KR20180123805A - Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate - Google Patents

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Abstract

Provided is an apparatus capable of removing a particle such as an abrasive grain from the back surface at a high removal rate. An apparatus for cleaning the back surface of a substrate (W) comprises: a substrate holding support unit (105) for rotating the substrate (W) as well as holding and supporting the substrate (W) while the back surface of the substrate (W) faces upward; a scrub cleaning hole (108) being able to rotate; a two-fluid nozzle (109) arranged above the substrate holding support unit (105); and a housing (100) for forming a cleaning room (99) in which the substrate support unit (105), the scrubbing cleaning hole (108), and the two-fluid nozzle (109) are arranged.

Description

기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING A BACK SURFACE OF A SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING A BACK SURFACE OF A SUBSTRATE [0002]

본 발명은, 웨이퍼 등의 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for cleaning the back surface of a substrate such as a wafer.

최근 들어, 메모리 회로, 로직 회로, 이미지 센서(예를 들어 CMOS 센서) 등의 디바이스는, 보다 고집적화되어 있다. 이들의 디바이스를 형성하는 공정에 있어서는, 미립자나 진애 등의 이물이 디바이스에 부착되는 경우가 있다. 디바이스에 부착된 이물은, 배선 간의 단락이나 회로의 결함을 야기해 버린다. 따라서, 디바이스의 신뢰성을 향상시키기 위해, 디바이스가 형성된 웨이퍼를 세정해서, 웨이퍼 상의 이물을 제거하는 것이 필요해진다. 웨이퍼의 이면(비디바이스면)에도, 상술한 바와 같은 미립자나 분진 등의 이물이 부착되는 경우가 있다. 이러한 이물이 웨이퍼의 이면에 부착되면, 웨이퍼가 노광 장치의 스테이지 기준면으로부터 이격하거나, 웨이퍼 표면이 스테이지 기준면에 대하여 기울어져, 결과적으로 패터닝의 어긋남이나 초점 거리의 어긋남이 발생하게 된다.In recent years, devices such as memory circuits, logic circuits, image sensors (e.g., CMOS sensors) have become more highly integrated. In the step of forming these devices, foreign matter such as fine particles or dust may adhere to the device. Foreign matter attached to the device causes a short circuit between the wirings and a circuit failure. Therefore, in order to improve the reliability of the device, it is necessary to clean the wafer on which the device is formed to remove the foreign substance on the wafer. Foreign matter such as fine particles or dust may adhere to the back surface (non-device surface) of the wafer. When such a foreign object adheres to the back surface of the wafer, the wafer is separated from the stage reference surface of the exposure apparatus, or the wafer surface is inclined with respect to the stage reference surface, resulting in patterning shift or focal length shift.

이러한 문제를 방지하기 위해, 웨이퍼의 이면에 부착된 이물을 제거하는 것이 필요해지고 있다. 그러나 종래의, 웨이퍼를 회전시키면서 펜형의 브러시나 롤 스펀지로 웨이퍼를 스크럽 세정하는 등의 세정 기술에서는, 특별히 이물 상에 막이 퇴적된 상태의 이물을 제거하거나, 웨이퍼의 이면 전체로부터 이물을 제거하는 것이 곤란하였다. 따라서, 이러한 과제에 대응하기 위해, 최근 들어 웨이퍼 등의 기판 이면의 베벨부 및 외주 영역부뿐만 아니라, 이면 전체에 부착된 이물을 높은 제거율로 제거할 수 있는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).In order to prevent such a problem, it has become necessary to remove foreign objects adhering to the back surface of the wafer. However, in a conventional cleaning technique such as scrubbing a wafer with a pen-type brush or roll sponge while rotating the wafer, it is necessary to remove foreign matter in a state in which a film is deposited on the foreign object, or to remove foreign matter from the entire back surface of the wafer It was difficult. In order to cope with such a problem, in recent years, there has been proposed a technique capable of removing not only the bevel portion and the outer peripheral portion of the back surface of a substrate such as a wafer but also the foreign matters adhered to the back surface at a high removal rate (see Patent Document 1 ).

일본 특허 공개 제2014-150178호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-150178

이 새로운 기술에 의하면, 연마구를 웨이퍼의 이면에 미끄럼 접촉시킴으로써, 웨이퍼의 이면을 약간 깍아내므로, 이면으로부터 이물을 높은 제거율로 제거할 수 있다. 그러나 웨이퍼 이면을 연마한 후에 행하여지는 종래의 세정 기술에서는, 연마 부스러기가 웨이퍼 이면에 남아 버리는 경우가 있다. 이러한 연마 부스러기는, 웨이퍼가 건조된 후, 웨이퍼 카세트 내에서 웨이퍼로부터 떨어져, 웨이퍼 카세트 내의 다른 웨이퍼 상으로 낙하해 버린다.According to this new technique, since the back surface of the wafer is slightly scraped off by bringing the sliding mouth into sliding contact with the back surface of the wafer, foreign matter can be removed from the back surface with a high removal rate. However, in the conventional cleaning technique in which the back surface of the wafer is polished, the polishing debris may remain on the back surface of the wafer. Such abrasive debris falls off the wafer in the wafer cassette after the wafer is dried, and drops onto another wafer in the wafer cassette.

따라서, 본 발명은 웨이퍼 등의 기판의 이면으로부터 연마 부스러기 등의 파티클을 높은 제거율로 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 등의 기판의 이면을 연마하고, 또한 해당 이면을 세정하는 기판 처리 장치를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for removing particles such as abrasive grains from a back surface of a substrate such as a wafer at a high removal rate. The present invention also provides a substrate processing apparatus for polishing a back surface of a substrate such as a wafer and cleaning the back surface.

본 발명의 일 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 장치이며, 기판의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부와, 회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구와, 상기 기판 보유 지지부의 상방에 배치된 이류체 노즐과, 상기 기판 보유 지지부, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 배치되는 세정실을 형성하는 하우징을 구비한 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for cleaning a back surface of a substrate, comprising: a substrate holding portion for holding and rotating a substrate while the substrate is facing upward; a scrubbing cleaner configured to rotate; An air flow nozzle disposed above the support portion, and a housing defining the cleaning chamber on which the substrate holding portion, the scrub cleaner, and the air flow nozzle are disposed.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 고정된 아암과, 상기 아암, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐을, 소정의 선회축선을 중심으로 소정의 각도로 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전시키는 선회 모터를 더 구비한 것을 특징으로 한다.In a preferred form of the present invention, the scrubber cleaner and the arm to which the air nozzle is fixed, the arm, the scrub cleaner and the air nozzle are rotated clockwise and counterclockwise at a predetermined angle around a predetermined pivot axis, And a swing motor for rotating the motor in a counterclockwise direction.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 스크럽 세정구와 상기 소정의 선회축선과의 거리는, 상기 이류체 노즐과 상기 소정의 선회축선과의 거리와 동등한 것을 특징으로 한다.In a preferred form of the present invention, the distance between the scrub cleaner and the predetermined pivot axis is equal to the distance between the air nozzle and the predetermined pivot axis.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 기판 보유 지지부는, 기판의 주연부를 보유 지지하는 회전 가능한 복수의 보유 지지 롤러를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.In a preferred form of the present invention, the substrate holding portion has a plurality of rotatable holding rollers for holding a peripheral portion of the substrate.

본 발명의 바람직한 형태는, 이면이 세정된 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제1 기판 스테이션과, 이면이 세정되어 있지 않은 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제2 기판 스테이션을 더 구비한 것을 특징으로 한다.A preferred embodiment of the present invention is characterized by further comprising a first substrate station for temporarily accommodating the cleaned substrate on the back side and a second substrate station for temporarily accommodating the substrate on which the back side is not cleaned.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 기판 스테이션 및 상기 제2 기판 스테이션의 각각은, 내부에 밀폐 공간이 형성되는 용기와, 상기 용기 내에 배치된 순수(純水) 분무 노즐을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.According to a preferred aspect of the present invention, each of the first substrate station and the second substrate station has a container in which a sealed space is formed, and a pure water spray nozzle disposed in the container .

본 발명의 다른 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 복수의 이면 세정 유닛과, 이면이 세정된 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제1 기판 스테이션과, 이면이 세정되어 있지 않은 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제2 기판 스테이션과, 이면이 세정되어 있지 않은 기판을 상기 제2 기판 스테이션으로부터 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로 반송하고, 또한 이면이 세정된 기판을 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로부터 상기 제1 기판 스테이션으로 반송하기 위한 반송 장치를 구비하고, 상기 이면 세정 유닛은, 기판의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부와, 회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구와, 상기 기판 보유 지지부의 상방에 배치된 이류체 노즐과, 상기 기판 보유 지지부, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 배치되는 세정실을 형성하는 하우징을 구비하는 것을 특징으로 하는 이면 세정 장치이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a plurality of back side cleaning units for cleaning the back side of a substrate; a first substrate station for temporarily accommodating the cleaned substrate; And a substrate on which the back surface is not cleaned is transferred from the second substrate station to one of the plurality of back surface cleaning units, and the substrate having the back surface is transferred from any one of the plurality of back surface cleaning units And a transporting device for transporting the substrate back to the first substrate station, wherein the backside cleaning unit comprises: a substrate holding portion for holding and rotating the substrate while the backside of the substrate is facing upward; An air flow nozzle disposed above the substrate holding portion, And a housing which forms a cleaning chamber in which the cleaning nozzle and the air nozzle are disposed.

본 발명의 다른 형태는, 기판의 이면을 연마하는 이면 연마부와, 상기 이면 연마부에 의해 연마된 기판의 이면을 세정하기 위한 상기 이면 세정 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising a back surface polishing apparatus for polishing a back surface of a substrate, and a back surface cleaning apparatus for cleaning a back surface of the substrate polished by the back surface polishing apparatus.

본 발명의 또 다른 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 방법이며, 세정실 내에 기판을 수용하여 해당 기판을 보유 지지하고, 상기 세정실 내에서 보유 지지된 기판을 회전시키고, 스크럽 세정구를 회전시키면서, 상기 세정실 내의 기판 이면에 미끄럼 접촉시키고, 그 후, 상기 세정실 내의 기판 이면에 이류체 분류를 공급하는 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a back surface of a substrate, comprising: holding a substrate in a cleaning chamber to hold the substrate; rotating the substrate held in the cleaning chamber; , And then, the airflow is supplied to the back surface of the substrate in the cleaning chamber.

본 발명의 바람직한 형태는, 상기 스크럽 세정구를 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 스크럽 세정구를 회전시키면서 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키고, 또한 상기 회전하는 스크럽 세정구를 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 한다.According to a preferred embodiment of the present invention, the step of bringing the scrubbing cleaner into sliding contact with the back surface of the substrate includes sliding the scrubbing cleaner on the back surface of the substrate while rotating the scrubbing cleaner, And reciprocating between the portions.

본 발명의 바람직한 형태는, 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하는 공정은, 이류체 노즐로부터 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하면서, 상기 이류체 노즐을 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 한다.In a preferred form of the present invention, the step of supplying the adiabatic sieves to the back surface of the substrate is a step of supplying the adiabatic sieves to the back surface of the substrate from the adiabatic nozzle while moving the adiabatic nozzle between the center of the substrate and the edge portion .

본 발명의 또 다른 형태는, 기판의 이면을 세정하기 위한 방법이며, 세정실 내에 기판을 수용하여 해당 기판을 보유 지지하고, 상기 보유 지지된 기판을 회전시켜, 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하고, 그 후, 스크럽 세정구를 회전시키면서 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키는 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a back surface of a substrate, the method comprising: holding a substrate in a cleaning chamber and holding the substrate; rotating the held substrate to supply air to the back surface of the substrate; And thereafter, the scrubbing cleaning tool is slidably brought into contact with the back surface of the substrate while rotating.

