the present disclosure; FIG. 前記洗浄装置の縦断側面図である。It is a vertical side view of the said washing|cleaning apparatus. 前記洗浄装置における処理を示す平面図である。It is a top view which shows the process in the said washing|cleaning apparatus. 前記洗浄装置における処理を示す平面図である。It is a top view which shows the process in the said washing|cleaning apparatus. 前記洗浄装置における処理を示す平面図である。It is a top view which shows the process in the said washing|cleaning apparatus. 第２の実施形態の処理を行う洗浄装置の側面図である。FIG. 11 is a side view of a cleaning apparatus that performs processing according to the second embodiment; 前記洗浄装置における処理を示す平面図である。It is a top view which shows the process in the said washing|cleaning apparatus. 前記洗浄装置における処理を示す平面図である。It is a top view which shows the process in the said washing|cleaning apparatus. 前記洗浄装置における処理を示す平面図である。It is a top view which shows the process in the said washing|cleaning apparatus. 前記洗浄装置のブラシの模式図である。It is a schematic diagram of the brush of the said washing|cleaning apparatus. 第３の実施形態の処理を行う洗浄装置の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a cleaning apparatus that performs processing according to the third embodiment; 第３の実施形態の変形例の処理を行う洗浄装置の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a cleaning apparatus that performs processing according to a modification of the third embodiment; 第３の実施形態の変形例の処理を行う洗浄装置の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a cleaning apparatus that performs processing according to a modification of the third embodiment; 第４の実施形態の処理を行う洗浄装置の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a cleaning apparatus that performs processing according to the fourth embodiment; 第４の実施形態の変形例の処理を行う洗浄装置の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a cleaning apparatus that performs processing according to a modification of the fourth embodiment; 第５の実施形態の処理を行う洗浄装置の側面図である。FIG. 11 is a side view of a cleaning apparatus that performs processing according to the fifth embodiment; 前記洗浄装置に設けられるブラシの斜視図である。It is a perspective view of the brush provided in the said washing|cleaning apparatus.

（第１の実施形態）
本開示の基板洗浄方法の第１の実施形態を実施する洗浄装置１について、図１の平面図及び図２の縦断側面図を参照しながら説明する。基板洗浄装置の一実施形態である洗浄装置１においては、表面（上面）にレジスト膜が形成された円形の基板であるウエハＷの裏面（下面）に対して、２つのブラシを同時に押し当てて相対的に摺動させることにより洗浄を行う。従って、ウエハＷの下面の異なる位置を同時に処理する。なお、このように裏面が洗浄されたウエハＷは露光機に搬送され、上記のレジスト膜が所定のパターンに沿って露光される。この露光処理時においてウエハＷの裏面に異物が付着していると、当該露光機のステージからウエハＷが浮き上がるように載置されることで、露光機の光学系とウエハＷとの距離が設計値からずれてデフォーカスとなってしまうが、洗浄装置１で処理されることで、それが防止される。 (First embodiment)
A cleaning apparatus 1 that implements a first embodiment of the substrate cleaning method of the present disclosure will be described with reference to the plan view of FIG. 1 and the longitudinal side view of FIG. In the cleaning apparatus 1, which is an embodiment of the substrate cleaning apparatus, two brushes are simultaneously pressed against the back surface (lower surface) of a wafer W, which is a circular substrate having a resist film formed on the front surface (upper surface). Cleaning is performed by sliding them relative to each other. Therefore, different locations on the underside of wafer W are processed simultaneously. The wafer W whose back surface has been cleaned in this manner is transported to an exposure machine, and the resist film is exposed along a predetermined pattern. If foreign matter adheres to the back surface of the wafer W during this exposure process, the wafer W is mounted so as to be lifted from the stage of the exposure machine, so that the distance between the optical system of the exposure machine and the wafer W is designed. Defocusing occurs due to deviation from the value, but this is prevented by being processed by the cleaning device 1 .

洗浄装置１は、ベース体１１と、スピンチャック１２と、カップ３と、洗浄処理部４とを備えている。ベース体１１は平面視長方形状に形成されており、洗浄装置１の外部に設けられる図示しない搬送機構によって、ベース体１１の長さ方向の一端側からウエハＷが洗浄装置１に搬送される。この一端側を前方側として説明する。また以下の説明での左右は、後方から前方に向けて見たときの左右である。ベース体１１は、前後方向を長手方向とする角型の凹部１３を備えており、この凹部１３内はウエハＷの処理領域として構成されている。なお、この前後方向は後述するスピンチャック１２の中心（＝保持されるウエハＷの中心）と、ウエハＷを洗浄するブラシを旋回させる旋回軸（中心軸Ｒ１）とが並ぶ方向である。 The cleaning device 1 includes a base body 11 , a spin chuck 12 , a cup 3 and a cleaning processing section 4 . The base body 11 is rectangular in plan view, and the wafer W is transported from one longitudinal end of the base body 11 to the cleaning apparatus 1 by a transport mechanism (not shown) provided outside the cleaning apparatus 1 . This one end side will be described as the front side. Also, left and right in the following description are left and right when viewed from the rear toward the front. The base body 11 is provided with a rectangular concave portion 13 whose longitudinal direction is the front-rear direction. Note that the front-rear direction is the direction in which the center of the spin chuck 12 (=the center of the wafer W to be held), which will be described later, and the rotation axis (central axis R1) for rotating the brush that cleans the wafer W are aligned.

上記の凹部１３内の処理領域の前方側に、スピンチャック１２が設けられている。スピンチャック１２はウエハＷの下面の中心部を吸着して、当該ウエハＷを水平に保持する円形のステージである。スピンチャック１２の下方側はシャフト１４を介して回転機構１５に接続されており、回転機構１５はスピンチャック１２に保持されたウエハＷが鉛直軸回りに、具体的には例えば平面視（上面視）時計回りに回転するように、当該スピンチャック１２を周方向に回転させる。スピンチャック１２の側方には、当該スピンチャック１２の回転方向に沿って間隔を空けて、垂直な３本（図２では２本のみ表示）の支持ピン１６が配設されている。昇降機構１７によって支持ピン１６は昇降し、上記の搬送機構と、スピンチャック１２と、後述する非回転チャック３５と、の間でウエハＷを受け渡すことができる。 A spin chuck 12 is provided on the front side of the processing area within the recess 13 . The spin chuck 12 is a circular stage that holds the wafer W horizontally by sucking the central portion of the lower surface of the wafer W. As shown in FIG. The lower side of the spin chuck 12 is connected to a rotating mechanism 15 via a shaft 14. The rotating mechanism 15 rotates the wafer W held by the spin chuck 12 around the vertical axis, specifically, for example, in plan view (top view). ) rotate the spin chuck 12 in the circumferential direction so as to rotate clockwise; Three vertical support pins 16 (only two are shown in FIG. 2) are arranged on the side of the spin chuck 12 at intervals along the rotation direction of the spin chuck 12 . The lifting mechanism 17 raises and lowers the support pins 16 so that the wafer W can be transferred between the transfer mechanism, the spin chuck 12, and the non-rotating chuck 35, which will be described later.

上記のスピンチャック１２、回転機構１５、支持ピン１６及び昇降機構１７を囲むように、ベース体１１の底部から上方に向かって伸びる円筒部が設けられ、エアナイフ１８として構成されている。エアナイフ１８の上端面は、内方へ向かって傾斜する傾斜面をなす。当該傾斜面には上方へ向けて例えばエアを吐出する吐出口１９が、周方向に間隔を空けて設けられている。スピンチャック１２にウエハＷの裏面が吸着保持されるときにエアナイフ１８の上端はウエハＷの裏面に近接し、吐出口１９からエアが吐出されることで、ウエハＷの裏面中心部に洗浄液が付着することを防ぐ。 A cylindrical portion extending upward from the bottom of the base body 11 is provided so as to surround the spin chuck 12 , the rotating mechanism 15 , the support pins 16 and the lifting mechanism 17 , and is configured as an air knife 18 . The upper end surface of the air knife 18 forms an inwardly inclined surface. Discharge ports 19 for discharging, for example, air upward are provided on the inclined surface at intervals in the circumferential direction. When the back surface of the wafer W is held by the spin chuck 12 by suction, the upper end of the air knife 18 comes close to the back surface of the wafer W, and the cleaning liquid adheres to the center of the back surface of the wafer W by ejecting air from the ejection port 19 . prevent

ベース体１１の凹部１３の底部には排液口２２が設けられている。また、排液口２２よりもエアナイフ１８寄りの位置に、凹部１３内を排気する起立した排気管２３が設けられており、ウエハＷの処理中は当該排気管２３からの排気が行われる。エアナイフ１８の下部から排気管２３の上方を外方へ向けて広がるフランジ２４が設けられ、廃液が排気管２３に流入することが防止されるように、当該フランジ２４の外端部は排気管２３の外側で下方へと屈曲されている。 A drain port 22 is provided at the bottom of the concave portion 13 of the base body 11 . Further, an upright exhaust pipe 23 for exhausting the interior of the concave portion 13 is provided at a position closer to the air knife 18 than the liquid discharge port 22, and exhaust is performed from the exhaust pipe 23 while the wafer W is being processed. A flange 24 is provided that extends outward from the lower portion of the air knife 18 above the exhaust pipe 23 , and the outer end of the flange 24 extends toward the exhaust pipe 23 so as to prevent waste liquid from flowing into the exhaust pipe 23 . is bent downward on the outside of the

カップ３はエアナイフ１８を囲み、上端部が内方へと突出する円筒体として構成されている。カップ３により処理中のウエハＷの側周が囲まれ、廃液の飛散が防止される。なお、スピンチャック１２あるいは後述の非回転チャック３５にウエハＷが保持される際に、ウエハＷはカップ３と同心になるように保持される。カップ３の左右の外壁からは各々支持部３１が、凹部１３の外縁上へ向けて伸び出しており、ベース体１１に設けられる水平移動機構３２に接続されており、当該水平移動機構３２によりカップ３は凹部１３内を前後に移動可能である。このカップ３の移動領域の前方側、後方側を夫々前方位置、後方位置とする。図１は前方位置に位置した状態のカップ３を示しており、当該前方位置におけるカップ３の中心は、平面視スピンチャック１２の中心に一致する。後方位置におけるカップ３の中心は、エアナイフ１８よりも後方に位置する。 The cup 3 surrounds the air knife 18 and is configured as a cylindrical body with an upper end protruding inward. The cup 3 surrounds the side circumference of the wafer W being processed and prevents the waste liquid from scattering. When the wafer W is held by the spin chuck 12 or a non-rotating chuck 35 which will be described later, the wafer W is held concentrically with the cup 3 . Support portions 31 extend from the left and right outer walls of the cup 3 toward the outer edge of the recess 13 and are connected to a horizontal movement mechanism 32 provided on the base body 11. The horizontal movement mechanism 32 moves the cup. 3 can move back and forth within the recess 13 . The front side and the rear side of the movement area of the cup 3 are defined as the front position and the rear position, respectively. FIG. 1 shows the cup 3 in a forward position, and the center of the cup 3 in the forward position coincides with the center of the spin chuck 12 in plan view. The center of the cup 3 in the rear position is located behind the air knife 18 .

水平移動機構３２は昇降機構３３に接続されており、カップ３と共にベース体１１に対して昇降可能である。この昇降機構３３により、カップ３は非回転チャック３５の上面（ウエハＷの支持面）がスピンチャック１２の上面（ウエハＷの支持面）よりも高い上方位置と、非回転チャック３５の上面がスピンチャック１２の上面よりも低い下方位置との間で昇降可能である。 The horizontal movement mechanism 32 is connected to an elevating mechanism 33 and is capable of elevating with respect to the base body 11 together with the cup 3 . The lift mechanism 33 moves the cup 3 to a position where the upper surface of the non-rotating chuck 35 (supporting surface of the wafer W) is higher than the upper surface of the spin chuck 12 (supporting surface of the wafer W), and the upper surface of the non-rotating chuck 35 is positioned above the spin chuck 12 (supporting surface of the wafer W). It is possible to move up and down between a lower position lower than the upper surface of the chuck 12 .

カップ３内には、エアナイフ１８を左右から挟むと共に前後に延伸された２つの橋部３４が形成されており、各橋部３４には非回転チャック３５が設けられている。非回転チャック３５により、ウエハＷの裏面中心部の外側領域が吸着されて、当該ウエハＷが水平に保持される。当該非回転チャック３５、上記のスピンチャックの各々は基板保持部をなし、ウエハＷの裏面中心部を処理するときには非回転チャック３５に、ウエハＷの裏面周縁部を処理するときにはスピンチャック１２に夫々ウエハＷが保持されて、ブラシにより処理される。 Two bridges 34 are formed in the cup 3 so as to sandwich the air knife 18 from the left and right and to extend forward and backward. The non-rotating chuck 35 sucks the outer area of the center of the back surface of the wafer W to hold the wafer W horizontally. The non-rotating chuck 35 and the spin chuck each form a substrate holding part, and when processing the central portion of the back surface of the wafer W, the non-rotating chuck 35 is used, and when processing the peripheral portion of the back surface of the wafer W, the spin chuck 12 is used. A wafer W is held and processed by the brush.

カップ３で囲まれる領域のスピンチャック１２の近傍にはノズル３６が設けられており、洗浄液として例えば純水を、斜め上方且つ後方に向けて吐出する。そのような向きでの洗浄液の吐出により、ウエハＷが後方位置で非回転チャック３５に保持されるときにはウエハＷの下面の中心部に、ウエハＷが前方位置でスピンチャック１２に保持されるときにはウエハＷの下面の周縁部に、夫々洗浄液が供給され、後述のブラシ５１はこのように洗浄液が供給された領域を摺動する。 A nozzle 36 is provided in the vicinity of the spin chuck 12 in the area surrounded by the cup 3, and a cleaning liquid such as pure water is discharged obliquely upward and rearward. By discharging the cleaning liquid in such a direction, when the wafer W is held by the non-rotating chuck 35 at the rear position, the center of the lower surface of the wafer W is formed. A cleaning liquid is supplied to the peripheral edges of the lower surfaces of W, respectively, and a brush 51 described later slides on the region to which the cleaning liquid is thus supplied.

