JP2001135604A - Polishing apparatus - Google Patents

Polishing apparatus

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JP2001135604A
JP2001135604A JP2000250392A JP2000250392A JP2001135604A JP 2001135604 A JP2001135604 A JP 2001135604A JP 2000250392 A JP2000250392 A JP 2000250392A JP 2000250392 A JP2000250392 A JP 2000250392A JP 2001135604 A JP2001135604 A JP 2001135604A
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polished
cleaning
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邦彦 桜井
Tetsuji Togawa
哲二 戸川
Nobuyuki Takada
暢行 高田
Satoshi Wakabayashi
聡 若林
Kenichiro Saito
賢一郎 斎藤
Masahiko Sekimoto
雅彦 関本
Takuji Hayama
卓児 葉山
Daisuke Koga
大輔 古賀
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing apparatus applicable to dry-in/dry-out system without reducing processing capability per hour and per unit of footprint, having cleaning steps or more in a cleaning process, and capable of developing clean processing of semiconductor wafer in accordance with miniaturization. SOLUTION: The polishing apparatus is provided with polishing tables 34, 35, 36, 37 with polishing surface, top rings 32, 33 for retaining a polishing object and pressing the object onto the polishing surface, three or more cleaning devices 5, 6, 22, 23 for cleaning the object after polishing process, and transfer mechanisms 20, 21 for transferring the object after polishing between three or more cleaning device 5, 6, 22, 23. The transfer mechanisms 20, 21 are changeable in the transfer route between three or more cleaning devices 5, 6, 22, 23.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物の表面を平坦且つ鏡面にするポリッシ
ング装置に係り、特にポリッシング後の洗浄を行う洗浄
装置を備えたポリッシング装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for making a surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer flat and a mirror surface, and more particularly to a polishing apparatus provided with a cleaning apparatus for cleaning after polishing.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、半導体
ウエハの製造工程におけるウエハ表面を平坦且つ鏡面に
するためにポリッシングを行い、またデバイス製造工程
におけるデバイス上に形成された層を平坦且つ鏡面にす
るためにポリッシングを行っている。これら半導体ウエ
ハの製造工程及びデバイス製造工程におけるポリッシン
グ工程には、ポリッシング装置が使用されている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, polishing is performed to make a wafer surface flat and mirror-surfaced in a semiconductor wafer manufacturing process, and a layer formed on a device is made flat and mirror-finished in a device manufacturing process. Polishing. A polishing apparatus is used in the polishing process in the semiconductor wafer manufacturing process and device manufacturing process.

【0003】従来のポリッシング装置は、ポリッシング
だけを行う専用のポリッシング装置であり、ポリッシン
グの完了した半導体ウエハは移動式の水槽の中に入れて
次の洗浄工程へ搬送されていた。ところが、この方法で
は、ポリッシング工程において、クリーンルームのクリ
ーン度を損ない、かつポリッシング終了後の半導体ウエ
ハの搬送も人手による搬送手段に頼らざるを得なく、ま
たポリッシング装置とその後の洗浄工程で使用する洗浄
機の2種類の装置を必要とするため、設置スペースも広
く必要であった。
A conventional polishing apparatus is a dedicated polishing apparatus for performing only polishing, and a semiconductor wafer having been subjected to polishing is placed in a movable water tank and transported to a next cleaning step. However, in this method, in the polishing step, the cleanliness of the clean room is impaired, and the transfer of the semiconductor wafer after the polishing has to be performed depends on manual transfer means. Since two types of devices were required, a large installation space was required.

【0004】そこで、ポリッシング工程のクリーン化を
図り、かつ装置の設置スペースの縮小を図るため、ポリ
ッシング工程と洗浄工程を同一装置内で行い、半導体ウ
エハをドライな状態で装置に入れ、処理後に半導体ウエ
ハをクリーンでドライな状態で装置から払い出すドライ
イン/ドライアウト方式を実現したポリッシング装置が
開発された。しかしながら、ドライイン/ドライアウト
方式を採用したポリッシング装置は、ポリッシングだけ
を行う専用のポリッシング装置に比べて、単位時間及び
単位設置面積あたりの処理能力が低かった。そこで、今
日までに、この課題を解決する方法が特願平11−59
522号において提案されており、ポリッシングだけを
行う専用のポリッシング装置に比べ多くの面で、優れた
特徴を持った装置になっている。
Therefore, in order to clean the polishing step and reduce the installation space of the apparatus, the polishing step and the cleaning step are performed in the same apparatus, the semiconductor wafer is put into the apparatus in a dry state, and the semiconductor wafer is processed. A polishing apparatus has been developed which realizes a dry-in / dry-out method in which a wafer is discharged from the apparatus in a clean and dry state. However, a polishing apparatus employing a dry-in / dry-out method has a lower processing capacity per unit time and per unit installation area than a dedicated polishing apparatus that performs only polishing. To date, a method for solving this problem has been disclosed in Japanese Patent Application No. 11-59.
No. 522, which is an apparatus having excellent characteristics in many aspects as compared with a dedicated polishing apparatus that performs only polishing.

【0005】上述のドライイン/ドライアウト方式のポ
リッシング装置では、単位設置面積あたりの処理能力を
高めるため、ポリッシング終了後の洗浄工程では、それ
ぞれ互いに異なる洗浄方式を備えた2台の洗浄装置で、
2段にわたって洗浄を行い、最低限の機能でより小さな
設置面積に装置を収めていた。ところが、デバイスの微
細化が進むにつれ、ポリッシング終了後の半導体ウエハ
のクリーン度をより高い状態で搬出する要求が高まり、
ポリッシング終了後の洗浄工程における洗浄段数が2段
から3段へと増えてきた。これら洗浄装置の工程はポリ
ッシング終了後における半導体ウエハ上に付着した微細
なパーティクルを取り除く工程と、半導体ウエハ上に付
着した金属イオンを取り除く工程と、半導体ウエハを乾
燥させてドライな状態にする工程とからなる。また、場
合によっては、半導体ウエハ上に付着した2種類以上の
金属イオンを、半導体ウエハ上に供給する薬液を変えて
洗浄を行い、洗浄工程の段数は4段となることも考えら
れる。4段の洗浄工程は、全て異なる4台の洗浄装置で
行われるか、または3台の洗浄装置のうち、1台の洗浄
装置の中で2段の洗浄工程が行われても良い。
In the above-mentioned dry-in / dry-out type polishing apparatus, in order to increase the processing capacity per unit installation area, in the cleaning process after polishing is completed, two cleaning apparatuses having different cleaning methods are used.
Cleaning was performed in two stages, and the equipment was housed in a smaller footprint with minimal functionality. However, as the miniaturization of devices has progressed, there has been an increasing demand to carry out semiconductor wafers after polishing has been completed with a higher degree of cleanliness.
The number of cleaning steps in the cleaning process after polishing has been increased from two to three. The steps of these cleaning devices include a step of removing fine particles attached to the semiconductor wafer after polishing, a step of removing metal ions attached to the semiconductor wafer, and a step of drying the semiconductor wafer to a dry state. Consists of In some cases, two or more types of metal ions adhering to the semiconductor wafer are cleaned by changing the chemical solution supplied to the semiconductor wafer, and the number of cleaning steps may be four. The four-stage cleaning process may be performed by four different cleaning devices, or two of the three cleaning devices may be performed by one cleaning device.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、3段以
上の洗浄工程を2台の洗浄装置で行うと、少なくとも1
台の洗浄装置で2段の洗浄工程を行うことになり、これ
に伴い1台の洗浄装置における単位時間あたりの処理能
力は低くなる。また、3台以上の洗浄装置を一列にポリ
ッシング装置内に備えると、ポリッシング装置全体の大
きさが大きくなり、単位設置面積あたりの処理能力が低
くなる。上記のどちらの手段をとっても、特願平11-
59522号で提案されている特徴が損なわれることに
なる。
However, when three or more washing steps are performed by two washing apparatuses, at least one step is required.
The two-stage cleaning process is performed by one cleaning device, and accordingly, the processing capacity per unit time in one cleaning device is reduced. Further, when three or more cleaning devices are provided in a row in the polishing device, the size of the entire polishing device increases, and the processing capacity per unit installation area decreases. Either of the above measures is taken in Japanese Patent Application
The features proposed in US Pat. No. 59,522 will be impaired.

【0007】本発明は、ドライイン/ドライアウト方式
のポリッシング装置に適用可能であり、単位時間あたり
及び単位設置面積あたりの処理能力を損なうこと無く、
洗浄工程における洗浄段数を3段以上備え、微細化に伴
う半導体ウエハのクリーン化に対応できるポリッシング
装置を提供することを目的とする。
The present invention is applicable to a dry-in / dry-out type polishing apparatus, and does not impair the processing capacity per unit time and per unit installation area.
It is an object of the present invention to provide a polishing apparatus having three or more cleaning steps in a cleaning step and capable of coping with cleaning of a semiconductor wafer accompanying miniaturization.

【0008】また本発明は、上述のドライイン/ドライ
アウト方式のポリッシング装置に適用可能であり、半導
体ウエハ等のポリッシング対象物の単位時間及び単位面
積あたりの処理能力を飛躍的に高めることができるポリ
ッシング装置を提供することを目的とする。
Further, the present invention is applicable to the above-described dry-in / dry-out type polishing apparatus, and can greatly improve the processing capacity per unit time and unit area of a polishing object such as a semiconductor wafer. It is an object to provide a polishing apparatus.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明の第1の態様は、研磨面を有した研磨テーブ
ルと、ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング
対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと、研磨後
のポリッシング対象物を洗浄する3台以上の洗浄装置
と、前記3台以上の洗浄装置間で研磨後のポリッシング
対象物を搬送する搬送機構とを備え、前記搬送機構は前
記3台以上の洗浄装置間における搬送ルートを変更可能
であることを特徴とするものである。本発明によれば、
同一の装置で、様々なポリッシング工程に応じた必要な
洗浄工程の洗浄段数を単位設置面積あたりの処理能力を
落すこと無く確保し、各洗浄工程における洗浄プロセス
時間を短時間に抑えるように、長い時間を必要とする洗
浄工程を2台以上の洗浄装置に分けて処理するように、
搬送ルートを変えることで単位時間あたりのポリッシン
グ対象物の処理枚数(スループット)を増加させること
ができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a polishing table having a polishing surface, a polishing table for holding an object to be polished, and a polishing surface for the polishing object. A top ring that presses the polishing object, three or more cleaning devices for cleaning the object to be polished after polishing, and a transport mechanism for transporting the object to be polished between the three or more cleaning devices; The mechanism is characterized in that a transport route between the three or more cleaning devices can be changed. According to the present invention,
With the same equipment, the number of cleaning steps required for various polishing steps is ensured without reducing the processing capacity per unit installation area. To separate the time-consuming cleaning process into two or more cleaning devices,
By changing the transport route, the number of processed polishing objects per unit time (throughput) can be increased.

【0010】本発明の第2の態様は、研磨面を有した複
数の研磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持し、か
つポリッシング対象物を前記研磨面に押圧する複数のト
ップリングと、前記複数のトップリングが到達可能な位
置に設置され、回転中心から所定円周上に位置しポリッ
シング対象物を保持する複数の部分を有し、かつこの複
数の部分におけるポリッシング対象物の入れ換えを行う
機能を有するロータリトランスポータと、前記ロータリ
トランスポータとトップリングとの間でポリッシング対
象物を受け渡しするプッシャーと、前記ロータリトラン
スポータとの間でポリッシング対象物を受け渡し可能で
あるとともにポリッシング対象物を反転する機能を有す
る反転機とを備えたことを特徴とするものである。本発
明によれば、半導体ウエハ等のポリッシング対象物をト
ップリングに搬送する時間を短縮することが可能とな
り、単位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数
(スループット)を飛躍的に増加させることができる。
According to a second aspect of the present invention, there are provided a plurality of polishing tables each having a polishing surface, a plurality of top rings for holding a polishing object and pressing the polishing object against the polishing surface; The top ring is installed at a position where it can be reached, has a plurality of portions that are located on a predetermined circumference from the rotation center and holds the polishing object, and has a function of replacing the polishing object in the plurality of portions. A rotary transporter, a pusher for transferring an object to be polished between the rotary transporter and the top ring, and a function for transferring the object to be polished between the rotary transporter and a function of inverting the object to be polished. And a reversing machine having the same. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to shorten the time which conveys an object to be polished, such as a semiconductor wafer, to a top ring, and can increase the number of processed objects (polishing) per unit time dramatically. .

【0011】本発明の第3の態様は、ポリッシング対象
物の研磨を行う研磨部と、研磨後のポリッシング対象物
を洗浄する洗浄部と、研磨前および研磨後のポリッシン
グ対象物を反転する反転機とを備え、前記研磨部ではポ
リッシング対象物の被研磨面を下向きにした状態で処理
し、前記洗浄部ではポリッシング対象物の被研磨面を上
向きにした状態で処理することを特徴とするものであ
る。本発明によれば、全ての洗浄工程において、研磨後
のポリッシング対象物の被研磨面を上向きの状態で処理
することができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a polishing section for polishing an object to be polished, a cleaning section for cleaning an object to be polished after polishing, and a reversing machine for inverting the object to be polished before and after polishing. Wherein the polishing unit performs processing with the surface to be polished of the object to be polished facing downward, and the cleaning unit performs processing with the surface to be polished of the object to be polished facing upward. is there. According to the present invention, in all of the cleaning steps, it is possible to treat the polished surface of the polishing object after polishing in an upward state.

【0012】本発明の第4の態様は、研磨面を有した研
磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持しかつポリッ
シング対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと、
研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄装置
と、前記複数の洗浄装置間で研磨後のポリッシング対象
物を搬送する搬送機構と、前記複数の洗浄装置を経由し
てポリッシング対象物が複数段の洗浄工程を経る間にポ
リッシング対象物を待機させるための置き台を具備した
ステーションとを備えたことを特徴とするものである。
本発明によれば、研磨後のポリッシング対象物を洗浄工
程を経る間に待機させることができるため、洗浄プロセ
ス時間が異なる複数の洗浄工程を複数のポリッシング対
象物について並列して行う場合に対応することができ
る。
A fourth aspect of the present invention is a polishing table having a polishing surface, a top ring for holding a polishing object and pressing the polishing object against the polishing surface,
A plurality of cleaning devices for cleaning the object to be polished after polishing, a transport mechanism for transporting the object to be polished between the plurality of cleaning devices, and a plurality of stages of the object to be polished via the plurality of cleaning devices. And a station having a table for holding the polishing object on standby during the cleaning step.
According to the present invention, a polishing target after polishing can be made to stand by during a cleaning process, so that a plurality of cleaning processes having different cleaning process times are performed in parallel with respect to a plurality of polishing targets. be able to.

【0013】本発明の第5の態様は、研磨すべきポリッ
シング対象物を供給するとともに研磨後のポリッシング
対象物を受け入れるロードアンロード部と、ポリッシン
グ対象物の研磨を行う研磨部と、研磨後のポリッシング
対象物を洗浄する洗浄部とを備え、前記ロードアンロー
ド部、研磨部および洗浄部は、それぞれポリッシング対
象物を通過させるための開口を備えた隔壁によって仕切
られた部屋に収容されていることを特徴とするものであ
る。本発明によれば、洗浄度が異なる各部屋が隔壁によ
って仕切られているため、汚染された部屋の雰囲気が他
の清浄な部屋に流入して清浄度を低下させる恐れがな
い。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a load / unload section for supplying a polishing target to be polished and receiving a polished polishing target, a polishing section for polishing the polishing target, and a polishing section for polishing the polishing target. A cleaning unit for cleaning the object to be polished, wherein the load / unload unit, the polishing unit, and the cleaning unit are housed in a room partitioned by a partition having an opening for passing the object to be polished. It is characterized by the following. According to the present invention, since the rooms having different degrees of cleaning are separated by the partition walls, there is no possibility that the atmosphere of the contaminated room flows into another clean room and lowers the degree of cleanliness.

【0014】本発明の第6の態様は、研磨面を有した複
数の研磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持しかつ
ポリッシング対象物を前記研磨面に押圧するトップリン
グと、研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗
浄装置と、ポリッシング対象物を搬送する搬送機構とを
備え、前記複数の研磨テーブルの研磨面は、粗研磨を行
う研磨面と仕上げ研磨を行う研磨面から構成されている
ことを特徴とするものである。本発明によれば、研磨速
度を大きくすることに重点を置いた研磨面と、研磨速度
は遅いが研磨後の被研磨面の表面状態のきめが更に細か
くなる仕上げ研磨用の研磨面とを組み合わせることによ
り、ポリッシング対象物を効率的に研磨を行うことがで
きるとともに良好な被研磨面が得られる。
According to a sixth aspect of the present invention, there are provided a plurality of polishing tables each having a polishing surface, a top ring for holding a polishing object and pressing the polishing object against the polishing surface, and a polishing object after polishing. A plurality of cleaning devices, and a transport mechanism for transporting an object to be polished, wherein the polishing surfaces of the plurality of polishing tables include a polishing surface for performing rough polishing and a polishing surface for performing final polishing. It is characterized by the following. According to the present invention, a polished surface focused on increasing the polishing rate is combined with a polished surface for finish polishing in which the polishing speed is low but the texture of the surface to be polished after polishing is finer. Thereby, the object to be polished can be efficiently polished and a good polished surface can be obtained.

【0015】本発明の第7の態様は、研磨すべきポリッ
シング対象物を供給するとともに研磨後のポリッシング
対象物を受け入れるロードアンロード部と、研磨面を有
した研磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持し、か
つポリッシング対象物を前記研磨面に押圧するトップリ
ングと、研磨後のポリッシング対象物を洗浄する3台以
上の洗浄装置と、ポリッシング対象物を搬送する搬送機
構とを備え、前記3台以上の洗浄装置の少なくとも2台
は、同一洗浄機能を有することを特徴とするものであ
る。本発明によれば、3台以上の洗浄装置のうち、同一
の洗浄モジュールの洗浄装置を少なくとも2台搭載して
いるため、長い時間を必要とする洗浄工程を2台以上の
洗浄装置に分けて処理することができ、即ち、タクトタ
イムの分散を図ることができ、単位時間あたりの処理枚
数(スループット)を増加させることができる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a loading / unloading section for supplying a polishing target to be polished and receiving a polished polishing target, a polishing table having a polishing surface, and holding the polishing target. And a top ring for pressing the object to be polished against the polishing surface, three or more cleaning devices for cleaning the object to be polished after polishing, and a transport mechanism for conveying the object to be polished, wherein the three or more At least two of the cleaning apparatuses have the same cleaning function. According to the present invention, since at least two cleaning devices of the same cleaning module are mounted among three or more cleaning devices, a cleaning step requiring a long time is divided into two or more cleaning devices. Processing can be performed, that is, tact time can be dispersed, and the number of processed sheets per unit time (throughput) can be increased.

【0016】本発明の第8の態様は、研磨面を有した研
磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持しポリッシン
グ対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと、前記
ポリッシング対象物を載置するとともに移動可能な複数
の置き台を備えた搬送機構と、前記置き台とトップリン
グとの間でポリッシング対象物を受け渡しするプッシャ
ーと、前記置き台との間でポリッシング対象物を受け渡
し可能であるとともにポリッシング対象物を反転する機
能を有する反転機とを備えたことを特徴とするものであ
る。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a polishing table having a polishing surface, a top ring for holding a polishing object and pressing the polishing object against the polishing surface, A transfer mechanism having a plurality of movable tables, a pusher for transferring the object to be polished between the table and the top ring, and a polishing apparatus capable of transferring the object to be polished between the table and polishing And a reversing machine having a function of reversing the object.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は本
発明の第1の実施形態に係るポリッシング装置の各部の
配置構成を示す平面図である。図1に示すポリッシング
装置は多数の半導体ウエハをストックするウエハカセッ
ト1を載置するロードアンロードステージ2を4つ備え
ている。ロードアンロードステージ2は昇降可能な機構
を有していても良い。ロードアンロードステージ2上の
各ウエハカセット1に到達可能となるように、走行機構
3の上に2つのハンドを有した搬送ロボット4が配置さ
れている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing an arrangement configuration of each part of the polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention. The polishing apparatus shown in FIG. 1 includes four load / unload stages 2 on which a wafer cassette 1 for storing a large number of semiconductor wafers is placed. The load / unload stage 2 may have a mechanism that can move up and down. A transfer robot 4 having two hands is arranged on the traveling mechanism 3 so that each of the wafer cassettes 1 on the load / unload stage 2 can be reached.

【0018】前記搬送ロボット4における2つのハンド
のうち下側のハンドはウエハカセット1より半導体ウエ
ハを受け取るときのみに使用され、上側のハンドはウエ
ハカセット1に半導体ウエハを戻すときのみに使用され
る。これは、洗浄した後のクリーンなウエハを上側にし
て、それ以上ウエハを汚さないための配置である。下側
のハンドはウエハを真空吸着する吸着型ハンドであり、
上側のハンドはウエハの周縁部を保持する落し込み型ハ
ンドである。吸着型ハンドはカセット内のウエハのずれ
に関係なく正確に搬送し、落し込み型ハンドは真空吸着
のようにごみを集めてこないのでウエハの裏面のクリー
ン度を保って搬送できる。搬送ロボット4の走行機構3
を対称軸に、ウエハカセット1とは反対側に2台の洗浄
機5,6が配置されている。各洗浄機5,6は搬送ロボ
ット4のハンドが到達可能な位置に配置されている。ま
た2台の洗浄機5,6の間で、ロボット4が到達可能な
位置に、4つの半導体ウエハの載置台7,8,9,10
を備えたウエハステーション50が配置されている。前
記洗浄機5,6は、ウエハを高速回転させて乾燥させる
スピンドライ機能を有しており、これによりウエハの2
段洗浄及び3段洗浄にモジュール交換することなく対応
することができる。
The lower hand of the two hands in the transfer robot 4 is used only when receiving a semiconductor wafer from the wafer cassette 1, and the upper hand is used only when returning the semiconductor wafer to the wafer cassette 1. . This is an arrangement in which the clean wafer after cleaning is placed on the upper side so that the wafer is not further contaminated. The lower hand is a suction hand that sucks the wafer by vacuum.
The upper hand is a drop-down hand that holds the peripheral edge of the wafer. The suction-type hand accurately transports the wafer regardless of the displacement of the wafer in the cassette, and the drop-down hand does not collect dust unlike vacuum suction, so that the wafer can be transported while maintaining the cleanness of the back surface of the wafer. Traveling mechanism 3 of transfer robot 4
Are disposed on the opposite side of the wafer cassette 1 with respect to the axis of symmetry. Each of the washing machines 5 and 6 is arranged at a position where the hand of the transfer robot 4 can reach. Further, between the two cleaning machines 5 and 6, four semiconductor wafer mounting tables 7, 8, 9, and 10 are placed at positions where the robot 4 can reach.
Is disposed. The cleaning machines 5 and 6 have a spin-drying function of rotating the wafer at a high speed to dry the wafer.
Step washing and three-step washing can be handled without replacing modules.

【0019】前記洗浄機5,6と載置台7,8,9,1
0が配置されている領域Bと前記ウエハカセット1と搬
送ロボット4が配置されている領域Aのクリーン度を分
けるために隔壁14が配置され、互いの領域の間で半導
体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャッター1
1が設けられている。洗浄機5と3つの載置台7,9,
10に到達可能な位置に2つのハンドを有した搬送ロボ
ット20が配置されており、洗浄機6と3つの載置台
8,9,10に到達可能な位置に2つのハンドを有した
搬送ロボット21が配置されている。
The washing machines 5, 6 and the mounting tables 7, 8, 9, 1
0 is arranged, and a partition 14 is arranged to separate the cleanliness of an area A where the wafer cassette 1 and the transfer robot 4 are arranged, and a semiconductor wafer is transferred between the areas. Shutter 1 at opening of partition
1 is provided. Washing machine 5 and three mounting tables 7, 9,
A transfer robot 20 having two hands is disposed at a position where the robot can reach the washing machine 6, and a transfer robot 21 having two hands at positions that can reach the washing machine 6 and the three mounting tables 8, 9 and 10. Is arranged.

【0020】前記載置台7は、搬送ロボット4と搬送ロ
ボット20との間で半導体ウエハを互いに受渡すために
使用され、半導体ウエハの有無検知用センサ71を具備
している。載置台8は、搬送ロボット4と搬送ロボット
21との間で半導体ウエハを受渡すために使用され、半
導体ウエハの有無検知用センサ72を具備する。載置台
9は、搬送ロボット21から搬送ロボット20へ半導体
ウエハを搬送するために使用され、半導体ウエハの有無
検知用センサ73と半導体ウエハの乾燥防止、もしくは
洗浄用のリンスノズル75を具備している。載置台10
は、搬送ロボット20から搬送ロボット21へ半導体ウ
エハを搬送するために使用され、半導体ウエハの有無検
知用センサ74と半導体ウエハの乾燥防止、もしくは洗
浄用のリンスノズル76を具備している。載置台9及び
10は共通の防水カバーの中に配置されていて、搬送用
のカバー開口部にはシャッター77を設けている。載置
台9は載置台10の上にあり、洗浄後のウエハを載置台
9に、洗浄前のウエハを載置台10に置くことにより、
リンス水の落下による汚染を防止している。なお、図1
においては、センサ71,72,73,74、リンスノ
ズル75,76、およびシャッター77は模式的に示し
たものであって、位置および形状は正確に図示されてい
ない。
The mounting table 7 is used for transferring semiconductor wafers between the transfer robot 4 and the transfer robot 20 and has a sensor 71 for detecting the presence or absence of a semiconductor wafer. The mounting table 8 is used to transfer a semiconductor wafer between the transfer robot 4 and the transfer robot 21 and includes a semiconductor wafer presence / absence detection sensor 72. The mounting table 9 is used for transferring a semiconductor wafer from the transfer robot 21 to the transfer robot 20 and includes a sensor 73 for detecting the presence or absence of a semiconductor wafer and a rinsing nozzle 75 for preventing drying or cleaning of the semiconductor wafer. . Mounting table 10
Is used for transferring a semiconductor wafer from the transfer robot 20 to the transfer robot 21 and includes a sensor 74 for detecting the presence or absence of a semiconductor wafer and a rinsing nozzle 76 for preventing drying or cleaning of the semiconductor wafer. The mounting tables 9 and 10 are arranged in a common waterproof cover, and a shutter 77 is provided at an opening of the cover for transport. The mounting table 9 is located on the mounting table 10. By placing the cleaned wafer on the mounting table 9 and the wafer before cleaning on the mounting table 10,
Prevents pollution caused by falling rinse water. FIG.
In FIG. 7, the sensors 71, 72, 73, 74, the rinsing nozzles 75, 76, and the shutter 77 are schematically shown, and their positions and shapes are not shown accurately.

【0021】前記搬送ロボット20および搬送ロボット
21の上側のハンドは、一度洗浄された半導体ウエハを
洗浄機もしくはウエハステーション50の載置台へ搬送
するのに使用され、下側のハンドは1度も洗浄されてい
ない半導体ウエハ、及び研磨される前の半導体ウエハを
搬送するのに使用される。下側のハンドで反転機へのウ
エハの出し入れを行うことにより、反転機上部の壁から
のリンス水のしずくにより上側のハンドを汚染すること
がない。前記洗浄機5と隣接するように搬送ロボット2
0のハンドが到達可能な位置に洗浄機22が配置されて
いる。また、洗浄機6と隣接するように搬送ロボット2
1のハンドが到達可能な位置に洗浄機23が配置されて
いる。前記洗浄機5,6,22,23とウエハステーシ
ョン50の載置台7,8,9,10と搬送ロボット2
0,21は全て領域Bの中に配置されていて、領域A内
の気圧よりも低い気圧に調整されている。前記洗浄機2
2,23は、両面洗浄可能な洗浄機である。
The upper hand of the transfer robot 20 and the transfer robot 21 is used to transfer the semiconductor wafer once cleaned to the washing machine or the mounting table of the wafer station 50, and the lower hand is used for cleaning once. It is used to transport semiconductor wafers that have not been polished and semiconductor wafers that have not been polished. By taking the wafer in and out of the reversing machine with the lower hand, the upper hand is not contaminated by drops of rinse water from the upper wall of the reversing machine. Transfer robot 2 so as to be adjacent to the washing machine 5
The washing machine 22 is arranged at a position where the hand 0 can reach. Further, the transfer robot 2 is positioned adjacent to the cleaning machine 6.
The washing machine 23 is arranged at a position where one hand can reach. The washing machines 5, 6, 22, and 23, the mounting tables 7, 8, 9, and 10 of the wafer station 50, and the transfer robot 2
0 and 21 are all arranged in the area B and are adjusted to a pressure lower than the pressure in the area A. The washing machine 2
Reference numerals 2 and 23 denote cleaning machines capable of cleaning both sides.

【0022】本ポリッシング装置は、各機器を囲むよう
にハウジング46を有しており、前記ハウジング46内
は隔壁14、隔壁15、隔壁16、隔壁24、および隔
壁47により複数の部屋(領域A、領域Bを含む)に区
画されている。隔壁24によって領域Bと区分されたポ
リッシング室が形成され、ポリッシング室は更に隔壁4
7によって2つの領域CとDに区分されている。そし
て、2つの領域C,Dにはそれぞれ2つの研磨テーブル
と、1枚の半導体ウエハを保持しかつ半導体ウエハを前
記研磨テーブルに対して押し付けながら研磨するための
1つのトップリングが配置されている。即ち、領域Cに
は研磨テーブル34,36、領域Dには研磨テーブル3
5,37がそれぞれ配置されており、また、領域Cには
トップリング32、領域Dにはトップリング33がそれ
ぞれ配置されている。また領域C内の研磨テーブル34
に研磨砥液を供給するための砥液ノズル40と、研磨テ
ーブル34のドレッシングを行うためのドレッサ38と
が配置されている。領域D内の研磨テーブル35に研磨
砥液を供給するための砥液ノズル41と、研磨テーブル
35のドレッシングを行うためのドレッサ39とが配置
されている。さらに、領域C内の研磨テーブル36のド
レッシングを行うためのドレッサ48と、領域D内の研
磨テーブル37のドレッシングを行うためのドレッサ4
9とが配置されている。なお、研磨テーブル36,37
の替わりに、湿式タイプのウエハ膜厚測定機を設置して
もよい。その場合は、研磨直後のウエハの膜厚を測定す
ることができ、ウエハの削り増しや、測定値を利用して
次のウエハへの研磨プロセスの制御を行うこともでき
る。
The polishing apparatus has a housing 46 surrounding each device. The housing 46 has a plurality of rooms (areas A, A) by a partition 14, a partition 15, a partition 16, a partition 24, and a partition 47. (Including region B). A polishing chamber separated from the region B by the partition wall 24 is formed, and the polishing chamber further includes a partition 4.
7, the area is divided into two areas C and D. In each of the two regions C and D, two polishing tables and one top ring for holding one semiconductor wafer and polishing while pressing the semiconductor wafer against the polishing table are arranged. . That is, the polishing tables 34 and 36 are provided in the area C, and the polishing tables 3 and 36 are provided in the area D.
5 and 37 are disposed, respectively, and a top ring 32 is disposed in the region C, and a top ring 33 is disposed in the region D. The polishing table 34 in the area C
A polishing liquid nozzle 40 for supplying a polishing liquid to the polishing table and a dresser 38 for dressing the polishing table 34 are arranged. A polishing liquid nozzle 41 for supplying a polishing liquid to the polishing table 35 in the region D and a dresser 39 for dressing the polishing table 35 are arranged. Further, a dresser 48 for dressing the polishing table 36 in the region C and a dresser 4 for dressing the polishing table 37 in the region D.
9 are arranged. The polishing tables 36 and 37
Instead, a wet type wafer film thickness measuring device may be installed. In this case, the film thickness of the wafer immediately after polishing can be measured, and the polishing of the next wafer can be controlled by using the measured value by increasing the amount of wafer scraping.

【0023】図2はトップリング32と研磨テーブル3
4,36との関係を示す図である。なお、トップリング
33と研磨テーブル35,37の関係も同様になってい
る。図2に示すように、トップリング32は回転可能な
トップリング駆動軸91によってトップリングヘッド3
1から吊下されている。トップリングヘッド31は位置
決め可能な揺動軸92によって支持されており、トップ
リング32は研磨テーブル34,36にアクセス可能に
なっている。また、ドレッサ38は回転可能なドレッサ
駆動軸93によってドレッサヘッド94から吊下されて
いる。ドレッサヘッド94は位置決め可能な揺動軸95
によって支持されており、ドレッサ38は待機位置と研
磨テーブル34上のドレッサ位置との間を移動可能にな
っている。ドレッサ48も同様に、回転可能なドレッサ
駆動軸96によってドレッサヘッド97から吊下されて
いる。ドレッサヘッド97は位置決め可能な揺動軸98
によって支持されており、ドレッサ48は待機位置と研
磨テーブル36上のドレッサ位置との間を移動可能にな
っている。
FIG. 2 shows the top ring 32 and the polishing table 3.
It is a figure which shows the relationship with 4,36. The relationship between the top ring 33 and the polishing tables 35 and 37 is the same. As shown in FIG. 2, the top ring 32 is rotated by a rotatable top ring drive shaft 91 to form the top ring head 3.
It is suspended from 1. The top ring head 31 is supported by a positionable swing shaft 92, and the top ring 32 can access the polishing tables 34 and 36. The dresser 38 is suspended from a dresser head 94 by a rotatable dresser drive shaft 93. The dresser head 94 has a positionable swing shaft 95.
The dresser 38 is movable between a standby position and a dresser position on the polishing table 34. The dresser 48 is also suspended from a dresser head 97 by a rotatable dresser drive shaft 96. The dresser head 97 has a positionable swing shaft 98.
The dresser 48 is movable between a standby position and a dresser position on the polishing table 36.

【0024】図1に示すように、隔壁24によって領域
Bとは区切られた領域Cの中にあって、搬送ロボット2
0のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転させ
る反転機28が、搬送ロボット21のハンドが到達可能
な位置に半導体ウエハを反転させる反転機28’がそれ
ぞれ配置されている。また、領域Bと領域Cを区切る隔
壁24には、半導体ウエハ搬送用の開口部が設けられ、
それぞれの反転機28と反転機28’専用のシャッター
25,26が開口部に設けられている。前記反転機28
及び反転機28’は、半導体ウエハをチャックするチャ
ック機構と半導体ウエハの表面と裏面を反転させる反転
機構と半導体ウエハを前記チャック機構によりチャック
しているかどうかを確認するウエハ有無検知センサとを
備えている。また、反転機28には搬送ロボット20に
よって半導体ウエハが搬送され、反転機28’には搬送
ロボット21によって半導体ウエハが搬送される。
As shown in FIG. 1, the transfer robot 2 is located in an area C separated from an area B by a partition wall 24.
A reversing device 28 for reversing the semiconductor wafer to a position where the hand 0 can reach, and a reversing device 28 'for reversing the semiconductor wafer to a position where the hand of the transfer robot 21 can reach are arranged. Further, the partition wall 24 that separates the region B and the region C is provided with an opening for transferring a semiconductor wafer,
Shutters 25 and 26 dedicated to each reversing machine 28 and reversing machine 28 'are provided in the openings. The reversing machine 28
And a reversing device 28 ′ includes a chuck mechanism for chucking the semiconductor wafer, a reversing mechanism for reversing the front and back surfaces of the semiconductor wafer, and a wafer presence / absence detection sensor for confirming whether or not the semiconductor wafer is chucked by the chuck mechanism. I have. The semiconductor wafer is transferred to the reversing device 28 by the transfer robot 20, and the semiconductor wafer is transferred to the reversing device 28 'by the transfer robot 21.

【0025】前記反転機28及び28’とトップリング
32及び33の下方に、洗浄室(領域B)とポリッシン
グ室(領域C,D)の間でウエハを搬送するロータリト
ランスポータ27が配置されている。ロータリトランス
ポータ27には、ウエハを載せるステージが4ヶ所等配
に設けてあり、同時に複数のウエハが搭載可能になって
いる。反転機28及び28’に搬送されたウエハは、ロ
ータリトランスポータ27のステージの中心と、反転機
28または28’でチャックされたウエハの中心の位相
が合った時に、ロータリトランスポータ27の下方に設
置されたリフタ29または29’が昇降することで、ロ
ータリトランスポータ27上に搬送される。ロータリト
ランスポータ27のステージ上に載せられたウエハは、
ロータリトランスポータ27の位置を90°変えること
で、トップリング32または33の下方へ搬送される。
トップリング32または33は予めロータリトランスポ
ータ27の位置に揺動している。トップリング32また
は33の中心が前記ロータリトランスポータ27に搭載
されたウエハの中心と位相が合ったとき、それらの下方
に配置されたプッシャー30または30’が昇降するこ
とで、ウエハはロータリトランスポータ27からトップ
リング32または33へ移送される。
Below the reversing machines 28 and 28 'and the top rings 32 and 33, a rotary transporter 27 for transferring a wafer between the cleaning chamber (area B) and the polishing chamber (areas C and D) is arranged. I have. The rotary transporter 27 is provided with stages on which wafers are mounted at four equally spaced positions, so that a plurality of wafers can be mounted at the same time. When the center of the stage of the rotary transporter 27 and the center of the wafer chucked by the inverter 28 or 28 ′ are in phase with each other, the wafers transferred to the reversing devices 28 and 28 ′ are positioned below the rotary transporter 27. The lifter 29 or 29 ′ is moved up and down to be conveyed onto the rotary transporter 27. The wafer placed on the stage of the rotary transporter 27
By changing the position of the rotary transporter 27 by 90 °, the rotary transporter 27 is transported below the top ring 32 or 33.
The top ring 32 or 33 has been swung to the position of the rotary transporter 27 in advance. When the center of the top ring 32 or 33 is in phase with the center of the wafer mounted on the rotary transporter 27, the pusher 30 or 30 'disposed below them moves up and down, so that the wafer is rotated. It is transferred from 27 to the top ring 32 or 33.

【0026】前記トップリング32および33に移送さ
れたウエハは、トップリングの真空吸着機構により吸着
され、ウエハは研磨テーブル34または35まで吸着さ
れたまま搬送される。そして、ウエハは研磨テーブル3
4,35上に取り付けられた研磨パッド又は砥石等から
なる研磨面で研磨される。トップリング32及び33が
それぞれに到達可能な位置に、前述した第2の研磨テー
ブル36と37が配置されている。これにより、ウエハ
は第1の研磨テーブル34,35で研磨が終了した後、
第2の研磨テーブル36,37で研磨できるようになっ
ている。しかしながら、半導体ウエハに付けられた膜種
によっては、第2の研磨テーブル36,37で研磨され
た後、第1の研磨テーブル34,35で処理されること
もある。この場合、第2の研磨テーブルの研磨面が小径
であることから、研磨パッドに比べて値段の高い砥石を
貼り付け、粗削りをした後に、大径の第1の研磨テーブ
ルに寿命が砥石に比べて短い研磨パッドを貼り付けて仕
上げ研磨をすることで、ランニングコストを低減するこ
とが可能である。このように、第1の研磨テーブルを研
磨パッド、第2の研磨テーブルを砥石とすることによ
り、安価な研磨テーブルを供給できる。というのは、砥
石の価格は研磨パッドより高く、径にほぼ比例して高く
なる。また、砥石より研磨パッドの方が寿命が短いの
で、仕上げ研磨のように軽荷重で行った方が寿命が延び
る。また、径が大きいと接触頻度が分散でき、寿命が延
びる。よって、メンテナンス周期が延び、生産性が向上
する。
The wafers transferred to the top rings 32 and 33 are suctioned by a vacuum suction mechanism of the top ring, and the wafers are transported while being suctioned to the polishing table 34 or 35. Then, the wafer is placed on the polishing table 3
Polishing is performed on a polishing surface, such as a polishing pad or a grindstone, mounted on the surfaces 4 and 35. The above-described second polishing tables 36 and 37 are arranged at positions where the top rings 32 and 33 can reach each. As a result, the wafer is polished at the first polishing tables 34 and 35,
Polishing can be performed by the second polishing tables 36 and 37. However, depending on the type of film applied to the semiconductor wafer, the semiconductor wafer may be polished by the second polishing tables 36 and 37 and then processed by the first polishing tables 34 and 35. In this case, since the polishing surface of the second polishing table has a small diameter, a grindstone that is more expensive than the polishing pad is attached, and after rough cutting, the life of the large-diameter first polishing table is smaller than that of the grindstone. The running cost can be reduced by attaching a short polishing pad and performing final polishing. In this manner, by using the first polishing table as a polishing pad and the second polishing table as a grindstone, an inexpensive polishing table can be supplied. This is because the price of a whetstone is higher than that of a polishing pad, and increases almost in proportion to the diameter. Further, since the life of the polishing pad is shorter than that of the grinding stone, the life is longer when the polishing is performed with a light load as in the finish polishing. Further, when the diameter is large, the contact frequency can be dispersed, and the life is prolonged. Therefore, the maintenance cycle is extended, and the productivity is improved.

【0027】この場合、第1の研磨テーブル34でウエ
ハを研磨した後に、第2の研磨テーブル36にトップリ
ング32が移動する前に、トップリング32が研磨テー
ブル34から離間した位置で、研磨テーブル34に隣接
して設置された洗浄液ノズル510によりトップリング
32に保持されたウエハに向けて洗浄液が噴射される。
これにより、第2の研磨テーブル36へ移動する前にウ
エハが一旦リンスされるので、複数の研磨テーブル相互
間の汚染が防止できる。
In this case, after the wafer is polished by the first polishing table 34, before the top ring 32 moves to the second polishing table 36, the polishing table is moved to a position where the top ring 32 is separated from the polishing table 34. The cleaning liquid is sprayed toward the wafer held by the top ring 32 by a cleaning liquid nozzle 510 installed adjacent to 34.
Thus, the wafer is once rinsed before moving to the second polishing table 36, so that contamination between the plurality of polishing tables can be prevented.

【0028】また、第1の研磨面にロデールニッタ社製
の研磨パッドIC1000/SUBA400を張り付
け、第2の研磨面に同じくロデールニッタ社製の研磨パ
ッドPOLITEXを張り付けるような2段研磨の方法
もある。この2段研磨は、小径の第2の研磨テーブルを
使用しなくても、大径のテーブル2つを使って順次研磨
することもできる。上記ではそれぞれ異なる研磨パッド
を使用して2段研磨をする方法を述べたが、同一の研磨
パッド、もしくは砥石を使用しても良い。第1の研磨面
および第2の研磨面で研磨が終了した後、ドレッサ3
8,39,48,49によってそれぞれの研磨面のドレ
ッシングを行う。ドレッシングとは、研磨テーブルの研
磨面がウエハの研磨によって劣化したことに対して、そ
の回復を図るための処置で、コンディショニング,修正
などと呼ばれることもある。
There is also a two-step polishing method in which a polishing pad IC1000 / SUBA400 manufactured by Rodel Nitta is adhered to the first polishing surface, and a polishing pad POLITEX also manufactured by Rodel Nitta is adhered to the second polishing surface. In this two-stage polishing, polishing can be sequentially performed using two large-diameter tables without using the second polishing table having a small diameter. In the above, the method of performing two-step polishing using different polishing pads has been described, but the same polishing pad or the same grindstone may be used. After polishing is completed on the first polishing surface and the second polishing surface, the dresser 3
The dressing of each polished surface is performed by 8, 39, 48 and 49. Dressing is a process for recovering a polishing surface of a polishing table from being deteriorated by polishing of a wafer, and is sometimes called conditioning, correction, or the like.