본 발명에 따르면, 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 어느 한쪽인 제1 이면 세정 공정이 행하여지고, 이어서 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 다른 쪽인 제2 이면 세정 공정이 연속해서 행하여진다. 기판의 이면은, 스크럽 세정과 이류체 세정과의 조합에 의해 세정되므로, 높은 제거율로 연마 부스러기 등의 파티클을 기판의 이면으로부터 제거할 수 있다. 특히, 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정은, 동일한 세정실 내에서 기판이 기판 보유 지지부에 보유 지지된 채 연속해서 행하여지므로, 짧은 세정 시간에 고제거율의 이면 세정을 행할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 기판의 이면을 연마한 후의 기판 상의 연마 부스러기가 세정 후의 기판 이면 상에 남지 않는 이면 세정부를 구비한 기판 처리 장치로 할 수 있으므로, 기판 카세트 내의 다른 기판 상에 연마 부스러기가 낙하해 버리는 등의 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, the first back surface cleaning process, either the scrub cleaning or the air cleaning, is performed, and the second back surface cleaning process, the other of the scrub cleaning and the air cleaning, is performed continuously. Since the back surface of the substrate is cleaned by the combination of the scrub cleaning and the air cleaning, particles such as polishing debris can be removed from the back surface of the substrate at a high removal rate. Particularly, since the first backside cleaning step and the second backside cleaning step are continuously performed with the substrate held in the substrate holding portion in the same cleaning chamber, it is possible to perform the backside cleaning with a high removal rate in a short cleaning time. In addition, according to the present invention, since the substrate processing apparatus including the back side cleaning unit, in which the polishing debris on the substrate after polishing the back side of the substrate is not left on the back side of the substrate after cleaning, And the like can be prevented.

도 1은, 웨이퍼 등의 기판의 이면을 연마하고, 또한 해당 이면을 세정하기 위한 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2의 (a) 및 도 2의 (b)는, 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은, 웨이퍼 이면의 외주측 영역을 연마하기 위한 제1 이면 연마 유닛을 도시하는 모식도이다.
도 4는, 도 3에 도시하는 제1 연마 헤드가 이동하는 모습을 도시하는 도면이다.
도 5는, 웨이퍼 이면의 중심측 영역을 연마하기 위한 제2 이면 연마 유닛을 도시하는 모식도이다.
도 6은, 제2 이면 연마 유닛의 평면도이다.
도 7은, 이면 세정부의 전체를 도시하는 모식도이다.
도 8은, 제1 웨이퍼 스테이션의 수평 단면도이다.
도 9는, 이면 세정 유닛의 상세를 도시하는 사시도이다.
도 10은, 아암, 펜형 세정구 및 이류체 노즐의 상면도이다.
도 11은, 웨이퍼의 처리 전체의 일 실시 형태를 나타내는 흐름도이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus for polishing a back surface of a substrate such as a wafer and cleaning the back surface.
2 (a) and 2 (b) are cross-sectional views of the wafer.
3 is a schematic diagram showing a first back side polishing unit for polishing the outer peripheral side area of the back surface of the wafer.
Fig. 4 is a view showing a state in which the first polishing head shown in Fig. 3 moves. Fig.
Fig. 5 is a schematic diagram showing a second back side polishing unit for polishing the center side area of the back surface of the wafer.
6 is a plan view of the second back side polishing unit.
7 is a schematic diagram showing the entire back side washing section.
8 is a horizontal cross-sectional view of the first wafer station;
9 is a perspective view showing details of the backside cleaning unit.
10 is a top view of an arm, a pen-type cleaning nozzle, and an air flow nozzle.
11 is a flow chart showing an embodiment of the entire process of the wafer.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은, 웨이퍼 등의 기판의 이면을 연마하고, 또한 해당 이면을 세정하기 위한 기판 처리 장치의 개략도이다. 이하에 설명하는 실시 형태에서는, 기판의 일례로서 웨이퍼가 사용된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는 복수의 웨이퍼가 수용된 웨이퍼 카세트(또는 기판 카세트)가 적재되는 로드 포트(5)와, 웨이퍼의 이면을 연마하는 이면 연마부(7)와, 이면 연마부(7)에서 연마된 웨이퍼의 이면을 세정하는 이면 세정부(10)와, 웨이퍼의 표면을 세정하고, 건조시키는 표면 세정부(15)를 구비하고 있다. 기판 처리 장치는, 이면 연마부(7), 이면 세정부(10), 표면 세정부(15) 및 이하에 설명하는 각 반송 로봇의 동작을 제어하는 동작 제어부(12)를 더 구비하고 있다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus for polishing a back surface of a substrate such as a wafer and cleaning the back surface. In the embodiment described below, a wafer is used as an example of a substrate. 1, the substrate processing apparatus includes a load port 5 on which a wafer cassette (or a substrate cassette) containing a plurality of wafers is loaded, a back surface polishing section 7 for polishing the back surface of the wafer, A back side cleaning part 10 for cleaning the back side of the wafer polished in the part 7 and a surface cleaning part 15 for cleaning and drying the surface of the wafer. The substrate processing apparatus further includes a back surface polishing section 7, a back surface cleaning section 10, a surface cleaning section 15, and an operation control section 12 for controlling the operation of each of the transport robots described below.

로드 포트(5)와 이면 연마부(7) 사이에는, 반송 로봇(21)이 배치되어 있다. 반송 로봇(21)은, 복수의 웨이퍼 카세트 중 어느 하나에 수용되어 있는 웨이퍼를 취출하고, 이면 연마부(7)에 인접해서 배치된 임시 받침대(22)에 웨이퍼를 두도록 동작한다. 이면 연마부(7)와 임시 받침대(22)에 인접하여, 반송 로봇(24)이 배치되어 있다.A transfer robot 21 is disposed between the load port 5 and the back side polishing part 7. [ The carrying robot 21 takes out the wafer housed in any one of the plurality of wafer cassettes and operates to place the wafer on the temporary pedestal 22 disposed adjacent to the back side polishing part 7. [ A carrying robot 24 is disposed adjacent to the back surface polishing unit 7 and the temporary base 22.

이면 연마부(7)는, 2대의 제1 이면 연마 유닛(8)과, 2대의 제2 이면 연마 유닛(9)을 구비하고 있다. 2대의 제1 이면 연마 유닛(8)은, 반송 로봇(24)에 인접해서 배치되어 있다. 임시 받침대(22) 상의 웨이퍼는, 반송 로봇(24)에 의해 2대의 제1 이면 연마 유닛(8) 중 어느 한쪽으로 반송된다.The back side polishing unit 7 includes two first back side polishing units 8 and two second back side polishing units 9. The two first back side polishing units 8 are arranged adjacent to the carrying robot 24. [ The wafer on the temporary pedestal 22 is transported to either one of the two first back side polishing units 8 by the transport robot 24. [

웨이퍼의 이면 연마는, 제1 연마 공정과 제2 연마 공정으로 구성된다. 제1 연마 공정은, 웨이퍼 이면의 외주측 영역을 연마하는 공정이며, 제2 연마 공정은 웨이퍼 이면의 중심측 영역을 연마하는 공정이다. 중심측 영역은 웨이퍼의 중심을 포함하는 영역이며, 외주측 영역은 중심측 영역의 반경 방향 외측에 위치하는 영역이다. 중심측 영역과 외주측 영역은 서로 인접하고, 중심측 영역과 외주측 영역을 조합한 영역은, 웨이퍼의 이면 전체에 미친다.The backside polishing of the wafer is composed of a first polishing step and a second polishing step. The first polishing step is a step of polishing the outer peripheral side area of the back surface of the wafer, and the second polishing step is a step of polishing the central side area of the back surface of the wafer. The center side region is a region including the center of the wafer and the outer circumferential region is a region located radially outward of the center side region. The center side region and the outer peripheral side region are adjacent to each other and the region in which the center side region and the outer peripheral side region are combined extends over the entire back surface of the wafer.

도 2의 (a) 및 도 2의 (b)는, 웨이퍼의 단면도이다. 보다 상세하게는, 도 2의 (a)는, 소위 스트레이트형의 웨이퍼의 단면도이며, 도 2의 (b)는, 소위 라운드형의 웨이퍼의 단면도이다. 본 명세서에서는, 웨이퍼(기판)의 표면이라 함은, 디바이스 및 배선(회로)이 형성되는 면을 말하고, 웨이퍼(기판)의 이면이라 함은, 디바이스 및 배선(회로)이 형성되어 있는 면과는 반대측의 평탄한 면을 말한다. 웨이퍼의 최외주면은 베벨부라고 불린다. 웨이퍼의 이면은 베벨부의 반경 방향 내측에 있는 평탄한 면이다. 웨이퍼 이면의 외주측 영역은 베벨부에 인접한다. 일례로서, 외주측 영역의 폭은 수십밀리의 링 형상의 영역이며, 중심측 영역은 그 내측의 원형 영역이다.2 (a) and 2 (b) are cross-sectional views of the wafer. More specifically, FIG. 2 (a) is a cross-sectional view of a so-called straight wafer, and FIG. 2 (b) is a cross-sectional view of a so-called round wafer. In this specification, the surface of a wafer (substrate) refers to a surface on which a device and a wiring (circuit) are formed. A back surface of a wafer (substrate) refers to a surface on which a device and a wiring It refers to the flat side of the opposite side. The outermost circumferential surface of the wafer is called a bevel portion. The back surface of the wafer is a flat surface on the radially inner side of the bevel portion. The outer peripheral side region of the back surface of the wafer is adjacent to the bevel portion. As an example, the width of the outer circumferential region is a ring-shaped region of several tens of millimeters, and the central region is a circular region inside thereof.

도 3은, 웨이퍼 이면의 외주측 영역을 연마하기 위한 제1 이면 연마 유닛(8)을 도시하는 모식도이다. 이 제1 이면 연마 유닛(8)은, 웨이퍼(기판)(W)를 보유 지지해서 회전시키는 제1 기판 보유 지지부(32)와, 제1 기판 보유 지지부(32)에 보유 지지되고 있는 웨이퍼(W)의 이면에 연마구를 누르는 제1 연마 헤드(34)를 구비하고 있다. 제1 기판 보유 지지부(32)는, 웨이퍼(W)를 진공 흡착에 의해 보유 지지하는 기판 스테이지(37)와, 기판 스테이지(37)를 회전시키는 스테이지 모터(39)를 구비하고 있다.3 is a schematic view showing the first back side polishing unit 8 for polishing the outer peripheral side region of the back surface of the wafer. The first back side polishing unit 8 includes a first substrate holding portion 32 for holding and rotating the wafer W and a second holding portion 32 for holding the wafer W And a first polishing head 34 that presses the polishing tool on the back surface of the polishing head. The first substrate holding portion 32 includes a substrate stage 37 for holding the wafer W by vacuum suction and a stage motor 39 for rotating the substrate stage 37.

웨이퍼(W)는 그 이면이 하향인 상태에서 기판 스테이지(37) 상에 적재된다. 기판 스테이지(37)의 상면에는 홈(37a)이 형성되어 있고, 이 홈(37a)은 진공 라인(40)에 연통하고 있다. 진공 라인(40)은 도시하지 않은 진공원(예를 들어 진공 펌프)에 접속되어 있다. 진공 라인(40)을 통해서 기판 스테이지(37)의 홈(37a)에 진공이 형성되면, 웨이퍼(W)는 진공 흡인에 의해 기판 스테이지(37) 상에 보유 지지된다. 이 상태에서 스테이지 모터(39)는 기판 스테이지(37)를 회전시키고, 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 회전시킨다. 기판 스테이지(37)의 직경은 웨이퍼(W)의 직경보다도 작고, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역은 기판 스테이지(37)에 의해 보유 지지된다. 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역은, 기판 스테이지(37)로부터 외측으로 비어져 나와 있다.The wafer W is stacked on the substrate stage 37 with its back face downward. A groove 37a is formed on the upper surface of the substrate stage 37 and this groove 37a communicates with the vacuum line 40. [ The vacuum line 40 is connected to a vacuum source (not shown) (for example, a vacuum pump). When a vacuum is formed in the groove 37a of the substrate stage 37 through the vacuum line 40, the wafer W is held on the substrate stage 37 by vacuum suction. In this state, the stage motor 39 rotates the substrate stage 37 and rotates the wafer W about its axis. The diameter of the substrate stage 37 is smaller than the diameter of the wafer W and the center side region of the back surface of the wafer W is held by the substrate stage 37. The outer peripheral side region of the back surface of the wafer W is evacuated outward from the substrate stage 37. [

제1 연마 헤드(34)는, 기판 스테이지(37)에 인접해서 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제1 연마 헤드(34)는 노출되어 있는 외주측 영역에 대향해서 배치되어 있다. 제1 연마 헤드(34)는, 연마구로서의 연마 테이프(42)를 지지하는 복수의 롤러(43)와, 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박하는 가압 부재(44)와, 가압 부재(44)에 가압력을 부여하는 액추에이터로서의 에어 실린더(45)를 구비하고 있다. 에어 실린더(45)는 가압 부재(44)에 가압력을 부여하고, 이에 의해 가압 부재(44)는 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 또한, 연마구로서, 연마 테이프 대신에 지석을 사용해도 된다.The first polishing head 34 is disposed adjacent to the substrate stage 37. More specifically, the first polishing head 34 is disposed so as to face the outer peripheral side region where it is exposed. The first polishing head 34 includes a plurality of rollers 43 for supporting the polishing tape 42 as an abrasive grain, a pressing member 44 for pressing the polishing tape 42 against the back surface of the wafer W, And an air cylinder 45 as an actuator for applying a pressing force to the pressing member 44. [ The air cylinder 45 applies a pressing force to the pressing member 44 so that the pressing member 44 presses the polishing tape 42 against the back surface of the wafer W. [ As a polishing tool, a grinding stone may be used instead of the abrasive tape.