続いて、洗浄処理部４について説明する。この洗浄処理部４及び上記のスピンチャック１２は、ブラシをウエハＷに対して摺動させて洗浄するための摺動機構をなす。洗浄処理部４は、凹部１３内に設けられる水平な円形のステージ４１を備えている。ステージ４１は、昇降機構を備えるステージ本体４２と、回転機構４３、４４と、を備えている。ステージ４１の上部における周方向に互いに隣接する部位が、夫々回転機構４３、４４として構成されており、これらの回転機構４３、４４は各々平面視扇状に形成されている。そして、ステージ本体４２により回転機構４３、４４は互いに独立して昇降自在である。 Next, the cleaning processing section 4 will be described. The cleaning processing unit 4 and the spin chuck 12 form a sliding mechanism for cleaning the wafer W by causing the brush to slide. The cleaning processing unit 4 includes a horizontal circular stage 41 provided within the recess 13 . The stage 41 includes a stage main body 42 having an elevating mechanism, and rotating mechanisms 43 and 44 . Circumferentially adjacent portions of the upper portion of the stage 41 are configured as rotating mechanisms 43 and 44, respectively, which are fan-shaped in plan view. The rotating mechanisms 43 and 44 can be moved up and down independently of each other by the stage main body 42 .

上記のステージ４１は、その中心軸Ｒ１周りに回動自在に構成されている。従って、ステージ４１は縦軸、具体的には鉛直軸周りに回動する。この中心軸Ｒ１は、エアナイフ１８の後方で、前方位置におけるカップ３の周縁近傍に位置する。そして、中心軸Ｒ１とスピンチャック１２の中心とが並ぶ方向は、カップ３の前後の移動方向に揃っている。 The stage 41 is rotatable about its central axis R1. Therefore, the stage 41 rotates about the vertical axis, specifically the vertical axis. This central axis R1 is positioned behind the air knife 18 and near the periphery of the cup 3 at the front position. The direction in which the central axis R1 and the center of the spin chuck 12 are aligned is aligned with the direction in which the cup 3 moves back and forth.

なお、上記のようにステージ４１が回動するため回転機構４３、４４の位置は変位するが、回転機構４３、４４が共に前方側に位置したときの右側の回転機構を４３、左側の回転機構を４４として示している。これらの回転機構４３、４４の上方には夫々、水平な円形のブラシ５１が設けられている。この２つのブラシ５１は互いに同様に構成されており、例えばスポンジや樹脂などの弾性を有する部材からなり、その上端面がウエハＷの下面に押し当てられて摺動する摺動面をなす。各ブラシ５１の下部側はシャフト５２を介して回転機構４３、４４に夫々接続されており、回転機構４３、４４により、各ブラシ５１は当該ブラシ５１の中心軸周りに回転する。このブラシ５１の中心軸は縦方向、より具体的には鉛直方向に沿って伸びている。このように洗浄処理部４が構成されることで、各ブラシ５１はステージ４１の中心軸Ｒ１を旋回軸として旋回移動する。即ち当該中心軸Ｒ１を公転軸として、公転するように移動可能である。さらにブラシ５１は、回転機構４３、４４により自転するように回転可能に構成されている。この実施形態ではブラシ５１Ａ、５１Ｂの自転は、平面視反時計回りに行われる。 Since the stage 41 rotates as described above, the positions of the rotation mechanisms 43 and 44 are displaced. is shown as 44. Horizontal circular brushes 51 are provided above these rotating mechanisms 43 and 44, respectively. The two brushes 51 are constructed in the same manner as each other, and are made of an elastic member such as sponge or resin. The lower side of each brush 51 is connected to rotation mechanisms 43 and 44 via a shaft 52 , and each brush 51 rotates around the central axis of the brush 51 by the rotation mechanisms 43 and 44 . The central axis of this brush 51 extends along the longitudinal direction, more specifically along the vertical direction. By configuring the cleaning processing unit 4 in this way, each brush 51 pivots about the central axis R1 of the stage 41 as a pivot. That is, it can move so as to revolve around the central axis R1 as a revolution axis. Further, the brush 51 is rotatable by rotating mechanisms 43 and 44 so as to rotate on its own axis. In this embodiment, the brushes 51A and 51B rotate counterclockwise in plan view.

第１の実施形態では、上記の２つのブラシ５１が第１のブラシ及び第２のブラシである。当該ブラシ５１の配置についてさらに説明しておくと、２つのブラシ５１は平面視で互いに近接してステージ４１の周方向に沿って配置され、各ブラシ５１の中心は中心軸Ｒ１から等距離に位置するように、ステージ４１の周縁部上に各々配置されている。なお、ブラシ５１について、回転機構４３に接続されるブラシを５１Ａ、回転機構４４に接続されるブラシを５１Ｂとして互いに区別する場合が有る。 In the first embodiment, the two brushes 51 are the first brush and the second brush. To further explain the arrangement of the brushes 51, the two brushes 51 are arranged close to each other in a plan view along the circumferential direction of the stage 41, and the centers of the brushes 51 are positioned equidistant from the central axis R1. They are arranged on the periphery of the stage 41 so as to do so. The brushes 51 may be distinguished from each other by referring to a brush 51A connected to the rotating mechanism 43 and a brush 51B connected to the rotating mechanism 44 .

ところで既述のようにカップ３は前方位置と後方位置との間で移動するが、前方位置のカップ３よりも後方で、カップ３の左右の中心よりも左側に待機部２５が設けられている。なお、そのように移動するカップ３に干渉しないように、待機部２５はカップの下端よりも下側に設けられている。待機部２５は、２つのブラシ５１を夫々収容するために下方側が開口すると共に前後に並ぶ２つの凹部を備え、当該凹部内はブラシ５１Ａ、５１Ｂを待機させるための待機領域２６として構成される。従って、待機部２５はブラシ５１を上方から被覆する被覆部として構成されており、待機領域２６にて待機するブラシ５１Ａ、５１Ｂに洗浄液を供給して、洗浄する。 By the way, as already mentioned, the cup 3 moves between the front position and the rear position, and the standby part 25 is provided behind the cup 3 at the front position and on the left side of the left and right center of the cup 3. . Note that the standby portion 25 is provided below the lower end of the cup so as not to interfere with the moving cup 3 . The standby part 25 has two recesses which are open at the lower side and are arranged in the front-rear direction so as to accommodate the two brushes 51 respectively. Therefore, the standby section 25 is configured as a covering section that covers the brushes 51 from above, and supplies cleaning liquid to the brushes 51A and 51B waiting in the standby area 26 to clean them.

上記のようにブラシ５１は公転（ステージ４１の中心軸Ｒ１周りの旋回）及び昇降が可能な構成となっている。この公転及び昇降により、ブラシ５１はウエハＷの下面に押し当てられて洗浄を行う位置と、待機領域２６との間で移動する。なお、ブラシ５１及び後述のブラシ５３について、ウエハＷの下面側に位置したときに、ウエハＷから離れて処理を行わない高さを非処理位置、ウエハＷに押し当って処理を行う高さを処理位置と記載する場合が有る。 As described above, the brush 51 is configured to be able to revolve (rotate around the central axis R1 of the stage 41) and move up and down. Due to this revolution and elevation, the brush 51 moves between the position where the brush 51 is pressed against the lower surface of the wafer W for cleaning and the standby area 26 . Regarding the brush 51 and the brush 53, which will be described later, the non-processing position is the height at which the brush 51 and the brush 53, which will be described later, are positioned on the lower surface side of the wafer W at which the processing is not performed away from the wafer W, and the height at which the processing is performed while pressing against the wafer W. It may be described as a processing position.

待機部２５についてさらに説明する。待機領域２６の左端Ｌ１（即ち、待機部２５にて待機する状態のブラシ５１の左端）は、カップ３の左端Ｌ２に対してカップ１２の中心寄りに位置する。つまり、待機領域２６の左端は、カップ３の左端に対して左方に突出していない。なお、待機部２５はカップ３の左右の中心よりも左寄りに設けられるため、待機領域２６の右端についてもカップの右端に対して右方に突出していない。このようなレイアウトにより、洗浄装置１の左右の幅の大型化が抑制されている。なお、仮に待機領域２６の左端Ｌ１とカップ１２の左端Ｌ２とが揃っていても、待機部２５の設置による装置の左右の大型化を抑制することができる。 The standby section 25 will be further described. The left end L1 of the waiting area 26 (that is, the left end of the brush 51 waiting in the waiting section 25) is positioned closer to the center of the cup 12 than the left end L2 of the cup 3. That is, the left end of the waiting area 26 does not protrude leftward with respect to the left end of the cup 3 . Since the standby portion 25 is provided to the left of the left-right center of the cup 3, the right end of the standby region 26 does not protrude rightward with respect to the right end of the cup. Due to such a layout, the lateral width of the cleaning device 1 is suppressed from increasing in size. Note that even if the left end L1 of the standby area 26 and the left end L2 of the cup 12 are aligned, it is possible to suppress the lateral enlargement of the apparatus due to the installation of the standby section 25 .

この洗浄装置１には、コンピュータにより構成された制御部１０が設けられており、制御部１０はプログラムを備えている。このプログラムは、ウエハＷに対して後述の一連の処理動作を行うことができるように、洗浄装置１の各部に制御信号を出力して、当該各部の動作を制御することができるようにステップ群が組まれている。具体的には、回転機構１５によるスピンチャック１２の回転、水平移動機構３２によるカップ３の移動、昇降機構１７による支持ピン１６の昇降、洗浄処理部４を構成する各部の動作、エアナイフ１８からのエアの吐出、ノズル３６からの洗浄液の吐出などが制御される。上記の洗浄処理部４の各部の動作は、具体的には例えばブラシ５１の自転、公転及び昇降である。上記のプログラムは例えばハードディスク、コンパクトディスク、ＤＶＤ、メモリーカード等の記憶媒体に格納された状態で制御部１０に格納される。 The cleaning apparatus 1 is provided with a control section 10 configured by a computer, and the control section 10 is provided with a program. This program outputs a control signal to each part of the cleaning apparatus 1 and controls the operation of each part so that a series of processing operations, which will be described later, can be performed on the wafer W. is assembled. Specifically, the rotation of the spin chuck 12 by the rotation mechanism 15, the movement of the cup 3 by the horizontal movement mechanism 32, the elevation of the support pin 16 by the elevation mechanism 17, the operation of each part constituting the cleaning processing unit 4, the air knife 18 Air ejection, cleaning liquid ejection from the nozzle 36, and the like are controlled. Specifically, the operation of each part of the cleaning processing part 4 is, for example, the rotation, revolution, and elevation of the brush 51 . The above program is stored in the control unit 10 while being stored in a storage medium such as a hard disk, compact disc, DVD, memory card, or the like.

続いて、洗浄装置１によるウエハＷの処理について、平面図である図３を参照しながら説明する。なお、この図３以降における装置の処理を説明する各平面図では、スピンチャック１２、非回転チャック３５及びブラシのうち、ウエハＷの裏面に接しているものを実線で示し、ウエハＷの裏面から離れているものについては点線で示すか、あるいは表示を省略する。また、各部の位置関係の理解を容易にするために、スピンチャック１２の中心を通って左右に伸びる仮想線Ｌ３、ステージ４１の中心軸Ｒ１を通って左右に伸びる仮想線Ｌ４、スピンチャック１２の中心と中心軸Ｒ１を通って前後に伸びる仮想線Ｌ５を、一点鎖線で夫々示している。 Next, processing of the wafer W by the cleaning apparatus 1 will be described with reference to FIG. 3, which is a plan view. In each plan view for explaining the processing of the apparatus from FIG. Those distant from each other are indicated by dotted lines or omitted from the display. In order to facilitate understanding of the positional relationship of each part, an imaginary line L3 extending laterally through the center of the spin chuck 12, an imaginary line L4 extending laterally through the central axis R1 of the stage 41, A virtual line L5 extending forward and backward through the center and the central axis R1 is indicated by a dashed line.

カップ３が前方位置且つ下方位置に位置すると共に、各ブラシ５１が待機領域２６に位置する状態で、既述のように表面にレジスト膜が形成されたウエハＷが搬送機構によって洗浄装置１に搬送され、支持ピン１６が上昇してウエハＷを支持する。そして、カップ３が上方位置に移動した後、支持ピン１６が下降して、非回転チャック３５に当該ウエハＷが受け渡され、吸着保持される。その一方で、ブラシ５１が待機領域２６から下降し、公転してカップ３の下端をくぐってウエハＷの下方に移動し、ブラシ５１Ａ、５１Ｂが仮想線Ｌ５の右側、左側に夫々位置する（図３（ａ））。 With the cup 3 positioned at the front position and the lower position and the brushes 51 positioned at the waiting area 26, the wafer W having the resist film formed on the surface as described above is transferred to the cleaning apparatus 1 by the transfer mechanism. Then, the support pins 16 are lifted to support the wafer W. As shown in FIG. After the cup 3 is moved to the upper position, the support pins 16 are lowered, and the wafer W is delivered to the non-rotating chuck 35 and held by suction. On the other hand, the brush 51 descends from the standby area 26, revolves, passes under the lower end of the cup 3, and moves below the wafer W, and the brushes 51A and 51B are positioned on the right and left sides of the imaginary line L5, respectively (Fig. 3(a)).

