KR102135060B1 - Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate - Google Patents

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Abstract

이면으로부터 연마 부스러기 등의 파티클을 높은 제거율로 제거할 수 있는 장치를 제공한다.
기판(W)의 이면을 세정하기 위한 장치는, 기판(W)의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판(W)을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부(105)와, 회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구(108)와, 기판 보유 지지부(105)의 상방에 배치된 이류체 노즐(109)과, 기판 보유 지지부(105), 스크럽 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)이 배치되는 세정실(99)을 형성하는 하우징(100)을 구비한다.An apparatus capable of removing particles such as abrasive debris from the back surface with a high removal rate.
An apparatus for cleaning the back surface of the substrate W includes a substrate holding portion 105 for rotating the substrate W while holding the substrate W in a state where the back surface of the substrate W is upward, and a scrub cleaning configured to be rotatable A cleaning chamber in which the sphere 108, the air-fluid nozzle 109 disposed above the substrate-holding portion 105, and the substrate-holding portion 105, the scrub cleaning mouth 108 and the air-fluid nozzle 109 are disposed It is provided with a housing (100) forming the (99).

Description

기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING A BACK SURFACE OF A SUBSTRATE}Apparatus and method for cleaning the back surface of a substrate{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING A BACK SURFACE OF A SUBSTRATE}

본 발명은, 웨이퍼 등의 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for cleaning the back surface of a substrate such as a wafer.

최근 들어, 메모리 회로, 로직 회로, 이미지 센서(예를 들어 CMOS 센서) 등의 디바이스는, 보다 고집적화되어 있다. 이들의 디바이스를 형성하는 공정에 있어서는, 미립자나 진애 등의 이물이 디바이스에 부착되는 경우가 있다. 디바이스에 부착된 이물은, 배선 간의 단락이나 회로의 결함을 야기해 버린다. 따라서, 디바이스의 신뢰성을 향상시키기 위해, 디바이스가 형성된 웨이퍼를 세정해서, 웨이퍼 상의 이물을 제거하는 것이 필요해진다. 웨이퍼의 이면(비디바이스면)에도, 상술한 바와 같은 미립자나 분진 등의 이물이 부착되는 경우가 있다. 이러한 이물이 웨이퍼의 이면에 부착되면, 웨이퍼가 노광 장치의 스테이지 기준면으로부터 이격하거나, 웨이퍼 표면이 스테이지 기준면에 대하여 기울어져, 결과적으로 패터닝의 어긋남이나 초점 거리의 어긋남이 발생하게 된다.In recent years, devices such as memory circuits, logic circuits, and image sensors (for example, CMOS sensors) have become more highly integrated. In the process of forming these devices, foreign matter such as fine particles and dust may adhere to the device. Foreign matter adhering to the device causes short circuits between wirings or defects in the circuit. Therefore, in order to improve the reliability of the device, it is necessary to clean the wafer on which the device is formed to remove foreign matter on the wafer. Foreign matter such as fine particles and dust as described above may adhere to the back surface (non-device surface) of the wafer. When such foreign matter adheres to the back surface of the wafer, the wafer is spaced from the stage reference surface of the exposure apparatus, or the wafer surface is inclined with respect to the stage reference surface, resulting in misalignment of patterning or misalignment of the focal length.

이러한 문제를 방지하기 위해, 웨이퍼의 이면에 부착된 이물을 제거하는 것이 필요해지고 있다. 그러나 종래의, 웨이퍼를 회전시키면서 펜형의 브러시나 롤 스펀지로 웨이퍼를 스크럽 세정하는 등의 세정 기술에서는, 특별히 이물 상에 막이 퇴적된 상태의 이물을 제거하거나, 웨이퍼의 이면 전체로부터 이물을 제거하는 것이 곤란하였다. 따라서, 이러한 과제에 대응하기 위해, 최근 들어 웨이퍼 등의 기판 이면의 베벨부 및 외주 영역부뿐만 아니라, 이면 전체에 부착된 이물을 높은 제거율로 제거할 수 있는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).In order to prevent such a problem, it has become necessary to remove foreign substances attached to the back surface of the wafer. However, in a conventional cleaning technique such as scrubbing a wafer with a pen-type brush or roll sponge while rotating the wafer, it is particularly necessary to remove the foreign substance in a state where a film is deposited on the foreign substance or to remove the foreign substance from the entire back surface of the wafer. It was difficult. Therefore, in order to cope with such a problem, recently, a technique capable of removing foreign substances adhering to the entire back surface as well as the bevel portion and the outer circumferential region portion of the back surface of a substrate such as a wafer has been proposed (see Patent Document 1). ).

일본 특허 공개 제2014-150178호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-150178

이 새로운 기술에 의하면, 연마구를 웨이퍼의 이면에 미끄럼 접촉시킴으로써, 웨이퍼의 이면을 약간 깍아내므로, 이면으로부터 이물을 높은 제거율로 제거할 수 있다. 그러나 웨이퍼 이면을 연마한 후에 행하여지는 종래의 세정 기술에서는, 연마 부스러기가 웨이퍼 이면에 남아 버리는 경우가 있다. 이러한 연마 부스러기는, 웨이퍼가 건조된 후, 웨이퍼 카세트 내에서 웨이퍼로부터 떨어져, 웨이퍼 카세트 내의 다른 웨이퍼 상으로 낙하해 버린다.According to this new technique, by sliding the abrasive tool to the back surface of the wafer, the back surface of the wafer is slightly scraped off, so that foreign matter can be removed from the back surface with a high removal rate. However, in the conventional cleaning technique performed after polishing the wafer back surface, the debris may remain on the wafer back surface. After the wafer is dried, such abrasive debris falls off the wafer in the wafer cassette and falls onto other wafers in the wafer cassette.

따라서, 본 발명은 웨이퍼 등의 기판의 이면으로부터 연마 부스러기 등의 파티클을 높은 제거율로 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 등의 기판의 이면을 연마하고, 또한 해당 이면을 세정하는 기판 처리 장치를 제공한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of removing particles such as abrasive debris from the back surface of a substrate such as a wafer with a high removal rate. In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus for polishing a back surface of a substrate such as a wafer and cleaning the back surface.

본 발명의 일 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 장치이며, 기판의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부와, 회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구와, 상기 기판 보유 지지부의 상방에 배치된 이류체 노즐과, 상기 기판 보유 지지부, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 배치되는 세정실을 형성하는 하우징을 구비한 것을 특징으로 한다.An aspect of the present invention is an apparatus for cleaning the back surface of a substrate, and the substrate holding part rotates while holding and holding the substrate while the back surface of the substrate is raised upwards, and a scrub cleaning mouth configured to be rotatable, and the substrate holding It is characterized in that it comprises a housing forming a washing chamber in which the air-fluid nozzle disposed above the support portion and the substrate-holding portion, the scrub cleaning mouth and the air-fluid nozzle are disposed.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 고정된 아암과, 상기 아암, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐을, 소정의 선회축선을 중심으로 소정의 각도로 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전시키는 선회 모터를 더 구비한 것을 특징으로 한다.Preferred aspects of the present invention include the arm to which the scrub cleaning mouth and the air nozzle are fixed, and the arm, the scrub cleaning mouth and the air nozzle to be clockwise and at a predetermined angle around a predetermined pivot axis and It is characterized by further comprising a turning motor that rotates in a counterclockwise direction.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 스크럽 세정구와 상기 소정의 선회축선과의 거리는, 상기 이류체 노즐과 상기 소정의 선회축선과의 거리와 동등한 것을 특징으로 한다.A preferred aspect of the present invention is characterized in that the distance between the scrub cleaning device and the predetermined pivot axis is equal to the distance between the air nozzle and the predetermined pivot axis.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 기판 보유 지지부는, 기판의 주연부를 보유 지지하는 회전 가능한 복수의 보유 지지 롤러를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.A preferred aspect of the present invention is characterized in that the substrate holding portion includes a plurality of rotatable holding rollers that hold the periphery of the substrate.

본 발명의 바람직한 형태는, 이면이 세정된 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제1 기판 스테이션과, 이면이 세정되어 있지 않은 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제2 기판 스테이션을 더 구비한 것을 특징으로 한다.A preferred aspect of the present invention is characterized by further comprising a first substrate station for temporarily accommodating the substrate on which the back surface has been cleaned, and a second substrate station for temporarily accommodating the substrate on which the back surface is not cleaned.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 기판 스테이션 및 상기 제2 기판 스테이션의 각각은, 내부에 밀폐 공간이 형성되는 용기와, 상기 용기 내에 배치된 순수(純水) 분무 노즐을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.A preferred aspect of the present invention is characterized in that each of the first substrate station and the second substrate station includes a container in which an enclosed space is formed, and a pure water spray nozzle disposed in the container. Is done.

본 발명의 다른 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 복수의 이면 세정 유닛과, 이면이 세정된 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제1 기판 스테이션과, 이면이 세정되어 있지 않은 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제2 기판 스테이션과, 이면이 세정되어 있지 않은 기판을 상기 제2 기판 스테이션으로부터 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로 반송하고, 또한 이면이 세정된 기판을 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로부터 상기 제1 기판 스테이션으로 반송하기 위한 반송 장치를 구비하고, 상기 이면 세정 유닛은, 기판의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부와, 회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구와, 상기 기판 보유 지지부의 상방에 배치된 이류체 노즐과, 상기 기판 보유 지지부, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 배치되는 세정실을 형성하는 하우징을 구비하는 것을 특징으로 하는 이면 세정 장치이다.In another aspect of the present invention, a plurality of backside cleaning units for cleaning the backside of a substrate, a first substrate station for temporarily receiving a substrate on which the backside has been cleaned, and a substrate for which the backside is not cleaned are temporarily accommodated. A second substrate station for a substrate and a substrate on which the back surface is not cleaned are transferred from the second substrate station to any one of the plurality of back surface cleaning units, and the substrate on which the back surface has been cleaned is transferred from any one of the plurality of back surface cleaning units. A transfer device for conveying to the first substrate station, wherein the rear surface cleaning unit includes a substrate holding portion for rotating the substrate while holding the substrate, and a scrub cleaning device configured to be rotatable. And a housing forming an airflow nozzle disposed above the substrate holding portion and a cleaning chamber in which the substrate holding portion, the scrub cleaning mouth and the airflow nozzle are disposed.

본 발명의 다른 형태는, 기판의 이면을 연마하는 이면 연마부와, 상기 이면 연마부에 의해 연마된 기판의 이면을 세정하기 위한 상기 이면 세정 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.Another aspect of the present invention is a substrate processing apparatus comprising a back surface polishing unit for polishing the back surface of the substrate and the back surface cleaning device for cleaning the back surface of the substrate polished by the back surface polishing unit.

본 발명의 또 다른 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 방법이며, 세정실 내에 기판을 수용하여 해당 기판을 보유 지지하고, 상기 세정실 내에서 보유 지지된 기판을 회전시키고, 스크럽 세정구를 회전시키면서, 상기 세정실 내의 기판 이면에 미끄럼 접촉시키고, 그 후, 상기 세정실 내의 기판 이면에 이류체 분류를 공급하는 것을 특징으로 한다.Another aspect of the present invention is a method for cleaning the back surface of a substrate, receiving a substrate in a cleaning chamber to hold the substrate, rotating the substrate held in the cleaning chamber, and rotating a scrub cleaning mouth It is characterized by slidingly contacting the back surface of the substrate in the cleaning chamber, and then supplying the air flow to the back surface of the substrate in the cleaning chamber.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 스크럽 세정구를 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 스크럽 세정구를 회전시키면서 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키고, 또한 상기 회전하는 스크럽 세정구를 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment of the present invention, in the step of slidingly contacting the scrub cleaning tool against the back surface of the substrate, the rotating scrub cleaning device is brought into sliding contact with the back surface of the substrate, and the rotating scrub cleaning device is provided with the center and edge of the substrate. It is characterized in that it is a step of reciprocating movement between parts.

본 발명의 바람직한 형태는, 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하는 공정은, 이류체 노즐로부터 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하면서, 상기 이류체 노즐을 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment of the present invention, in the step of supplying the air flow to the back surface of the substrate, the air flow is reciprocated between the center and the edge of the substrate while supplying the air flow to the back surface of the substrate from the air flow nozzle. It is characterized in that the process.

본 발명의 또 다른 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 방법이며, 세정실 내에 기판을 수용하여 해당 기판을 보유 지지하고, 상기 보유 지지된 기판을 회전시켜, 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하고, 그 후, 스크럽 세정구를 회전시키면서 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키는 것을 특징으로 한다.Another aspect of the present invention is a method for cleaning the back surface of a substrate, receiving the substrate in a cleaning chamber to hold the substrate, and rotating the retained substrate to supply the airflow classification to the back surface of the substrate Then, it is characterized in that, after rotating the scrub cleaning tool, it is brought into sliding contact with the back surface of the substrate.