연마 테이프(42)의 일단부는 조출 릴(51)에 접속되고, 타단부는 조출 릴(52)에 접속되어 있다. 연마 테이프(42)는, 조출 릴(51)로부터 제1 연마 헤드(34)를 경유해서 조출 릴(52)에 소정의 속도로 보내진다. 사용되는 연마 테이프(42)의 예로서는, 표면에 지립이 고정된 테이프, 또는 경질의 부직포로 이루어지는 테이프 등을 들 수 있다. 제1 연마 헤드(34)는, 연마 헤드 이동 기구(55)에 연결되어 있다. 이 연마 헤드 이동 기구(55)는, 제1 연마 헤드(34)를 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 이동시키도록 구성되어 있다. 연마 헤드 이동 기구(55)는, 예를 들어 볼 나사와 서보 모터의 조합으로 구성된다.One end of the abrasive tape 42 is connected to the feeding reel 51 and the other end is connected to the feeding reel 52. The polishing tape 42 is fed from the feeding reel 51 via the first polishing head 34 to the feeding reel 52 at a predetermined speed. Examples of the abrasive tape 42 to be used include a tape having abrasive grains fixed on its surface or a tape made of a hard nonwoven fabric. The first polishing head 34 is connected to the polishing head moving mechanism 55. The polishing head moving mechanism 55 is configured to move the first polishing head 34 to the outside of the wafer W in the radial direction. The polishing head moving mechanism 55 is composed of, for example, a combination of a ball screw and a servo motor.

기판 스테이지(37)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방 및 하방에는, 웨이퍼(W)에 연마액을 공급하는 액체 공급 노즐(57, 58)이 배치되어 있다. 연마액으로서는, 순수가 바람직하게 사용된다. 이것은, 에칭 작용이 있는 화학 성분을 포함하는 약액을 사용하면, 이면에 형성되어 있는 오목부가 넓어져 버리는 경우가 있기 때문이다.Liquid supply nozzles 57 and 58 for supplying a polishing liquid to the wafer W are disposed above and below the wafer W held on the substrate stage 37. [ As the polishing liquid, pure water is preferably used. This is because, when a chemical solution containing a chemical component having an etching action is used, the concave portion formed on the back surface may be widened.

웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역은 다음과 같이 해서 연마된다. 기판 스테이지(37)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 해서 스테이지 모터(39)에 의해 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 액체 공급 노즐(57, 58)로부터 연마액을 공급한다. 이 상태에서, 제1 연마 헤드(34)는 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 연마 테이프(42)는, 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역에 미끄럼 접촉하고, 이에 의해 외주측 영역을 연마한다. 연마 헤드 이동 기구(55)는, 제1 연마 헤드(34)가 연마 테이프(42)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박하면서, 도 4의 화살표로 나타낸 바와 같이, 제1 연마 헤드(34)를 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 소정의 속도로 이동시킨다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역 전체가 연마 테이프(42)에 의해 연마된다. 연마 중, 연마액은 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측으로 흐르고, 연마 부스러기는 연마액에 의해 웨이퍼(W)로부터 제거된다.The outer peripheral side region of the back surface of the wafer W is polished as follows. The wafer W held by the substrate stage 37 is rotated by the stage motor 39 about its axis and the liquid is supplied from the liquid supply nozzles 57 and 58 to the front and back surfaces of the rotating wafer W The polishing liquid is supplied. In this state, the first polishing head 34 presses the polishing tape 42 against the back surface of the wafer W. The polishing tape 42 comes into sliding contact with the outer peripheral side region of the back surface of the wafer W, thereby polishing the outer peripheral side region. The polishing head moving mechanism 55 moves the first polishing head 34 in the direction of the arrow A as shown by the arrow in Fig. 4 while the first polishing head 34 presses the polishing tape 42 against the back surface of the wafer W And moves radially outward of the wafer W at a predetermined speed. In this way, the entire outer peripheral region of the back surface of the wafer W is polished by the polishing tape 42. During polishing, the polishing liquid flows from the inside to the outside of the wafer W, and the polishing debris is removed from the wafer W by the polishing liquid.

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 이면 연마 유닛(8)과 제2 이면 연마 유닛(9) 사이에는, 상하 2단의 임시 받침대(60A, 60B)가 배치되어 있다. 상측의 임시 받침대(60A)는, 세정된 웨이퍼를 일시적으로 두기 위해서 사용되고, 하측의 임시 받침대(60B)는, 세정되기 전의 웨이퍼를 일시적으로 두기 위해서 사용된다. 제1 이면 연마 유닛(8)에 의해 연마된 웨이퍼는, 반송 로봇(24)에 의해 하측의 임시 받침대(60B)로 반송된다.As shown in Fig. 1, between the first back side polishing unit 8 and the second back side polishing unit 9, temporary tops 60A and 60B of two upper and lower stages are arranged. The temporary temporary pedestal 60A on the upper side is used for temporarily placing the cleaned wafer, and the temporary temporary pedestal 60B on the lower side is used for temporarily placing the wafer before being cleaned. The wafer polished by the first back side polishing unit 8 is transported to the temporary temporary pedestal 60B by the transport robot 24.

임시 받침대(60A, 60B)와, 2대의 제2 이면 연마 유닛(9)에 인접하여, 반송 로봇(61)이 배치되어 있다. 이 반송 로봇(61)은, 웨이퍼를 반전시키는 기능을 갖고 있다. 반송 로봇(61)은, 하측의 임시 받침대(60B) 상의 웨이퍼를 취출하고, 웨이퍼를 반전시켜서 그 이면을 상향으로 하고, 그리고 웨이퍼를 2대의 제2 이면 연마 유닛(9) 중 어느 한쪽으로 반송한다.Adjacent to the temporary pedestals 60A and 60B and the two second back side polishing units 9, the carrying robot 61 is disposed. The carrying robot 61 has a function of reversing the wafer. The carrying robot 61 takes out the wafer on the lower temporary base 60B and reverses the wafer so that its back face is upward and the wafer is transferred to either of the two second back face polishing units 9 .

도 5는, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역을 연마하기 위한 제2 이면 연마 유닛(9)을 도시하는 모식도이며, 도 6은 제2 이면 연마 유닛(9)의 평면도이다. 제2 이면 연마 유닛(9)은, 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 회전시키는 제2 기판 보유 지지부(62)와, 웨이퍼(W)의 이면에 연마구(64)를 압박하는 제2 연마 헤드(66)를 구비하고 있다. 제2 기판 보유 지지부(62)는, 웨이퍼(W)의 베벨부를 보유 지지하는 복수의 척(68)과, 이들 척(68)을 웨이퍼(W)의 축선을 중심으로 회전시키는 중공 모터(71)를 구비하고 있다. 각 척(68)은 그 상단부에 클램프(69)를 구비하고 있고, 이 클램프(69)에 의해 웨이퍼(W)의 베벨부가 파지된다. 클램프(69)가 웨이퍼(W)의 베벨부를 파지한 상태에서 중공 모터(71)에 의해 척(68)을 회전시킴으로써, 도 6의 화살표 A로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)가 그 축선을 중심으로 회전한다.5 is a schematic view showing the second back side polishing unit 9 for polishing the center side area of the back side of the wafer W and Fig. 6 is a plan view of the second back side polishing unit 9. Fig. The second back surface polishing unit 9 includes a second substrate holding portion 62 for holding and rotating the wafer W and a second polishing head 64 for pressing the polishing hole 64 on the back surface of the wafer W 66). The second substrate holding portion 62 includes a plurality of chucks 68 for holding a bevel portion of the wafer W and a hollow motor 71 for rotating these chucks 68 about the axis of the wafer W. [ . Each of the chucks 68 is provided with a clamp 69 at the upper end thereof and the beveled portion of the wafer W is gripped by the clamp 69. The chuck 68 is rotated by the hollow motor 71 in a state where the clamp 69 holds the bevel portion of the wafer W so that the wafer W is rotated about its axis Rotate.

제2 이면 연마 유닛(9)에서는, 웨이퍼(W)는 그 이면이 상향인 상태에서 제2 기판 보유 지지부(62)에 의해 보유 지지된다. 척(68)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면(이면과는 반대측인 면)은, 기판 지지부(72)에 의해 지지되고 있다. 이 기판 지지부(72)는, 연결 부재(73)에 의해 중공 모터(71)에 연결되어 있고, 중공 모터(71)에 의해 기판 지지부(72)는 제2 기판 보유 지지부(62)와 일체로 회전하도록 되어 있다. 기판 지지부(72)는, 웨이퍼(W)의 하면에 접촉하는 원형의 상면을 갖고 있다. 이 기판 지지부(72)의 상면은, 부직포 또는 배킹 필름 등의 탄성재로 이루어지는 시트로 구성되어 있고, 웨이퍼(W)의 하면에 형성되어 있는 디바이스에 손상을 주지 않도록 되어 있다. 기판 지지부(72)는, 간단히 웨이퍼(W)의 하면을 지지하고 있을 뿐이며, 웨이퍼(W)를 진공 흡착 등으로 보유 지지는 하고 있지 않다. 웨이퍼(W)와 기판 지지부(72)는 일체로 회전하고, 양자의 상대 속도는 0이다.In the second back side polishing unit 9, the wafer W is held by the second substrate holding portion 62 in a state where the back side thereof is upward. The lower surface (the surface opposite to the back surface) of the wafer W held by the chuck 68 is supported by the substrate supporting portion 72. [ The substrate supporting portion 72 is connected to the hollow motor 71 by the connecting member 73 and the substrate supporting portion 72 is rotated by the hollow motor 71 integrally with the second substrate holding portion 62 . The substrate supporting portion 72 has a circular upper surface that contacts the lower surface of the wafer W. The upper surface of the substrate supporting portion 72 is made of a sheet made of an elastic material such as a nonwoven fabric or a backing film and is not damaged on the device formed on the lower surface of the wafer W. The substrate supporting portion 72 simply supports the lower surface of the wafer W and does not hold the wafer W by vacuum suction or the like. The wafer W and the substrate supporter 72 rotate integrally, and the relative speed of both is zero.

제2 연마 헤드(66)는, 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있고, 연마구(64)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 사용되는 연마구(64)의 예로서는, 지립이 표면에 고정된 부직포, 경질의 부직포, 지석, 또는 상술한 제1 이면 연마 유닛(8)으로 사용되는 연마 테이프 등을 들 수 있다. 예를 들어, 연마구(64)는 제2 연마 헤드(66)의 축선 둘레에 배열된 복수의 연마 테이프로 구성해도 된다.The second polishing head 66 is disposed above the wafer W and presses the polishing tool 64 against the back surface of the wafer W. [ Examples of the polishing tool 64 to be used include a nonwoven fabric in which the abrasive grains are fixed to the surface, a hard nonwoven fabric, a grinding stone, or an abrasive tape used as the first back side polishing unit 8 described above. For example, the polishing tool 64 may be composed of a plurality of polishing tapes arranged around the axis of the second polishing head 66.

제2 연마 헤드(66)는, 헤드 아암(75)에 의해 지지되고 있다. 이 헤드 아암(75)에는 도시하지 않은 회전 기구가 내장되어 있고, 이 회전 기구에 의해 제2 연마 헤드(66)는 화살표 B로 나타낸 바와 같이 그 축선을 중심으로 회전한다. 헤드 아암(75)의 단부는 요동축(76)에 고정되어 있다. 이 요동축(76)은 모터 등의 구동기(77)에 연결되어 있다. 구동기(77)에 의해 요동축(76)을 소정의 각도로 회전시킴으로써, 제2 연마 헤드(66)는 웨이퍼(W)의 상방 연마 위치와 웨이퍼(W)의 외측 대기 위치와의 사이를 이동한다.The second polishing head 66 is supported by the head arm 75. The head arm 75 incorporates a rotation mechanism (not shown), and the second polishing head 66 rotates about its axis as indicated by an arrow B by the rotation mechanism. The end of the head arm 75 is fixed to the pivot shaft 76. The pivot shaft 76 is connected to a driver 77 such as a motor. The second polishing head 66 moves between the upper polishing position of the wafer W and the outer waiting position of the wafer W by rotating the oscillating shaft 76 by a predetermined angle by the driver 77 .