続いてカップ３が後方位置に移動すると、ノズル３６から洗浄液が吐出されてウエハＷの中心部に供給される。そして、ブラシ５１が回転（自転）し、各非処理位置から処理位置へ上昇してウエハＷの下面の中心部に押し当てられ、さらにステージ４１の回動により、時計回りの向きの公転、反時計回りの向きの公転が交互に繰り返されることによって非回転チャック３５に干渉しないように左右に揺動して、ウエハＷの下面に対して摺動する（図３（ｂ））。従って各ブラシ５１は公転方向である摺動方向に沿って異なる位置に配置された状態で、互いに同じ摺動方向に移動する。つまり、２つのブラシ５１がウエハＷを摺動するにあたり、一方のブラシ５１に追従するように他方のブラシ５１が移動する。なお、２つのブラシ５１を組とすると、仮想線Ｌ５を基準として、この組が左右に等量移動するように上記の揺動が行われる。 Subsequently, when the cup 3 moves to the rear position, the cleaning liquid is discharged from the nozzle 36 and supplied to the central portion of the wafer W. As shown in FIG. Then, the brush 51 rotates (rotates), rises from each non-processing position to the processing position, and is pressed against the center of the lower surface of the wafer W. The rotation in the clockwise direction is alternately repeated, so that it swings left and right so as not to interfere with the non-rotating chuck 35, and slides against the lower surface of the wafer W (FIG. 3(b)). Accordingly, each brush 51 moves in the same sliding direction while being arranged at different positions along the sliding direction, which is the revolving direction. That is, when the two brushes 51 slide on the wafer W, the other brush 51 moves so as to follow the other brush 51 . When the two brushes 51 are paired, the above-described rocking motion is performed so that the pair moves to the left and right by the same amount with respect to the virtual line L5.

このようなブラシ５１の揺動中にカップ３が後方位置から前方位置に向けて移動し、中心部全体がブラシ５１により摺動されて洗浄されると（図３（ｃ））、カップ３の移動、ノズル３６からの洗浄液の吐出、ブラシ５１の自転及び公転が停止する。 When the cup 3 moves from the rear position toward the front position while the brush 51 swings, and the entire central portion is slid and washed by the brush 51 (FIG. 3(c)), the cup 3 Movement, discharge of the cleaning liquid from the nozzles 36, and rotation and revolution of the brush 51 are stopped.

各ブラシ５１が下降して非処理位置へ移動し、カップ３が下方位置に移動し、ウエハＷの下面中心部がスピンチャック１２に吸着保持されると共に、非回転チャック３５によるウエハＷの吸着保持が解除される。そしてエアナイフ１８からのエアの吐出、ノズル３６から洗浄液の吐出、及びスピンチャック１２によるウエハＷの回転が行われる。なお、既述のようにカップ３と共にウエハＷが移動しているため、このときの洗浄液の吐出位置はウエハＷの周縁部である。各ブラシ５１が公転して例えば仮想線Ｌ５に対して右側に位置すると、処理位置へと上昇且つ回転（自転）して、ウエハＷの下面の周縁部に押し当てられ、ウエハＷの周縁部が洗浄される。つまり、ウエハＷの回転方向を摺動方向として、ブラシ５１が互いに同じ摺動方向に摺動して処理が行われる。なお、このとき各ブラシ５１は、ウエハＷの径方向において互いに異なる位置に配置されている。 Each brush 51 descends to the non-processing position, the cup 3 moves to the lower position, the center of the lower surface of the wafer W is held by the spin chuck 12, and the non-rotating chuck 35 holds the wafer W by suction. is released. Air is discharged from the air knife 18, cleaning liquid is discharged from the nozzle 36, and the wafer W is rotated by the spin chuck 12. FIG. Since the wafer W is moving together with the cup 3 as described above, the position at which the cleaning liquid is discharged is the peripheral portion of the wafer W at this time. When each brush 51 revolves and is positioned on the right side of the imaginary line L5, for example, it rises to the processing position and rotates (rotates), and is pressed against the peripheral edge of the lower surface of the wafer W, causing the peripheral edge of the wafer W to move. washed. That is, the processing is performed while the brushes 51 slide in the same sliding direction with the rotation direction of the wafer W as the sliding direction. In addition, each brush 51 is arrange|positioned in the radial direction of the wafer W at a different position mutually at this time.

ブラシ５１が押し当てられてからウエハＷが１回以上回転して、ウエハＷの周縁部全体の洗浄が完了し、非回転チャック３５にウエハＷを保持した際に行った洗浄と合わせて、ウエハＷの下面全体の洗浄が完了すると、ウエハＷの回転及びブラシ５１の自転が各々停止する。ブラシ５１は下降、旋回及び上昇により、ウエハＷから離れ、カップ３の下をくぐって待機領域２６に戻り、ノズル３６からの洗浄液の吐出も停止する。そして、ウエハＷは支持ピン１６の昇降により、搬送機構に受け渡されて洗浄装置１から搬送される。 After the brush 51 is pressed against the wafer W, the wafer W rotates one or more times to complete the cleaning of the entire peripheral edge of the wafer W. Together with the cleaning performed when the wafer W is held on the non-rotating chuck 35, When the cleaning of the entire lower surface of W is completed, the rotation of wafer W and the rotation of brush 51 respectively stop. The brush 51 moves downward, swivels, and rises to separate from the wafer W, pass under the cup 3 and return to the standby area 26, and the discharge of the cleaning liquid from the nozzle 36 also stops. As the support pins 16 move up and down, the wafer W is transferred to the transfer mechanism and transferred from the cleaning apparatus 1 .

この洗浄装置１によれば、ウエハＷの下面の中心部を洗浄するにあたり、既述したように同時に押し当てたブラシ５１Ａ、５１Ｂを揺動するように、同じ摺動方向に移動させる。
そのため、ブラシ５１を公転させるためのステージ４１の回動量が比較的小さくても、ブラシ５１Ａ、５１ＢをウエハＷの中心部の右側の所望の位置、左側の所望の位置に、夫々到達させて洗浄することができる。そのように洗浄に必要なステージ４１の回動量を抑えることで、速やかにウエハＷの下面の中心部の洗浄を完了することができる。また、ウエハＷの周縁部の処理時にも各ブラシ５１により同時に洗浄がなされることで、速やかに洗浄を完了することができる。その結果として、洗浄装置１については、高いスループットを得ることができる。また、ウエハＷの下面の周縁部を洗浄するにあたり、各ブラシ５１は回転するウエハＷの径方向に異なる位置に配置される。従って、ウエハＷの周縁部の広い範囲が同時に洗浄されることになり、より確実に高いスループットを得ることができる。 According to this cleaning apparatus 1, when cleaning the central portion of the lower surface of the wafer W, the brushes 51A and 51B pressed simultaneously as described above are moved in the same sliding direction so as to oscillate.
Therefore, even if the amount of rotation of the stage 41 for revolving the brush 51 is relatively small, the brushes 51A and 51B reach the desired positions on the right side and the desired left side of the central portion of the wafer W, respectively. can do. By suppressing the amount of rotation of the stage 41 necessary for cleaning in this manner, cleaning of the central portion of the lower surface of the wafer W can be completed quickly. Further, cleaning is performed simultaneously by the brushes 51 during processing of the peripheral portion of the wafer W, so that cleaning can be completed quickly. As a result, high throughput can be obtained for the cleaning apparatus 1 . In cleaning the peripheral portion of the lower surface of the wafer W, the brushes 51 are arranged at different positions in the radial direction of the wafer W as it rotates. Therefore, a wide peripheral area of the wafer W is cleaned at the same time, and a high throughput can be obtained more reliably.

上記の処理例ではウエハＷの下面の周縁部を洗浄するにあたり、ウエハＷを時計回り、各ブラシ５１を反時計回り、即ちウエハＷとブラシ５１とを互いに逆方向に回転させることで、ウエハＷの裏面に比較的強い負荷を与え、高い洗浄効果が得られるようにしている。ただし、このような回転方向の関係とすることには限られず、各ブラシ５１は任意の方向に回転（自転）させることができる。例えば、図４に示す例では図３に示した例と異なり、ブラシ５１Ｂについては時計回りに回転させている。なお、ブラシ５１Ａについても任意の方向に回転（自転）させてよい。 In the above processing example, when cleaning the peripheral edge of the lower surface of the wafer W, the wafer W is rotated clockwise and each brush 51 is rotated counterclockwise, that is, the wafer W and the brushes 51 are rotated in opposite directions to each other. A relatively strong load is applied to the back surface of the , so that a high cleaning effect can be obtained. However, the relation of the rotation direction is not limited to this, and each brush 51 can be rotated (rotated) in an arbitrary direction. For example, in the example shown in FIG. 4, unlike the example shown in FIG. 3, the brush 51B is rotated clockwise. Note that the brush 51A may also be rotated (rotated) in any direction.

また、上記の処理例ではウエハＷの周縁部を洗浄するにあたり、各ブラシ５１は公転させず、回転するウエハＷに対して位置が固定されるようにしたが、そのように位置を固定することには限られない。図５に示す例ではブラシ５１Ａ、５１Ｂ間に仮想線Ｌ５が位置する状態から各ブラシを反時計回りに公転させ、回転するウエハＷの周縁部においてブラシ５１に摺動される領域を当該ウエハＷの中心寄りの位置から周端へと移動させている。このような動作によりウエハＷの周縁部の洗浄が行われてもよい。なお、このようにブラシ５１を移動させる場合も、ウエハＷの径方向の異なる位置をブラシ５１により個別に洗浄するため、速やかに周縁部の処理を完了することができる。 In the above processing example, when cleaning the peripheral edge of the wafer W, each brush 51 is fixed in position with respect to the rotating wafer W without revolving. is not limited to In the example shown in FIG. 5, the brushes 51A and 51B are revolved counterclockwise from the state where the imaginary line L5 is positioned between the brushes 51A and 51B, and the area where the brushes 51 slide on the peripheral edge of the rotating wafer W is the wafer W. It is moved from the position near the center of the to the peripheral edge. The peripheral portion of the wafer W may be cleaned by such an operation. Even when the brush 51 is moved in this manner, different positions in the radial direction of the wafer W are individually cleaned by the brush 51, so that processing of the peripheral portion can be quickly completed.

（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る洗浄装置１Ａについて、図６に示す側面図を用いて説明する。洗浄装置１Ａは、洗浄処理部４の代わりに洗浄処理部６を備えており、以下に洗浄処理部６について洗浄処理部４との差異点を中心に説明する。既述のようにステージ４１は中心軸Ｒ１周りに回転するが、ステージ４１上には回転機構４３、４４が設けられておらず、当該ステージ４１から水平に支持腕６１が伸びている。そして、支持腕６１の先端部に設けられる回転機構６２の上側には円形のステージ６３が水平に設けられている。回転機構６２によってステージ６３は鉛直な中心軸Ｒ２周りに回転自在である。なお、本実施形態ではステージ６３の回転方向は、平面視時計回りである。 (Second embodiment)
A cleaning apparatus 1A according to the second embodiment will be described with reference to the side view shown in FIG. The cleaning apparatus 1A includes a cleaning processing unit 6 instead of the cleaning processing unit 4, and the cleaning processing unit 6 will be described below, focusing on the differences from the cleaning processing unit 4. FIG. As described above, the stage 41 rotates around the central axis R<b>1 , but the rotation mechanisms 43 and 44 are not provided on the stage 41 , and the support arm 61 extends horizontally from the stage 41 . A circular stage 63 is horizontally provided above the rotating mechanism 62 provided at the tip of the support arm 61 . A rotating mechanism 62 allows the stage 63 to rotate about a vertical central axis R2. In this embodiment, the rotation direction of the stage 63 is clockwise in plan view.

ステージ６３の上方に既述した回転機構４３、４４に相当する回転機構４３Ａ、４４Ａが夫々設けられており、これらの回転機構４３Ａ、回転機構４４Ａは、シャフト５２を介してブラシに接続され、第１の実施形態と同様に各ブラシを回転させることができる。また、ステージ６３は回転機構４３Ａ、４３Ｂを個別に昇降させ、各ブラシを処理位置と非処理位置との間で移動させることができる。 Rotation mechanisms 43A and 44A corresponding to the rotation mechanisms 43 and 44 described above are provided above the stage 63, respectively. Each brush can be rotated as in the first embodiment. Further, the stage 63 can raise and lower the rotating mechanisms 43A and 43B individually to move each brush between the processing position and the non-processing position.

回転機構４３Ａに接続されるブラシは、第１の実施形態と同様にブラシ５１である。回転機構４４Ａには、ブラシ５１の代わりにブラシ５３が接続されている。この第２の実施形態以降の各実施形態では、ブラシ５１が第１のブラシであり、ブラシ５３が第２のブラシである。ブラシ５３は、平面視ブラシ５１と同じ大きさの円形に構成されており、回転機構４４Ａによって平面視その中心周りに回転（自転）するが、ブラシ５１、５３の弾性を比べるとブラシ５３の弾性は、ブラシ５１の弾性よりも低い。ブラシ５３は、その上端の摺動面がウエハＷに対して摺動することでウエハＷの下面を研磨し、ウエハＷに付着している異物を削り取る。なお、例えばブラシ５１のウエハＷに対する摺動面が樹脂により構成される場合、ブラシ５３のウエハＷに対する摺動面は、当該ブラシ５１の摺動面よりも細かい凹凸を備える。 A brush connected to the rotation mechanism 43A is the brush 51 as in the first embodiment. A brush 53 instead of the brush 51 is connected to the rotation mechanism 44A. In each embodiment after this second embodiment, the brush 51 is the first brush and the brush 53 is the second brush. The brush 53 is formed in a circle having the same size as the brush 51 in plan view, and is rotated (rotated) around its center in plan view by the rotation mechanism 44A. is lower than the elasticity of the brush 51. The brush 53 polishes the lower surface of the wafer W by sliding the sliding surface of the upper end thereof on the wafer W, thereby scraping off foreign matter adhering to the wafer W. As shown in FIG. For example, when the sliding surface of the brush 51 with respect to the wafer W is made of resin, the sliding surface of the brush 53 with respect to the wafer W has finer irregularities than the sliding surface of the brush 51 .