【0029】研磨が終了したウエハは、再び同じルート
で反転機28および28’まで戻される。反転機まで戻
されたウエハは、純水もしくは洗浄用の薬液によりリン
スノズルによってリンスされる。また、ウエハを離脱し
たトップリング32,33のウエハ吸着面は、トップリ
ング洗浄ノズルから純水もしくは薬液によって洗浄さ
れ、場合によっては乾燥防止のためにリンスされる。そ
して、隔壁にはプッシャー洗浄ノズルが取り付けてあ
り、前記プッシャーの洗浄も行えるようになっている。
また、ウエハの歩留まり、洗浄効果の向上のため、ウエ
ハをトップリングに吸着させた状態で薬液リンスするこ
ともでき、プッシャーの上方でロータリトランスポータ
27に保持された状態で薬液リンスすることもできる。
また後述するノズルでリフターを洗浄することもでき
る。
The polished wafer is returned to the reversing machines 28 and 28 'again along the same route. The wafer returned to the reversing machine is rinsed by pure water or a cleaning chemical by a rinse nozzle. Further, the wafer suction surfaces of the top rings 32 and 33 from which the wafer has been detached are cleaned with pure water or a chemical solution from a top ring cleaning nozzle, and in some cases, rinsed to prevent drying. A pusher cleaning nozzle is attached to the partition so that the pusher can be cleaned.
Further, in order to improve the yield of the wafer and the cleaning effect, the chemical solution can be rinsed while the wafer is adsorbed on the top ring, and the chemical solution can be rinsed while being held by the rotary transporter 27 above the pusher. .
Further, the lifter can be washed with a nozzle described later.

【0030】図2の右側部分には、ロータリトランスポ
ータ27と、反転機28又は28’と、リフタ29又は
29’と、プッシャー30又は30’との関係が示され
ている。図2に示すように、ロータリトランスポータ2
7の上方に反転機28又は28’が配置され、ロータリ
トランスポータ27の下方にリフタ29又は29’およ
びプッシャー30又は30’がそれぞれ配置されてい
る。
FIG. 2 shows the relationship between the rotary transporter 27, the reversing device 28 or 28 ', the lifter 29 or 29', and the pusher 30 or 30 '. As shown in FIG. 2, the rotary transporter 2
A reversing machine 28 or 28 ′ is arranged above 7, and a lifter 29 or 29 ′ and a pusher 30 or 30 ′ are arranged below the rotary transporter 27.

【0031】次に、ウエハの搬送ルートを説明する。本
装置の通常処理ルートは全てのユニットを自由に組合
せ、設定できるようにソフトウェアが組まれている。例
えば、以下の3通りの方法がある。 (1)2つのポリッシング室(領域Cおよび領域D)の
うち片側で1つのウエハカセット内のウエハを処理し、
もう片側のポリッシング室で別のウエハカセット内のウ
エハの処理に使用する方法(2カセットパラレル運転) (2)1つのウエハカセット内のウエハを任意に2つの
ポリッシング室に振り分けて処理を行う方法(1カセッ
トパラレル運転) (3)ウエハカセットからでたウエハを1つのポリッシ
ング室で処理した後、もう一方のポリッシング室で2段
目の処理をする方法(シリーズ運転)
Next, the wafer transfer route will be described. The normal processing route of this apparatus is provided with software so that all units can be freely combined and set. For example, there are the following three methods. (1) process wafers in one wafer cassette on one side of two polishing chambers (area C and area D);
Method used for processing wafers in another wafer cassette in the other polishing chamber (2-cassette parallel operation) (2) Method in which wafers in one wafer cassette are arbitrarily distributed to two polishing chambers for processing ( (1 cassette parallel operation) (3) A method in which wafers from a wafer cassette are processed in one polishing chamber and then processed in the second polishing chamber in the second stage (series operation)

【0032】また、洗浄室側では、ポリッシング室より
処理を終えて出てきたウエハを、以下の6通りの方法で
処理する。 (A)洗浄機22→洗浄機5と洗浄機23→洗浄機6の
2列の2段洗浄で払い出す方法 (B)洗浄機23→洗浄機6→洗浄機5の1列の3段洗
浄で払い出す方法、又は洗浄機22→洗浄機23又は6
→洗浄機5の1列の3段洗浄で払い出す方法 (C)洗浄機22と洗浄機23のどちらか洗浄の行われ
ていない方で洗浄する2列の1段洗浄と洗浄機6→洗浄
機5の1列の2段洗浄を組合せた3段洗浄で払い出す方
法 (D)洗浄機23→洗浄機6→洗浄機22→洗浄機5の
1列の4段洗浄で払い出す方法 (E)洗浄機22→洗浄機23→洗浄機6→洗浄機5の
1列の4段洗浄で払い出す方法 (F)1段目のポリッシングを終えたウエハを洗浄機2
2で洗浄した後に再び2段目のポリッシングを行い、そ
の後洗浄機23→洗浄機6→洗浄機5の1列の3段洗浄
で払い出す方法
On the cleaning chamber side, wafers that have come out of the polishing chamber after being processed are processed by the following six methods. (A) Method of dispensing by two-stage washing in two rows of washing machine 22 → washing machine 5 and washing machine 23 → washing machine 6 (B) Three-stage washing in one row of washing machine 23 → washing machine 6 → washing machine 5 , Or washing machine 22 → washing machine 23 or 6
→ Method of dispensing by single-row three-stage washing of washing machine 5 (C) Two-row single-stage washing and washing machine 6 to wash with either washing machine 22 or washing machine 23 which has not been washed → washing Method of paying out by three-stage washing combining two-stage washing of one line of washing machine 5 (D) Method of paying out by four-stage washing of one line of washing machine 23 → washing machine 6 → washing machine 22 → washing machine 5 (E ) Method of dispensing by one-stage four-stage cleaning of cleaning machine 22 → cleaning machine 23 → cleaning machine 6 → cleaning machine 5 (F) Wafer after finishing first-stage polishing is cleaned by cleaning machine 2
After the cleaning in step 2, the second-stage polishing is performed again, and then the payout is performed by three-step cleaning in one row of the cleaning machine 23 → the cleaning machine 6 → the cleaning machine 5.

【0033】上記(1)〜(3)および(A)〜(F)
を適宜組み合わせれば、組合せ方により以下の特徴があ
る。 (1−A)この組み合わせでは、2つのカセット間でプ
ロセスが異なる場合と複数のロットを高スループットで
払い出す場合にそれぞれ有効である。2つのカセット間
でプロセスが異なる場合には、2台のドライイン/ドラ
イアウトの装置が1台にまとまったような装置となる。
また、この組み合わせがもっともスループットが出るの
で、2つのカセットが同一のプロセスで生産能力がより
求められる場合に使用される。 (2−A)この組み合わせでは、1つのカセット内のウ
エハを短時間に処理する場合に有効である。また、1つ
のカセット内のウエハを任意に2種類のプロセスに分け
て処理することも可能である。 (3−A)2段洗浄工程のうち少なくとも1ヶ所の洗浄
時間が2段研磨のどちらの研磨時間よりも長い場合に
は、2段洗浄工程が1列だけであると洗浄時間につられ
て研磨の処理能力が低下してしまう。この場合に2段洗
浄工程が2列あると、研磨終了後のウエハが洗浄時間に
つられることなく払い出される。このようなケースで
は、この組み合わせがきわめて有効である。 (1−B)研磨終了後の洗浄工程で、3種類以上の洗浄
工程が必要な場合にこの組み合わせが取られる。また、
この組み合わせでは、洗浄工程が1列で処理されるため
に洗浄の処理能力が落ちるので、研磨時間が洗浄時間に
比べて長くなる時にはきわめて有効となる。 (2−B)1−Bのように複数のロットを1度に処理せ
ずに、1つのロットだけを処理する場合に使用され、1
−Bと同じ効果が得られる。 (3−B)1−Bと同じように、洗浄段数を3段要する
時にこの組み合わせで処理を行う。 (1−C)この組み合わせは、1−Bと同じ効果が得ら
れるが、1段目の洗浄工程での洗浄時間が他のウエハ処
理ユニットに比べ長い場合に、1段目の洗浄工程を2台
の洗浄機を使用することで、ウエハが搬送ルート上の1
段目の洗浄機で渋滞するのを緩和させ、処理能力を上げ
ることができる。 (2−C)1−Cと同様で2−Bと同じ理由からこの組
み合わせが使われる。 (3−C)1−Cと同様で3−Bと同じ理由からこの組
み合わせが使われる。(1,2,3−D,E)それぞれ
のポリッシング室の使い方に加え、洗浄工程が4段必要
な場合に使用される。 (3−F)2段研磨を行う上で、2段目の研磨でウエハ
に1段目の研磨剤が付着したまま研磨を行うのを防ぐた
めに、2段目の研磨に入る前に洗浄工程を入れて搬送さ
せるのにこの組み合わせを使用する。
The above (1) to (3) and (A) to (F)
Are appropriately combined, there are the following features depending on the combination. (1-A) This combination is effective when the processes are different between the two cassettes and when a plurality of lots are paid out with high throughput. If the processes are different between the two cassettes, the two dry-in / dry-out devices are integrated into one.
Further, since this combination has the highest throughput, the two cassettes are used when more production capacity is required in the same process. (2-A) This combination is effective when processing wafers in one cassette in a short time. It is also possible to arbitrarily divide the wafers in one cassette into two types of processes. (3-A) When the cleaning time of at least one of the two-stage cleaning steps is longer than either polishing time of the two-step polishing, if the two-step cleaning step is only one row, the polishing time is increased according to the cleaning time. Processing capacity is reduced. In this case, if there are two rows of two-stage cleaning steps, the wafer after polishing is paid out without being subjected to the cleaning time. In such a case, this combination is very effective. (1-B) This combination is adopted when three or more types of cleaning steps are required in the cleaning step after polishing is completed. Also,
This combination is extremely effective when the polishing time is longer than the cleaning time, because the cleaning process performance is reduced because the cleaning process is performed in one row. (2-B) Used when only one lot is processed without processing a plurality of lots at once as in 1-B.
The same effect as that of -B can be obtained. (3-B) Similar to 1-B, when three washing steps are required, the processing is performed in this combination. (1-C) This combination has the same effect as 1-B, but if the cleaning time in the first-stage cleaning step is longer than in other wafer processing units, the first-stage cleaning By using one washing machine, the wafer can be
It is possible to alleviate traffic congestion in the stage washer and increase the processing capacity. (2-C) This combination is used for the same reason as 1-C and for the same reason as 2-B. (3-C) This combination is used for the same reason as 1-C and the same reason as for 3-B. (1, 2, 3-D, E) In addition to the use of each polishing chamber, it is used when four cleaning steps are required. (3-F) In performing the second-stage polishing, a cleaning step is performed before starting the second-stage polishing in order to prevent the first-stage polishing agent from being adhered to the wafer in the second-stage polishing. This combination is used to put and transport.

【0034】本発明においては、それぞれ研磨テーブル
34,35を有した2つの研磨部を備えているため、研
磨部の少なくとも1つを使用してポリッシング装置を運
転中に他の研磨部のメンテナンスが可能である。洗浄部
はポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄機5,6,
22,23を備え、前記洗浄機の少なくとも1つを使用
してポリッシング装置を運転中に他の洗浄機のメンテナ
ンスが可能である。
In the present invention, since two polishing units each having the polishing tables 34 and 35 are provided, maintenance of another polishing unit can be performed during operation of the polishing apparatus using at least one of the polishing units. It is possible. The cleaning section includes a plurality of cleaning machines 5, 6, which clean the object to be polished.
22 and 23, at least one of the washing machines can be used to maintain another washing machine while the polishing apparatus is operating.

【0035】図3乃至図22は、図1に示すポリッシン
グ装置によってウエハのポリッシングを行う場合の一例
を示す模式的工程図であり、図3乃至図14は一つのウ
エハカセット(CS1)からウエハが取り出され、研磨
工程、洗浄工程を経てウエハカセット(CS1)に戻さ
れるまでの各工程と、もう一つのウエハカセット(CS
2)からウエハが取り出され、研磨工程、洗浄工程を経
てウエハカセット(CS2)に戻されるまでの各工程を
図示したものである。また図15乃至図22は一つのウ
エハカセット(CS1)からウエハが取り出され、研磨
工程、洗浄工程を経てウエハカセット(CS1)に戻さ
れるまでの各工程を図示したものである。図3乃至図2
2において、ウエハカセット1はCS1,CS2,CS
3,CS4で表し、搬送ロボット4,20,21はそれ
ぞれRBD,RBL,RBRで表し、洗浄機22,2
3,6,5はCL1,CL2,CL3,CL4で表し、
反転機28,28’はTOL,TORで表し、研磨テー
ブル34,35はTTL,TTRで表し、トップリング
32,33はTRL,TRRで表し、ロータリトランス
ポータ27のロード用置き台はLR,LLで表し、アン
ロード用置き台はULR,ULLで表している。またウ
エハステーション50の置き台7,8,9,10はそれ
ぞれDSL,DSR,WS1,WS2で表している。
FIGS. 3 to 22 are schematic process diagrams showing an example of the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1. FIGS. 3 to 14 show the case where the wafer is transferred from one wafer cassette (CS1). Each process from the removal to the wafer cassette (CS1) through the polishing process and the cleaning process, and another wafer cassette (CS1).
2 illustrates each process from the removal of the wafer from 2), the polishing process, the cleaning process, and returning to the wafer cassette (CS2). FIGS. 15 to 22 show the steps from the removal of a wafer from one wafer cassette (CS1) to the return to the wafer cassette (CS1) through a polishing step and a cleaning step. 3 and 2
2, the wafer cassette 1 is CS1, CS2, CS
3, CS4, the transfer robots 4, 20, 21 are represented by RBD, RBL, RBR, respectively, and the cleaning machines 22, 2,
3, 6, and 5 are represented by CL1, CL2, CL3, and CL4,
The reversing machines 28 and 28 'are represented by TTL and TOR, the polishing tables 34 and 35 are represented by TTL and TTR, the top rings 32 and 33 are represented by TRL and TRR, and the loading table of the rotary transporter 27 is LR and LL. , And the unloading table is represented by ULR and ULL. The tables 7, 8, 9, and 10 of the wafer station 50 are represented by DSL, DSR, WS1, and WS2, respectively.

【0036】図3乃至図7は2段洗浄の2カセットパラ
レル処理を示している。図3乃至図7に示すように、一
方のウエハは、ウエハカセット(CS1)→搬送ロボッ
ト(RBD)→ウエハステーションの置き台(DSL)
→搬送ロボット(RBL)→反転機(TOL)→ロード
用の置き台(LL)→トップリング(TRL)→研磨テ
ーブル(TTL)→トップリング(TRL)→アンロー
ド用の置き台(ULL)→反転機(TOL)→搬送ロボ
ット(RBL)→洗浄機(CL1)→搬送ロボット(R
BL)→洗浄機(CL4)→搬送ロボット(RBD)→
ウエハカセット(CS1)に至る経路を経る。
FIGS. 3 to 7 show two-cassette parallel processing of two-stage cleaning. As shown in FIGS. 3 to 7, one of the wafers is a wafer cassette (CS1) → a transfer robot (RBD) → a wafer station pedestal (DSL).
→ Transfer robot (RBL) → Reversing machine (TOL) → Loading table (LL) → Top ring (TRL) → Polishing table (TTL) → Top ring (TRL) → Unloading table (ULL) → Reversing machine (TOL) → transfer robot (RBL) → cleaning machine (CL1) → transfer robot (R
BL) → Cleaning machine (CL4) → Transfer robot (RBD) →
It passes through a path leading to the wafer cassette (CS1).

【0037】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット(RBD)→ウエハステーシ
ョンの置き台(DSR)→搬送ロボット(RBR)→反
転機(TOR)→ロード用の置き台(LR)→トップリ
ング(TRR)→研磨テーブル(TTR)→トップリン
グ(TRR)→アンロード用の置き台(ULR)→反転
機(TOR)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL
2)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL3)→搬
送ロボット(RBD)→ウエハカセット(CS2)に至
る経路を経る。
The other wafer is transferred from the wafer cassette (CS2) to the transfer robot (RBD) to the wafer station table (DSR) to the transfer robot (RBR) to the reversing machine (TOR) to the load table (LR). ) → Top ring (TRR) → Polishing table (TTR) → Top ring (TRR) → Placement table for unloading (ULR) → Reversing machine (TOR) → Transfer robot (RBR) → Cleaning machine (CL)
2) → Transfer robot (RBR) → Cleaner (CL3) → Transfer robot (RBD) → Wait cassette (CS2).

【0038】図8乃至図14は3段洗浄の2カセットパ
ラレル処理を示している。図8乃至図14に示すよう
に、一方のウエハは、ウエハカセット(CS1)→搬送
ロボット(RBD)→ウエハステーションの置き台(D
SL)→搬送ロボット(RBL)→反転機(TOL)→
ロード用の置き台(LL)→トップリング(TRL)→
研磨テーブル(TTL)→トップリング(TRL)→ア
ンロード用の置き台(ULL)→反転機(TOL)→搬
送ロボット(RBL)→洗浄機(CL1)→搬送ロボッ
ト(RBL)→ウエハステーションの置き台(WS2)
→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL3)→搬送ロ
ボット(RBR)→ウエハステーションの置き台(WS
1)→搬送ロボット(RBL)→洗浄機(CL4)→搬
送ロボット(RBD)→ウエハカセット(CS1)に至
る経路を経る。
FIGS. 8 to 14 show two-cassette parallel processing of three-stage cleaning. As shown in FIG. 8 to FIG. 14, one of the wafers is placed in a wafer cassette (CS1) → a transfer robot (RBD) → a wafer station mounting table (D
SL) → transfer robot (RBL) → reversing machine (TOL) →
Stand for loading (LL) → Top ring (TRL) →
Polishing table (TTL) → Top ring (TRL) → Unloading table (ULL) → Reversing machine (TOL) → Transfer robot (RBL) → Cleaning machine (CL1) → Transfer robot (RBL) → Place wafer station Stand (WS2)
→ Transfer robot (RBR) → Cleaning machine (CL3) → Transfer robot (RBR) → Wafer station platform (WS
1) → a transfer robot (RBL) → a cleaning machine (CL4) → a transfer robot (RBD) → a wafer cassette (CS1).

【0039】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット(RBD)→ウエハステーシ
ョンの置き台(DSR)→搬送ロボット(RBR)→反
転機(TOR)→ロード用の置き台(LR)→トップリ
ング(TRR)→研磨テーブル(TTR)→トップリン
グ(TRR)→アンロード用の置き台(ULR)→反転
機(TOR)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL
2)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL3)→搬
送ロボット(RBR)→ウエハステーションの置き台
(WS1)→搬送ロボット(RBL)→洗浄機(CL
4)→搬送ロボット(RBD)→ウエハカセット(CS
2)に至る経路を経る。
The other wafer is transferred from the wafer cassette (CS2) to the transfer robot (RBD) to the wafer station pedestal (DSR) to the transfer robot (RBR) to the reversing machine (TOR) and to the loading pedestal (LR). ) → Top ring (TRR) → Polishing table (TTR) → Top ring (TRR) → Placement table for unloading (ULR) → Reversing machine (TOR) → Transfer robot (RBR) → Cleaning machine (CL)
2) → Transfer robot (RBR) → Cleaner (CL3) → Transfer robot (RBR) → Placement table of wafer station (WS1) → Transfer robot (RBL) → Cleaner (CL)
4) → Transfer robot (RBD) → Wafer cassette (CS)
Via the route to 2).

【0040】図15乃至図22は3段洗浄のシリーズ処
理を示している。図15乃至図22に示すように、ウエ
ハは、ウエハカセット(CS1)→搬送ロボット(RB
D)→ウエハステーションの置き台(DSL)→搬送ロ
ボット(RBL)→反転機(TOL)→ロード用の置き
台(LL)→トップリング(TRL)→研磨テーブル
(TTL)→トップリング(TRL)→アンロード用の
置き台(ULL)→反転機(TOL)→搬送ロボット
(RBL)→洗浄機(CL1)→搬送ロボット(RB
L)→ウエハステーションの置き台(WS2)→搬送ロ
ボット(RBR)→反転機(TOR)→ロード用の置き
台(LR)→トップリング(TRR)→研磨テーブル
(TTR)→トップリング(TRR)→アンロード用の
置き台(ULR)→反転機(TOR)→搬送ロボット
(RBR)→洗浄機(CL2)→搬送ロボット(RB
R)→洗浄機(CL3)→搬送ロボット(RBR)→ウ
エハステーションの置き台(WS1)→搬送ロボット
(RBL)→洗浄機(CL4)→搬送ロボット(RB
D)→ウエハカセット(CS1)に至る経路を経る。図
3乃至図22では、一方のウエハがウエハカセット(C
S1)から、他方のウエハがウエハカセット(CS2)
から取り出されると記述しているが、ウエハカセット
(CS1,CS2)を一方の研磨テーブル(TTL)へ
ウエハを供給するカセットとし、ウエハカセット(CS
3,CS4)を他方の研磨テーブル(TTR)へウエハ
を供給するカセットとしてもよい。
FIGS. 15 to 22 show a series of three-step cleaning. As shown in FIGS. 15 to 22, the wafer is transferred from the wafer cassette (CS1) to the transfer robot (RB).
D) → Placement of wafer station (DSL) → Transfer robot (RBL) → Reversing machine (TOL) → Placement for loading (LL) → Top ring (TRL) → Polishing table (TTL) → Top ring (TRL) → Unloading table (ULL) → reversing machine (TOL) → transfer robot (RBL) → cleaning machine (CL1) → transfer robot (RB)
L) → Placement of wafer station (WS2) → Transfer robot (RBR) → Reversing machine (TOR) → Placement for loading (LR) → Top ring (TRR) → Polishing table (TTR) → Top ring (TRR) → Unloading table (ULR) → reversing machine (TOR) → transfer robot (RBR) → cleaning machine (CL2) → transfer robot (RB)
R) → Cleaning machine (CL3) → Transfer robot (RBR) → Placement of wafer station (WS1) → Transfer robot (RBL) → Cleaner (CL4) → Transfer robot (RB)
D) → via a path leading to the wafer cassette (CS1). 3 to 22, one of the wafers is a wafer cassette (C
From S1), the other wafer is placed in the wafer cassette (CS2).
The wafer cassette (CS1, CS2) is a cassette for supplying wafers to one polishing table (TTL), and the wafer cassette (CS
3, CS4) may be a cassette for supplying wafers to the other polishing table (TTR).

【0041】次に、図1に示すポリッシング装置の各部
の構成を詳細に説明する。ロードアンロード部 図23(a)および図23(b)はロードアンロード部
を示す図であり、図23(a)は正面図、図23(b)
は側面図である。図23(a)および図23(b)に示
すように、ロードアンロード部は、ウエハカセット1
(オープンカセット)を装置に搭載するためのロードア
ンロードステージ2を4つ備えている。このロードアン
ロードステージ2はウエハカセットの下の形状にあわせ
たブロックによる位置決め機構を有し、繰り返しカセッ
トを載せても常に同じ位置になるよう構成されている。
また、正しい位置にウエハカセットが搭載された場合に
は、ボタン式のセンサによりカセットの存在を検知す
る。同時にそのとき透過型光センサ351をウエハがカ
セットからある一定長飛出した場合に遮光されるように
カセットの上下に配置することで、ウエハ飛出しを検知
し、カセットのスロットにウエハが正しく収まっている
かどうかを見る。飛出しを検知した場合は、インターロ
ックが作動し、搬送ロボット4やサーチ機構352等が
ロードアンロード部に対してアクセスできないように制
御する。
Next, the configuration of each part of the polishing apparatus shown in FIG. 1 will be described in detail. Loading and unloading section view 23 (a) and FIG. 23 (b) is a diagram showing a loading and unloading section, FIG. 23 (a) is a front view, FIG. 23 (b)
Is a side view. As shown in FIGS. 23A and 23B, the loading / unloading section includes the wafer cassette 1
There are four load / unload stages 2 for mounting the (open cassette) on the apparatus. The loading / unloading stage 2 has a positioning mechanism using a block corresponding to the shape below the wafer cassette, and is configured to always be at the same position even if the cassette is repeatedly loaded.
When the wafer cassette is mounted at a correct position, the presence of the cassette is detected by a button-type sensor. At the same time, by arranging the transmission type optical sensor 351 above and below the cassette so that light is shielded when the wafer jumps out of the cassette for a certain length, the wafer jumping out is detected, and the wafer is correctly placed in the slot of the cassette. See if it is. If a jump is detected, an interlock is activated, and control is performed so that the transport robot 4 and the search mechanism 352 cannot access the load / unload section.

【0042】各ロードアンロードステージ2の下にはダ
ミーウエハステーション353がある。ダミーウエハス
テーション353は、ウエハを各1枚以上載置すること
が可能であり、製品ウエハを処理する前に研磨パッドの
状態を安定した状態にするのに使用するダミーウエハ
や、装置の状態を確認するために搬送させるQCウエハ
等を入れる。ダミーウエハステーション353内には、
ウエハ有無検知用のセンサ354が設置されており、ウ
エハの存在を確認することができる。また、飛出しセン
サも構成するが、ウエハ飛出しセンサ351で機能を共
有しても良い。ダミーウエハステーション353にウエ
ハを載せるため、カセットが載置されていない場合には
ステーションの上部に構成されるロードアンロードステ
ージ2を持ち上げて、手作業にてウエハを載せることも
可能になっている。ただ、標準的にダミーウエハステー
ション353へウエハを搭載する方法としては、ウエハ
を挿入したカセットを、任意のロードアンロードステー
ジ2に載せたあと、ウエハのサーチをし、どのウエハを
どのダミーウエハステーションに送るかをコントロール
パネルより指示すれば、カセット、ダミーウエハステー
ション双方にアクセス可能な搬送ロボット4によって、
ウエハをカセットからダミーウエハステーションへ移送
する方法がとられる。
Below each load / unload stage 2, there is a dummy wafer station 353. The dummy wafer station 353 can place one or more wafers each, and confirms a dummy wafer used to stabilize the state of the polishing pad and the state of the apparatus before processing a product wafer. QC wafers and the like to be transferred are loaded. In the dummy wafer station 353,
A sensor 354 for detecting the presence or absence of a wafer is provided, so that the presence of a wafer can be confirmed. In addition, an ejection sensor is also configured, but the function may be shared by the wafer ejection sensor 351. In order to place a wafer on the dummy wafer station 353, when a cassette is not placed, the load / unload stage 2 provided above the station can be lifted and a wafer can be placed manually. . However, as a standard method of mounting a wafer on the dummy wafer station 353, a cassette in which a wafer is inserted is placed on an arbitrary load / unload stage 2, and then a search for wafers is performed to find out which wafer is in which dummy wafer station. If the instruction is given from the control panel, the transfer robot 4, which can access both the cassette and the dummy wafer station,
A method of transferring wafers from a cassette to a dummy wafer station is adopted.

【0043】ロードアンロードステージ2の下部(ダミ
ーウエハステーションがある場合はさらにその下)に
は、ウエハサーチ機構352を備えている。サーチ機構
352は駆動源(パルスモータ)355により、上下に
ストローク可能で、その先には、ウエハサーチセンサ3
56が配置されている。サーチ機構352はウエハサー
チ動作中以外には装置内部に待機していて、他の動作部
分との干渉を防いでいる。サーチセンサ356は、ロー
ドアンロード部側面からみて、光線がカセット内を水平
に貫通するように向かい合って配置される。ウエハサー
チ時にはサーチ機構352がダミーウエハステーション
353の下からカセットの最終スロット上部まで往復
し、ウエハによって光線が遮光された回数をカウント
し、ウエハの枚数をカウントすると共にその位置を駆動
源のパルスモータのパルスから検知して、カセット内の
どのスロットにウエハがあるのかを判断する。また、あ
らかじめカセットのスロット間隔を入力しておき、その
間隔以上のパルス間でセンサの光線が遮光された場合に
はウエハが斜めに挿入されていることを検知するウエハ
斜め検知機能も設置されている。
A wafer search mechanism 352 is provided below the load / unload stage 2 (if there is a dummy wafer station, if any). The search mechanism 352 can be moved up and down by a drive source (pulse motor) 355, and the search mechanism
56 are arranged. The search mechanism 352 is on standby inside the apparatus except during the wafer search operation to prevent interference with other operation parts. The search sensor 356 is disposed so as to face the light so as to pass horizontally through the cassette when viewed from the side of the load / unload unit. At the time of wafer search, the search mechanism 352 reciprocates from under the dummy wafer station 353 to the upper portion of the last slot of the cassette, counts the number of times light rays are shielded by the wafer, counts the number of wafers, and uses the position as a pulse motor as a driving source. To determine in which slot in the cassette the wafer is located. In addition, the slot interval of the cassette is input in advance, and a wafer oblique detection function for detecting that the wafer is inserted obliquely when the light beam of the sensor is shielded between pulses longer than the interval is installed. I have.

【0044】また、ウエハカセットの開口部と装置の間
には、シリンダにより上下に駆動されるシャッター35
7が配置され、カセット搭載エリアと装置内を遮断す
る。前記シャッター357はカセットに対して搬送ロボ
ット4がウエハを出し入れしている場合を除き、閉じら
れている。さらには、装置前面に対して複数並べられた
ロードアンロードステージ2の間にはそれぞれ隔壁35
8を設ける。これにより、処理終了後のカセット交換作
業中、隣のカセットが稼働中でも人が誤って触れること
なくカセットにアクセスできる。また、ロードアンロー
ド部の前面は更に扉360で装置外部と遮られている。
扉360には、ロック機構と、開閉判別用のセンサ36
1が設けられており、処理中に扉360をロックするこ
とにより、カセットの保護と人体への危険を未然に防止
している。また、扉が一定時間開き放しになっている時
にアラーム(警報)を発するようになっている。
A shutter 35 driven up and down by a cylinder is provided between the opening of the wafer cassette and the apparatus.
7 is arranged to shut off the cassette mounting area and the inside of the apparatus. The shutter 357 is closed except when the transfer robot 4 takes a wafer in and out of the cassette. Further, partition walls 35 are provided between the load / unload stages 2 arranged on the front of the apparatus.
8 is provided. As a result, during the cassette replacement operation after the processing is completed, the cassette can be accessed without being touched by a person while the adjacent cassette is operating. The front surface of the load / unload unit is further shielded from the outside of the apparatus by a door 360.
The door 360 has a lock mechanism and a sensor 36 for opening and closing.
1 is provided to lock the door 360 during processing, thereby protecting the cassette and preventing danger to the human body. Also, an alarm is issued when the door is left open for a certain period of time.

【0045】カセットをロードアンロード部へ載置する
方法として以下の2通りある。 (1)ウエハが収納されたカセットでそのまま載置台へ
置く方法。これはクリーンルームのロードアンロード部
に面している部屋が比較的清浄な状態にある場合、例え
ば、クラス100以下の時にとられる手段である。 (2)クリーンルームのロードアンロード部に面した部
屋が比較的ダーティ(汚れた)な状態にある場合、例え
ば、クラス1000以上の時にはカセットをクラス10
0程度に管理された箱の中に入れ、クリーンルーム内を
搬送し、そのままロードアンロード部へ載置する手段が
とられる。(1)の手段をとる場合には、ロードアンロ
ード部にフィルタファンユニット10000を構成する
ことでカセットの載置される場所を特に清浄な状態に保
つ。
There are the following two methods for placing the cassette on the loading / unloading section. (1) A method in which a wafer is stored on a mounting table in a cassette containing the wafer. This is a measure to be taken when the room facing the load / unload section of the clean room is relatively clean, for example, when the class is 100 or less. (2) When the room facing the load / unload section of the clean room is relatively dirty (dirty), for example, when the class is 1000 or more, the cassette is placed in class 10
Means are taken in a box controlled to about 0, transported in a clean room, and placed on the load / unload section as it is. When the means (1) is adopted, the place where the cassette is mounted is kept particularly clean by configuring the filter fan unit 10000 in the load / unload section.

【0046】図24はロードアンロード部の他の例を示
す図であり、上記(2)の手段をとる場合を示す図であ
る。(2)の手段をとる場合には、箱367の中にウエ
ハカセット1が収納された状態でロードアンロードステ
ージ2上に置かれる。箱367がロードアンロードステ
ージ2上に置かれると、ロードアンロードステージ2に
取り付けられたステージ366と箱367の底板363
はロックされるように互いに固定される。箱367と底
板363は密閉されるように取付けられている。また、
ステージ366と底板363がロックされると同時にロ
ードアンロードステージ2と箱367は密着され、箱3
67と底板363は解放されて自由に取外しができるよ
うになる。
FIG. 24 is a diagram showing another example of the load / unload unit, and is a diagram showing a case where the means (2) is employed. When the means (2) is employed, the wafer cassette 1 is placed on the load / unload stage 2 with the wafer cassette 1 stored in the box 367. When the box 367 is placed on the load / unload stage 2, the stage 366 attached to the load / unload stage 2 and the bottom plate 363 of the box 367
Are locked together to be locked. The box 367 and the bottom plate 363 are attached so as to be sealed. Also,
At the same time that the stage 366 and the bottom plate 363 are locked, the load / unload stage 2 and the box 367 are in close contact with each other.
67 and bottom plate 363 are released and can be freely removed.

【0047】ステージ366は昇降機構362を具備し
ており、ステージ366とウエハカセット1を載せた底
板363は共に昇降可能である。ステージ366と底板
363がロックされたことを確認すると、ステージ36
6は下降し、ウエハカセット1を装置内部364へ入れ
込む。装置内部364を清浄な状態に保っていれば、ウ
エハカセット1は装置内部364よりもダーティな装置
外の雰囲気365にさらされることなく装置内部へ搬入
することができ、ロードアンロードステージ2よりも下
に位置する場所に搬送ロボット4がウエハを受取りに来
ることでウエハをポリッシング装置内に搬入することが
できる。
The stage 366 has a lifting mechanism 362, and both the stage 366 and the bottom plate 363 on which the wafer cassette 1 is mounted can be raised and lowered. When it is confirmed that the stage 366 and the bottom plate 363 are locked, the stage 36
6 descends and inserts the wafer cassette 1 into the inside 364 of the apparatus. If the inside of the apparatus 364 is kept in a clean state, the wafer cassette 1 can be carried into the apparatus without being exposed to the atmosphere 365 outside the apparatus which is more dirty than the inside of the apparatus 364, and the wafer cassette 1 can be loaded more easily than the load / unload stage 2. The wafer can be carried into the polishing apparatus by the transfer robot 4 coming to a place located below to receive the wafer.

【0048】洗浄機 本ポリッシング装置に搭載される洗浄機のうち、洗浄機
22と23では、ロール状のスポンジをロールの軸を中
心に回転させてウエハに押付けてウエハの裏面を洗浄で
きるようになっており、ウエハの表面はロール状のスポ
ンジを回転させながらウエハに押付けて洗浄するロール
タイプと、半球状のスポンジを回転させながら押付けて
洗浄するペンシルタイプのどちらかが選択でき、更に、
洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの
のものを付加することができる。洗浄機22及び23は
主にウエハ上のパーティクルを落す役割を担っている。
また、どの方法を選んだ場合にも、各洗浄機には3種類
以上の洗浄液をウエハの表面(被研磨面)及びウエハの
裏面に供給することができる。前記洗浄液は純水を使用
しても良い。
[0048] Among the washing machines to be mounted to the cleaning machine the polishing apparatus, the cleaning apparatus 22 and 23, as the roll-shaped sponge can clean the backside of the wafer is pressed against the wafer is rotated about the axis of the roll The surface of the wafer can be selected from either a roll type that presses and cleans the wafer while rotating the roll-shaped sponge or a pencil type that presses and cleans while rotating the hemispherical sponge.
A megasonic type that cleans by applying ultrasonic waves to the cleaning liquid can be added. The cleaning machines 22 and 23 mainly play a role of dropping particles on the wafer.
Also, whichever method is selected, three or more cleaning liquids can be supplied to each cleaning machine to the front surface (polished surface) of the wafer and the back surface of the wafer. The cleaning liquid may use pure water.

【0049】洗浄機5,6には、ウエハの裏面はリンス
洗浄することができ、ウエハ表面の洗浄は半球状のスポ
ンジを回転させながら押付けて洗浄するペンシルタイプ
と、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイ
プが同時にできるようになっている。各洗浄機では3種
類以上の洗浄液をウエハの表面及びウエハの裏面に供給
することができる。前記洗浄液は純水を使用しても良
い。そして、ウエハをチャックするステージは高速で回
転させることが可能で、洗浄後のウエハを乾燥させる機
能がつけられている。
In the cleaning machines 5 and 6, the back surface of the wafer can be rinse-cleaned, and the cleaning of the wafer surface can be performed by pressing a hemispherical sponge while rotating it, or by applying ultrasonic waves to the cleaning liquid. The megasonic type to be cleaned can be done at the same time. Each cleaning machine can supply three or more cleaning liquids to the front surface of the wafer and the back surface of the wafer. The cleaning liquid may use pure water. The stage for chucking the wafer can be rotated at a high speed, and has a function of drying the washed wafer.

【0050】また、上記の各洗浄機に搭載可能なメガソ
ニックタイプに代わり、キャビテーション効果を利用し
たキャビジェットタイプでも同様な効果が得られるの
で、キャビジェットタイプを搭載しても良い。上記洗浄
機5,6,22,23のウエハ搬入口には、図1に示す
ように、それぞれシャッター5a,6a,22a,23
aが取り付けられており、ウエハが搬入される時のみ開
口可能となっている。また、各洗浄液供給ラインにはエ
アーの圧力で制御できる定流量弁が配備されており、エ
アー圧を制御する電空レギュレータを組合せることで、
コントロールパネルから流量を自由に設定可能になって
いる。そして、各洗浄機に供給される洗浄液、洗浄方
法、洗浄時間はコントロールパネルから任意に設定でき
るようになっている。洗浄室(領域B)のベース部分に
は、ガイドが取り付けられ、このガイド内に洗浄機を入
れ込むことで、容易に洗浄機のタイプを交換できるよう
に構成され、交換後も同じ位置に搭載できるように位置
決め機構が設けられている。
In addition, instead of the megasonic type which can be mounted on each of the above-mentioned washing machines, the same effect can be obtained with the cavitation jet type utilizing the cavitation effect. As shown in FIG. 1, shutters 5a, 6a, 22a, and 23 are provided at wafer entrances of the cleaning machines 5, 6, 22, and 23, respectively.
a is attached and can be opened only when a wafer is carried in. In addition, each cleaning liquid supply line is provided with a constant flow valve that can be controlled by air pressure, and by combining an electropneumatic regulator that controls air pressure,
The flow rate can be set freely from the control panel. The cleaning liquid supplied to each cleaning machine, the cleaning method, and the cleaning time can be arbitrarily set from the control panel. A guide is attached to the base part of the cleaning room (area B), and the type of the cleaning machine can be easily changed by inserting the cleaning machine into this guide. A positioning mechanism is provided to enable this.

【0051】気流 本装置はロードアンロード部(領域A)、洗浄室(領域
B)、ポリッシング室(領域C,D)の4つの領域に区
画されている。ポリッシング室(領域C,D)の気流構
成は大きく4つに分類され、1つ目はスラリー等のダス
トの飛散防止を目的とした研磨テーブル廻りの排気、2
つ目はプッシャー領域でのウエハ、プッシャー及びトッ
プリングの洗浄時に発生する洗浄液のミストの飛散防止
を目的としたプッシャー周辺の排気、3つ目は研磨パッ
ド等の消耗部材を交換する際に、ポリッシング室内のウ
エットな雰囲気を外に出さないように、ポリッシング室
のウエットな雰囲気に通じる扉を開くと同時にその領域
全体を排気する、ポリッシング室のウエット領域全体の
排気、4つ目はモータやその他制御機器から排出された
熱を吸引するための排気であり、全てが排気をとること
で、ポリッシング室全体がポリッシング室外部に比べて
負圧となっている。3つ目の排気構成では、扉を開くと
同時に排気を取るようにするために、扉のセンサと連動
させて、自動的にダンパを開く構造をとる必要があるの
で、ダンパへアクチュエータを取り付け、ダンパを開閉
させている。
The air flow apparatus is divided into four areas: a load / unload section (area A), a cleaning chamber (area B), and a polishing chamber (areas C and D). The air flow composition of the polishing chambers (regions C and D) is roughly classified into four types. The first is exhaust around the polishing table for the purpose of preventing scattering of dust such as slurry.
First, exhaust around the pusher to prevent the mist of the cleaning liquid generated when cleaning the wafer, pusher and top ring in the pusher area. Open the door to the wet atmosphere of the polishing chamber and exhaust the entire area at the same time so that the wet atmosphere in the room does not go outside. Exhaust the entire wet area of the polishing chamber. Exhaust is for exhausting heat exhausted from the equipment, and all of the exhaust is exhausted, so that the entire polishing chamber has a negative pressure compared to the outside of the polishing chamber. In the third exhaust configuration, it is necessary to automatically open the damper in conjunction with the door sensor in order to take the exhaust at the same time as opening the door. The damper is opened and closed.

【0052】また、他の各排気通路には、排気量を調整
できるダンパが取り付けられるようになっており、必要
に応じて、各排気通路の排気量を調整して全体の排気バ
ランスを取っている。ポリッシング装置の1次側の排気
口には圧力スイッチが設置されており、排気が取られて
いないときには装置から警報を出力したり、場合によっ
ては装置を停止させることで、安全に装置を運用できる
ように設定されている。
Further, a damper capable of adjusting the amount of exhaust gas is attached to each of the other exhaust passages. If necessary, the amount of exhaust gas in each of the exhaust passages is adjusted to balance the entire exhaust gas. I have. A pressure switch is installed at the exhaust port on the primary side of the polishing device, and when the exhaust is not taken, an alarm is output from the device or, in some cases, the device is stopped, so that the device can be operated safely. It is set as follows.

【0053】図25は、洗浄室(領域B)の気流構成を
示す模式図である。図25に示すように、洗浄室(領域
B)の気流構成は、洗浄室(領域B)の天井部に取り付
けられたフィルタ190(例えばULPAフィルタやH
EPAフィルタ)とファン191とを有するフィルタフ
ァンユニット194と、洗浄室(領域B)内の空気をフ
ィルタファンユニット194に戻して空気を循環させる
ためのダクト193と、4台の洗浄機からの個別排気1
97と、フィルタファンユニット194に設けられた空
気の吸入口195とから構成されている。また、空気中
に含まれる金属イオン(例えばNH やK等)を除
去したい場合には、更にケミカルフィルタを追加するこ
とができる。
FIG. 25 is a schematic diagram showing the airflow configuration of the cleaning chamber (region B). As shown in FIG. 25, the airflow configuration of the cleaning room (region B) is based on a filter 190 (for example, an ULPA filter or an H filter) attached to the ceiling of the cleaning room (region B).
A filter fan unit 194 having an EPA filter and a fan 191, a duct 193 for returning air in the cleaning chamber (area B) to the filter fan unit 194 and circulating the air, and a separate unit from the four cleaning machines. Exhaust 1
97 and an air inlet 195 provided in the filter fan unit 194. When it is desired to remove metal ions (for example, NH 4 and K + ) contained in the air, a chemical filter can be further added.