본 발명에 따르면, 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 어느 한쪽인 제1 이면 세정 공정이 행하여지고, 이어서 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 다른 쪽인 제2 이면 세정 공정이 연속해서 행하여진다. 기판의 이면은, 스크럽 세정과 이류체 세정과의 조합에 의해 세정되므로, 높은 제거율로 연마 부스러기 등의 파티클을 기판의 이면으로부터 제거할 수 있다. 특히, 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정은, 동일한 세정실 내에서 기판이 기판 보유 지지부에 보유 지지된 채 연속해서 행하여지므로, 짧은 세정 시간에 고제거율의 이면 세정을 행할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 기판의 이면을 연마한 후의 기판 상의 연마 부스러기가 세정 후의 기판 이면 상에 남지 않는 이면 세정부를 구비한 기판 처리 장치로 할 수 있으므로, 기판 카세트 내의 다른 기판 상에 연마 부스러기가 낙하해 버리는 등의 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, the first back surface cleaning process, which is either scrub cleaning or air washing, is performed, and then the second back surface cleaning process, which is the other of scrub cleaning and air washing, is continuously performed. Since the back surface of the substrate is cleaned by a combination of scrub cleaning and air cleaning, particles such as abrasive debris can be removed from the back surface of the substrate with a high removal rate. In particular, since the first backside cleaning step and the second backside cleaning step are continuously performed while the substrate is held in the substrate holding portion in the same cleaning chamber, it is possible to perform backside cleaning with a high removal rate in a short cleaning time. In addition, according to the present invention, since the polishing debris on the substrate after polishing the back surface of the substrate can be a substrate processing apparatus provided with a back surface cleaning unit that does not remain on the substrate back surface after cleaning, polishing debris on other substrates in the substrate cassette It can prevent things, such as falling.

도 1은, 웨이퍼 등의 기판의 이면을 연마하고, 또한 해당 이면을 세정하기 위한 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2의 (a) 및 도 2의 (b)는, 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은, 웨이퍼 이면의 외주측 영역을 연마하기 위한 제1 이면 연마 유닛을 도시하는 모식도이다.
도 4는, 도 3에 도시하는 제1 연마 헤드가 이동하는 모습을 도시하는 도면이다.
도 5는, 웨이퍼 이면의 중심측 영역을 연마하기 위한 제2 이면 연마 유닛을 도시하는 모식도이다.
도 6은, 제2 이면 연마 유닛의 평면도이다.
도 7은, 이면 세정부의 전체를 도시하는 모식도이다.
도 8은, 제1 웨이퍼 스테이션의 수평 단면도이다.
도 9는, 이면 세정 유닛의 상세를 도시하는 사시도이다.
도 10은, 아암, 펜형 세정구 및 이류체 노즐의 상면도이다.
도 11은, 웨이퍼의 처리 전체의 일 실시 형태를 나타내는 흐름도이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus for polishing a back surface of a substrate such as a wafer and cleaning the back surface.
2(a) and 2(b) are cross-sectional views of the wafer.
3 is a schematic view showing a first back polishing unit for polishing an outer circumferential side region of a wafer back surface.
4 is a view showing a state in which the first polishing head shown in FIG. 3 moves.
5 is a schematic view showing a second back polishing unit for polishing the center side area of the wafer back surface.
6 is a plan view of the second back polishing unit.
7 is a schematic view showing the entire back surface cleaning section.
8 is a horizontal sectional view of the first wafer station.
9 is a perspective view showing details of the back surface cleaning unit.
10 is a top view of an arm, a pen-type cleaning tool, and an air nozzle.
11 is a flowchart showing one embodiment of the entire processing of the wafer.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.

도 1은, 웨이퍼 등의 기판의 이면을 연마하고, 또한 해당 이면을 세정하기 위한 기판 처리 장치의 개략도이다. 이하에 설명하는 실시 형태에서는, 기판의 일례로서 웨이퍼가 사용된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는 복수의 웨이퍼가 수용된 웨이퍼 카세트(또는 기판 카세트)가 적재되는 로드 포트(5)와, 웨이퍼의 이면을 연마하는 이면 연마부(7)와, 이면 연마부(7)에서 연마된 웨이퍼의 이면을 세정하는 이면 세정부(10)와, 웨이퍼의 표면을 세정하고, 건조시키는 표면 세정부(15)를 구비하고 있다. 기판 처리 장치는, 이면 연마부(7), 이면 세정부(10), 표면 세정부(15) 및 이하에 설명하는 각 반송 로봇의 동작을 제어하는 동작 제어부(12)를 더 구비하고 있다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus for polishing a back surface of a substrate such as a wafer and cleaning the back surface. In the embodiments described below, a wafer is used as an example of a substrate. As shown in Fig. 1, the substrate processing apparatus includes a load port 5 on which a wafer cassette (or substrate cassette) containing a plurality of wafers is loaded, a back surface polishing unit 7 for polishing the back surface of the wafer, and a back surface polishing A back cleaning part 10 for cleaning the back surface of the wafer polished in the part 7 and a surface cleaning part 15 for cleaning and drying the surface of the wafer are provided. The substrate processing apparatus further includes a back surface polishing unit 7, a back surface cleaning unit 10, a surface cleaning unit 15, and an operation control unit 12 that controls the operation of each transport robot described below.

로드 포트(5)와 이면 연마부(7) 사이에는, 반송 로봇(21)이 배치되어 있다. 반송 로봇(21)은, 복수의 웨이퍼 카세트 중 어느 하나에 수용되어 있는 웨이퍼를 취출하고, 이면 연마부(7)에 인접해서 배치된 임시 받침대(22)에 웨이퍼를 두도록 동작한다. 이면 연마부(7)와 임시 받침대(22)에 인접하여, 반송 로봇(24)이 배치되어 있다.The transfer robot 21 is arrange|positioned between the load port 5 and the back surface polishing part 7. The transfer robot 21 operates to take out the wafer accommodated in any one of the plurality of wafer cassettes and place the wafer on the temporary pedestal 22 disposed adjacent to the back polishing section 7. The transfer robot 24 is disposed adjacent to the back polishing portion 7 and the temporary pedestal 22.

이면 연마부(7)는, 2대의 제1 이면 연마 유닛(8)과, 2대의 제2 이면 연마 유닛(9)을 구비하고 있다. 2대의 제1 이면 연마 유닛(8)은, 반송 로봇(24)에 인접해서 배치되어 있다. 임시 받침대(22) 상의 웨이퍼는, 반송 로봇(24)에 의해 2대의 제1 이면 연마 유닛(8) 중 어느 한쪽으로 반송된다.The back surface polishing unit 7 is provided with two first back surface polishing units 8 and two second back surface polishing units 9. The two first back polishing units 8 are disposed adjacent to the transfer robot 24. The wafer on the temporary pedestal 22 is transported to either one of the two first back polishing units 8 by the transport robot 24.

웨이퍼의 이면 연마는, 제1 연마 공정과 제2 연마 공정으로 구성된다. 제1 연마 공정은, 웨이퍼 이면의 외주측 영역을 연마하는 공정이며, 제2 연마 공정은 웨이퍼 이면의 중심측 영역을 연마하는 공정이다. 중심측 영역은 웨이퍼의 중심을 포함하는 영역이며, 외주측 영역은 중심측 영역의 반경 방향 외측에 위치하는 영역이다. 중심측 영역과 외주측 영역은 서로 인접하고, 중심측 영역과 외주측 영역을 조합한 영역은, 웨이퍼의 이면 전체에 미친다.The wafer back surface polishing is composed of a first polishing process and a second polishing process. The first polishing step is a step of polishing the outer peripheral area of the wafer back surface, and the second polishing step is a process of polishing the center side area of the wafer back surface. The center-side region is a region including the center of the wafer, and the outer circumferential-side region is a region located radially outside the center-side region. The center region and the outer circumferential region are adjacent to each other, and the region in which the center region and the outer circumferential region are combined extends over the entire back surface of the wafer.

도 2의 (a) 및 도 2의 (b)는, 웨이퍼의 단면도이다. 보다 상세하게는, 도 2의 (a)는, 소위 스트레이트형의 웨이퍼의 단면도이며, 도 2의 (b)는, 소위 라운드형의 웨이퍼의 단면도이다. 본 명세서에서는, 웨이퍼(기판)의 표면이라 함은, 디바이스 및 배선(회로)이 형성되는 면을 말하고, 웨이퍼(기판)의 이면이라 함은, 디바이스 및 배선(회로)이 형성되어 있는 면과는 반대측의 평탄한 면을 말한다. 웨이퍼의 최외주면은 베벨부라고 불린다. 웨이퍼의 이면은 베벨부의 반경 방향 내측에 있는 평탄한 면이다. 웨이퍼 이면의 외주측 영역은 베벨부에 인접한다. 일례로서, 외주측 영역의 폭은 수십밀리의 링 형상의 영역이며, 중심측 영역은 그 내측의 원형 영역이다.2(a) and 2(b) are cross-sectional views of the wafer. More specifically, Fig. 2(a) is a sectional view of a so-called straight wafer, and Fig. 2(b) is a sectional view of a so-called round wafer. In this specification, the surface of the wafer (substrate) refers to the surface on which the device and the wiring (circuit) are formed, and the back surface of the wafer (substrate) refers to the surface on which the device and the wiring (circuit) are formed. The flat side on the other side. The outermost peripheral surface of the wafer is called a bevel portion. The back surface of the wafer is a flat surface inside the bevel portion in the radial direction. The outer peripheral area of the wafer back side is adjacent to the bevel portion. As an example, the width of the outer circumferential region is a tens of millimeters ring-shaped region, and the central region is a circular region inside.

도 3은, 웨이퍼 이면의 외주측 영역을 연마하기 위한 제1 이면 연마 유닛(8)을 도시하는 모식도이다. 이 제1 이면 연마 유닛(8)은, 웨이퍼(기판)(W)를 보유 지지해서 회전시키는 제1 기판 보유 지지부(32)와, 제1 기판 보유 지지부(32)에 보유 지지되고 있는 웨이퍼(W)의 이면에 연마구를 누르는 제1 연마 헤드(34)를 구비하고 있다. 제1 기판 보유 지지부(32)는, 웨이퍼(W)를 진공 흡착에 의해 보유 지지하는 기판 스테이지(37)와, 기판 스테이지(37)를 회전시키는 스테이지 모터(39)를 구비하고 있다.3 is a schematic diagram showing a first back polishing unit 8 for polishing an outer circumferential side region of a wafer back surface. The first rear surface polishing unit 8 holds the wafer (substrate) W and rotates the first substrate holding portion 32 and the wafer W held by the first substrate holding portion 32. ) Is provided with a first polishing head 34 pressing the polishing tool on the back surface. The 1st board|substrate holding part 32 is equipped with the board|substrate stage 37 which hold|maintains the wafer W by vacuum adsorption, and the stage motor 39 which rotates the board|substrate stage 37.

웨이퍼(W)는 그 이면이 하향인 상태에서 기판 스테이지(37) 상에 적재된다. 기판 스테이지(37)의 상면에는 홈(37a)이 형성되어 있고, 이 홈(37a)은 진공 라인(40)에 연통하고 있다. 진공 라인(40)은 도시하지 않은 진공원(예를 들어 진공 펌프)에 접속되어 있다. 진공 라인(40)을 통해서 기판 스테이지(37)의 홈(37a)에 진공이 형성되면, 웨이퍼(W)는 진공 흡인에 의해 기판 스테이지(37) 상에 보유 지지된다. 이 상태에서 스테이지 모터(39)는 기판 스테이지(37)를 회전시키고, 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 회전시킨다. 기판 스테이지(37)의 직경은 웨이퍼(W)의 직경보다도 작고, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역은 기판 스테이지(37)에 의해 보유 지지된다. 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역은, 기판 스테이지(37)로부터 외측으로 비어져 나와 있다.The wafer W is mounted on the substrate stage 37 while its back side is downward. A groove 37a is formed on the upper surface of the substrate stage 37, and the groove 37a communicates with the vacuum line 40. The vacuum line 40 is connected to a vacuum source (for example, a vacuum pump) not shown. When a vacuum is formed in the groove 37a of the substrate stage 37 through the vacuum line 40, the wafer W is held on the substrate stage 37 by vacuum suction. In this state, the stage motor 39 rotates the substrate stage 37 and rotates the wafer W around its axis. The diameter of the substrate stage 37 is smaller than the diameter of the wafer W, and the central region on the back surface of the wafer W is held by the substrate stage 37. The outer peripheral side area of the back surface of the wafer W is projected outward from the substrate stage 37.