この第２の実施形態では、ウエハＷの下面においてブラシ５３が摺動済みの領域をブラシ５１が摺動するようにブラシ５１、５３の移動が制御され、ブラシ５３の摺動によりウエハＷの下面に生じた削り屑がブラシ５１の摺動により除去される。なお、本明細書において研磨処理は洗浄処理に含まれるものとするが、説明の便宜上、ブラシ５３の押し当てによる処理を研磨、ブラシ５１の押し当てによる処理を洗浄として、互いに区別する場合が有る。なお、この第２の実施形態では、ブラシ５１、５３は共に反時計回りに回転（自転）する。 In the second embodiment, the movement of the brushes 51 and 53 is controlled so that the brush 51 slides on the region where the brush 53 has already slid on the lower surface of the wafer W. The shavings generated on the surface are removed by the sliding of the brush 51 . In this specification, the polishing process is included in the cleaning process, but for convenience of explanation, the process by pressing the brush 53 may be called polishing, and the process by pressing the brush 51 may be called cleaning. . In addition, in this second embodiment, both the brushes 51 and 53 rotate counterclockwise (rotate).

本実施形態では、ステージ４１の中心軸Ｒ１周りの回動は待機領域２６とウエハＷの下面との間でブラシ５１、５３を移動するために行われ、ウエハＷの処理中のブラシ５１、５３の公転は、ステージ６３の中心軸Ｒ２周りの回転により行われる。従って、中心軸Ｒ２が、ブラシ５１、５３の公転軸（旋回軸）となる。平面視、ブラシ５１、５３の各中心はステージ６３の直径上に位置すると共に、中心軸Ｒ２から等距離に位置している。また、平面視でブラシ５１、５３は互いに近接して設けられており、ブラシ５１、５３の直径は、ステージ６３の半径と略同じ大きさである。そして、ブラシ５１、５３の旋回軌道（中心軸Ｒ２を中心とした公転軌道）がなす円の直径は、ウエハＷの半径よりも小さく、後述のウエハＷの周縁部の処理時にはこの旋回軌道がウエハＷの周縁部に重なるようにブラシ５１、５３が旋回（公転）する。 In the present embodiment, the rotation of the stage 41 about the central axis R1 is performed to move the brushes 51 and 53 between the standby area 26 and the lower surface of the wafer W, and the brushes 51 and 53 during processing of the wafer W are rotated. is performed by rotating the stage 63 around the central axis R2. Therefore, the central axis R2 serves as the revolution axis (turning axis) of the brushes 51 and 53. As shown in FIG. In a plan view, the centers of the brushes 51 and 53 are positioned on the diameter of the stage 63 and equidistant from the central axis R2. Further, the brushes 51 and 53 are provided close to each other in plan view, and the diameter of the brushes 51 and 53 is approximately the same size as the radius of the stage 63 . The diameter of the circle formed by the orbits of the brushes 51 and 53 (orbits of revolution around the central axis R2) is smaller than the radius of the wafer W. The brushes 51 and 53 rotate (revolve) so as to overlap the peripheral edge of W.

図７～図９を用いて、洗浄装置１Ａの動作について洗浄装置１との動作の差異点を中心に説明する。図７～図９においては図３と同様に仮想線Ｌ３～Ｌ５を示しているが、図３で処理中のブラシの公転軸の位置を示すために中心軸Ｒ１上を通過するように引いていた仮想線Ｌ４、Ｌ５は、当該中心軸Ｒ１上の代わりに中心軸Ｒ２上を通過するように引いている。 7 to 9, the operation of the cleaning apparatus 1A will be described, focusing on the points of difference in operation from the cleaning apparatus 1. FIG. 7 to 9 show imaginary lines L3 to L5 in the same manner as in FIG. 3, but in FIG. 3 they are drawn so as to pass over the central axis R1 in order to indicate the position of the revolution axis of the brush during processing. The imaginary lines L4 and L5 are drawn so as to pass through the central axis R2 instead of the central axis R1.

ウエハＷが洗浄装置１Ａに搬送されると、非回転チャック３５に当該ウエハＷが吸着保持される。そして、ステージ４１の回動により、ブラシ５１、５３が待機領域２６からウエハＷの下方へ移動し、ステージ６３の中心軸Ｒ２（ブラシの公転軸）とスピンチャック１２の中心との並びは、カップ３の前後の移動方向に揃う（図７（ａ））。続いて、カップ３が後方位置に移動し、ブラシ５１が非処理位置に位置したまま、ブラシ５３が回転（自転）して処理位置へ上昇し、ウエハＷの下面に押し当てられる。その一方でノズル３６から洗浄液が吐出され、ウエハＷの下面の中心部に供給される。 When the wafer W is transferred to the cleaning apparatus 1A, the wafer W is held by the non-rotating chuck 35 by suction. By the rotation of the stage 41, the brushes 51 and 53 move from the standby area 26 to below the wafer W, and the alignment of the center axis R2 (revolution axis of the brush) of the stage 63 and the center of the spin chuck 12 becomes a cup. 3 (FIG. 7(a)). Subsequently, the cup 3 moves to the rear position, and the brush 53 rotates (rotates) to move up to the processing position while the brush 51 remains at the non-processing position, and is pressed against the lower surface of the wafer W. FIG. On the other hand, the cleaning liquid is discharged from the nozzle 36 and supplied to the central portion of the lower surface of the wafer W. As shown in FIG.

ステージ６３の回転によりブラシ５３は公転し、ウエハＷの下面の中心周りが周方向に沿って研磨される（図７（ｂ））。ブラシ５３が押し当てられてからステージ６３が１回転し、ウエハＷの中心部全体が研磨されると、ブラシ５３の自転が停止すると共に非処理位置に下降する一方で、ブラシ５１が回転（自転）して処理位置へ上昇し、ウエハＷの下面に押し当てられる。ステージ６３の回転が続けられることで、ウエハＷの下面の中心周りが周方向に沿って洗浄される（図７（ｃ））。ブラシ５１が押し当てられてからステージ６３が１回転し、ウエハＷの中心部全体が洗浄されると、ブラシ５１の自転が停止すると共に非処理位置に下降する。また、ノズル３６からの洗浄液の吐出が一旦停止する。 The rotation of the stage 63 causes the brush 53 to revolve, and the lower surface of the wafer W around the center is polished along the circumferential direction (FIG. 7(b)). After the brush 53 is pressed against the stage 63, the stage 63 rotates once, and when the entire central portion of the wafer W is polished, the rotation of the brush 53 stops and descends to the non-processing position, while the brush 51 rotates (rotates). ) and rises to the processing position, and is pressed against the lower surface of the wafer W. As shown in FIG. By continuing the rotation of the stage 63, the center of the lower surface of the wafer W is cleaned along the circumferential direction (FIG. 7(c)). After the brush 51 is pressed against the stage 63, the stage 63 rotates once, and when the entire central portion of the wafer W is cleaned, the rotation of the brush 51 stops and it descends to the non-processing position. Also, the ejection of the cleaning liquid from the nozzle 36 is temporarily stopped.

然る後、カップ３が前方位置に移動し、さらに下降位置に向けて移動して、非回転チャック３５の代わりにスピンチャック１２がウエハＷを保持する（図８（ａ））。続いて、ステージ６３が回転し、平面視でブラシ５１、５３の中心が仮想線Ｌ５に揃い、且つブラシ５１よりもブラシ５３がウエハＷの中心寄りに配置される。その一方で、ウエハＷが回転すると共に、ノズル３６から洗浄液の吐出が再開されて当該洗浄液がウエハＷの周縁部に供給される。 After that, the cup 3 moves to the forward position and then to the lowered position, and the spin chuck 12 holds the wafer W instead of the non-rotating chuck 35 (FIG. 8(a)). Subsequently, the stage 63 rotates so that the centers of the brushes 51 and 53 are aligned with the imaginary line L5 in plan view, and the brush 53 is arranged closer to the center of the wafer W than the brush 51 is. On the other hand, as the wafer W rotates, the ejection of the cleaning liquid from the nozzle 36 is resumed, and the cleaning liquid is supplied to the peripheral portion of the wafer W. FIG.

そしてブラシ５１が非処理位置に位置したまま、ブラシ５３が回転（自転）して処理位置に上昇し、ウエハＷの下面に押し当てられると、ステージ６３が回転して当該ブラシ５３がウエハＷの周端へ向けて移動する（図８（ｂ））。ウエハＷの回転によりブラシ５３はウエハＷの周に沿って摺動し、ステージ６３の回転によってブラシ５３が公転することで、この摺動する位置がウエハＷの周端へ向けて移動する。なお、このようにブラシ５１、５３のうち当該ブラシ５３のみによるウエハＷの処理は、第１の摺動工程に相当する。なお、ステージ６３の回転によるブラシ５１、５３の一括した（同時の）旋回は、旋回工程に相当する。そして、ブラシ５３が処理位置に移動してからステージ６３が半回転する直前で、ブラシ５１が回転（自転）して処理位置へ向けて移動する。ブラシ５３が非処理位置へ向けての下降を開始し、ステージ６３が半回転した時点ではブラシ５１、５３が共にウエハＷに押し当てられると共に、平面視ブラシ５１、５３の中心が仮想線Ｌ５上に位置する状態となる（図８（ｃ））。つまり、ブラシ５３の押圧力がウエハＷに残る状態で、ブラシ５１による押圧力がウエハＷに加わる状態となる。なお、ブラシ５３がこのような位置に移動することでウエハＷの周端に到達し、ウエハＷの周縁部全体の研磨が完了する。 Then, while the brush 51 remains at the non-processing position, the brush 53 rotates (rotates) to move up to the processing position and is pressed against the lower surface of the wafer W. It moves toward the peripheral edge (FIG. 8(b)). The rotation of the wafer W causes the brushes 53 to slide along the circumference of the wafer W, and the rotation of the stage 63 causes the brushes 53 to revolve, thereby moving the sliding position toward the circumference of the wafer W. FIG. The processing of the wafer W only by the brush 53 among the brushes 51 and 53 corresponds to the first sliding step. Note that collective (simultaneous) turning of the brushes 51 and 53 by the rotation of the stage 63 corresponds to a turning process. Immediately before the stage 63 rotates halfway after the brush 53 moves to the processing position, the brush 51 rotates (rotates) and moves toward the processing position. The brush 53 starts to descend toward the non-processing position, and when the stage 63 rotates halfway, both the brushes 51 and 53 are pressed against the wafer W, and the center of the brushes 51 and 53 in plan view is on the imaginary line L5. (FIG. 8(c)). That is, the pressing force of the brush 51 is applied to the wafer W while the pressing force of the brush 53 remains on the wafer W. FIG. By moving the brush 53 to such a position, the brush 53 reaches the peripheral end of the wafer W, and the polishing of the entire peripheral portion of the wafer W is completed.

さらにステージ６３が回転することでブラシ５１がウエハＷの周端へ向けて移動する。その一方でブラシ５３はウエハＷから離れて非処理位置に向けて下降する（図９（ａ））。そして、ブラシ５１が処理位置に位置してからステージ６３が半回転し、平面視ブラシ５１、５３の中心が仮想線Ｌ５に揃うことで、ブラシ５１によるウエハＷの周縁部全体の洗浄が完了する（図９（ｂ））。なお、このようにブラシ５１、５３のうち当該ブラシ５１のみによるウエハＷの処理は、第２の摺動工程に相当する。ブラシ５１の非処理位置への下降、ブラシ５１の回転の停止、ノズル３６からの洗浄液の吐出の停止及びウエハＷの回転の停止がなされ、ウエハＷが洗浄装置１Ａから搬出される。 Furthermore, the brush 51 moves toward the peripheral edge of the wafer W by rotating the stage 63 . On the other hand, the brush 53 moves away from the wafer W and descends toward the non-processing position (FIG. 9(a)). After the brush 51 is positioned at the processing position, the stage 63 rotates halfway, and the centers of the brushes 51 and 53 in plan view are aligned with the imaginary line L5, thereby completing the cleaning of the entire peripheral portion of the wafer W by the brush 51. (FIG. 9(b)). The processing of the wafer W only by the brush 51 of the brushes 51 and 53 corresponds to the second sliding step. The brush 51 is lowered to the non-processing position, the rotation of the brush 51 is stopped, the discharging of the cleaning liquid from the nozzle 36 is stopped, and the rotation of the wafer W is stopped, and the wafer W is unloaded from the cleaning apparatus 1A.

このように洗浄装置１ＡではウエハＷの周縁部の処理時に、ブラシ５１、５３が各々ウエハＷに対する摺動方向である公転方向において互いに異なる位置に配置される。そして、これらのブラシ５１、５３が同時にウエハＷに押し当てられ、研磨、洗浄が並行して実施されるタイミングが設けられているため、速やかに研磨、洗浄処理が行われる。なお、ウエハＷの中心部の処理時においてはブラシ５３が非処理位置に移動した後、ブラシ５１が処理位置に移動するものとして述べたが、周縁部の処理時と同様、使用するブラシ５１、５３の切り替え時に、ブラシ５１、５３が同時にウエハＷに押し当てられてもよい。 As described above, in the cleaning apparatus 1A, the brushes 51 and 53 are arranged at different positions in the revolution direction, which is the sliding direction with respect to the wafer W, when the peripheral portion of the wafer W is processed. Since the brushes 51 and 53 are pressed against the wafer W at the same time and the polishing and cleaning are performed in parallel, the polishing and cleaning can be performed quickly. While the brush 53 moves to the non-processing position and then moves to the processing position when processing the central portion of the wafer W, the brushes 51, 51, and 51 are used as in the case of processing the peripheral portion. The brushes 51 and 53 may be pressed against the wafer W at the time of switching 53 .