【0054】洗浄室(領域B)内の空気は、フィルタフ
ァンユニット194のファン191によって空気がフィ
ルタ190を介して送り込まれ、さらにはダウンフロー
を与えられる。この与えられるダウンフローは、ファン
191の風量を調整する機構198によって調整されて
いる。機構198はインバータやサイリスタ式交流電力
調整器から構成されている。洗浄機より排気された分の
空気Eは、フィルタファンユニット194に設けられた
開口部195より洗浄室(領域B)内へ取り込まれ補わ
れる。また、洗浄機から排気された空気以外の空気F
は、ダクト193を介してフィルタファンユニット19
4に送られ、再びフィルタ190を通して空気を清浄な
状態にして洗浄室(領域B)に戻され循環される。洗浄
室(領域B)内の気圧はダクト193に設けられたダン
パ192の開度によって調整される。
The air in the cleaning chamber (area B) is sent through the filter 190 by the fan 191 of the filter fan unit 194, and further downflow is provided. The given downflow is adjusted by a mechanism 198 for adjusting the air volume of the fan 191. The mechanism 198 includes an inverter and a thyristor type AC power regulator. The air E exhausted from the washing machine is taken into the washing chamber (area B) through an opening 195 provided in the filter fan unit 194 and supplemented. Further, air F other than the air exhausted from the washing machine is used.
Is connected to the filter fan unit 19 through the duct 193.
4 and again returned to the cleaning chamber (area B), where the air is cleaned through the filter 190 and circulated. The pressure in the cleaning chamber (area B) is adjusted by the opening degree of a damper 192 provided in the duct 193.

【0055】各洗浄機より排気される空気は、個別に設
置された排気経路から排気されるが、使用する洗浄薬液
同士の化学反応等によって悪影響を及ぼすことがなけれ
ば、それぞれの排気経路をまとめて装置外へ排気しても
よい。また、各排気経路にはダンパが設けられており、
排気量のバランスが取られるようになっている。
The air exhausted from each of the cleaning machines is exhausted from an individually installed exhaust path. If there is no adverse effect due to a chemical reaction between the used cleaning chemicals, the respective exhaust paths are put together. May be exhausted out of the apparatus. In addition, a damper is provided in each exhaust path,
The displacement is balanced.

【0056】ロードアンロード部(領域A)の気流構成
は、洗浄室(領域B)から洗浄機の個別排気を除いた構
成と同様に構成される。したがって、気流の調整方法も
洗浄室(領域B)と同様であるが、唯一異なる部分は、
洗浄室(領域B)内の気圧よりもロードアンロード部
(領域A)内の気圧を高く調整するところにある。この
ように、リターンダクト193を設置して装置内の空気
を循環させ、フィルタ190を介して再利用すること
で、クリーンルーム内から装置内へ取り込むクリーンに
された空気の量を削減し、省エネルギー化に役立ててい
る。
The air flow configuration of the load / unload section (area A) is the same as that of the cleaning chamber (area B) except for the individual exhaust of the washing machine. Therefore, the method of adjusting the airflow is the same as that of the cleaning room (region B), but the only difference is that
The pressure in the load / unload section (region A) is adjusted to be higher than the pressure in the cleaning chamber (region B). In this way, by installing the return duct 193 to circulate the air in the apparatus and reuse it through the filter 190, the amount of clean air taken into the apparatus from the clean room can be reduced, and energy can be saved. Has helped.

【0057】装置全体での気流を見ると、最もクリーン
度を要求されるロードアンロード部(領域A)が最も気
圧が高くなり、次いで洗浄室(領域B)、ポリッシング
室(領域C,D)という順に気圧が下がるように調整さ
れる。また、クリーンルームのクリーン度によっては、
例えばクリーンルームのクリーン度がウエハに必要とさ
れるクリーン度よりも落ちる場合には、装置内の気圧を
クリーンルームよりも高くし、クリーンルーム内のクリ
ーン度がウエハに必要とされるクリーン度と同等かそれ
以上であった場合には、装置内の気圧をクリーンルーム
内の気圧よりも下げるように、装置内全体の気圧をダン
パで調整できるようになっている。
Looking at the air flow in the entire apparatus, the load / unload section (area A), which requires the highest degree of cleanliness, has the highest air pressure, followed by the cleaning chamber (area B) and the polishing chamber (areas C and D). The pressure is adjusted in such a way that the pressure decreases. Also, depending on the cleanness of the clean room,
For example, if the cleanliness level of the clean room is lower than the cleanliness level required for the wafers, the air pressure in the apparatus is set higher than that of the clean room, and the cleanliness level in the clean room is equal to or lower than the cleanliness level required for the wafers. In the case described above, the pressure in the entire apparatus can be adjusted by the damper so that the pressure in the apparatus is lower than the pressure in the clean room.

【0058】搬送ロボット 図26は、搬送ロボット4を示す側面図である。図26
に示すように、搬送ロボット4は、旋回のθ軸120、
ハンド伸縮のR1(上ハンド),R2(下ハンド)軸1
21−1,121−2、上下のZ軸122、カセットの
並び方向の走行X軸123を有している。ただし、ロボ
ットのZ軸122は、ロボットボディ124に組み込ん
であっても良い。また、ハンドには上下ハンド共に真空
ラインを有しており、従来のように真空吸着ハンドとし
て使用することも可能である。また、ウエハ101の裏
面を汚染しないために、上ハンドに、ウエハのエッジ部
分を保持するセラミックス製薄型落し込みハンド125
を使用してもよい。該セラミック製薄型押し込みハンド
125は、洗浄機5,6からウエハを取出し、ウエハカ
セット1に収納するまでの搬送工程に使用すると効果的
である。つまり、少なくとも洗浄終了後のウエハの搬送
に該落し込みハンドを使用するのがよい。但し、膜厚測
定器がある場合には、同ハンドにて、膜厚測定器への受
取受渡しを行う。下ハンドには、セラミックス製2股真
空吸着ハンド126を用いており、真空ラインを有して
いる。このハンド126はウエハカセット1からのウエ
ハ取出し及びウエハステーション50へのウエハの受渡
し動作を行う。
Transfer Robot FIG. 26 is a side view showing the transfer robot 4. FIG.
As shown in the figure, the transfer robot 4 has a turning θ axis 120,
R1 (upper hand), R2 (lower hand) axis 1
21-1 and 121-2, an upper and lower Z axis 122, and a traveling X axis 123 in the direction in which the cassettes are arranged. However, the Z axis 122 of the robot may be incorporated in the robot body 124. Further, the hand has vacuum lines in both upper and lower hands, and can be used as a vacuum suction hand as in the related art. In order to prevent the back surface of the wafer 101 from being contaminated, a thin ceramic dropping hand 125 for holding an edge portion of the wafer is provided on the upper hand.
May be used. The ceramic thin pushing hand 125 is effective when used in a transfer process from taking out wafers from the cleaning machines 5 and 6 to storing them in the wafer cassette 1. That is, it is preferable to use the dropping hand at least for transferring the wafer after the cleaning is completed. However, if there is a film thickness measuring device, the hand is used to transfer the film to the film thickness measuring device. As the lower hand, a ceramic forked vacuum suction hand 126 is used, and has a vacuum line. The hand 126 performs an operation of taking out the wafer from the wafer cassette 1 and transferring the wafer to the wafer station 50.

【0059】図27は搬送ロボット20(又は21)を
示す斜視図である。図27に示すように、搬送ロボット
20(又は21)は、旋回のθ軸120、ハンド伸縮の
R1(上ハンド),R2(下ハンド)軸121−1,1
21−2、上下のZ軸122を有している。また、上ハ
ンド125、下ハンド126は、ともに落し込みハンド
を使用する。搬送ロボット20の上ハンド125は、洗
浄機22、洗浄機5、ウエハステーション50の置き台
9,10に対してアクセス可能である。搬送ロボット2
0の下ハンド126は、ウエハステーション50の置き
台7、洗浄機22、反転機28に対してアクセス可能で
ある。また搬送ロボット21の上ハンド125は洗浄機
23、洗浄機6、ウエハステーション50の置き台9,
10に対してアクセス可能である。搬送ロボット21の
下ハンド126はウエハステーションの置き台8、洗浄
機23、反転機28’に対してアクセス可能である。図
27においては、上ハンド125、下ハンド126は、
ともにウエハ101を保持した状態を示している。
FIG. 27 is a perspective view showing the transfer robot 20 (or 21). As shown in FIG. 27, the transfer robot 20 (or 21) has a θ axis 120 for turning, and R1 (upper hand) and R2 (lower hand) axes 121-1, 1 for hand expansion and contraction.
21-2, and has an upper and lower Z axis 122. The upper hand 125 and the lower hand 126 both use a dropping hand. The upper hand 125 of the transfer robot 20 can access the cleaning machine 22, the cleaning machine 5, and the tables 9 and 10 of the wafer station 50. Transfer robot 2
The lower hand 126 can access the table 7, the cleaning machine 22, and the reversing machine 28 of the wafer station 50. The upper hand 125 of the transfer robot 21 is provided with the washing machine 23, the washing machine 6, the table 9 of the wafer station 50,
10 are accessible. The lower hand 126 of the transfer robot 21 can access the table 8 of the wafer station, the cleaning machine 23, and the reversing machine 28 '. In FIG. 27, the upper hand 125 and the lower hand 126
Both show a state where the wafer 101 is held.

【0060】ウエハステーション 図28はウエハステーションを示す図であり、図28
(a)は正面図、図28(b)は側面図、図28(c)
は図28(a)のI矢視図、図28(d)は図28
(a)のII矢視図、図28(e)は図28(a)のIII
矢視図である。図28(a)乃至図28(e)に示すよ
うに、ウエハステーション50は、ウエハ置き台7,
8,9,10から構成され、同時に4枚のウエハが保持
可能になっている。大きく分けてステーションは左右に
振り分けられた置き台7,8のドライステーションと上
下に振り分けられた置き台9,10のウェットステーシ
ョンに区別される。
[0060] the wafer station Figure 28 is a diagram showing a wafer station, FIG. 28
28A is a front view, FIG. 28B is a side view, and FIG.
28A is a view as seen from the direction of the arrow I in FIG. 28A, and FIG.
28A is a view taken in the direction of arrow II, and FIG.
It is an arrow view. As shown in FIGS. 28 (a) to 28 (e), the wafer station 50 is
8, 9 and 10, and can hold four wafers at the same time. The stations can be broadly divided into a dry station of the placing tables 7 and 8 distributed to the left and right and a wet station of the placing tables 9 and 10 distributed to the upper and lower sides.

【0061】ドライステーション7,8は、ポリッシン
グ前ウエハの仮置き台となっている。ドライステーショ
ン8は搬送ロボット4、及び搬送ロボット21からアク
セス可能になっており、搬送ロボット4から右側の研磨
部へウエハを搬送する搬送ロボット21へのウエハの受
渡しを可能にしている。同様にドライステーション7は
搬送ロボット4から左側の研磨部へウエハを搬送する搬
送ロボット20へのウエハの受渡しが可能である。ここ
にウエハ載置台を各ロボット20,21に1つずつ用意
することで、各ポリッシング室への専用ルートを確保
し、それぞれのポリッシング工程で研磨時間に差がある
ときでも、片側のテーブルに比べて研磨時間が長い方の
処理につられてルートがふさがれることなく、それぞれ
のポリッシング室へ絶えず処理するウエハを供給するこ
とができる。
The dry stations 7 and 8 are temporary holding tables for wafers before polishing. The dry station 8 is accessible from the transfer robot 4 and the transfer robot 21, and enables the transfer of the wafer from the transfer robot 4 to the transfer robot 21 that transfers the wafer to the polishing unit on the right side. Similarly, the dry station 7 can transfer a wafer from the transfer robot 4 to a transfer robot 20 that transfers the wafer to the polishing unit on the left side. By preparing one wafer mounting table for each of the robots 20 and 21 here, a dedicated route to each polishing chamber is ensured, and even when there is a difference in polishing time in each polishing process, compared with a table on one side. Thus, the wafers to be processed can be constantly supplied to the respective polishing chambers without blocking the route due to the processing having the longer polishing time.

【0062】ドライステーション7,8には、搬送ロボ
ット4が真空吸着にてウエハカセットから引抜いたウエ
ハが搬送されるが、カセット内のウエハの位置精度はそ
れ程良くないため、ロボットの真空吸着ハンドに保持さ
れるウエハも同じように位置精度が良くない。その位置
精度のズレを吸収し、後のロボットハンドで受渡しを行
うため、ウエハの置かれるガイドブロック78,79に
は位置決め用テーパ180を持っていて求芯するように
なっている。ここでのガイドブロックのテーパ長さは、
カセット内でのズレ量が他の機構に比べ大きいために、
テーパ面を長くする必要がある。搬送ロボット4は、下
側ハンドをドライステーションのガイドブロックの内側
に位置させ、真空を破壊してウエハを落し込みながら求
芯・受渡しを行う。また、各ドライステーション7,8
にはウエハ有無検知用の透過型光センサ71及び72が
配置されており、ウエハの有無を検知している。
The wafers pulled out of the wafer cassette by the transfer robot 4 by vacuum suction are transferred to the dry stations 7 and 8, but the positional accuracy of the wafers in the cassette is not so good. Similarly, the held wafer has poor positional accuracy. The guide blocks 78 and 79 on which the wafers are placed have a taper 180 for positioning so as to absorb centering so as to absorb the deviation of the positional accuracy and perform delivery by a later robot hand. The taper length of the guide block here is
Because the displacement in the cassette is larger than other mechanisms,
It is necessary to lengthen the tapered surface. The transfer robot 4 positions the lower hand inside the guide block of the dry station and breaks the vacuum to drop the wafer and perform centering and delivery. In addition, each dry station 7,8
Are provided with transmission optical sensors 71 and 72 for detecting the presence / absence of a wafer, and detect the presence / absence of a wafer.

【0063】ドライステーション7,8は、洗浄エリ
ア、ドライエリア間の中間地点に位置しているため、ク
リーン度の異なるエリアの雰囲気の混合を避けるため、
エリア遮断用のシャッター11を設けている。シャッタ
ー11は常時閉じているが、搬送ロボット4が、ドライ
ステーション7,8にアクセスする時のみ開く。ウェッ
トステーション9,10は研磨後のウエハの載置台とな
っている。ウェットステーション9,10はそれぞれロ
ボット20、ロボット21からアクセスできて、それぞ
れのロボット間のウエハ受渡しを可能にしている。ステ
ーション9は少なくとも一度洗浄した清浄なウエハを置
く台になっていて、ステーション10は研磨された後で
ウェットステーション9に置くウエハよりも洗浄回数の
少ないウエハを置く台になっている。このようにクリー
ン度によって使い分けることで、ステーションを介して
のコンタミネーションの拡散を防ぐことができる。
Since the dry stations 7 and 8 are located at an intermediate point between the cleaning area and the dry area, in order to avoid mixing atmospheres in areas having different degrees of cleanliness,
A shutter 11 for blocking the area is provided. Although the shutter 11 is always closed, it is opened only when the transport robot 4 accesses the dry stations 7 and 8. The wet stations 9 and 10 serve as mounting tables for wafers after polishing. The wet stations 9 and 10 can be accessed by the robots 20 and 21, respectively, and enable wafer transfer between the robots. The station 9 is a table on which a clean wafer that has been cleaned at least once is placed, and the station 10 is a table on which a wafer that has been cleaned and has less cleaning times than the wafer placed on the wet station 9 is placed. As described above, the proper use depending on the degree of cleanliness can prevent the diffusion of the contamination through the station.

【0064】各ウェットステーション9,10は、ピン
でウエハガイドを構成しており、オリエンテーションフ
ラット付ウエハ及びノッチ式ウエハ双方の仮置き台とし
て対応可能となっている。また、複数のピンによる点接
触構造にすることで、コンタミネーションの拡散を防い
でいる。また、各ウェットステーション9,10にはウ
エハ有無検知用の透過型光センサ73,74が配置され
ており、ウエハの有無を検知している。それぞれのステ
ーションには、ウエハ乾燥防止兼洗浄用ノズル75,7
6が設置されており、ウエハ上面、下面に洗浄液が供給
できるようになっている。ウエハステーション50の筐
体内で発生する洗浄のミストを筐体内から拡散しないよ
うに局所排気ラインを備えている。洗浄液には、純水や
イオン水等、膜種によって様々な液体が使われる。この
ようにウェットステーションには、防水のために、搬送
ロボット20,21のウエハ搬送用の開口部にシリンダ
81で昇降するシャッター77を設置している。シャッ
ター77は常時閉じられており、搬送ロボット20,2
1がステーションにアクセスするときのみ開かれる。
Each of the wet stations 9 and 10 forms a wafer guide with pins, and can be used as a temporary placing table for both an orientation flat wafer and a notch type wafer. In addition, by adopting a point contact structure using a plurality of pins, diffusion of contamination is prevented. In addition, transmission optical sensors 73 and 74 for detecting the presence or absence of a wafer are disposed in each of the wet stations 9 and 10 to detect the presence or absence of a wafer. Each of the stations has a nozzle 75, 7 for preventing and drying the wafer.
A cleaning liquid 6 can be supplied to the upper and lower surfaces of the wafer. A local exhaust line is provided so that cleaning mist generated in the housing of the wafer station 50 is not diffused from the inside of the housing. Various liquids, such as pure water and ionized water, are used as the cleaning liquid depending on the film type. As described above, in the wet station, the shutter 77 that moves up and down by the cylinder 81 is installed at the opening for wafer transfer of the transfer robots 20 and 21 for waterproofing. The shutter 77 is always closed, and the transfer robots 20 and 2 are closed.
Opened only when 1 accesses the station.

【0065】反転機 図29は反転機を示す図であり、図29(a)は平面
図、図29(b)は一部断面された側面図である。反転
機28と28’とは同一構造であるため、以下の説明は
反転機28のみを説明する。図29(a)および図29
(b)に示すように、反転機28は2本の円弧状のアー
ム230を備え、アーム230にウエハをクランプする
ための溝が形成されたコマ231が複数(たとえば6
個)固定されている。このアーム230はシリンダ23
2と圧縮バネ233の力を利用して押し引きされるシャ
フト234の動きに合せて開閉されるように構成されて
いる。アーム230は、シリンダ232が伸びたときに
開き、シリンダ232が縮んだときに圧縮バネ233の
力で閉じられる。シャフト234とシリンダ232の先
端には間隔が設けてあり、シャフト234は圧縮バネ2
33の力でエンドブロック236にストッパ235が当
たるまで引き戻される。
[0065] reversing device 29 is a diagram showing a reversing machine, FIG. 29 (a) is a plan view, FIG. 29 (b) is a side view partially sectional. Since the inverters 28 and 28 'have the same structure, the following description will be made only on the inverter 28. FIG. 29 (a) and FIG.
As shown in (b), the reversing device 28 includes two arc-shaped arms 230, and a plurality of (for example, 6) pieces 231 having grooves formed on the arm 230 for clamping a wafer.
Pcs) are fixed. This arm 230 is connected to the cylinder 23
It is configured to open and close in accordance with the movement of the shaft 234 pushed and pulled using the force of the compression spring 2 and the compression spring 233. The arm 230 opens when the cylinder 232 is extended, and is closed by the force of the compression spring 233 when the cylinder 232 is contracted. An interval is provided between the shaft 234 and the tip of the cylinder 232, and the shaft 234 is
The end block 236 is pulled back by the force of 33 until the stopper 235 hits the end block 236.

【0066】また、ウエハ101がチャックされている
ときは、ストッパ235とエンドブロック236の間に
は1mmのクリアランスができるようにエンドブロック
236が調整されている。そして、ストッパ235には
スリットが切られており、ウエハをクランプした位置で
このスリットを透過するように透過型光センサ237が
配置されている。したがって、ウエハ101をクランプ
していない時、もしくは正常にクランプできなかったと
きには、このセンサ237の光は透過しないため、ウエ
ハ101の有無をこのセンサ237が認識できるように
なっている。
When the wafer 101 is being chucked, the end block 236 is adjusted so that a clearance of 1 mm is formed between the stopper 235 and the end block 236. A slit is cut in the stopper 235, and a transmission optical sensor 237 is disposed so as to transmit through the slit at a position where the wafer is clamped. Therefore, when the wafer 101 is not clamped or when the wafer 101 cannot be clamped normally, the light of the sensor 237 does not transmit, so that the sensor 237 can recognize the presence or absence of the wafer 101.

【0067】また、シャフト234のスライド機構とプ
ーリ238とが接続されており、プーリ238はステッ
ピングモータ239の軸端のプーリ240とベルト24
1で連結されており、ステッピングモータ239が回転
するとアーム230が回転する構造になっている。ま
た、図1に示すように、反転機28,28’と搬送ロボ
ット20,21との間にはシャッター25,26が設置
されており、反転機の入っているポリッシング室と搬送
ロボットのある洗浄室とを仕切っている。ウエハの搬送
時にはこのシャッター25,26を開き、搬送ロボット
20,21のハンドが出入りする。搬送ロボット20,
21のハンドの出入りがないときにはこのシャッター2
5,26は閉まっており、ウエハの洗浄やアームに固定
されたチャックコマの洗浄などが行えるように防水機構
をなしている。
The slide mechanism of the shaft 234 is connected to a pulley 238. The pulley 238 is connected to the pulley 240 at the shaft end of the stepping motor 239 and the belt 24.
1 so that when the stepping motor 239 rotates, the arm 230 rotates. As shown in FIG. 1, shutters 25 and 26 are provided between the reversing machines 28 and 28 'and the transfer robots 20 and 21, and a polishing chamber containing the reversing machine and a washing machine having the transfer robot are provided. Partitions the room. When transferring the wafer, the shutters 25 and 26 are opened, and the hands of the transfer robots 20 and 21 enter and exit. Transfer robot 20,
This shutter 2 is used when there are no 21 hands
Numerals 5 and 26 are closed, and have a waterproof mechanism so that cleaning of a wafer and cleaning of a chuck piece fixed to an arm can be performed.

【0068】次に、上述のように構成された反転機の動
作を説明する。反転機28へは搬送ロボット20とリフ
タ29がアクセス可能で、ウエハの受渡しを行う。また
反転機28’へは搬送ロボット21とリフタ29’がア
クセス可能で、ウエハの受渡しを行う。反転機28は搬
送ロボット20やリフタ29から搬送されてくるウエハ
をアーム230を開いた状態で待っている。搬送ロボッ
ト20の下ハンド、又はリフタ29で搬送されるウエハ
の位置がアームに固定されたコマ231のウエハクラン
プ用の溝と平面的に同じ高さで、且つアームのコマ配置
の概ね中心に搬送されてきた時、搬送ロボット20やリ
フタ29からの移動完了の信号を受けてアーム230を
閉じる。センサ237でウエハ101の有無を確認した
後、搬送ロボット20はハンドをある所定の高さまで下
げて、その後ハンドを引き抜く。一方、リフタ29はセ
ンサ237がウエハ101の有無を確認した後、下方に
待避してウエハの反転機28への受け渡しを完了する。
反転機28に受け渡されたウエハ101はアーム230
と共にステッピングモータ239にて反転される。反転
されたウエハ101はその後の搬送機構である搬送ロボ
ット20やリフタ29がウエハを受け取りにくるまでそ
の状態で待機する。
Next, the operation of the reversing machine configured as described above will be described. The transfer robot 20 and the lifter 29 can access the reversing device 28, and transfer the wafer. The transfer robot 21 and the lifter 29 'can access the reversing device 28', and transfer the wafer. The reversing device 28 waits for a wafer transferred from the transfer robot 20 or the lifter 29 with the arm 230 opened. The position of the wafer transferred by the lower hand or the lifter 29 of the transfer robot 20 is the same as the wafer clamping groove of the top 231 fixed to the arm in a plane, and is transferred to the center of the top of the arm. When the operation is completed, the arm 230 is closed in response to the movement completion signal from the transfer robot 20 or the lifter 29. After confirming the presence or absence of the wafer 101 by the sensor 237, the transfer robot 20 lowers the hand to a predetermined height, and then pulls out the hand. On the other hand, after the sensor 237 confirms the presence or absence of the wafer 101, the lifter 29 retreats downward and completes the transfer of the wafer to the reversing machine 28.
The wafer 101 transferred to the reversing machine 28 is
At the same time, it is reversed by the stepping motor 239. The inverted wafer 101 waits in that state until the transfer robot 20 or lifter 29, which is a transfer mechanism thereafter, comes to receive the wafer.

【0069】反転の動作はポリッシングの前後にそれぞ
れ行なわれる。ポリッシング後のウエハ101を反転す
る場合は、ポリッシング時にウエハ101についた砥液
や研磨屑がウエハ101上で乾燥し、固着してウエハ1
01にダメージを与えるのを防止するため、反転中や反
転後にウエハ101へ洗浄液をリンスする。リンスされ
る洗浄液は純水や薬液が使用され、スプレーノズルによ
り必要流量、圧力で、最適な角度から所望の時間吹き付
ける。このリンスにより後段の洗浄性能が充分に発揮で
きる。ウエハ101が反転機28上で待機する場合、そ
の間中、洗浄液を流し続けるが、ランニングコストを考
慮し洗浄液を間欠的に流して洗浄液の使用量を低減して
も良い。また、反転機28がウエハ101をクランプし
ていない時に、ウエハ101をクランプする溝やその周
辺をその洗浄液で洗浄し、ウエハ101に接触する部位
からウエハ101が逆汚染されるのを防ぐこともでき
る。
The inversion operation is performed before and after polishing, respectively. When reversing the wafer 101 after polishing, the polishing liquid or polishing debris attached to the wafer 101 at the time of polishing is dried on the wafer 101, and adheres to the wafer 1.
In order to prevent damage to the wafer 101, the cleaning liquid is rinsed on the wafer 101 during or after the reversal. The cleaning solution to be rinsed is pure water or a chemical solution, and is sprayed at a necessary flow rate and pressure from an optimum angle for a desired time by a spray nozzle. This rinsing can sufficiently exert the subsequent cleaning performance. When the wafer 101 is on standby in the reversing machine 28, the cleaning liquid is continuously supplied during that time. However, the cleaning liquid may be intermittently supplied in consideration of the running cost to reduce the amount of the cleaning liquid used. In addition, when the reversing device 28 is not clamping the wafer 101, the groove for clamping the wafer 101 and the periphery thereof are cleaned with the cleaning liquid to prevent the wafer 101 from being reversely contaminated from a portion that comes into contact with the wafer 101. it can.

【0070】リフタ 図30はリフタを示す縦断面図である。リフタ29と2
9’とは同一の構造であるため、以下の説明ではリフタ
29のみを説明する。リフタ29は、ウエハを載置する
ステージ260とステージの上昇下降動作を行うシリン
ダ261とを備えており、シリンダ261とステージ2
60とはスライド可能なシャフト262で連結されてい
る。ステージ260は上方から見て等角度に配置される
3本の爪263に分かれていて、それぞれの爪263は
オリフラウエハを載置した場合でも搬送に影響しない範
囲内にウエハを保持できるような間隔で配置される。こ
の爪263は反転機28のチャック用のコマ231と位
相が一致しない向きに配置されている。つまりチャック
用のコマ231がウエハを保持する第一のウエハエッジ
部と、リフタの爪が保持する第二のウエハエッジ部は一
致しない。また、反転機28やロータリトランスポータ
27とのウエハ受け渡しを行う爪263にはウエハが載
置される面があり、それより上方はウエハが載置される
際に搬送位置決め誤差を吸収し、ウエハを求芯するよう
にテーパ状になっている。
[0070] lifter diagram 30 is a longitudinal sectional view showing a lifter. Lifters 29 and 2
Since 9 ′ has the same structure, only the lifter 29 will be described below. The lifter 29 includes a stage 260 on which a wafer is mounted, and a cylinder 261 for performing a raising / lowering operation of the stage.
60 is connected by a slidable shaft 262. The stage 260 is divided into three claws 263 arranged at an equal angle when viewed from above, and each of the claws 263 has an interval capable of holding the wafer within a range that does not affect the transfer even when the orientation flat wafer is placed. It is arranged in. The claw 263 is arranged in a direction in which the phase does not coincide with the chuck piece 231 of the reversing machine 28. That is, the first wafer edge that the chuck top 231 holds the wafer does not coincide with the second wafer edge that the lifter claw holds. The claw 263 for transferring the wafer to and from the reversing machine 28 and the rotary transporter 27 has a surface on which the wafer is placed. Above the claw 263, the transfer positioning error when the wafer is placed is absorbed, Is tapered so as to be centered.

【0071】シリンダの上昇動作でステージ260のウ
エハ保持面は反転機のウエハ保持高さまで上昇する。こ
の上昇動作を停止させるためにストッパとして緩衝機能
のあるストッパ264が設置されている。このストッパ
264にシリンダの軸に固定されたストッパベース26
5が当接するとシリンダ261の上昇が停止し、シリン
ダ261の軸に連結されているステージ260の上昇も
同時に停止する。このストッパ264の位置によりステ
ージ260の上昇する高さを受け渡し高さに調整でき
る。また、このシリンダ261には上昇位置と下降位置
のそれぞれを検知するセンサ266,267が設けられ
ており、シリンダ261の上昇下降の動作が完了したこ
とを検知できるようになっている。
As the cylinder is raised, the wafer holding surface of the stage 260 is raised to the wafer holding height of the reversing machine. A stopper 264 having a buffer function is provided as a stopper to stop this ascent operation. The stopper base 264 fixed to the cylinder shaft is attached to the stopper 264.
When the abutment 5 comes in contact, the cylinder 261 stops rising, and the stage 260 connected to the shaft of the cylinder 261 also stops moving at the same time. The height at which the stage 260 rises can be adjusted to the transfer height by the position of the stopper 264. The cylinder 261 is provided with sensors 266 and 267 for detecting the ascending position and the descending position, respectively, so that it is possible to detect that the ascending and descending operation of the cylinder 261 is completed.

【0072】次に、上述のように構成されたリフタの動
作を説明する。リフタ29は反転機28とロータリトラ
ンスポータ27の間のウエハ搬送機構である。ポリッシ
ング前のウエハは搬送ロボット20から反転機28へ搬
送される。その後、ウエハは反転され、パターン面が下
を向く。反転機28で保持されたウエハに対し下方から
リフタ29が上昇してきてウエハの直下で停止する。リ
フタ29の上端にはウエハを載置するステージ260が
あり、ウエハを載置することができる。リフタ29の上
昇がウエハの直下で停止したのを、例えばリフタの上昇
確認用センサ266で確認すると、反転機28はウエハ
のクランプを開放し、ウエハはリフタ29のステージ2
60に載る。その後、リフタ29はウエハを載置したま
ま下降をする。下降の途中でウエハはロータリトランス
ポータ27に受け渡される。このとき、ウエハはロータ
リトランスポータ27のピン上に載置される。ウエハが
ロータリトランスポータ27に受け渡された後もリフタ
29は下降を続け、シリンダ261のストローク分まで
下降して停止する。
Next, the operation of the lifter configured as described above will be described. The lifter 29 is a wafer transfer mechanism between the reversing machine 28 and the rotary transporter 27. The wafer before polishing is transferred from the transfer robot 20 to the reversing device 28. Thereafter, the wafer is turned over and the pattern surface faces downward. The lifter 29 ascends from below the wafer held by the reversing machine 28 and stops immediately below the wafer. At the upper end of the lifter 29, there is a stage 260 on which the wafer is mounted, and the wafer can be mounted. When the lifting of the lifter 29 is stopped immediately below the wafer, for example, by using the lifter lift confirmation sensor 266, the reversing device 28 releases the clamp of the wafer, and the wafer is moved to the stage 2 of the lifter 29.
60. Thereafter, the lifter 29 descends while the wafer is mounted. The wafer is transferred to the rotary transporter 27 during the lowering. At this time, the wafer is placed on the pins of the rotary transporter 27. After the wafer is transferred to the rotary transporter 27, the lifter 29 continues to descend, descends to the stroke of the cylinder 261 and stops.

【0073】逆にポリッシング後のウエハは、ロータリ
トランスポータ27から反転機28にリフタ29によっ
て搬送される。ポリッシング後のウエハはロータリトラ
ンスポータ27に載ってリフタ29の上方に搬送されて
くる。この時、リフタ29はロータリトランスポータ2
7の下の位置にある。ロータリトランスポータ27に載
せられたウエハがリフタの真上に来て停止したことを確
認した後、リフタ29は上昇を開始する。リフタ29は
上昇の途中でロータリトランスポータ27に載ったウエ
ハを下方から取り去る。その後、ウエハを載せたまま上
昇を続ける。この時、反転機28はウエハをクランプす
る準備としてアーム230が開いた状態で待っている。
反転機28のアーム230のウエハをクランプするコマ
231のウエハクランプ用の溝の高さでウエハの上昇は
停止し、上昇終了となる。上昇終了は前述のシリンダ2
61のセンサ266で検知され、この検知信号は装置本
体の制御系に送られ、上昇終了が認識される。その信号
を受け、反転機28はクランプ動作として開いているア
ーム230を閉じる。この動作によりウエハは反転機2
8に保持される。反転機28で保持を確認したら、リフ
タ29は下降する。
On the contrary, the polished wafer is transferred from the rotary transporter 27 to the reversing machine 28 by the lifter 29. The polished wafer is transported above the lifter 29 on the rotary transporter 27. At this time, the lifter 29 is connected to the rotary transporter 2.
7 below. After confirming that the wafer placed on the rotary transporter 27 has come to a position directly above the lifter and has stopped, the lifter 29 starts to rise. The lifter 29 removes the wafer placed on the rotary transporter 27 from below during the ascent. Thereafter, the ascent is continued while the wafer is mounted. At this time, the reversing machine 28 waits with the arm 230 opened in preparation for clamping the wafer.
At the height of the wafer clamping groove of the top 231 for clamping the wafer of the arm 230 of the reversing machine 28, the lifting of the wafer is stopped and the lifting is completed. The ascending end is the cylinder 2
This detection signal is sent to the control system of the apparatus main body, and the end of the ascent is recognized. Upon receiving the signal, the inverter 28 closes the open arm 230 as a clamp operation. By this operation, the wafer is turned into the reversing machine 2
8 is held. When the holding by the reversing machine 28 is confirmed, the lifter 29 is lowered.

【0074】ロータリトランスポータ 図31および図32はロータリトランスポータを示す図
であり、図31は平面図、図32は縦断面図である。図
31および図32に示すように、ウエハ101を搭載し
て搬送するロータリトランスポータ27には4ヶ所のウ
エハ搭載ステージ(90°等配)を有し、4ヶ所のウエ
ハ搭載ステージそれぞれには、ウエハを少なくとも3点
のピンで支持すればよいが、オリフラノッチ兼用とする
ため本実施例では6点のエッジで支えるために6本のピ
ン201が立設されている。ピン201の先端部にはテ
ーパ202(15°〜25°ぐらいが望ましい)が形成
されており、ウエハ搭載時に求芯することができるよう
になっている。
Rotary Transporter FIGS. 31 and 32 show the rotary transporter. FIG. 31 is a plan view and FIG. 32 is a longitudinal sectional view. As shown in FIGS. 31 and 32, the rotary transporter 27 for mounting and transporting the wafer 101 has four wafer mounting stages (equally distributed at 90 °), and each of the four wafer mounting stages has: It is sufficient that the wafer is supported by at least three pins. In this embodiment, six pins 201 are provided to support the wafer at the six edges so that the wafer can also serve as the orientation flat. A taper 202 (preferably about 15 ° to 25 °) is formed at the tip end of the pin 201 so that the pin 201 can be centripetal when mounted on a wafer.

【0075】各々のポジションにはウエハ有無センサ2
50がロータリトランスポータ27から外れた場所に設
置されている。センサ250はフォトセンサーであり投
光側250aと受光側250bで構成され、センサ25
0はステージと一緒に回転しない。搭載するウエハは各
ステージで決まっており、処理前ウエハを搭載するロー
ドステージ(L、R側)と処理後ウエハを搭載するアン
ロードステージ(L、R側)からなる。各ステージに搭
載されるウエハの状態はいつも決まっており、ロータリ
トランスポータ27は研磨テーブル34で処理する前の
ウエハを搭載するステージ210と研磨テーブル34で
処理されたウエハを搭載するステージ211と研磨テー
ブル35で処理する前のウエハを搭載するステージ21
2と研磨テーブル35で処理されたウエハを搭載するス
テージ213からなる。
Each position has a wafer presence sensor 2
50 is installed at a place off the rotary transporter 27. The sensor 250 is a photo sensor and includes a light emitting side 250a and a light receiving side 250b.
0 does not rotate with the stage. The wafer to be mounted is determined for each stage, and includes a load stage (L, R side) for mounting a wafer before processing and an unload stage (L, R side) for mounting a wafer after processing. The state of the wafer mounted on each stage is always determined, and the rotary transporter 27 includes a stage 210 for mounting a wafer before processing on the polishing table 34, a stage 211 for mounting a wafer processed on the polishing table 34, and a polishing machine. Stage 21 for mounting wafer before processing on table 35
2 and a stage 213 on which the wafer processed on the polishing table 35 is mounted.

【0076】4ヶ所の各ウエハ搭載ポジションにはウエ
ハに洗浄液を供給するためのリンスノズル501,50
2,503,504がロータリトランスポータを挟み上
下方向にロータリトランスポータ27から外れた場所に
設置されている。ノズルはステージと一緒に回転しな
い。洗浄液は純水やイオン水などが使われることが多
い。各ウエハ搭載ステージは、スラリーの飛散やウエハ
洗浄およびトップリング洗浄時の水の飛散を防ぐため、
それぞれがセパレータ204で仕切られている。ロータ
リトランスポータ27はサーボモータ205に連結され
ており、サーボモータ205の回転によりウエハを搬送
する。ロータリトランスポータ27の下部には原点セン
サ206が設置され、ウエハ搬送ポジションの位置決め
は原点センサ206とサーボモータ205によって制御
される。位置決めされる搬送ポジションはHP(ホーム
ポジション)位置を中心とした90°づつ位相を異にし
た3位置である。
Rinse nozzles 501 and 50 for supplying a cleaning liquid to the wafers are provided at the four wafer mounting positions.
Reference numerals 2, 503 and 504 are installed at positions vertically separated from the rotary transporter 27 with the rotary transporter interposed therebetween. The nozzle does not rotate with the stage. As the cleaning liquid, pure water or ionized water is often used. Each wafer mounting stage is designed to prevent scattering of slurry and water during wafer cleaning and top ring cleaning.
Each is separated by a separator 204. The rotary transporter 27 is connected to the servomotor 205, and transfers the wafer by rotation of the servomotor 205. An origin sensor 206 is provided below the rotary transporter 27, and the positioning of the wafer transfer position is controlled by the origin sensor 206 and the servomotor 205. The transport positions to be positioned are three positions having different phases by 90 ° around the HP (home position) position.

【0077】次に、上述のように構成されたロータリト
ランスポータの動作を説明する。図31は、ホームポジ
ション(HP)位置を示している。ロータリトランスポ
ータは反時計廻りに90゜回転し、ステージ210がリ
フター29の上方に予め位置している。トップリング3
2へ搬送されるべきウエハ101は、搬送ロボット20
によって反転機28に搬送される。反転機28はウエハ
101をチャックした後、ウエハ101を180°反転
させる。反転したウエハ101は、リフタ29によって
反転機28より受取られ、そのまま下降すると、ロータ
リトランスポータ27のウエハ搭載ステージ210上の
ピン201のテーパ202により、リフタ29上に載せ
られたウエハ101は求芯され、ピン201の肩に載せ
られる。リフタ29は、ウエハ101がピン201に載
せられた後も、ロータリトランスポータ27が回転して
も互いに干渉しない位置まで下降を続ける。リフタ29
が下降を完了すると、ロータリトランスポータ27は時
計廻りに90°位置を変え、プッシャー30上にウエハ
101を位置させる。ロータリトランスポータ27の位
置決めが完了すると、プッシャー30が上昇し、その上
方にあるトップリング32へウエハ101を搬送する。
Next, the operation of the rotary transporter configured as described above will be described. FIG. 31 shows a home position (HP) position. The rotary transporter rotates 90 ° counterclockwise, and the stage 210 is positioned above the lifter 29 in advance. Top ring 3
2 is transferred to the transfer robot 20
To the reversing machine 28. The reversing device 28 reverses the wafer 101 by 180 ° after chucking the wafer 101. The inverted wafer 101 is received from the reversing machine 28 by the lifter 29, and when the wafer 101 is lowered as it is, the wafer 101 mounted on the lifter 29 is centered by the taper 202 of the pin 201 on the wafer mounting stage 210 of the rotary transporter 27. And is placed on the shoulder of the pin 201. Even after the wafer 101 is placed on the pins 201, the lifter 29 continues to descend to a position where it does not interfere with each other even if the rotary transporter 27 rotates. Lifter 29
Is completed, the rotary transporter 27 changes the position by 90 ° clockwise to position the wafer 101 on the pusher 30. When the positioning of the rotary transporter 27 is completed, the pusher 30 rises and transports the wafer 101 to the top ring 32 located above the pusher 30.

【0078】トップリング32で研磨されたウエハ10
1は、予めトップリング32の下に位置させたロータリ
トランスポータ27のウエハ搭載ステージ211に向け
て前記プッシャー30により搬送される。トップリング
32よりプッシャー30によって受取られたウエハ10
1は、ウエハ搭載ステージ上のピン201のテーパ20
2により求芯されて、ピン201の肩の上に載せられ
る。ウエハ搭載ステージ211上にウエハが載せられ、
プッシャー30がロータリトランスポータ27と干渉し
ない位置まで下降したら、ロータリトランスポータ27
が反時計周りに90°位置を変え、リフタ29上にウエ
ハ101を位置させる。ロータリトランスポータ27の
位置決めが完了すると、リフタ29が上昇し、ウエハ搭
載ステージ211よりウエハ101を受取り、反転機2
8へ搬送する。
The wafer 10 polished by the top ring 32
1 is conveyed by the pusher 30 toward the wafer mounting stage 211 of the rotary transporter 27 previously positioned below the top ring 32. The wafer 10 received by the pusher 30 from the top ring 32
1 is a taper 20 of the pin 201 on the wafer mounting stage.
2 and is placed on the shoulder of the pin 201. A wafer is placed on the wafer mounting stage 211,
When the pusher 30 is lowered to a position where it does not interfere with the rotary transporter 27, the rotary transporter 27
Changes the 90 ° counterclockwise position and positions the wafer 101 on the lifter 29. When the positioning of the rotary transporter 27 is completed, the lifter 29 rises, receives the wafer 101 from the wafer mounting stage 211, and
To 8.