제2 연마 헤드(66)에 인접하여, 웨이퍼(W)의 이면에 연마액을 공급하는 액체 공급 노즐(79)이 배치되어 있다. 연마액으로서는, 순수가 바람직하게 사용된다.A liquid supply nozzle 79 for supplying a polishing liquid to the back surface of the wafer W is disposed adjacent to the second polishing head 66. As the polishing liquid, pure water is preferably used.

웨이퍼(W)의 중심측 영역은 다음과 같이 해서 연마된다. 웨이퍼(W)의 이면이 상향인 상태에서 웨이퍼(W)의 베벨부가 척(68)에 의해 보유 지지된다. 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 해서 중공 모터(71)에 의해 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 액체 공급 노즐(79)로부터 연마액을 공급한다. 이 상태에서, 제2 연마 헤드(66)는 연마구(64)를 회전시키면서, 연마구(64)를 웨이퍼(W)의 이면 중심을 포함하는 중심측 영역에 압박한다. 연마구(64)는 중심측 영역에 미끄럼 접촉하고, 이에 의해 중심측 영역을 연마한다. 연마 중은, 연마구(64)가 웨이퍼(W)의 중심에 접촉한 상태를 유지하면서, 제2 연마 헤드(66)를 웨이퍼(W)의 대략 반경 방향으로 요동시켜도 된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역이 연마구(64)에 의해 연마된다. 연마 중에, 연마액은 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측으로 흐르고, 연마 부스러기는 연마액에 의해 웨이퍼(W)로부터 제거된다.The center side region of the wafer W is polished as follows. The bevel portion of the wafer W is held by the chuck 68 with the rear surface of the wafer W upward. The wafer W is rotated by the hollow motor 71 about its axis and the polishing liquid is supplied from the liquid supply nozzle 79 to the back surface of the rotating wafer W. In this state, the second polishing head 66 presses the polishing tool 64 against the center side area including the back center of the wafer W, while rotating the polishing tool 64. The polishing tool 64 is in sliding contact with the center-side area, thereby polishing the center-side area. The second polishing head 66 may be oscillated in the substantially radial direction of the wafer W while polishing the polishing tool 64 in contact with the center of the wafer W. [ In this way, the center side region of the back surface of the wafer W is polished by the polishing tool 64. During polishing, the polishing liquid flows from the inside to the outside of the wafer W, and the polishing debris is removed from the wafer W by the polishing liquid.

상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W) 이면의 외주측 영역이 먼저 연마되고, 그 후에 이면의 중심측 영역이 연마된다. 일 실시 형태에서는, 웨이퍼(W) 이면의 중심측 영역을 연마한 후에, 이면의 외주측 영역을 연마 해도 된다.In the above-described embodiment, the outer peripheral region of the back surface of the wafer W is first polished, and then the central region of the back surface is polished. In one embodiment, the outer peripheral side area of the back surface may be polished after the center side area of the back surface of the wafer W is polished.

도 1에 도시한 바와 같이, 이면 세정부(10)는 이면 연마부(7)에 인접해서 배치되어 있다. 제1 이면 연마 유닛(8) 및 제2 이면 연마 유닛(9)에 의해 이면이 연마된 웨이퍼는, 반송 로봇(61)에 의해 이면 세정부(10)로 반송된다.As shown in Fig. 1, the back side cleaning part 10 is disposed adjacent to the back side polishing part 7. [ The wafer whose back surface is polished by the first back side polishing unit 8 and the second back side polishing unit 9 is carried to the back side cleaning unit 10 by the carrying robot 61.

도 7은, 이면 세정부(10)의 전체를 도시하는 모식도이다. 이 이면 세정부(10)는, 웨이퍼의 이면이 연마된 후에, 해당 이면을 세정하기 위한 장치이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 이면 세정부(10)는 복수의(본 실시 형태에서는 4개의) 이면 세정 유닛(80)과, 이면 세정 유닛(80)에 의해 이면이 세정된 웨이퍼를 일시적으로 수용하기 위한 제1 웨이퍼 스테이션(제1 기판 스테이션)(81)과, 이면이 세정되어 있지 않은 웨이퍼를 일시적으로 수용하기 위한 제2 웨이퍼 스테이션(제2 기판 스테이션)(82)과, 웨이퍼를 제1, 제2 웨이퍼 스테이션(81, 82)과 이면 세정 유닛(80) 사이에서 반송할 수 있는 반송 로봇(85)을 구비하고 있다. 이면 세정 유닛(80) 및 반송 로봇(85)의 동작은, 도 1에 도시하는 동작 제어부(12)에 의해 제어된다.7 is a schematic diagram showing the entire back side washing section 10. Fig. The back surface cleaning part 10 is a device for cleaning the back surface of the wafer after the back surface thereof is polished. 7, the backside cleaning section 10 includes a plurality of (four in this embodiment) backside cleaning units 80 and a backside cleaning unit 80 for temporarily accommodating the cleaned backside wafers A second wafer station (second substrate station) 81 for temporarily holding a wafer whose back surface is not cleaned, a second wafer station (second substrate station) 82 for temporarily holding the wafer whose back surface is not cleaned, And a transfer robot 85 that can transfer the wafer W between the second wafer stations 81 and 82 and the backside cleaning unit 80. [ The operations of the cleaning unit 80 and the transport robot 85 are controlled by the operation control unit 12 shown in Fig.

이면은 연마되었지만, 아직 세정되어 있지 않은 웨이퍼는, 그 이면이 상부를 향한 상태에서 반송 로봇(61)(도 1 참조)에 의해 제2 웨이퍼 스테이션(82) 내로 반송된다. 이면이 연마되고, 또한 세정된 웨이퍼는, 그 이면이 상부를 향한 상태에서 이면 세정부(10)의 반송 로봇(85)에 의해 제1 웨이퍼 스테이션(81) 내로 반송된다. 본 실시 형태에서는, 제1 웨이퍼 스테이션(81)은 제2 웨이퍼 스테이션(82) 상에 배치되어 있지만, 제1 웨이퍼 스테이션(81)은 제2 웨이퍼 스테이션(82) 하에 배치되어도 된다.The wafer whose back surface has been polished but has not yet been cleaned is transported into the second wafer station 82 by the transport robot 61 (see Fig. 1) with its back face facing upward. The back side is polished and the cleaned wafer is transported into the first wafer station 81 by the transport robot 85 of the backside cleaning unit 10 with its back face facing upward. In the present embodiment, the first wafer station 81 is disposed on the second wafer station 82, but the first wafer station 81 may be disposed under the second wafer station 82.

본 실시 형태에서는, 2개의 이면 세정 유닛(80)이 상하로 배열되고, 또한 다른 2개의 이면 세정 유닛(80)이 상하로 배열되어 있다. 단, 이면 세정 유닛(80)의 배열은, 본 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 4개의 이면 세정 유닛(80)이 세로 방향 또는 가로 방향으로 일렬로 배열해도 된다.In the present embodiment, the two back side cleaning units 80 are arranged vertically and the other two back side cleaning units 80 are arranged vertically. However, the arrangement of the back side cleaning unit 80 is not limited to this embodiment. For example, the four back side cleaning units 80 may be arranged in a row in the longitudinal direction or in the lateral direction.

반송 로봇(85)은, 4개의 이면 세정 유닛(80)에 액세스할 수 있는 위치에 배치되어 있다. 제1, 제2 웨이퍼 스테이션(81, 82)은, 상하로 배열된 2개의 이면 세정 유닛(80) 사이에 배치되어 있다. 제1 웨이퍼 스테이션(81)과 제2 웨이퍼 스테이션(82)은 동일한 구성을 갖고 있으므로, 이하, 제1 웨이퍼 스테이션(81)에 대해서 설명한다.The carrying robot 85 is disposed at a position where it can access the four back side cleaning units 80. [ The first and second wafer stations 81 and 82 are disposed between the two back side cleaning units 80 arranged in the vertical direction. Since the first wafer station 81 and the second wafer station 82 have the same configuration, the first wafer station 81 will be described below.

도 8은, 제1 웨이퍼 스테이션(81)의 수평 단면도이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 웨이퍼 스테이션(제1 기판 스테이션)(81)은, 내부에 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 상자 형상의 용기(87)와, 용기(87)를 구성하는 제1 벽부(87a)에 설치된 제1 셔터(91)와, 용기(87)를 구성하는 제2 벽부(87b)에 설치된 제2 셔터(92)와, 웨이퍼(W)가 놓이는 복수의 지지 기둥(94)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 4개의 지지 기둥(94)이 용기(87) 내에 배치되어 있지만, 5개 이상의 지지 기둥을 배치해도 된다.8 is a horizontal sectional view of the first wafer station 81. Fig. 8, the first wafer station (first substrate station) 81 includes a box-shaped container 87 capable of accommodating the wafer W therein, A first shutter 91 provided on the first wall portion 87a, a second shutter 92 provided on the second wall portion 87b constituting the container 87 and a plurality of support pillars 94). In the present embodiment, although four support posts 94 are disposed in the container 87, five or more support posts may be disposed.

제1 벽부(87a)에는, 웨이퍼(W)가 통과 가능한 제1 개구부(87c)가 형성되어 있고, 제1 셔터(91)는 제1 개구부(87c)를 덮고 있다. 마찬가지로, 제2 벽부(87b)에는, 웨이퍼(W)가 통과 가능한 제2 개구부(87d)가 형성되어 있고, 제2 셔터(92)는 제2 개구부(87d)를 덮고 있다. 이들 제1 셔터(91) 및 제2 셔터(92)는, 통상은 폐쇄되어 있다.A first opening 87c through which the wafer W can pass is formed in the first wall portion 87a and the first shutter 91 covers the first opening 87c. Similarly, the second wall 87b is provided with a second opening 87d through which the wafer W can pass, and the second shutter 92 covers the second opening 87d. The first shutter 91 and the second shutter 92 are normally closed.

제1 셔터(91) 및 제2 셔터(92)가 폐쇄된 상태에서는, 용기(87) 내에는 밀폐 공간이 형성된다. 이것은, 웨이퍼(W)의 건조를 방지하기 위해서이다. 용기(87) 내의 웨이퍼(W)를 습한 상태로 유지하기 위해, 용기(87) 내에는 복수의 순수 분무 노즐(96)이 배치되어 있다. 각 순수 분무 노즐(96)은 순수 공급관(97)에 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 3개의 순수 분무 노즐(96)이 웨이퍼(W)의 하면(이면과는 반대측인 면)을 향해 배치되어 있다. 2개 이하의 순수 분무 노즐을 배치해도 되고, 4개 이상의 순수 분무 노즐을 배치해도 된다.In the state in which the first shutter 91 and the second shutter 92 are closed, a closed space is formed in the container 87. This is to prevent the wafer W from drying. In order to keep the wafer W in the container 87 in a wet state, a plurality of pure water spray nozzles 96 are disposed in the container 87. Each of the pure water spray nozzles 96 is connected to a pure water supply pipe 97. In the present embodiment, three pure water spray nozzles 96 are disposed toward the lower surface (the surface opposite to the back surface) of the wafer W. Two or less pure water spray nozzles may be disposed, or four or more pure water spray nozzles may be disposed.