ところで上記のようにウエハＷの周縁部の処理時においてブラシ５１、５３が同時に押し当てられるが、仮にブラシ５３をウエハＷから離した後、間隔を空けてブラシ５１を押し当てるとする。その場合、ブラシ５３により比較的大きな押圧力が加わっていた状態から、ブラシ５３の離間により当該押圧力が消失し、ウエハＷの姿勢が変化することになる。その姿勢の変化及びウエハＷの回転の遠心力の作用により、ウエハＷの周縁部は上下に振動するおそれが有る。そのように振動するとウエハＷの表面に形成されたレジスト膜がダメージを受けるなど、半導体装置の歩留りへの影響が出るおそれが有る。ブラシ５１、５３を同時に押し当てることで、そのような不具合の発生を抑制することができる。 By the way, as described above, the brushes 51 and 53 are pressed at the same time when the peripheral edge of the wafer W is processed. In this case, the pressing force disappears due to the separation of the brush 53 from a state in which a relatively large pressing force is applied by the brush 53, and the posture of the wafer W changes. Due to the change in posture and the action of the centrifugal force of the rotation of the wafer W, the peripheral portion of the wafer W may vibrate up and down. Such vibrations may damage the resist film formed on the surface of the wafer W, thereby affecting the yield of semiconductor devices. By pressing the brushes 51 and 53 at the same time, it is possible to suppress the occurrence of such a problem.

なお、図１０は、図８（ｃ）で示したようにウエハＷに共に押し当てられる際のブラシ５１、５３を示す模式図である。既述したようにブラシ５１、５３は反時計回り、即ち同じ方向に自転する。ブラシ５３の自転により、当該ブラシ５３の研磨により生じた削り屑を含む洗浄液がブラシ５１に向けて飛散する。図中、このブラシ５１に向う洗浄液を７１として矢印で示している。一方、ブラシ５１がブラシ５３と同じ方向に回転することで、ブラシ５１からブラシ５３に向けて比較的強いベクトルを持つように洗浄液（７２として矢印で示している）が飛散する。従って、削り屑を含んだ洗浄液７１のベクトルは、洗浄液７２のベクトルにより打ち消される、ないしは弱められる。そのため、削り屑がブラシ５１に付着することが抑制される。従って、ブラシ５１を待機領域２６において洗浄する頻度を少なくし、洗浄装置１Ｂの稼働効率を高くすることができる。なお、ブラシ５１、５３は共に時計回りに自転するようにしても、このように稼働効率を高くすることができる。また、削り屑のブラシ５１への付着をより確実に防ぐために、洗浄液７２のベクトルがより大きくなるように、ウエハＷに共に押し当てられるときのブラシ５１の回転数が、ブラシ５３の回転数よりも大きくなるようにしてもよい。 10 is a schematic diagram showing the brushes 51 and 53 when pressed together against the wafer W as shown in FIG. 8(c). As already mentioned, the brushes 51 and 53 rotate counterclockwise, that is, in the same direction. Due to the rotation of the brush 53 , the cleaning liquid containing shavings generated by polishing the brush 53 scatters toward the brush 51 . In the drawing, the cleaning liquid 71 directed toward the brush 51 is indicated by an arrow. On the other hand, since the brush 51 rotates in the same direction as the brush 53, the cleaning liquid (indicated by an arrow 72) scatters from the brush 51 toward the brush 53 with a relatively strong vector. Thus, the cleaning liquid 71 vector containing shavings is canceled or weakened by the cleaning liquid 72 vector. Therefore, shavings are suppressed from adhering to the brush 51 . Therefore, the frequency of cleaning the brushes 51 in the standby area 26 can be reduced, and the operating efficiency of the cleaning device 1B can be increased. Even if both the brushes 51 and 53 rotate clockwise, the operating efficiency can be improved. In order to more reliably prevent shavings from adhering to the brush 51, the number of rotations of the brush 51 when pressed together against the wafer W is higher than the number of rotations of the brush 53 so that the vector of the cleaning liquid 72 is larger. may also be made larger.

（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る洗浄装置１Ｂについて、図１１を参照して第１の実施形態に係る洗浄装置１との差違点を中心に説明する。この洗浄装置１Ｂは、第１の実施形態の洗浄装置１と同様に洗浄処理部４を備えているが、ブラシ５１Ａの代わりにブラシ５３が設けられている。洗浄装置１ＢにおいてウエハＷの下面の中心部は、第１の実施形態で述べたように非回転チャック３５にウエハＷが保持された状態でブラシを揺動させて行うが、ブラシ５３、ブラシ５１を順に用いて処理を行う点が異なる。具体的に述べると、ブラシ５１、５３のうちブラシ５３のみを処理位置に移動させ、このブラシ５３について、第１の実施形態のブラシ５１と同様に回転（自転）と揺動（公転）と、を行い研磨する。その後、ブラシ５１、５３のうちブラシ５１のみを処理位置に移動させ、当該ブラシ５１の回転（自転）と揺動と、を行い洗浄する。なお、第１の実施形態と同様にウエハＷの中心部全体が処理されるように各ブラシ５１、５３での処理中、カップ３については前後方向に移動させる。つまり具体的には例えば、ブラシ５３による処理中に後方位置から前方位置へ移動させ、そして、再度後方位置へ戻し、ブラシ５１による処理中も後方位置から前方位置へ移動させる。 (Third Embodiment)
A cleaning apparatus 1B according to the third embodiment will be described with a focus on differences from the cleaning apparatus 1 according to the first embodiment with reference to FIG. This cleaning device 1B has a cleaning processing section 4 like the cleaning device 1 of the first embodiment, but a brush 53 is provided instead of the brush 51A. In the cleaning apparatus 1B, the central portion of the lower surface of the wafer W is cleaned by swinging the brush while the wafer W is held by the non-rotating chuck 35 as described in the first embodiment. are used in order. Specifically, of the brushes 51 and 53, only the brush 53 is moved to the processing position, and this brush 53 rotates (rotates on its axis) and oscillates (revolves) in the same manner as the brush 51 of the first embodiment. and polish. After that, only the brush 51 of the brushes 51 and 53 is moved to the processing position, and the brush 51 is rotated (rotated) and oscillated for cleaning. As in the first embodiment, the cup 3 is moved back and forth during the processing by the brushes 51 and 53 so that the entire central portion of the wafer W is processed. Specifically, for example, it is moved from the rear position to the front position during processing by the brush 53 , returned to the rear position again, and moved from the rear position to the front position during processing by the brush 51 .

以上のウエハＷの下面の中心部の処理後、ウエハＷをスピンチャック１２により保持して、ウエハＷの下面の周縁部の処理を行う。図１１は、この周縁部の処理工程を示している。先ず平面視、ブラシ５３の中心を仮想線Ｌ５上に位置させる。そしてウエハＷを回転させ、ブラシ５１及びブラシ５３を非処理位置から処理位置に上昇させると共に回転させ、ウエハＷに押し当てる（図１１（ａ））。そして、ステージ４１が時計回りに回動し、ブラシ５３がウエハＷの周端に向って公転すると共に、ブラシ５１はブラシ５３に追従するように、ウエハＷの周端に向って公転する。従ってブラシ５１は、平面視、ウエハＷにおいてブラシ５３の移動経路を辿るように移動する（図１１（ｂ））。それにより、回転するウエハＷの周端に向けて研磨される領域が移動し、当該研磨領域の移動に続いてウエハＷの周端に向けて洗浄される領域が移動する。 After the central portion of the lower surface of the wafer W is processed as described above, the wafer W is held by the spin chuck 12 and the peripheral portion of the lower surface of the wafer W is processed. FIG. 11 shows the processing steps for this peripheral portion. First, in plan view, the center of the brush 53 is positioned on the imaginary line L5. Then, the wafer W is rotated, and the brushes 51 and 53 are raised from the non-processing position to the processing position, rotated, and pressed against the wafer W (FIG. 11(a)). Then, the stage 41 rotates clockwise, the brush 53 revolves toward the peripheral edge of the wafer W, and the brush 51 revolves toward the peripheral edge of the wafer W so as to follow the brush 53 . Therefore, the brush 51 moves so as to follow the moving path of the brush 53 on the wafer W in plan view (FIG. 11(b)). As a result, the area to be polished moves toward the peripheral edge of the rotating wafer W, and the area to be cleaned moves toward the peripheral edge of the wafer W following the movement of the polishing area.

ブラシ５３がウエハＷの周端に位置してウエハＷの周縁部全体の研磨が完了すると、ブラシ５３は非処理位置に戻り、自転を停止する。ステージ４１の回動によるブラシ５１の公転が続けられ、ブラシ５１がウエハＷの周端に位置してウエハＷの周縁部全体の洗浄が完了すると（図１１（ｃ））、ブラシ５１は非処理位置に戻り、自転を停止する。 When the brush 53 is positioned at the peripheral edge of the wafer W and polishing of the entire peripheral edge of the wafer W is completed, the brush 53 returns to the non-processing position and stops rotating. The rotation of the stage 41 causes the brush 51 to continue to revolve, and when the brush 51 is positioned at the peripheral edge of the wafer W and the cleaning of the entire peripheral edge of the wafer W is completed (FIG. 11(c)), the brush 51 is not processed. return to position and stop rotating.

上記の洗浄装置１Ｂにおいても、ブラシ５１、５３が同時にウエハＷの下面の周縁部に押し当てられてウエハＷの回転方向に摺動することで研磨及び洗浄が同時に行われるので、処理に要する時間の短縮化を図ることができ、高いスループットを得ることができる。そして洗浄装置１Ｂとしては、ウエハＷの周縁部の処理中、既述した方向にステージ４１が回動することにより、ウエハＷの回転方向の上流側に向かうようにブラシ５１、５３が公転移動することになる。このようにウエハＷの回転方向に逆らうようにブラシ５１、５３が移動することで、ブラシ５１、５３とウエハＷとの間の摩擦力を高め、ブラシ５３による研磨力、ブラシ５１による洗浄力をより高くすることができる。 In the above-described cleaning apparatus 1B as well, the brushes 51 and 53 are pressed against the peripheral edge of the lower surface of the wafer W at the same time and slide in the rotational direction of the wafer W, so that polishing and cleaning are performed at the same time. can be shortened, and high throughput can be obtained. In the cleaning apparatus 1B, the brushes 51 and 53 revolve toward the upstream side in the rotation direction of the wafer W by rotating the stage 41 in the above-described direction during the processing of the peripheral portion of the wafer W. It will be. By moving the brushes 51 and 53 against the rotation direction of the wafer W in this way, the frictional force between the brushes 51 and 53 and the wafer W is increased, and the polishing force by the brushes 53 and the cleaning force by the brushes 51 are increased. can be higher.

（第３の実施形態の第１の変形例）
第３の実施形態の第１の変形例に係る洗浄装置１Ｃについて、図１２に示している。洗浄装置１Ｃにおける洗浄装置１Ｂとの差異点としては、ブラシ５１及びブラシ５３の設けられる位置が逆であることが挙げられる。つまり、第１の実施形態の洗浄装置１と比較すればブラシ５１Ｂの代りにブラシ５３が設けられている。洗浄装置１ＣによるウエハＷの下面の周縁部の処理については、洗浄装置１Ｂと略同様に行われるが、ブラシ５３、５１の順でウエハＷの周端に移動するように、ステージ４１の回動方向としては洗浄装置１Ｂと異なり、反時計回りとなる。この洗浄装置１Ｂ、１Ｃの例で示されるように、ブラシ５１、５３の公転方向としては時計回り、反時計回りのいずれであってもよく、ブラシ５１、５３の配置としてもこの旋回方向に応じて適宜変更可能である。 (First Modification of Third Embodiment)
FIG. 12 shows a cleaning device 1C according to a first modification of the third embodiment. A difference between the cleaning apparatus 1C and the cleaning apparatus 1B is that the positions of the brushes 51 and 53 are reversed. In other words, a brush 53 is provided instead of the brush 51B as compared with the cleaning device 1 of the first embodiment. The processing of the peripheral portion of the lower surface of the wafer W by the cleaning apparatus 1C is performed in substantially the same manner as in the cleaning apparatus 1B. The direction is counterclockwise unlike the washing apparatus 1B. As shown in the examples of the cleaning apparatuses 1B and 1C, the revolving direction of the brushes 51 and 53 may be either clockwise or counterclockwise, and the arrangement of the brushes 51 and 53 may also correspond to the rotating direction. can be changed as appropriate.

（第３の実施形態の第２の変形例）
第３の実施形態の第２の変形例に係る洗浄装置１Ｄについて、図１３に示している。この洗浄装置１Ｄではステージ４１が設けられておらず、エアナイフ１８の後方側にはステージ４５Ａ、４５Ｂが左右に並んで儲けられている。ステージ４５Ａ、４５Ｂは鉛直方向に沿った回転軸Ｒ３、Ｒ４周りに夫々回転自在に構成されており、水平に伸びるアーム４６Ａ、４６Ｂを夫々備えている。アーム４６Ａ、４６Ｂの各々先端部に昇降機構が設けられ、この昇降機構上に回転機構４３Ａ、４４Ａが設けられている。回転機構４３Ａ、４３Ｂには既述したように夫々ブラシ５１、５３が接続されている。 (Second Modification of Third Embodiment)
FIG. 13 shows a cleaning device 1D according to a second modification of the third embodiment. Stage 41 is not provided in this cleaning apparatus 1D, and stages 45A and 45B are arranged side by side on the rear side of air knife 18. As shown in FIG. The stages 45A and 45B are configured to be rotatable about vertical rotation axes R3 and R4, respectively, and have horizontally extending arms 46A and 46B, respectively. An elevating mechanism is provided at each tip of the arms 46A and 46B, and the rotating mechanisms 43A and 44A are provided on the elevating mechanism. Brushes 51 and 53 are connected to the rotating mechanisms 43A and 43B, respectively, as described above.