제1 연마 헤드(34)는, 기판 스테이지(37)에 인접해서 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제1 연마 헤드(34)는 노출되어 있는 외주측 영역에 대향해서 배치되어 있다. 제1 연마 헤드(34)는, 연마구로서의 연마 테이프(42)를 지지하는 복수의 롤러(43)와, 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박하는 가압 부재(44)와, 가압 부재(44)에 가압력을 부여하는 액추에이터로서의 에어 실린더(45)를 구비하고 있다. 에어 실린더(45)는 가압 부재(44)에 가압력을 부여하고, 이에 의해 가압 부재(44)는 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 또한, 연마구로서, 연마 테이프 대신에 지석을 사용해도 된다.The first polishing head 34 is disposed adjacent to the substrate stage 37. More specifically, the 1st polishing head 34 is arrange|positioned facing the exposed outer peripheral side area. The first polishing head 34 includes a plurality of rollers 43 supporting the polishing tape 42 as a polishing tool, a pressing member 44 for pressing the polishing tape 42 to the back surface of the wafer W, An air cylinder 45 is provided as an actuator that applies a pressing force to the pressing member 44. The air cylinder 45 applies a pressing force to the pressing member 44, whereby the pressing member 44 presses the polishing tape 42 on the back surface of the wafer W. In addition, a grinding wheel may be used as a polishing tool instead of the polishing tape.

연마 테이프(42)의 일단부는 조출 릴(51)에 접속되고, 타단부는 조출 릴(52)에 접속되어 있다. 연마 테이프(42)는, 조출 릴(51)로부터 제1 연마 헤드(34)를 경유해서 조출 릴(52)에 소정의 속도로 보내진다. 사용되는 연마 테이프(42)의 예로서는, 표면에 지립이 고정된 테이프, 또는 경질의 부직포로 이루어지는 테이프 등을 들 수 있다. 제1 연마 헤드(34)는, 연마 헤드 이동 기구(55)에 연결되어 있다. 이 연마 헤드 이동 기구(55)는, 제1 연마 헤드(34)를 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 이동시키도록 구성되어 있다. 연마 헤드 이동 기구(55)는, 예를 들어 볼 나사와 서보 모터의 조합으로 구성된다.One end of the abrasive tape 42 is connected to the delivery reel 51, and the other end is connected to the delivery reel 52. The polishing tape 42 is sent from the feeding reel 51 to the feeding reel 52 at a predetermined speed via the first polishing head 34. Examples of the abrasive tape 42 to be used include a tape having abrasive grains fixed on its surface, or a tape made of a hard nonwoven fabric. The first polishing head 34 is connected to the polishing head moving mechanism 55. This polishing head moving mechanism 55 is configured to move the first polishing head 34 radially outward of the wafer W. The polishing head moving mechanism 55 is composed of, for example, a combination of a ball screw and a servo motor.

기판 스테이지(37)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방 및 하방에는, 웨이퍼(W)에 연마액을 공급하는 액체 공급 노즐(57, 58)이 배치되어 있다. 연마액으로서는, 순수가 바람직하게 사용된다. 이것은, 에칭 작용이 있는 화학 성분을 포함하는 약액을 사용하면, 이면에 형성되어 있는 오목부가 넓어져 버리는 경우가 있기 때문이다.Liquid supply nozzles 57 and 58 for supplying the polishing liquid to the wafer W are disposed above and below the wafer W held by the substrate stage 37. As the polishing liquid, pure water is preferably used. This is because when a chemical solution containing a chemical component having an etching action is used, the concave portion formed on the back surface may be widened.

웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역은 다음과 같이 해서 연마된다. 기판 스테이지(37)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 해서 스테이지 모터(39)에 의해 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 액체 공급 노즐(57, 58)로부터 연마액을 공급한다. 이 상태에서, 제1 연마 헤드(34)는 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 연마 테이프(42)는, 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역에 미끄럼 접촉하고, 이에 의해 외주측 영역을 연마한다. 연마 헤드 이동 기구(55)는, 제1 연마 헤드(34)가 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박하면서, 도 4의 화살표로 나타낸 바와 같이, 제1 연마 헤드(34)를 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 소정의 속도로 이동시킨다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역 전체가 연마 테이프(42)에 의해 연마된다. 연마 중, 연마액은 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측으로 흐르고, 연마 부스러기는 연마액에 의해 웨이퍼(W)로부터 제거된다.The outer circumferential area on the back surface of the wafer W is polished as follows. The wafer W held by the substrate stage 37 is rotated by the stage motor 39 around its axis, and from the liquid supply nozzles 57 and 58 to the front and back surfaces of the rotating wafer W. The polishing liquid is supplied. In this state, the first polishing head 34 presses the polishing tape 42 against the back surface of the wafer W. The polishing tape 42 slides into the outer peripheral area on the back surface of the wafer W, thereby polishing the outer peripheral area. The polishing head moving mechanism 55 pushes the first polishing head 34, as indicated by the arrow in FIG. 4, while the first polishing head 34 presses the polishing tape 42 against the back surface of the wafer W. The wafer W is moved outward in the radial direction at a predetermined speed. In this way, the entire outer circumferential area of the back surface of the wafer W is polished by the polishing tape 42. During polishing, the polishing liquid flows from the inside of the wafer W to the outside, and the polishing debris is removed from the wafer W by the polishing liquid.

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 이면 연마 유닛(8)과 제2 이면 연마 유닛(9) 사이에는, 상하 2단의 임시 받침대(60A, 60B)가 배치되어 있다. 상측의 임시 받침대(60A)는, 세정된 웨이퍼를 일시적으로 두기 위해서 사용되고, 하측의 임시 받침대(60B)는, 세정되기 전의 웨이퍼를 일시적으로 두기 위해서 사용된다. 제1 이면 연마 유닛(8)에 의해 연마된 웨이퍼는, 반송 로봇(24)에 의해 하측의 임시 받침대(60B)로 반송된다.As shown in FIG. 1, between the 1st back surface polishing unit 8 and the 2nd back surface polishing unit 9, the temporary support 60A, 60B of upper and lower two stages is arrange|positioned. The upper temporary pedestal 60A is used for temporarily placing the cleaned wafer, and the lower temporary pedestal 60B is used for temporarily placing the wafer before being cleaned. The wafer polished by the first backside polishing unit 8 is conveyed to the lower temporary support 60B by the transfer robot 24.

임시 받침대(60A, 60B)와, 2대의 제2 이면 연마 유닛(9)에 인접하여, 반송 로봇(61)이 배치되어 있다. 이 반송 로봇(61)은, 웨이퍼를 반전시키는 기능을 갖고 있다. 반송 로봇(61)은, 하측의 임시 받침대(60B) 상의 웨이퍼를 취출하고, 웨이퍼를 반전시켜서 그 이면을 상향으로 하고, 그리고 웨이퍼를 2대의 제2 이면 연마 유닛(9) 중 어느 한쪽으로 반송한다.The conveyance robot 61 is arrange|positioned adjacent to the temporary pedestal 60A, 60B and the 2nd 2nd back surface polishing units 9. This transfer robot 61 has a function of inverting the wafer. The transfer robot 61 takes out the wafer on the lower temporary support 60B, inverts the wafer, raises its back side, and transfers the wafer to either of the two second back polishing units 9 .

도 5는, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역을 연마하기 위한 제2 이면 연마 유닛(9)을 도시하는 모식도이며, 도 6은 제2 이면 연마 유닛(9)의 평면도이다. 제2 이면 연마 유닛(9)은, 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 회전시키는 제2 기판 보유 지지부(62)와, 웨이퍼(W)의 이면에 연마구(64)를 압박하는 제2 연마 헤드(66)를 구비하고 있다. 제2 기판 보유 지지부(62)는, 웨이퍼(W)의 베벨부를 보유 지지하는 복수의 척(68)과, 이들 척(68)을 웨이퍼(W)의 축선을 중심으로 회전시키는 중공 모터(71)를 구비하고 있다. 각 척(68)은 그 상단부에 클램프(69)를 구비하고 있고, 이 클램프(69)에 의해 웨이퍼(W)의 베벨부가 파지된다. 클램프(69)가 웨이퍼(W)의 베벨부를 파지한 상태에서 중공 모터(71)에 의해 척(68)을 회전시킴으로써, 도 6의 화살표 A로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)가 그 축선을 중심으로 회전한다.5 is a schematic view showing a second rear polishing unit 9 for polishing the center side region of the back surface of the wafer W, and FIG. 6 is a plan view of the second rear polishing unit 9. The second rear surface polishing unit 9 includes a second substrate holding portion 62 for holding and rotating the wafer W, and a second polishing head for pressing the polishing tool 64 against the back surface of the wafer W ( 66). The second substrate holding portion 62 includes a plurality of chucks 68 holding the bevel portion of the wafer W, and a hollow motor 71 rotating these chucks 68 about the axis of the wafer W It is equipped with. Each chuck 68 is provided with a clamp 69 at its upper end, and the bevel portion of the wafer W is held by the clamp 69. By rotating the chuck 68 by the hollow motor 71 in the state where the clamp 69 grips the bevel portion of the wafer W, the wafer W is centered on its axis, as indicated by arrow A in FIG. 6. Rotates.

제2 이면 연마 유닛(9)에서는, 웨이퍼(W)는 그 이면이 상향인 상태에서 제2 기판 보유 지지부(62)에 의해 보유 지지된다. 척(68)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면(이면과는 반대측인 면)은, 기판 지지부(72)에 의해 지지되고 있다. 이 기판 지지부(72)는, 연결 부재(73)에 의해 중공 모터(71)에 연결되어 있고, 중공 모터(71)에 의해 기판 지지부(72)는 제2 기판 보유 지지부(62)와 일체로 회전하도록 되어 있다. 기판 지지부(72)는, 웨이퍼(W)의 하면에 접촉하는 원형의 상면을 갖고 있다. 이 기판 지지부(72)의 상면은, 부직포 또는 배킹 필름 등의 탄성재로 이루어지는 시트로 구성되어 있고, 웨이퍼(W)의 하면에 형성되어 있는 디바이스에 손상을 주지 않도록 되어 있다. 기판 지지부(72)는, 간단히 웨이퍼(W)의 하면을 지지하고 있을 뿐이며, 웨이퍼(W)를 진공 흡착 등으로 보유 지지는 하고 있지 않다. 웨이퍼(W)와 기판 지지부(72)는 일체로 회전하고, 양자의 상대 속도는 0이다.In the second backside polishing unit 9, the wafer W is held by the second substrate holding portion 62 in a state where the back side is upward. The lower surface of the wafer W held by the chuck 68 (a surface opposite to the rear surface) is supported by the substrate support 72. The substrate support portion 72 is connected to the hollow motor 71 by a connecting member 73, and the substrate support portion 72 is rotated integrally with the second substrate holding portion 62 by the hollow motor 71. It is supposed to. The substrate support portion 72 has a circular upper surface in contact with the lower surface of the wafer W. The upper surface of the substrate support portion 72 is made of a sheet made of an elastic material such as a non-woven fabric or a backing film, and the device formed on the lower surface of the wafer W is not damaged. The substrate support portion 72 simply supports the lower surface of the wafer W, and does not hold the wafer W by vacuum adsorption or the like. The wafer W and the substrate support 72 rotate integrally, and the relative speeds of both are zero.

제2 연마 헤드(66)는, 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있고, 연마구(64)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 사용되는 연마구(64)의 예로서는, 지립이 표면에 고정된 부직포, 경질의 부직포, 지석, 또는 상술한 제1 이면 연마 유닛(8)으로 사용되는 연마 테이프 등을 들 수 있다. 예를 들어, 연마구(64)는 제2 연마 헤드(66)의 축선 둘레에 배열된 복수의 연마 테이프로 구성해도 된다.The second polishing head 66 is disposed above the wafer W, and the polishing tool 64 is pressed against the back surface of the wafer W. Examples of the abrasive tool 64 used include a non-woven fabric having abrasive grains fixed to its surface, a hard non-woven fabric, a grindstone, or an abrasive tape used as the first back-side polishing unit 8 described above. For example, the polishing tool 64 may be composed of a plurality of polishing tapes arranged around the axis line of the second polishing head 66.