반송 로봇(85)(도 7 참조)이, 이면 세정 유닛(80)에 의해 세정된 웨이퍼를 제1 웨이퍼 스테이션(81) 내로 반입할 때는, 제2 셔터(92)가 개방된다. 반송 로봇(61)(도 1 참조)이, 세정된 웨이퍼를 제1 웨이퍼 스테이션(81)으로부터 취출할 때는, 제1 셔터(91)가 개방된다. 한편, 반송 로봇(61)(도 1 참조)이 세정 전의 웨이퍼를 제2 웨이퍼 스테이션(82) 내로 반입할 때는, 제2 웨이퍼 스테이션(82)의 제1 셔터(91)가 개방된다. 반송 로봇(85)(도 7 참조)이 세정 전의 웨이퍼를 제2 웨이퍼 스테이션(82)으로부터 취출할 때는, 제2 웨이퍼 스테이션(82)의 제2 셔터(92)가 개방된다.The second shutter 92 is opened when the transfer robot 85 (see Fig. 7) carries the wafer cleaned by the backside cleaning unit 80 into the first wafer station 81. When the transport robot 61 (see Fig. 1) takes out the cleaned wafer from the first wafer station 81, the first shutter 91 is opened. On the other hand, when the transfer robot 61 (see Fig. 1) carries the wafer before cleaning into the second wafer station 82, the first shutter 91 of the second wafer station 82 is opened. The second shutter 92 of the second wafer station 82 is opened when the transfer robot 85 (see Fig. 7) takes out the wafer before cleaning from the second wafer station 82. [

도 7에 도시한 바와 같이, 이면 세정부(10)의 반송 로봇(85)은, 상하 방향으로 이동할 수 있게 구성되어 있다. 반송 로봇(85)은, 웨이퍼의 이면이 상부를 향한 상태에서, 웨이퍼를 4개의 이면 세정 유닛(80) 중 하나로 반송한다. 4개의 이면 세정 유닛(80)은 동일한 구성을 갖고 있다. 각 이면 세정 유닛(80)은, 내부에 세정실(99)을 형성하는 하우징(100)을 갖고 있다. 하우징(100)의 측벽(100a)에는, 웨이퍼가 통과할 수 있는 개구부(100b)가 형성되어 있고, 이 개구부(100b)를 덮는 셔터(101)가 측벽(100a)에 설치되어 있다. 웨이퍼를 이면 세정 유닛(80)의 세정실(99) 내로 반입할 때 및 이면 세정 유닛(80)의 세정실(99)로부터 웨이퍼를 반출할 때에, 셔터(101)가 개방된다.As shown in Fig. 7, the carrying robot 85 of the back side washing section 10 is configured to be movable in the vertical direction. The conveying robot 85 conveys the wafer to one of the four back side cleaning units 80 with the back side of the wafer facing upward. The four back side cleaning units 80 have the same configuration. Each backside cleaning unit (80) has a housing (100) in which a cleaning chamber (99) is formed. The side wall 100a of the housing 100 is provided with an opening 100b through which the wafer can pass and a shutter 101 covering the opening 100b is provided on the side wall 100a. The shutter 101 is opened when the wafer is carried into the cleaning chamber 99 of the backside cleaning unit 80 and when the wafer is taken out of the cleaning chamber 99 of the backside cleaning unit 80. [

도 9는, 이면 세정 유닛(80)의 상세를 도시하는 사시도이다. 도 9에서는, 하우징(100) 및 셔터(101)의 도시는 생략되어 있다. 이면 세정 유닛(80)은, 웨이퍼(W)를 유지하고, 또한 웨이퍼(W)의 축선을 중심으로 해서 회전시키는 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)와, 웨이퍼 보유 지지부(105)에 보유 지지되고 있는 웨이퍼(W)의 이면(상면)에 약액을 공급하는 약액 공급 노즐(107)과, 웨이퍼(W)의 이면에 린스액으로서의 순수를 공급하는 린스액 공급 노즐(106)과, 자신의 축선을 중심으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 이면에 접촉할 수 있는 스크럽 세정구로서의 펜형 세정구(108)와, 웨이퍼(W)의 이면에 이류체 분류를 공급하는 이류체 노즐(109)을 구비하고 있다. 펜형 세정구(108)는, 스펀지 등의 다공재로 구성되어 있다. 스펀지로 구성된 펜형 세정구(108)는, 펜 스펀지라고도 불린다.Fig. 9 is a perspective view showing details of the backside cleaning unit 80. Fig. 9, the illustration of the housing 100 and the shutter 101 is omitted. The backside cleaning unit 80 includes a wafer holding portion 105 for holding the wafer W and rotating the wafer W about the axis of the wafer W and a holding portion A chemical solution supply nozzle 107 for supplying a chemical solution to the rear surface (upper surface) of the wafer W being supported, a rinsing solution supply nozzle 106 for supplying pure water as a rinsing solution to the back surface of the wafer W, A pen-type cleaning tool 108 as a scrubbing cleaner capable of contacting the back surface of the wafer W while rotating around the axis thereof and an airflow nozzle 109 for supplying airflow to the back surface of the wafer W . The pen-type cleaning tool 108 is made of a porous material such as a sponge. The pen-type cleaning tool 108 composed of a sponge is also called a pen sponge.

웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하는 복수의 보유 지지 롤러(111)와, 이들 보유 지지 롤러(111)를 회전시키는 롤러 모터(112)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 4개의 보유 지지 롤러(111)가 설치되어 있다. 세정되는 웨이퍼(W)는 그 이면이 상향인 상태에서, 반송 로봇(85)에 의해 보유 지지 롤러(111) 위에 놓이고, 보유 지지 롤러(111)에 의해 회전된다. 이하에 설명하는 웨이퍼(W)의 이면 세정은, 이면이 상향인 상태에서 행하여진다.The wafer holding portion 105 is provided with a plurality of holding rollers 111 for holding the peripheral portion of the wafer W and a roller motor 112 for rotating the holding rollers 111 . In this embodiment, four holding rollers 111 are provided. The wafer W to be cleaned is placed on the holding roller 111 by the carrying robot 85 and rotated by the holding roller 111 with its back face upward. The backside cleaning of the wafer W, which will be described below, is performed while the back side is upward.

4개의 보유 지지 롤러(111) 중 2개는, 토크 전달 기구(113)에 의해 연결되어 있고, 다른 2개도 다른 토크 전달 기구(113)에 의해 연결되어 있다. 토크 전달 기구(113)는, 예를 들어 풀리 및 벨트의 조합으로 구성된다. 본 실시 형태에서는, 2개의 롤러 모터(112)가 설치되어 있다. 2개의 롤러 모터(112) 중 한쪽은, 토크 전달 기구(113)에 의해 서로 연결되어 있는 2개의 보유 지지 롤러(111)에 연결되어 있고, 다른 쪽의 롤러 모터(112)는, 다른 토크 전달 기구(113)에 의해 서로 연결되어 있는 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)에 연결되어 있다.Two of the four holding rollers 111 are connected by a torque transmission mechanism 113 and the other two are connected by another torque transmission mechanism 113. [ The torque transmission mechanism 113 is composed of, for example, a combination of a pulley and a belt. In the present embodiment, two roller motors 112 are provided. One of the two roller motors 112 is connected to two holding rollers 111 which are connected to each other by a torque transmission mechanism 113 and the other roller motor 112 is connected to another torque transmitting mechanism And are connected to the other two holding rollers 111 which are connected to each other by a holding member 113.

웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 다른 실시 형태를 적용해도 된다. 예를 들어, 일 실시 형태에서는, 1개의 롤러 모터가 토크 전달 기구를 개재해서 모든 보유 지지 롤러(111)에 연결되어도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는 모든 보유 지지 롤러(111)가 롤러 모터(112)에 연결되어 있지만, 복수의 보유 지지 롤러(111) 중 몇 가지가 롤러 모터(112)에 연결되어 있어도 된다. 복수의 보유 지지 롤러(111) 중 적어도 2개가 롤러 모터(112)에 연결되어 있는 것이 바람직하다.The wafer holding portion (substrate holding portion) 105 is not limited to this embodiment, and other embodiments may be applied. For example, in one embodiment, one roller motor may be connected to all the holding rollers 111 via a torque transmission mechanism. In this embodiment, all of the holding rollers 111 are connected to the roller motor 112, but some of the plurality of holding rollers 111 may be connected to the roller motor 112. It is preferable that at least two of the plurality of holding rollers 111 are connected to the roller motor 112.

본 실시 형태에서는, 4개의 보유 지지 롤러(111) 중 2개는, 도시하지 않은 이동 기구에 의해, 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)에 근접하는 방향 및 이격되는 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 웨이퍼(W)가 반송 로봇(85)에 의해 4개의 보유 지지 롤러(111)의 상단부에 놓인 후, 2개의 보유 지지 롤러(111)가 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)를 향해 이동함으로써, 4개의 보유 지지 롤러(111)는 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지한다. 웨이퍼(W)의 이면 세정 후, 2개의 보유 지지 롤러(111)가 다른 2개의 보유 지지 롤러(111)로부터 이격되는 방향으로 이동함으로써, 4개의 보유 지지 롤러(111)는 웨이퍼(W)의 주연부를 해방한다. 일 실시 형태에서는, 모든 보유 지지 롤러(111)가 도시하지 않은 이동 기구에 의해 이동 가능하게 구성되어도 된다. 보유 지지 롤러(111)는, 웨이퍼(W)의 주연부 전체를 파지하지 않는 기구이므로, 펜형 세정구(108)는 웨이퍼(W)의 에지부(이면의 가장 외측의 주연부)를 포함하는 이면 전체를 세정할 수 있다.In the present embodiment, two of the four holding rollers 111 are movable by a moving mechanism (not shown) in a direction approaching and separating from the other two holding rollers 111. [ The two holding rollers 111 move toward the other two holding rollers 111 after the wafer W is placed on the upper end of the four holding rollers 111 by the carrying robot 85, The holding rollers 111 hold the periphery of the wafer W. The two holding rollers 111 are moved in the direction away from the other two holding rollers 111 so that the four holding rollers 111 move in the direction of the circumference of the wafer W, Release wealth. In one embodiment, all of the holding rollers 111 may be configured to be movable by a moving mechanism (not shown). Since the holding roller 111 is a mechanism that does not hold the entire periphery of the wafer W, the pen-type cleaning tool 108 is provided with the entire back surface including the edge portion (the outermost periphery of the back surface) It can be cleaned.

이면 세정 유닛(80)은, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)이 고정된 아암(115)과, 펜형 세정구(108)에 연결된 액추에이터(116)와, 아암(115)을 지지하는 지지축(118)과, 지지축(118)에 연결된 선회 모터(120)를 더 구비하고 있다. 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 보유 지지 롤러(111)보다도 높은 위치에 배치되어 있다. 액추에이터(116)는, 펜형 세정구(108)(예를 들어, 펜 스펀지)를 그 축선을 중심으로 회전시킬 수 있고, 또한 회전하는 펜형 세정구(108)를 그 축선의 방향으로 이동시킬 수 있게 구성되어 있다. 즉, 액추에이터(116)는 펜형 세정구(108)를 그 축선을 중심으로 해서 회전시키면서, 해당 펜형 세정구(108)를, 보유 지지 롤러(111)에 보유 지지되고 있는 웨이퍼(W)의 이면에 압박할 수 있게 구성되어 있다. 펜형 세정구(108)의 축선은, 보유 지지 롤러(111)에 보유 지지되고 있을 때의 웨이퍼(W) 이면에 대하여 수직이다. 본 실시 형태에서는, 펜형 세정구(108)의 축선은 연직 방향으로 연장되고, 웨이퍼(W)는 보유 지지 롤러(111)에 의해 수평하게 보유 지지된다.The back surface cleaning unit 80 includes an arm 115 to which the pen type cleaning nozzle 108 and the air nozzle 109 are fixed, an actuator 116 connected to the pen type cleaning nozzle 108, And a swing motor 120 connected to the support shaft 118. The swing motor 120 includes a support shaft 118, The arm 115, the pen-type cleaner 108, and the airflow nozzle 109 are arranged at positions higher than the holding roller 111. The actuator 116 can rotate the pen-type cleaner 108 (for example, a pen sponge) about its axis and move the rotating pen-type cleaner 108 in the direction of its axis Consists of. That is, the actuator 116 rotates the pen-type cleaning tool 108 about its axis while rotating the pen-type cleaning tool 108 on the back surface of the wafer W held by the holding roller 111 So that it can be pressed. The axis of the pen-type cleaning tool 108 is perpendicular to the back surface of the wafer W when it is held by the holding roller 111. In the present embodiment, the axis of the pen-type cleaning tool 108 extends in the vertical direction, and the wafer W is horizontally held by the holding roller 111. [

이류체 노즐(109)은, 펜형 세정구(108)에 인접하고 있다. 보다 구체적으로는, 이류체 노즐(109)은 아암(115)의 측면에 고정된 노즐 홀더(121)로부터 하방으로 연장되어 있다. 이류체 노즐(109)은, 노즐 홀더(121)를 개재하여 이류체 공급 라인(122)에 접속되어 있다. 펜형 세정구(108)는 아암(115)의 선단부 하방에 위치하고 있다. 선회 모터(120)는, 지지축(118)을 시계 방향 및 반시계 방향으로 소정의 각도만큼 회전시킬 수 있게 구성되어 있다. 선회 모터(120)가 지지축(118)을 회전시키면, 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)이 지지축(118)의 선회축선(P)을 중심으로 시계 방향 및 반시계 방향으로 소정의 각도로 선회한다.The air nozzle 109 is adjacent to the pen-like cleaner 108. More specifically, the airflow nozzle 109 extends downward from the nozzle holder 121 fixed to the side surface of the arm 115. The air flow nozzle 109 is connected to the air flow supply line 122 via the nozzle holder 121. [ The pen-type cleaning tool 108 is located below the distal end of the arm 115. The swing motor 120 is configured to rotate the support shaft 118 by a predetermined angle in the clockwise and counterclockwise directions. When the swing motor 120 rotates the support shaft 118, the arm 115, the pen-type cleaner 108 and the air nozzle 109 rotate clockwise about the pivot axis P of the support shaft 118 And pivots counterclockwise at a predetermined angle.