【0079】プッシャー 図33および図34はプッシャーを示す図であり、図3
3はプッシャーの縦断面図、図34はプッシャーの動作
説明図である。プッシャー30と30’は同一構造であ
るため、以下の説明ではプッシャー30のみを説明す
る。図33に示すように、中空シャフト140の延長上
にトップリングを保持するためのガイドステージ141
が設置され、中空シャフト140の中をスプラインシャ
フト142が通り、スプラインシャフト142の延長上
にウエハを保持するプッシュステージ143が設置され
ている。スプラインシャフト142には軸ブレに対して
フレキシブルに軸を接続可能なフローティングジョイン
ト144によってエアシリンダ145が連結されてい
る。エアシリンダは2個直列に上下に配置されている。
最下段に配置されたエアシリンダ146はガイドステー
ジ141の上昇・下降用、及びプッシュステージ143
の上昇・下降用で、エアシリンダ145ごと中空シャフ
ト140を上下させる。エアシリンダ145はプッシュ
ステージ143の上昇・下降用である。
Pusher FIGS. 33 and 34 show the pusher, and FIG.
3 is a longitudinal sectional view of the pusher, and FIG. 34 is an operation explanatory view of the pusher. Since the pushers 30 and 30 'have the same structure, only the pusher 30 will be described below. As shown in FIG. 33, a guide stage 141 for holding the top ring on the extension of the hollow shaft 140
, A spline shaft 142 passes through the hollow shaft 140, and a push stage 143 for holding a wafer on an extension of the spline shaft 142 is provided. An air cylinder 145 is connected to the spline shaft 142 by a floating joint 144 capable of connecting a shaft flexibly to shaft runout. Two air cylinders are vertically arranged in series.
The air cylinder 146 arranged at the lowermost stage is for raising and lowering the guide stage 141 and for pushing the push stage 143.
The air shaft 145 and the hollow shaft 140 are moved up and down for raising and lowering the air cylinder. The air cylinder 145 is for raising and lowering the push stage 143.

【0080】トップリングガイド148に位置合わせ機
構を持たせるため、X軸、Y軸方向に移動可能なリニア
ウェイ149を配置している。ガイドステージ141は
リニアウェイ149に固定されている。リニアウェイ1
49は中空シャフト140に固定されている。中空シャ
フト140はスライドブッシュ150を介してベアリン
グケース151に保持されている。エアシリンダ146
のストロークは圧縮バネ152によって中空シャフト1
40に伝えられる。
In order to provide the top ring guide 148 with a positioning mechanism, a linear way 149 movable in the X-axis and Y-axis directions is arranged. The guide stage 141 is fixed to the linear way 149. Linear Way 1
49 is fixed to the hollow shaft 140. The hollow shaft 140 is held by the bearing case 151 via the slide bush 150. Air cylinder 146
Stroke of the hollow shaft 1 by the compression spring 152
It is conveyed to 40.

【0081】プッシュステージ143はガイドステージ
141の上方にあり、プッシュステージ143の中心よ
り下方に伸びるプッシュロッド160はガイドステージ
141の中心のスライドブッシュ147を通すことで芯
出しされ、スプラインシャフト142に接している。プ
ッシュステージ143はスプラインシャフト142を介
してシリンダ145によって上下し、トップリング32
へウエハ101をロードする。プッシュステージ143
の端には位置決めのための圧縮バネ159が配置されて
いる。
The push stage 143 is located above the guide stage 141, and the push rod 160 extending below the center of the push stage 143 is centered by passing through the slide bush 147 at the center of the guide stage 141, and comes into contact with the spline shaft 142. ing. The push stage 143 is moved up and down by a cylinder 145 via a spline shaft 142,
Is loaded with the wafer 101. Push stage 143
A compression spring 159 for positioning is arranged at the end of the.

【0082】ガイドステージ141の最外周には、トッ
プリングガイド148が3個設置されている。トップリ
ングガイド148は2段の階段構造となっており、上段
部200はガイドリング301下面とのアクセス部であ
り、下段部201はウエハ101の求芯用、及び保持用
である。上段部200にはガイドリング301の呼び込
みのためテーパ(25°〜35°ぐらいが望ましい)が
ついており、下段部201にはウエハ101の呼び込み
用のテーパ(10°〜20°ぐらいが望ましい)がつい
ている。ウエハアンロード時は直接トップリングガイド
148でウエハエッジを受ける。
At the outermost periphery of the guide stage 141, three top ring guides 148 are provided. The top ring guide 148 has a two-step structure. The upper part 200 is an access part to the lower surface of the guide ring 301, and the lower part 201 is for centering and holding the wafer 101. The upper part 200 has a taper (preferably about 25 ° to 35 °) for inviting the guide ring 301, and the lower part 201 has a taper (preferably about 10 ° to 20 °) for inviting the wafer 101. Attached. During wafer unloading, the wafer edge is directly received by the top ring guide 148.

【0083】ガイドステージ141の裏面には防水と上
昇したステージが元の位置に復帰するため案内の機能を
持ったガイドスリーブ153が設置されている。ガイド
スリーブ153の内側にはプッシャーのセンタリングの
ためのセンタスリーブ154がベアリングケース151
に固定されている。プッシャーはベアリングケース15
1で研磨部側のモータハウジング104に固定されてい
る。
On the back surface of the guide stage 141, a guide sleeve 153 having a function of guiding the waterproof and raised stage to return to the original position is provided. A center sleeve 154 for centering the pusher is provided inside the guide sleeve 153 in the bearing case 151.
It is fixed to. Pusher is bearing case 15
1 is fixed to the motor housing 104 on the polishing section side.

【0084】プッシュステージ143とガイドステージ
141の間の防水にはVリング155が用いられ、Vリ
ング155のリップ部分がガイドステージ141と接触
し、内部への水の浸入を防いでいる。ガイドステージ1
41が上昇するとG部の容積が大きくなり、圧力が下が
り水を吸い込んでしまう。これを防ぐためにVリング1
55の内側に穴202を設け、圧力が下がることを防止
している。
A V-ring 155 is used for waterproofing between the push stage 143 and the guide stage 141, and the lip portion of the V-ring 155 comes into contact with the guide stage 141 to prevent water from entering inside. Guide stage 1
When 41 rises, the volume of the portion G increases, the pressure drops, and water is sucked. V ring 1 to prevent this
A hole 202 is provided inside 55 to prevent the pressure from dropping.

【0085】トップリングガイド148がトップリング
32にアクセスする際の高さ方向の位置決めと衝撃吸収
のために、ショックキラー156が設置される。各々の
エアシリンダにはプッシャー上下方向の位置確認のため
上下リミットセンサが具備される。即ち、シリンダ14
5にセンサ203,204が、シリンダ146にセンサ
205,206がそれぞれ具備される。プッシャーに付
着したスラリーなどからウエハへの逆汚染を防止するた
め、汚れを洗浄するための洗浄ノズルが別途設置され
る。プッシャー上のウエハ有無を確認するためのウエハ
有無センサが別途設置される場合もある。エアシリンダ
の制御はダブルソレノイドバルブで行う。プッシャー3
0,30’はトップリング32,33の各々に1ユニッ
トずつ設置される。
A shock killer 156 is provided for positioning in the height direction and absorbing shock when the top ring guide 148 accesses the top ring 32. Each air cylinder is provided with an upper and lower limit sensor for confirming the position of the pusher in the vertical direction. That is, the cylinder 14
5 is provided with sensors 203 and 204, and the cylinder 146 is provided with sensors 205 and 206, respectively. In order to prevent reverse contamination of the wafer from slurry or the like attached to the pusher, a cleaning nozzle for cleaning dirt is separately provided. A wafer presence / absence sensor for confirming the presence / absence of a wafer on the pusher may be separately provided. The air cylinder is controlled by a double solenoid valve. Pusher 3
0, 30 'is installed in each of the top rings 32, 33, one unit at a time.

【0086】次に、上述のように構成されたプッシャー
の動作を説明する。 1)ウエハロード時 図34(a)に示すように、プッシャー上方にロータリ
トランスポータ27によってウエハ101が搬送され
る。トップリング32がプッシャー上方のウエハロード
位置にあってウエハを保持していない時、図34(b)
に示すように、エアシリンダ145によりプッシュステ
ージ143が上昇する。プッシュステージ143の上昇
完了がセンサー203で確認されると、図34(c)に
示すように、エアシリンダ146によりガイドステージ
141周りの構成品一式が上昇していく。上昇途中でロ
ータリトランスポータ27のウエハ保持位置を通過す
る。このとき、通過と同時にウエハ101をトップリン
グガイド148のテーパ207でウエハ101を求芯
し、プッシュステージ143によりウエハ101の(エ
ッジ以外の)パターン面を保持する。プッシュステージ
143がウエハ101を保持したままトップリングガイ
ド148は停止することなく上昇していき、トップリン
グガイド148のテーパ208によってガイドリング3
01を呼び込む。X,Y方向に自在に移動可能なリニア
ウェイ149による位置合わせでトップリング32に求
芯し、トップリングガイド148の上段部200がガイ
ドリング301下面と接触することでガイドステージ1
41の上昇は終了する。
Next, the operation of the pusher configured as described above will be described. 1) At the time of loading a wafer As shown in FIG. 34A, the wafer 101 is carried by the rotary transporter 27 above the pusher. When the top ring 32 is at the wafer loading position above the pusher and does not hold a wafer, FIG.
As shown in the figure, the push stage 143 is raised by the air cylinder 145. When the completion of the lifting of the push stage 143 is confirmed by the sensor 203, the set of components around the guide stage 141 is raised by the air cylinder 146 as shown in FIG. It passes through the wafer holding position of the rotary transporter 27 during the ascent. At this time, the wafer 101 is centered by the taper 207 of the top ring guide 148 at the same time as the wafer 101 passes, and the pattern surface (other than the edge) of the wafer 101 is held by the push stage 143. While the push stage 143 holds the wafer 101, the top ring guide 148 rises without stopping, and the guide ring 3 is tapered by the taper 208 of the top ring guide 148.
01 is called. The center of the top ring 32 is centered on the alignment by the linear way 149 which can be freely moved in the X and Y directions, and the upper stage 200 of the top ring guide 148 comes into contact with the lower surface of the guide ring 301, thereby causing the guide stage 1 to move.
The rise of 41 ends.

【0087】ガイドステージ141はトップリングガイ
ド148の上段部200がガイドリング301下面に接
触して固定され、それ以上上昇することはない。ところ
が、エアシリンダ146はショックキラー156に当た
るまで上昇し続けるので、圧縮バネ152は収縮するた
めスプラインシャフト142のみが更に上昇し、プッシ
ュステージ143がさらに上昇する。この時、図34
(d)に示すように、プッシュステージ143はウエハ
101の(エッジ以外の)パターン面を保持し、トップ
リング32までウエハ101を搬送する。ウエハ101
がトップリングに接触した後にシリンダ146が上昇す
るストロークはバネ159が吸収し、ウエハ101を保
護している。トップリング32がウエハ101の吸着を
完了すると、プッシャーは下降を開始し、図34(a)
の状態まで下降する。下降の際、トップリング求芯のた
めセンタ位置を移動していたガイドステージ141はガ
イドスリーブ153に設けられたテーパ部とセンタスリ
ーブ154に設けられたテーパ部によってセンタリング
される。下降終了で動作完了する。
The guide stage 141 is fixed by contacting the upper portion 200 of the top ring guide 148 with the lower surface of the guide ring 301 and does not rise further. However, since the air cylinder 146 continues to rise until it hits the shock killer 156, the compression spring 152 contracts, so that only the spline shaft 142 further rises, and the push stage 143 further rises. At this time, FIG.
As shown in (d), the push stage 143 holds the pattern surface (other than the edge) of the wafer 101 and transports the wafer 101 to the top ring 32. Wafer 101
The spring 159 absorbs the stroke in which the cylinder 146 rises after contacting the top ring, and protects the wafer 101. When the top ring 32 completes the suction of the wafer 101, the pusher starts descending, and FIG.
It descends to the state of. At the time of lowering, the guide stage 141 that has moved to the center position for centering the top ring is centered by the tapered portion provided on the guide sleeve 153 and the tapered portion provided on the center sleeve 154. The operation is completed when the descent ends.

【0088】2)ウエハアンロード時 プッシャー上方のウエハアンロード位置にトップリング
32によってウエハ101が搬送される。ロータリトラ
ンスポータ27のウエハアンロードステージがプッシャ
ー上方にあってウエハを搭載していない時、エアシリン
ダ146によりガイドステージ141周りの構成品一式
が上昇し、トップリングガイド148のテーパ208に
よってガイドリング301を呼び込む。リニアウェイ1
49による位置合わせでトップリング32に求芯し、ト
ップリングガイド148の上段部200がガイドリング
301の下面と接触することでガイドステージ141の
上昇は終了する。エアシリンダ146はショックキラー
156に当たるまで動作しつづけるが、ガイドステージ
141はトップリングガイド148の上段部200がガ
イドリング301の下面に接触して固定されているた
め、エアシリンダ146は圧縮バネ152の反発力に打
勝ってスプラインシャフト142をエアシリンダ145
ごと押し上げ、プッシュステージ143を上昇させる。
この時、図34(e)に示すように、プッシュステージ
143はトップリングガイド148の下段201のウエ
ハ保持部より高い位置になることはない。本実施例では
シリンダ146はトップリングガイド148がガイドリ
ング301に接触した所から更にストロークするように
設定されている。この時の衝撃はバネ152によって吸
収される。
2) At the time of wafer unloading The wafer 101 is transferred by the top ring 32 to the wafer unloading position above the pusher. When the wafer unload stage of the rotary transporter 27 is above the pusher and no wafer is loaded, a set of components around the guide stage 141 is raised by the air cylinder 146, and the guide ring 301 is tapered by the taper 208 of the top ring guide 148. Call. Linear Way 1
The centering of the top ring 32 is performed by the alignment by 49, and the upper stage 200 of the top ring guide 148 comes into contact with the lower surface of the guide ring 301, whereby the ascent of the guide stage 141 ends. The air cylinder 146 continues to operate until it hits the shock killer 156. However, since the upper stage 200 of the top ring guide 148 is fixed by contacting the lower surface of the guide ring 301, the air cylinder 146 is driven by the compression spring 152. Overcoming the repulsion force, the spline shaft 142 is moved to the air cylinder 145.
The push stage 143 is raised.
At this time, as shown in FIG. 34E, the push stage 143 does not reach a position higher than the wafer holding portion of the lower stage 201 of the top ring guide 148. In this embodiment, the cylinder 146 is set so as to further stroke from a position where the top ring guide 148 contacts the guide ring 301. The impact at this time is absorbed by the spring 152.

【0089】エアシリンダ146の上昇が終了するとト
ップリング32よりウエハ101がリリースされる。こ
の時、トップリングガイド148の下段テーパ207に
よってウエハ101は求芯され、トップリングガイド1
48の下段部201にエッジ部を保持される。ウエハ1
01がプッシャーに保持されると、プッシャーは下降を
開始する。下降の際、トップリング求芯のためセンタ位
置を移動していたガイドステージ141はガイドスリー
ブ153とセンタスリーブ154によりセンタリングさ
れる。下降の途中でプッシャーよりロータリトランスポ
ータ27にウエハ101のエッジ部で受け渡され、下降
終了で動作完了する。
When the lifting of the air cylinder 146 is completed, the wafer 101 is released from the top ring 32. At this time, the wafer 101 is centered by the lower taper 207 of the top ring guide 148, and the top ring guide 1
The edge part is held by the lower part 201 of the 48. Wafer 1
When 01 is held by the pusher, the pusher starts descending. At the time of lowering, the guide stage 141 that has moved to the center position for centering the top ring is centered by the guide sleeve 153 and the center sleeve 154. During the lowering, the wafer 101 is transferred from the pusher to the rotary transporter 27 at the edge of the wafer 101, and the operation is completed when the lowering is completed.

【0090】図33および図34に示す構成のプッシャ
ーによれば、プッシャー30にトップリング32への求
芯機構を持たせることにより、プッシャーとトップリン
グとの位置関係の調整が容易になる。また、プッシュス
テージ143の上昇ストロークをトップリング32の下
面より2mm高い位置までとすることで、高さ方向の位
置合わせが容易になる。その際、高さ方向での当たりを
バネにより吸収できるようにしている。
According to the pusher having the structure shown in FIGS. 33 and 34, by providing the pusher 30 with a centering mechanism for the top ring 32, the positional relationship between the pusher and the top ring can be easily adjusted. Further, by setting the rising stroke of the push stage 143 to a position higher by 2 mm than the lower surface of the top ring 32, the positioning in the height direction becomes easy. At this time, the contact in the height direction can be absorbed by the spring.

【0091】トップリング 図35はトップリングの構造を示す部分的に断面された
側面図である。トップリング32と33は同一構造であ
るため、以下の説明ではトップリング32のみを説明す
る。トップリング32はトップリング32を回転、押付
け、揺動などの動作をさせるトップリングヘッド31に
支持されている。トップリング32は、ウエハの上面を
保持するとともに研磨テーブルの研磨面に押し付けるト
ップリング本体300と、ウエハの外周を保持するガイ
ドリング301と、トップリング32とウエハの間に入
る緩衝役のバッキングフィルム302とを備えている。
トップリング本体300はたわみの少ない材質、たとえ
ばセラミックによって形成されており、ウエハの全面を
均一に押付けられるようにウエハ側の面が平坦に仕上げ
られている。但し研磨するウエハによってはこの面が緩
やかに凹凸があってもよい。
[0091] The top ring Figure 35 is a side view, partially in section showing the structure of the top ring. Since the top rings 32 and 33 have the same structure, only the top ring 32 will be described below. The top ring 32 is supported by a top ring head 31 that performs operations such as rotating, pressing, and swinging the top ring 32. The top ring 32 holds a top surface of the wafer and presses the polishing surface of the polishing table against the top surface of the polishing table, a guide ring 301 holding the outer periphery of the wafer, and a backing film serving as a buffer between the top ring 32 and the wafer. 302.
The top ring main body 300 is formed of a material with little deflection, for example, ceramic, and has a flat surface on the wafer side so as to uniformly press the entire surface of the wafer. However, depending on the wafer to be polished, this surface may have a gentle unevenness.

【0092】ガイドリング301はウエハの外周が抑え
られるようにウエハ外径よりわずかに大きい内径を有し
ており、ガイドリング301内にウエハが挿入される。
トップリング本体300にはウエハ押付け面に開口する
とともに反対側の面に開口する複数の貫通穴303が形
成されている。そして、これら貫通穴303を介して上
方からウエハ接触面に対して陽圧のクリーンエアや窒素
ガスを供給し、ウエハのある領域を選択的にかつ部分的
に押付けられるようになっている。また貫通穴303を
負圧にすることでウエハを吸着することが可能になり、
トップリング本体300にウエハを吸着しウエハの搬送
を行っている。また貫通穴303からクリーンエアや窒
素ガスをウエハに吹き付けウエハをトップリング本体3
00から離脱できるようにもなっている。この場合、エ
アやガスに純水などを混合することでウエハの離脱力を
高め、確実なウエハの離脱を行うことも可能になってい
る。
The guide ring 301 has an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the wafer so that the outer circumference of the wafer is suppressed, and the wafer is inserted into the guide ring 301.
A plurality of through-holes 303 are formed in the top ring body 300 and open on the wafer pressing surface and open on the opposite surface. Then, positive pressure clean air or nitrogen gas is supplied to the wafer contact surface from above through these through holes 303 to selectively and partially press a certain region of the wafer. Further, by setting the through-hole 303 to a negative pressure, the wafer can be suctioned,
The wafer is transferred by attracting the wafer to the top ring body 300. Also, clean air or nitrogen gas is blown through the through-hole 303 onto the wafer, and the wafer is placed in the top ring body 3.
It is also possible to leave from 00. In this case, the separation force of the wafer is increased by mixing pure water or the like with the air or gas, so that the wafer can be surely separated.

【0093】またトップリング32の上面には取付けフ
ランジ304が取付けられており、この取付けフランジ
304の上面の中心部には半球状の穴が形成されてい
る。取付けフランジ304の上方には、トップリング駆
動軸91に固定された駆動フランジ314が配設されて
おり、この駆動フランジ314にも同様の半球状の穴が
形成されている。これら両穴の中に硬質のたとえばセラ
ミックの球305が収容され、駆動フランジ314に加
えられる下方向への押付け力は球305を介して下の取
付けフランジ304に伝達されるようになっている。
A mounting flange 304 is mounted on the upper surface of the top ring 32, and a hemispherical hole is formed in the center of the upper surface of the mounting flange 304. A drive flange 314 fixed to the top ring drive shaft 91 is provided above the mounting flange 304, and a similar hemispherical hole is also formed in the drive flange 314. A hard ball 305 made of, for example, ceramic is accommodated in both holes, and the downward pressing force applied to the drive flange 314 is transmitted to the lower mounting flange 304 via the ball 305.

【0094】一方、トップリングヘッド31は、スプラ
インシャフトからなるトップリング駆動軸91を介して
トップリング32を支持している。またトップリングヘ
ッド31は揺動軸92によって支持されている。揺動軸
92は、軸の下端に連結されたモータ(図40において
符号407)が回転することで揺動し、トップリングヘ
ッド31が旋回できるようになっており、この旋回によ
ってトップリング32を研磨位置、メンテナンス位置、
および搬送位置へ移動させることが可能になっている。
揺動軸92の上方で、トップリングヘッド31の上面に
モータ309が設けられており、モータを回転させる
と、このモータの軸端に取付けられた駆動プーリ310
が回転し、トップリング駆動軸91の外周にある従動プ
ーリ311がベルト312を介して回転する。従動プー
リ311が回転すると、トップリング駆動軸91が同様
に回転する。トップリング駆動軸91の回転がトップリ
ング32に伝達され、トップリング32が回転する。
On the other hand, the top ring head 31 supports the top ring 32 via a top ring drive shaft 91 composed of a spline shaft. The top ring head 31 is supported by a swing shaft 92. The swing shaft 92 swings by rotation of a motor (407 in FIG. 40) connected to the lower end of the shaft, so that the top ring head 31 can be turned. Polishing position, maintenance position,
And it can be moved to the transport position.
A motor 309 is provided above the swing shaft 92 and on the upper surface of the top ring head 31. When the motor is rotated, a drive pulley 310 attached to the shaft end of the motor is provided.
Rotates, and the driven pulley 311 on the outer periphery of the top ring drive shaft 91 rotates via the belt 312. When the driven pulley 311 rotates, the top ring drive shaft 91 also rotates. The rotation of the top ring drive shaft 91 is transmitted to the top ring 32, and the top ring 32 rotates.

【0095】また、トップリングヘッド31の上面には
シリンダ313が軸を下向きにして取付けられており、
トップリングヘッド31とシリンダ313の軸とはフレ
キシブルに結合されている。シリンダ313に供給する
エアの圧力をコントロールすることで、トップリング駆
動軸91を上昇下降させる力、即ちトップリング32を
押し引きする力をコントロールできるようになってい
る。また、シリンダ313とトップリングヘッド31の
結合部分に引っ張り/圧縮式の荷重測定器322(ロー
ドセル)が介装されており、シリンダ313がトップリ
ングヘッド31を基点にし、上下の推力を発するときに
その推力を測定することが可能になっている。この推力
はウエハを押付けている力に置き換えられるので、押付
け力の管理を目的として、この測定された推力を利用し
てフィードバック回路を形成してもよい。シリンダ31
3のボディーとスプラインシャフトからなるトップリン
グ駆動軸91とは、トップリング駆動軸91が回転可能
な状態で連結されている。したがって、シリンダ313
が上下方向に動作すると、トップリング駆動軸91は同
時に上下方向に動作する。トップリング駆動軸91の内
部には貫通穴が形成されており、貫通孔内にチューブ
(図示せず)が設けられている。トップリング駆動軸9
1とトップリング31が回転するので、チューブの上端
部には回転継手316が設置されている。この回転継手
316を介して、真空、N、クリーンエアや純水等の
気体及び/又は液体がトップリング本体300に供給さ
れる。
A cylinder 313 is mounted on the upper surface of the top ring head 31 with its axis facing downward.
The top ring head 31 and the shaft of the cylinder 313 are flexibly connected. By controlling the pressure of the air supplied to the cylinder 313, a force for raising and lowering the top ring drive shaft 91, that is, a force for pushing and pulling the top ring 32 can be controlled. Further, a tension / compression type load measuring device 322 (load cell) is interposed at a joint portion between the cylinder 313 and the top ring head 31. When the cylinder 313 generates a vertical thrust with the top ring head 31 as a base point. It is possible to measure the thrust. Since this thrust is replaced by the force pressing the wafer, a feedback circuit may be formed using the measured thrust for the purpose of managing the pressing force. Cylinder 31
The body 3 and a top ring drive shaft 91 composed of a spline shaft are connected so that the top ring drive shaft 91 can rotate. Therefore, the cylinder 313
Operate vertically, the top ring drive shaft 91 simultaneously operates vertically. A through-hole is formed inside the top ring drive shaft 91, and a tube (not shown) is provided in the through-hole. Top ring drive shaft 9
Since the top ring 31 and the top ring 31 rotate, a rotary joint 316 is provided at the upper end of the tube. Gas and / or liquid such as vacuum, N 2 , clean air and pure water are supplied to the top ring main body 300 via the rotary joint 316.

【0096】上述のように構成されたトップリング32
はプッシャー30に搬送されたウエハを真空吸着し、ウ
エハをトップリング32のガイドリング301内に保持
する。その後、トップリング32はプッシャー30の上
方から研磨テーブル上の研磨面の上方へ揺動する。トッ
プリング32が研磨テーブル上方のポリッシング可能な
位置に揺動してきたら、トップリング32を所望の回転
数で回転させ、シリンダ313によりトップリング32
を下降させ、研磨テーブルの上面まで下降させる。トッ
プリング32が研磨テーブル上面まで下降したら、シリ
ンダ313の下降点検出用のセンサ321が作動し、下
降動作が完了したことを信号として発する。その信号を
受け、シリンダ313は所望の押付け荷重に対応する圧
力に設定されたエアーが供給され、トップリング32を
研磨テーブル34に押付け、ウエハに押付け力を加え
る。同時にウエハを吸着していた負圧用の回路を遮断す
る。この時、例えばウエハの研磨する膜質などにより、
この負圧はかけたままにしたり、遮断したり、更にバル
ブを切り換えて気体の圧力をコントロールして陽圧をか
けたりして、ウエハの研磨プロファイルをコントロール
する。この時の圧力はトップリング32のウエハ保持部
分に形成された貫通穴303にのみかかるので、ウエハ
のどの領域にその圧力をかけたいかにより貫通穴303
の穴径、数、位置を変えて所望の研磨プロファイルを達
成する。
The top ring 32 constructed as described above
Vacuum sucks the wafer conveyed to the pusher 30 and holds the wafer in the guide ring 301 of the top ring 32. Thereafter, the top ring 32 swings from above the pusher 30 to above the polishing surface on the polishing table. When the top ring 32 swings to a position above the polishing table where polishing can be performed, the top ring 32 is rotated at a desired rotation speed, and the top ring 32 is rotated by the cylinder 313.
Down to the top surface of the polishing table. When the top ring 32 is lowered to the upper surface of the polishing table, the sensor 321 for detecting the lowering point of the cylinder 313 is activated, and a signal indicating that the lowering operation is completed is issued as a signal. Upon receiving the signal, the cylinder 313 is supplied with air set to a pressure corresponding to a desired pressing load, presses the top ring 32 against the polishing table 34, and applies a pressing force to the wafer. At the same time, the circuit for negative pressure, which has been holding the wafer, is shut off. At this time, for example, depending on the film quality of the wafer to be polished,
The polishing pressure of the wafer is controlled by keeping the negative pressure applied, shutting off the pressure, and further controlling the gas pressure by switching a valve to apply a positive pressure. Since the pressure at this time is applied only to the through hole 303 formed in the wafer holding portion of the top ring 32, the through hole 303 depends on which area of the wafer the pressure is to be applied to.
The desired polishing profile is achieved by changing the hole diameter, number and position of the holes.

【0097】その後、所望の研磨時間が終了すると、ト
ップリング32はウエハを吸着保持する。そして、研磨
テーブル上をウエハと研磨パッドが接触したまま揺動
し、ウエハ101の中心が研磨テーブル34上に存在し
可能な限り研磨テーブル34の外周近傍に位置し、ウエ
ハの表面の40%程度が研磨テーブル34からはみ出す
ところまで移動する。その後、シリンダ313を作動さ
せ、ウエハと共にトップリング32を上昇させる。これ
は、使用する研磨パッドによっては、パッド上のスラリ
ーとウエハとの間の表面張力がトップリングの吸着力よ
りも強くなることがあり、ウエハが研磨パッド上に残さ
れてしまうため、その表面張力を減少させるために、研
磨テーブル上よりもウエハを飛び出させてからトップリ
ング32を上昇させる。ウエハがウエハ面積の40%以
上研磨テーブルからはみ出ると、トップリングは傾き、
ウエハが研磨テーブルのエッジに当たりウエハが割れて
しまう恐れがあるので40%程度のはみ出しが望まし
い。即ち、ウエハ中心が研磨テーブル34上にあること
が重要である。
Thereafter, when the desired polishing time is completed, the top ring 32 holds the wafer by suction. Then, the wafer and the polishing pad are swung on the polishing table while being in contact with each other, and the center of the wafer 101 is located on the polishing table 34 as close to the outer periphery of the polishing table 34 as possible, and is about 40% of the surface of the wafer. Moves to a position protruding from the polishing table 34. Thereafter, the cylinder 313 is operated to raise the top ring 32 together with the wafer. This is because, depending on the polishing pad used, the surface tension between the slurry on the pad and the wafer may be stronger than the suction force of the top ring, and the wafer is left on the polishing pad. In order to reduce the tension, the top ring 32 is raised after the wafer is ejected from the polishing table. When the wafer protrudes more than 40% of the wafer area from the polishing table, the top ring tilts,
Since the wafer may hit the edge of the polishing table and break the wafer, it is desirable to protrude by about 40%. That is, it is important that the center of the wafer is on the polishing table 34.

【0098】トップリング32の上昇が完了すると、シ
リンダ313の上昇点検出センサ320が作動し、上昇
動作が完了したことが確認できる。そして、トップリン
グ32の揺動動作を開始し、プッシャー30の上方へ移
動してプッシャーへのウエハの受け渡しを行う。ウエハ
をプッシャー30に受け渡した後、トップリング32に
向って下方から洗浄液を吹き付け、トップリング32の
ウエハ保持面やその周辺を洗浄する。この洗浄水の供給
は、次のウエハがトップリング32に受け渡されるまで
の間トップリングの乾燥防止を目的とし、継続してもよ
い。ランニングコストを考慮して間欠的に洗浄水を吹き
付けてもよい。ポリッシングの間に、例えばポリッシン
グ時間を複数のステップに分割し、そのステップ毎にト
ップリングの押付け力や、回転数、ウエハの保持方法を
変更することが可能になっている。また使用する砥液の
種類、量、濃度、温度、供給のタイミングなどを変更す
ることが可能である。
When the lifting of the top ring 32 is completed, the rising point detection sensor 320 of the cylinder 313 is activated, and it can be confirmed that the lifting operation has been completed. Then, the swinging operation of the top ring 32 is started, and the top ring 32 is moved above the pusher 30 to transfer the wafer to the pusher. After transferring the wafer to the pusher 30, a cleaning liquid is sprayed from below onto the top ring 32 to clean the wafer holding surface of the top ring 32 and the periphery thereof. The supply of the cleaning water may be continued for the purpose of preventing the top ring from drying until the next wafer is transferred to the top ring 32. Cleaning water may be sprayed intermittently in consideration of running costs. During polishing, for example, the polishing time is divided into a plurality of steps, and the pressing force of the top ring, the number of rotations, and the wafer holding method can be changed for each step. It is also possible to change the type, amount, concentration, temperature, supply timing, etc., of the abrasive fluid used.

【0099】また、ポリッシングの最中に、例えばトッ
プリングの回転用のモータへの電流値をモニターしてお
くと、このモータが出力しているトルクが算出できる。
ウエハのポリッシングの終点に伴いウエハと研磨パッド
との摩擦に変化が生じる。このトルク値の変化を利用
し、ポリッシングの終点を検知するようにしてもよい。
同様にターンテーブル34の電流をモニタし、トルクの
変化を算出し、ポリッシングの終点を検知してもよい。
同様にトップリングの振動を測定しながらポリッシング
を行い、その振動波形の変極点を検知し、ポリッシング
終了の確認を行ってもよい。さらに静電容量を測定して
ポリッシング完了を検知してもよい。この4通りのポリ
ッシング完了検知はウエハの研磨前と研磨後の表面の凹
凸の違いや表面の膜質の違いまたは残膜量から判断する
方法である。また、ポリッシングを終了したウエハの表
面を洗浄し、研磨量を確認し、研磨不足を測定してから
再度不足分をポリッシングしてもよい。
Further, during the polishing, for example, by monitoring the current value to the motor for rotating the top ring, the torque output by this motor can be calculated.
A change occurs in the friction between the wafer and the polishing pad at the end point of the polishing of the wafer. The change in the torque value may be used to detect the polishing end point.
Similarly, the current of the turntable 34 may be monitored, the change in torque may be calculated, and the end point of polishing may be detected.
Similarly, the polishing may be performed while measuring the vibration of the top ring, the inflection point of the vibration waveform may be detected, and the completion of the polishing may be confirmed. Further, the completion of polishing may be detected by measuring the capacitance. The four types of polishing completion detection are a method of judging from a difference in surface irregularities before and after polishing of a wafer, a difference in surface film quality, or a remaining film amount. Alternatively, the surface of the wafer that has been polished may be cleaned, the polishing amount may be checked, the insufficient polishing may be measured, and the insufficient polishing may be performed again.

【0100】ドレッサ 図36および図37はドレッサを示す縦断面図であり、
図36はダイヤモンドドレッサを示し、図37はブラシ
ドレッサを示す。ドレッサ38と39は同一構造である
ため、以下の説明ではドレッサ38のみを説明する。図
36に示すように、ドレッサ38は、研磨パッドをドレ
ッシングするドレッサ面を有するドレッサプレート37
0を備えている。ドレッサプレート370は取付けフラ
ンジ375に締結されており、取付けフランジ375の
上面の中心部には半球状の穴が形成されている。取付け
フランジ375の上方には、ドレッサ駆動軸93に固定
された駆動フランジ371が配置されており、駆動フラ
ンジ371にも同様の半球状の穴が形成されている。こ
れら両穴の中に硬質のたとえばセラミックの球372が
収容され、駆動フランジ371に加えられる下方向への
押付け力は球372を介して下のドレッサプレート37
0に伝達されるようになっている。ドレッサプレート3
70の下面には、パッドの形状修正や目立てを行うため
にダイヤモンド粒373が電着されている。ダイヤモン
ド粒以外にも硬質の例えばセラミックの突起が多数配置
されたものなどでもよい。これらの交換はドレッサプレ
ート370のみを交換すればよく、他種類のプロセスに
容易に対応できるようになっている。いずれも表面の形
状がドレッシング対象であるパッドの表面形状に反映さ
れるのでドレッサのドレッシング面は平面に仕上げられ
ている。
[0100] dresser Figure 36 and Figure 37 is a longitudinal sectional view showing a dresser,
FIG. 36 shows a diamond dresser, and FIG. 37 shows a brush dresser. Since the dressers 38 and 39 have the same structure, only the dresser 38 will be described below. As shown in FIG. 36, the dresser 38 includes a dresser plate 37 having a dresser surface for dressing a polishing pad.
0 is provided. The dresser plate 370 is fastened to the mounting flange 375, and a hemispherical hole is formed in the center of the upper surface of the mounting flange 375. A drive flange 371 fixed to the dresser drive shaft 93 is disposed above the mounting flange 375, and a similar hemispherical hole is formed in the drive flange 371. A hard, for example, ceramic ball 372 is accommodated in these two holes, and the downward pressing force applied to the drive flange 371 is applied via the ball 372 to the lower dresser plate 37.
0 is transmitted. Dresser plate 3
A diamond grain 373 is electrodeposited on the lower surface of the pad 70 in order to correct or sharpen the shape of the pad. In addition to the diamond grains, those having a large number of hard, for example, ceramic projections may be used. These replacements only require replacement of the dresser plate 370, so that it is possible to easily cope with other types of processes. In any case, since the surface shape is reflected on the surface shape of the pad to be dressed, the dressing surface of the dresser is finished to be flat.

【0101】前記ドレッサ駆動軸93はドレッサヘッド
94(図2参照)に支持されている。ドレッサヘッド9
4の機能は、概略トップリングヘッド31と同様であ
り、ドレッサ駆動軸93をモータによって回転させると
もにドレッサ駆動軸93をシリンダによって昇降させる
ようになっている。ドレッサヘッド94の詳細構造は、
トップリングヘッド31と概略同一であるため、図示は
省略する。図37はブラシドレッサを示し、ドレッサプ
レート370の下面にダイヤモンド粒373に代わって
ブラシ374が設けられている。その他の構成は図36
に示すダイヤモンドドレッサと概略同様である。
The dresser drive shaft 93 is supported by a dresser head 94 (see FIG. 2). Dresser head 9
The function of No. 4 is substantially the same as that of the top ring head 31. The dresser drive shaft 93 is rotated by a motor and the dresser drive shaft 93 is moved up and down by a cylinder. The detailed structure of the dresser head 94 is as follows.
Since it is substantially the same as the top ring head 31, illustration is omitted. FIG. 37 shows a brush dresser. A brush 374 is provided on the lower surface of the dresser plate 370 instead of the diamond grains 373. Other configurations are shown in FIG.
This is roughly the same as the diamond dresser shown in FIG.

【0102】上述の構成において、研磨パッドの形状修
正や目立てを行う際、ドレッサは洗浄位置から揺動し、
研磨テーブル上のドレッシング位置の上方に移動する。
揺動が完了するとドレッサは所望の回転数で回転し、上
昇下降のシリンダが作動し、ドレッサが下降する。研磨
テーブルの上面にドレッサが接触すると、シリンダに設
けられた下降点検出センサが検知し、テーブル上にドレ
ッサ38がタッチダウンしたという信号を発する。その
信号を受けシリンダはドレッサ38に押付け力を加え、
所望の押圧力にて研磨テーブル上のパッドをドレッシン
グする。所望の時間、ドレッシングを行った後、シリン
ダが上昇方向に動作しドレッサは研磨テーブル面から離
れる。その後、ドレッサ38は揺動し、洗浄位置へ移動
し、その場でたとえば水桶43,43’(図1参照)に
水没させてドレッサ自身を洗浄する。この洗浄は例えば
水桶に水没させ、又はスプレーノズルで吹き付け洗浄
し、又は水桶の底面に植毛されたブラシに押付けて回転
させ洗浄してもよい。なお、水桶43’はドレッサ39
用のものである。
In the above configuration, when the shape of the polishing pad is corrected or dressed, the dresser swings from the cleaning position,
Move above the dressing position on the polishing table.
When the swing is completed, the dresser rotates at a desired number of revolutions, the up / down cylinder operates, and the dresser descends. When the dresser comes into contact with the upper surface of the polishing table, a descending point detection sensor provided on the cylinder detects the signal, and generates a signal indicating that the dresser 38 has touched down on the table. Upon receiving the signal, the cylinder applies a pressing force to the dresser 38,
The pad on the polishing table is dressed with a desired pressing force. After dressing for a desired time, the cylinder moves in the upward direction and the dresser moves away from the polishing table surface. Thereafter, the dresser 38 swings and moves to the cleaning position, where it is submerged in, for example, the water tubs 43 and 43 '(see FIG. 1) to clean the dresser itself. This washing may be performed, for example, by immersing in a water tub or spraying with a spray nozzle, or by rotating by pressing against a brush planted on the bottom of the water tub. In addition, water tank 43 'is dresser 39.
It is for.

【0103】水桶43へドレッサ38を浸漬する場合
は、洗浄水を超音波にて振動させておいても良い。桶に
浸漬する場合は、ドレッサの上面も沈むと、その後上昇
している時に乾燥し、研磨カスが固まり、やがてドレッ
シング中に研磨テーブルに落ちてポリッシングに悪影響
を及ぼすので、たとえばドレッサの下面だけを洗浄水に
沈め、上面はスプレーノズルなどを用いて洗浄してもよ
い。この時は、上面にスプレー洗浄の飛沫がかかるので
防水キャップ376とVリング377により、更に37
8aと378bで構成されるラビリンス378により洗
浄水の侵入を防ぐことができるようになっている。ま
た、その時に使用する洗浄液も純水や薬液を用いても良
い。同様に図35に図示したトップリング32や図37
に図示したドレッサ38に上述の構造を適用してもよ
い。ドレッシング作業はたとえばドレッサの回転用のモ
ータの電流値を測定しながら行い、ある電流値になった
時に形状修正、目立ての作業が完了したことを確認する
目安としてもよい。
When the dresser 38 is immersed in the water tub 43, the washing water may be vibrated by ultrasonic waves. When immersing in a tub, if the upper surface of the dresser also sinks, it dries when it rises afterwards, the polishing residue solidifies, and eventually falls on the polishing table during dressing and adversely affects polishing, so for example, only the lower surface of the dresser The upper surface may be submerged in cleaning water and the upper surface may be cleaned using a spray nozzle or the like. At this time, since the splash of the spray cleaning is applied to the upper surface, the waterproof cap 376 and the V-ring 377 are used to further reduce the size.
The labyrinth 378 composed of 8a and 378b can prevent intrusion of cleaning water. Further, pure water or a chemical solution may be used as the cleaning liquid used at that time. Similarly, the top ring 32 shown in FIG.
May be applied to the dresser 38 shown in FIG. The dressing operation may be performed, for example, while measuring the current value of the dresser rotation motor, and when the current value reaches a certain value, it may be used as a guide for confirming that the shape correction and dressing operations have been completed.

【0104】第2の研磨テーブルのドレッシング 図1および図2に示すように、第1の研磨テーブル3
4,35に比べて径が小さい第2の研磨テーブル36,
37が設けられている。この第2の研磨テーブルは、ウ
エハの表面を僅かに削り取る、いわゆるバフオフなどの
仕上げ研磨に使用される場合もある。この第2の研磨テ
ーブルに対しても、ドレッシングを行うためのドレッ
サ、即ち図1におけるドレッサ48,49が設けられて
いる。以下に、このドレッサの詳細を示す。なお、図1
および図2ではドレッサ部の総称としてドレッサ48,
49としたが、ここでの説明では、先端の一部をドレッ
サ3000として説明する。図38はドレッサの構造を
示す縦断面図であり、図39は研磨テーブルとドレッサ
の側面図を示す。なお、図1および図2に示すドレッサ
48,49は、研磨テーブルに対向する部分の形状が円
形の場合を示しているが、図38および図39に示すド
レッサ3000は、研磨テーブルに対向する部分が細長
い形状の場合を示す。
Dressing of Second Polishing Table As shown in FIG. 1 and FIG.
The second polishing table 36, which has a smaller diameter than
37 are provided. The second polishing table may be used for finish polishing such as so-called buff-off, which slightly scrapes the surface of the wafer. The second polishing table is also provided with a dresser for performing dressing, that is, dressers 48 and 49 in FIG. The details of the dresser are shown below. FIG.
And in FIG. 2, dresser 48,
However, in the description here, a part of the tip is described as the dresser 3000. FIG. 38 is a longitudinal sectional view showing the structure of the dresser, and FIG. 39 is a side view of the polishing table and the dresser. Although dressers 48 and 49 shown in FIGS. 1 and 2 show a case where the shape of the portion facing the polishing table is circular, dresser 3000 shown in FIGS. 38 and 39 has a portion facing the polishing table. Indicates the case of an elongated shape.