従って上記の回転軸Ｒ３、Ｒ４は、夫々ブラシ５１、５３についての公転軸（旋回軸）をなす。このようにブラシ５１、５３毎に個別の公転軸が設けられる構成であってもよい。第３の実施形態以外の実施形態についても複数のブラシを異なる公転軸周りに公転させてもよいが、第１の実施形態等のように複数のブラシが共通の公転軸周りに一括して公転することで装置構成を簡素にし、装置の製造コストを抑えることができるため有利である。 Therefore, the rotation axes R3 and R4 form revolving axes (swivel axes) for the brushes 51 and 53, respectively. In this way, the brushes 51 and 53 may be provided with individual revolution axes. In embodiments other than the third embodiment, a plurality of brushes may revolve around different revolution axes. By doing so, the configuration of the device can be simplified and the manufacturing cost of the device can be suppressed, which is advantageous.

（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る洗浄装置１Ｅについて、図１４（ａ）を参照して説明する。洗浄装置１Ｄについて第３の実施形態の洗浄装置１Ｂとの差異点を述べると、ステージ４１の周縁部上にはブラシ５１Ａ、５１Ｂ、ブラシ５３の計３つのブラシが設けられていることが挙げられる。平面視、ステージ４１の周方向に沿ってブラシ５１Ａ、ブラシ５３、ブラシ５１Ｂの順に並んで設けられており、これらのブラシ５１Ａ、５１Ｂ、５３はステージ４１の周縁部上に設けられている。そして平面視、ブラシ５３はブラシ５１Ａ、５１Ｂに近接して配置されると共に、ブラシ５１Ａ、５１Ｂ、５３の中心はステージ４１の中心軸Ｒ１から等距離に位置している。この第４の実施形態におけるステージ４１には既述した回転機構４３または４４と同様に昇降可能な回転機構が周方向に３つ設けられ、ブラシ５１Ａ、５１Ｂ、５３は各々回転機構に接続されることで、互いに独立した回転（自転）及び昇降が可能である。 (Fourth embodiment)
A cleaning apparatus 1E according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. 14(a). The difference between the cleaning apparatus 1D and the cleaning apparatus 1B of the third embodiment is that a total of three brushes, brushes 51A, 51B, and a brush 53, are provided on the periphery of the stage 41. . A brush 51A, a brush 53, and a brush 51B are arranged in this order along the circumferential direction of the stage 41 in plan view. In plan view, the brushes 53 are arranged close to the brushes 51A and 51B, and the centers of the brushes 51A, 51B, and 53 are positioned equidistant from the central axis R1 of the stage 41. FIG. In the fourth embodiment, the stage 41 is provided with three vertically movable rotating mechanisms in the circumferential direction in the same manner as the rotating mechanism 43 or 44 described above, and the brushes 51A, 51B, 53 are each connected to the rotating mechanisms. Thus, independent rotation (rotation) and elevation are possible.

そして洗浄装置１Ｅにおいては第３の実施形態の洗浄装置１Ｂと同様に、洗浄用のブラシ５１と研磨用のブラシ５３とが、ステージ４１の回動方向の切替えにより揺動することで、ウエハＷの下面の中心部が処理される。ただしブラシ５１Ａ、５１Ｂについては、公転方向（ステージ４１の回動方向）に応じた一方がウエハＷに押し当てられるように、各ブラシの昇降が制御され、ウエハＷを摺動するブラシのうちブラシ５３が先頭とされる。 In the cleaning apparatus 1E, similarly to the cleaning apparatus 1B of the third embodiment, the cleaning brush 51 and the polishing brush 53 are swung by switching the rotation direction of the stage 41, whereby the wafer W The central part of the underside of is processed. However, the brushes 51A and 51B are controlled in elevation such that one of the brushes 51A and 51B is pressed against the wafer W in accordance with the direction of revolution (rotating direction of the stage 41). 53 is the top.

具体的に説明すると、ウエハＷが非回転チャック３５に保持された状態で、例えば図１４（ａ）に示すように平面視、ブラシ５３の中心が仮想線Ｌ５に重なり、各ブラシが非処理位置に位置すると共に自転する状態から、ブラシ５３、５１Ａが上昇して処理位置に移動する。そして、ステージ４１が平面視反時計回りに回転し、ブラシ５３が仮想線Ｌ５に対して左側にずれた位置に向かうと共に、ブラシ５３に追従してブラシ５１Ａが移動する（図１４（ｂ））。つまり、ブラシ５１Ａ、５３、５１Ｂと旋回方向（公転方向）に並んで構成されるブラシ配列体のうち、ブラシ５１Ｂを他のブラシよりも低い位置に配置し、未使用ブラシとし、第１の洗浄工程を行う。 Specifically, in a state where the wafer W is held by the non-rotating chuck 35, as shown in FIG. , the brushes 53 and 51A are raised and moved to the processing position. Then, the stage 41 rotates counterclockwise in a plan view, the brush 53 moves to a position shifted leftward with respect to the virtual line L5, and the brush 51A moves following the brush 53 (FIG. 14(b)). . That is, among the brushes 51A, 53, 51B and the brushes arranged side by side in the turning direction (orbital direction), the brush 51B is arranged at a position lower than the other brushes, is used as an unused brush, and the first cleaning is performed. carry out the process.

そして、ブラシ５３が仮想線Ｌ５から所定の量離れると、ステージ４１の回動方向が平面視時計回りに切り替わる。このように回動方向が切り替わると、ブラシ５１Ａが下降して非処理位置に移動すると共に、ブラシ５１Ｂが上昇して処理位置に移動する。そして、ステージ４１の回動により、ブラシ５３が仮想線Ｌ５に対して右側にずれた位置に向かうと共に、ブラシ５３に追従してブラシ５１Ｂが移動する（図１４（ｃ））。つまり、上記のブラシ配列体のうち、ブラシ５１Ａを他のブラシよりも低い位置に配置し、未使用ブラシとする第２の洗浄工程を行う。その後、ブラシ５３の位置が仮想線Ｌ５から所定の量離れると、ステージ４１の回動方向が平面視反時計回りに切り替わる。このように回転方向が切り替わると、ブラシ５１Ａが非処理位置に移動すると共にブラシ５１Ｂが処理位置に移動し、ステージ４１の回動により、ブラシ５３が仮想線Ｌ５に対して左側にずれた位置に向かう。このようなブラシ５３の移動及び昇降が繰り返されて、ウエハＷの中心部が処理される。 Then, when the brush 53 moves away from the virtual line L5 by a predetermined amount, the rotation direction of the stage 41 switches clockwise in plan view. When the rotation direction is switched in this manner, the brush 51A descends to the non-processing position, while the brush 51B ascends to the processing position. As the stage 41 rotates, the brush 53 shifts to the right side with respect to the imaginary line L5, and the brush 51B moves following the brush 53 (FIG. 14(c)). In other words, the brush 51A is arranged at a lower position than the other brushes in the above-described brush arrangement, and the second cleaning step is performed as an unused brush. After that, when the position of the brush 53 is separated from the virtual line L5 by a predetermined amount, the rotation direction of the stage 41 is switched counterclockwise in plan view. When the rotation direction is switched in this manner, the brush 51A moves to the non-processing position, the brush 51B moves to the processing position, and the rotation of the stage 41 shifts the brush 53 to the left side with respect to the imaginary line L5. Head. The central portion of the wafer W is processed by repeating such movement and elevation of the brush 53 .

この洗浄装置１Ｅについても上記のようにウエハＷの下面の中心部に対して研磨及び洗浄を同時に行うことができるので、高いスループットを得ることができる。なお、ウエハＷの下面の周縁部の処理については詳細な記載を省略するが、例えば２つのブラシ５１（５１Ａ、５１Ｂ）のうちのいずれかとブラシ５３とを用いて、第３の実施形態で示したように各ブラシをウエハＷに摺動させて処理を行えばよい。 Since the cleaning apparatus 1E can simultaneously polish and clean the central portion of the lower surface of the wafer W as described above, a high throughput can be obtained. Although the detailed description of the processing of the peripheral edge portion of the lower surface of the wafer W is omitted, for example, one of the two brushes 51 (51A and 51B) and the brush 53 are used, and are shown in the third embodiment. Each brush may be slid on the wafer W to perform the processing as described above.

（第４の実施形態の変形例）
第４の実施形態の変形例に係る洗浄装置１Ｆについて、図１５（ａ）を参照して洗浄装置１Ｅとの差異点を述べると、２つのブラシ５３（５３Ａ、５３Ｂとする）及び１つのブラシ５１が設けられていることが挙げられる。ブラシ５３Ａ、５３Ｂは、洗浄装置１Ｅにおけるブラシ５１Ａ、５１Ｂが設けられる位置に夫々設けられており、ブラシ５１は洗浄装置１Ｄにおけるブラシ５３が設けられる位置に設けられている。従って各ブラシはステージ４１の周縁部上に、平面視５３Ｂ、５１、５３Ａの順で並んで設けられている。 (Modified example of the fourth embodiment)
Regarding the cleaning device 1F according to the modification of the fourth embodiment, referring to FIG. 15(a), the difference from the cleaning device 1E will be described. 51 is provided. Brushes 53A and 53B are provided at positions where brushes 51A and 51B are provided in cleaning device 1E, respectively, and brush 51 is provided at a position where brush 53 is provided in cleaning device 1D. Accordingly, the respective brushes are arranged on the periphery of the stage 41 in the order of 53B, 51 and 53A in plan view.

ウエハＷの下面の中心部を処理するにあたり、洗浄装置１Ｅと同様にステージ４１の回動方向を切り替えることで各ブラシを揺動させる。そして、ウエハＷの下面を摺動するブラシについて、ブラシ５３が先頭となるように、各ブラシの昇降動作が制御される。具体的に説明すると、図１５（ｂ）に示すようにステージ４１が反時計回りに回動する際には、ブラシ５３Ｂ、ブラシ５１が処理位置に位置する一方で、ブラシ５３Ａは非処理位置に位置する。つまり、ブラシ５３Ａ、５１、５３Ｂと旋回方向（公転方向）に並んで構成されるブラシ配列体のうち、ブラシ５３Ａを他のブラシよりも低い位置に配置し、未使用ブラシとする第１の洗浄工程を行う。そして、図１５（ｃ）に示すようにステージ４１が時計回りに回動する際には、ブラシ５３Ｂ、ブラシ５１が処理位置に位置する一方で、ブラシ５３Ｂは非処理位置に位置する。つまり、上記のブラシ配列体のうち、ブラシ５３Ｂを他のブラシよりも低い位置に配置し、未使用ブラシとする第２の洗浄工程を行う。 When processing the central portion of the lower surface of the wafer W, each brush is oscillated by switching the rotation direction of the stage 41 as in the cleaning apparatus 1E. As for the brushes sliding on the lower surface of the wafer W, the up-and-down motion of each brush is controlled so that the brush 53 is at the top. Specifically, when the stage 41 rotates counterclockwise as shown in FIG. 15(b), the brushes 53B and 51 are positioned at the processing position, while the brush 53A is positioned at the non-processing position. To position. That is, the brush 53A is arranged at a lower position than the other brushes in the brush array body configured to line up with the brushes 53A, 51, and 53B in the turning direction (revolution direction), and the brush 53A is used as an unused brush in the first cleaning. carry out the process. When the stage 41 rotates clockwise as shown in FIG. 15(c), the brushes 53B and 51 are positioned at the processing position, while the brush 53B is positioned at the non-processing position. That is, the brush 53B is arranged at a lower position than the other brushes in the above-described brush arrangement, and the second cleaning step is performed as an unused brush.

この洗浄装置１Ｅにおいても研磨及び洗浄が同時に行われることで、高いスループットを得ることができる。また、ブラシ５３はウエハＷの研磨を行うため、ブラシ５１に比べると摺動する際にウエハＷから受ける摩擦力が大きく、劣化しやすい。しかし洗浄装置１Ｅでは上記のように２つのブラシ５３を切り替えて使用するため、ブラシ５３の長寿命化を図ることができ、当該ブラシ５３の交換頻度を低減させることができる利点が有る。 Also in this cleaning apparatus 1E, polishing and cleaning are performed simultaneously, so that a high throughput can be obtained. Further, since the brush 53 polishes the wafer W, the frictional force received from the wafer W when sliding is larger than that of the brush 51, and the brush 53 is easily deteriorated. However, since the cleaning apparatus 1E uses the two brushes 53 by switching them as described above, there is an advantage that the life of the brushes 53 can be extended and the frequency of replacement of the brushes 53 can be reduced.

（第５の実施形態）
図１６（ａ）（ｂ）は、第５の実施形態に係る洗浄装置１Ｇを示しており、この洗浄装置１Ｇでは、図１１で説明した第３の実施形態の洗浄装置１Ｂのブラシ５３の代わりにブラシ５５が設けられた構成となっており、この洗浄装置１Ｇではブラシ５１、５５が夫々第１のブラシ、第２のブラシに相当する。このブラシ５５は、研磨及び洗浄の両方に用いられる。図１７の斜視図も参照してブラシ５５について説明すると、ブラシ５５は、円形であり水平な基部５６を備えており、この基部５６の中心に下方からシャフト５２が接続される。当該シャフト５２を介して、ブラシ５５は上記した回転機構４４に接続され、周方向の回転及び昇降が可能である。 (Fifth embodiment)
16(a) and 16(b) show a cleaning device 1G according to the fifth embodiment, in which the brush 53 of the cleaning device 1B of the third embodiment described with reference to FIG. 11 is replaced. In this cleaning apparatus 1G, the brushes 51 and 55 correspond to a first brush and a second brush, respectively. This brush 55 is used for both polishing and cleaning. Referring also to the perspective view of FIG. 17, the brush 55 has a circular and horizontal base 56, and a shaft 52 is connected to the center of the base 56 from below. The brush 55 is connected to the rotating mechanism 44 via the shaft 52, and can rotate in the circumferential direction and move up and down.