도 10은, 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)의 상면도이다. 도 10에 도시한 바와 같이, 보유 지지 롤러(111), 아암(115), 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 하우징(100)에 의해 형성된 세정실(99) 내에 배치되어 있다. 웨이퍼(W)는 이면이 상향인 상태에서, 반송 로봇(85)에 의해 세정실(99) 내로 반송되고, 보유 지지 롤러(111) 위에 놓인다. 보유 지지 롤러(111)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하고, 또한 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 웨이퍼(W)의 이면 세정은, 웨이퍼(W)가 회전되면서 행하여진다.10 is a top view of the arm 115, the pen-type cleaning tool 108, and the airflow nozzle 109. Fig. 10, the holding roller 111, the arm 115, the pen-type cleaning nozzle 108, and the air nozzle 109 are disposed in the cleaning chamber 99 formed by the housing 100 have. The wafer W is conveyed into the cleaning chamber 99 by the conveying robot 85 and placed on the holding roller 111 in a state where the back side is upward. The holding roller 111 holds the peripheral portion of the wafer W and also rotates the wafer W. [ The back surface cleaning of the wafer W is performed while the wafer W is being rotated.

아암(115)의 선회 운동에 수반하여, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 보유 지지 롤러(111)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심(O)을 지나는 원호 형상의 궤도를 그리며 일체로 이동한다. 펜형 세정구(108)와 지지축(118)의 선회축선(P)과의 거리는, 이류체 노즐(109)과 지지축(118)의 선회축선(P)과의 거리와 다름없다. 따라서, 아암(115)의 선회 운동에 수반하여, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은 같은 궤도를 그리며 이동한다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 이면 세정 중은, 펜형 세정구(108) 및 이류체 노즐(109)은, 웨이퍼(W)의 중심(O)과 웨이퍼(W)의 에지부(이면의 가장 외측의 주연부)와의 사이를 왕복 이동한다. 또한, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)로서는, 보유 지지 롤러 방식에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 이면이 상향이 된 웨이퍼(W) 표면의 중앙부 부근을 수평하게 흡착 보유 지지할 수 있도록 하여, 웨이퍼(W)가 회전할 수 있도록 구성해도 된다.The pen type cleaning tool 108 and the airflow nozzle 109 are moved in the circular arc shape passing through the center O of the wafer W held by the holding roller 111 Move in unison as you draw orbit. The distance between the pen-shaped cleaner 108 and the pivot axis P of the support shaft 118 is the same as the distance between the pneumatic nozzle 109 and the pivot axis P of the support shaft 118. Therefore, with the pivotal motion of the arm 115, the pen-type cleaning tool 108 and the airflow nozzle 109 move in the same trajectory. More specifically, during back cleaning of the wafer W, the pen-type cleaning tool 108 and the air nozzle 109 are arranged so that the center O of the wafer W and the edge portion of the wafer W The outermost circumferential portion). The wafer holding portion (substrate holding portion) 105 is not limited to the holding roller type. For example, the wafer holding portion (substrate holding portion) 105 may be formed so as to horizontally adsorb and hold near the central portion of the surface of the wafer W, So that the wafer W can be rotated.

본 실시 형태에 관한 이면 세정 유닛(80)은, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)의 보유 지지 롤러(111)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 펜형 세정구(108)에 의한 스크럽 세정 및 이류체 노즐(109)에 의한 이류체 세정을 동일한 세정실(99) 내에서 연속해서 실행할 수 있다. 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 어느 쪽도, 웨이퍼(W)의 이면이 상향인 상태에서 행하여진다. 물리적인 스크럽 세정 및 이류체 세정을, 시간적으로 연속된 형태에서의 처리로서 행함으로써, 각각의 세정 프로세스의 특성을 살린 웨이퍼(W)의 세정을 행할 수 있다.The back surface cleaning unit 80 according to the present embodiment is configured to rotate the wafer W by the holding roller 111 of the wafer holding portion 105 The air cleaning by the air cleaning nozzle and the air cleaning nozzle 109 can be continuously performed in the same cleaning chamber 99. Either the scrub cleaning or the advection cleaning is performed in a state in which the back surface of the wafer W is upward. It is possible to perform cleaning of the wafer W utilizing the characteristics of the respective cleaning processes by performing the physical scrub cleaning and the advection cleaning as the processing in a temporally continuous form.

스크럽 세정은, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)의 보유 지지 롤러(111)에 의해 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 회전시키면서, 약액 공급 노즐(107)로부터 약액을 웨이퍼(W)의 이면에 공급하고, 또한 약액의 존재 하에서 펜형 세정구(108)(즉 스크럽 세정구)를 웨이퍼(W)의 이면에 미끄럼 접촉시킴으로써 행하여진다. 스크럽 세정 중, 펜형 세정구(108)는 액추에이터(116)에 의해 회전되면서, 웨이퍼(W)의 이면에 압박된다. 또한, 스크럽 세정 중, 펜형 세정구(108)는 웨이퍼(W)의 이면에 압박된 채, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심(O)과 웨이퍼(W)의 에지부(이면의 가장 외측의 주연부)와의 사이를 소정 횟수만큼 왕복 이동한다. 스크럽 세정 중은, 이류체 노즐(109)은 이류체 분류를 웨이퍼(W)의 이면에 공급하지 않는다. 스크럽 세정이 종료된 후, 펜형 세정구(108)로부터의 약액의 적하를 방지하기 위해, 펜형 세정구(108)를 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격시킨다. 또한, 약액의 적하를 방지하기 위해, 후퇴시킨 펜형 세정구(108) 밑에 위치할 수 있게 한 커버 부재(도시하지 않음)를 아암(115) 등에 설치할 수도 있다.The scrub cleaning is carried out by rotating the wafer W around the axis thereof by the holding roller 111 of the wafer holding portion 105 (substrate holding portion) 105 while moving the chemical liquid from the chemical liquid supply nozzle 107 to the wafer W And a pen-like cleaning tool 108 (that is, a scrubbing cleaner) is brought into sliding contact with the back surface of the wafer W in the presence of a chemical liquid. During scrubbing, the pen-type cleaning tool 108 is pressed against the back surface of the wafer W while being rotated by the actuator 116. During the scrub cleaning, the pen-type cleaning tool 108 presses the center O of the rotating wafer W and the edge of the wafer W (the outermost peripheral portion of the back surface of the wafer W, ) By a predetermined number of times. During the scrub cleaning, the air nozzle 109 does not supply the air flow to the back surface of the wafer W. After the scrub cleaning is completed, the pen-type cleaning tool 108 is separated from the back surface of the wafer W in order to prevent the dropping of the chemical liquid from the pen-type cleaning tool 108. [ Further, a cover member (not shown) which can be positioned under the pen-type cleaning tool 108 that has been retreated may be provided on the arm 115 or the like in order to prevent the dropping of the chemical liquid.

이류체 세정은, 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)의 보유 지지 롤러(111)에 의해 웨이퍼(W)를 그 축선을 중심으로 회전시키면서, 이류체 노즐(109)로부터 이류체 분류를 웨이퍼(W)의 이면에 공급함으로써 행하여진다. 이류체 분류는, 액체(예를 들어, 탄산수)와 기체(예를 들어, 질소 가스)와의 혼합물이다. 이류체 세정 중은, 이류체 노즐(109)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심(O)과 웨이퍼(W)의 에지부와의 사이를 소정 횟수만큼 왕복 이동한다. 이류체 세정 중은, 펜형 세정구(108)는 웨이퍼(W)의 이면에 접촉하지 않고, 또한 약액은 웨이퍼(W)의 이면에 공급되지 않는다.The air cleaning is carried out by rotating the wafer W around the axis thereof by the holding roller 111 of the wafer holding part (substrate holding part) 105 while moving the airflow from the air nozzle 109 to the wafer To the back surface of the wafer W. The air stream is a mixture of a liquid (for example, carbonated water) and a gas (for example, nitrogen gas). During the air cleaning, the air nozzle 109 reciprocally moves between the center O of the rotating wafer W and the edge of the wafer W a predetermined number of times. During the air cleaning, the pen-type cleaning tool 108 does not contact the back surface of the wafer W, and the chemical liquid is not supplied to the back surface of the wafer W.

또한, 웨이퍼(W)에 분사한 이류체 분류(噴流)가 비산해 버려 웨이퍼(W)의 표면으로 돌아 들어가 버리는 것을 방지하기 위해, 보유 지지 롤러(111)의 외측에 회전 컵(도시하지 않음)을 설치해도 된다. 이 회전 컵은, 회전하는 웨이퍼(W)와 동일한 회전 속도 및 동일한 방향으로 회전하도록 구성할 수 있다. 이렇게 하면, 웨이퍼(W)와 회전 컵 사이에서 상대 속도가 없어지므로, 회전 컵에 충돌한 액적에 가속도를 부여해 버리는 것을 방지할 수 있어, 결과적으로 액적의 비산을 방지할 수 있다.A rotating cup (not shown) is attached to the outside of the holding roller 111 in order to prevent the advection of the airflow jetted onto the wafer W from scattering and returning to the surface of the wafer W. [ May be installed. This rotating cup can be configured to rotate at the same rotational speed and same direction as the rotating wafer W. In this way, since the relative velocity between the wafer W and the rotating cup is eliminated, it is possible to prevent the droplet impinging on the rotating cup from giving acceleration, and consequently, scattering of droplets can be prevented.

일 실시 형태에서는, 이면 세정 유닛(80)은 펜형 세정구(108)로 웨이퍼(W)의 이면을 스크럽 세정하는 제1 이면 세정 공정을 행하고, 그 후 이류체 분류로 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 제2 이면 세정 공정을 행한다. 이류체 분류로 웨이퍼(W)를 세정한 후에, 린스액 공급 노즐(106)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 린스액(통상은 순수)을 공급해도 된다. 일 실시 형태에서는, 이면 세정 유닛(80)은 이류체 분류로 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 제1 이면 세정 공정을 행하고, 그 후 펜형 세정구(108)로 웨이퍼(W)의 이면을 스크럽 세정하는 제2 이면 세정 공정을 행해도 된다. 이 경우에는, 스크럽 세정한 후에, 린스액 공급 노즐(106)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 린스액이 공급되어, 약액이 웨이퍼(W)의 이면으로부터 씻겨진다.In one embodiment, the backside cleaning unit 80 performs a first backside cleaning process for scrubbing the backside of the wafer W with the pen-type cleaner 108, And the second backside cleaning step for cleaning is performed. A rinsing liquid (usually pure water) may be supplied to the back surface of the wafer W from the rinsing liquid supply nozzle 106 after the wafer W is cleaned by the air flow sorting. The back surface cleaning unit 80 performs a first back surface cleaning process for cleaning the back surface of the wafer W by the airflow type separation and then scrubs the back surface of the wafer W with the pen- The second backside cleaning step may be performed. In this case, after the scrub cleaning, a rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply nozzle 106 to the back surface of the wafer W, and the chemical liquid is washed from the back surface of the wafer W.