제2 연마 헤드(66)는, 헤드 아암(75)에 의해 지지되고 있다. 이 헤드 아암(75)에는 도시하지 않은 회전 기구가 내장되어 있고, 이 회전 기구에 의해 제2 연마 헤드(66)는 화살표 B로 나타낸 바와 같이 그 축선을 중심으로 회전한다. 헤드 아암(75)의 단부는 요동축(76)에 고정되어 있다. 이 요동축(76)은 모터 등의 구동기(77)에 연결되어 있다. 구동기(77)에 의해 요동축(76)을 소정의 각도로 회전시킴으로써, 제2 연마 헤드(66)는 웨이퍼(W)의 상방 연마 위치와 웨이퍼(W)의 외측 대기 위치와의 사이를 이동한다.The second polishing head 66 is supported by a head arm 75. A rotation mechanism (not shown) is built in the head arm 75, and the second polishing head 66 rotates about its axis as indicated by arrow B by this rotation mechanism. The end of the head arm 75 is fixed to the swing shaft 76. The swing shaft 76 is connected to a driver 77 such as a motor. By rotating the swing shaft 76 by a predetermined angle by the driver 77, the second polishing head 66 moves between the upper polishing position of the wafer W and the outer waiting position of the wafer W. .

제2 연마 헤드(66)에 인접하여, 웨이퍼(W)의 이면에 연마액을 공급하는 액체 공급 노즐(79)이 배치되어 있다. 연마액으로서는, 순수가 바람직하게 사용된다.Adjacent to the second polishing head 66, a liquid supply nozzle 79 for supplying a polishing liquid to the back surface of the wafer W is disposed. As the polishing liquid, pure water is preferably used.

웨이퍼(W)의 중심측 영역은 다음과 같이 해서 연마된다. 웨이퍼(W)의 이면이 상향인 상태에서 웨이퍼(W)의 베벨부가 척(68)에 의해 보유 지지된다. 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 해서 중공 모터(71)에 의해 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 액체 공급 노즐(79)로부터 연마액을 공급한다. 이 상태에서, 제2 연마 헤드(66)는 연마구(64)를 회전시키면서, 연마구(64)를 웨이퍼(W)의 이면 중심을 포함하는 중심측 영역에 압박한다. 연마구(64)는 중심측 영역에 미끄럼 접촉하고, 이에 의해 중심측 영역을 연마한다. 연마 중은, 연마구(64)가 웨이퍼(W)의 중심에 접촉한 상태를 유지하면서, 제2 연마 헤드(66)를 웨이퍼(W)의 대략 반경 방향으로 요동시켜도 된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역이 연마구(64)에 의해 연마된다. 연마 중에, 연마액은 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측으로 흐르고, 연마 부스러기는 연마액에 의해 웨이퍼(W)로부터 제거된다.The area at the center of the wafer W is polished as follows. The bevel portion of the wafer W is held by the chuck 68 in a state where the rear surface of the wafer W is upward. The wafer W is rotated by the hollow motor 71 around its axis, and a polishing liquid is supplied from the liquid supply nozzle 79 to the back surface of the rotating wafer W. In this state, the second polishing head 66 rotates the polishing tool 64 while pressing the polishing tool 64 against the center-side region including the center of the back surface of the wafer W. The abrasive tool 64 slides into the center-side region, thereby polishing the center-side region. During polishing, the second polishing head 66 may be rocked in the substantially radial direction of the wafer W while maintaining the state where the polishing tool 64 contacts the center of the wafer W. In this way, the center side region of the back surface of the wafer W is polished by the polishing tool 64. During polishing, the polishing liquid flows from inside to outside of the wafer W, and the polishing debris is removed from the wafer W by the polishing liquid.

상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역이 먼저 연마되고, 그 후에 이면의 중심측 영역이 연마된다. 일 실시 형태에서는, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역을 연마한 후에, 이면의 외주측 영역을 연마 해도 된다.In the above-described embodiment, the outer circumferential area on the back surface of the wafer W is polished first, and then the central area on the back surface is polished. In one embodiment, after polishing the center side region of the back surface of the wafer W, the outer peripheral side region of the back surface may be polished.

도 1에 도시한 바와 같이, 이면 세정부(10)는 이면 연마부(7)에 인접해서 배치되어 있다. 제1 이면 연마 유닛(8) 및 제2 이면 연마 유닛(9)에 의해 이면이 연마된 웨이퍼는, 반송 로봇(61)에 의해 이면 세정부(10)로 반송된다.1, the back surface cleaning part 10 is arrange|positioned adjacent to the back surface polishing part 7. As shown in FIG. The wafer whose back surface has been polished by the first back polishing unit 8 and the second back polishing unit 9 is conveyed to the back cleaning unit 10 by the transfer robot 61.

도 7은, 이면 세정부(10)의 전체를 도시하는 모식도이다. 이 이면 세정부(10)는, 웨이퍼의 이면이 연마된 후에, 해당 이면을 세정하기 위한 장치이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 이면 세정부(10)는 복수의(본 실시 형태에서는 4개의) 이면 세정 유닛(80)과, 이면 세정 유닛(80)에 의해 이면이 세정된 웨이퍼를 일시적으로 수용하기 위한 제1 웨이퍼 스테이션(제1 기판 스테이션)(81)과, 이면이 세정되어 있지 않은 웨이퍼를 일시적으로 수용하기 위한 제2 웨이퍼 스테이션(제2 기판 스테이션)(82)과, 웨이퍼를 제1, 제2 웨이퍼 스테이션(81, 82)과 이면 세정 유닛(80) 사이에서 반송할 수 있는 반송 로봇(85)을 구비하고 있다. 이면 세정 유닛(80) 및 반송 로봇(85)의 동작은, 도 1에 도시하는 동작 제어부(12)에 의해 제어된다.7 is a schematic view showing the entire back cleaning section 10. The back surface cleaning unit 10 is an apparatus for cleaning the back surface after the back surface of the wafer is polished. As shown in FIG. 7, the back surface cleaning unit 10 temporarily accommodates a plurality of (four in this embodiment) back surface cleaning units 80 and a wafer whose back surface has been cleaned by the back surface cleaning unit 80. A first wafer station (first substrate station) 81 for performing, a second wafer station (second substrate station) 82 for temporarily accommodating a wafer whose back surface has not been cleaned, and a wafer for first, A transfer robot 85 capable of transferring between the second wafer stations 81 and 82 and the back cleaning unit 80 is provided. The operation of the back surface cleaning unit 80 and the transfer robot 85 is controlled by the operation control unit 12 shown in FIG. 1.

이면은 연마되었지만, 아직 세정되어 있지 않은 웨이퍼는, 그 이면이 상부를 향한 상태에서 반송 로봇(61)(도 1 참조)에 의해 제2 웨이퍼 스테이션(82) 내로 반송된다. 이면이 연마되고, 또한 세정된 웨이퍼는, 그 이면이 상부를 향한 상태에서 이면 세정부(10)의 반송 로봇(85)에 의해 제1 웨이퍼 스테이션(81) 내로 반송된다. 본 실시 형태에서는, 제1 웨이퍼 스테이션(81)은 제2 웨이퍼 스테이션(82) 상에 배치되어 있지만, 제1 웨이퍼 스테이션(81)은 제2 웨이퍼 스테이션(82) 하에 배치되어도 된다.The wafer on which the back surface has been polished but has not been cleaned is conveyed into the second wafer station 82 by the transfer robot 61 (see FIG. 1) with the back surface facing upward. The wafer on which the back surface has been polished and cleaned is conveyed into the first wafer station 81 by the transfer robot 85 of the back surface cleaning unit 10 with the back surface facing upward. In the present embodiment, the first wafer station 81 is disposed on the second wafer station 82, but the first wafer station 81 may be disposed under the second wafer station 82.

본 실시 형태에서는, 2개의 이면 세정 유닛(80)이 상하로 배열되고, 또한 다른 2개의 이면 세정 유닛(80)이 상하로 배열되어 있다. 단, 이면 세정 유닛(80)의 배열은, 본 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 4개의 이면 세정 유닛(80)이 세로 방향 또는 가로 방향으로 일렬로 배열해도 된다.In the present embodiment, two back cleaning units 80 are arranged vertically, and another two back cleaning units 80 are arranged vertically. However, the arrangement of the back surface cleaning unit 80 is not limited to this embodiment. For example, four back washing units 80 may be arranged in a line in the vertical direction or the horizontal direction.

반송 로봇(85)은, 4개의 이면 세정 유닛(80)에 액세스할 수 있는 위치에 배치되어 있다. 제1, 제2 웨이퍼 스테이션(81, 82)은, 상하로 배열된 2개의 이면 세정 유닛(80) 사이에 배치되어 있다. 제1 웨이퍼 스테이션(81)과 제2 웨이퍼 스테이션(82)은 동일한 구성을 갖고 있으므로, 이하, 제1 웨이퍼 스테이션(81)에 대해서 설명한다.The conveyance robot 85 is arrange|positioned at the position accessible to the four back surface cleaning units 80. The first and second wafer stations 81 and 82 are arranged between two back cleaning units 80 arranged vertically. Since the first wafer station 81 and the second wafer station 82 have the same configuration, the first wafer station 81 will be described below.

도 8은, 제1 웨이퍼 스테이션(81)의 수평 단면도이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 웨이퍼 스테이션(제1 기판 스테이션)(81)은, 내부에 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 상자 형상의 용기(87)와, 용기(87)를 구성하는 제1 벽부(87a)에 설치된 제1 셔터(91)와, 용기(87)를 구성하는 제2 벽부(87b)에 설치된 제2 셔터(92)와, 웨이퍼(W)가 놓이는 복수의 지지 기둥(94)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 4개의 지지 기둥(94)이 용기(87) 내에 배치되어 있지만, 5개 이상의 지지 기둥을 배치해도 된다.8 is a horizontal cross-sectional view of the first wafer station 81. As shown in FIG. 8, the first wafer station (first substrate station) 81 constitutes a box-shaped container 87 capable of accommodating the wafer W therein, and a container 87 The first shutter 91 provided on the first wall portion 87a, the second shutter 92 provided on the second wall portion 87b constituting the container 87, and a plurality of support pillars on which the wafer W is placed ( 94). In this embodiment, four support pillars 94 are arranged in the container 87, but five or more support pillars may be arranged.

제1 벽부(87a)에는, 웨이퍼(W)가 통과 가능한 제1 개구부(87c)가 형성되어 있고, 제1 셔터(91)는 제1 개구부(87c)를 덮고 있다. 마찬가지로, 제2 벽부(87b)에는, 웨이퍼(W)가 통과 가능한 제2 개구부(87d)가 형성되어 있고, 제2 셔터(92)는 제2 개구부(87d)를 덮고 있다. 이들 제1 셔터(91) 및 제2 셔터(92)는, 통상은 폐쇄되어 있다.A first opening 87c through which the wafer W can pass is formed in the first wall portion 87a, and the first shutter 91 covers the first opening 87c. Similarly, a second opening portion 87d through which the wafer W can pass is formed in the second wall portion 87b, and the second shutter 92 covers the second opening portion 87d. The first shutter 91 and the second shutter 92 are normally closed.

제1 셔터(91) 및 제2 셔터(92)가 폐쇄된 상태에서는, 용기(87) 내에는 밀폐 공간이 형성된다. 이것은, 웨이퍼(W)의 건조를 방지하기 위해서이다. 용기(87) 내의 웨이퍼(W)를 습한 상태로 유지하기 위해, 용기(87) 내에는 복수의 순수 분무 노즐(96)이 배치되어 있다. 각 순수 분무 노즐(96)은 순수 공급관(97)에 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 3개의 순수 분무 노즐(96)이 웨이퍼(W)의 하면(이면과는 반대측인 면)을 향해 배치되어 있다. 2개 이하의 순수 분무 노즐을 배치해도 되고, 4개 이상의 순수 분무 노즐을 배치해도 된다.In a state where the first shutter 91 and the second shutter 92 are closed, a closed space is formed in the container 87. This is to prevent drying of the wafer W. In order to keep the wafer W in the container 87 in a wet state, a plurality of pure spray nozzles 96 are arranged in the container 87. Each pure spray nozzle 96 is connected to a pure water supply pipe 97. In this embodiment, three pure spray nozzles 96 are arranged toward the lower surface of the wafer W (the surface opposite to the lower surface). Two or more pure spray nozzles may be arranged, or four or more pure spray nozzles may be arranged.