【0105】ドレッサ3000は、ウエハ研磨中は、水
桶3020内に待避しており、ウエハの研磨終了後にシ
リンダ3008の動作に連動して上昇する。ドレッサ3
000の上昇下降機構を説明する。ドレッサ3000
は、駆動フランジ3019を挟んで、ブラシ固定座30
02の端部で、スプラインが切ってあるドレッサ駆動軸
96と連結されている。ドレッサ駆動軸96の上端部は
ベアリング3006により支持されている。ベアリング
3006を収容したベアリングケース3023とシリン
ダ3008がブラケット3007を挟んで締結されてい
る。シリンダ3008はベース3009の上部下面に固
定され、シリンダ3008の上昇下降運動をドレッサ3
000に伝達する機構をなしている。更に、シリンダ3
008の上昇下降の直線運動を支持するためのガイド3
010がベース3009に取り付けてある。ガイド30
10上を直動するスライダ3018がブラケット300
7に取り付けられており、シリンダ3008の動作が案
内される。
The dresser 3000 is retracted in the water tub 3020 during wafer polishing, and rises in conjunction with the operation of the cylinder 3008 after the completion of wafer polishing. Dresser 3
000 raising and lowering mechanism will be described. Dresser 3000
The brush fixing seat 30 with the drive flange 3019 interposed therebetween.
At the end of 02, a splined dresser drive shaft 96 is connected. The upper end of the dresser drive shaft 96 is supported by a bearing 3006. A bearing case 3023 containing a bearing 3006 and a cylinder 3008 are fastened with a bracket 3007 interposed therebetween. The cylinder 3008 is fixed to the upper and lower surface of the base 3009, and the up-and-down movement of the cylinder 3008 is
000. Furthermore, cylinder 3
Guide 3 for supporting up and down linear movement of 008
010 is attached to the base 3009. Guide 30
The slider 3018 linearly moving on the bracket 10
7 to guide the operation of the cylinder 3008.

【0106】また、ドレッサ回転軸96にはシリンダ3
008からドレッサ3000に到る一連の上下方向可動
部分の直動運動を案内するロータリボールスプライン3
028が装着されている。ロータリボールスプライン3
028はスプライン外輪3029とフランジ外輪303
0からなり、スプライン外輪3029はドレッサ駆動軸
96の直動を支持し、且つドレッサ駆動軸96に回転運
動を伝達する。フランジ外輪3030は、スプライン外
輪3029の回転を支持している。スプライン外輪30
29には、プーリ3005が取り付けられている。プー
リ3005の回転は、スプライン外輪3029を回転さ
せ、ドレッサ駆動軸96に伝達される。
The dresser rotating shaft 96 has the cylinder 3
Rotary ball spline 3 for guiding the linear motion of a series of vertically movable parts from 008 to dresser 3000
028 is attached. Rotary ball spline 3
Reference numeral 28 denotes a spline outer ring 3029 and a flange outer ring 303.
The spline outer ring 3029 supports the linear motion of the dresser drive shaft 96 and transmits the rotational motion to the dresser drive shaft 96. The flange outer ring 3030 supports the rotation of the spline outer ring 3029. Spline outer ring 30
A pulley 3005 is attached to 29. The rotation of the pulley 3005 rotates the spline outer ring 3029 and is transmitted to the dresser drive shaft 96.

【0107】次に、ドレッサ3000は上昇位置に到達
し、上昇位置到達を知らせる上昇端センサ3021が信
号を発した後、ドレッサヘッド97と共にドレッシング
開始位置まで揺動する。この揺動機構は、シリンダ30
16の直線運動が、クランク3017を介して、ドレッ
サヘッド97に締結されている中空の回転軸98に回転
運動を与えることによる。次に、ドレッシング位置に到
達したドレッサ3000は、シリンダ3016の終端セ
ンサ3024が信号を発した後、ドレッサ駆動軸96を
中心として回転運動を行う。この回転は以下のように行
われる。モータ3014に回転軸3013が連結されて
おり、モータ3014が回転することにより、回転軸3
013も回転する。回転軸3013は、その外側にある
中空シャフト98の両端に設置された軸受3032によ
って支持されている。モータ3014によって回転軸3
013が回転されると、シャフト3013の上端に装着
したプーリ3011が、タイミングベルト3012を介
して、プーリ3005に回転運動を伝達する。そして、
プーリ3005の回転がスプライン外輪3029を介し
て、ドレッサ駆動軸96に伝達される。
Next, the dresser 3000 reaches the ascending position, and after the ascending-end sensor 3021 informing the arrival of the ascending position issues a signal, swings together with the dresser head 97 to the dressing start position. This oscillating mechanism includes a cylinder 30
The 16 linear motions impart rotational motion to the hollow rotary shaft 98 fastened to the dresser head 97 via the crank 3017. Next, the dresser 3000 that has reached the dressing position performs a rotary motion about the dresser drive shaft 96 after the end sensor 3024 of the cylinder 3016 issues a signal. This rotation is performed as follows. The rotating shaft 3013 is connected to the motor 3014, and the rotation of the rotating shaft 3
013 also rotates. The rotating shaft 3013 is supported by bearings 3032 installed at both ends of the hollow shaft 98 on the outside. Rotating shaft 3 by motor 3014
When 013 is rotated, a pulley 3011 mounted on the upper end of the shaft 3013 transmits a rotational motion to the pulley 3005 via the timing belt 3012. And
The rotation of the pulley 3005 is transmitted to the dresser drive shaft 96 via the spline outer ring 3029.

【0108】次に、ドレッサ3000の回転数が定常状
態なったことをモータ3014が検知すると、シリンダ
3008が下降し、研磨パッドのドレッシングを開始す
る。この時、下降端センサ3022が信号を発しない場
合、ドレッサ3000が正常な下降位置に到達していな
いと判断しエラーを表示する。ドレッシング中は、研磨
テーブル36上のドレッシング剤供給口3031から、
液体(純水もしくは薬液等)を導入することが可能であ
る。ドレッシング終了後、ドレッサ3000が上昇し、
シリンダ3008の上昇端センサが信号を発した後、ド
レッサ3000の回転が停止する。モータ3014が回
転停止を確認後、待機位置まで揺動し、シリンダ301
6の終端センサ3025が信号を発した後、ドレッサ3
000は下降し、水桶3020内に収まり、一連の動作
が終了する。
Next, when the motor 3014 detects that the number of revolutions of the dresser 3000 has reached a steady state, the cylinder 3008 descends and starts dressing of the polishing pad. At this time, if the descending end sensor 3022 does not emit a signal, it is determined that the dresser 3000 has not reached the normal descending position, and an error is displayed. During the dressing, from the dressing agent supply port 3031 on the polishing table 36,
It is possible to introduce a liquid (such as pure water or a chemical solution). After dressing, dresser 3000 goes up,
After the rising end sensor of the cylinder 3008 issues a signal, the rotation of the dresser 3000 stops. After confirming that the motor 3014 has stopped rotating, it swings to the standby position,
6 after the end sensor 3025 emits a signal.
000 descends and fits in the water trough 3020, and a series of operations ends.

【0109】ここで、上記の研磨パッドは、固定砥粒
(砥石)とも互換可能である。また、ブラシ本体300
1は、ダイヤモンドドレッサとも互換可能である。そし
て、ブラシ3000は、ブラシ本体3001とブラシ固
定座3002からなり、ブラシ本体3001は消耗品と
して交換可能である。また、回転軸98の部分及びロー
タリボールスプライン3028の部分には、それぞれに
ラビリンス機構を持つ保護外装3026,3027が形
成されており、使用環境中における液体(純水、スラ
リ、薬液)の外装内部への侵入を防いでいる。前述のよ
うに、ここではドレッサ3000の研磨テーブルに対向
する部分が細長い形状の場合を示しているが、ドレッサ
3000の形状が細長で、回転軸が端部に位置している
ため円形のドレッサと比較して、小さい占有面積で同等
のドレッシング面積を確保できることが特徴である。
Here, the above-mentioned polishing pad is also interchangeable with fixed abrasive grains (grinding stones). Also, the brush body 300
1 is also interchangeable with a diamond dresser. The brush 3000 includes a brush body 3001 and a brush fixing seat 3002, and the brush body 3001 is replaceable as a consumable. Protective sheaths 3026 and 3027 each having a labyrinth mechanism are formed on the portion of the rotating shaft 98 and the portion of the rotary ball spline 3028, respectively. To prevent intrusion. As described above, the case where the portion of the dresser 3000 facing the polishing table is elongated is shown. However, since the shape of the dresser 3000 is elongated and the rotation axis is located at the end, a circular dresser is used. In comparison, a feature is that the same dressing area can be secured with a small occupied area.

【0110】研磨テーブル 図40は研磨テーブルを示す正面図である。研磨テーブ
ル34,35は、各ポリッシング室に1個ずつ設置され
ている。ポリッシングの処理工程によっては、2段研磨
時の処理能力を上げるため、小径の研磨テーブル36,
37をポリッシング室に設置するようになっている。研
磨テーブル34,35,36,37には、回転型研磨テ
ーブルとスクロール型研磨テーブルの2種類の機構が用
意されている。両者とも、同じ領域内で取付け可能とな
っており、多様なポリッシング工程に応じて選択可能で
ある。図40に示す研磨テーブルは回転型研磨テーブル
を示す正面図である。回転型研磨テーブル34は、テー
ブル半径の方が、ウエハ直径よりも大きく、研磨テーブ
ル34とウエハが同一方向に回転し、かつウエハがテー
ブル中心から外れた位置でポリッシングすることで、ウ
エハ上の任意点において、ウエハ対テーブルの相対速度
が等しくなっている。
Polishing Table FIG. 40 is a front view showing the polishing table. The polishing tables 34 and 35 are installed one by one in each polishing chamber. Depending on the polishing processing step, a small-diameter polishing table 36,
37 is installed in the polishing chamber. The polishing tables 34, 35, 36, and 37 are provided with two types of mechanisms, a rotary polishing table and a scroll polishing table. Both can be mounted in the same area and can be selected according to various polishing processes. The polishing table shown in FIG. 40 is a front view showing a rotary polishing table. The rotation type polishing table 34 has a table radius larger than the wafer diameter, and the polishing table 34 and the wafer are rotated in the same direction, and the wafer is polished at a position off the center of the table. At this point, the relative speed of the wafer to the table is equal.

【0111】図40に示すように、研磨テーブル34
は、モータ401により直接駆動され、スラスト、ラジ
アルの軸荷重はモータの軸受けにより受ける構造となっ
ている。また、このモータ401は、モータハウジング
402に収められている。このモータハウジング402
は、トップリングを揺動させる揺動軸用のハウジング4
03、ドレッサーを揺動させる揺動軸用のモータハウジ
ング404とも一体構造となっている。また、モータハ
ウジングには装置全体を支えるベースに、直接据え付け
られたものと、ベースと一体構造のものがある。さら
に、このモータのロータは中空であって、内部に複数本
の配管などを通すことが可能な構造となっている。そし
て、ロータ下部にはロータリージョイント405が配置
されており、内部の配管はこれに接続される。
As shown in FIG. 40, the polishing table 34
Is directly driven by a motor 401, and receives a thrust or radial shaft load by a bearing of the motor. The motor 401 is housed in a motor housing 402. This motor housing 402
Is a housing 4 for a swing shaft for swinging the top ring.
03, and also has an integral structure with a motor housing 404 for a swing shaft for swinging the dresser. The motor housing includes a motor housing directly mounted on a base supporting the entire apparatus and a motor housing integrated with the base. Furthermore, the rotor of this motor is hollow and has a structure through which a plurality of pipes can be passed. A rotary joint 405 is arranged below the rotor, and an internal pipe is connected thereto.

【0112】また、ロータ下部には、ロータの回転に同
期する機構を有し、これにエンコーダ406を接続する
ことにより、モータの回転数を常に計測できるようにな
っている。モータを制御するドライバへ、回転数の信号
を送ることにより、モータは適正な回転数を保つことが
できるようになっている。また、モータ電流をモニタリ
ングすることにより、ポリッシングの終点検出が可能で
ある。そして、モータのステータケースには、モータ冷
却用の冷却水を流す流路が形成されており、高い負荷で
の連続運転が行えるようになっている。その他、研磨テ
ーブル34には、トップリング32からのウエハ飛び出
し等の異常を、光学式で検知するセンサを有する場合が
ある。異常発生時には、センサからの信号を受け、研磨
テーブル駆動モータは、研磨テーブルを即座に停止する
ことが可能である。
Further, a mechanism synchronized with the rotation of the rotor is provided below the rotor, and by connecting the encoder 406 to the mechanism, the number of rotations of the motor can be constantly measured. By sending a signal of the number of revolutions to a driver that controls the motor, the motor can maintain an appropriate number of revolutions. Further, by monitoring the motor current, the end point of the polishing can be detected. A passage for flowing cooling water for cooling the motor is formed in the stator case of the motor, so that continuous operation under a high load can be performed. In addition, the polishing table 34 may include a sensor that optically detects an abnormality such as a wafer jumping out of the top ring 32. When an abnormality occurs, the polishing table drive motor can stop the polishing table immediately upon receiving a signal from the sensor.

【0113】研磨テーブル34は、駆動モータ401と
装置に搭載した状態において、脱着できる構造になって
いる。そして、研磨テーブル34には、研磨テーブル3
4上にパッドを貼り付けて使用する方式と、研磨テーブ
ルと容易に脱着可能なカートリッジにパッドを貼り付け
て使用する方法がある。また、両方式とも、定盤形状に
は、平面、凸面および凹面がある。そして、一体式の定
盤は、研磨パッドを貼り付けて使用し、カートリッジ式
では研磨パッド、または、固定砥粒(砥石)が取付け可
能である。一体式には、ステンレス製のものと、セラミ
ック製のものがある。また、カートリッジ式は、前記の
定盤形状およびパッド又は固定砥粒の変更が、カートリ
ッジを交換するだけで済む。既にパッドを貼り付けたカ
ートリッジ定盤を用意しておくことで、定盤のパッド交
換時間を短縮することが可能である。加えて、カートリ
ッジ式定盤には、中実のものと、内部がハニカム構造で
中空部分があり、軽量化を計ったものがある。ハニカム
構造のものは、カートリッジ交換作業時の作業者負荷を
低減できる。
The polishing table 34 has a structure that can be attached and detached while being mounted on the drive motor 401 and the apparatus. The polishing table 34 has a polishing table 3
There is a method in which a pad is attached to the polishing pad 4 and a method in which the pad is attached to a polishing table and a cartridge which can be easily detached and used. In both types, the surface plate shape includes a flat surface, a convex surface, and a concave surface. The integrated surface plate is used by attaching a polishing pad, and the cartridge type can be mounted with a polishing pad or a fixed abrasive (grindstone). The integrated type includes a stainless steel type and a ceramic type. In the case of the cartridge type, changing the shape of the surface plate and the pad or the fixed abrasive only requires changing the cartridge. By preparing a cartridge surface plate to which pads have already been attached, it is possible to reduce the pad replacement time of the surface plate. In addition, some cartridge-type surface plates have a solid structure, and others have a hollow structure with a honeycomb structure and a hollow portion. The honeycomb structure can reduce the load on the operator when the cartridge is replaced.

【0114】(研磨テーブル冷却及び温度調整)定盤下
部には、定盤を温度調整する機構を備えている。温調水
は、モータ401の中空シャフト内の配管より定盤下部
のテーブル冷却チャンバーへ供給される。テーブル冷却
チャンバー内部はテーブル全面が均一に冷却されるよう
に冷却水の流路が設けられており、使用する定盤によっ
て流路の配置の方法が異なる。装置に供給される温調水
の配管上には、温度センサが設けられ、設定された温度
から許容できる範囲を外れるとインターロックがかかる
ようになっている。また、この温度の信号を装置外部の
温調水コントロールユニットに送られることで、フィー
ドバック制御もできるようになっている。そして同ライ
ン上に流量計や、圧力計を設けることで異常な流量と圧
力の温調水が供給された場合にもインターロックがかか
るようになっている。また、流量や圧力を装置内でコン
トロールできるように、流量調整弁と圧力レギュレータ
も設置されている。また別の温度制御方法としては、テ
ーブル34上の研磨面の温度を非接触式の温度センサを
用いて計測し、この測定結果を元に温調水コントロール
ユニットに信号を送ることによってフィードバック制御
することもある。
(Cooling Table Cooling and Temperature Adjustment) A mechanism for adjusting the temperature of the surface plate is provided below the surface plate. The temperature control water is supplied from a pipe in a hollow shaft of the motor 401 to a table cooling chamber below the surface plate. Inside the table cooling chamber, a cooling water flow path is provided so that the entire surface of the table is uniformly cooled, and a method of arranging the flow path differs depending on a surface plate used. A temperature sensor is provided on the pipe of the temperature regulating water supplied to the apparatus, and an interlock is applied when the temperature deviates from an allowable range from a set temperature. In addition, a signal of this temperature is sent to a temperature control unit outside the apparatus, so that feedback control can be performed. By providing a flow meter or a pressure gauge on the same line, an interlock is applied even when an abnormal flow rate and temperature-regulated water are supplied. In addition, a flow control valve and a pressure regulator are installed so that the flow rate and pressure can be controlled in the apparatus. As another temperature control method, the temperature of the polished surface on the table 34 is measured using a non-contact type temperature sensor, and a feedback control is performed by sending a signal to a temperature control unit based on the measurement result. Sometimes.

【0115】次に、図40に示す研磨テーブル以外の方
式の研磨テーブルを説明する。 (スクロール型研磨テーブル)図41はスクロール型の
第2の研磨テーブルを示す縦断面図であり、図42
(a)は図41のP−P線断面図であり、図42(b)
は図42(a)のX−X線断面図である。スクロール型
の第2の研磨テーブル36は、中空シャフトをもつモー
タ750の上部フランジ751、内部が中空になったシ
ャフト752が順にボルトによって締結されている。シ
ャフト752の上部にはベアリング753によりセット
リング754が支持されている。このセットリング75
4の上面にテーブル759が締結され、その上部に研磨
テーブル755がボルト790により締結されている。
研磨テーブル755は、全体を例えば砥石で構成しても
よいし、研磨テーブル755を例えばステンレス等の耐
食性に優れた金属で構成し、その上面に研磨パッドを貼
り付けて使用してもよい。また、砥石や研磨パッドを利
用する場合、研磨テーブル755の上面は、平坦でも良
いし、凹凸をつけても良い。これらは、被研磨物である
ウエハ101の種類により選択される。テーブル755
の外形はウエハの直径+2“e”以上に設定されてい
て、研磨テーブル755が並進運動をしてもウエハが研
磨テーブル755からはみ出さない大きさになってい
る。
Next, a polishing table other than the polishing table shown in FIG. 40 will be described. (Scroll type polishing table) FIG. 41 is a vertical sectional view showing a scroll type second polishing table, and FIG.
FIG. 42A is a cross-sectional view taken along the line PP of FIG. 41, and FIG.
42 is a sectional view taken along line XX of FIG. In the second polishing table 36 of the scroll type, an upper flange 751 of a motor 750 having a hollow shaft and a shaft 752 having a hollow inside are sequentially fastened by bolts. A set ring 754 is supported on an upper portion of the shaft 752 by a bearing 753. This set ring 75
A table 759 is fastened to the upper surface of the table 4, and a polishing table 755 is fastened to the upper portion of the table 759 by bolts 790.
The polishing table 755 may be entirely composed of, for example, a grindstone, or the polishing table 755 may be composed of, for example, a metal having excellent corrosion resistance, such as stainless steel, and may be used by attaching a polishing pad to an upper surface thereof. When a grindstone or a polishing pad is used, the upper surface of the polishing table 755 may be flat or may have irregularities. These are selected according to the type of the wafer 101 to be polished. Table 755
Is set to be equal to or larger than the diameter of the wafer + 2 “e”, and the size is such that the wafer does not protrude from the polishing table 755 even when the polishing table 755 performs a translational movement.

【0116】前記セットリング754には、周方向に3
つ以上の支持部758が形成され、テーブル759はこ
れら支持部758により支持されている。支持部758
の上面と円筒状部材795の上端に対応する位置には、
周方向に等間隔に複数の凹所760,761が形成さ
れ、これらの凹所760,761にはベアリング76
2,763がそれぞれ装着されている。ベアリング76
2,763には、図41および図42に示すように、
“e”だけずれた2つの軸体764,765を持つ支持
部材766が各軸体の端部を挿入して支持され、モータ
750を回転することにより研磨テーブル755が半径
“e”の円に沿って並進運動可能となっている。
The set ring 754 has three circumferentially
One or more supports 758 are formed, and the table 759 is supported by these supports 758. Support 758
In the position corresponding to the upper surface of the and the upper end of the cylindrical member 795,
A plurality of recesses 760 and 761 are formed at equal intervals in the circumferential direction, and these recesses 760 and 761 have bearings 76.
2,763 are mounted respectively. Bearing 76
As shown in FIGS. 41 and 42,
A support member 766 having two shafts 764 and 765 shifted by “e” is supported by inserting the ends of the shafts, and by rotating the motor 750, the polishing table 755 becomes a circle with a radius “e”. It can be translated along.

【0117】また、フランジ751がモータ750とシ
ャフト752との間で同様に“e”だけ偏心している。
偏心による負荷のバランスを取るためバランサ767が
シャフト752に取り付けられている。研磨テーブル7
55上への研磨砥液の供給は、モータ750とシャフト
752の内部を通り、テーブル759の中央に設けられ
た貫通孔757に継ぎ手791を介して供給される。供
給された研磨砥液は一旦研磨テーブル755とテーブル
759の間で形成される空間756に溜められ、研磨テ
ーブル755に設けられた複数の貫通孔768を経由し
て、直接ウエハ101に接触するように供給される。貫
通孔768はプロセスの種類により数や位置が適宜選択
される。研磨パッドを研磨テーブル755に貼り付けて
使用する場合は、研磨パッドにも貫通孔768の位置に
対応した位置に貫通孔が設けられる。研磨テーブル75
5の全体を砥石で製作する場合は、研磨テーブルの上面
に、格子状、スパイラル状、あるいは放射状等の溝を設
け、この溝に貫通孔768を連通させるようにしても良
い。
The flange 751 is similarly eccentric by "e" between the motor 750 and the shaft 752.
A balancer 767 is attached to the shaft 752 to balance the load due to the eccentricity. Polishing table 7
The supply of the polishing abrasive onto the upper surface 55 passes through the inside of the motor 750 and the shaft 752, and is supplied to a through hole 757 provided at the center of the table 759 via a joint 791. The supplied polishing abrasive liquid is temporarily stored in a space 756 formed between the polishing table 755 and the table 759, and is brought into direct contact with the wafer 101 via a plurality of through holes 768 provided in the polishing table 755. Supplied to The number and positions of the through holes 768 are appropriately selected depending on the type of the process. When the polishing pad is used by being attached to the polishing table 755, the polishing pad is also provided with a through hole at a position corresponding to the position of the through hole 768. Polishing table 75
In the case where the whole of 5 is made of a grindstone, grooves such as lattice, spiral, or radial may be provided on the upper surface of the polishing table, and the through holes 768 may communicate with the grooves.

【0118】また、供給される研磨砥液は純水や薬液や
スラリー等のうち最適なものが選定され、必要に応じて
一種類以上の研磨砥液が同時に、または交互に、または
順番に供給されるように制御される。研磨中の研磨砥液
から並進運動を行う機構を保護するために、テーブル7
55にフリンガー769が取り付けられていて、樋77
0とラビリンス機構を形成している。
The polishing liquid to be supplied is selected from the optimal one among pure water, chemical liquid, slurry and the like, and one or more kinds of polishing liquid are supplied simultaneously, alternately or sequentially as required. Is controlled to be In order to protect the mechanism performing the translational movement from the polishing liquid during polishing, the table 7 is used.
55 has a flinger 769 attached,
0 and a labyrinth mechanism.

【0119】上述の構成において、上下ベアリング76
2,763は、上下ベアリング762,763に嵌合さ
れた上下の軸体764,765を有したクランク軸から
なる支持部材766によって軸方向に相互に接続されて
いる。これゆえ、上下ベアリング762,763は距
離”e”だけ水平方向にずれている。下部ベアリング7
63を支持する円筒状部材795はフレームに固定され
ており、これゆえ静止している。モータ750が駆動さ
れると、中空のシャフト752はモータ750の回転軸
の回りを半径”e”で回転する。これゆえ、研磨テーブ
ル755はクランク軸を介して循環並進運動(スクロー
ル運動)を行ない、トップリング32に取り付けられた
ウエハ101は研磨テーブル755の研磨面上に押し付
けられる。貫通孔757、空間756、貫通孔768を
介して研磨面に供給された研磨砥液により、ウエハ10
1は研磨される。研磨テーブル755上の研磨面とウエ
ハ101の間には、半径”e”の微小な相対並進円運動
が生じて、ウエハ101の被研磨面はその全面において
均一な研磨がなされる。なお、被研磨面と研磨面の位置
関係が同じであると、研磨面の局部的な差異による影響
を受けるので、これを避けるためにトップリング32を
徐々に自転させて、研磨面の同じ場所のみで研磨される
のを防止している。
In the above configuration, the upper and lower bearings 76
The two members 2763 are mutually connected in the axial direction by a support member 766 composed of a crankshaft having upper and lower shafts 764 and 765 fitted to upper and lower bearings 762 and 763. Therefore, the upper and lower bearings 762 and 763 are horizontally displaced by the distance “e”. Lower bearing 7
The cylindrical member 795 supporting 63 is fixed to the frame and is therefore stationary. When the motor 750 is driven, the hollow shaft 752 rotates with a radius “e” around the rotation axis of the motor 750. Therefore, the polishing table 755 performs a circular translation motion (scrolling motion) via the crankshaft, and the wafer 101 attached to the top ring 32 is pressed onto the polishing surface of the polishing table 755. The polishing liquid supplied to the polishing surface through the through hole 757, the space 756, and the through hole 768 causes the wafer 10
1 is polished. A minute relative translational circular motion having a radius "e" occurs between the polishing surface on the polishing table 755 and the wafer 101, and the surface to be polished of the wafer 101 is uniformly polished. When the positional relationship between the polished surface and the polished surface is the same, the polished surface is affected by a local difference. Only to prevent polishing.

【0120】(オーバーハング型研磨テーブル)図43
はオーバーハング型の第2の研磨テーブルを示す縦断面
図である。オーバーハング型の第2の研磨テーブル36
は、定盤700がフランジ704を介してモータ705
に取り付けられている。このモータ705を回転させる
ことにより、その回転に同期して定盤700が回転す
る。定盤700の回転数は、定盤700に取り付けられ
たドグ707が回転し、近接スイッチ708を通過する
回数をカウントすることにより計測し表示される。ま
た、オーバーハング型研磨テーブルは、ポリッシングや
ドレッシング時に使用されるスラリーや純水からラビリ
ンス701、Oリング702,703、ラビリンス70
1の内側に具備された第二のラビリンス710により保
護されている。また、高荷重ポリッシングや長時間の連
続ポリッシングに耐えうるようにハウジング706には
排気用のポート709が形成されており、ハウジング7
06とモータ705の隙間の熱を排熱し、モータ705
の負荷を軽減している。
(Overhang Type Polishing Table) FIG. 43
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an overhang type second polishing table. Overhang-type second polishing table 36
The platen 700 is connected to a motor 705 via a flange 704.
Attached to. By rotating the motor 705, the platen 700 rotates in synchronization with the rotation. The number of rotations of the platen 700 is measured and displayed by counting the number of times the dog 707 attached to the platen 700 rotates and passes through the proximity switch 708. In addition, the overhang type polishing table is made of labyrinth 701, O-rings 702, 703, labyrinth 70 from slurry or pure water used at the time of polishing or dressing.
It is protected by a second labyrinth 710 provided inside one. Further, an exhaust port 709 is formed in the housing 706 so as to withstand high load polishing and continuous polishing for a long time.
06 and the gap between the motor 705 and the motor 705
To reduce the load.

【0121】オーバーハング型研磨テーブルは、研磨す
るウエハ直径内にテーブル中心がある。また、ウエハ、
テーブル双方とも同一方向に回転することにより、ウエ
ハ上の任意の点は、ウエハ対テーブルの相対速度は等し
くなる。テーブル上面には定盤700が配置され、定盤
700には、研磨パッド、又は固定砥粒(砥石)が取付
け可能である。また、砥液、薬液および水は、上方より
ノズルにて、定盤上に供給されるようになっている。
The overhang type polishing table has the center of the table within the diameter of the wafer to be polished. Also, the wafer,
By rotating both tables in the same direction, the relative speed of the wafer to the table becomes equal at any point on the wafer. A platen 700 is disposed on the table upper surface, and a polishing pad or fixed abrasive (grinding stone) can be attached to the platen 700. The polishing liquid, the chemical liquid, and the water are supplied to the platen from above by a nozzle.

【0122】砥液供給ノズル 砥液供給ノズルは、研磨テーブル上の研磨面(例えば研
磨パッドからなる)に研磨砥液を供給する装置である。
図44および図45は砥液供給ノズルを示す図である。
図44(a)は砥液供給ノズルの平面図であり、図44
(b)は砥液供給ノズルの部分断面を有する側面図であ
り、図45は砥液供給ノズル40の研磨テーブル34に
対する位置を示したものである。砥液供給ノズル40
は、図45に示すように、研磨テーブル34上において
液体を供給する供給位置F、第1の待避位置E、第2の
待避位置Dに位置することができるようになっている。
砥液供給ノズル40は、回転軸3051を中心として回
転することにより液体供給アーム3050の先端を所定
の位置に保持することができるようになっている。
Abrasive Liquid Supply Nozzle The abrasive liquid supply nozzle is a device for supplying a polishing abrasive liquid to a polishing surface (eg, a polishing pad) on a polishing table.
FIGS. 44 and 45 are views showing the abrasive liquid supply nozzle.
FIG. 44A is a plan view of the abrasive liquid supply nozzle, and FIG.
FIG. 45B is a side view having a partial cross section of the polishing liquid supply nozzle, and FIG. 45 shows a position of the polishing liquid supply nozzle 40 with respect to the polishing table 34. Abrasive liquid supply nozzle 40
Can be located at a supply position F for supplying liquid on the polishing table 34, a first retreat position E, and a second retreat position D, as shown in FIG.
The polishing liquid supply nozzle 40 can hold the tip of the liquid supply arm 3050 at a predetermined position by rotating about the rotation shaft 3051.

【0123】次に、砥液供給ノズル40の回転機構につ
いて説明する。回転軸3051の回転運動は、回転軸3
051の下端に取り付けられている揺動アーム3052
が、回転軸3051を中心に揺動運動することで得られ
るものである。揺動アーム3052は、シリンダ305
3,シリンダ3054と共にリンク機構を構成してい
る。即ち、シリンダ3053とシリンダ3054のロッ
ド伸縮による直線運動により、揺動アーム3052が揺
動運動する。そして、揺動アーム3052の回転中心に
位置する回転軸3051が回転する。シリンダ3054
は、ベース3055に締結されたシリンダブラケット3
056に固定されている。シリンダ3053は、シリン
ダ3054のロッド先端でロッド先端に対して回転でき
るようにピン止めされている。回転軸3051は、ベア
リングベース3058内に収容されたベアリング305
7により回転自在に支持されている。
Next, the rotation mechanism of the polishing liquid supply nozzle 40 will be described. The rotating motion of the rotating shaft 3051 is
Swinging arm 3052 attached to the lower end of 051
Are obtained by oscillating about the rotation shaft 3051. The swing arm 3052 includes a cylinder 305
3, together with the cylinder 3054, constitute a link mechanism. That is, the swing arm 3052 swings by the linear movement of the cylinder 3053 and the cylinder 3054 due to the rod expansion and contraction. Then, the rotation shaft 3051 located at the rotation center of the swing arm 3052 rotates. Cylinder 3054
Is the cylinder bracket 3 fastened to the base 3055
056. The cylinder 3053 is pinned so that the cylinder 3054 can rotate at the rod end with respect to the rod end. The rotating shaft 3051 is provided with a bearing 305 housed in a bearing base 3058.
7 rotatably supported.

【0124】次に、上記2本のシリンダの動作について
説明する。液体供給アーム3050の先端が研磨テーブ
ル上、例えば本実施例では研磨テーブル34の中央に位
置する場合には、シリンダ3053のロッドは伸びた状
態でシリンダ3054のロッドは縮んだ状態である。こ
の時、シリンダ3053の位置センサ3066及びシリ
ンダ3054の位置センサ3068が信号を発する。そ
の信号が検知できない場合は、砥液供給ノズル40が正
常な位置にないと制御コンピュータが判断し、エラー表
示を出し、プロセスはインターロックされる。
Next, the operation of the two cylinders will be described. When the tip of the liquid supply arm 3050 is located on the polishing table, for example, at the center of the polishing table 34 in this embodiment, the rod of the cylinder 3053 is in an extended state and the rod of the cylinder 3054 is in a contracted state. At this time, the position sensor 3066 of the cylinder 3053 and the position sensor 3068 of the cylinder 3054 emit a signal. If the signal cannot be detected, the control computer determines that the polishing liquid supply nozzle 40 is not at a normal position, issues an error display, and the process is interlocked.

【0125】次に、液体供給アーム3050の先端がE
位置にある場合は、シリンダ3053のロッド及びシリ
ンダ3054のロッドは共に縮んだ状態にある。この時
も、シリンダ3053の位置センサ3067及びシリン
ダ3054の位置センサ3068が信号を発すること
で、制御コンピュータが砥液供給ノズル40の位置を認
識できるようになっている。また、液体供給アーム30
50の先端がD位置にある場合は、シリンダ3053の
ロッドは、縮んだ状態で、シリンダ3054のロッドは
伸びた状態である。この時も、シリンダ3053の位置
センサ3067及びシリンダ3054の位置センサ30
69が信号を発することで、制御コンピュータが砥液供
給ノズル40の位置を認識できるようになっている。
Next, the tip of the liquid supply arm 3050 is
When in the position, the rod of the cylinder 3053 and the rod of the cylinder 3054 are both in a contracted state. At this time, the position computer 3067 of the cylinder 3053 and the position sensor 3068 of the cylinder 3054 generate signals, so that the control computer can recognize the position of the polishing liquid supply nozzle 40. The liquid supply arm 30
When the tip of 50 is at the D position, the rod of the cylinder 3053 is in a contracted state, and the rod of the cylinder 3054 is in an extended state. Also at this time, the position sensor 3067 of the cylinder 3053 and the position sensor 30 of the cylinder 3054
When the signal 69 is issued, the control computer can recognize the position of the polishing liquid supply nozzle 40.

【0126】次に、液体供給アーム3050に取り付け
られたセンサ3064について説明する。センサ306
4は、研磨テーブル34の周囲の飛散防止カバー307
0を正規の設置位置に設置した際、センサ3064の直
下にあたる飛散防止カバー3070の位置に取りつけら
れたドグ3065に反応し、信号を発する。これによ
り、飛散防止カバー3070の付け忘れや、位置ずれが
容易に検出できるようにしている。即ち、飛散防止カバ
ー3070は上下動可能なので、研磨テーブル34のメ
ンテナンス時は下げているが、下げたまま研磨作業が行
われると、研磨液などが周囲に飛散してしまう恐れがあ
る。センサ3064が発する信号により、研磨テーブル
34の駆動モータ等が誤作動しないようにすることがで
き、上記のような事態を未然に防ぐことが可能となる。
また、回転軸3051の回転機構を液体(砥液、薬液、
純水等)から保護するための保護機構として、アーム本
体3059にフリンガー3060が装着されている。そ
して、フリンガー3060はポリッシャパン3061と
の間でラビリンス機構を形成している。
Next, the sensor 3064 attached to the liquid supply arm 3050 will be described. Sensor 306
4 is a scattering prevention cover 307 around the polishing table 34.
When “0” is set at the regular installation position, it reacts with the dog 3065 attached to the position of the scattering prevention cover 3070 immediately below the sensor 3064 to generate a signal. This makes it possible to easily detect the forgotten attachment of the scattering prevention cover 3070 and the displacement. That is, since the scattering prevention cover 3070 can move up and down, it is lowered during maintenance of the polishing table 34. However, if the polishing operation is performed with the polishing table 34 being lowered, the polishing liquid and the like may scatter around. The signal generated by the sensor 3064 can prevent the drive motor or the like of the polishing table 34 from malfunctioning, and can prevent the above-mentioned situation.
In addition, the rotation mechanism of the rotating shaft 3051 is changed to a liquid (abrasive liquid, chemical liquid,
A flinger 3060 is attached to the arm body 3059 as a protection mechanism for protecting the arm body 3059 from pure water. The flinger 3060 forms a labyrinth mechanism with the polisher pan 3061.

【0127】次に、液体供給アーム3050の動作を説
明する。液体供給アーム3050は、液体供給位置Fに
おいて、4つのチューブ3063が研磨テーブル34の
回転中心に一致するように位置決めされ、4つのチュー
ブ3063のうち所定のチューブ3063から研磨液を
吐出する。吐出された研磨液は、研磨テーブル34の中
央に落ち、研磨テーブル34の全面に均一に広がり、そ
の研磨面全体を覆う。また、チューブ3063は、中空
の液体供給アーム3050の中に挿入されており、且
つ、固定部材3062によって該液体供給アーム305
0に対して固定されている。これにより、チューブ30
63の先端が研磨テーブル34に対して垂直になるよう
に案内されている。また、ドレッシング時には、チュー
ブ3063からドレッシング液が吐出されるが、このド
レッシング液も前記研磨液と同様に研磨テーブル34の
中央に垂直に落ちるようにされ、研磨テーブル34全面
に均一に広がる。すなわち、本実施形態における液体供
給アーム3050の場合、いずれのチューブ3063か
ら吐出される液体も、研磨テーブル34の中央に垂直に
垂れるように供給され、従って、研磨テーブル34の研
磨面の所要の位置に正確に供給することができる。
Next, the operation of the liquid supply arm 3050 will be described. The liquid supply arm 3050 is positioned such that the four tubes 3063 coincide with the rotation center of the polishing table 34 at the liquid supply position F, and discharges the polishing liquid from a predetermined tube 3063 among the four tubes 3063. The discharged polishing liquid falls to the center of the polishing table 34, spreads uniformly over the entire surface of the polishing table 34, and covers the entire polishing surface. The tube 3063 is inserted into the hollow liquid supply arm 3050, and is fixed by the fixing member 3062.
Fixed to 0. Thereby, the tube 30
The tip of 63 is guided so as to be perpendicular to the polishing table 34. At the time of dressing, the dressing liquid is discharged from the tube 3063, and this dressing liquid also falls vertically to the center of the polishing table 34 like the polishing liquid, and spreads uniformly over the entire surface of the polishing table 34. That is, in the case of the liquid supply arm 3050 in the present embodiment, the liquid discharged from any of the tubes 3063 is supplied so as to hang vertically to the center of the polishing table 34, and therefore, a required position of the polishing surface of the polishing table 34 is required. Can be supplied accurately.

【0128】液体を垂直に供給するための方法として
は、図示のごとく、チューブ3063の先端を垂直下向
きにする方法の他に、液体を貯留するタンクT,T
とチューブとの間に流量調整バルブV,Vを設けて
チューブに供給する流量を調整できるようにし、チュー
ブ先端から吐出された液体が直ちに垂直に流下する程度
の流量に調節することによって行うことも可能である。
研磨テーブル34上に貼り付けた研磨パッドの張り替え
等を行う場合は、前記2本のシリンダ駆動によるリンク
機構により液体供給アーム3050を第一の待避位置E
まで揺動させる。これによって、研磨テーブル34の真
上には何も存在しないこととなり、研磨クロスの張り替
え等の作業が容易に行える。また、この時、液体供給ア
ーム3050の先端にあるチューブ3063の先端は、
飛散防止カバー3070の切り欠き部3071の真上に
位置する。これにより、チューブ3063から垂れる液
体は該切り欠き部を通してその下に位置する桶内に落下
し、漏出した液が研磨テーブル34の周囲を汚すことは
ない。また、このような構成となっているためチューブ
3063を純水源にも接続しておき、純水を通水するこ
とにより、当該チューブの洗浄を周囲を汚すことなく行
える。
As a method for supplying the liquid vertically, as shown in the drawing, in addition to a method in which the tip of the tube 3063 is directed vertically downward, tanks T 1 and T 2 for storing the liquid are used.
The flow rate control valves V 1 and V 2 are provided between the tube and the tube so that the flow rate supplied to the tube can be adjusted, and the flow rate is adjusted so that the liquid discharged from the tube tip immediately flows down vertically. It is also possible.
When the polishing pad attached to the polishing table 34 is to be replaced, the liquid supply arm 3050 is moved to the first retreat position E by the link mechanism driven by the two cylinders.
Rock until As a result, nothing exists directly above the polishing table 34, and operations such as replacement of the polishing cloth can be easily performed. At this time, the tip of the tube 3063 at the tip of the liquid supply arm 3050 is
It is located directly above the notch 3071 of the scattering prevention cover 3070. As a result, the liquid dripping from the tube 3063 falls through the cutout into the tub located thereunder, and the leaked liquid does not stain the periphery of the polishing table 34. In addition, with such a configuration, the tube 3063 is also connected to a pure water source, and by passing pure water therethrough, the tube can be washed without polluting the surroundings.

【0129】前記2つのポジションE,Fでは行えない
メンテナンスの必要が発生した場合、たとえば液体の吐
出流量計測、研磨テーブル周辺の点検等の場合は、前記
2本のシリンダ駆動によるリンク機構により液体供給ア
ーム3050を第2の待避位置Dまで揺動させる。これ
によって、研磨テーブル34及び飛散防止カバー307
0上に何物も存在しなくなり、上記メンテナンスが容易
に行える。また、上記実施形態では、シリンダ305
3,3054を用いたリンク機構による液体供給アーム
3050の停止位置を2箇所としたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、液体供給位置及び待避位置が
それぞれ少なくとも一つずつあればよい。
In the case where maintenance that cannot be performed at the two positions E and F is required, for example, when measuring the liquid discharge flow rate and inspecting the periphery of the polishing table, the liquid is supplied by the link mechanism driven by the two cylinders. The arm 3050 is swung to the second retracted position D. Thus, the polishing table 34 and the scattering prevention cover 307
Nothing is present on 0, and the above maintenance can be performed easily. In the above embodiment, the cylinder 305
The stop position of the liquid supply arm 3050 by the link mechanism using the 3,3054 is set at two positions. However, the present invention is not limited to this, and it is sufficient that at least one liquid supply position and at least one retreat position are provided. .