또한, 일 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)를 린스한 후, 웨이퍼(W)를 소정 시간 회전시켜서, 웨이퍼(W) 상의 액적을 원심력에 의해 비산시켜서 스핀 건조하도록 해도 된다. 또한, 일 실시 형태에서는, 세정한 웨이퍼(W)의 이면을 우선은 린스한 후에, 웨이퍼(W)의 표면으로 돌아 들어간 액체를 씻어 버리기 위해, 예를 들어 린스액 공급 노즐(106)을 요동시키면서 웨이퍼(W)의 이면 중심으로부터 외주부에 걸쳐 린스액이 공급되도록 하고, 계속해서 웨이퍼(W)의 표면 중 적어도 베벨부 또는 에지부에 린스액이 공급되도록 하고, 그 후 웨이퍼(W)를 소정 시간 회전시켜서, 웨이퍼(W) 상의 액적을 원심력에 의해 비산시켜서 스핀 건조하도록 해도 된다.In one embodiment, after the wafer W is rinsed, the wafer W may be rotated for a predetermined time so that droplets on the wafer W may be scattered by centrifugal force and spin-dried. In one embodiment, after rinsing the back surface of the cleaned wafer W, the rinsing liquid supply nozzle 106 is oscillated, for example, in order to wash away the liquid returning to the surface of the wafer W The rinsing liquid is supplied from the back center to the outer peripheral portion of the wafer W so that the rinsing liquid is supplied to at least the bevel portion or the edge portion of the surface of the wafer W. Thereafter, And the droplets on the wafer W may be scattered by the centrifugal force and spin-dried.

상술한 실시 형태에 따르면, 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 어느 한쪽인 제1 이면 세정 공정이 행하여지고, 이어서 스크럽 세정 및 이류체 세정 중 다른 쪽인 제2 이면 세정 공정이 연속해서 행하여진다. 웨이퍼(W)의 이면은, 스크럽 세정과 이류체 세정의 조합에 의해 세정되므로, 높은 제거율로 연마 부스러기 등의 파티클을 웨이퍼(W)의 이면으로부터 제거할 수 있다. 또한, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면을 스크럽 세정하는 데 있어서 약액을 사용해서 세정할 경우에는, 웨이퍼(W)의 이면 상태에 따른 약제에서의 세정 처리를 행할 수 있다. 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정은, 동일한 세정실(99) 내에서 웨이퍼(W)가 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)(105)에 보유 지지된 채 연속해서 행하여지므로, 짧은 세정 시간에 고제거율의 이면 세정을 행할 수 있다.According to the above-described embodiment, the first back surface cleaning step, either the scrub cleaning or the air cleaning, is performed, and the second back surface cleaning step, the other of the scrub cleaning and the air cleaning, is performed continuously. Since the back surface of the wafer W is cleaned by the combination of the scrub cleaning and the air cleaning, particles such as polishing debris can be removed from the back surface of the wafer W at a high removal rate. Further, for example, in the case of scrubbing the back surface of the wafer W by using the chemical liquid in the scrubbing, it is possible to carry out the cleaning treatment with the medicine according to the back surface state of the wafer W. [ The first back surface cleaning step and the second back surface cleaning step are performed successively while the wafers W are held in the wafer holding portion (substrate holding portion) 105 in the same cleaning chamber 99, It is possible to perform backside cleaning with a high removal rate.

제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정의 동작은, 도 1에 도시하는 동작 제어부(12)에 의해 제어된다. 이면 세정 유닛(80)은, 웨이퍼(W)의 이면 상태를 감시하는 표면 감시 장치를 더 구비해도 된다. 표면 감시 장치는, 예를 들어 적외선을 웨이퍼면에 조사하고, 웨이퍼면 상의 파티클의 수를 계측하는 장치, 또는 웨이퍼면의 화상을 생성하고, 해당 화상에 기초하여 웨이퍼면의 상태를 판단하는 장치 등의 공지된 장치이다. 표면 감시 장치는, 웨이퍼(W)의 이면 상태를 나타내는 데이터를 동작 제어부(12)로 보내고, 동작 제어부(12)는 해당 데이터에 기초하여, 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정의 동작을 제어해도 된다. 예를 들어, 동작 제어부(12)는, 표면 감시 장치로부터 보내진 데이터에 기초하여, 제1 이면 세정 공정으로부터 제2 이면 세정 공정으로 전환하는 타이밍을 결정해도 되고, 또는 제1 이면 세정 공정과 제2 이면 세정 공정의 각각의 시간을 결정해도 된다.The operations of the first back side cleaning step and the second back side cleaning step are controlled by the operation control part 12 shown in Fig. The back surface cleaning unit 80 may further include a surface monitoring device for monitoring the back surface state of the wafer W. [ The surface monitoring apparatus includes, for example, an apparatus that irradiates infrared rays onto a wafer surface and measures the number of particles on the wafer surface, or an apparatus that generates an image of a wafer surface and determines the state of the wafer surface based on the image . The surface monitoring apparatus sends data representing the back surface state of the wafer W to the operation control section 12 and the operation control section 12 performs the operations of the first back surface cleaning step and the second back surface cleaning step based on the data . For example, the operation control unit 12 may determine the timing of switching from the first back surface cleaning step to the second back surface cleaning step based on the data sent from the surface monitoring apparatus, or the first back surface cleaning step and the second back surface cleaning step The respective times of the cleaning process may be determined.

이면 세정 유닛(80)에 의해 이면이 세정된 웨이퍼(W)는, 반송 로봇(85)에 의해 이면 세정 유닛(80)으로부터 꺼내어져, 제1 웨이퍼 스테이션(91)으로 반송된다.The back surface of the wafer W cleaned by the backside cleaning unit 80 is taken out of the backside cleaning unit 80 by the transfer robot 85 and is transferred to the first wafer station 91. [

도 1로 돌아와, 이면이 세정된 웨이퍼는 반송 로봇(61)에 의해 이면 세정부(10)의 제1 웨이퍼 스테이션(91)으로부터 꺼내어져, 이면이 하부를 향하도록 반전되고, 그리고 상측의 임시 받침대(60A)로 보내진다. 웨이퍼는, 이어서 표면 세정부(15)에서 세정된다. 표면 세정부(15)는, 웨이퍼의 표면(표측의 면)을 세정하는 1차 세정 유닛(131), 2차 세정 유닛(132) 및 3차 세정 유닛(133)을 구비하고 있고, 또한 세정된 웨이퍼를 건조시키는 건조 유닛(135)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 1차 세정 유닛(131) 및 2차 세정 유닛(132)은, 롤 스펀지를 웨이퍼의 상하면에 미끄럼 접촉시킴으로써 웨이퍼를 세정하는 롤형 세정기이며, 3차 세정 유닛(133)은 이류체 분류를 웨이퍼의 상면에 공급하는 이류체형 세정기가 사용되고 있다. 이류체형 세정기 대신에, 펜 스펀지를 채용한 펜 스펀지형 세정기를 사용해도 된다.Returning to Fig. 1, the wafer whose back surface is cleaned is taken out from the first wafer station 91 of the backside cleaning part 10 by the transport robot 61, and the reverse is reversed so that the rear surface faces downward, (60A). The wafer is then cleaned in a surface cleaner 15. The surface cleaning section 15 is provided with a primary cleaning unit 131, a secondary cleaning unit 132 and a tertiary cleaning unit 133 for cleaning the surface of the wafer And a drying unit 135 for drying the wafer. In the present embodiment, the primary cleaning unit 131 and the secondary cleaning unit 132 are roll-type cleaners for cleaning the wafers by bringing the roll sponge into sliding contact with the upper and lower surfaces of the wafers, An air-flow type scrubber is used which supplies the sorbent to the upper surface of the wafer. Instead of the air flow type scrubber, a pen sponge type scrubber employing a pen sponge may be used.

1차 세정 유닛(131)과 2차 세정 유닛(132) 사이에는 반송 로봇(141)이 배치되어 있고, 2차 세정 유닛(132)과 3차 세정 유닛(133) 사이에는 반송 로봇(142)이 배치되어 있다. 반송 로봇(142)은, 상측의 임시 받침대(60A)에 인접해서 배치되어 있다. 3차 세정 유닛(133)과 건조 유닛(135) 사이에는 반송 로봇(143)이 배치되어 있다.A transfer robot 141 is disposed between the primary cleaning unit 131 and the secondary cleaning unit 132. A transfer robot 142 is disposed between the secondary cleaning unit 132 and the tertiary cleaning unit 133 Respectively. The carrying robot 142 is disposed adjacent to the temporary temporary pedestal 60A on the upper side. A conveying robot 143 is disposed between the tertiary cleaning unit 133 and the drying unit 135.

이면이 세정된 웨이퍼는, 반송 로봇(142)에 의해 상측의 임시 받침대(60A)로부터 취출된다. 또한, 반송 로봇(142) 및 반송 로봇(141)에 의해, 2차 세정 유닛(132)을 경유해서 1차 세정 유닛(131)으로 반송된다. 웨이퍼의 표면은, 1차 세정 유닛(131), 2차 세정 유닛(132) 및 3차 세정 유닛(133)에 의해 차례로 세정된다. 3차 세정 유닛(133)에 의해 세정된 웨이퍼는, 반송 로봇(143)에 의해 건조 유닛(135)으로 반송되고, 여기에서 웨이퍼가 건조된다. 건조된 웨이퍼는, 반송 로봇(21)에 의해 건조 유닛(135)으로부터 로드 포트(5) 상의 웨이퍼 카세트로 반송된다.The back side cleaned wafer is taken out from the upper temporary base 60A by the carrying robot 142. [ The transfer robot 141 and the transfer robot 141 transfer the wafer W to the primary cleaning unit 131 via the secondary cleaning unit 132. [ The surface of the wafer is sequentially cleaned by the primary cleaning unit 131, the secondary cleaning unit 132 and the tertiary cleaning unit 133. [ The wafer cleaned by the tertiary cleaning unit 133 is transported to the drying unit 135 by the transport robot 143, where the wafer is dried. The dried wafer is conveyed by the conveying robot 21 from the drying unit 135 to the wafer cassette on the load port 5.

이어서, 도 11의 흐름도를 참조하여, 웨이퍼의 처리 전체의 일 실시 형태를 설명한다. 스텝 1에서는, 웨이퍼 이면의 외주측 영역이 제1 이면 연마 유닛(8)에 의해 연마된다. 스텝 2에서는, 웨이퍼의 이면이 상향이 되도록 반송 로봇(61)에 의해 웨이퍼가 반전된다. 스텝 3에서는, 웨이퍼 이면의 중심측 영역이 제2 이면 연마 유닛(9)에 의해 연마된다. 또한, 웨이퍼 이면의 중심측 영역의 연마를 스텝 1로서 행하고, 웨이퍼 이면의 외주측 영역의 연마를 스텝 3으로서 행해도 된다.Next, with reference to the flowchart of Fig. 11, one embodiment of the entire wafer processing will be described. In step 1, the outer peripheral side area of the back surface of the wafer is polished by the first back side polishing unit 8. In Step 2, the wafer is reversed by the carrying robot 61 so that the back side of the wafer is upward. In Step 3, the center side region of the back surface of the wafer is polished by the second back side polishing unit 9. The polishing of the center side region of the back surface of the wafer may be performed in Step 1, and the polishing of the outer peripheral side region of the wafer back surface may be performed in Step 3.

스텝 4에서는, 이면이 연마된 웨이퍼는, 이면 세정부(10)의 제2 웨이퍼 스테이션(82)(도 7 참조)으로 반송된다. 스텝 5에서는, 웨이퍼의 이면에 대하여 스크럽 세정과 이류체 세정이 이면 세정 유닛(80)에 의해 행하여진다. 스크럽 세정과 이류체 세정의 순서는, 세정 레시피에 의해 미리 정해진다. 스텝 6에서는, 이면이 세정된 웨이퍼는, 이면 세정부(10)의 제1 웨이퍼 스테이션(81)(도 7 참조)으로 반송된다. 스텝 7에서는, 웨이퍼는 반송 로봇(61)에 의해 제1 웨이퍼 스테이션(81)으로부터 취출되고, 또한 이면이 하향이 되도록 웨이퍼가 반송 로봇(61)에 의해 반전된다. 스텝 8에서는, 표면 세정부(15)에 의해 웨이퍼의 표면이 세정되고, 건조된다. 이와 같이 하여, 기판 처리 장치는, 웨이퍼의 이면 연마, 이면 세정, 표면 세정 및 웨이퍼 건조의 일련의 처리를 연속해서 실행한다. 이들의 동작은, 동작 제어부(12)에 의해 제어되고 있다.In step 4, the wafer whose back surface is polished is transported to the second wafer station 82 (see Fig. 7) of the back surface cleaning part 10. In step 5, scrubbing cleaning and advection cleaning are performed on the back surface of the wafer by the backside cleaning unit 80. The order of scrub cleaning and air cleaning is predetermined by the cleaning recipe. In step 6, the wafer whose back surface has been cleaned is transported to the first wafer station 81 (see Fig. 7) of the backside cleaning part 10. In step 7, the wafer is taken out of the first wafer station 81 by the carrying robot 61, and the wafer is reversed by the carrying robot 61 so that the back side is downward. In step 8, the surface of the wafer is cleaned by the surface cleaning part 15 and dried. In this manner, the substrate processing apparatus successively executes a series of processes such as backside polishing, backside cleaning, surface cleaning, and wafer drying of the wafer. These operations are controlled by the operation control unit 12. [

상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 사람이 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 해서 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태에 한정되지 않고, 특허 청구의 범위에 의해 정의되는 기술적 사상을 따른 가장 넓은 범위로 해석되는 것이다.The above-described embodiments are described for the purpose of enabling a person having ordinary skill in the art to practice the present invention. Various modifications of the above-described embodiments will be apparent to those skilled in the art, and the technical spirit of the present invention may be applied to other embodiments. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described, but is to be construed as broadest scope according to the technical idea defined by the claims.