반송 로봇(85)(도 7 참조)이, 이면 세정 유닛(80)에 의해 세정된 웨이퍼를 제1 웨이퍼 스테이션(81) 내로 반입할 때는, 제2 셔터(92)가 개방된다. 반송 로봇(61)(도 1 참조)이, 세정된 웨이퍼를 제1 웨이퍼 스테이션(81)으로부터 취출할 때는, 제1 셔터(91)가 개방된다. 한편, 반송 로봇(61)(도 1 참조)이 세정 전의 웨이퍼를 제2 웨이퍼 스테이션(82) 내로 반입할 때는, 제2 웨이퍼 스테이션(82)의 제1 셔터(91)가 개방된다. 반송 로봇(85)(도 7 참조)이 세정 전의 웨이퍼를 제2 웨이퍼 스테이션(82)으로부터 취출할 때는, 제2 웨이퍼 스테이션(82)의 제2 셔터(92)가 개방된다.When the transfer robot 85 (see FIG. 7) carries the wafer cleaned by the backside cleaning unit 80 into the first wafer station 81, the second shutter 92 is opened. When the conveyance robot 61 (refer FIG. 1) takes out the cleaned wafer from the first wafer station 81, the first shutter 91 is opened. On the other hand, when the transfer robot 61 (see FIG. 1) carries the wafer before cleaning into the second wafer station 82, the first shutter 91 of the second wafer station 82 is opened. When the transfer robot 85 (see FIG. 7) takes out the wafer before cleaning from the second wafer station 82, the second shutter 92 of the second wafer station 82 is opened.

도 7에 도시한 바와 같이, 이면 세정부(10)의 반송 로봇(85)은, 상하 방향으로 이동할 수 있게 구성되어 있다. 반송 로봇(85)은, 웨이퍼의 이면이 상부를 향한 상태에서, 웨이퍼를 4개의 이면 세정 유닛(80) 중 하나로 반송한다. 4개의 이면 세정 유닛(80)은 동일한 구성을 갖고 있다. 각 이면 세정 유닛(80)은, 내부에 세정실(99)을 형성하는 하우징(100)을 갖고 있다. 하우징(100)의 측벽(100a)에는, 웨이퍼가 통과할 수 있는 개구부(100b)가 형성되어 있고, 이 개구부(100b)를 덮는 셔터(101)가 측벽(100a)에 설치되어 있다. 웨이퍼를 이면 세정 유닛(80)의 세정실(99) 내로 반입할 때 및 이면 세정 유닛(80)의 세정실(99)로부터 웨이퍼를 반출할 때에, 셔터(101)가 개방된다.As shown in FIG. 7, the conveyance robot 85 of the back surface cleaning part 10 is comprised so that it can move to an up-down direction. The transfer robot 85 conveys the wafer to one of the four back surface cleaning units 80, with the back side of the wafer facing upward. The four back cleaning units 80 have the same configuration. Each back cleaning unit 80 has a housing 100 that forms a cleaning chamber 99 therein. An opening 100b through which the wafer can pass is formed on the sidewall 100a of the housing 100, and a shutter 101 covering the opening 100b is provided on the sidewall 100a. When the wafer is brought into the cleaning chamber 99 of the backside cleaning unit 80 and when the wafer is taken out from the cleaning chamber 99 of the backside cleaning unit 80, the shutter 101 is opened.

도 9는, 이면 세정 유닛(80)의 상세를 도시하는 사시도이다. 도 9에서는, 하우징(100) 및 셔터(101)의 도시는 생략되어 있다. 이면 세정 유닛(80)은, 웨이퍼(W)를 유지하고, 또한 웨이퍼(W)의 축선을 중심으로 해서 회전시키는 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)와, 웨이퍼 보유 지지부(105)에 보유 지지되고 있는 웨이퍼(W)의 이면(상면)에 약액을 공급하는 약액 공급 노즐(107)과, 웨이퍼(W)의 이면에 린스액으로서의 순수를 공급하는 린스액 공급 노즐(106)과, 자신의 축선을 중심으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 이면에 접촉할 수 있는 스크럽 세정구로서의 펜형 세정구(108)와, 웨이퍼(W)의 이면에 이류체 분류를 공급하는 이류체 노즐(109)을 구비하고 있다. 펜형 세정구(108)는, 스펀지 등의 다공재로 구성되어 있다. 스펀지로 구성된 펜형 세정구(108)는, 펜 스펀지라고도 불린다.9 is a perspective view showing details of the back surface cleaning unit 80. In FIG. 9, illustration of the housing 100 and the shutter 101 is omitted. The back surface cleaning unit 80 holds the wafer W and holds it in a wafer holding portion (substrate holding portion) 105 and a wafer holding portion 105 that rotates around an axis of the wafer W. A chemical liquid supply nozzle 107 for supplying a chemical liquid to the back surface (upper surface) of the supported wafer W, a rinse liquid supply nozzle 106 for supplying pure water as a rinse liquid to the back surface of the wafer W, and its own A pen-type cleaning tool 108 as a scrub cleaning device capable of contacting the rear surface of the wafer W while rotating around an axis, and a air-fluid nozzle 109 for supplying air-fluid classification to the back surface of the wafer W Doing. The pen-type cleaning tool 108 is made of a porous material such as a sponge. The pen-type cleaning tool 108 composed of a sponge is also called a pen sponge.

웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하는 복수의 보유 지지 롤러(111)와, 이들 보유 지지 롤러(111)를 회전시키는 롤러 모터(112)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 4개의 보유 지지 롤러(111)가 설치되어 있다. 세정되는 웨이퍼(W)는 그 이면이 상향인 상태에서, 반송 로봇(85)에 의해 보유 지지 롤러(111) 위에 놓이고, 보유 지지 롤러(111)에 의해 회전된다. 이하에 설명하는 웨이퍼(W)의 이면 세정은, 이면이 상향인 상태에서 행하여진다.The wafer holding portion (substrate holding portion) 105 includes a plurality of holding rollers 111 for holding the peripheral portion of the wafer W, and a roller motor 112 for rotating the holding rollers 111 Doing. In this embodiment, four holding rollers 111 are provided. The wafer W to be cleaned is placed on the holding roller 111 by the transfer robot 85 while its back side is upward, and is rotated by the holding roller 111. The back surface cleaning of the wafer W described below is performed in a state where the back surface is upward.

4개의 보유 지지 롤러(111) 중 2개는, 토크 전달 기구(113)에 의해 연결되어 있고, 다른 2개도 다른 토크 전달 기구(113)에 의해 연결되어 있다. 토크 전달 기구(113)는, 예를 들어 풀리 및 벨트의 조합으로 구성된다. 본 실시 형태에서는, 2개의 롤러 모터(112)가 설치되어 있다. 2개의 롤러 모터(112) 중 한쪽은, 토크 전달 기구(113)에 의해 서로 연결되어 있는 2개의 보유 지지 롤러(111)에 연결되어 있고, 다른 쪽의 롤러 모터(112)는, 다른 토크 전달 기구(113)에 의해 서로 연결되어 있는 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)에 연결되어 있다.Two of the four holding rollers 111 are connected by a torque transmission mechanism 113, and the other two are also connected by another torque transmission mechanism 113. The torque transmission mechanism 113 is composed of a combination of a pulley and a belt, for example. In this embodiment, two roller motors 112 are provided. One of the two roller motors 112 is connected to two holding rollers 111 that are connected to each other by a torque transmission mechanism 113, and the other roller motor 112 has a different torque transmission mechanism. It is connected to two other holding rollers 111 which are connected to each other by 113.

웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 다른 실시 형태를 적용해도 된다. 예를 들어, 일 실시 형태에서는, 1개의 롤러 모터가 토크 전달 기구를 개재해서 모든 보유 지지 롤러(111)에 연결되어도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는 모든 보유 지지 롤러(111)가 롤러 모터(112)에 연결되어 있지만, 복수의 보유 지지 롤러(111) 중 몇 가지가 롤러 모터(112)에 연결되어 있어도 된다. 복수의 보유 지지 롤러(111) 중 적어도 2개가 롤러 모터(112)에 연결되어 있는 것이 바람직하다.The wafer holding portion (substrate holding portion) 105 is not limited to the present embodiment, and other embodiments may be applied. For example, in one embodiment, one roller motor may be connected to all the holding rollers 111 via a torque transmission mechanism. Further, in the present embodiment, all the holding rollers 111 are connected to the roller motor 112, but some of the plurality of holding rollers 111 may be connected to the roller motor 112. It is preferable that at least two of the plurality of holding rollers 111 are connected to the roller motor 112.

본 실시 형태에서는, 4개의 보유 지지 롤러(111) 중 2개는, 도시하지 않은 이동 기구에 의해, 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)에 근접하는 방향 및 이격되는 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 웨이퍼(W)가 반송 로봇(85)에 의해 4개의 보유 지지 롤러(111)의 상단부에 놓인 후, 2개의 보유 지지 롤러(111)가 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)를 향해 이동함으로써, 4개의 보유 지지 롤러(111)는 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지한다. 웨이퍼(W)의 이면 세정 후, 2개의 보유 지지 롤러(111)가 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)로부터 이격되는 방향으로 이동함으로써, 4개의 보유 지지 롤러(111)는 웨이퍼(W)의 주연부를 해방한다. 일 실시 형태에서는, 모든 보유 지지 롤러(111)가 도시하지 않은 이동 기구에 의해 이동 가능하게 구성되어도 된다. 보유 지지 롤러(111)는, 웨이퍼(W)의 주연부 전체를 파지하지 않는 기구이므로, 펜형 세정구(108)는 웨이퍼(W)의 에지부(이면의 가장 외측의 주연부)를 포함하는 이면 전체를 세정할 수 있다.In this embodiment, two of the four holding rollers 111 can be moved in a direction close to and spaced apart from the other two holding rollers 111 by a moving mechanism (not shown). After the wafer W is placed on the upper end of the four holding rollers 111 by the transfer robot 85, the two holding rollers 111 move toward the other two holding rollers 111, thereby The dog holding roller 111 holds the periphery of the wafer W. After cleaning the back surface of the wafer W, the two holding rollers 111 move in a direction spaced apart from the other two holding rollers 111, so that the four holding rollers 111 are the peripheral edges of the wafer W Liberate wealth. In one embodiment, all the holding rollers 111 may be configured to be movable by a moving mechanism (not shown). Since the holding roller 111 is a mechanism that does not grip the entire periphery of the wafer W, the pen-type cleaning tool 108 covers the entire back surface including the edge portion (the outermost periphery of the back side) of the wafer W. It can be cleaned.

이면 세정 유닛(80)은, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)이 고정된 아암(115)과, 펜형 세정구(108)에 연결된 액추에이터(116)와, 아암(115)을 지지하는 지지축(118)과, 지지축(118)에 연결된 선회 모터(120)를 더 구비하고 있다. 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 보유 지지 롤러(111)보다도 높은 위치에 배치되어 있다. 액추에이터(116)는, 펜형 세정구(108)(예를 들어, 펜 스펀지)를 그 축선을 중심으로 회전시킬 수 있고, 또한 회전하는 펜형 세정구(108)를 그 축선의 방향으로 이동시킬 수 있게 구성되어 있다. 즉, 액추에이터(116)는 펜형 세정구(108)를 그 축선을 중심으로 해서 회전시키면서, 해당 펜형 세정구(108)를, 보유 지지 롤러(111)에 보유 지지되고 있는 웨이퍼(W)의 이면에 압박할 수 있게 구성되어 있다. 펜형 세정구(108)의 축선은, 보유 지지 롤러(111)에 보유 지지되고 있을 때의 웨이퍼(W) 이면에 대하여 수직이다. 본 실시 형태에서는, 펜형 세정구(108)의 축선은 연직 방향으로 연장되고, 웨이퍼(W)는 보유 지지 롤러(111)에 의해 수평하게 보유 지지된다.The back cleaning unit 80 supports the arm 115 to which the pen-type cleaning tool 108 and the air-fluid nozzle 109 are fixed, the actuator 116 connected to the pen-type cleaning tool 108, and the arm 115. The support shaft 118 and the swing motor 120 connected to the support shaft 118 are further provided. The arm 115, the pen-type cleaning tool 108, and the air-fluid nozzle 109 are disposed at a position higher than the holding roller 111. The actuator 116 can rotate the pen-type cleaning tool 108 (eg, a pen sponge) around its axis, and can also move the rotating pen-like cleaning tool 108 in the direction of the axis. Consists of. That is, the actuator 116 rotates the pen-type cleaning tool 108 around its axis, and the pen-type cleaning tool 108 is placed on the back surface of the wafer W held by the holding roller 111. It is structured to be able to press. The axis of the pen-type cleaning tool 108 is perpendicular to the back surface of the wafer W when being held by the holding roller 111. In this embodiment, the axis of the pen-shaped cleaning tool 108 extends in the vertical direction, and the wafer W is held horizontally by the holding roller 111.