【0130】図46乃至図48は研磨砥液供給方式を示
す模式図である。本装置は複数の研磨面を有し、各研磨
面に対してそれぞれ複数のスラリーを供給可能としてい
る。供給方式には、装置外部より研磨に使用される必要
分の砥液流量が安定して供給される場合と、圧力や流量
が一定に制御されることなく供給される場合と、装置外
に砥液を溜めたタンクを設置し、そこから砥液を吸い上
げる場合とがある。砥液流量が安定して供給される場合
は、図46および図47に示すように、必要に応じて供
給ラインの1次繋ぎ込み口に3方弁を取りつけ、砥液が
研磨面上に供給されていない時には、3方弁のうちバル
ブ420を閉じ、バルブ421を開くことで砥液を装置
外へ戻して循環させる。そして、砥液を研磨面上に供給
する時には、バルブ420を開き、バルブ421を閉じ
る。
FIG. 46 to FIG. 48 are schematic views showing a polishing abrasive liquid supply system. The present apparatus has a plurality of polishing surfaces, and can supply a plurality of slurries to each polishing surface. The supply method includes a case where the required amount of the polishing liquid used for polishing is supplied stably from the outside of the apparatus, a case where the polishing liquid is supplied without controlling the pressure and the flow rate constantly, and a case where the polishing liquid is supplied outside the apparatus. There is a case where a tank for storing the liquid is installed, and the polishing liquid is sucked from the tank. When the polishing liquid flow rate is supplied stably, as shown in FIGS. 46 and 47, a three-way valve is attached to the primary connection port of the supply line as needed to supply the polishing liquid onto the polishing surface. When not performed, the valve 420 of the three-way valve is closed and the valve 421 is opened to return the abrasive fluid to the outside of the apparatus and circulate the same. When supplying the polishing liquid onto the polishing surface, the valve 420 is opened and the valve 421 is closed.

【0131】これらのバルブの他に、砥液の供給ライン
上に圧力センサを設けて砥液の供給圧を監視し、供給圧
が高すぎたり、供給されていなかったりした場合には、
その圧力を検知することでインターロックをかけること
もできる。そして、バルブの下流側に定流量弁を設ける
ことで、研磨面上に供給する砥液の流量を研磨面に近い
ところで精密に制御することができる。この定流量弁は
電気的な信号によって流量を可変できるようなシステム
を組むことで、1枚のウエハの研磨ごとに流量を変えた
り、1枚の研磨中に様々な回転数と流量を組合せて段階
的に研磨することも可能である。また、研磨終了後に、
砥液の代わりに純水を用いてウエハの研磨、もしくは洗
浄を行うことが有るが、これに対応すべく、純水のライ
ンを研磨面上に供給できるように設けてあり、バルブ4
26の開閉で供給のタイミングを制御する。この純水ラ
インからは、ドレッシング時にも純水を研磨面上に供給
しても良い。
In addition to these valves, a pressure sensor is provided on the abrasive fluid supply line to monitor the abrasive fluid supply pressure. If the supply pressure is too high or not supplied,
An interlock can be applied by detecting the pressure. By providing a constant flow rate valve downstream of the valve, the flow rate of the polishing liquid supplied onto the polishing surface can be precisely controlled near the polishing surface. This constant flow valve is designed to change the flow rate every time one wafer is polished or to combine various rotation speeds and flow rates during one polishing by building a system that can change the flow rate by an electric signal. It is also possible to polish step by step. Also, after polishing,
In some cases, the wafer is polished or cleaned by using pure water instead of the polishing liquid. In order to cope with this, a line of pure water is provided so as to be supplied on the polished surface.
The supply timing is controlled by opening / closing 26. From this pure water line, pure water may be supplied onto the polishing surface even during dressing.

【0132】供給される砥液の流量が一定でない場合
や、装置外に置かれたタンク内より砥液を吸い上げるよ
うな時には、図48に示すように、砥液の供給ライン上
にポンプ430,432を設ける。使用するポンプは、
医療機器として使われることの多いチュービングポンプ
が小型で使い勝手が良い。ポンプ430,432を設け
ることで、流量を一定に、且つ1枚のウエハの研磨ごと
に流量を変えたり、1枚の研磨中に様々な回転数と流量
を組合せて段階的に研磨することも可能である。この他
に、研磨面に砥液を供給する直前で少なくとも2種類以
上の砥液を混合したり、砥液を純水で希釈する場合に備
え、図46に示すように、バルブ440及びバルブ44
1が設置できるようになっている。これらのラインも定
流量弁や圧力センサを組み込むことで、自由に濃度を変
えて供給することが可能となる。そして、全ての回路に
おいて、砥液供給ライン内に溜まった砥液を、乾燥して
固まらないように純水で洗浄することを目的としたフラ
ッシングラインとバルブ424,425を設ける。この
バルブはウエハの研磨終了ごとに、一定時間だけ開いて
ライン内を洗浄することもでき、また、装置が次の処理
を待っている時間内に一定間隔でライン内を洗浄するこ
ともできる。
When the flow rate of the supplied abrasive liquid is not constant or when the abrasive liquid is sucked up from a tank placed outside the apparatus, as shown in FIG. 432 are provided. The pump used is
Tubing pumps often used as medical equipment are small and easy to use. By providing the pumps 430 and 432, it is also possible to make the flow rate constant and change the flow rate every time one wafer is polished, or to perform stepwise polishing by combining various rotation speeds and flow rates during one polishing. It is possible. In addition, as shown in FIG. 46, the valve 440 and the valve 44 are used in preparation for mixing at least two or more types of polishing liquid immediately before supplying the polishing liquid to the polishing surface or diluting the polishing liquid with pure water.
1 can be installed. By incorporating a constant flow valve and a pressure sensor, these lines can also be supplied with their concentrations changed freely. In all circuits, a flushing line and valves 424, 425 for cleaning the polishing liquid accumulated in the polishing liquid supply line with pure water so as not to be hardened by drying are provided. This valve can be opened for a certain period of time to clean the inside of the line every time polishing of the wafer is completed, or the inside of the line can be cleaned at a regular interval during a period of time when the apparatus is waiting for the next processing.

【0133】ウエハ洗浄 図32は、ウエハの洗浄およびウエハを取扱う各機器の
洗浄動作を示す模式図である。ロータリトランスポータ
27とプッシャー30,30’とリフタ29,29’と
トップリング32,33と反転機28,28’で搬送さ
れるウエハはポリッシング後の搬送中に洗浄される。こ
れはポリッシング中にウエハに付着した砥液や研磨カス
を早い段階で洗浄し、砥液のケミカル成分による余分な
エッチングや酸化を防ぐことを目的としている。また、
砥液や研磨カスがウエハ上で乾燥するとウエハへの付着
が強固になり、その後の洗浄機で洗浄しても落ちなくな
ることがある。そのため乾燥させずに洗浄機までの搬送
を行うことも必要になる。また、そのウエハを搬送する
これら5つのユニットも、汚れたウエハに接触するので
それぞれ洗浄する必要がある。
Wafer Cleaning FIG. 32 is a schematic view showing the cleaning operation of a wafer and the operation of each device handling the wafer. The wafer transported by the rotary transporter 27, the pushers 30, 30 ', the lifters 29, 29', the top rings 32, 33, and the reversing devices 28, 28 'is cleaned during the transport after polishing. The purpose of this is to wash the polishing liquid or polishing residue adhering to the wafer during polishing at an early stage to prevent unnecessary etching and oxidation due to chemical components of the polishing liquid. Also,
When the polishing liquid or polishing debris dries on the wafer, the adherence to the wafer becomes strong, and the polishing liquid or polishing residue may not be removed even after cleaning with a cleaning machine. For this reason, it is necessary to carry the material to the washing machine without drying. In addition, these five units that transport the wafer also need to be cleaned because they come into contact with the dirty wafer.

【0134】プッシャー30,30’はトップリング3
2,33とロータリトランスポータ27の間でウエハの
搬送を行う。ポリッシング前のウエハはロータリトラン
スポータ27に載ってプッシャー30,30’の上方へ
搬送されてくる。プッシャー30,30’はこのウエハ
をトップリング32,33に搬送する。また、ポリッシ
ング後のウエハはトップリング32,33からロータリ
トランスポータ27へプッシャー30,30’を介して
搬送される。ポリッシング後のウエハは砥液や研磨カス
が付着しているので、このウエハを搬送するプッシャー
30,30’にもその砥液や研磨カスが付着してしま
う。プッシャー自身を洗浄しないと次に搬送するポリッ
シング前のウエハを汚してしまうことになる。また、洗
浄をせずに長時間経過すると砥液や研磨カスが固まって
乾燥し大きな粒となり、それがウエハに付着してウエハ
のポリッシングが行われるとウエハに大きなダメージ
(スクラッチ)を与えてしまう。そのためプッシャー3
0,30’の、とくにウエハを載置するステージを洗浄
することが必要であり、図32に示すように、洗浄液
(純水・薬液・イオン水やオゾン水等)をスプレーノズ
ル500を用いて吹き付けることで洗浄を行う。洗浄の
タイミングは、研磨後のウエハ101をプッシャー3
0,30’が上昇し受け取り、下降途中にロータリート
ランスポータにウエハを渡し、更に下降し、下降終了の
信号をセンサから発するのを受けて、ノズル500から
洗浄液を噴射することにより洗浄する。
The pushers 30, 30 'are for the top ring 3.
The wafer is transferred between the rotary transporters 27 and 33. The wafer before polishing is carried on the rotary transporter 27 and transported above the pushers 30, 30 '. The pushers 30, 30 'transfer the wafer to the top rings 32, 33. The polished wafer is transferred from the top rings 32, 33 to the rotary transporter 27 via pushers 30, 30 '. Since the wafer after polishing has abrasive liquid or polishing scum attached thereto, the abrasive liquid or polishing scum also adheres to the pushers 30 and 30 ′ for transporting the wafer. If the pusher itself is not cleaned, the wafer to be transported next will be contaminated before polishing. In addition, if a long time passes without cleaning, the abrasive liquid and polishing residue solidify and become large particles, which adhere to the wafer and cause large damage (scratch) to the wafer if the wafer is polished. . Therefore pusher 3
It is necessary to wash the stages 0 and 30 ', especially the stage on which the wafer is mounted. As shown in FIG. 32, a cleaning liquid (pure water / chemical liquid / ion water, ozone water, etc.) is sprayed using a spray nozzle 500. Cleaning is performed by spraying. The timing of cleaning is as follows.
The wafers 0, 30 'rise and receive, pass the wafer to the rotary transporter in the course of descending, descend further, and receive a signal of the end of descending from the sensor.

【0135】ロータリトランスポータ27はウエハを上
面に載置し、リフタ29,29’との受け渡し位置とプ
ッシャー30,30’との受け渡し位置との間を回転し
てウエハを搬送する。ポリッシング終了後のウエハの搬
送では砥液やポリッシングのカスが残ったウエハを搬送
するので、ウエハ載置用ピン201やその周辺が砥液や
研磨カスで汚れる。ポリッシングを完了したウエハはロ
ータリトランスポータ27上のウエハ載置用ピン201
の上にプッシャー30,30’を経由して搬送される。
ウエハがロータリトランスポータ27に搬送されたらウ
エハの上面と下面に向けて洗浄液(純水・薬液・イオン
水やオゾン水等)をかけて洗浄する。洗浄液をかけるた
めには、ポリッシャーパン80,80’(図1参照)や
隔壁24(図1参照)に固定されているスプレーノズル
501,502,503,504を用い、所望の流量と
圧力、角度、範囲でウエハを洗浄することが可能になっ
ている。ウエハの上面と下面の洗浄は同時のタイミング
で行い洗浄液の操作用エアオペレートバルブは共有して
もよい。その場合、エアオペレートバルブの出口より下
流で配管を分岐させ、上面と下面への供給を行えばよ
い。また、ここでのウエハはパターン面が下を向いてい
るので、下からの洗浄を充実させた方がウエハの歩留ま
りが良くなるので、上面への洗浄用ノズルよりも大流量
を流せるノズルを下からの洗浄に使ったり、配管を下面
用だけ太くすることで下からの洗浄を上からの洗浄より
も充実させることが可能になる。もちろん操作用エアオ
ペレートバルブをそれぞれ下面用と上面用とで分けても
同様のことが可能である。また、ウエハを保持していな
い時にロータリトランスポータ27のピンを洗浄するた
めに、このノズルを用いウエハ載置ピン201の洗浄を
行ってもよい。
The rotary transporter 27 places the wafer on the upper surface, and transports the wafer by rotating between a transfer position between the lifters 29 and 29 ′ and a transfer position between the pushers 30 and 30 ′. In the transfer of the wafer after the polishing is completed, the wafer on which the polishing liquid or polishing residue remains is transferred, so that the wafer mounting pins 201 and the periphery thereof are stained with the polishing liquid or the polishing residue. The wafer after polishing is transferred to the wafer mounting pins 201 on the rotary transporter 27.
Is transported via pushers 30, 30 '.
When the wafer is transferred to the rotary transporter 27, the wafer is washed by applying a cleaning liquid (pure water, chemical solution, ionic water, ozone water, etc.) to the upper and lower surfaces of the wafer. In order to apply the cleaning liquid, desired flow rates, pressures, and angles are used by using spray nozzles 501, 502, 503, and 504 fixed to the polisher pans 80 and 80 '(see FIG. 1) and the partition 24 (see FIG. 1). , The wafer can be cleaned in the range. The cleaning of the upper surface and the lower surface of the wafer may be performed at the same time, and the air operated valve for operating the cleaning liquid may be shared. In this case, the pipe may be branched downstream from the outlet of the air operated valve to supply the upper and lower surfaces. Also, since the wafer has a pattern surface facing downward, enriching the cleaning from below will improve the yield of wafers.Therefore, lower the nozzle capable of flowing a larger flow rate than the cleaning nozzle on the upper surface. It can be used for washing from above or by making the piping thicker only for the lower surface, so that washing from below can be more enriched than washing from above. Of course, the same can be achieved by dividing the operating air operated valve into a lower surface and an upper air valve. Further, in order to clean the pins of the rotary transporter 27 when the wafer is not held, the wafer mounting pins 201 may be cleaned using this nozzle.

【0136】リフタ29,29’は反転機28,28’
とロータリトランスポータ27のウエハの搬送を行う。
ポリッシング前のウエハはロボットにより反転機28,
28’へ搬送されてくる。リフタ29,29’はこのウ
エハをロータリトランスポータ27に搬送する。また、
ポリッシング後のウエハはロータリトランスポータ27
に載ってリフタ上方に搬送されてくるので、このウエハ
を反転機28,28’へ搬送する。ポリッシング後のウ
エハは砥液や研磨カスがロータリトランスポータ27上
である程度洗浄されている。しかし、この洗浄が充分で
ない場合はこのウエハを搬送するリフタ29,29’も
汚れてしまうことがある。そのためウエハの搬送の合間
にリフタのとくにウエハを載置するステージ260(図
30参照)を洗浄することが必要である。ここでも洗浄
液(純水・薬液)をスプレーノズル505を用いて吹き
付けることで洗浄を行う。特に、研磨後のウエハ101
を反転機28,28’へ搬送した後、リフター29,2
9’が下降し、下降端センサー267が下降終了の信号
を発したのを受けて、洗浄を開始するのが効果的であ
る。
Lifters 29, 29 'are reversing machines 28, 28'
Then, the wafer is transferred by the rotary transporter 27.
The wafer before polishing is turned by a robot into a reversing machine 28,
28 '. The lifters 29, 29 ′ carry this wafer to the rotary transporter 27. Also,
The wafer after polishing is transferred to the rotary transporter 27.
The wafer is transported above the lifter, and the wafer is transported to the reversing devices 28 and 28 '. The wafer after polishing has been cleaned to some extent on the rotary transporter 27 with abrasive liquid and polishing debris. However, if the cleaning is not sufficient, the lifters 29 and 29 'for transporting the wafer may be stained. Therefore, it is necessary to wash the stage 260 (see FIG. 30) on the lifter, particularly the wafer, between the transfer of the wafer. Also in this case, cleaning is performed by spraying a cleaning liquid (pure water / chemical solution) using a spray nozzle 505. In particular, the polished wafer 101
After being transported to the reversing machines 28 and 28 ', the lifters 29 and 2
It is effective to start the washing in response to the lowering of 9 'and the lowering end sensor 267 having issued a signal indicating the end of the lowering.

【0137】トップリング32,33はポリッシング毎
に砥液や研磨カスで汚れる。ポリッシング終了後にウエ
ハを離脱し、次のウエハを受取る前に前回のポリッシン
グの汚れを洗浄する必要がある。ウエハを離脱するとウ
エハ保持部分32a,33aが開放される。次のウエハ
を保持してポリッシングを開始する前にこの開放したウ
エハ保持部分32a,33aを洗浄することで砥液や研
磨カスが次にポリッシングするウエハとウエハ保持部分
との間に入ることを防げる。ここでも、図32に示すよ
うに、洗浄液(純水・薬液・イオン水・オゾン水等)を
スプレーノズル506で吹き付けて洗浄を行う。また、
ポリッシング後のウエハをすぐにプッシャー30,3
0’へ離脱せず、このノズル506でウエハのパターン
面を洗浄することも可能である。
The top rings 32 and 33 are stained with polishing liquid or polishing waste every time polishing is performed. It is necessary to remove the wafer after polishing, and to clean the previous polishing stain before receiving the next wafer. When the wafer is detached, the wafer holding portions 32a and 33a are opened. By cleaning the opened wafer holding portions 32a and 33a before holding the next wafer and starting the polishing, it is possible to prevent the abrasive liquid or polishing dust from entering between the next wafer to be polished and the wafer holding portion. . Here, as shown in FIG. 32, cleaning is performed by spraying a cleaning liquid (pure water, chemical liquid, ionized water, ozone water, etc.) with a spray nozzle 506. Also,
Immediately push the wafer after polishing to pusher 30,3
It is also possible to clean the pattern surface of the wafer with this nozzle 506 without deviating to 0 '.

【0138】反転機28,28’はロボットとリフタ3
0,30’の搬送の間にウエハを反転させる。ポリッシ
ング終了後のウエハは反転機28,28’に運ばれてく
るまでに簡易的な洗浄をされただけなのでこの反転機で
のウエハ滞留時間中もウエハの洗浄と乾燥防止を兼ね
て、図32に示すように、スプレーノズル507,50
8を用いてウエハに洗浄水(純水・薬液・イオン水・オ
ゾン水等)をかける。ポリッシング後のウエハは反転機
に搬送された後、反転されてパターン面が上を向いてい
る。この後ロボットが受取に来るまでウエハは反転機上
で待機することになる。ウエハのポリッシングや洗浄の
処理時間の条件によってはウエハがこの反転機上で待機
する時間が長くなることも考慮して、ここでは乾燥防止
としての役目も強くなる。また、洗浄機5,6,22,
23のうち、1,もしくはそれ以上の洗浄時間がポリッ
シング時間よりも極端に長い場合は反転機28,28’
の他にロータリトランスポータ27上のステージ21
1,213(図31参照)でもウエハ101を待機させ
ることができる。この場合も上述の反転機28,28’
の時と同様に乾燥防止の目的で、該スプレーノズル50
3,504を用いて洗浄水を流してもよい。
The reversing machines 28 and 28 ′ are composed of a robot and a lifter 3.
The wafer is inverted during the transfer of 0, 30 '. Since the wafer after the polishing is simply cleaned before being transferred to the reversing machines 28 and 28 ', the wafer is cleaned and prevented from drying even during the wafer residence time in the reversing machine. , Spray nozzles 507, 50
The cleaning water (pure water, chemical solution, ionized water, ozone water, etc.) is applied to the wafer by using 8. The polished wafer is conveyed to a reversing machine and then reversed so that the pattern surface faces upward. Thereafter, the wafer waits on the reversing machine until the robot comes to receive it. In consideration of the fact that the waiting time of the wafer on the reversing machine is lengthened depending on the conditions of the processing time for polishing and cleaning of the wafer, the role of preventing drying is enhanced here. In addition, washing machines 5, 6, 22,
If one or more of the cleaning times is extremely longer than the polishing time, the reversing machines 28 and 28 '.
In addition, the stage 21 on the rotary transporter 27
The wafer 101 can also be made to stand by by 1 or 213 (see FIG. 31). Also in this case, the above-described reversing machines 28, 28 '
As in the case of the above, the spray nozzle 50 is used for the purpose of preventing drying.
Wash water may be flowed using 3,504.

【0139】以上ロータリトランスポータの周辺でのウ
エハ洗浄とそれぞれのユニットの洗浄について述べた
が、まとめるとポリッシング後、ウエハを洗浄する順番
は、 1)トップリング32,33上での洗浄 2)ロータリトランスポータ27上での洗浄 3)反転機28,28’での洗浄 となる。砥液による必要以上のエッチングや酸化を防ぐ
ために、薬液での洗浄はポリッシング完了後ただちに行
なうことが望ましい。従ってトップリング上での洗浄や
ロータリトランスポータ上での洗浄は薬液で行う方が有
効である。反対に反転機での洗浄はウエハがその前段階
である程度洗浄されていることを考慮すると、洗浄とい
う目的よりも乾燥防止の目的を重視できる。
The cleaning of the wafer around the rotary transporter and the cleaning of each unit have been described above. In summary, the order of cleaning the wafer after polishing is as follows: 1) Cleaning on the top rings 32 and 33 2) Rotary Washing on the transporter 27 3) Washing in the reversing machines 28 and 28 '. In order to prevent unnecessary etching and oxidation by the polishing liquid, it is desirable that cleaning with a chemical liquid be performed immediately after polishing is completed. Therefore, it is more effective to perform the cleaning on the top ring and the cleaning on the rotary transporter with a chemical solution. On the other hand, in consideration of the fact that the wafer is cleaned to some extent in the previous stage, the purpose of preventing the drying can be emphasized rather than the purpose of the cleaning.

【0140】したがって、例えばトップリングとロータ
リトランスポータでのウエハ洗浄は薬液で、反転機での
洗浄は純水で、と分けることで最適でしかもコストを最
小限にした洗浄を行うこともできる。また、トップリン
グとロータリトランスポータでの洗浄では時間をかける
とその分ウエハの処理時間に直接影響を及ぼすが、反転
機での待ち時間の洗浄は装置の処理時間に影響を与えな
い。したがって、トップリングやロータリトランスポー
タでの洗浄水の吹き付けは強く短時間で行い、反転機で
の洗浄は乾燥を防止する程度の流量でたとえば間欠的に
洗浄するのが良い。
Therefore, it is possible to perform cleaning that is optimal and minimizes costs by separating the wafer cleaning with a top ring and a rotary transporter with a chemical solution, and cleaning with a reversing machine with pure water. In addition, the time taken for cleaning with the top ring and the rotary transporter directly affects the processing time of the wafer, but the cleaning of the waiting time in the reversing machine does not affect the processing time of the apparatus. Therefore, it is preferable to spray the washing water with the top ring and the rotary transporter strongly and in a short time, and to wash with the reversing machine at a flow rate that prevents drying, for example, intermittently.

【0141】図49は、本発明の第2の実施形態に係る
ポリッシング装置の各部の配置構成を示す平面図であ
る。また図50は図49に示すポリッシング装置の斜視
図である。図49および図50においてはポリッシング
装置全体を囲っているハウジングは図示を省略してい
る。また図50においては隔壁は図示を省略している。
第1の実施形態のポリッシング装置においては、領域
C,D内に配置された2つの研磨部に共通の搬送機構と
して回転移動する4台のステージ(置き台)を備えた共
通の1台のロータリトランスポータ27を配置したが、
第2の実施形態においては、2つの研磨部にそれぞれ専
用の搬送機構として往復直線移動をする2台のステージ
を備えたリニアトランスポータを個別に配置しているこ
とが異なっている。図49および図50に示すポリッシ
ング装置は多数の半導体ウエハをストックするウエハカ
セット1を載置するロードアンロードステージ2を4つ
備えている。ロードアンロードステージ2上の各ウエハ
カセット1に到達可能となるように、走行機構3の上に
2つのハンドを有した搬送ロボット4が配置されてい
る。走行機構3にはリニアモータからなる走行機構が採
用されている。リニアモータからなる走行機構を採用す
ることにより、ウエハが大口径化し重量が高速且つ安定
した搬送ができる。
FIG. 49 is a plan view showing the arrangement of each part of the polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 50 is a perspective view of the polishing apparatus shown in FIG. 49 and 50, the housing surrounding the entire polishing apparatus is not shown. In FIG. 50, illustration of the partition is omitted.
In the polishing apparatus according to the first embodiment, one common rotary provided with four stages (tables) that rotate and move as a common transport mechanism for two polishing units disposed in the areas C and D. Although the transporter 27 is arranged,
The second embodiment is different from the first embodiment in that a linear transporter having two stages that reciprocate linearly as a dedicated transport mechanism is individually arranged in two polishing units. The polishing apparatus shown in FIGS. 49 and 50 includes four load / unload stages 2 on which a wafer cassette 1 for storing a large number of semiconductor wafers is placed. A transfer robot 4 having two hands is arranged on the traveling mechanism 3 so that each of the wafer cassettes 1 on the load / unload stage 2 can be reached. The traveling mechanism 3 employs a traveling mechanism including a linear motor. By adopting a traveling mechanism composed of a linear motor, the diameter of the wafer becomes large, and high-speed and stable transfer can be achieved.

【0142】図49に示す実施形態は、ウエハカセット
1を載置するロードアンロードステージ2としてSMI
F(Standard Manufacturing Interface)ポッド、もし
くはFOUP(Front Opening Unified Pod)を用い、
ロードアンロードステージが外付けされた例である。S
MIF,FOUPは、中にウエハカセットを収納し、隔
壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つ
ことができる密閉容器である。SMIFもしくはFOU
Pを、ポリッシング装置のロードアンロードステージ2
に設置した場合、ポリッシング装置側のハウジング46
に設けられたシャッター52及びSMIFもしくはFO
UP側のシャッターが開くことにより、ポリッシング装
置とウエハカセット1側が一体化する。SMIFもしく
はFOUPは、研磨工程が終わると、シャッターを閉
じ、ポリッシング装置と分離し、別の処理工程へ自動も
しくは手動で搬送されるため、その内部雰囲気を清浄に
保っておく必要がある。
In the embodiment shown in FIG. 49, as the load / unload stage 2 on which the wafer cassette 1 is mounted, an SMI
Using F (Standard Manufacturing Interface) pod or FOUP (Front Opening Unified Pod)
This is an example in which a load / unload stage is externally attached. S
The MIF and the FOUP are sealed containers that house a wafer cassette therein and cover them with partition walls so that an environment independent of an external space can be maintained. SMIF or FOU
P is loaded / unloaded stage 2 of the polishing apparatus
Is installed in the housing 46 on the polishing apparatus side.
Shutter 52 and SMIF or FO
By opening the shutter on the UP side, the polishing apparatus and the wafer cassette 1 side are integrated. When the polishing process is finished, the SMIF or FOUP is closed by a shutter, separated from the polishing apparatus, and is automatically or manually transferred to another processing step. Therefore, the internal atmosphere of the SMIF or FOUP must be kept clean.

【0143】そのため、ウエハがカセットに戻る直前に
通る領域Aの上部には、ケミカルフィルタを通して清浄
な空気のダウンフローが形成されている。又、搬送ロボ
ット4の移動にリニアモータを用いているため、発塵が
抑えられ、領域Aの雰囲気をより正常に保つことができ
る。尚、ウエハカセット1内のウエハを清浄に保つため
に、SMIFやFOUPの様な密閉容器にケミカルフィ
ルタ、ファンを内蔵し、自らクリーン度を維持するクリ
ーンボックスを用いるようにしてもよい。
Therefore, a downflow of clean air is formed above the region A where the wafer passes just before returning to the cassette through the chemical filter. Further, since a linear motor is used for moving the transfer robot 4, dust generation is suppressed, and the atmosphere in the area A can be kept more normal. Incidentally, in order to keep the wafers in the wafer cassette 1 clean, a chemical filter and a fan may be incorporated in a closed container such as SMIF or FOUP, and a clean box which maintains the cleanness by itself may be used.

【0144】搬送ロボット4の走行機構3を対称軸に、
ウエハカセット1とは反対側に2台の洗浄機5,6が配
置されている。各洗浄機5,6は搬送ロボット4のハン
ドが到達可能な位置に配置されている。また2台の洗浄
機5,6の間で、ロボット4が到達可能な位置に、4つ
の半導体ウエハの載置台7,8,9,10を備えたウエ
ハステーション50が配置されている。
The traveling mechanism 3 of the transfer robot 4 is set on the axis of symmetry,
Two cleaning machines 5 and 6 are arranged on the opposite side of the wafer cassette 1. Each of the washing machines 5 and 6 is arranged at a position where the hand of the transfer robot 4 can reach. A wafer station 50 having four semiconductor wafer mounting tables 7, 8, 9, and 10 is disposed at a position where the robot 4 can reach between the two cleaning machines 5 and 6.

【0145】前記洗浄機5,6と載置台7,8,9,1
0が配置されている領域Bと前記ウエハカセット1と搬
送ロボット4が配置されている領域Aのクリーン度を分
けるために隔壁14が配置され、互いの領域の間で半導
体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャッター1
1が設けられている。洗浄機5と3つの載置台7,9,
10に到達可能な位置に搬送ロボット20が配置されて
おり、洗浄機6と3つの載置台8,9,10に到達可能
な位置に搬送ロボット21が配置されている。
The washing machines 5, 6 and the mounting tables 7, 8, 9, 1
0 is arranged, and a partition 14 is arranged to separate the cleanliness of an area A where the wafer cassette 1 and the transfer robot 4 are arranged, and a semiconductor wafer is transferred between the areas. Shutter 1 at opening of partition
1 is provided. Washing machine 5 and three mounting tables 7, 9,
The transfer robot 20 is disposed at a position where the transfer robot 10 can be reached, and the transfer robot 21 is disposed at a position where the transfer robot 20 can reach the cleaning machine 6 and the three mounting tables 8, 9 and 10.

【0146】前記洗浄機5と隣接するように搬送ロボッ
ト20のハンドが到達可能な位置に洗浄機22が配置さ
れている。また、洗浄機6と隣接するように搬送ロボッ
ト21のハンドが到達可能な位置に洗浄機23が配置さ
れている。前記洗浄機5,6,22,23とウエハステ
ーション50の載置台7,8,9,10と搬送ロボット
20,21は全て領域Bの中に配置されていて、領域A
内の気圧よりも低い気圧に調整されている。前記洗浄機
22,23は、両面洗浄可能な洗浄機である。
A washing machine 22 is arranged adjacent to the washing machine 5 at a position where the hand of the transfer robot 20 can reach. The washing machine 23 is arranged at a position where the hand of the transfer robot 21 can reach so as to be adjacent to the washing machine 6. The cleaning machines 5, 6, 22, and 23, the mounting tables 7, 8, 9, and 10 of the wafer station 50, and the transfer robots 20 and 21 are all arranged in the area B, and
It is adjusted to a pressure lower than the internal pressure. The washing machines 22 and 23 are washing machines capable of washing both sides.

【0147】本ポリッシング装置は、各機器を囲むよう
にハウジング(図示せず)を有しており、前記ハウジン
グ内は隔壁14、隔壁24A,24Bにより複数の部屋
(領域A、領域Bを含む)に区画されている。隔壁24
Aおよび24Bによって、領域Bと区分された2つのポ
リッシング室が形成される2つの領域CとDに区分され
ている。そして、2つの領域C,Dにはそれぞれ2つの
研磨テーブルと、1枚の半導体ウエハを保持しかつ半導
体ウエハを前記研磨テーブルに対して押し付けながら研
磨するための1つのトップリングが配置されている。即
ち、領域Cには研磨テーブル34,36、領域Dには研
磨テーブル35,37がそれぞれ配置されており、ま
た、領域Cにはトップリング32、領域Dにはトップリ
ング33がそれぞれ配置されている。また領域C内の研
磨テーブル34に研磨砥液を供給するための砥液ノズル
40と、研磨テーブル34のドレッシングを行うための
ドレッサ38とが配置されている。領域D内の研磨テー
ブル35に研磨砥液を供給するための砥液ノズル41
と、研磨テーブル35のドレッシングを行うためのドレ
ッサ39とが配置されている。さらに、領域C内の研磨
テーブル36のドレッシングを行うためのドレッサ48
と、領域D内の研磨テーブル37のドレッシングを行う
ためのドレッサ49とが配置されている。
The present polishing apparatus has a housing (not shown) so as to surround each device, and the inside of the housing is divided into a plurality of rooms (including the area A and the area B) by the partition walls 14 and the partition walls 24A and 24B. Is divided into Partition wall 24
A and 24B divide into two regions C and D where two polishing chambers separated from the region B are formed. In each of the two regions C and D, two polishing tables and one top ring for holding one semiconductor wafer and polishing while pressing the semiconductor wafer against the polishing table are arranged. . That is, the polishing tables 34 and 36 are arranged in the area C, and the polishing tables 35 and 37 are arranged in the area D. The top ring 32 is arranged in the area C, and the top ring 33 is arranged in the area D. I have. A polishing liquid nozzle 40 for supplying a polishing liquid to the polishing table 34 in the area C and a dresser 38 for dressing the polishing table 34 are arranged. A polishing liquid nozzle 41 for supplying a polishing liquid to the polishing table 35 in the region D
And a dresser 39 for dressing the polishing table 35 are arranged. Further, a dresser 48 for dressing the polishing table 36 in the region C is provided.
And a dresser 49 for dressing the polishing table 37 in the area D.

【0148】研磨テーブル34,35は、機械的ドレッ
サー38,39の他に、流体圧によるドレッサーとし
て、アトマイザー44,45を備えている。アトマイザ
ーとは、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素)の混
合流体を霧状にして、複数のノズルから研磨面に噴射す
るものである。アトマイザーの主な目的は、研磨面上に
堆積、目詰まりした研磨カス、スラリー粒子を洗い流す
ことである。アトマイザーの流体圧による研磨面の浄化
と、機械的接触であるドレッサー38,39による研磨
面の目立て作業により、より望ましいドレッシング、即
ち研磨面の再生を達成することができる。
The polishing tables 34, 35 are provided with atomizers 44, 45 as fluid pressure dressers in addition to the mechanical dressers 38, 39. The atomizer atomizes a mixed fluid of a liquid (for example, pure water) and a gas (for example, nitrogen) and jets the mixture from a plurality of nozzles to a polishing surface. The main purpose of the atomizer is to wash away abrasive debris and slurry particles deposited and clogged on the polishing surface. More desirable dressing, that is, regeneration of the polished surface can be achieved by cleaning the polished surface with the fluid pressure of the atomizer and sharpening the polished surface by the dressers 38 and 39 which are mechanical contacts.

【0149】図51はトップリング32と研磨テーブル
34,36との関係を示す図である。なお、トップリン
グ33と研磨テーブル35,37の関係も同様になって
いる。図51に示すように、トップリング32は回転可
能なトップリング駆動軸91によってトップリングヘッ
ド31から吊下されている。トップリングヘッド31は
位置決め可能な揺動軸92によって支持されており、ト
ップリング32は研磨テーブル34,36にアクセス可
能になっている。また、ドレッサ38は回転可能なドレ
ッサ駆動軸93によってドレッサヘッド94から吊下さ
れている。ドレッサヘッド94は位置決め可能な揺動軸
95によって支持されており、ドレッサ38は待機位置
と研磨テーブル34上のドレッサ位置との間を移動可能
になっている。ドレッサヘッド(揺動アーム)97は位
置決め可能な揺動軸98によって支持されており、ドレ
ッサ48は待機位置と研磨テーブル36上のドレッサ位
置との間を移動可能になっている。ドレッサ48はテー
ブル36の直径よりも長い長尺状の形状を成しており、
ドレッサヘッド97が揺動軸98を中心に揺動する。ド
レッサヘッド97の揺動軸98と反対側のドレッサ固定
機構96とドレッサ48がピボット運動することによ
り、ドレッサ48は自転を伴わず車のワイパーの様な動
きで、研磨テーブル36上をドレッシングできるよう
に、ドレッサ固定機構96によってドレッサヘッド97
から吊り下げられている。ここで、研磨テーブル36,
37としては、前述のスクロール型研磨テーブルを使用
している。
FIG. 51 is a diagram showing the relationship between the top ring 32 and the polishing tables 34, 36. The relationship between the top ring 33 and the polishing tables 35 and 37 is the same. As shown in FIG. 51, the top ring 32 is suspended from the top ring head 31 by a rotatable top ring drive shaft 91. The top ring head 31 is supported by a positionable swing shaft 92, and the top ring 32 can access the polishing tables 34 and 36. The dresser 38 is suspended from a dresser head 94 by a rotatable dresser drive shaft 93. The dresser head 94 is supported by a swingable shaft 95 that can be positioned, and the dresser 38 is movable between a standby position and a dresser position on the polishing table 34. The dresser head (swinging arm) 97 is supported by a swinging shaft 98 that can be positioned, and the dresser 48 is movable between a standby position and a dresser position on the polishing table 36. The dresser 48 has an elongated shape longer than the diameter of the table 36,
The dresser head 97 swings about the swing shaft 98. When the dresser 48 and the dresser fixing mechanism 96 on the opposite side of the swing shaft 98 of the dresser head 97 pivot, the dresser 48 can dress on the polishing table 36 by a movement like a car wiper without rotating. And a dresser head 97 by a dresser fixing mechanism 96.
Hanged from. Here, the polishing table 36,
As for 37, the above-mentioned scroll type polishing table is used.

【0150】図49に示すように、隔壁24Aによって
領域Bとは仕切られた領域Cの中にあって、搬送ロボッ
ト20のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転
させる反転機28が配置されている。隔壁24Bによっ
て領域Bとは仕切られた領域Dの中にあって、搬送ロボ
ット21のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反
転させる反転機28’が配置されている。また、領域B
と領域C,Dを仕切る隔壁24A,24Bには、半導体
ウエハ搬送用の開口部が設けられ、それぞれの反転機2
8と反転機28’専用のシャッター25,26が開口部
に設けられている。
As shown in FIG. 49, a reversing device 28 for reversing the semiconductor wafer is disposed in a position where the hand of the transfer robot 20 can reach within the region C separated from the region B by the partition wall 24A. ing. A reversing device 28 ′ for reversing the semiconductor wafer is located at a position in the area D separated from the area B by the partition wall 24 </ b> B and reachable by the hand of the transfer robot 21. In addition, area B
In the partition walls 24A and 24B which partition the area C and the area C, an opening for transferring a semiconductor wafer is provided.
8 and shutters 25 and 26 dedicated to the reversing device 28 'are provided in the openings.

【0151】前記反転機28及び反転機28’は、半導
体ウエハをチャックするチャック機構と半導体ウエハの
表面と裏面を反転させる反転機構と半導体ウエハを前記
チャック機構によりチャックしているかどうかを確認す
るウエハ有無検知センサとを備えている。また、反転機
28には搬送ロボット20によって半導体ウエハが搬送
され、反転機28’には搬送ロボット21によって半導
体ウエハが搬送される。
The reversing machine 28 and the reversing machine 28 'include a chuck mechanism for chucking the semiconductor wafer, an inversion mechanism for reversing the front and back surfaces of the semiconductor wafer, and a wafer for confirming whether or not the semiconductor wafer is chucked by the chuck mechanism. An existence detection sensor. The semiconductor wafer is transferred to the reversing device 28 by the transfer robot 20, and the semiconductor wafer is transferred to the reversing device 28 'by the transfer robot 21.

【0152】一方のポリッシング室を構成する領域C内
には、反転機28とトップリング32との間で半導体ウ
エハを移送するための搬送機構を構成するリニアトラン
スポータ27Aが配置されている。他方のポリッシング
室を構成する領域D内には、反転機28’とトップリン
グ33との間で半導体ウエハを移送するための搬送機構
を構成するリニアトランスポータ27Bが配置されてい
る。本実施形態のリニアトランスポータ27A(又は2
7B)が第1実施形態のロータリトランスポータ27と
異なる点は、リニアトランスポータ27Aが直線往復移
動する2個のステージを備えていること、リニアトラン
スポータとトップリング又は反転機との間で半導体ウエ
ハを受け渡しする場合にウエハトレイを介して行うこと
である。
In a region C forming one polishing chamber, a linear transporter 27A forming a transfer mechanism for transferring a semiconductor wafer between the reversing machine 28 and the top ring 32 is disposed. A linear transporter 27B, which constitutes a transfer mechanism for transferring a semiconductor wafer between the reversing device 28 'and the top ring 33, is disposed in an area D constituting the other polishing chamber. The linear transporter 27A of this embodiment (or 2)
7B) is different from the rotary transporter 27 of the first embodiment in that the linear transporter 27A includes two stages that reciprocate linearly, and that the semiconductor is disposed between the linear transporter and the top ring or the reversing machine. When the wafer is transferred, the transfer is performed via a wafer tray.

【0153】図51の右側部分には、リニアトランスポ
ータ27Aとリフタ29とプッシャー30との関係が示
されている。リニアトランスポータ27Bとリフタ2
9’とプッシャー30’との関係も図51に示すものと
同様であるため、以下の説明ではリニアトランスポータ
27A、リフタ29およびプッシャー30のみを説明す
る。図51に示すように、リニアトランスポータ27A
の下方にリフタ29とプッシャー30とが配置されてい
る。またリニアトランスポータ27Aの上方に反転機2
8が配置されている。そして、トップリング32は揺動
してプッシャー30およびリニアトランスポータ27A
の上方に位置できるようになっている。
The relationship between the linear transporter 27A, the lifter 29 and the pusher 30 is shown on the right side of FIG. Linear transporter 27B and lifter 2
The relationship between 9 'and pusher 30' is the same as that shown in FIG. 51, and therefore, in the following description, only the linear transporter 27A, the lifter 29, and the pusher 30 will be described. As shown in FIG. 51, the linear transporter 27A
The lifter 29 and the pusher 30 are arranged below the bottom. The reversing machine 2 is located above the linear transporter 27A.
8 are arranged. Then, the top ring 32 swings and the pusher 30 and the linear transporter 27A
It can be located above.