5 : 로드 포트
7 : 이면 연마부
8 : 제1 이면 연마 유닛
9 : 제2 이면 연마 유닛
10 : 이면 세정부
12 : 동작 제어부
15 : 표면 세정부
21 : 반송 로봇
22 : 임시 받침대
24 : 반송 로봇
32 : 제1 기판 보유 지지부
34 : 제1 연마 헤드
37 : 기판 스테이지
39 : 스테이지 모터
40 : 진공 라인
42 : 연마 테이프
43 : 롤러
44 : 가압 부재
45 : 에어 실린더
51 : 조출 릴
52 : 권취 릴
55 : 연마 헤드 이동 기구
57, 58 : 액체 공급 노즐
60A, 60B : 임시 받침대
62 : 제2 기판 보유 지지부
64 : 연마구
66 : 제2 연마 헤드
68 : 척
69 : 클램프
71 : 중공 모터
72 : 기판 지지부
75 : 헤드 아암
76 : 요동축
77 : 구동기
79 : 액체 공급 노즐
80 : 이면 세정 유닛
81 : 제1 웨이퍼 스테이션(제1 기판 스테이션)
82 : 제2 웨이퍼 스테이션(제2 기판 스테이션)
85 : 반송 로봇
87 : 용기
91 : 제1 셔터
92 : 제2 셔터
94 : 지지 기둥
97 : 순수 공급관
99 : 세정실
100 : 하우징
105 : 웨이퍼 보유 지지부(기판 보유 지지부)
107 : 약액 공급 노즐
106 : 린스액 공급 노즐
108 : 펜형 세정구(스크럽 세정구)
109 : 이류체 노즐
111 : 보유 지지 롤러
112 : 롤러 모터
113 : 토크 전달 기구
115 : 아암
116 : 액추에이터
118 : 지지축
120 : 선회 모터
121 : 노즐 홀더
122 : 이류체 공급 라인
131 : 1차 세정 유닛
132 : 2차 세정 유닛
133 : 3차 세정 유닛
135 : 건조 유닛
141, 142, 143 : 반송 로봇5: Load port
7: back side polishing part
8: first back side polishing unit
9: second back side polishing unit
10: If the tax administration
12:
15:
21: Transfer robot
22: temporary support
24: Transfer robot
32: first substrate holding portion
34: First polishing head
37: substrate stage
39: Stage motor
40: vacuum line
42: abrasive tape
43: Roller
44: pressing member
45: Air cylinder
51: Feeding reel
52:
55: polishing head moving mechanism
57, 58: liquid supply nozzle
60A, 60B: temporary support
62: second substrate holding portion
64:
66: second polishing head
68: Chuck
69: Clamp
71: Hollow motor
72:
75: head arm
76: Yaw axis
77:
79: liquid supply nozzle
80: backside cleaning unit
81: first wafer station (first substrate station)
82: second wafer station (second substrate station)
85: Transfer robot
87: container
91: first shutter
92: Second shutter
94: support column
97: Pure supply pipe
99: Washing room
100: Housing
105: Wafer holding part (substrate holding part)
107: chemical liquid supply nozzle
106: rinse solution supply nozzle
108: Pen type scrubber (scrubbing scrubber)
109: Air flow nozzle
111: Holding roller
112: Roller motor
113: Torque transmitting mechanism
115: arm
116: Actuator
118: Support shaft
120: Swing motor
121: Nozzle holder
122: Air supply line
131: primary cleaning unit
132: Secondary cleaning unit
133: Third cleaning unit
135: drying unit
141, 142, 143: conveying robot

Claims (14)

기판의 이면을 세정하기 위한 장치이며,
기판의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부와,
회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구와,
상기 기판 보유 지지부의 상방에 배치된 이류체 노즐과,
상기 기판 보유 지지부, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 배치되는 세정실을 형성하는 하우징을 구비한 것을 특징으로 하는, 장치.An apparatus for cleaning the back surface of a substrate,
A substrate holding portion for holding and rotating the substrate with the back surface of the substrate facing upward,
A scrub cleaner configured to be rotatable,
An air flow nozzle disposed above the substrate holding portion,
And a housing which forms a cleaning chamber in which the substrate holding portion, the scrubbing cleaner and the airflow nozzle are disposed. 제1항에 있어서, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 고정된 아암과,
상기 아암, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐을, 소정의 선회축선을 중심으로 소정의 각도로 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전시키는 선회 모터를 더 구비한 것을 특징으로 하는, 장치.2. The washing machine according to claim 1, wherein the scrubber cleaner and the air nozzle are fixed to each other,
Further comprising a swing motor for rotating the arm, the scrubbing cleaner, and the airflow nozzle clockwise and counterclockwise at a predetermined angle around a predetermined pivot axis. 제2항에 있어서, 상기 스크럽 세정구와 상기 소정의 선회축선과의 거리는, 상기 이류체 노즐과 상기 소정의 선회축선과의 거리와 동등한 것을 특징으로 하는, 장치.3. The apparatus according to claim 2, wherein a distance between the scrub cleaner and the predetermined pivot axis is equal to a distance between the air nozzle and the predetermined pivot axis. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는, 기판의 주연부를 보유 지지하는 회전 가능한 복수의 보유 지지 롤러를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 장치.The apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate holding portion has a plurality of rotatable holding rollers for holding a peripheral portion of the substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 이면이 세정된 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제1 기판 스테이션과,
이면이 세정되어 있지 않은 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제2 기판 스테이션을 더 구비한 것을 특징으로 하는, 장치.4. The apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising: a first substrate station for temporarily accommodating the cleaned substrate;
And a second substrate station for temporarily accommodating a substrate whose back surface is not cleaned. 제5항에 있어서, 상기 제1 기판 스테이션 및 상기 제2 기판 스테이션의 각각은, 내부에 밀폐 공간이 형성되는 용기와, 상기 용기 내에 배치된 순수 분무 노즐을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 장치.6. The apparatus of claim 5, wherein each of the first substrate station and the second substrate station includes a container having an enclosed space formed therein and a pure water spray nozzle disposed in the container. 기판의 이면을 세정하기 위한 복수의 이면 세정 유닛과,
이면이 세정된 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제1 기판 스테이션과,
이면이 세정되어 있지 않은 기판을 일시적으로 수용하기 위한 제2 기판 스테이션과,
이면이 세정되어 있지 않은 기판을 상기 제2 기판 스테이션으로부터 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로 반송하고, 또한 이면이 세정된 기판을 상기 복수의 이면 세정 유닛 중 어느 하나로부터 상기 제1 기판 스테이션으로 반송하기 위한 반송 장치를 구비하고,
상기 이면 세정 유닛은,
기판의 이면을 상향으로 한 상태에서, 기판을 보유 지지하면서 회전시키는 기판 보유 지지부와,
회전 가능하게 구성된 스크럽 세정구와,
상기 기판 보유 지지부의 상방에 배치된 이류체 노즐과,
상기 기판 보유 지지부, 상기 스크럽 세정구 및 상기 이류체 노즐이 배치되는 세정실을 형성하는 하우징을 구비하는 것을 특징으로 하는, 이면 세정 장치.A plurality of back side cleaning units for cleaning the back side of the substrate,
A first substrate station for temporarily accommodating the cleaned substrate on its back side,
A second substrate station for temporarily accommodating a substrate whose back surface is not cleaned,
Wherein the backside cleaned substrate is transported from the second substrate station to one of the plurality of backside cleaning units and the backside is transported from any one of the plurality of backside cleaning units to the first substrate station And a transfer device
The backside cleaning unit includes:
A substrate holding portion for holding and rotating the substrate with the back surface of the substrate facing upward,
A scrub cleaner configured to be rotatable,
An air flow nozzle disposed above the substrate holding portion,
And a housing which forms a cleaning chamber in which the substrate holding portion, the scrubbing cleaner, and the air flow nozzle are disposed. 기판의 이면을 연마하는 이면 연마부와,
상기 이면 연마부에 의해 연마된 기판의 이면을 세정하기 위한 제7항에 기재된 이면 세정 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.A back surface polishing part for polishing the back surface of the substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a back surface cleaning apparatus according to claim 7 for cleaning the back surface of the substrate polished by the back surface polishing unit. 기판의 이면을 세정하기 위한 방법이며,
세정실 내에 기판을 수용하여 해당 기판을 보유 지지하고,
상기 세정실 내에서 보유 지지된 기판을 회전시키고,
스크럽 세정구를 회전시키면서, 상기 세정실 내의 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키고, 그 후,
상기 세정실 내의 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하는 것을 특징으로 하는, 방법.A method for cleaning the back surface of a substrate,
The substrate is received in the cleaning chamber and held on the substrate,
Rotating the substrate held in the cleaning chamber,
The scrubbing cleaner is brought into sliding contact with the back surface of the substrate in the cleaning chamber while rotating the scrubbing cleaner,
Wherein the air flow is supplied to the back surface of the substrate in the cleaning chamber. 제9항에 있어서, 상기 스크럽 세정구를 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 스크럽 세정구를 회전시키면서 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키고, 또한 상기 회전하는 스크럽 세정구를 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 방법.The method according to claim 9, wherein the step of bringing the scrubbing cleaner into sliding contact with the back surface of the substrate comprises sliding the scrubbing cleaner on the back surface of the substrate while rotating the scrubbing cleaner, Wherein the process is a reciprocating process. 제9항 또는 제10항에 있어서, 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하는 공정은, 이류체 노즐로부터 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하면서, 상기 이류체 노즐을 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 방법.The method according to claim 9 or 10, wherein the step of supplying the adiabatic sieves to the back surface of the substrate comprises the step of supplying the adiabatic sieves to the back surface of the substrate from the adiabatic nozzles while moving the adiabatic nozzles between the center of the substrate and the edge Wherein the process is a reciprocating process. 기판의 이면을 세정하기 위한 방법이며,
세정실 내에 기판을 수용하여 해당 기판을 보유 지지하고,
상기 보유 지지된 기판을 회전시켜,
기판의 이면에 이류체 분류를 공급하고, 그 후,
스크럽 세정구를 회전시키면서 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 방법.A method for cleaning the back surface of a substrate,
The substrate is received in the cleaning chamber and held on the substrate,
Rotating the held substrate,
The air flow is supplied to the back surface of the substrate,
Wherein the scrubbing cleaner is brought into sliding contact with the back surface of the substrate while rotating the scrubbing cleaner. 제12항에 있어서, 상기 스크럽 세정구를 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 스크럽 세정구를 회전시키면서 기판의 이면에 미끄럼 접촉시키고, 또한 상기 회전하는 스크럽 세정구를 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 방법.13. The method according to claim 12, wherein the step of sliding the scrubbing cleaner on the back surface of the substrate includes sliding the scrubbing cleaner on the back surface of the substrate while rotating the scrubbing cleaner, Wherein the process is a reciprocating process. 제12항 또는 제13항에 있어서, 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하는 공정은, 이류체 노즐로부터 기판의 이면에 이류체 분류를 공급하면서, 상기 이류체 노즐을 기판의 중심과 에지부 사이에서 왕복 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 방법.The method according to claim 12 or 13, wherein the step of supplying the adiabatic sieving to the back surface of the substrate is a step of supplying the adiabatic sieving from the adiabatic nozzle to the back surface of the substrate while moving the adiabatic nozzle between the center of the substrate and the edge Wherein the process is a reciprocating process.
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