이류체 노즐(109)은, 펜형 세정구(108)에 인접하고 있다. 보다 구체적으로는, 이류체 노즐(109)은 아암(115)의 측면에 고정된 노즐 홀더(121)로부터 하방으로 연장되어 있다. 이류체 노즐(109)은, 노즐 홀더(121)를 개재하여 이류체 공급 라인(122)에 접속되어 있다. 펜형 세정구(108)는 아암(115)의 선단부 하방에 위치하고 있다. 선회 모터(120)는, 지지축(118)을 시계 방향 및 반시계 방향으로 소정의 각도만큼 회전시킬 수 있게 구성되어 있다. 선회 모터(120)가 지지축(118)을 회전시키면, 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)이 지지축(118)의 선회축선(P)을 중심으로 시계 방향 및 반시계 방향으로 소정의 각도로 선회한다.The air-fluid nozzle 109 is adjacent to the pen-shaped cleaning tool 108. More specifically, the airflow nozzle 109 extends downward from the nozzle holder 121 fixed to the side surface of the arm 115. The air flow nozzle 109 is connected to the air flow supply line 122 via the nozzle holder 121. The pen-type cleaning tool 108 is located below the tip of the arm 115. The turning motor 120 is configured to rotate the support shaft 118 in a clockwise and counterclockwise direction by a predetermined angle. When the orbiting motor 120 rotates the support shaft 118, the arm 115, pen-type cleaning tool 108, and air nozzle 109 are clockwise around the pivot axis P of the support shaft 118. And turning counterclockwise at a predetermined angle.

도 10은, 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)의 상면도이다. 도 10에 도시한 바와 같이, 보유 지지 롤러(111), 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 하우징(100)에 의해 형성된 세정실(99) 내에 배치되어 있다. 웨이퍼(W)는 이면이 상향인 상태에서, 반송 로봇(85)에 의해 세정실(99) 내로 반송되고, 보유 지지 롤러(111) 위에 놓인다. 보유 지지 롤러(111)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하고, 또한 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 웨이퍼(W)의 이면 세정은, 웨이퍼(W)가 회전되면서 행하여진다.10 is a top view of the arm 115, the pen-type cleaning tool 108, and the airflow nozzle 109. As shown in FIG. 10, the holding roller 111, the arm 115, the pen-type cleaning tool 108, and the air-fluid nozzle 109 are disposed in the cleaning chamber 99 formed by the housing 100. have. The wafer W is transported into the cleaning chamber 99 by the transport robot 85 in a state where the back surface is upward, and is placed on the holding roller 111. The holding roller 111 holds the periphery of the wafer W and further rotates the wafer W. The back surface cleaning of the wafer W is performed while the wafer W is rotated.

아암(115)의 선회 운동에 수반하여, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 보유 지지 롤러(111)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심(O)을 지나는 원호 형상의 궤도를 그리며 일체로 이동한다. 펜형 세정구(108)와 지지축(118)의 선회축선(P)과의 거리는, 이류체 노즐(109)과 지지축(118)의 선회축선(P)과의 거리와 다름없다. 따라서, 아암(115)의 선회 운동에 수반하여, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은 같은 궤도를 그리며 이동한다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 이면 세정 중은, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 웨이퍼(W)의 중심(O)과 웨이퍼(W)의 에지부(이면의 가장 외측의 주연부)와의 사이를 왕복 이동한다. 또한, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)로서는, 보유 지지 롤러 방식에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 이면이 상향이 된 웨이퍼(W) 표면의 중앙부 부근을 수평하게 흡착 보유 지지할 수 있도록 하여, 웨이퍼(W)가 회전할 수 있도록 구성해도 된다.With the pivoting motion of the arm 115, the pen-shaped cleaning tool 108 and the air-fluid nozzle 109 have an arc shape passing through the center O of the wafer W held by the holding roller 111. It moves in a single orbit. The distance between the pen-type cleaning tool 108 and the pivot axis P of the support shaft 118 is the same as the distance between the air-fluid nozzle 109 and the pivot axis P of the support shaft 118. Accordingly, with the pivoting motion of the arm 115, the pen-type cleaning tool 108 and the airflow nozzle 109 move in the same trajectory. More specifically, during the back surface cleaning of the wafer W, the pen-type cleaning tool 108 and the air-fluid nozzle 109 include the center O of the wafer W and the edge portion of the wafer W (on the back side). And the outermost periphery). In addition, the wafer holding portion (substrate holding portion) 105 is not limited to the holding roller method, and for example, it is possible to horizontally adsorb and hold the vicinity of the central portion of the wafer W surface whose back side is upward. Thus, the wafer W may be configured to rotate.

본 실시 형태에 관한 이면 세정 유닛(80)은, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)의 보유 지지 롤러(111)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 펜형 세정구(108)에 의한 스크럽 세정 및 이류체 노즐(109)에 의한 이류체 세정을 동일한 세정실(99) 내에서 연속해서 실행할 수 있다. 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 어느 쪽도, 웨이퍼(W)의 이면이 상향인 상태에서 행하여진다. 물리적인 스크럽 세정 및 이류체 세정을, 시간적으로 연속된 형태에서의 처리로서 행함으로써, 각각의 세정 프로세스의 특성을 살린 웨이퍼(W)의 세정을 행할 수 있다.The back surface cleaning unit 80 according to the present embodiment scrubs with the pen-type cleaning tool 108 while rotating the wafer W by the holding roller 111 of the wafer holding portion (substrate holding portion) 105 The washing and washing of the double-fluid by the double-fluid nozzle 109 can be continuously performed in the same cleaning chamber 99. Either the scrub cleaning or the air-fluid cleaning is performed in a state where the back surface of the wafer W is upward. By performing physical scrub cleaning and air-fluid cleaning as treatments in a continuous form over time, it is possible to clean the wafer W utilizing the characteristics of each cleaning process.

스크럽 세정은, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)의 보유 지지 롤러(111)에 의해 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 회전시키면서, 약액 공급 노즐(107)로부터 약액을 웨이퍼(W)의 이면에 공급하고, 또한 약액의 존재 하에서 펜형 세정구(108)(즉 스크럽 세정구)를 웨이퍼(W)의 이면에 미끄럼 접촉시킴으로써 행하여진다. 스크럽 세정 중, 펜형 세정구(108)는 액추에이터(116)에 의해 회전되면서, 웨이퍼(W)의 이면에 압박된다. 또한, 스크럽 세정 중, 펜형 세정구(108)는 웨이퍼(W)의 이면에 압박된 채, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심(O)과 웨이퍼(W)의 에지부(이면의 가장 외측의 주연부)와의 사이를 소정 횟수만큼 왕복 이동한다. 스크럽 세정 중은, 이류체 노즐(109)은 이류체 분류를 웨이퍼(W)의 이면에 공급하지 않는다. 스크럽 세정이 종료된 후, 펜형 세정구(108)로부터의 약액의 적하를 방지하기 위해, 펜형 세정구(108)를 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격시킨다. 또한, 약액의 적하를 방지하기 위해, 후퇴시킨 펜형 세정구(108) 밑에 위치할 수 있게 한 커버 부재(도시하지 않음)를 아암(115) 등에 설치할 수도 있다.Scrub cleaning rotates the wafer W around its axis by the holding roller 111 of the wafer holding portion (substrate holding portion) 105, while transferring the chemical liquid from the chemical liquid supply nozzle 107 to the wafer W It is carried out by supplying to the back surface of the wafer, and sliding the pen-type cleaning tool 108 (i.e., scrub cleaning tool) into the back surface of the wafer W in the presence of a chemical liquid. During scrub cleaning, the pen-type cleaning tool 108 is rotated by the actuator 116 while being pressed against the back surface of the wafer W. In addition, during scrub cleaning, the pen-type cleaning tool 108 is pressed against the rear surface of the wafer W, and the center portion O of the rotating wafer W and the edge portion of the wafer W (the outermost periphery of the back side) ) And reciprocates a predetermined number of times. During scrub cleaning, the air flow nozzle 109 does not supply air flow to the back surface of the wafer W. After the scrub cleaning is finished, the pen-shaped cleaning tool 108 is spaced from the back surface of the wafer W to prevent dripping of the chemical solution from the pen-type cleaning tool 108. Further, in order to prevent dripping of the chemical solution, a cover member (not shown) that can be positioned under the retracted pen-type cleaning tool 108 may be provided on the arm 115 or the like.

이류체 세정은, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)의 보유 지지 롤러(111)에 의해 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 회전시키면서, 이류체 노즐(109)로부터 이류체 분류를 웨이퍼(W)의 이면에 공급함으로써 행하여진다. 이류체 분류는, 액체(예를 들어, 탄산수)와 기체(예를 들어, 질소 가스)와의 혼합물이다. 이류체 세정 중은, 이류체 노즐(109)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심(O)과 웨이퍼(W)의 에지부와의 사이를 소정 횟수만큼 왕복 이동한다. 이류체 세정 중은, 펜형 세정구(108)는 웨이퍼(W)의 이면에 접촉하지 않고, 또한 약액은 웨이퍼(W)의 이면에 공급되지 않는다.The air-fluid cleaning is carried out by rotating the wafer W around its axis by the holding roller 111 of the wafer holding portion (substrate holding portion) 105, while dividing the air from the air-fluid nozzle 109. It is performed by supplying to the back surface of (W). The two-class classification is a mixture of a liquid (eg, carbonated water) and a gas (eg, nitrogen gas). During the air-fluid cleaning, the air-fluid nozzle 109 reciprocates a predetermined number of times between the center O of the rotating wafer W and the edge portion of the wafer W. During the air-fluid cleaning, the pen-type cleaning tool 108 does not contact the back surface of the wafer W, and the chemical liquid is not supplied to the back surface of the wafer W.

또한, 웨이퍼(W)에 분사한 이류체 분류(噴流)가 비산해 버려 웨이퍼(W)의 표면으로 돌아 들어가 버리는 것을 방지하기 위해, 보유 지지 롤러(111)의 외측에 회전 컵(도시하지 않음)을 설치해도 된다. 이 회전 컵은, 회전하는 웨이퍼(W)와 동일한 회전 속도 및 동일한 방향으로 회전하도록 구성할 수 있다. 이렇게 하면, 웨이퍼(W)와 회전 컵 사이에서 상대 속도가 없어지므로, 회전 컵에 충돌한 액적에 가속도를 부여해 버리는 것을 방지할 수 있어, 결과적으로 액적의 비산을 방지할 수 있다.In addition, a rotating cup (not shown) is provided on the outside of the holding roller 111 in order to prevent the air flow jetted on the wafer W from scattering and returning to the surface of the wafer W. You may install This rotating cup can be configured to rotate in the same direction and the same rotational speed as the rotating wafer W. By doing this, since the relative speed between the wafer W and the rotating cup is eliminated, it is possible to prevent acceleration from being given to the droplets that collided with the rotating cup, and consequently, the scattering of the droplets can be prevented.

일 실시 형태에서는, 이면 세정 유닛(80)은 펜형 세정구(108)로 웨이퍼(W)의 이면을 스크럽 세정하는 제1 이면 세정 공정을 행하고, 그 후 이류체 분류로 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 제2 이면 세정 공정을 행한다. 이류체 분류로 웨이퍼(W)를 세정한 후에, 린스액 공급 노즐(106)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 린스액(통상은 순수)을 공급해도 된다. 일 실시 형태에서는, 이면 세정 유닛(80)은 이류체 분류로 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 제1 이면 세정 공정을 행하고, 그 후 펜형 세정구(108)로 웨이퍼(W)의 이면을 스크럽 세정하는 제2 이면 세정 공정을 행해도 된다. 이 경우에는, 스크럽 세정한 후에, 린스액 공급 노즐(106)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 린스액이 공급되어, 약액이 웨이퍼(W)의 이면으로부터 씻겨진다.In one embodiment, the back surface cleaning unit 80 performs a first back surface cleaning process that scrubs the back surface of the wafer W with a pen-type cleaning port 108, and then the back surface of the wafer W by air separation. A second back washing step for washing is performed. After washing the wafer W by air separation, the rinse liquid (normally pure water) may be supplied from the rinse liquid supply nozzle 106 to the back surface of the wafer W. In one embodiment, the back surface cleaning unit 80 performs a first back surface cleaning process for cleaning the back surface of the wafer W by air separation, and then scrubs the back surface of the wafer W with a pen-type cleaning tool 108 You may perform a 2nd back washing process to wash. In this case, after scrubbing, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply nozzle 106 to the back side of the wafer W, and the chemical liquid is washed from the back side of the wafer W.