【0154】図52はリニアトランスポータ27Aとリ
フタ29とプッシャー30を示す斜視図である。図52
に示すように、リニアトランスポータ27Aは半導体ウ
エハを載せる置き台を構成する直線往復移動可能な2つ
のステージ901,902と、ステージ901,902
を支持するサポート903,904と、サポート90
3,904を直線往復移動させるガイド付エアシリンダ
906,905とを備えている。なおガイド付エアシリ
ンダ905,906は、支持プレート921の上下面に
対称的に固定されている(図54参照)。ステージ90
1とステージ902とは高さ位置が異なっており、両ス
テージ901,902は互いに干渉することなく自由に
移動可能になっている。したがって、ステージ901を
リフタ29の上方に、ステージ902をプッシャー30
の上方にそれぞれ位置させた後に、両ステージ901,
902を同時に移動させ擦れ違わせた後に、ステージ9
01をプッシャー30の上方に、ステージ902をリフ
タ29の上方にそれぞれ位置させることができる。ステ
ージ901,902には、それぞれ4本のピン920が
固定されており、これらピン920によってリング状の
ウエハトレイ925が支持されている。
FIG. 52 is a perspective view showing the linear transporter 27A, the lifter 29 and the pusher 30. FIG.
As shown in the figure, the linear transporter 27A is composed of two stages 901 and 902 that can linearly reciprocate and constitute a stage on which a semiconductor wafer is placed, and stages 901 and 902.
Supports 903 and 904 for supporting the
3,904 with guide air cylinders 906 and 905 for linearly reciprocating 3,904. The air cylinders with guides 905 and 906 are symmetrically fixed to the upper and lower surfaces of the support plate 921 (see FIG. 54). Stage 90
The stage 1 and the stage 902 have different height positions, and the two stages 901 and 902 are freely movable without interfering with each other. Therefore, the stage 901 is placed above the lifter 29 and the stage 902 is placed on the pusher 30.
, Each stage,
After moving 902 simultaneously and sliding each other,
01 can be located above the pusher 30 and the stage 902 can be located above the lifter 29. Four pins 920 are fixed to the stages 901 and 902, respectively, and a ring-shaped wafer tray 925 is supported by these pins 920.

【0155】図53はガイド付エアシリンダ905(又
は906)を示す図であり、図53(a)は斜視図、図
53(b)は図53(a)の要部を示す部分断面を有し
た平面図である。図53に示すように、ガイド付エアシ
リンダ905はサポート903を支持する移動可能なス
ライダ908と、スライダ908の摺動を案内するガイ
ドレール909と、スライダ908に連結されスライダ
908を直線往復移動させるマグネット型シリンダ91
0とから構成されている。マグネット型シリンダ910
はガイドパイプ911と、ガイドパイプ911内に設け
られエアを供給することによりガイドパイプ911内で
移動可能なピストン912と、マグネット913により
磁気カップリングしてピストン912とともに移動する
移動体914とから構成されている。したがって、ガイ
ドパイプ911内にエアを供給すると、ピストン912
がガイドパイプ911内で移動し、ピストン912に磁
気カップリングした移動体914がピストン912とと
もに移動する。これにより、スライダ908がガイドレ
ール909に沿って摺動し、スライダ908に固定され
たサポート903およびステージ901が直線往復移動
する。
FIG. 53 is a view showing an air cylinder 905 (or 906) with a guide. FIG. 53 (a) is a perspective view, and FIG. 53 (b) is a partial cross section showing a main part of FIG. 53 (a). FIG. As shown in FIG. 53, the air cylinder with guide 905 includes a movable slider 908 for supporting the support 903, a guide rail 909 for guiding the slide of the slider 908, and a linear reciprocating movement of the slider 908 connected to the slider 908. Magnet type cylinder 91
0. Magnet type cylinder 910
Is composed of a guide pipe 911, a piston 912 provided in the guide pipe 911 and movable in the guide pipe 911 by supplying air, and a moving body 914 which is magnetically coupled by the magnet 913 and moves together with the piston 912. Have been. Therefore, when air is supplied into the guide pipe 911, the piston 912
Moves in the guide pipe 911, and the moving body 914 magnetically coupled to the piston 912 moves together with the piston 912. Accordingly, the slider 908 slides along the guide rail 909, and the support 903 and the stage 901 fixed to the slider 908 linearly reciprocate.

【0156】図54はリニアトランスポータ27Aの全
体構成を示す図であり、図54(a)は平面図、図54
(b)は図54(a)のA矢視図、図54(c)は図5
4(a)のB矢視図である。なお、図54(a)におい
ては、ウエハトレイ925の図示を省略している。図5
4(b)および図54(c)に示すように、ステージ9
01とステージ902とは高さ位置が異なっており、両
ステージ901,902は互いに干渉することなく自由
に移動可能になっている。そして、ステージ901,9
02のピン920上には、それぞれウエハトレイ925
が載せられている。ピン920とウエハトレイ925の
外周面とにより、ウエハトレイ925は自動調芯がされ
るようになっている。ウエハトレイ925はその上面に
半導体ウエハを載置保持するためのウエハ保持面926
を有している。図55に示すように、ウエハ保持面92
6は、全面に渡ってリングに凹凸が設けられており、凸
部926aには、外周に向けて高くなるようにテーパを
設け、ウエハとの接触面積を減らすようになっている。
なお、この実施例においては、ステージ901はロード
用ステージを構成し、ステージ902はアンロード用ス
テージを構成している。
FIG. 54 is a diagram showing the entire structure of the linear transporter 27A, FIG. 54 (a) is a plan view, and FIG.
FIG. 54B is a view as viewed from the direction indicated by the arrow A in FIG. 54A, and FIG.
FIG. 4B is a view as seen from the arrow B in FIG. In FIG. 54A, the illustration of the wafer tray 925 is omitted. FIG.
4 (b) and FIG. 54 (c), the stage 9
01 and the stage 902 have different height positions, and the two stages 901 and 902 can freely move without interfering with each other. And the stages 901, 9
02 pins 920, wafer trays 925 respectively.
Has been posted. The wafer tray 925 is automatically aligned with the pins 920 and the outer peripheral surface of the wafer tray 925. The wafer tray 925 has a wafer holding surface 926 for mounting and holding a semiconductor wafer on its upper surface.
have. As shown in FIG. 55, the wafer holding surface 92
In No. 6, the ring is provided with concavities and convexities over the entire surface, and the convex portion 926a is provided with a taper so as to become higher toward the outer periphery so as to reduce the contact area with the wafer.
In this embodiment, the stage 901 constitutes a load stage, and the stage 902 constitutes an unload stage.

【0157】図56はリニアトランスポータと反転機お
よびリニアトランスポータとトップリングとの半導体ウ
エハの受け渡しを説明するための模式図である。図56
に示すように、搬送ロボット20により反転機28に搬
送された研磨前の半導体ウエハ101は、反転機28に
より反転される。そして、リフタ29が上昇すること
で、ロード用ステージ901上のウエハトレイ925は
リフタ29に移載される。リフタ29は更に上昇し、半
導体ウエハ101は反転機28からリフタ29上のウエ
ハトレイ925に移載される。その後、リフタ29が下
降し、半導体ウエハ101はウエハトレイ925ととも
にロード用ステージ901に載置される。ウエハトレイ
925と半導体ウエハ101はロード用ステージ901
の直線移動によりプッシャー30の上方へ搬送される。
このとき、アンロード用ステージ902はウエハトレイ
925を介して研磨済の半導体ウエハ101をトップリ
ング32から受け取り、リフタ29に向かって移動す
る。ロード用ステージ901とアンロード用ステージ9
02は移動途中ですれ違うこととなる。ロード用ステー
ジ901がプッシャー30の上方へ到達したときには、
トップリング32は図56に示す位置に予め揺動してい
る。次に、プッシャー30が上昇し、プッシャー30は
ロード用ステージ901からウエハトレイ925および
半導体ウエハ101を受け取った後にさらに上昇し、半
導体ウエハ101のみをトップリング32へ移送する。
FIG. 56 is a schematic diagram for explaining the transfer of the semiconductor wafer between the linear transporter and the reversing machine and between the linear transporter and the top ring. Figure 56
As shown in (1), the semiconductor wafer 101 before polishing transferred by the transfer robot 20 to the reversing machine 28 is reversed by the reversing machine 28. When the lifter 29 is lifted, the wafer tray 925 on the load stage 901 is transferred to the lifter 29. The lifter 29 is further raised, and the semiconductor wafer 101 is transferred from the reversing machine 28 to the wafer tray 925 on the lifter 29. Thereafter, the lifter 29 is lowered, and the semiconductor wafer 101 is placed on the loading stage 901 together with the wafer tray 925. The wafer tray 925 and the semiconductor wafer 101 are loaded on a loading stage 901.
Is transported above the pusher 30 by the linear movement of.
At this time, the unloading stage 902 receives the polished semiconductor wafer 101 from the top ring 32 via the wafer tray 925, and moves toward the lifter 29. Loading stage 901 and unloading stage 9
02 will pass each other while moving. When the loading stage 901 reaches above the pusher 30,
The top ring 32 has previously swung to the position shown in FIG. Next, the pusher 30 is raised, and after receiving the wafer tray 925 and the semiconductor wafer 101 from the loading stage 901, the pusher 30 is further raised to transfer only the semiconductor wafer 101 to the top ring 32.

【0158】前記トップリング32に移送されたウエハ
101は、トップリング32の真空吸着機構により吸着
され、ウエハ101は研磨テーブル34まで吸着された
まま搬送される。そして、ウエハ101は研磨テーブル
34上に取り付けられた研磨パッド又は砥石等からなる
研磨面で研磨される。トップリング32がそれぞれに到
達可能な位置に、前述した第2の研磨テーブル36が配
置されている。これにより、ウエハは第1の研磨テーブ
ル34で研磨が終了した後、第2の研磨テーブル36で
研磨できるようになっている。しかしながら、半導体ウ
エハに形成された膜種によっては、第2の研磨テーブル
36で研磨された後、第1の研磨テーブル34で処理さ
れることもある。
The wafer 101 transferred to the top ring 32 is suctioned by the vacuum suction mechanism of the top ring 32, and the wafer 101 is transported while being suctioned to the polishing table 34. Then, the wafer 101 is polished by a polishing surface such as a polishing pad or a grindstone mounted on the polishing table 34. The above-described second polishing table 36 is disposed at a position where the top rings 32 can reach each of them. Thus, the wafer can be polished on the second polishing table 36 after the polishing on the first polishing table 34 is completed. However, depending on the type of film formed on the semiconductor wafer, the semiconductor wafer may be polished by the second polishing table 36 and then processed by the first polishing table 34.

【0159】研磨が終了したウエハ101は、前述とは
逆のルートで反転機28まで戻される(後述する)。反
転機28まで戻されたウエハは、純水もしくは洗浄用の
薬液によりリンスノズルによってリンスされる。また、
ウエハを離脱したトップリング32のウエハ吸着面は、
トップリング洗浄ノズルから純水もしくは薬液によって
洗浄される。
The polished wafer 101 is returned to the reversing machine 28 by a route reverse to that described above (described later). The wafer returned to the reversing machine 28 is rinsed by pure water or a cleaning chemical by a rinse nozzle. Also,
The wafer suction surface of the top ring 32 from which the wafer has been detached is
It is cleaned with pure water or a chemical from the top ring cleaning nozzle.

【0160】次に、図49乃至図51に示すポリッシン
グ装置の処理工程の概略を説明する。2段洗浄の2カセ
ットパラレル処理の場合には、一方のウエハは、ウエハ
カセット(CS1)→搬送ロボット4→ウエハステーシ
ョン50の置き台7→搬送ロボット20→反転機28→
リニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901
→トップリング32→研磨テーブル34→研磨テーブル
36(必要に応じ)→リニアトランスポータ27Aのア
ンロード用ステージ902→反転機28→搬送ロボット
20→洗浄機22→搬送ロボット20→洗浄機5→搬送
ロボット4→ウエハカセット(CS1)に至る経路を経
る。
Next, an outline of the processing steps of the polishing apparatus shown in FIGS. 49 to 51 will be described. In the case of the two-cassette parallel processing of the two-stage cleaning, one wafer is transferred to the wafer cassette (CS1) → the transfer robot 4 → the mounting table 7 of the wafer station 50 → the transfer robot 20 → the reversing device 28 →
Loading stage 901 of linear transporter 27A
→ Top ring 32 → Polishing table 34 → Polishing table 36 (if necessary) → Unloading stage 902 of linear transporter 27A → Reversing machine 28 → Transfer robot 20 → Washer 22 → Transfer robot 20 → Washer 5 → Transfer The robot 4 passes through a route from the wafer cassette (CS1).

【0161】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット4→ウエハステーション50
の置き台8→搬送ロボット21→反転機28’→リニア
トランスポータ27Bのロード用ステージ901→トッ
プリング33→研磨テーブル35→トップリング33→
リニアトランスポータ27Bのアンロード用ステージ9
02→反転機28’→搬送ロボット21→洗浄機23→
搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット4→ウエハ
カセット(CS2)に至る経路を経る。
The other wafer is transferred from the wafer cassette (CS2) to the transfer robot 4 to the wafer station 50.
Table 8 → transfer robot 21 → reversing machine 28 ′ → loading stage 901 of linear transporter 27B → top ring 33 → polishing table 35 → top ring 33 →
Unloading stage 9 of linear transporter 27B
02 → reversing machine 28 ′ → transfer robot 21 → washing machine 23 →
The route passes through the transfer robot 21 → the cleaning machine 6 → the transfer robot 4 → the wafer cassette (CS2).

【0162】また3段洗浄の2カセットパラレル処理の
場合は、一方のウエハは、ウエハカセット(CS1)→
搬送ロボット4→ウエハステーション50の置き台7→
搬送ロボット20→反転機28→リニアトランスポータ
27Aのロード用ステージ901→トップリング32→
研磨テーブル34→研磨テーブル36(必要に応じ)→
リニアトランスポータ27Aのアンロード用ステージ9
02→反転機28→搬送ロボット20→洗浄機22→搬
送ロボット20→ウエハステーション50の置き台10
→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット21→ウ
エハステーション50の置き台9→搬送ロボット20→
洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハカセット(CS1)
に至る経路を経る。
In the case of the two-cassette parallel processing of the three-stage cleaning, one wafer is placed in the wafer cassette (CS1) →
Transfer robot 4 → Placement table 7 for wafer station 50 →
Transfer robot 20 → reversing machine 28 → loading stage 901 of linear transporter 27A → top ring 32 →
Polishing table 34 → Polishing table 36 (if necessary) →
Stage 9 for unloading linear transporter 27A
02 → reversing machine 28 → transfer robot 20 → washing machine 22 → transfer robot 20 → table 10 of wafer station 50
→ Transfer robot 21 → Cleaning machine 6 → Transfer robot 21 → Place 9 of wafer station 50 → Transfer robot 20 →
Cleaning machine 5 → transfer robot 4 → wafer cassette (CS1)
Via the path to.

【0163】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット4→ウエハステーション50
の置き台8→搬送ロボット21→反転機28’→リニア
トランスポータ27Bのロード用ステージ901→トッ
プリング33→研磨テーブル35→研磨テーブル37
(必要に応じ)→リニアトランスポータ27Bのアンロ
ード用ステージ902→反転機28’→搬送ロボット2
1→洗浄機23→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロ
ボット21→ウエハステーション50の置き台9→搬送
ロボット20→洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハカセ
ット(CS2)に至る経路を経る。
The other wafer is transferred from the wafer cassette (CS2) to the transfer robot 4 to the wafer station 50.
Table 8 → transfer robot 21 → reversing machine 28 ′ → loading stage 901 of linear transporter 27B → top ring 33 → polishing table 35 → polishing table 37
(If necessary) → stage 902 for unloading linear transporter 27B → reversing machine 28 ′ → transfer robot 2
1 → cleaning machine 23 → transfer robot 21 → cleaning machine 6 → transfer robot 21 → place 9 of wafer station 50 → transfer robot 20 → cleaner 5 → transfer robot 4 → wafer cassette (CS2).

【0164】さらに3段洗浄のシリーズ処理の場合に
は、ウエハは、ウエハカセット(CS1)→搬送ロボッ
ト4→ウエハステーション50の置き台7→搬送ロボッ
ト20→反転機28→リニアトランスポータ27Aのロ
ード用ステージ901→トップリング32→研磨テーブ
ル34→研磨テーブル36(必要に応じ)→リニアトラ
ンスポータ27Aのアンロード用ステージ902→反転
機28→搬送ロボット20→洗浄機22→搬送ロボット
20→ウエハステーション50の置き台10→搬送ロボ
ット21→反転機28’→リニアトランスポータ27B
のロード用ステージ901→トップリング33→研磨テ
ーブル35→研磨テーブル37(必要に応じ)→リニア
トランスポータ27Bのアンロード用ステージ902→
反転機28’→搬送ロボット21→洗浄機23→搬送ロ
ボット21→洗浄機6→搬送ロボット21→ウエハステ
ーション50の置き台9→搬送ロボット20→洗浄機5
→搬送ロボット4→ウエハカセット(CS1)に至る経
路を経る。
Further, in the case of the series processing of three-stage cleaning, the wafer is loaded into the wafer cassette (CS1) → the transfer robot 4 → the placing table 7 of the wafer station 50 → the transfer robot 20 → the reversing device 28 → the loading of the linear transporter 27A. Stage 901 → top ring 32 → polishing table 34 → polishing table 36 (if necessary) → stage 902 for unloading linear transporter 27A → reversing machine 28 → transport robot 20 → cleaning machine 22 → transport robot 20 → wafer station 50 mounting table 10 → transfer robot 21 → reversing machine 28 ′ → linear transporter 27B
Loading stage 901 → top ring 33 → polishing table 35 → polishing table 37 (if necessary) → unloading stage 902 of linear transporter 27B →
Reversing machine 28 '→ transfer robot 21 → cleaning machine 23 → transfer robot 21 → cleaning machine 6 → transfer robot 21 → place 9 of wafer station 50 → transfer robot 20 → cleaning machine 5
→ Transfer robot 4 → Route to wafer cassette (CS1).

【0165】次に、図52乃至図54に示すリニアトラ
ンスポータ27A、リフタ29、プッシャー30の動作
を詳述する。なお、リニアトランスポータ27B、リフ
タ29’、プッシャー30’の動作は同様に行われるた
め説明を省略する。またリフタ29およびプッシャー3
0は第1の実施形態において用いたものと概略同一の構
成を有しているため、それらの詳細構造の説明は省略す
る。第2の実施形態におけるプッシャー30はプッシュ
ステージ143’を有している。このプッシュステージ
143’は第1の実施形態におけるプッシュステージ1
43とは異なっている。ウエハ受け渡し時 リニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901
がリフタ29の上方に位置している。研磨前のウエハ1
01は搬送ロボット20から反転機28へ搬送される。
その後、ウエハ101は反転機28により反転され、ウ
エハのパターン面が下を向く。リフタ29(図30に示
す)は上昇し、リフタ29の上部のステージ260はリ
ニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901上
のロード専用のウエハトレイ925と係合して結合す
る。
Next, the operations of the linear transporter 27A, lifter 29 and pusher 30 shown in FIGS. 52 to 54 will be described in detail. Note that the operations of the linear transporter 27B, the lifter 29 ', and the pusher 30' are performed in the same manner, and a description thereof will be omitted. Lifter 29 and pusher 3
0 has substantially the same configuration as that used in the first embodiment, and a detailed description of those structures will be omitted. The pusher 30 in the second embodiment has a push stage 143 '. This push stage 143 'is the push stage 1 in the first embodiment.
43 is different. Loading stage 901 of linear transporter 27A at wafer transfer
Are located above the lifter 29. Wafer 1 before polishing
01 is transferred from the transfer robot 20 to the reversing machine 28.
Thereafter, the wafer 101 is inverted by the inverter 28, and the pattern surface of the wafer 101 faces downward. The lifter 29 (shown in FIG. 30) is raised, and the stage 260 above the lifter 29 engages and couples with the load-only wafer tray 925 on the load stage 901 of the linear transporter 27A.

【0166】次にリフタ29は、その上部にウエハトレ
イ925を載置したまま反転機28からウエハ101を
受け取る位置まで上昇し停止する。リフタ29の上昇が
ウエハ101の直下で停止したのを、例えばリフタ29
の上昇用シリンダ261のセンサ266で確認すると、
反転機28はウエハ101のクランプを開放し、ウエハ
101はリフタ29上のウエハトレイ925の上に移載
される。
Next, the lifter 29 rises to a position for receiving the wafer 101 from the reversing device 28 and stops while the wafer tray 925 is placed on the lifter 29. The fact that the lift of the lifter 29 has stopped immediately below the wafer 101 is, for example, the lifter 29
When confirmed by the sensor 266 of the ascending cylinder 261,
The reversing device 28 releases the clamp of the wafer 101, and the wafer 101 is transferred onto the wafer tray 925 on the lifter 29.

【0167】その後、リフタ29はウエハ101をウエ
ハトレイ925上に載置したまま下降をする。すると、
リニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901
上のピン720により、リフタ29上に載せられたウエ
ハトレイ925は求芯されつつリフタ29からリニアト
ランスポータ27Aのロード用ステージ901へ移載さ
れる。リフタ29は、ウエハトレイ925がリニアトラ
ンスポータ27Aのロード用ステージ901に載せられ
た後も、リニアトランスポータ27Aのロード用ステー
ジ901が移動しても干渉しない位置まで下降を続け所
定位置で停止する。
Thereafter, the lifter 29 descends while the wafer 101 is placed on the wafer tray 925. Then
Loading stage 901 of linear transporter 27A
The wafer tray 925 placed on the lifter 29 is transferred from the lifter 29 to the loading stage 901 of the linear transporter 27A while being centered by the upper pins 720. After the wafer tray 925 is placed on the loading stage 901 of the linear transporter 27A, the lifter 29 continues to descend to a position where it does not interfere with the movement of the loading stage 901 of the linear transporter 27A, and stops at a predetermined position.

【0168】ウエハロード時 リフタ29が下降を完了すると、リニアトランスポータ
27Aのロード用ステージ901は移動して、プッシャ
ー30(図33参照)の上方に、半導体ウエハ101を
保持したロード専用のウエハトレイ925を位置させ
る。ロード用ステージ901の位置決めが完了すると、
エアシリンダ146によりプッシャー30がガイドステ
ージ141周りの構成品と共に上昇していき、上昇途中
でリニアトランスポータ27Aのロード用ステージ90
1のウエハ保持位置を通過する。このとき、通過と同時
にウエハ101をその上面に載置したウエハトレイ92
5とプッシャー30のプッシュステージ143’とが係
合し、プッシャー30はウエハトレイ925をリニアト
ランスポータ27Aのロード用ステージ901から受け
取る。
When the lifter 29 at the time of wafer loading completes the lowering, the loading stage 901 of the linear transporter 27A moves, and the wafer tray 925 for exclusive use of loading holding the semiconductor wafer 101 is placed above the pusher 30 (see FIG. 33). Position. When the positioning of the load stage 901 is completed,
The air cylinder 146 raises the pusher 30 together with the components around the guide stage 141, and during the ascent, the loading stage 90 of the linear transporter 27A.
No. 1 wafer holding position. At this time, the wafer tray 92 on which the wafer 101 is placed
5 engages with the push stage 143 'of the pusher 30, and the pusher 30 receives the wafer tray 925 from the loading stage 901 of the linear transporter 27A.

【0169】プッシュステージ143’がウエハトレイ
925を保持したままトップリングガイド148は停止
することなく上昇していき、トップリングガイド148
のテーパ208によってトップリング32のガイドリン
グ301を呼び込む。X,Y方向に自在に移動可能なリ
ニアウェイ149による位置合わせでトップリング32
に求芯し、トップリングガイド148の段部200がガ
イドリング301下面と接触することでガイドステージ
141の上昇は終了する。
While the push stage 143 ′ holds the wafer tray 925, the top ring guide 148 rises without stopping, and the top ring guide 148 rises.
The guide ring 301 of the top ring 32 is called in by the taper 208 of. Top ring 32 is positioned by linear way 149 which can be freely moved in the X and Y directions.
When the step 200 of the top ring guide 148 comes into contact with the lower surface of the guide ring 301, the lifting of the guide stage 141 ends.

【0170】ガイドステージ141はトップリングガイ
ド148の段部200がガイドリング301下面に接触
して固定され、それ以上上昇することはない。ところ
が、エアシリンダ146はショックキラー156に当た
るまで上昇し続けるので、圧縮バネ152は収縮するた
めスプラインシャフト142のみが更に上昇し、プッシ
ュステージ143’がさらに上昇する。ウエハ101が
トップリング32に接触した後にシリンダ146が上昇
するストロークはバネ159が吸収し、ウエハ101を
保護している。
The guide stage 141 is fixed by the step 200 of the top ring guide 148 contacting the lower surface of the guide ring 301, and does not rise further. However, since the air cylinder 146 continues to rise until it hits the shock killer 156, the compression spring 152 contracts, so that only the spline shaft 142 further rises, and the push stage 143 'further rises. The stroke in which the cylinder 146 rises after the wafer 101 comes into contact with the top ring 32 is absorbed by the spring 159 and protects the wafer 101.

【0171】次に、エアシリンダ145によりプッシュ
ステージ143’がウエハトレイ925を保持したまま
更に上昇し、トップリング32によりウエハ101が吸
着保持される。しかる後、エアシリンダ145が逆作動
してウエハトレイ925がプッシュステージ143’と
共に下降する。そして、エアシリンダ146によりプッ
シャー30がガイドステージ141周りの構成品と共に
下降していき、下降途中でウエハトレイ925をリニア
トランスポータ27Aのロード用ステージ901に受け
渡し、更に下降して所定の位置で停止する。
Next, the push stage 143 ′ is further raised by the air cylinder 145 while holding the wafer tray 925, and the wafer 101 is suction-held by the top ring 32. Thereafter, the air cylinder 145 operates in reverse to lower the wafer tray 925 together with the push stage 143 '. Then, the pusher 30 descends together with the components around the guide stage 141 by the air cylinder 146, and transfers the wafer tray 925 to the loading stage 901 of the linear transporter 27A while descending, and further descends and stops at a predetermined position. .

【0172】ウエハアンロード時 プッシャー30上方のウエハアンロード位置にトップリ
ング32によってウエハ101が搬送され、リニアトラ
ンスポータ27Aのアンロード用ステージ902の移動
により、アンロード専用のウエハトレイ925がプッシ
ャー30の上方に位置する。すると、エアシリンダ14
6によりプッシャー30がガイドステージ141周りの
構成品と共に上昇していき、上昇途中でリニアトランス
ポータ27Aのアンロード用ステージ902のウエハ保
持位置を通過する。このとき、通過と同時に空のウエハ
トレイ925とプッシャー30のプッシュステージ14
3’とが係合し、プッシャー30はウエハトレイ925
をリニアトランスポータ27Aのアンロード用ステージ
902から受け取る。
At the time of wafer unloading, the wafer 101 is transported by the top ring 32 to the wafer unloading position above the pusher 30, and the unloading stage 902 of the linear transporter 27A is moved, so that the wafer tray 925 dedicated to unloading moves the pusher 30. It is located above. Then, the air cylinder 14
By 6, the pusher 30 rises together with the components around the guide stage 141, and passes through the wafer holding position of the unloading stage 902 of the linear transporter 27A during the ascent. At this time, the empty wafer tray 925 and the push stage 14 of the pusher 30 are
3 'is engaged with the pusher 30 and the wafer tray 925
From the unloading stage 902 of the linear transporter 27A.

【0173】そして、トップリングガイド148のテー
パ面208によってトップリング32のガイドリング3
01を呼び込み、リニアウェイ149による位置合わせ
でトップリング32に求芯し、トップリングガイド14
8の段部200がガイドリング301の下面と接触する
ことでガイドステージ141の上昇は終了する。
The guide ring 3 of the top ring 32 is formed by the tapered surface 208 of the top ring guide 148.
01, the centering of the top ring 32 is performed by the alignment by the linear way 149, and the top ring guide 14
When the step 200 of FIG. 8 comes into contact with the lower surface of the guide ring 301, the lifting of the guide stage 141 ends.

【0174】この時、エアシリンダ146はショックキ
ラー156に当たるまで動作しつづけるが、ガイドステ
ージ141はトップリングガイド148の段部200が
ガイドリング301の下面に接触して固定されているた
め、エアシリンダ146は圧縮バネ152の反発力に打
勝ってスプラインシャフト142をエアシリンダ145
ごと押し上げ、プッシュステージ143’を上昇させ
る。この時、プッシュステージ143’はトップリング
ガイド148のウエハ保持部より高い位置になることは
ない。本実施例ではシリンダ146はトップリングガイ
ド148がガイドリング301に接触した所から更にス
トロークするように設定されている。この時の衝撃はバ
ネ152によって吸収される。
At this time, the air cylinder 146 continues to operate until it hits the shock killer 156. However, the guide stage 141 is fixed by the step 200 of the top ring guide 148 contacting the lower surface of the guide ring 301. 146 overcomes the repulsive force of the compression spring 152 to move the spline shaft 142 to the air cylinder 145.
And push up the push stage 143 '. At this time, the push stage 143 'does not reach a position higher than the wafer holding portion of the top ring guide 148. In this embodiment, the cylinder 146 is set so as to further stroke from a position where the top ring guide 148 contacts the guide ring 301. The impact at this time is absorbed by the spring 152.

【0175】エアシリンダ146の上昇が終了するとト
ップリング32よりウエハ101がリリースされ、アン
ロード専用のウエハトレイ925の上に保持される。ウ
エハ101がアンロード専用のウエハトレイ925上に
保持されると、プッシャー30は下降を開始する。そし
て、アンロード専用のウエハトレイ925は研磨済ウエ
ハとともにリニアトランスポータ27Aのアンロード用
ステージ902上に移載され、プッシャー30は引き続
き下降し、下降終了で動作が完了する。
When the lifting of the air cylinder 146 is completed, the wafer 101 is released from the top ring 32 and is held on a wafer tray 925 dedicated to unloading. When the wafer 101 is held on the wafer tray 925 dedicated to unloading, the pusher 30 starts lowering. Then, the wafer tray 925 dedicated to unloading is transferred together with the polished wafer onto the unloading stage 902 of the linear transporter 27A, and the pusher 30 is continuously lowered, and the operation is completed when the lowering is completed.

【0176】リニアトランスポータ27Aのアンロード
用ステージ902は移動して研磨済ウエハが載置された
アンロード専用のウエハトレイ925をリフタ29の上
方に位置させる。リフタ29が上昇し、リフタ29は研
磨済ウエハが載置されたアンロード専用のウエハトレイ
925をリニアトランスポータ27Aのアンロード用ス
テージ902から受け取り、更に上昇して、反転機28
へのウエハ受け渡し位置へウエハを位置させる。反転機
28のグリッパがウエハ101を受け取った後、リフタ
29は下降して、アンロード専用のウエハトレイ925
がリニアトランスポータ27Aのアンロード用ステージ
902に移載された後、更に下降後、停止して、トップ
リング32から反転機28へのウエハの移載動作が完了
する。その後、ウエハ101は反転機28により反転さ
れた後、搬送ロボット20により受け取られる。
The unloading stage 902 of the linear transporter 27A moves to position the unloading wafer tray 925 on which the polished wafer is placed, above the lifter 29. The lifter 29 rises, the lifter 29 receives the unloading wafer tray 925 on which the polished wafer is placed from the unloading stage 902 of the linear transporter 27A, and further rises, and
The wafer is positioned at the wafer transfer position. After the gripper of the reversing machine 28 receives the wafer 101, the lifter 29 descends, and the wafer tray 925 dedicated to unloading is used.
Is transferred to the unloading stage 902 of the linear transporter 27A, and is further lowered and stopped, and the operation of transferring the wafer from the top ring 32 to the reversing machine 28 is completed. Thereafter, the wafer 101 is inverted by the inverter 28 and then received by the transfer robot 20.

【0177】本発明の第2の実施形態のポリッシング装
置によれば、各研磨部に専用の搬送機構として、直線往
復移動する少なくとも2台のステージ(置き台)を有し
たリニアトランスポータを備えたため、反転機とトップ
リングとの間でポリッシング対象物を移送するのに要す
る時間を短縮することができ、単位時間当たりのポリッ
シング対象物の処理枚数を増加させることができる。ま
た、ポリッシング対象物がリニアトランスポータのステ
ージと反転機との間で移送されるとき、ポリッシング対
象物はウエハトレイと反転機との間で移送される。そし
て、ポリッシング対象物がリニアトランスポータのステ
ージとトップリングとの間で移送されるとき、ポリッシ
ング対象物はウエハトレイとトップリングとの間で移送
される。それゆえ、ウエハトレイは移送時の衝撃を吸収
でき、ポリッシング対象物の移送速度を増加させること
ができ、ポリッシング対象物のスループットを上昇させ
ることができる。また、反転機からトップリングへのウ
エハの移載をリニアトランスポータの各ステージに着脱
自在に保持したトレイを介して行うことで、例えば、リ
フタとリニアトランスポータとの間、リニアトランスポ
ータとプッシャーとの間でのウエハの移し替えをなくし
て、発塵や把持ミスに伴う損傷を防止することができ
る。
According to the polishing apparatus of the second embodiment of the present invention, each polishing section is provided with a linear transporter having at least two stages (places) that reciprocate linearly as a dedicated transport mechanism. In addition, the time required for transferring the object to be polished between the reversing machine and the top ring can be reduced, and the number of processed objects to be polished per unit time can be increased. Further, when the polishing target is transferred between the stage of the linear transporter and the reversing device, the polishing target is transferred between the wafer tray and the reversing device. Then, when the polishing target is transferred between the stage of the linear transporter and the top ring, the polishing target is transferred between the wafer tray and the top ring. Therefore, the wafer tray can absorb a shock at the time of transfer, can increase the transfer speed of the polishing target, and can increase the throughput of the polishing target. In addition, by transferring wafers from the reversing machine to the top ring via trays detachably held on each stage of the linear transporter, for example, between the lifter and the linear transporter, between the linear transporter and the pusher It is possible to eliminate the transfer of the wafer between the above and the above, and to prevent the damage due to dust generation and erroneous gripping.

【0178】さらに、複数のトレイを研磨前のポリッシ
ング対象物を保持するロード専用のトレイと、研磨後の
ポリッシング対象物を保持するアンロード専用のトレイ
に2分することで、研磨前のウエハはプッシャーからで
なく、ロード専用のトレイからトップリングへ受け渡さ
れ、又、研磨後のウエハはトップリングからプッシャー
にではなくアンロード専用のトレイに受け渡される。従
って、トップリングへのウエハのロードとトップリング
からのウエハのアンロードが、別の治具(又は部材)で
行われるため、研磨後のウエハに付着した砥液等がロー
ドとアンロード共通のウエハの支持部材に付着、固化し
て砥液等が研磨前のウエハに傷つけたり、又、付着する
といった問題点を解決できる。
Further, by dividing the plurality of trays into two trays dedicated to loading for holding the polishing target before polishing and trays dedicated to unloading for holding the polishing target after polishing, the wafer before polishing can be divided into two. The wafer is transferred not from the pusher but from the load-only tray to the top ring, and the polished wafer is transferred from the top ring to the unload-only tray instead of the pusher. Therefore, since the loading of the wafer onto the top ring and the unloading of the wafer from the top ring are performed by different jigs (or members), the polishing liquid or the like attached to the polished wafer is common to the loading and unloading. It is possible to solve the problem that the abrasive liquid or the like adheres to and solidifies on the wafer support member and damages or adheres to the wafer before polishing.

【0179】[0179]

【発明の効果】本発明によれば、同一の装置で、様々な
ポリッシング工程に応じた必要な洗浄工程の洗浄段数を
単位設置面積あたりの処理能力を落すこと無く確保し、
各洗浄工程における洗浄プロセス時間を短時間に抑える
ように、長い時間を必要とする洗浄工程を2台以上の洗
浄装置に分けて処理するように、搬送ルートを変えるこ
とで単位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数
(スループット)を増加させることができる。また、本
発明によれば、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を
トップリングに搬送する時間を短縮することが可能とな
り、単位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数
(スループット)を飛躍的に増加させることができる。
According to the present invention, in the same apparatus, the required number of washing steps in the washing step corresponding to various polishing steps can be secured without reducing the processing capacity per unit installation area,
Change the transport route so that the cleaning process that requires a long time is divided into two or more cleaning devices so that the cleaning process time in each cleaning process is kept short, and the polishing target per unit time is changed. The number of processed articles (throughput) can be increased. Further, according to the present invention, it is possible to shorten the time for transporting an object to be polished such as a semiconductor wafer to a top ring, and to dramatically increase the number of processed objects (throughput) per unit time. Can be.

【0180】本発明によれば、研磨後のポリッシング対
象物を洗浄工程を経る間に待機させることができるた
め、洗浄プロセス時間が異なる複数の洗浄工程を複数の
ポリッシング対象物について並列して行う場合に対応す
ることができる。即ち、複数の洗浄工程のうち、長い方
の洗浄工程によってルートがふさがれることなく、それ
ぞれの洗浄工程に絶えず処理するポリッシング対象物を
供給できる。また、本発明によれば、洗浄度が異なる各
部屋が隔壁によって仕切られているため、汚染された部
屋の雰囲気が他の清浄な部屋に流入して清浄度を低下さ
せる恐れがない。
According to the present invention, the polished polishing object can be made to stand by during the cleaning process, so that a plurality of cleaning processes having different cleaning process times are performed in parallel on a plurality of polishing objects. Can be handled. In other words, a polishing object to be constantly processed can be supplied to each cleaning step without blocking the route by the longer one of the plurality of cleaning steps. Further, according to the present invention, since the rooms having different degrees of cleanliness are separated by the partition walls, there is no possibility that the atmosphere of the contaminated room flows into another clean room and lowers the degree of cleanliness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るポリッシング装
置の各部の配置構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an arrangement configuration of each part of a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】トップリングと研磨テーブルとの関係を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a top ring and a polishing table.

【図3】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
FIG. 3 is a schematic process diagram showing an example of a case where a wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図4】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
FIG. 4 is a schematic process diagram showing an example of a case where a wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図5】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
FIG. 5 is a schematic process diagram showing an example of a case where a wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図6】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
FIG. 6 is a schematic process diagram showing an example of a case where a wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図7】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
FIG. 7 is a schematic process diagram showing an example of a case where a wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図8】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図で
ある。
FIG. 8 is a schematic process diagram showing another example of the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図9】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図で
ある。
FIG. 9 is a schematic process diagram showing another example of the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図10】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
FIG. 10 is a schematic process diagram showing another example of the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図11】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
11 is a schematic process diagram showing another example of the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図12】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
FIG. 12 is a schematic process diagram showing another example when polishing a wafer by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図13】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
13 is a schematic process diagram showing another example in the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図14】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
FIG. 14 is a schematic process diagram showing another example of a case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図15】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
FIG. 15 is a schematic process diagram showing still another example when polishing a wafer by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図16】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
FIG. 16 is a schematic process diagram showing still another example when polishing the wafer by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図17】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
FIG. 17 is a schematic process diagram showing still another example when polishing a wafer by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図18】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
FIG. 18 is a schematic process diagram showing still another example when polishing a wafer by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図19】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
FIG. 19 is a schematic process diagram showing still another example in the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図20】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
20 is a schematic process diagram showing still another example in the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図21】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
FIG. 21 is a schematic process diagram showing still another example in the case where the wafer is polished by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図22】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
FIG. 22 is a schematic process diagram showing still another example when polishing a wafer by the polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図23】図23(a)および図23(b)はロードア
ンロード部を示す図であり、図23(a)は正面図、図
23(b)は側面図である。
23 (a) and 23 (b) are views showing a load / unload unit, where FIG. 23 (a) is a front view and FIG. 23 (b) is a side view.

【図24】ロードアンロード部の他の例を示す図であ
る。
FIG. 24 is a diagram illustrating another example of the load / unload unit.

【図25】洗浄室の気流構成を示す模式図である。FIG. 25 is a schematic diagram showing an airflow configuration of a cleaning chamber.

【図26】搬送ロボットを示す側面図である。FIG. 26 is a side view showing the transfer robot.

【図27】搬送ロボットを示す斜視図である。FIG. 27 is a perspective view showing a transfer robot.

【図28】ウエハステーションを示す図であり、図28
(a)は正面図、図28(b)は側面図、図28(c)
は図28(a)のI矢視図、図28(d)は図28
(a)のII矢視図、図28(e)は図28(a)のIII
矢視図である。
FIG. 28 is a view showing a wafer station;
28A is a front view, FIG. 28B is a side view, and FIG.
28A is a view as seen from the direction of the arrow I in FIG. 28A, and FIG.
28A is a view taken in the direction of arrow II, and FIG.
It is an arrow view.

【図29】反転機を示す図であり、図29(a)は平面
図、図29(b)は一部断面された側面図である。
29 is a view showing a reversing machine, FIG. 29 (a) is a plan view, and FIG. 29 (b) is a partially sectional side view.

【図30】リフタを示す縦断面図である。FIG. 30 is a longitudinal sectional view showing a lifter.

【図31】ロータリトランスポータを示す平面図であ
る。
FIG. 31 is a plan view showing a rotary transporter.

【図32】ロータリトランスポータを示す縦断面図であ
る。
FIG. 32 is a longitudinal sectional view showing a rotary transporter.

【図33】プッシャーの縦断面図である。FIG. 33 is a longitudinal sectional view of a pusher.

【図34】プッシャーの動作説明図である。FIG. 34 is an explanatory diagram of the operation of the pusher.

【図35】トップリングの構造を示す部分的に断面され
た側面図である。
FIG. 35 is a partially sectional side view showing the structure of the top ring.

【図36】ドレッサを示す縦断面図であり、ダイヤモン
ドドレッサを示す。
FIG. 36 is a longitudinal sectional view showing a dresser, showing a diamond dresser.

【図37】ドレッサを示す縦断面図であり、ブラシドレ
ッサを示す。
FIG. 37 is a longitudinal sectional view showing a dresser and showing a brush dresser.

【図38】第2の研磨テーブルのドレッサの構造を示す
縦断面図である。
FIG. 38 is a longitudinal sectional view showing a structure of a dresser of the second polishing table.

【図39】第2の研磨テーブルのドレッサの側面図を示
す。
FIG. 39 shows a side view of the dresser of the second polishing table.

【図40】回転型研磨テーブルを示す正面図である。FIG. 40 is a front view showing a rotary polishing table.

【図41】スクロール型研磨テーブルを示す縦断面図で
ある。
FIG. 41 is a longitudinal sectional view showing a scroll-type polishing table.

【図42】図42(a)は図41のP−P線断面図であ
り、図42(b)は図42(a)のX−X線断面図であ
る。
42 (a) is a cross-sectional view taken along line PP of FIG. 41, and FIG. 42 (b) is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 42 (a).

【図43】オーバーハング型研磨テーブルを示す縦断面
図である。
FIG. 43 is a longitudinal sectional view showing an overhang type polishing table.

【図44】砥液供給ノズルを示す図であり、図44
(a)は砥液供給ノズルの平面図であり、図44(b)
は砥液供給ノズルの部分断面を有する側面図である。
FIG. 44 is a view showing a polishing liquid supply nozzle, and FIG.
FIG. 44A is a plan view of a polishing liquid supply nozzle, and FIG.
FIG. 3 is a side view having a partial cross section of the polishing liquid supply nozzle.

【図45】砥液供給ノズルを示す図であり、砥液供給ノ
ズルの研磨テーブルに対する位置を示したものである。
FIG. 45 is a view showing a polishing liquid supply nozzle, and shows a position of the polishing liquid supply nozzle with respect to a polishing table.