基部５６の周縁部上に、当該周縁部に沿った概ね環状の研磨部５７が設けられている。この研磨部５７は平面視円弧状の研磨用部材が基部５６の周方向に間隔を空けて設けられることで構成されており、研磨用部材同士の間には洗浄液排出用の溝５９が形成されている。この研磨部５７は既述の研磨用のブラシ５３に相当し、当該研磨部５７の上端面は、ウエハＷに対する摺動面５７Ａ（第１の摺動面）をなす。なお、研磨部５７は例えばシート状であるが、便宜上、図１６では図１７より厚く表示している。また、研磨部５７に囲まれて、基部５６の周に沿った環状の洗浄部５８が設けられている。洗浄部５８は、既述のブラシ５１に相当し、洗浄部５８の上端面は、ウエハＷに対する摺動面５８Ａ（第２の摺動面）をなす。ブラシ５１と同様に洗浄部５８は弾性を有しており、ブラシ５５がウエハＷに押し当てられておらず、洗浄部５８が当該ウエハＷからの押圧力を受けていない状態で、摺動面５８Ａは摺動面５７Ａよりも上方に位置する。図１７では当該押圧力を受けていない状態の洗浄部５８を示しており、図１６でも点線によって当該押圧力を受けていないとした場合の洗浄部５８を示している。 A substantially annular polishing portion 57 is provided along the peripheral edge of the base portion 56 . The polishing portion 57 is composed of polishing members each having an arcuate shape in a plan view and spaced apart in the circumferential direction of the base portion 56. Between the polishing members, grooves 59 for draining the cleaning liquid are formed. ing. The polishing portion 57 corresponds to the aforementioned polishing brush 53, and the upper end surface of the polishing portion 57 forms a sliding surface 57A (first sliding surface) for the wafer W. As shown in FIG. Although the polishing portion 57 is, for example, sheet-like, it is shown thicker in FIG. 16 than in FIG. 17 for the sake of convenience. An annular cleaning portion 58 is provided along the circumference of the base portion 56 , surrounded by the polishing portion 57 . The cleaning portion 58 corresponds to the brush 51 described above, and the upper end surface of the cleaning portion 58 forms a sliding surface 58A (second sliding surface) with respect to the wafer W. As shown in FIG. As with the brush 51, the cleaning unit 58 has elasticity. 58A is located above the sliding surface 57A. FIG. 17 shows the cleaning unit 58 in a state where it is not subjected to the pressing force, and FIG. 16 also shows the cleaning unit 58 when not receiving the pressing force by dotted lines.

ブラシ５５がウエハＷに押し当てられると、洗浄部５８がその弾性によって変形することで、摺動面５７Ａ、５８Ａの高さを揃えることができる。ウエハＷを研磨するにあたっては摺動面５７Ａ、５８Ａが共にウエハＷの下面に押し当てられる研磨用処理位置（第１の位置）にブラシ５５が位置し、ウエハＷを洗浄するにあたっては摺動面５８ＡのみがウエハＷの下面に押し当てられる洗浄用処理位置（第２の位置）にブラシ５５が位置する。 When the brush 55 is pressed against the wafer W, the cleaning portion 58 deforms due to its elasticity, so that the heights of the sliding surfaces 57A and 58A can be made uniform. When polishing the wafer W, the brush 55 is positioned at the polishing processing position (first position) where both the sliding surfaces 57A and 58A are pressed against the lower surface of the wafer W. The brush 55 is positioned at the cleaning processing position (second position) where only the wafer 58A is pressed against the lower surface of the wafer W. As shown in FIG.

図１６を用いて洗浄装置１Ｇによる処理について、洗浄装置１Ｂとの差異点を中心に説明する。先ず、ウエハＷ下面の中心部を処理するにあたり、研磨用処理位置に位置するブラシ５５が自転すると共に揺動し、研磨が行われる（図１６（ａ））。つまり、ブラシ５３の代りに、研磨用処理位置に位置したブラシ５５により研磨が行われる。このときブラシ５１は非処理位置に位置している。この研磨後、ブラシ５１を処理位置に位置させると共に、ブラシ５５を洗浄用処理位置に下降させる配置工程を行う。そして、ブラシ５１、５５の揺動によってウエハＷの下面の中心部が洗浄される（図１６（ｂ））。このように洗浄を行うためにブラシ５１、５５がウエハＷに押し当てられたとき、ブラシ５１の上面（ウエハＷに対する摺動面）は、仮にウエハＷからの押圧力を受けていないとしたときの摺動面５８Ａよりも低く、研磨部５７の摺動面５７Ａよりも高い。このような高さの位置関係が形成されるようにブラシ５５が構成されることで、上記した研磨を行うことが可能であると共に、洗浄時にはブラシ５１、５５の両方を用いて処理を行うことができるので、装置に設けるブラシの数を抑制しつつ、速やかに洗浄処理を完了することができる。 Processing by the cleaning apparatus 1G will be described with reference to FIG. 16, focusing on differences from the cleaning apparatus 1B. First, in processing the central portion of the lower surface of the wafer W, the brush 55 positioned at the polishing processing position rotates and swings to perform polishing (FIG. 16(a)). That is, instead of the brush 53, the polishing is performed by the brush 55 positioned at the polishing processing position. At this time, the brush 51 is positioned at the non-processing position. After this polishing, an arrangement step is performed in which the brush 51 is positioned at the processing position and the brush 55 is lowered to the cleaning processing position. Then, the central portion of the lower surface of the wafer W is cleaned by swinging the brushes 51 and 55 (FIG. 16(b)). When the brushes 51 and 55 are pressed against the wafer W for cleaning in this way, if the upper surface of the brush 51 (sliding surface against the wafer W) does not receive the pressing force from the wafer W, is lower than the sliding surface 58A of the polishing portion 57 and higher than the sliding surface 57A of the polishing portion 57. By configuring the brushes 55 so as to form such a height positional relationship, it is possible to perform the above-described polishing, and at the time of cleaning, processing can be performed using both the brushes 51 and 55. Therefore, it is possible to quickly complete the cleaning process while suppressing the number of brushes provided in the apparatus.

ウエハＷの中心部の処理についてのみ具体的に説明したが、ウエハＷ下面の周縁部を処理する際には洗浄装置１Ｂでブラシ５３により行うものとして述べた処理を、研磨用処理位置に配置したブラシ５５にて行えばよい。その他の各実施形態においてブラシ５３で行うものとした研磨処理についても、研磨処理用位置に配置したブラシ５５により行うようにしてもよい。なおブラシ５１，５３のウエハＷに対する摺動面としては円形であるように示してきたが、ブラシ５５の研磨部５７、洗浄部５８と同様に環状であってもよい。 Only the processing of the central portion of the wafer W has been specifically described, but when processing the peripheral portion of the lower surface of the wafer W, the processing described as being performed by the brush 53 in the cleaning apparatus 1B is arranged at the polishing processing position. A brush 55 may be used. The polishing process performed by the brush 53 in each of the other embodiments may also be performed by the brush 55 arranged at the polishing process position. Although the sliding surfaces of the brushes 51 and 53 against the wafer W are shown to be circular, they may be annular like the polishing portion 57 and the cleaning portion 58 of the brush 55 .

既述した各実施形態においてウエハＷの表面に形成されている膜としてはレジスト膜であるが、形成される膜の種類に関わらずウエハＷの裏面の洗浄を行うことができる。また、各実施形態において各ブラシはウエハＷに摺動する際に自転するものとして説明したが、このような自転を行わずにウエハＷの回転及び／またはブラシの公転によってウエハＷに対してブラシを摺動させて洗浄（研磨も含む）を行うことができる。従って、ブラシの自転を行わなくてもよい。またブラシの数としては既述した例に限られず、任意の数のブラシにより洗浄を行うことができ、３つ以上のブラシがウエハＷに同時に押し当てられて洗浄（研磨も含む）が行われてもよい。 In each of the above-described embodiments, the film formed on the front surface of the wafer W is a resist film, but the back surface of the wafer W can be cleaned regardless of the type of film formed. In each embodiment, each brush is described as rotating when sliding on the wafer W. However, instead of such rotation, the brush may rotate relative to the wafer W by rotating the wafer W and/or revolving the brush. cleaning (including polishing) can be performed by sliding the . Therefore, it is not necessary to rotate the brush. Further, the number of brushes is not limited to the above-described example, and any number of brushes can be used for cleaning. Three or more brushes are pressed against the wafer W at the same time to perform cleaning (including polishing). may

なお、洗浄装置がブラシ５３を備える各実施形態について、ウエハＷの周縁部及び中心部の両方を研磨するように述べたがそのような処理例に限られず、例えば中心部は洗浄のみ行い、周縁部のみ研磨及び洗浄を行うようにしてもよい。また、待機部２５については図１等で示した配置例に限られず、ステージ４１によってブラシ５１、５３が旋回する領域に重なる位置に配置すればよく、例えば装置の後方寄りの位置でもよい。 In each embodiment in which the cleaning apparatus includes the brushes 53, both the peripheral edge portion and the central portion of the wafer W have been described, but the processing is not limited to such an example. Only the part may be polished and cleaned. The standby section 25 is not limited to the arrangement example shown in FIG. 1, etc., and may be arranged at a position overlapping the area where the brushes 51 and 53 are turned by the stage 41, for example, at a position near the rear of the apparatus.

なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更あるいは組み合わせがなされてもよい。 In addition, the embodiment disclosed this time should be considered as an example and not restrictive in all respects. The above embodiments may be omitted, substituted, changed or combined in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

Ｗ ウエハ
１３ スピンチャック
５１、５３ ブラシ W wafer 13 spin chuck 51, 53 brush

Claims (20)