또한, 일 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)를 린스한 후, 웨이퍼(W)를 소정 시간 회전시켜서, 웨이퍼(W) 상의 액적을 원심력에 의해 비산시켜서 스핀 건조하도록 해도 된다. 또한, 일 실시 형태에서는, 세정한 웨이퍼(W)의 이면을 우선은 린스한 후에, 웨이퍼(W)의 표면으로 돌아 들어간 액체를 씻어 버리기 위해, 예를 들어 린스액 공급 노즐(106)을 요동시키면서 웨이퍼(W)의 이면 중심으로부터 외주부에 걸쳐 린스액이 공급되도록 하고, 계속해서 웨이퍼(W)의 표면 중 적어도 베벨부 또는 에지부에 린스액이 공급되도록 하고, 그 후 웨이퍼(W)를 소정 시간 회전시켜서, 웨이퍼(W) 상의 액적을 원심력에 의해 비산시켜서 스핀 건조하도록 해도 된다.In addition, in one embodiment, after rinsing the wafer W, the wafer W may be rotated for a predetermined time, and the droplets on the wafer W may be scattered by centrifugal force to spin dry. In addition, in one embodiment, after rinsing the back surface of the cleaned wafer W first, to wash away the liquid that has returned to the surface of the wafer W, for example, while rinsing the rinse liquid supply nozzle 106 The rinse liquid is supplied from the center of the rear surface of the wafer W to the outer periphery, and then the rinse liquid is supplied to at least the bevel portion or the edge portion of the surface of the wafer W, after which the wafer W is held for a predetermined time. By rotating, the droplets on the wafer W may be scattered by centrifugal force to spin dry.

상술한 실시 형태에 따르면, 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 어느 한쪽인 제1 이면 세정 공정이 행하여지고, 이어서 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 다른 쪽인 제2 이면 세정 공정이 연속해서 행하여진다. 웨이퍼(W)의 이면은, 스크럽 세정과 이류체 세정의 조합에 의해 세정되므로, 높은 제거율로 연마 부스러기 등의 파티클을 웨이퍼(W)의 이면으로부터 제거할 수 있다. 또한, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면을 스크럽 세정하는 데 있어서 약액을 사용해서 세정할 경우에는, 웨이퍼(W)의 이면 상태에 따른 약제에서의 세정 처리를 행할 수 있다. 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정은, 동일한 세정실(99) 내에서 웨이퍼(W)가 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)에 보유 지지된 채 연속해서 행하여지므로, 짧은 세정 시간에 고제거율의 이면 세정을 행할 수 있다.According to the above-mentioned embodiment, the 1st back surface cleaning process which is either scrub cleaning and air washing is performed, and the second 2nd back surface cleaning process which is the other of scrub cleaning and air washing is performed continuously. Since the back surface of the wafer W is cleaned by a combination of scrub cleaning and air washing, particles such as abrasive debris can be removed from the back surface of the wafer W with a high removal rate. Further, for example, when scrubbing the back surface of the wafer W using a chemical solution, cleaning treatment with a chemical agent according to the back surface state of the wafer W can be performed. The first back cleaning step and the second back cleaning step are continuously performed while the wafer W is held by the wafer holding portion (substrate holding portion) 105 in the same cleaning chamber 99, so that a short cleaning time is achieved. On the other hand, it is possible to wash the back surface with a high removal rate.

제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정의 동작은, 도 1에 도시하는 동작 제어부(12)에 의해 제어된다. 이면 세정 유닛(80)은, 웨이퍼(W)의 이면 상태를 감시하는 표면 감시 장치를 더 구비해도 된다. 표면 감시 장치는, 예를 들어 적외선을 웨이퍼면에 조사하고, 웨이퍼면 상의 파티클의 수를 계측하는 장치, 또는 웨이퍼면의 화상을 생성하고, 해당 화상에 기초하여 웨이퍼면의 상태를 판단하는 장치 등의 공지된 장치이다. 표면 감시 장치는, 웨이퍼(W)의 이면 상태를 나타내는 데이터를 동작 제어부(12)로 보내고, 동작 제어부(12)는 해당 데이터에 기초하여, 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정의 동작을 제어해도 된다. 예를 들어, 동작 제어부(12)는, 표면 감시 장치로부터 보내진 데이터에 기초하여, 제1 이면 세정 공정으로부터 제2 이면 세정 공정으로 전환하는 타이밍을 결정해도 되고, 또는 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정의 각각의 시간을 결정해도 된다.The operation of the first back cleaning process and the second back cleaning process is controlled by the operation control unit 12 shown in FIG. 1. The back surface cleaning unit 80 may further include a surface monitoring device that monitors the back surface state of the wafer W. The surface monitoring apparatus, for example, irradiates infrared rays onto the wafer surface, measures the number of particles on the wafer surface, or generates an image of the wafer surface and determines the state of the wafer surface based on the image. It is a known device. The surface monitoring device sends data indicating the back surface state of the wafer W to the operation control unit 12, and the operation control unit 12 performs operations of the first back surface cleaning process and the second back surface cleaning process based on the data. You may control. For example, the operation control unit 12 may determine the timing to switch from the first back cleaning process to the second back cleaning process based on the data sent from the surface monitoring device, or the first back cleaning process and the second You may decide each time of a back washing process.

이면 세정 유닛(80)에 의해 이면이 세정된 웨이퍼(W)는, 반송 로봇(85)에 의해 이면 세정 유닛(80)으로부터 꺼내어져, 제1 웨이퍼 스테이션(91)으로 반송된다.The wafer W whose backside has been cleaned by the backside cleaning unit 80 is taken out of the backside cleaning unit 80 by the transfer robot 85 and is conveyed to the first wafer station 91.

도 1로 돌아와, 이면이 세정된 웨이퍼는 반송 로봇(61)에 의해 이면 세정부(10)의 제1 웨이퍼 스테이션(91)으로부터 꺼내어져, 이면이 하부를 향하도록 반전되고, 그리고 상측의 임시 받침대(60A)로 보내진다. 웨이퍼는, 이어서 표면 세정부(15)에서 세정된다. 표면 세정부(15)는, 웨이퍼의 표면(표측의 면)을 세정하는 1차 세정 유닛(131), 2차 세정 유닛(132) 및 3차 세정 유닛(133)을 구비하고 있고, 또한 세정된 웨이퍼를 건조시키는 건조 유닛(135)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 1차 세정 유닛(131) 및 2차 세정 유닛(132)은, 롤 스펀지를 웨이퍼의 상하면에 미끄럼 접촉시킴으로써 웨이퍼를 세정하는 롤형 세정기이며, 3차 세정 유닛(133)은 이류체 분류를 웨이퍼의 상면에 공급하는 이류체형 세정기가 사용되고 있다. 이류체형 세정기 대신에, 펜 스펀지를 채용한 펜 스펀지형 세정기를 사용해도 된다.Returning to FIG. 1, the wafer whose back side has been cleaned is taken out from the first wafer station 91 of the back side cleaning part 10 by the transfer robot 61, the back side is inverted to face the lower side, and the upper temporary stand (60A). The wafer is then cleaned in the surface cleaning section 15. The surface cleaning section 15 is provided with a primary cleaning unit 131, a secondary cleaning unit 132, and a tertiary cleaning unit 133 for cleaning the wafer surface (surface). A drying unit 135 for drying the wafer is provided. In the present embodiment, the primary cleaning unit 131 and the secondary cleaning unit 132 are roll-type cleaners for cleaning a wafer by slidingly contacting the roll sponge with the upper and lower surfaces of the wafer, and the tertiary cleaning unit 133 is a two-fluid body A two-fluid type washing machine for supplying the sorting to the upper surface of the wafer is used. A pen sponge-type washer that employs a pen sponge may be used instead of the air-fluid type washer.

1차 세정 유닛(131)과 2차 세정 유닛(132) 사이에는 반송 로봇(141)이 배치되어 있고, 2차 세정 유닛(132)과 3차 세정 유닛(133) 사이에는 반송 로봇(142)이 배치되어 있다. 반송 로봇(142)은, 상측의 임시 받침대(60A)에 인접해서 배치되어 있다. 3차 세정 유닛(133)과 건조 유닛(135) 사이에는 반송 로봇(143)이 배치되어 있다.The transfer robot 141 is disposed between the primary washing unit 131 and the secondary washing unit 132, and the transfer robot 142 is disposed between the secondary washing unit 132 and the third washing unit 133. Are deployed. The transfer robot 142 is disposed adjacent to the upper temporary support 60A. A transfer robot 143 is disposed between the third cleaning unit 133 and the drying unit 135.

이면이 세정된 웨이퍼는, 반송 로봇(142)에 의해 상측의 임시 받침대(60A)로부터 취출된다. 또한, 반송 로봇(142) 및 반송 로봇(141)에 의해, 2차 세정 유닛(132)을 경유해서 1차 세정 유닛(131)으로 반송된다. 웨이퍼의 표면은, 1차 세정 유닛(131), 2차 세정 유닛(132) 및 3차 세정 유닛(133)에 의해 차례로 세정된다. 3차 세정 유닛(133)에 의해 세정된 웨이퍼는, 반송 로봇(143)에 의해 건조 유닛(135)으로 반송되고, 여기에서 웨이퍼가 건조된다. 건조된 웨이퍼는, 반송 로봇(21)에 의해 건조 유닛(135)으로부터 로드 포트(5) 상의 웨이퍼 카세트로 반송된다.The wafer whose back side has been cleaned is taken out from the upper temporary support 60A by the transfer robot 142. Moreover, it is conveyed by the conveyance robot 142 and the conveyance robot 141 to the 1st washing|cleaning unit 131 via the 2nd washing|cleaning unit 132. The surface of the wafer is sequentially cleaned by the primary cleaning unit 131, the secondary cleaning unit 132, and the tertiary cleaning unit 133. The wafer cleaned by the tertiary cleaning unit 133 is transferred to the drying unit 135 by the transfer robot 143, where the wafer is dried. The dried wafer is transferred from the drying unit 135 to the wafer cassette on the load port 5 by the transfer robot 21.

이어서, 도 11의 흐름도를 참조하여, 웨이퍼의 처리 전체의 일 실시 형태를 설명한다. 스텝 1에서는, 웨이퍼 이면의 외주측 영역이 제1 이면 연마 유닛(8)에 의해 연마된다. 스텝 2에서는, 웨이퍼의 이면이 상향이 되도록 반송 로봇(61)에 의해 웨이퍼가 반전된다. 스텝 3에서는, 웨이퍼 이면의 중심측 영역이 제2 이면 연마 유닛(9)에 의해 연마된다. 또한, 웨이퍼 이면의 중심측 영역의 연마를 스텝 1로서 행하고, 웨이퍼 이면의 외주측 영역의 연마를 스텝 3으로서 행해도 된다.Next, with reference to the flowchart in FIG. 11, one embodiment of the entire wafer processing will be described. In step 1, the outer peripheral area of the wafer back surface is polished by the first back surface polishing unit 8. In step 2, the wafer is inverted by the transfer robot 61 so that the back side of the wafer is upward. In step 3, the center-side region of the wafer back surface is polished by the second back surface polishing unit 9. In addition, the center region of the wafer back surface may be polished as Step 1, and the outer peripheral region of the wafer back surface may be polished as Step 3.

스텝 4에서는, 이면이 연마된 웨이퍼는, 이면 세정부(10)의 제2 웨이퍼 스테이션(82)(도 7 참조)으로 반송된다. 스텝 5에서는, 웨이퍼의 이면에 대하여 스크럽 세정과 이류체 세정이 이면 세정 유닛(80)에 의해 행하여진다. 스크럽 세정과 이류체 세정의 순서는, 세정 레시피에 의해 미리 정해진다. 스텝 6에서는, 이면이 세정된 웨이퍼는, 이면 세정부(10)의 제1 웨이퍼 스테이션(81)(도 7 참조)으로 반송된다. 스텝 7에서는, 웨이퍼는 반송 로봇(61)에 의해 제1 웨이퍼 스테이션(81)으로부터 취출되고, 또한 이면이 하향이 되도록 웨이퍼가 반송 로봇(61)에 의해 반전된다. 스텝 8에서는, 표면 세정부(15)에 의해 웨이퍼의 표면이 세정되고, 건조된다. 이와 같이 하여, 기판 처리 장치는, 웨이퍼의 이면 연마, 이면 세정, 표면 세정 및 웨이퍼 건조의 일련의 처리를 연속해서 실행한다. 이들의 동작은, 동작 제어부(12)에 의해 제어되고 있다.In step 4, the wafer on which the back surface has been polished is conveyed to the second wafer station 82 (see FIG. 7) of the back surface cleaning section 10. In step 5, scrub cleaning and air washing are performed on the back surface of the wafer by the back cleaning unit 80. The order of scrub washing and air washing is determined in advance by a washing recipe. In step 6, the wafer whose back surface has been cleaned is conveyed to the first wafer station 81 (see FIG. 7) of the back surface cleaning unit 10. In step 7, the wafer is taken out from the first wafer station 81 by the transfer robot 61, and the wafer is reversed by the transfer robot 61 so that the back side faces downward. In step 8, the surface of the wafer is cleaned by the surface cleaning unit 15 and dried. In this way, the substrate processing apparatus continuously performs a series of processes of wafer backside polishing, backside cleaning, surface cleaning and wafer drying. These operations are controlled by the operation control section 12.