【図46】研磨砥液供給方式を示す模式図である。FIG. 46 is a schematic view showing a polishing abrasive liquid supply system.

【図47】研磨砥液供給方式を示す模式図である。FIG. 47 is a schematic view showing a polishing abrasive liquid supply system.

【図48】研磨砥液供給方式を示す模式図である。FIG. 48 is a schematic view showing a polishing abrasive liquid supply system.

【図49】本発明の第2の実施形態に係るポリッシング
装置の各部の配置構成を示す平面図である。
FIG. 49 is a plan view showing an arrangement configuration of each part of a polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図50】図49に示すポリッシング装置の斜視図であ
る。
50 is a perspective view of the polishing apparatus shown in FIG.

【図51】トップリングと研磨テーブルとの関係を示す
図である。
FIG. 51 is a diagram showing a relationship between a top ring and a polishing table.

【図52】リニアトランスポータとリフタとプッシャー
を示す斜視図である。
FIG. 52 is a perspective view showing a linear transporter, a lifter, and a pusher.

【図53】ガイド付エアシリンダを示す図であり、図5
3(a)は斜視図、図53(b)は図53(a)の要部
を示す部分断面を有した平面図である。
53 is a view showing an air cylinder with a guide, and FIG.
3 (a) is a perspective view, and FIG. 53 (b) is a plan view having a partial cross section showing a main part of FIG. 53 (a).

【図54】リニアトランスポータの全体構成を示す図で
あり、図54(a)は平面図、図54(b)は図54
(a)のA矢視図、図54(c)は図54(a)のB矢
視図である。
54 (a) is a plan view, and FIG. 54 (b) is a view showing the overall configuration of the linear transporter.
FIG. 54 (a) is a view as viewed from an arrow A, and FIG. 54 (c) is a view as viewed from an arrow B in FIG. 54 (a).

【図55】図54に示すリニアトランスポータの斜視図
である。
FIG. 55 is a perspective view of the linear transporter shown in FIG. 54.

【図56】リニアトランスポータと反転機およびリニア
トランスポータとトップリングとの半導体ウエハの受け
渡しを説明するための模式図である。
FIG. 56 is a schematic diagram for explaining the transfer of semiconductor wafers between the linear transporter and the reversing machine and between the linear transporter and the top ring.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハカセット 2 ロードアンロードステージ 3 走行機構 4,20,21 搬送ロボット 5,6,22,23 洗浄機 5a,6a,11,22a,23a,25,26,5
2,77,357シャッター 7,8 ドライステーション 9,10 ウエットステーション 14,15,16,24,47,358 隔壁 27 ロータリトランスポータ 27A,27B リニアトランスポータ 28,28’ 反転機 29,29’ リフタ 30,30’ プッシャー 31 トップリングヘッド 32,33 トップリング 34,35,36,37,755 研磨テーブル 38,39,48,49,3000 ドレッサ 40,41 砥液供給ノズル 43,43’,3020 水桶 44,45 アトマイザー 46 ハウジング 50 ウエハステーション 51 揺動アーム 60 トップリング洗浄ノズル 71,72,73,74,237,351,354
透過型光センサ 75,76,100,101,203 リンスノズル 78,79 ガイドブロック 80,80’,3061 ポリッシャーパン 81,232,261,313,3008,3016,
3053,3054シリンダ 91 トップリング駆動軸 92,95,98,3013,3051 回転軸 93 ドレッサ駆動軸 96 ドレッサ固定機構 94,97 ドレッサヘッド 98 揺動軸 101 ウエハ 103,301 ガイドリング 104,402,404 モータハウジング 120 θ軸 121 R1,R2軸 122 Z軸 123 X軸 124 ロボットボディ 125 上ハンド 126 下ハンド 140 中空シャフト 141 ガイドステージ 142 スプラインシャフト 143,143’ プッシュステージ 144 フローティングジョイント 145,146 エアシリンダ 147,150 スライドブッシュ 148 トップリングガイド 149 リニアウェイ 151,3058 ベアリングケース 152,159,233 圧縮バネ 153 ガイドスリーブ 154 センタスリーブ 155 Vリング 156 ショックキラー 160 プッシュロッド 180 位置決め用テーパ 190 フィルタ 191 ファン 192 ダンパ 193 ダクト 194 フィルタファンユニット 195 吸入口(開口部) 197 個別排気 198 機構 201 ウエハ載置用ピン 202 テーパ 204 セパレータ 205 サーボモータ 206 原点センサ 210,211,212,213,216,260,3
66,901,902ステージ 230 アーム 231 コマ 234,262,752 シャフト 235,264 ストッパ 236 エンドブロック 237 センサ 238,240,3005,3011 プーリ 239 ステッピングモータ 241,312 ベルト 250 ウエハ有無センサ 250a 投光側 250b 受光側 263 爪 265 ストッパベース 266,267,3064 センサ 300 トップリング本体 302 バッキングフィルム 303 貫通穴 304 取付けフランジ 305 球 306 旋回アーム 309,401,633,750,3014 モータ 310 駆動プーリ 311 従動プーリ 314,371,3019 駆動フランジ 316 回転継手 352 サーチ機構 353 ダミーウエハステーション 355 駆動源(パルスモータ) 356 ウエハサーチセンサ 360 扉 361 開閉判別用センサ 362 昇降機構 363 底板 364 装置内部 365 装置外の雰囲気 367 箱 370 ドレッサプレート 373 ダイヤモンド粒 374 ブラシ 376 防水キャップ 377 Vリング 378,701,710 ラビリンス 403,706,709 ハウジング 405 ロータリージョイント 420,421,424,425,426,440,4
41 バルブ 430,432 ポンプ 501,502,503,504,505 スプレー
ノズル 634 ケーシング 635 支持板 636 支持部 637 定盤 638,639,648,760,761 凹所 640,641,753,762,763,3006,
3057 ベアリング 642,643,764,765 軸体 644 連結部材 645 主軸 646 駆動端 647,650,651,3032 軸受 649 モータ室 652a,652b,767 バランサ 653,654 板状部材 655 研磨液空間 656 研磨液供給口 657,658 研磨液吐出孔 659 研磨パッド 661 回転槽 700 定盤 702,703 Oリング 707 ドグ 708 近接スイッチ 709 ポート 751 上部フランジ 754 セットリング 757,768 貫通孔 758 支持部 759 テーブル 766 支持部材 769 フリンガー 770 樋 790 ボルト 791 継ぎ手 810,3050 液体供給アーム 812 スライド機構 813 ボックスカバー 814 ステー 815 ディテント機構 819 下面 821 開口 823 ノズル 824 コネクタ 825 供給チューブ 840 ノズルアセンブリ 840a ノズル設定部材 850 揺動軸 903,904 サポート 905,906 ガイド付エアシリンダ 908 スライダ 909 ガイドレール 910 マグネット型シリンダ 911 ガイドパイプ 912 ピストン 920 ピン 921 支持プレート 925 ウエハトレイ 926 ウエハ保持面 3002 ブラシ固定座 3007 ブラケット 3010 ガイド 3012 タイミングベルト 3017 クランク 3018 スライダ 3021 上昇端センサ 3022 下降端センサ 3024 終端センサ 3026,3027 保護外装 3028 ロータリボールスプライン 3029 スプライン外輪 3030 フランジ外輪 3031 ドレッシング剤供給口 3052 揺動アーム 3055 ベース 3056 シリンダブラケット 3059 アーム本体 3060 フリンガー 3062 インシロック 3063 チューブ 3065 ドグ 3066,3067,3068,3069 位置セン
サ 3070 飛散防止カバー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer cassette 2 Load / unload stage 3 Traveling mechanism 4, 20, 21 Transfer robot 5, 6, 22, 23 Cleaning machine 5a, 6a, 11, 22a, 23a, 25, 26, 5
2,77,357 Shutter 7,8 Dry station 9,10 Wet station 14,15,16,24,47,358 Partition wall 27 Rotary transporter 27A, 27B Linear transporter 28,28 'Inverter 29,29' Lifter 30 , 30 'Pusher 31 Top ring head 32, 33 Top ring 34, 35, 36, 37, 755 Polishing table 38, 39, 48, 49, 3000 Dresser 40, 41 Abrasive liquid supply nozzle 43, 43', 3020 Water trough 44, 45 atomizer 46 housing 50 wafer station 51 swing arm 60 top ring cleaning nozzle 71, 72, 73, 74, 237, 351, 354
Transmission type optical sensor 75, 76, 100, 101, 203 Rinse nozzle 78, 79 Guide block 80, 80 ', 3061 Polisher pan 81, 232, 261, 313, 3008, 3016
3053, 3054 cylinder 91 Top ring drive shaft 92, 95, 98, 3013, 3051 Rotary shaft 93 Dresser drive shaft 96 Dresser fixing mechanism 94, 97 Dresser head 98 Swing shaft 101 Wafer 103, 301 Guide ring 104, 402, 404 Motor Housing 120 θ axis 121 R1, R2 axis 122 Z axis 123 X axis 124 Robot body 125 Upper hand 126 Lower hand 140 Hollow shaft 141 Guide stage 142 Spline shaft 143, 143 ′ Push stage 144 Floating joint 145, 146 Air cylinder 147, 150 Slide bush 148 Top ring guide 149 Linear way 151, 3058 Bearing case 152, 159, 233 Compression spring 153 Guide Reeve 154 Center sleeve 155 V-ring 156 Shock absorber 160 Push rod 180 Positioning taper 190 Filter 191 Fan 192 Damper 193 Duct 194 Filter fan unit 195 Suction port (opening) 197 Individual exhaust 198 Mechanism 201 Wafer mounting pin 202 Taper 204 Separator 205 Servo motor 206 Origin sensor 210, 211, 212, 213, 216, 260, 3
66,901,902 Stage 230 Arm 231 Frame 234,262,752 Shaft 235,264 Stopper 236 End block 237 Sensor 238,240,3005,3011 Pulley 239 Stepping motor 241, 312 Belt 250 Wafer presence sensor 250a Light emitting side 250b Light receiving Side 263 Claw 265 Stopper base 266, 267, 3064 Sensor 300 Top ring body 302 Backing film 303 Through hole 304 Mounting flange 305 Sphere 306 Swivel arm 309, 401, 633, 750, 3014 Motor 310 Drive pulley 311 Follower pulley 314, 371 3019 Drive flange 316 Rotary joint 352 Search mechanism 353 Dummy wafer station 355 Drive source (pulse motor ) 356 Wafer search sensor 360 Door 361 Open / close discrimination sensor 362 Elevating mechanism 363 Bottom plate 364 Inside device 365 Atmosphere outside device 367 Box 370 Dresser plate 373 Diamond grain 374 Brush 376 Waterproof cap 377 V ring 378, 701, 710 Labyrinth 403 , 709 Housing 405 Rotary joint 420, 421, 424, 425, 426, 440, 4
41 Valve 430, 432 Pump 501, 502, 503, 504, 505 Spray nozzle 634 Casing 635 Support plate 636 Support section 637 Surface plate 638, 639, 648, 760, 761 Recess 640, 641, 753, 762, 763, 3006 ,
3057 Bearing 642, 643, 764, 765 Shaft 644 Connecting member 645 Main shaft 646 Drive end 647, 650, 651, 3032 Bearing 649 Motor chamber 652a, 652b, 767 Balancer 653, 654 Plate member 655 Polishing liquid space 656 Polishing liquid supply Mouth 657,658 Polishing liquid discharge hole 659 Polishing pad 661 Rotating tank 700 Surface plate 702,703 O ring 707 Dog 708 Proximity switch 709 Port 751 Upper flange 754 Set ring 757,768 Through hole 758 Support portion 759 Table 766 Support member 769 Flinger 770 gutter 790 bolt 791 joint 810, 3050 liquid supply arm 812 slide mechanism 813 box cover 814 stay 815 detent mechanism 819 bottom surface 821 opening 23 Nozzle 824 Connector 825 Supply tube 840 Nozzle assembly 840a Nozzle setting member 850 Swing shaft 903, 904 Support 905, 906 Air cylinder with guide 908 Slider 909 Guide rail 910 Magnet type cylinder 911 Guide pipe 912 Piston 920 Pin 921 Support plate 925 Wafer tray 926 Wafer holding surface 3002 Brush fixing seat 3007 Bracket 3010 Guide 3012 Timing belt 3017 Crank 3018 Slider 3021 Rising end sensor 3022 Descending end sensor 3024 Termination sensor 3026, 3027 Protective armor 3028 Rotary ball spline 3029 Spline outer ring 3030 Flange outer ring 3031 Dressing agent 3052 Swing arm 3 55 base 3056 cylinder bracket 3059 arm body 3060 flinger 3062 Inshirokku 3063 Tube 3065 dog 3066,3067,3068,3069 position sensor 3070 scattering prevention cover

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 644 H01L 21/304 644C 651 651B B24B 37/04 B24B 37/04 Z H01L 21/68 H01L 21/68 A (72)発明者 高田 暢行 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 若林 聡 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 斎藤 賢一郎 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 関本 雅彦 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 葉山 卓児 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 古賀 大輔 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/304 644 H01L 21/304 644C 651 651B B24B 37/04 B24B 37/04 Z H01L 21/68 H01L 21 / 68 A (72) Inventor Nobuyuki Takada 11-1 Haneda Asahimachi, Ota-ku, Tokyo Inside Ebara Corporation (72) Inventor Satoshi Wakabayashi 11-1 Haneda Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Inside Ebara Corporation ( 72) Inventor Kenichiro Saito 11-1 Haneda Asahimachi, Ota-ku, Tokyo Inside Ebara Works, Ltd. (72) Inventor Masahiko Sekimoto 11-1, Asahi-cho Haneda, Ota-ku, Tokyo Inside Ebara Works, Ltd. (72) Inventor Takuji Hayama 11-1 Haneda Asahimachi, Ota-ku, Tokyo Inside Ebara Corporation (72) Inventor Daisuke Koga 11th Asahi-cho Haneda, Ota-ku, Tokyo No. within the Ebara Corporation

Claims (46)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング対象物
を前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する3台以上の洗浄
装置と、 前記3台以上の洗浄装置間で研磨後のポリッシング対象
物を搬送する搬送機構とを備え、 前記搬送機構は前記3台以上の洗浄装置間における搬送
ルートを変更可能であることを特徴とするポリッシング
装置。
1. A polishing table having a polishing surface, a top ring for holding an object to be polished and pressing the object to be polished against the polishing surface, and three or more cleaning devices for cleaning the object to be polished after polishing An apparatus, and a transport mechanism for transporting the polished object after polishing between the three or more cleaning apparatuses, wherein the transport mechanism can change a transport route between the three or more cleaning apparatuses. Polishing equipment.
【請求項2】 前記3台以上の洗浄装置は、研磨後の各
ポリッシング対象物を3段以上の段数の洗浄工程が可能
であることを特徴とする請求項1記載のポリッシング装
置。
2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the three or more cleaning apparatuses are capable of performing three or more cleaning steps of each polished object after polishing.
【請求項3】 前記搬送機構は研磨後のポリッシング対
象物を並列した2つの搬送ルートで洗浄装置間を搬送可
能であり、前記3台以上の洗浄装置は、研磨後のポリッ
シング対象物を2段以上の段数の洗浄工程が可能である
ことを特徴とする請求項1記載のポリッシング装置。
3. The transport mechanism is capable of transporting the object to be polished between two cleaning routes in parallel between the cleaning devices, and the three or more cleaning devices transport the object to be polished in two stages. 2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the number of cleaning steps is possible.
【請求項4】 前記洗浄装置の少なくとも2台は、ポリ
ッシング対象物を回転させて乾燥させるスピンドライ機
能を有することを特徴とする請求項1記載のポリッシン
グ装置。
4. The polishing apparatus according to claim 1, wherein at least two of the cleaning apparatuses have a spin-drying function of rotating and drying an object to be polished.
【請求項5】 研磨面を有した複数の研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング対象物
を前記研磨面に押圧する複数のトップリングと、 前記複数のトップリングが到達可能な位置に設置され、
回転中心から所定円周上に位置しポリッシング対象物を
保持する複数の部分を有し、かつこの複数の部分におけ
るポリッシング対象物の入れ換えを行う機能を有するロ
ータリトランスポータと、 前記ロータリトランスポータとトップリングとの間でポ
リッシング対象物を受け渡しするプッシャーと、 前記ロータリトランスポータとの間でポリッシング対象
物を受け渡し可能であるとともにポリッシング対象物を
反転する機能を有する反転機とを備えたことを特徴とす
るポリッシング装置。
5. A plurality of polishing tables each having a polishing surface; a plurality of top rings for holding an object to be polished and pressing the object to be polished against the polishing surface; and a position to which the plurality of top rings can reach. Installed in
A rotary transporter having a plurality of portions located on a predetermined circumference from the rotation center and holding the object to be polished, and having a function of exchanging the objects to be polished in the plurality of portions; and the rotary transporter and the top A pusher for transferring a polishing object to and from a ring, and a reversing machine capable of transferring the polishing object between the rotary transporter and having a function of reversing the polishing object. Polishing equipment.
【請求項6】 前記複数のトップリングの各々は、回転
軸を中心として揺動することにより、少なくとも1つの
研磨テーブルとロータリトランスポータの上方とに移動
することができることを特徴とする請求項5記載のポリ
ッシング装置。
6. The apparatus according to claim 5, wherein each of the plurality of top rings can move above at least one of the polishing table and the rotary transporter by swinging about a rotation axis. The polishing apparatus according to claim 1.
【請求項7】 前記複数のトップリングの各々は、回転
軸を中心として揺動することにより、2つの研磨テーブ
ルの上方に移動することができることを特徴とする請求
項6記載のポリッシング装置。
7. The polishing apparatus according to claim 6, wherein each of the plurality of top rings can move above two polishing tables by swinging about a rotation axis.
【請求項8】 前記複数の研磨テーブルの1つはスクロ
ール型研磨テーブルであることを特徴とする請求項5記
載のポリッシング装置。
8. The polishing apparatus according to claim 5, wherein one of the plurality of polishing tables is a scroll-type polishing table.
【請求項9】 前記複数の研磨テーブルは各々専用のド
レッサーを具備し、かつ該ドレッサーをクリーニングす
る機構も具備していることを特徴とする請求項5記載の
ポリッシング装置。
9. The polishing apparatus according to claim 5, wherein each of the plurality of polishing tables has a dedicated dresser and a mechanism for cleaning the dresser.
【請求項10】 前記トップリングは、研磨終了後に研
磨テーブルから離間したオーバーハング位置に揺動し、
この状態で研磨テーブルに隣接して設置されたノズルか
らトップリングに保持されたポリッシング対象物に洗浄
液を供給することを特徴とする請求項5記載のポリッシ
ング装置。
10. The top ring swings to an overhang position separated from a polishing table after polishing is completed,
6. The polishing apparatus according to claim 5, wherein a cleaning liquid is supplied to a polishing target held on the top ring from a nozzle installed adjacent to the polishing table in this state.
【請求項11】 前記ロータリトランスポータの複数の
部分は、研磨前のウエハを保持するロード用置き台と、
研磨後のウエハを保持するアンロード用置き台とからな
ることを特徴とする請求項5又は6記載のポリッシング
装置。
11. A plurality of portions of the rotary transporter, wherein: a loading table for holding a wafer before polishing;
7. The polishing apparatus according to claim 5, further comprising an unloading table for holding the polished wafer.
【請求項12】 前記反転機はロータリトランスポータ
の上方又は下方に位置しており、反転機とロータリトラ
ンスポータ間におけるポリッシング対象物の受け渡し
は、ポリッシング対象物を保持して昇降するリフタによ
り行うことを特徴とする請求項5記載のポリッシング装
置。
12. The reversing machine is located above or below the rotary transporter, and the transfer of the polishing object between the reversing machine and the rotary transporter is performed by a lifter that holds the polishing object and moves up and down. The polishing apparatus according to claim 5, wherein:
【請求項13】 前記反転機は研磨後のポリッシング対
象物を反転して被研磨面を上方に向け、その後、被研磨
面が上向きの状態でポリッシング対象物が洗浄されるこ
とを特徴とする請求項5乃至12のいずれか1項に記載
のポリッシング装置。
13. The polishing machine according to claim 1, wherein the reversing machine reverses the object to be polished after polishing, so that the surface to be polished faces upward, and thereafter, the object to be polished is cleaned with the surface to be polished facing upward. 13. The polishing apparatus according to any one of items 5 to 12.
【請求項14】 ポリッシング対象物の研磨を行う研磨
部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する洗浄部と、 研磨前および研磨後のポリッシング対象物を反転する反
転機とを備え、 前記研磨部ではポリッシング対象物の被研磨面を下向き
にした状態で処理し、前記洗浄部ではポリッシング対象
物の被研磨面を上向きにした状態で処理することを特徴
とするポリッシング装置。
14. A polishing section, comprising: a polishing section for polishing an object to be polished; a cleaning section for cleaning the object to be polished; and a reversing machine for reversing the object to be polished before and after polishing. In the polishing apparatus, the polishing is performed with the polished surface of the object to be polished facing downward, and the cleaning unit performs the processing with the polished surface of the object to be polished facing up.
【請求項15】 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持しかつポリッシング対象物を
前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄装置
と、 前記複数の洗浄装置間で研磨後のポリッシング対象物を
搬送する搬送機構と、 前記複数の洗浄装置を経由してポリッシング対象物が複
数段の洗浄工程を経る間にポリッシング対象物を待機さ
せるための置き台を具備したステーションとを備えたこ
とを特徴とするポリッシング装置。
15. A polishing table having a polishing surface; a top ring for holding a polishing object and pressing the polishing object against the polishing surface; a plurality of cleaning devices for cleaning the polished polishing object; A transport mechanism for transporting the polished polishing object between the plurality of cleaning devices, and a polishing mechanism for allowing the polishing object to wait through a plurality of cleaning processes via the plurality of cleaning devices. A polishing apparatus comprising: a station having a table.
【請求項16】 前記ステーションは、待機中のポリッ
シング対象物に乾燥防止用の洗浄液を供給するノズルを
備えることを特徴とする請求項15記載のポリッシング
装置。
16. The polishing apparatus according to claim 15, wherein the station includes a nozzle for supplying a cleaning liquid for preventing drying to the polishing target on standby.
【請求項17】 前記ステーションは、前記研磨テーブ
ルと複数のポリッシング対象物を収容したカセットとの
間に配置され、前記ステーションは、研磨前のポリッシ
ング対象物を前記研磨テーブルに搬送する前に待機させ
るための置き台を備えることを特徴とする請求項15記
載のポリッシング装置。
17. The polishing apparatus according to claim 17, wherein the station is disposed between the polishing table and a cassette containing a plurality of objects to be polished, and the station waits before transferring the object to be polished before polishing to the polishing table. 16. The polishing apparatus according to claim 15, further comprising a table for mounting.
【請求項18】 前記ステーションは、研磨後のポリッ
シング対象物を前記カセットに収容する前に待機させる
ための置き台を備えることを特徴とする請求項17記載
のポリッシング装置。
18. The polishing apparatus according to claim 17, wherein the station includes a table for holding a polished object to be polished before being housed in the cassette.
【請求項19】 前記ステーションは、前記カセット側
の領域と前記洗浄装置側の領域を仕切るためのシャッタ
ーを備えていることを特徴とする請求項17に記載のポ
リシング装置。
19. The polishing apparatus according to claim 17, wherein the station includes a shutter for separating an area on the cassette side and an area on the cleaning apparatus side.
【請求項20】 前記置き台は、研磨前のポリッシング
対象物を待機させる置き台と研磨後のポリッシング対象
物を待機させる置き台とに分けられていることを特徴と
する請求項15乃至19のいずれか1項に記載のポリシ
ング装置。
20. The holder according to claim 15, wherein the holder is divided into a holder for holding a polishing object before polishing and a holder for holding a polishing object after polishing. The polishing apparatus according to claim 1.
【請求項21】 前記研磨前のポリッシング対象物を待
機させる置き台を2個以上具備し、前記研磨後のポリッ
シング対象物を待機させる置き台を2個以上具備し、前
記研磨前のポリッシング対象物を待機させる少なくとも
2個の置き台が重なることなく左右に設置され、その下
方に前記研磨後のポリッシング対象物を待機させる2個
以上の置き台が設置されていることを特徴とする請求項
18記載のポリッシング装置。
21. A polishing object before polishing, comprising two or more pedestals for holding the polishing object before polishing, and two or more pedestals for holding the polishing object after polishing. 20. At least two pedestals for holding the polishing object are provided on the left and right without overlapping, and two or more pedestals for holding the polished polishing object are provided below the at least two pedestals. The polishing apparatus according to claim 1.
【請求項22】 前記研磨後のポリッシング対象物を待
機させる2個以上の置き台は、2台の搬送ロボットの搬
送可能領域の交点に上下に位置していることを特徴とす
る請求項21記載のポリッシング装置。
22. The apparatus according to claim 21, wherein the two or more placing stands for holding the polished object to be polished are vertically located at the intersection of the transferable areas of the two transfer robots. Polishing equipment.
【請求項23】 前記研磨後のポリッシング対象物を待
機させる2個以上の置き台は上下に位置し、上側の置き
台には少なくとも一度洗浄したポリッシング対象物を待
機させ、下側の置き台には洗浄前のポリッシング対象物
を待機させることを特徴とする請求項21記載のポリッ
シング装置。
23. The two or more pedestals for holding the polished polishing object on standby are vertically positioned, the upper pedestal holding at least the polishing object that has been cleaned at least once, and the lower pedestal. 22. The polishing apparatus according to claim 21, wherein the polishing object waits for a polishing target before cleaning.
【請求項24】 研磨すべきポリッシング対象物を供給
するとともに研磨後のポリッシング対象物を受け入れる
ロードアンロード部と、 ポリッシング対象物の研磨を行う研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する洗浄部とを備
え、 前記ロードアンロード部、研磨部および洗浄部は、それ
ぞれポリッシング対象物を通過させるための開口を備え
た隔壁によって仕切られた部屋に収容されていることを
特徴とするポリッシング装置。
24. A loading / unloading section for supplying a polishing target to be polished and receiving a polishing target after polishing, a polishing section for polishing the polishing target, and a cleaning for cleaning the polishing target after polishing. A polishing apparatus comprising: a loading / unloading unit; a polishing unit; and a cleaning unit, each of which is accommodated in a room partitioned by a partition having an opening through which an object to be polished passes.
【請求項25】 前記各隔壁の開口部には、開閉可能な
シャッタが設けられていることを特徴とする請求項24
記載のポリッシング装置。
25. An opening / closing shutter provided at an opening of each partition.
The polishing apparatus according to claim 1.
【請求項26】 前記各部屋の気圧は独立に制御可能で
あることを特徴とする請求項24記載のポリッシング措
置。
26. The polishing measure according to claim 24, wherein the air pressure in each room can be controlled independently.
【請求項27】 前記研磨部は複数個あり、各研磨部は
相互に隔壁で仕切られていることを特徴とする請求項2
4記載のポリッシング装置。
27. The polishing apparatus according to claim 2, wherein there are a plurality of polishing sections, and each of the polishing sections is separated from each other by partition walls.
5. The polishing apparatus according to claim 4.
【請求項28】 前記研磨部の少なくとも1つを使用し
てポリッシング装置を運転中に他の研磨部のメンテナン
スが可能であることを特徴とする請求項27記載のポリ
ッシング装置。
28. The polishing apparatus according to claim 27, wherein maintenance of another polishing section is possible while operating the polishing apparatus using at least one of the polishing sections.
【請求項29】 前記洗浄部はポリッシング対象物を洗
浄する複数の洗浄装置を備え、 前記洗浄装置の少なくとも1つを使用してポリッシング
装置を運転中に他の洗浄装置のメンテナンスが可能であ
ることを特徴とする請求項24記載のポリッシング装
置。
29. The cleaning section includes a plurality of cleaning apparatuses for cleaning an object to be polished, and at least one of the cleaning apparatuses can perform maintenance of another cleaning apparatus during operation of the polishing apparatus. The polishing apparatus according to claim 24, wherein:
【請求項30】 前記ロードアンロード部は、複数のポ
リッシング対象物を収容するためのカセットを複数個載
置可能であり、前記ロードアンロード部は載置された各
カセットを仕切るための隔壁を備えていることを特徴と
する請求項24記載のポリッシング措置。
30. The loading / unloading section is capable of mounting a plurality of cassettes for accommodating a plurality of objects to be polished, and the loading / unloading section includes a partition wall for partitioning the loaded cassettes. 25. A polishing measure according to claim 24, comprising:
【請求項31】 前記ロードアンロード部は4個以上の
前記カセットを載置可能であり、少なくとも2個のカセ
ット内のポリッシング対象物が並行して処理可能である
ことを特徴とする請求項30記載のポリッシング装置。
31. The loading / unloading section, wherein four or more cassettes can be placed, and polishing objects in at least two cassettes can be processed in parallel. The polishing apparatus according to claim 1.
【請求項32】 研磨面を有した複数の研磨テーブル
と、 ポリッシング対象物を保持しかつポリッシング対象物を
前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄装置
と、 ポリッシング対象物を搬送する搬送機構とを備え、 前記複数の研磨テーブルの研磨面は、粗研磨を行う研磨
面と仕上げ研磨を行う研磨面から構成されていることを
特徴とするポリッシング装置。
32. A plurality of polishing tables each having a polishing surface, a top ring for holding a polishing object and pressing the polishing object against the polishing surface, and a plurality of cleaning devices for cleaning the polished polishing object. And a transport mechanism for transporting an object to be polished, wherein the polishing surfaces of the plurality of polishing tables include a polishing surface for performing rough polishing and a polishing surface for performing final polishing.
【請求項33】 前記複数の研磨テーブルの研磨面の少
なくとも1つは、研磨パッドで構成され、他の少なくと
も1つは砥石で構成されていることを特徴とする請求項
32記載のポリシング装置。
33. The polishing apparatus according to claim 32, wherein at least one of the polishing surfaces of the plurality of polishing tables is formed of a polishing pad, and at least one of the other polishing tables is formed of a grindstone.
【請求項34】 前記複数の研磨テーブルは、直径の異
なった少なくとも2種類の研磨テーブルを含むことを特
徴とする請求項32記載のポリッシング装置。
34. The polishing apparatus according to claim 32, wherein said plurality of polishing tables include at least two types of polishing tables having different diameters.
【請求項35】 前記砥石からなる研磨面でポリッシン
グ対象物の第1段の研磨を行った後に、前記研磨パッド
からなる研磨面で第1段研磨が終了したポリッシング対
象物の第2段の研磨を行うことを特徴とする請求項33
記載のポリッシング装置。
35. Second-stage polishing of an object to be polished after the first-stage polishing of the object to be polished on the polished surface made of the whetstone is completed on the polished surface made of the polishing pad. 34. The method according to claim 33, wherein
The polishing apparatus according to claim 1.
【請求項36】 研磨すべきポリッシング対象物を供給
するとともに研磨後のポリッシング対象物を受け入れる
ロードアンロード部と、 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング対象物
を前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する3台以上の洗浄
装置と、 ポリッシング対象物を搬送する搬送機構とを備え、 前記3台以上の洗浄装置の少なくとも2台は、同一洗浄
機能を有することを特徴とするポリッシング装置。
36. A loading / unloading section for supplying a polishing target to be polished and receiving a polished polishing target, a polishing table having a polishing surface, holding the polishing target, and removing the polishing target. A top ring for pressing against the polishing surface, three or more cleaning devices for cleaning the object to be polished after polishing, and a transport mechanism for transporting the object to be polished, at least two of the three or more cleaning devices Is a polishing apparatus having the same cleaning function.
【請求項37】 前記搬送機構は複数のロボットからな
り、前記ロードアンロード部に載置されたカセットとの
間でポリッシング対象物を受け渡しするロボットは2つ
のハンドを具備し、一方のハンドはポリッシング対象物
を真空吸着する吸着型ハンドであり、他方のハンドはポ
リッシング対象物の周縁部を保持する落し込み型ハンド
であり、前記吸着型ハンドはカセットよりポリッシング
対象物を受け取るときに使用され、前記落し込み型ハン
ドはカセットにポリッシング対象物を戻すときに使用さ
れることを特徴とする請求項36記載のポリッシング装
置。
37. The transfer mechanism comprises a plurality of robots, and the robot for transferring a polishing object to and from a cassette mounted on the loading / unloading unit has two hands, one of which is a polishing machine. The suction type hand is a suction type hand that vacuum-adsorbs an object, the other hand is a drop-down type hand that holds a peripheral edge of the object to be polished, and the suction type hand is used when receiving the object to be polished from a cassette, 37. The polishing apparatus according to claim 36, wherein the drop-type hand is used when returning an object to be polished to the cassette.
【請求項38】 前記搬送機構は複数のロボットからな
り、少なくとも1つのロボットは上下に配置された2つ
のハンドを具備し、上側のハンドは一度洗浄されたポリ
ッシング対象物を保持し、下側のハンドは一度も洗浄さ
れていないポリッシング対象物及び研磨前のポリッシン
グ対象物を保持することを特徴とする請求項36記載の
ポリッシング装置。
38. The transfer mechanism comprises a plurality of robots, at least one of the robots includes two hands arranged one above the other, the upper hand holding the object to be polished once, and the lower hand. 37. The polishing apparatus according to claim 36, wherein the hand holds an object to be polished that has not been cleaned and an object to be polished before polishing.
【請求項39】 前記洗浄装置の少なくとも2台は、ポ
リッシング対象物の両面洗浄が可能であることを特徴と
する請求項36記載のポリッシング装置。
39. The polishing apparatus according to claim 36, wherein at least two of said cleaning apparatuses are capable of cleaning both sides of an object to be polished.
【請求項40】 ポリッシング対象物を待機させる置き
台を備え、前記吸着型ハンドはポリッシング対象物を保
持した状態で前記置き台の上方に位置した後に、真空を
破壊してポリッシング対象物を前記置き台のガイドによ
りポリッシング対象物の求芯を行って置き台に受け渡す
ことを特徴とする請求項37記載のポリシング装置。
40. A polishing apparatus, comprising: a holder for holding the object to be polished, wherein the suction type hand is positioned above the holder while holding the object to be polished, and then the vacuum is broken to place the object to be polished on the holder. 38. The polishing apparatus according to claim 37, wherein the polishing target is centered by a guide and transferred to a placing table.
【請求項41】 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持しポリッシング対象物を前記
研磨面に押圧するトップリングと、 前記ポリッシング対象物を載置するとともに移動可能な
複数の置き台を備えた搬送機構と、 前記置き台とトップリングとの間でポリッシング対象物
を受け渡しするプッシャーと、 前記置き台との間でポリッシング対象物を受け渡し可能
であるとともにポリッシング対象物を反転する機能を有
する反転機とを備えたことを特徴とするポリッシング装
置。
41. A polishing table having a polishing surface, a top ring for holding a polishing object and pressing the polishing object against the polishing surface, and a plurality of pedestals on which the polishing object is placed and movable. And a pusher for transferring the object to be polished between the table and the top ring, and a function of inverting the object to be polished while being capable of transferring the object to be polished between the table and the table. And a reversing machine having the same.
【請求項42】 前記搬送機構は、前記トップリングが
到達可能な位置に設置され、回転中心から所定円周上に
位置しポリッシング対象物を保持する複数の置き台を有
し、かつこの複数の置き台の割り出しを行うインデック
ス機能を有するロータリトランスポータからなることを
特徴とする請求項41記載のポリッシング装置。
42. The transport mechanism is provided at a position where the top ring can reach, has a plurality of pedestals that are located on a predetermined circumference from a rotation center and hold a polishing object, and 42. The polishing apparatus according to claim 41, comprising a rotary transporter having an index function for indexing the table.
【請求項43】 前記搬送機構は、前記トップリングが
到達可能な位置に設置され、直線往復移動可能な複数の
置き台を有するリニアトランスポータからなることを特
徴とする請求項41記載のポリッシング装置。
43. The polishing apparatus according to claim 41, wherein said transport mechanism comprises a linear transporter which is installed at a position where said top ring can reach, and has a plurality of platforms which can linearly reciprocate. .
【請求項44】 前記トップリングは、回転軸を中心と
して揺動することにより、少なくとも1つの研磨テーブ
ルと前記搬送機構の置き台の上方とに移動することがで
きることを特徴とする請求項41乃至43のいずれか1
項に記載のポリッシング装置。
44. The apparatus according to claim 41, wherein the top ring is movable about at least one polishing table and a table above the transfer mechanism by swinging about a rotation axis. Any one of 43
The polishing apparatus according to any one of the preceding claims.
【請求項45】 前記複数の置き台は、移動時に相互に
干渉しないように異なった高さに位置していることを特
徴とする請求項41乃至44のいずれか1項に記載のポ
リッシング装置。
45. The polishing apparatus according to claim 41, wherein the plurality of placing tables are located at different heights so as not to interfere with each other during movement.
【請求項46】 前記搬送機構の置き台は、研磨前のポ
リッシング対象物を保持するロード用置き台と、研磨後
のポリッシング対象物を保持するアンロード用置き台と
からなることを特徴とする請求項41乃至45のいずれ
か1項に記載のポリッシング装置。
46. The pedestal of the transport mechanism comprises a loading pedestal for holding an object to be polished before polishing and an unloading pedestal for holding an object to be polished after polishing. 46. The polishing apparatus according to claim 41.
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086545A (en) * 2001-09-14 2003-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd Device for removing processing strain
JP2004327970A (en) * 2003-03-28 2004-11-18 Integrated Dynamics Engineering Gmbh High-speed exchanging station for transferring wafer
WO2006115277A1 (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Ebara Corporation Wafer transfer apparatus, polishing apparatus and wafer receiving method
JP2007067179A (en) * 2005-08-31 2007-03-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd Mirror-finished surface polishing method and system for semiconductor wafer
KR100757138B1 (en) 2006-07-27 2007-09-10 동부일렉트로닉스 주식회사 Chemical mechanical polish equipment with wafer rinse unit on polishing head and rinse method
US7645185B2 (en) 2002-03-29 2010-01-12 Ebara Corporation Substrate delivery mechanism
JP2010050436A (en) * 2008-07-24 2010-03-04 Ebara Corp Substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2013254964A (en) * 2008-01-23 2013-12-19 Ebara Corp Substrate processing apparatus and operation method of the same
US8795032B2 (en) 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
JP2016009818A (en) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 Cleaning unit
KR20160040428A (en) 2014-10-03 2016-04-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus and processing method
JP2017147334A (en) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社荏原製作所 Device and method for cleaning backside of substrate
KR20170114946A (en) 2016-04-04 2017-10-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate transport apparatus, substrate processing apparatus, and dew condensation suppression method
KR20180123805A (en) * 2017-05-10 2018-11-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
US10183374B2 (en) 2014-08-26 2019-01-22 Ebara Corporation Buffing apparatus, and substrate processing apparatus
US10340159B2 (en) 2014-06-09 2019-07-02 Ebara Corporation Cleaning chemical supplying device, cleaning chemical supplying method, and cleaning unit
US10343192B2 (en) 2017-04-03 2019-07-09 Ebara Corporation Liquid supplying device and liquid supplying method
US10651057B2 (en) 2017-05-01 2020-05-12 Ebara Corporation Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
KR20210030331A (en) * 2014-08-26 2021-03-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
CN114400154A (en) * 2022-01-24 2022-04-26 淮安永捷电子科技有限公司 Surface treatment equipment and method for chip capacitor device
WO2022103528A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
CN117276161A (en) * 2023-11-22 2023-12-22 和研半导体设备(沈阳)有限公司 Wafer processing system and method

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086545A (en) * 2001-09-14 2003-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd Device for removing processing strain
KR100956671B1 (en) * 2002-03-29 2010-05-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 A substrate delivery mechanism
US7645185B2 (en) 2002-03-29 2010-01-12 Ebara Corporation Substrate delivery mechanism
JP2004327970A (en) * 2003-03-28 2004-11-18 Integrated Dynamics Engineering Gmbh High-speed exchanging station for transferring wafer
WO2006115277A1 (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Ebara Corporation Wafer transfer apparatus, polishing apparatus and wafer receiving method
US8118640B2 (en) 2005-04-21 2012-02-21 Ebara Corporation Wafer transferring apparatus, polishing apparatus, and wafer receiving method
JP2007067179A (en) * 2005-08-31 2007-03-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd Mirror-finished surface polishing method and system for semiconductor wafer
KR100757138B1 (en) 2006-07-27 2007-09-10 동부일렉트로닉스 주식회사 Chemical mechanical polish equipment with wafer rinse unit on polishing head and rinse method
JP2013254964A (en) * 2008-01-23 2013-12-19 Ebara Corp Substrate processing apparatus and operation method of the same
US8795032B2 (en) 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US10486285B2 (en) 2008-06-04 2019-11-26 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US9358662B2 (en) 2008-06-04 2016-06-07 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US9687957B2 (en) 2008-06-04 2017-06-27 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US11426834B2 (en) 2008-06-04 2022-08-30 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
JP2010050436A (en) * 2008-07-24 2010-03-04 Ebara Corp Substrate processing apparatus, and substrate processing method
US10340159B2 (en) 2014-06-09 2019-07-02 Ebara Corporation Cleaning chemical supplying device, cleaning chemical supplying method, and cleaning unit
JP2016009818A (en) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 Cleaning unit
US10183374B2 (en) 2014-08-26 2019-01-22 Ebara Corporation Buffing apparatus, and substrate processing apparatus
US11731240B2 (en) 2014-08-26 2023-08-22 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
KR102326734B1 (en) * 2014-08-26 2021-11-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
KR20210030331A (en) * 2014-08-26 2021-03-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
KR20210007008A (en) 2014-10-03 2021-01-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus and processing method
KR20160040428A (en) 2014-10-03 2016-04-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus and processing method
JP2017147334A (en) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社荏原製作所 Device and method for cleaning backside of substrate
KR20170114946A (en) 2016-04-04 2017-10-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate transport apparatus, substrate processing apparatus, and dew condensation suppression method
US10816259B2 (en) 2016-04-04 2020-10-27 Ebara Corporation Substrate transport apparatus, substrate processing apparatus, and dew condensation suppression method
US10926301B2 (en) 2017-04-03 2021-02-23 Ebara Corporation Liquid supplying device and liquid supplying method
US10343192B2 (en) 2017-04-03 2019-07-09 Ebara Corporation Liquid supplying device and liquid supplying method
US10651057B2 (en) 2017-05-01 2020-05-12 Ebara Corporation Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
KR102135060B1 (en) 2017-05-10 2020-07-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
KR20180123805A (en) * 2017-05-10 2018-11-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
WO2022103528A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
CN114400154A (en) * 2022-01-24 2022-04-26 淮安永捷电子科技有限公司 Surface treatment equipment and method for chip capacitor device
CN117276161A (en) * 2023-11-22 2023-12-22 和研半导体设备(沈阳)有限公司 Wafer processing system and method
CN117276161B (en) * 2023-11-22 2024-02-02 和研半导体设备(沈阳)有限公司 Wafer processing system and method

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