上面に膜が形成されている基板の下面を、基板保持部により保持する工程と、
第１のブラシ及び第２のブラシを前記基板の下面に同時に押し当て、当該基板の下面に対して相対的に互いに同じ摺動方向に摺動させて洗浄する洗浄工程と、
を備える基板洗浄方法。 a step of holding the lower surface of a substrate having a film formed on the upper surface thereof with a substrate holding part;
a cleaning step of simultaneously pressing a first brush and a second brush against the bottom surface of the substrate and sliding the bottom surface of the substrate in the same sliding direction relative to each other for cleaning;
A substrate cleaning method comprising: 前記洗浄工程は、前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを前記基板の径方向に異なる位置に配置し、各々自転させて前記基板に摺動させる工程を含む請求項１記載の基板洗浄方法。 2. The substrate cleaning method according to claim 1, wherein said cleaning step includes a step of arranging said first brush and said second brush at different positions in a radial direction of said substrate, rotating each of said brushes and causing said brushes to slide on said substrate. . 前記第１のブラシは前記第２のブラシよりも高い弾性を有し、
前記洗浄工程は、前記第１のブラシが前記第２のブラシに追従するように、前記基板に対して前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを摺動させる工程を含む請求項１または２記載の基板洗浄方法。 the first brush has a higher elasticity than the second brush;
3. The cleaning step includes sliding the first brush and the second brush relative to the substrate such that the first brush follows the second brush. A substrate cleaning method as described. 縦方向に伸びる旋回軸回りに前記第１のブラシ、前記第２のブラシ、前記第１のブラシの順で旋回方向に並ぶか、あるいは前記第２のブラシ、前記第１のブラシ、前記第２のブラシの順で旋回方向に並ぶブラシの配列体を、平面視、時計回り、反時計回りの各々に旋回させる工程を含み、
前記洗浄工程は、
前記配列体の前記時計回りの旋回中に前記配列体をなす一つのブラシを未使用ブラシとして他のブラシよりも低い位置に配置し、旋回により前記第２のブラシと当該第２のブラシに追従する第１のブラシとを前記基板に摺動させる第１洗浄工程と、
前記配列体の前記反時計回りの旋回中に前記配列体をなす前記第１の洗浄工程での未使用ブラシとは異なる一つのブラシを未使用ブラシとして他のブラシよりも低い位置に配置して、前記第２のブラシと当該第２のブラシに追従する第１のブラシとを前記基板に摺動させる第２洗浄工程と、
を含む請求項３記載の基板洗浄方法。 The first brush, the second brush, and the first brush are arranged in the order of the first brush, the second brush, and the first brush in the rotation direction around the rotation axis extending in the vertical direction, or the second brush, the first brush, and the second brush are arranged in this order. rotating the array of brushes arranged in the rotating direction in the order of the brushes in the plan view, clockwise, and counterclockwise,
The washing step includes
During the clockwise rotation of the array, one brush of the array is arranged as an unused brush at a position lower than the other brushes, and follows the second brush and the second brush by the rotation. a first cleaning step of sliding a first brush on the substrate;
During the counterclockwise rotation of the array, one brush different from the unused brush in the first cleaning step forming the array is disposed at a position lower than the other brushes as an unused brush. a second cleaning step of sliding the second brush and the first brush following the second brush on the substrate;
4. The substrate cleaning method according to claim 3, comprising: 前記第１のブラシ及び前記第２のブラシのうち第１のブラシのみを前記基板の下面に押し当てて摺動させる第１の摺動工程と、
前記第１のブラシ及び前記第２のブラシのうち第２のブラシのみを前記基板の下面に押し当てて摺動させる第２の摺動工程と、を含み、
前記洗浄工程は、前記第１の摺動工程を行ってから前記第２の摺動工程を行うまでに、前記第１のブラシの下降及び前記第１のブラシの上昇を行い、前記第１のブラシが前記基板に押し当てられたまま前記第２のブラシを当該基板に押し当てる工程を含む請求項１または２記載の基板洗浄方法。 a first sliding step of pressing and sliding only the first brush out of the first brush and the second brush against the lower surface of the substrate;
a second sliding step of pressing and sliding only the second brush out of the first brush and the second brush against the lower surface of the substrate;
In the cleaning step, after performing the first sliding step and before performing the second sliding step, the first brush is lowered and the first brush is raised, and the first brush is lowered. 3. The substrate cleaning method according to claim 1, further comprising the step of pressing said second brush against said substrate while the brush is pressed against said substrate. 前記基板保持部に保持される前記基板に重なる円を旋回軌道として、縦方向に伸びる旋回軸回りに前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを一括して旋回させる旋回工程を含み、
前記洗浄工程、前記第１の摺動工程、前記第２の摺動工程の各々は、前記旋回工程を行う間に行われ、前記洗浄工程における前記第１のブラシ及び第２のブラシの摺動方向は当該旋回方向であり、
前記第１の摺動工程は、前記第１のブラシが前記基板に押し当てられた状態で前記円をなす第１の円弧に沿って旋回する工程であり
前記第２の摺動工程は、前記第２のブラシが前記基板に押し当てられた状態で前記円をなすと共に前記第１の円弧とは異なる第２の円弧に沿って旋回する工程である請求項５記載の基板洗浄方法。 A turning step of collectively turning the first brush and the second brush about a turning axis extending in a vertical direction using a circle overlapping the substrate held by the substrate holding part as a turning orbit,
Each of the cleaning step, the first sliding step, and the second sliding step is performed while the turning step is performed, and sliding of the first brush and the second brush in the cleaning step is performed. The direction is the turning direction,
The first sliding step is a step of turning the first brush along a first arc forming the circle while being pressed against the substrate, and the second sliding step is a step of turning the first brush against the substrate. 6. The substrate cleaning method according to claim 5, wherein the second brush forms the circle while being pressed against the substrate and swivels along a second arc different from the first arc. 前記第１のブラシは前記第２のブラシよりも高い弾性を有し、
前記洗浄工程は、
前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを平面視、同じ方向に回転させて前記基板の下面に押し当てる回転工程を含む請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 the first brush has a higher elasticity than the second brush;
The washing step includes
7. The substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 6, further comprising rotating the first brush and the second brush in the same direction in plan view and pressing them against the lower surface of the substrate. 前記回転工程は、前記第１のブラシの回転数を前記第２のブラシの回転数よりも大きくする工程を含む請求項７記載の基板洗浄方法。 8. The substrate cleaning method according to claim 7, wherein said rotating step includes a step of making the number of revolutions of said first brush greater than the number of revolutions of said second brush. 前記第２のブラシは、前記基板に対して各々摺動する第１の高さの第１の摺動面と、弾性を有すると共に前記第１の高さよりも高い第２の摺動面と、を備え、
前記第１の摺動面及び前記第２の摺動面が前記基板に接触する第１の位置と、前記第１の摺動面及び前記第２の摺動面のうち前記第２の摺動面のみが前記基板に接触する第２の位置との間で前記第２のブラシを昇降させる工程を含み、
前記洗浄工程は、前記第２のブラシが前記第２の位置に位置する状態で、前記第１のブラシを当該第１のブラシの摺動面が前記基板に対して摺動する位置に夫々配置する配置工程を含み、
前記配置工程における前記第１のブラシの前記摺動面は、前記基板に対する押圧力が付与されていないとしたときの前記第１の摺動面よりも低く、前記第２の摺動面よりも高い請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 The second brush has a first sliding surface with a first height that slides on the substrate, a second sliding surface that has elasticity and is higher than the first height, and with
a first position where the first sliding surface and the second sliding surface contact the substrate; and the second sliding surface among the first sliding surface and the second sliding surface. raising and lowering the second brush to and from a second position where only the surface contacts the substrate;
In the cleaning step, while the second brush is positioned at the second position, the first brush is placed at a position where the sliding surface of the first brush slides on the substrate. including a placement step to
The sliding surface of the first brush in the arranging step is lower than the first sliding surface when no pressing force is applied to the substrate, and is higher than the second sliding surface. A substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 8. 前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを上方から覆う被覆部が設けられ、
縦方向に伸びる旋回軸回りに前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを一括で旋回させ、前記被覆部の下方で前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを待機させる待機領域と、当該第１のブラシ及び第２のブラシの各々が前記基板に押し当てられる位置との間で移動させる工程と、
を備える請求項１ないし９のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 A covering portion covering the first brush and the second brush from above is provided,
a standby area in which the first brush and the second brush are rotated collectively around a rotation axis extending in the vertical direction, and the first brush and the second brush are on standby under the covering portion; moving each of the first brush and the second brush between positions where they are pressed against the substrate;
The substrate cleaning method according to any one of claims 1 to 9, comprising: 前記基板保持部に保持される前記基板の側周を囲む筒体が設けられ、
前記基板保持部に保持される前記基板の中心と前記旋回軸とが並ぶ方向を前後方向とすると、
前記待機領域の左端は、前記筒体の左端よりも左方に突出せず、
前記待機領域の右端は、前記筒体の右端よりも右方に突出しない請求項１０記載の基板洗浄方法。 A cylindrical body is provided that surrounds a side circumference of the substrate held by the substrate holding portion,
Assuming that the direction in which the center of the substrate held by the substrate holding portion and the pivot shaft are aligned is the front-rear direction,
The left end of the standby area does not protrude leftward beyond the left end of the cylindrical body,
11. The substrate cleaning method according to claim 10, wherein the right end of the standby area does not protrude rightward beyond the right end of the cylindrical body. 上面に膜が形成されている基板の下面を保持する基板保持部と、
第１のブラシ及び第２のブラシと、
第１のブラシ及び第２のブラシを前記基板の下面に押し当て、当該基板の下面に対して相対的に互いに同じ摺動方向に摺動させて洗浄する摺動機構と、
を備える基板洗浄装置。 a substrate holding part for holding a lower surface of a substrate having a film formed on its upper surface;
a first brush and a second brush;
a sliding mechanism that presses a first brush and a second brush against the lower surface of the substrate and slides the lower surface of the substrate in the same sliding direction relative to each other for cleaning;
A substrate cleaning apparatus comprising: 前記摺動機構は、前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを前記基板の径方向に異なる位置に配置し、
前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを回転させて前記基板に摺動させるための回転機構を備える請求項１２記載の基板洗浄装置。 The sliding mechanism arranges the first brush and the second brush at different positions in a radial direction of the substrate,
13. The substrate cleaning apparatus according to claim 12, further comprising a rotating mechanism for rotating said first brush and said second brush to slide them on said substrate. 前記第１のブラシは前記第２のブラシよりも高い弾性を有し、
前記摺動機構は、前記第１のブラシが前記第２のブラシに追従するように、前記基板に対して当該第１のブラシ及び第２のブラシを摺動させる請求項１２または１３記載の基板洗浄装置。 the first brush has a higher elasticity than the second brush;
14. The substrate according to claim 12, wherein the sliding mechanism slides the first brush and the second brush relative to the substrate such that the first brush follows the second brush. cleaning equipment. 縦方向に伸びる旋回軸回りに前記第１のブラシ、前記第２のブラシ、前記第１のブラシの順で旋回方向に並ぶか、あるいは前記第２のブラシ、前記第１のブラシ、前記第２のブラシの順で旋回方向に並ぶブラシの配列体が設けられ、
前記摺動機構は、当該配列体を平面視、時計回り、反時計回りの各々に旋回させる旋回機構と、前記第１のブラシ、前記第２のブラシを各々昇降させる昇降機構と、を備え、
前記配列体の前記時計回りの旋回中に前記配列体をなす一つのブラシを未使用ブラシとして他のブラシよりも低い位置に配置し、旋回により前記第２のブラシと当該第２のブラシに追従する第１のブラシとを前記基板に摺動させ、且つ
前記配列体の前記反時計回りの旋回中に前記配列体をなす前記第１の洗浄工程での未使用ブラシとは異なる一つのブラシを未使用ブラシとして他のブラシよりも低い位置に配置して、前記第２のブラシと当該第２のブラシに追従する第１のブラシとを前記基板に摺動させる請求項１４記載の基板洗浄装置。 The first brush, the second brush, and the first brush are arranged in the order of the first brush, the second brush, and the first brush in the rotation direction around the rotation axis extending in the vertical direction, or the second brush, the first brush, and the second brush are arranged in this order. is arranged in the rotating direction in the order of the brushes,
The sliding mechanism includes a turning mechanism that turns the array in a plan view, clockwise, and counterclockwise, and a lifting mechanism that lifts and lowers the first brush and the second brush,
During the clockwise rotation of the array, one brush of the array is arranged as an unused brush at a position lower than the other brushes, and follows the second brush and the second brush by the rotation. and sliding a first brush against the substrate, and sliding one brush different from the unused brushes in the first cleaning step forming the array during the counterclockwise rotation of the array. 15. The substrate cleaning apparatus according to claim 14, wherein the unused brush is arranged at a position lower than other brushes, and the second brush and the first brush following the second brush are slid on the substrate. . 前記摺動機構は、前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを各々昇降させる昇降機構を備え、前記第１のブラシ及び前記第２のブラシのうち第１のブラシのみを前記基板の下面に押し当てて摺動させる第１の摺動状態と、
前記第１のブラシ及び前記第２のブラシのうち第２のブラシのみを前記基板の下面に押し当てて摺動させる第２の摺動状態と、
前記第１の摺動状態とされてから前記第２の摺動状態とされるまでに、前記第１のブラシの下降及び前記第１のブラシの上昇を行い、前記第１のブラシが前記基板に押し当てられたまま前記第２のブラシを当該基板に押し当てる状態と、を形成する請求項１２ないし１５のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 The sliding mechanism includes an elevating mechanism for elevating the first brush and the second brush, and only the first brush out of the first brush and the second brush is placed on the lower surface of the substrate. a first sliding state of pressing and sliding;
a second sliding state in which only the second brush out of the first brush and the second brush is pressed against the lower surface of the substrate and slides;
During the period from the first sliding state to the second sliding state, the first brush is lowered and the first brush is raised. 16. The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 12 to 15, forming a state in which said second brush is pressed against said substrate while being pressed against said substrate. 前記第１のブラシは前記第２のブラシよりも高い弾性を有し、
前記第１のブラシ、前記第２のブラシを各々平面視同じ方向に回転させる回転機構が設けられる請求項１２ないし１６のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 the first brush has a higher elasticity than the second brush;
17. The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 12 to 16, further comprising a rotation mechanism that rotates the first brush and the second brush in the same direction in plan view. 前記第２のブラシは、前記基板に対して各々摺動する第１の高さの第１の摺動面と、弾性を有すると共に前記第１の高さよりも高い第２の摺動面と、を備え、
前記第１の摺動面及び前記第２の摺動面が前記基板に接触する第１の位置と、前記第１の摺動面及び前記第２の摺動面のうち前記第２の摺動面のみが前記基板に接触する第２の位置との間で前記第２のブラシを昇降させる昇降機構が設けられ、
前記摺動機構は、前記第２のブラシが前記第２の位置に位置する状態で、前記第１のブラシを当該第１のブラシの摺動面が前記基板に対して摺動する処理位置に夫々配置し、
前記処理位置における前記第１のブラシの前記摺動面は、前記基板に対する押圧力が付与されていないとしたときの前記第１の摺動面よりも低く、前記第２の摺動面よりも高い請求項１２ないし１７のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 The second brush has a first sliding surface with a first height that slides on the substrate, a second sliding surface that has elasticity and is higher than the first height, and with
a first position where the first sliding surface and the second sliding surface contact the substrate; and the second sliding surface among the first sliding surface and the second sliding surface. A lifting mechanism is provided for lifting and lowering the second brush between a second position where only the surface contacts the substrate,
The sliding mechanism moves the first brush to a processing position where the sliding surface of the first brush slides against the substrate while the second brush is positioned at the second position. placed respectively,
The sliding surface of the first brush at the processing position is lower than the first sliding surface when no pressing force is applied to the substrate, and is higher than the second sliding surface. 18. A substrate cleaning apparatus according to any one of claims 12-17. 前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを上方から覆う被覆部と、
縦方向に伸びる旋回軸回りに前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを一括で旋回させ、前記被覆部の下方で前記第１のブラシ及び前記第２のブラシを待機させる待機領域と、当該第１のブラシ及び第２のブラシの各々が前記基板に押し当てられる位置との間で移動させる旋回機構と、
請求項１２ないし１８のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 a covering portion that covers the first brush and the second brush from above;
a standby area in which the first brush and the second brush are rotated collectively around a rotation axis extending in the vertical direction, and the first brush and the second brush are on standby under the covering portion; a turning mechanism for moving between a position where each of the first brush and the second brush is pressed against the substrate;
A substrate cleaning apparatus according to any one of claims 12 to 18. 前記基板保持部に保持される前記基板の側周を囲む筒体が設けられ、
前記基板保持部に保持される前記基板の中心と前記旋回軸とが並ぶ方向を前後方向とすると、
前記待機領域の左端は、前記筒体の左端よりも左方に突出せず、
前記待機領域の右端は、前記筒体の右端よりも右方に突出しない請求項１９記載の基板洗浄装置。 A cylindrical body is provided that surrounds a side circumference of the substrate held by the substrate holding portion,
Assuming that the direction in which the center of the substrate held by the substrate holding portion and the pivot shaft are aligned is the front-rear direction,
The left end of the standby area does not protrude leftward beyond the left end of the cylindrical body,
20. The substrate cleaning apparatus according to claim 19, wherein the right end of said standby area does not protrude rightward beyond the right end of said cylinder.
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