상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 사람이 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 해서 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태에 한정되지 않고, 특허 청구의 범위에 의해 정의되는 기술적 사상을 따른 가장 넓은 범위로 해석되는 것이다.The above-described embodiment is described for the purpose that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can implement the present invention. Various modifications of the above-described embodiments can be achieved by those skilled in the art, and the technical spirit of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the present invention is not limited to the described embodiments, but is to be interpreted as the widest scope according to the technical spirit defined by the claims.

5 : 로드 포트
7 : 이면 연마부
8 : 제1 이면 연마 유닛
9 : 제2 이면 연마 유닛
10 : 이면 세정부
12 : 동작 제어부
15 : 표면 세정부
21 : 반송 로봇
22 : 임시 받침대
24 : 반송 로봇
32 : 제1 기판 보유 지지부
34 : 제1 연마 헤드
37 : 기판 스테이지
39 : 스테이지 모터
40 : 진공 라인
42 : 연마 테이프
43 : 롤러
44 : 가압 부재
45 : 에어 실린더
51 : 조출 릴
52 : 권취 릴
55 : 연마 헤드 이동 기구
57, 58 : 액체 공급 노즐
60A, 60B : 임시 받침대
62 : 제2 기판 보유 지지부
64 : 연마구
66 : 제2 연마 헤드
68 : 척
69 : 클램프
71 : 중공 모터
72 : 기판 지지부
75 : 헤드 아암
76 : 요동축
77 : 구동기
79 : 액체 공급 노즐
80 : 이면 세정 유닛
81 : 제1 웨이퍼 스테이션(제1 기판 스테이션)
82 : 제2 웨이퍼 스테이션(제2 기판 스테이션)
85 : 반송 로봇
87 : 용기
91 : 제1 셔터
92 : 제2 셔터
94 : 지지 기둥
97 : 순수 공급관
99 : 세정실
100 : 하우징
105 : 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)
107 : 약액 공급 노즐
106 : 린스액 공급 노즐
108 : 펜형 세정구(스크럽 세정구)
109 : 이류체 노즐
111 : 보유 지지 롤러
112 : 롤러 모터
113 : 토크 전달 기구
115 : 아암
116 : 액추에이터
118 : 지지축
120 : 선회 모터
121 : 노즐 홀더
122 : 이류체 공급 라인
131 : 1차 세정 유닛
132 : 2차 세정 유닛
133 : 3차 세정 유닛
135 : 건조 유닛
141, 142, 143 : 반송 로봇5: Loading port
7: Back side polishing part
8: First back polishing unit
9: second back polishing unit
10: back cleaning part
12: motion control
15: surface cleaning unit
21: transfer robot
22: temporary stand
24: transfer robot
32: first substrate holding portion
34: first polishing head
37: substrate stage
39: stage motor
40: vacuum line
42: polishing tape
43: roller
44: pressing member
45: air cylinder
51: draw reel
52: reel
55: polishing head moving mechanism
57, 58: liquid supply nozzle
60A, 60B: temporary stand
62: second substrate holding portion
64: polishing tool
66: second polishing head
68: Chuck
69: clamp
71: hollow motor
72: substrate support
75: head arm
76: swing shaft
77: actuator
79: liquid supply nozzle
80: back cleaning unit
81: first wafer station (first substrate station)
82: second wafer station (second substrate station)
85: transfer robot
87: courage
91: first shutter
92: second shutter
94: support pillar
97: pure water supply pipe
99: cleaning room
100: housing
105: wafer holding portion (substrate holding portion)
107: chemical supply nozzle
106: rinse liquid supply nozzle
108: pen-type cleaning device (scrub cleaning device)
109: air nozzle
111: holding roller
112: roller motor
113: torque transmission mechanism
115: arm
116: actuator
118: support shaft
120: turning motor
121: nozzle holder
122: air supply line
131: primary cleaning unit
132: secondary cleaning unit
133: 3rd cleaning unit
135: drying unit
141, 142, 143: transfer robot

Claims (25)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판의 이면을 연마하는 이면 연마부와,
상기 이면 연마부에 의해 연마된 기판의 이면을 세정하기 위한 이면 세정 장치를 구비하고,
상기 이면 세정 장치는,
기판의 이면을 세정하기 위한 복수의 이면 세정 유닛과,
이면이 세정된 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제1 기판 스테이션과,
이면이 세정되어 있지 않은 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제2 기판 스테이션과,
이면이 세정되어 있지 않은 기판을 상기 제2 기판 스테이션으로부터 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로 반송하고, 이면이 세정된 기판을 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로부터 상기 제1 기판 스테이션으로 반송하기 위한 제1 반송 로봇을 구비하고,
상기 이면 세정 유닛은,
기판의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부와,
회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구와,
상기 기판 보유 지지부의 상방에 배치된 이류체 노즐과,
상기 기판 보유 지지부, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 배치되는 세정실을 형성하는 하우징을 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.A back surface polishing portion for polishing the back surface of the substrate,
It is equipped with a back surface cleaning device for cleaning the back surface of the substrate polished by the back surface polishing unit,
The back cleaning device,
A plurality of back surface cleaning units for cleaning the back surface of the substrate;
A first substrate station for temporarily receiving a substrate on which the back surface has been cleaned,
A second substrate station for temporarily receiving a substrate on which the back surface is not cleaned,
Conveying a substrate whose back surface has not been cleaned from the second substrate station to any one of the plurality of back cleaning units, and conveying a substrate with the back cleaning from any one of the plurality of back cleaning units to the first substrate station And a first transfer robot for
The back cleaning unit,
A substrate holding portion that rotates while holding the substrate while the rear surface of the substrate is raised upward;
A scrub scrubber configured to be rotatable,
A air-fluid nozzle disposed above the substrate holding portion,
And a housing forming a cleaning chamber in which the substrate holding portion, the scrub cleaning mouth, and the air nozzle are disposed. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제8항에 있어서, 상기 이면 세정 장치에 의해 이면이 세정된 기판의 표면을 세정하기 위한 표면 세정부를 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising a surface cleaning unit for cleaning the surface of the substrate whose back surface has been cleaned by the back surface cleaning apparatus. 제15항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 제2 반송 로봇을 더 구비하고 있으며,
상기 제2 반송 로봇은, 상기 이면 연마부에 의해 연마된 상기 기판을 상기 이면 세정 장치로 반송하고, 상기 이면 세정 장치에 의해 세정된 상기 기판을 반전시켜, 상기 기판을 상기 표면 세정부로 반송하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 15, further comprising a second transfer robot,
The second transport robot transports the substrate polished by the back surface polishing unit to the back surface cleaning device, inverts the substrate cleaned by the back surface cleaning device, and conveys the substrate to the surface cleaning unit. It is configured, characterized in that the substrate processing apparatus. 제15항에 있어서, 상기 이면 연마부는, 기판의 이면을 연마하는 제1 이면 연마 유닛 및 제2 이면 연마 유닛을 갖고, 상기 기판 처리 장치를 위에서 볼 때, 상기 제1 이면 연마 유닛 및 상기 제2 이면 연마 유닛의 배열 방향은, 상기 복수의 이면 세정 유닛의 배열 방향과 수직인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.16. The rear surface polishing unit according to claim 15, wherein the rear surface polishing unit has a first back surface polishing unit and a second back surface polishing unit for polishing the back surface of the substrate, and when the substrate processing apparatus is viewed from above, the first back surface polishing unit and the second surface The arrangement direction of the back surface polishing unit is perpendicular to the arrangement direction of the plurality of back surface cleaning units. 제15항에 있어서, 상기 표면 세정부는, 기판의 표면을 세정하기 위한 복수의 표면 세정 유닛을 갖고 있으며,
상기 기판 처리 장치를 위에서 볼 때, 상기 복수의 표면 세정 유닛의 배열 방향은, 상기 복수의 이면 세정 유닛의 배열 방향과 수직인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.16. The method of claim 15, The surface cleaning unit has a plurality of surface cleaning units for cleaning the surface of the substrate,
When viewed from above, the substrate processing apparatus is characterized in that the arrangement direction of the plurality of surface cleaning units is perpendicular to the arrangement direction of the plurality of back surface cleaning units. 제18항에 있어서, 상기 복수의 표면 세정 유닛은, 기판의 표면을 세정하는 1차 세정 유닛과, 상기 1차 세정 유닛에 의해 세정된 상기 기판의 표면을 세정하는 2차 세정 유닛과, 상기 2차 세정 유닛에 의해 세정된 상기 기판의 표면을 세정하는 3차 세정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.19. The method of claim 18, wherein the plurality of surface cleaning units include a primary cleaning unit for cleaning the surface of the substrate, a secondary cleaning unit for cleaning the surface of the substrate cleaned by the primary cleaning unit, and the second. And a tertiary cleaning unit that cleans the surface of the substrate cleaned by the secondary cleaning unit. 제19항에 있어서, 상기 1차 세정 유닛 및 상기 2차 세정 유닛 각각은, 기판에 미끄럼 접촉하는 롤 스펀지를 갖는 롤형 세정기이며, 상기 3차 세정 유닛은, 이류체 제트 노즐을 갖는 이류체형 세정기 또는 기판에 미끄럼 접촉하는 펜 스펀지를 갖는 펜 스펀지형 세정기인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.20. The method of claim 19, wherein each of the primary cleaning unit and the secondary cleaning unit is a roll-type cleaning machine having a roll sponge slidingly contacting a substrate, and the tertiary cleaning unit is a double-type washing machine having a double-fluid jet nozzle or It is a pen-sponge-type washing machine which has a pen sponge which makes sliding contact with a board|substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제8항에 있어서, 이면이 세정되어 있지 않은 기판을 상기 제2 기판 스테이션으로부터 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로 반송하고, 이면이 세정된 기판을 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로부터 상기 제1 기판 스테이션으로 반송하는 것을 상기 제1 반송 로봇에 지시하도록 구성된 동작 제어부를 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.10. The method of claim 8, wherein the substrate is not the back surface is cleaned from the second substrate station to any one of the plurality of back surface cleaning unit, the back surface of the substrate is cleaned from any one of the plurality of back surface cleaning unit And a motion control unit configured to instruct the first conveying robot to convey to one substrate station. 제21항에 있어서, 상기 제1 기판 스테이션 및 상기 제2 기판 스테이션 각각은,
기판을 수용하기 위한 용기와,
상기 용기의 개구부를 덮는 셔터와,
상기 용기 내에 배치된 순수 분무 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method of claim 21, wherein each of the first substrate station and the second substrate station,
A container for accommodating the substrate,
A shutter covering the opening of the container,
And a pure spray nozzle disposed in the container. 제8항에 있어서, 상기 복수의 이면 세정 유닛 각각은,
상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 고정된 아암과,
상기 아암, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐을, 소정의 선회축선을 중심으로 소정의 각도로 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전시키는 선회 모터를 더 구비한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method of claim 8, wherein each of the plurality of back cleaning unit,
An arm to which the scrub cleaning mouth and the air nozzle are fixed;
And an orbiting motor that rotates the arm, the scrub cleaning tool, and the air nozzle in a clockwise and counterclockwise direction at a predetermined angle around a predetermined pivot axis. 제23항에 있어서, 상기 스크럽 세정구와 상기 소정의 선회 축선과의 거리는, 상기 이류체 노즐과 상기 소정의 선회축선과의 거리와 동등한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 23, wherein the distance between the scrub cleaning tool and the predetermined pivot axis is equal to the distance between the airflow nozzle and the predetermined pivot axis. 제8항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는, 기판의 주연부를 보유 지지하기 위한 회전 가능한 복수의 보유 지지 롤러를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the substrate holding portion includes a plurality of rotatable holding rollers for holding the peripheral portion of the substrate.
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